JP4184037B2 - 水素製造装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、炭化水素ガスの水蒸気改質により改質ガスを生成し、且つ、生成改質ガスを精製して高純度の水素を製造する水素製造装置、そのための円筒型反応管及び平板型反応板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
水素の工業的製造方法の一つとして炭化水素ガスの水蒸気改質法がある。水蒸気改質法では、通常、粒状等の改質触媒を充填した改質器が用いられる。改質器で得られる改質ガスには主成分である水素のほか、ＣＯ、ＣＯ₂等の副生成分や余剰Ｈ₂Ｏが含まれている。このため改質ガスを、例えば燃料電池にそのまま用いたのでは電池性能を阻害してしまう。
【０００３】
燃料電池のうちリン酸形燃料電池（ＰＡＦＣ）で用いる水素ガス中のＣＯは１％（ｖｏｌ％、以下同じ）程度、固体高分子形燃料電池（ＰＥＦＣ）では１００ｐｐｍ（ｖｏｌｐｐｍ、以下同じ）程度が限度であり、これらを超えると電池性能が著しく劣化する。このためそれら副生成分は燃料電池へ導入する前に除去する必要がある。また、不飽和結合への水素添加用あるいは酸水素炎用の水素は通常ボンベに詰めたものが使用されており、純度は５Ｎ（＝９９．９９９％）以上が要求されている。
【０００４】
改質器による改質ガスの生成と該改質ガスの精製とを一つの装置で行えるように一体化した装置としてメンブレンリアクタがある。図１はメンブレンリアクタを原理的に示す図である。炭化水素ガスは、バーナでの発生熱を加熱源とし、水蒸気による改質反応により改質触媒層で改質されて改質ガスとなる。改質ガス中の水素はＰｄ膜などの水素透過膜により選択的に分離され精製水素として取り出される。
【０００５】
図２はメンブレンリアクタの構成例を説明する図である。図２のとおり、反応管（外管）内に水素分離管を配置した多重管で構成される。外管及び水素分離管間の間隙に粒状等の改質触媒が充填され、ここに原料ガス、すなわち炭化水素ガス及び水蒸気が供給され炭化水素ガスが改質される。水素分離管は、多孔質セラミックスや多孔質ステンレス鋼等の支持体上に水素透過機能を有するＰｄなどの金属製の膜を形成することで構成される。
【０００６】
このように、メンブレンリアクタは改質ガスの生成と精製とを一つの装置で行えることから原理的には非常に有用である。しかし、特に水素透過膜について、これが破損するという問題がある。水素透過膜が破損すると所期の精製水素が得られず、メンブレンリアクタとして致命的となる。破損の原因としては、（１）水素透過膜が改質触媒と接触することにより破損する、（２）水素透過膜が支持体により阻害される等の原因が考えられる。
【０００７】
これらの破損原因を回避するため、水素透過膜と改質触媒とを非接触とすることが考えられる。このため、水素分離膜の外側に網状等の保護管を配置することが考えられるが、保護管への原料ガスの吹抜けにより改質反応率が低下するという問題が生じる。同じく、水素透過膜と改質触媒とを非接触とするため、改質触媒をハニカム体に担持することが提案されている（特開２００１−３４８２０５号公報）。しかし、この場合にはハニカム体での原料ガスの吹抜けにより改質反応率が低下するという問題が生じる。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００１−３４８２０５号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、メンブレンリアクタ、すなわち炭化水素ガスの水蒸気改質により改質ガスを生成し且つ生成改質ガスを高純度に精製する水素製造装置で生じる以上の問題を解決するためになされたものであり、水素透過膜の支持体として改質触媒兼支持体を用い、別途粒状触媒等の改質触媒を不要としてなる水素製造装置、および、そのための反応管及び反応板を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は（１）円筒状改質触媒兼支持体と、該改質触媒兼支持体の外周面に水素透過膜を配置してなり、円筒状改質触媒兼支持体の内側に原料ガスを通して円筒状改質触媒兼支持体で改質ガスを生成し、改質ガスを水素透過膜により精製して高純度水素を製造するようにしてなることを特徴とする水素製造装置を提供する。
【００１１】
本発明は（２）円筒状改質触媒兼支持体と、該改質触媒兼支持体の内周面に水素透過膜を配置してなり、円筒状改質触媒兼支持体の外側に原料ガスを通して円筒状改質触媒兼支持体で改質ガスを生成し、改質ガスを水素透過膜により精製して高純度水素を製造するようにしてなることを特徴とする水素製造装置を提供する。
【００１２】
本発明は（３）平板状改質触媒兼支持体と、該改質触媒兼支持体の一面に水素透過膜を配置してなり、平板状改質触媒兼支持体側に原料ガスを通して平板状改質触媒兼支持体で改質ガスを生成し、改質ガスを水素透過膜により精製して高純度水素を製造するようにしてなることを特徴とする水素製造装置を提供する。
【００１３】
本発明は（４）円筒状改質触媒兼支持体と、該改質触媒兼支持体の外周面に配置された水素透過膜からなることを特徴とする水素製造装置用円筒型反応管を提供し、また、本発明は（５）円筒状改質触媒兼支持体と、該改質触媒兼支持体の内周面に配置された水素透過膜からなることを特徴とする水素製造装置用円筒型反応管を提供し、さらに、本発明は（６）平板状改質触媒兼支持体と、該改質触媒兼支持体の一面に配置された水素透過膜からなることを特徴とする水素製造装置用平板型反応板を提供する。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の水素製造装置は、水素透過膜を改質触媒兼支持体に配置して、すなわち水素透過膜を改質触媒兼支持体に支持して構成される。改質触媒兼支持体は、改質触媒としての役割と水素透過膜を支持する役割を同時に果たすもので、本発明において重要な構成である。これにより、炭化水素ガスを改質触媒兼支持体で水蒸気改質して改質ガスを生成し、生成改質ガスを改質触媒兼支持体に支持した水素透過膜により精製し、高純度の水素を製造する。
【００１５】
改質触媒兼支持体としては、それ自体改質触媒としての機能を有し且つ水素透過膜を支持する機能を有する多孔質材料が用いられ、その例としてはニッケルとイットリア安定化ジルコニアの混合物の焼結体（＝Ｎｉ−ＹＳＺサーメット）その他、それらの機能を有する多孔質セラミックス、多孔質サーメットなどが挙げられる。
【００１６】
Ｎｉ−ＹＳＺサーメットの場合、例えばＮｉ粒子、ＮｉＯ粒子及びＹＳＺ（＝イットリア安定化ジルコニア）粒子を混合し、混合物を押し出し成形、加圧成形等により成形し、焼成することにより作製される。焼結体中のＮｉ成分の含有量は１０〜７０ｗｔ％の範囲で選定される。この材料は、改質温度＝６００℃、Ｓ／Ｃ比＝３．０の場合、触媒単体として３９％程度のメタン転化率を示し、従来の粒状改質触媒とほぼ同等の改質性能を有している。
【００１７】
水素透過膜としてはＰｄ膜やＰｄ合金膜などの金属膜が用いられる。Ｐｄ合金において、Ｐｄと合金化する金属としてはＡｇ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｃｅ、Ｙ又はＧｄが挙げられる。金属膜は改質触媒兼支持体に対してめっき法や蒸着法その他適宜の方法により支持される。ここで、多孔質セラミックスの孔径は、金属膜の膜厚等との関係で１０μｍ以下であるのが好ましい。金属膜の膜厚を２０μｍとする場合、多孔質セラミックスの孔径は１０μｍ程度であるのが好ましく、金属膜の膜厚を２０μｍ以下とする場合、これに対応して多孔質セラミックスの孔径は１０μｍ程度以下とするのが好ましい。
【００１８】
本改質触媒兼支持体は、改質触媒としての役割と水素透過膜を支持する役割を同時に果たすので、従来のメンブレンリアクタでは必須とする改質触媒層を別途必要とせず、このため、本発明の水素製造装置は従来の水素製造装置に比べて格段に小型化できる。特に、本改質触媒兼支持体は、それ自体改質触媒としての役割を果たし、改質触媒層を別途必要としないので、従来の水素製造装置では生じる、改質触媒との接触による水素透過膜の破損の問題を生じない。
【００１９】
本改質触媒兼支持体は、円筒状に構成してもよく、平板状に構成してもよい。図３〜４は円筒状に構成した態様を示す図で、図３は内膜式円筒型反応管、図４は外膜式円筒型反応管である。図３のとおり、内膜式円筒型反応管では、円筒状改質触媒兼支持体の内側すなわち内周面に水素透過膜を配置して構成される。図４のとおり、外膜式円筒型反応管では、円筒状改質触媒兼支持体の外側すなわち外周面に水素透過膜を配置して構成される。
【００２０】
図５は、本発明に係る外膜式円筒型反応管を用いた水素製造装置の態様を示す図である。図５のとおり、外膜式円筒型反応管を外管内に配置し、原料ガスすなわち炭化水素ガス及び水蒸気を円筒状改質触媒兼支持体の内側に流通させる。炭化水素ガスは円筒状改質触媒兼支持体を通過しながら水蒸気により改質され、生成改質ガス中の水素は水素透過膜により選択的に分離され、円筒状改質触媒兼支持体と外管の間を経て高純度水素として取り出される。
【００２１】
図６は改質触媒兼支持体を平板状に構成し、これを用いて構成した平板型反応板の態様を示す図である。図６のとおり、平板状の改質触媒兼支持体の一面（上下両面のうちの片面）に水素透過膜を配置して構成される。図７は本発明に係る平板型反応板を用いた水素製造装置の態様を示す図である。図７のとおり、平板型反応板を挟んで原料ガス（炭化水素ガス＋水蒸気）供給層、水素透過膜側に水素回収層を配置し、原料ガスを該供給層に流通させる。
【００２２】
炭化水素ガスは平板型反応板の改質触媒兼支持体を通過しながらその触媒作用により水蒸気により改質され、生成改質ガス中の水素は水素透過膜により選択的に分離され、高純度の水素として水素回収層を経て取り出される。平板型反応板の場合には、積層化することによりスケールアップが容易である。
【００２３】
【実施例】
以下、実施例に基づき本発明をさらに詳しく説明するが、本発明がこれら実施例に限定されないことは勿論である。以下の実施例において、改質触媒兼支持体以外の構成材料としてはステンレス鋼（ＳＵＳ３０４鋼）を用いた。
【００２４】
《実施例１〜４》
図８は、本発明に係る円筒型反応管を用いた水素製造装置を示す図で、図８（ｂ）は図８（ａ）中Ａ−Ａ線断面図である。図示のとおり、反応筒すなわち燃焼炉中に２１個の円筒型反応管を配置する。反応筒にはバーナを配置、臨ませ、都市ガスを燃料として空気で燃焼させる。生成した燃焼ガスにより反応筒内の円筒型反応管を加熱し、反応管での水蒸気改質用の熱源として利用する。
【００２５】
〈実施例１〉
図９は本実施例１を示す図である。円筒型反応管としては図３に示す内膜式円筒型反応管を用い、これを図８に示す水素製造装置における円筒型反応管としてセットした。本反応管はＮｉ−ＹＳＺサーメットで構成した円筒状改質触媒兼支持体の内周面にＰｄ膜を無電解めっき法により形成して構成したものである。図９のとおり、円筒型反応管の上部及び外管の上部は蓋により塞がれている。この円筒型反応管を隔壁管内に配置し、隔壁管を囲んで外管が配置されている。
【００２６】
本装置の作動に際しては、都市ガスをバーナにより空気で燃焼させ、反応管を昇温する。所定温度に到達後、原料ガス（炭化水素ガス＋水蒸気）を円筒型反応管と隔壁管との間に下部から供給する。炭化水素ガスは円筒状改質触媒兼支持体の触媒作用により改質される。生成改質ガス中の水素はＰｄ膜により選択的に分離され、円筒型反応管内の空隙を経て高純度の水素として取り出される。生成改質ガス中の水素以外の成分、すなわちＣＯ、ＣＯ₂、Ｈ₂（Ｐｄ膜で未透過のＨ₂）等は隔壁管と外管の間を通り、オフガスとして排出される。オフガスは可燃性ガスを含むので、起動後、定常運転時にバーナ用燃料として利用してもよい。この点以下の例でも同じである。
【００２７】
〈実施例２〉
図１０は本実施例２を示す図である。円筒型反応管は実施例１と同様に構成した図３に示す内膜式円筒型反応管を用い、これを図８に示す水素製造装置における円筒型反応管としてセットした。図１０のとおり、円筒型反応管の上部は蓋により塞がれている。この円筒型反応管を隔壁管内に配置し、隔壁管を囲んで外管が配置されている。
【００２８】
本装置の作動に際しては、都市ガスをバーナにより空気で燃焼させ、反応管を昇温する。所定温度に到達後、原料ガス（炭化水素ガス＋水蒸気）を外管と隔壁管の間に下部から供給し、上部で折返して隔壁管と円筒状改質触媒兼支持体との間に供給する。炭化水素ガスは円筒状改質触媒兼支持体の触媒作用により改質される。生成改質ガス中の水素は、Ｐｄ膜により選択的に分離され、円筒型反応管内の空隙を経て高純度の水素として取り出される。生成改質ガス中の水素以外の成分、すなわちＣＯ、ＣＯ₂、Ｈ₂（Ｐｄ膜で未透過のＨ₂）等は隔壁管と円筒状改質触媒兼支持体の間の下部から、オフガスとして排出される。
【００２９】
〈実施例３〉
図１１は本実施例３を示す図である。円筒型反応管として図４に示す外膜式円筒型反応管を用い、これを図８に示す水素製造装置における円筒型反応管としてセットした。本反応管はＮｉ−ＹＳＺサーメットで構成した円筒状改質触媒兼支持体の外周面にＰｄ膜を無電解めっき法により形成して構成したものである。図１１のとおり、円筒型反応管の上部及び外管の上部は蓋により塞がれている。円筒型反応管内に間隔を置いて内管を配置し、円筒型反応管を囲んで外管が配置されている。
【００３０】
本装置の作動に際しては、都市ガスをバーナにより空気で燃焼させ、反応管を昇温する。所定温度に到達後、原料ガス（炭化水素ガス＋水蒸気）を下部から内管に供給し、上部で折返して内管と円筒型反応管との間に導入する。炭化水素ガスは円筒状改質触媒兼支持体の触媒作用により改質される。生成改質ガス中の水素はＰｄ膜により選択的に分離され、円筒型反応管と外管との間の空隙を経て高純度の水素として取り出される。生成改質ガス中の水素以外の成分、すなわちＣＯ、ＣＯ₂、Ｈ₂（Ｐｄ膜で未透過のＨ₂）等は内管と円筒型反応管の間を通り、オフガスとして排出される。
【００３１】
〈実施例４〉
図１２は本実施例４を示す図である。円筒型反応管として実施例３と同様に構成した図４に示す外膜式円筒型反応管を用い、これを図８に示す水素製造装置における円筒型反応管としてセットした。図１２のとおり、円筒型反応管内に間隔を置いて内管を配置し、円筒型反応管を囲んで外管が配置されている。円筒型反応管の上部及び外管の上部は蓋により塞がれている。
【００３２】
本装置の作動に際しては、都市ガスをバーナにより空気で燃焼させ、反応管を昇温する。所定温度に到達後、原料ガス（炭化水素ガス＋水蒸気）を内管と円筒型反応管の間に下部から供給する。炭化水素ガスは円筒状改質触媒兼支持体の触媒作用により改質される。生成改質ガス中の水素は、Ｐｄ膜により選択的に分離され、円筒型反応管と外管との間の空隙を経て高純度の水素として取り出される。生成改質ガス中の水素以外の成分、すなわちＣＯ、ＣＯ₂、Ｈ₂（Ｐｄ膜で未透過のＨ₂）等は、上部で折り返して内管内を通り、その下部からオフガスとして排出される。
【００３３】
《実施例５》
図１３〜１５は、本発明に係る平板型反応板を角形に構成し、その４個を積層して構成した水素製造装置を示す図である。図１４は水素製造装置の内部、すなわち積層した平板型反応板の部分を拡大して示した図である。各反応板はＮｉ−ＹＳＺサーメットで構成した角形平板状改質触媒兼支持体の一面にＰｄ膜を無電解めっき法により形成して構成したものである。
【００３４】
図１３〜１４のとおり、平板型反応板の４個を積層して反応筒すなわち燃焼炉中に配置する。反応筒にはバーナを配置、臨ませ、都市ガスを燃料として空気で燃焼させる。生成した燃焼ガスにより反応筒内の平板型反応板を加熱し、反応板での水蒸気改質反応用の熱源として利用する。図１５は図１４中Ａ−Ａ線断面図で、Ａ−Ａ線に示した矢印（→）は当該断面を見た方向を示している。
【００３５】
図１５中点線で示した部分は、当該断面では見えないが、その矢印（→）方向の奥（すなわち前方）に位置する構造（水素導管、オフガス導管等）を示している。図１５のとおり、４個の反応板のうち最上部の反応板は膜側を上にし、次の反応板は膜側を下にし、その次の反応板は膜側を上にし、最下部の反応板は膜側を下にして配置されている。また、図１５中に示した矢印は、作動時における各ガスの流動方向を示している。
【００３６】
本装置の作動に際しては、都市ガスをバーナにより空気で燃焼させ、反応板を昇温する。所定温度に到達後、原料ガス（炭化水素ガス＋水蒸気）を相対する反応板の平板状改質触媒兼支持体側に供給し、炭化水素ガスを平板状改質触媒兼支持体の触媒作用により改質する。生成改質ガス中の水素はＰｄ膜により選択的に分離され、反応板のＰｄ膜側の空隙を経て、水素導管から高純度の水素として取り出される。生成改質ガス中の水素以外の成分、すなわちＣＯ、ＣＯ₂、Ｈ₂（Ｐｄ膜で未透過のＨ₂）等は相対する反応板の改質触媒兼支持体側を通り、オフガス導管からオフガスとして排出される。
【００３７】
【発明の効果】
本発明によれば、水素透過膜の支持体として改質触媒兼支持体を用いることにより、従来では必須であった粒状等の改質触媒を不要とし、これにより、水素製造装置を、従来の水素製造装置に比べて格段に単純化し、小型化できるなど各種有用な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のメンブレンリアクタを原理的に示す図
【図２】従来のメンブレンリアクタの構成例を説明する図
【図３】本発明の改質触媒兼支持体を円筒状に構成した内膜式円筒型反応管を示す図
【図４】本発明の改質触媒兼支持体を円筒状に構成した外膜式円筒型反応管を示す図
【図５】本発明の外膜式円筒型反応管を用いた水素製造装置の態様を示す図
【図６】本発明の改質触媒兼支持体を平板状に構成し、これを用いて構成した平板型反応板の態様を示す図
【図７】本発明の平板型反応板を用いた水素製造装置の態様を示す図
【図８】本発明の円筒型反応管を用いた水素製造装置の例を示す図
【図９】本発明の実施例１を示す図
【図１０】本発明の実施例２を示す図
【図１１】本発明の実施例３を示す図
【図１２】本発明の実施例４を示す図
【図１３】本発明の実施例５を示す図
【図１４】本発明の実施例５を示す図
【図１５】本発明の実施例５を示す図

Claims (18)

1. ニッケルとイットリア安定化ジルコニアの混合物の焼結体であるＮｉ−ＹＳＺサーメットで構成され、それ自体で改質触媒としての役割と水素透過膜を支持する役割を同時に果たす円筒状改質触媒兼支持体の外周面に水素透過膜を配置してなる円筒型反応管の複数個を、反応筒内に間隔を置いて配置してなり、当該複数個の円筒型反応管の内側に原料ガスを通して円筒状改質触媒兼支持体で改質ガスを生成し、生成改質ガスを水素透過膜により精製して高純度水素を製造するようにしてなることを特徴とする水素製造装置。
2. 前記各反応管が１端に蓋をした反応管であり、各反応管の内側に原料ガス供給用の内管を有し、且つ各反応管の外側に１端に蓋をした水素取出用の外管を有してなり、原料ガスを内管に供給し、内管の出口側端部で折り返して各反応管と内管との間を流通させた後、オフガスとして排出するとともに、前記円筒状改質触媒兼支持体で生成した改質ガスを水素透過膜で精製した高純度水素を当該反応管と外管との間を通して取り出すようにしてなることを特徴とする請求項１に記載の水素製造装置。
3. 前記各反応管が１端に蓋をした反応管であり、各反応管の内側に原料ガス供給用の内管を有し、且つ各反応管の外側に１端に蓋をした水素取出用の外管を有してなり、原料ガスを各反応管と内管との間を流通させた後、内管の出口側端部で折り返して内管内を流通させてオフガスとして排出するとともに、前記円筒状改質触媒兼支持体で生成した改質ガスを水素透過膜で精製した高純度水素を当該反応管と外管との間を通して取り出すようにしてなることを特徴とする請求項１に記載の水素製造装置。
4. ニッケルとイットリア安定化ジルコニアの混合物の焼結体であるＮｉ−ＹＳＺサーメットで構成され、それ自体で改質触媒としての役割と水素透過膜を支持する役割を同時に果たす円筒状改質触媒兼支持体の内周面に水素透過膜を配置してなる円筒型反応管の複数個を、反応筒内に間隔を置いて配置してなり、当該複数個の円筒型反応管の外側に原料ガスを通して円筒状改質触媒兼支持体で改質ガスを生成し、生成改質ガスを水素透過膜により精製して高純度水素を製造するようにしてなることを特徴とする水素製造装置。
5. 前記各反応管が１端に蓋をした反応管であり、各反応管の外側に隔壁管を有し、且つ隔壁管の外側に１端に蓋をした外管を有してなり、原料ガスを各反応管と隔壁管との間を流通させた後、隔壁管の出口側端部で折り返して隔壁管と外管との間を流通させてオフガスとして排出するとともに、前記円筒状改質触媒兼支持体で生成した改質ガスを水素透過膜で精製した高純度水素を当該反応管の内側を通して取り出すようにしてなることを特徴とする請求項４に記載の水素製造装置。
6. 前記各反応管が１端に蓋をした反応管であり、各反応管の外側に隔壁管を有し、且つ隔壁管の外側に１端に蓋をした外管を有してなり、原料ガスを隔壁管と外管との間を流通させた後、隔壁管の出口側端部で折り返して隔壁管と各反応管との間を流通させてオフガスとして排出するとともに、前記円筒状改質触媒兼支持体で生成した改質ガスを水素透過膜で精製した高純度水素を当該反応管の内側を通して取り出すようにしてなることを特徴とする請求項４に記載の水素製造装置。
7. ニッケルとイットリア安定化ジルコニアの混合物の焼結体であるＮｉ−ＹＳＺサーメットで構成され、それ自体で改質触媒としての役割と水素透過膜を支持する役割を同時に果たす平板状改質触媒兼支持体の両面のうちの一面に水素透過膜を配置してなる平板型反応板の複数個を、反応筒内に間隔を置いて配置してなり、当該複数個の平板型反応板の平板状改質触媒兼支持体側に原料ガスを通して平板状改質触媒兼支持体で改質ガスを生成し、生成改質ガスを水素透過膜により精製して高純度水素を製造するようにしてなることを特徴とする水素製造装置。
8. 請求項７に記載の水素製造装置において、前記複数個の平板型反応板のうち、各一対の平板型反応板を、改質触媒兼支持体側が向き合うように、間隔を置いて配置し、それら各相対する反応板の改質触媒兼支持体側に原料ガスを供給して流通させた後、オフガス導管からオフガスとして排出するとともに、各反応板の水素透過膜側の空隙を経て水素導管から高純度水素を取り出すようにしてなることを特徴とする水素製造装置。
9. ニッケルとイットリア安定化ジルコニアの混合物の焼結体であるＮｉ−ＹＳＺサーメットで構成され、それ自体で改質触媒としての役割と水素透過膜を支持する役割を同時に果たす円筒状改質触媒兼支持体の外周面に水素透過膜を配置してなることを特徴とする水素製造装置用円筒型反応管。
10. 請求項９に記載の水素製造装置用円筒型反応管において、当該反応管が１端に蓋をした反応管であり、当該反応管の内側に原料ガス供給用の内管を有し、且つ当該反応管の外側に１端に蓋をした水素取出用の外管を有してなり、原料ガスを内管に供給し、内管の出口側端部で折り返して当該反応管と内管との間を流通させた後、オフガスとして排出するとともに、円筒状改質触媒兼支持体で生成した改質ガスを水素透過膜で精製した高純度水素を当該反応管と外管との間を通して取り出すようにしてなることを特徴とする水素製造装置用円筒型反応管。
11. 請求項９に記載の水素製造装置用円筒型反応管において、当該反応管が１端に蓋をした反応管であり、当該反応管の内側に原料ガス供給用の内管を有し、且つ当該反応管の外側に１端に蓋をした水素取出用の外管を有してなり、原料ガスを当該反応管と内管との間を流通させた後、内管の出口側端部で折り返して内管内を流通させてオフガスとして排出するとともに、円筒状改質触媒兼支持体で生成した改質ガスを水素透過膜で精製した高純度水素を当該反応管と外管との間を通して取り出すようにしてなることを特徴とする水素製造装置用円筒型反応管。
12. ニッケルとイットリア安定化ジルコニアの混合物の焼結体であるＮｉ−ＹＳＺサーメットで構成され、それ自体で改質触媒としての役割と水素透過膜を支持する役割を同時に果たす円筒状改質触媒兼支持体の内周面に水素透過膜を配置してなることを特徴とする水素製造装置用円筒型反応管。
13. 請求項１２に記載の水素製造装置用円筒型反応管において、当該反応管が１端に蓋をした反応管であり、当該反応管の外側に隔壁管を有し、且つ隔壁管の外側に１端に蓋をした外管を有してなり、原料ガスを当該反応管と隔壁管との間を流通させた後、隔壁管の出口側端部で折り返して隔壁管と外管との間を流通させてオフガスとして排出するとともに、円筒状改質触媒兼支持体で生成した改質ガスを水素透過膜で精製した高純度水素を当該反応管の内側を通して取り出すようにしてなることを特徴とする水素製造装置用円筒型反応管。
14. 請求項１２に記載の水素製造装置用円筒型反応管において、当該反応管が１端に蓋をした反応管であり、当該反応管の外側に隔壁管を有し、且つ隔壁管の外側に１端に蓋をした外管を有してなり、原料ガスを隔壁管と外管との間を流通させた後、隔壁管の出口側端部で折り返して隔壁管と当該反応管との間を流通させてオフガスとして排出するとともに、円筒状改質触媒兼支持体で生成した改質ガスを水素透過膜で精製した高純度水素を当該反応管の内側を通して取り出すようにしてなることを特徴とする水素製造装置用円筒型反応管。
15. 前記水素透過膜がＰｄ膜またはＰｄ合金の膜であることを特徴とする請求項９乃至１４のいずれか１項に記載の水素製造装置用円筒型反応管。
16. ニッケルとイットリア安定化ジルコニアの混合物の焼結体であるＮｉ−ＹＳＺサーメットで構成され、それ自体で改質触媒としての役割と水素透過膜を支持する役割を同時に果たす平板状改質触媒兼支持体の両面のうちの一面に水素透過膜を配置してなることを特徴とする水素製造装置用平板型反応板。
17. 請求項１６に記載の水素製造装置用平板型反応板において、当該反応板の平板状改質触媒兼支持体側に原料ガス供給層を有し、当該反応板の水素透過膜側に水素回収層を有することを特徴とする請求項１６に記載の水素製造装置用平板型反応板。
18. 前記水素透過膜がＰｄ膜またはＰｄ合金の膜であることを特徴とする請求項１６または１７に記載の水素製造装置用平板型反応板。

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