TWI595549B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI595549B TW105102836A TW105102836A TWI595549B TW I595549 B TWI595549 B TW I595549B TW 105102836 A TW105102836 A TW 105102836A TW 105102836 A TW105102836 A TW 105102836A TW I595549 B TWI595549 B TW I595549B
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中井仁司
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思可林集團股份有限公司
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Description

基板處理裝置
本發明係關於一種將處理液供給至基板並進行處理的基板處理裝置。
以往,在半導體基板(以下,簡稱為「基板」)之製程中,係對基板施予各種的處理。例如,藉由從噴嘴(nozzle)吐出藥液至表面上形成有阻劑(resist)之圖案(pattern)的基板上,就能對基板之表面進行蝕刻(etching)等的藥液處理。
在日本特許第5030767號公報(文獻1)之基板處理裝置中,係在吐出處理液之噴嘴連接有處理液供給管,且在處理液供給管設置有用以切換處理液向噴嘴之供給及停止的處理液閥。又,處理液抽吸管係從處理液供給管上的分歧位置分歧出,且連接於抽吸手段。然後,抽吸手段係在處理液閥被閉合之後動作,藉此抽吸處理液供給管內的處理液並予以排除。在該基板處理裝置中,係在被設定於上述的分歧位置與噴嘴之間的液面檢測位置設置有用以檢測 處理液供給管內之處理液前端面的液面感測器。在藉由抽吸手段進行處理液之抽吸之後,當處理液前端面在液面檢測位置被檢測出時,就能判斷在處理液閥已發生洩漏(leak)故障。作為液面感測器,係可利用以光學方式來檢測處理液的光學感測器、使用超音波來檢測處理液的超音波感測器、或檢測液面檢測位置附近的靜電電容(electrostatic capacitance)之變化的靜電電容感測器。
在日本特開2004-20231號公報(文獻2)之藥液濃度測定裝置中,係在半導體洗淨生產線中可供洗淨藥液流動的配管上設置有一對電極。一對電極係從設置於該配管之外壁的貫通孔插入配管內,且使用熔接於配管的直通接頭(through joint)來安裝於配管。在該藥液濃度測定裝置中,係能測定電極間的導電率,且根據導電率與洗淨藥液中的氫氟酸濃度之相互關聯,求得洗淨藥液中的氫氟酸濃度。
可是,在文獻1之基板處理裝置中,當在液面檢測位置中有微量之液滴附著並殘留於處理液供給管之內表面的情況時,會有將該液滴誤檢測作為處理液前端面,且將實際上並未發生之洩漏故障誤判為已發生的可能性。反之,即便是在已發生洩漏故障的情況下,當處理液前端面靠近位於液面檢測位置的情況時,仍會有無法檢測出洩漏故障之發生的可能性。
在該基板處理裝置中,當光學感測器被當作液面感測器來利用的情況時,從發光元件所射出的光係能穿透半透明之處理液供給管內並由受光元件所接收。在此情況下,當處理液供給管內存在有來自高溫之處理液的熱氣或處理液中的氣泡時,就不容易精度佳地識別處理液是否存在。又,在處理液供給管因老化等而變色的情況時,會有檢測精度降低的可能性。另一方面,當超音波感測器或靜電電容感測器被當作液面感測器來利用的情況時,液面感測器係被直接安裝於處理液供給管。因此,在利用比感測器之耐熱溫度(例如,約70度)更高溫之處理液的情況等時,會有無法將液面感測器安裝於處理液供給管的可能性。
在文獻2之藥液濃度測定裝置中,因在配管中插入有一對電極,故而恐有配管內之洗淨藥液的流動受到阻礙之虞。又,因有必要在配管之外壁設置貫通孔並安裝電極,故而配管及其周圍的構造複雜化。再者,因安裝有一對電極的藥液濃度之測定位置無法輕易地變更,故而只要洗淨藥液不到達該測定位置,就無法測定藥液濃度。
本發明之目的係在於針對處理液供給至基板並進行處理的基板處理裝置,提高管路內的處理液是否存在或處理液之種類的確認精度。
本發明之基板處理裝置,係具備:基板保持部,用以保持基板;以及管路,可供處理液通過,且設置有確認處理液是否存在或處理液之種類的確認部;前述確認部係具備:檢查管路,其為前述管路之至少一部分,且具有在內周面交替地配置於長邊方向或圓周方向的複數個導電部以及複數個絕緣部;導電率取得部,電性連接於前述複數個導電部當中的至少二個導電部,且取得前述至少二個導電部間的導電率;以及判斷部,基於藉由前述導電率取得部所取得的導電率,而判斷前述檢查管路內的處理液是否存在、或前述檢查管路內的處理液之種類。依據該基板處理裝置,可以提高管路內的處理液是否存在或處理液之種類的確認精度。
在本發明之一較佳實施形態中,形成前述檢查管路的主要材料為樹脂;前述複數個導電部為導電性樹脂。
更佳為:前述複數個絕緣部係藉由四氟乙烯-全氟代烷基乙烯基醚共聚合物((tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer))所形成;前述複數個導電部係藉由添加有碳的四氟乙烯-全氟代烷基乙烯基醚共聚合物所形成。
在本發明之另一較佳實施形態中,前述複數個導電部及前述複數個絕緣部係配置於圓周方向,且在前述檢查管路之前述內周面分別朝向長邊方向延伸。
更佳為:前述複數個導電部及前述複數個絕緣部之各自的圓周方向之寬度為相同;前述至少二個導電部為橫跨前述檢查管路之中心軸而相互地對向的二個導電部。
或是,前述至少二個導電部為三個以上的導電部;藉由前述導電率取得部,能取得在前述三個以上的導電部中之圓周方向所鄰接的各二個導電部間之導電率。
在本發明之另一較佳實施形態中,係復具備:噴嘴,連接於前述管路,且朝向前述基板吐出處理液;供給控制部,設置於前述管路上,用以切換處理液從處理液供給源朝向前述噴嘴之供給及停止;分歧管路,在前述供給控制部與前述噴嘴之間的分歧點從前述管路分歧出;以及抽吸部,連接於前述分歧管路,用以抽吸前述管路內之處理液;前述檢查管路係設置於前述供給控制部與前述噴嘴之間的前述管路上;前述判斷部係判斷前述檢查管路內的處理液是否存在。
更佳為:前述檢查管路係沿著重力方向而延伸。
在本發明之另一較佳實施形態中,前述檢查管路係設置及於前述管路的前述供給控制部與前述噴嘴之間的全長。
在本發明之另一較佳實施形態中,係復具備:抽吸控制部,設置於前述分歧管路上,用以切換藉由前述抽吸部而致使的處理液之抽吸及停止;具有與前述確認部同樣構造的另一個確認部,係設置於前述分歧管路上的前述抽吸控制部與前述分歧點之間,用以確認處理液是否存在。
上述之目的及其他之目的、特徵及優點,係參照附圖並通過以下進行的本發明之詳細說明所能明白。
1‧‧‧基板處理裝置
4‧‧‧杯體部
6、6a至6d‧‧‧處理液供給部
9‧‧‧基板
11‧‧‧外殼
31‧‧‧基板保持部
35‧‧‧基板旋轉機構
60‧‧‧處理液供給源
61‧‧‧噴嘴
62‧‧‧處理液管路
63‧‧‧供給閥
64‧‧‧分歧管路
65‧‧‧抽吸部
66‧‧‧抽吸閥
67、67a至67d‧‧‧確認部
71‧‧‧處理液
91‧‧‧上表面
621‧‧‧流量計
640‧‧‧分歧點
671、671c、671d‧‧‧檢查管路
672、672c‧‧‧導電率取得部
673、673c‧‧‧判斷部
675‧‧‧導電部
676‧‧‧絕緣部
677‧‧‧內側導電部
678‧‧‧外側導電部
679‧‧‧導電連結部
721‧‧‧導線
722‧‧‧共通導線
723‧‧‧電池
724‧‧‧LED
J1、J2‧‧‧中心軸
圖1係顯示一實施形態的基板處理裝置之構成的示意圖。
圖2係顯示處理液供給部之構成的示意圖。
圖3係顯示檢查管路之一部分的立體圖。
圖4係顯示確認部之構成的示意圖。
圖5係顯示基板之處理流程的示意圖。
圖6係顯示處理液供給部之構成之另一例的示意圖。
圖7係顯示確認部之構成的示意圖。
圖8係顯示確認部之另一構成的示意圖。
圖9係顯示另一處理液供給部之構成的示意圖。
圖10係顯示另一處理液供給部之構成的示意圖。
圖11係顯示檢查管路之一部分的縱剖視圖。
圖1係顯示本發明之一實施形態的基板處理裝置1之構成的示意圖。基板處理裝置1,為逐片處理半導體基板9(以下,簡稱為「基板9」)的單片式之裝置。基板處理裝置1係將處理液供給至基板9並進行處理。在圖1中係剖面顯示基板處理裝置1之構成的一部分。處理液,例如是用於基板9之藥液處理的藥液(聚合物去除液或蝕刻液等)、或是用於基板9之洗淨處理的洗淨液(使碳酸溶解於純水的碳酸水等)。
基板處理裝置1係具備外殼(housing)11、基板保持部31、基板旋轉機構35、杯體(cup)部4及處理液供給部6。外殼11係收容基板保持部31及杯體部4等。在圖1中係以虛線顯示外殼11。
基板保持部31係指將轉向上下方向之中心軸J1作為中心的大致圓板狀之構件,且配置於水平狀態的基板9之下方。基板保持部31係保持基板9。基板旋轉機構35係配置於基板保持部31之下方。基板旋轉機構35係將中心軸J1作為中心而使基板9與基板保持部31一起旋轉。
杯體部4係指將中心軸J1作為中心的環狀之構件,且配置於基板9及基板保持部31之徑向外側。杯體部4係遍及於基板9及基板保持部31之周圍而覆蓋其全周,且承接 從基板9朝向周圍飛散的處理液等。在杯體部4之底部係設置有省略圖示的排出埠口。由杯體部4所承接的處理液等,係經由該排出埠口而朝向杯體部4及外殼11之外部排出。
圖2係顯示處理液供給部6之構成的示意圖。處理液供給部6係具備噴嘴61、處理液管路62、供給閥63、分歧管路64、抽吸部65及抽吸閥66。處理液管路62係指能供處理液通過內部的管路。處理液管路62係除了後面所述的檢查管路671以外,其餘是藉由樹脂等的絕緣體所構成。處理液管路62係連接於處理液供給源60。噴嘴61係位於基板9之中央部的上方。噴嘴61係連接於處理液管路62。在圖2所示之例中,處理液管路62係從噴嘴61朝向上方沿著重力方向延伸,且在噴嘴61之上方折疊並朝向下方延伸,進一步朝向水平方向延伸而連接於供給閥63。噴嘴61係將從處理液供給源60經由處理液管路62所供給的處理液,朝向基板9之上表面91吐出。噴嘴61,例如是藉由樹脂所形成。
供給閥63係設置於噴嘴61與處理液供給源60之間的處理液管路62上。供給閥63,為用以切換處理液從處理液供給源60朝向噴嘴61之供給及停止(亦即,停止處理液之供給)的供給控制部。供給閥63亦能夠控制從處理液供給源60供給至噴嘴61的處理液之流量。具體而言,能藉 由供給閥63閉合而停止來自噴嘴61的處理液之吐出,且能藉由供給閥63開啟而從噴嘴61吐出處理液。又,能藉由調整供給閥63之開啟度而調整來自噴嘴61的處理液之吐出量(亦即,流動於處理液管路62的處理液之流量)。供給閥63,例如是藉由樹脂所形成。流動於處理液管路62的處理液之流量,係能藉由設置於處理液管路62上的流量計621所測定。
分歧管路64係在供給閥63與噴嘴61之間的分歧點640從處理液管路62分歧出。分歧管路64係與處理液管路62之檢查管路671以外的部位同樣,藉由樹脂等的絕緣體所形成。在分歧管路64係連接有抽吸部65。抽吸部65係透過分歧管路64而抽吸處理液管路62內的處理液。抽吸閥66係設置於分歧點640與抽吸部65之間的分歧管路64上。抽吸閥66,為用以切換藉由抽吸部65而致使的處理液之抽吸及停止(亦即,停止處理液之抽吸)的抽吸控制部。抽吸閥66,例如是藉由樹脂所形成。
在處理液管路62係設置有確認部67。確認部67係確認處理液管路62中的處理液是否存在、或處理液管路62內的處理液之種類。確認部67係具備檢查管路671、導電率取得部672及判斷部673。檢查管路671係指連接處理液供給源60和噴嘴61的處理液管路62之至少一部分。在圖2中係以粗實線顯示檢查管路671。在圖2所示之例中, 檢查管路671係指處理液管路62之一部分,且沿著重力方向延伸。具體而言,檢查管路671係設置於噴嘴61與供給閥63之間的處理液管路62上,且從噴嘴61朝向供給閥63而往上方延伸。更詳言之,檢查管路671係設置於噴嘴61與處理液管路62之上述折疊點之間,且從噴嘴61朝向該折疊點而往上方延伸。
圖3係顯示檢查管路671之一部分的立體圖。圖4係顯示確認部67之構成的示意圖。在圖4中係顯示將檢查管路671沿著長邊方向垂直切斷後的剖面。檢查管路671,為大致圓筒狀之導電性管。檢查管路671之內徑及外徑,例如是分別為4mm及6mm。
檢查管路671係具有交替地配置於圓周方向(亦即,將檢查管路671之中心軸J2作為中心的圓周方向)的複數個導電部675以及複數個絕緣部676。在圖3中,係為了容易理解圖,而在導電部675附記平行斜線。複數個導電部675係將絕緣部676包夾在中間並相互地間隔所配置。換言之,複數個導電部675係分別直接連接於位在檢查管路671之圓周方向(以下,亦簡稱為「圓周方向」)之兩側的二個絕緣部676,且藉由複數個導電部675和複數個絕緣部676,而構成大致圓筒狀之檢查管路671。在圖3及圖4所示之例中,檢查管路671係具有四個導電部675以及四個絕緣部676。各絕緣部676係指將大致圓筒狀之構件大概分割 成複數個(例如,四個)等分而成的構件。
複數個導電部675及複數個絕緣部676係分別朝向檢查管路671之長邊方向延伸。各導電部675係具有內側導電部677、外側導電部678及導電連結部679。內側導電部677及外側導電部678係分別比檢查管路671之厚度(即壁厚)還薄的大致板狀。內側導電部677係構成檢查管路671之內周面的一部分,且朝向檢查管路671之長邊方向延伸。外側導電部678係構成檢查管路671之外周面的一部分,且朝向檢查管路671之長邊方向延伸。
導電連結部679係指連結內側導電部677和外側導電部678的大致板狀之部位。導電連結部679係朝向內側導電部677與外側導電部678之間的檢查管路671之長邊方向延伸,並且在圖4所示之剖面中,朝向將中心軸J2作為中心的大致徑向擴展。導電連結部679之徑向內側的端部,係連結於內側導電部677之圓周方向的大致中央部。導電連結部679之徑向外側的端部,係連結於外側導電部678之圓周方向的大致中央部。導電連結部679係位於在圓周方向所鄰接的二個絕緣部676之間。換言之,能藉由複數個導電連結部679,使大致圓筒狀之絕緣管分割成複數個絕緣部676。
在檢查管路671中,複數個內側導電部677係分別朝 向檢查管路671之內周面的長邊方向延伸。又,在檢查管路671之內周面,係在圓周方向所鄰接的各二個內側導電部677之間,使絕緣部676之內表面露出。在檢查管路671之內周面,係使複數個內側導電部677、和複數個絕緣部676之內表面,交替地配置於圓周方向。換言之,複數個絕緣部676係在檢查管路671之內周面位於複數個導電部675的內側導電部677之間,且分別朝向檢查管路671之長邊方向延伸。
複數個外側導電部678係分別朝向檢查管路671之外周面的長邊方向延伸。又,在檢查管路671之外周面,係在圓周方向所鄰接的各二個外側導電部678之間,使絕緣部676之外表面露出。在檢查管路671之外周面,係使複數個外側導電部678、和複數個絕緣部676之外表面,交替地配置於圓周方向。換言之,複數個絕緣部676係在檢查管路671之外周面位於複數個導電部675的外側導電部678之間,且分別朝向檢查管路671之長邊方向延伸。
形成檢查管路671的主要材料例如是樹脂,複數個導電部675例如是導電性樹脂。複數個導電部675,例如是添加有碳的四氟乙烯-全氟代烷基乙烯基醚共聚合物(PFA)、所謂的導電性PFA。複數個絕緣部676例如是四氟乙烯-全氟代烷基乙烯基醚共聚合物(PFA)。導電部675之體積電阻率例如是約5×102Ω‧cm,絕緣部676之體積電阻率例 如是比1×1018Ω‧cm更大。檢查管路671之耐熱溫度例如是約260度。
在圖3及圖4所示之例中,複數個內側導電部677之圓周方向的寬度(亦即,檢查管路671之內周面中的複數個導電部675之圓周方向的寬度),係大概相同。檢查管路671之內周面中的複數個絕緣部676之圓周方向的寬度,亦是大概相同。又,在檢查管路671之內周面,複數個導電部675及複數個絕緣部676之各自的圓周方向之寬度,亦是大概相同。再者,複數個外側導電部678之圓周方向的寬度(亦即,檢查管路671之外周面中的複數個導電部675之圓周方向的寬度),亦是大概相同。檢查管路671之外周面中的複數個絕緣部676之圓周方向的寬度,亦是大概相同。又,在檢查管路671之外周面,複數個導電部675及複數個絕緣部676之各自的圓周方向之寬度,亦是大概相同。
圖4所示之導電率取得部672係電性連接於檢查管路671之複數個導電部675當中的至少二個導電部675。導電率取得部672係取得該至少二個導電部675間之導電率。在圖4所示之例中,該至少二個導電部675係指橫跨檢查管路671之中心軸J2而相互地對向的二個導電部675。換言之,導電率取得部672係電性連接於橫跨中心軸J2而相互地位於相反側的二個導電部675。
如圖4所示,在連接於導電率取部672之二個導電部675,與檢查管路內之處理液71接觸的情況下,能藉由導電率取得部672,來取得處理液71存在於其間(亦即,藉由處理液71而電性連接)的該二個導電部675間之導電率。另一方面,在檢查管路671內不存在處理液71的情況下,能藉由導電率取得部672,來取得空氣等之氣體存在於其間的該二個導電部675間之導電率。空氣等之氣體的導電率,一般是比處理液71之導電率更低。因而,相較於該二個導電部675與處理液71接觸的情況,藉由導電率取得部672所取得的導電率較低。即便是在檢查管路671內存在處理液71的情況下,處理液71如液滴狀般的微量;在該二個導電部675之至少一方並未與處理液71接觸的情況時,就與在檢查管路671內不存在處理液71的情況同樣,能藉由導電率取得部672,來取得空氣等之氣體存在於其間的該二個導電部675間之導電率。
另外,在導電率取得部672中,只要是能實質取得電性連接於導電率取得部672的導電部675間之導電率,則亦可測定該導電部675間之電阻或電位差、流動至導電部675間之電流等其他的測量值。
藉由導電率取得部672所取得的導電率,係被送至判斷部673。在判斷部673中,係基於藉由導電率取得部672 所取得的導電率,而判斷檢查管路671內的處理液71是否存在、或檢查管路671內的處理液71之種類。在以下之說明中,係以藉由判斷部673來判斷檢查管路671內的處理液71是否存在來加以說明。
圖5係顯示圖1所示之基板處理裝置1中的基板9之處理流程的示意圖。在基板處理裝置1中,首先,基板9被搬入外殼11內,且藉由基板保持部31所保持。接著,藉由基板旋轉機構35而開始基板9之旋轉。其次,如圖2所示之供給閥63被開啟,且在旋轉中的基板9之上表面91的中央部,開始來自噴嘴61的處理液71(參照圖4)之供給(步驟S11)。此時,抽吸閥66係被閉合,且不進行藉由抽吸部65所行使的處理液71之抽吸。
在圖4所示之確認部67中,連接於導電率取得部672之二個導電部675係與流動於檢查管路671內之處理液71接觸。換言之,該二個導電部675係透過流動於檢查管路671內之處理液71而導通。藉此,藉由導電率取得部672所取得的該二個導電部675間之導電率,係變得比在檢查管路671內並未流動有處理液71的情況還高。然後,能藉由判斷部673來判斷在檢查管路671內存在處理液71。
從圖1所示之噴嘴61供給至旋轉中的基板9之上表面91上的處理液,係藉由離心力於上表面91上朝向徑向外 方移動,且從基板9之外緣朝向杯體部4飛散。藉由杯體部4所承接的處理液,係經由設置於杯體部4之底部的省略圖示之排出埠口而朝向杯體部4及外殼11之外部排出。在基板處理裝置1中,能藉由對基板9之上表面91在指定之時間內供給處理液,來進行對基板9之上表面91的液處理。當經過該指定之時間時,就停止處理液朝向基板9供給,且結束對基板9之液處理(步驟S12)。
在步驟S12中停止處理液之供給時,就會閉合圖2所示之供給閥63,且停止處理液從處理液供給源60朝向噴嘴61之供給。又,抽吸閥66被開啟,噴嘴61與供給閥63之間的處理液管路62內之處理液71,藉由抽吸部65而經由分歧管路64來抽吸。檢查管路671內之處理液71,係越過上述之折疊點並朝向供給閥63側移動。藉此,檢查管路671內係成為幾乎不存在處理液71的狀態。
在確認部67中,因連接於導電率取得部672的二個導電部675,不會透過處理液71而導通,故而藉由導電率取得部672所取得的該二個導電部675間之導電率,會變得比在檢查管路671內流動有處理液71的情況還低。然後,能藉由判斷部673來判斷在檢查管路671內不存在處理液71。
當結束對基板9之液處理時,就增大藉由基板旋轉機 構35而致使的基板9之旋轉速度。藉由基板9以比較高之速度旋轉,基板9之上表面91上的處理液就會朝向徑向外方移動,且從基板9之外緣朝向周圍飛散。結果,能去除基板9上的處理液(步驟S13)。以下,將步驟S13之處理稱為「乾燥處理」。在乾燥處理中從基板9飛散並藉由杯體部4所承接的處理液,亦是與上述同樣,經由排出埠口而朝向杯體部4及外殼11之外部排出。乾燥處理已結束的基板9係朝向外殼11外搬出。在基板處理裝置1中,係對複數個基板9依順序進行上述之步驟S11至S13。
在基板處理裝置1中,係能在處理液從噴嘴61朝向基板9之供給中、以及停止處理液從噴嘴61供給的期間,藉由確認部67而持續地確認在檢查管路671內的處理液71是否存在。在基板處理裝置1中,例如在處理液71之供給中,已藉由確認部67判斷出在檢查管路671內不存在處理液71的情況下,就判斷已發生處理液71之供給不良並中斷基板9之液處理。處理液71之供給不良,例如是在因供給閥63之故障等,而使來自處理液供給源60之處理液71未被供給至處理液管路62的情況下發生。或是,處理液71之供給不良,例如是在因抽吸閥66之故障等,而藉由抽吸部65進行處理液管路62內的處理液71之抽吸,且使從處理液供給源60送出至處理液管路62的處理液71不是朝向噴嘴61流動,而被抽吸部65所抽吸的情況下發生。
又,在基板處理裝置1中,例如,在基板9之乾燥處理中(亦即,處理液71之供給停止中),藉由確認部67判斷出在檢查管路671內存在處理液71的情況時,就判斷已發生處理液71之洩漏(液漏)並中斷基板9之乾燥處理。處理液71之洩漏,例如是在因供給閥63之故障等,而使來自處理液供給源60之處理液71,在處理液管路62中比供給閥63更朝向噴嘴61側流出,且流動於檢查管路61中的情況下發生。或是,處理液71之洩漏,例如是在因抽吸部65或抽吸閥66之故障等,而使處理液管路62內的處理液71之抽吸已無法正常進行的情況(亦即,已發生回吸(suck back)異常的情況)下發生。
如上述般,在基板處理裝置1中,確認部67係具備檢查管路671、導電率取得部672及判斷部673。檢查管路671係指處理液管路62之至少一部分,且具有在內周面分別朝向長邊方向延伸並且交替地配置於圓周方向的複數個導電部675以及複數個絕緣部676。導電率取得部672係電性連接於該複數個導電部675當中的至少二個導電部675,且取得該至少二個導電部675間之導電率。判斷部673係基於藉由導電率取得部672所取得的導電率,而判斷檢查管路671內的處理液是否存在。
如此,在確認部67中,即便是在電性連接於導電率取得部672的至少二個導電部675與處理液之接觸,係在比 較長的檢查管路671中之任一位置發生的情況下,仍可以檢測處理液之存在。換言之,在確認部67中,係可以遍及於比較長的檢查管路671之全長而判斷處理液是否存在。因而,比起僅在處理液所流動的管路上之預定的液面檢測位置檢測處理液之存在的情況,還可以提高處理液是否存在確認的精度。
又,在基板處理裝置1中,係與藉由光學感測器來檢測處理液的情況不同,且可以抑制來自高溫的處理液之熱氣或因處理液中之氣泡所引起的檢測精度之降低。又,處理液管路62亦無必要藉由透光之材料所形成,亦無因由處理液所引起的檢查管路671之變色,而使處理液之檢測精度降低之虞。因而,在基板處理裝置1中,比起藉由光學感測器來檢測處理液的情況,還可以提高處理液是否存在確認的精度。更且,因屬於導電性管的檢查管路671係具有比較高的耐熱性,故而比起將超音波感測器或靜電電容感測器安裝於處理液管路62來檢測處理液的情況,亦可以精度佳地確認比較高溫的處理液是否存在。
在基板處理裝置1中,如上述般,亦可藉由確認部67之判斷部673來判斷檢查管路671內的處理液之種類。在此情況下,例如,顯示處理液之種類與其導電率(或導電率之範圍)之關係的資訊,係事先記憶於判斷部673。然後,能基於該資訊、和藉由導電率取得部672所取得的檢查管 路671內的處理液71之導電率,並藉由判斷部673來判斷處理液之種類。
在基板處理裝置1之確認部67中,係與上述同樣,即便是在電性連接於導電率取得部672的至少二個導電部675與處理液之接觸,係在比較長的檢查管路671中之任一位置發生的情況下,仍可以判斷處理液之種類。換言之,在確認部67中,係可以遍及於比較長的檢查管路671之全長而判斷處理液之種類。因而,可以提高處理液之種類確認的精度。結果,在基板處理裝置1中處理液管路62等之配管因錯誤而連接的情況等、有意外之處理液流動於處理液管路62內的情況時,就可以精度佳地檢測處理液之供給失誤。
可是,在半導體基板之處理液中,係使用各式各樣之種類的處理液或比較高溫的處理液。又,在半導體基板之處理液中,有必要避免雜質混入被供給至半導體基板的處理液中。在基板處理裝置1中,如上述般,形成確認部67之檢查管路671的主要材料為樹脂,而複數個導電部675為導電性樹脂。因此,檢查管路671係具有比較高的抗藥品性以及比較高的耐熱性。又,檢查管路671之一部分能抑制流動於檢查管路671內的處理液以雜質溶出。因而,基板處理裝置1之確認部67係特別適於被供給至屬於半導體基板之基板9的處理液是否存在或處理液之種類的確 認。
在確認部67中,如上述般,檢查管路671之複數個絕緣部676係藉由四氟乙烯-全氟代烷基乙烯基醚共聚合物所形成,複數個導電部675係藉由添加碳的四氟乙烯-全氟代烷基乙烯基醚共聚合物所形成。如此,因是藉由具有比較高之耐熱性的材料來形成導電部675及絕緣部676,故而確認部67係特別適於比較高溫的處理液是否存在、或比較高溫的處理液之種類的確認。
如上述般,基板處理裝置1係復具備噴嘴61、供給閥63、分歧管路64及抽吸部65。又,檢查管路671係設置於供給閥63與噴嘴61之間的處理液管路62上。然後,藉由判斷部673判斷檢查管路671內的處理液是否存在,就可以檢測處理液朝向處理液管路62之洩漏(亦即,來自供給閥63之液漏、或因抽吸部65所引起的回吸異常)。結果,可以防止意外的處理液從噴嘴61朝向基板9等之落下。
又,在確認部67中,因檢查管路671是沿著重力方向延伸,故而在已發生處理液朝向處理液管路62之洩漏的情況下,已到達檢查管路671之處理液將從檢查管路671之下端朝向上方積留。因此,可以輕易且高精度地進行檢查管路671中的處理液是否存在確認。更且,即便是在積留於檢查管路671之下端的處理液為少量的情況下,該處理 液仍會在檢查管路671之內周面接觸及於全周。藉此,在確認部67中,亦可以精度佳地檢測少量的處理液之存在。
在基板處理裝置1中,如圖6所示,檢查管路671亦可設置於朝向處理液管路62之水平方向延伸的部位。在此情況下,亦如圖7所示,檢查管路671之內周面的複數個導電部675和複數個絕緣部676之各自的圓周方向之寬度係大約相同,而電性連接於導電率取得部672的至少二個導電部675係指橫跨檢查管路671之中心軸J2而相互地對向的二個導電部675。該二個導電部675係上下方向位於大約相同的高度。因此,在確認部67中,在處理液71存在於檢查管路671之流路截面(亦即,與處理液所流動的流路之中心軸J2垂直的截面)當中的大約一半以上的情況時,處理液71係與該二個導電部675接觸,且能檢測處理液71之存在。另一方面,在處理液71占檢查管路671之流路截面的比例比較小(亦即,連流路截面之一半都未滿)的情況下,因處理液71並未與該二個導電部675接觸,故而無法檢測出處理液71之存在。如此,在基板處理裝置1中,可以僅在檢查管路671內的處理液之量為多到某程度以上的情況時才檢測處理液,而在處理液之些微的液滴附著於檢查管路671之內周面的情況等時不檢測處理液。結果,可以抑制在乾燥處理時等因將檢查管路671內之液滴誤判斷為洩漏而發生不必要的處理中斷。
在圖4所示之例中,雖然在確認部67中,導電率取得部672係連接於二個導電部675,但是導電率取得部672亦可連接於檢查管路671之複數個導電部675當中的三個以上之導電部675。換言之,電性連接於導電率取得部672的至少二個導電部675,亦可為三個以上之導電部675。然後,能藉由導電率取得部672,來取得在該三個以上之導電部675中之圓周方向所鄰接的各二個導電部675間之導電率。
圖8係顯示導電率取得部672電性連接於三個以上之導電部675的確認部之一例的示意圖。在圖8中係與圖4同樣顯示將確認部67a之檢查管路671沿著長邊方向垂直地切斷後的剖面。在圖8所示的處理液供給部6a之確認部67a中,導電率取得部672係連接於檢查管路671之四個導電部675的全部。
導電率取得部672,例如是具備四條導線721、共通導線722、三個電池723及三個LED724。四條導線721係分別電性連接於四個導電部675。共通導線722係電性連接四條導電線721之前端。三個電池723係在共通導線722上,配置於四條導線721與共通導線722之四個接點的各接點之間。三個LED724係在共通導線722上,配置於四條導線721與共通導線722之四個接點的各接點之間。
在圖8所例示之確認部67a中,係在檢查管路671內不存在處理液71的情況時,無論是哪一個LED723都不會點亮。又,當連接於圓周方向的各二個導電部675與處理液71接觸時,配置於該各二個導電部675之間的LED724就會點亮。藉此,在導電率取得部672,實質能取得該各二個導電部675間之導電率(詳言之為導電率之變化)。判斷部673係藉由感知導電率取得部672之LED724的點亮或熄滅,實質上基於藉由導電率取得部672所取得的導電率,而判斷檢查管路671內的處理液71是否存在。又,在判斷部673中,係在已點亮的LED724之數目較多的情況下,判斷檢查管路671之流路截面當中之處理液71所占的比例較大。
如此,在確認部67a中,電性連接於導電率取得部672的至少二個導電部675係指三個以上的導電部675,且藉由導電率取得部672,能取得在該三個以上之導電部675中之圓周方向所鄰接的各二個導電部675間之導電率。藉此,即便是在檢查管路671內之處理液71,與圓周方向所鄰接之其中任二個導電部675接觸的情況下,仍可以檢測處理液71之存在。亦即,可以提高處理液是否存在確認的精度。又,可以基於LED724之點亮數,來取得檢查管路671內的處理液71之大約量。
在確認部67a中,亦可以設置電流計等來取代LED724, 且藉由測定檢查管路671內的處理液71之導電率,而精度佳地確認檢查管路671內的處理液71之種類。在此情況下,亦可以藉由導電率取得部672電性連接於三個以上之導電部675,來提高處理液71之種類確認的精度。
圖9係顯示基板處理裝置1之另一較佳處理液供給部之構成例的示意圖。在圖9所示之處理液供給部6b中,確認部67b之檢查管路671係設置及於處理液管路62之供給閥63與噴嘴61之間的大約全長。換言之,處理液管路62的供給閥63與噴嘴61之間的部位,大約遍及全長是藉由圖3所示之導電性管所形成並成為檢查管路671。藉此,在處理液管路62中,即便是在供給閥63與噴嘴61之間的其中任一位置存在處理液71的情況下,仍可以檢測該處理液71。結果,可以更精度佳地檢測處理液朝向處理液管路62之洩漏(亦即,來自供給閥63之液漏、或因抽吸部65所引起的回吸異常)。
圖10係顯示基板處理裝置1之另一較佳處理液供給部之構成例的示意圖。在圖10所示之處理液供給部6c中,係設置有具有與確認部67同樣構造的另一個確認部67c。確認部67c係具備檢查管路671c、導電率取得部672c及判斷部673c。檢查管路671c係指分歧管路64之至少一部分,且設置於分歧管路64上的抽吸閥66與分歧點640之間。在圖10所示之例中,檢查管路671c係設置及於分歧 管路64的抽吸閥66與分歧點640之間的大約全長。檢查管路671c係與檢查管路671同樣具有在內周面分別朝向檢查管路671c之長邊方向延伸並且交替地配置於圓周方向的複數個導電部以及複數個絕緣部。導電率取得部672c係電性連接於檢查管路671c之複數個導電部當中的至少二個導電部,且取得該至少二個導電部間之導電率。判斷部673c係基於藉由導電率取得部672c所取得的導電率,而判斷檢查管路671c內的處理液是否存在。
在處理液供給部6c中,另一個確認部67c係設置於分歧管路64上的抽吸閥66與分歧點640之間而確認處理液是否存在。藉此,可以檢測因抽吸閥66之故障等所引起的處理液之供給不良或洩漏。換言之,可以輕易地判斷處理液之供給不良或洩漏的原因。
例如,在進行基板9之液處理時,因抽吸閥66之故障等,而使從處理液供給源60送出至處理液管路62的處理液被抽吸部65所抽吸而發生供給不良的情況下,能藉由處理液管路62上的確認部67來檢測供給不良,並且藉由分歧管路64上的確認部67c來檢測分歧管路64中之意外的處理液之存在。結果,能判斷處理液之供給不良係由起因於抽吸閥66之故障等所產生之因抽吸部65而致使的處理液之意外的抽吸所引起。
又,例如,在進行基板9之乾燥處理時,因抽吸閥66之故障等,而使處理液管路62內之處理液無法充分地抽吸而發生回吸異常的情況下,能藉由處理液管路62上的確認部67來檢測回吸異常,並且藉由分歧管路64上的確認部67c來檢測分歧管路64中之意外的處理液之存在。結果,能判斷回吸異常係起因於抽吸閥66之故障等所產生。
圖11係顯示檢查管路之另一例的縱剖視圖。在圖11中,係針對檢查管路671d之一部分,顯示包含中心軸J2的剖面。檢查管路671d係具備複數個導電部675和絕緣部676。在檢查管路671d之內周面,複數個導電部675及複數個絕緣部676(實際上是一個絕緣部676之複數個部位)係交替地配置於長邊方向。在檢查管路671d之內周面,導電部675及絕緣部676係設置及於將中心軸J2作為中心的圓周方向之全周。複數個導電部675係與導電率取得部672電性連接。另外,導電率取得部672並不一定需要連接於全部的導電部675,而是能電性連接於複數個導電部675當中的至少二個導電部675。
各導電部675係具有內側導電部677、外側導電部678及導電連結部679。內側導電部677及外側導電部678係分別比檢查管路671之厚度(即壁厚)還薄的大致板狀。內側導電部677係構成檢查管路671之內周面的一部分,且設置及於圓周方向之全周。外側導電部678係構成檢查管 路671之外周面的一部分,且設置及於圓周方向之全周。導電連結部679係指連結內側導電部677和外側導電部678的大致板狀之部位。導電連結部679係在圓周方向之一部分電性連接內側導電部677和外側導電部678。
在確認部67d中,在遍及於檢查管路671d之複數個導電部675當中之電性連接於導電率取得部672的二個導電部675(例如,在長邊方向包夾絕緣部676而鄰接的二個導電部675)存在處理液的情況下,能藉由判斷部673,且基於藉由導電率取得部672所取得的導電率來檢測該處理液之存在。在確認部67d中,因可以在比較長之檢查管路671d中判斷處理液是否存在,故而與上述同樣可以提高處理液是否存在確認的精度。又,藉由判斷部673而判斷處理液之種類的情況亦同樣,可以提高處理液之種類確認的精度。檢查管路671d,亦可取代檢查管路671、671c而在確認部67、67a至67c中利用。
在上述之基板處理裝置1中,係能夠進行各種的變更。
例如,在基板處理裝置1中將處理液供給至基板9時,噴嘴61亦可在基板9之上方水平地往復移動。在基板處理裝置1中的基板9之處理中,複數種類的處理液,亦可依次地供給至基板9。又,亦可在基板9之旋轉已被停止的 狀態下,供給處理液至基板9。
在處理供給部6、6a至6c中,只要檢查管路671係設置於供給閥63與噴嘴61之間的處理液管路62上,則不一定需要沿著重力方向延伸,例如,亦可在遠離噴嘴61之位置大致水平地延伸。又,在檢查管路671中,複數個導電部675及複數個絕緣部676之圓周方向的位置,亦可隨著從檢查管路671之長邊方向的一側朝向另一側而順時針(或逆時針)逐漸地變化。換言之,複數個導電部675及複數個絕緣部676,亦可沿著檢查管路671之長邊方向而配置成螺旋狀。藉此,即便是在檢查管路671例如大致水平地延伸的情況下,仍可以提高檢查管路671內之處理液與複數個導電部675之全部接觸的可能性。結果,可以提高處理液是否存在確認、或處理液之種類確認的精度。
在處理液供給部6、6a至6c中,亦可在檢查管路671與噴嘴61之間的處理液管路62設置有除電部。作為除電部,例如可利用將處理液管路62予以接地的接地線。藉此,即便是在因處理液通過檢查管路671而有暫時帶電的可能性之情況下,仍可以防止或抑制被供給至基板9的處理液之帶電。
在檢查管路671中,複數個導電部675和複數個絕緣部676,只要是在檢查管路671之內周面分別朝向長邊方 向延伸並且交替地配置於圓周方向,亦可從導電部675中省略外側導電部678及導電連結部679。又,在檢查管路671中,導電部675及絕緣部676之各自的數目,只要是二個以上亦可適當地變更。即便是在檢查管路671c中仍為相同。
在基板處理裝置1中,亦可藉由在抽吸閥66設置用以監視抽吸閥66之開閉的閥監視感測器來取代圖10所示之另一個確認部67c,而檢測抽吸閥66之故障等。
在處理液供給部6、6a至6c中,亦可在處理液管路62上設置其他各種構造之供給控制部來取代供給閥63,且藉由該供給控制部來切換處理液從處理液供給源60朝向噴嘴61之供給及停止。又,亦可在分歧管路64上設置其他各種構造之抽吸控制部來取代抽吸閥66,藉由該抽吸控制部切換因抽吸部65而致使的處理液之抽吸及停止。
確認部67、67a至67c亦可在基板處理裝置1中之處理液供給部6、6a至6c以外的部位中被利用。例如,確認部67、67a至67c係能當作供處理液所貯留的貯留槽之液面感測器來利用。在此情況下,沿著上下方向而延伸的處理液管路62之下端部係連接於貯留槽之底部,且在處理液管路62當中欲檢測處理液之液面的上下方向之範圍設置有檢查管路671。然後,藉由確認在檢查管路671內存在 處理液,就能確認貯留槽內的處理液之液面是位於比檢查管路671之下端更靠上方。在該液面感測器中,複數個檢查管路671亦可一邊相互地電性絕緣一邊朝向上下方向間隔排列。
在上述之基板處理裝置中,除了半導體基板以外,亦可利用於液晶顯示裝置、電漿顯示器、FED(field emission display:場發射顯示器)等之顯示裝置中所使用的玻璃基板之處理。或是,上述之基板處理裝置亦可利用於光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板及太陽電池用基板等之處理。
上述實施形態及各變化例之構成,只要不彼此矛盾亦可適當地組合。
雖然已詳細地描寫並說明發明,但是已述的說明係例示而非限定。因而,只要不脫離本發明之範圍,仍可為多數的變化或態樣。
67‧‧‧確認部
71‧‧‧處理液
671‧‧‧檢查管路
672‧‧‧導電率取得部
673‧‧‧判斷部
675‧‧‧導電部
676‧‧‧絕緣部
677‧‧‧內側導電部
678‧‧‧外側導電部
679‧‧‧導電連結部
J2‧‧‧中心軸

Claims (17)

  1. 一種基板處理裝置,係將處理液供給至基板並進行處理,其具備:基板保持部,用以保持基板;以及管路,可供處理液通過,且設置有確認處理液是否存在或處理液之種類的確認部;前述確認部係具備:檢查管路,其為前述管路之至少一部分,且具有在內周面交替地配置於圓周方向的複數個導電部以及複數個絕緣部;導電率取得部,電性連接於前述複數個導電部當中的至少二個導電部,且取得前述至少二個導電部間的導電率;以及判斷部,基於藉由前述導電率取得部所取得的導電率,而判斷前述檢查管路內的處理液是否存在、或前述檢查管路內的處理液之種類。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置,其中前述複數個導電部及前述複數個絕緣部係在前述檢查管路之前述內周面分別朝向長邊方向延伸。
  3. 如請求項2所記載之基板處理裝置,其中前述複數個導電部及前述複數個絕緣部之各自的圓周方向之寬度為相同; 前述至少二個導電部為橫跨前述檢查管路之中心軸而相互地對向的二個導電部。
  4. 如請求項2所記載之基板處理裝置,其中前述至少二個導電部為三個以上的導電部;藉由前述導電率取得部,能取得在前述三個以上的導電部中之圓周方向所鄰接的各二個導電部間之導電率。
  5. 如請求項1所記載之基板處理裝置,其中前述複數個導電部及前述複數個絕緣部亦於前述檢查管路之外周面交替地配置在圓周方向;前述複數個導電部各自具有:內側導電部,構成前述檢查管路的前述內周面的一部分;外側導電部,構成前述檢查管路的前述外周面的一部分;以及導電連結部,電性連結前述內側導電部與外側導電部。
  6. 如請求項5所記載之基板處理裝置,其中前述導電連結部係於前述內側導電部及前述外側導電部之間沿徑方向擴展的板狀之部位;前述導電連結部的圓周方向的寬度小於前述內側導電部及前述外側導電部的圓周方向的寬度。
  7. 一種基板處理裝置,係將處理液供給至基板並進行處理,其具備:基板保持部,用以保持基板;以及 管路,可供處理液通過,且設置有確認處理液是否存在或處理液之種類的確認部;前述確認部係具備:檢查管路,其為前述管路之至少一部分,且具有在內周面與外周面在長邊方向交替地配置的複數個導電部以及複數個絕緣部;導電率取得部,電性連接於前述複數個導電部當中的至少二個導電部,且取得前述至少二個導電部間的導電率;以及判斷部,基於藉由前述導電率取得部所取得的導電率,而判斷前述檢查管路內的處理液是否存在、或前述檢查管路內的處理液之種類;前述複數個導電部各自具有:內側導電部,設置於圓周方向之全周,並構成前述檢查管路的前述內周面的一部分;外側導電部,設置於圓周方向之全周,並構成前述檢查管路的前述外周面的一部分;以及導電連結部,於周方向的一部分電性連結前述內側導電部與前述外側導電部。
  8. 如請求項7所記載之基板處理裝置,其中前述導電連結部係於前述內側導電部及前述外側導電部之間沿徑方向擴展的板狀之部位; 前述導電連結部的長邊方向的長度小於前述內側導電部及前述外側導電部的長邊方向的長度。
  9. 如請求項1至8中任一項所記載之基板處理裝置,其中形成前述檢查管路的主要材料為樹脂;前述複數個導電部為導電性樹脂。
  10. 如請求項9所記載之基板處理裝置,其中前述複數個絕緣部係藉由四氟乙烯-全氟代烷基乙烯基醚共聚合物所形成;前述複數個導電部係藉由添加有碳的四氟乙烯-全氟代烷基乙烯基醚共聚合物所形成。
  11. 如請求項1至8中任一項所記載之基板處理裝置,其復具備:噴嘴,連接於前述管路,且朝向前述基板吐出處理液;供給控制部,設置於前述管路上,用以切換處理液從處理液供給源朝向前述噴嘴之供給及停止;分歧管路,在前述供給控制部與前述噴嘴之間的分歧點從前述管路分歧出;以及抽吸部,連接於前述分歧管路,用以抽吸前述管路內之處理液;前述檢查管路係設置於前述供給控制部與前述噴嘴之間的前述管路上;前述判斷部係判斷前述檢查管路內的處理液是否存在。
  12. 如請求項11所記載之基板處理裝置,其中前述檢查管路係沿著重力方向而延伸。
  13. 如請求項12所記載之基板處理裝置,其中前述檢查管路係設置及於前述管路的前述供給控制部與前述噴嘴之間的全長。
  14. 如請求項13所記載之基板處理裝置,其復具備:抽吸控制部,設置於前述分歧管路上,用以切換藉由前述抽吸部而致使的處理液之抽吸及停止;具有與前述確認部同樣構造的另一個確認部,係設置於前述分歧管路上的前述抽吸控制部與前述分歧點之間,用以確認處理液是否存在。
  15. 如請求項11所記載之基板處理裝置,其中前述檢查管路係設置及於前述管路的前述供給控制部與前述噴嘴之間的全長。
  16. 如請求項15所記載之基板處理裝置,其復具備:抽吸控制部,設置於前述分歧管路上,用以切換藉由前述抽吸部而致使的處理液之抽吸及停止;具有與前述確認部同樣構造的另一個確認部,係設置於前述分歧管路上的前述抽吸控制部與前述分歧點之間,用以確認處理液是否存在。
  17. 如請求項11所記載之基板處理裝置,其復具備:抽吸控制部,設置於前述分歧管路上,用以切換藉由前述抽吸部而致使的處理液之抽吸及停止; 具有與前述確認部同樣構造的另一個確認部,係設置於前述分歧管路上的前述抽吸控制部與前述分歧點之間,用以確認處理液是否存在。
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