TWI596008B - 層狀聚合物結構及方法 - Google Patents

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史蒂芬 司威爾
吉田伸
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道康寧公司
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Description

層狀聚合物結構及方法
概言之，本發明係關於層狀聚合物結構及相關方法。
光學器件，例如光學發射器、光學偵測器、光學放大器等可經由光學表面發射或接收光。對於多種該等器件而言，光學表面可為或可包括電子組件或其他可對環境條件(例如，雨、雪及熱)敏感之組件。通常包括發光二極體(LED)、雷射二極體及光感測器之某些光學器件(例如光電子器件)可包括若未予以保護則可由於環境條件而易於發生電短路或其他損害之固態電子組件。甚至可能不會立即受影響之光學器件若未予以保護亦可隨時間流逝而降格。因此，業內需要尤其保護光學器件免於受其操作環境影響之層狀聚合結構。
包括一或多種光學器件之光學總成可使用層狀聚合結構作為抵抗環境因素之囊封物、作為透鏡、作為磷光體之來源，以及用於其他目的。可作為層狀聚合結構用於光學器件之物質可能往往隨時間流逝而降格。例如，儘管該等層狀聚合結構可在開始時相對透明，但劣化可導致朦朧、泛黃或其他顏色失真，從而使得自光學器件發射或檢測到之光減少或失真。其他形式之損壞(例如破裂、撓曲等)可損害光學器件之操作及/或性能。
該等層狀聚合結構，包括一些基於聚矽氧之層狀聚合結構，可依賴於利用觸媒(例如鉑觸媒)之固化機制。然而，殘留觸媒可限制該等基於聚矽氧之層狀聚合結構之熱穩定性及/或長期耐久性。
本發明之各個實施例係關於層狀聚合結構，例如在光學總成中對於光學器件之光學表面用作囊封物。層狀聚合結構可包括第一層及第二層。各個層可為含聚矽氧之熱熔組合物。層狀聚合結構可為包含第一層及第二層之預成形之囊封物膜，其中第一層及第二層中之每一者獨立地包含含聚矽氧之熱熔組合物。
100‧‧‧層狀聚合結構
104‧‧‧釋放襯裏/釋放層
106‧‧‧第一層
108‧‧‧第二層
110‧‧‧第一主表面
112‧‧‧第二主表面
200‧‧‧層狀聚合結構
202‧‧‧層
204‧‧‧磷光體
206‧‧‧含聚矽氧之熱熔組合物
300‧‧‧層狀聚合結構
302‧‧‧主體
306‧‧‧第一層
308‧‧‧第二層
400‧‧‧層
402‧‧‧第一端
404‧‧‧第二端
500‧‧‧光學總成
502‧‧‧囊封物
504‧‧‧光學器件
506‧‧‧光學表面
508‧‧‧基板
600‧‧‧光學總成
602‧‧‧光學器件
604‧‧‧基板
606‧‧‧電極
608‧‧‧光學表面
609‧‧‧囊封物
610‧‧‧圓頂形透明層
612‧‧‧含磷光體層
700‧‧‧光學總成
702‧‧‧光學器件
704‧‧‧基板
706‧‧‧電極
707‧‧‧囊封物
708‧‧‧透明層/透明薄片
710‧‧‧含磷光體層
712‧‧‧光學表面
800‧‧‧光學總成
802‧‧‧綠色磷光體層
804‧‧‧紅色磷光體層
806‧‧‧透明層
808‧‧‧囊封物
810‧‧‧光學器件
812‧‧‧電極
814‧‧‧基板
816‧‧‧光學表面
900‧‧‧光學總成
902‧‧‧透明薄片
904‧‧‧光學器件
906‧‧‧電極
908‧‧‧基板
1000‧‧‧光學總成
1002‧‧‧透明薄片
1004‧‧‧磷光體層
1006‧‧‧囊封物
1008‧‧‧光學器件
1010‧‧‧電極
1012‧‧‧基板
1100‧‧‧多層組合物/多層薄片
1102‧‧‧光學器件
1104‧‧‧基板
1106‧‧‧光學總成
1108‧‧‧白色聚矽氧組合物
1110‧‧‧孔圖案
1112‧‧‧透明薄片
1114‧‧‧電極
1116‧‧‧光學表面
圖1係例如可在光學總成中用作囊封物之層狀聚合結構之側面輪廓。
圖2係納入具有磷光體之層之層狀聚合結構之側面輪廓。
圖3係包括三個層之層狀聚合結構之側視圖。
圖4係實例性層中之二維梯度之實例。
圖5係光學總成之實例。
圖6係光學總成之實例。
圖7係光學總成之實例。
圖8係光學總成之實例。
圖9係光學總成之實例。
圖10係光學總成之實例。
圖11A及11B圖解說明將多層組合物與光學器件在基板上配合以形成光學總成。
如本文中所使用，術語「熱熔體」通常係指在室溫下或低於室溫下或者在使用溫度下或低於使用溫度下為固體且變成熔體之材料(例如，在較高溫度(例如80℃至150℃)下特徵在於一定黏度或可以其他方式變形而不完全恢復至其初始尺寸之材料)。
本文中所述之各個實例及實施例之「熱熔」組合物可為反應性或非反應性的。反應性熱熔材料及組合物係可以化學方式固化之熱固 性產品，其在固化後在室溫下具有高強度及高抗流動性(即，高黏度)。反應性熱熔組合物之非限制性實例包括含有烯基反應性基團之組合物，包括二甲基烯基矽烷氧基封端之二甲基聚矽氧烷；甲基烯基矽氧烷及二甲基矽氧烷之二甲基烯基矽烷氧基封端之共聚物；甲基苯基矽氧烷及二甲基矽氧烷之二甲基烯基矽烷氧基封端之共聚物；甲基苯基矽氧烷、甲基烯基矽氧烷及二甲基矽氧烷之二甲基烯基矽烷氧基封端之共聚物；二苯基矽氧烷及二甲基矽氧烷之二甲基烯基矽烷氧基封端之共聚物；二苯基矽氧烷、甲基烯基矽氧烷及二甲基矽氧烷之二甲基烯基矽烷氧基封端之共聚物；或前述之任一適宜組合。熱熔組合物之黏度往往隨溫度變動自在相對低溫度下(例如，在室溫下或低於室溫下)之高度黏性至當溫度朝向足夠高於工作溫度(例如室溫)之目標溫度增加時具有相當低黏度而明顯變化。在多個實例中，目標溫度係200℃。通常將反應性或非反應性熱熔組合物在提高之溫度(例如，高於室溫、例如高於50℃之溫度)下施加至基板，此乃因組合物在提高之溫度下(例如，在約50℃至200℃之溫度下)之黏性顯著低於在室溫下或在其附近。在一些情形下，將熱熔組合物在提高之溫度下作為可流動之團塊施加至基板上，且隨後僅藉由冷卻使其快速「再固化」。其他施加方法包括在室溫下將熱熔材料之薄片施加於例如基板或覆板(superstrate)上，隨後加熱。
在多個實例中，層狀聚合結構包括例如在室溫下為固體(固體組合物)之組合物。在多個其他實例中，層狀聚合結構包括具有大於約1.4之折射率之組合物。在又一些其他實例中，層狀聚合結構包括有機矽氧烷嵌段共聚物。當層狀聚合結構包括有機矽氧烷嵌段共聚物時，在一些實例中，嵌段共聚物具有至少20,000g/莫耳之重量平均分子量。在一些實例中，有機矽氧烷嵌段共聚物可包括40至90莫耳百分比之式[R1 2SiO2/2]之二矽烷氧基單元，其以線性嵌段排列且每一線性 嵌段各自平均具有10至400個二矽烷氧基單元[R1 2SiO2/2]。在其他實例中，有機矽氧烷嵌段共聚物亦可包括10至60莫耳百分比之式[R2SiO3/2]之三矽烷氧基單元，其以各自具有至少500g/mol之重量平均分子量之非線性嵌段排列。在又一些其他實例中，有機矽氧烷嵌段共聚物可包括0.5至25莫耳百分比之矽醇基團[≡SiOH]。在該等式中，R1獨立地為C1至C30烴基，且R2獨立地為C1至C20烴基。另外，在多個實例中，至少30%之非線性嵌段可與另一非線性嵌段交聯。在其他多個實例中，非線性嵌段可以奈米域(nano-domain)聚集。在又一些其他實例中，有機矽氧烷嵌段共聚物之每一線性嵌段可連接至至少一個非線性嵌段。該層狀聚合結構與本領域中已知之各種層狀聚合結構相比可具有改良之厚度控制。
圖1係例如可在光學總成中用作囊封物(下文)之層狀聚合結構100之側面輪廓。
在多個實施例中，層狀聚合結構包括預成形之囊封物膜。如本文中所使用，術語「預成形之囊封物膜」廣義上係指在用於覆蓋光學器件之光學表面之前、例如在例如佈置於光學器件之光學表面上之前形成之層狀聚合結構。預成形之囊封物膜可採取任何適宜形式，包括任何適宜尺寸之薄片或任何適宜寬度及長度之條帶的形式。例如，在其用於覆蓋光學器件之光學表面之前，預成形之囊封物膜可為獨立的膜、薄片或條帶。然而，術語「預成形之囊封物膜」不包括在例如光學器件之光學表面上形成層狀聚合結構之第一層，隨後在層狀聚合結構之第一層之上形成層狀聚合結構之第二層，等等。
層狀聚合結構100包括主體102，主體102可包括例如本文中詳細闡述之含聚矽氧之熱熔組合物。主體102可納入多個含聚矽氧之熱熔組合物之層。主體102可包括磷光體且可經形成以產生具有多種特徵之梯度(例如，橫跨層狀聚合結構之每一個別層之梯度)。在多個實例 中，層狀聚合結構100係介於約0.5μm與5000μm之間厚。在多個實例中，主體102及可構成該主體之一或多個層可包括以下中之至少一者：樹脂-線性組合物、矽氫化固化組合物、高苯基-T組合物、矽密封劑組合物、聚脲-聚矽氧烷組合物、MQ/聚矽氧烷組合物、MQ/X-二有機矽氧烷組合物、聚醯亞胺-聚矽氧烷組合物、聚碳酸酯-聚矽氧烷組合物、聚胺基甲酸酯-聚矽氧烷組合物、聚丙烯酸酯-聚矽氧烷組合物或聚異丁烯-聚矽氧烷組合物。在一些實施例中，涵蓋聚碳酸酯及聚碳酸酯-矽氧烷共聚物混合物。
進一步關於圖1，層狀聚合結構100亦可包括或在多個實例中附接至釋放襯裏104。釋放襯裏104可包括用於促進將層狀聚合結構100緊固至另一物件(例如光學器件)之釋放劑。在多個實例中，釋放襯裏104係或包括滲矽PET或氟化襯裏。在多個實例中，釋放襯裏104係光滑的或有紋理的，以例如作為抗反射表面。
進一步關於圖1，層狀聚合結構100在主體102中包括第一層106及第二層108。在多個實例中，第一層106及第二層108兩者均為含聚矽氧之熱熔組合物，但在多個實例中包括不同化學。如將在本文中詳細揭示，該等不同化學在層106、108之間可相對微小，或者可納入顯著差異。在本文中揭示之多個實例中，第一層具有不同於第二層之材料性質，例如模數、硬度、折射率、透光度或熱導率。
進一步關於圖1，層106、108可各自具有第一主表面110及與第一主表面110相對之第二主表面112。移除或不納入釋放襯裏104可使第一層106具有第一主表面110，第一主表面110係或可暴露於環境條件(例如，未覆蓋任何額外層，且因此暴露於室外環境，包括雨、雪及熱)。第一層之第一主表面110可全部或部分為粗糙的或粗糙化的，或可實質上拒塵，例如可來自環境(室外或室內)或來自光學總成(例如，光伏打面板及其他光學能量生成器件、光耦合器、光學網路及資料傳 輸、儀錶板及開關、禮貌照明(courtesy lighting)、轉向及停止信號、家用電器、VCR/DVD/立體聲/聲頻/視訊器件、玩具/遊戲儀器配置、安全設備、開關、建築照明、標誌圖樣(通道字母(channel letter))、機器視覺、零售展示、緊急照明、氖燈泡置換(neon and bulb replacement)、閃光燈、補強照明、全色彩視訊、單色訊息板、交通、鐵路及航空應用、行動電話、個人數位助理(PDA)、數位相機、膝上型電腦、醫學儀器配置、條碼讀取器、色彩及貨幣感測器、編碼器、光學開關、光纖通訊及其組合)內之灰塵。
進一步關於圖1，可經由本文中所揭示之多種方法(包括層壓及經由使用觸媒)將層106、108相對於彼此緊固。第一層及第二層可視其中使用之特定組合物需要而個別地經固化或未經固化。在實例中，僅層106、108中之一者經固化，而層106、108中之另一者可未經固化。在實例中，第一層106及第二層108中之每一者均經固化，但以不同固化速度固化。在多個實例中，第一層106及第二層108中之每一者具有相同或不同的固化機制。在實例中，層106、108之固化機制中之至少一者包括熱熔固化、濕氣固化、矽氫化固化(如上文所述)、縮合固化、過氧化物/自由基固化、光固化或基於點擊化學(click chemistry)之固化，該基於點擊化學之固化在一些實例中涉及疊氮化物與炔之間之金屬(銅或釕)催化之反應或自由基介導之硫醇-烯反應。
進一步關於圖1，層106、108之固化機制可包括相同層106或108內或每一層106或108中一或多種固化機制之組合。例如，相同層106或108內之固化機制可包括矽氫化及縮合固化之組合，其中首先發生矽氫化且隨後縮合固化(見下文)或反之亦然(例如，矽氫化/烷氧基或烷氧基/矽氫化)；紫外光固化及縮合固化之組合(例如，UV/烷氧基)；矽醇固化及烷氧基固化之組合；矽醇固化及矽氫化固化之組合；或醯胺固化及矽氫化固化之組合。
進一步關於圖1，第一層106及第二層108可利用例如可彼此不相容之第一固化觸媒及第二固化觸媒。在一些實例中，該排列會造成觸媒使彼此「中毒」，從而使得在第一層106與第二層108之間之界面處存在不完全固化。在多個實例中，第一層106及第二層108個別地可選擇地具有反應性或非反應性含聚矽氧之熱熔組合物。
進一步關於圖1，在一些實例中，第一層106及第二層108在一層中包括Ph-T-PhMe且在另一層中包括Ph-T-PhMe。在一些實例中，Ph-T-PhMe層中之一者係高折射率Ph-T-PhMe層。如本文中所使用，術語「高折射率」係指約1.5至約1.58、例如約1.55至約1.58或約1.56至約1.58之折射率。在其他實例中，Ph-T-PhMe層中之一者經固化。在一些實例中，Ph-T-PhMe層中之一者具有約50微米至約100微米(例如，約50微米至約75微米；約60微米至約90微米；或約75微米至約100微米)之厚度。在其他實例中，Ph-T-PhMe層中之一者具有約0.3mm至約1.5mm(例如，約0.5mm至約1.3mm；約1mm至約1.5mm；或約0.75mm至約1.5mm)之厚度。在又一些其他實例中，Ph-T-PhMe中之一者包括磷光體。
進一步關於圖1，在一些實例中，第一層106及第二層108在一層中包括Ph-T-PhMe且在另一層中包括Ph-T-PDMS。在一些實例中，Ph-T-PhMe層係高折射率Ph-T-PhMe層。在一些實例中，Ph-T-PhMe層具有約50微米至約100微米(例如，約50微米至約75微米；約60微米至約90微米；或約75微米至約100微米)之厚度。在其他實例中，Ph-T-PDMS層具有約0.3mm至約1.5mm(例如，約0.5mm至約1.3mm；約1mm至約1.5mm；或約0.75mm至約1.5mm)之厚度。在再一些其他實例中，Ph-T-PhMe層包括磷光體。
進一步關於圖1，在一些實例中，第一層106及第二層108在一層中包括Ph-T-PhMe且在另一層中包括MQ/-PDMS。在一些實例中，Ph- T-PhMe層係高折射率Ph-T-PhMe層。在一些實例中，Ph-T-PhMe層具有約50微米至約100微米(例如，約50微米至約75微米；約60微米至約90微米；或約75微米至約100微米)之厚度。在其他實例中，MQ/PDMS層具有約0.3mm至約1.5mm(例如，約0.5mm至約1.3mm；約1mm至約1.5mm；或約0.75mm至約1.5mm)之厚度。在再一些其他實例中，Ph-T-PhMe層包括磷光體。
進一步關於圖1，在一些實例中，第一層106及第二層108在一層中包括Ph-T-PhMe且在另一層中包括Np-T-PhMe。在一些實例中，Ph-T-PhMe層係高折射率Ph-T-PhMe層。在一些實例中，Np-T-PhMe層係超高折射率Np-T-PhMe層。如本文中所使用，術語「超高折射率」係指大於1.58、例如大於1.65、大於1.75；約1.6至約2.5；約1.75至約2；或約1.65至約2之折射率。在其他實例中，Ph-T-PhMe層具有約0.3mm至約1.5mm(例如，約0.5mm至約1.3mm；約1mm至約1.5mm；或約0.75mm至約1.5mm)之厚度。在其他實例中，Np-T-PhMe層具有約50微米至約100微米(例如，約50微米至約75微米；約60微米至約90微米；或約75微米至約100微米)之厚度。在再一些其他實例中，Np-T-PhMe層包括磷光體。
進一步關於圖1，第二層108係或包括含聚矽氧之熱熔組合物內之磷光體。
涵蓋用於本文中所述多個實施例中之磷光體可為任何適宜的磷光體。在實例中，磷光體係由主體材料及活化劑製得，例如銅活化之硫化鋅及銀活化之硫化鋅。主體材料可選自多種適宜材料，例如鋅、鎘、錳、鋁、矽或多種稀土金屬之氧化物、氮化物及氮氧化物、硫化物、硒化物、鹵化物或矽酸鹽、Zn2SiO4：Mn(矽鋅礦)；ZnS：Ag+(Zn,Cd)S：Ag；ZnS：Ag+ZnS：Cu+Y2O2S：Eu；ZnO：Zn；KCl；ZnS：Ag,Cl或ZnS：Zn；(KF,MgF2)：Mn；(Zn,Cd)S：Ag或(Zn,Cd)S：Cu； Y2O2S：Eu+Fe2O3，ZnS：Cu,Al；ZnS：Ag+Co-on-Al2O3；(KF,MgF2)：Mn；(Zn,Cd)S：Cu,Cl；ZnS：Cu或ZnS：Cu,Ag；MgF2：Mn；(Zn,Mg)F2：Mn；Zn2SiO4：Mn,As；ZnS：Ag+(Zn,Cd)S：Cu；Gd2O2S：Tb；Y2O2S：Tb；Y3Al5O12：Ce；Y2SiO5：Ce；Y3Al5O12：Tb；ZnS：Ag,Al；ZnS：Ag；ZnS：Cu,Al或ZnS：Cu,Au,Al；(Zn,Cd)S：Cu,Cl+(Zn,Cd)S：Ag,Cl；Y2SiO5：Tb；Y2OS：Tb；Y3(Al,Ga)5O12：Ce；Y3(Al,Ga)5O12：Tb；InBO3：Tb；InBO3：Eu；InBO3：Tb+InBO3：Eu；InBO3：Tb+InBO3：Eu+ZnS：Ag；(Ba,Eu)Mg2Al16O27；(Ce,Tb)MgAl11O19；BaMgAl10O17：Eu,Mn；BaMg2Al16O27：Eu(II)；BaMgAl10O17：Eu,Mn；BaMg2Al16O27：Eu(II),Mn(II)；Ce0.67Tb0.33MgAl11O19：Ce,Tb；Zn2SiO4：Mn,Sb2O3；CaSiO3：Pb,Mn；CaWO4(白鎢礦)；CaWO4：Pb；MgWO4；(Sr,Eu,Ba,Ca)5(PO4)3Cl；Sr5Cl(PO4)3：Eu(II)；(Ca,Sr,Ba)3(PO4)2Cl2：Eu；(Sr,Ca,Ba)10(PO4)6Cl2：Eu；Sr2P2O7：Sn(II)；Sr6P5BO20：Eu；Ca5F(PO4)3：Sb；(Ba,Ti)2P2O7：Ti；3Sr3(PO4)2.SrF2：Sb,Mn；Sr5F(PO4)3：Sb,Mn；Sr5F(PO4)3：Sb,Mn；LaPO4：Ce,Tb；(La,Ce,Tb)PO4；(La,Ce,Tb)PO4：Ce,Tb；Ca3(PO4)2CaF2：Ce,Mn；(Ca,Zn,Mg)3(PO4)2：Sn；(Zn,Sr)3(PO4)2：Mn；(Sr,Mg)3(PO4)2：Sn；(Sr,Mg)3(PO4)2：Sn(II)；Ca5F(PO4)3：Sb,Mn；Ca5(F,Cl)(PO4)3：Sb,Mn；(Y,Eu)2O3；Y2O3：Eu(III)；Mg4(F)GeO6：Mn；Mg4(F)(Ge,Sn)O6：Mn；Y(P,V)O4：Eu；YVO4：Eu；Y2O2S：Eu；3.5MgO．0.5MgF2．GeO2：Mn；Mg5As2O11：Mn；SrAl2O7：Pb；LaMgAl11O19：Ce；LaPO4：Ce；SrAl12O19：Ce；BaSi2O5：Pb；SrFB2O3：Eu(II)；SrB4O7：Eu；Sr2MgSi2O7：Pb；MgGa2O4：Mn(II)；Gd2O2S：Tb；Gd2O2S：Eu；Gd2O2S：Pr；Gd2O2S：Pr,Ce,F；Y2O2S：Tb；Y2O2S：Eu；Y2O2S：Pr；Zn(0.5)Cd(0.4)S：Ag；Zn(0.4)Cd(0.6)S：Ag；CdWO4；CaWO4； MgWO4；Y2SiO5：Ce；YAlO3：Ce；Y3Al5O12：Ce；Y3(Al,Ga)5O12：Ce；CdS：In；ZnO：Ga；ZnO：Zn；(Zn,Cd)S：Cu,Al；ZnS：Cu,Al,Au；ZnCdS：Ag,Cu；ZnS：Ag；蒽，EJ-212，Zn2SiO4：Mn；ZnS：Cu；NaI：Tl；CsI：Tl；LiF/ZnS：Ag；LiF/ZnSCu,Al,Au及其組合。
進一步關於圖1，在多個實例中，磷光體可分散於第二層108中。另外或另一選擇為，磷光體可分散於不連續的層中，例如，磷光體可獨立於固體組合物存在於層中或可與另一組合物(例如含聚矽氧之熱熔組合物)組合。
進一步關於圖1，層106、108可相對於彼此及釋放層104以多種定向組態。在層狀聚合結構之多個實例中，可在不同排序之層中利用相同材料以對於其中通過之光產生期望效應。因此，用於本文中所揭示及本領域中已知之各種光學器件之各種囊封物可具有除其中利用之具體材料以外亦可端視特定的光學器件利用具體層排序之層。在多個實例中，具體囊封物可普遍應用於各種光學器件。然而，其他光學器件可有利地利用就所利用之材料及/或層之排序以及其他可能變動而言獨特之囊封物。
進一步關於圖1，一或多個層106、108可包括梯度。在實例中，梯度可係關於含聚矽氧之熱熔組合物及/或磷光體。梯度可為連續的(例如，不間斷的及/或一貫變化的)或成梯狀的(例如，不連續的或以一或多個梯級變化)。在多個實例中，成梯狀的梯度可反映梯級間之不同層。術語「梯度」可描述例如含聚矽氧之熱熔組合物之組份的量及/或磷光體的量之分級變化。梯度亦可描述由磷光體產生之光之光度之分級變化。
進一步關於圖1，在一個實例中，梯度可進一步定義為向量場，其指向最大增加率之方向且其量值係最大變化率。在另一實例中，梯度可進一步定義為一系列在關於含聚矽氧之熱熔組合物及/或磷光體 之點處的二維向量，該含聚矽氧之熱熔組合物及/或磷光體具有由水平及垂直方向上之衍生物給出之組份。在實例中，在每一點處，向量指向最大增加之方向，並且向量之長度對應於該方向上之變化率。
進一步關於圖1，在實例中，組合物包含二矽烷氧基單元及三矽烷氧基單元之梯度。在另一實例中，組合物包括二矽烷氧基單元、三矽烷氧基單元及矽醇基團之梯度。在又一實例中，組合物包括三矽烷氧基單元及矽醇基團之梯度。在另一實例中，組合物包括二矽烷氧基單元及矽醇基團之梯度。另外，折射率分等之聚矽氧組合物可用於製備組合物梯度。例如，可將折射率為1.43之苯基-T-PDMS樹脂-線性與折射率為1.56之苯基-T-PhMe樹脂-線性組合以產生梯度。該實例可提供自高折射率光學器件(例如LED)至空氣表面之相對平滑過渡。
進一步關於圖1，在例示之實例中，梯度在靠近釋放層104處產生相對較硬之組合物並且在遠離釋放層104處產生相對較軟之組合物。在多個實例中，可利用層狀聚合結構100之該實例向包括相對靈敏電子組件(例如LED)之光學器件之光學表面提供相對軟表面。同時，可使形成梯度之層106、108之相對硬表面暴露於環境條件，從而可為所得光學總成提供有用之彈性。在多個替代實例中，層狀聚合結構100之暴露於環境條件之側可端視其使用的特定情況而有利地比內部條件相對較軟。在實例中，第一層106包括磷光體且第二層108包括具有梯度之組合物。
圖2係納入具有磷光體204與含聚矽氧之熱熔組合物206之組合之層202之層狀聚合結構200的側面輪廓。儘管所例示實例出於例示目的僅顯示一個層202，但可視需要包括任何數量的額外層。在所例示實例中亦包括釋放層104。如所例示，磷光體遍及組合物206普遍均勻分散。在多個實例中，磷光體204可以梯度圖案安置，遍及組合物206均質分散，或在組合物206之一些區域中以較高濃度存在且在組合物206 之其他區域中以較低濃度存在。
進一步關於圖2，在實例中，層202包括與包括梯度之組合物206組合之磷光體204。在所例示實例中，磷光體204普遍均勻分佈，而組合物206形成梯度。在多個替代實例中，磷光體204之分佈可代替組合物206之梯度或除組合物206之梯度以外產生梯度。
圖3係包括具有第一層306、第二層308及第三層310之主體302之層狀聚合結構300的側視圖。在所例示實例中，第一層306包括第一磷光體，以使第一層306改質通過其中之符合對應於第一色彩之波長之光。第二層308包括第二磷光體，以使第二層308改質通過其中之符合對應於第二色彩之波長之光。在實例中，第一色彩及第二色彩分別係黃色及紅色，但在多個實例中，色彩可基於層狀聚合結構300欲連接之光學器件之特徵予以選擇。第三層310可包括含聚矽氧之熱熔組合物且可經選擇以不有目的地使光畸變。如上文所述，層306、308、310之排序可端視有關光學器件之特徵進行選擇。在實例中，第三層310經組態以置於光學器件之光學表面上，且可包括黏著劑以至少部分地將層狀聚合結構300相對於光學器件及光學表面黏著。
進一步關於圖3，在多個實例中，第三層310係有機聚合物。有機聚合物不包括含矽熱熔組合物，此乃因術語「含矽熱熔組合物」在本文中予以定義。有機聚合物可為或可包括丙烯酸系聚合物、聚碳酸酯、伸烷基聚合物或伸烷基-丙烯酸系共聚物。伸烷基聚合物可為聚異丁烯或聚氟乙烯。伸烷基-丙烯酸系共聚物可為乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。有機聚合物可為基於塑膠之載體。基於塑膠之載體可為聚異丁烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、高密度聚乙烯、低密度聚乙烯、聚丙烯或其組合。
進一步關於圖3，在一些實例中，第一層、第二層及第三層306、308、310在一層中包括Np-T-PhMe，在另一層中包括Ph-T- PhMe，且在最後一層中包括Ph-T-PhMe。在一些實例中，Ph-T-PhMe層中之一者係高折射率Ph-T-PhMe層。在其他實例中，Ph-T-PhMe層中之一者經固化。在一些實例中，Ph-T-PhMe層中之一者具有約50微米至約100微米(例如，約50微米至約75微米；約60微米至約90微米；或約75微米至約100微米)之厚度。在其他實例中，Ph-T-PhMe層中之一者具有約0.3mm至約1.5mm(例如，約0.5mm至約1.3mm；約1mm至約1.5mm；或約0.75mm至約1.5mm)之厚度。在其他實例中，Np-T-PhMe層具有約1微米至約20微米(例如，約1微米至10微米；約10微米至約15微米；或約10微米至約20微米)之厚度。在再一些其他實例中，Ph-T-PhMe層包括磷光體。
進一步關於圖3，在一些實例中，第一層、第二層及第三層306、308、310在一層中包括Ph-T-PhMe，在另一層中包括MQ/PDMS，且在最後一層中包括有機聚合物。在一些實例中，Ph-T-PhMe層係高折射率Ph-T-PhMe層。在其他實例中，Ph-T-PhMe層具有約50微米至約100微米之厚度。在其他實例中，MQ/PDMS層具有約0.3mm至約1.5mm之厚度。在又一些其他實例中，有機聚合物層具有約50微米至約100微米之厚度。在再一些其他實例中，Ph-T-PhMe層包括磷光體。
進一步關於圖3，涵蓋層狀聚合結構100-300之多個替代實例，包括其中利用之層之某些組合。在實例中，層狀聚合結構300包括一個具有磷光體之層306、一個澄清層308及一個具有反射率梯度之層310。各個層狀聚合結構100-300可納入膠，例如釋放層104之一部分或除所描繪層以外。在多個實例中，膠可促進固化，例如對於磷光體層。
圖4係實例性層400中之二維梯度之實例。梯度在層400之第一端402產生比第二端404相對較硬之含聚矽氧之熱熔組合物。例示性實例 可同等適當地應用於本文中所揭示之其他層中之其他梯度。
本文中所揭示之光學總成可具有多種架構。例如，光學總成可僅包括光學器件及作為囊封物之具有主體(例如，圖1之主體102)之層狀聚合結構。另一選擇為，光學總成可僅包括光學器件及作為囊封物之具有主體(例如，圖1之主體102)之層狀聚合結構，且可進一步包括在囊封物及/或光學器件上或相對於囊封物及/或光學器件佈置之釋放襯裏(例如，圖1之釋放襯裏104)。
光學總成可應用於多種已知應用，例如，光伏打面板及其他光學能量生成器件、光耦合器、光學網路及資料傳輸、儀錶板及開關、禮貌照明、轉向及停止信號、家用電器、VCR/DVD/立體聲/聲頻/視訊器件、玩具/遊戲儀器配置、安全設備、開關、建築照明、標誌圖樣(通道字母)、機器視覺、零售展示、緊急照明、氖燈泡置換、閃光燈、補強照明全色彩視訊、單色訊息板、交通、鐵路及航空應用、行動電話、個人數位助理(PDA)、數位相機、膝上型電腦、醫學儀器配置、條碼讀取器、色彩及貨幣感測器、編碼器、光學開關、光纖通訊及其組合。
光學器件可包括同調光源，例如本領域中已知之各種雷射，以及非同調光源，例如發光二極體(LED)及各種類型之發光二極體，包括半導體LED、有機LED、聚合物LED、量子點LED、紅外線LED、可見光LED(包括彩色光及白光)、紫外線LED及其組合。
光學總成亦可包括一或多個本領域中已知通常與光學總成有關之層或組件。例如，光學總成可包括一或多個驅動器、光學器件、散熱體、外殼、透鏡、電源、夾具、導線、電極、電路等。
光學總成亦可包括基板及/或覆板。基板及覆板可相同或可不同，且每一者可獨立地包括本領域中已知之任何適宜材料。基板及/或覆板可為柔軟的、撓性的、堅硬的或剛性的。另一選擇為，基板及 /或覆板可包括堅硬且剛性的區段，然而同時包括柔軟且撓性的區段。基板及/或覆板可透光，可不透光，或可不透射光(即，光不可透過)。覆板可透射光。在一個實例中，基板及/或覆板包括玻璃。在另一實例中，基板及/或覆板包括金屬箔、聚醯亞胺、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物及/或有機氟聚合物，包括但不限於乙烯-四氟乙烯(ETFE)、TEDLAR®(DuPont,Wilmington,DE)、聚酯/TEDLAR®、TEDLAR®/聚酯/TEDLAR®、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)，單獨或塗覆有矽及氧化材料(SiOx)，以及其組合。在一個實例中，基板進一步定義為PET/SiOx-PET/Al基板，其中x具有1至4之值。
基板及/或覆板可承受負載或未承受負載，且可包括於光學總成之任一部分中。基板可為光學總成之「底層」，其位於光學器件之後且至少部分地作為光學器件且通常光學總成之機械支撐。另一選擇為，光學總成可包括第二或額外的基板及/或覆板。基板可為光學總成之底層，而第二基板可為頂層並作為覆板。第二基板(例如，作為覆板之第二基板)可實質上透光(例如，可見光、UV光及/或紅外光)，且位於基板之上。
另外，光學總成亦可包括一或多個黏結層。該一或多個黏結層可佈置於基板上以將光學器件黏著至基板。在一個實例中，光學總成不包括基板且不包括黏結層。黏結層可透過UV光、紅外光及/或可見光。然而，黏結層可不能透過光或為不透光的。黏結層可為黏性的，且可為凝膠、膠、液體、膏糊、樹脂或固體。在一個實例中，黏結層係膜。
另一選擇為，光學總成可在單一層中或在不含釋放襯裏104之多個層中包括含聚矽氧之熱熔組合物。在另一實例中，磷光體以密度梯度存在且光學總成包括受控之磷光體分散。在此實例中，受控分散可沉降及/或沈澱。在又一實例中，光學總成可在任一或多個層中具有 模數及/或硬度梯度。在又一實例中，光學總成可包括一或多個存在於光學總成之任一部分中之氣體障壁層。光學總成可包括一或多個存在於光學總成之任一部分中之非黏性層、無塵層(non-dust layer)及/或沾污層(stain layer)。光學總成可進一步包括B階段膜之組合(例如，預成形之囊封物膜之實施例)，且包括一或多個非熔膜之層。光學總成亦可包括一或多個佈置於光學總成內(例如，其上)之硬層，例如，玻璃、聚碳酸酯或聚對苯二甲酸乙二酯。硬層可佈置作為光學總成之最外層。光學總成可包括第一硬層作為第一最外層且包括第二硬層作為第二最外層。光學總成可進一步包括一或多個佈置於光學總成之任一部分中之擴散體注入層(diffuser infused layer)。該一或多個擴散體層可包括(例如)e粉末、TiO2、Al2O3等。光學總成可包括反射體及/或固體組合物(例如，作為膜)可包括包埋於其中之反射體壁。固態膜層中之任一或多者可為光滑的，可為圖案化的，或可包括光滑的部分及圖案化的部分。另一選擇為，光學總成可包括例如碳奈米管以代替磷光體。另一選擇為，碳奈米管可以某一方向配向於例如晶圓表面上。可在該等碳奈米管周圍澆鑄膜以生成具有改良之熱散逸特徵之透明膜。
圖5係光學總成500之實例之影像。該光學總成包括囊封物502、光學器件504，光學器件504各自具有光學表面506且各自位於基板508上。可藉由熱壓機用1mm深之模具將囊封物502之聚矽氧組合物在100℃下加熱30分鐘。可納入1mm厚之B階段透明薄片或層。可將囊封物502在具有圓頂形空腔之模具中如圖解說明壓縮模製至光學器件504。可在囊封物502中納入透明薄片或層。納入光學總成500中之囊封物502可藉由在130℃下壓縮模製五(5)分鐘以使囊封物502熔融並使囊封物502在圓頂形空腔中固化來獲得。
進一步關於圖5，囊封物502可為或可包括如本文中所揭示之具有多個層之主體，例如主體102(圖1)或主體302(圖3)。儘管本文中揭 示光學總成之多個實例，但光學總成500之囊封物502可根據本文中所揭示之材料層之多種組合中之任一者進行組態。此外，光學器件504可為本文中所揭示或本領域中已知之光學器件504中之任一者。與本文中所揭示之其他囊封物一樣，囊封物502實質上或完全覆蓋光學器件502之光學表面506。
本文中所述實施例之光學總成尤其包括囊封物。囊封物又包括包含第一反應性或非反應性含聚矽氧之熱熔組合物之第一層；以及包含第二反應性或非反應性含聚矽氧之熱熔組合物之第二層。第一及/或第二含聚矽氧之組合物包括樹脂-線性組合物、矽氫化固化組合物、高苯基-T組合物、矽密封劑組合物、聚脲-聚矽氧烷組合物、MQ/聚矽氧烷組合物、MQ/X-二有機矽氧烷組合物、聚醯亞胺-聚矽氧烷組合物、聚碳酸酯-聚矽氧烷組合物、聚胺基甲酸酯-聚矽氧烷組合物、聚丙烯酸酯-聚矽氧烷組合物或聚異丁烯-聚矽氧烷組合物中之至少一者。在一些實施例中，涵蓋聚碳酸酯及聚碳酸酯-矽氧烷共聚物混合物。在其他實施例中，涵蓋將樹脂-線性有機矽氧烷嵌段共聚物組合物(例如本文中所述者及公開之美國申請案第2013/0168727號及第2013/0245187號(兩個案件之全部內容如同在本文中完全陳述一般以引用的方式併入本文中)中所述者)與線性或樹脂有機聚矽氧烷組份藉由例如摻和方法而組合之組合物。該等組合物闡述於2012年3月21日提出申請之美國臨時專利申請案第61/613,510號中。該等組合物展現出樹脂-線性有機矽氧烷嵌段共聚物組合物之改良韌性及流動性質，並且對樹脂-線性有機矽氧烷嵌段共聚物之固化膜之透光性具有最小影響(若存在)。
如本文中所使用，術語「樹脂-線性組合物」包括具有相偶聯之有機矽氧烷「樹脂」部分及有機矽氧烷「線性」部分之有機矽氧烷嵌段共聚物。樹脂-線性組合物在下文中更詳細地進行闡述。樹脂-線性 組合物亦包括揭示於美國專利第8,178,642號中者，該案件之全部內容如同在本文中完全陳述一般以引用的方式併入本文中。簡言之，揭示於‘642專利中之樹脂-線性組合物包括含有以下物質之組合物：(A)溶劑可溶性有機聚矽氧烷，其自由平均結構式RaSiO(4-a)/2表示之有機聚矽氧烷與由通式HR2 2Si(R2 2SiO)nR2 2SiH表示之二有機聚矽氧烷之間之矽氫化反應而產生；及(B)由平均結構式R2 bHcSiO表示之有機氫聚矽氧烷；及(C)矽氫化觸媒，其中變量Ra、R2、a、n、b及c在本文中予以定義。
如本文中詳細揭示，樹脂-線性組合物可包括多個特徵。在某些樹脂-線性組合物中，組合物包括富集樹脂相及相分離之富集線性相。
如本文中所使用，術語「高苯基-T組合物」包括藉由使由以下平均單元式表示之含苯基之有機聚矽氧烷交聯獲得之組合物：(R1 3SiO1/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1SiO3/2)c(SiO4/2)d(R2O1/2)e
其中R1係苯基、具有1至6個碳原子之烷基或環烷基，或具有2至6個碳原子之烯基，前提條件係60莫耳%至80莫耳%之R1係苯基且10莫耳%至20莫耳%之R1係烯基；R2係氫原子或具有1至6個碳原子之烷基；「a」、「b」、「c」、「d」及「e」係滿足以下條件之數值：0a0.2，0.2b0.7，0.2c0.6，0d0.2，0e0.1，且a+b+c+d=1。
術語「高苯基-T組合物」亦包括藉由使包括以下物項之聚矽氧組合物部分交聯獲得之組合物：(A)由以下平均單元式表示之含苯基之有機聚矽氧烷：(R1 3SiO1/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1SiO3/2)c(SiO4/2)d(R2O1/2)e
其中R1係苯基、具有1至6個碳原子之烷基或環烷基，或具有2至6個碳原子之烯基，前提條件係60莫耳%至80莫耳%之R1係苯基且10莫 耳%至20莫耳%之R1係烯基；R2係氫原子或具有1至6個碳原子之烷基；「a」、「b」、「c」、「d」及「e」係滿足以下條件之數值：0a0.2，0.2b0.7，0.2c0.6，0d0.2，0e0.1，且a+b+c+d=1；(B)由以下通式表示之含苯基之有機聚矽氧烷：R3 3SiO(R3 2SiO)mSi R3 3
其中R3係苯基、具有1至6個碳原子之烷基或環烷基，或具有2至6個碳原子之烯基，前提條件係40莫耳%至70莫耳%之R3係苯基且至少一個R3係烯基；「m」係5至100之整數；(C)每分子具有至少兩個矽原子鍵結之氫原子之含苯基之有機聚矽氧烷；及(D)矽氫化反應觸媒。
在一些實例中，組份(C)係由以下通式表示之有機三矽氧烷：(HR4 2SiO)2Si R4 2
其中R4係苯基、或具有1至6個碳原子之烷基或環烷基，前提條件係30莫耳%至70莫耳%之R4係苯基。亦見實例7至22。
在一些實例中，樹脂-線性及/或高苯基-T組合物可視為「矽氫化固化組合物」。
如本文中所使用，術語「聚矽氧密封劑組合物」包括聚矽氧烷密封劑，例如美國專利第4,962,152號；第5,264,603號；第5,373,079號；及第5,425,947號中所揭示者，該等案件之全部內容如同在本文中完全陳述一般以引用的方式併入本文中。其亦包括XIAMETER®(Dow Corning,Midland,MI)商標之乙醯氧基、烷氧基及肟密封劑。其他聚矽氧密封劑組合物包括矽氧烷高稠度橡膠組合物，例如Sotefa 70M，其可自Dow Corning,Midland,MI購得。
如本文中所使用，術語「聚脲-聚矽氧烷組合物」包括但不限於 包括聚脲及聚矽氧烷區段之多嵌段共聚物。在一些實例中，聚脲-聚矽氧烷組合物包括聚脲-PDMS組合物，其包括GENIOMER®(Wacker Chemie AG,Munich Germany)、TECTOSIL®(Wacker Chemie AG,Munich Germany)等。聚脲-聚矽氧烷組合物亦可含有其他聚合區段，例如聚氧化丙烯軟區段。聚脲-聚矽氧烷組合物亦包括公開之美國專利申請案第2010/0047589號中揭示之聚脲-聚矽氧烷組合物，該案件之全部內容如同在本文中完全陳述一般以引用的方式併入本文中。
如本文中所使用，術語「MQ/聚矽氧烷組合物」包括包含以下之組合物：MQ型熱熔組合物，其含有MQ聚矽氧樹脂(MQ-1600固體樹脂、MQ-1601固體樹脂、7466樹脂及7366樹脂，所有皆自Dow Corning公司購得，以及美國專利第5,082,706號中揭示之MQ樹脂，該案件之全部內容如同在本文中完全陳述一般以引用的方式併入本文中)；及聚有機矽氧烷(例如聚二甲基矽氧烷(PDMS))。該等組合物包括但不限於Dow Corning® Q2-7735黏著劑及InstantGlaze總成密封劑。
MQ型組合物亦包括包含以下物質之組合物：每分子平均具有至少兩個脂族不飽和有機基團且黏度至高12,000mPa-s之低黏度聚二有機矽氧烷及每分子平均具有至少兩個脂族不飽和有機基團且黏度至少45,000mPa-s之高黏度聚二有機矽氧烷；每分子平均具有至少兩個脂族不飽和有機基團之聚矽氧樹脂；及每分子平均具有至少兩個矽鍵結之氫原子之交聯劑，例如公開之PCT申請案第WO2010/138221號及公開之美國專利申請案第2012/0065343號(該兩個案件之全部內容均以引用的方式併入本文中)中揭示之彼等組合物。
其他MQ型組合物包括揭示於美國專利第5,708,098號中者，該案件之全部內容如同在本文中完全陳述一般以引用的方式併入本文中。簡言之，揭示於‘098專利中之組合物包括含有主要包含R3SiO1/2及 SiO4/2單元(分別為M及Q單元)之巨分子聚合物者，其中R係官能或非官能的經取代或未經取代之有機基團。該等巨分子聚合物稱為「MQ-樹脂」或「MQ聚矽氧樹脂」。在一些實例中，揭示於‘098專利中之MQ型組合物可包括許多R2SiO2/2及RSiO3/2單元(分別稱為D及T單元)。MQ聚矽氧樹脂通常以將樹脂巨分子溶解於通常但並非總為芳香族溶劑之溶劑中的方式產生。‘098專利之一些實施例係關於藉由將MQ型聚矽氧樹脂主要與線性聚矽氧流體(例如聚二甲基矽氧烷液體及膠)摻和至實質上均質而製備之無溶劑熱塑性聚矽氧顆粒。將摻合物加熱至預定之壓縮成形溫度，壓縮成形成緻密化團塊並成型為顆粒形式。平衡顆粒之組成，使得顆粒在預定之壓縮成形溫度下展現塑性流動，且在等於或低於預定之最高儲存溫度之溫度下抵抗結塊。
其他MQ型組合物揭示於公開之美國專利申請案第2011/0104506號中，該案件如同在本文中完全陳述一般以引用的方式併入本文中。簡言之，揭示於‘506申請案中之MQ型組合物係含有以下物項之熱熔黏著劑組合物：(1)聚矽氧樹脂，其具有小於2wt%之矽醇含量且包含M及Q單元；(2)有機聚矽氧烷，其包含二官能單元D及某些末端單元；(3)矽烷交聯劑；及(4)觸媒。其他MQ型組合物揭示於WO2007/120197中，該案件之全部內容如同在本文中完全陳述一般以引用的方式併入本文中。
如本文中所使用，術語「MQ/X-二有機矽氧烷組合物」包括但不限於包括以下之組合物：MQ型熱熔組合物，其含有MQ聚矽氧樹脂；及X-二有機矽氧烷，其中X包括但不限於任何有機聚合物。在一些實例中，X-二有機矽氧烷之有機聚合物部分含有嵌段、二嵌段、三嵌段、多嵌段及分段部分，所述嵌段、二嵌段、三嵌段、多嵌段及分段部分含有一或多種有機聚合物(例如，丙烯酸系聚合物、聚碳酸酯、伸烷基聚合物或伸烷基-丙烯酸系共聚物)。在一些實例中，X-二有機 矽氧烷之二有機矽氧烷部分含有嵌段、二嵌段、三嵌段、多嵌段及分段部分，所述嵌段、二嵌段、三嵌段、多嵌段及分段部分含有一或多種二有機矽氧烷(例如，PDMS、PhMe或Ph2/Me2)。MQ/X-二有機矽氧烷之非限制性實例包括MQ-樹脂/PS-PDMS組合物。
如本文中所使用，術語「MQ-樹脂/PS-PDMS組合物」包括含有MQ-樹脂之聚苯乙烯-聚二甲基矽氧烷組合物(例如，三甲基矽烷氧基封端之聚(苯乙烯-嵌段-二甲基矽氧烷)共聚物，其具有45,500之重量平均分子量(Mw)及1.15之多分散性且具有31,000g/莫耳之苯乙烯嵌段及15,000g/莫耳之二甲基矽氧烷嵌段；可自Polymer Source公司獲得)。該等MQ-樹脂/PS-PDMS組合物之實例揭示於WO 2012/071330中，該案件之全部內容如同在本文中完全陳述一般以引用的方式併入本文中。
又一些其他MQ型組合物包括公開之美國專利申請案第2012/0125436號中所揭示者，該案件之全部內容如同在本文中完全陳述一般以引用的方式併入本文中。該等組合物包含含有至少一種聚矽氧離子聚合物(即，整體性質由材料之不連續區域中之離子相互作用支配之聚合物)之熱塑性彈性體。
如本文中所使用，術語「聚醯亞胺-聚矽氧烷組合物」包括包含聚醯亞胺聚矽氧烷之組合物，例如美國專利第4,795,680號；第5,028,681號；第5,317,049號等中所揭示者，該等案件之全部內容如同在本文中完全陳述一般以引用的方式併入本文中。聚醯亞胺-聚矽氧烷組合物亦包括含有含PDMS之聚醯亞胺共聚物之組合物，包括但不限於含有下式之醯亞胺-矽氧烷之醯亞胺-矽氧烷組合物：
例如Rogers,M.E.等人，J.of Polymer Sci.A：Poly Chem 32：2663 (1994)；及Contemporary Topics in Polymer Science 47-55(Salamone,J.S及Riffle,J.S.編輯，New York：Plenum Press 1992)中所揭示者，該等文獻之全部內容如同在本文中完全陳述一般以引用的方式併入本文中。
如本文中所使用，術語「聚碳酸酯-聚矽氧烷組合物」包括但不限於包括聚碳酸酯-聚矽氧烷組合物之組合物，例如美國專利第7,232,865號；第6,870,013號；第6,630,525號；第5,932,677號；第5,932,677號等中所揭示者，該等案件之全部內容如同在本文中完全陳述一般以引用的方式併入本文中。聚碳酸酯-聚矽氧烷組合物亦包括含有聚碳酸酯-聚矽氧烷之組合物，例如Contemporary Topics in Polymer Science 265-288(Culbertson編輯，Plenum 1989)；Chen,X.等人，Macromolecules 26：4601(1993)；Dwight,D.W.等人，Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 52：457(1990)；及Furukawa,N等人，J.Adhes.59：281(1996)中所揭示者，該等文獻之全部內容如同在本文中完全陳述一般以引用的方式併入本文中。
如本文中所使用，術語「聚胺基甲酸酯-聚矽氧烷組合物」包括但不限於包括聚胺基甲酸酯-聚矽氧烷組合物之組合物，例如美國專利第6,750,309號；第4,836,646號；第4,202,807號等中所揭示者，該等案件之全部內容如同在本文中完全陳述一般以引用的方式併入本文中。聚胺基甲酸酯-聚矽氧烷組合物亦包括含有聚胺基甲酸酯-聚矽氧烷之組合物，例如Chen,X.等人，Macromolecules 26：4601(1993)；Dwight,D.W.等人，Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 52：457(1990)中所揭示者，該等文獻之全部內容如同在本文中完全陳述一般以引用的方式併入本文中。
如本文中所使用，術語「聚丙烯酸酯-聚矽氧烷組合物」包括但不限於聚丙烯酸酯改質之聚矽氧烷，例如美國專利第8,076,440號；及第7,230,051號中所揭示者；以及聚丙烯酸酯樹脂與含矽氧烷共聚物之 混合物，例如美國專利第4,5504139號中所揭示者，該等案件之全部內容如同在本文中完全陳述一般以引用的方式併入本文中。
如本文中所使用，術語「聚異丁烯-聚矽氧烷組合物」包括但不限於包括聚異丁烯-聚矽氧烷組合物之組合物，例如EP0969032中所揭示者，該案件之全部內容如同在本文中完全陳述一般以引用的方式併入本文中。
涵蓋用作囊封物之其他組合物包括乙烯-乙酸乙烯酯(EVA)共聚物及聚氟乙烯膜(例如，TEDLAR®,Dupont,Wilmington,DE)。
本文中亦涵蓋含有具有烯基及全氟醚主鏈之全氟化聚合物組合物之囊封物，其中烯基可與氟化之有機氫矽氧烷在鉑觸媒存在下經由矽氫化固化機制而反應。該等組合物揭示於公開之美國申請案第US2009/0284149號及第JP2010-123769號中，該等案件之全部內容如同在本文中完全陳述一般以引用的方式併入本文中。揭示於‘149申請案及‘769申請案中之該等組合物亦含有具有一定比表面積之矽石。
樹脂-線性組合物在本領域中已知且闡述於例如公開之美國申請案第2013/0168727號；第2013/0171354號；第2013/0245187號；第2013/0165602號；及第2013/0172496號中，所有該等案件如同在本文中完全陳述一般明確地以引用的方式併入本文中。在一些具體實例中，樹脂-線性組合物含有有機矽氧烷嵌段共聚物，所述共聚物含有：40至90莫耳百分比之式[R1 2SiO2/2]之二矽烷氧基單元，10至60莫耳百分比之式[R2SiO3/2]之三矽烷氧基單元，0.5至25莫耳百分比之矽醇基團[≡SiOH]；其中：R1獨立地為C1至C30烴基，R2獨立地為C1至C20烴基；其中：二矽烷氧基單元[R1 2SiO2/2]以線性嵌段排列，每一線性嵌段平均具有10個至400個二矽烷氧基單元[R1 2SiO2/2]，三矽烷氧基單元[R2SiO3/2]以具有至少500g/莫耳之分子量之非線性嵌段排列，至少30%之非線性嵌段彼此交聯且主要以奈米域聚集在一起，每一線性 嵌段連接至至少一個非線性嵌段；且有機矽氧烷嵌段共聚物具有至少20,000g/莫耳之重量平均分子量且在25℃下為固體。
當自本文中所述之樹脂-線性有機矽氧烷嵌段共聚物之可固化組合物(在一些實施例中，其亦含有有機矽氧烷樹脂(例如，不為嵌段共聚物之一部分之游離樹脂))形成固體組合物時，有機矽氧烷樹脂亦主要聚集在奈米域內。
本發明之固體組合物可包括相分離之「軟」及「硬」區段，其分別由線性D單元之嵌段以及非線性T單元之嵌段之聚集物產生。該等各別軟及硬區段可藉由不同的玻璃轉變溫度(Tg)來確定或推斷。因此，線性區段可闡述為通常具有低Tg(例如低於25℃、另一選擇為低於0℃、或另一選擇為甚至低於-20℃)之「軟」區段。線性區段通常在各種條件下保持「流體」樣性質。相反，非線性嵌段可闡述為具有較高Tg值(例如高於30℃、另一選擇為高於40℃、或另一選擇為甚至高於50℃)之「硬區段」。
本發明之樹脂-線性有機聚矽氧烷嵌段共聚物之優勢在於，其可處理若干次，此乃因處理溫度(T處理)低於使有機矽氧烷嵌段共聚物最終固化所需要之溫度(T固化)，即，T處理<T固化。然而，當T處理高於T固化時，有機矽氧烷共聚物將固化並達成高溫穩定性。因此，本發明之樹脂-線性有機聚矽氧烷嵌段共聚物具有「可再處理」之明顯優勢並且具有通常與聚矽氧有關之益處，例如：疏水性、高溫穩定性、抗濕性/抗UV性。
在一些實施例中，包括樹脂-線性有機矽氧烷嵌段共聚物之固體組合物亦含有穩定劑。參見例如2012年11月30日提出申請之PCT申請案第PCT/US2012/067334號；及2011年12月2日提出申請之美國臨時申請案第61/566,031號，該等案件之全部內容如同在本文中完全陳述一般以引用的方式併入本文中。將穩定劑添加至如上文所述之樹脂-線 性有機矽氧烷嵌段共聚物中，以改良含有有機矽氧烷嵌段共聚物之固體組合物之存架穩定性及/或其他物理性質。穩定劑可選自鹼土金屬鹽、金屬螯合物、硼化合物、含矽小分子或其組合。
儘管不欲受限於任何理論，但穩定劑組份可發揮縮合觸媒之作用。例如，在本文所述樹脂-線性有機矽氧烷嵌段共聚物之合成期間(例如，在合成結束時)用鹽(例如，氯化鈣)或觸媒(例如金屬螯合物，例如乙醯丙酮鎂或Al(acac)3)處理大幅增加產物之穩定性。此係令人驚奇且出乎意料的，此乃因預期觸媒會降低矽醇官能共聚物之存架穩定性。然而，儘管不受限於理論，但認為，在一些情形下，穩定劑可優先溶解於相分離之富集樹脂相中並增強存在於此相中之矽醇基團之縮合。此乃因此相(即，富集樹脂相)主要含有殘留「游離樹脂」，此相之縮合隨後可增加含有樹脂-線性嵌段共聚物之基質之固化溫度。例如，在不存在本文所述穩定劑之情況下，具有彈性體性質之典型樹脂-線性材料(例如，基於20莫耳%之苯基-倍半矽氧烷樹脂及184dp聚二甲基矽氧烷，亦稱為「PDMS」)將在約80℃開始流動，隨後駐留於樹脂嵌段上之殘留矽醇基團在約120℃下進一步縮合固化，從而產生抗拉強度為2-5MPa且斷裂伸長度為200-600%之材料。包含穩定劑之相同樹脂-線性材料之固化溫度將自120℃顯著延伸至180℃。
本發明亦提供可固化聚矽氧組合物。可固化聚矽氧組合物包括本文所述之有機矽氧烷嵌段共聚物。在一些實施例中，可固化聚矽氧組合物亦包括有機溶劑。在一些實施例中，術語「可固化聚矽氧組合物」亦包括存於溶劑中或與溶劑組合之固體組合物組合。在一些實施例中，有機溶劑係芳香族溶劑，例如苯、甲苯或二甲苯。在一些實施例中，溶劑實質上(例如，完全或全部)溶解本文所述之有機矽氧烷嵌段共聚物。
本文所述之可固化組合物可進一步含有有機矽氧烷樹脂(例如， 不為嵌段共聚物之一部分的游離樹脂)。存在於該等組合物中之有機矽氧烷樹脂通常將為用於製備有機矽氧烷嵌段共聚物之有機矽氧烷樹脂。因此，有機矽氧烷樹脂在其式中可包含至少60莫耳%之[R2SiO3/2]矽烷氧基單元(例如，至少70莫耳%之[R2SiO3/2]矽烷氧基單元，至少80莫耳%之[R2SiO3/2]矽烷氧基單元，至少90莫耳%之[R2SiO3/2]矽烷氧基單元，或100莫耳%之[R2SiO3/2]矽烷氧基單元；或60-100莫耳%之[R2SiO3/2]矽烷氧基單元，60-90莫耳%之[R2SiO3/2]矽烷氧基單元或70-80莫耳%之[R2SiO3/2]矽烷氧基單元)，其中每一R2獨立地為C1至C20烴基。另一選擇為，有機矽氧烷樹脂係倍半矽氧烷樹脂，或另一選擇為苯基倍半矽氧烷樹脂。
當可固化組合物包括有機矽氧烷嵌段共聚物、有機溶劑及可選的有機矽氧烷樹脂時，每一組份的量可變化。本發明之可固化組合物中之有機矽氧烷嵌段共聚物、有機溶劑及可選的有機矽氧烷樹脂的量可變化。本發明之可固化組合物可含有：40重量%至80重量%之如本文所述之有機矽氧烷嵌段共聚物(例如，40重量%至70重量%、40重量%至60重量%、40重量%至50重量%)；10重量%至80重量%之有機溶劑(例如，10重量%至70重量%、10重量%至60重量%、10重量%至50重量%、10重量%至40重量%、10重量%至30重量%、10重量%至20重量%、20重量%至80重量%、30重量%至80重量%、40重量%至80重量%、50重量%至80重量%、60重量%至80重量%、或70重量%至80重量%；及5重量%至40重量%)；及有機矽氧烷樹脂(例如，5重量%至30重量%、5重量%至20重量%、5重量%至10重量%、10重量%至40重量%、10重量%至30重量%、10重量%至20重量%、20重量%至40重量%或30重量%至40重量%)；由此該等組份之重量%的總和不超過100%。
在一個實例中，可固化組合物基本上由如本文所述之有機矽氧烷嵌段共聚物、有機溶劑及有機矽氧烷樹脂組成。在此實例中，該等 組份之重量%共計100%，或接近100%。關於緊接上述實例之術語「基本上由...組成」在此實例中描述，可固化聚矽氧組合物不含不為本發明之有機矽氧烷嵌段共聚物或有機矽氧烷樹脂之聚矽氧或有機聚合物。
可固化聚矽氧組合物亦可包括固化觸媒。固化觸媒可選自業內已知實現有機矽氧烷之(縮合)固化之任何觸媒，例如各種錫或鈦觸媒。縮合觸媒可為通常用於促進矽鍵結之羥基(=矽醇)縮合以形成Si-O-Si連接之任何縮合觸媒。實例包括但不限於胺、鉛、錫、鈦、鋅及鐵之錯合物。
在多個實施例中，固體組合物可藉由包括以下步驟之方法形成：使一或多種樹脂(例如苯基-T樹脂)與一或多種(矽醇)封端之矽氧烷(例如PhMe矽氧烷)反應。另一選擇為，可使一或多種樹脂與一或多種加帽(capped)之矽氧烷樹脂(例如以MTA/ETA、MTO、ETS 900等加帽之矽醇封端之矽氧烷)反應。在另一實例中，固體組合物係藉由使一或多種上述組份及/或一或多種組份反應而形成。在又一實例中，該方法可包括上述應用中之任一者中所述之一或多個步驟。
另一選擇為，方法可包括以下步驟：提供存於溶劑中之組合物，例如包括溶劑之可固化聚矽氧組合物，且隨後移除溶劑以形成固體組合物。溶劑可藉由任何已知的處理技術來移除。在一個實例中，形成包括有機矽氧烷嵌段共聚物之膜，且使溶劑自可固化聚矽氧組合物蒸發，從而形成膜。使膜經受提高之溫度及/或降低之壓力將加速溶劑移除及隨後之固體組合物形成。另一選擇為，可使可固化聚矽氧組合物通過擠出機以移除溶劑並提供呈條帶或顆粒形式之固體組合物。倚靠釋放膜之塗覆操作亦可作為狹縫模具內塗覆(in slot die coating)、輥式刮刀塗覆(knife over roll coating)、棒式塗覆或凹板塗覆使用。而且，卷對卷(roll-to-roll)塗覆操作可用於製備固體膜。在 塗覆操作中，可使用輸送機烘箱或其他加熱溶液及將溶液排空之構件來驅逐溶劑並獲得固體組合物。
有機矽氧烷嵌段共聚物可使用包括以下步驟I)之方法來形成：使a)線性有機矽氧烷及b)式中包含至少60莫耳%之[R2SiO3/2]矽烷氧基單元之有機矽氧烷樹脂在c)溶劑中反應。在一個實例中，線性有機矽氧烷具有式R1 q(E)(3-q)SiO(R1 2SiO2/2)nSi(E)(3-q)R1 q，其中每一R1獨立地為C1至C30烴基，n係10至400，q係0、1或2，E係包括至少一個碳原子之可水解基團。在另一實例中，每一R2獨立地為C1至C20烴基。在又一實例中，步驟I中所使用之a)及b)的量經選擇以提供具有40莫耳%至90莫耳%之二矽烷氧基單元[R1 2SiO2/2]及10莫耳%至60莫耳%之三矽烷氧基單元[R2SiO3/2]的有機矽氧烷嵌段共聚物。在甚至另一實例中，將至少95重量%之在步驟I中添加之線性有機矽氧烷納入有機矽氧烷嵌段共聚物中。
在又一實例中，該方法包括步驟II)：使來自步驟I)之有機矽氧烷嵌段共聚物反應，以便例如與有機矽氧烷嵌段共聚物之三矽烷氧基單元交聯及/或使有機矽氧烷嵌段共聚物之重量平均分子量(Mw)增加至少50%。另一實例包括進一步處理有機矽氧烷嵌段共聚物以增強儲存穩定性及/或光學透明度的步驟及/或移除有機溶劑之可選步驟。
可固化聚矽氧組合物可使用包括如上文所述將固體組合物及溶劑組合之步驟之方法來形成。該方法亦可包括一或多個向固體組合物及溶劑中之一者或兩者中引入及/或組合其他組份(例如有機矽氧烷樹脂及/或固化觸媒)的步驟。可使用業內已知之任何方法將固體組合物與溶劑彼此組合及/或與任何其他組份組合，例如攪拌、渦漩、混合等。
在一些實例中，本文所述實施例之光學總成包含第一層及第二層，其中該等層經固化。第一層之固化機制與第二層之固化機制可相 同或不同。固化機制包括但不限於熱熔固化或熱固化、濕氣固化、矽氫化固化(如下文所述)、縮合固化、過氧化物/自由基固化、光固化或基於點擊化學之固化，該基於點擊化學之固化在一些實例中涉及疊氮化物與炔之間之金屬(銅或釕)催化之反應或自由基介導之硫醇-烯反應。其他固化機制包括但不限於過氧化物乙烯基-CH3固化；丙烯酸系自由基固化；烷基硼烷固化；及環氧基-胺/酚類固化。
本發明亦提供形成光學總成之方法。該方法包括將發光二極體與層組合以形成光學總成之步驟。組合步驟並無具體限制，且可包括或進一步定義為，將發光二極體及層彼此相鄰或在彼此頂部上，及/或彼此直接或間接接觸進行佈置。例如，可將層佈置於發光二極體上並且與發光二極體直接接觸。另一選擇為，可將層佈置於發光二極體上，但與該發光二極體分離且不直接接觸，但仍然可係佈置於發光二極體上。
可將層加熱至流動、熔融、壓製、(真空)層壓、壓縮模製、射出轉移模製、壓延、熱壓紋、射出模製、擠出或將層自固體改變成液體或軟化的固體之任何其他方法步驟。
隨後可將液體或軟化的層藉由上述技術中之任一或多者經由噴霧、澆注、塗飾、塗覆、浸漬、刷塗等施加至發光二極體。
在一個實例中，組合步驟進一步定義為使層熔融，以將固體組合物佈置於發光二極體上且與發光二極體直接接觸。在另一實例中，組合步驟進一步定義為使層熔融，以將層佈置於發光二極體上且與發光二極體間接接觸。在又一實例中，該方法進一步包括提供固體組合物存於溶劑中(例如，溶解或部分溶解於溶劑中)之溶液的步驟。在甚至另一實例中，該方法在將發光二極體與層組合之步驟之前包括移除溶劑以形成固體組合物以形成層的步驟。在又一實例中，該方法進一步包括在移除溶劑之步驟之後且在將發光二極體與層組合之步驟之前 使固體組合物形成層的步驟。
在其他實施例中，該方法包括經由例如縮合反應、自由基反應或矽氫化反應使固體組合物固化之步驟。在固化步驟中可使用任何觸媒、添加劑等。例如，可使用酸性或鹼性縮合觸媒。另一選擇為，可使用矽氫化觸媒，例如鉑觸媒。在一個實例中，固化步驟在高於固體組合物之熔融溫度之溫度下發生。另一選擇為，固化步驟可在近似層之熔融溫度或低於其熔融溫度下發生。
實例
根據本發明形成包括固體組合物及有機矽氧烷嵌段共聚物之一系列實例。亦形成一系列比較實例，但並非根據本發明。在形成之後，使實例及比較實例成形為薄片，隨後進一步進行評估。
實例1：
向500mL 4頸圓底燒瓶裝載甲苯(65.0g)及苯基-T樹脂(FW=136.6g/mol Si；35.0g,0.256莫耳Si)。燒瓶裝備有溫度計、鐵弗隆(Teflon)攪拌槳及預填充有甲苯且附接至水冷卻冷凝器之迪安-斯達克(Dean Stark)裝置。隨後施加氮氣包覆層。使用油浴將燒瓶在回流下加熱30分鐘。隨後，將燒瓶冷卻至約108℃(反應鍋之溫度)。
隨後製備甲苯(35.0g)及矽醇封端之PhMe矽氧烷(140dp,FW=136.3g/mol Si,1.24mol% SiOH,65.0g,0.477莫耳Si)之溶液，並用50/50 MTA/ETA(平均FW=231.2g/mol Si,1.44g,0.00623mol)在手套工作箱中(同一天)在氮氣中藉由向矽氧烷中添加50/50 MTA/ETA並在室溫下混合2小時給矽氧烷加帽。隨後將加帽之矽氧烷在108℃下添加至苯基-T樹脂/甲苯溶液中並回流約2小時。
在回流後，將溶液冷卻回約108℃，並添加額外量的50/50 MTA/ETA(平均FW=231.2g/mol Si,6.21g,0.0269mol)，並隨後將溶液再回流1小時。
隨後，將溶液冷卻至90℃並且隨後添加12mL DI水。隨後將包括水之溶液加熱至回流，保持約1.5小時，以經由共沸蒸餾移除水。隨後重複添加水及隨後的回流。所移除之水相的總量約為27.3g。
隨後，蒸餾出一些甲苯(約54.0g)以及大部分殘留乙酸(約20分鐘)以增加固體含量。
隨後將溶液冷卻至室溫，並使溶液通過5.0μm過濾器壓力過濾以分離出固體組合物。
藉由29Si NMR分析固體組合物，29Si NMR證實結構為DPhMe 0.635T烷基 0.044T環己基 0.004TPh 0.317，且OZ約為11.8莫耳%。
實例2：
向2L 3頸圓底燒瓶裝載甲苯(544.0g)及216.0g上文所述之苯基-T樹脂。燒瓶裝備有溫度計、鐵弗隆攪拌槳及預填充有甲苯且附接至水冷卻冷凝器之迪安-斯達克裝置。施加氮氣包覆層。使用加熱包將溶液在回流下加熱30分鐘。隨後將溶液冷卻至108℃(反應鍋之溫度)。
製備甲苯(176.0g)及264.0g上文所述之矽醇封端之PhMe矽氧烷之溶液，並用50/50 MTA/ETA(4.84g,0.0209莫耳Si)在手套工作箱中(同一天)在氮氣中藉由向矽氧烷中添加MTA/ETA並在室溫下混合2小時給矽氧烷加帽，亦如上文所述。
隨後將加帽之矽氧烷在108℃下添加至苯基-T樹脂/甲苯溶液中並回流約2小時。
在回流後，將溶液冷卻回約108℃，並添加額外量的50/50 MTA/ETA(38.32g,0.166莫耳Si)，並隨後將溶液再回流2小時。
隨後，將溶液冷卻至90℃並且隨後添加33.63g DI水。
隨後將包括水之溶液加熱至回流，保持約2小時，以經由共沸蒸餾移除水。隨後將溶液在回流下加熱3小時。隨後，將溶液冷卻至100℃，並且隨後向其中添加預乾燥之Darco G60碳黑(4.80g)。
隨後將溶液在攪拌下冷卻至室溫，並且隨後在室溫下攪拌過夜。隨後使溶液通過0.45μm過濾器壓力過濾以分離出固體組合物。
藉由29Si NMR分析固體組合物，29Si NMR證實結構為DPhMe 0.519T烷基 0.050TPh 0.431，且OZ約為22.2莫耳%。使用FT-IR分析未在固體組合物中檢測到乙酸。
實例3：
向500mL 3頸圓底燒瓶裝載甲苯(86.4g)及33.0g上文所述之苯基-T樹脂。燒瓶裝備有溫度計、鐵弗隆攪拌槳及預填充有甲苯且附接至水冷卻冷凝器之迪安-斯達克裝置。施加氮氣包覆層。使用加熱包將溶液在回流下加熱30分鐘。隨後將溶液冷卻至108℃(反應鍋之溫度)。
製備甲苯(25.0g)及27.0g上文所述之矽醇封端之PhMe矽氧烷之溶液，並用甲基叁(甲基乙基酮肟)矽烷((MTO)；MW=301.46)在手套工作箱中(同一天)在氮氣中藉由向矽氧烷中添加MTA/ETA並在室溫下混合2小時給矽氧烷加帽，亦如上文所述。
隨後將加帽之矽氧烷在108℃下添加至苯基-T樹脂/甲苯溶液中並回流約3小時。如下文更詳細闡述，隨後自該溶液澆鑄膜。藉由29Si NMR分析溶液中之有機矽氧烷嵌段共聚物，29Si NMR證實結構為DPhMe 0.440TMe 0.008TPh 0.552，且OZ約為17.0莫耳%。使用FT-IR分析未在固體組合物中檢測到乙酸。
實例4：
向5L 4頸圓底燒瓶裝載甲苯(1,000.0g)及280.2g上文所述之苯基-T樹脂。燒瓶裝備有溫度計、鐵弗隆攪拌槳及預填充有甲苯且附接至水冷卻冷凝器之迪安-斯達克裝置。施加氮氣包覆層。使用加熱包將溶液在回流下加熱30分鐘。隨後將溶液冷卻至108℃(反應鍋之溫度)。
製備甲苯(500.0g)及720.0g矽醇封端之PDMS(FW=74.3g/mol Si；約1.01莫耳% OH)之溶液，並用50/50 MTA/ETA(23.77g,0.1028莫耳Si)在手套工作箱中(同一天)在氮氣中藉由向矽氧烷中添加MTA/ETA並在室溫下混合30分鐘給PDMS加帽，亦如上文所述。
隨後將加帽之PDMS在108℃下添加至苯基-T樹脂/甲苯溶液中並回流約3小時15分鐘。
在回流後，將溶液冷卻回約108℃，並添加額外量的50/50 MTA/ETA(22.63g,0.0979莫耳Si)，並隨後將溶液再回流1小時。
隨後，將溶液冷卻至100℃並且隨後添加36.1g DI水。
隨後將包括水之溶液在88-90℃下加熱約30分鐘，且隨後在回流下加熱約1.75小時，以便經由共沸蒸餾移除約39.6克水。隨後使溶液靜置過夜以便冷卻。
隨後，將溶液加熱至回流，保持2小時，且隨後使其冷卻至100℃。為降低乙酸含量，隨後添加126.8g DI水並經3.25小時時間段以共沸方式移除。自迪安-斯達克裝置移除的量約為137.3g。隨後將溶液冷卻至100℃。隨後，添加162.8g水，並且隨後經4.75小時時間段以共沸方式移除。自迪安-斯達克裝置移除的量約為170.7g。隨後將溶液冷卻至90℃，並向其中添加10g Darco G60碳黑。隨後將溶液在攪拌下冷卻至室溫，並且隨後在室溫下攪拌過夜。
隨後使溶液通過0.45μm過濾器壓力過濾以分離出固體組合物。
藉由29Si NMR分析固體組合物，29Si NMR證實結構為DMe2 0.815T烷基 0.017TPh 0.168，且OZ約為6.56莫耳%。使用FT-IR分析未在固體組合物中檢測到乙酸。
實例5：
向12L 3頸圓底燒瓶裝載甲苯(3803.9g)及942.5g上文所述之苯基-T樹脂。燒瓶裝備有溫度計、鐵弗隆攪拌槳及預填充有甲苯且附接 至水冷卻冷凝器之迪安-斯達克裝置。施加氮氣包覆層。使用加熱包將溶液在回流下加熱30分鐘。隨後將溶液冷卻至108℃(反應鍋之溫度)。
製備甲苯(1344g)及1829.0g緊接上文所述之矽醇封端之PDMS之溶液，並用MTO(甲基叁(甲基乙基酮肟)矽烷(85.0g,0.2820莫耳Si))在手套工作箱中(同一天)在氮氣中藉由向矽氧烷中添加MTO並在室溫下混合2小時給PDMS加帽，亦如上文所述。
隨後將加帽之PDMS在110℃下添加至苯基-T樹脂/甲苯溶液中並回流約2小時10分鐘。隨後，添加276.0g正丁醇，並且隨後將溶液回流3小時，且隨後使其冷卻至室溫，保持過夜。
隨後，藉由蒸餾移除約2913g甲苯以使固體含量增加至約50重量%。隨後在65-75℃下施加真空約2.5hr。隨後，使溶液在放置3天後通過5.0μm過濾器過濾以分離出固體組合物。
藉由29Si NMR分析固體組合物，29Si NMR證實結構為DMe2 0.774TMe 0.009TPh 0.217，且OZ約為6.23莫耳%。使用FT-IR分析未在固體組合物中檢測到乙酸。
實例6：
向1L 3頸圓底燒瓶裝載甲苯(180.0g)及64.9g所述之苯基-T樹脂。燒瓶裝備有溫度計、鐵弗隆攪拌槳及預填充有甲苯且附接至水冷卻冷凝器之迪安-斯達克裝置。施加氮氣包覆層。使用加熱包將溶液在回流下加熱30分鐘。隨後將溶液冷卻至108℃(反應鍋之溫度)。
製備甲苯(85.88g)及115.4g矽醇封端之PDMS之溶液，並用ETS 900(50重量%，在甲苯中；平均FW=232/4g/mol Si)在手套工作箱中(同一天)在氮氣中藉由向矽醇封端之PDMS中添加ETS 900/甲苯(8.25g,0.0177莫耳Si)並在室溫下混合2小時給PDMS加帽。
隨後將加帽之PDMS在108℃下添加至苯基-T樹脂/甲苯溶液中並 回流約2小時。
隨後，將溶液冷卻回108℃並添加額外量的ETS900(15.94g,0.0343莫耳Si)。隨後將溶液在回流下加熱1小時且隨後冷卻回108℃。隨後添加額外量的ETS 900/甲苯(2.23g,0.0048莫耳Si)，並且將溶液再次在回流下加熱1小時。
隨後，將溶液冷卻至100℃並且添加30mL DI水。再次將溶液加熱至回流，以便經由共沸蒸餾移除水。將該過程重複三次。
隨後，加熱溶液並蒸餾出約30g溶劑以增加固體含量。隨後將溶液冷卻至室溫，並通過5.0μm過濾器過濾以分離出固體組合物。
藉由29Si NMR分析固體組合物，29Si NMR證實結構為DMe2 0.751T烷基 0.028TPh 0.221，且OZ約為7.71莫耳%。使用FT-IR分析未在固體組合物中檢測到乙酸。
實例7：
在實例中，可藉由以下方式來製備黏度為8630mPa.s之組合物：混合75份由以下平均組合物方程式表示之甲基苯基乙烯基聚矽氧烷：(MeViSiO2/2)0.25(Ph2SiO2/2)0.3(PhSiO3/2)0.45、25份由以下分子方程式表示之三矽氧烷：(HMe2SiO)2SiPh2、10份由以下分子方程式表示之甲基苯基乙烯基聚矽氧烷：ViMe2SiO(SiMePhO)17.5SiMe2Vi、0.001份鉑1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物存於1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷中之溶液(其含有4.5% Pt金屬，在組合物中給出5ppm鉑)及0.006份乙炔基環己醇。可將組合物在模具(例如由金屬製得)中在100℃下加熱30分鐘。材料在100℃下可為可流動的，但冷卻至25℃可產生無黏性固體。25℃下之蕭耳A硬度(Shore A hardness)可為大約68。可以相同方式製備具有一(1)毫米厚度之B階段薄片。130℃下之動模流變計(MDR)量測顯示0.01dNm作為最小扭矩值之實例。
實例8：
在實例中，可藉由以下方式來製備黏度為17090mPa.s之組合物：混合37.5份由以下平均組合物方程式表示之甲基苯基乙烯基聚矽氧烷：(MeViSiO2/2)0.25(Ph2SiO2/2)0.3(PhSiO3/2)0.45、40份由以下平均組合物方程式表示之甲基乙烯基苯基聚矽氧烷：(Me2ViSiO1/2)0.2(PhSiO3/2)0.8、22.5份由以下分子方程式表示之三矽氧烷：(HMe2SiO)2SiPh2、10份由以下分子方程式表示之甲基苯基乙烯基聚矽氧烷：ViMe2SiO(SiMePhO)17.5SiMe2Vi、0.001份鉑1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物存於1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷中之溶液(其含有4.5% Pt金屬，在組合物中給出5ppm鉑)及0.006份乙炔基環己醇。可將組合物在模具(例如由金屬製得)中在100℃下加熱15分鐘。材料在100℃下可為可流動的，但冷卻至25℃得到無黏性固體。25℃下之蕭耳A硬度可為55。以相同方式製備具有一(1)毫米厚度之B階段薄片。130℃下之MDR(動模流變計)量測顯示0.02dNm作為最小扭矩值。
比較實例1：
向具有底部排放口之1L 3頸圓底預定莫頓型燒瓶(Intended Morton Type flask)裝載DI水(196.1g)。燒瓶裝備有溫度計、鐵弗隆攪拌槳及水冷卻冷凝器。向加料漏斗裝載PhSiCl3(82.95g)及PhMeSiCl2(58.87g)以及甲苯(142.65g)。在室溫下開始將此溶液緩慢添加至燒瓶中。在添加至燒瓶中之後，溶液放熱至78℃。將溶液混合15min。隨後，移除水相並藉由水洗滌移除HCl。
隨後向溶液中添加25mL DI水，並將溶液在80℃下加熱15min。隨後移除水相，並且隨後將溶液加熱至回流，並且經由共沸蒸餾移除額外的水。將該等步驟重複若干次。
隨後，加熱溶液以便蒸餾出溶劑並增加固體含量。隨後將產物 使用旋轉蒸發儀在120℃之油浴溫度及約0.5mm Hg下汽提至乾燥，並過濾以分離出產物。
藉由29Si NMR分析產物，29Si NMR證實結構為DPhMe 0.437T環己基 0.007TPh 0.556，並且OH含量為約44.5莫耳%(5.55重量%)且FW約為136g/mol。
比較實例2：
將下文所列出之組份使用真空行星式混合器Thinky ARV-310在1600rpm下在2kPa下混合2分鐘以形成液體組合物。
組份1：平均單元分子式：(Me2ViSiO1/2)0.25(PhSiO3/2)0.75；5.8g；組份2：平均單元分子式：Me2ViSiO(MePhSiO)25OSiMe2Vi；1.8g；組份3：平均單元分子式：HMe2SiO(Ph2SiO)SiMe2H；2.0g；組份4：平均單元分子式：(HMe2SiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.4；0.24g；組份5：平均單元分子式：(Me2ViSiO1/2)0.18(PhSiO3/2)0.54(EpMeSiO)0.28，其中(Ep=縮水甘油氧基丙基)；0.23g；組份6：平均單元分子式：環狀(ViSiMeO1/2)n；0.02g；1-乙炔基-1-環己醇；240ppm
Pt觸媒(1.3-二乙烯基四甲基矽氧烷錯合物)；2ppm
比較實例3：
使用真空行星式混合器自以下物質製備比較實例3：乙烯基二甲基矽烷氧基封端之聚二甲基矽氧烷(平均Mw=60,000)；42.9份
乙烯基二甲基矽烷氧基封端之聚二甲基矽氧烷(平均Mw=24,000)；14.5份
乙烯基二甲基矽烷氧基及三甲基矽烷氧基官能矽石；1.0份
三甲基矽烷氧基官能矽石；5.7份
1,5-二乙烯基-1,1,5,5-四甲基二矽氧烷配位之鉑觸媒(對於總組合物，Pt含量為5ppm)
(烯丙基縮水甘油氧基丙基-SiO3/2)0.5(MeSiViO2/2)0.3(Me2SiO2/2)0.2；11.7份
在形成後，將比較實例3澆鑄於塗覆聚醚碸之膜上，並且隨後在100℃下加熱3分鐘以形成膜。
實例及比較實例之評估：
在上述實例中之每一者均形成後，評估多個試樣以測定25℃下之模數、蕭耳A硬度(經固化)、120℃下之熔融黏度、褲形撕裂(Trouser Tear)、抗拉強度、斷裂伸長度及撓度。該等評估之結果闡述於下表1中。
自通常量測厚度為1-2mm之薄片沖切撕裂(ASTM D624)樣本。端視可利用之試樣薄片之量，製備三個T型(褲形)測試樣本。在測試之前，未考慮實施特殊儲存，此乃因預期薄片不會明顯地受溫度或濕度之小變化影響。在環境溫度及濕度下用Instron通用測試機使用Bluehill 2軟體測試樣本。對於B型及C型樣本，所使用之測試速度係500mm/min，並將樣本拉伸至斷裂。報告中值峰值力(Median peak force)/厚度。對於T型(褲形)樣本，使用50mm/min之拉伸速度，並且拉伸樣本，直至觀察到撕裂力平穩或直至發生斷裂。在測試後，視覺鑒定力曲線之平穩區域之開始點及結束點。隨後，使用軟體之分析功能計算所鑒定區域內之平均撕裂力/厚度。若測試一個以上樣本，則報告中值讀數。
藉由將多件薄片堆疊在一起來製備大約6mm厚之硬度計(ASTM D2240)樣本。測試設備包括安裝至控制力及施加速度兩者之操作臺之類似蕭耳A硬度計頭。端視樣本大小實施三次或五次量測。在1秒接觸後獲取讀數。報告中值讀數。
自通常量測厚度為1-2mm之薄片沖切拉伸(ASTM D412)樣本。較佳之樣本大小係C型，但可切割較小之大小，以使得可獲得三個樣 本。在測試之前，未考慮實施特殊儲存，此乃因預期薄片不會明顯地受溫度或濕度之小變化影響。在環境溫度及濕度下用Instron通用測試機使用Bluehill 2軟體測試樣本。所使用之測試速度係500mm/min，並將樣本拉伸至斷裂。報告在峰值及斷裂點之中值伸長度及抗拉強度，以及楊氏模數(Young’s modulus)。亦輸出原始應力-應變曲線以用於進一步分析及與其他材料進行比較。
膜及液體之形成及評估：
在形成上述實例中之每一者後，將14.5mg實例2及4-6以及比較實例2及3之試樣置於LED封裝中並固化，以分別形成光學總成2及4-6以及比較光學總成2及3。
LED封裝係具有BridgeLux之LED晶片MKO4545C之TTI-5074，其可自Chiun Precision Industry購得。
以下列方式使實例2固化：在10N-30N之逐漸增加之壓力下且在自50℃至130℃增加之溫度下在壓製期間經由處理，隨後150℃/20min並且在160℃下後烘焙3h。
以下列方式使實例4-6各自固化：在10N-30N之逐漸增加之壓力下在150℃下壓製20分鐘，隨後在160℃下在烘箱中加熱3小時。
在150℃下在烘箱中在無任何壓力下經1小時使比較實例2固化。
以下列方式使比較實例3固化：在壓機中在10N-30N之逐漸增加之壓力下在150℃下經1小時，但不使用任何烘箱。
在每一光學總成之形成期間或之後，評估每一光學總成以測定折射率、封裝期間之導線彎曲、重熔穩定性(分層)及熱循環穩定性(導線斷開之前的循環數)。
折射率係藉由稜鏡耦合方法用632.8nm波長之雷射在室溫下使用Metricon 2010/M型號之稜鏡耦合器來測定。
封裝期間之導線彎曲係藉由顯微鏡觀察以及在封裝之前及之後進行比較來測定。
重熔穩定性(分層)係藉由用交叉偏振濾光器使用光學顯微鏡進行觀察來測定，其中很少光散射影像表明無分層。描述詞「極佳」描述無分層狀況。描述詞「可接受的」描述很少分層狀況。描述詞「較差」描述明顯分層狀況。
熱循環穩定性(導線斷開之前的循環數)係藉由LED燈開/關測試來測定，其中LED不能點亮表示導線斷開。
更具體而言，評估實例2之重熔穩定性，其中單一循環包括將試樣暴露於-40℃之溫度30分鐘，在2分鐘內斜坡上升至125℃，在125℃下保持30分鐘，並且在2分鐘內斜坡下降回-40℃。圖1顯示在重熔之前及之後的結果。頂部線顯示正常的顯微鏡影像，且其他線顯示交叉偏振之顯微鏡影像。與比較實例2之比較(見表2)顯示，實例2具有較佳穩定性。未發生自基板之分層。比較實例2展示自PPA白色反射體之分層及有時自銀底板之分層。與極佳之熱循環穩定性結合，實例2展示用於LED應用之高度可靠材料。
圖2顯示，實例2、4及6甚至在1000個循環後未展示打線接合斷開，而比較實例2在約200個循環後展示打線接合斷開。
其他實例-使用3-輥式碾磨將磷光體納入共聚物中：
亦形成其他實例，其包括使用3-輥式混合納入有機矽氧烷嵌段共聚物中之磷光體。更具體而言，將4.988g實例2之試樣置於加熱至80℃之3-輥式碾磨機(AIMEX BR-150HCV)上。隨後，將0.497g Intematix磷光體YAG磷光體(NYAG4454)添加至有機矽氧烷嵌段共聚物中以形成混合物。隨後使混合物通過3-輥式碾磨機，從而將磷光體納入有機矽氧烷嵌段共聚物中。
在此過程期間，磷光體未結塊且經兩個月未視覺觀察到沉降。
相比之下，當使用上述方法混合100份比較實例2與3.5份NTAG4851時，在24小時後觀察到磷光體完全沉降。
其他實例-使用溶液混合將磷光體納入共聚物中：
將實例2之另一試樣以70%固體溶解於甲苯中以形成混合物。隨後，將混合物分成三份試樣。在第一試樣中，添加25重量%之CeYAG。在第二試樣中，添加25重量%之CeTAG。在第三試樣中，添加25重量%之EuN。用實例4之試樣重複此過程。
在10mL牙科混合杯(dental mixer cup)中製備實例2及4之每一試樣，隨後手動充分混合，隨後用旋渦混合器混合約5min，並且隨後超音波處理約45min。
在混合後，然後將實例2及4之每一試樣使用可調節之下拉棒(adjustable draw down bar)在10密耳間隙設置下在TEFZEL釋放襯裏104上下拉成膜。實例2及4之每一試樣在抵抗磷光體沉降方面極佳。實例2之傳輸模式之光學顯微照片如圖3中所列示，且顯示磷光體均勻地分散於其中。
實例9
再次參考圖5，光學總成500可如下製造：藉由熱壓機用1mm深之模具將實例7之聚矽氧組合物在100℃下加熱30分鐘。獲得1mm厚度之B階段透明薄片。獲得光學器件504，並將其打線接合至位於基板508上之電極，並安置於具有圓頂形空腔之壓縮模製設備中。將透明薄片安置於空腔中。在130℃下用透明薄片實施壓縮模製5分鐘，以使透明薄片熔融並使其固化於圓頂形空腔中以形成囊封物502。
實例10
再次參考圖5，光學總成500可如下製造：藉由熱壓機用1mm深之模具將實例8之聚矽氧組合物在100℃下加熱15分鐘。獲得1mm厚度之B階段透明薄片。將光學器件504打線接合至位於基板508上之電極，並安置於具有圓頂形空腔之壓縮模製設備中。將透明薄片安置於空腔上。在130℃下用透明薄片實施壓縮模製5分鐘，以使透明薄片熔融並使其固化於圓頂形空腔中以形成囊封物502。
實例11
再次參考圖5，光學總成500可如下製造：將五(5)重量%之YAG黃色磷光體(NYAG4454，由Intematix生產)混合至實例7之聚矽氧組合物中以製備具有磷光體之聚矽氧組合物。藉由熱壓機用1mm深之模具將具有磷光體之聚矽氧組合物在110℃下加熱15分鐘。獲得1mm厚度之B階段磷光體薄片。將光學器件504打線接合至位於基板508上之電極，並安置於具有圓頂形空腔之壓縮模製設備中。將磷光體薄片安置於空腔上。在130℃下用實例9之透明薄片實施壓縮模製5分鐘，以使透明薄片熔融並使其固化於圓頂形空腔中以形成囊封物502。
實例11a
在實例中，將八(8)重量%之YAG黃色磷光體(NYAG4454，由Intematix生產)混合至實例7之聚矽氧組合物中以製備具有磷光體之聚矽氧組合物。藉由熱壓機用300μm深之模具將具有磷光體之聚矽氧組 合物在120℃下加熱15分鐘。獲得300μm厚度之B階段磷光體薄片。將磷光體薄片層壓於實例9之透明薄片上(1mm厚)，將其製備產生多層薄片或囊封物。
實例11b
在實例中，將五十(50)重量%之YAG黃色磷光體(NYAG4454，由Intematix生產)混合至實例7之聚矽氧組合物中以製備具有磷光體之聚矽氧組合物。藉由熱壓機用60μm深之模具將具有磷光體之聚矽氧組合物在120℃下加熱15分鐘。獲得60μm厚度之B階段磷光體薄片。將磷光體薄片層壓於實例9之透明薄片上(1mm厚)。
實例12
圖6係光學總成600之實例，其包括打線接合至基板604之光學器件602，例如LED。如所圖解說明，光學器件602打線接合至位於基板上之電極606。將光學器件602安置於具有圓頂形空腔之壓縮模製設備中。將主體之實例11a之多層薄片安置於設備中，其中磷光體薄片靠近光學器件602之光學表面608。在130℃下用多層薄片實施壓縮模製5分鐘，以使多層薄片熔融並使其固化於圓頂形空腔中。在壓縮模製後，光學總成600具有囊封物609，其包括圓頂形透明層610以及覆蓋在基板604之表面上之光學器件602及電極606的平坦含磷光體層612。在多個實例中，在含磷光體層612與光學器件602及電極606之間產生很少空氣間隙至不產生空氣間隙。在多個實例中，透明層610不包括磷光體污染物。
實例13
再次參考圖6，光學總成600可如下製造：將光學器件602安置於具有圓頂形空腔之壓縮模製設備中。將實例11b之多層薄片安置於設備中，該多層薄片組合形成囊封物609，其包括透明層610及含磷光體層612(例如屬於圖1之主體102者)，其中形成含磷光體層612之磷光體 薄片靠近光學器件602之光學表面608。在130℃下用多層薄片實施壓縮模製5分鐘，以使多層薄片熔融並使其固化於圓頂形空腔中。在壓縮模製後，光學總成600具有囊封物609，其包括圓頂形透明層610以及覆蓋光學器件602及電極606之平坦含磷光體層612。在多個實例中，在含磷光體層612與光學器件602及電極606之間產生很少空氣間隙至不產生空氣間隙。在多個實例中，透明層610不包括實質或任何磷光體污染物。
實例14
圖7係光學總成700之實例，其包括光學器件702(例如LED)及基板704，在基板704上，光學器件702打線接合至位於基板704上之電極706。將光學器件702安置於具有圓頂形空腔之壓縮模製設備中。將實例11a之多層薄片安置於設備中，該多層薄片形成囊封物707，其包括透明層708及含磷光體層710(例如屬於圖1之主體102者)，其可具有多種厚度中之任一者，其中囊封物708靠近光學器件702之光學表面712且磷光體薄片710相對於透明薄片708遠離光學器件702之光學表面712。在130℃下用多層薄片實施壓縮模製5分鐘，以使多層薄片熔融並使其固化於圓頂形空腔中。在壓縮模製後，光學總成700具有圓頂形囊封物707，其包括透明層708及磷光體710。在多個實例中，在囊封物707與光學器件702及電極706之間產生很少空氣間隙至不產生空氣間隙。在多個實例中，透明層708不包括實質或任何磷光體污染物。
實例15
圖8係光學總成800之實例，其包括將四十(40)重量%之矽酸鹽綠色磷光體(EG3261，由Intematix生產)混合至實例8之聚矽氧組合物中以製備具有綠色磷光體之聚矽氧組合物。藉由熱壓機用60μm深之模具將具有綠色磷光體之聚矽氧組合物在110℃下加熱15分鐘，以形成 綠色磷光體層802。將十(10)重量%之氮化物紅色磷光體(R6535，由Intematix生產)混合至實例8之聚矽氧組合物中，以製備具有紅色磷光體之聚矽氧組合物。藉由熱壓機用60μm深之模具將具有紅色磷光體之聚矽氧組合物在110℃下加熱15分鐘，以形成紅色磷光體層804。將綠色磷光體層802層壓於實例10之透明層806上，並將紅色磷光體層804層壓於綠色磷光體層802之頂部上以製備囊封物808。將光學器件810(例如LED)打線接合至位於基板814上之電極812並安置於具有圓頂形空腔之壓縮模製設備中。將囊封物808安置於設備中，其中透明層806靠近光學器件810之光學表面816。在130℃下用多層薄片808實施壓縮模製5分鐘，以使囊封物808熔融並使其固化於圓頂形空腔中。在壓縮模製後，光學總成800具有透明圓頂形囊封物808，囊封物808具有紅色磷光體層806及綠色磷光體層804。在多個實例中，在透明層806與光學器件810及電極812之間產生很少空氣間隙至不產生空氣間隙。在多個實例中，透明層806不包括實質或任何磷光體污染物。
實例16
在多個實例中，光學總成500、600、700、800中之任一者可包括實例11b之磷光體薄片作為層。在實例16中，切割磷光體薄片並移除部分以製造線圖案化及正方形圖案化之磷光體薄片。將磷光體薄片層壓於實例9之透明薄片上以製備具有圖案化磷光體層之多層薄片。將光學器件打線接合至位於基板上之電極並安置於具有圓頂形空腔之壓縮模製設備中。將具有圖案化磷光體層之多層薄片安置於設備中，其中圖案化磷光體薄片靠近光學表面。在130℃下實施壓縮模製5分鐘，以使多層薄片熔融並使其固化於圓頂形空腔中。在壓縮模製後，光學總成具有透明圓頂形囊封物以及平坦且圖案化之磷光體層。在多個實例中，在含磷光體層與LED晶粒及電極之間產生很少空氣間隙至不產生空氣間隙。在多個實例中，透明層不包括實質或任何磷光體污 染物。
實例16a
圖9係光學總成900之實例。藉由熱壓機用1mm深之模具將實例8之聚矽氧組合物在110℃下加熱15分鐘以獲得透明薄片902，從而形成囊封物。將打線接合至位於基板908上之電極906的光學器件904安置於真空層壓機中。將透明薄片902安置於位於真空層壓機中之基板908上。將真空層壓機中之空氣在130℃下真空處理1分鐘。在真空處理過程後，將透明薄片902藉由層壓機在大氣中壓製5分鐘以獲得光學總成900。
實例17
圖10係光學總成1000之實例。藉由熱壓機用1mm深之模具將實例8之聚矽氧組合物在110℃下加熱15分鐘以獲得透明薄片1002。將五十(50)重量%之YAG黃色磷光體(NYAG4454，由Intematix生產)混合至實例8之聚矽氧組合物中以製備具有磷光體層1004之聚矽氧組合物。藉由熱壓機用60μm深之模具將具有磷光體之聚矽氧組合物在120℃下加熱15分鐘。將磷光體層1004層壓於1mm厚之透明薄片1002上以製備囊封物1006。將光學器件1008打線接合至位於基板1012上之電極1010，並安置於真空層壓機中。將真空層壓機中之空氣在130℃下真空處理1分鐘。在真空處理過程後，將囊封物1006藉由層壓機在大氣中壓製5分鐘以獲得光學總成1000。
實例18
向玻璃反應器裝載118g甲醇、32g濃氫氧化銨水溶液及41g二甲基-二甲氧基矽烷。藉助例如電磁攪拌來攪拌上述組份，直至產生實質上均勻之混合物。在混合物劇烈攪拌時，添加96g原矽酸甲酯。在大約10秒後，當反應產物變成凝膠狀物質時，停止攪拌，並且使所獲得之產物在封閉且涼爽環境中原封不動保持一週，從而獲得濕式方法 疏水化增強矽石之分散物。自矽石分散物移除甲醇及氣態氨。量測濕式方法疏水化增強矽石之BET表面積，並且量測結果顯示，所獲得之濕式方法疏水化增強矽石之比表面積等於620m2/g。
實例19
藉由官方日本專利公開案(Kokoku)第61-56255號中所述之方法製備疏水劑。在105℃下用277g八甲基環四矽氧烷、4.6g 1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基矽氧烷、517g甲基三甲氧基矽烷及0.43g作為觸媒之氫氧化鉀實施反應兩小時。因此，製得由開環重排之有機聚矽氧烷組成之疏水劑。用碳化氣(carbon gas)中和氫氧化鉀。對所獲得之聚矽氧烷之分析顯示，產物係由具有0.7莫耳%之甲基乙烯基矽烷氧基之線性有機聚矽氧烷製得。隨後，使用所獲得之疏水劑如下合成濕式方法疏水化增強矽石。向玻璃反應器裝載118g甲醇、32g濃氫氧化銨水溶液及39g上文獲得之疏水劑。藉助例如電磁攪拌來攪拌該等組份，直至出現實質上均勻之混合物。在混合物劇烈攪拌時，添加96g原矽酸甲酯。在大約10秒後，當反應產物變成凝膠狀物質時，停止攪拌，並且使所獲得之產物在封閉且涼爽環境中原封不動保持而陳化一週，從而獲得濕式方法疏水化增強矽石之分散物。自矽石分散物移除甲醇及氣態氨。量測濕式方法疏水化增強矽石之BET表面積，並且量測結果顯示，所獲得之濕式方法疏水化增強矽石之比表面積等於540m2/g。
實例20
首先，將300份在實例19中獲得之濕式方法疏水化增強矽石之分散物(其中矽石佔25重量%)及100份共聚物橡膠(其中聚合度等於3,000，其自具有以二甲基乙烯基矽烷氧基加帽之分子鏈末端之甲基乙烯基矽氧烷及二甲基矽氧烷獲得，其中二甲基矽氧烷單元佔99.63莫耳%且甲基乙烯基矽氧烷單元佔0.37莫耳%)裝載至捏合式混合器 中，並混合。藉由加熱至90℃移除溶劑。在完全移除揮發性組份後，獲得聚矽氧橡膠基體。隨後，將100份所獲得之聚矽氧橡膠基體與以下組份組合：1.5份二甲基矽氧烷及甲基氫化矽氧烷之共聚物(其中矽鍵結之氫原子之含量為1.52重量%)，其在25℃下黏度為7mm2/s且分子末端經三甲基矽烷氧基封閉；氯鉑酸與四甲基二乙烯基矽氧烷之錯合物，其量使得鉑金屬觸媒含量等於10ppm；100ppm甲基-叁(甲基異丁氧基)矽烷；0.5份γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷；0.5份γ-縮水甘油氧基丙基-三甲氧基矽烷；0.4份甘油單芳基醚。因此，製得透明的聚矽氧橡膠組合物。將所獲得之聚矽氧橡膠組合物與0.03份紅色偶氮顏料(二甲苯基-亞偶氮二甲苯基-2-萘酚)組合，以產生紅色聚矽氧橡膠組合物。量測未固化狀態之該聚矽氧橡膠組合物之抗拉強度，並顯示量值為2.6kg/cm2。將所獲得之聚矽氧橡膠組合物通過合適的擠出機噴嘴擠出成膜狀產物，從而產生1.0mm厚且5cm寬之聚矽氧橡膠膜。
實例21
參考圖7之光學總成700，在實例中，含磷光體層710可為或可替換為自實例21之聚矽氧橡膠組合物製得之擠出之聚矽氧橡膠薄片，將其壓製成300μm厚度以製備第二透明層710。第二透明層710在25℃下之折射率係1.41。將第二透明層710層壓於第一透明層708上。在實例中，第一透明層708係藉由熱壓機用1mm深度將實例8之聚矽氧組合物在110℃下加熱15分鐘來製得。第一透明薄片708在25℃下之折射率係1.55。將光學器件702打線接合至位於基板706上之電極704並安置於具有圓頂形空腔之壓縮模製設備中。將多層薄片安置於設備中，其中第一透明薄片708靠近光學器件702之光學表面712。在130℃下實施壓縮模製5分鐘。在壓縮模製後，產生光學總成700。
實例22
參考圖6之光學總成600，在實例中，含磷光體層612包括或替換為自實例21之聚矽氧橡膠組合物製得之擠出之聚矽氧橡膠薄片。在實例中，將擠出之聚矽氧橡膠薄片壓製成300μm厚度以製備第一透明層612。將第一透明層612在150℃下固化1小時後產生A型硬度之聚矽氧薄片，其在25℃下顯示A70。將硬化之聚矽氧第一透明層612層壓於第二透明層610上。第二透明層610係藉由熱壓機用1mm深度將實例8之聚矽氧組合物在110℃下加熱15分鐘來製得。第二透明層610在150℃下固化1小時後之蕭耳-D硬度係在25℃下蕭耳-D74。將光學器件602打線接合至位於基板604上之電極606。將基板604安置於具有圓頂形空腔之壓縮模製設備中。將多層薄片安置於設備中，其中第一透明薄片612靠近光學器件602之光學表面608。在130℃下實施壓縮模製5分鐘。在壓縮模製後，獲得具有透明圓頂形囊封物之光學總成600。
實例23
圖11A及11B圖解說明將多層組合物1100與光學器件1102在基板1104上配合以形成光學總成1106。在實例中，將多層組合物1100(即實例8之多層聚矽氧組合物)藉由熱壓機用1mm深之模具在110℃下加熱15分鐘。將二十(20)重量%之TiO2顆粒及五十(50)重量%之磨細矽石混合至聚矽氧組合物中以製備白色聚矽氧組合物1108。將具有TiO2之白色聚矽氧組合物1108藉由熱壓機用60μm深之模具在120℃下加熱15分鐘。在白色聚矽氧組合物1108中沖出孔圖案1110。將具有孔圖案1110之白色聚矽氧組合物1108層壓於1mm厚度之B階段透明薄片1112上，透明薄片1112係藉由熱壓機用1mm深度將實例8之聚矽氧組合物在110℃下加熱15分鐘來製得，以製備多層組合物1100。將光學器件1102打線接合至位於基板1104上之電極1114並安置於具有圓頂形空腔之壓縮模製設備中。將多層薄片1100安置於設備中，其中白色聚矽氧組合物1108靠近光學器件1102之光學表面1116。在130℃下實施壓縮 模製5分鐘。在壓縮模製後，獲得具有透明圓頂形囊封物之光學總成1106。
一或多個上述值可變化±5%、±10%、±15%、±20%、±25%等，只要該變化保持於本發明之範圍內。可自馬庫什群組(Markush group)中獨立於所有其他成員之每一成員獲得意外結果。每一成員可個別地及/或以組合方式相依賴且足夠支持隨附申請專利範圍之範圍內之具體實施例。本文明確涵蓋獨立及依賴性技術方案之所有組合(單一性及多重依賴性)之標的物。本發明係予以闡釋(包括說明措辭)而非加以限制。可根據上述教示內容對本發明作出許多修改及變化，且可除如本文所具體闡述外以其他方式來實踐本發明。
在本文件中，除非上下文另外明確說明，否則術語「一(a、an)」或「該(the)」用於包括一個或一個以上。除非另外說明，否則術語「或」用以指非排他性「或」。另外，本文中使用且未另外定義之措詞或術語係僅出於說明之目的且不具有限制性。部分標題(section heading)之任何使用意欲幫助閱讀文件且不應理解為限制；可在該特定部分之內或之外出現與部分標題相關之資訊。此外，本文件中所引用之所有出版物、專利及專利文件之全部內容皆以引用方式併入本文中，如同以引用方式個別地併入一般。倘若本文件與彼等以引用方式併入之文件之間之使用不一致，則應將所併入之參考中之使用視為對本文件之彼使用之補充；對於不可調和之不一致性，以本文件中之使用為準。
如本文中所用之術語「實質上」係指大多數或大部分，例如至少約50%、60%、70%、80%、90%、95%、96%、97%、98%、99%、99.5%、99.9%、99.99%或至少約99.999%或更高。在一些實施例中，術語「實質上」可涵蓋「完全」或「全部」。
本發明提供以下實例性實施例，其編號不應理解為指示重要性 程度：
實施例1係關於一種光學總成，其包含：包含光學表面之光學器件；及實質上或完全覆蓋該光學表面之預成形之囊封物膜，該囊封物包含：包含第一含聚矽氧之熱熔組合物之第一層，該第一層具有第一主表面及第二主表面；及包含第二含聚矽氧之熱熔組合物之第二層，該第二層具有第一主表面及第二主表面，該第二層之該第一主表面與該第一層之該第一主表面接觸。
實施例2係關於如實施例1之光學總成，其中該第一含聚矽氧之熱熔組合物及該第二含聚矽氧之熱熔組合物中之至少一者係反應性含聚矽氧之熱熔組合物。
實施例3係關於如實施例1之光學總成，其中該第一含聚矽氧之熱熔組合物及該第二含聚矽氧之熱熔組合物中之至少一者係非反應性含聚矽氧之熱熔組合物。
實施例4係關於如實施例1至3之光學總成，其中該第一含聚矽氧之熱熔組合物及該第二含聚矽氧之熱熔組合物中之至少一者包含以下中之至少一者：樹脂-線性組合物、矽氫化固化組合物、高苯基-T組合物、矽密封劑組合物、聚脲-聚矽氧烷組合物、MQ/聚矽氧烷組合物、MQ/X-二有機矽氧烷組合物、聚醯亞胺-聚矽氧烷組合物、聚碳酸酯-聚矽氧烷組合物、聚胺基甲酸酯-聚矽氧烷組合物、聚丙烯酸酯-聚矽氧烷組合物或聚異丁烯-聚矽氧烷組合物。
實施例5係關於如實施例4之光學總成，其中該樹脂-線性組合物包含相分離之富集樹脂相及相分離之富集線性相。
實施例6係關於如實施例1至5之光學總成，其中該第一層之材料 性質不同於該第二層之材料性質。
實施例7係關於如實施例6之光學總成，其中該第一層及該第二層之該等材料性質係選自由下列組成之群：模數、硬度、折射率、透光度或熱導率。
實施例8係關於如實施例1至7之光學總成，其中該第一層及該第二層中之至少一者具有蕭耳A硬度梯度，其中該蕭耳A硬度梯度係自該第一層之該第一主表面至該第二主表面或自該第二層之該第一主表面至該第二主表面。
實施例9係關於如實施例1至8之光學總成，其中該第一層及該第二層中之至少一者包含圖案。
實施例10係關於如實施例1至9之光學總成，其中使該第二層之該第二主表面暴露於環境條件，並且其中該第二層之該第二主表面包含粗糙表面。
實施例11係關於如實施例1至10之光學總成，其中使該第二層之該第二主表面暴露於環境條件，並且其中該第二層之該第二主表面實質上或完全拒塵。
實施例12係關於如實施例1至11之光學總成，其中該第一層及該第二層中之至少一者包含折射率梯度，其中該折射率梯度係自該第一層之該第一主表面至該第二主表面或自該第二層之該第一主表面至該第二主表面。
實施例13係關於如實施例1至12之光學總成，其中該囊封物之厚度係約0.5μm至約5000μm。
實施例14係關於如實施例1至13之光學總成，其中該第一層及該第二層中之至少一者經固化。
實施例15係關於如實施例1至14之光學總成，其中其包含黏結層。
實施例16係關於如實施例15之光學總成，其中該黏結層包含樹脂。
實施例17係關於一種預成形之囊封物膜，其包含：包含第一含聚矽氧之熱熔組合物之第一層，該第一層具有第一主表面及第二主表面；及包含第二含聚矽氧之熱熔組合物之第二層，該第二層具有第一主表面及第二主表面，該第二層之該第一主表面與該第一層之該第一主表面接觸。
實施例18係關於一種製造光學總成之方法，該方法包含：用預成形之囊封物膜覆蓋光學器件之光學表面，該預成形之囊封物膜包含：包含第一含聚矽氧之熱熔組合物之第一層，該第一層具有第一主表面及第二主表面；及包含第二含聚矽氧之熱熔組合物之第二層，該第二層具有第一主表面及第二主表面，該第二層之該第一主表面與該第一層之該第一主表面接觸。
實施例19係關於如實施例18之方法，其進一步包含在該覆蓋步驟之前預成形該預成形之囊封物膜。
實施例20係關於如實施例18至19之方法，其進一步包含壓縮模製或層壓該預成形之囊封物膜。
實施例21係關於如實施例18至20之方法，其中該第一層或該第二層中之至少一者包含一或多種磷光體。
實施例22係關於如實施例21之方法，其中該磷光體在該第一層或該第二層中之至少一者中形成圖案。
實施例23係關於如實施例18至22之方法，其進一步包含固化該第一層或該第二層中之至少一者，其中該第一層或該第二層中之至少 一者之固化速度與該第一層或該第二層中之至少另一者之該固化速度相同或不同。
實施例24係關於如實施例18至23之方法，其進一步包含固化該第一層或該第二層中之至少一者，其中該第一層或該第二層中之至少一者之固化機制與該第一層或該第二層中之至少另一者之該固化機制相同或不同。
實施例25係關於如實施例24之方法，其中該固化機制包含熱熔固化、濕氣固化、矽氫化固化、縮合固化、過氧化物固化或基於點擊化學之固化機制。
100‧‧‧層狀聚合結構
104‧‧‧釋放襯裏
106‧‧‧第一層
108‧‧‧第二層
110‧‧‧第一主表面
112‧‧‧第二主表面

Claims (15)

  1. 一種光學總成，其包含：包含光學表面之光學器件；及實質上或完全覆蓋該光學表面之預成形之囊封物膜，該囊封物包含：包含第一含聚矽氧之熱熔組合物之第一層，該第一層具有第一主表面及第二主表面；及包含第二含聚矽氧之熱熔組合物之第二層，該第二層具有第一主表面及第二主表面，該第二層之該第二主表面與該第一層之該第一主表面接觸；其中該第一含聚矽氧之熱熔組合物及/或該第二含聚矽氧之熱熔組合物包括至少一種含有有機矽氧烷嵌段共聚物之樹脂-線性組合物，該嵌段共聚物包含：40至90莫耳百分比之式[R1 2SiO2/2]之二矽烷氧基單元，10至60莫耳百分比之式[R2SiO3/2]之三矽烷氧基單元，0.5至25莫耳百分比之矽醇基團[≡SiOH]；其中R1獨立地為C1至C30烴基，R2獨立地為C1至C20烴基；其中該二矽烷氧基單元[R1 2SiO2/2]係以線性嵌段排列，每一線性嵌段平均具有10個至400個二矽烷氧基單元[R1 2SiO2/2]，該三矽烷氧基單元[R2SiO3/2]係以具有至少500g/莫耳之分子量之非線性嵌段排列，至少30%之非線性嵌段彼此交聯且主要以奈米域聚集在一起，每一線性嵌段連接至至少一個非線性嵌段；且該有機矽氧烷嵌段共聚物具有至少20,000g/莫耳之重量平均分子量，且在25℃下為固體。
  2. 如請求項1之光學總成，其中該第一含聚矽氧之熱熔組合物及該第二含聚矽氧之熱熔組合物中之至少一者係反應性或非反應性 含聚矽氧之熱熔組合物。
  3. 如請求項1之光學總成，其中該第一含聚矽氧之熱熔組合物及該第二含聚矽氧之熱熔組合物中之至少一者包含以下中之至少一者：矽氫化固化組合物、高苯基-T組合物、矽密封劑組合物、聚脲-聚矽氧烷組合物、MQ/聚矽氧烷組合物、MQ/X-二有機矽氧烷組合物、聚醯亞胺-聚矽氧烷組合物、聚碳酸酯-聚矽氧烷組合物、聚胺基甲酸酯-聚矽氧烷組合物、聚丙烯酸酯-聚矽氧烷組合物或聚異丁烯-聚矽氧烷組合物。
  4. 如請求項1之光學總成，其中該第一層及該第二層中之至少一者具有蕭耳A硬度(shore A hardness)梯度，其中該蕭耳A硬度梯度係自該第一層之該第一主表面至該第二主表面或自該第二層之該第一主表面至該第二主表面。
  5. 如請求項1之光學總成，其中該囊封物之厚度係約0.5μm至約5000μm。
  6. 如請求項1之光學總成，其中該第一層及該第二層中之至少一者經固化。
  7. 如請求項1之光學總成，其進一步包含黏結層。
  8. 如請求項7之光學總成，其中該黏結層包含樹脂。
  9. 一種預成形之囊封物膜，其包含：包含第一含聚矽氧之熱熔組合物之第一層，該第一層具有第一主表面及第二主表面；及包含第二含聚矽氧之熱熔組合物之第二層，該第二層具有第一主表面及第二主表面，該第二層之該第二主表面與該第一層之該第一主表面接觸；其中該第一含聚矽氧之熱熔組合物及/或該第二含聚矽氧之熱熔組合物包括至少一種含有有機矽氧烷嵌段共聚物之樹脂-線性 組合物，該嵌段共聚物包含：40至90莫耳百分比之式[R1 2SiO2/2]之二矽烷氧基單元，10至60莫耳百分比之式[R2SiO3/2]之三矽烷氧基單元，0.5至25莫耳百分比之矽醇基團[≡SiOH]；其中R1獨立地為C1至C30烴基，R2獨立地為C1至C20烴基；其中該二矽烷氧基單元[R1 2SiO2/2]係以線性嵌段排列，每一線性嵌段平均具有10個至400個二矽烷氧基單元[R1 2SiO2/2]，該三矽烷氧基單元[R2SiO3/2]係以具有至少500g/莫耳之分子量之非線性嵌段排列，至少30%之非線性嵌段彼此交聯且主要以奈米域聚集在一起，每一線性嵌段連接至至少一個非線性嵌段；且該有機矽氧烷嵌段共聚物具有至少20,000g/莫耳之重量平均分子量，且在25℃下為固體。
  10. 一種製造光學總成之方法，其包含：用預成形之囊封物膜覆蓋光學器件之光學表面，該預成形之囊封物膜包含：包含第一含聚矽氧之熱熔組合物之第一層，該第一層具有第一主表面及第二主表面；及包含第二含聚矽氧之熱熔組合物之第二層，該第二層具有第一主表面及第二主表面，該第二層之該第二主表面與該第一層之該第一主表面接觸；其中該第一含聚矽氧之熱熔組合物及/或該第二含聚矽氧之熱熔組合物包括至少一種含有有機矽氧烷嵌段共聚物之樹脂-線性組合物，該嵌段共聚物包含：40至90莫耳百分比之式[R1 2SiO2/2]之二矽烷氧基單元，10至60莫耳百分比之式[R2SiO3/2]之三矽烷氧基單元，0.5至25莫耳百分比之矽醇基團[≡SiOH]；其中R1獨立地為C1至C30烴基，R2獨立地為C1至C20烴基；其中該二矽烷氧基單元[R1 2SiO2/2]係 以線性嵌段排列，每一線性嵌段平均具有10個至400個二矽烷氧基單元[R1 2SiO2/2]，該三矽烷氧基單元[R2SiO3/2]係以具有至少500g/莫耳之分子量之非線性嵌段排列，至少30%之非線性嵌段彼此交聯且主要以奈米域聚集在一起，每一線性嵌段連接至至少一個非線性嵌段；且該有機矽氧烷嵌段共聚物具有至少20,000g/莫耳之重量平均分子量，且在25℃下為固體。
  11. 如請求項10之方法，其進一步包含在該覆蓋步驟之前使該預成形之囊封物膜預成形。
  12. 如請求項10之方法，其進一步包含壓縮模製或層壓該預成形之囊封物膜。
  13. 如請求項10之方法，其中該第一層或該第二層中之至少一者包含一或多種磷光體。
  14. 如請求項10之方法，其進一步包含固化該第一層或該第二層中之至少一者，其中該第一層或該第二層中之至少一者之固化速度與該第一層或該第二層中之至少另一者之該固化速度相同或不同；或該第一層或該第二層中之至少一者之固化機制與該第一層或該第二層中之至少另一者之該固化機制相同或不同。
  15. 如請求項14之方法，其中該固化機制包含熱熔固化、濕氣固化、矽氫化固化、縮合固化、過氧化物固化或基於點擊化學(click chemistry)之固化機制。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10604612B2 (en) * 2014-12-26 2020-03-31 Dow Toray Co., Ltd. Curable organopolysiloxane composition, semiconductor sealant comprising same, and semiconductor device
WO2016123341A1 (en) * 2015-01-29 2016-08-04 Venntis Technologies, Llc Omni-directional light emitting device
MX2017010590A (es) * 2015-02-23 2017-11-16 Nippon Paint Automotive Coatings Co Ltd Pelicula laminada para decorar un producto moldeado tridimensional por medio de la formacion por vacio, metodo de produccion de la misma, y metodo para decorar un producto moldeado tridimensional.
BR102016004795B1 (pt) * 2015-03-05 2021-09-08 Nichia Corporation Diodo emissor de luz
FR3038710B1 (fr) * 2015-07-10 2021-05-28 Cpc Tech Capteur d'une caracteristique physique, comportant de preference une structure multicouches
US20170011820A1 (en) * 2015-07-10 2017-01-12 General Electric Company Insulated windings and methods of making thereof
US20180155500A1 (en) * 2015-08-25 2018-06-07 Board Of Regents, The University Of Texas System Electronics backplanes using thiol-click chemistry substrates
JP2017135253A (ja) * 2016-01-27 2017-08-03 オムロン株式会社 発光装置、および発光装置の製造方法
KR102024251B1 (ko) 2016-09-09 2019-09-23 주식회사 엘지화학 폴더블(foldable) 디스플레이용 점착제 조성물
WO2018048245A1 (ko) * 2016-09-09 2018-03-15 주식회사 엘지화학 폴더블 디스플레이용 점착제 조성물
WO2018066572A1 (ja) * 2016-10-04 2018-04-12 東レ・ダウコーニング株式会社 新規レジン－リニアオルガノポリシロキサンブロックコポリマー、その用途、およびその製造方法
JP2018060932A (ja) * 2016-10-06 2018-04-12 ローム株式会社 Ｌｅｄパッケージ
GB2546637B (en) * 2017-02-10 2018-04-11 Postsaver Europe Ltd An identifiable protective sheet
CN110603295A (zh) * 2017-05-24 2019-12-20 陶氏东丽株式会社 固体有机硅材料、使用其而成的层积体和发光器件
WO2019022664A1 (en) * 2017-07-25 2019-01-31 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. WAFER-LEVEL PROCESSES FOR THE MANUFACTURE OF UNIFORM MATERIAL LAYERS ON OPTOELECTRONIC MODULES
TW201910403A (zh) * 2017-07-28 2019-03-16 日商道康寧東麗股份有限公司 光學構件用樹脂薄片、具備其之光學構件、積層體或發光元件以及光學構件用樹脂薄片之製造方法
CN107579146B (zh) * 2017-09-13 2019-12-03 上海应用技术大学 一种白光led用“汉堡包”结构荧光薄膜的制备方法
WO2019059351A1 (ja) * 2017-09-21 2019-03-28 ダウ・東レ株式会社 硬化性シリコーン組成物、それからなる光学部材用樹脂シートおよび発光デバイス
US10680147B2 (en) * 2017-11-24 2020-06-09 Osram Oled Gmbh Method of producing a lighting device
JP7095937B2 (ja) * 2018-03-09 2022-07-05 ミネベアミツミ株式会社 蛍光体シートの製造方法
KR102271144B1 (ko) * 2020-11-18 2021-06-30 (주)이노큐디 광확산판
TWI789740B (zh) * 2021-04-13 2023-01-11 光感動股份有限公司 發光二極體封裝結構及發光二極體封裝結構製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101548391A (zh) * 2005-11-04 2009-09-30 陶氏康宁公司 封装光伏电池

Family Cites Families (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3294737A (en) * 1963-12-23 1966-12-27 Gen Electric Organopolysiloxanes
US4057439A (en) * 1976-08-25 1977-11-08 Solarex Corporation Solar panel
DE2730744A1 (de) 1977-07-07 1979-05-03 Bayer Ag Mit polyurethan modifizierte organopolysiloxan-massen
US4116207A (en) * 1977-07-12 1978-09-26 Solarex Corporation Solar panel with mat base member
US4139399A (en) * 1978-01-18 1979-02-13 Solarex Corporation Solar panel with removable cell matrix, and method of making same
US4344800A (en) 1980-06-03 1982-08-17 Dow Corning Corporation Method for producing hydrophobic reinforcing silica fillers and fillers obtained thereby
US4550139A (en) 1982-03-22 1985-10-29 Petrarch Systems, Inc. Mixtures of polyacrylate resins and siloxane-styrene copolymers
US4795680A (en) 1986-05-09 1989-01-03 General Electric Company Polyimide-siloxanes, method of making and use
US5028681A (en) 1986-12-31 1991-07-02 Peters Edward N Novel poly(imide-siloxane) block copolymers and process for their preparation
US4836646A (en) 1988-02-29 1989-06-06 The Dow Chemical Company Plastic optical fiber for in vivo use having a bio-compatible polyureasiloxane copolymer, polyurethane-siloxane copolymer, or polyurethaneureasiloxane copolymer cladding
US5082706A (en) 1988-11-23 1992-01-21 Dow Corning Corporation Pressure sensitive adhesive/release liner laminate
GB8904082D0 (en) 1989-02-22 1989-04-05 Dow Corning Sa Curable filled polysiloxane compositions
GB9124833D0 (en) 1991-11-22 1992-01-15 Dow Corning Sa Curable filled polysiloxane compositions
US5264603A (en) 1992-08-25 1993-11-23 Dow Corning Corporation Polydimethylsiloxanes for modulus reduction and method for their preparation
US5932677A (en) 1993-05-27 1999-08-03 General Electric Company Terpolymer having aromatic polyester, polysiloxane and polycarbonate segments
US5317049A (en) 1993-06-21 1994-05-31 Occidental Chemical Corporation Polyimidesiloxane solution and method of coating substrates
US5650019A (en) * 1993-09-30 1997-07-22 Canon Kabushiki Kaisha Solar cell module having a surface coating material of three-layered structure
US5373079A (en) 1993-10-19 1994-12-13 Dow Corning Corporation Method for the preparation of polydimethylsiloxanes having low reactivity endgroups and high reactivity endgroups and polydimethylsiloxanes made thereby
US5708098A (en) 1996-08-28 1998-01-13 Dow Corning Corporation Method of preparing solventless, thermoplastic silicone pellets and the pellets so-produced
JP3740251B2 (ja) * 1997-06-09 2006-02-01 キヤノン株式会社 太陽電池モジュールの製造方法
GB9814211D0 (en) 1998-07-01 1998-09-02 Dow Corning Sa Polysiloxane-polybutylene copolymers
JP2003037281A (ja) * 2001-05-17 2003-02-07 Canon Inc 被覆材及び光起電力素子
US6630525B2 (en) 2001-10-09 2003-10-07 General Electric Company Polycarbonate-siloxane copolymers
US6750309B1 (en) 2002-05-17 2004-06-15 Henkel Corporation Methacrylated polyurethane copolymers with silicone segments containing alkoxysilyl groups
DE10227338B4 (de) 2002-06-19 2006-05-24 Byk-Chemie Gmbh Verwendung von Polyacrylat-modifizierten Polysiloxanen als Verlaufmittel in Beschichtungsmitteln
KR101102637B1 (ko) 2003-02-21 2012-01-04 사빅 이노베이티브 플라스틱스 아이피 비.브이. 투명 및 고내열성 폴리카보네이트-폴리실록세인 공중합체, 폴리카보네이트와 이의 투명 블렌드 및 이들의 제조방법
JP4607429B2 (ja) 2003-03-25 2011-01-05 東レ・ダウコーニング株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP4599857B2 (ja) * 2003-04-24 2010-12-15 日亜化学工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
KR101410709B1 (ko) * 2003-07-07 2014-06-25 다우 코닝 코포레이션 태양 전지의 캡슐화 방법
US6870013B2 (en) 2003-08-08 2005-03-22 General Electric Company Method for preparation of copolyorganosiloxanecarbonates of high clarity
WO2006059828A1 (en) 2004-09-10 2006-06-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package having multiple molding resins
KR101131410B1 (ko) 2005-02-23 2012-04-13 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 반도체 발광 디바이스용 부재 및 그 제조 방법, 그리고 그것을 사용한 반도체 발광 디바이스
US7373060B2 (en) 2005-02-28 2008-05-13 Chisso Corporation Optical waveguide using polymer composed of silsesquioxane derivative
JP2006269986A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置
US20070001182A1 (en) 2005-06-30 2007-01-04 3M Innovative Properties Company Structured phosphor tape article
US7294861B2 (en) 2005-06-30 2007-11-13 3M Innovative Properties Company Phosphor tape article
JP2007096148A (ja) * 2005-09-30 2007-04-12 Toyoda Gosei Co Ltd 発光デバイス
US8141384B2 (en) 2006-05-03 2012-03-27 3M Innovative Properties Company Methods of making LED extractor arrays
US7655486B2 (en) 2006-05-17 2010-02-02 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with multilayer silicon-containing encapsulant
TWI428396B (zh) 2006-06-14 2014-03-01 Shinetsu Chemical Co 填充磷光體之可固化聚矽氧樹脂組成物及其固化產物
JP4636275B2 (ja) 2006-07-18 2011-02-23 信越化学工業株式会社 シリコーン樹脂組成物で封止された半導体装置及び該半導体装置封止用シリコーン樹脂タブレット
US8299198B2 (en) 2006-07-21 2012-10-30 Kaneka Corporation Polysiloxane composition, molded body obtained from the same, and optodevice member
US8092735B2 (en) 2006-08-17 2012-01-10 3M Innovative Properties Company Method of making a light emitting device having a molded encapsulant
DE102006048216A1 (de) 2006-10-11 2008-04-17 Wacker Chemie Ag Laminate mit thermoplastischen Polysiloxan-Harnstoff-Copolymeren
EP2087532A1 (en) 2006-11-20 2009-08-12 3M Innovative Properties Company Optical bonding composition for led light source
US7858198B2 (en) 2007-04-10 2010-12-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Phosphor-containing adhesive silicone composition, composition sheet formed of the composition, and method of producing light emitting device using the sheet
CN101784585B (zh) 2007-09-27 2013-05-29 赢创高施米特有限公司 聚硅氧烷嵌段共聚物
US8017246B2 (en) * 2007-11-08 2011-09-13 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Silicone resin for protecting a light transmitting surface of an optoelectronic device
US8329156B2 (en) * 2007-12-21 2012-12-11 Dow Corning Corporation Ionomeric silicone thermoplastic elastomers
EP2093804A1 (en) * 2008-02-19 2009-08-26 Helianthos B.V. Solar cell system with encapsulant
JP5972511B2 (ja) * 2008-03-31 2016-08-17 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物およびその硬化物
JP2009277887A (ja) 2008-05-15 2009-11-26 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光装置
MX2010013887A (es) 2008-06-24 2011-02-15 Dow Corning Composiciones adhesivas por fusion termica y metodos para su preparacion y uso.
JP2010123769A (ja) 2008-11-20 2010-06-03 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 発光装置及びその製造方法
CN104262970B (zh) 2009-05-29 2017-07-07 道康宁公司 用于产生透明硅氧烷材料和光学器件的硅氧烷组合物
EP2443652A2 (en) 2009-06-19 2012-04-25 Dow Corning Corporation Use of ionomeric silicone thermoplastic elastomers in electronic devices
US8596825B2 (en) 2009-08-04 2013-12-03 3M Innovative Properties Company Solid state light with optical guide and integrated thermal guide
JP5744386B2 (ja) 2009-10-07 2015-07-08 日東電工株式会社 光半導体封止材
JP2011134934A (ja) * 2009-12-25 2011-07-07 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光モジュールおよび照明装置
JP5894723B2 (ja) 2009-12-29 2016-03-30 株式会社朝日ラバー 半導体発光装置の製造方法
JP2011178888A (ja) 2010-03-01 2011-09-15 Nitto Denko Corp 熱硬化性シリコーン樹脂用組成物
KR101274350B1 (ko) * 2010-03-31 2013-06-13 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 광 반도체 장치용 밀봉제 및 광 반도체 장치
JP5634108B2 (ja) * 2010-04-27 2014-12-03 株式会社日立製作所 光学シート，光源モジュール，光源モジュールを用いた照明装置，液晶表示装置及び映像表示装置
JP5511524B2 (ja) 2010-06-07 2014-06-04 日東電工株式会社 光半導体用封止シート
JP5775375B2 (ja) 2010-07-27 2015-09-09 日東電工株式会社 発光ダイオード装置の製造方法
TWI483995B (zh) * 2010-08-18 2015-05-11 Cheil Ind Inc 聚有機矽氧烷與由該聚有機矽氧烷獲得之封裝材料以及包含該封裝材料之電子元件
KR101829336B1 (ko) 2010-09-22 2018-02-19 다우 코닝 코포레이션 수지-선형 유기실록산 블록 공중합체를 함유하는 열안정성 조성물
CN103189419B (zh) * 2010-09-22 2015-05-27 道康宁公司 包含树脂-线型有机硅氧烷嵌段共聚物的高折射率组合物
EP2619246B1 (en) 2010-09-22 2014-07-16 Dow Corning Corporation Resin-linear organosiloxane block copolymers
CN103189421B (zh) 2010-09-22 2015-03-25 道康宁公司 有机硅氧烷嵌段共聚物
JP5767062B2 (ja) * 2010-09-30 2015-08-19 日東電工株式会社 発光ダイオード封止材、および、発光ダイオード装置の製造方法
WO2012071330A1 (en) 2010-11-24 2012-05-31 Dow Corning Corporation Controlling morphology of block copolymers
KR101472829B1 (ko) 2011-04-21 2014-12-15 제이에스알 가부시끼가이샤 경화성 조성물, 경화물, 광반도체 장치 및 폴리실록산
JP6309898B2 (ja) 2012-01-16 2018-04-11 ダウ シリコーンズ コーポレーション 光学物品及び形成方法
JP6358960B2 (ja) 2012-02-09 2018-07-18 ダウ シリコーンズ コーポレーション 勾配ポリマー構造及び方法
TWI629314B (zh) 2012-12-21 2018-07-11 美商道康寧公司 壓縮成形或積層用熱熔型硬化性聚矽氧組合物

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101548391A (zh) * 2005-11-04 2009-09-30 陶氏康宁公司 封装光伏电池

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