KR20100068617A - 유기전계발광소자 - Google Patents

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KR20100068617A
KR20100068617A KR1020080127027A KR20080127027A KR20100068617A KR 20100068617 A KR20100068617 A KR 20100068617A KR 1020080127027 A KR1020080127027 A KR 1020080127027A KR 20080127027 A KR20080127027 A KR 20080127027A KR 20100068617 A KR20100068617 A KR 20100068617A
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Abstract

본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로, 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 유기 발광층을 포함하고, 상기 유기 발광층은 적어도 2개의 발광층들을 구비하며, 상기 발광층들 사이에 금속층과 P-type 화합물층으로 적층된 구조의 전하 발생층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
유기전계발광소자, OLED, 전압, Tandem, 효율

Description

유기전계발광소자 {Organic Light Emitting Device}
본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로, 특히 유기전계발광소자의 발광 효율 및 투과율을 향상할 수 있는 유기전계발광소자에 관한 것이다.
다양한 정보를 화면으로 구현해 주는 영상 표시 장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 이에 음극선관(CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 평판 표시 장치로 유기 발광층의 발광량을 제어하여 영상을 표시하는 유기전계발광 표시장치 등이 각광 받고 있다. 유기전계발광 표시장치는 전극 사이의 얇은 발광층을 이용한 자발광 소자로 종이와 같이 박막화가 가능하다는 장점을 갖고 있다.
액티브 매트릭스 유기전계발광(AM유기전계발광) 표시장치는 3색(R, G, B) 서브 화소로 구성된 화소들이 매트릭스 형태로 배열되어 화상을 표시하게 된다. 각 서브 화소는 유기전계발광소자와, 그 유기전계발광소자를 독립적으로 구동하는 셀 구동부를 구비한다. 셀 구동부는 적어도 2개의 박막 트랜지스터와 스토리지 커패시터를 포함하여 데이터 신호에 따라 유기전계발광 표시장치로 공급되는 전류량을 제어하여 유기전계발광 표시장치의 밝기를 제어한다.
종래의 유기전계발광소자는 캐소드 전극과, 유기 발광층과, 애노드 전극으로 구성되며, 유기 발광층은 정공 주입층(hole injection layer: HIL), 정공 수송층(hole transporting layer: HTL), 발광층(emission layer: EML), 전자 수송층(electron transporting layer: ETL), 전자 주입층(electron injection layer: EIL)으로 구성된다. 그러나 상기와 같은 구조의 채용에 의해 우수한 발광효율을 나타내지 못하고 있어, 발광효율을 개선하기 위해 많은 연구가 진행되고 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하는 방안으로 최근에는 캐소드와 애노드 전극 사이에 적어도 하나의 발광층을 구비한 적어도 2개의 유기 발광층을 적층한 구조의 탠덤(tandem) 구조의 유기전계발광소자가 개발되었다.
그러나, 탠덤(tandem) 구조의 유기전계발광소자는 발광층 두께 증가에 따른 전체적인 광간섭 효과에 의해 색 조절이 어려울 뿐만 아니라 투과율이 저해되며, 제조 공정이 복잡하다. 더욱이, 유기전계발광소자의 두께가 두꺼워짐에 따라 구동전압이 상승하여 원하는 발광효율을 기대할 수 없다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 발광 효율 및 투과율을 향상시키는 유기전계발광소자를 제공하는데 목적이 있다.
본 발명에 따른 유기전계발광소자는 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 유기 발광층을 포함하고, 상기 유기 발광층은 적어도 2개의 발광층들을 구비하며, 상기 발광층들 사이에 금속층과 P-type 화합물층으로 적층된 구조의 전하 발생층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 유기 발광층은 상기 제 1 전극 상에 제 1 전공 주입층과, 제 1 정공 수송층과, 제 1 발광층과, 제 1 전자 수송층과, 상기 전하 발생층과, 제 2 정공 수송층과, 제 2 발광층과, 제 2 전자 수송층을 순차적으로 적층한 구조로 형성된다.
상기 금속층은 Cs, Li, Ca 중 하나로 형성되고, 상기 P-type 화합물층은 MoO3층 또는 F4TCNQ로 형성된다.
그리고, 상기 금속층은 10Å~30Å의 두께로 형성되고, 상기 P-type 화합물층은 50Å~100Å의 두께로 형성된다.
상기 전하 발생층은 상기 제 1 전자 수송층과 상기 제 2 정공 수송층 사이에 형성된다.
상기 유기 발광층은 상기 전하 발생층과 상기 제 2 정공 수송층 사이에 제 2 정공 주입층을 더 포함한다.
상기 P-Type 화합물층의 최저 비점유 분자궤도 에너지 레벨은 인접한 상기 제 2 정공 주입층의 최고 점유 분자궤도 에너지 레벨보다 작다.
또는, 상기 P-Type 화합물층의 최저 비점유 분자궤도 에너지 레벨은 인접한 상기 제 2 정공 수송층의 최고 점유 분자궤도 에너지 레벨보다 작다.
상기 금속층은 상기 제 1 전자 수송층 상에 별도의 층으로 형성되거나 도핑을 통해 상기 제 1 전자 수송층과 하나의 층으로 형성된다.
상기 제 1 전극은 애노드 전극이고, 상기 제 2 전극은 캐소드 전극이다.
본 발명에 따른 유기전계발광소자는 발광층과 발광층 사이에 전하 발생층을 형성함으로써 발광효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기전계발광소자는 전하 발생층으로 P-타입 화합물층과 금속층이 적층된 구조를 사용함으로써, 저전압으로 구동되는 유기전계발광소자를 제공할 수 있다.
더욱이, 전하 발생층으로 P-타입 화합물층을 사용함으로써, 산화율을 감소시키므로 유기전계발광소자의 신뢰성 향상 및 수명을 연장시킬 수 있다.
또한, 전하 발생층의 금속층으로 알루미늄을 사용하지 않음으로써, 투과율을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 통해 본 발명에 따른 유기전계발광소자를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자를 도시한 단면도이다.
본 발명에 따른 유기전계발광소자는 제 1 전극(120)과 제 2 전극(190) 사이의 유기 발광층(150)을 포함하고, 유기 발광층(150)은 적어도 2개의 발광층들(126, 136)을 포함하며, 발광층들(126, 136) 사이에 전하 발생층(170)을 구비한다.
유기 발광층(150)은 제 1 전극(120)과 제 2 전극(150)에서 각기 주입된 정공과 전자가 결합하여 형성된 액시톤이 기저상태로 떨어지면서 빛이 발광되는 층이다. 이러한 유기 발광층(138)은 일반적으로 정공 주입층(hole injection layer: HIL), 정공 수송층(hole transporting layer: HTL), 발광층(emission layer: EML), 전자 수송층(electron transporting layer: ETL), 전자 주입층(electron injection layer: EIL)으로 구성된다. 본 발명에 따른 유기 발광층(150)은 정공 주입층(122), 제 1 정공 수송층(124), 제 1 발광층(126), 제 1 전자 수송층(128), 전하 발생층(170), 제 2 전공 수송층(134), 제 2 발광층(136) 및 제 2 전자 수송층(138)을 포함한다.
더욱 자세히 살펴보면, 제 1 전극(120)과 제 2 전극(190) 사이에 제 1 정공 주입층(122), 제 1 정공 수송층(124), 제 1 발광층(126), 제 1 전자 수송층(128), 전하 발생층(170), 제 2 전공 주입층(미도시), 제 2 전공 수송층(134), 제 2 발광층(136) 및 제 2 전자 수송층(138)이 순차적으로 위치하는 탠덤(Temdem) 구조이다.
제 1 전극(120)은 정공 주입을 위한 전극으로 애노드(anode)일 수 있으며, 발광층들(126, 136)로부터의 발광된 빛이 소자 밖으로 나올 수 있도록 투명 도전층으로 형성됨이 바람직하다. 투명 도전층으로는 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide: ITO), 주석산화물(Tin Oxide: TO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide: IZO), 인듐주석아연산화물(Indium Tin Zinc Oxide: ITZO) 또는 이들의 조합으로 형성된다.
정공 주입층(122) 및 제 1, 2 정공 수송층(124, 134)은 제 1 전극(120)으로부터 공급된 정공을 제 1, 2 발광층(126, 136)에 전달하기 위한 것으로서, 양자효율을 높여 구동전압을 낮추는 역할을 한다. 따라서, 정공 주입층(122) 및 제 1, 2 정공 수송층(124, 134)은 최고 점유분자 궤도(Highest Occupied Molecular Orbital,HOMO)의 준위가 순차적으로 낮아지는 것이 바람직하다.
정공 주입층(122)은 구리 프탈로시아닌(copper phthalocyanine, CuPC)으로 형성할 수 있으며, 제 1, 2 정공 수송층(124, 134)은 α-NPD(4,4´-bis[N-(1-naphtil)-N-phenylamibi]biphenyl)로 형성할 수 있다. 또는, 공지된 정공 주입 및 수송 물질을 사용할 수 있다. 정공 주입층(122) 및 제 1, 2 정공 수송층(124, 134)은 인접된 층과 하나의 층으로서 정공주입 및 수송층을 이룰 수도 있으며, 각기 선택적으로 형성할 수 있다.
제 1, 2 정공 수송층(124, 134) 상에 제 1, 2 발광층(126, 136)이 위치한다.
제 1, 2 발광층(126, 136)은 호스트(host) 또는 도펀트(dopant)만으로 형성할 수 있으나, 효율 및 휘도가 매우 낮고 각 분자들끼리의 셀프-팩킹(self-packing)현상으로 인하여 각 분자의 고유한 특성 외에 엑사이머(eximer) 특성이 동시에 일어나기 때문에 바람직하지 못하다. 따라서, 제 1, 2 발광층(126, 136)은 주 로 호스트에 도펀트를 도핑하여 형성하게 되며, 이때, 여기자는 호스트에서 생성되어 도펀트로 전달되고, 도펀트 내에서 바닥상태로 떨어지면서 빛을 방출하게 된다.
제 1, 2 발광층(126, 136) 상에 제 1, 2 전자 수송층(128, 138)이 위치한다.
제 1, 2 전자 수송층(128, 138)은 전자주입의 에너지 장벽을 낮추어 전자 주입 및 수송을 원활하게 하기 위한 것으로, 선택적으로 형성할 수 있다. 제 1, 2 전자 수송층(128, 138)을 이루는 재료는 음극으로부터 주입된 전자를 안정하게 수송하는 기능을 하는 것으로서 옥사졸계 화합물, 이소옥사졸계 화합물, 트리아졸계 화합물, 이소티아졸(isothiazole)계 화합물, 옥사디아졸계 화합물, 티아다아졸(thiadiazole)계 화합물, 페릴렌(perylene)계 화합물, 알루미늄 착물(예: Alq3(트리스(8-퀴놀리놀라토)-알루미늄(tris(8-quinolinolato)-aluminium) BAlq, SAlq, Almq3, 갈륨 착물(예: Gaq'2OPiv,Gaq'2OAc, 2(Gaq'2))등과 같은 공지의 재료를 사용할 수 있다.
제 1, 2 전자 수송층(128, 138) 상부에 제 2 전극(190)으로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 기능을 가지는 물질인 전자 주입층(미도시)이 적층될 수 있으며 이는 특별히 재료가 제한되지 않는다. 전자 주입층으로서는 LiF, NaCl, CsF,Li2O, BaO, CsCO3와 BCP 혼합체 등과 같은 전자 주입층 형성 재료로서 공지된 임의의 물질을 이용할 수 있다.
제 1 발광층(126)과 제 2 발광층(136) 사이에 전하 발생층(CGL: charge generation layer; 170)이 위치한다. 구체적으로는, 제 1 전자 수송층(128)과 제 2 정공 수송층(134) 사이에 전하 발생층(CGL: charge generation layer; 170)이 위치한다.
전하 발생층(170)은 내부에서 전하 즉, 전자 및 정공을 생성시키는 층으로, 제 1, 2 발광층(126, 136)을 직렬로 연결한 구조 사이에 존재하여, 발광층에서 발생하는 전류 효율 (current efficiency)을 배로 증가시킨다. 본 발명에서 전하 발생층(170)은 금속층(172)과 P-type 화합물층(174)이 적층된 구조로 형성된다.
전하 발생층(170)의 금속층(172)은 전하 발생층(170) 내에 제공된 전자가 터널링에 의하여 제 1 발광층(126)으로 이동하기 위한 층으로, 제 1 전자 수송층(128) 상에 10Å~30Å의 두께로 형성된다. 금속층(172)으로 알루미늄(Al)과 같은 박막을 사용할 경우 두께 증가에 따른 광흡수도의 차이가 심하므로 두께조절이 중요해지며 그에 따라 구동전압이 상승하는 등 효율이 저하되고 투과율이 저하되어 바람직하지 않다. 따라서, 금속층(172)으로는 Cs, Li, Ca 등과 같은 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 즉, Cs, Li, Ca 등으로 금속층(172)을 형성할 경우 금속층(172)의 두께조절이 용이하고, 인접한 P-type 화합물층(174) 함께 전하분배를 원활하게 해주므로 구동 전압이 상승되는 것을 방지할 수 있다.
이러한 금속층(172)은 제 1 전자 수송층(128) 상부에 성막을 증착함으로써 별도의 층으로 형성되거나, 제 1 전자 수송층(128)과 동시에 증착하는 등 도핑(doping)하여 제 1 전자 수송층(128)과 하나의 층으로 형성될 수 있다.
P-type 화합물층(174)은 전하를 발생시키는 층으로, 금속층(172)과 제 2 전공 수송층(134) 사이에 50Å~100Å의 두께로 형성된다. P-type 화합물층(174)으로 는 MoO3층 또는 F4TCNQ 등을 들 수 있다. 이러한 P-type 화합물층(174)은 전압이 가해질 경우 산화-환원 반응이 발생하여 착체를 형성하여 전하를 발생시키는데, n-type 화합물보다 산화율이 낮아 전하 발생층(170)으로 바람직하다. 즉, P-type 화합물층(174)은 유기전계발광소자의 산화율을 감소시키므로 유기전계발광소자의 신뢰성 향상 및 수명을 연장시킬 수 있다.
여기서, P-Type 화합물층(174)의 최저 비점유 분자궤도(Lowest Unoccupied Molecular Orbital; LUMO) 에너지 레벨은 도 2에 도시된 바와 같이 제 1 전자 수송층(128)의 최고 점유 분자궤도(Highest Occupied Molecular Orbital; HOMO) 에너지 레벨보다 높고, 제 2 정공 수송층(134)의 최고 점유 분자궤도(HOMO) 에너지 레벨보다 낮다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광소자의 발광 메커니즘을 설명한다. 도면에 도시한 다이어그램의 상부는 최저 비점유 분자궤도인 LUMO를 나타내며, 하부는 최고 점유 분자궤도인 HOMO를 나타낸다.
제 1 전극(120)과 제 2 전극(190) 사이에 구동 전압보다 높은 전압이 인가되면, 제 1 전극(120)으로부터 정공이 제 1 정공 주입층(122)의 최고 점유 분자 궤도로 주입되어 제 1 발광층(126)으로 이동한다. 그리고, 제 2 전극(190)으로부터 전자는 제 2 전자 수송층(138)의 최저 비점유 분자 궤도로 주입되어 제 2 발광층(136)으로 이동한다.
이때, P-Type 화합물층(174)의 최저 비점유 분자궤도 에너지 레벨이 제 1 전 자 수송층(128)의 최고 점유 분자궤도 에너지 레벨보다 높으면, 제 1 전자 수송층(128)에 인접한 제 1 발광층(126)으로부터의 정공은 P-Type 화합물층(174) 및 제 2 정공 수송층(134)을 통해 제 2 발광층(136)으로 제공된다. 그리고, P-Type 화합물층(174)의 최저 비점유 분자궤도 에너지 레벨이 제 2 정공 수송층(134)의 최고 점유 분자궤도 에너지 레벨보다 낮으면 P-Type 화합물층(174)은 제 2 정공 수송층(134)에 인접한 제 2 발광층(136)으로부터 전자를 터널링 효과에 의하여 효과적으로 수용하여 제 1 전자 수송층(128)을 통해 제 1 발광층(126)에 전자를 제공한다.
전하 발생층(170)과 제 2 정공 수송층(134) 사이에 제 2 정공 주입층이 더 포함된 경우에는 전하 발생층(170)의 최저 비점유 분자궤도 에너지 레벨이 제 2 정공 주입층의 최고 점유 분자궤도 에너지 레벨보다 낮아야 함은 상술한 바와 같다.
이렇듯, 본 발명에 따른 유기전계발광소자는 발광층 사이에 금속층(172)과 P-type 화합물층(174)이 적층된 구조의 전하 발생층(170)을 형성함으로써, 전자 및 정공을 인접한 제 1 전자 수송층(128) 및 제 2 정공 수송층(134)을 통해 제 1 발광층(126) 및 제 2 발광층(136)에 각각 제공한다. 제공된 전자와 정공에 의하여 제 1, 2 발광층(126, 136) 내에는 각각 전자와 정공이 더 많이 생성된다.
그 결과, 제 1 전극(120)으로부터 공급받은 정공과 전하 발생층(170)에 의해 제공된 전자가 결합하여 더 많은 여기자를 형성한다. 그리고, 제 2 전극(190)으로부터 공급받은 전자와 전하 발생층(170)에 의해 제공된 정공이 결합하여 더 많은 여기자를 형성하며, 형성된 여기자는 바닥 상태로 떨어지면서 광을 방출하게 된다. 즉, 저전압, 고전류의 구동을 할 수 있는 것이다. 이와 같이 본 발명에 따른 유기전계발광소자는 발광 효율이 뛰어날 뿐만 아니라 금속층으로 알루미늄을 사용하지 않음으로써 투과율 등 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
제 2 전자 수송층(138) 상에 제 2 전극(190)이 위치한다.
제 2 전극(190)이)은 발광층(140)에 전자를 공급하는 음극(cathode, 캐소드)이며, 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 등을 들 수 있다. 또한 전면 발광소자를 얻기 위하여 ITO, IZO 등을 사용한 투과형 음극을 사용할 수도 있다.
하기의 표 1은 도 3a 내지 4에 도시된 본 발명에 따른 실시예와 비교예 1 내지 3에 따른 유기전계발광소자의 전기 광학적인 특성을 측정한 결과를 보인다.
전류밀도 전압
비교예 1 10㎃/㎠ 6V
비교예 2 20V 이상
비교예 3 20V 이상
실시예 1 2.9V
여기서, 비교예 1(a)은 도 3a에 도시된 다이어그램 중 단층구조의 일반적인 유기전계발광소자를 나타낸 것이며, 비교예 2(b)는 비교예 1(a)에서 전자 수송층(ETL)과 정공 수송층(HTL)의 위치를 바꾼 것이며, 비교예 3(c)은 전자 수송층(ETL)과 정공 수송층(HTL) 사이에 리튬(Li)으로 형성된 금속층이 개시된 유기전계발광소자를 나타낸다. 본 발명에 따른 실시예 1은 도 3b에 도시된 구조이다.
표 1의 실시예 및 비교예를 그래프로 나타내는 도 3을 참조하면, 전류밀도 10㎃/㎠에서 비교예 1은 구동 전압 6V이고 비교예 2 및 3은 20V 이상, 즉 절연상태로 되어 아무리 전압을 높게 하여도 전류가 흐르지 않음을 알 수 있다. 반면, 본 발명에 따른 실시예에서는 2.9V 즉, 비교예에 비하여 훨씬 낮은 전압으로 구동됨을 알 수 있다. 이렇듯, 본 발명에 따른 구조로 유기전계발광소자를 형성할 경우 저전압으로 구동되는 고효율의 유기전계발광소자를 구현할 수 있다.
이상에서 설명한 기술들은 현재 바람직한 실시예를 나타내는 것이고, 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것은 아니다. 실시예의 변경 및 다른 용도는 당업자들에게는 알 수 있을 것이며, 상기 변경 및 다른 용도는 본 발명의 취지 내에 포함되거나 또는 첨부된 청구범위의 범위에 의해 정의된다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자를 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 유기전계발광소자의 에너지 다이어그램이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 실시예와 비교예 1 내지 3에 따른 유기전계발광소자의 에너지 다이어그램이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자와 비교예 1 내지 3에 따른 유기전계발광소자의 전류-전압 곡선을 나타내는 그래프이다.
<<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>>
120: 제 1 전극 122: 제 1 정공 주입층
124: 제 1 정공 수송층 126: 제 1 발광층
128: 제 1 전자 수송층 134: 제 2 정공 수송층
136: 제 2 발광층 138: 제 2 전자 수송층
150: 유기 발광층 170: 전하 발생층
172: 금속층 174: P-Type 화합물층
190: 제 2 전극

Claims (10)

  1. 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 유기 발광층을 포함하고,
    상기 유기 발광층은 적어도 2개의 발광층들을 구비하며, 상기 발광층들 사이에 금속층과 P-type 화합물층으로 적층된 구조의 전하 발생층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 유기 발광층은 상기 제 1 전극 상에 제 1 전공 주입층과, 제 1 정공 수송층과, 제 1 발광층과, 제 1 전자 수송층과, 상기 전하 발생층과, 제 2 정공 수송층과, 제 2 발광층과, 제 2 전자 수송층을 순차적으로 적층한 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 금속층은 Cs, Li, Ca 중 하나로 형성되고,
    상기 P-type 화합물층은 MoO3층 또는 F4TCNQ로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 금속층은 10Å~30Å의 두께로 형성되고,
    상기 P-type 화합물층은 50Å~100Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 전하 발생층은 상기 제 1 전자 수송층과 상기 제 2 정공 수송층 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  6. 제 2 항에 있어서, 상기 유기 발광층은 상기 전하 발생층과 상기 제 2 정공 수송층 사이에 제 2 정공 주입층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 P-Type 화합물층의 최저 비점유 분자궤도 에너지 레벨은 인접한 상기 제 2 정공 주입층의 최고 점유 분자궤도 에너지 레벨보다 작은 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  8. 제 2 항에 있어서, 상기 P-Type 화합물층의 최저 비점유 분자궤도 에너지 레벨은 인접한 상기 제 2 정공 수송층의 최고 점유 분자궤도 에너지 레벨보다 작은 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  9. 제 2 항에 있어서, 상기 금속층은 상기 제 1 전자 수송층 상에 별도의 층으로 형성되거나 도핑을 통해 상기 제 1 전자 수송층과 하나의 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 애노드 전극이고,
    상기 제 2 전극은 캐소드 전극인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
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