TWI633386B - Light emphasis method - Google Patents

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Abstract

本發明公開了一種光強調製方法，利用遮罩版來實現，包含：步驟1：根據照明系統的彌散斑函數、照明視場的既有光強分佈及目標光強分佈，計算得到用於將既有光強分佈調製為目標光強分佈所需的遮罩版的透過率分佈；步驟2：根據目標光強分佈的精度需求，對遮罩版進行網格劃分，根據遮罩版的透過率分佈和透過率分佈精度需求，確定每個網格內不透光點的分佈；步驟3：根據不透光點的分佈，製作加工遮罩版；然後，將遮罩版設置在照明系統中。本發明具有調製精度高、調製視場面積大、調製光強範圍大、適用波長範圍大及製造技術成熟等優點。

Description

光強調製方法
本發明關於一種光強調製方法，應用於照明系統，用於調製照明視場的光強分佈。
光刻是一種將遮罩圖案曝光成像到基底上的製程技術，是半導體組件製造處理中的一個重要步驟。在半導體組件製造過程中，需要為光刻機的光刻成像系統提供均勻的照明視場，該照明視場需要具有一定的區域範圍和均勻性。目前，實現均勻性照明視場的方法是，在設計光刻成像系統的過程中，使用勻光單元如光學積分棒、微透鏡等光學系統進行勻光，在物鏡鏡面形成均勻的照明視場。
在照明系統設計的過程中，會對照明視場的光強分佈提出要求，但是，在後續的鏡片加工、鍍膜、機械安裝的過程中，由於一些不可控的因素，導致最終照明視場的光強分佈與理想狀態有一些偏差，這時就需要採取一些有效措施來對習知的光強分佈進行調製，補償其光強分佈偏差，提高照明視場光強分佈的準確性。
另外，在照明系統完成後，為了使照明視場適用更多的應用場景，需要對照明視場進行相應的調製，其中主要是光強分佈調製，如光強分佈趨勢、均勻性等。而且，隨著光刻技術的不斷提高，對照明視場光強分佈進行 後期調整的場景越來越多，因此，需要一種可靠、精確的調整方法來調製照明視場的光強分佈，使照明系統的照明視場具有更加廣闊的應用前景。
在習知技術中，提供了兩種調製光強分佈的技術方案。如圖1所示，其中一種是藉由將單獨的不透明擋板10組合拼接在一起，放置在照明系統的光路中，實現單一方向的透光調製。不透明擋板10中設置有不透光斑點11，藉由多個不透明擋板10中的不透光斑點11的疊加組合，調整光強調製的區域範圍和透光性。這種技術存在的缺點是僅能調製是否透光，調整的視場面積小，調節精度低，結構複雜。另一種技術方案，採用鍍膜濾波片技術，藉由在透明基板上鍍膜，可以實現不同的透過率。具體地，在透明基板的不同區域鍍上不同透過率的膜層，可以實現與膜層對應區域的光強調製。這種技術存在的缺點是精度低，對不同波長的光強調製需要不同的鍍膜設計，成本較高、製造技術複雜。而且，上述兩種習知技術可適用的波長範圍均有限。
綜上所述，習知技術存在調製精度低、調製視場面積小、調製光強範圍小、適用波長範圍小及製造工藝複雜的缺點。
本發明所要解決的技術問題是提供一種調製精度高、調製視場面積大、調製光強範圍大、適用波長範圍大及製造技術成熟的光強調製方法。
為了實現上述目的，本發明採用如下技術方案予以實現：一種光強調製方法，利用遮罩版來實現，包含： 步驟1：根據照明系統的彌散斑函數、照明視場的既有光強分佈及目標光強分佈，計算得到用於將既有光強分佈調製為目標光強分佈所需的遮罩版的透過率分佈；步驟2：根據目標光強分佈的精度需求，對遮罩版進行網格劃分，根據遮罩版的透過率分佈和透過率分佈精度需求，確定每個網格內不透光點的分佈；步驟3：根據不透光點的分佈，製作加工遮罩版；然後，將遮罩版設置在照明系統中。
較佳地地，步驟1中，遮罩版的透過率分佈可藉由以下公式反卷積(deconvolution)得到：(K*N)×Fun=M其中，K表示既有光強分佈，M表示目標光強分佈，N表示遮罩版的透過率分佈，Fun表示彌散斑函數，*表示相乘，×表示卷積(Convolution)，彌散斑函數為： 3σ=R=L*tan(θ)， 其中，R表示遮罩板上的不透光點在照明視場中形成的光斑的半徑；x、y表示照明視場中某點的坐標值；L表示遮罩版與照明視場之間的距離；θ表示照明系統發散角。
較佳地，步驟2中根據目標光強分佈的精度需求，對遮罩版進行網格劃分包含：對遮罩版進行初始網格劃分，再對劃分的網格進行插值，且插值後相鄰網格的光強梯度的最大值應小於目標光強分佈的精度需求。
較佳地，步驟2中根據遮罩版的透過率分佈和透過率分佈精度需求，確定每個網格內不透光點的分佈包含：根據不透光點的面積與對應網格面積之比應不大於透過率分佈精度需求，計算得到不透光點的面積，再根據遮罩版的透過率分佈和不透光點的面積，擬合得到每個網格內不透光點的數量和相鄰不透光點間的間距。
較佳地，不透光點採用鉻點結構。
較佳地，步驟3中，藉由遮罩版製版製程製作加工遮罩版。
較佳地，遮罩版採用熔融石英材質。
與習知技術相比，本發明的技術方案：藉由照明視場的既有光強分佈和目標光強分佈，計算得到所需遮罩版的透過率分佈，來實現調製光強分佈；根據目標光強分佈的精度需求，計算遮罩版的透過率分佈精度值，最後得到遮罩版中不透光點的分佈；藉由遮罩版製版製程製作加工遮罩版，具有調製精度高、調製視場面積大、調製光強範圍大、適用波長範圍大及製造技術成熟等優點。
10‧‧‧不透明擋板
11‧‧‧不透明斑點
101‧‧‧遮罩版
102‧‧‧照明視場
A‧‧‧鉻點
A’‧‧‧彌散圓斑
B‧‧‧鉻斑
B’‧‧‧彌散圓點
L‧‧‧距離
θ‧‧‧照明系統發散角
圖1是習知技術中不透明擋板的俯視圖；圖2是本發明一實施例中照明視場的既有光強分佈示意圖；圖3是本發明一實施例中光強調製方法的原理示意圖；圖4是本發明一實施例中彌散斑函數的仿真效果圖；圖5是本發明一實施例中遮罩版的調製光強分佈示意圖。
下面結合圖式對本發明作詳細描述：習知照明系統照明視場的既有光強分佈效果圖如圖2所示，光強分佈的均勻性比較差，精度比較低，本發明的光強調製方法應用於此場景中，來調製該照明視場的光強分佈。
具體地，本發明的光強調製方法，包含下列步驟：步驟1：根據照明系統的彌散斑函數、照明視場102的既有光強分佈及目標光強分佈，計算得到所需的遮罩版101的透過率分佈。遮罩版101採用熔融石英材質，較佳採用極低熱膨脹熔融石英，符合SEMI P1-1101標準(國際半導體設備材料產業協會，Semiconductor Equipment and Materials International,SEMI)。
參照圖3，現以所示遮罩版101上設置的鉻點A和鉻斑B為例，對本發明的光強調製方法加以說明。在圖3中，鉻點A為圓點，鉻斑B為圓斑。
照明系統的出射光到達遮罩版101上表面後，經過遮罩版101後在下方形成照明視場102。由於照明系統的出射光存在發散角，光線到達鉻點A後，根據彌散斑原理，光線在鉻點A處進行擴散，在照明視場102中形成具有一定直徑的彌散圓斑A’。光線到達鉻斑B後，根據彌散斑原理，光線在鉻斑B處進行疊加，在照明視場102中形成一個的彌散圓點B’。因此，根據照明系統的發散角θ、遮罩版101和照明視場102的距離L，遮罩版101的透過率分佈可藉由以下公式反卷積得到：(K*N)×Fun=M其中，K表示既有光強分佈；M表示目標光強分佈；N表示遮罩版101的透過率分佈；Fun表示彌散斑函數；*表示相乘，K*N即表示既有光強分佈K和遮罩版101的透過率分佈N中對應區域的值相乘；×表示卷積；彌散斑函數具體為： 3σ=R=L*tan(θ)，其中，R表示遮罩版101中的鉻點在照明視場102中形成的光斑的半徑；x、y表示照明視場102中以任意一點為坐標原點時某點的坐標值； L表示遮罩版101與照明視場102之間的距離；θ表示照明系統發散角。
在上述公式中，K表示照明視場102的既有光強分佈，可以在照明系統的光路中測得；M表示照明視場102的目標光強分佈，是最終需要實現的目標光強分佈；N表示用於將既有光強分佈調製為目標光強分佈的對應遮罩版101的透過率分佈，是公式中的唯一未知量，因此，藉由上述公式的計算可以得到唯一解，從而計算得到遮罩版101的透過率分佈。
採用上述技術，藉由對比分析照明視場102的既有光強分佈和目標光強分佈，使用彌散斑函數對所需遮罩版101的透過率分佈進行計算，採用彌散斑原理，對光線的透過率進行調節，即只需要改變鉻點結構的半徑或數量，即可實現對光強分佈的調製，提高了光強分佈調製的精度，使經過調製後的光強分佈更加均勻和精確，在透光和不透光之間進行了細化，現已能達到0.2%的調製精度，具有更大的光強調製範圍，同時，對於調製的光波波長沒有嚴格限制，可適用於1um~193nm波長的光波，具有更廣闊的應用前景，採用遮罩版101結構，可實現更大的調製區域。目前，已能實現小於150mm×150mm的照明視場102的光強調製。
步驟2：根據目標光強分佈的精度需求，對遮罩版101進行網格劃分，具體的，對遮罩版101進行初始網格劃分，再對劃分的網格進行插值，且插值後相鄰網格的光強梯度的最大值需小於目標光強分佈的精度需求。根據遮罩版101的透過率分佈和透過率分佈精度需求，繼而確定每個網格內不透光點(即鉻點)的分佈，具體的，根據不透光點的面積(即單個網格中所有不透光點的總面積)與對應網格面積之比需不大於透過率分佈精度需求，計算得到不透光 點的面積，再根據遮罩版101的透過率分佈和不透光點的面積，擬合得到每個網格內不透光點的數量和相鄰不透光點間的間距。在本實施例中，每個網格內的各不透光點的半徑都是一樣的，面積都是相同的。
採用上述技術，根據目標光強分佈的精度需求，計算遮罩版101的透過率分佈精度值，經過進一步計算，確定遮罩版101中不透光點的分佈，即調製光強分佈的區域網格數和網格內的不透光點面積，保證了調製光強分佈的精度值，使本發明的光強調製方法具有更加精准、可靠的優點，能夠實現對照明視場102光強分佈的高精度、高均勻性的調製。
較佳地，不透光點採用鉻點結構。遮罩版101中不透光點的分佈包含：每個網格中與透過率對應的鉻點數量。
採用上述技術，金屬鉻具有不透光性，藉由習知的鍍鉻技術，能夠實現最小鉻點半徑為5um的處理，便於在遮罩版101上製作對應透過率的不透光點，提高透過率分佈的精度，即提高遮罩版101上調製光強分佈的調製精度，使經過本發明的光強調製方法的調製後，改善照明視場102的光強分佈的均勻性和精度。
步驟3：根據步驟2中不透光點的分佈，使用製圖軟件如AutoCad進行出圖，藉由遮罩版製版製程製作加工遮罩版101；加工完成後，將遮罩版101設置在照明系統中，遮罩版101的調製光強分佈效果如圖5所示。由圖5可知，經過本發明的光強調製方法的調製作用，照明視場102的光強分佈的均勻性和調製精度得到了顯著改善。
目前，遮罩版製版製程是較為成熟的製程技術，因此，相對於習知技術1的不透明擋板和習知技術2的鍍膜技術，是更加成熟、高效的加工技術，因此，本發明的光強調製方法具有更易實現的優勢。
綜上所述，本發明的技術方案：藉由照明視場102的既有光強分佈和照明視場102的目標光強分佈，計算得到所需遮罩版101的透過率分佈，來實現調製光強分佈；根據目標光強分佈的精度需求，計算遮罩版101的透過率分佈精度值，最後得到遮罩版101中不透光點的分佈；藉由遮罩版製版製程製作加工遮罩版101，具有調製精度高、調製視場面積大、調製光強範圍大、適用波長範圍大及製造技術成熟等優點。

Claims (6)

  1. 一種光強調製方法，利用遮罩版來實現，其包含下列步驟：步驟1：根據照明系統的彌散斑函數、照明視場的既有光強分佈及目標光強分佈，計算得到用於將該既有光強分佈調製為該目標光強分佈所需的遮罩版的透過率分佈；步驟2：根據該目標光強分佈的精度需求，對該遮罩版進行網格劃分，根據該遮罩版的透過率分佈和透過率分佈精度需求，確定每個網格內不透光點的分佈；步驟3：根據該不透光點的分佈，製作加工該遮罩版；然後，將該遮罩版設置在照明系統中。其中該遮罩版的該透過率分佈藉由以下公式反卷積得到：(K*N)×Fun=M其中，K表示該既有光強分佈；M表示該目標光強分佈；N表示該遮罩版的透過率分佈；Fun表示該彌散斑函數；*表示相乘；×表示卷積；該彌散斑函數為：
    Figure TWI633386B_C0001
    3σ=R=L*tan(θ)，其中，R表示遮罩板上的不透光點在照明視場中形成的光斑的半徑；x、y表示照明視場中某點的坐標值；L表示該遮罩版與照明視場之間的距離；θ表示照明系統發散角。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之光強調製方法，其中該步驟2中該根據目標光強分佈的精度需求，對遮罩版進行網格劃分包含：對遮罩版進行初始網格劃分，再對劃分的網格進行插值，且插值後相鄰網格的光強梯度的最大值應小於該目標光強分佈的精度需求。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之光強調製方法，其中該步驟2中根據該遮罩版的透過率分佈和透過率分佈精度需求，確定每個網格內不透光點的分佈包含：根據該不透光點的面積與對應網格面積之比應不大於該透過率分佈精度需求，計算得到該不透光點的面積，再根據該遮罩版的透過率分佈和不透光點的面積，擬合得到每個網格內不透光點的數量和相鄰不透光點間的間距。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之光強調製方法，其中該不透光點採用鉻點結構。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之光強調製方法，其中該步驟3中，藉由遮罩版製版製程製作加工該遮罩版。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之光強調製方法，其中該遮罩版採用熔融石英材質。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109657402B (zh) * 2019-01-07 2021-02-26 中国科学院光电技术研究所 一种光强分布的建模方法、装置、电子设备及存储介质
CN110095491B (zh) * 2019-05-09 2021-08-20 上海华力微电子有限公司 一种缺陷检测系统、检测方法及电子束扫描机台
CN114746806A (zh) * 2019-11-19 2022-07-12 Asml控股股份有限公司 使用非均匀照射强度分布进行优化
CN115542679B (zh) * 2022-09-05 2024-04-26 上海镭望光学科技有限公司 调制板透过率分布生成方法、调制板及光刻机照明系统

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1624338A2 (en) * 2003-06-24 2006-02-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Photomask, pattern formation method using photomask and mask data creation method for photomask
CN102998896A (zh) * 2012-12-13 2013-03-27 北京理工大学 一种基于基本模块的掩模主体图形优化方法
US20130308131A1 (en) * 2011-01-19 2013-11-21 Nova Measuring Instruments Ltd. Optical system and method for measuring in three-dimensional structures

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61240202A (ja) * 1985-04-18 1986-10-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 微細周期格子形成方法およびその装置
JP2000021750A (ja) * 1998-06-30 2000-01-21 Nikon Corp マスクフィルタの設計方法、マスクフィルタ、及び露光装置
JP2001296649A (ja) * 2000-02-07 2001-10-26 Ricoh Opt Ind Co Ltd 濃度分布マスクとその製造方法及び表面形状の形成方法
JP2002100561A (ja) * 2000-07-19 2002-04-05 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2002305137A (ja) * 2001-04-05 2002-10-18 Nikon Corp ドットパターン作成方法、照明装置、露光装置
JP2006047612A (ja) * 2004-08-04 2006-02-16 Seiko Epson Corp グレイスケールマスクの設計方法、グレイスケールマスクの製造方法及び光学素子の製造方法
US7928026B2 (en) * 2005-06-30 2011-04-19 Corning Incorporated Synthetic silica material with low fluence-dependent-transmission and method of making the same
JP2007027240A (ja) * 2005-07-13 2007-02-01 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置、および露光方法
JP5107532B2 (ja) * 2006-05-31 2012-12-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 シミュレーション方法およびシミュレーションシステム、ならびにマスクパターンの修正方法
CN100576087C (zh) * 2007-05-25 2009-12-30 上海华虹Nec电子有限公司 光刻机照明均匀性补偿片的制造方法
JP2010182703A (ja) * 2009-02-03 2010-08-19 Nikon Corp 補正ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
CN103097955B (zh) * 2010-08-30 2015-08-19 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投射曝光装置的照明系统
CN102109676B (zh) * 2011-02-25 2012-05-23 中国科学院上海光学精密机械研究所 用于光刻照明的多分区光学位相板的设计方法
CN102169295A (zh) * 2011-06-02 2011-08-31 清华大学 确定光刻工艺的光源光照强度分布和掩膜版图形的方法
JP5835968B2 (ja) * 2011-07-05 2015-12-24 キヤノン株式会社 決定方法、プログラム及び露光方法
CN103376644B (zh) * 2012-04-23 2015-11-18 上海微电子装备有限公司 一种掩模图形修正方法
CN103926802B (zh) 2014-04-21 2015-09-16 中国科学院上海光学精密机械研究所 光刻机光源与掩模的联合优化方法
CN105425411B (zh) * 2015-12-31 2017-11-07 中国科学院光电技术研究所 一种应用于超分辨的光束复振幅复合调制装置和方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1624338A2 (en) * 2003-06-24 2006-02-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Photomask, pattern formation method using photomask and mask data creation method for photomask
US20130308131A1 (en) * 2011-01-19 2013-11-21 Nova Measuring Instruments Ltd. Optical system and method for measuring in three-dimensional structures
CN102998896A (zh) * 2012-12-13 2013-03-27 北京理工大学 一种基于基本模块的掩模主体图形优化方法

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