TW201538762A - 成膜遮罩之製造方法及成膜遮罩 - Google Patents

成膜遮罩之製造方法及成膜遮罩 Download PDF

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Abstract

本發明係一種將雷射光照射至樹脂製薄膜而形成俯視多角形之開口圖案的成膜遮罩之製造方法，其中藉由將使用具有會讓雷射光穿透之透光窗體，並在該透光窗體外側將該透光窗體之至少一對邊的側邊區域中的透光率從該透光窗體緣部朝側邊漸減的光束整形用遮罩而整形後之雷射光照射至該薄膜，來形成具有開口會以從該薄膜之該雷射光的照射面相反側朝向該照射面側變寬之方式而傾斜的至少一對對向側壁的開口圖案。

Description

成膜遮罩之製造方法及成膜遮罩
本發明係關於一種將雷射光照射至樹脂製薄膜，而形成開口圖案的成膜遮罩之製造方法，特別是關於一種可容易地得到開口圖案側壁之傾斜角度控制的成膜遮罩之製造方法及成膜遮罩。
以往之成膜遮罩係對應於成膜製作之圖案而具有至少有1個開口圖案且厚度為1μm以上，50μm以下的遮罩層，並在該遮罩層上具有不阻塞該遮罩層所具有之開口圖案的磁性體(例如，參照日本特開2009-249706號公報)。然後，最好是該遮罩層所具有之開口圖案係以朝向磁性體側表面而開口變寬之方式來成為錐狀。
然而，此般以往的成膜遮罩中，由於開口圖案之形成係例如將整形為開口圖案相似形狀的剖面形狀之雷射光照射至薄膜來加以進行，故會難以控制開口圖案側壁之傾斜角度。
特別是，無法在俯視為矩形之開口圖案的2對對向側壁中，讓一者之對向側壁與另者之對向側壁的傾斜角度有所差異。從而，在使用以往方法所製造之成膜遮罩，而欲將基板於一方向搬送並成膜時，便有所謂與所成膜出之薄膜的搬送方向交叉的方向之膜厚分布，會因同方向之開口圖案緣部的遮蔽影響而不均勻的問題。
於是，本發明為了解決此般問題點，其目的在於提供一種可容易地得到開口圖案側壁之傾斜角度控制的成膜遮罩之製造方法及成膜遮罩。
為了達成上述目的，本發明的成膜遮罩之製造方法係於樹脂製薄膜照射雷射光而形成俯視多角形之開口圖案的成膜遮罩之製造方法，其係將使用具有會讓該雷射光穿透之透光窗體，並在該透光窗體外側將該透光窗體之至少一對邊的側邊區域中的透光率從該透光窗體緣部朝側邊漸減的光束整形用遮罩而整形後之雷射光照射至該薄膜，來形成具有開口會以從該薄膜之該雷射光的照射面相反側朝向該照射面側變寬之方式而傾斜的至少一對對向側壁的開口圖案。
又，本發明之成膜遮罩係透過薄板狀基材所形成之開口圖案來在基板上成膜用的成膜遮罩，其中該開口圖案係具有開口會從該基材之成膜源相反側朝向該成膜源側變寬之複數對對向側壁，且該複數對對向側壁之傾斜角度係至少會在該成膜源側有所差異。
根據本發明，便可容易地控制雷射加工至薄膜之開口圖案的開口會以朝向雷射光照射側變寬之方式而傾斜的對向側壁之傾斜角度。從而，開口圖案之開口會具有朝向成膜源側變寬之複數對對向側壁，而亦可容易地製造該複數對對向側壁之傾斜角度至少會在成膜源側有所差異的成膜遮罩。因此，便可抑制開口圖案之側壁成為成膜之陰影，而成膜出膜厚均勻的薄膜。
1‧‧‧薄膜遮罩
2‧‧‧金屬遮罩
3‧‧‧金屬框體
4‧‧‧開口圖案
4a‧‧‧對向側壁
5‧‧‧貫穿孔
6‧‧‧開口
7‧‧‧XY台
8‧‧‧雷射光源
9‧‧‧耦合光學系統
10‧‧‧光束整形用遮罩
11‧‧‧成像鏡片
12‧‧‧對物鏡片
13‧‧‧半反射鏡
14‧‧‧拍攝照相機
15‧‧‧分色鏡
16‧‧‧照明光源
17‧‧‧遮罩用構件
18‧‧‧遮光窗體
19‧‧‧遮光膜
20‧‧‧薄膜
20a‧‧‧薄膜面
21‧‧‧基準基板
21a‧‧‧面
22‧‧‧成像鏡片
23‧‧‧中繼鏡片
24‧‧‧全反射鏡片
25‧‧‧貫穿孔
26‧‧‧蒸鍍源
26a‧‧‧單位蒸鍍源
27‧‧‧遮蔽板
28‧‧‧凹部
28a‧‧‧底部
29‧‧‧貫穿開口
A‧‧‧箭頭
L‧‧‧雷射光
L1‧‧‧第1雷射光
L2‧‧‧第2雷射光
P‧‧‧線
O‧‧‧線
圖1係顯示本發明之成膜遮罩的一實施形態之圖式；(a)係俯視圖；(b)係(a)之O-O線剖面箭頭視圖；(c)係(a)之P-P線剖面箭頭視圖。
圖2係顯示用以形成本發明之成膜遮罩中的開口圖案之雷射加工裝置的一構成例之前視圖。
圖3係顯示上述雷射加工裝置所使用之光束整形用遮罩的一構成例之圖式；(a)係俯視圖；(b)係(a)之部分放大俯視圖；(c)係顯示對應於(b)之部分的透光率之說明圖；(d)係說明藉由穿透(a)之透光窗體的雷射光所加工之開口圖案的對向側壁之傾斜角度的剖面圖。
圖4係顯示以往光束整形用遮罩之構成例的圖式；(a)係俯視圖；(b)係說明藉由穿透(a)之透光窗體的雷射光所加工之開口圖案的對向側壁之傾斜角度的剖面圖。
圖5係顯示使用以往金屬遮罩之蒸鍍的說明圖；(a)係顯示蒸鍍源之相對移動方向中的蒸鍍膜之膜厚分布；(b)係顯示與蒸鍍源之相對移動方向交叉之方向中的蒸鍍膜之膜厚分布。
圖6係顯示使用圖4所示之光束整形用遮罩所雷射加工有開口圖案之成膜遮罩之蒸鍍的說明圖；(a)係顯示蒸鍍源之相對移動方向中的蒸鍍膜之膜厚分布；(b)係顯示與蒸鍍源之相對移動方向交叉的方向中之蒸鍍膜的膜厚分布。
圖7係顯示使用本發明之成膜遮罩的蒸鍍之說明圖；(a)係顯示蒸鍍源之相對移動方向中的蒸鍍膜之膜厚分布；(b)係顯示與蒸鍍源之相對移動方向交叉的方向中之蒸鍍膜的膜厚分布。
圖8係顯示本發明的成膜遮罩之製造方法中，開口圖案之雷射加工的變形例之工序圖。
以下，便基於添附圖式來詳細地說明本發明實施形態。圖1係顯示本發明之成膜遮罩的一實施形態之圖式，(a)係俯視圖，(b)係(a)之O-O線剖面箭頭視圖，(c)係(a)之P-P線剖面箭頭視圖。該成膜遮罩係用以在基板上透過開口圖案來加以成膜者，並構成為具備有薄膜遮罩1、金屬遮罩2以及金屬框體3。
該薄膜遮罩1係密合於被成膜基板而加以使用，且為用以在被成膜基板上成膜出薄膜圖案之主遮罩，並於例如厚度為10μm~30μm左右的例如聚醯亞胺或聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)等樹脂製薄膜，如圖1所示般，配置為縱橫矩陣狀地具備有將對應於該薄膜圖案而俯視多角形(本實施形態中係以矩形來加以表示)的複數開口圖案4。較佳地係，最好是線膨脹係數為近似於作為被成膜基板(以下，僅稱為「基板」)之玻璃的線膨脹係數3×10-6~5×10-6/℃左右的聚醯亞胺。
詳而言之，該開口圖案4係具有開口會以從該基板側朝向成膜源側(金屬遮罩2側)變寬的方式而傾斜的複數對(例如，2對)對向側壁，該複數對對向側壁之傾斜角度係如圖1(b)、(c)所示般，至少會在該成膜源側(金屬遮罩2側)有所差異。
更詳而言之，在本發明之成膜遮罩適用於將基板於一方向搬送並成膜之成膜裝置的情況，最好是讓對應於與該基板之搬送方向(圖1(a)之箭頭A方向(同於X軸方向))交叉之方向(Y軸方向)的對向側壁之傾斜角度大於其他對向側壁之傾斜角度。
該薄膜之一面係層積有金屬遮罩2。該金屬遮罩2係形成有內包該開口圖案4之大小的貫穿孔5，為例如厚度30μm~50μm左右之例如鎳、鎳合金、銦鋼或銦鋼合金等磁性金屬材料的薄板，且為支撐薄膜遮罩1之次遮罩。
詳而言之，如圖1(a)所示般，係複數列地設置有內包並排為一列之開口圖案4的大小之狹縫狀貫穿孔5，並在本發明之成膜遮罩適用於將基板於一方向搬送並成膜之成膜裝置的情況，狹縫狀貫穿孔5之長軸便會配置為與基板搬送方向(箭頭A方向)交叉。
該情況，成膜遮罩係以金屬遮罩2會成為成膜源側之方式來被設置於基板上，並藉由內藏於基板保持器之磁鐵來吸附金屬遮罩2而使得薄膜遮罩1密合於基板之成膜面。
該金屬遮罩2之該薄膜遮罩1相反側之面係設置有金屬框體3。該金屬框體3係固定支撐該金屬遮罩2周緣部，且由例如銦鋼或銦鋼合金等所構成之磁性金屬來加以形成，並成為具有內包該金屬遮罩2之複數列貫穿孔5的大小之開口6的框狀。另外，框體並不被限於金屬框體3，亦可為由硬質樹脂所構成者，但本實施形態中，框體係金屬框體3。
接著，便就此般構成之成膜遮罩的製造方法來加以說明。
首先，從厚度為30μm~50μm的例如銦鋼或銦鋼合金等磁性金屬材料的薄板，配合基板的尺寸來裁切出預定之既定尺寸的金屬薄板。
接著，在金屬薄板之一面噴塗例如聚醯亞胺等之樹脂液後，將其以200℃~300℃左右的溫度來硬化，而形成厚度為10μm~30μm左右之薄膜。該 薄膜係可為讓可見光穿透者或不讓可見光穿透者，而並不特別限定，但在此係就薄膜為讓可見光穿透者的情況來加以說明。
接著，在金屬薄板之另面將阻劑例如噴塗後，將其乾燥而形成阻劑膜，接著，在使用光罩來曝光阻劑膜後，進行顯影，而對應於複數列之貫穿孔5的形成位置來形成設有狹縫狀複數列之開口部的阻劑遮罩。
接著，使用該阻劑遮罩來將金屬薄板濕蝕刻，以去除對應於阻劑遮罩之該開口部的部分之金屬薄板，而形成設有狹縫狀複數列之貫穿孔5的金屬遮罩2後，以例如有機溶劑來溶解去除阻劑遮罩。藉此，便會形成層積有金屬遮罩2與樹脂製薄膜之遮罩用構件。另外，用以蝕刻金屬薄板之蝕刻液係可依照所使用之金屬薄板的材料來適當選擇，並適用習知技術。
又，在蝕刻金屬薄板而形成貫穿孔5時，亦可同時於複數列之貫穿孔5的形成區域外的預定位置形成於相對於預先設置於基板之基板側對位標記而用以對位之圖1(a)所示的遮罩側對位標記用貫穿孔25。該情況，在形成阻劑遮罩時，只要於對應於該貫穿孔25之位置設置有對位標記用的開口部即可。
遮罩用構件並不限於上述方法，亦可以其他方法來加以形成。例如，於薄膜之一面藉由例如無電解鍍覆來形成種晶層，而於其上塗布光阻並將其曝光及顯影，來對應於複數列之貫穿孔5的形成位置形成複數列之條紋狀圖案後，於該條紋狀圖案的外側區域鍍覆形成鎳、鎳合金、銦鋼或銦鋼合金等磁性金屬材料。然後，亦可在去除條紋狀圖案後，藉由蝕刻去除該條紋狀圖案的形成位置之種晶層，來形成遮罩用構件。
接著，遮罩用構件係將金屬遮罩2側作為金屬框體3側而架設固定於金屬框體3一端面。對遮罩用構件之金屬框體3的固定係只要於遮罩用構件之周緣區域從薄膜遮罩1側照射雷射光而將金屬遮罩2與金屬框體3進行點焊即可。
接著，便移轉至為本發明特徵之開口圖案形成工序。該開口圖案形成工序係從金屬遮罩2側照射雷射光L而於金屬遮罩2之複數列的貫穿孔5內的薄膜分別形成並排為一列的複數開口圖案4之工序。
首先，參照圖2來就開口圖案形成工序中所使用之雷射加工裝置加以說明。
該雷射加工裝置係XY台7、及在該XY台7上方從雷射光L之行進方向上游朝向下游依序具備有雷射光源8、耦合光學系統9、光束整形用遮罩10、成像鏡片11、以及對物鏡片12。又，以半反射鏡13來分歧從對物鏡片12朝向成像鏡片11之光線路徑的光線路徑上係配置有拍攝照相機14，從對物鏡片12朝向成像鏡片11之光線路徑會讓400nm以下的雷射光穿透，而以反射可見光之分色鏡15來分歧的光線路徑上係配置有照明光源16。
在此，XY台7係於上面載置遮罩用構件17並在XY平面於XY方向移動在平行面內者，並藉由圖示省略之控制裝置來加以控制，而步進移動預先輸入而被記憶之移動量。
該雷射光源8係產生波長為400nm以下的雷射光L，例如為KrF248nm之準分子雷射或放射出1064nm之第3高頻或第4高頻之雷射光L的YAG雷射。
又，該耦合光學系統9係含有擴張從雷射光源8所放射出之雷射光束的光束擴張器；以及使雷射光L之輝度分布均勻，而照射至後述光束整形用遮罩10的光學積分器及聚光鏡。
該光束整形用遮罩10係將照射至遮罩用構件17之雷射光L整形為具有與欲形成之開口圖案4相似形狀的剖面形狀之雷射光束而加以射出，是相對於位於圖1(a)以虛線所圍繞表示之預定單位區域內的複數開口圖案4之配列間距，而以預定之擴大倍率來配置具備有與開口圖案4相似形狀之複數遮光窗體18，且為於披覆在透明玻璃基板或石英基板之鉻(Cr)等的遮光膜形成該透光窗體18。
詳而言之，該光束整形用遮罩10係具有與開口圖案4相似形狀之透光窗體18，並具有讓該透光窗體18之至少一對邊的側邊區域中之透光率從該透光窗體18緣部朝向側邊漸減的構成。
更詳而言之，該光束整形用遮罩10如圖3(a)所示，係在透光窗體18之對應於Y軸方向的對邊之側邊區域的遮光膜19從透光窗體18緣部朝向側邊交互地設置有遮光部與透光部，並如同圖(b)部分擴大所示般，以藉由將遮光部寬度隨著從透光窗體18緣部遠離而漸漸變寬，使得對應於Y軸方向(相當於與基板搬送方向交叉之方向)的對邊之側邊區域中的透光率會隨著從透光窗體18緣部遠離而階段性地減少的方式，而如同圖(c)所示般，讓 透光率有梯度變化。藉此，便如同圖(d)所示般，照射至薄膜20之雷射光L的光強度便會對應於開口圖案4之中央區域為最強，而從開口圖案4緣部隨著朝側邊遠離而漸減。
另外，作為讓透光窗體18之該側邊區域的透光率漸減的方法並不被限定於如上述般於遮光膜19交互地設有遮光部與透光部，亦可將對應區域之遮光膜19作為半色調(halftone)。
該成像鏡片11係與後述對物鏡片12連動而以預定倍率來將形成於光束整形用遮罩10的複數透光窗體18縮小投影至薄膜上之聚光鏡片。
又，該對物鏡片12係與前述成像鏡片11連動而以預定倍率來將形成於光束整形用遮罩10的複數透光窗體18縮小投影至薄膜上，並配置於例如遮罩用構件17之金屬框體3的相反側，而可藉由後述照相機14將設有為雷射光L照射之定位基準的基準圖案之透明基準基板21(參照圖2)的該基準圖案之像來擷取拍攝。然後，對物鏡片12之成像位置與光束整形用遮罩10便會成為共軛關係。
該拍攝照相機14係拍攝設於基準基板21之該基準圖案，為例如為拍攝2維影像之CCD照相機或CMOS照相機等。然後，對物鏡片12之成像位置與拍攝照相機14之拍攝面便會成為共軛關係。
該照明光源16係放射可見光之例如鹵素燈等，為可照明拍攝照相機14之拍攝區域而利用拍攝照相機來拍攝。
另外，圖2中，符號22係與對物鏡片12連動而將基準基板之基準圖案的像或藉由雷射加工來形成之開口圖案4的像等成像於拍攝照相機14之拍攝面的成像鏡片，符號23係中繼鏡片，符號24係全反射鏡片。
接著，便就使用此般構成之雷射加工裝置所進行的開口圖案形成工序來加以說明。
首先，在讓遮罩用構件17之薄膜對向於形成該基準圖案之基準基板21的基準圖案形成面的相反側之面21a的狀態下，於使用圖示省略之對位標記來定位遮罩用構件17與該基準基板21後，讓薄膜20密合於基準基板21之該面21a。
接著，如圖2所示般，將遮罩用構件17作為雷射光L之照射側，而定位載置一體化後之該遮罩用構件17與該基準基板21。
接著，移動XY台7，而將對物鏡片12定位至遮罩用構件17之雷射加工開始位置。詳而言之，係藉由拍攝照相機14來對應於雷射加工開始位置的單位區域之例如中心位置而透過薄膜20來拍攝設置於該基準基板21的基準圖案，並將該基準圖案定位於拍攝中心。另外，該拍攝中心係與對物鏡片12之光軸一致。
接著，讓雷射加工裝置之光學元件沿著對物鏡片12之光軸而於Z軸方向上升預定距離，將對物鏡片12之成像位置定位於遮罩用構件17之薄膜20與該基準基板21之界面。
接著，啟動雷射光源8並脈衝發動，而放射出複數發之雷射光束。放射出之雷射光束會藉由耦合光學系統9來擴張，而成為強度分布均勻的雷射光並照射至光束整形用遮罩10。
照射至光束整形用遮罩10之雷射光L會藉由穿透該光束整形用遮罩10之複數透光窗體18來使得剖面形狀整形為與開口圖案4相似形狀，而成為複數雷射光L並由光束整形用遮罩10射出。然後，藉由對物鏡片12來聚光至薄膜20上。
在該情況，如圖4(a)所示般，藉由以遮光膜19來遮光透光窗體18外側的以往技術之光束整形用遮罩10所整形之雷射光L由於會如同圖(b)以粗實線所示般，X(及Y)軸方向的光強度分布會略為均勻，故藉由此般雷射光L所加工至薄膜20的開口圖案4之對向側壁4a如同圖(b)所示，會相對於雷射光L之照射側(相當於成膜源側)的相反側之薄膜面(遮罩面)20a而具有70°~80°的陡峭傾斜角度(大傾斜角度)。
另一方面，本發明中如圖3(a)所示般，對應於該透光窗體18之Y軸方向(相當於金屬遮罩2之貫穿孔5的長軸方向)而對向的對邊之側邊區域如上述，由於係以透光率會從透光窗體18緣部朝向側邊而漸減的方式來加以形成，故由光束整形用遮罩10射出之雷射光L的Y軸方向之光強度分布會如同圖(d)以粗實線所示般，係對應於開口圖案4之中央區域會較強，而從對應於開口圖案4緣部之位置朝向外側而強度漸減。從而，藉由上述般雷射光L所加工至薄膜20的開口圖案4之對向側壁4a會如同圖(d)所示，係相對於雷射光照射側(相當於成膜源側)的相反側之薄膜面(遮罩面)20a而具有25°~30°的淺傾斜角度(小傾斜角度)。
該情況，如圖3(a)所示般，對應於該透光窗體18之X軸方向而對向的對邊之側邊區域由於並未施有透光率之梯度處理，故同方向之光強度分布會均勻，而對向於經加工之開口圖案4的同方向之側壁的傾斜角度則如以往技術般，會相對於雷射光之照射側之相反側的薄膜面20a而成為70°~80°。
於雷射加工開始位置之單位區域形成複數開口圖案4時，XY台7會在X或Y軸方向步進移動預定距離，而依序至第2單位區域、第3單位區域...等各單位區域來雷射加工複數開口圖案4。如此一來，便會於薄膜20之預定既定位置雷射加工出複數開口圖案4，而形成薄膜遮罩1。
該情況，如上述般，係藉由拍攝照相機14來拍攝對應於雷射加工開始位置之單位區域的例如中心位置而設置於該基準基板21的基準圖案，並在確認其位置後，以該基準圖案之位置為基準來將XY台7於X、Y軸方向步進移動，並形成複數開口圖案4。此時，雖可基於XY台7之機械精度而步進移動預定距離並於各單位區域形成複數開口圖案4，但亦可在以拍攝照相機14來拍攝對應於各單位區域之中心位置而設置於基準基板21的基準圖案，並將拍攝照相機14之例如拍攝中心(與對物鏡片12之光軸一致)定位於該基準圖案後，來雷射加工複數開口圖案4。
或者，亦可在遮罩側對位標記用之貫穿孔25(參照圖1)內，預先將遮罩側對位標記雷射加工後，以該遮罩側對位標記為基準來將XY台7於X或Y軸步進移動既定距離，並於各單位區域形成複數開口圖案4。
接著，便就使用本發明成膜遮罩所進行之成膜來加以說明。在此，作為一範例係就適用蒸鍍裝置之情況來加以說明。另外，此處所說明之蒸鍍裝置係將基板於一定方向搬送並形成薄膜圖案者。
首先，於可動地設置於真空腔室內的基板保持器設置基板。進一步地，於該基板上將薄膜遮罩1側作為基板側來設置成膜遮罩。此時，藉由設置於真空腔室內之照相機，來拍攝基板之基板側對位標記與設置於成膜遮罩之遮罩側對位標記，並以兩標記會成為預定之既定位置關係的方式來定位基板與成膜遮罩。之後，讓內建於基板保持器之磁鐵的磁力作用於成膜遮罩之金屬遮罩2而吸附金屬遮罩2，以使得薄膜遮罩1密合於基板之成膜面。
接著，在將真空腔室內之真空度抽真空至預定之既定值後，基板保持器會將基板及成膜遮罩一體地以一定速度來開始移動在與構成成膜遮罩之金屬遮罩2的貫穿孔5之長軸所交叉的方向(X軸方向或箭頭A方向)。同時地，加熱蒸鍍源26(參照圖5~7)而開始蒸鍍。另外，圖5~7中，雖因說明簡化而表示將蒸鍍源26配置於成膜遮罩上方的狀態，但實際的蒸鍍裝置中，蒸鍍源26會配置於成膜遮罩下側。
上述般移動基板並蒸鍍之蒸鍍裝置的蒸鍍源26一般而言係具有於與基板的移動方向(蒸鍍源26相對地移動之方向，相當於箭頭A方向或X軸方向)交叉之方向(Y軸方向)並排配置有複數單位蒸鍍源26a的構造(例如，參照圖5(b))，蒸鍍源26之相對移動方向(箭頭A方向)的兩邊係具備有遮蔽板27(例如，參照圖5(a))。從而，相對移動方向之蒸鍍粒子的最小散射角度θt係藉由該遮蔽板27來相對於蒸鍍源26之開口面(平行於對向之成膜遮罩的遮罩面之面)而被限制為略70°~80°。另一方面，構成蒸鍍源26之各單位蒸鍍源26a的相對移動方向的交叉側(Y軸方向)由於未有該遮蔽板27(例如，參照圖5(b))，故Y軸方向之蒸鍍粒子的最小散射角度θe係相對於蒸鍍源26之開口面而成為略20°~30°的淺角度。
從而，在使用僅以無法任意地控制開口圖案4之傾斜角度的以往金屬遮罩2來構成的成膜遮罩的情況，如圖5(a)所示，由於以箭頭A來表示之蒸鍍源26的相對移動方向之蒸鍍粒子的最小散射角度θt會被限制在70°~80°，故即便開口圖案4之同方向的對向側壁4a之傾斜角度為較陡峭的70°~80°，同方向之對向側壁4a仍然不會成為蒸鍍陰影，而使得同方向中之蒸鍍膜的膜厚分布變得略均勻。
然而，如圖5(b)所示，由於箭頭A所示之蒸鍍源26的相對移動方向之交叉方向(Y軸方向)的蒸鍍粒子之最小散射角度θe並未被限制，故蒸鍍粒子會以略20°~30°的淺角度來入射至成膜遮罩。從而，同方向之開口圖案4的對向側壁4a便會成為蒸鍍陰影，而使得同方向中之蒸鍍膜的膜厚分布變得不均勻。亦即，蒸鍍膜同方向的兩端部中之膜厚會變薄。
又，在具有使用圖4(a)所示般之以往光束整形用遮罩15來雷射加工出開口圖案4之薄膜遮罩1的成膜遮罩之情況亦同，如圖6(a)所示，由於箭頭A所示之蒸鍍源26的相對移動方向(X軸方向)之蒸鍍粒子的最小散射角度 θt並未被限制於略70°~80°，故即便開口圖案4之同方向的對向側壁4a之傾斜角度為較陡峭的70°~80°，同方向之對向側壁4a仍然不會成為蒸鍍陰影，而使得同方向中之蒸鍍膜的膜厚分布變得略均勻。
然而，如圖6(b)所示，箭頭A所示之蒸鍍源26的相對移動方向之交叉方向(Y軸方向)的蒸鍍粒子之最小散射角度θe由於並未被限制，故蒸鍍粒子會以略20°~30°的淺角度來入射至成膜遮罩。從而，同方向之開口圖案4的對向側壁4a便會成為蒸鍍陰影，而使得同方向中之蒸鍍膜的膜厚分布變得不均勻。亦即，蒸鍍膜同方向的兩端部中之膜厚會變薄。
另一方面，根據本發明之成膜遮罩，如圖7(a)所示，箭頭A所示之蒸鍍源26的相對移動方向兩側的對向側壁之傾斜角度雖會與以往之成膜遮罩同樣地成為較陡峭的70°~80°，但由於同方向之蒸鍍粒子的最小散射角度θt並未被限制於70°~80°，故與以往技術同樣地，同方向之開口圖案4的對向側壁4a不會成為蒸鍍陰影，而使得同方向中之蒸鍍膜的膜厚分布變得略均勻。
進一步地，本發明之成膜遮罩，如圖7(b)所示，箭頭A所示之蒸鍍源26的相對移動方向的交叉方向(Y軸方向)之開口圖案4的對向側壁4a之傾斜角度由於會相對於蒸鍍源26側相反側之薄膜面20a而以25°~30°的淺角度來加以形成，故同方向之開口圖案4的對向側壁4a會相對於從箭頭A所示之蒸鍍源26的相對移動方向的交叉方向(Y軸方向)以25°~30°的淺角度來入射至成膜遮罩之蒸鍍粒子而不會成為蒸鍍陰影。從而，亦會使得同方向中之蒸鍍膜的膜厚分布變得略均勻。
圖8係顯示本發明成膜遮罩的製造方法中之開口圖案4的雷射加工之變形例的工序圖。
首先，如圖3(a)所示般，將使用具有讓雷射光L穿透之透光窗體18，並在該透光窗體18外側，讓該透光窗體18之至少一對邊的側邊區域中的透光率從透光窗體18緣部朝向側邊漸減的光束整形用遮罩(第1光束整形用遮罩)10而整形後之第1雷射光L1照射至對應於開口圖案形成部的薄膜20，而如圖8(a)所示形成預定之既定深度的凹部28。
之後，如圖4(a)所示般，將使用具有開口圖案4相似形狀的透光窗體18，並將該透光窗體18外側遮光之光束整形用遮罩(第2光束整形用遮罩)10 而整形後的第2雷射光L2，如圖8(b)所示般在該凹部28之底部28a照射至對應於開口圖案4之形成部的薄膜20之部分，以形成貫穿開口29。如此一來，如圖8(c)所示，便可於薄膜20之至少雷射光L的照射面側形成具有朝向雷射光L之照射側而變寬的至少1對對向側壁4a之開口圖案4。
該情況，如圖8(c)所示，若是以凹部28之底面積會較該貫穿開口29之開口面積要寬之方式來形成第1光束整形用遮罩10的透光窗體18，則即便在第1雷射光L1的照射位置會較預定的既定位置偏離△d的情況，仍可於該凹部28內之該既定位置形成貫穿開口29(參照圖8(a)、(b))。從而，凹部28之形成位置精度便可較貫穿開口29之形成位置精度要低。
另外，上述實施形態中，雖就將層積有薄膜遮罩1與金屬遮罩2的層積體固定於框體之成膜遮罩來加以說明，但本發明並不被限定於此，亦可無框體。進一步地，可僅為薄膜遮罩1，亦可為將薄膜遮罩1固定於框體者。
又，上述實施形態中，雖就適用於蒸鍍裝置之成膜遮罩來加以說明，但本發明並不被限定於此，亦可為適用於濺鍍裝置或其他成膜裝置。
進一步地，本發明對於所屬技術領域中具有通常知識者而言，係可在不超脫本發明之技術思想的範圍內而有各種置換、變形及變更，並不因上述實施形態及添附圖式而被限制。
1‧‧‧薄膜遮罩
2‧‧‧金屬遮罩
3‧‧‧金屬框體
4‧‧‧開口圖案
5‧‧‧貫穿孔
6‧‧‧開口
25‧‧‧貫穿孔
A‧‧‧箭頭
P‧‧‧線
O‧‧‧線

Claims (13)

  1. 一種成膜遮罩之製造方法，係於樹脂製薄膜照射雷射光而形成俯視多角形之開口圖案的成膜遮罩之製造方法，其係將使用具有會讓雷射光穿透之透光窗體，並在該透光窗體外側將該透光窗體之至少一對邊的側邊區域中的透光率從該透光窗體緣部朝側邊漸減的光束整形用遮罩而整形後之雷射光照射至該薄膜，來形成具有開口會以從該薄膜之該雷射光的照射面相反側朝向該照射面側變寬之方式而傾斜的至少一對對向側壁的開口圖案。
  2. 如申請專利範圍第1項之成膜遮罩之製造方法，其中該開口圖案在複數對之對向側壁的傾斜角度係至少在該雷射光之照射面側會有所差異。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之成膜遮罩之製造方法，其中該開口圖案係實施下述工序來加以形成：照射藉由該光束整形用遮罩而整形後之第1雷射光，而於該薄膜之該開口圖案形成部形成預定深度之凹部的工序；以及將使用具有該開口圖案相似形狀之透光窗體，使得該透光窗體外側會被遮光之其他整形用遮罩而整形後之第2雷射光照射至該凹部內之薄膜，以形成貫穿該薄膜之貫穿開口的工序。
  4. 如申請專利範圍第3項之成膜遮罩之製造方法，其中該凹部之底面積會較該貫穿開口之開口面積要廣。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之成膜遮罩之製造方法，其中該薄膜係層積有會於該雷射光之照射面側設有內包該開口圖案之大小的貫穿孔之金屬遮罩。
  6. 如申請專利範圍第5項之成膜遮罩之製造方法，其係在該開口圖案形成前，將該薄膜與該金屬遮罩之層積體架設而固定於框狀框體一端面。
  7. 如申請專利範圍第3項之成膜遮罩之製造方法，其中該薄膜係層積有會於該雷射光之照射面側設有內包該開口圖案之大小的貫穿孔之金屬遮罩。
  8. 如申請專利範圍第7項之成膜遮罩之製造方法，其係在該開口圖案形成前，將該薄膜與該金屬遮罩之層積體架設而固定於框狀框體一端面。
  9. 一種成膜遮罩，係透過樹脂製薄膜所形成之開口圖案來在基板上成膜用的成膜遮罩，其中該開口圖案係具有開口會從該薄膜之成膜源相反側朝向該成膜源側變寬之複數對對向側壁，且該複數對對向側壁之傾斜角度係至少會在該成膜源側有所差異。
  10. 如申請專利範圍第9項之成膜遮罩，其係配置為以相對於被搬送於一方向並成膜之該基板，而該開口圖案相對於該成膜源相反側之遮罩面的傾斜角度會較小之對向側壁係成為與該基板之搬送方向交叉的方向之狀態下來被加以使用。
  11. 如申請專利範圍第9或10項之成膜遮罩，其中該薄膜之該成膜源側之面係層積有設有會內包該開口圖案之大小的貫穿孔之金屬遮罩。
  12. 如申請專利範圍第9或10項之成膜遮罩，其中於該成膜源側之面係進一步地具備有框狀框體。
  13. 如申請專利範圍第11項之成膜遮罩，其中於該成膜源側之面係進一步地具備有框狀框體。
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI498434B (zh) * 2012-01-12 2015-09-01 Dainippon Printing Co Ltd A method of manufacturing a vapor deposition mask, a method for producing a vapor deposition mask, and a method of manufacturing the organic semiconductor device
JP5780350B2 (ja) 2013-11-14 2015-09-16 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法
JP6357312B2 (ja) * 2013-12-20 2018-07-11 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスクの製造方法及び成膜マスク
WO2015186632A1 (ja) * 2014-06-06 2015-12-10 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスク準備体、及び有機半導体素子の製造方法
CN104062842B (zh) * 2014-06-30 2019-02-15 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种掩模板及其制造方法、工艺装置
WO2016125815A1 (ja) * 2015-02-03 2016-08-11 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク製造装置、レーザー用マスクおよび有機半導体素子の製造方法
JP5994952B2 (ja) * 2015-02-03 2016-09-21 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク製造装置、レーザー用マスクおよび有機半導体素子の製造方法
KR102441557B1 (ko) * 2015-04-28 2022-09-08 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체, 그 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법
US10428415B2 (en) * 2015-08-10 2019-10-01 Ap Systems Inc. Method of manufacturing shadow mask using hybrid processing and shadow mask manufactured thereby
KR102109375B1 (ko) * 2015-10-02 2020-05-12 주식회사 원익아이피에스 기판 얼라인 장치
US11433484B2 (en) 2016-03-10 2022-09-06 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Deposition mask, mask member for deposition mask, method of manufacturing deposition mask, and method of manufacturing organic EL display apparatus
US11196002B2 (en) * 2016-10-06 2021-12-07 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method for producing vapor deposition mask, method for producing organic semiconductor element, and method for producing organic EL display
JP2018127705A (ja) * 2017-02-10 2018-08-16 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスク
JP6904718B2 (ja) * 2017-02-10 2021-07-21 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法および蒸着マスクの製造装置
JP6988131B2 (ja) * 2017-03-30 2022-01-05 大日本印刷株式会社 フレーム付き蒸着マスク、有機半導体素子の製造方法、有機ｅｌディスプレイの製造方法、およびフレーム
KR102411536B1 (ko) * 2017-10-11 2022-06-22 삼성디스플레이 주식회사 증착 마스크 제조방법 및 제조장치
KR102130060B1 (ko) * 2017-10-11 2020-07-03 에이피에스홀딩스 주식회사 레이저 가공 방법
KR20190055295A (ko) * 2017-11-14 2019-05-23 삼성디스플레이 주식회사 마스크 제조 장치 및 마스크 제조 방법
US11613801B2 (en) * 2018-05-14 2023-03-28 Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. Masks and display devices
CN113490762A (zh) 2019-03-15 2021-10-08 应用材料公司 沉积掩模、及制造和使用沉积掩模的方法
WO2020242611A1 (en) 2019-05-24 2020-12-03 Applied Materials, Inc. System and method for aligning a mask with a substrate
US11189516B2 (en) 2019-05-24 2021-11-30 Applied Materials, Inc. Method for mask and substrate alignment
WO2020251696A1 (en) 2019-06-10 2020-12-17 Applied Materials, Inc. Processing system for forming layers
US10916464B1 (en) 2019-07-26 2021-02-09 Applied Materials, Inc. Method of pre aligning carrier, wafer and carrier-wafer combination for throughput efficiency
CN111796706A (zh) * 2020-05-22 2020-10-20 南昌欧菲显示科技有限公司 面板及其制备方法、触控显示屏和电子设备

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU7099694A (en) * 1993-06-04 1995-01-03 Summit Technology, Inc. Rotatable aperture apparatus and methods for selective photoablation of surfaces
US6777276B2 (en) * 2002-08-29 2004-08-17 Sharp Laboratories Of America, Inc. System and method for optimized laser annealing smoothing mask
EP1802177A4 (en) * 2004-09-08 2010-04-14 Toray Industries ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
JP5228586B2 (ja) 2008-04-09 2013-07-03 株式会社Ｓｕｍｃｏ 蒸着用マスク、ならびにそれを用いる蒸着パターン作製方法、半導体ウェーハ評価用試料の作製方法、半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法
JP5440913B2 (ja) * 2009-01-23 2014-03-12 大日本印刷株式会社 テーパ穴形成装置、およびテーパ穴形成装置で用いられる振幅変調マスクまたは位相変調マスク
JP5664954B2 (ja) * 2010-08-05 2015-02-04 大日本印刷株式会社 テーパ穴形成装置、テーパ穴形成方法、光変調手段および変調マスク
JP5517308B2 (ja) * 2011-11-22 2014-06-11 株式会社ブイ・テクノロジー マスクの製造方法、マスク及びマスクの製造装置
TWI555862B (zh) 2011-09-16 2016-11-01 V科技股份有限公司 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩的製造方法及薄膜圖案形成方法
TWI498434B (zh) * 2012-01-12 2015-09-01 Dainippon Printing Co Ltd A method of manufacturing a vapor deposition mask, a method for producing a vapor deposition mask, and a method of manufacturing the organic semiconductor device
CN105296923B (zh) * 2012-01-12 2020-01-24 大日本印刷株式会社 拼版蒸镀掩模、图案的制造方法及有机半导体元件的制作方法
TWI461098B (zh) * 2012-01-12 2014-11-11 Dainippon Printing Co Ltd A method of manufacturing a vapor deposition mask, and a method of manufacturing an organic semiconductor device
KR101941077B1 (ko) * 2012-01-19 2019-01-23 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크 및 이를 포함하는 증착 설비
JP6078747B2 (ja) * 2013-01-28 2017-02-15 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスクの製造方法及びレーザ加工装置
KR102130546B1 (ko) * 2013-10-11 2020-07-07 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체 및 이를 이용한 평판표시장치용 증착 장치
JP5780350B2 (ja) * 2013-11-14 2015-09-16 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法
JP6357312B2 (ja) * 2013-12-20 2018-07-11 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスクの製造方法及び成膜マスク
JP2017150017A (ja) * 2016-02-23 2017-08-31 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスクの製造方法及び有機ｅｌディスプレイの製造方法

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