CN115810532A - 基板处理方法及基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种基板处理装置，包括：流体供应单元，其向处理空间供应超临界流体；多个部件，其安装在流体供应管线中；和检测构件，其检测是否从部件中释放金属颗粒。检测构件包括：上游检测端口，其在作为多个部件之一的第一部件的上游连接至流体供应管线；下游检测端口，其在第一部件的下游连接至流体供应管线；和检测器，其被设置为联接至上游检测端口和下游检测端口之间的选定检测端口，并检测从流体供应管线流经检测端口的流体中的金属颗粒。

Description

基板处理方法及基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种基板处理方法和一种基板处理装置，更具体地，涉及通过向基板供应流体来处理基板的装置和方法。
背景技术
半导体工艺包括清洁基板上的薄膜、异物、颗粒等的工艺。这些工艺是通过如下来执行的：将基板放置在旋转头上以使图案侧朝上或向下，在使旋转头旋转的同时向基板供应处理液，然后干燥晶片。
根据一个示例，分别设置了用于通过向基板供应处理液来对基板执行液体处理的液体处理室和用于在液体处理之后通过使用超临界流体从基板去除处理液的干燥室，并且由传送机械手将在液体处理室中已经完全处理的基板装载到干燥室中。
液体处理室向基板供应表面张力比水相对较低的异丙醇液体，以将基板上的液体置换为异丙醇液体，并在异丙醇液体残留在基板表面的状态下将基板传送到干燥室。向干燥室供应超临界流体以去除基板上的异丙醇。作为超临界流体，主要使用二氧化碳，其在相对较低温度下保持在超临界状态并能很好地溶解残留在基板上的异丙醇。
图1示意性地示出了具有用于向干燥室900供应超临界流体的一般结构的供应单元800。
供应单元800包括用于在其中储存超临界流体的供应罐820、连接供应罐820和干燥室900的流体供应管线840、以及安装在流体供应管线840上的多个部件860。部件860可以是阀862、节流孔864、加热器866或过滤器868等。
通常，安装在供应化学品等化学液体的流体供应管线中的部件由耐化学性强的材料制成。而安装在用于供应超临界流体的流体供应管线840中的部件860由包括金属的材料制成，以很好地承受高压。当在工艺期间由部件860产生的金属颗粒与超临界流体被一起提供应至基板时，金属颗粒残留在经超临界处理的基板中，从而导致基板中的缺陷。在这种情况下，需要更换安装在流体供应管线840中的部件860之中的释放金属颗粒的部件860，但是难以发现多个部件之中的哪个部件释放了金属颗粒。
发明内容
本发明致力于提供一种基板处理装置和一种基板处理方法，其在通过流体供应管线供应至基板的超临界流体中含有金属颗粒时，能够容易地从安装在流体供应管线中的各种部件之中找出释放金属颗粒的部件。
本发明的目的不限于此，本领域普通技术人员通过以下描述将清楚地理解其他未提及的目的。
本发明的示例性实施方式提供一种基板处理装置，包括：腔室，所述腔室具有处理基板的处理空间；和流体供应单元，所述流体供应单元向所述处理空间供应处理流体，其中所述流体供应单元包括：供应罐，在所述供应罐中储存所述处理流体；流体供应管线，所述流体供应管线连接所述供应罐和所述腔室并将所述处理流体从所述供应罐供应至所述腔室；多个部件，所述多个部件安装在所述流体供应管线中；和检测构件，所述检测构件检测是否从所述部件中释放金属颗粒。所述检测构件可以包括：上游检测端口，所述上游检测端口在作为所述多个部件之一的第一部件的上游连接至所述流体供应管线；下游检测端口，所述下游检测端口在所述第一部件的下游连接至所述流体供应管线；和检测器，所述检测器被设置为联接至所述上游检测端口和所述下游检测端口之间的选定检测端口，并检测从所述流体供应管线流经所述检测端口的流体中的金属颗粒。
根据示例性实施方式，所述多个部件还可以包括设置在所述第一部件下游的一个或多个部件中的与所述第一部件相邻的第二部件，并且所述下游检测端口在所述第一部件和所述第二部件之间连接至所述流体供应管线。
根据示例性实施方式，所述多个部件还可以包括设置在所述第一部件上游的一个或多个部件中的与所述第一部件相邻的第二部件，并且所述上游检测端口在所述第一部件和所述第二部件之间连接至所述流体供应管线。
根据示例性实施方式，在所述第一部件与所述上游检测端口之间以及在所述第一部件与所述下游检测端口之间可以不设置其他部件。
根据示例性实施方式，所述部件可以包括阀、泵、过滤器或节流孔。
根据示例性实施方式，在所述部件中，暴露于流体所流经的通道的表面可以包含金属，或在所述部件中，金属表面可以涂覆有除金属之外的材料。
根据示例性实施方式，所述腔室可以包括高压容器，并且所述流体可以是超临界流体。
根据示例性实施方式，所述检测器可以被可拆卸地设置于所述上游检测端口和所述下游检测端口，并且所述上游检测端口和所述下游检测端口可以各自具有在检测器分离的状态下封闭其端部的盖。
根据示例性实施方式，可以对于安装在所述流体供应管线中的每个部件设置所述上游检测端口和所述下游检测端口。
本发明的另一示例性实施方式提供了一种基板处理装置，包括：腔室，所述腔室具有处理基板的处理空间；和流体供应单元，所述流体供应单元向所述处理空间供应超临界流体，其中所述流体供应单元包括：供应罐，在所述供应罐中储存所述处理流体；流体供应管线，所述流体供应管线连接所述供应罐和所述腔室并将所述处理流体从所述供应罐供应至所述腔室；多个部件，所述多个部件安装在所述流体供应管线中并由包含金属的材料制成；和检测构件，所述检测构件检测是否从所述部件中释放金属颗粒。所述检测构件可以包括：上游检测端口，所述上游检测端口在作为所述多个部件之一的第一部件的上游连接至所述流体供应管线；下游检测端口，所述下游检测端口在所述第一部件的下游连接至所述流体供应管线；和检测器，所述检测器被设置为联接至所述上游检测端口和所述下游检测端口之间的选定检测端口，并检测从所述流体供应管线流经所述检测端口的流体中的金属颗粒，并且在所述上游检测端口与所述第一部件之间、以及在所述第一部件与所述下游检测端口之间可以不安装其他部件。
本发明的又一示例性实施方式提供了一种基板处理方法，包括：基板处理操作：通过经由流体供应管线将流体供应至其中装载基板的处理空间中来处理所述基板；和检测操作：检测是否从安装在所述流体供应管线中的部件之中的含有金属的部件中释放金属颗粒。所述检测操作可以包括检测是否从作为安装在所述流体供应管线中的所述部件之一的第一部件中释放金属颗粒的第一部件检查操作。所述第一部件检查操作可以包括：第一检测操作：经由与在所述第一部件上游安装在所述流体供应管线中的第一检测端口连接的检查装置，通过在通过所述第一部件之前检测检查用流体中的金属颗粒，获得第一检测值；第二检测操作：经由与在所述第一部件下游安装在所述流体供应管线中的第二检测端口连接的检测装置，在通过所述第一部件之后检测检查用流体中的金属颗粒，获得第二检测值；和第一确定操作：基于所述第一检测值和所述第二检测值确定所述第一部件是否有缺陷。
根据示例性实施方式，检测操作还可以包括当在所述第一部件检查操作中确定所述第一部件为良好时进行的第二部件检查操作：检测是否从所述多个部件之中的与所述第一部件不同的第二部件中释放金属颗粒。所述第二部件检查操作可以包括：第三检测操作：经由与安装在所述流体供应管线中的检测端口之中的在所述第二部件上游安装在所述流体供应管线中的第三检测端口连接的检查装置，通过在通过所述第二部件之前检测检查用流体中的金属颗粒，获得第三检测值；第四检测操作：经由与安装在所述流体供应管线中的检测端口之中的在所述第二部件下游安装在所述流体供应管线中的第四检测端口连接的检测装置，在通过所述第二部件之后检测检查用流体中的金属颗粒，获得第四检测值；和第二确定操作：基于所述第三检测值和所述第四检测值确定所述第二部件是否有缺陷。
根据示例性实施方式，检测操作可以包括当在所述第一部件检查操作中确定所述第一部件为良好时进行的第二部件检查操作：检测是否从所述多个部件之中的与所述第一部件不同的第二部件中释放金属颗粒，所述第二部件在所述第一部件下游的设置在所述流体供应管线中，并且在所述第一部件和所述第二部件之间没有设置其他部件。所述第二部件检查操作可以包括：第三检测操作：经由与安装在所述流体供应管线中的检测端口之中的在所述第二部件下游安装在所述流体供应管线中的第三检测端口连接的检测装置，在通过所述第二部件之后检测检查用流体中的金属颗粒，获得第三检测值；和第二确定操作：基于所述第二检测值和所述第三检测值确定所述第二部件是否有缺陷。
根据示例性实施方式，检查装置可以被设置为与所述检测端口中的每一个联接，并且在所述检测端口之中，未连接所述检测装置的检测端口的端部可以被盖封闭。
根据示例性实施方式，所述流体供应管线可以将流体从供应罐供应至所述处理空间，并且述第一部件可以是在所述含有金属的部件之中最靠近所述供应罐设置的部件。
根据示例性实施方式，所述流体可以是超临界流体。
根据示例性实施方式，对所述基板的所述处理可以是通过使用所述超临界流体干燥所述基板的处理。
根据示例性实施方式，基板处理方法还可以包括，在所述基板处理操作之后，检查金属颗粒是否残留在所述基板上的检查操作，其中在所述检查操作中当所述金属颗粒在所述基板上残留达设定值或更多时，执行所述检测操作。
根据本发明的示例性实施方式，当从安装有含有金属颗粒的部件的流体供应管线供应流体时，可以容易地在部件之中找到释放金属颗粒的部件。
另外，根据本发明，当通过从其中安装有包含金属颗粒的部件的流体供应管线向基板供应流体来处理基板时，从部件释放的金属颗粒与流体一起被供应至基板，从而防止金属颗粒残留在基板上。
本发明的效果不限于上述效果，本领域技术人员可以从本说明书和附图中清楚地理解未提及的效果。
附图说明
图1是示意性地示出设置在一般基板处理装置中的流体供应单元的图。
图2是示意性地示出根据本发明的示例性实施方式的基板处理装置的俯视图。
图3是示意性地示出图2的液体处理室的示例性实施方式的图。
图4是示意性地示出图2的干燥室的示例性实施方式的图。
图5是示意性地示出图4的流体供应单元的示例的图。
图6是示意性地示出设置在图5的流体供应单元中的检测构件的示例的图。
图7和图8是示出检测是否从安装在流体供应管线中的部件之中的被检查部件中释放金属异物的过程的图。
图9至图12是依次示出根据本发明的示例性实施方式的缺陷检测方法的示例性实施方式的图。
图13是示意性地示出图5的流体供应单元的另一示例性实施方式的图。
图14和图15是示出检测是否从连接相邻部件的连接管线释放金属异物的过程的图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图更详细地描述本发明的示例性实施方式。本发明的示例性实施方式可以以各种形式进行修改，并且本发明的范围不应被解释为限于以下示例性实施方式。提供该示例性实施方式是为了向本领域普通技术人员更完整地解释本发明。因此，图中的元件形状被夸大以突显更清晰的描述。
在以下实施方式中，将以用于执行清洁和干燥基板的工艺的装置为例来描述本发明的技术思想。然而，本发明的技术精神不限于以下的实施方式，可以适用于供应不同于超临界流体的另一类型流体的装置，或者用于执行不同于清洁或干燥基板的工艺的另一类型工艺的装置。
图2是示意性示出根据本发明的示例性实施方式的基板处理装置的俯视图。
参考图2，基板处理装置包括转位模块10、处理模块20和控制器30。根据示例性实施方式，转位模块10和处理模块20沿一个方向布置。在下文中，转位模块10和处理模块20的布置所沿的方向被称为第一方向92，并且当俯视时，与第一方向92垂直的方向被称为第二方向94，垂直于第一方向92和第二方向94两者的方向被称为第三方向96。
控制器30可以控制基板处理装置。控制器30可以控制转位模块10和处理模块20。控制器30可以包括：由微处理器(计算机)形成的工艺控制器，其执行对基板处理装置的控制；由键盘形成的用户界面，在该键盘中，操作者为了管理基板处理装置而执行指令输入操作等；用于可视化和显示基板处理装置等的操作状况的显示器；用于在工艺控制器的控制下执行在基板处理装置中执行的工艺的控制程序；以及用于根据各种数据和处理条件执行每个部件中的工艺的程序。此外，用户界面和存储单元可以连接至工艺控制器。处理方案可以存储在存储单元中的存储介质中，该存储介质可以是硬盘，也可以是便携式磁盘例如CD-ROM或DVD，或半导体存储器例如闪存。
转位模块10将基板W从容置基板W的容器80传送至处理模块20，并将在处理模块20中已经完全处理的基板W容置在容器80中。转位模块10的纵向方向沿第二方向94设置。转位模块10包括装载端口12和转位框架14。基于转位框架14，装载端口12位于与处理装置相反的一侧。在装载端口12上放置容置基板W的容器80。装载端口12可以设置为多个，多个装载端口12也可以沿第二方向94布置。
作为容器80，可以使用气密容器，例如正面开口标准箱(FOUP)。可以通过运输工具(未示出)，例如高架传送机、高架输送机或自动导引车或操作员将容器80放置在装载端口12上。
转位机械手120设置于转位框架14。在转位框架14内设置导轨140(其纵向方向是第二方向94)，并且转位机械手120可以设置为可在导轨140上移动。转位机械手120包括手部122(在其上放置基板W)，该手部122可以前后移动、以第三方向96为轴线旋转并且可以沿第三方向96移动。多个手部322被设置为沿竖直方向间隔开，并且手部322可以彼此独立地前后移动。
处理模块20包括缓冲单元200、传送室300、液体处理室400和干燥室500。缓冲单元200提供用于供被装载到处理模块20的基板W和从处理模块20卸载的基板W暂时停留的空间。液体处理室400通过将液体供应至基板W上来执行用液体处理基板W的液体处理工艺。干燥室500执行去除残留在基板W上的液体的干燥工艺。传送室300在缓冲单元200、液体处理室400和干燥室500之间传送基板W。
传送室300可以设置为使得纵向方向为第一方向92。缓冲单元200可以布置在转位模块10和传送室300之间。液体处理室400和干燥室500可以布置在传送室300的侧面。液体处理室400和传送室300可以沿第二方向94布置。干燥室280和传送室240可以沿第二方向94布置。缓冲单元220可以定位于传送室300的一端。
根据示例，液体处理室400布置在传送室300的两侧，干燥室500布置在传送室300的两侧，并且液体处理室400可以布置为与干燥室500相比更靠近缓冲单元。在传送室300的一侧，液体处理室400可以设置为沿第一方向92和第三方向96以A×B(A和B各自是1或大于1的自然数)的布置。此外，在传送室300的一侧，干燥室500可以沿第一方向92和第三方向96以C×D(C和D各自是1或大于1的自然数)的数量设置。与上述不同的是，在传送室300的一侧可以仅设置液体处理室400，在传送室300的另一侧可以仅设置干燥室500。
传送室300具有传送机械手320。在传送室300中设置具有沿第一方向92的纵向方向的导轨340，传送机械手320可以设置为在导轨340上可移动。传送机械手320包括手部322(在其上放置基板W)，该手部322可以设置为可前后移动、以第三方向96为轴线旋转并且可以沿第三方向96移动。多个手部322设置为沿竖直方向间隔开，并且手部322可以彼此独立地前后移动。
缓冲单元200包括多个缓冲器220，在该多个缓冲器220上放置基板W。缓冲器220可以设置为沿第三方向96彼此间隔开。缓冲器单元200的前面和后面是敞开的。前面是面向转位模块10的面，后面是面向传送室300的面。转位机械手120可以通过前面靠近缓冲单元200，并且传送机械手320可以通过后面靠近缓冲单元200。
图3是示意性示出了图2的液体处理室400的示例性实施方式的图。参考图3，液体处理室400包括外壳410、杯状部420、支撑单元440、液体供应单元460和升降单元480。外壳410设置为大致长方体形状。杯状部420、支撑单元440和液体供应单元460布置在外壳410中。
杯状部420具有顶部敞开的处理空间，在处理空间内对基板W执行液体处理。支撑单元440在处理空间中支撑基板W。液体供应单元460将液体供应至由支撑单元440支撑的基板W上。液体可以以多种类型提供，并且可以依次被供应至基板W上。升降单元480调节杯状部420与支撑单元440之间的相对高度。。
根据一个示例，杯状部420包括多个回收容器422、424和426。回收容器422、424和426中的每一个具有回收用于处理基板的液体的回收空间。回收容器422、424和426中的每一个设置为围绕支撑单元440的环形。当液体处理工艺正进行时，通过基板W的旋转而飞散的处理液可以通过稍后将描述的各个回收容器422、424、426的入口422a、424a、426a被引入回收空间中。根据一个示例，杯状部420包括第一回收容器422、第二回收容器424和第三回收容器426。第一回收容器422布置为围绕支撑单元440，第二回收容器424布置为围绕第一回收容器422，并且第三回收容器426布置为围绕第二回收容器424。第二入口424a(通过其将液体引入第二回收容器424中)可以位于第一入口422a(通过其将液体引入第一回收容器422中)上方，第三入口426a(通过其将液体引入第三回收容器426中)可以位于第二入口424a的上方。
支撑单元440包括支撑板442和驱动轴444。支撑板442的上表面可以设置为大致圆形，并且可以具有大于基板W的直径的直径。支撑基板W的背面的支撑销442a设置于支撑板442的中心部分，支撑销442a的上端设置为从支撑板442突出，使得基板W与支撑板442间隔开预定距离。卡盘销442b设置于支撑板442的边缘。卡盘销442b设置为从支撑板442向上突出，并且支撑基板W的侧部，使得当基板W旋转时基板W不会从支撑单元440分离。驱动轴444由驱动器446驱动，与基板W的底面的中心连接，并使支撑板442基于其中心轴线中心旋转。
根据一个示例，液体供应单元460包括第一喷嘴462、第二喷嘴464和第三喷嘴446。第一喷嘴462将第一液体供应至基板W上。第一液体可以是去除留在基板W上的膜或异物的液体。第二喷嘴464将第二液体供应至基板W上。第二液体可以是易溶于第三液体的液体。例如，第二液体可以是比第一液体更易溶于第三液体的液体。第二液体可以是中和供应至基板W上的第一液体的液体。另外，第二液体可以是中和第一溶液并且同时比第一溶液更易溶于第三溶液的液体。根据一个示例，第二液体可以是水。第三喷嘴466将第三液体供应至基板W上。第三液体可以是易溶于在干燥室500中使用的超临界流体中的液体。例如，第三液体可以是比第二液体更易溶于在干燥室500中使用的超临界流体中的液体。根据一个示例，第三液体可以是有机溶剂。有机溶剂可以是异丙醇。第一喷嘴462、第二喷嘴464和第三喷嘴466可以由不同的臂461支撑，并且臂461可以独立移动。可选地，第一喷嘴462、第二喷嘴464和第三喷嘴466可以安装到同一臂并且同时移动。
升降单元480沿竖直方向移动杯状部420。通过杯部420的竖直移动，杯部420与基板W的相对高度发生变化。因此，由于用于回收处理液的回收容器422、424和426根据供应至基板W的液体的类型而改变，所以可以分离和收集液体。与描述不同，杯状部420可以被固定安装，并且升降单元480可以沿竖直方向移动支撑单元440。
图4是示意性地示出图2的干燥室的示例性实施方式的图。根据示例性实施方式，干燥室500通过使用超临界流体去除基板W上的液体。干燥室500包括主体520、支撑体540、流体供应单元560、挡板580和检测构件590。
主体520提供内部空间502，在该内部空间502中执行干燥工艺。主体可以设置为耐受高压的高压容器。主体520具有上主体522和下主体524。上主体522和下主体524彼此结合以提供上述内部空间502。上主体522设置在下主体524的上方。上主体522的位置是固定的，下主体524可以通过驱动件590例如气缸或电机而上升和下降。当下主体524与上主体522间隔开时，内部空间502打开，此时，基板W被装载或卸载。在工艺期间，下主体524与上主体522紧密接触，使得内部空间502与外界隔绝。干燥室500包括加热器570。根据一个示例，加热器570位于主体520的壁内。加热器570加热主体520的内部空间502，使得供应至主体520的内部空间中的流体保持超临界状态。
支撑体540在主体520的内部空间502中支撑基板W。支撑体540具有固定杆542和托架544。固定杆542固定地安装在上主体522上以从上主体522的底表面向下突出。固定杆542设置为使得其纵向方向为竖直方向。设置多个固定杆542并且将其定位成彼此间隔开。固定杆542被布置成当基板W被装载到由固定杆542环绕的空间或从由固定杆542环绕的空间中卸载时，基板W不会干扰固定杆542。托架544联接到各个固定杆542。保持部544从固定杆542的下端向由固定杆542环绕的空间延伸。通过上述结构，被装载到主体520的内部空间502中的基板W的边缘区域被放置在托架544上，并且基板W的整个上表面区域、基板W的底表面的中心区域以及基板W的底表面的边缘区域的一部分暴露于供应至内部空间502的超临界流体。
挡板580可以布置在主体520的内部空间502中。挡板580可以设置为盘形。挡板580由支撑件582支撑以与主体520的底表面向上间隔开。支撑件582设置为杆状，并且多个支撑件582布置成彼此间隔开预定距离。当俯视时，挡板580可以设置为与将稍后描述的下分支管线1490的出口和排放管线550的入口交叠。挡板580可以防止由于通过下分支管线1490供应的超临界流体直接朝向基板W释放而损坏基板W。
图5是示意性地示出了流体供应单元的示例的图。参考图5，流体供应单元560将处理流体供应至主体520的内部空间502。处理流体可以是超临界流体。根据示例，超临界流体可以以超临界状态被供应至内部空间502。与此不同，超临界流体可以以气态供应至内部空间502，并且可以在内部空间502中经相变为超临界状态。
流体供应单元560包括供应罐1200、流体供应管线1400和多个部件1620。供应罐1200储存超临界流体。超临界流体可以在供应罐1200内保持在超临界状态。流体供应管线1400连接供应罐1200和主体520，供应罐1200中的超临界流体通过流体供应管线1400被供应至主体520的内部空间。
根据示例，流体供应管线1400具有前管线1420、流速选择管线1440、后管线1460、上分支管线1480和下分支管线1490。前管线1420连接至供应罐1200。流速选择管线1440连接至前管线1420的下游端。流速选择管线1440可以布置为彼此平行。在每个流速选择管线1440中可以安装节流孔1624或流量控制阀(未示出)，使得流过流速选择管线1440的流速彼此不同。后管线1460连接至流速选择管线1440的下游端，上分支管线1480和下分支管线1490连接至后管线1460的下游端。
上分支管线1480联接到上主体522以从放置在支撑体540上的基板W的上部供应超临界流体。下分支管线1490联接到下主体524以从放置在支撑体540上的基板W的下部供应超临界流体。根据示例，上分支管线1480联接到上主体522的中心。排放管线550联接到下主体524。主体520的内部空间502中的超临界流体通过排放管线550被排放到主体520的外部。下分支管线1490和排放管线550中的一个可以联接到下主体524的中心，并且另一个可以在与下主体524的中心间隔开的位置处联接到下主体524。
在流体供应管线1400中安装多个部件1620。部件1620可以是阀1621、1623、1627a或1628c，其打开或关闭在流体供应管线1400中流动的流体或控制流速。部件1620也可以是加热器1622、1626和1628a，其加热流经流体供应管线1400的流体。此外，部件1620可以是减小流体供应管线1400中的流路面积的节流孔1624。可选地，部件1620可以是过滤器1625、1627a、1628b，其从流经流体供应管线1400的流体中去除异物。
根据示例，阀1621和加热器1622可以沿从上游侧到下游侧的方向依次安装在前管线1420中。阀1621可以是开/关阀。可选地，阀1621可以是流量控制阀。加热器1622对超临界流体进行加热，使得从供应罐1200供应的超临界流体的温度成为适合于工艺的设定温度。
阀1623和节流孔1624可以沿从上游侧到下游侧的方向依次安装在每个流速选择管线1440中。阀1623可以是开/关阀。安装在流速选择管线1440中的节流孔1624设置为使得流体流过的节流孔1624的内部通道的面积彼此不同。例如，当设置有三个流速选择管线1440时，安装在第二流速选择管线中的节流孔的通道面积小于安装在第一流速选择管线中的节流孔的通道面积，并且安装在第三流速选择管线中的节流孔的通道面积可以小于安装在第二流速选择管线中的节流孔的通道面积。当需要改变供应至主体520内的超临界流体的流速时，可以通过流速选择管线1440供应超临界流体，在该流速选择管线1440中，安装有具有对应于期望改变的流速的通道面积的节流孔。
过滤器1625和加热器1626可以沿从上游侧到下游侧的方向依次安装在后管线1460中。过滤器1625从超临界流体中过滤异物。可以安装一个过滤器1625，或者可以依次设置多个过滤器。当设置多个过滤器1625时，过滤器被设置为使得由每个过滤器过滤的异物的类型或大小不同。加热器1626可以精确控制超临界流体的温度，使得主要由安装在前管线1420上的加热器1621控制的超临界流体的温度变为设定温度。
过滤器1627a和阀1627b沿从上游侧到下游侧的方向依次安装在上分支管线1480中。过滤器1627a再次从超临界流体中过滤异物，然后由安装在后管线1460中的加热器1626加热的超临界流体被供应至外壳中。阀1627b可以是开/关阀。
加热器1628a、过滤器1628b和阀1628c沿从上游侧到下游侧的方向依次安装在下分支管线1490中。最初，超临界流体通过下分支管线1490流入主体520中，当主体520内部变为设定压力时，超临界流体通过上分支管线1480流入主体520中。通过下分支管线1490供应至主体520中的超临界流体的温度和通过上分支管线1480供应至主体520中的超临界流体的温度可以由安装在下分支管线1490中的加热器1628a控制为彼此不同。过滤器1628b再次从超临界流体中过滤异物，然后由安装在下分支管线1490中的加热器1628a加热的超临界流体被供应至主体520中。
在干燥室500中，主体520、流体供应管线1400和部件1620设置有能够很好地耐受高压的刚性材料。刚性材料可以是金属。金属可以是不锈钢。每个部件1620可以具有由金属材料制成的通道的内表面，超临界流体流过该通道。可选地，超临界流体在每个部件1620中流过的通道的内表面可以由金属材料制成，并且通道的表面可以提供为涂覆有除金属以外的材料的经涂覆表面。当部件1620损坏或部件1620被长时间使用时，在使用超临界流体处理基板期间，可能从部件1620中释放金属颗粒。释放的金属颗粒可以与超临界流体一起被供应至主体520中。当金属颗粒残留在基板上时，被金属颗粒完全处理的基板在后续的检查过程中可能被确定为有缺陷的基板。
检测构件1680检测安装在流体供应管线1400中的部件1620之中释放金属颗粒的部件1620。当在由本发明的基板处理装置完成基板处理之后检查基板的过程中确定基板由于金属颗粒而有缺陷时，可以执行缺陷检测。可选地，可以基于设定时间或设定日期执行缺陷检测。可选地，可以当在基板处理装置中处理的基板的数量达到设定数量时执行缺陷检测。
图6是示意性地示出了设置在图5的流体供应单元中的检测构件的示例的图。参考图6，检测构件1680具有检测端口1682和检查装置1684。检测端口1682安装在流体供应管线1400中。检测端口1682可以设置为从流体供应管线1400分支。在处理基板时，检测端口1682的端部由盖1683保持封闭。根据一个示例，盖1683可以旋拧到检测端口1682的端部上。
根据一个示例，检测端口1682可以在设置在流体供应管线1400中最上游的部件1621的上游，以及在设置在流体供应管线1400中最下游的部件1627b和1628c的下游，在部件1620的相邻部件之间安装在每个流体供应管线1400中。可选地，检测端口1682可以安装在流体供应管线1400中，从而仅设置在部件1620之中选定的部件1620的两侧。
检查装置1684具有测量单元1684a、入口管线1684b和联接端口1684c。测量单元1684a从引入其中的流体中检测金属颗粒。联接端口1684c设置为联接至检测端口1682的一端。根据一个示例，联接端口1684c可以设置为与检测端口1682旋拧在一起。入口管线1684b连接测量单元1684a和联接端口1684c。流经流体供应管线1400的流体的一部分通过入口管线1684b流入测量单元1684a中。检查装置1684可检测流入测量单元1684a中的流体是否含有金属颗粒、金属颗粒的数量或金属的类型。在检查期间流过流体供应管线1400的流体可以是与处理基板时相同的超临界流体。可选地，在检查期间流过流体供应管线1400的流体可以使用不同于超临界流体的流体。在下文中，将用于检查的流体称为检查用流体。
图7和图8是示出了检测是否从安装在流体供应管线中的部件之中的被检查部件中释放金属异物的过程的图。在图7和图8中，内部灌注的阀处于关闭状态，内部为空的阀处于打开状态。此外，检测端口的内部灌注的一端处于关闭状态，检测端口的内部为空的一端处于打开状态。在下文中，将被执行缺陷检测的部件1620称为被检查部件。被检查部件的检查如下进行。
如图7中所示，检查装置1684的联接端口1684c与位于被检查部件1620a上游的检测端口1682之中最靠近检查部件1620的上游检测端口1682a连接，其余的检测端口1682b被盖1683覆盖。另外，在布置在被检查部件1620下游的阀之中，安装在最靠近被检查部件1620a的位置处的阀1620d关闭，并且布置在被检查部件1620上游的阀1620c全部打开。此后，通过流体供应管线1400从供应罐1200供应检查用流体。将检查用流体中的一些引入测量单元1684a中，测量单元1684a测量金属颗粒的存在与否或金属颗粒的数量。
此后，如图8中所示，将联接端口1684c与上游检测端口1682a分离，并且将上游检测端口1682a用盖1683封闭。此后，将检查装置1684的联接端口1684c连接至位于被检查部件1620a下游的检测端口1682之中的最靠近被检查部件1620的下游检测端口1682b，将其余的检测端口1682a用盖1683覆盖。另外，在布置在被检查部件1620下游的阀之中，将安装在最靠近被检查部件1620a的位置处的阀1620d关闭，并将布置在被检查部件1620上游的阀1620c全部打开。将检查用流体从供应罐1200供应至流体供应管线1400。将检查用流体中的一些引入测量单元1684a中，测量单元1684a测量金属颗粒的存在与否或金属颗粒的数量。基于通过上游检测端口1682a测量的第一检测值和通过下游检测端口1682b测量的第二检测值来确定检查部件1620a是否有缺陷。例如，当第一检测值和第二检测值之间的差等于或大于设定值时，可以确定被检查部件1620a有缺陷。可选地，当在第一检测值中没有检测到金属并且在第二检测值中检测到金属时，可以确定被检查部件1620a有缺陷。
根据示例，被检查部件1620a的检查顺序可以以下列方式确定。在下文中，将基于安装在流体供应管线1400中的所有部件1620都包含金属的情况来描述本公开。与此相反，当在安装在流体供应管线1400中的部件1620之中安装了不包含金属的部件1620时，可以将下面的检查部件1620指定为包含金属的部件1620。
在部件1620之中，将最靠近供应罐1200的部件1620用作第一被检查部件1620a以检查该部件是否有缺陷。当确定第一被检查部件1620a有缺陷时，停止检查并且用新部件更换第一被检查部件1620a。当确定第一被检查部件1620良好时，将沿流体供应管线1400的下游方向最靠近第一被检查部件1620a的部件1622用作第二被检查部件1620b以检查该部件是否有缺陷。当确定第二检查部件1620b有缺陷时，停止检查并且用新部件更换第二检查部件1620b。当确定第二被检查部件1620b良好时，将沿流体供应管线1400的下游方向最靠近第二被检查部件1620b的部件1623a用作第三被检查部件1620c以检查该部件是否有缺陷。针对安装在流体供应管线1400中的部件1620重复上述过程，直到在被检查部件之中找到被确定为有缺陷的部件1620。在流速选择管线1440的情况下，针对多条流速选择管线1440依次检查安装在各流速选择管线1440中的部件1620。当对第二被检查部件1620b执行检查时，可以将当检查第一被检查部件1620a时经由测量单元1684a通过使用下游检测端口1682d测量的第二检测值用作第一检测值。
图9至图12是依次示出了根据本发明的示例性实施方式的缺陷检测方法的示例性实施方式的图。
如图9所示，将最靠近供应罐1200所在的第一阀1621选为被检查部件。通过将检测装置1684连接至在第一阀1621上游最靠近第一阀1621的第一检测端口1682c来检测金属颗粒。
此后，如图10中所示，通过将检查装置1684连接至在第一阀1621下游最靠近第一阀1621的第二检测端口1682d来检测金属颗粒。基于从第一检测端口1682c检测到的第一检测值和从第二检测端口1682d检测到的第二检测值确定第一阀1621是否有缺陷。当确定第一阀1621有缺陷时，终止检查并更换第一阀1621。当确定第一阀1621良好时，将第一加热器1622(其是在第一阀1621下游最靠近第一阀1621的部件)选择作为被检查部件。
如图11中所示，通过将检查装置1684与在第一加热器1622下游最靠近第一加热器1622的第三检测端口1682e连接来检测金属颗粒。为了确定第一阀1621的缺陷性，基于从第二检测端口1682d检测到的第二检测值和从第三检测端口1682e检测到的第三检测值来确定第一加热器1622是否有缺陷。当确定第一加热器1622有缺陷时，停止检查并更换第一加热器1622。当确定第一加热器1622良好时，将安装在第一流速选择管线1440a中的第二阀1623a选择作为被检查部件。
此后，如图12所示，通过将检查装置1684连接至在第二阀1623a下游最靠近第二阀1623a的第四检测端口1682f来检测金属颗粒。为了确定第一加热器1622的缺陷性，基于从第三检测端口1682e检测到的第三检测值和从第四检测端口1682f检测到的第四检测值来确定第二阀1623a是否有缺陷。对安装在流体供应管线1400中的所有部件1620依次执行上述过程。
在其中确定基板由于金属颗粒而有缺陷并且在检查基板的过程中执行上述缺陷检查的情况下，当确定安装在流体供应管线1400中的所有部件1620都良好时，确定在用于处理基板的管线或外壳中产生了金属颗粒，并更换连接部件1620的连接管线2420或外壳。
图13是示意性地示出了图5的流体供应单元的另一示例性实施方式的图。
参考图13，在流体供应管线2400中相邻的部件2620通过连接管线2420连接。每个连接管线2420设置有两个检测端口2682。作为检测端口2682之一的第一检测端口2682a与设置在上游的部件2620相邻定位，作为另一个检测端口的第二检测端口2682b与设置在下游的部件2620相邻。当从连接管线2420释放金属异物时，图13的液体供应单元2000可以检测从多个连接管线2420之中的哪个连接管线2420释放了金属异物。
图14和图15是示出了检测是否从连接相邻部件的连接管线释放金属异物的过程的图。在图14和图15中，内部灌注的阀处于关闭状态，内部为空的阀处于打开状态。此外，检测端口的内部灌注的一端处于关闭状态，检测端口的内部为空的一端处于打开状态。在下文中，将用于执行检查的连接管线2420称为被检查管线2420a。
首先，将检查装置2684的联接端口与第一检测端口2682a连接，并将第二检测端口2682b用盖2683封闭。在位于第二检测端口2682b下游的阀之中，将最靠近第二检测端口2682b的阀2620d关闭。此后，将检查用流体从供应罐2200供应至流体供应管线2400。将检查用流体中的一些通过第一检测端口2682a引入检测器2684的测量单元2684a中，测量单元2684a检测金属颗粒。此后，将第一检测端口2682a用盖2683封闭，并将测试装置2684的联接端口2684c连接至第二检测端口2682b。将检查用流体的一部分通过第二检测端口2682b引入测量单元2684a中，测量单元2684a检测检查用流体中的金属颗粒。基于通过第一检测端口2682a检测到的第一检测值和通过第二检测端口2682b检测到的第二检测值来确定被检查管线2420a是否有缺陷。
根据示例，被检查管线2420a的检查顺序可以通过以下方法确定。
在连接管线2420之中，将最靠近供应罐2200的连接管线2420选择作为第一被检查管线以检查是否存在缺陷。当确定第一被检查管线有缺陷时，停止检查并用新的连接管线2420替换第一被检查管线。当确定第一被检查管线良好时，将沿流体供应管线2400下游方向最靠近第一被检查管线的连接管线2420选择作为第二被检查管线，以检查第二被检查管线是否有缺陷。对于设置于流体供应管线2400的所有连接管线2420重复上述过程，直到在连接管线2420之中找到被确定为有缺陷的连接管线2420。
可选地，通过将连接管线2420和部件2620组合，可以按照与供应罐2200相邻的顺序通过选择连接管线2420和部件2620中的任何一个来依次执行检查。例如，在图13的情况下，可以按照从连接供应罐2200和第一阀2621的第一连接管线2420、第一阀2621、连接第一阀2521和第一加热器2622的第二连接管线以及第一加热器2622的顺序确定检查用目标。
在下文中，将描述通过使用上述基板处理装置处理基板的方法。基板处理方法包括基板处理操作和检测操作。一旦将基板装载到干燥室的主体中，就执行基板处理操作。在基板处理操作中，通过经由流体供应管线将超临界流体供应至处理空间来处理基板。此后，当满足关于安装在流体供应管线中的部件之中是否存在释放金属异物的缺陷部件的检测条件时，执行检测操作。在基板处理操作之后，执行检查是否有金属颗粒残留在基板上的检查操作，并且当残留在基板上的金属颗粒超过检查操作中的设定值时，可以设定为满足检测条件。可选地，检测条件可以是基板处理装置用于处理基板的时间量或由基板处理装置处理的基板的数量。
在检测操作中，检测是否从安装在流体供应管线1400中的部件1620之中的包含金属的部件1620中释放金属颗粒。检测操作包括第一部件检查操作和第二部件检查操作。
在第一部件检查操作中，检测是否从第一部件释放金属颗粒。第一部件检查操作包括第一检测操作、第二检测操作和第一确定操作。在第一检测操作中，将检测装置与在第一部件上游安装在流体供应管线中的第一检测端口连接，并且在通过第一部件之前从检查用流体中检测金属颗粒以获得第一检测值。在第二检测操作中，将检测装置与在第一部件下游安装在流体供应管线中的第二检测端口连接，并在通过第一部件后从检查用流体中检测金属颗粒以获得第二检测值。在第一判断操作中，基于第一检测值和第二检测值确定第一部件是否有缺陷。
如果在第一部件检查操作中确定第一部件是良好产品，则执行第二部件检查操作。
第二部件检查操作检测是否从第二部件释放金属颗粒。第二部件检查操作包括第三检测操作、第四检测操作和第二确定操作。在第三检测操作中，将检查装置与安装在流体供应管线中的检测端口之中的在第二部件上游安装在流体供应管线中的第三检测端口连接，并且在通过第二部件之前从检查用流体中检测金属颗粒以获得第三检测值。在第四检测操作中，将检查装置与安装在流体供应管线中安装的检测端口之中的在第二部件的下游安装在流体供应管线中的第四检测端口连接，并且在通过第二部件之后从检查用流体中检测金属颗粒以获得第四检测值。在第二确定操作中，基于第三检测值和第四检测值确定第二部件是否有缺陷。
当第二部件在流体供应管线中布置在第一部件下游，并且在第一部件和第二部件之间没有设置其他部件时，可以如下执行第二部件检查操作。第二部件检查操作包括第三检测操作和第二确定操作。在第三检测操作中，将检查装置与安装在流体供应管线中的检测端口之中的在第二部件下游安装在流体供应管线中的第三检测端口连接，并且在通过第二部件后从检查用流体中检测金属颗粒以获得第三检测值。在第二判断操作中，基于第二检测值和第三检测值判断第二部件是否有缺陷。
前面的详细描述对本发明进行了说明。另外，以上内容说明和描述了本发明的示例性实施方式，并且本发明可以在各种其他组合、修改和环境中使用。即，在本说明书所公开的发明构思的范围、与本公开内容等同的范围和/或本领域的技术或知识的范围内，可以对上述内容进行修改或修正。前述示例性实施方式描述了用于实现本发明的技术精神的最佳状态，并且在本发明的特定应用领域和使用中所需的各种改变是可能的。因此，以上对本发明的详细描述并非旨在将本发明限制于所公开的示例性实施方式。另外，所附权利要求应被解释为也包括其他示例性实施方式。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，包括：
腔室，所述腔室具有处理基板的处理空间；和
流体供应单元，所述流体供应单元向所述处理空间供应处理流体，
其中所述流体供应单元包括：
供应罐，在所述供应罐中储存所述处理流体；
流体供应管线，所述流体供应管线连接所述供应罐和所述腔室并将所述处理流体从所述供应罐供应至所述腔室；
多个部件，所述多个部件安装在所述流体供应管线中；和
检测构件，所述检测构件检测是否从所述部件中释放金属颗粒，并且
所述检测构件包括：
上游检测端口，所述上游检测端口在作为所述多个部件之一的第一部件的上游连接至所述流体供应管线；
下游检测端口，所述下游检测端口在所述第一部件的下游连接至所述流体供应管线；和
检测器，所述检测器被设置为联接至所述上游检测端口和所述下游检测端口之间的选定检测端口，并检测从所述流体供应管线流经所述检测端口的流体中的金属颗粒。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述多个部件还包括设置在所述第一部件下游的一个或多个部件中的与所述第一部件相邻的第二部件，并且
所述下游检测端口连接至所述第一部件和所述第二部件之间的所述流体供应管线。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述多个部件还包括设置在所述第一部件上游的一个或多个部件中的与所述第一部件相邻的第二部件，并且
所述上游检测端口连接至所述第一部件和所述第二部件之间的所述流体供应管线。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中在所述第一部件与所述上游检测端口之间以及在所述第一部件与所述下游检测端口之间没有设置其他部件。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其中所述部件包括阀、泵、过滤器或节流孔。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其中在所述部件中，暴露于流体所流经的通道的表面包含金属，或在所述部件中，金属表面涂覆有除金属之外的材料。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中所述腔室包括高压容器，并且所述流体是超临界流体。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其中所述检测器被可拆卸地设置于所述上游检测端口和所述下游检测端口，并且
所述上游检测端口和所述下游检测端口各自具有在检测器分离的状态下封闭其端部的盖。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中对于安装在所述流体供应管线中的每个部件设置所述上游检测端口和所述下游检测端口。
10.一种基板处理装置，包括：
腔室，所述腔室具有处理基板的处理空间；和
流体供应单元，所述流体供应单元向所述处理空间供应超临界流体，
其中所述流体供应单元包括：
供应罐，在所述供应罐中储存所述处理流体；
流体供应管线，所述流体供应管线连接所述供应罐和所述腔室并将所述处理流体从所述供应罐供应至所述腔室；
多个部件，所述多个部件安装在所述流体供应管线中并由包含金属的材料制成；和
检测构件，所述检测构件检测是否从所述部件中释放金属颗粒，并且
所述检测构件包括：
上游检测端口，所述上游检测端口在作为所述多个部件之一的第一部件的上游连接至所述流体供应管线；
下游检测端口，所述下游检测端口在所述第一部件的下游连接至所述流体供应管线；和
检测器，所述检测器被设置为联接至所述上游检测端口和所述下游检测端口之间的选定检测端口，并检测从所述流体供应管线流经所述检测端口的流体中的金属颗粒，并且
在所述上游检测端口与所述第一部件之间、以及在所述第一部件与所述下游检测端口之间不安装其他部件。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中所述部件包括阀、泵、过滤器或节流孔。
12.根据权利要求10或11所述的基板处理装置，其中所述检测器被可拆卸地设置于所述上游检测端口和所述下游检测端口，并且
所述上游检测端口和所述下游检测端口各自具有在检测器分离的状态下封闭其端部的盖。
13.一种基板处理方法，包括：
基板处理操作：通过经由流体供应管线将流体供应至其中装载基板的处理空间中来处理所述基板；和
检测操作：检测是否从安装在所述流体供应管线中的部件之中的含有金属的部件中释放金属颗粒，
其中所述检测操作包括检测是否从作为安装在所述流体供应管线中的所述部件之一的第一部件中释放金属颗粒的第一部件检查操作，并且
所述第一部件检查操作包括：
第一检测操作：经由与在所述第一部件上游安装在所述流体供应管线中的第一检测端口连接的检查装置，通过在通过所述第一部件之前检测检查用流体中的金属颗粒，从而获得第一检测值；
第二检测操作：经由与在所述第一部件下游安装在所述流体供应管线中的第二检测端口连接的检查装置，在通过所述第一部件之后检测检查用流体中的金属颗粒，从而获得第二检测值；和
第一确定操作：基于所述第一检测值和所述第二检测值确定所述第一部件是否有缺陷。
14.根据权利要求13所述的基板处理方法，其中所述检测操作还包括当在所述第一部件检查操作中确定所述第一部件为良好时进行的第二部件检查操作：检测是否从所述多个部件之中的与所述第一部件不同的第二部件中释放金属颗粒，
其中所述第二部件检查操作包括：
第三检测操作：经由与安装在所述流体供应管线中的检测端口之中的在所述第二部件上游安装在所述流体供应管线中的第三检测端口连接的检查装置，通过在通过所述第二部件之前检测检查用流体中的金属颗粒，获得第三检测值；
第四检测操作：经由与安装在所述流体供应管线中的检测端口之中的在所述第二部件下游安装在所述流体供应管线中的第四检测端口连接的检测装置，在通过所述第二部件之后检测检查用流体中的金属颗粒，获得第四检测值；和
第二确定操作：基于所述第三检测值和所述第四检测值确定所述第二部件是否有缺陷。
15.根据权利要求13所述的基板处理方法，其中所述检测操作包括当在所述第一部件检查操作中确定所述第一部件为良好时进行的第二部件检查操作：检测是否从所述多个部件之中的与所述第一部件不同的第二部件中释放金属颗粒，
所述第二部件在所述第一部件下游设置在所述流体供应管线中，
在所述第一部件和所述第二部件之间没有设置其他部件，并且
所述第二部件检查操作包括：
第三检测操作：经由与安装在所述流体供应管线中的检测端口之中的在所述第二部件下游安装在所述流体供应管线中的第三检测端口连接的检测装置，在通过所述第二部件之后检测检查用流体中的金属颗粒，获得第三检测值；和
第二确定操作：基于所述第二检测值和所述第三检测值确定所述第二部件是否有缺陷。
16.根据权利要求13所述的基板处理方法，其中所述检查装置被设置为与所述检测端口中的每一个联接，并且
在所述检测端口之中，未联接所述检测装置的检测端口的端部被盖封闭。
17.根据权利要求13至16中任一项所述的基板处理方法，其中所述流体供应管线将流体从供应罐供应至所述处理空间，并且
所述第一部件是在所述含有金属的部件之中最靠近所述供应罐设置的部件。
18.根据权利要求13至16中任一项所述的基板处理方法，其中所述流体是超临界流体。
19.根据权利要求18所述的基板处理方法，其中对所述基板的所述处理是通过使用所述超临界流体干燥所述基板的处理。
20.根据权利要求13所述的基板处理方法，还包括：
在所述基板处理操作之后，检查金属颗粒是否残留在所述基板上的检查操作，
其中在所述检查操作中当所述金属颗粒在所述基板上残留达设定值或更多时，执行所述检测操作。
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SE8005872L (sv) * 1980-08-21 1982-02-22 Camfil Ab Forfarande och anordning for testning av filter
US7092077B2 (en) * 2001-09-24 2006-08-15 Entegris, Inc. System and method for monitoring contamination
WO2003062816A1 (en) * 2002-01-22 2003-07-31 Praxair Technology, Inc. Method for analyzing impurities in carbon dioxide
US6936086B2 (en) * 2002-09-11 2005-08-30 Planar Systems, Inc. High conductivity particle filter
JP5599249B2 (ja) * 2010-07-21 2014-10-01 オルガノ株式会社 流体中の微粒子検出装置及び検出方法
KR102103508B1 (ko) * 2018-12-28 2020-04-23 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP7312656B2 (ja) * 2019-09-24 2023-07-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

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