JP6917864B2 - 液供給装置およびリーク検知方法 - Google Patents

Description

開示の実施形態は、液供給装置およびリーク検知方法に関する。

従来、半導体ウェハ等の基板の液処理を行う処理ユニットに対し、処理液を供給する液供給装置が知られている。液供給装置は、処理液を流通させる流路と、流路を開閉する開閉弁とを備える。

開閉弁としては、たとえばエアオペレートバルブが用いられる（特許文献１参照）。エアオペレートバルブは、空気圧を用いて弁体を駆動することによって流路の開閉を行う開閉弁である。なお、開閉弁としては、ソレノイドを用いて弁体を駆動する電磁弁が用いられる場合もある。

特開２０１２−０９９７３０号公報

しかしながら、上述した従来技術では、たとえば弁体が異物を噛み込むことによって弁体に傷が生じ場合に、弁体の傷によって生じた僅かな隙間から処理液がリークするおそれがある。

開閉弁からリークした処理液は、たとえばノズルから落下して基板に付着し、基板にパーティクを発生させるおそれがある。したがって、このような事態が生じる前に、開閉弁からの処理液のリークを検知することが望ましい。

実施形態の一態様は、開閉弁からの処理液のリークを検知することのできる液供給装置およびリーク検知方法を提供することを目的とする。

実施形態の一態様に係る液供給装置は、処理液を用いて基板を処理する処理ユニットに対して処理液を供給する液供給装置であって、流路と、開閉弁と、制御部とを備える。流路は、絶縁性を有し、処理液を流通させる。開閉弁は、絶縁性の弁体を用いて流路を開閉する。制御部は、流路が弁体によって閉じられた状態における開閉弁の一次側と二次側との電気的な接続状態に基づき、開閉弁からの処理液のリークを検知する。

実施形態の一態様によれば、開閉弁からの処理液のリークを検知することができる。

図１Ａは、第１の実施形態に係るリーク検知処理の一例を示す図である。 図１Ｂは、第１の実施形態に係るリーク検知処理の一例を示す図である。 図２は、リークが発生していない正常状態とリークが発生している異常状態とにおける開閉弁の一次側および二次側間の処理液の抵抗値の比較結果を示すグラフである。 図３は、第１の実施形態に係る液供給装置の概略構成を示す図である。 図４は、第１の実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。 図５は、処理ユニットの概略構成を示す図である。 図６は、第１の実施形態に係る液供給装置の具体的な構成の一例を示す図である。 図７は、第１導電部および第４導電部の構成の一例を示す図である。 図８は、第１〜第３開閉弁が全て正常である場合におけるリーク検知処理の手順の一例を示す図である。 図９は、第１開閉弁において処理液のリークが発生している場合におけるリーク検知処理の手順の一例を示す図である。 図１０Ａは、図９に示すリーク検知処理の動作例を示す図である。 図１０Ｂは、図９に示すリーク検知処理の動作例を示す図である。 図１０Ｃは、図９に示すリーク検知処理の動作例を示す図である。 図１０Ｄは、図９に示すリーク検知処理の動作例を示す図である。 図１０Ｅは、図９に示すリーク検知処理の動作例を示す図である。 図１１Ａは、第１〜第３開閉弁の動作チェック処理の動作例を示す図である。 図１１Ｂは、第１〜第３開閉弁の動作チェック処理の動作例を示す図である。 図１２Ａは、フラッシング完了検出処理の動作例を示す図である。 図１２Ｂは、フラッシング処理を開始してからフラッシング処理が終了するまでの間における電流計による電流の測定結果を示すグラフである。 図１３は、液質チェック処理の動作例を示す図である。 図１４は、第１の実施形態における第１の変形例に係る基板処理システムの構成の一例を示す図である。 図１５は、第１の実施形態における第２の変形例に係る液供給装置の構成の一例を示す図である。 図１６は、第２の実施形態に係る液供給装置の構成の一例を示す図である。 図１７は、第２の実施形態に係るリーク検知処理の手順の一例を示す図である。 図１８Ａは、第２の実施形態における変形例に係る液供給装置の構成の一例を示す図である。 図１８Ｂは、第２の実施形態における変形例に係る液供給装置の構成の一例を示す図である。

以下に、本願に係る液供給装置およびリーク検知方法を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本願に係る液供給装置およびリーク検知方法が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。

（第１の実施形態）
〔１．リーク検知処理の一例〕
まず、図１Ａおよび図１Ｂを参照して、第１の実施形態に係るリーク検知処理の一例について説明する。図１Ａおよび図１Ｂは、第１の実施形態に係るリーク検知処理の一例を示す図である。図１Ａには、開閉弁１０２からの処理液のリークが発生していない正常状態を示している。図１Ｂには、開閉弁１０２からの処理液のリークが発生している異常状態を示している。

図１Ａおよび図１Ｂに示す第１の実施形態に係る液供給装置１００は、処理液を流通させる流路１０１と、流路１０１を開閉する開閉弁１０２とを備える。開閉弁１０２は、弁体１２１を駆動することによって流路１０１の開閉を行う。弁体１２１は、絶縁性を有する。

ここで、流路１０１を流通する処理液には異物が含まれている場合がある。このような異物が弁体１２１に異物が付着していると、弁体１２１が閉じた際に、弁体１２１が異物を噛み込むことで、弁体１２１に傷が生じることがある。なお、弁体１２１は、耐薬品性等の観点から樹脂で形成されることが多く、異物の噛み込みによる傷が生じ易い。

弁体１２１に傷が生じると、弁体１２１に僅かな隙間が生じ、かかる隙間から処理液がリークするおそれがある。リークした処理液は、たとえばノズルから液滴となって落下して基板に付着し、基板にパーティクを発生させるおそれがある。このため、このような事態が生じる前に、開閉弁１０２からの処理液のリークを検知することが望ましい。

しかしながら、弁体１２１の傷によって生じる隙間は、たとえば直径が１０〜５０μｍ程度と小さく、かかる隙間からリークする処理液は微少である。したがって、このような微少なリークを流量計により検知することは困難である。

ここで、本願発明者は、処理液のリークが発生していない正常状態（図１Ａ）と処理液のリークが発生している異常状態（図１Ｂ）とで、開閉弁１０２の一次側（上流側）と二次側（下流側）との間における処理液の電気的な接続状態が変化することを発見した。

具体的には、図１Ａに示すように、開閉弁１０２の一次側と二次側とは、絶縁性の弁体１２１によって遮断されている。このため、正常状態においては、開閉弁１０２の一次側と二次側との間は電気的に絶縁された状態となっている。

一方、図１Ｂに示すように、異常状態において、開閉弁１０２の一次側と二次側とは、弁体１２１に生じた隙間を介して繋がった状態となっている。このため、異常状態においては、開閉弁１０２の一次側と二次側とが電気的に接続された状態となる。

本願発明者は、開閉弁１０２の一次側および二次側を処理液で満たした状態で、開閉弁１０２の一次側および二次側間の処理液の抵抗値を測定する実験を、リークを生じさせない正常な弁体１２１と、傷による微少なリークを生じさせる異常な弁体１２１のそれぞれについて行った。その結果を図２に示す。図２は、リークが発生していない正常状態とリークが発生している異常状態とにおける開閉弁１０２の一次側および二次側間の処理液の抵抗値の比較結果を示すグラフである。なお、図２中、折れ線グラフは、弁体１２１を開いた状態で抵抗値を測定した結果を示し、棒グラフは、弁体１２１を閉じた状態で抵抗値を測定した結果を示している。

図２の折れ線グラフに示すように、弁体１２１を開いた状態で測定を行った場合、正常状態と異常状態との間で処理液の抵抗値に大きな差異は見られなかった。これに対し、図２の棒グラフに示すように、弁体１２１を閉じた状態で測定を行ったところ、異常状態における処理液の抵抗値が、正常状態における処理液の抵抗値よりも３桁近く低くなり、弁体１２１の開時における抵抗値と同程度となることがわかった。

このように、弁体１２１に隙間のない正常な開閉弁１０２と、弁体１２１に隙間がある異常な開閉弁１０２とでは、開閉弁１０２の一次側および二次側間における処理液の電気的な接続状態が異なる。

そこで、第１の実施形態に係るリーク検知処理では、開閉弁１０２の一次側および二次側間における処理液の電気的な接続状態に基づき、開閉弁１０２からの処理液のリークを検知することとした。

図３は、第１の実施形態に係る液供給装置１００の概略構成を示す図である。図３に示すように、液供給装置１００は、一次側導電部１０４Ｐと、二次側導電部１０４Ｓと、配線部１０５と、測定部１０７と、電源１０８と、制御部１８とをさらに備える。

一次側導電部１０４Ｐは、流路１０１のうち開閉弁１０２の一次側（上流側）に設けられ、二次側導電部１０４Ｓは、流路１０１のうち開閉弁１０２の二次側（下流側）に設けられる。一次側導電部１０４Ｐおよび二次側導電部１０４Ｓは、流路１０１内の処理液に接するように設けられる。

配線部１０５は、一次側導電部１０４Ｐおよび二次側導電部１０４Ｓを含む直列回路を形成する。電源１０８は、配線部１０５に設けられる。測定部１０７は、配線部１０５に設けられ、配線部１０５によって形成される回路に流れる電流を測定する。あるいは、測定部１０７は、配線部１０５によって形成される回路の電圧または抵抗を測定してもよい。

制御部１８は、流路１０１が弁体１２１によって閉じられた状態において測定部１０７によって測定された電流、電圧または抵抗の値と閾値との比較結果に基づき、開閉弁１０２からの処理液のリークを検知する。

たとえば、制御部１８は、測定部１０７によって測定された電流の値が閾値を超えた場合に、開閉弁１０２からの処理液のリークを検知する。また、制御部１８は、測定部１０７によって測定された抵抗の値が閾値以下である場合に、開閉弁１０２からの処理液のリークを検知する。

このように、液供給装置１００は、開閉弁１０２の一次側および二次側間における処理液の電気的な接続状態に基づき、開閉弁１０２からの処理液のリークを検知する。これにより、たとえば流量計を用いて処理液のリークを検知する場合と比較して、弁体１２１の傷による微少なリークを精度良く検知することができる。

以下、このようなリーク検知処理を行う液供給装置１００および液供給装置１００を含む基板処理システム１について、詳細に説明する。

〔２．基板処理システムの構成〕
次に、第１の実施形態に係る基板処理システム１の構成について図４を参照して説明する。

図４は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

図４に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。

処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。

また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。

処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。

〔３．処理ユニットの構成〕
次に、第１の実施形態に係る処理ユニット１６の構成について図５を参照して説明する。図５は、処理ユニット１６の概略構成を示す図である。

図５に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理流体供給部４０と、回収カップ５０とを備える。

チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理流体供給部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。

基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。

処理流体供給部４０は、ウェハＷに対して処理流体を供給する。処理流体供給部４０は、たとえば、ノズル４１と、ノズル４１を水平に支持する図示しないノズルアームと、ノズルアームを旋回させる図示しない移動機構とを備える。ノズル４１は、液供給装置１００に接続され、基板保持機構３０の保持部３１に保持されたウェハＷの上方からウェハＷに処理液を吐出する。

回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。

処理ユニット１６は上記のように構成されており、保持部３１に保持されて回転するウェハＷに対し、ウェハＷの上方に配置させたノズル４１から処理液を供給することにより、ウェハＷを処理する。

〔４．液供給装置の構成〕
次に、第１の実施形態に係る液供給装置１００の構成について図６を参照して説明する。図６は、第１の実施形態に係る液供給装置１００の具体的な構成の一例を示す図である。

図６に示すように、液供給装置１００は、流路１０１と、第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃとを備える。

流路１０１は、管状の部材であり、たとえばフッ素樹脂などの耐薬品性の高い材料で形成される。流路１０１は、絶縁性を有する。

流路１０１は、第１流路１０１ａと、第２流路１０１ｂと、第３流路１０１ｃとを備える。第１流路１０１ａは、一端部が処理流体供給部４０のノズル４１に接続され、他端部が第１処理液供給源１０３ａに接続される。第２流路１０１ｂは、一端部が第１流路１０１ａの中途部に接続され、他端部が第２処理液供給源１０３ｂに接続される。第３流路１０１ｃは、第２流路１０１ｂよりも下流側において第１流路１０１ａに接続される。

第１〜第３流路１０１ａ〜１０１ｃのうち、第１流路１０１ａおよび第２流路１０１ｂは、それぞれ異なる種類の処理液をノズル４１へ供給するための流路である。一方、第３流路１０１ｃは、第１流路１０１ａに残留する処理液を排出するための流路である。

具体的には、第１流路１０１ａは、第３流路１０１ｃの接続位置よりも下流側に上昇部分を有している。第３流路１０１ｃに設けられた後述する第３開閉弁１０２ｃが開くと、第１流路１０１ａに残留する処理液が自重により第３流路１０１ｃに引き込まれて第３流路１０１ｃから外部へ排出される。これにより、ノズル４１からの処理液の液垂れを防止することができる。

第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃは、たとえばエアオペレートバルブである。エアオペレートバルブは、空気圧を用いて弁体１２１（図１Ａ参照）を駆動することによって流路の開閉を行う開閉弁である。弁体１２１の駆動は、制御部１８によって制御される。

なお、第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃは、ソレノイドを用いて弁体を駆動する電磁弁であってもよい。

第１開閉弁１０２ａは、第１流路１０１ａに設けられて第１流路１０１ａを開閉する。第２開閉弁１０２ｂは、第２流路１０１ｂに設けられて第２流路１０１ｂを開閉する。第３開閉弁１０２ｃは、第３流路１０１ｃに設けられて第３流路１０１ｃを開閉する。

また、液供給装置１００は、第１導電部１０４ａと、第２導電部１０４ｂと、第３導電部１０４ｃと、第４導電部１０４ｄとを備える。第１導電部１０４ａおよび第２導電部１０４ｂは、一次側導電部１０４Ｐの一例であり、第３導電部１０４ｃおよび第４導電部１０４ｄは、二次側導電部１０４Ｓの一例である。なお、第４導電部１０４ｄは、第３開閉弁１０２ｃの一次側に設けられた一次側導電部１０４Ｐの一例でもある。

ここで、第１〜第４導電部１０４ａ〜１０４ｄの構成について、第１導電部１０４ａおよび第４導電部１０４ｄを例に挙げて図７を参照して説明する。図７は、第１導電部１０４ａおよび第４導電部１０４ｄの構成の一例を示す図である。

図７に示すように、第１導電部１０４ａおよび第４導電部１０４ｄは、導電性の流路部分である。たとえば、第１導電部１０４ａおよび第４導電部１０４ｄは、複数の導電層が長手方向に沿ってストライプ状に形成された樹脂製のチューブであり、樹脂性の継手１４１を介して絶縁性の第１流路１０１ａと接続される。

ここでは、第１導電部１０４ａおよび第４導電部１０４ｄの構成例を示したが、第２導電部１０４ｂおよび第３導電部１０４ｃも同様の構成を有する。

なお、第１〜第４導電部１０４ａ〜１０４ｄは、必ずしも導電性の流路部分として構成されることを要しない。たとえば、第１〜第４導電部１０４ａ〜１０４ｄは、先端部を流路１０１の内部に配置させたプローブであってもよい。また、導電性の流路部分は、必ずしも導電層を有する樹脂製のチューブであることを要しない。導電性の流路部分は、たとえば、金属製の配管や継手等であってもよい。

図６に示すように、第１導電部１０４ａは、第１流路１０１ａにおける第１開閉弁１０２ａよりも上流側の部分に設けられる。第１導電部１０４ａには、第１配線部１０５ａが接続される。第１配線部１０５ａは、第１スイッチ１０６ａを介してグランドに接続される。

第２導電部１０４ｂは、第２流路１０１ｂにおける第２開閉弁１０２ｂよりも上流側の部分に設けられる。第２導電部１０４ｂには、第２配線部１０５ｂが接続される。第２配線部１０５ｂは、第２スイッチ１０６ｂを介してグランドに接続される。

第３導電部１０４ｃは、第３流路１０１ｃにおける第３開閉弁１０２ｃよりも下流側の部分に設けられる。第３導電部１０４ｃには、第３配線部１０５ｃが接続される。第３配線部１０５ｃは、第３スイッチ１０６ｃを介してグランドに接続される。

第４導電部１０４ｄは、第１流路１０１ａにおける第２流路１０１ｂよりも下流側かつ第３流路１０１ｃよりも上流側の部分に設けられる。第４導電部１０４ｄには、第４配線部１０５ｄが接続される。第４配線部１０５ｄは、第４スイッチ１０６ｄを介してグランドに接続される。

また、第４配線部１０５ｄには、第４導電部１０４ｄと第４スイッチ１０６ｄとの間に、測定部１０７と電源１０８とが設けられる。測定部１０７は、たとえば電流計である。電流計としての測定部１０７は、たとえばμＡレベルの電流を測定可能な電流計である。電源１０８は、たとえば、５００Ｖ程度の直流電源である。なお、電源１０８の正負の向きは、特に限定されない。

また、第４配線部１０５ｄには、第４導電部１０４ｄと測定部１０７との間に、第５配線部１０５ｅが接続される。第５配線部１０５ｅは、第５スイッチ１０６ｅを介してグランドに接続される。

なお、第１配線部１０５ａおよび第４配線部１０５ｄは、第１導電部１０４ａおよび第４導電部１０４ｄを含む回路を形成する配線部１０５の一例であり、これらのうち第１配線部１０５ａは一次側配線部の一例であって、第４配線部１０５ｄは二次側配線部の一例である。また、第２配線部１０５ｂおよび第４配線部１０５ｄは、第２導電部１０４ｂおよび第４導電部１０４ｄを含む回路を形成する配線部１０５の一例であり、これらのうち第２配線部１０５ｂは一次側配線部の一例であって、第４配線部１０５ｄは二次側配線部の一例である。また、第３配線部１０５ｃおよび第４配線部１０５ｄは、第４導電部１０４ｄおよび第３導電部１０４ｃを含む回路を形成する配線部１０５の一例であり、これらのうち第４配線部１０５ｄは一次側配線部の一例であって、第３配線部１０５ｃは二次側配線部の一例である。

また、第１スイッチ１０６ａおよび第２スイッチ１０６ｂは一次側スイッチの一例であり、第３スイッチ１０６ｃおよび第４スイッチ１０６ｄは二次側スイッチの一例である。また、第４スイッチ１０６ｄは一次側スイッチの一例でもある。

また、第５配線部１０５ｅは、開放用配線部の一例であり、第５スイッチ１０６ｅは、開放用スイッチの一例である。

なお、耐薬品性を考慮する必要がある場合には、第１〜第５スイッチ１０６ａ〜１０６ｅ、測定部１０７および電源１０８を処理液の雰囲気の影響が及ばない場所に設置することも可能である。

〔５．リーク検知処理の手順〕
次に、第１の実施形態に係る液供給装置１００により実行されるリーク検知処理の手順について説明する。まず、第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃが全て正常である場合の例について図８を参照して説明する。図８は、第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃが全て正常である場合におけるリーク検知処理の手順の一例を示す図である。なお、リーク検知処理は、第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃを全て閉じた状態で行われる。

図８に示すように、リーク検知処理は、たとえば、処理ユニット１６におけるプロセス処理が行われない期間に実行される。なお、これに限らず、リーク検知処理は、プロセス処理に含まれる複数の工程のうち処理液を使用しない工程、たとえば、ウェハＷを高速で回転させてウェハＷ上の処理液を振り切ることによってウェハＷを乾燥させる乾燥工程中に実行されてもよい。

制御部１８は、リーク検知処理を開始すると、まず、全体検知処理を行う。全体検知処理において、制御部１８は、第１〜第４スイッチ１０６ａ〜１０６ｄをオンし、第５スイッチ１０６ｅをオフする。そして、制御部１８は、測定部１０７によって測定される電流の値が閾値を超えたか否かを判定する。

ここで、第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃが全て正常である場合、すなわち、弁体１２１に隙間が生じていない場合、各開閉弁１０２ａ〜１０２ｃの一次側と二次側とは電気的に絶縁された状態となっている。このため、第１〜第４スイッチ１０６ａ〜１０６ｄをオンしても電流は流れず、測定部１０７によって測定される電流の値は閾値を超えない。この場合、制御部１８は、第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃの全てにおいて処理液のリークが発生していないと判定する。

このように、制御部１８は、第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃの弁体１２１を全て閉じ、第１〜第４スイッチ１０６ａ〜１０６ｄをオンした状態で、測定部１０７によって測定される電流の値が閾値を超えた場合に、第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃの何れかからの処理液のリークを検知する全体検知処理を実行する。これにより、処理液のリークが発生していない場合に、リーク検知処理に要する時間を短縮することができる。

その後、制御部１８は、電圧開放のために、第１〜第４スイッチ１０６ａ〜１０６ｄをオフし、第５スイッチ１０６ｅをオンして、リーク検知処理を終える。このように、電圧開放を行うことで、安全性を高めることができる。また、リーク検知処理を行うごとに、流路１０１内の処理液が除電されることとなるため、たとえば、帯電した処理液がウェハＷに供給されてウェハＷ上で放電することを未然に防ぐことができる。したがって、プロセス処理を安定して行うことが可能となる。

次に、第１開閉弁１０２ａにおいて処理液のリークが発生している場合におけるリーク検知処理の手順について図９および図１０Ａ〜図１０Ｅを参照して説明する。図９は、第１開閉弁１０２ａにおいて処理液のリークが発生している場合におけるリーク検知処理の手順の一例を示す図である。また、図１０Ａ〜図１０Ｅは、図９に示すリーク検知処理の動作例を示す図である。

図９に示すように、制御部１８は、リーク検知処理を開始すると、まず、全体検知処理を行う。全体検知処理において、制御部１８は、第１〜第４スイッチ１０６ａ〜１０６ｄをオンし、第５スイッチ１０６ｅをオフする（図１０Ａ参照）。そして、制御部１８は、測定部１０７によって測定される電流の値が閾値を超えたか否かを判定する。

ここで、第１開閉弁１０２ａの弁体１２１に隙間が生じている場合、第１開閉弁１０２ａの一次側と二次側とが電気的に接続された状態となり、電流が流れることとなる。ただし、第１〜第３スイッチ１０６ａ〜１０６ｃの全てがオンされているため、この段階では、第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃの何れにおいてリークが発生しているかまでは判別できない。

そこで、制御部１８は、測定部１０７によって測定される電流の値が閾値を超えたと判定すると、第１〜第４スイッチ１０６ａ〜１０６ｄのうち、第１スイッチ１０６ａおよび第２スイッチ１０６ｂをオフし、第３スイッチ１０６ｃおよび第４スイッチ１０６ｄのみがオンされた状態とする（図１０Ｂ参照）。そして、制御部１８は、測定部１０７によって測定される電流の値が閾値を超えたか否かを判定する。

ここでは、第３開閉弁１０２ｃの弁体１２１に隙間はない。このため、第３スイッチ１０６ｃと第４スイッチ１０６ｄとがオンされても電流は流れず、測定部１０７によって測定される電流の値は閾値を超えない。したがって、制御部１８は、第３開閉弁１０２ｃにおいて処理液のリークが発生していない、すなわち、第３開閉弁１０２ｃは正常であると判定する。

つづいて、制御部１８は、第３スイッチ１０６ｃをオフし、第２スイッチ１０６ｂをオンすることにより、第２スイッチ１０６ｂおよび第４スイッチ１０６ｄのみがオンされた状態とする（図１０Ｃ参照）。そして、制御部１８は、測定部１０７によって測定される電流の値が閾値を超えたか否かを判定する。

ここでは、第２開閉弁１０２ｂの弁体１２１に隙間はない。このため、第２スイッチ１０６ｂと第４スイッチ１０６ｄとがオンされても電流は流れず、測定部１０７によって測定される電流の値は閾値を超えない。したがって、制御部１８は、第２開閉弁１０２ｂにおいて処理液のリークが発生していない、すなわち、第２開閉弁１０２ｂは正常であると判定する。

つづいて、制御部１８は、第２スイッチ１０６ｂをオフし、第１スイッチ１０６ａをオンすることにより、第１スイッチ１０６ａおよび第４スイッチ１０６ｄのみがオンされた状態とする（図１０Ｄ参照）。そして、制御部１８は、測定部１０７によって測定される電流の値が閾値を超えたか否かを判定する。

ここでは、第１開閉弁１０２ａの弁体１２１に隙間が生じている。このため、第１スイッチ１０６ａと第４スイッチ１０６ｄとがオンされると電流が流れて、測定部１０７によって測定される電流の値が閾値を超える。したがって、制御部１８は、第１開閉弁１０２ａにおいて処理液のリークが発生している、すなわち、第１開閉弁１０２ａは異常であると判定する。

このように、制御部１８は、第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃの弁体１２１を全て閉じ、対象とする一の開閉弁（第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃの何れか）の一次側に設けられた一次側スイッチ（第１スイッチ１０６ａ，第２スイッチ１０６ｂまたは第４スイッチ１０６ｃ）と二次側スイッチ（第３スイッチ１０６ｃまたは第４スイッチ１０６ｄ）とをオンした状態で、測定部１０７によって測定される電流の値が閾値を超えた場合に、対象とする一の開閉弁（第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃの何れか）からの処理液のリークを検知する個別検知処理を、対象とする開閉弁（第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃの何れか）を代えて複数回実行する。これにより、液供給装置１００が備える第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃのうち処理液のリークが発生している開閉弁を特定することができる。

その後、制御部１８は、電圧開放のために、第１〜第４スイッチ１０６ａ〜１０６ｄをオフし、第５スイッチ１０６ｅをオンして、リーク検知処理を終える（図１０Ｅ参照）。また、図９に示すように、第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃの何れかにおいて処理液のリークが検知された場合、制御部１８は、次のプロセス処理の実行を中止する。これにより、次のプロセス処理において処理液のリークによる不具合が生じることを未然に防ぐことができる。また、制御部１８は、処理液のリークが検知された旨の情報を、リークが検知された開閉弁１０２ａ〜１０２ｃを特定する情報とともに基板処理システム１のディスプレイ等に出力して、開閉弁１０２ａ〜１０２ｃの交換を促すようにしてもよい。

なお、ここでは、測定部１０７として電流計を用いて第４配線部１０５ｄに流れる電流を測定する場合の例について説明するが、液供給装置１００は、測定部１０７として電圧計を用いてもよい。電圧計を用いる場合、電源１０８は、電流供給能力の低いものを用いることが好ましい。電源１０８の電流供給能力が低い場合、配線部１０５により形成される回路に電流を流すと電圧を保てなくなる。制御部１８は、電圧計によって測定された電圧の値の減少量が閾値を超えた場合に、処理液のリークを検知することができる。また、液供給装置１００は、測定部１０７として抵抗計を用いてもよい。この場合、制御部１８は、抵抗計によって測定された抵抗の値が閾値以下である場合に、処理液のリークを検知する。なお、抵抗計に電源が内蔵されている場合、電源１０８は不要である。電圧計および抵抗計は、測定部１０７の一例である。

また、ここでは、１回のプロセス処理につき、リーク検知処理を１回行う場合の例を示したが、制御部１８は、プロセス処理が指定された回数実行された場合にリーク検知処理を行うようにしてもよい。また、制御部１８は、指定された時間が到来した場合にリーク検知処理を行うようにしてもよい。

〔６．リーク検知処理以外の処理〕
液供給装置１００は、図６に示す構成を利用して、リーク検知処理以外の処理を行ってもよい。

（動作チェック処理）
たとえば、液供給装置１００は、図６に示す構成を利用して、第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃが制御部１８からの指示に従って適切に開くか否かの動作チェックを行うことが可能である。この点について図１１Ａおよび図１１Ｂを参照して説明する。図１１Ａおよび図１１Ｂは、第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃの動作チェック処理の動作例を示す図である。

なお、図１１Ａおよび図１１Ｂに示す動作チェック処理は、第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃの各弁体１２１に傷がない、すなわち、第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃにおいて処理液のリークが発生しないことを前提としている。

図１１Ａに示すように、第１開閉弁１０２ａの動作チェックを行う場合、制御部１８は、第１開閉弁１０２ａに対して開動作を指示し、第２開閉弁１０２ｂおよび第３開閉弁１０２ｃに対して閉動作を指示する。また、制御部１８は、第１スイッチ１０６ａおよび第４スイッチ１０６ｄをオンし、第２スイッチ１０６ｂおよび第３スイッチ１０６ｃをオフする。

制御部１８からの指示によって第１開閉弁１０２ａが正常に開いていれば、第１流路１０１ａの一次側と二次側とが処理液で満たされ且つ電気的に接続された状態となる。この場合、第４配線部１０５ｄに電流が流れ、測定部１０７によって測定される電流の値は閾値を超えることとなる。制御部１８は、測定部１０７によって測定される電流の値が閾値を超えた場合、第１開閉弁１０２ａは正常に動作すると判定する。

一方、たとえば、第１開閉弁１０２ａにエアを供給するエア配管と第２開閉弁１０２ｂにエアを供給するエア配管とが入れ違いになっている場合、図１１Ｂに示すように、第１開閉弁１０２ａを開こうとしたにもかかわらず、第２開閉弁１０２ｂが開くこととなる。この場合、第１開閉弁１０２ａの一次側と二次側とは電気的に接続されないため、第４配線部１０５ｄに電流は流れず、測定部１０７によって測定される電流の値は閾値を超えない。制御部１８は、測定部１０７によって測定される電流の値が閾値以下である場合、第１開閉弁１０２ａは正常に動作しないと判定する。

このように、液供給装置１００は、第１スイッチ１０６ａと第４スイッチ１０６ｄとをオンした状態で、第１開閉弁１０２ａに対して開動作を指示した場合における測定部１０７の測定結果に基づき、第１開閉弁１０２ａの動作異常を検出することができる。第２開閉弁１０２ｂおよび第３開閉弁１０２ｃについても同様である。

（フラッシング完了検出処理）
第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃを新品に交換する際、第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃを取り外す前に、流路１０１や第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃの内部に残留する処理液をＤＩＷ（純水）に置換するフラッシング処理が行われる場合がある。液供給装置１００は、第１〜第４導電部１０４ａ〜１０４ｄ、第１〜第４配線部１０５ａ〜１０５ｄ、測定部１０７および電源１０８等を用いて、フラッシング処理の完了を検出するフラッシング完了検出処理を行ってもよい。

ここで、フラッシング完了検出処理について図１２Ａおよび図１２Ｂを参照して説明する。図１２Ａは、フラッシング完了検出処理の動作例を示す図である。また、図１２Ｂは、フラッシング処理を開始してからフラッシング処理が終了するまでの間における測定部１０７による電流の測定結果を示すグラフである。

たとえば、第２開閉弁１０２ｂを交換する場合、制御部１８は、第２開閉弁１０２ｂと第３開閉弁１０２ｃとを開き、第１開閉弁１０２ａを閉じる。また、制御部１８は、第３流路１０１ｃの下流側から上流側へ向けてＤＩＷを供給する。第３流路１０１ｃに供給されたＤＩＷは、第１流路１０１ａ、第２流路１０１ｂおよび第２開閉弁１０２ｂを通って外部へ排出される。これにより、第１流路１０１ａ、第２流路１０１ｂおよび第２開閉弁１０２ｂ内に残留していた処理液がＤＩＷへ置換される。なお、制御部１８は、ＤＩＷを連続的に供給するものとするが、間欠的に供給するなどして置換効率を高めることとしてもよい。

制御部１８は、フラッシング処理の開始後、第２スイッチ１０６ｂおよび第４スイッチ１０６ｄをオンし、第１スイッチ１０６ａおよび第３スイッチ１０６ｃをオフする。すると、図１２Ｂに示すように、測定部１０７によって測定される電流の値は、処理液からＤＩＷへの置換が進むにつれて徐々に変化（ここでは低下）していく。

制御部１８は、測定部１０７によって測定される電流の値が置換完了閾値以下となった場合に、処理液からＤＩＷへの置換が完了したと判定する。その後、制御部１８は、置換が完了したと判定した時点から時間ΔＴが経過した場合に、ＤＩＷの供給を停止してフラッシング処理を終了する。

このように、制御部１８は、弁体１２１を開いた状態で流路１０１に純水を供給することによって流路１０１に残留する処理液を純水に置換するフラッシング処理中において、測定部１０７によって測定される電流の値が置換完了閾値以下となった場合に、流路１０１に残留する処理液の純水への置換が完了したと判定する。これにより、液供給装置１００によれば、フラッシング処理を適切なタイミングで終了することができる。

なお、制御部１８は、処理液からＤＩＷへの置換が完了したと判定した時点でフラッシング処理を終了してもよい。また、制御部１８は、フラッシング処理が終了した旨を基板処理システム１の図示しない表示部等に表示することにより、フラッシング処理が終了したことを作業者等に報知してもよい。

（液質チェック処理）
液供給装置１００は、測定部１０７によって測定される電流の値に基づき、流路１０１を流れる処理液の液質が正常か否かをチェックする液質チェック処理を行ってもよい。液質とは、たとえば処理液の濃度や混合比等のことをいう。

ここで、液質チェック処理について図１３を参照して説明する。図１３は、液質チェック処理の動作例を示す図である。

たとえば、第２処理液供給源１０３ｂから供給される処理液の液質をチェックする場合、図１３に示すように、制御部１８は、第２開閉弁１０２ｂおよび第３開閉弁１０２ｃを開き、第１開閉弁１０２ａを閉じる。これにより、第２処理液供給源１０３ｂから供給される処理液は、第２流路１０１ｂ、第１流路１０１ａおよび第３流路１０１ｃを通って外部に排出される。

また、制御部１８は、第２スイッチ１０６ｂおよび第４スイッチ１０６ｄをオンし、第１スイッチ１０６ａおよび第３スイッチ１０６ｃをオフする。このとき、第２開閉弁１０２ｂは開状態であり、第２開閉弁１０２ｂの一次側と二次側とは電気的に接続されているため、第４配線部１０５ｄに電流が流れることとなる。

ここで、第４配線部１０５ｄに流れる電流の値は流路１０１を流れる処理液の液質によって変化する。そこで、制御部１８は、処理液の液質が正常である場合に第４配線部１０５ｄに流れる電流の値として予め記憶しておいた値と、測定部１０７によって測定される電流の値とを比較する。そして、これらの差が閾値を超えた場合、制御部１８は、第２処理液供給源１０３ｂから供給される処理液の液質が異常であると判定する。

このように、液供給装置１００は、測定部１０７によって測定される電流の値に基づき、流路１０１を流れる処理液の液質が正常であるか否かを判定することができる。

〔７．変形例〕
上述した第１の実施形態は一例を示したものであり、種々の変更及び応用が可能である。そこで、以下では、第１の実施形態に係る液供給装置１００の変形例について説明する。

（第１の変形例）
図１４に示すように、基板処理システム１Ａは、複数の液供給装置１００Ａを備える。各液供給装置１００Ａは、たとえば、図６に示す液供給装置１００から、測定部１０７、電源１０８、第４スイッチ１０６ｄ、第５配線部１０５ｅおよび第５スイッチ１０６ｅを除外し、第４配線部１０５ｄに第６スイッチ１０６ｆを設けた構成を有する。なお、図１４では、１つの液供給装置１００Ａの構成のみを示し、他の液供給装置１００Ａの構成については省略している。

各液供給装置１００Ａが備える複数の第４配線部１０５ｄは、他端部において１つに合流してグランドに接続される。複数の第４配線部１０５ｄの合流部とグランドとの間には、測定部１０７と電源１０８と第４スイッチ１０６ｄとが設けられる。

このように、基板処理システム１Ａは、複数の液供給装置１００Ａで測定部１０７、電源１０８および第４スイッチ１０６ｄを共用する構成であってもよい。かかる構成とすることで、上述した第１の実施形態に係る液供給装置１００のように、液供給装置１００ごとに測定部１０７および電源１０８を設ける場合と比較してコストを抑えることができる。

なお、かかる基板処理システム１Ａにおいてリーク検知処理等を行う場合には、対象とする液供給装置１００Ａの第６スイッチ１０６ｆをオンし、他の液供給装置１００Ａの第６スイッチ１０６ｆをオフすればよい。

（第２の変形例）
たとえば、処理液の導電率が低い場合、測定部１０７を用いて電流を測定することが困難となるおそれがある。また、処理液の種類によっては、安全性の面等から高電圧を印加することが好ましくない場合もある。そこで、このような場合には、事前に、処理液を置換する処理を行ったうえで、リーク検知処理等を行うこととしてもよい。かかる場合の例について図１５を参照して説明する。図１５は、第１の実施形態における第２の変形例に係る液供給装置１００Ｂの構成の一例を示す図である。

図１５に示すように、第２の変形例に係る液供給装置１００Ｂは、置換用開閉弁１１１ａ〜１１１ｄと、置換用流路１１２ａ，１１２ｂとを備える。置換用開閉弁１１１ａは、第１流路１０１ａのうち第１導電部１０４ａと第１処理液供給源１０３ａとの間に設けられる。置換用開閉弁１１１ｂは、第２流路１０１ｂのうち第２導電部１０４ｂと第２処理液供給源１０３ｂとの間に設けられる。

置換用流路１１２ａは、第１流路１０１ａのうち第１導電部１０４ａと置換用開閉弁１１１ａとの間に接続される。置換用流路１１２ａは、置換用開閉弁１１１ｃを介してリーク検知用処理液供給源１１４に接続される。置換用流路１１２ｂは、第２流路１０１ｂのうち第２導電部１０４ｂと置換用開閉弁１１１ｂとの間に接続される。置換用流路１１２ｂは、置換用開閉弁１１１ｄを介してリーク検知用処理液供給源１１４に接続される。リーク検知用処理液供給源１１４から供給されるリーク検知用処理液は、たとえばＤＩＷである。

かかる液供給装置１００Ｂにおいて、制御部１８は、たとえばリーク検知処理を行う前に、第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃおよび置換用開閉弁１１１ｃ，１１１ｄを開き、置換用開閉弁１１１ａ，１１１ｂを閉じる。これにより、流路１０１内の処理液がリーク検知用処理液に置換される。その後、制御部１８は、上述したリーク検知処理を行う。

このように、制御部１８は、リーク検知処理に先立ち、流路１０１内の処理液を該処理液よりも導電率の高いリーク検知用処理液に置換する処理を行ってもよい。これにより、導電率の低い処理液で流路１０１が満たされた状態でリーク検知処理を行う場合と比較して、処理液のリークの検知精度を高めることができる。

同様に、制御部１８は、リーク検知処理に先立ち、流路１０１内の処理液をＤＩＷ以外の処理液からＤＩＷに置換する処理を行ってもよい。これにより、たとえば、処理ユニット１６に供給する処理液が、電圧を印加することが好ましくない処理液である場合であってもリーク検知処理を行うことができる。

上述してきたように、第１の実施形態に係る液供給装置１００，１００Ａ，１００Ｂは、処理液を用いてウェハＷ（基板の一例）を処理する処理ユニット１６に対して処理液を供給する液供給装置であって、流路１０１と、第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃと、制御部１８とを備える。流路１０１は、絶縁性を有し、処理液を流通させる。第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃは、絶縁性の弁体１２１を用いて流路１０１を開閉する。制御部１８は、流路１０１が弁体１２１によって閉じられた状態における第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃの一次側と二次側との電気的な接続状態に基づき、開閉弁１０２からの処理液のリークを検知する。

したがって、第１の実施形態に係る液供給装置１００，１００Ａ，１００Ｂによれば、たとえば流量計を用いて処理液のリークを検知する場合と比較して、弁体１２１の傷による微少なリークを精度良く検知することができる。また、第１の実施形態に係る液供給装置１００，１００Ａ，１００Ｂによれば、第１〜第３開閉弁１０２ａ〜１０２ｃの一次側と二次側に差圧がない状況においても処理液のリークを検出することが可能である。

（第２の実施形態）
上述した第１の実施形態では、弁体１２１に隙間が生じた場合に、一次側と二次側とが電気的に接続されることに着目し、一次側と二次側との電気的な接続状態に基づいて処理液のリークを検知することとした。しかしながら、リーク検知処理は、これに限定されない。

本願発明者は、弁体１２１に隙間が生じた場合に、かかる隙間を処理液が流れることで静電気が発生することを発見した。具体的には、弁体１２１に隙間が生じた場合、弁体１２１を閉じると、弁体１２１の一次側がマイナスに帯電し、二次側がプラスに帯電することを発見した。

この原因の１つとしては、弁体１２１の材質であるフッ素樹脂が持つ電気陰性度の影響によって処理液中のマイナスイオンが弁体１２１に引き寄せられることで、弁体１２１の隙間をマイナスイオンが通り抜け難くなるためと考えられる。すなわち、処理液中のプラスイオンおよびマイナスイオンのうちプラスイオンだけが選択的に上記隙間を通り抜ける結果、弁体１２１の一次側においてマイナスイオンが相対的に多くなり、二次側においてプラスイオンが相対的に多くなることで、一次側がマイナスに帯電し、二次側がプラスに帯電すると考えられる。

また、この原因の１つとしては、フッ素樹脂製の弁体１２１とイオン性の処理液とが接触した状態で処理液が流れた場合に、流動帯電が発生して処理液が帯電するためとも考えられる。

このように、弁体１２１の一次側および二次側がイオン性の処理液で満たされ、且つ、一次側および二次側に差圧が存在する状態において、弁体１２１を閉じると、弁体１２１の隙間を処理液が流れることで、弁体１２１の一次側は徐々にマイナスに帯電していき、二次側は徐々にプラスに帯電されていくこととなる。

そこで、第２の実施形態に係るリーク検知処理では、流路１０１が弁体１２１によって閉じられた後における処理液の帯電状態の変化に基づいて処理液のリークを検知することとした。これにより、第１の実施形態に係るリーク検知処理と同様、流量計により検知することが困難な弁体１２１の傷による微少なリークを精度良く検知することができる。

次に、第２の実施形態に係る液供給装置１００Ｃの構成について図１６を参照して説明する。図１６は、第２の実施形態に係る液供給装置１００Ｃの構成の一例を示す図である。

図１６に示すように、第２の実施形態に係る液供給装置１００Ｃは、流路１０１と、開閉弁１０２と、一次側導電部１０４Ｐと、二次側導電部１０４Ｓと、一次側配線部１０５Ｐと、二次側配線部１０５Ｓと、測定部１０７Ｃと、制御部１８とを備える。

流路１０１は、処理ユニット１６へ供給する処理液を流通させる。たとえば、流路１０１は、一端部が処理液供給源に接続され、他端部が処理ユニット１６のノズル４１に接続される。なお、流路１０１を流通する処理液は、イオン性の処理液であるものとする。

開閉弁１０２は、絶縁性の弁体１２１を用いて流路１０１を開閉する。弁体１２１は、たとえば、フッ素樹脂により形成される。

一次側導電部１０４Ｐは、流路１０１のうち開閉弁１０２の一次側（上流側）に設けられ、二次側導電部１０４Ｓは、流路１０１のうち開閉弁１０２の二次側（下流側）に設けられる。一次側導電部１０４Ｐおよび二次側導電部１０４Ｓは、流路１０１内の処理液に接するように設けられる。たとえば、一次側導電部１０４Ｐおよび二次側導電部１０４Ｓは、複数の導電層が長手方向に沿ってストライプ状に形成された樹脂製のチューブであり、樹脂性の継手１４１を介して絶縁性の流路１０１と接続される。

なお、一次側導電部１０４Ｐおよび二次側導電部１０４Ｓは、先端部を流路１０１の内部に配置させたプローブであってもよし、金属製の配管や継手等であってもよい。

一次側導電部１０４Ｐには、一次側配線部１０５Ｐが接続される。一次側配線部１０５Ｐは、一次側スイッチ１０６Ｐを介してグランドに接続される。

二次側導電部１０４Ｓには、二次側配線部１０５Ｓが接続される。二次側配線部１０５Ｓは、二次側スイッチ１０６Ｓを介してグランドに接続される。なお、一次側スイッチ１０６Ｐおよび二次側スイッチ１０６Ｓとしては、Ｂ接点を用いることが好ましい。Ｂ接点を用いることで、通常時において流路１０１を常にグランドに接続させておくことができる。また、通常時に通電しておく必要がない。なお、一次側スイッチ１０６Ｐおよび二次側スイッチ１０６Ｓは、Ａ接点であってもよい。

測定部１０７Ｃは、開閉弁１０２の二次側に存在する処理液の帯電状態を二次側導電部１０４Ｓを介して測定する。たとえば、測定部１０７Ｃは、二次側導電部１０４Ｓの表面電位を測定する表面電位計である。ここでは、測定部１０７Ｃが非接触式の表面電位計であるものとするが、接触式の表面電位計であってもよい。測定部１０７Ｃによって測定された表面電位の値は、たとえばアンプによって増幅された後で制御部１８へ入力される。

なお、測定部１０７Ｃとして表面電位計を用いる場合、測定面は平坦であることが望ましい。そこで、表面電位計としての測定部１０７Ｃによる測定精度を高めるため、チューブ状の二次側導電部１０４Ｓに平板状の導電性部材を取り付けてもよい。

また、液供給装置１００Ｃは、少なくとも二次側導電部１０４Ｓ、二次側配線部１０５Ｓおよび測定部１０７Ｃを覆う導電性の筐体１１１と、筐体１１１をグランド接続する筐体用配線部１１２とを備える。このように、筐体１１１を用いて静電遮蔽することで、他の部分の静電気の影響を受けにくくなる。したがって、静電遮蔽を行わない場合と比較し、弁体１２１の二次側における処理液の帯電状態をより精度良く測定することができる。なお、筐体１１１は、たとえばステンレス等の金属、導電性樹脂、導電成膜をコーティングした材料などで構成される。また、筐体１１１の設置環境に応じて、筐体１１１内部の雰囲気をパージする機構を設けてもよい。

次に、第２の実施形態に係るリーク検知処理の手順について図１７を参照して説明する。図１７は、第２の実施形態に係るリーク検知処理の手順の一例を示す図である。

図１７に示すように、リーク検知処理開始前において、一次側スイッチ１０６Ｐはオンされ、二次側スイッチ１０６Ｓはオフされた状態となっている。制御部１８は、リーク検知処理を開始すると、まず、二次側スイッチ１０６Ｓをオンすることにより、二次側導電部１０４Ｓの表面電位、言い換えれば、二次側の処理液の電位をリセットする。流路１０１内の処理液は、たとえば、プロセス処理においてノズル４１から処理液を吐出することによって帯電する場合がある。したがって、リーク検知処理に先立ち、流路１０１内の処理液の帯電状態をリセットしておくことで、開閉弁１０２からの処理液のリークの誤検知等を防止することができる。

つづいて、制御部１８は、二次側スイッチ１０６Ｓをオンしてから予め決められた時間が経過した後で、二次側スイッチ１０６Ｓをオフする。ここで、上述したように、弁体１２１に隙間が生じていると、かかる隙間を処理液が流れることによって静電気が発生して、二次側がプラスに帯電する。制御部１８は、二次側スイッチ１０６Ｓがオフされてからの予め決められた判定期間において、測定部１０７Ｃによって測定される表面電位の値が閾値を超えたか否かを判定する。そして、制御部１８は、測定部１０７Ｃによって測定される表面電位の値が閾値を超えた場合、開閉弁１０２からの処理液のリークが発生していると判定する。

ここでは、リーク検知処理中において、一次側スイッチ１０６Ｐを常時オンしておくこととした。このように、一次側をグランドに接続しておくことにより、一次側をグランドに接続しない場合と比較して、二次側の電位を高くすることができる。したがって、一次側をグランドに接続しない場合と比較して、弁体１２１の二次側における処理液の帯電状態をより精度良く測定することができる。なお、一次側スイッチ１０６Ｐは、必ずしもオンされることを要しない。すなわち、弁体１２１の二次側において処理液の帯電状態を測定する場合、液供給装置１００Ｃは、一次側導電部１０４Ｐおよび一次側スイッチ１０６Ｐは、必ずしも備えることを要しない。

また、ここでは、測定部１０７Ｃを用いて二次側の処理液の帯電状態を測定することとしたが、液供給装置１００Ｃは、測定部１０７Ｃを用いて一次側の処理液の帯電状態を測定してもよい。この場合、測定部１０７Ｃは、開閉弁１０２の一次側に存在する処理液の帯電状態を一次側導電部１０４Ｐを介して測定すればよい。

また、表面電位計は、測定器の特性上、電位が時間とともに変動するため、より正確な測定を行う場合には、定期的にゼロリセットを行うことが好ましい。たとえば、液供給装置１００Ｃは、二次側スイッチ１０６Ｓをオンしてからオフするまでの期間にゼロリセットを行ってもよい。

また、ここでは、測定部１０７Ｃとして表面電位計を用いることとしたが、測定部１０７Ｃは、たとえば、箔検電器、クーロンメータ等の表面電位計以外の静電気測定器であってもよい。

また、液供給装置１００Ｃは、複数の開閉弁１０２を備えていてもよい。この場合、液供給装置１００Ｃは、たとえば、図６に示す液供給装置１００の構成から測定部１０７および電源１０８を除外し、第４導電部１０４ｄの表面電位を測定する位置に測定部１０７Ｃを配置し、少なくとも第４導電部１０４ｄ、第４配線部１０５ｄ、第４スイッチ１０６ｄおよび測定部１０７Ｃを導電性の筐体１１１で覆った構成とすることができる。

（変形例）
上述した第２の実施形態は一例を示したものであり、種々の変更及び応用が可能である。そこで、以下では、第２の実施形態に係る液供給装置１００Ｃの変形例について説明する。図１８Ａおよび図１８Ｂは、第２の実施形態における変形例に係る液供給装置１００Ｄの構成の一例を示す図である。

図１８Ａに示すように、開閉弁１０２は、弁体１２１と連動して上下動する突起部１２２を備える。具体的には、突起部１２２は、弁体１２１の閉動作に伴って下方に移動し、弁体１２１の開動作に伴って上方に移動する。

変形例に係る液供給装置１００Ｄは、突起部１２２を検出する検出部１１３を備える。検出部１１３は、たとえば近接センサである。検出部１１３は、突起部１２２が下方に移動した状態においては突起部１２２を検出せず、突起部１２２が上方に移動した状態において突起部１２２を検出する。

図１８Ｂに示すように、液供給装置１００Ｄは、筐体１１１の内部に、カウンタ１１５と、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１１６とを備える。

検出部１１３は、突起部１２２を検出している間、弁体１２１が開いていることを示す開信号を出力する。開信号は、カウンタ１１５、ＣＰＵ１１６および外部（たとえば、制御部１８等）に出力される。

カウンタ１１５は、検出部１１３から開信号が入力された回数を計測する。すなわち、カウンタ１１５は、弁体１２１が開いた回数を計測する。カウンタ１１５の計測結果は、ＣＰＵ１１６に出力される。ＣＰＵ１１６は、制御部の一例であり、カウンタ１１５から取得した計測結果を外部（たとえば、制御部１８等）に出力する。その他、ＣＰＵ１１６は、制御部１８からの指示に従って、二次側スイッチ１０６Ｓの開閉制御を行ったりする。

また、液供給装置１００Ｄは、筐体１１１の内部に、アンプ１１７と、判定回路１１８と、ゲート回路１１９とをさらに備える。

アンプ１１７は、測定部１０７Ｃの測定結果を増幅する。アンプ１１７によって増幅された測定部１０７Ｃの測定結果は、判定回路１１８および外部（たとえば、制御部１８等）に出力される。

判定回路１１８は、アンプ１１７から入力される測定部１０７Ｃの測定結果を閾値と比較する。判定回路１１８は、アンプ１１７から入力される測定部１０７Ｃの測定結果が閾値を超えた場合に、ゲート回路１１９に対してリーク検知信号を出力する。

ゲート回路１１９は、検出部１１３からの開信号を反転した信号（すなわち、閉信号）および判定回路１１８からのリーク検知信号の両方が入力された場合に、異常信号を出力する。異常信号は、ＣＰＵ１１６および外部（たとえば、制御部１８等）に出力される。

このように、変形例に係る液供給装置１００Ｄは、カウンタ１１５を用いて弁体１２１の動作回数を計測することとした。これにより、たとえば、開閉弁１０２からの処理液のリークが検知された場合に、リークの原因が、弁体１２１の傷であるのか、開閉弁１０２の寿命であるのかを切り分けるための判断材料を作業者等に提供することができる。

なお、液供給装置１００Ｄは、開閉弁１０２からの処理液のリークを検知した場合に、カウンタ１１５の計測結果、すなわち、弁体１２１の動作回数と閾値とを比較してもよい。この場合において、液供給装置１００Ｄは、弁体１２１の動作回数が閾値以下である場合には、リークの原因が弁体１２１の傷であると判定し、弁体１２１に傷が生じた可能性がある旨の情報を基板処理システム１のディスプレイ等に出力してもよい。また、液供給装置１００Ｄは、弁体１２１の動作回数が閾値を超えている場合には、リークの原因が開閉弁１０２の寿命であると判定し、開閉弁１０２が寿命である旨の情報を基板処理システム１のディスプレイ等に出力してもよい。

上述してきたように、第２の実施形態に係る液供給装置１００Ｃ，１００Ｄは、処理液を用いてウェハＷ（基板の一例）を処理する処理ユニット１６に対して処理液を供給する液供給装置であって、流路１０１と、開閉弁１０２と、制御部１８とを備える。流路１０１は、絶縁性を有し、処理液を流通させる。開閉弁１０２は、絶縁性の弁体１２１を用いて流路１０１を開閉する。制御部１８は、流路１０１が弁体１２１によって閉じられた後における開閉弁１０２の一次側または二次側における処理液の帯電状態の変化に基づき、開閉弁１０２からの処理液のリークを検知する。

したがって、第２の実施形態に係る液供給装置１００Ｃ，１００Ｄによれば、たとえば流量計を用いて処理液のリークを検知する場合と比較して、弁体１２１の傷による微少なリークを精度良く検知することができる。

また、第２の実施形態に係る液供給装置１００Ｃ，１００Ｄによれば、一次側導電部１０４Ｐおよび二次側導電部１０４Ｓをグランドに接続することで、流路１０１内の処理液を除電することができる。これにより、たとえば、帯電した処理液がウェハＷに供給されてウェハＷ上で放電することを未然に防ぐことができる。したがって、プロセス処理を安定して行うことが可能となる。

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。

Ｗ ウェハ
１ 基板処理システム
１８ 制御部
１００ 液供給装置
１０１ 流路
１０２ａ〜１０２ｃ 第１開閉弁〜第３開閉弁
１０４ａ〜１０４ｄ 第１導電部〜第４導電部
１０５ａ〜１０５ｅ 第１配線部〜第５配線部
１０６ａ〜１０６ｅ 第１スイッチ〜第５スイッチ
１０７ 測定部
１０８ 電源
１２１ 弁体

Claims (13)

1. 処理液を用いて基板を処理する処理ユニットに対して前記処理液を供給する液供給装置であって、
   絶縁性を有し、前記処理液を流通させる流路と、
   絶縁性の弁体を用いて前記流路を開閉する開閉弁と、
   前記流路が前記弁体によって閉じられた状態における前記開閉弁の一次側と二次側との電気的な接続状態に基づき、前記開閉弁からの前記処理液のリークを検知する制御部と
   を備えることを特徴とする液供給装置。
2. 前記流路のうち前記開閉弁の一次側に設けられた一次側導電部と、
   前記流路のうち前記開閉弁の二次側に設けられた二次側導電部と、
   前記一次側導電部および前記二次側導電部を含む回路を形成する配線部と、
   前記配線部に設けられる電源と、
   前記配線部に設けられ、電流、電圧および抵抗のうち何れか１つを測定する測定部と
   をさらに備え、
   前記制御部は、
   前記流路が前記弁体によって閉じられた状態において前記測定部によって測定される電流、電圧または抵抗の値と閾値との比較結果に基づき、前記開閉弁からの前記処理液のリークを検知すること
   を特徴とする請求項１に記載の液供給装置。
3. 前記流路には、複数の前記開閉弁が並列に設けられており、
   前記一次側導電部は、
   複数の前記開閉弁の一次側にそれぞれ設けられ、
   前記配線部は、
   複数の前記一次側導電部とグランドとを接続する複数の一次側配線部と、
   前記二次側導電部とグランドとを接続する二次側配線部と
   を備え、
   前記複数の一次側配線部には、一次側スイッチがそれぞれ設けられ、
   前記二次側配線部には、二次側スイッチが設けられること
   を特徴とする請求項２に記載の液供給装置。
4. 前記制御部は、
   複数の前記開閉弁の前記弁体を閉じ、複数の前記一次側スイッチのうち対象とする一の前記開閉弁の一次側に設けられた前記一次側スイッチと前記二次側スイッチとをオンした状態で、前記測定部によって測定される電流、電圧または抵抗の値と閾値との比較結果に基づき、前記一の前記開閉弁からの前記処理液のリークを検知する個別検知処理を、対象とする前記開閉弁を代えて複数回実行すること
   を特徴とする請求項３に記載の液供給装置。
5. 前記制御部は、
   前記個別検知処理に先立ち、複数の前記開閉弁の前記弁体を閉じ、複数の前記一次側スイッチの全てと前記二次側スイッチとをオンした状態で、前記測定部によって測定される電流、電圧または抵抗の値と閾値との比較結果に基づき、複数の前記開閉弁の何れかからの前記処理液のリークを検知する全体検知処理を実行すること
   を特徴とする請求項４に記載の液供給装置。
6. 前記一次側配線部または前記二次側配線部とグランドとを接続する開放用配線部と、
   前記開放用配線部に設けられる開放用スイッチと
   をさらに備えることを特徴とする請求項３〜５のいずれか一つに記載の液供給装置。
7. 前記制御部は、
   前記開閉弁からの前記処理液のリークを検知する処理を行う前に、前記開閉弁を開いた状態で前記流路に前記処理液よりも導電率の高いリーク検知用処理液を供給することによって前記流路内の前記処理液を前記リーク検知用処理液に置換すること
   を特徴とする請求項２〜６のいずれか一つに記載の液処理装置。
8. 処理液を用いて基板を処理する処理ユニットに対して前記処理液を供給する液供給装置であって、
   絶縁性を有し、前記処理液を流通させる流路と、
   絶縁性の弁体を用いて前記流路を開閉する開閉弁と、
   前記流路が前記弁体によって閉じられた後における前記開閉弁の一次側または二次側における前記処理液の帯電状態の変化に基づき、前記開閉弁からの前記処理液のリークを検知する制御部と
   を備えることを特徴とする液供給装置。
9. 前記流路のうち前記開閉弁の一次側または二次側に設けられた導電部と、
   前記導電部の表面電位を測定する測定部と
   をさらに備え、
   前記制御部は、
   前記流路が前記弁体によって閉じられた状態において前記測定部によって測定される表面電位の値が閾値を超えた場合に、前記開閉弁からの前記処理液のリークを検知すること
   を特徴とする請求項８に記載の液供給装置。
10. 前記導電部とグランドとを接続する配線部と、
    前記配線部に設けられるスイッチと
    をさらに備え、
    前記制御部は、
    前記開閉弁からの前記処理液のリークを検知する処理を行う前に、前記スイッチをオンすることによって前記導電部の表面電位をリセットすること
    を特徴とする請求項９に記載の液供給装置。
11. 前記導電部は、
    前記流路のうち前記開閉弁の一次側に設けられた一次側導電部と、
    前記流路のうち前記開閉弁の二次側に設けられた二次側導電部と
    を含み、
    前記配線部は、
    前記一次側導電部とグランドとを接続する一次側配線部と、
    前記二次側導電部とグランドとを接続する二次側配線部と
    を含み、
    前記スイッチは、
    前記一次側配線部に設けられる一次側スイッチと、
    前記二次側配線部に設けられる二次側スイッチと
    を含み、
    前記測定部は、
    前記一次側導電部または前記二次側導電部の表面電位を測定し、
    前記制御部は、
    前記一次側スイッチおよび前記二次側スイッチの一方をオンし、他方をオフした状態で、前記開閉弁からの前記処理液のリークを検知する処理を行うこと
    を特徴とする請求項１０に記載の液処理装置。
12. 絶縁性を有し、処理液を流通させる流路と、絶縁性の弁体を用いて前記流路を開閉する開閉弁とを備え、前記処理液を用いて基板を処理する処理ユニットに対して前記処理液を供給する液供給装置における前記開閉弁からの前記処理液のリークを検知するリーク検知方法であって、
    前記弁体を閉じる閉弁工程と、
    前記閉弁工程後、前記流路が前記弁体によって閉じられた状態における前記開閉弁の一次側と二次側との電気的な接続状態に基づき、前記開閉弁からの前記処理液のリークを検知する検知工程と
    を含むことを特徴とするリーク検知方法。
13. 絶縁性を有し、処理液を流通させる流路と、絶縁性の弁体を用いて前記流路を開閉する開閉弁とを備え、前記処理液を用いて基板を処理する処理ユニットに対して前記処理液を供給する液供給装置における前記開閉弁からの前記処理液のリークを検知するリーク検知方法であって、
    前記弁体を閉じる閉弁工程と、
    前記閉弁工程によって前記流路が前記弁体によって閉じられた後における前記開閉弁の一次側または二次側における前記処理液の帯電状態の変化に基づき、前記開閉弁からの前記処理液のリークを検知する検知工程と
    を含むことを特徴とするリーク検知方法。

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