JPS58105039A - 加工変質層の検出方法 - Google Patents
加工変質層の検出方法Info
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- JPS58105039A JPS58105039A JP20347781A JP20347781A JPS58105039A JP S58105039 A JPS58105039 A JP S58105039A JP 20347781 A JP20347781 A JP 20347781A JP 20347781 A JP20347781 A JP 20347781A JP S58105039 A JPS58105039 A JP S58105039A
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- JP
- Japan
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- cracks
- etching
- cut surface
- cut
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N19/00—Investigating materials by mechanical methods
- G01N19/08—Detecting presence of flaws or irregularities
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の１Ａｍ分ｘｉ
本姥明は１タリえば弾１イｌ：宍Ｉｉｒ皮フィルタに用
いられるニオブ１ｇリチウム又はタすタル１浚リチウム
のノ用工変質・偵の検出方法に１祠する。
いられるニオブ１ｇリチウム又はタすタル１浚リチウム
のノ用工変質・偵の検出方法に１祠する。
発明の技ｉＦｌ的濯斌とその問題点
弾性表面波フィルタ用のφ結晶基板としてニオブ酸リチ
ウム（Ｌ＋ＮｈＯａ ）がある。このニオブ酸リチウム
はフィルタ作成時において鏡面ウニ・・に仕上げられる
。誂向までの加工は、ワイヤソー−ラッピング、ボリシ
ノグの一連の工程からなっている。ワイヤソー電ラッピ
ングでは加工時に砥粒による微小クラックをともなった
加−Ｌ変質層が発生する。−上記微小クラックは弾性表
面波フィルタとしての性能低下を惹起させるので、ボリ
シング（／こより除去しなければならない。そのために
、加工変質層の深さを知る必要があるが、従来にお・い
てはラッピングされたニオブ酸リチウムの単結晶基板を
傾斜切断し、その切断面をフッ酸で、常τ品にて約１０
時間エツチングして加工変質層を検出ｌ〜でいた。とこ
ろが、従来の検出方法はエツチング時間が長いので、傾
斜切断面を作成する際の小さな加工歪がラッピングに基
因するクラック層とともにエツチングされ、両者の判別
が困難であり加工変質層の深さを正確に検出することが
困難であった。一方、フッ酸の温度を８０°Ｃ前後に上
げてエツチングすればエツチング時間は大幅に短縮する
が、その反面において有毒なフッ酸の毒性の影響が急増
するために、大がかりな安全対策を講じねばならなかっ
た。
ウム（Ｌ＋ＮｈＯａ ）がある。このニオブ酸リチウム
はフィルタ作成時において鏡面ウニ・・に仕上げられる
。誂向までの加工は、ワイヤソー−ラッピング、ボリシ
ノグの一連の工程からなっている。ワイヤソー電ラッピ
ングでは加工時に砥粒による微小クラックをともなった
加−Ｌ変質層が発生する。−上記微小クラックは弾性表
面波フィルタとしての性能低下を惹起させるので、ボリ
シング（／こより除去しなければならない。そのために
、加工変質層の深さを知る必要があるが、従来にお・い
てはラッピングされたニオブ酸リチウムの単結晶基板を
傾斜切断し、その切断面をフッ酸で、常τ品にて約１０
時間エツチングして加工変質層を検出ｌ〜でいた。とこ
ろが、従来の検出方法はエツチング時間が長いので、傾
斜切断面を作成する際の小さな加工歪がラッピングに基
因するクラック層とともにエツチングされ、両者の判別
が困難であり加工変質層の深さを正確に検出することが
困難であった。一方、フッ酸の温度を８０°Ｃ前後に上
げてエツチングすればエツチング時間は大幅に短縮する
が、その反面において有毒なフッ酸の毒性の影響が急増
するために、大がかりな安全対策を講じねばならなかっ
た。
発明の目的
本発明はニオブ酸リチウムの加工変質層の検出を迅速か
つ正確に行うことのできる加工変質層の検出方法に関す
る。
つ正確に行うことのできる加工変質層の検出方法に関す
る。
発明の概安
どが硝酸であるエツチング液により常温にてエツチング
するようにしたものである。
するようにしたものである。
発明の実施例
まず、ワイヤソーでニオブ酸リチウムの円柱状のインゴ
ットを例えば厚さ５００μｍ根度のウニ・・にスライシ
ングし、スライシングされたウェハを砥粒粒径１０〜２
１）μｍのＡ砥粒でラッピングし、厚み４００μｍ程度
にする。このとき、ニオブ酸リチウムウェハのラッピン
グされた表面付近には、前述したように深さ１０μｍの
加工変質１−が形成されている。
ットを例えば厚さ５００μｍ根度のウニ・・にスライシ
ングし、スライシングされたウェハを砥粒粒径１０〜２
１）μｍのＡ砥粒でラッピングし、厚み４００μｍ程度
にする。このとき、ニオブ酸リチウムウェハのラッピン
グされた表面付近には、前述したように深さ１０μｍの
加工変質１−が形成されている。
そこで、ニオブ酸リチウムウェハから第１図に示すよう
な矩形状の試験片（１）を切り出す。しかして試験片（
１）のラッピングによる加工面（２）側の一端部を傾斜
角ψで傾斜切断法によシ研磨する。なお・、この実施例
にお・いては加工面（２）の結晶方位は（０１１４）と
なっている。その結果、加工層深さ方向の断面酸からな
る混合液であるエツチング液を常温にて切断面（３）に
塗布し、約１５分間放置したのち水洗する。すると、第
２図に示すように、エツチングされた切断面（３）には
、ラッピングによる加工面（２）の骨間によるクラック
（４）・・・が現出する。このとき、エツチング時間は
短いので切断面（３）作成時の例えばスクラッチなどの
浅い塑性変形傷に基因するパターンは現出しない。した
がって、クラック（４）・・・を包含する加工変質層（
５）をクラック（４）・・・が存在しない他の部分から
明確に区別することができる。
な矩形状の試験片（１）を切り出す。しかして試験片（
１）のラッピングによる加工面（２）側の一端部を傾斜
角ψで傾斜切断法によシ研磨する。なお・、この実施例
にお・いては加工面（２）の結晶方位は（０１１４）と
なっている。その結果、加工層深さ方向の断面酸からな
る混合液であるエツチング液を常温にて切断面（３）に
塗布し、約１５分間放置したのち水洗する。すると、第
２図に示すように、エツチングされた切断面（３）には
、ラッピングによる加工面（２）の骨間によるクラック
（４）・・・が現出する。このとき、エツチング時間は
短いので切断面（３）作成時の例えばスクラッチなどの
浅い塑性変形傷に基因するパターンは現出しない。した
がって、クラック（４）・・・を包含する加工変質層（
５）をクラック（４）・・・が存在しない他の部分から
明確に区別することができる。
なお、上記実施例においては加工面（２）の結晶方位は
（＋Ｈ１４）であるが、他の結晶方位の加工変質層の検
出にも適用で・きる０さらに、上記実施例においては、
被検体としてニオブ酸リチウムを用いているが、本発明
はタンタル酸リチウム（ＬｉＴａ０３）に対しても同様
に適用できる。さらにまた、本発明は被検体が単結晶に
限らず多結昌に対しても適用で外る。
（＋Ｈ１４）であるが、他の結晶方位の加工変質層の検
出にも適用で・きる０さらに、上記実施例においては、
被検体としてニオブ酸リチウムを用いているが、本発明
はタンタル酸リチウム（ＬｉＴａ０３）に対しても同様
に適用できる。さらにまた、本発明は被検体が単結晶に
限らず多結昌に対しても適用で外る。
発明の効果
本発明の加工変質層の検出方法によれば、傾斜切断面の
作成にともなって生成する塑性変形傷をラッピングに基
因するものと誤認することなく、迅速かつ正確に加工変
質層の厚さを測定することができる結果、ボリシングに
より加工変質層を完全に除去できるようＫなるので、製
品歩留りが向上すると同時に、弾性表面波フィルタの性
能も向上する０
作成にともなって生成する塑性変形傷をラッピングに基
因するものと誤認することなく、迅速かつ正確に加工変
質層の厚さを測定することができる結果、ボリシングに
より加工変質層を完全に除去できるようＫなるので、製
品歩留りが向上すると同時に、弾性表面波フィルタの性
能も向上する０
第１図は本発明の加工変質層の検出方法に用いられる試
験片の斜視図、第２図は本発明の加工変質層の検出方法
により現出した加工変質層の組織図である。 （２）、・・加工面、 （３）・・・切断面、（５）・
・・加工変質層。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名）駕２１
−２１
験片の斜視図、第２図は本発明の加工変質層の検出方法
により現出した加工変質層の組織図である。 （２）、・・加工面、 （３）・・・切断面、（５）・
・・加工変質層。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名）駕２１
−２１
Claims (1)
- ｓ ＋ｇｉＤロエされたニオブ１ｇリチウム結晶又はメ
ンタルばリチウムを吉、情の／Ｊｌｌ Ｉ面＋１１１１
を一１ｄの１「ｄか）角で研摩しり断面を形成する方法
と、上記−ノ１所囲にＬ記エツチング漱をｌオ温で堕、
１１シ加工変・電層を現出させる）５法とを具Ｖ市し、
上記エツチングｒＮ ’ｔま１６〜部体積係のフッ酸及
び、・掩部のｒｌとんどが硝酸からなる６６合液である
こと全特徴とするＪＪＤ工変質１−の検出ノブ法、Ｊ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20347781A JPS58105039A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 加工変質層の検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20347781A JPS58105039A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 加工変質層の検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58105039A true JPS58105039A (ja) | 1983-06-22 |
Family
ID=16474787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20347781A Pending JPS58105039A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 加工変質層の検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58105039A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI596684B (zh) * | 2014-03-07 | 2017-08-21 | Toshiba Kk | 半導體製造裝置及半導體製造方法 |
-
1981
- 1981-12-18 JP JP20347781A patent/JPS58105039A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI596684B (zh) * | 2014-03-07 | 2017-08-21 | Toshiba Kk | 半導體製造裝置及半導體製造方法 |
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