TWI596684B - 半導體製造裝置及半導體製造方法 - Google Patents

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Description

半導體製造裝置及半導體製造方法
本實施形態一般係關於半導體製造裝置及半導體製造方法。
近年來，半導體封裝因趨於大容量化，故為了安裝於有限空間已朝小型化、薄型化進展。作為半導體封裝，有於1個封裝內具有積層複數個半導體晶片之多層構造。於此種狀況中，因半導體晶片之厚度變得非常薄，故於半導體晶片容易產生裂痕。裂痕係於例如附著有異物之載台上載置半導體晶片之情形時，因載荷集中於異物之部分而產生。
產生於半導體晶片之裂痕係例如藉由放大觀察、使用辨識相機之外觀檢查而檢測。例如，已知有以辨識相機對載置於載台上之半導體晶片之表面進行攝影，並處理所取得之圖像資訊之方法。以該方法，於在半導體晶片之表面形成有樹脂層之情形時，存在有裂痕與其周圍之部分之對比度差變少之情形。因裂痕之判別不足，故難以取得正確之檢查結果。
例如，已知有對於表面形成有樹脂層之半導體晶片，自背面側照射紅外線，根據反射光之差異檢測裂痕之方法。以該方法，於在半導體晶片之背面形成有接著層之情形時，存在有裂痕與其周圍之部分之對比度差變少之情形。因裂痕之判別不足，故難以取得正確之檢查結果。又，因設置自背面側照射紅外線之設備，故半導體製造裝置之構造變得複雜。
於半導體晶片產生之裂痕於封裝化之前未被檢測出，而於最終製品之檢查時初次被判定為缺陷之情形時，該最終製品將作為不良品被處理。該情形時，產生裂痕之半導體晶片以外之零件與製造成本將造成浪費。又，因難以特定出裂痕之原因，故產生較多之不良品。
根據本實施形態，半導體製造裝置係包含：第1載台、第2載台、輸送機構及檢測器。第1載台係載置半導體晶片。第1載台係修正半導體晶片之位置。第2載台係支撐安裝半導體晶片之對象物。輸送機構係將自第1載台取起之半導體晶片輸送往第2載台。輸送機構係將半導體晶片載置於對象物。檢測器係檢測來自半導體晶片之彈性波。檢測器係安裝於第1載台及第2載台之至少一者。
藉此，半導體製造裝置係可即時地檢測半導體晶片中之裂痕之產生。又，半導體製造裝置可自生產線上去除產生裂痕之半導體晶片而不送至後續步驟。因此，半導體製造裝置可提高成品率。
1‧‧‧拾取裝置
2‧‧‧晶粒接合裝置
3‧‧‧對準台
4‧‧‧控制裝置
5‧‧‧顯示裝置
6‧‧‧記憶體
7‧‧‧判定部
10‧‧‧半導體晶片
11‧‧‧晶粒拾取機構
12‧‧‧晶圓載台
13‧‧‧切割片
14‧‧‧晶粒推出機構
15‧‧‧晶粒接合機構
16‧‧‧對象物
17‧‧‧晶粒接合載台
18‧‧‧加熱器
21‧‧‧檢測器
22‧‧‧檢測器
30‧‧‧傳輸板
e‧‧‧彈性能
e1‧‧‧臨限值
e2‧‧‧臨限值
S1~S8‧‧‧步驟
S11~S18‧‧‧步驟
圖1係示意性顯示第1實施形態之半導體製造裝置之構成之圖。
圖2係顯示拾取裝置之動作順序之流程圖。
圖3係顯示晶粒接合裝置之動作順序之流程圖。
圖4係示意性顯示第2實施形態之半導體製造裝置之構成之圖。
以下，參照附加圖式，詳細說明實施形態之半導體製造裝置及半導體製造方法。另，本發明並非由該等實施形態所限定。
(第1實施形態)
圖1係示意性顯示第1實施形態之半導體製造裝置之構成之圖。半導體製造裝置包含：拾取裝置1、晶粒接合裝置2、對準台(preciser)3、控制裝置4及顯示裝置5。另，雖然「晶片」及「晶粒」 一般指自晶圓完全分離者，但於實施形態中，為求簡便而無關分離之前後，使用包括「晶片」、「晶粒」及「晶圓」之文字。例如，有指對每晶片區域進行分割者且表現為晶圓之情形、或指完全分離前之晶片區域且表現為晶片或晶粒之情形。
拾取裝置1係取起經單片化之半導體晶片10。拾取裝置1係包含：晶粒拾取機構11、晶圓載台12及晶粒推出機構14。拾取裝置1係根據來自控制裝置4之控制信號而驅動。
晶圓載台12係保持切割片13之外周部。將經單片化之半導體晶片10載置於切割片13。切割片13包含樹脂製之薄片基材、及黏著劑層。薄片基材包含具備伸縮性之樹脂，例如PVC(聚氯乙烯)、聚烯烴等。黏著劑層形成於薄片基材之單面。半導體晶片10貼附於黏著劑層。黏著劑層係例如使用藉由紫外線(UV)之照射等使黏著力降低之性質之黏著劑而構成。
晶粒推出機構14係藉由朝垂直方向之驅動，而自切割片13之背面側，將半導體晶片10向上方頂起。晶粒推出機構14係邊向水平方向移動邊進行對各半導體晶片10之頂起動作。晶粒推出機構14係與真空泵(省略圖示)連接。晶粒推出機構14於將半導體晶片10頂起時，利用真空泵之真空吸引，而吸附切割片13之背面。
晶粒拾取機構11係藉由朝垂直方向之驅動，而自切割片13取起半導體晶片10。晶粒拾取機構11係吸附藉由晶粒推出機構14頂起之半導體晶片10。晶粒拾取機構11與真空泵(省略圖示)連接。晶粒拾取機構11係利用真空泵之真空吸引，而吸附半導體晶片10。
晶粒拾取機構11係藉由朝水平方向之移動，而向對準台3輸送經取起之半導體晶片10。晶粒拾取機構11將移動至對準台3之半導體晶片10載置於對準台3上。
晶粒拾取機構11係使取起之半導體晶片10之位置於水平方向變 化，進行針對各半導體晶片10之取起動作。晶粒拾取機構11係對切割片13上之各半導體晶片10，進行自切割片13之取起、及朝對準台3之輸送之動作。
第1載台即對準台3係載置由晶粒拾取機構11所輸送之半導體晶片10。對準台3係用以在拾取裝置1與晶粒接合裝置2之間交接半導體晶片10之交接台。又，對準台3亦為修正所載置之半導體晶片10之位置與角度之對準載台。
藉由使半導體製造裝置具備對準台3，可獨立實施拾取裝置1與晶粒接合裝置2之動作。半導體製造裝置可縮短半導體晶片10之拾取及晶粒接合所需之製程時間。
檢測器21係安裝於對準台3。檢測器21係檢測來自載置於對準台3之半導體晶片10之彈性波。檢測器21亦可為安裝於對準台3之任一位置者。
晶粒接合裝置2將半導體晶片10載置於對象物16。對象物16係藉由晶粒接合裝置2安裝半導體晶片10之構件，例如導線框架及配線基板等。晶粒接合裝置2包含：晶粒接合機構15及晶粒接合載台17。晶粒接合裝置2係根據來自控制裝置4之控制信號而驅動。
第2載台即晶粒接合載台17係支撐對象物16。晶粒接合載台17包含加熱機構即加熱器18。加熱器18加熱載置於晶粒接合載台17上之對象物16。
輸送機構即晶粒接合機構15係於自晶粒接合載台17沿水平方向移動至對準台3之狀態下，藉由朝垂直方向之驅動，自對準台3取起半導體晶片10。晶粒接合機構15吸附對準台3上之半導體晶片10。晶粒接合機構15與真空泵(省略圖示)連接。晶粒接合機構15係利用真空泵之真空吸引，吸附半導體晶片10。
晶粒接合機構15係藉由朝水平方向之移動而將取起之半導體晶 片10送往晶粒接合載台17。晶粒接合機構15係每次藉由晶片拾取機構11將半導體晶片10載置於對準台3時，將半導體晶片10自對準台3向晶粒接合載台17輸送。晶粒接合機構15係將移動至晶粒接合載台17之半導體晶片10載置於對象物16上。
檢測器22係安裝於晶粒接合載台17。檢測器22係檢測來自載置於晶粒接合載台17之半導體晶片10之彈性波。檢測器22亦可為安裝於晶粒接合載台17之任意位置者。
檢測器21、22為例如壓電元件(AE(Acoustic Emission)感測器)。檢測器21、22係檢測半導體晶片10之變形及破壞時放出之彈性能，且將檢測出之彈性能轉換成電性信號。彈性能為彈性波之能。
彈性能通常以音波放出。音波主要具有數十千赫至數百萬千赫之高頻率成分。該音波隨材料直至被破壞前之變形或裂痕之產生而發生。半導體製造裝置藉由以檢測器21、22檢測該音波，而檢測半導體晶片10之變形及裂痕產生。
檢測器21、22亦可為具備去除雜訊之濾波器者。雜訊係與因半導體晶片10之裂痕所發生之音波不同之頻率帶域的音波。濾波器亦可為以硬體及軟體之任一者構成者。藉此，半導體製造裝置係可高精度檢測出半導體晶片10中裂痕產生。
控制裝置4係控制拾取裝置1及晶粒接合裝置2之驅動。控制裝置4包含記憶體6及判定部7。記憶體6係保持用以控制拾取裝置1及晶粒接合裝置2之驅動之各種資料。判定機構即判定部7係根據檢測器21、22之彈性波之檢測結果，判定半導體晶片10中裂痕之產生。
半導體製造裝置並未限定於以1個控制裝置4控制拾取裝置1及晶粒接合裝置2之驅動者。半導體製造裝置亦可相對於拾取裝置1及晶粒接合裝置2分別包含控制裝置者。於該情形時，亦可將根據檢測器21之彈性波之檢測結果判定裂痕產生之判定部7，設置於控制拾取裝置1 之控制裝置上。又可將根據檢測器22之彈性波之檢測結果判定裂痕產生之判定部7，設置於控制晶粒接合裝置2之控制裝置上。
顯示機構即顯示裝置5係顯示判定部7之判定結果。除此之外，顯示裝置5亦可為顯示與拾取裝置1及晶粒接合裝置2之驅動有關之各種資料者。
對準台3會有附著源自拾取裝置1及晶粒接合裝置2之驅動系統之異物、及矽屑及接著材片等之源自材料之異物之情況。矽屑及接著材片例如因半導體晶圓之切割所產生。該等異物亦會堆積於對準台3上。於晶粒拾取機構11將半導體晶片10朝載有異物之對準台3載置時，荷重集中於半導體晶片10中與異物接觸之部分。因荷重集中，而於半導體晶片10產生裂痕。晶粒接合機構15自載有異物之對準台3上取起半導體晶片10時，亦因荷重集中於與異物接觸之部分，而於半導體晶片10產生裂痕。
安裝於對準台3之檢測器21檢測將半導體晶片10朝對準台3載置時之彈性能、及將半導體晶片10自對準台3取起時之彈性能。判定部7係根據檢測器21之檢測結果，判定將半導體晶片10朝對準台3載置時、及將半導體晶片10自對準台3取起時產生之裂痕。
對準台3係使用金屬構件例如鋁材料、不鏽鋼材料等而構成。藉由應用使用金屬構件構成之對準台3，可抑制自半導體晶片10向檢測器21傳播之彈性波中之主頻率成分之衰減。
對準台3中傳播彈性波之部分儘可能省去金屬構件以外之構件例如彈性構件、與構件彼此之界面。藉由採用省去金屬構件以外之構件及界面之構造，對準台3可抑制彈性波之衰減。藉由抑制朝檢測器21傳播之彈性波之衰減，檢測器21可高精度地檢測出半導體晶片10所產生之彈性波。另，對準台3只要可藉由檢測器21充分檢測出半導體晶片10所產生之彈性波，則亦可使用任意構件而構成。
晶粒接合載台17上會有附著或堆積源自晶粒接合裝置2之驅動系統之異物、及源自構成基板、接著層等之材料之異物之情況。晶粒接合機構15於以載有異物之晶粒接合載台17朝對象物16載置半導體晶片10時，荷重會集中於半導體晶片10之一部分。因荷重集中，故於半導體晶片10產生裂痕。此外，於未充分確保晶粒接合載台17上之平行度之情形時，會因對半導體晶片10施加偏荷重而產生裂痕。
安裝於晶粒接合載台17之檢測器22檢測出朝對象物16載置半導體晶片10時之彈性能。判定部7係根據檢測器22之檢測結果，判定朝對象物16載置半導體晶片10時之裂痕之產生。
晶粒接合載台17係使用金屬構件例如鋁材料、不鏽鋼材料等構成。藉由應用使用金屬構件構成之晶粒接合載台17，可抑制自半導體晶片10向檢測器22傳播之彈性波中之主頻率成分之衰減。
檢測器22例如直接安裝於晶粒接合載台17。藉由儘可能縮短載置半導體晶片10之位置至檢測器22之距離，可抑制自半導體晶片10傳播至檢測器22之彈性波之衰減。
晶粒接合載台17中傳播彈性波之部分儘可能省去金屬構件以外之構件例如彈性構件、及構件彼此之界面。藉由採用省去金屬構件以外之構件及界面之構造，晶粒接合載台17可抑制彈性波之衰減。藉由抑制朝檢測器22傳播之彈性波之衰減，檢測器22可高精度地檢測出半導體晶片10產生之彈性波。
另，晶粒接合載台17只要可藉由檢測器22充分檢測出半導體晶片10產生之彈性波，則亦可使用任意構件而構成。於第1實施形態中，檢測器22係具備即使受到來自加熱器18之熱量傳播仍可正常動作之耐熱性者。
圖2係顯示拾取裝置之動作順序之流程圖。控制裝置4係使拾取裝置1藉由識別資訊即ID而辨識成為拾取對象之半導體晶片10(步驟 S1)。記憶體6係記憶步驟S1所辨識之ID。晶粒拾取機構11係根據來自控制裝置4之控制信號，自切割片13取起半導體晶片10(步驟S2)。
晶粒拾取機構11係藉由向水平方向移動而將被取起之半導體晶片10送往對準台3。晶粒拾取機構11係將移動至對準台3之半導體晶片10載置於對準台3上(步驟S3)。
檢測器21係檢測在步驟S3中載置半導體晶片10時之彈性能e(步驟S4)。檢測器21將彈性能e之檢測結果輸出至控制裝置4。記憶體6係保持彈性能e之檢測結果。
記憶體6係保持預先設定之臨限值e1。臨限值e1係設為用以判定檢測器21所檢測出之彈性能相關之裂痕產生之臨限值。判定部7係比較步驟S4所檢測出之彈性能e、與自記憶體6讀出之臨限值e1(步驟S5)。
步驟S4所檢測出之彈性能e較臨限值e1小之情形時(步驟S5，是)，判定部7判定步驟S1所辨識之ID之半導體晶片10中未產生裂痕。對準台3對於判定為未產生裂痕之半導體晶片10實施位置修正。
判定為未產生裂痕後，控制裝置4係判斷切割片13上之所有半導體晶片10之取起是否結束(步驟S6)。在取起未結束而留於切割片13上留有半導體晶片10之情形時(步驟S6，否)，控制裝置4回到步驟S1，拾取裝置1辨識下一個作為拾取對象之半導體晶片10之ID。
於切割片13上全部之半導體晶片10之取起結束之情形時(步驟S6，是)，拾取裝置1結束對於該切割片13之拾取動作。
另一方面，於步驟S4所檢測出之彈性能e為臨限值e1以上之情形時(步驟S5，否)，判定部7判定於步驟S1所辨識之ID之半導體晶片10係因朝對準台3之載置而產生裂痕者。判定部7係藉由與作為基準之臨限值e1比較而判定裂痕產生。判定部7係向顯示裝置5輸出該判定結果。
顯示裝置5係根據判定部7之判定結果，顯示裂痕產生(步驟S7)。顯示裝置5顯示例如裂痕產生之半導體晶片10之ID、及因朝對準台3之載置而產生裂痕之主旨之訊息。
控制裝置4係根據判定部7之判定結果，對拾取裝置1指示停止驅動。拾取裝置1根據來自控制裝置4之指示，停止驅動(步驟S8)。根據判定為裂痕產生之判定部7之判定，晶粒拾取機構11停止半導體晶片10之輸送。藉此，拾取裝置1係結束拾取動作。
圖3係顯示晶粒接合裝置之動作順序之流程圖。控制裝置4係使晶粒接合裝置2辨識作為晶粒接合對象之半導體晶片10之ID(步驟S11)。記憶體6記憶步驟S11所辨識之ID。晶粒接合機構15係根據來自控制裝置4之控制信號，自對準台3取起半導體晶片10(步驟S12)。
晶粒接合機構15係藉由向水平方向之移動而朝晶粒接合載台17輸送經取起之半導體晶片10。晶粒接合機構15將輸送至晶粒接合載台17之半導體晶片10載置於對象物16，例如配線基板上(步驟S13)。
檢測器22檢測於步驟S13中載置半導體晶片10時之彈性能e(步驟S14)。檢測器22將彈性能e之檢測結果向控制裝置4輸出。記憶體6保持彈性能e之檢測結果。
記憶體6係保持預先設定之臨限值e2。臨限值e2係設為用以判定檢測器22所檢出之彈性能相關之裂痕之產生之臨限值。判定部7比較步驟S14所檢測出之彈性能e、與自記憶體6讀取之臨限值e2(步驟S15)。
於步驟S14所檢測出之彈性能e較臨限值e2小之情形時(步驟S15，是)，判定部7判定於步驟S1所辨識之ID之半導體晶片10上未產生裂痕。
在判定為未產生裂痕後，控制裝置4判斷自拾取裝置1向晶粒接合裝置2交接之全部之半導體晶片10之晶粒接合是否結束(步驟S16)。 在晶粒接合未結束而留有半導體晶片10之情形時(步驟S16，否)，控制裝置4回到步驟S11，使晶粒接合裝置2辨識下一個作為晶粒接合之對象之半導體晶片10之ID。
在全部半導體晶片10之晶粒接合結束之情形時(步驟S16，是)，晶粒接合裝置2結束晶粒接合動作。
另一方面，於步驟S14所檢測出之彈性能e為臨限值e2以上之情形時(步驟S15，否)，判定部7判定步驟S11所辨識之ID之半導體晶片10係因朝對象物16之載置而產生裂痕者。判定部7藉由與作為基準之臨限值e2比較，而判定裂痕產生。判定部7向顯示裝置5輸出該判定結果。
顯示裝置5係根據判定部7之判定結果，顯示裂痕產生(步驟S17)。顯示裝置5顯示例如裂痕產生之半導體晶片10之ID、及因朝對象物16之載置而產生裂痕之主旨之訊息。
控制裝置4係根據判定部7之判定結果，對晶粒接合裝置2指示停止驅動。晶粒接合裝置2係根據來自控制裝置4之指示，停止驅動(步驟S18)。根據判定為裂痕產生之判定部7之判定，晶粒接合機構15停止半導體晶片10之輸送。藉此，晶粒接合裝置2結束晶粒接合動作。
半導體製造裝置於步驟S12中，於晶粒接合機構15自對準台3取起半導體晶片10時，亦進行裂痕產生之判定、及根據判定結果進行控制。與步驟S4相同，檢測器21檢測於步驟S12中取起半導體晶片10時之彈性能e。與步驟S5相同，判定部7比較檢測出之彈性能e與臨限值e1。
於彈性能e小於臨限值e1之情形時，判定部7判定為在步驟S12中取起之半導體晶片10未產生裂痕。經過該判定，晶粒接合裝置2進行步驟S13以後之動作。
另一方面，彈性能e為臨限值e1以上之情形時，判定部7判定為步 驟S12中取起之半導體晶片10產生裂痕。與步驟S17相同，顯示裝置5係根據判定部7之判定結果，顯示已產生裂痕。控制裝置4根據判定部7之判定結果，對晶粒接合裝置2指示停止驅動。與步驟S18相同，晶粒接合裝置2根據來自控制裝置4之指示而停止驅動。
根據第1實施形態，半導體製造裝置藉由檢測器21之彈性波檢測，而監視朝對準台3載置半導體晶片10時、及自對準台3取起半導體晶片10時之裂痕產生。半導體製造裝置係藉由檢測器22之彈性波檢測而監視半導體晶片10朝對象物16載置時之裂痕產生。
藉此，半導體製造裝置無需利用放大觀察、外觀檢查之方法，可即時檢測出半導體晶片10中裂痕之產生。半導體製造裝置於檢測出裂痕產生時，藉由停止拾取裝置1及晶粒接合裝置2之驅動，可自生產線上去除產生裂痕之半導體晶片10而不送往後續步驟。半導體製造裝置可避免成為不良品之最終製品之量產。半導體製造裝置可提高成品率。
因可及早去除產生裂痕之半導體晶片10，故與在最終製品之檢查時判定因包含該半導體晶片10所致之缺陷之情形相比，可減輕最終製品之檢查負擔。又，因可減少成為不良品之最終製品，故可減少產生裂痕之半導體晶片10以外之零件與製造成本之浪費。
從裂痕實際產生時至最終製品之檢查為止會經過很長之時間。因而，在接收檢查結果且探明原因之情形時，會因裝置替換、或夾具之交換等因素，而有難以特定出原因之情形。若根據本實施形態，半導體製造裝置可避免將裂痕之產生所引起之缺陷委由最終製品之檢查而造成之此種異常。
使用者可根據顯示裝置5之顯示而掌握在對準台3及晶粒接合載台17有裂痕產生之情形。使用者因可掌握有裂痕產生之部位，故可簡單且及早檢證其原因。半導體製造裝置可抑制追究裂痕產生原因所需 之人員及作業負擔。
半導體製造裝置並未限定於針對對準台3及晶粒接合載台17之兩者檢測出裂痕產生。半導體製造裝置只要於對準台3及晶粒接合載台17之至少一者中檢測裂痕之產生即可。半導體製造裝置只要具備檢測器21、22中至少一者即可。藉由具備檢測器21、22之至少一者，半導體製造裝置可即時檢測出半導體晶片10中裂痕之產生。
拾取裝置1及晶粒接合裝置2亦可為具備對判定為產生裂痕之半導體晶片10附加記號之標記者。因可藉由目視半導體晶片而確認有無裂痕產生，故可提高便利性。
(第2實施形態)
圖4係示意性顯示第2實施形態之半導體製造裝置之構成之圖。於與上述第1實施形態相同之部分附註相同符號，且適當省略重複之說明。
第2載台即晶粒接合載台17係具備加熱器18及傳輸板30。傳輸機構即傳輸板30係向自加熱機構即加熱器18遠離之位置傳輸彈性波。檢測器22係安裝於傳輸板30。
傳輸板30係使用金屬構件例如鋁材料、不鏽鋼材料等構成。傳輸板30具備將一片平板彎曲成L字型之彎曲形狀。傳輸板30之一端與晶粒接合載台17中之加熱器18以外之部分之側面連接。
檢測器22係配置於傳輸板30中與連接於晶粒接合載台17之側相反側之端部附近。傳輸板30藉由具備彎曲形狀，而於設置有檢測器22之部分與加熱器18之間構成開放部分。該開放部分係抑制熱自加熱器18向檢測器22傳播，且促進自傳輸板30之散熱。
晶粒接合載台17亦可於該開放部分設置包含陶瓷等之隔熱構件之層。藉此，晶粒接合載台17可藉由該層阻斷熱自加熱器18向檢測器22傳播。
晶粒接合載台17藉由應用使用金屬構件構成之傳輸板30，可抑制自半導體晶片10向檢測器22傳播之彈性波中主頻率成分之衰減。
晶粒接合載台17可藉由採用於傳播彈性波之部分儘可能省略金屬構件以外之構件例如包含彈性構件之部分、或構件彼此之界面之構造，而抑制向檢測器22傳播之彈性波之衰減。藉由抑制向檢測器22傳播之彈性波之衰減，檢測器22可高精度檢測出於半導體晶片10產生之彈性波。
另，傳輸板30若可以檢測器22充分檢測出於半導體晶片10產生之彈性波，則可使用任意構件而構成。傳輸板30只要可向自加熱器18遠離之位置傳輸彈性波即可，形狀及配置之位置為任意。
晶粒接合載台17藉由設置傳輸板30，而於自加熱器18遠離之位置配置檢測器22。傳輸板30係放出來自加熱器18之熱。晶粒接合載台17可藉傳輸板30將彈性波向檢測器22傳播，且抑制向檢測器22之熱傳播。傳輸板30亦可根據熱對檢測器22之影響，適當設定開放部分之寬。
根據第2實施形態，半導體製造裝置亦可應用不具備能承受例如於100℃以上之高溫環境下使用之耐熱性之檢測器22。檢測器22係可應用重視耐熱性以外之條件，例如價格、檢測靈敏度等者。
第2實施形態中，半導體製造裝置亦與第1實施形態相同，可即時檢測出半導體晶片10中裂痕之產生。
雖已說明本發明之數個實施形態，但該等實施形態係作為例而提示者，並未意欲限定發明之範圍。該等新穎之實施形態可藉其他多種形態實施，在未脫離發明之主旨之範圍內，可進行各種省略、置換、變更。該等實施形態或其變化係包含於發明之範圍或主旨內，且包含於與申請專利範圍所記述之發明及其均等之範圍內。
1‧‧‧拾取裝置
2‧‧‧晶粒接合裝置
3‧‧‧對準台
4‧‧‧控制裝置
5‧‧‧顯示裝置
6‧‧‧記憶體
7‧‧‧判定部
10‧‧‧半導體晶片
11‧‧‧晶粒拾取機構
12‧‧‧晶圓載台
13‧‧‧切割片
14‧‧‧晶粒推出機構
15‧‧‧晶粒接合機構
16‧‧‧對象物
17‧‧‧晶粒接合載台
18‧‧‧加熱器
21‧‧‧檢測器
22‧‧‧檢測器

Claims (18)

  1. 一種半導體製造裝置，其包含：第1載台，其載置半導體晶片，並修正上述半導體晶片之位置；第2載台，其支撐安裝上述半導體晶片之對象物；輸送機構，其將自上述第1載台取起之上述半導體晶片送往上述第2載台，且將上述半導體晶片載置於上述對象物；及檢測器，其安裝於上述第1載台及上述第2載台之至少一者，且檢測來自上述半導體晶片之彈性波。
  2. 如請求項1之半導體製造裝置，其中包含根據上述檢測器之上述彈性波之檢測結果，判定上述半導體晶片中之裂痕產生之判定機構。
  3. 如請求項2之半導體製造裝置，其中上述判定機構係於檢測出之上述彈性波之能量超過預先設定之臨限值之情形時，判定為產生上述裂痕。
  4. 如請求項2之半導體製造裝置，其中進而包含顯示上述判定機構之判定結果之顯示機構。
  5. 如請求項1之半導體製造裝置，其中上述檢測器係安裝於上述第1載台，且檢測將上述半導體晶片載置於上述第1載台時之上述彈性波之能量、及自上述第1載台取起上述半導體晶片時之上述彈性波之能量。
  6. 如請求項1之半導體製造裝置，其中上述檢測器係安裝於上述第1載台；且上述第1載台係使用金屬構件而構成。
  7. 如請求項1之半導體製造裝置，其中上述檢測器係安裝於上述第 2載台，且檢測將上述半導體晶片載置於上述對象物時之上述彈性波之能量。
  8. 如請求項1之半導體製造裝置，其中上述檢測器係安裝於上述第2載台；且上述第2載台係使用金屬構件而構成。
  9. 如請求項1之半導體製造裝置，其中上述第2載台包含：加熱上述對象物之加熱機構；及向與上述加熱機構遠離之位置傳輸上述彈性波之傳輸構件；且上述檢測器係安裝於上述傳輸構件。
  10. 如請求項9之半導體製造裝置，其中上述傳輸構件係使用金屬構件而構成。
  11. 如請求項1之半導體製造裝置，其中上述檢測器包含去除檢測上述彈性波之能量時之雜訊之濾波器。
  12. 一種半導體製造方法，其包含如下步驟：修正載置於第1載台之半導體晶片之位置；自上述第1載台取起上述半導體晶片，且朝支撐安裝上述半導體晶片之對象物之第2載台輸送上述半導體晶片；及將上述半導體晶片載置於上述對象物；且於上述第1載台及上述第2載台之至少一者中，檢測來自上述半導體晶片之彈性波；並根據上述彈性波之檢測結果，判定上述半導體晶片之裂痕之產生。
  13. 如請求項12之半導體製造方法，其中將經單片化、且輸送至上述第1載台之上述半導體晶片載置於上述第1載台。
  14. 如請求項13之半導體製造方法，其中於根據在上述第1載台之上述彈性波之檢測結果而判定為產生上述裂痕之情形時，停止向 上述第1載台輸送上述半導體晶片。
  15. 如請求項12之半導體製造方法，其中於根據在上述第2載台之上述彈性波之檢測結果而判定為產生上述裂痕之情形時，停止自上述第1載台向上述第2載台輸送上述半導體晶片。
  16. 如請求項12之半導體製造方法，其中檢測出之上述彈性波之能量超過預先設定之臨限值之情形時，判定為產生上述裂痕。
  17. 如請求項12之半導體製造方法，其中顯示判定上述裂痕產生之結果。
  18. 如請求項12之半導體製造方法，其中於上述第2載台中，檢測已傳輸安裝於上述第2載台之傳輸構件之上述彈性波。
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