CN109112476A - 成膜掩膜 - Google Patents
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Abstract
本发明提供成膜掩膜的制造方法,向树脂制的膜片(20)照射激光(L)而形成俯视下呈多边形的开口图案(4),通过将使用光束整形用掩膜(10)进行整形的激光(L)向上述膜片(20)照射,来形成具有以开口从上述膜片(20)的与上述激光(L)的照射面相反的一侧朝向上述照射面侧扩大的方式倾斜的至少一对对置侧壁(4a)的开口图案(4),其中光束整形用掩膜(10)具有供上述激光透过的透光窗(18),且在该透光窗(18)的外侧使该透光窗(18)的至少一对边的侧方区域的透光率,随着从上述透光窗的边缘部朝向侧方逐渐减小。
Description
本申请是国家阶段进入日为2016年6月17日、申请号为201480069390.6、发明名称为“成膜掩膜的制造方法以及成膜掩膜”的申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及向树脂制的膜片照射激光来形成开口图案的成膜掩膜的制造方法,特别是涉及能够使开口图案的侧壁的倾斜角度的控制变得容易的成膜掩膜的制造方法以及成膜掩膜。
背景技术
以往的成膜掩膜具有与制作成膜的图案对应的至少具有一个开口图案的厚度为1μm以上且50μm以下的掩膜层,在该掩膜层上不堵塞该掩膜层所具有的开口图案地具有磁性体(例如,参照专利文献1)。而且,上述掩膜层所具有的开口图案,优选为开口随着朝向磁性体侧的表面而变大的锥形状。
专利文献1:日本特开2009-249706号公报
但是,在这样的以往的成膜掩膜中,开口图案的形成例如是将剖面形状被整形为与开口图案相似的形状的激光照射到膜片来进行,所以难以控制开口图案的侧壁的倾斜角度。
特别是,在俯视下呈矩形状的开口图案的两对对置侧壁,难以使一方的对置侧壁与另一方的对置侧壁的倾斜角度不同。因此,若使用通过以往的方法制造的成膜掩膜,而一边将基板向一个方向搬运一边成膜,则所形成的薄膜的与搬运方向交叉的方向的膜厚分布,由于该方向的开口图案的边缘部所引起的阴影区(shadow)的影响而变得不均匀这一问题。
发明内容
因此,本发明处理这样的问题点,目的在于提供能够容易地进行开口图案的侧壁的倾斜角度的控制的成膜掩膜的制造方法以及成膜掩膜。
为了实现上述目的,本发明的成膜掩膜的制造方法向树脂制的膜片照射激光而形成俯视下呈多边形的开口图案,通过将使用光束整形用掩膜进行整形的激光照射于上述膜片,来形成具有以开口从上述膜片的与上述激光的照射面相反的一侧朝向上述照射面侧扩大的方式倾斜的至少一对对置侧壁的开口图案,其中,上述光束整形用掩膜具有供上述激光透过的透光窗,且在该透光窗的外侧使该透光窗的至少一对边的侧方区域的透光率随着从上述透光窗的边缘部朝向侧方逐渐减少。
另外,本发明的成膜掩膜是用于经由形成在片状的基材的开口图案在基板上成膜的成膜掩膜,上述开口图案具有开口从上述基材与成膜源相反的一侧朝向上述成膜源侧扩大的多对对置侧壁,这些多对对置侧壁的倾斜角度至少在上述成膜源侧不同。
根据本发明,能够容易地控制膜片被激光加工的开口图案的以开口朝激光的照射侧扩大的方式倾斜的对置侧壁的倾斜角度。因此,也能够容易地制造开口图案的开口具有朝向成膜源侧扩大的多对对置侧壁,这些多对对置侧壁的倾斜角度至少在成膜源侧不同的成膜掩膜。因此,能够抑制开口图案的侧壁成为成膜的阴影区,能够形成膜厚均匀的薄膜。
附图说明
图1是表示本发明的成膜掩膜的一实施方式的图,(a)是俯视图,(b)是(a)的O-O线剖面向视图,(c)是(a)的P-P线剖面向视图。
图2是表示用于形成本发明的成膜掩膜的开口图案的激光加工装置的一个构成例的主视图。
图3是表示上述激光加工装置所使用的光束整形用掩膜的一个构成例的图,(a)是俯视图,(b)是(a)的局部放大俯视图,(c)是表示与(b)对应的部分的透光率的说明图,(d)是对被透过(a)的透光窗的激光加工的开口图案的对置侧壁的倾斜角度进行说明的剖视图。
图4是表示以往的光束整形用掩膜的构成例的图,(a)是俯视图,(b)是对被透过(a)的透光窗的激光加工的开口图案的对置侧壁的倾斜角度进行说明的剖视图。
图5是表示使用以往的金属掩膜的蒸镀的说明图,(a)表示蒸镀源的相对移动方向上的蒸镀膜的膜厚分布,(b)表示与蒸镀源的相对移动方向交叉的方向上的蒸镀膜的膜厚分布。
图6是表示使用由图4所示的光束整形用掩膜来激光加工开口图案的成膜掩膜的蒸镀的说明图,(a)表示蒸镀源的相对移动方向上的蒸镀膜的膜厚分布,(b)表示与蒸镀源的相对移动方向交叉的方向上的蒸镀膜的膜厚分布。
图7是表示使用了本发明的成膜掩膜的蒸镀的说明图,(a)表示蒸镀源的相对移动方向上的蒸镀膜的膜厚分布,(b)表示与蒸镀源的相对移动方向交叉的方向上的蒸镀膜的膜厚分布。
图8是表示在本发明的成膜掩膜的制造方法中,开口图案的激光加工的变形例的工序图。
具体实施方式
以下,基于附图对本发明的实施方式详细进行说明。图1是表示本发明的成膜掩膜的一实施方式的图,(a)是俯视图,(b)是(a)的O-O线剖面向视图,(c)是(a)的P-P线剖面向视图。该成膜掩膜是经由开口图案在基板上成膜的部件,构成为具备膜片掩膜1、金属掩膜2以及金属框架3。
上述膜片掩膜1是与被成膜基板紧贴而使用的部件,是成为用于在被成膜基板上形成薄膜图案的主掩膜的部件,例如如图1的(a)所示,在厚度为10μm~30μm左右的例如聚酰亚胺或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等树脂制的膜片上,与上述薄膜图案相对应地呈纵横矩阵状地配置俯视下呈多边形(在本实施方式中用矩形状表示)的多个开口图案4。优选,线膨胀系数与作为被成膜基板(以下,仅称为“基板”)的玻璃的线膨胀系数近似的3×10-6~5×10-6/℃左右的聚酰亚胺。
详细而言,上述开口图案4具有以开口从上述基板侧朝向成膜源侧(金属掩膜2侧)扩大的方式倾斜的多对(例如两对)对置侧壁,上述多对对置侧壁的倾斜角度,如图1的(b)、(c)所示,至少在上述成膜源侧(金属掩膜2侧)不同。
更详细而言,在本发明的成膜掩膜应用于一边向一个方向搬运基板一边成膜的成膜装置的情况下,优选使上述基板的在与搬运方向(图1的(a)的箭头A方向(与X轴方向相同))交叉的方向(Y轴方向)上的对置侧壁的倾斜角度,比其他对置侧壁的倾斜角度大。
在上述膜片的一面层叠有金属掩膜2。该金属掩膜2形成有将上述开口图案4进行内包的大小的贯通孔5,例如是厚度为30μm~50μm左右的例如镍、镍合金、因瓦或者因瓦合金等磁性金属材料的薄片,为支撑膜片掩膜1的子掩膜。
详细而言,如图1的(a)所示,设置有多列将排列为一列的多个开口图案4内包的大小的狭缝状的贯通孔5,在本发明的成膜掩膜应用于一边向一个方向搬运基板一边成膜的成膜装置的情况下,配置为狭缝状的贯通孔5的长轴与基板搬运方向(箭头A方向)交叉。
在该情况下,成膜掩膜以金属掩膜2成为成膜源侧的方式设置于基板上,金属掩膜2被内置于基板支架的磁铁吸引而使膜片掩膜1与基板的成膜面紧贴。
在上述金属掩膜2的与上述膜片掩膜1相反的一侧的面,设置有金属框架3。该金属框架3是固定支撑上述金属掩膜2的周缘部的部件,例如用由因瓦或者因瓦合金等构成的磁性金属部件形成,为具有将上述金属掩膜2的多列贯通孔5进行内包的大小的开口6的框状。此外,框架并不限定于金属框架3,也可以是由硬质树脂构成的部件,在本实施方式中,框架是金属框架3。
接下来,对这样构成的成膜掩膜的制造方法进行说明。
首先,从厚度为30μm~50μm左右的例如因瓦或者因瓦合金等磁性金属材料的薄片,切出与基板的尺寸一致的预定的规定尺寸的金属薄片。
接下来,在向上述金属薄片的一面涂覆例如聚酰亚胺等树脂液之后,用200℃~300℃左右的温度使其固化而形成厚度为10μm~30μm左右的膜片。上述膜片无论是透过可见光的或者不透过可见光的都可以,没有特别限定,这里对膜片是透过可见光的膜片的情况进行说明。
接下来,向金属薄片的其他面例如喷涂光致抗蚀剂之后,使其干燥而形成抗蚀膜片,接下来,使用光掩膜将抗蚀膜片曝光之后,显影,形成与多列贯通孔5的形成位置相对应地设置了狭缝状的多列开口部的抗蚀掩膜。
接着,使用上述抗蚀掩膜对上述金属薄片进行湿式蚀刻,在除去与抗蚀掩膜的上述开口部对应的部分的金属薄片而设置狭缝状的多列贯通孔5从而形成金属掩膜2之后,例如使抗蚀掩膜溶解于有机溶剂来除去。由此,形成层叠了金属掩膜2和树脂制的膜片的掩膜用部件。此外,用于蚀刻金属薄片的蚀刻液,根据所使用的金属薄片的材料适当选择,能够应用公知技术。
另外,在对金属薄片进行蚀刻而形成贯通孔5时,也可以同时在多列贯通孔5的形成区域外的预定的位置,形成用于与预先设定于基板的基板侧对准标记对准的图1的(a)所示的掩膜侧对准标记用的贯通孔25。在该情况下,在形成抗蚀掩膜时,可以在与上述贯通孔25对应的位置设置对准标记用的开口部。
掩膜用部件也可以用其他方法形成,而不是通过上述方法。例如,也可以在膜片的一面例如通过无电镀形成种子层(seed layer),并向其上涂覆光致抗蚀剂并使其曝光以及显影,在与多列贯通孔5的形成位置相对应地形成多列岛图案之后,在该岛图案的外侧区域镀敷形成镍、镍合金、因瓦或者因瓦合金等磁性金属材料。然后,在除去岛图案之后,通过蚀刻除去该岛图案的形成位置的种子层来形成掩膜用部件。
接下来,掩膜用部件将金属掩膜2侧作为金属框架3侧架设固定于金属框架3的一端面。掩膜用部件向金属框架3的固定,可以通过从膜片掩膜1侧向掩膜用部件的周缘区域照射激光而对金属掩膜2和金属框架3进行点焊。
接着,移至作为本发明的特征的开口图案形成工序。该开口图案形成工序是从金属掩膜2侧照射激光L而在金属掩膜2的多列贯通孔5内的膜片分别形成排列为一列的多个开口图案4的工序。
首先,参照图2对开口图案形成工序中使用的激光加工装置进行说明。
上述激光加工装置具备XY工作台7,并在该XY工作台7的上方从激光L的行进方向的上游向下游按顺序具备激光源8、耦合光学系9、光束整形用掩膜10、成像透镜11、以及对物透镜12。另外,在从对物透镜12朝向成像透镜11的光路被半透半反镜(half mirror)13分支的光路上,配置有拍摄照相机14,从对物透镜12朝向成像透镜11的光路透过400nm以下的激光L,在被反射可见光的分色镜(dichroic mirror)15分支的光路上,配置有照明光源16。
这里,XY工作台7是在上表面载置掩膜用部件17并在与XY平面平行的面内沿XY方向移动的部件,被省略图示的控制装置控制,按照预先输入并存储的移动量步进移动。
上述激光源8为产生波长在400nm以下的激光L的例如KrF248nm的准分子激光(Excimer Laser)、放射1064nm的第三高次谐波、第四高次谐波的激光L的YAG激光。
另外,上述耦合光学系9包括:对从激光源8放射的激光束进行扩展的光束扩展器;使激光L的亮度分布均匀并照射后述的光束整形用掩膜10的光积分元件;以及聚光透镜。
上述光束整形用掩膜10是将向掩膜用部件17照射的激光L整形为具有与要形成的开口图案4相似的形状的剖面形状的激光束并射出的部件,是将与开口图案4相似的形状的多个透光窗18,相对于位于图1的(a)中用虚线包围表示的预定的单位区域内的多个开口图案4的排列间距,以预定的放大倍率配置的部件,是在覆盖于透明的玻璃基板或石英基板的铬(Cr)等遮光膜形成上述透光窗18的部件。
详细而言,上述光束整形用掩膜10具有如下结构:具有形状与开口图案4相似的透光窗18,在该透光窗18的外侧,使该透光窗18的至少一对边的侧方区域的透光率,随着从上述透光窗18的边缘部朝向侧方而逐渐减少的结构。
更详细而言,上述光束整形用掩膜10如图3的(a)所示,在透光窗18的Y轴方向上的对边的侧方区域的遮光膜19从透光窗18的边缘部朝向侧方交替地设置有遮光部和透光部,并如在同图的(b)局部放大表示那样,由于遮光部的宽度随着离开透光窗18的边缘部而慢慢变宽,以使Y轴方向(相当于与基板搬运方向交叉的方向)上的对边的侧方区域中的透光率随着离开透光窗18的边缘部而阶段性地减少的方式,如同图的(c)所示那样使透光率具有渐变(gradation)。由此,如同图的(d)所示,照射到膜片20的激光L的光强度在与开口图案4对应的中央区域最强,随着从开口图案4的边缘部向侧方离开而逐渐减少。
此外,作为使透光窗18的上述侧方区域的透光率逐渐减少的方法,并不限定于如上述那样在遮光膜19交替设置遮光部和透光部的方法,也可以使对应区域的遮光膜19为半色调(halftone)。
上述成像透镜11是与后述的对物透镜12配合将在光束整形用掩膜10形成的多个透光窗18以预定的倍率缩小投影至膜片上的部件,是聚光透镜。
另外,上述对物透镜12是与上述成像透镜11配合将在光束整形用掩膜10形成的多个透光窗18以预定的倍率缩小投影至膜片上,并且例如配置于掩膜用部件17的与金属框架3相反的一侧,获取设置了成为激光L的照射的定位基准的基准图案的透明的基准基板21(参照图2)的上述基准图案的像并能够通过后述的拍摄照相机14拍摄的部件。而且,对物透镜12的成像位置和光束整形用掩膜10成为共轭的关系。
上述拍摄照相机14是拍摄设置于基准基板21的上述基准图案的部件,例如是拍摄二维图像的CCD照相机、CMOS照相机等。而且,对物透镜12的成像位置和拍摄照相机14的拍摄面成为共轭的关系。
上述照明光源16是放射可见光的例如卤素灯等,对拍摄照相机14的拍摄区域进行照明而使拍摄照相机14的拍摄能够进行的部件。
此外,在图2中,附图标记22是与对物透镜12配合来使基准基板的基准图案的像、通过激光加工形成的开口图案4的像等在拍摄照相机14的拍摄面成像的成像透镜,附图标记23是中继镜,附图标记24是全反射镜。
接下来,对使用这样构成的激光加工装置进行的开口图案形成工序进行说明。
首先,在使掩膜用部件17的膜片与形成上述基准图案的基准基板21的与形成基准图案的面相反的一侧的面21a对置的状态下,使用省略图示的对准标记将掩膜用部件17和上述基准基板21定位之后,使膜片20与基准基板21的上述面21a紧贴。
接下来,如图2所示,将一体化的上述掩膜用部件17和上述基准基板21使掩膜用部件17作为激光L的照射侧,定位载置于XY工作台7上。
接下来,XY工作台7移动而对物透镜12被定位于掩膜用部件17的激光加工开始位置。详细而言,利用拍摄照相机14,透过膜片20对与激光加工开始位置的单位区域的例如中心位置对应地设置于上述基准基板21的基准图案,使该基准图案定位于拍摄中心。此外,该拍摄中心与对物透镜12的光轴一致。
接着,使激光加工装置的光学单元沿着对物透镜12的光轴沿Z轴向上升预定的距离,使对物透镜12的成像位置定位于掩膜用部件17的膜片20和上述基准基板21的界面。
接下来,起动激光源8实施脉冲振荡,放射多个激光束。放射的激光束被耦合光学系9扩大,成为强度分布均匀的激光L并向光束整形用掩膜10照射。
照射到光束整形用掩膜10的激光L,由于透过该光束整形用掩膜10的多个透光窗18而剖面形状被整形为与开口图案4的形状相似的形状,成为多个激光L并从光束整形用掩膜10射出。然后,被对物透镜12聚光于膜片20上。
在该情况下,如图4的(a)所示那样,用透光窗18的外侧被遮光膜19遮光的以往技术的光束整形用掩膜10来整形的激光L,如同图的(b)的粗实线所表示的那样,因为X(以及Y)轴方向的光强度分布大致均匀,所以利用这样的激光L在膜片20加工的开口图案4的对置侧壁4a,相对于与同图的(b)所示的激光L的照射侧(相当于成膜源侧)相反的一侧的膜片面(掩膜面)20a,具有70°~80°的陡峭的倾斜角度(大倾斜角度)。
另一方面,在本发明中,如图3的(a)所示,在上述透光窗18的Y轴方向(相当于金属掩膜2的贯通孔5的长轴方向)上对置的对边的侧方区域,因为如前述那样,透光率形成为随着从透光窗18的边缘部朝向侧方而逐渐减少,所以从光束整形用掩膜10射出的激光L的Y轴方向的光强度分布,如同图的(d)的粗实线所表示的那样,与开口图案4对应的中央区域强,并且强度随着从与开口图案4的边缘部对应的位置朝向外侧而逐渐减少。因此,利用上述那样的激光L加工于膜片20的开口图案4的对置侧壁4a,相对于与同图的(d)所示的激光L的照射侧(相当于成膜源侧)相反的一侧的膜片面(掩膜面)20a,具有25°~30°的浅倾斜角度(小倾斜角度)。
在该情况下,如图3的(a)所示,上述透光窗18的在X轴方向上对置的对边的侧方区域,因为未被实施透光率的渐变处理,所以该方向的光强度分布均匀,被加工的开口图案4的在该方向上对置的侧壁的倾斜角度,与以往技术相同,相对于与激光L的照射侧相反的一侧的膜片面20a成70°~80°。
若在激光加工开始位置的单位区域形成多个开口图案4,则XY工作台7沿X或者Y轴方向步进移动预定的距离,并依次在第二个单位区域,第三个单位区域…,各单位区域激光加工多个开口图案4。这样,在膜片20的预定的规定位置激光加工多个开口图案4,形成膜片掩膜1。
在该情况下,如前述那样,利用拍摄照相机14,拍摄与激光加工开始位置的单位区域的例如中心位置对应地在上述基准基板21设置的基准图案,确认该位置之后,以该基准图案的位置为基准一边使XY工作台7沿X、Y轴方向步进移动一边形成多个开口图案4。此时,可以基于XY工作台7的机械精度一边步进移动预定的距离一边在各单位区域形成多个开口图案4,但也可以用拍摄照相机14拍摄与各单位区域的中心位置相对应地设置于基准基板21的基准图案,在该基准图案将拍摄照相机14的例如拍摄中心(与对物透镜12的光轴一致)定位之后,激光加工多个开口图案4。
或者,也可以在掩膜侧对准标记用的贯通孔25(参照图1)内,预先激光加工掩膜侧对准标记之后,将该掩膜侧对准标记作为基准,一边使XY工作台7沿X或者Y轴方向步进移动预定的距离,一边在各单位区域形成多个开口图案4。
接下来,对使用本发明的成膜掩膜进行的成膜进行说明。这里作为一个例子应用于蒸镀装置的情况进行说明。此外,这里说明的蒸镀装置是一边沿一定方向搬运基板一边形成薄膜图案的装置。
首先,在能够移动地设置于真空室内的基板支架设置基板。并且,将成膜掩膜以膜片掩膜1侧作为基板侧设置于上述基板上。此时,利用设置于真空室内的照相机,拍摄基板的基板侧对准标记和设置于成膜掩膜的掩膜侧对准标记,以两标记成为预定的规定的位置关系的方式对基板和成膜掩膜进行定位。其后,使内置于基板支架的磁铁的磁力作用于成膜掩膜的金属掩膜2从而吸引金属掩膜2,使膜片掩膜1紧贴于基板的成膜面。
接下来,真空室内的真空度被抽真空至预定的规定值之后,基板支架沿与构成成膜掩膜的金属掩膜2的贯通孔5的长轴交叉的方向(X轴方向或者箭头A方向),与基板以及成膜掩膜一体地以一定速度开始移动。同时,蒸镀源26(参照图5~7)被加热而开始蒸镀。此外,在图5~7中,为便于说明而将蒸镀源26以配置于成膜掩膜的上方的状态示出,但在实际的蒸镀装置中,蒸镀源26配置于成膜掩膜的下侧。
如上述那样一边移动基板一边蒸镀的蒸镀装置的蒸镀源26,一般具有在与基板的移动方向(蒸镀源26相对移动的方向,相当于箭头A方向或者X轴方向)交叉的方向(Y轴方向)上排列配置多个单位蒸镀源26a的构造(例如,参照图5的(b)),在蒸镀源26的相对移动方向(箭头A方向)的两侧具备遮挡板27(例如,参照图5的(a))。因此,相对移动方向的蒸镀粒子的最小扩散角度θt被上述遮挡板27限制为与蒸镀源26的开口面(与对置的成膜掩膜的掩膜面平行的面)成大致70°~80°。另一方面,在与构成蒸镀源26的各单位蒸镀源26a的相对移动方向交叉的一侧(Y轴方向),因为没有上述遮挡板27(例如,参照图5的(b)),所以Y轴方向的蒸镀粒子的最小扩散角度θe,相对于蒸镀源26的开口面成浅角度,大致20°~30°。
因此,在使用不能任意控制开口图案4的侧壁的倾斜角度的仅由以往的金属掩膜2构成的成膜掩膜的情况下,如图5的(a)所示,因为箭头A所示的蒸镀源26的相对移动方向的蒸镀粒子的最小扩散角度θt被限制为大致70°~80°,即使开口图案4的该方向的对置侧壁4a的倾斜角度以70°~80°陡峭,该方向的对置侧壁4a也未成为蒸镀的阴影区,该方向上的蒸镀膜的膜厚分布大致均匀。
然而,如图5的(b)所示,因为与用箭头A表示的蒸镀源26的相对移动方向交叉的方向(Y轴方向)的蒸镀粒子的最小扩散角度θe未被限制,所以蒸镀粒子以大致20°~30°的浅角度入射到成膜掩膜。因此,该方向的开口图案4的对置侧壁4a成为蒸镀的阴影区,该方向上的蒸镀膜的膜厚分布变得不均匀。即,蒸镀膜的该方向的两端部的膜厚变薄。
另外,在具有使用如图4的(a)所示那样的以往的光束整形用掩膜10来激光加工开口图案4的膜片掩膜1的成膜掩膜的情况也相同,如图6的(a)所示,因为箭头A所示的蒸镀源26的相对移动方向(X轴方向)的蒸镀粒子的最小扩散角度θt被限制为大致70°~80°,所以即使该方向的开口图案4的对置侧壁4a的倾斜角度为70°~80°陡峭,该方向的对置侧壁4a也不成为蒸镀的阴影区,该方向的蒸镀膜的膜厚分布大致均匀。
然而,如图6的(b)所示,因为与箭头A所示的蒸镀源26的相对移动方向交叉的方向(Y轴方向)的蒸镀粒子的最小扩散角度θe未被限制,所以蒸镀粒子以大致20°~30°的浅角度入射到成膜掩膜。因此,该方向的开口图案4的对置侧壁4a成为蒸镀的阴影区,该方向的蒸镀膜的膜厚分布变得不均匀。即蒸镀膜的该方向的两端部的膜厚变薄。
另一方面,根据本发明的成膜掩膜,如图7的(a)所示,箭头A所示的蒸镀源26的相对移动方向的两侧的对置侧壁的倾斜角度,与以往的成膜掩膜相同,是70°~80°陡峭,但该方向的蒸镀粒子的最小扩散角度θt被限制为大致70°~80°,所以与以往技术相同,该方向的开口图案4的对置侧壁4a未成为蒸镀的阴影区,该方向的蒸镀膜的膜厚分布变得大致均匀。
并且,本发明的成膜掩膜如图7的(b)所示,因为与用箭头A表示的蒸镀源26的相对移动方向交叉的方向(Y轴方向)的开口图案4的对置侧壁4a的倾斜角度,相对于与蒸镀源26侧相反的一侧的膜片面20a以25°~30°的浅角度形成,所以该方向的开口图案4的对置侧壁4a相对于从与用箭头A表示的蒸镀源26的相对移动方向交叉的方向(Y轴方向)以25°~30°的浅角度入射到成膜掩膜的蒸镀粒子,不成为蒸镀的阴影区。因此,该方向的蒸镀膜的膜厚分布也变得大致均匀。
图8是表示本发明的成膜掩膜的制造方法中的开口图案4的激光加工的变形例的工序图。
首先,将使用如图3的(a)所示那样的具有供激光L透过的透光窗18,且在该透光窗18的外侧使该透光窗18的至少一对边的侧方区域的透光率随着从透光窗18的边缘部朝向侧方而逐渐减少的光束整形用掩膜(第一光束整形用掩膜)10被整形的第一激光L1,照射与开口图案形成部对应的膜片20的部分,而如图8的(a)所示形成预定的规定深度的凹部28。
其后,将使用如图4的(a)所示那样的具有形状与开口图案4相似的透光窗18并且该透光窗18的外侧被遮光的光束整形用掩膜(第二光束整形用掩膜)10被整形的第二激光L2,在图8的(b)所示的上述凹部28的底部28a,照射与开口图案4的形成部对应的膜片20的部分,形成贯通开口29。这样,如图8的(c)所示,能够在膜片20的至少激光L的照射面侧,形成具有随着朝向激光L的照射侧而扩大的至少一对对置侧壁4a的开口图案4。
在该情况下,如图8的(c)所示,如果以凹部28的底面积比上述贯通开口29的开口面积大的方式形成第一光束整形用掩膜10的透光窗18,则即使第一激光L1的照射位置比预定的规定位置错开Δd的情况下,也能够将贯通开口29形成在上述凹部28内的上述规定位置(参照图8的(a)、(b))。因此,凹部28的形成位置精度也可以比贯通开口29的形成位置精度低。
此外,在上述实施方式中,对将层叠了膜片掩膜1和金属掩膜2的层叠体固定于框架的成膜掩膜进行了说明,但本发明并不局限于此,也可以没有框架。并且,也可以仅是膜片掩膜1,也可以将膜片掩膜1固定于框架。
另外,在上述实施方式中,对应用于蒸镀装置的成膜掩膜进行了说明,但本发明并不局限于此,也可以是应用于溅射装置或其他成膜装置的情况。
并且,本发明对于本领域技术人员而言在不脱离本发明的技术的思想的范围内能够进行各种置换、变形以及变更,并不被前述的实施方式以及附图限定。
附图标记说明
1…膜片掩膜;2…金属掩膜;3…金属框架;4…开口图案;4a…对置侧壁;5…贯通孔;10…光束整形用掩膜;18…透光窗;20…膜片;28…凹部;29…贯通开口。
Claims (3)
1.一种成膜掩膜,用于经由开口图案在基板上成膜,其特征在于,
上述开口图案具有开口朝向成膜源侧扩大的多对对置侧壁,所述多对对置侧壁的倾斜角度至少在上述成膜源侧不同,
上述成膜掩膜相对于一边沿一个方向被搬运一边成膜的上述基板以如下所述的配置状态被使用:上述开口图案的相对于与上述成膜源相反的一侧的掩膜面的倾斜角度小的对置侧壁,处于与上述基板的搬运方向交叉的方向的状态。
2.根据权利要求1所述的成膜掩膜,其特征在于,
在上述膜片的上述成膜源侧的面层叠有金属掩膜,该金属掩膜设有对上述开口图案进行内包的大小的贯通孔。
3.根据权利要求1或2所述的成膜掩膜,其特征在于,
在上述成膜源侧的面还具备框状的框架。
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