TWI608413B - 發光裝置及顯示裝置 - Google Patents

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大澤信晴
牛窪孝洋
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Description

發光裝置及顯示裝置
本發明的一個方式係關於電致發光顯示裝置及該顯示裝置的製造方法。
近年來，作為實現了薄型、輕量的顯示裝置(所謂的平面顯示器)，電致發光(EL；Electroluminescence，下面也寫為EL)顯示裝置受到關注。
在EL顯示裝置中藉由將使用發射各種顏色的光的發光材料的發光元件分別作為用於各個像素的發光元件，能夠進行全彩色顯示。
該EL顯示裝置採用如下製造方法：藉由使用金屬掩模的蒸鍍法以形成精細的圖案的方式對每個像素分別塗敷不同的發光材料。
但是，有可能因為金屬掩模接觸而導致發光元件的形狀不良及發光不良等，所以對其對策進行了研究(例如，參照專利文獻1)。在專利文獻1中公開了為了不使金屬掩模和像素電極在進行蒸鍍時接觸而在像素電極上設置用來支撐金屬掩模的間隔物的結構。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2006-126817號公報
由於對每個像素分別塗敷發光材料的方法的製程複雜，所以難以提高良率或生產性。
本發明的一個方式的目的之一在於提供一種高生產性地製造顯示裝置的技術方案。
此外，本發明的一個方式的目的之一在於提供一種高色純度且高清晰的顯示裝置。
本發明的一個方式藉由根據彩色濾光層的中心波長調整具有反射性的電極與發光層之間的光程，而在無需分別對發光層進行塗敷的情況下提供高色純度且高清晰的顯示裝置。發光元件層疊有不同發光顏色的多個發光層，並且離具有反射性的電極越近的發光層，發光層發射的光的顏色的波長越短。更明確而言，例如採用下面的結構。
本發明的一個方式為一種顯示裝置，具有包括第一彩色濾光層的第一像素以及包括第二彩色濾光層的第二像素，其中，第一像素具有包括第一具有反射性的電極的第一發光元件，第二像素具有包括第二具有反射性的電極的第二發光元件，第一發光元件包括依次層疊在第一具有反射性的電極上的第一發光層、電荷產生層、第二發光層以及具有透光性的電極，第二發光元件包括依次層疊在第二具有反射性的電極上的第一發光層、電荷產生層、第二發光層以及具有透光性的電極，在第一像素中，第一具有反射性的電極與第一發光層之間的光程為透射第一彩色濾光層 的光的波長範圍的中心波長的1/4，在第二像素中，第二具有反射性的電極與第二發光層之間的光程為透射第二彩色濾光層的光的波長範圍的中心波長的m/4倍(m為3以上的奇數)，3/4較佳，並且透射第一彩色濾光層的光的波長範圍的中心波長比透射第二彩色濾光層的光的波長範圍的中心波長短。
在上述結構中，由第一發光層發射的光的顏色的波長比由第二發光層發射的光的顏色的波長短。此外，第二發光元件也可以採用在第二具有反射性的電極與第一發光層之間包括具有透光性的導電層的結構。
本發明的一個方式為一種顯示裝置，該顯示裝置具有包括第一彩色濾光層的第一像素、包括第二彩色濾光層的第二像素以及包括第三彩色濾光層的第三像素，其中，第一像素具有包括第一具有反射性的電極的第一發光元件，第二像素具有包括第二具有反射性的電極的第二發光元件，第三像素具有包括第三具有反射性的電極的第三發光元件，第一發光元件包括依次層疊在第一具有反射性的電極上的第一發光層、電荷產生層、第二發光層、第三發光層以及具有透光性的電極，第二發光元件包括依次層疊在第二具有反射性的電極上的第一發光層、電荷產生層、第二發光層、第三發光層以及具有透光性的電極，第三發光元件包括依次層疊在第三具有反射性的電極上的第一發光層、電荷產生層、第二發光層、第三發光層以及具有透光性的電極，在第一像素中，第一具有反射性的電極與第一發 光層之間的光程為透射第一彩色濾光層的光的波長範圍的中心波長的1/4，在第二像素中，第二具有反射性的電極與第二發光層之間的光程為透射第二彩色濾光層的光的波長範圍的中心波長的m/4倍(m為3以上的奇數)，3/4較佳，在第三像素中，第三具有反射性的電極與第三發光層之間的光程為透射第三彩色濾光層的光的波長範圍的中心波長的n/4倍(n為3以上的奇數)，5/4較佳，透射第一彩色濾光層的光的波長範圍的中心波長比透射第二彩色濾光層的光的波長範圍的中心波長短，並且，透射第二彩色濾光層的光的波長範圍的中心波長比透射第三彩色濾光層的光的波長範圍的中心波長短。
在上述結構中，由第一發光層發射的光的顏色的波長比由第二發光層發射的光的顏色的波長短，並且由第二發光層發射的光的顏色的波長比由第三發光層發射的光的顏色的波長短。此外，也可以採用如下結構：第二發光元件在第二具有反射性的電極與第一發光層之間包括具有透光性的導電層，第三發光元件在第三具有反射性的電極與第一發光層之間包括具有透光性的導電層，並且包括在第二發光元件中的具有透光性的導電層的厚度與包括在第三發光元件中的具有透光性的導電層的厚度不同。
本發明的一個方式能夠高生產性地製造顯示裝置。
此外，本發明的一個方式能夠提供高清晰的顯示裝置。
此外，本發明的一個方式能夠提供低功耗的顯示裝置 。
實施方式1
下面，將參照圖式詳細說明實施方式。但是，本發明不侷限於以下說明，所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容可以被變換為各種形式而不脫離宗旨及其範圍。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在以下所示的實施方式所記載的內容中。注意，在以下說明的結構中，在不同的圖式之間共同使用同一符號來表示同一部分或具有相同功能的部分，而省略其重複說明。
在本實施方式中，使用圖1A、1B1及1B2、圖2A、2B1至2B3及圖3說明EL顯示裝置的一個方式。
圖1A示出本實施方式的顯示裝置中的顯示部的剖面圖。此外，圖1B1及1B2示出圖1A所示的剖面圖的部分放大圖。
圖1A所示的顯示裝置包括第一像素130a及第二像素130b。第一像素130a包括設置在基板100上的第一發光元件132a以及設置在對置基板128的與第一發光元件132a重疊的區域上的第一彩色濾光層134a。此外，第二像素130b包括設置在基板100上的第二發光元件132b以及設置在對置基板128的與第二發光元件132b重疊的區 域上的第二彩色濾光層134b。
在圖1A所示的顯示裝置中，第一彩色濾光層134a及第二彩色濾光層134b分別使不同波長的光透射。藉由使透射第一彩色濾光層134a的光的波長範圍的中心波長和透射第二彩色濾光層134b的光的波長範圍的中心波長不同，能夠得到能夠進行多彩色顯示的顯示裝置。在本實施方式中，以透射第一彩色濾光層134a的光的波長範圍的中心波長(下面也寫為λ1)比透射第二彩色濾光層134b的光的波長範圍的中心波長(下面也寫為λ2)短的情況為例子進行說明。
另外，在本說明書中，“中心波長”是指可見光區域(380nm至680nm)中的透射彩色濾光層的光的波長範圍(透射率為50%以上的波長範圍較佳)的中心波長。例如，在藍色彩色濾光層中，當透射的光的波長範圍為380nm至520nm時，中心波長為450nm。在綠色彩色濾光層中，當透射的光的波長範圍為510nm至590nm時，中心波長為550nm。此外，在紅色彩色濾光層中，當透射的光的波長範圍為600nm至680nm時，中心波長為640nm。
另外，藍色的彩色濾光層及綠色的彩色濾光層有時在700nm附近的長波長範圍具有吸收光譜。然而，由於上述的長波長範圍的吸收光譜不影響到發光率，所以在本說明書等中，為了排除該區域中的吸收光譜，將可見光區域設定為680nm以下。
第一發光元件132a包括第一具有反射性的電極102a ，第二發光元件132b包括第二具有反射性的電極102b，並且第一具有反射性的電極102a與第二具有反射性的電極102b彼此分離地設置在基板100上。此外，第一發光元件132a和第二發光元件132b由絕緣層126電絕緣。
第一發光元件132a包括依次層疊在第一具有反射性的電極102a上的第一具有透光性的導電層104a、第一EL層106、電荷產生層108、第二EL層110以及具有透光性的電極112。此外，第二發光元件132b包括依次層疊在第二具有反射性的電極102b上的第二具有透光性的導電層104b、第一EL層106、電荷產生層108、第二EL層110以及具有透光性的電極112。在本實施方式中，由第一發光元件132a及第二發光元件132b發射的光從具有透光性的電極112一側射出。
另外，第一EL層106、電荷產生層108、第二EL層110以及具有透光性的電極112通用於第一發光元件132a與第二發光元件132b中並以連續膜的形式形成。
圖1B1示出發光元件132a的放大圖。此外，圖1B2示出發光元件132b的放大圖。
在圖1B1及1B2中，第一發光元件132a及第二發光元件132b具有至少包括第一發光層120的第一EL層106以及至少包括第二發光層122的第二EL層110。另外，第一EL層106及第二EL層110也可以採用除了發光層以外還分別包括電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層等功能層的疊層結構。
由於第一發光元件132a包括第一具有透光性的導電層104a，第二發光元件132b包括其厚度與第一具有透光性的導電層104a不同的第二具有透光性的導電層104b，所以它們的總厚度不同。
第一具有透光性的導電層104a具有如下作用：藉由調整其厚度，調整由第一發光層120發射的光中的被第一具有反射性的電極102a反射回來的光(也寫為第一反射光)的光程長度。由於第一反射光與從第一發光層120直接入射到第一彩色濾光層134a中的光(也寫為第一入射光)發生干擾，所以藉由調整第一具有透光性的導電層104a的厚度使第一入射光的相位和第一反射光的相位一致，能夠放大由第一發光層120發射的光。因此，與不調整光程長度的發光元件相比，本實施方式的發光元件能夠利用同樣的電流獲得更高的亮度。此外，藉由使第一入射光的相位及第一反射光的相位與透射第一彩色濾光層134a的光的波長範圍的中心波長一致，能夠提高從第一像素130a提取的光的色純度。
此外，第二具有透光性的導電層104b具有如下作用：藉由調整其厚度，調整由第二發光層122發射的光中的被第二具有反射性的電極102b反射回來的光(也寫為第二反射光)的光程長度。由於第二反射光與從第二發光層122直接入射到第二彩色濾光層134b中的光(也寫為第二入射光)發生干擾，所以藉由調整第二具有透光性的導電層104b的厚度使第二入射光的相位和第二反射光的相 位一致，能夠放大由第二發光層122發射的光。因此，與不調整光程長度的發光元件相比，本實施方式的發光元件能夠利用同樣的電流獲得更高的亮度。此外，藉由使第二入射光的相位及第二反射光的相位與透射第二彩色濾光層134b的光的波長範圍的中心波長一致，能夠提高從第二像素130b提取的光的色純度。
更明確而言，在第一像素130a所包括的第一發光元件132a中，將第一具有反射性的電極102a與第一發光層120之間的光程設定為透射第一彩色濾光層134a的光的波長範圍的中心波長(λ1)的1/4較佳。此外，在第二像素130b所包括的第二發光元件132b中，將第二具有反射性的電極102b與第二發光層122之間的光程設定為透射第二彩色濾光層134b的光的波長範圍的中心波長(λ2)的3/4較佳。
嚴格而言，也可以將第一具有反射性的電極102a與第一發光層120之間的光程稱為第一具有反射性的電極102a與第一發光層120中的發光區之間的光程。但是，難以嚴格地決定發光層中的發光區的位置，而藉由假定發光層中的任意位置為發光區，能夠充分地獲得上述效果。也就是說，可以將第一具有反射性的電極102a與第一發光層120之間的光程稱為第一具有反射性的電極102a的表面與第一發光層120的下表面之間的距離以上且第一具有反射性的電極102a的表面與第一發光層120的上表面之間的距離以下。第二具有反射性的電極102b與第二發 光層122之間的光程以及後述的第三具有反射性的電極102c與第三發光層124之間的光程也是同樣的。
此外，來自第一發光層120的發射光譜在表示與透射第一彩色濾光層134a的光的波長範圍的中心波長相同顏色的波長範圍中具有最大峰值較佳。例如，當第一彩色濾光層134a的中心波長位於藍色區域(例如，中心波長為450nm)時，來自第一發光層120的發射光譜在430nm以上且470nm以下的區域中具有最大峰值較佳。
同樣地，來自第二發光層122的發射光譜在表示與透射第二彩色濾光層134b的光的波長範圍的中心波長相同顏色的波長範圍中具有最大峰值較佳。例如，當第二彩色濾光層134b的中心波長位於綠色區域(例如，中心波長為550nm)時，來自第二發光層122的發射光譜在520nm以上且550nm以下的區域中具有最大峰值較佳。
另外，在本實施方式中，由於透射第一彩色濾光層134a的光的波長範圍的中心波長比透射第二彩色濾光層134b的光的波長範圍的中心波長短，所以由第一發光層120發射的光的顏色的波長比由第二發光層122發射的光的顏色的波長短較佳。
此外，在第一發光元件132a中，藉由將第一具有反射性的電極102a與第一發光層120之間的光程設定為透射第一彩色濾光層134a的光的波長範圍的中心波長(λ1)的1/4，將第二發光層122與具有透光性的電極112之間的光程設定為透射第二彩色濾光層134b的光的波長範 圍的中心波長(λ2)的1/4，並將第一具有反射性的電極102a與具有透光性的電極112之間的光程設定為透射第一彩色濾光層134a的光的波長範圍的中心波長(λ1)，能夠獲得空腔效應。
藉由按上述條件對第一發光元件132a進行調整，即便在將第二具有反射性的電極102b與第二發光層122之間的光程設定為第二彩色濾光層134b的中心波長(λ2)的3/4的第二發光元件132b中，也可以使第二發光層122與具有透光性的電極112之間的光程成為第二彩色濾光層134b的中心波長(λ2)的1/4，第二具有反射性的電極102b與具有透光性的電極112之間的光程成為第二彩色濾光層134b的中心波長(λ2)，所以能夠獲得空腔效應。因為空腔效應，色純度進一步提高。
下面，使用更具體的材料說明圖1A所示的顯示裝置的結構。注意，這裏說明的元件結構及製造方法等不過是個例子，而在不脫離本實施方式的宗旨的範圍內，可以採用其他公知的結構、材料及製造方法。
作為基板100，可以使用塑膠(有機樹脂)、玻璃或石英等。作為塑膠，例如可以舉出由聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚碸等構成的構件。另外，當作為基板100使用塑膠時，能夠實現顯示裝置的輕量化，所以是較佳的。此外，作為基板100，也可以使用對水蒸氣具有高阻擋性並具有高放熱性的薄片(例如，包含類金剛石碳(DLC)的薄片)。
此外，雖然未圖示，但是也可以採用在基板100上設置無機絕緣體的結構。無機絕緣體用作保護發光元件免受來自外部的水等污染物質的影響的保護層、密封膜。藉由設置無機絕緣體，能夠減輕發光元件的劣化，而提高顯示裝置的耐用性及使用壽命。
作為無機絕緣體，可以使用氮化膜及氮氧化膜的單層或疊層。明確而言，無機絕緣體可以使用氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧氮化鋁等並根據材料利用CVD法、濺射法等形成。較佳的是，使用氮化矽藉由CVD法形成無機絕緣體。可以將無機絕緣體的厚度設定為100nm以上且1μm以下左右。此外，作為無機絕緣體，也可以使用氧化鋁膜、DLC膜、含氮碳膜、包含硫化鋅及氧化矽的膜(ZnS．SiO2膜)。
或者，作為無機絕緣體，可以使用厚度薄的玻璃基板。例如，可以使用厚度為30μm以上且100μm以下的玻璃基板。
此外，也可以在基板100的下面上(與設置有發光元件的面相反的面)設置金屬板。此外，在設置無機絕緣體的情況下，也可以使用金屬板代替基板100。對金屬板的厚度沒有特別的限制，但是例如當使用10μm以上且200μm以下的金屬板時，能夠實現顯示裝置的輕量化，所以是較佳的。此外，雖然對構成金屬板的材料沒有特別的限制，但是可以使用鋁、銅、鎳等金屬，或者鋁合金或不鏽鋼等金屬的合金等較佳。
金屬板和基板100可以利用黏合層以彼此黏合的方式設置。作為黏合層，可以使用可見光固化黏合劑、紫外線固化黏合劑或熱固化黏合劑。作為這些黏合劑的質料，例如可以舉出環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂等。也可以使黏合層包含用作乾燥劑的吸水物質。
由於金屬板的透水性低，所以藉由設置金屬板，能夠抑制水分侵入發光元件。因此，藉由設置金屬板，能夠得到起因於水分的劣化被抑制的可靠性高的顯示裝置。
第一具有反射性的電極102a及第二具有反射性的電極102b設置在與光提取方向相反的一側，並使用具有反射性的材料形成。作為具有反射性的材料，可以使用鋁、金、鉑、銀、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅或鈀等金屬材料。此外，也可以使用諸如鋁和鈦的合金、鋁和鎳的合金、鋁和釹的合金等包含鋁的合金(鋁合金)或者諸如銀和銅的合金等包含銀的合金。銀和銅的合金具有高耐熱性，所以是較佳的。再者，藉由層疊與鋁合金膜接觸的金屬膜或金屬氧化膜，能夠抑制鋁合金膜的氧化。作為該金屬膜及金屬氧化膜的材料，可以舉出鈦及氧化鈦等。上述材料在地殼中含量多且低廉，由於可以降低發光元件的製造成本，所以是較佳的。
在本實施方式中，以將第一具有反射性的電極102a及第二具有反射性的電極102b用作發光元件的陽極的情況為例子進行說明。但是，本發明的實施方式不侷限於此。
第一具有透光性的導電層104a及第二具有透光性的導電層104b使用對可見光具有透光性的材料以單層或疊層形成。例如，作為具有透光性的材料，可以使用氧化銦、氧化銦錫、氧化銦鋅合金、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅、石墨烯等。
此外，可以使用包含導電高分子(也稱為導電聚合物)的導電組成物形成具有透光性的導電層。作為導電高分子，可以使用所謂π電子共軛類導電高分子。例如，可以舉出聚苯胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚噻吩(PEDOT)或其衍生物、或者由苯胺、吡咯及噻吩中的兩種以上構成的共聚物或其衍生物等。
另外，第一具有反射性的電極102a及第二具有反射性的電極102b，以及第一具有透光性的導電層104a及第二具有透光性的導電層104b可以藉由光刻製程及蝕刻製程加工成規定的形狀。因此，能夠高可控性地形成精細的圖案，從而能夠得到高清晰的顯示裝置。
此外，藉由在每個像素中獨立地設置第一具有透光性的導電層104a及第二具有透光性的導電層104b，即使在具有透光性的導電層的厚度極厚的情況或在具有透光性的導電層的導電率較高的情況下，也能夠防止串擾。
在第一具有透光性的導電層104a及第二具有透光性的導電層104b上形成有具有開口的絕緣層126，並且第一EL層106在開口中分別與第一具有透光性的導電層104a及第二具有透光性的導電層104b接觸。絕緣層126 使用聚醯亞胺、丙烯酸、聚醯胺、環氧等的有機絕緣材料或者無機絕緣材料形成。尤其較佳的是，使用感光性樹脂材料，並以在第一具有透光性的導電層104a及第二具有透光性的導電層104b上分別形成側壁為具有連續曲率的傾斜面的開口部的方式形成絕緣層126。絕緣層126可以為錐形或反錐形。
第一EL層106至少包括第一發光層120，即可。第一EL層106也可以具有如下疊層結構：除了第一發光層120以外，還適當地組合包含具有高電洞傳輸性的物質的層、包含具有高電子傳輸性的物質的層、包含具有高電洞注入性的物質的層、包含具有高電子注入性的物質的層、包含雙極性的物質(具有高電洞傳輸性及高電子傳輸性的物質)的層等。例如，作為第一EL層106，可以採用電洞注入層、電洞傳輸層、第一發光層120、電子傳輸層以及電子注入層的疊層結構。注意，當然，在將第一具有反射性的電極102a及第二具有反射性的電極102b用作陰極的情況下，可以採用從陰極一側依次層疊電子注入層、電子傳輸層、第一發光層120、電洞傳輸層以及電洞注入層的結構。
電洞注入層是包含具有高電洞注入性的物質的層。作為具有高電洞注入性的物質，例如可以使用氧化鉬、氧化鈦、氧化釩、氧化錸、氧化釕、氧化鉻、氧化鋯、氧化鉿、氧化鉭、氧化銀、氧化鎢、氧化錳等金屬氧化物。此外，也可以使用酞菁基化合物，諸如酞菁(簡稱：H2Pc)或 酞菁銅(Ⅱ)(簡稱：CuPc)等。
也可以使用如下作為低分子有機化合物的芳香胺化合物等，諸如4,4',4"-三(N,N-二苯基氨基)三苯基胺(簡稱：TDATA)、4,4',4"-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯基胺(簡稱：MTDATA)、4,4'-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱：DPAB)、4,4'-雙(N-{4-[N'-(3-甲基苯基)-N'-苯基氨基]苯基}-N-苯基氨基)聯苯(簡稱：DNTPD)、1,3,5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(簡稱：DPA3B)、3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA1)、3,6-雙[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA2)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCN1)等。
也可以使用高分子化合物(低聚物、樹枝狀聚合物或聚合物等)。例如可以舉出如下高分子化合物：聚(N-乙烯基咔唑)(簡稱：PVK)、聚(4-乙烯基三苯基胺)(簡稱：PVTPA)、聚[N-(4-{N'-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-N'-苯基氨基}苯基)甲基丙烯醯胺](簡稱：PTPDMA)、聚[N,N'-雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯苯胺](簡稱：Poly-TPD)等。也可以使用添加有酸的高分子化合物，諸如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)或聚苯胺/聚(苯乙烯磺酸)(PAni/PSS)等。
尤其是，作為電洞注入層，使用在具有高電洞傳輸性的有機化合物中包含受體物質的複合材料較佳。藉由使用 在具有高電洞傳輸性的物質中包含有受體物質的複合材料，可以提高從陽極注入電洞時的電洞傳輸性，而能夠降低發光元件的驅動電壓。這些複合材料可以藉由共蒸鍍具有高電洞傳輸性的物質和受體物質來形成。藉由使用該複合材料形成電洞注入層，從陽極向第一EL層106的電洞注入變得容易。
作為用於複合材料的有機化合物，可以使用各種化合物，諸如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳香烴以及高分子化合物(低聚物、樹枝狀聚合物、聚合物等)等。另外，作為用於複合材料的有機化合物，使用具有高電洞傳輸性的有機化合物較佳。明確而言，使用電洞遷移率為10-6cm2/Vs以上的物質較佳。注意，只要是電洞傳輸性高於電子傳輸性的物質，就也可以使用上述物質之外的物質。下面，具體列舉可以用於複合材料的有機化合物。
作為可以用於複合材料的有機化合物，例如可以使用如下材料：芳香胺化合物，諸如TDATA、MTDATA、DPAB、DNTPD、DPA3B、PCzPCA1、PCzPCA2、PCzPCN1、4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱：NPB或α-NPD)、N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-聯苯]-4,4'-二胺(簡稱：TPD)、4-苯基-4'-(9-苯基茀-9-基)三苯基胺(簡稱：BPAFLP)等；或咔唑衍生物，諸如4,4'-二(N-咔唑基)聯苯(簡稱：CBP)、1,3,5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(簡稱：TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：CzPA)、9-苯基-3-[4-(10-苯 基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：PCzPA)、1,4-雙[4-(N-咔唑基)苯基]-2,3,5,6-四苯基苯等。
也可以使用如下芳香烴化合物：2-叔丁基-9,10-二(2-萘基)蒽(簡稱：t-BuDNA)、2-叔丁基-9,10-二(1-萘基)蒽、9,10-雙(3,5-二苯基苯基)蒽(簡稱：DPPA)、2-叔丁基-9,10-雙(4-苯基苯基)蒽(簡稱：t-BuDBA)、9,10-二(2-萘基)蒽(簡稱：DNA)、9,10-二苯基蒽(簡稱：DPAnth)、2-叔丁基蒽(簡稱：t-BuAnth)、9,10-雙(4-甲基-1-萘基)蒽(簡稱：DMNA)、9,10-雙[2-(1-萘基)苯基)-2-叔丁基蒽、9,10-雙[2-(1-萘基)苯基]蒽、2,3,6,7-四甲基-9,10-二(1-萘基)蒽等。
也可以使用如下芳香烴化合物：2,3,6,7-四甲基-9,10-二(2-萘基)蒽、9,9'-聯蒽、10,10'-二苯基-9,9'-聯蒽、10,10'-雙(2-苯基苯基)-9,9'-聯蒽、10,10'-雙[(2,3,4,5,6-五苯基)苯基]-9,9'-聯蒽、蒽、稠四苯、紅熒烯、苝、2,5,8,11-四(叔丁基)苝、稠五苯、蔻、4,4'-雙(2,2-二苯基乙烯基)聯苯(簡稱：DPVBi)、9,10-雙[4-(2,2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(簡稱：DPVPA)等。
此外，作為電子受體，可以舉出7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟醌二甲烷(簡稱：F4-TCNQ)、氯醌等有機化合物或者過渡金屬氧化物。此外，還可以舉出屬於元素週期表中第4族至第8族的金屬的氧化物。明確而言，使用氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳和氧化錸，因為它們的電子接受性高較佳。尤其使 用氧化鉬較佳，因為氧化鉬在大氣中也穩定，吸濕性低，容易處理。
另外，也可以使用諸如PVK、PVTPA、PTPDMA或Poly-TPD等上述高分子化合物與上述電子受體形成複合材料，並將其用於電洞注入層。
另外，在將包含上述複合材料的層設置於第一EL層106中的情況下，也可以藉由調整該包含複合材料的層的厚度來調整第一反射光的光程長度。在此情況下，沒必要必須設置第一具有透光性的導電層104a。
電洞傳輸層是包括具有高電洞傳輸性的物質的層。作為具有高電洞傳輸性的物質，例如可以使用芳香胺化合物，諸如NPB、TPD、BPAFLP、4,4'-雙[N-(9,9-二甲基茀-2-基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱：DFLDPBi)、4,4'-雙[N-(螺環-9,9'-二茀-2-基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱：BSPB)等。這裏所述的物質主要是電洞遷移率為10-6cm2/Vs以上的物質。注意，只要是電洞傳輸性高於電子傳輸性的物質，就也可以使用上述物質之外的物質。另外，包含具有高電洞傳輸性的物質的層不限於單層，也可以層疊兩層以上的由上述物質構成的層。
此外，作為電洞傳輸層，也可以使用CBP、CzPA、PCzPA等咔唑衍生物或t-BuDNA、DNA、DPAnth等蒽衍生物。
此外，作為電洞傳輸層，也可以使用PVK、PVTPA、PTPDMA、Poly-TPD等高分子化合物。
第一發光層120是包含具有發光性的有機化合物的層。作為具有發光性的有機化合物，例如可以使用發射螢光的螢光化合物或發射磷光的磷光化合物。
在可以用於第一發光層120的螢光化合物中，例如作為藍色發光材料可以舉出N,N'-雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N,N'-二苯基二苯乙烯-4,4'-二胺(簡稱：YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4'-(10-苯基-9-蒽基)三苯基胺(簡稱：YGAPA)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯基胺(簡稱：PCBAPA)等。此外，作為綠色發光材料可以舉出N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱：2PCAPA)、N-[9,10-雙(1,1'-聯苯-2-基)-2-蒽基]-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱：2PCABPhA)、N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N,N',N'-三苯基-1,4-苯二胺(簡稱：2DPAPA)、N-[9,10-雙(1,1'-聯苯-2-基)-2-蒽基]-N,N',N'-三苯基-1,4-苯二胺(簡稱：2DPABPhA)、N-[9,10-雙(1,1'-聯苯-2-基)]-N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯基蒽-2-胺(簡稱：2YGABPhA)、N,N,9-三苯基蒽-9-胺(簡稱：DPhAPhA)等。此外，作為黃色發光材料可以舉出紅熒烯、5,12-雙(1,1'-聯苯-4-基)-6,11-二苯基稠四苯(簡稱：BPT)等。此外，作為紅色發光材料可以舉出N,N,N',N'-四(4-甲基苯基)稠四苯-5,11-二胺(簡稱：p-mPhTD)、7,14-二苯基-N,N,N',N'-四(4-甲基苯基)苊並[1,2-a]熒蒽-3,10-二胺(簡稱：p-mPhAFD)等。
此外，在可以用於第一發光層120的磷光化合物中， 例如作為藍色發光材料可以舉出雙[2-(4',6'-二氟苯基)吡啶醇-N,C2']銥(Ⅲ)四(1-吡唑基)硼酸鹽(簡稱：FIr6)、雙[2-(4',6'-二氟苯基)吡啶醇-N,C2']銥(Ⅲ)吡啶甲酸酯(簡稱：FIrpic)、雙{2-[3',5'-雙(三氟甲基)苯基]吡啶-N,C2'}銥(Ⅲ)吡啶甲酸酯(簡稱：Ir(CF3ppy)2(pic))、雙[2-(4',6'-二氟苯基)吡啶醇-N,C2']銥(Ⅲ)乙醯丙酮(簡稱：FIr(acac))等。此外，作為綠色發光材料可以舉出三(2-苯基吡啶-N,C2')銥(Ⅲ)(簡稱：Ir(ppy)3)、雙(2-苯基吡啶-N,C2')銥(Ⅲ)乙醯丙酮(簡稱：Ir(ppy)2(acac))、雙(1,2-二苯基-1H-苯並咪唑)銥(Ⅲ)乙醯丙酮(簡稱：Ir(pbi)2(acac))、雙(苯並[h]喹啉)銥(Ⅲ)乙醯丙酮(簡稱：Ir(bzq)2(acac))、三(苯並[h]喹啉)銥(Ⅲ)(簡稱：Ir(bzq)3)等。此外，作為黃色發光材料可以舉出雙(2,4-二苯基-1,3-噁唑-N,C2')銥(Ⅲ)乙醯丙酮(簡稱：Ir(dpo)2(acac))、雙[2-(4'-五氟苯基苯基)吡啶]銥(Ⅲ)乙醯丙酮(簡稱：Ir(p-PF-ph)2(acac))、雙(2-苯基苯並噻唑-N,C2')銥(Ⅲ)乙醯丙酮(簡稱：Ir(bt)2(acac))、(乙醯丙酮)雙[2,3-雙(4-氟苯基)-5-甲基吡嗪]銥(Ⅲ)(簡稱：Ir(Fdppr-Me)2(acac))、(乙醯丙酮)雙{2-(4-甲氧基苯基)-3,5-二甲苯吡嗪}銥(Ⅲ)(簡稱：Ir(dmmoppr)2(acac))等。此外，作為橙色發光材料可以舉出三(2-苯基喹啉-N,C2')銥(Ⅲ)(簡稱：Ir(pq)3)、雙(2-苯基喹啉-N,C2')銥(Ⅲ)乙醯丙酮(簡稱：Ir(pq)2(acac))、(乙醯丙酮)雙(3,5-二甲基-2-苯基吡嗪)銥(Ⅲ)(簡稱：Ir(mppr- Me)2(acac))、(乙醯丙酮)雙(5-異丙基-3-甲基-2-苯基吡嗪)銥(Ⅲ)(簡稱：Ir(mppr-iPr)2(acac))等。此外，作為紅色發光材料可以舉出有機金屬錯合物，諸如雙[2-(2'-苯並[4,5-α]噻吩基)吡啶-N,C3')銥(Ⅲ)乙醯丙酮(簡稱：Ir(btp)2(acac))、雙(1-苯基異喹啉-N,C2')銥(Ⅲ)乙醯丙酮(簡稱：Ir(piq)2(acac))、(乙醯丙酮)雙[2,3-雙(4-氟苯基)喹喔啉]銥(Ⅲ)(簡稱：Ir(Fdpq)2(acac))、(乙醯丙酮)雙[2,3,5-三苯基吡嗪]銥(Ⅲ)(簡稱：Ir(tppr)2(acac))、(二新戊醯甲烷)雙(2,3,5-三苯基吡嗪)銥(Ⅲ)(簡稱：Ir(tppr)2(dpm))、2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H-卟啉鉑(Ⅱ)(簡稱：PtOEP)等。此外，由於三(乙醯丙酮)(單啡啉)鋱(Ⅲ)(簡稱：Tb(acac)3(Phen))、三(1,3-二苯基-1,3-丙二酸)(單啡啉)銪(Ⅲ)(簡稱：Eu(DBM)3(Phen))、三[1-(2-噻吩甲醯基)-3,3,3-三氟乙酸](單啡啉)銪(Ⅲ)(簡稱：Eu(TTA)3(Phen))等稀土金屬錯合物可以得到由稀土金屬離子發射的光(在不同多重體之間的電子躍遷)，所以可以用作磷光化合物。
另外，第一發光層120也可以採用將上述具有發光性的有機化合物(客體材料)分散在其他物質(主體材料)中的結構。作為主體材料，可以使用各種物質，使用其最低空分子軌道能階(LUMO能階)高於具有發光性的物質的最低空分子軌道能階且其最高佔據分子軌道能階(HOMO能階)低於具有發光性的物質的最高佔據分子軌道能階的物質較佳。
作為主體材料，明確而言，可以使用如下材料：金屬錯合物，諸如三(8-羥基喹啉)鋁(Ⅲ)(簡稱：Alq)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(Ⅲ)(簡稱：Almq3)、雙(10-羥基苯並[h]喹啉)鈹(Ⅱ)(簡稱：BeBq2)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚(phenylphenolato))鋁(Ⅲ)(簡稱：BAlq)、雙(8-羥基喹啉)鋅(Ⅱ)(簡稱：Znq)、雙[2-(2-苯並噁唑基)苯酚(phenolato)]鋅(Ⅱ)(簡稱：ZnPBO)以及雙[2-(2-苯並噻唑基)苯酚]鋅(Ⅱ)(簡稱：ZnBTZ)等；雜環化合物，諸如2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(簡稱：PBD)、1,3-雙[5-(對-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(簡稱：OXD-7)、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(簡稱：TAZ)、2,2',2"-(1,3,5-苯三基)三(1-苯基-1H-苯並咪唑)(簡稱：TPBI)、紅菲繞啉(簡稱：BPhen)以及浴銅靈(簡稱：BCP)等；稠合芳香化合物，諸如9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：CzPA)、3,6-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：DPCzPA)、9,10-雙(3,5-二苯基苯基)蒽(簡稱：DPPA)、9,10-二(2-萘基)蒽(簡稱：DNA)、2-叔丁基-9,10-二(2-萘基)蒽(簡稱：t-BuDNA)、9,9'-聯二蒽(bianthryl)(簡稱：BANT)、9,9'-(芪-3,3'-二基)二菲(簡稱：DPNS)、9,9'-(芪-4,4'-二基)二菲(簡稱：DPNS2)以及3,3',3"-(苯-1,3,5-三基)三芘(簡稱：TPB3)、9,10-二苯基蒽(簡稱：DPAnth)、6,12-二甲氧基-5,11-二苯基屈(chrysen)等；芳香胺化 合物，諸如N,N-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡稱：CzA1PA)、4-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(簡稱：DPhPA)、N,9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡稱：PCAPA)、N,9-二苯基-N-{4-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]苯基}-9H-咔唑-3-胺(簡稱：PCAPBA)、N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱：2PCAPA)、NPB(或α-NPD)、TPD、DFLDPBi、BSPB等；等等。
此外，可以使用多種主體材料。例如，為了抑制結晶化，還可以進一步添加紅熒烯等抑制結晶化的物質。此外，為了更高效地進行向客體材料的能量轉移，還可以進一步添加NPB或Alq等。
藉由採用將客體材料分散到主體材料中的結構，能夠抑制第一發光層120的結晶化。此外，能夠抑制高濃度的客體材料引起的濃度猝滅。
作為第一發光層120，可以使用高分子化合物。明確而言，作為藍色發光材料，可以舉出聚(9,9-二辛基茀-2,7-二基)(簡稱：PFO)、聚[(9,9-二辛基茀-2,7-二基)-co-(2,5-二甲氧基苯-1,4-二基)](簡稱：PF-DMOP)、聚{(9,9-二辛基茀-2,7-二基)-co-[N,N'-二-(對-丁基苯基)-1,4-二胺苯]}(簡稱：TAB-PFH)等。此外，作為綠色發光材料，可以舉出聚(對-亞苯基亞乙烯基)(簡稱：PPV)、聚[(9,9-二己基茀-2,7-二基)-alt-co-(苯並[2,1,3]噻二唑-4,7-二基)](簡稱：PFBT)、聚[(9,9-二辛基-2,7-二亞乙 烯基亞茀基(fluorenylene))-alt-co-(2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亞苯基)等。此外，作為橙色至紅色的發光材料，可以舉出聚[2-甲氧基-5-(2'-乙基己氧基)-1,4-亞苯基亞乙烯基](簡稱：MEH-PPV)、聚(3-丁基噻吩-2,5-二基)(簡稱：R4-PAT)、聚{[9,9-二己基-2,7-雙(1-氰基亞乙烯基)亞茀基]-alt-co-[2,5-雙(N,N'-二苯基氨基)-1,4-亞苯基]}、聚{[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-雙(1-氰基亞乙烯基亞苯基)]-alt-co-[2,5-雙(N,N'-二苯基氨基)-1,4-亞苯基]}(簡稱：CN-PPV-DPD)等。
另外，第一EL層106也可以採用包括兩層以上的發光層的結構。
電子傳輸層是包含具有高電子傳輸性的物質的層。作為具有高電子傳輸性的物質，例如可以舉出具有喹啉骨架或苯並喹啉骨架的金屬錯合物等，諸如三(8-羥基喹啉)鋁(簡稱：Alq)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(簡稱：Almq3)、雙(10-羥基苯並[h]-喹啉)鈹(簡稱：BeBq2)或雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚)鋁(簡稱：BAlq)等。也可以使用具有噁唑基或噻唑基配體的金屬錯合物等，諸如雙[2-(2-羥基苯基)苯並噁唑]鋅(簡稱：Zn(BOX)2)或雙[2-(2-羥基苯基)苯並噻唑]鋅(簡稱：Zn(BTZ)2)等。除了金屬錯合物以外，還可以使用2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(簡稱：PBD)、1,3-雙[5-(對-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(簡稱：OXD-7)、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(簡稱：TAZ)、 紅菲繞啉(簡稱：BPhen)、浴銅靈(簡稱：BCP)等。這裏所述的物質主要是電子遷移率為10-6cm2/Vs以上的物質。此外，電子傳輸層不限於單層，還可以層疊兩層以上的由上述物質所構成的層。
電子注入層是包含具有高電子注入性的物質的層。電子注入層可以使用鋰、銫、鈣、氟化鋰、氟化銫、氟化鈣、氧化鋰等的鹼金屬、鹼土金屬或者其化合物。此外，可以使用氟化鉺等稀土金屬化合物。此外，也可以使用上述構成電子傳輸層的物質。
藉由對發光元件施加電壓，電荷產生層108產生電荷，對陰極一側的EL層注入電洞，並且對陽極一側的EL層注入電子。
電荷產生層108可以使用上述複合材料形成。此外，電荷產生層108也可以採用層疊由複合材料構成的層和由其他材料構成的層的疊層結構。在此情況下，作為由其他材料構成的層，可以使用包含具有電子給予性的物質和具有高電子傳輸性的物質的層或者由透明導電膜構成的層等。具有這種結構的發光元件不容易發生能量的轉移或猝滅等的問題。並且，由於可以選擇的材料的範圍更廣，從而容易得到兼有高發光效率和使用壽命長的發光元件。此外，也容易從一方EL層得到磷光發光並且從另一方EL層得到螢光發光。
如圖1A、1B1及1B2所示那樣藉由將電荷產生層設置在被層疊的EL層之間，能夠在抑制電流密度的同時得 到高亮度且使用壽命長的元件。此外，由於能夠減少電極材料的電阻導致的電壓下降，因此能夠實現大面積的均勻發光。
第二EL層110至少包括第二發光層122，即可。第二EL層110也可以具有如下疊層結構：除了第二發光層122以外，還適當地組合包含具有高電洞傳輸性的物質的層、包含具有高電子傳輸性的物質的層、包含具有高電洞注入性的物質的層、包含具有高電子注入性的物質的層、包含雙極性的物質(具有高電洞傳輸性及高電子傳輸性的物質)的層等。此外，第二EL層110既可以具有與第一EL層106相同的結構，又可以具有與第一EL層106不同的疊層結構。例如，作為第二EL層110，可以採用包括電洞注入層、電洞傳輸層、第二發光層122、電子傳輸層、電子注入緩衝層、電子中繼層以及接觸於具有透光性的電極112的複合材料層的疊層結構。注意，第二EL層110也可以採用包括兩層以上的發光層的結構。
藉由設置接觸於具有透光性的電極112的複合材料層，尤其當利用濺射法形成具有透光性的電極112時，能夠減輕第二EL層110所受到的損傷，所以是較佳的。作為複合材料層，可以使用上述的使具有高電洞傳輸性的有機化合物包含受體物質的複合材料。
並且，藉由設置電子注入緩衝層，能夠削弱複合材料層與電子傳輸層之間的注入勢壘，從而能夠容易將產生在複合材料層中的電子注入到電子傳輸層。
電子注入緩衝層可以使用具有高電子注入性的物質，諸如鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬以及其化合物(鹼金屬化合物(包括氧化鋰等氧化物、鹵化物、碳酸鋰或碳酸銫等碳酸鹽)、鹼土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽)、稀土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽))等。
此外，當電子注入緩衝層以包含具有高電子傳輸性的物質和施體物質的方式形成時，添加相對於具有高電子傳輸性的物質的質量比為0.001以上且0.1以下的施體物質較佳。另外，作為施體物質，除了可以使用鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬及其化合物(鹼金屬化合物(包括氧化鋰等氧化物、鹵化物、碳酸鋰或碳酸銫等碳酸鹽)、鹼土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽)、稀土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽))以外，還可以使用四硫萘並萘(tetrathianaphthacene)(簡稱：TTN)、二茂鎳、十甲基二茂鎳等有機化合物。另外，具有高電子傳輸性的物質可以使用與上面所說明的電子傳輸層的材料同樣的材料來形成。
再者，在電子注入緩衝層和複合材料層之間形成電子中繼層較佳。電子中繼層並不是必須要設置的，但是藉由設置具有高電子傳輸性的電子中繼層，能夠將電子迅速傳輸到電子注入緩衝層。
在複合材料層和電子注入緩衝層之間夾持電子中繼層的結構是包含在複合材料層中的受體物質和包含在電子注 入緩衝層中的施體物質彼此不容易相互作用，並且不容易互相抑制各自的功能的結構。因而，能夠防止驅動電壓增高。
電子中繼層包含具有高電子傳輸性的物質，並且將該具有高電子傳輸性的物質的LUMO能階設定為包含在複合材料層中的受體物質的LUMO能階與包含在電子傳輸層中的具有高電子傳輸性的LUMO能階之間的值。此外，當電子中繼層包含施體物質時，將該施體物質的施體能階也設定為複合材料層中的受體物質的LUMO能階與包含在電子傳輸層中的具有高電子傳輸性的LUMO能階之間的值。至於能階的具體數值，將包含在電子中繼層中的具有高電子傳輸性的物質的LUMO能階設定為-5.0eV以上較佳，設定為-5.0eV以上且-3.0eV以下更佳。
作為包含在電子中繼層中的具有高電子傳輸性的物質，使用酞菁類的材料或具有金屬-氧鍵和芳香配體的金屬錯合物較佳。
作為包含在電子中繼層中的酞菁類材料，明確而言，使用如下物質中的任一種較佳：CuPc、SnPc(Phthalocyanine tin(Ⅱ)complex)、ZnPc(Phthalocyanine zinc complex)、CoPc(Cobalt(Ⅱ)phthalocyanine，β-fofm)、FePc(Phthalocyanine Iron)以及PhO-VOPc(Vanadyl 2,9,16,23-tetraphenoxy-29H,31H-phthalocyanine)。
作為包含在電子中繼層中的具有金屬-氧鍵和芳香配 體的金屬錯合物，使用具有金屬-氧的雙鍵的金屬錯合物較佳。由於金屬-氧的雙鍵具有受體性(容易接受電子的性質)，因此電子的移動(授受)變得更加容易。並且，可以認為具有金屬-氧的雙鍵的金屬錯合物是穩定的。因此，藉由使用具有金屬-氧的雙鍵的金屬錯合物，能夠使發光元件以低電壓進行更穩定的驅動。
作為具有金屬-氧鍵和芳香配體的金屬錯合物，使用酞菁類材料較佳。明確而言，使用VOPc(Vanadyl phthalocyanine)、SnOPc(Phthalocyanine tin(IV)oxide complex)以及TiOPc(Phthalocyanine titanium oxide complex)中的任一種較佳，因為在分子結構上金屬-氧的雙鍵容易與其他分子相互作用並且具有高受體性。
另外，作為上述酞菁類材料，使用具有苯氧基的材料較佳。明確而言，使用PhO-VOPc等具有苯氧基的酞菁衍生物較佳。具有苯氧基的酞菁衍生物可以溶解於溶劑。因此，具有苯氧基的酞菁衍生物具有當形成發光元件時容易處理的優點。並且，由於具有苯氧基的酞菁衍生物可以溶解於溶劑，所以容易維修用來成膜的裝置。
電子中繼層還可以包含施體物質。作為施體物質，除了可以使用鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬及其化合物(鹼金屬化合物(包括氧化鋰等氧化物、鹵化物、碳酸鋰或碳酸銫等碳酸鹽)、鹼土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽)、稀土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽))以外，還可以使用四硫萘並萘(簡稱：TTN)、 二茂鎳、十甲基二茂鎳等有機化合物。藉由使電子中繼層包含這些施體物質，電子移動變得容易而能夠以更低的電壓驅動發光元件。
當使電子中繼層包含施體物質時，作為具有高電子傳輸性的物質，除了上述物質以外還可以使用具有其LUMO能階高於包含在複合材料層中的受體物質的受體能階的物質。作為具體能階，使用在-5.0eV以上較佳，在-5.0eV以上且-3.0eV以下的範圍內具有LUMO能階的物質。作為這種物質更佳，例如可以舉出苝衍生物、含氮稠環芳香化合物等。另外，因為含氮稠環芳香化合物具有穩定性，所以作為用來形成電子中繼層的材料是較佳的。
作為苝衍生物的具體例子，可以舉出3,4,9,10-苝四羧酸二酐(簡稱：PTCDA)、3,4,9,10-苝四羧酸雙苯並咪唑(簡稱：PTCBI)、N,N'-二辛基-3,4,9,10-苝四羧酸二醯亞胺(簡稱：PTCDI-C8H)、N,N'-二己基-3,4,9,10-苝四羧酸二醯亞胺(簡稱：Hex PTC)等。
此外，作為含氮稠環芳香化合物的具體例子，可以舉出吡嗪並[2,3-f][1,10]啡啉-2,3-二甲腈(簡稱：PPDN)、2,3,6,7,10,11-六氰-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯並菲(簡稱：HAT(CN)6)、2,3-二苯基吡啶並[2,3-b]吡嗪(簡稱：2PYPR)、2,3-雙(4-氟苯基)吡啶並[2,3-b]吡嗪(簡稱：F2PYPR)等。
除了上述物質以外，還可以使用7,7,8,8-四氰基對醌二甲烷(簡稱：TCNQ)、1,4,5,8-萘四羧酸二酐(簡稱： NTCDA)、全氟稠五苯(perfluoropentacene)、十六氟代酞菁銅(簡稱：F16CuPc)、N,N'-雙(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-十五氟代辛基)-1,4,5,8-萘四羧酸二醯亞胺(簡稱NTCDI-C8F)、3',4'-二丁基-5,5"-雙(二氰基亞甲基)-5,5"-二氫-2,2'：5',2"-三噻吩(簡稱：DCMT)、亞甲基富勒烯(例如，[6,6]-苯基C61酪酸甲酯)等。
另外，當使電子中繼層包含施體物質時，可以藉由共蒸鍍具有高電子傳輸性的物質和施體物質等方法來形成電子中繼層。
電洞注入層、電洞傳輸層、第二發光層122以及電子傳輸層分別可以使用上述材料形成。但是，作為第二發光層122的發光材料，使用其發射的光的顏色的波長比第一發光層120發射的光的顏色的波長更長的光的發光材料。
由於具有透光性的電極112設置在光提取方向，因此使用具有透光性的材料形成。作為具有透光性的材料，可以使用氧化銦、氧化銦錫、氧化銦鋅合金、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅、石墨烯等。
此外，作為具有透光性的電極112，可以使用金、鉑、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、鈀或鈦等金屬材料。或者，也可以使用這些金屬材料的氮化物(例如，氮化鈦)等。另外，當使用金屬材料(或其氮化物)時，可以將金屬材料形成得薄，以使其具有透光性。
在第一發光元件132a及第二發光元件132b中，第一EL層106、電荷產生層108以及第二EL層110以連續膜 的形式形成，而在各像素之間共同使用它們。因此，由於在製造製程中不需要進行使用金屬掩模的分別塗敷，所以能夠一舉在大面積上進行成膜，而能夠實現顯示裝置的大型化及生產性的提高。而且，能夠擴大顯示部中的顯示區。此外，由於能夠防止使用金屬掩模時由於可能產生的微粒的混入等而導致的缺陷，所以能夠高良率地製造顯示裝置。
另外，也可以設置覆蓋第一發光元件132a及第二發光元件132b的無機絕緣膜。該無機絕緣膜用作保護發光元件免受來自外部的水等污染物質的影響的保護層、密封膜。藉由設置無機絕緣膜，能夠減輕發光元件的劣化，而提高顯示裝置的耐用性及使用壽命。作為無機絕緣膜的材料，可以使用與上述無機絕緣體同樣的材料。
也可以在基板100和對置基板128之間設置用作乾燥劑的吸水物質。吸水物質可以以粉狀等固體狀態配置或藉由濺射法等成膜法以包含吸水物質的膜的狀態設置在第一發光元件132a及第二發光元件132b上。
對置基板128可以使用與基板100同樣的材料。但是，對置基板128至少需要能夠使透射第一彩色濾光層134a及第二彩色濾光層134b的光透射。
作為第一彩色濾光層134a及第二彩色濾光層134b，例如可以使用彩色透光樹脂。作為彩色透光樹脂，可以使用感光性有機樹脂、非感光性有機樹脂。當使用感光性有機樹脂層時，能夠減少抗蝕劑掩模數量而簡化製程，所以 是較佳的。
彩色是指如黑色、灰色和白色等無彩色以外的顏色。彩色濾光層由只使被著色的彩色光透射的材料形成。作為彩色，可以使用紅色、綠色、藍色等。此外，也可以使用青色(cyan)、品紅色(magenta)、黃色(yellow)等。只使被著色的彩色的光透射意味著：透射彩色濾光層的光在其彩色的光的波長中具有峰值。
根據所包含的著色材料的濃度和光的透射率的關係，適當地控制彩色濾光層的最適宜的厚度較佳。在本實施方式所示的顯示裝置中，藉由調整第一具有反射性的電極102a與第一發光層120之間的光程並利用光的干擾，能夠減少來自第一發光層120的發射光譜的半值寬度。同樣地，藉由調整第二具有反射性的電極102b與第二發光層122之間的光程並利用光的干擾，能夠減少來自第二發光層122的發射光譜的半值寬度。因此，能夠使第一彩色濾光層134a及第二彩色濾光層134b的著色材料的濃度成為低濃度。此外，能夠將第一彩色濾光層134a及第二彩色濾光層134b形成為較薄。其結果是，能夠降低第一彩色濾光層134a或第二彩色濾光層134b的光吸收，而能夠提高光的利用效率。
另外，在本實施方式中雖然示出在對置基板128內側設置第一彩色濾光層134a及第二彩色濾光層134b的例子，但是本發明不侷限於此，也可以在對置基板128外側(與發光元件相反一側)設置它們。
或者，也可以在第一發光元件132a及第二發光元件132b上形成用作彩色濾光層的彩色透光樹脂層。
也可以在第一彩色濾光層134a與第二彩色濾光層134b之間的區域(重疊於絕緣層126的區域)設置遮光層。遮光層使用反射光或吸收光且具有遮光性的材料形成。例如，可以使用黑色有機樹脂，可以將顏料類的黑色樹脂、碳黑、鈦黑等混合到感光性或非感光性的聚醯亞胺等的樹脂材料中來形成遮光層。此外，也可以使用遮光金屬膜，例如可以使用鉻、鉬、鎳、鈦、鈷、銅、鎢或鋁等。
對遮光層的形成方法沒有特別的限制，可以根據其材料利用如蒸鍍法、濺射法、CVD法等的乾處理或者如旋塗、浸漬、噴塗、液滴噴射法(噴墨法等)、絲網印刷、膠印刷等的濕處理，並且根據需要利用蝕刻法(乾蝕刻或濕蝕刻)加工成所希望的圖案。
由於遮光層能夠防止向鄰近的像素的漏光，所以藉由設置遮光層，能夠進行高對比度及高清晰的顯示。
圖2A、2B1至2B3示出與圖1A、1B1及1B2不同的顯示裝置的方式。圖2A為顯示裝置中的顯示部的剖面圖。此外，圖2B1至2B3示出圖2A所示的剖面圖的部分放大圖。注意，圖2A、2B1至2B3所示的顯示裝置的結構的大部分與圖1A、1B1及1B2所示的顯示裝置的結構共通。因此，下面，有時省略對於重複的部分的說明。
圖2A所示的顯示裝置包括第一像素230a、第二像素230b以及第三像素230c。第一像素230a包括設置在基板 100上的第一發光元件232a以及設置在對置基板128的與第一發光元件232a重疊的區域上的第一彩色濾光層134a。第二像素230b包括設置在基板100上的第二發光元件232b以及設置在對置基板128的與第二發光元件232b重疊的區域上的第二彩色濾光層134b。第三像素230c包括設置在基板100上的第三發光元件232c以及設置在對置基板128的與第三發光元件232c重疊的區域上的第三彩色濾光層134c。
在圖2A所示的顯示裝置中，第一彩色濾光層134a、第二彩色濾光層134b以及第三彩色濾光層134c分別使不同的波長的光透射。在本實施方式中，以透射第一彩色濾光層134a的光的波長範圍的中心波長(下面也寫為λ1)比透射第二彩色濾光層134b的光的波長範圍的中心波長(下面也寫為λ2)短且透射第二彩色濾光層134b的光的波長範圍的中心波長(λ2)比透射第三彩色濾光層134c的光的波長範圍的中心波長(下面也寫為λ3)短的情況為例子進行說明。
例如，藉由將第一彩色濾光層134a設定為藍色，將第二彩色濾光層134b設定為綠色，並且將第三彩色濾光層134c設定為紅色，能夠得到能夠進行全彩色顯示的顯示裝置。
第一發光元件232a包括第一具有反射性的電極102a、依次層疊在第一具有反射性的電極102a上的第一具有透光性的導電層104a、第一EL層106、電荷產生層108 、第二EL層210以及具有透光性的電極112。第二發光元件232b包括第二具有反射性的電極102b、依次層疊在第二具有反射性的電極102b上的第二具有透光性的導電層104b、第一EL層106、電荷產生層108、第二EL層210以及具有透光性的電極112。第三發光元件232c包括第三具有反射性的電極102c、依次層疊在第三具有反射性的電極102c上的第三具有透光性的導電層104c、第一EL層106、電荷產生層108、第二EL層210以及具有透光性的電極112。
在圖2A、2B1至2B3中，由第一發光元件232a、第二發光元件232b以及第三發光元件232c發射的光從具有透光性的電極112一側射出。此外，第一發光元件232a、第二發光元件232b、第三發光元件232c由絕緣層126電絕緣。
圖2B1示出第一發光元件232a的放大圖。圖2B2示出第二發光元件232b的放大圖。圖2B3示出第三發光元件232c的放大圖。
第一發光元件232a、第二發光元件232b以及第三發光元件232c與圖1A、1B1及1B2所示的第一發光元件132a或第二發光元件132b的不同之處在於設置在電荷產生層108上的第二EL層的結構。第一發光元件232a、第二發光元件232b以及第三發光元件232c包括至少包括第二發光層122及第三發光層123的第二EL層210。另外，第二EL層210也可以具有如下疊層結構：除了發光層 以外還包括電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層等的功能層。其他結構與第一發光元件132a或第二發光元件132b相同。
由於第一發光元件232a、第二發光元件232b以及第三發光元件232c分別具有彼此厚度不同的第一具有透光性的導電層104a、第二具有透光性的導電層104b以及第三具有透光性的導電層104c，所以它們具有不同的總厚度。
第三具有透光性的導電層104c具有如下作用：藉由調整其厚度，調整由第三發光層124發射的光中的被第三具有反射性的電極102c反射回來的光(也寫為第三反射光)的光程長度。由於第三反射光與從第三發光層124直接入射到第三彩色濾光層134c中的光(也寫為第三入射光)發生干擾，所以藉由調整第三具有透光性的導電層104c的厚度使第三入射光的相位和第三反射光的相位一致，能夠放大由第三發光層124發射的光。因此，與不調整光程長度的發光元件相比，本實施方式的發光元件能夠利用同樣的電流獲得更高的亮度。此外，藉由使第三入射光的相位及第三反射光的相位與透射第三彩色濾光層134c的光的波長範圍的中心波長一致，能夠提高從第三像素230c提取的光的色純度。
明確而言，在第一像素230a所包括的第一發光元件232a中，將第一具有反射性的電極102a與第一發光層120之間的光程設定為透射第一彩色濾光層134a的光的 波長範圍的中心波長(λ1)的1/4較佳。此外，在第二像素230b所包括的第二發光元件232b中，將第二具有反射性的電極102b與第二發光層122之間的光程設定為透射第二彩色濾光層134b的光的波長範圍的中心波長(λ2)的3/4較佳。此外，在第三像素230c所包括的第三發光元件232c中，將第三具有反射性的電極102c與第三發光層124之間的光程設定為透射第三彩色濾光層134c的光的波長範圍的中心波長(λ3)的5/4較佳。
透射第一彩色濾光層134a的光的波長範圍的中心波長和來自第一發光層120的發射光譜在表示相同顏色的波長範圍中分別具有最大峰值較佳。透射第二彩色濾光層134b的光的波長範圍的中心波長和來自第二發光層122的發射光譜在表示相同顏色的波長範圍中分別具有最大峰值較佳。透射第三彩色濾光層134c的光的波長範圍的中心波長和來自第三發光層124的發射光譜在表示相同顏色的波長範圍中分別具有最大峰值較佳。
例如，當第一彩色濾光層134a的中心波長位於藍色區域(例如，中心波長為450nm)時，來自第一發光層120的發射光譜在430nm以上且470nm以下的區域中具有最大峰值較佳。此外，例如，當第二彩色濾光層134b的中心波長位於綠色區域(例如，中心波長為550nm)時，來自第二發光層122的發射光譜在520nm以上且550nm以下的區域中具有最大峰值較佳。此外，例如，當第三彩色濾光層134c的中心波長位於紅色區域(例如， 中心波長為690nm)時，來自第三發光層124的發射光譜在600nm以上且700nm以下的區域中具有最大峰值較佳。
另外，在本實施方式中，由於透射第一彩色濾光層134a的光的波長範圍的中心波長比透射第二彩色濾光層134b的光的波長範圍的中心波長短且透射第二彩色濾光層134b的光的波長範圍的中心波長比透射第三彩色濾光層134c的光的波長範圍的中心波長短，所以由第一發光層120發射的光的顏色的波長比由第二發光層122發射的光的顏色的波長短較佳，並且由第二發光層122發射的光的顏色的波長比由第三發光層124發射的光的波長短較佳。
第二EL層210至少包括第二發光層122以及層疊在第二發光層122上的第三發光層124，即可。其詳細結構可以採用與第二EL層110同樣的結構。但是，作為第三發光層124的發光材料，使用其發射的光的顏色的波長比第二發光層122發射的光的顏色的波長更長的光的發光材料。
圖3示出本實施方式的顯示裝置中的顯示部的電極結構的平面圖。另外，為了容易理解，在圖3中省略構成要素的一部分(例如，第二EL層等)。圖3的顯示裝置為被動矩陣型顯示裝置，其中以方格狀層疊有被加工為條狀的具有反射性的電極102(第一具有反射性的電極102a、第二具有反射性的電極102b以及第三具有反射性的電極 102c)以及被加工為條狀的具有透光性的電極112(第一具有透光性的電極112a、第二具有透光性的電極112b以及第三具有透光性的電極112c)。
第一EL層、電荷產生層以及第二EL層以連續膜的形式設置在具有反射性的電極102與具有透光性的電極112之間的整個面。因此，不需要進行使用金屬掩模的分別塗敷。
在本實施方式所示的顯示裝置中，藉由根據表示像素的顏色的彩色濾光層使具有反射性的電極與發光層之間的光程最優化，能夠從像素高色純度且高發射效率地提取各種顏色的光。此外，藉由採用以連續膜的形式形成發光層的方法而不採用使用金屬掩模按每個像素分別塗敷發光層的方法，能夠避免因使用金屬掩模而導致的良率的降低或製程的複雜化。因此，能夠提供高清晰且低功耗的顯示裝置。
本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而使用。
實施方式2
在本實施方式中，使用圖4A及4B說明本發明的一個方式的主動矩陣型顯示裝置。另外，圖4A為示出顯示裝置的平面圖，圖4B為沿圖4A中的A-B及C-D切斷的剖面圖。
圖4A及4B的顯示裝置為元件基板410和密封基板 404由密封材料405固定且具有驅動電路部(源極側驅動電路401、閘極側驅動電路403)以及包括多個像素的像素部402的例子。
另外，佈線408是用來傳送輸入到源極側驅動電路401及閘極側驅動電路403的信號的佈線，並且從外部輸入端子的FPC(軟性印刷電路)409接收視頻信號、時脈信號、起始信號、重設信號等。注意，雖然這裏只示出FPC，但是該FPC也可以設置有印刷線路板(PWB)。本說明書中的顯示裝置不僅包括只設置有顯示裝置主體的狀態，而且還包括顯示裝置主體安裝有FPC或PWB的狀態。
驅動電路部(源極側驅動電路401、閘極側驅動電路403)包括多個電晶體，包括在像素部402中的多個像素各自包括開關電晶體、電流控制電晶體及電連接到其汲極電極的第一電極。
在元件基板410上形成有驅動電路部(源極側驅動電路401、閘極側驅動電路403)及像素部402，而在圖4B中示出驅動電路部的源極側驅動電路401及像素部402中的三個像素。
包括在像素部402中的多個像素各自包括開關電晶體、電流控制電晶體及電連接到其汲極電極的第一電極。多個像素至少包括兩種顏色以上的像素，在本實施方式中示出具有藍色(B)像素420a、綠色(G)像素420b、紅色(R)像素420c的三種顏色的像素的例子。
像素420a包括彩色濾光層434a、發光元件418a以及電連接到該發光元件418a的用作開關電晶體的電晶體412a，像素420b包括彩色濾光層434b、發光元件418b以及電連接到該發光元件418b的用作開關電晶體的電晶體412b，像素420c包括彩色濾光層434c、發光元件418c以及電連接到該發光元件418c的用作開關電晶體的電晶體412c。
此外，發光元件418a包括具有反射性的電極413a以及具有透光性的導電層415a，發光元件418b包括具有反射性的電極413b以及具有透光性的導電層415b，發光元件418c包括具有反射性的電極413c以及具有透光性的導電層415c，並且在具有反射性的電極413a和具有透光性的導電層415a疊層、具有反射性的電極413b和具有透光性的導電層415b的疊層以及具有反射性的電極413c和具有透光性的導電層415c的疊層上具有由設置有第一發光層的第一EL層431、電荷產生層432、設置有第二發光層及第三發光層的第二EL層433以及具有透光性的電極417構成的疊層。
藉由調整具有透光性的導電層415a、415b、415c的厚度，在藍色(B)像素420a中，將具有反射性的電極413a與第一發光層之間的光程設定為透射彩色濾光層434a的光的波長範圍的中心波長的1/4，在綠色(G)像素420b中，將具有反射性的電極413b與第二發光層之間的光程設定為透射彩色濾光層434b的光的波長範圍的中 心波長的3/4，並且在紅色(R)像素420c中，將具有反射性的電極413c與第三發光層之間的光程設定為透射彩色濾光層434c的光的波長範圍的中心波長的5/4。
例如，可以將藍色(B)像素420a的彩色濾光層434a設定為中心波長為450nm的藍色，將綠色(G)像素420b的彩色濾光層434b設定為中心波長為550nm的綠色，並將紅色(R)像素420c的彩色濾光層434c設定為中心波長為690nm的紅色。
藉由根據表示像素的顏色的彩色濾光層使具有反射性的電極與發光層之間的光程最優化，能夠從像素高色純度且高發射效率地提取各種顏色的光。此外，藉由採用以連續膜的形式形成發光層的方法而不採用使用金屬掩模按每個像素分別塗敷發光層的方法，能夠避免因使用金屬掩模而導致的良率的降低或製程的複雜化。因此，能夠提供高清晰且顏色再現性高的顯示裝置。此外，能夠提供低功耗的顯示裝置。
另外，源極側驅動電路401由組合了n通道型電晶體423和p通道型電晶體424而成的CMOS電路形成。此外，驅動電路也可以由使用電晶體形成的各種CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路形成。此外，在本實施方式中雖然示出在基板上形成源極側驅動電路及閘極側驅動電路的例子，但是不一定必須採用該結構，也可以將源極側驅動電路及閘極側驅動電路的一部分或全部設置在基板外部而不形成在基板上。
另外，以覆蓋具有反射性的電極413a、413b、413c以及具有透光性的導電層415a、415b、415c的端部的方式形成有絕緣物414。這裏，使用正型感光性丙烯酸樹脂膜形成絕緣物414。
此外，為了提高覆蓋性，在絕緣物414的上端部或下端部形成具有曲率的曲面。例如，在作為絕緣物414的材料使用正型感光性丙烯酸的情況下，只在絕緣物414的上端部形成具有曲率半徑(0.2μm至3μm)的曲面較佳。此外，作為絕緣物414，可以使用因光照射而變成不溶於蝕刻劑的負型感光材料或因光照射而變成可溶於蝕刻劑的正型感光材料。
作為彩色濾光層434a、434b、434c、具有反射性的電極413a、413b、413c、具有透光性的導電層415a、415b、415c、第一EL層431、電荷產生層432、第二EL層433以及具有透光性的電極417的材料，可以分別採用實施方式1所示的材料。
再者，藉由使用密封材料405將密封基板404和元件基板410貼合在一起，得到由元件基板410、密封基板404及密封材料405圍繞的空間407中具備發光元件418的結構。另外，在空間407中填充有填充劑，除了填充惰性氣體(氮或氬等)的情況以外，還有填充有機樹脂、密封材料405的情況。作為有機樹脂及密封材料405，也可以使用包含具有吸濕性的物質的材料。
另外，作為密封材料405，使用環氧類樹脂較佳。此 外，這些材料為盡可能地不使水分或氧透射的材料較佳。此外，作為用於密封基板404的材料，除了玻璃基板或石英基板以外，也可以使用由FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics；玻璃纖維強化塑膠)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯或丙烯酸等構成的塑膠基板。
像本實施方式那樣，也可以將用作基底膜的絕緣膜411設置在元件基板410與電晶體的半導體層之間。絕緣膜具有防止來自元件基板410的雜質元素擴散的功能，可以使用選自氮化矽膜、氧化矽膜、氮氧化矽膜或氧氮化矽膜中的一種或多種膜的單層或疊層結構形成。
對可以應用於本說明書所公開的顯示裝置的電晶體的結構沒有特別的限制，例如，可以採用頂閘極交錯型電晶體、頂閘極平面型電晶體、底閘極交錯型電晶體或底閘極平面型電晶體等。此外，電晶體可以採用形成有一個通道形成區的單閘結構、形成有兩個通道形成區的雙閘結構(double-gate)或形成有三個通道形成區的三閘結構。此外，也可以採用在通道形成區上下隔著閘極絕緣層設置有兩個閘極電極層的雙閘結構(dual-gate)。
閘極電極層可以使用鉬、鈦、鉻、鉭、鎢、鋁、銅、釹、鈧等金屬材料或以這些金屬材料為主要成分的合金材料以單層或疊層形成。
例如，作為閘極電極層的兩層的疊層結構，採用鋁層上層疊鉬層的兩層結構、銅層上層疊鉬層的兩層結構、銅層上層疊氮化鈦層或氮化鉭層的兩層結構、層疊氮化鈦層 和鉬層的兩層結構較佳。作為三層的疊層結構，採用層疊如下三層的疊層結構較佳：鎢層或氮化鎢層；鋁和矽的合金層或鋁和鈦的合金層；以及氮化鈦層或鈦層。
作為閘極絕緣層，可以利用電漿CVD法或濺射法等形成氧化矽層、氮化矽層、氧氮化矽層或氮氧化矽層的單層或疊層。此外，作為閘極絕緣層，也可以藉由使用有機矽烷氣體的CVD法形成氧化矽層。作為有機矽烷氣體，可以使用矽酸乙酯(TEOS：化學式Si(OC2H5)4)、四甲基矽烷(TMS：化學式Si(CH3)4)、四甲基環四矽氧烷(TMCTS)、八甲基環四矽氧烷(OMCTS)、六甲基二矽氮烷(HMDS)、三乙氧基矽烷(SiH(OC2H5)3)、三(二甲氨基)矽烷(SiH(N(CH3)2)3)等含矽化合物。
對用於半導體層的材料沒有特別的限制，可以根據電晶體412a、412b、412c、423、424所要求的特性適當地設定。下面說明可以用於半導體層的材料的例子。
作為形成半導體層的材料，可以藉由濺射法或使用以矽烷或鍺烷為典型的半導體材料氣體的氣相生長法製造的非晶(也稱為非晶質)半導體、利用光能或熱能使該非晶半導體結晶化而得到的多晶半導體或著微晶半導體等。半導體層可以藉由濺射法、LPCVD法或電漿CVD法等形成。
作為半導體層，可以使用矽或碳化矽等的單晶半導體。當作為半導體層使用單晶半導體時，能夠使電晶體微型化，從而能夠進一步提高顯示部中的像素的清晰度。當作 為半導體層使用單晶半導體時，可以採用設置有單晶半導體層的SOI基板。或者，也可以使用矽晶片等半導體基板。
作為非晶半導體典型地可以舉出氫化非晶矽，作為結晶半導體典型地可以舉出多晶矽等。多晶矽(多結晶矽)包括：使用以800℃以上的處理溫度形成的多晶矽作為主要材料的所謂高溫多晶矽；使用以600℃以下的處理溫度形成的多晶矽作為主要材料的所謂低溫多晶矽；使用促進結晶化的元素等使非晶矽結晶化了的多晶矽等。當然，如上所述，也可以使用微晶半導體或在半導體層的一部分包含結晶相的半導體。
此外，也可以使用氧化物半導體。作為氧化物半導體，可以使用：四元金屬氧化物的In-Sn-Ga-Zn-O類；三元金屬氧化物的In-Ga-Zn-O類、In-Sn-Zn-O類、In-Al-Zn-O類、Sn-Ga-Zn-O類、Al-Ga-Zn-O類、Sn-Al-Zn-O類：二元金屬氧化物的In-Zn-O類、Sn-Zn-O類、Al-Zn-O類、Zn-Mg-O類、Sn-Mg-O類、In-Mg-O類、In-Ga-O類；In-O類、Sn-O類、Zn-O類等。此外，也可以在上述氧化物半導體中包含SiO2。這裏，例如，In-Ga-Zn-O類氧化物半導體是指至少包含In、Ga及Zn的氧化物，對其組成比沒有特別的限制。此外，In-Ga-Zn-O類氧化物半導體還可以包含In、Ga及Zn以外的元素。
此外，作為氧化物半導體層，可以使用以化學式InMO3(ZnO)m(m>0)表示的薄膜。這裏，M表示選自Ga 、Al、Mn及Co中的一種或多種金屬元素。例如，作為M有Ga、Ga及Al、Ga及Mn或者Ga及Co等。
此外，當作為氧化物半導體使用In-Zn-O類材料時，將原子數比設定為In/Zn=0.5至50，設定為In/Zn=1至20較佳，設定為In/Zn=1.5至15更佳。藉由將Zn的原子數比設定在較佳的所述範圍內，能夠提高電晶體的場效應遷移率。這裏，當化合物的原子數比為In：Zn：O=X：Y：Z時，滿足Z>1.5X+Y。
作為氧化物半導體層，可以使用具有不是完全的單晶也不是完全的非晶的結構的CAAC-OS(C Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor：c軸配向結晶氧化物半導體)膜。CAAC-OS膜是在非晶相中具有結晶部及非晶部的結晶-非晶混合相結構的氧化物半導體膜。在CAAC-OS膜所包含的結晶部中，c軸在與CAAC-OS膜的被形成面的法線向量或表面的法線向量平行(包括-5°以上且5°以下的範圍)的方向上一致，當從垂直於ab面的方向看時具有三角形狀或六角形狀的原子排列，並且當從垂直於c軸(包括85°以上且95°以下的範圍)的方向看時金屬原子排列為層狀或者金屬原子和氧原子排列為層狀。另外，在不同的結晶部之間，a軸及b軸的方向也可以彼此不同。
作為用作源極電極層或汲極電極層的佈線層的材料，可以舉出：選自Al、Cr、Ta、Ti、Mo、W中的元素；以上述元素為成分的合金；組合上述元素而成的合金等。此 外，在進行熱處理的情況下，使導電膜具有可承受該熱處理的耐熱性較佳。例如，由於當使用Al單體時存在耐熱性差且容易腐蝕等問題，所以組合Al和耐熱性導電材料形成用作源極電極層或汲極電極層的佈線層。作為與Al組合的耐熱性導電材料使用如下材料：選自鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、釹(Nd)、鈧(Sc)中的元素；以上述元素為成分的合金；組合上述元素的合金；或以上述元素為成分的氮化物。
作為覆蓋電晶體的絕緣膜419，可以使用藉由乾處理或濕處理形成的無機絕緣膜、有機絕緣膜。例如，可以使用藉由CVD法或濺射法等形成的氮化矽膜、氧化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜、氧化鉭膜、氧化鎵膜等。此外，可以使用聚醯亞胺、丙烯酸、苯並環丁烯、聚醯胺、環氧等有機材料。此外，除了上述有機材料以外，可以使用低介電常數材料(low-k材料)、矽氧烷類樹脂、PSG(磷矽玻璃)、BPSG(硼磷矽玻璃)等。
另外，矽氧烷類樹脂相當於以矽氧烷類材料為起始材料形成的包含Si-O-Si鍵的樹脂。矽氧烷類樹脂也可以使用有機基(例如，烷基或芳基)或氟基作為取代基。此外，有機基也可以具有氟基。矽氧烷類樹脂藉由塗敷法進行成膜並進行焙燒而可以用作絕緣膜419。
另外，也可以藉由層疊使用上述材料形成的多個絕緣膜來形成絕緣膜419。例如，也可以採用在無機絕緣膜上層疊有機樹脂膜的結構。
藉由上述方式，能夠得到具有本發明的一個方式的發光元件的主動矩陣型顯示裝置。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
實施方式3
本說明書所公開的顯示裝置可以應用於各種電子裝置(也包括遊戲機)。作為電子裝置，例如可以舉出電視裝置(也稱為電視或電視接收機)、用於電腦等的顯示器數位相機、數位攝像機、數位相框、行動電話機(也稱為行動電話、行動電話裝置)、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端、音頻再現裝置、彈珠機等的大型遊戲機等。
圖5A示出膝上型個人電腦，該膝上型個人電腦由主體3001、外殼3002、顯示部3003以及鍵盤3004等構成。藉由將實施方式1或實施方式2所示的顯示裝置應用於顯示部3003，能夠製造高清晰且低功耗的膝上型個人電腦。
圖5B示出可攜式資訊終端(PDA)，在主體3021中設置有顯示部3023、外部介面3025以及操作按鈕3024等。此外，作為用來操作的附件還具備觸控筆3022。藉由將實施方式1或實施方式2所示的顯示裝置應用於顯示部3023，能夠製造高清晰且低功耗的可攜式資訊終端(PDA)。
圖5C示出電子書閱讀器，該電子書閱讀器由外殼2701及外殼2703的兩個外殼構成。外殼2701及外殼 2703由軸部2711形成為一體，並且可以以該軸部2711為軸進行開閉動作。藉由這種結構，可以進行如紙的書籍那樣的工作。
外殼2701組裝有顯示部2705，而外殼2703組裝有顯示部2707。顯示部2705及顯示部2707的結構既可以是顯示連屏畫面的結構，又可以是顯示不同的畫面的結構。藉由採用顯示不同的畫面的結構，例如在右邊的顯示部(圖5C中的顯示部2705)中可以顯示文章，而在左邊的顯示部(圖5C中的顯示部2707)中可以顯示影像。藉由將實施方式1或實施方式2所示的顯示裝置應用於顯示部2705、顯示部2707，能夠製造高清晰且低功耗的電子書閱讀器。當將半透射型的顯示裝置或反射型的顯示裝置用於顯示部2705時，可以預料電子書閱讀器在較明亮的情況下也被使用，所以可以設置太陽能電池，而使其能夠進行利用太陽能電池的發電以及利用電池的充電。另外，若作為電池使用鋰離子電池，則有能夠實現小型化等的優點。
此外，在圖5C中示出外殼2701具備操作部等的例子。例如，在外殼2701中具備電源開關2721、操作鍵2723、揚聲器2725等。利用操作鍵2723可以翻頁。另外，還可以採用在與外殼的顯示部同一面上設置鍵盤、指向裝置等的結構。此外，也可以採用在外殼的背面或側面具備外部連接端子(耳機端子、USB端子等)、記錄媒體插入部等的結構。再者，電子書閱讀器也可以具有電子詞典的功 能。
此外，電子書閱讀器也可以採用能夠以無線的方式收發資訊的結構。還可以採用以無線的方式從電子書閱讀器伺服器購買所希望的書籍資料等，然後下載的結構。
圖5D示出行動電話，由外殼2800及外殼2801的兩個外殼構成。外殼2801具備顯示面板2802、揚聲器2803、麥克風2804、指向裝置2806、影像拍攝用透鏡2807、外部連接端子2808等。此外，外殼2800具備對行動電話進行充電的太陽能電池單元2810、外部儲存槽2811等。此外，在外殼2801內組裝有天線。藉由將實施方式1或實施方式2所示的顯示裝置應用於顯示面板2802，能夠製造高清晰且低功耗的行動電話。
此外，顯示面板2802具備觸摸屏，在圖5D中，使用虛線示出作為影像而被顯示出來的多個操作鍵2805。另外，還安裝有用來將由太陽能電池單元2810輸出的電壓升壓到各電路所需的電壓的升壓電路。
顯示面板2802根據使用方式適當地改變顯示的方向。此外，由於在與顯示面板2802同一面上設置影像拍攝用透鏡2807，所以可以實現可視電話。揚聲器2803及麥克風2804不侷限於音頻通話，還可以進行可視通話、錄音、再生等。再者，藉由滑動外殼2800和外殼2801可以使其從圖5D那樣的展開狀態變為重疊狀態，所以可以實現適於攜帶的小型化。
外部連接端子2808可以與AC適配器及各種電纜如 USB電纜等連接，並且可以進行充電及與個人電腦等的資料通訊。此外，藉由將記錄媒體插入外部儲存槽2811中，可以對應更大量資料的保存及移動。
此外，除了上述功能之外，還可以具有紅外線通信功能、電視接收功能等。
圖5E示出數位攝像機，該數位攝像機由主體3051、顯示部A3057、取景器部3053、操作開關3054、顯示部B3055、電池3056等構成。藉由將實施方式1或實施方式2所示的顯示裝置應用於顯示部A3057、顯示部B3055，能夠製造高清晰且低功耗的數位攝像機。
圖5F示出電視裝置，該電視裝置由外殼9601、顯示部9603等構成。利用顯示部9603可以顯示影像。此外，在此示出利用支架9605支撐外殼9601的結構。藉由將實施方式1或實施方式2所示的顯示裝置應用於顯示部9603，能夠製造高清晰且低功耗的電視裝置。
可以藉由利用外殼9601所具備的操作開關或另行提供的遙控器進行電視裝置的操作。此外，也可以採用在遙控器中設置顯示從該遙控器輸出的資訊的顯示部的結構。
另外，電視裝置採用具備接收機、數據機等的結構。可以藉由利用接收機接收一般的電視廣播。再者，藉由數據機連接到有線或無線方式的通信網路，可以進行單向(從發送者到接收者)或雙向(在發送者和接收者之間或在接收者之間等)的資訊通訊。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地 組合而實施。
另外，本實施方式所示的結構可以適當地與實施方式1或實施方式2所示的結構組合而使用。
實施例
在本實施例中，使用圖式及圖表說明本發明的一個方式的顯示裝置的特性的測量結果。
使用圖6說明在本實施例中用於顯示裝置的發光元件的製造方法。本實施例的顯示裝置至少包括對應藍色像素的發光元件(以下為發光元件B)以及對應紅色像素的發光元件(以下為發光元件R)。
下面示出在本實施例中使用的有機化合物(Bphen、9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：PCzPA)、9-[4-(N-咔唑基)]苯基-10-苯基蒽(簡稱：CzPA)、4-苯基-4'-(9-苯基茀-9-基)三苯基胺(簡稱：BPAFLP)、N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-雙[3-(9-苯基-9H-茀-9-基)苯基]-芘-1,6-二胺(簡稱：1,6mMemFLPAPrn)、2-[3-(2,8-二苯基二苯並噻吩-4-基)苯基]二苯並[f,h]喹喔啉(簡稱：2mDBTPDBq-III)、4-苯基-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBA1BP)、(乙醯丙酮)雙(6-叔丁基-4-苯基吡啶)銥(Ⅲ)(簡稱：Ir(tBuppm)2(acac))、雙(2,3,5-三苯基吡嗪)(二新戊醯甲烷)銥(Ⅲ)(簡稱：Ir(tppr)2(dpm)))的結構式。
作為發光元件B、發光元件R的具有反射性的電極1101，在作為玻璃基板的基板1100上藉由濺射法形成鋁-鈦合金膜。在本實施例中，將具有反射性的電極1101用作陽極。
接著，在具有反射性的電極1101上藉由濺射法形成鈦(Ti)然後形成包含氧化矽的氧化銦錫(ITSO)，來形成具有透光性的導電層1104。另外，所形成的Ti膜在濺射ITSO後被氧化而變成氧化鈦(TiOx)，而具有透光性。然後，在發光元件B中藉由蝕刻去除ITSO。
藉由上述方法，在本實施例中，為了使包括發光元件B的像素(下面為像素B)以及包括發光元件R的像素(下面為像素R)分別獲得空腔效應，在發光元件R中，作為具有透光性的導電層1104採用6nm的TiOx和80nm的ITSO的疊層結構。此外，在發光元件B中，作為具有透光性的導電層1104採用6nm的TiOx。然後，以具有透光性的導電層1104的表面露出2mm見方大小的方式對其覆蓋聚醯亞胺膜，使電極面積成為2mm×2mm。
接著，藉由如下方法形成電洞注入層1111：以使形成有具有反射性的電極1101及具有透光性的導電層1104的面朝下的方式，將形成有具有反射性的電極1101及具有透光性的導電層1104的基板1100固定在設置在真空蒸鍍裝置中的基板支架，並在將壓力降低到10-4Pa左右之後，在具有反射性的電極1101或具有透光性的導電層1104上共蒸鍍PCzPA與氧化鉬(VI)。調節PCzPA和氧化鉬的比率使其重量比成為1：0.5(=PCzPA：氧化鉬)，並將其厚度設定為20nm。注意，共蒸鍍法是指在一個處理室中從多個蒸發源同時進行蒸鍍的蒸鍍法。
接著，在電洞注入層1111上形成20nm厚的PCzPA ，以此形成電洞傳輸層1112。
藉由在電洞傳輸層1112上以得到CzPA：1,6mMemFLPAPrn=1：0.05(重量比)的方式共蒸鍍CzPA和1,6mMemFLPAPrn，形成發光層1113，其厚度為30nm。
在發光層1113上以5nm的厚度形成CzPA，形成電子傳輸層1114a。
在電子傳輸層1114a上以15nm的厚度形成紅菲繞啉(簡稱：BPhen)，形成電子傳輸層1114b。
在電子傳輸層1114b上以0.1nm的厚度蒸鍍氧化鋰(Li2O)，形成電子注入層1115a，並在電子注入層1115a上以2nm的厚度蒸鍍酞菁銅(Ⅱ)(簡稱：CuPc)，形成電子注入層1115b。
藉由在電子注入層1115b上共蒸鍍PCzPA和氧化鉬(VI)，形成電荷產生層1102。調節PCzPA和氧化鉬的比率使其重量比成為1：0.5(=PCzPA：氧化鉬)，並將其厚度設定為20nm。
在電荷產生層1102上以20nm的厚度蒸鍍BPAFLP，形成電洞傳輸層1212。
藉由在電洞傳輸層1212上以得到2mDBTPDBq-III：PCBA1BP：Ir(tBuppm)2(acac)=0.8：0.2：0.06(重量比)的方式共蒸鍍2mDBTPDBq-III、PCBA1BP、Ir(tBuppm)2(acac)，形成發光層1213。其厚度為20nm。
藉由在發光層1213上以得到2mDBTPDBq- III：Ir(tppr)2(dpm)=1：0.06(重量比)的方式共蒸鍍2mDBTPDBq-III和Ir(tppr)2(dpm)，形成發光層1313。其厚度為20nm。
在發光層1313上以15nm的厚度形成2mDBTPDBq-III，形成電子傳輸層1214a。
在電子傳輸層1214a上以15nm的厚度形成BPhen，形成電子傳輸層1214b。
在電子傳輸層1214b上以1nm的厚度蒸鍍氟化鋰(LiF)，形成電子注入層1215。
在電子注入層1215上以得到銀：鎂=10：1(體積比)的方式以15nm的厚度形成銀和鎂，形成包含銀及鎂(AgMg)的膜作為到電層1105。
在導電層1105上藉由濺射法以70nm的厚度形成氧化銦錫(ITO)，形成具有透光性的電極1103。
藉由上述製程，製造本實施例中使用的發光元件B及發光元件R。
另外，在上述的蒸鍍過程中，藉由電阻加熱法進行所有的蒸鍍。
圖表1示出藉由上述方式得到的發光元件B及發光元件R的元件結構。
在氮氛圍的手套箱中，以不使發光元件暴露於大氣的方式使用玻璃基板對發光元件B及發光元件R進行密封。
接著，藉由將彩色濾光層CF(B)重合於發光元件B並將彩色濾光層CF(R)重合於發光元件R，製造像素B及像素R。
作為彩色濾光層CF(B)的材料使用CB-7001W(富士膠片株式會社製造)，作為彩色濾光層CF(R)的材料使用CB-7001W(富士膠片株式會社製造)，在將上述材料塗敷在玻璃基板上之後，以220℃進行1小時的焙燒而形成彩色濾光層CF(B)及彩色濾光層CF(R)。另外，其厚度為1.3至1.4μm。另外，藉由利用旋塗法將彩色濾光材料塗敷在玻璃基板上，將形成彩色濾光層CF(B)時的旋塗法的旋轉數設定為2000rpm，並將形成彩色濾光層CF(R)時的旋塗法的旋轉數設定為500rpm。
圖7示出彩色濾光層CF(B)及彩色濾光層CF(R)的波長與透射率的關係。在圖7中，以粗虛線表示彩色濾光層CF(B)，以粗實線表示彩色濾光層CF(R)。以來自光源的透射玻璃基板的光為100%，使用U-4000記錄式分光光度計(日立高新技術公司製造)進行透射率的測量。
從圖7可知：在可見光區(380nm至680nm)中，彩色濾光層CF(B)的透射率為50%以上的波長範圍為410nm至516nm，其中心波長為463nm。此外，在可見光 區(380nm至680nm)中，彩色濾光層CF(R)的透射率為50%以上的波長範圍為602nm至680nm，其中心波長為641nm。
在本實施例所示的像素B中，將具有反射性的電極1101與發光層1113之間的光程設定為透射彩色濾光層CF(B)的光的波長範圍的中心波長的1/4。注意，以折射率×長度(膜厚度)算出光程。在本實施例中，圖表2示出用來算出發光元件B的光程的各層的厚度、波長463nm附近的折射率以及算出的光程。
從圖表2可知：在發光元件B中，離電洞注入層1111的介面13nm附近的發光層1113的發光區與具有反射性的電極1101之間的光程相當於透射彩色濾光層CF(B)的光的中心波長(463nm)的1/4。
此外，在像素R中，藉由調節發光元件R的具有透光性的導電層1104的厚度，將具有反射性的電極1101和發光層1313之間的光程設定為透射彩色濾光層CF(R)的光的波長範圍的中心波長的3/4。在本實施例中，圖表3示出用來算出發光元件R的光程的各層的厚度、波長641nm附近的折射率以及算出的光程。
從圖表3可知：在發光元件R中，離發光層1213的介面18nm附近的發光層1313的發光區與具有反射性的電極1101之間的光程相當於透射彩色濾光層CF(R)的光的中心波長(641nm)的3/4。
以得到大約1000cd/m2的亮度的條件，在像素B及像素R中分別測量電流效率、CIE色品座標(x、y)以及電壓。另外，在室溫(保持25℃的氛圍)下進行測量。
在像素B中，電流效率為3cd/A，CIE色品座標為(x=0.14，y=0.07)，電壓為7.9V。在像素R中，電流效率為12cd/A，CIE色品座標為(x=0.67，y=0.33)，電壓為6.5V。
圖8的色品坐標示出像素B及像素R的色品。在圖8中，四角形的點表示像素B，圓形的點表示像素R，實線表示由NTSC制定的NTSC比。
由圖8可知，像素B及像素R都是從NTSC比的偏差少的色純度高的像素。
如上所示，可以確認到：藉由採用本發明的一個方式，能夠提供包括色純度高的像素的色再現性高的顯示裝置。
100‧‧‧基板
102‧‧‧電極
102a‧‧‧電極
102b‧‧‧電極
102c‧‧‧電極
104a‧‧‧導電層
104b‧‧‧導電層
104c‧‧‧導電層
106‧‧‧EL層
108‧‧‧電荷產生層
110‧‧‧EL層
112‧‧‧電極
112a‧‧‧電極
112a‧‧‧電極
112c‧‧‧電極
120‧‧‧發光層
122‧‧‧發光層
124‧‧‧發光層
126‧‧‧絕緣層
128‧‧‧對置基板
130a‧‧‧像素
130b‧‧‧像素
132a‧‧‧發光元件
132b‧‧‧發光元件
134a‧‧‧彩色濾光層
134b‧‧‧彩色濾光層
134c‧‧‧彩色濾光層
210‧‧‧EL層
230a‧‧‧像素
230b‧‧‧像素
230c‧‧‧像素
232a‧‧‧發光元件
232b‧‧‧發光元件
232c‧‧‧發光元件
401‧‧‧源極側驅動電路
402‧‧‧像素部
403‧‧‧閘極側驅動電路
404‧‧‧密封基板
405‧‧‧密封材料
407‧‧‧空間
408‧‧‧佈線
410‧‧‧元件基板
411‧‧‧絕緣膜
412a‧‧‧電晶體
412b‧‧‧電晶體
412c‧‧‧電晶體
413a‧‧‧電極
413b‧‧‧電極
413c‧‧‧電極
414‧‧‧絕緣物
415a‧‧‧導電層
415b‧‧‧導電層
415c‧‧‧導電層
417‧‧‧電極
418‧‧‧發光元件
418a‧‧‧發光元件
418b‧‧‧發光元件
418c‧‧‧發光元件
419‧‧‧絕緣膜
420a‧‧‧像素
420b‧‧‧像素
420c‧‧‧像素
423‧‧‧n通道型電晶體
424‧‧‧p通道型電晶體
431‧‧‧EL層
432‧‧‧電荷產生層
433‧‧‧EL層
434a‧‧‧彩色濾光層
434b‧‧‧彩色濾光層
434c‧‧‧彩色濾光層
1100‧‧‧基板
1101‧‧‧電極
1102‧‧‧電荷產生層
1103‧‧‧電極
1104‧‧‧導電層
1105‧‧‧導電層
1111‧‧‧電洞注入層
1112‧‧‧電洞傳輸層
1113‧‧‧發光層
1114a‧‧‧電子傳輸層
1114b‧‧‧電子傳輸層
1115a‧‧‧電子注入層
1115b‧‧‧電子注入層
1212‧‧‧電洞傳輸層
1213‧‧‧發光層
1214a‧‧‧電子傳輸層
1214b‧‧‧電子傳輸層
1215‧‧‧電子注入層
1313‧‧‧發光層
2701‧‧‧外殼
2703‧‧‧外殼
2705‧‧‧顯示部
2707‧‧‧顯示部
2711‧‧‧軸部
2721‧‧‧電源開關
2723‧‧‧操作鍵
2725‧‧‧揚聲器
2800‧‧‧外殼
2801‧‧‧外殼
2802‧‧‧顯示面板
2803‧‧‧揚聲器
2804‧‧‧麥克風
2805‧‧‧操作鍵
2806‧‧‧指向裝置
2807‧‧‧影像拍攝用透鏡
2808‧‧‧外部連接端子
2810‧‧‧太陽能電池單元
2811‧‧‧外部儲存槽
3001‧‧‧主體
3002‧‧‧外殼
3003‧‧‧顯示部
3004‧‧‧鍵盤
3021‧‧‧主體
3022‧‧‧觸控筆
3023‧‧‧顯示部
3024‧‧‧操作按鈕
3025‧‧‧外部介面
3051‧‧‧主體
3053‧‧‧取景器部
3054‧‧‧操作開關
3056‧‧‧電池
9601‧‧‧外殼
9603‧‧‧顯示部
9605‧‧‧支架
在圖式中：圖1A、1B1及1B2為說明顯示裝置的圖；圖2A、2B1至2B3為說明顯示裝置的圖； 圖3為說明顯示裝置的圖；圖4A及4B為說明顯示裝置的圖；圖5A至5F為說明顯示裝置的使用方式的一個例子的圖；圖6為說明在實施例中使用的發光元件的結構的圖；圖7為示出在實施例中使用的彩色濾光層的波長與透射率的關係的圖；圖8為示出在實施例中製造的顯示裝置的特性的圖。
100‧‧‧基板
102a，102b，102c‧‧‧電極
104a，104b，104c‧‧‧導電層
106‧‧‧EL層
108‧‧‧電荷產生層
112‧‧‧電極
126‧‧‧絕緣層
128‧‧‧對置基板
134a，134b，134c‧‧‧彩色濾光層
210‧‧‧EL層
230a，230b，230c‧‧‧像素
232a，232b，232c‧‧‧發光元件

Claims (15)

  1. 一種發光裝置，包括：第一元件，包括：第一彩色濾光層；以及第一發光元件，其中該第一發光元件包括：第一具有反射性的電極；該第一具有反射性的電極上的第一發光層；以及該第一發光層上的第二發光層，及第二元件，包括：第二彩色濾光層；以及第二發光元件，其中該第二發光元件包括：第二具有反射性的電極；該第二具有反射性的電極上的第一具有透光性的導電層；該第一具有透光性的導電層上的該第一發光層；以及該第一發光層上的該第二發光層，其中該第一元件中的該第一具有反射性的電極與該第一發光層之間的第一光程係由在可見光區中該第一彩色濾光層的透射率為50%以上的第一波長範圍決定，該第二元件中的該第二具有反射性的電極與該第二發光層之間的第二光程係由在該可見光區中該第二彩色濾光 層的透射率為50%以上的第二波長範圍決定，並且該第一發光層發射的光的顏色的波長比該第二發光層發射的光的顏色的波長短。
  2. 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該第一光程為該第一波長範圍的第一中心波長的1/4，其中該第二光程為該第二波長範圍的第二中心波長的3/4，及其中該第一中心波長比該第二中心波長短。
  3. 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該第一具有透光性的導電層含有選自由下列組成的群組之材料：氧化銦、氧化銦錫、氧化銦-氧化鋅合金、氧化鋅、含有鎵的氧化鋅、石墨烯、聚苯胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚噻吩(PEDOT)或其衍生物、由苯胺、吡咯及噻吩中的兩種以上構成的共聚物或其衍生物。
  4. 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該第一發光元件在該第一具有反射性的電極與該第一發光層之間還包括第二具有透光性的導電層，並且該第二具有透光性的導電層的厚度與該第一具有透光性的導電層的厚度不同。
  5. 根據申請專利範圍第4項之發光裝置，其中該第二具有透光性的導電層含有選自由下列組成的群組之材料：氧化銦、氧化銦錫、氧化銦-氧化鋅合金、氧化鋅、含有鎵的氧化鋅、石墨烯、聚苯胺或其衍生物、聚吡咯或其衍 生物、聚噻吩(PEDOT)或其衍生物、由苯胺、吡咯及噻吩中的兩種以上構成的共聚物或其衍生物。
  6. 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該第一光程為該第一具有反射性的電極的表面與該第一發光層的下表面之間的光程以上及該第一具有反射性的電極的該表面與該第一發光層的上表面之間的光程以下，並且該第二光程為該第二具有反射性的電極的表面與該第二發光層的下表面之間的光程以上及該第二具有反射性的電極的表面與該第二發光層的上表面之間的光程以下。
  7. 一種發光裝置，包括：第一元件，包括：第一彩色濾光層；以及第一發光元件，其中該第一發光元件包括：第一具有反射性的電極；該第一具有反射性的電極上的第一發光層；該第一發光層上的第二發光層；以及該第二發光層上的第三發光層，第二元件，包括：第二彩色濾光層；以及第二發光元件，其中該第二發光元件包括： 第二具有反射性的電極；該第二具有反射性的電極上的第一具有透光性的導電層；該第一具有透光性的導電層上的該第一發光層；該第一發光層上的該第二發光層；以及該第二發光層上的該第三發光層，及第三元件，包括：第三彩色濾光層；以及第三發光元件，其中該第三發光元件包括：第三具有反射性的電極；該第三具有反射性的電極上的第二具有透光性的導電層；該第二具有透光性的導電層上的該第一發光層；該第一發光層上的該第二發光層；以及該第二發光層上的該第三發光層，其中該第一元件中的該第一具有反射性的電極與該第一發光層之間的第一光程係由在可見光區中該第一彩色濾光層的透射率為50%以上的第一波長範圍決定，該第二元件中的該第二具有反射性的電極與該第二發光層之間的第二光程係由在該可見光區中該第二彩色濾光層的透射率為50%以上的第二波長範圍決定，該第三元件中的該第三具有反射性的電極與該第三發光層之間的第三光程係由在該可見光區中該第三彩色濾光 層的透射率為50%以上的第三波長範圍決定，該第一發光層發射的光的顏色的波長比該第二發光層發射的光的顏色的波長短，該第二發光層發射的光的顏色的波長比該第三發光層發射的光的顏色的波長短，並且該第一具有透光性的導電層的厚度與該第二具有透光性的導電層的厚度不同。
  8. 根據申請專利範圍第7項之發光裝置，其中該第一光程為該第一波長範圍的第一中心波長的1/4，其中該第二光程為該第二波長範圍的第二中心波長的3/4，其中該第三光程為該第三波長範圍的第三中心波長的5/4，其中該第一中心波長比該第二中心波長短，及其中該第二中心波長比該第三中心波長短。
  9. 根據申請專利範圍第7項之發光裝置，其中該第一具有透光性的導電層含有選自由下列組成的群組之材料：氧化銦、氧化銦錫、氧化銦-氧化鋅合金、氧化鋅、含有鎵的氧化鋅、石墨烯、聚苯胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚噻吩(PEDOT)或其衍生物、由苯胺、吡咯及噻吩中的兩種以上構成的共聚物或其衍生物，並且該第二具有透光性的導電層含有選自由下列組成的群組之材料：氧化銦、氧化銦錫、氧化銦-氧化鋅合 金、氧化鋅、含有鎵的氧化鋅、石墨烯、聚苯胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚噻吩(PEDOT)或其衍生物、由苯胺、吡咯及噻吩中的兩種以上構成的共聚物或其衍生物。
  10. 根據申請專利範圍第7項之發光裝置，其中該第一發光元件在該第一具有反射性的電極與該第一發光層之間還包括第三具有透光性的導電層，並且該第三具有透光性的導電層的厚度與該第一具有透光性的導電層及該第二具有透光性的導電層的厚度不同。
  11. 根據申請專利範圍第10項之發光裝置，其中該第三具有透光性的導電層含有選自由下列組成的群組之材料：氧化銦、氧化銦錫、氧化銦-氧化鋅合金、氧化鋅、含有鎵的氧化鋅、石墨烯、聚苯胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚噻吩(PEDOT)或其衍生物、由苯胺、吡咯及噻吩中的兩種以上構成的共聚物或其衍生物。
  12. 根據申請專利範圍第1或7項之發光裝置，其在該第一發光層與該第二發光層之間還包括電荷產生層。
  13. 根據申請專利範圍第1或7項之發光裝置，其在該第二發光層上還包括具有透光性的電極。
  14. 根據申請專利範圍第7項之發光裝置，其中該第一光程為該第一具有反射性的電極的表面與該第一發光層的下表面之間的光程以上及該第一具有反射性的電極的表面與該第一發光層的上表面之間的光程以 下，該第二光程為該第二具有反射性的電極的表面與該第二發光層的下表面之間的光程以上及該第二具有反射性的電極的表面與該第二發光層的上表面之間的光程以下，並且該第三光程為該第三具有反射性的電極的表面與該第三發光層的下表面之間的光程以上及該第三具有反射性的電極的表面與該第三發光層的上表面之間的光程以下。
  15. 根據申請專利範圍第1或7項之發光裝置，其中該發光裝置為顯示裝置。
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Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI264121B (en) 2001-11-30 2006-10-11 Semiconductor Energy Lab A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device
KR101880183B1 (ko) 2011-02-11 2018-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 표시 장치
US8957442B2 (en) * 2011-02-11 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
KR101894898B1 (ko) 2011-02-11 2018-09-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기
TWI647973B (zh) 2011-02-11 2019-01-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、發光裝置以及顯示裝置
KR101960759B1 (ko) 2011-04-08 2019-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR101970675B1 (ko) 2011-08-04 2019-04-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 조명 장치
US8969154B2 (en) * 2011-08-23 2015-03-03 Micron Technology, Inc. Methods for fabricating semiconductor device structures and arrays of vertical transistor devices
DE112012003638B4 (de) * 2011-08-31 2023-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät, Beleuchtungsvorrichtung und heterozyklische Verbindung
US9721998B2 (en) 2011-11-04 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
KR101993346B1 (ko) * 2012-02-16 2019-06-26 엘지이노텍 주식회사 조명 장치 및 그의 설계 방법
GB2505499B (en) 2012-09-03 2017-03-08 Dst Innovations Ltd Electroluminescent displays and lighting
KR101980758B1 (ko) 2012-12-14 2019-08-28 엘지디스플레이 주식회사 Oled 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN103268921B (zh) * 2012-12-31 2016-04-20 上海天马微电子有限公司 制造woled的方法、woled及显示设备
JP6099420B2 (ja) 2013-02-08 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
CN104009172A (zh) * 2013-02-26 2014-08-27 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
KR102178256B1 (ko) * 2013-03-27 2020-11-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR20140141755A (ko) * 2013-05-30 2014-12-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법
KR102100765B1 (ko) * 2013-06-04 2020-04-14 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법
TWI685128B (zh) 2013-10-16 2020-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、發光裝置、電子裝置及照明裝置
JP6219696B2 (ja) * 2013-11-27 2017-10-25 株式会社ジャパンディスプレイ 発光表示装置及び発光表示装置の製造方法
KR101657954B1 (ko) 2014-02-05 2016-09-21 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 어셈블리 및 이를 포함하는 표시 장치
US9929368B2 (en) 2014-02-06 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, lighting device, and electronic appliance
CN105981477B (zh) * 2014-02-21 2019-03-15 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置
CN111524967B (zh) * 2014-02-21 2024-07-12 株式会社半导体能源研究所 半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备
TWI754193B (zh) 2014-04-30 2022-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、發光裝置、照明裝置、及電子設備
TWI745740B (zh) 2014-05-15 2021-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、發光裝置、電子裝置以及照明設備
KR102415654B1 (ko) * 2014-05-16 2022-06-30 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102196082B1 (ko) * 2014-05-16 2020-12-29 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
US9874775B2 (en) 2014-05-28 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
KR102233943B1 (ko) 2014-06-09 2021-04-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102377360B1 (ko) * 2014-08-08 2022-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 조명 장치, 표시 장치, 디스플레이 패널, 전자 기기
US9343691B2 (en) 2014-08-08 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
JP2016072250A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器、及び照明装置
WO2016063169A1 (en) * 2014-10-23 2016-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element
US9627650B2 (en) 2014-10-24 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Multiple light-emitting element device each with varying wavelength
US9660220B2 (en) * 2014-10-24 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Multiple light-emitting element device
KR102228477B1 (ko) * 2014-10-31 2021-03-15 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR101772437B1 (ko) * 2014-12-03 2017-08-30 경희대학교 산학협력단 용액공정을 통해 형성된 전하 생성층을 사용한 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR102543330B1 (ko) 2015-02-25 2023-06-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR102381287B1 (ko) * 2015-04-24 2022-03-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101872981B1 (ko) * 2015-12-17 2018-08-03 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
US10340470B2 (en) 2016-02-23 2019-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting apparatus
CN105742329A (zh) * 2016-03-07 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法和显示装置
JP6921575B2 (ja) 2016-03-30 2021-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル
KR102528355B1 (ko) * 2016-05-11 2023-05-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 장치
WO2017199142A1 (en) 2016-05-20 2017-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device
CN115719570A (zh) 2016-11-30 2023-02-28 株式会社半导体能源研究所 显示装置及电子装置
US10529780B2 (en) * 2017-02-28 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
TWI759289B (zh) * 2017-03-21 2022-04-01 晶元光電股份有限公司 發光元件
DE112018002586B4 (de) 2017-05-19 2023-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Elektronische Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
CN109103214B (zh) 2017-06-20 2020-11-06 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置
KR102437327B1 (ko) * 2017-12-27 2022-08-29 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
US11251430B2 (en) 2018-03-05 2022-02-15 The Research Foundation For The State University Of New York ϵ-VOPO4 cathode for lithium ion batteries
JPWO2019220283A1 (ja) 2018-05-18 2021-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器および照明装置
CN108695444B (zh) * 2018-05-30 2020-10-16 云谷（固安）科技有限公司 显示器件及其制作方法
CN109638037B (zh) * 2018-11-15 2021-04-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种全彩化显示模块及其制作方法
CN109671871A (zh) * 2018-12-20 2019-04-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 用于制造有机发光显示装置的封装结构的方法
US11903232B2 (en) 2019-03-07 2024-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device comprising charge-generation layer between light-emitting units
CN110299389B (zh) * 2019-06-26 2021-06-04 合肥视涯技术有限公司 一种有机发光显示装置
JP7417828B2 (ja) * 2019-11-21 2024-01-19 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 電子機能用成形体及びその製造方法、並びに電子機能用成形体を用いた操作装置
CN110943117B (zh) * 2019-12-25 2023-05-26 合肥视涯显示科技有限公司 一种有机发光显示装置
CN113130780A (zh) * 2019-12-31 2021-07-16 Tcl集团股份有限公司 复合薄膜及其制备方法和发光二极管
CN111584597B (zh) * 2020-05-26 2021-10-15 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
KR102528370B1 (ko) * 2020-12-21 2023-05-02 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
WO2023084588A1 (ja) * 2021-11-09 2023-05-19 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 発光デバイスおよびその製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI255669B (en) * 2003-09-19 2006-05-21 Sony Corp Display device, manufacturing method thereof, organic light emitting device, and manufacturing method thereof
US20070176161A1 (en) * 2005-01-21 2007-08-02 Satoshi Seo Light emitting device
CN100361311C (zh) * 2002-10-04 2008-01-09 索尼公司 显示装置和采用该显示装置的单元
US7710025B2 (en) * 1999-11-22 2010-05-04 Sony Corporation Display device using an organic electroluminescence device having resonant cavity

Family Cites Families (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4942867B2 (ja) * 1999-09-17 2012-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置及び電子装置
TW478019B (en) 1999-10-29 2002-03-01 Semiconductor Energy Lab Self light-emitting device
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4156431B2 (ja) * 2002-04-23 2008-09-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法
US6737800B1 (en) 2003-02-18 2004-05-18 Eastman Kodak Company White-emitting organic electroluminescent device with color filters and reflective layer for causing colored light constructive interference
JP4526776B2 (ja) 2003-04-02 2010-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
JP2005317506A (ja) 2004-03-31 2005-11-10 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
WO2005109964A1 (ja) * 2004-04-21 2005-11-17 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US7023013B2 (en) * 2004-06-16 2006-04-04 Eastman Kodak Company Array of light-emitting OLED microcavity pixels
US7554265B2 (en) 2004-06-25 2009-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2006295104A (ja) 2004-07-23 2006-10-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子およびそれを用いた発光装置
EP1624502B1 (en) 2004-08-04 2015-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, and electronic appliance
CN101841002B (zh) 2004-09-24 2011-11-16 株式会社半导体能源研究所 发光器件
CN101027942B (zh) 2004-09-24 2010-06-16 株式会社半导体能源研究所 发光器件
JP4879541B2 (ja) 2004-09-29 2012-02-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US7753751B2 (en) 2004-09-29 2010-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating the display device
KR101239161B1 (ko) 2004-09-30 2013-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자
WO2006049334A1 (en) 2004-11-05 2006-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device using the same
WO2006049323A1 (en) 2004-11-05 2006-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and light emitting device using the same
US8633473B2 (en) 2004-12-28 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. High contrast light emitting device and method for manufacturing the same
US7851989B2 (en) 2005-03-25 2010-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4507964B2 (ja) * 2005-04-15 2010-07-21 ソニー株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
US7271537B2 (en) 2005-04-15 2007-09-18 Sony Corporation Display device and a method of manufacturing the display device
JP4797438B2 (ja) * 2005-05-17 2011-10-19 ソニー株式会社 有機電界発光素子および表示装置
JP4677822B2 (ja) * 2005-04-22 2011-04-27 セイコーエプソン株式会社 エレクトロルミネッセンス装置、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器
US8269227B2 (en) 2005-06-09 2012-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
US8729795B2 (en) 2005-06-30 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
US8102111B2 (en) * 2005-07-15 2012-01-24 Seiko Epson Corporation Electroluminescence device, method of manufacturing electroluminescence device, and electronic apparatus
US20070018182A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 Goldeneye, Inc. Light emitting diodes with improved light extraction and reflectivity
KR100703091B1 (ko) * 2005-09-08 2007-04-06 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
JP2007108249A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Sony Corp 表示装置及びその駆動方法
JP2007108248A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Sony Corp 表示装置
JP4441883B2 (ja) * 2005-12-06 2010-03-31 ソニー株式会社 表示装置
US20080042146A1 (en) * 2006-08-18 2008-02-21 Cok Ronald S Light-emitting device having improved ambient contrast
JP2008078038A (ja) * 2006-09-22 2008-04-03 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法
JP2009043684A (ja) 2007-08-10 2009-02-26 Toyota Industries Corp 白色発光有機ｅｌ（エレクトロルミネッセンス）素子及びその色度調整方法
JP2009049223A (ja) 2007-08-21 2009-03-05 Seiko Epson Corp 発光装置
JP2009064605A (ja) * 2007-09-05 2009-03-26 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置及び電子機器
JP4858379B2 (ja) 2007-09-18 2012-01-18 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
US7868528B2 (en) * 2007-10-18 2011-01-11 Seiko Epson Corporation Light emitting device with translucent semi-reflection layer and electronic apparatus
US8063552B2 (en) * 2007-10-22 2011-11-22 Global Oled Technology Llc LED device having improved light output
JP2009266459A (ja) 2008-04-23 2009-11-12 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置および電子機器
JP2009266524A (ja) 2008-04-24 2009-11-12 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置
EP2120275A3 (en) 2008-05-16 2012-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Light-emitting element, lighting apparatus, light-emitting device, electronic appliance, and display
KR100932940B1 (ko) * 2008-05-28 2009-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
US8138505B2 (en) 2008-06-02 2012-03-20 Seiko Epson Corporation Light-emitting device, display apparatus, and electronic system
JP2009295305A (ja) * 2008-06-02 2009-12-17 Seiko Epson Corp 発光素子、表示装置および電子機器
JP2010003577A (ja) 2008-06-20 2010-01-07 Canon Inc 積層型発光表示装置
JP2010067482A (ja) 2008-09-11 2010-03-25 Fujifilm Corp 有機ｅｌ表示装置
CN102160183B (zh) * 2008-09-17 2014-08-06 夏普株式会社 半导体装置
JP5314393B2 (ja) * 2008-11-26 2013-10-16 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20100068617A (ko) * 2008-12-15 2010-06-24 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자
JP2010287484A (ja) * 2009-06-12 2010-12-24 Sony Corp 有機発光素子、並びにこれを備えた表示装置および照明装置
EP2449594B1 (en) * 2009-06-30 2019-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2011027959A (ja) 2009-07-24 2011-02-10 Renesas Electronics Corp ガンマ補正電源回路、及びガンマ補正電源回路のデータ設定方法
JP5458728B2 (ja) * 2009-07-29 2014-04-02 住友化学株式会社 発光装置
KR101058109B1 (ko) 2009-09-15 2011-08-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
CN102474938B (zh) * 2009-09-29 2015-09-09 株式会社日本有机雷特显示器 发光元件以及使用该发光元件的显示装置
JP5676867B2 (ja) 2009-09-29 2015-02-25 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5407910B2 (ja) * 2010-01-29 2014-02-05 ソニー株式会社 発光装置、照明装置および表示装置
JP5407907B2 (ja) 2010-01-29 2014-02-05 ソニー株式会社 発光素子、照明装置および表示装置
KR101880183B1 (ko) 2011-02-11 2018-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 표시 장치
TWI647973B (zh) 2011-02-11 2019-01-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、發光裝置以及顯示裝置
US8957442B2 (en) * 2011-02-11 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
JP2012199231A (ja) * 2011-03-04 2012-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7710025B2 (en) * 1999-11-22 2010-05-04 Sony Corporation Display device using an organic electroluminescence device having resonant cavity
CN100361311C (zh) * 2002-10-04 2008-01-09 索尼公司 显示装置和采用该显示装置的单元
TWI255669B (en) * 2003-09-19 2006-05-21 Sony Corp Display device, manufacturing method thereof, organic light emitting device, and manufacturing method thereof
US20070176161A1 (en) * 2005-01-21 2007-08-02 Satoshi Seo Light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
CN102637829B (zh) 2016-05-11
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CN102637829A (zh) 2012-08-15
US9935158B2 (en) 2018-04-03
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JP2019040867A (ja) 2019-03-14
US20150214273A1 (en) 2015-07-30
JP2012182126A (ja) 2012-09-20
US9461092B2 (en) 2016-10-04
US20210296617A1 (en) 2021-09-23
US20170084670A1 (en) 2017-03-23
CN105762167B (zh) 2019-11-12
EP2487719A3 (en) 2018-02-07
US10461134B2 (en) 2019-10-29
JP2017041453A (ja) 2017-02-23
US11031439B2 (en) 2021-06-08
US20120205686A1 (en) 2012-08-16
KR20180100511A (ko) 2018-09-11
US20200052042A1 (en) 2020-02-13
KR102071546B1 (ko) 2020-01-30
KR20190120734A (ko) 2019-10-24
JP2024038284A (ja) 2024-03-19
TW201241745A (en) 2012-10-16
EP2487719A2 (en) 2012-08-15
EP2487719B1 (en) 2020-02-05
US20180219048A1 (en) 2018-08-02
KR101896458B1 (ko) 2018-09-07

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