TWI598294B - 聚醯胺亞醯胺高分子、石墨膜及其製備方法 - Google Patents
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Description
本揭露關於一種聚醯胺亞醯胺高分子,特別關於一種導入二酸酐之聚醯胺亞醯胺高分子及由該聚醯胺亞醯胺高分子所構成之石墨膜及其製備方法。
在電子產品不斷走向輕、薄、短、小之趨勢下,除了3C產品之散熱需求,在電池、儲能等產業,功率提高,散熱需求也隨之提升,由於人造石墨膜在平面方向具有很高的熱傳導值,可作為一種散熱零件,使用於各式發熱元件。
人造石墨膜的生產製作方式為使用特定之高分子膜材,分別經過1,000℃碳化(氮氣環境)與2,400℃石墨化(氬氣環境)處理,再進行後續輾壓製程,即可獲得石墨膜。
分析現有技術可發現,一般之聚醯胺亞醯胺膜(PAI film),在經高溫2,400℃熱處理後,由於石墨化度低,無法形成人造石墨膜。
根據本揭露一實施例,該聚醯胺亞醯胺高分子,具有如化學式(I)所示之化學結構:
化學式(I)中,X1包括 或;X2包括 或
;以及m:n=8:2~6:4。
根據本揭露另一實施例,本揭露提供一種石墨膜,對一聚醯胺亞醯胺高分子進行一熱處理製程所製備,其中該熱處理製程之溫度介於25~2,900℃,該聚醯胺亞醯胺高分子具有上述化學式(I)。
根據本揭露另一實施例,本揭露提供一種石墨膜之製備方法,包括:對一聚醯胺亞醯胺高分子進行一熱處理製程,以製備一石墨膜,其中該熱處理製程之溫度介於25~2,900℃,該聚醯胺亞醯胺高分子具有上述化學式(I)。
本揭露導入適當種類、比例(e.g.,若二酸酐比例過高,則無法塗佈成聚醯胺亞醯胺膜,若二酸酐比例過低,則此聚醯胺亞醯胺膜經高溫2,400℃以上溫度熱處理後,石墨化度低,無法形成一石墨膜)的二酸酐於聚醯胺亞醯胺中,可提高分子量,增加聚醯胺亞醯胺之成膜性及韌性,並可降低分子運動性而提高分子排列性,此外,可藉由增加聚醯胺亞醯胺膜之順向性而提升其雙折射率(例如0.04以上),並經由高溫2,400℃以上溫度的熱處理後,可獲得一石墨化度80%以上的人造石墨膜。
為讓本發明之上述目的、特徵及優點能更明顯易懂,下文特舉一較佳實施例,並配合所附的圖式,作詳細說明如下。
根據本揭露一實施例,本揭露提供一種聚醯胺亞醯胺(PAI)高分子,具有下列化學式(I):
化學式(I)中,X1可包括
(MDI)、(TODI)、
(NDI)、或
X2可包括(PMDA)、
(BTDA)、(ODPA)、
(BPDA)、 或
m與n的比例可介於8:2~6:4,或7.5:2.5~6.5:3.5。
根據本揭露另一實施例,本揭露提供一種石墨膜,對一聚醯胺亞醯胺(PAI)高分子進行一熱處理製程所製備。上述熱處理製程之溫度大體介於25~2,900℃。上述聚醯胺亞醯胺高分子具有下列化學式(I):
化學式(I)中,X1可包括
(MDI)、(TODI)、(NDI)、或
X2可包括(PMDA)、
(BTDA)、(ODPA)、
(BPDA)、 或
m與n的比例可介於8:2~6:4,或7.5:2.5~6.5:3.5。
上述構成石墨膜的聚醯胺亞醯胺高分子中,其X2
可包括(PMDA)、(BTDA)、
(ODPA)、(BPDA)、
或
至少其中之二,
例如,同時包括PMDA及BPDA,同時包括PMDA、BPDA及ODPA,或同時包括PMDA、BTDA及BPDA。
根據本揭露另一實施例,本揭露提供一種石墨膜之製備方法,包括:對一聚醯胺亞醯胺(PAI)高分子進行一熱處理製程,以製備一石墨膜。
上述熱處理製程之溫度大體介於25~2,900℃。
上述聚醯胺亞醯胺高分子具有下列化學式(I):
化學式(I)中,X1可包括
(MDI)、(TODI)、(NDI)、或
X2可包括(PMDA)、
(BTDA)、(ODPA)、
(BPDA)、 或
m與n的比例可介於8:2~6:4,或7.5:2.5~6.5:3.5。
上述熱處理製程可包括一碳化製程與一石墨化製程。
上述碳化製程之溫度大體介於25~1,300℃,上述石墨化製程之溫度大體介於1,800~2,900℃。
本揭露石墨膜之製備方法更包括導入氮氣、氫氣、氦氣或氬氣於碳化製程中,以及導入氬氣、氫氣或氦氣於石墨化製程中。
相較於傳統PAI,本揭露導入適當種類、比例(e.g.,若二酸酐比例過高,則無法塗佈成聚醯胺亞醯胺膜,若二酸酐比例過低,則此聚醯胺亞醯胺膜經高溫2,400℃以上溫度熱處理後,石墨化度低,無法形成一石墨膜)的二酸酐於聚醯胺亞醯胺中,可提高分子量,增加聚醯胺亞醯胺之成膜性及韌性,並可降低分子運動性而提高分子排列性,此外,可藉由增加聚醯胺亞醯胺膜之順向性而提升其雙折射率(例如0.04以上),並經由高溫2,400℃以上溫度的熱處理後,可獲得一石墨化度80%以上的人造石墨膜。
實施例1
本揭露石墨膜PAI-1之製備(聚醯胺亞醯胺高分子(X
1
=MDI,X
2
=PMDA+BPDA))
在室溫下,於2公升之四口反應器上架上攪拌器與加熱包,將153.60克的偏苯三甲酸酐(trimellitic anhydride,TMA)、24.96克的均苯四甲酸酐(pyromellitic dianhydride,PMDA)、67.20克的3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(3,3',4,4'-biphenyl tetracarboxylic dianhydride,BPDA)以及300.00克的二苯基甲烷二異氰酸酯(methylene diphenylene diisocyanate,MDI)溶入1637.00克的NMP溶劑中均勻攪拌。將溫度升至80℃,反應1小時,再將溫度升至120℃,反應2小時,再將溫度升至170℃,反應2小時。反應完成後,等其降至室溫,將溶液裝入PE瓶中密封保存。將此溶液(固含量為25.00wt%)塗佈於玻璃上,並以熱風烘箱進行乾燥,於80℃下,乾燥1小時,150℃下,乾燥1小時,200℃下,乾燥1小時,240℃下,乾燥12小時。待乾燥程序結束後降回室溫,再將其泡入水中進行脫膜。脫膜後,再進入熱風烘箱乾燥,於120℃下,乾燥3小時。之後,進行碳化製程。碳化製程:以混合保護氣氛予以保護(5~20%氫氣與80~95%氮氣,或是5~20%氫氣與80~95%氬氣及氦氣),處理溫度為25~1,300℃,升溫速率<10℃/min,升溫至1,300℃,碳化時間15小時以上,施加壓力10~15Kgf/cm2。之後,進行石墨化製程。石墨化製程:以保護氣氛氦氣或氬氣(純度6N以上)予以保護,處理溫度為1,800~2,800℃,升溫速率<10℃/min,升溫至2,800,石墨化時間8小時以上,施加壓力15~25Kgf/cm2。至此,即可獲得石墨膜PAI-1。之後,對石墨膜PAI-1進行有關
雙折射率與石墨化度的量測,結果載於下表1。
實施例2
本揭露石墨膜PAI-2之製備(聚醯胺亞醯胺高分子(X
1
=MDI,X
2
=PMDA+BPDA+ODPA))
在室溫下,於1公升之四口反應器上架上攪拌器與加熱包,將67.74克的偏苯三甲酸酐(trimellitic anhydride,TMA)、12.81克的均苯四甲酸酐(pyromellitic dianhydride,PMDA)、17.28克的3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(3,3',4,4'-biphenyl tetracarboxylic dianhydride,BPDA)、36.45克的4,4'-氧雙鄰苯二甲酸酐(4,4'-oxydiphthalic anhydride,ODPA)以及150.00克的二苯基甲烷二異氰酸酯(methylene diphenylene diisocyanate,MDI)溶入852.00克的NMP溶劑中均勻攪拌。將溫度升至80℃,反應1小時,再將溫度升至120℃,反應2小時,再將溫度升至170℃,反應2小時。反應完成後,等其降至室溫,將溶液裝入PE瓶中密封保存。將此溶液(固含量為25.00wt%)塗佈於玻璃上,並以熱風烘箱進行乾燥,於80℃下,乾燥1小時,150℃下,乾燥1小時,200℃下,乾燥1小時,240℃下,乾燥12小時。待乾燥程序結束後降回室溫,再將其泡入水中進行脫膜。脫膜後,再進入熱風烘箱乾燥,於120℃下,乾燥3小時。之後,進行碳化製程。碳化製程:以混合保護氣氛予以保護(5~20%氫氣與80~95%氮氣,或是5~20%氫氣與80~95%氬氣及氦氣),處理溫度為25~1,300℃,升溫速率<10℃/min,升溫至1,300℃,碳化時間15小時以上,施加壓力10~15Kgf/cm2。之後,進行石墨化製程。石墨化製程:以保護氣氛氦氣或氬氣(純度6N以上)予
以保護,處理溫度為1,800~2,800℃,升溫速率<10℃/min,升溫至2,800,石墨化時間8小時以上,施加壓力15~25Kgf/cm2。至此,即可獲得石墨膜PAI-2。之後,對石墨膜PAI-2進行有關雙折射率與石墨化度的量測,結果載於下表1。
實施例3
本揭露石墨膜PAI-3之製備(聚醯胺亞醯胺高分子(X
1
=MDI,X
2
=PMDA+BTDA+BPDA))
在室溫下,於500毫升之四口反應器上架上攪拌器與加熱包,將22.58克的偏苯三甲酸酐(trimellitic anhydride,TMA)、4.28克的均苯四甲酸酐(pyromellitic dianhydride,PMDA)、11.53克的3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(3,3',4,4'-biphenyl tetracarboxylic dianhydride,BPDA)、6.31克的3,3',4,4'-二苯甲酮四羧酸二酐(3,3',4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride,BTDA)以及50.00克的二苯基甲烷二異氰酸酯(methylene diphenylene diisocyanate,MDI)溶入284.00克的NMP溶劑中均勻攪拌。將溫度升至80℃,反應1小時,再將溫度升至120℃,反應2小時,再將溫度升至170℃,反應2小時。反應完成後,等其降至室溫,將溶液裝入PE瓶中密封保存。將此溶液(固含量為25.00wt%)塗佈於玻璃上,並以熱風烘箱進行乾燥,於80℃下,乾燥1小時,150℃下,乾燥1小時,200℃下,乾燥1小時,240℃下,乾燥12小時。待乾燥程序結束後降回室溫,再將其泡入水中進行脫膜。脫膜後,再進入熱風烘箱乾燥,於120℃下,乾燥3小時。之後,進行碳化製程。碳化製程:以混合保護氣氛予以保護(5~20%氫氣與80~95%氮氣,或是5~20%
氫氣與80~95%氬氣及氦氣),處理溫度為25~1,300℃,升溫速率<10℃/min,升溫至1,300℃,碳化時間15小時以上,施加壓力10~15Kgf/cm2。之後,進行石墨化製程。石墨化製程:以保護氣氛氦氣或氬氣(純度6N以上)予以保護,處理溫度為1,800~2,900℃,升溫速率<10℃/min,升溫至2,800,石墨化時間8小時以上,施加壓力15~25Kgf/cm2。至此,即可獲得石墨膜PAI-3。之後,對石墨膜PAI-3進行有關雙折射率與石墨化度的量測,結果載於下表1。
實施例4
本揭露石墨膜PAI-4之製備(聚醯胺亞醯胺高分子(X
1
=TODI,X
2
=PMDA+BPDA))
在室溫下,於2公升之四口反應器上架上攪拌器與加熱包,將153.60克的偏苯三甲酸酐(trimellitic anhydride,TMA)、24.96克的均苯四甲酸酐(pyromellitic dianhydride,PMDA)、67.20克的3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(3,3',4,4'-biphenyl tetracarboxylic dianhydride,BPDA)以及316.82克的3,3'-二甲基-4,4'-聯苯基二異氰酸酯(3,3'-dimethyl-4,4'-biphenylene diisocyanate,TODI)溶入1687.74克的NMP溶劑中均勻攪拌。將溫度升至80℃,反應1小時,再將溫度升至120℃,反應2小時,再將溫度升至170℃,反應2小時。反應完成後,等其降至室溫,將溶液裝入PE瓶中密封保存。將此溶液(固含量為25.00wt%)塗佈於玻璃上,並以熱風烘箱進行乾燥,於80℃下,乾燥1小時,150℃下,乾燥1小時,200℃下,乾燥1小時,240℃下,乾燥12小時。待乾燥程序結束後降回室溫,再將其泡入水中進行脫
膜。脫膜後,再進入熱風烘箱乾燥,於120℃下,乾燥3小時。之後,進行碳化製程。碳化製程:以混合保護氣氛予以保護(5~20%氫氣與80~95%氮氣,或是5~20%氫氣與80~95%氬氣及氦氣),處理溫度為25~1,300℃,升溫速率<10℃/min,升溫至1,300℃,碳化時間15小時以上,施加壓力10~15Kgf/cm2。之後,進行石墨化製程。石墨化製程處理:以保護氣氛氦氣或氬氣(純度6N以上)予以保護,施加壓力15~25Kgf/cm2,處理溫度為1,800~2,800℃,升溫速率<10℃/min,升溫至2,800,石墨化時間8小時以上,施加壓力15~25Kgf/cm2。至此,即可獲得石墨膜PAI-4。之後,對石墨膜PAI-4進行有關雙折射率與石墨化度的量測,結果載於下表1。
實施例5
本揭露石墨膜PAI-5之製備(聚醯胺亞醯胺高分子(X
1
=NDI,X
2
=PMDA+BPDA))
在室溫下,於2公升之四口反應器上架上攪拌器與加熱包,將153.60克的偏苯三甲酸酐(trimellitic anhydride,TMA)、24.96克的均苯四甲酸酐(pyromellitic dianhydride,PMDA)、67.20克的3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(3,3',4,4'-biphenyl tetracarboxylic dianhydride,BPDA)以及251.96克的1,5-萘二異氰酸酯(1,5-naphthalene diisocyanate,NDI)溶入1493.16克的NMP溶劑中均勻攪拌。將溫度升至80℃,反應1小時,再將溫度升至120℃,反應2小時,再將溫度升至170℃,反應2小時。反應完成後,等其降至室溫,將溶液裝入PE瓶中密封保存。將此溶液(固含量為25.00wt%)塗佈於玻璃上,並以熱風烘箱進行
乾燥,於80℃下,乾燥1小時,150℃下,乾燥1小時,200℃下,乾燥1小時,240℃下,乾燥12小時。待乾燥程序結束後降回室溫,再將其泡入水中進行脫膜。脫膜後,再進入熱風烘箱乾燥,於120℃下,乾燥3小時。之後,進行碳化製程。碳化製程:以混合保護氣氛予以保護(5~20%氫氣與80~95%氮氣,或是5~20%氫氣與80~95%氬氣及氦氣),處理溫度為25~1,300℃,升溫速率<10℃/min,升溫至1,300℃,碳化時間15小時以上,施加壓力10~15Kgf/cm2。之後,進行石墨化製程。石墨化製程:以保護氣氛氦氣或氬氣(純度6N以上)予以保護,施加壓力15~25Kgf/cm2,處理溫度為1,800~2,800℃,升溫速率<10℃/min,升溫至2,800,石墨化時間8小時以上,施加壓力15~25Kgf/cm2。至此,即可獲得石墨膜PAI-5。之後,對石墨膜PAI-5進行有關雙折射率與石墨化度的量測,結果載於下表1。
比較實施例1
傳統石墨膜PAI-6之製備(聚醯胺亞醯胺高分子
())
在室溫下,於500毫升之四口反應器上架上攪拌器與加熱包,將37.68克的偏苯三甲酸酐(trimellitic anhydride,TMA)以及50.00克的二苯基甲烷二異氰酸酯(methylene diphenylene diisocyanate,MDI)溶入263.04克的NMP溶劑中均勻攪拌。將溫度升至80℃,反應1小時,再將溫度升至120℃,反應2小時,再將溫度升至170℃,反應2小時。反應完成後,
等其降至室溫,將溶液裝入PE瓶中密封保存。將此溶液(固含量為25.00wt%)塗佈於玻璃上,並以熱風烘箱進行乾燥,於80℃下,乾燥1小時,150℃下,乾燥1小時,200℃下,乾燥1小時,240℃下,乾燥12小時。待乾燥程序結束後降回室溫,再將其泡入水中進行脫膜。脫膜後,再進入熱風烘箱乾燥,於120℃下,乾燥3小時。之後,進行碳化製程。碳化製程:以混合保護氣氛予以保護(5~20%氫氣與80~95%氮氣,或是5~20%氫氣與80~95%氬氣及氦氣),處理溫度為25~1,300℃,升溫速率<10℃/min,升溫至1,300℃,碳化時間15小時以上,施加壓力10~15Kgf/cm2。之後,進行石墨化製程。石墨化製程:以保護氣氛氦氣或氬氣(純度6N以上)予以保護,處理溫度為1,800~2,800℃,升溫速率<10℃/min,升溫至2,800,石墨化時間8小時以上,施加壓力15~25Kgf/cm2。至此,即可獲得石墨膜PAI-6。之後,對石墨膜PAI-6進行有關雙折射率與石墨化度的量測,結果載於下表1。
雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作任意之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
Claims (9)
- 一種聚醯胺亞醯胺高分子,具有下列化學式(I):
- 如申請專利範圍第1項所述之聚醯胺亞醯胺高分子,其中m:n=7.5:2.5~6.5:3.5。
- 一種石墨膜,對一聚醯胺亞醯胺高分子進行一熱處理製程所製備,其中該熱處理製程之溫度介於25~2,900℃,且該聚醯胺亞醯胺高分子具有下列化學式(I):
- 一種石墨膜之製備方法,包括:對一聚醯胺亞醯胺高分子進行一熱處理製程,以製備一石墨膜,其中該熱處理製程之溫度介於25~2,900℃,且該聚醯胺亞醯胺高分子具有下列化學式(I):
- 如申請專利範圍第4項所述之石墨膜之製備方法,其中該熱處理製程包括一碳化製程與一石墨化製程。
- 如申請專利範圍第5項所述之石墨膜之製備方法,其中該碳化製程之溫度介於25~1,300℃。
- 如申請專利範圍第5項所述之石墨膜之製備方法,其中該石墨化製程之溫度介於1,800~2,900℃。
- 如申請專利範圍第5項所述之石墨膜之製備方法,更包括導入氮氣、氫氣、氬氣或氦氣於該碳化製程中。
- 如申請專利範圍第5項所述之石墨膜之製備方法,更包括導入氬氣、氫氣或氦氣於該石墨化製程中。
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