KR20120040657A - 노광 조건 및 마스크 패턴을 결정하는 프로그램 기억 매체 및 방법 - Google Patents

노광 조건 및 마스크 패턴을 결정하는 프로그램 기억 매체 및 방법 Download PDF

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Abstract

노광 조건 및 마스크 패턴을 결정하는 방법은 노광 조건 및 상기 마스크 패턴을 설정하는 단계와, 설정한 노광 조건을 이용하여, 마스크 패턴의 화상 품질의 지표를 나타내는 제1 평가 함수를 이용하여 마스크 패턴을 가결정하는 단계와, 가결정한 마스크 패턴과 설정한 노광 조건을 이용하여, 마스크 패턴의 화상 품질의 지표를 나타내는 제2 평가 함수의 값을 산출하는 단계와, 산출한 제2 평가 함수의 값에 기초하여, 노광 조건 및 마스크 패턴을 변경하는 단계와, 가결정하는 단계 및 산출하는 단계를 반복하는 공정을 실행할지 여부를 판정하는 단계를 포함한다. 판정하는 단계에 있어서, 최종 제2 단계에서 가결정된 마스크 패턴과 최종 제4 단계에서 변경된 노광 조건은 각각 마스크 패턴 및 노광 조건으로서 결정된다.

Description

노광 조건 및 마스크 패턴을 결정하는 프로그램 기억 매체 및 방법{PROGRAM STORAGE MEDIUM AND METHOD FOR DETERMINING EXPOSURE CONDITION AND MASK PATTERN}
본 발명은 일반적으로 반도체 집적 회로, 액정 패널, 이미지 센서 등을 제작하기 위한 리소그래피 기술에 관한 것으로, 보다 구체적으로 노광 조건 및 마스크 패턴을 결정하는 프로그램 기억 매체 및 방법에 관한 것이다.
최근, 반도체 디바이스의 미세화가 진행함에 따라, 노광 장치에 의해 원하는 패턴을 전사(해상)하는 것이 곤란해지고 있다. 따라서, 노광 장치에 있어서는, 반도체 디바이스의 미세화에 대응하기 위해서, 변형 조명과 광 근접 보정(OPC: optical proximity correction)과 같은 해상도 향상 기술을 사용해서 마스크 패턴이나 마스크를 조명하는데 사용되는 조명 형상(유효 광원 분포)을 최적화한다. 조명 형상(유효 광원 분포)은 조명 광학계의 동공면에 형성되는 광강도 분포이며, 마스크를 조명하는 광의 각도 분포로서 역할도 한다. 조명 형상을 최적화하기 위해서, 우선, 디바이스의 레이아웃 패턴(목표 패턴), 전사 패턴(광학상)의 평가 위치 및 평가 위치에서의 평가값(치수, DOF, 노광 여유도 등)을 설정한다. 이어서, 조명 형상을 변경시키면서 전사 패턴을 산출해서, 전사 패턴의 평가 위치에 있어서의 평가값을 구한다. 취득된 평가값이 허용 범위에 도달할 때까지 또는 조명 형상을 변경시키는 횟수가 미리결정된 횟수에 도달할 때까지, 전사 패턴 산출과 평가값을 구하는 것을 반복한다. 조명 형상은 예를 들어 미리결정된 강도를 갖는 환형 조명에서, 내측의 σ및 외측의 σ를 파라미터(변수)로 갖는 함수에 의해 수치적으로 표현하고, 몬테카를로법 등을 사용해서 최적화된다. 동일한 마스크 패턴이 사용된 경우에서도, 전사 패턴은 조명 형상의 변경에 따라 변해서, 조명 형상을 변경시킴으로써 전사 패턴이 목표 패턴으로부터 시프트된다. 따라서, 전사 패턴을 목표 패턴과 일치시키기 위해 OPC가 필요하다. OPC는 조명 형상을 변경시킬 때마다 또는 조명 형상을 미리결정된 양만큼 변경시킬 때마다 행해진다.
기판(웨이퍼)에 형성해야 할 패턴을 설정하고, 수학적 접근에 의해 최적화된 마스크 패턴 및 조명 형상을 산출하는 기술이 미국 특허 공보 제6563566호에 제안되어 있다. 미국 특허 공보 제6563566호에 개시된 기술은 반복 계산 대신에 해석적으로 해(마스크 패턴 및 조명 형상)를 산출한다. 미국 특허 공보 제6563566호에 개시된 기술에서는 OPC가 적용되어 있지 않지만, 기판(웨이퍼 등)에 형성해야 할 패턴과 최적화된 마스크 패턴은 서로 상이해서, 이러한 기술은 광의로는 마스크 패턴의 보정을 포함하는 조명 형상의 최적화 기술이라고 말할 수 있다. 미국 특허 공보 제6563566호에 개시된 기술은 해석적으로 해를 산출할 수 있다는 장점을 갖지만, 평가값을 광학상의 기울기에 한정할 뿐만 아니라, 기판에 형성해야 할 패턴의 종류도 1개의 특정한 종류로 한정할 필요가 있다. 이러한 방식으로, 미국 특허 공보 제6563566호에 개시된 기술은 작은 수의 자유도만을 제공한다는 단점을 갖기 때문에 현실적이지 않다.
불행히도, 마스크 패턴 및 조명 형상의 최적화에 관한 종래 기술에서는, 급속한 미세화가 진행되는 패턴을 충분한 정밀도로 형성할 수 없다. 이는 마스크 패턴 및 조명 형상을 개별적으로 최적화되는 것, 즉 동시에 최적화되지 않는 것에 기인한다. 상술한 바와 같이, OPC는 조명 형상에 의존하므로, 일반적으로는 조명 형상을 결정(최적화)한 후에 행해진다. 그러나, OPC 시, 마스크 패턴이 변형되어서, OPC 전에 결정된 조명 형상이 OPC 후에 더이상 최적일 수 없다.
본 발명은 양호한 결상 성능을 달성하는 노광 조건 및 마스크 패턴을 결정할 수 있는 프로그램 기억 매체 및 방법을 제공한다.
본 발명의 제1 양태에서 투영 광학계를 통해 마스크 패턴을 기판에 투영하여 기판을 노광하는 노광 장치에 사용되는 노광 조건 및 마스크 패턴을 결정하는 방법을 컴퓨터에 실행시키는 프로그램 기억 매체이며, 상기 방법은, 노광 조건 및 마스크 패턴을 설정하는 제1 단계와, 제1 단계에서 설정한 노광 조건을 이용하여, 투영 광학계에 의해 기판에 형성된 마스크 패턴의 화상 품질의 지표를 나타내는 제1 평가 함수를 이용하여 마스크 패턴을 가결정하는 제2 단계와, 제2 단계에서 가결정한 마스크 패턴과 제1 단계에서 설정한 노광 조건을 이용하여, 투영 광학계에 의해 기판에 형성된 마스크 패턴의 화상 품질의 지표를 나타내는 제2 평가 함수의 값을 산출하는 제3 단계와, 제3 단계에서 산출한 제2 평가 함수의 값에 기초하여, 노광 조건 및 마스크 패턴을 변경하는 제4 단계와, 제4 단계에서 변경한 노광 조건 및 마스크 패턴을 초기값으로 규정할 때 제2 단계 및 제3 단계를 반복하는 공정을 실행할지 여부를 판정하는 공정을 포함하는 제5 단계와, 제5 단계에 있어서, 제2 단계 및 제3 단계의 반복 횟수가 미리결정된 횟수에 도달하지 않았고, 최종 제3 단계에서 산출한 제2 평가 함수의 값이 허용 범위에 도달하지 않았다면, 제2 단계 및 제3 단계를 반복하는 공정을 실행하는 것으로 판정하거나, 또는 제2 단계 및 제3 단계의 반복 횟수가 미리결정된 횟수에 도달하였거나 또는 최종 제3 단계에서 산출한 제2 평가 함수의 값이 허용 범위에 도달하였다면, 제2 단계 및 제3 단계를 반복하는 공정을 실행하지 않는 것으로 판정하고, 최종 제2 단계에서 가결정한 마스크 패턴과 최종 제4 단계에서 변경한 노광 조건을 각각 마스크 패턴과 노광 조건으로 결정하는 프로그램 기억 매체를 제공한다.
본 발명은 제2 양태에서 투영 광학계를 통해 마스크 패턴을 기판에 투영하여 기판을 노광하는 노광 장치에 있어서 사용되는 노광 조건 및 마스크 패턴을 결정하는 방법을 컴퓨터에 실행시키는 프로그램 기억 매체이며, 상기 방법은, 노광 조건 및 마스크 패턴을 설정하는 제1 단계와, 제1 단계에서 설정한 마스크 패턴을 이용하여, 투영 광학계에 의해 기판에 형성된 마스크 패턴의 화상 품질의 지표를 나타내는 제1 평가 함수를 이용하여 노광 조건을 가결정하는 제2 단계와, 제1 단계에서 설정한 마스크 패턴과 제2 단계에서 가결정한 노광 조건을 이용하여, 투영 광학계에 의해 기판에 형성된 마스크 패턴의 화상 품질의 지표를 나타내는 제2 평가 함수를 산출하는 제3 단계와, 제3 단계에서 산출한 제2 평가 함수의 값에 기초하여, 노광 조건 및 마스크 패턴을 변경하는 제4 단계와, 제4 단계에서 변경한 노광 조건 및 마스크 패턴을 초기값으로 규정할 때 제2 단계 및 제3 단계를 반복하는 공정을 실행할지 여부를 판정하는 공정을 포함하는 제5 단계와, 제5 단계에 있어서, 제2 단계 및 제3 단계의 반복 횟수가 미리결정된 횟수에 도달하지 않았고, 최종 제3 단계에서 산출한 제2 평가 함수의 값이 허용 범위에 도달하지 않았다면, 제2 단계 및 제3 단계를 반복하는 공정을 실행하는 것으로 판정하거나, 또는 제2 단계 및 제3 단계의 반복 횟수가 미리결정된 횟수에 도달하였거나 또는 최종 제3 단계에서 산출한 제2 평가 함수의 값이 허용 범위에 도달하였다면, 제2 단계 및 제3 단계를 반복하는 공정을 실행하지 않는 것으로 판정하고, 최종 제2 단계에서 가결정한 노광 조건과 최종 제4 단계에서 변경한 마스크 패턴을 각각 노광 조건과 마스크 패턴으로 결정하는 프로그램 기억 매체를 제공한다.
본 발명의 제3 양태에서 투영 광학계를 통해 마스크 패턴을 기판에 투영하여 기판을 노광하는 노광 장치에 사용되는 노광 조건 및 마스크 패턴을 컴퓨터를 사용하여 결정하는 방법이며, 노광 조건 및 마스크 패턴을 설정하는 제1 단계와, 제1 단계에서 설정한 노광 조건을 이용하여, 투영 광학계에 의해 기판에 형성된 마스크 패턴의 화상 품질의 지표를 나타내는 제1 평가 함수를 이용하여 마스크 패턴을 가결정하는 제2 단계와, 제2 단계에서 가결정한 마스크 패턴과 제1 단계에서 설정한 노광 조건을 이용하여, 투영 광학계에 의해 기판에 형성된 마스크 패턴의 화상 품질의 지표를 나타내는 제2 평가 함수를 산출하는 제3 단계와, 제3 단계에서 산출한 제2 평가 함수의 값에 기초하여, 노광 조건 및 마스크 패턴을 변경하는 제4 단계와, 제4 단계에서 변경한 노광 조건 및 마스크 패턴을 초기값으로 규정할 때 제2 단계 및 제3 단계를 반복하는 공정을 실행할지 여부를 판정하는 공정을 포함하는 제5 단계와, 제5 단계에 있어서, 제2 단계 및 제3 단계의 반복 횟수가 미리결정된 횟수에 도달하지 않았고, 최종 제3 단계에서 산출한 제2 평가 함수의 값이 허용 범위에 도달하지 않았다면, 제2 단계 및 제3 단계를 반복하는 공정을 실행하는 것으로 판정하거나, 또는 제2 단계 및 제3 단계의 반복 횟수가 미리결정된 횟수에 도달하였거나 또는 최종 제3 단계에서 산출한 제2 평가 함수의 값이 허용 범위에 도달하였다면, 제2 단계 및 제3 단계를 반복하는 공정을 실행하지 않는 것으로 판정하고, 최종 제2 단계에서 가결정한 마스크 패턴과 최종 제4 단계에서 변경한 노광 조건을 각각 마스크 패턴과 노광 조건으로 결정하는, 노광 조건 및 마스크 패턴 결정 방법을 제공한다.
본 발명은 제4 양태에서 투영 광학계를 통해 마스크 패턴을 기판에 투영하여 기판을 노광하는 노광 장치에 사용되는 노광 조건 및 마스크 패턴을 컴퓨터를 사용하여 결정하는 방법이며, 노광 조건 및 마스크 패턴을 설정하는 제1 단계와, 제1 단계에서 설정한 마스크 패턴을 이용하여, 노광 조건하에 마스크 패턴을 기판에 투영하여, 기판을 노광함으로써 기판에 형성된 마스크 패턴의 화상 품질의 지표를 나타내는 제1 평가 함수를 이용하여 노광 조건을 가결정하는 제2 단계와, 제1 단계에서 설정한 마스크 패턴과 제2 단계에서 가결정한 노광 조건을 이용하여, 투영 광학계에 의해 기판에 형성된 마스크 패턴의 화상 품질의 지표를 나타내는 제2 평가 함수를 산출하는 제3 단계와, 제3 단계에서 산출한 제2 평가 함수의 값에 기초하여, 노광 조건 및 마스크 패턴을 변경하는 제4 단계와, 제4 단계에서 변경한 노광 조건 및 마스크 패턴을 초기값으로 규정할 때 제2 단계 및 제3 단계를 반복하는 공정을 실행할지 여부를 판정하는 공정을 포함하는 제5 단계와, 제5 단계에 있어서, 제2 단계 및 제3 단계의 반복 횟수가 미리결정된 횟수에 도달하지 않았고, 최종 제3 단계에서 산출한 제2 평가 함수의 값이 허용 범위에 도달하지 않았다면, 제2 단계 및 제3 단계를 반복하는 공정을 실행하는 것으로 판정하거나, 또는 제2 단계 및 제3 단계의 반복 횟수가 미리결정된 횟수에 도달하였거나 또는 최종 제3 단계에서 산출한 제2 평가 함수의 값이 허용 범위에 도달하였다면, 제2 단계 및 제3 단계를 반복하는 공정을 실행하지 않는 것으로 판정하고, 최종 제2 단계에서 가결정한 노광 조건과 최종 제4 단계에서 변경한 마스크 패턴을 각각 노광 조건과 마스크 패턴으로 결정하는, 노광 조건 및 마스크 패턴 결정 방법을 제공한다.
본 발명의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참조하여 이하 예시적인 실시예의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1a 및 도 1b은, 유효 광원 및 마스크 패턴을 도시하는 도면.
도 2a 내지 도 2g는 종래의 발명에 따른 방법 및 제1 실시예에 따른 방법에 의해 취득된 최적화의 결과를 도시하는 그래프.
도 3은 제1 실시예에 따른 최적화법의 흐름도.
도 4는 유효 광원을 도시하는 도면.
도 5는 제2 실시예에 따른 최적화법의 흐름도.
도 6은 제2 실시예에 따른 평가 패턴을 도시하는 도면.
도 7a는 종래 발명에 따른 방법에 의해 결정된 유효 광원 분포를 도시하는 도면.
도 7b는 제2 실시예에 따른 방법에 의해 결정된 유효 광원 분포를 도시하는 도면.
도 8은 종래 발명에 따른 최적화법의 흐름도.
본 발명의 출원인은 미국 특허 공보 제6563566호에 기재된 종래 기술을 더 발전시키고, 노광 조건과 마스크 패턴을 설명하는 함수를 세워서, 노광 장치에 사용되는 노광 조건 및 마스크 패턴을 동시에 최적화하고 결정하는 방법을 제안하고 있다(일본 특허 출원 제2010-207153호). 도 8을 참조해서 종래 발명에 따른 방법을 설명할 것이다. 종래 발명의 방법에 있어서, 단계 S301에서 컴퓨터(또는 CPU나 MPU 등)은, 노광 조건 및 마스크 패턴의 파라미터의 초기값을 설정한다. 단계 S302에서, 컴퓨터는 각 평가 개소에 있어서의 복수의 평가 항목의 지표를 나타내는 평가 함수를 평가한다. 상기 지표는 투영 광학계를 통해서 마스크 패턴을 기판에 투영해서 기판을 노광함으로써 기판 상에 생성되는 화상 품질에 관한 지표를 의미한다. 단계 S303에서, 컴퓨터는 평가 함수의 값이 허용 범위에 도달했는지의 여부를 판정한다. 단계 S303에서 평가 함수의 값이 허용 범위에 도달하고 있지 않다고 판정된 경우, 단계 S304에서, 컴퓨터는 노광 조건 및 마스크 패턴의 파라미터를 변경하고, 단계 S302를 반복하는 처리를 실행한다. 단계 S303에서 평가 함수의 값이 허용 범위에 도달하고 있다고 판정된 경우, 컴퓨터는 최신의 루프의 단계 S304에서 변경된 노광 조건 및 마스크 패턴의 파라미터를 노광 조건 및 마스크 패턴의 파라미터로서 결정하고, 시퀀스를 종료한다.
도 1a에 종래 발명에 따른 방법에 있어서 노광 조건 및 마스크 패턴의 파라미터를 나타낸다. 조명 형상(유효 광원 분포)의 파라미터로서, 도 1a에 나타나는, 외시그마(101), 내시그마(102), 개구 각(103)을 갖는 대각선의 4중극자(quadrupole)로 규정된 파라미터가 사용되었다. 노광 조건의 파라미터로서 개구수(NA)도 변경시켰다. 노광 조건의 파라미터는 이하의 범위로 변한다: NA는 0.60 내지 0.86로 변하고, 외시그마는 0.70 내지 0.95로 변하고, 시그마비(내시그마/외시그마)는 0.50 내지 0.80으로 변하고, 개구각은 20도 내지 90도로 변한다.
마스크 패턴으로서, 도 1b에 나타나는, 라인 폭 125nm 및 피치 250nm를 갖는 21×21개의 밀집 홀을 포함하는 패턴을 사용했다. 총 12개의 평가 개소는 도 1b에 도시된 6개의 홀(201 내지 206)의 세로 라인 폭과 가로 라인 폭으로 규정된다. 마스크 패턴의 파라미터는 이하의 범위로 변한다: 마스크 패턴의 라인 폭(상면 상 환산)은 90 내지 180nm로 변하고, 화상 시프트량(상면 상 환산)은 -5 내지 +5nm로 변한다.
노광 조건 및 마스크 패턴 양자 모두를 최적화하기 위해 사용된 평가 함수에 의해 나타나는 결상 성능에 관한 지표와 허용 범위의 임계값을 표 1에 나타낸다.
Figure pat00001
여기서, "Value"는 평가 대상의 지표, "Tol"은 허용 범위의 임계값, "error"는 "Value"가 0이 되는 경우의 오차를 제거하는 목적에서 도입된 작은 값이고, 1.0e-10이다. 평가 함수는 표 1의 "식"에 나타난 변수들: 라인 폭 오차 RMS, NILS(normalized image log slope)의 최소값, 노광 여유도, 화상 시프트, NILS 초점 심도, 공통 노광 여유도 초점 심도, 노광 여유도 초점 심도의 최악값, 공통 초점 심도의 합으로 표현한 함수이다. 라인 폭 오차는 투영 광학계의 상면(기판 상)에 형성되는 패턴의 라인 폭의 오차이다. 노광 여유도는 노광량의 변경에 대한 패턴의 라인 폭의 변경량을 나타내는 지표이다. 화상 시프트는 기판 상에 형성되는 패턴의 시프트량이나 패턴의 에지의 시프트량이다.
도 2a 내지 도 2g를 참조하면, 종래 발명에서 노광 조건 및 마스크 패턴의 최적화의 결과를 사각형 표시로 나타낸다. 종래 발명에 따른 최적화 방법에서는 대부분의 지표에서 미리결정된 결상 성능을 생성할 수 없었다. 미리결정된 결상 성능은 7개의 지표: 라인 폭 오차(도 2a), NILS의 최소값(도 2b), 노광 여유도(도 2c), 화상 시프트(도 2d), NILS 초점 심도(도 2e), 공통 노광 여유도 초점 심도(도 2f), 노광 여유도 초점 심도의 최악값(도 2g)에 대해 취득될 수 없었다. 또한, 종래 발명에 따른 방법에서는, 목표로 하는 결상 성능에 남아 영향을 주지 않는 파라미터를 포함하는 노광 조건과 마스크 패턴의 파라미터가 동시에 최적화되어서, 목표로 하는 결상 성능에 도달하기 전에 해가 수렴하는 경우가 있다. 이와 반대로, 본 발명은 중요한 파라미터를 최적화하는 시퀀스를 별도로 제공하여 로컬 해의 수렴을 피해서, 도달할 수 있는 최적화 성능을 향상시킨다.
본 발명에 따른 방법에 대해서 이하 설명할 것이다. 제1 실시예에서는, 중요한 지표(제1 평가 함수)로서 각 평가 개소의 라인 폭 및 화상 시프트를 하기로 해서, 마스크 패턴의 파라미터가 제1 평가 함수에 큰 영향을 준다. 한편, 제2 실시예에서는, 중요한 지표(제1 평가 함수)로서 각 평가 개소의 NILS 폭과, 제1 평가 함수에 큰 영향을 주는 파라미터로서 유효 광원의 각 요소의 광 강도, 즉 노광 조건의 파라미터를 하기로 한다. 제1 실시예 및 제2 실시예에 있어서, 노광 조건 및 마스크 패턴을 동시에 최적화하는 알고리즘으로서, 넬더-메드(Nelder-Mead)법을 사용한다. 넬더-메드법은, 활강 심플렉스법(down-hill simplex method)이라고도 불리며, 제이. 에이 넬더와 알.메드, 컴퓨터 저널, 1965년 제7권 제308면(J.A Nelder and R.Mead, Computer Journal, Vol. 7, p.308, 1965)에 설명되어 있다. 제1 실시예 및 제2 실시예에서의 지표에는 초점 심도가 포함되어 있지만, 초점 심도는 어떤 변수 영역에서는 항상 0인 것이 있으므로, 변수를 변경할 때에 기울기를 가질 수 없다. 이러한 경우에, 일반적으로 사용되는 기울기를 산출해서 최적해를 탐색하는 최급강하법(steepest descent method)과 같은 최적화 방법은 적용할 수 없다. 그러나, 넬더-메드법에서는, 기울기 대신에, 값의 최악값이나 무게 중심값을 사용해서 최적해를 탐색하므로, 예를 들어 초점 심도도 최적화할 수 있다.
최적화의 대상이 되는 노광 조건의 파라미터로서 조명 형상(유효 광원 분포), 개구수 (NA), 광원의 레이저 스펙트럼 분포, 마스크 스테이지의 기울기나 진동, 수차, 동공 투과율과 같은 노광 장치의 변수 파라미터로 설정될 수 있다. 또한, 마스크 패턴의 파라미터는 라인 폭, 피치 및 배치와 같은 마스크의 형상 데이터를 포함할 수 있다.
[제1 실시예]
종래 발명에 따른 최적화 방법에서 결정된 조명 형상(노광 조건)과 마스크 패턴의 조합 중 미리결정된 성능에 도달하지 않은 지표는 주로 마스크 패턴의 파라미터에 의한 영향이 큰 라인 폭 오차와 화상 시프트에 관한 지표를 포함한다. 상세한 사항에 대해서는 도 2a 및 도 2d에서 사각형 표시에 의해 나타난 값이 어떻게 변하는지를 참조한다. 예를 들어, 노광 여유도 초점 심도의 최악값은 허용치의 250nm 이하의 값에 도달하고 있지만(도 2g의 사각형 표시), 공통 노광 여유도 초점 심도가 허용치의 250nm 이하의 성능 값에 도달하지 않으며(도 2f의 사각형 표시), 이는 라인 폭 오차가 허용치의 1%만큼 작은 성능 값에 도달하지 않고 있기 때문이다. 따라서, 제1 실시예에서는, 마스크 패턴 및 노광 조건의 파라미터를 복수의 결상 성능의 지표(제2 평가 함수)를 사용해서 종합 평가해서 최적화하는 시퀀스는, 예를 들어 라인 폭 오차에 큰 영향을 주는 마스크 패턴의 파라미터를 최적화하는 시퀀스를 포함한다. 제2 평가 함수를 사용해서 노광 조건 및 마스크 패턴의 파라미터를 최적화하는 시퀀스를 제2 최적화 시퀀스라고 할 것이다. 또한, 허용치에 도달할 수 있는 결상 성능(제1 평가 함수)의 지표에 대해 큰 영향을 주는 마스크 패턴의 파라미터에 의해 취해야 할 값의 범위를 좁히는 최적화 시퀀스를 이하 제1 최적화 시퀀스라고 할 것이다. 노광 조건 및 마스크 패턴의 파라미터를 최적화하는 제2 최적화 시퀀스는, 도 3의 단계 S101, 단계 S102, 단계 S110 내지 단계 S112를 포함하고, 종래 발명에서의 최적화 시퀀스와 동일하다. 본 발명에 따른 방법의 특징으로서 제1 최적화 시퀀스는, 단계 S103 내지 단계 S109의 루프에 해당하고, 허용치에 도달하는 것이 곤란한 결상 성능(제1 평가 함수)의 지표에 큰 영향을 주는 마스크 패턴의 파라미터에 의해 취해질 값의 범위를 좁히는 시퀀스이다.
단계 S101에서, 컴퓨터(또는 예를 들어 CPU나 MPU)는 노광 조건 및 마스크 패턴의 파라미터의 초기값을 설정한다(제1 단계). 단계 S102에서 컴퓨터는 노광 조건 및 마스크 패턴의 파라미터의 지표의 민감도에 대한 초기값을 설정한다. 설정되는 민감도의 초기값으로서 유저에 의해 입력된 값이 사용된다. 단계 S103에서, 컴퓨터는 각 평가 개소에 있어서의 라인 폭 오차 및 화상 시프트(제1 평가 함수)를 평가한다. 단계 S106에서, 컴퓨터는 제1 평가 함수에 의해 나타나는 각 지표의 값을 취득하고, 취득된 각 지표의 값의 변경량과 마스크 패턴의 파라미터의 변경량에 기초하여, 마스크 패턴의 파라미터의 변경량에 대한 각 지표의 변경 비율을 나타내는 민감도를 산출한다. 이때, 각 지표의 민감도에 대해 허용 범위를 설정하고, 산출된 민감도가 허용 범위 내에 있지 않으면 산출된 민감도를 허용 범위 내에 있는 민감도로 보정한다. 이는 각 지표의 민감도가 너무 낮아서, 변수의 너무 큰 변경 때문에 해가 발산하는 것 또는 민감도가 너무 높아서, 변수의 너무 작은 변경 때문에 해의 수렴이 지연되는 것을 방지할 수 있다. 단계 S104에서 반복 횟수가 1회째라고 판정된 경우, 컴퓨터는 각 지표의 민감도를 결정할 수 없으므로, 단계 S105에서 각 지표의 민감도에 대해 단계 S102에서 설정된 초기값을 대입한다.
단계 S107에서, 컴퓨터는 단계 S105 또는 단계 S106에서 산출된 마스크 패턴의 파라미터의 각 지표의 민감도와, 각 지표의 목표값과 지표의 차분으로부터 다음에 평가해야 할 마스크 패턴의 파라미터를 결정한다. 각 지표의 목표값을 P, 현재의 지표의 값을 Y, 민감도를 S, 현재의 마스크 패턴의 파라미터를 X1로 한다. 그 후, 다음의 마스크 패턴의 파라미터 X2는
X2=X1+(P-Y)/S
를 사용해서 결정된다.
즉, 제1 최적화 시퀀스의 마지막 단계인 단계 S109에서, 컴퓨터는 단계 S107에서 결정된 마스크 패턴의 파라미터를 변경하고, 단계 S103 내지 단계 S107을 반복한다. 단계 S103 내지 단계 S107은 노광 조건의 파라미터를 변경하지 않고 마스크 패턴의 파라미터를 최적화해서 마스크 패턴의 파라미터를 가결정하는 제2 단계를 구성하는 제1 최적화 시퀀스에 해당한다. 단계 S103 내지 단계 S109의 루프를 미리결정된 횟수로 미리 설정되어 반복하거나, 제1 평가 함수의 값이 허용 범위에 도달하면, 처리는 제2 최적화 시퀀스의 단계 S110으로 진행한다. 단계 S110에서, 컴퓨터는 변수로 지정된 복수의 지표의 합을 나타내는 제2 평가 함수의 값을 산출한다(제3 단계).
단계 S111에서, 컴퓨터는 새로운 노광 조건 및 마스크 패턴의 파라미터를 초기값으로 사용해서 단계 S103 내지 단계 S109의 루프(제1 최적화 시퀀스) 및 단계 S110을 반복하는 처리를 실행할지 여부를 판정한다(제5 단계). 단계 S111에서 단계 S103 내지 단계 S110의 반복 횟수가 미리 정해진 미리결정된 수에 도달하지 않고, 최신의 단계 S110에서 산출된 제2 평가 함수의 값이 허용 범위에 도달하지 않는다고 판단한 경우에, 컴퓨터는 단계 S103 내지 단계 S110을 반복하는 처리를 실행한다고 판정한다. 단계 S112에서 컴퓨터는 마스크 패턴 및 노광 조건의 파라미터에 대한 각 지표의 민감도와 제2 평가 함수의 값의 목표 범위로부터의 차분으로부터 다음에 평가해야 할 마스크 패턴 및 노광 조건의 파라미터를 결정한다. 컴퓨터는 제1 평가 함수의 산출에 사용하는 마스크 패턴 및 노광 조건의 파라미터를 변경한다(제4 단계). 컴퓨터는 단계 S112에서 노광 조건 및 마스크 패턴의 파라미터를 변경하면서 단계 S103 내지 단계 S110을 반복하는 처리를 실행한다.
단계 S111에서 단계 S110의 반복 횟수가 미리결정된 수에 도달하거나, 제2 평가 함수의 값이 허용 범위에 도달한다고 판정된 경우, 컴퓨터는 단계 S103 내지 단계 S110을 반복하는 처리를 실행하지 않는다고 판정한다. 단계 S113에서 컴퓨터는 마지막으로 가결정된 마스크 패턴 및 마지막으로 변경된 노광 조건의 파라미터를 채택해야 할 파라미터로 결정한다.
도 2a 내지 도 2g를 참조하면, 제1 실시예에 따른 방법의 결과를 원 표시로 나타낸다. 도 2a 내지 도 2g에 나타내는 라인 폭 오차, NILS의 최소값, 노광 여유도, 화상 시프트, NILS 초점 심도, 공통 노광 여유도 초점 심도, 노광 여유도 초점 심도의 최악값의 모든 결상 성능의 지표는 각각 표 1에 나타나는 목표 결상 성능을 달성한다. 이는 제1 실시예에 따른 방법에 의해 도달될 수 있는 최적화의 성능이 향상된 것을 나타낸다. 제1 평가 함수의 중요 지표로서, 라인 폭과 화상 시프트를 지정했지만, 에지 시프트를 지정할 수도 있다.
[제2 실시예]
제1 실시예에서는, 제2 최적화 시퀀스만을 사용하는 최적화 방법에서 특히 목표 범위에 도달 성능이 불충분한 지표는, 주로 마스크 패턴의 파라미터에 의해 영향이 큰 라인 폭 오차 및 화상 시프트를 포함한다. 그러나, 예를 들어 유효 광원과 같은 노광 조건에 의해 크게 영향을 받은 지표인 NILS가 목표 범위에 대하여 도달 성능이 불충분할 경우, 노광 조건의 파라미터의 범위를 좁히는 제1 최적화 시퀀스를 제2 최적화 시퀀스로 포함함으로써 문제를 해결할 수 있다. 제2 실시예에서는, 조명 형상(유효 광원 분포)을 중점적으로 좁히면서, 조명 형상 및 마스크 패턴의 파라미터를 최적화한다.
제2 실시예에서는, 도 4에 도시된 바와 같이, 동공을 동등한 피치로(equidistantly) 분할함으로써 취득된 각 요소의 중심 위치에 광 강도의 피크를 갖고, 가우스 분포(401)에 의해 표현되는 유효 광원 분포를 사용한다. 그리고, NILS에 큰 영향을 주는 유효 광원 분포를 중점적으로 쫓아 그 목표 값에 가깝게 하면서, 유효 광원 분포 및 마스크 패턴의 파라미터를 최적화하는 제2 실시예에 따른 방법을 도 5를 참조해서 설명할 것이다. 변수는 유효 광원의 각 요소의 피크광 강도를 취한다. 본 실시예에서 광강도의 범위는, 0 내지 1이다. 또한, 가우스 분포(401)의 표준 편차는, 유효 광원의 시그마 값 0.08이다.
단계 S201 내지 단계 S202는 제1 실시예의 단계 S101 및 단계 S102와 각각 동일하다. 단계 S203에서, 컴퓨터는 제1 평가 함수의 지표로서 각 평가 개소의 NILS 값을 산출한다. 단계 S204에서, 컴퓨터는 유효 광원의 각 요소에 의해 형성되는 광강도 분포의 NILS에 영향을 준 영향도를 평가한다. 평가한 요소의 광 강도를 증가시킴에 따라 NILS값이 증가하면, 단계 S206에서 컴퓨터는 그 요소의 광강도를 증가시킨다. 반대로, 평가한 요소의 광 강도를 증가시킴에 따라 NILS값이 감소하면, 단계 S207에서 컴퓨터는 그 요소의 광 강도를 감소시킨다. 컴퓨터는 단계 S203 내지 단계 S207까지의 단계를 모든 요소에 대해서 행해서, 유효 광원 분포를 좁힌다. 본 실시예에서는, 제1 평가 함수에 의해 나타나는 지표를 NILS로 사용하지만, 화상 콘트라스트나 노광 여유도가 사용될 수도 있다. 제2 실시예에서 단계 S209 내지 단계 S212는 제1 실시예에서 단계 S110 내지 단계 S113과 각각 동일하여, 그 설명을 생략한다. 그러나, 본 실시예에서는, 제2 평가 함수에 의해 나타나는 지표를 라인 폭 오차, NILS 및 초점 심도로 하기로 한다.
본 실시예에서, 평가 패턴은 도 6 에 도시된 바와 같이 90nm의 라인 앤 스페이스에서, 피치가 180, 270, 360, 450, 540, 630, 720, 810nm인 패턴으로 했다. 또한, 상면 환산 70nm 내지 150nm 크기를 갖는 마스크를 사용해서 유효 광원 분포를 최적화했다. 도 7a는 종래 발명에 따른 방법을 사용해서 최적화하여 취득된 유효 광원 분포를 나타내고, 도 7b는 본 실시예에 따른 방법을 사용해서 최적화하여 취득된 유효 광원 분포를 나타낸다. 도 7a에 나타낸 유효 광원 분포에서는, 높은 강도의 영역이 비교적 드물게 있지만, 도 7b의 유효 광원 분포에서는, 비교적 수평 방향으로 비교적 큰 σ값을 갖는 위치에 높은 강도의 영역이 밀집해 있다. 표 2는 종래 발명 및 제2 실시예에 따른 방법에 의한 최적화의 결과를 각각 나타낸다.
Figure pat00002
종래 발명 및 제2 실시예에 따른 방법 양자 모두에서, 제2 평가 함수의 파라미터로서 라인 폭 오차 RMS, NILS 및 초점 심도가 사용된다. 그러나, 종래 발명에 따른 방법에서는 NILS 값이 충분한 값에 도달하지 않았어도 최적화가 수행되어서, NILS는 2.0이다. 반면에, 제2 실시예에 따른 방법에서는, NILS 값이 2.6에 도달하며, 이는 전자보다 더 나은 결상 성능을 달성한 것을 의미한다.
본 발명의 양태는 상술된 실시예의 기능을 수행하기 위해 메모리 디바이스에 기록된 프로그램을 판독하고 실행하는 장치 또는 시스템의 컴퓨터(또는 CPU 또는 MPU와 같은 디바이스)에 의해, 그리고 상술된 실시예의 기능을 수행하기 위해 예를 들어 메모리 디바이스에 기록된 프로그램을 판독하고 실행함으로써 장치 또는 시스템의 컴퓨터에 의해 수행되는 단계를 포함하는 방법에 의해서도 실현될 수 있다. 이를 위해, 예를 들면 네트워크를 통해 또는 메모리 디바이스로서 기능하는 다양한 종류의 기록 매체(예를 들면, 컴퓨터 판독가능한 매체)로부터 프로그램이 컴퓨터에 제공된다. 이러한 경우에, 시스템 또는 장치 및 프로그램이 기억된 기록 매체는 본 발명의 범위 내에 포함된다.
본 발명은 예시적인 실시예를 참조하여 설명했지만, 본 발명이 개시된 예시적인 실시예에 한정되지 않는다는 점을 이해해야 한다. 이하 청구 범위의 범주는 이러한 변경물과, 동등한 구조와, 기능을 모두 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (10)

  1. 투영 광학계를 통해 마스크 패턴을 기판에 투영하여 상기 기판을 노광하는 노광 장치에 사용되는 노광 조건 및 상기 마스크 패턴을 결정하는 방법을 컴퓨터에 실행시키는 프로그램 기억 매체이며,
    상기 방법은,
    상기 노광 조건 및 상기 마스크 패턴을 설정하는 제1 단계와,
    상기 제1 단계에서 설정한 상기 노광 조건을 이용하여, 상기 투영 광학계에 의해 상기 기판에 형성된 상기 마스크 패턴의 화상 품질의 지표를 나타내는 제1 평가 함수를 이용하여 상기 마스크 패턴을 가결정하는 제2 단계와,
    상기 제2 단계에서 가결정한 상기 마스크 패턴과 상기 제1 단계에서 설정한 상기 노광 조건을 이용하여, 상기 투영 광학계에 의해 상기 기판에 형성된 상기 마스크 패턴의 화상 품질의 지표를 나타내는 제2 평가 함수의 값을 산출하는 제3 단계와,
    상기 제3 단계에서 산출한 상기 제2 평가 함수의 값에 기초하여, 상기 노광 조건 및 상기 마스크 패턴을 변경하는 제4 단계와,
    상기 제4 단계에서 변경한 상기 노광 조건 및 상기 마스크 패턴을 초기값으로 규정할 때 상기 제2 단계 및 상기 제3 단계를 반복하는 공정을 실행할지 여부를 판정하는 공정을 포함하는 제5 단계와,
    상기 제5 단계에 있어서, 상기 제2 단계 및 상기 제3 단계의 반복 횟수가 미리결정된 횟수에 도달하지 않았고, 최종 제3 단계에서 산출한 상기 제2 평가 함수의 값이 허용 범위에 도달하지 않았다면, 상기 제2 단계 및 상기 제3 단계를 반복하는 공정을 실행하는 것으로 판정하거나, 또는 상기 제2 단계 및 상기 제3 단계의 반복 횟수가 미리결정된 횟수에 도달하였거나 또는 최종 제3 단계에서 산출한 상기 제2 평가 함수의 값이 허용 범위에 도달하였다면, 상기 제2 단계 및 상기 제3 단계를 반복하는 공정을 실행하지 않는 것으로 판정하고, 최종 제2 단계에서 가결정한 상기 마스크 패턴과 최종 제4 단계에서 변경한 상기 노광 조건을 각각 마스크 패턴과 노광 조건으로 결정하는 프로그램 기억 매체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 단계는,
    상기 마스크 패턴을 변경시켜서 상기 제1 평가 함수에 의해 나타나는 상기 지표의 값을 취득하는 단계와,
    상기 취득된 각 지표의 값의 변경량과 상기 마스크 패턴의 변경량에 기초하여, 상기 마스크 패턴의 변경량에 대한 상기 취득된 각 지표의 값의 변경 비율을 나타내는 민감도를 산출하는 단계와,
    상기 산출된 각 지표의 민감도와 상기 취득된 각 지표의 값의 목표값으로부터의 차분으로부터 다음에 평가해야 할 마스크 패턴을 결정하는 단계를 포함하는 프로그램 기억 매체.
  3. 투영 광학계를 통해 마스크 패턴을 기판에 투영하여 상기 기판을 노광하는 노광 장치에 있어서 사용되는 노광 조건 및 상기 마스크 패턴을 결정하는 방법을 컴퓨터에 실행시키는 프로그램 기억 매체이며,
    상기 방법은,
    상기 노광 조건 및 상기 마스크 패턴을 설정하는 제1 단계와,
    상기 제1 단계에서 설정한 상기 마스크 패턴을 이용하여, 상기 투영 광학계에 의해 상기 기판에 형성된 상기 마스크 패턴의 화상 품질의 지표를 나타내는 제1 평가 함수를 이용하여 상기 노광 조건을 가결정하는 제2 단계와,
    상기 제1 단계에서 설정한 상기 마스크 패턴과 상기 제2 단계에서 가결정한 상기 노광 조건을 이용하여, 상기 투영 광학계에 의해 상기 기판에 형성된 상기 마스크 패턴의 화상 품질의 지표를 나타내는 제2 평가 함수를 산출하는 제3 단계와,
    상기 제3 단계에서 산출한 상기 제2 평가 함수의 값에 기초하여, 상기 노광 조건 및 상기 마스크 패턴을 변경하는 제4 단계와,
    상기 제4 단계에서 변경한 상기 노광 조건 및 상기 마스크 패턴을 초기값으로 규정할 때 상기 제2 단계 및 상기 제3 단계를 반복하는 공정을 실행할지 여부를 판정하는 공정을 포함하는 제5 단계와,
    상기 제5 단계에 있어서, 상기 제2 단계 및 상기 제3 단계의 반복 횟수가 미리결정된 횟수에 도달하지 않았고, 최종 제3 단계에서 산출한 상기 제2 평가 함수의 값이 허용 범위에 도달하지 않았다면, 상기 제2 단계 및 상기 제3 단계를 반복하는 공정을 실행하는 것으로 판정하거나, 또는 상기 제2 단계 및 상기 제3 단계의 반복 횟수가 미리결정된 횟수에 도달하였거나 또는 최종 제3 단계에서 산출한 상기 제2 평가 함수의 값이 허용 범위에 도달하였다면, 상기 제2 단계 및 상기 제3 단계를 반복하는 공정을 실행하지 않는 것으로 판정하고, 최종 제2 단계에서 가결정한 상기 노광 조건과 최종 제4 단계에서 변경한 상기 마스크 패턴을 각각 노광 조건과 마스크 패턴으로 결정하는 프로그램 기억 매체.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 단계는,
    상기 노광 조건을 변경시켜서 상기 제1 평가 함수에 의해 나타나는 상기 지표의 값을 취득하는 단계와,
    상기 취득된 각 지표의 값의 변경량과 상기 노광 조건의 변경량에 기초하여 상기 노광 조건의 변경량에 대한 상기 취득된 각 지표의 값의 변경 비율을 나타내는 민감도를 산출하는 단계와,
    상기 산출된 각 지표의 민감도와 상기 취득된 각 지표의 값의 목표값으로부터의 차분으로부터 다음에 평가해야 할 노광 조건을 결정하는 단계를 포함하는 프로그램 기억 매체.
  5. 제2항에 있어서, 사용자가 입력한 값을 상기 각 지표의 민감도의 초기값으로 설정하는 프로그램 기억 매체.
  6. 제2항에 있어서, 상기 민감도를 산출하는 단계에서 산출된 민감도가 미리 설정된 허용 범위 내에 없으면, 상기 산출된 민감도를 상기 허용 범위 내의 민감도로 수정하는 프로그램 기억 매체.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1 단계에 있어서의 최적화는 활강 심플렉스법을 사용하는 프로그램 기억 매체.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 평가 함수는, 상기 투영 광학계의 화상면에 있어서의 라인 폭의 오차, 패턴의 시프트량, 패턴 에지의 시프트량 및 NILS 중 적어도 하나를 변수로 갖는 함수이며,
    상기 제2 평가 함수는, 상기 투영 광학계의 화상면에 있어서의 라인 폭의 오차, 패턴의 시프트량, 패턴 에지의 시프트량, NILS, 화상의 콘트라스트, 초점 심도 및 노광 여유도 중 적어도 하나를 변수로 갖는 함수인 프로그램 기억 매체.
  9. 투영 광학계를 통해 마스크 패턴을 기판에 투영하여 상기 기판을 노광하는 노광 장치에 사용되는 노광 조건 및 상기 마스크 패턴을 컴퓨터를 사용하여 결정하는 방법이며,
    상기 노광 조건 및 상기 마스크 패턴을 설정하는 제1 단계와,
    상기 제1 단계에서 설정한 상기 노광 조건을 이용하여, 상기 투영 광학계에 의해 상기 기판에 형성된 상기 마스크 패턴의 화상 품질의 지표를 나타내는 제1 평가 함수를 이용하여 상기 마스크 패턴을 가결정하는 제2 단계와,
    상기 제2 단계에서 가결정한 상기 마스크 패턴과 상기 제1 단계에서 설정한 상기 노광 조건을 이용하여, 상기 투영 광학계에 의해 상기 기판에 형성된 상기 마스크 패턴의 화상 품질의 지표를 나타내는 제2 평가 함수를 산출하는 제3 단계와,
    상기 제3 단계에서 산출한 상기 제2 평가 함수의 값에 기초하여, 상기 노광 조건 및 상기 마스크 패턴을 변경하는 제4 단계와,
    상기 제4 단계에서 변경한 상기 노광 조건 및 상기 마스크 패턴을 초기값으로 규정할 때 상기 제2 단계 및 상기 제3 단계를 반복하는 공정을 실행할지 여부를 판정하는 공정을 포함하는 제5 단계와,
    상기 제5 단계에 있어서, 상기 제2 단계 및 상기 제3 단계의 반복 횟수가 미리결정된 횟수에 도달하지 않았고, 최종 제3 단계에서 산출한 상기 제2 평가 함수의 값이 허용 범위에 도달하지 않았다면, 상기 제2 단계 및 상기 제3 단계를 반복하는 공정을 실행하는 것으로 판정하거나, 또는 상기 제2 단계 및 상기 제3 단계의 반복 횟수가 미리결정된 횟수에 도달하였거나 또는 최종 제3 단계에서 산출한 상기 제2 평가 함수의 값이 허용 범위에 도달하였다면, 상기 제2 단계 및 상기 제3 단계를 반복하는 공정을 실행하지 않는 것으로 판정하고, 최종 제2 단계에서 가결정한 상기 마스크 패턴과 최종 제4 단계에서 변경한 상기 노광 조건을 각각 마스크 패턴과 노광 조건으로 결정하는, 노광 조건 및 마스크 패턴 결정 방법.
  10. 투영 광학계를 통해 마스크 패턴을 기판에 투영하여 상기 기판을 노광하는 노광 장치에 사용되는 노광 조건 및 상기 마스크 패턴을 컴퓨터를 사용하여 결정하는 방법이며,
    상기 노광 조건 및 상기 마스크 패턴을 설정하는 제1 단계와,
    상기 제1 단계에서 설정한 상기 마스크 패턴을 이용하여, 상기 노광 조건하에 상기 마스크 패턴을 상기 기판에 투영하여, 상기 기판을 노광함으로써 상기 기판에 형성된 상기 마스크 패턴의 화상 품질의 지표를 나타내는 제1 평가 함수를 이용하여 상기 노광 조건을 가결정하는 제2 단계와,
    상기 제1 단계에서 설정한 상기 마스크 패턴과 상기 제2 단계에서 가결정한 상기 노광 조건을 이용하여, 상기 투영 광학계에 의해 상기 기판에 형성된 상기 마스크 패턴의 화상 품질의 지표를 나타내는 제2 평가 함수를 산출하는 제3 단계와,
    상기 제3 단계에서 산출한 상기 제2 평가 함수의 값에 기초하여, 상기 노광 조건 및 상기 마스크 패턴을 변경하는 제4 단계와,
    상기 제4 단계에서 변경한 상기 노광 조건 및 상기 마스크 패턴을 초기값으로 규정할 때 상기 제2 단계 및 상기 제3 단계를 반복하는 공정을 실행할지 여부를 판정하는 공정을 포함하는 제5 단계와,
    상기 제5 단계에 있어서, 상기 제2 단계 및 상기 제3 단계의 반복 횟수가 미리결정된 횟수에 도달하지 않았고, 최종 제3 단계에서 산출한 상기 제2 평가 함수의 값이 허용 범위에 도달하지 않았다면, 상기 제2 단계 및 상기 제3 단계를 반복하는 공정을 실행하는 것으로 판정하거나, 또는 상기 제2 단계 및 상기 제3 단계의 반복 횟수가 미리결정된 횟수에 도달하였거나 또는 최종 제3 단계에서 산출한 상기 제2 평가 함수의 값이 허용 범위에 도달하였다면, 상기 제2 단계 및 상기 제3 단계를 반복하는 공정을 실행하지 않는 것으로 판정하고, 최종 제2 단계에서 가결정한 상기 노광 조건과 최종 제4 단계에서 변경한 상기 마스크 패턴을 각각 노광 조건과 마스크 패턴으로 결정하는, 노광 조건 및 마스크 패턴 결정 방법.
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