JP3241050B2 - 半導体の外観検査装置 - Google Patents

半導体の外観検査装置

Info

Publication number
JP3241050B2
JP3241050B2 JP40040990A JP40040990A JP3241050B2 JP 3241050 B2 JP3241050 B2 JP 3241050B2 JP 40040990 A JP40040990 A JP 40040990A JP 40040990 A JP40040990 A JP 40040990A JP 3241050 B2 JP3241050 B2 JP 3241050B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor
defect
color
image
stored
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP40040990A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0682377A (ja
Inventor
孝幸 尾崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP40040990A priority Critical patent/JP3241050B2/ja
Publication of JPH0682377A publication Critical patent/JPH0682377A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3241050B2 publication Critical patent/JP3241050B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は外観検査装置に係り、
特に半導体のウエハ−、ペレットの外観検査に使用する
外観検査装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体のウエハ−、ペレットの外
観検査は、主として個人の目視により実施されている。
しかしながら、目視判定には検査基準に個人差があった
り、見落とし等が発生する問題を有している。さらに、
半導体製品は年々小形化されているため、顕微鏡を使用
した目視検査作業は作業員が疲労し易いものであり、判
定の信頼性が低下する傾向にある。
【0003】一方、ウエハ−表面の画像情報を光電変換
器で電気信号に変換し、所定の閾値に従って2値画像を
作成して検出する方法がよく知られている。しかし、半
導体のウエハ−、ペレットのように背景や欠陥とのコン
トラストが小さい場合、画像デ−タの情報量が少ないた
め、2値化処理では、閾値の決定が非常に困難である等
の理由から正確な検査をすることが難しいものであっ
た。
【0004】さらに、ウエハ−表面を白黒のテレビカメ
ラによって撮像し、白黒の濃淡画像を使用して、対象物
の外観検査を行なう方法も提案されている。この方法に
おいて、半導体のウエハ−、ペレットにおける酸化膜、
アルミ表面等の変色、汚れ、傷等の欠陥は、白黒画像の
濃度変化として現れるが、この変化分は微小で検出し難
いという欠点があり、改善が求められている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、白黒画像
処理では半導体ウエハー、ペレットの欠陥を検出するこ
とが困難であるという課題を解決するものであり、その
目的とするところは、カラ−画像処理を用いることによ
り、半導体ウエハー、ペレットの欠陥を確実に検出する
ことが可能な外観検査装置を提供しようとするものであ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明は、半導体表面
の画像を撮像し、複数のカラー信号として出力する撮像
手段と、前記撮像手段から出力される複数のカラー信号
を記憶する第1の記憶手段と、基準の画像情報及び前記
複数のカラー信号を補正するための基準信号を記憶する
第2の記憶手段と、前記第1の記憶手段に記憶された前
記複数のカラー信号のそれぞれの相関係数を算出する算
出手段と、前記算出手段により算出された相関係数と基
準値とを比較し、前記半導体表面の欠陥を検出する第1
の検出手段と、前記第1の検出手段により欠陥が検出さ
れなかった場合、前記第1の記憶手段に記憶された前記
複数のカラー信号と前記第2の記憶手段に記憶された前
記基準信号とを演算し、モノクロの画像を生成する生成
手段と、前記生成手段により生成されたモノクロの画像
と前記第2の記憶手段に記憶された前記基準の画像情報
とを比較し、前記半導体表面の欠陥を検出する第2の検
出手段とを設けている。
【0007】
【0008】さらに、前記生成手段は、y=aR+bG
+cB(y;モノクロの画像、a,b,c;基準信号、
R,G,B;カラー信号)なる演算を実行する。
【0009】また、前記生成手段は、y=(aR+bG
+cB)/(dR+eG+fB)(y;モノクロの画
像、a,b,c,d,e,f;基準信号、R,G,B;
カラー信号)なる演算を実行する。
【0010】さらに、前記第1、第2の検出手段により
前記半導体表面の欠陥が検出された場合、半導体に不良
マークを付記する付記手段を有している。
【0011】
【作用】この発明によれば、半導体表面の画像を撮像手
段によって撮像し、この撮像手段から出力される複数の
カラー信号の相関係数を求め、これら相関係数より半導
体表面の欠陥を検出している。このため、従来、検出す
ることができなかった変色・汚れ等の欠陥を検出するこ
とができる。
【0012】また、撮像手段から出力される複数のカラ
ー信号を基準信号によって補正し、欠陥を強調している
ため、欠陥を高精度に検出することができるものであ
る。
【0013】さらに、半導体表面の欠陥を検出した場
合、付記手段によって半導体に不良マークを付記してい
るため、欠陥品と良品を容易に区別することができるも
のである。
【0014】
【実施例】以下、この発明の一実施例について、図面を
参照して説明する。
【0015】図1において、外観検査装置は、ファーム
ウエア11とホストコンピュータ12によって構成され
ている。ファームウエア11において、XYステ−ジ1
3上には被検査対象物としての半導体のウエハ−14が
載置される。XYステ−ジ13の上方には、所定間隔を
おいて光学系15が設けられ、この光学系15はカラ−
TVカメラ16に接続されている。このカラ−TVカメ
ラ16はデータ変換部17に接続されている。このデー
タ変換部17は、図示せぬA/D変換器、およびD/A
変換器等によって構成されており、前記カラ−TVカメ
ラ16から出力されるR,G,Bのカラー信号は、それ
ぞれA/D変換器によってディジタル信号に変換され
る。データ変換部17には、画像メモリ18が接続され
ており、データ変換部17によってディジタル信号に変
換されR,G,Bのカラー信号は、この画像メモリ18
に記憶される。さらに、データ変換部17には、モニタ
19が接続されており、例えば画像メモリ18から読出
された画像データは、データ変換部17のD/A変換器
によってアナログ信号に変換され、モニタ19に表示さ
れる。
【0016】前記画像メモリ18はバスライン20に接
続されている。このバスライン20には、各種の処理を
実行するためのプログラムが記憶されたプログラムメモ
リ21、および基準データが記憶された基準データメモ
リ22が接続されている。この基準データメモリ22に
は、例えば前記カラ−TVカメラ16によって良品のペ
レットを撮影し、このうちのグリーンの画像情報が記憶
されるとともに、カラ−TVカメラ16から出力される
R,G,Bのカラー信号を補正するための定数a,b,
cが記憶されている。これら定数a,b,cは、例えば
前記カラ−TVカメラ16によって良品のペレットを撮
影し、実際のペレットと撮影したペレットとの色調が等
しくなるようにカラ−TVカメラ16から出力される
R,G,Bカラー信号の振幅を変えた場合における、こ
れらカラー信号の変化量である。尚、良品のペレットの
画像情報としては、ペレットのアルミ表面の欠陥を検出
する場合は、上記グリーンの画像を使用することが好ま
しいが、金線の場合は、レッドの画像を使用することが
好ましい。
【0017】さらに、バスライン20には、各種マイク
ロプログラムが記憶されたマイクロプログラムメモリ2
3、このマイクロプログラムメモリ23に接続され、マ
イクロプログラムを順次実行させるシーケンサ24、算
術演算ユニット(ALU)25、乗算器26、27、お
よびファームウエア11とホストコンピュータ12とを
接続するホストインターフェイス28が接続されてい
る。
【0018】前記ホストコンピュータ12には、ホスト
インターフェイス28と接続されたホストCPU29が
設けられている。このホストCPU29には、インター
フェイスユニット30を介して各種情報を入力するキー
ボード31、およびサブコントローラ32が接続されて
いる。このサブコントローラ32には駆動部33が接続
されている。この駆動部33には不良ペレットに不良マ
ークを付記するインカー34が接続されている。
【0019】上記構成において、半導体ウエハーに形成
されたペレットの外観検査を行う場合の動作について、
図2を参照して説明する。この外観検査はプログラムメ
モリ21に記憶されたプログラムに従って実行される。
すなわち、このプログラムの動作に従って、マイクロプ
ログラムメモリ23に記憶されたマイクロプログラムが
シーケンサ24によって順次実行されるとともに、必要
に応じてALU25、および乗算器26,27が動作さ
れる。
【0020】先ず、XYステ−ジ13上にウエハ−14
を載置し、図3(a)に示すごとく、ウエハ−14の例
えば一周縁部にあるペレットPn1がカラ−TVカメラ
16によって撮像される(ステップST1)。このカラ
−TVカメラ16によって撮像された画像には、例えば
図4に示すごとく、1つのペレットPn1とその周辺の
画像が含まれている。このカラ−TVカメラ16から出
力される画像信号は、データ変換部17によってR,
G,Bのディジタルカラー信号に変換され、このディジ
タルカラー信号は画像メモリ18に記憶される。この
後、画像メモリ18に記憶された例えばG(グリーン)
のディジタルカラー信号と基準データメモリに記憶され
ている画像情報に基づいて、画面内のペレットの位置が
検出される(ステップST2)。この位置検出は、特開
昭57-137978 号公報に開示されている方式、すなわち、
両画像情報の相関係数を算出し、この相関係数に応じて
撮像した画像の位置を求める方式が好適である。このよ
うにして、ペレットの位置、すなわち基準の画像情報か
らの誤差が検出されると、この誤差に基づいてXYステ
−ジ13が移動され、ペレットとカラ−TVカメラ16
との位置関係が補正される。この後、位置補正が終了し
たか否かが判別され(ステップST4)、依然として誤
差が生じている場合は、上記ステップST1〜3の動作
が繰返される。
【0021】一方、誤差が無くなった場合、XYステ−
ジ13が移動され(ステップST5)、図3(b)に示
すごとく、上記撮像したペレットPn1と例えばウエハ
ー上で、対称位置にあるペレットPnnが撮像される。
そして、ステップST6〜9において、上記と同様にペ
レットの位置補正が実行される。尚、ステップST8に
おいて、XYステ−ジ13は、誤差に応じてX軸方向お
よびY軸方向の移動のみならず、XY面内においてθ方
向に回転され、位置の補正が行われる。
【0022】上記のようにして、ペレットの位置補正が
終了すると、XYステ−ジ13が異動され(ステップS
T10)、図3(c)に示すごとく、ウエハー13中の
最初の検査対象としてのペレットP1が、カラ−TVカ
メラ16によって撮像される。このカラ−TVカメラ1
6から出力される画像信号は、データ変換部17によっ
てR,G,Bのディジタルカラー信号に変換され、この
ディジタルカラー信号は画像メモリ18に記憶される
(ステップST11)。この画像メモリ18に記憶され
た3色のディジタル信号は、マイクロプログラムメモリ
23に記憶されたマイクロプログラムに従って動作され
るALU25,乗算器26,27によってそれぞれの相
関係数が算出される(ステップST12)。そして、こ
の計算された相関係数と基準値とが比較され、基準値以
下の場合、欠陥が生じているものと判別される(ステッ
プST13)。
【0023】上記比較の結果、欠陥が生じていないもの
と判別された場合、基準データメモリ22に記憶されて
いる定数a,b,cと、画像メモリ18に記憶されてい
る3色のディジタル信号R,G,B(振幅値)とを用い
て、y=aR+bG+cBなる演算が行われ、欠陥が強
調されたモノクロ画像が生成される(ステップST1
4)。この演算はマイクロプログラムメモリ23に記憶
されたマイクロプログラムに従って動作されるALU2
5,乗算器26,27によって実行される。この演算と
しては、y=(aR+bG+cB)/(dR+eG+f
B)でもよい。この場合、d,e,fの値を予め基準デ
ータメモリに記憶しておく必要がある。
【0024】この後、欠陥が強調されたモノクロ画像の
濃度分布が調査され(ステップST15)、この調査さ
れた濃度分布は基準データメモリ22に記憶されたグリ
ーンの画像情報の濃度分布と比較され、これら濃度分布
の相違より、欠陥が生じているか否かが判別される(ス
テップST16)。
【0025】前記ステップST13、16において、ペ
レットに欠陥が生じているものと判別された場合、イン
カーの駆動指令信号が生成され(ステップST17)、
この駆動指令信号はホストインターフェイス28を介し
てホストCPU29に信号が供給される。この駆動指令
信号はホストCPU29、インターフェイスユニット3
0を介してサブコントローラ32に供給される。このサ
ブコントローラ32は駆動指令信号に応じて駆動信号を
出力し、この駆動信号は駆動部33に供給される。この
駆動部33では駆動信号に従ってインカ34が駆動さ
れ、このインカ34によって欠陥が生じているペレット
に不良マークが付記される。
【0026】上記のように、1個のペレットの検査が終
了すると、全てのペレットについて検査が終了したか否
かが判別され(ステップST18)、終了していない場
合は、XYステージ13が移動され(ステップST1
0)、図3(c)に示すごとく、次のペレットP2が上
記と同様に検査される。
【0027】上記実施例によれば、ペレットの画像をカ
ラー画像処理することによって外観の検査を行ってい
る。したがって、白黒の画像処理では検出することが困
難であったペレット表面の変色や汚れ等を検出すること
ができるため、欠陥を高精度に検出することができるも
のである。
【0028】また、ペレットの画像をカラー画像処理す
ることにより、アルミ配線や金配線など、検査対象の色
に応じて使用するカラー信号を変えることにより、欠陥
の検出精度を向上することができる。
【0029】さらに、予め記憶した定数a,b,c等を
用いて、3色のディジタル信号R,G,Bを補正してい
る。したがって、欠陥を強調したモノクロ画像を生成し
ているため、欠陥の検出精度を向上することができる。
【0030】尚、上記実施例においては、ペレット1個
の欠陥を検出したが、これに限らず、例えばペレットの
製造以前にウエハー表面をカラーTVカメラ16によっ
て走査し、ウエハー表面全体の色情報を得ることによ
り、ウエハー自体の汚れや変色等の欠陥を検出すること
が可能である。
【0031】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
カラ−画像を使用して欠陥を検出することにより、従来
検出できなかったペレットの変色・汚れ等の欠陥を検出
することが可能な半導体の外観検査装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例に係る外観検査装置を示す
構成図。
【図2】図1の動作を説明するために示すフローチャー
ト。
【図3】半導体のウエハ−とペレットの関係を示す平面
図。
【図4】カラーTVカメラによって撮像したペレットを
示す平面図。
【符号の説明】
13…XYステージ、14…ウエハー、16…カラーT
Vカメラ、18…画像メモリ、22…基準データメモ
リ、34…インカー。

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体表面の画像を撮像し、複数のカラ
    ー信号として出力する撮像手段と、前記 撮像手段から出力される複数のカラー信号を記憶す
    第1の記憶手段と、基準の画像情報及び前記複数のカラー信号を補正するた
    めの基準信号を記憶する第2の記憶手段と、 前記第1の記憶手段に記憶された前記複数のカラー信号
    のそれぞれの相関係数を算出する算出手段と、 前記算出手段により算出された相関係数と基準値とを比
    較し、前記半導体表面の欠陥を検出する第1の検出手段
    と、 前記第1の検出手段により欠陥が検出されなかった場
    合、前記第1の記憶手段に記憶された前記複数のカラー
    信号と前記第2の記憶手段に記憶された前記基準信号と
    を演算し、モノクロの画像を生成する生成手段と、 前記生成手段により生成されたモノクロの画像と前記第
    2の記憶手段に記憶された前記基準の画像情報とを比較
    し、前記半導体表面の欠陥を検出する第2の検出手段と
    を具備することを特徴とする半導体の外観検査装置。
  2. 【請求項2】 前記生成手段は、y=aR+bG+cB
    (y;モノクロの画像、a,b,c;基準信号、R,
    G,B;カラー信号)なる演算を実行することを特徴と
    する請求項記載の半導体の外観検査装置。
  3. 【請求項3】 前記生成手段は、y=(aR+bG+c
    B)/(dR+eG+fB)(y;モノクロの画像、
    a,b,c,d,e,f;基準信号、R,G,B;カラ
    ー信号)なる演算を実行することを特徴とする請求項
    記載の半導体の外観検査装置。
  4. 【請求項4】 前記第1、第2の検出手段により前記半
    導体表面の欠陥が検出された場合、半導体に不良マーク
    を付記する付記手段を具備することを特徴とする請求項
    1記載の半導体の外観検査装置。
JP40040990A 1990-12-04 1990-12-04 半導体の外観検査装置 Expired - Fee Related JP3241050B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP40040990A JP3241050B2 (ja) 1990-12-04 1990-12-04 半導体の外観検査装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP40040990A JP3241050B2 (ja) 1990-12-04 1990-12-04 半導体の外観検査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0682377A JPH0682377A (ja) 1994-03-22
JP3241050B2 true JP3241050B2 (ja) 2001-12-25

Family

ID=18510322

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP40040990A Expired - Fee Related JP3241050B2 (ja) 1990-12-04 1990-12-04 半導体の外観検査装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3241050B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9240388B2 (en) 2014-03-07 2016-01-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing method

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11237344A (ja) * 1998-02-19 1999-08-31 Hitachi Ltd 欠陥検査方法およびその装置
JP4678101B2 (ja) * 2001-06-29 2011-04-27 信越半導体株式会社 化合物半導体ウェーハの評価方法及び評価装置
KR101101935B1 (ko) * 2008-11-19 2012-01-02 (주)삼선씨에스에이 단열체가 마련된 방화문 및 이의 제조방법
JP5340814B2 (ja) * 2009-06-08 2013-11-13 株式会社総合車両製作所 レーザ溶接部評価方法
JP5466099B2 (ja) * 2010-06-23 2014-04-09 パナソニック株式会社 外観検査装置
CN111239152B (zh) * 2020-01-02 2023-11-17 长江存储科技有限责任公司 晶圆检测方法、装置和设备
CN113066736B (zh) * 2021-03-25 2022-10-28 广东工业大学 一种高精度、大幅面和高通量六维度晶圆检测系统

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9240388B2 (en) 2014-03-07 2016-01-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0682377A (ja) 1994-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100997415B1 (ko) 화상 이치화 방법, 화상 처리 장치 및 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체
US6718074B1 (en) Method and apparatus for inspection for under-resolved features in digital images
JP3241050B2 (ja) 半導体の外観検査装置
US5568564A (en) Image processing apparatus and method for inspecting defects of enclosures of semiconductor devices
JP2007155610A (ja) 外観検査装置および外観検査方法
JPH0783851A (ja) 不良品検出処理方法
JPH0591411A (ja) 画像処理装置
JP4190243B2 (ja) 電子回路用部品の外観検査方法及び外観検査装置並びに電子回路用部品の製造方法。
JP4629086B2 (ja) 画像欠陥検査方法および画像欠陥検査装置
JP4090775B2 (ja) 電子回路用部品の外観検査方法及び外観検査装置並びに電子回路用部品の製造方法
JP4354173B2 (ja) 電子回路用部品の外観検査装置
JP4354174B2 (ja) 電子回路用部品の製造方法
JPH0721458B2 (ja) 表面パタ−ン検査方法
JP2003510568A (ja) パターン比較によるlcd検査方法およびlcd検査装置
JP2728789B2 (ja) カラー固体撮像素子の検査装置
JPH0748513B2 (ja) 接合部の検査方法
JPH09232797A (ja) Ic部品位置検出装置
JPH06161378A (ja) 液晶表示装置検査装置
JP2971794B2 (ja) プロジェクションの閾値決定装置及び検査装置
JP2843389B2 (ja) ボンディングボール検査装置
JP2986902B2 (ja) 画像処理装置
JP2001084379A (ja) パターン検査方法および装置
JPH0949715A (ja) 半導体パッケージの外観検査方法及びその装置
KR100281876B1 (ko) 텔레비전화면검사방법및그검사장치
JPH07107711A (ja) 鉄心コイルのずれ検出方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees