JP7474292B2 - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法及び基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7474292B2 JP7474292B2 JP2022135308A JP2022135308A JP7474292B2 JP 7474292 B2 JP7474292 B2 JP 7474292B2 JP 2022135308 A JP2022135308 A JP 2022135308A JP 2022135308 A JP2022135308 A JP 2022135308A JP 7474292 B2 JP7474292 B2 JP 7474292B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detection
- fluid
- fluid supply
- supply line
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 148
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 99
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 247
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 228
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 133
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 46
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 46
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 32
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 71
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 15
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02101—Cleaning only involving supercritical fluids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
Description
520 ボディー
1000 流体供給ユニット
1200 供給タンク
1400 流体供給ライン
1620 部品
1680 検出部材
1682 検出ポート
1684 検出器
Claims (14)
- 基板を処理する装置において、
基板を処理する処理空間を有するチャンバと、そして
前記処理空間で処理流体を供給する流体供給ユニットを含み、
前記流体供給ユニットは、
前記処理流体が貯蔵された供給タンクと、
前記供給タンクと前記チャンバを連結し、前記供給タンクから前記チャンバに前記処理流体を供給する流体供給ラインと、
前記流体供給ラインに設置された複数の部品と、そして
前記部品で金属粒子が放出されるかの如何を検出する検出部材を含み、
前記検出部材は、
前記複数の部品のうちで前記供給タンクに最も隣接するように配置された部品である第1部品より上流で前記流体供給ラインに連結された上流検出ポートと、
前記複数の部品のうちの隣接する部品の間、及び前記流体供給ラインの最も下流側に設置された部品の下流で前記流体供給ラインに連結された下流検出ポートと、
前記上流検出ポートと前記下流検出ポートのうちで選択された検出ポートに脱着可能になるように提供され、前記流体供給ラインから前記選択された検出ポートを通じて流れる流体から金属粒子を検出する検出器
を具備し、
前記第1部品と前記上流検出ポートとの間、及び前記複数の部品と前記下流検出ポートとの間に他の部品は提供されないことを特徴とする基板処理装置。 - 前記部品はバルブ、ポンプ、フィルター、またはオリフィスを含むことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記部品で前記流体供給ラインを流れる通路に露出された面は金属を含むか、または前記部品で金属面が金属以外の材質でコーティングされる請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記チャンバは高圧容器を含み、
前記流体は超臨界流体であることを特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。 - 前記上流検出ポート及び前記下流検出ポートは、それぞれ前記検出器が分離された状態でその末端を塞ぐ覆いを具備することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記流体供給ラインに設置されたそれぞれの部品に対して、前記上流検出ポートと前記下流検出ポートがそれぞれ提供されることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 基板を処理する装置において、
基板を処理する処理空間を有するチャンバと、そして
前記処理空間に超臨界流体を供給する流体供給ユニットを含み、
前記流体供給ユニットは、
前記超臨界流体が貯蔵された供給タンクと、
前記供給タンクと前記チャンバを連結し、前記供給タンクから前記チャンバに前記超臨界流体を供給する流体供給ラインと、
前記流体供給ラインに設置され、金属を含む材質で提供される複数の部品と、そして
前記部品で金属粒子が放出されるかの如何を検出する検出部材を含み、
前記検出部材は、
前記複数の部品のうちで前記供給タンクに最も隣接するように配置された部品である第1部品より上流で前記流体供給ラインに連結された上流検出ポートと、
前記流体供給ラインに設置された隣接する前記複数の部品の間、及び前記流体供給ラインの最も下流側に設置された部品の下流で前記流体供給ラインに連結された下流検出ポートと、
前記上流検出ポートと前記下流検出ポートのうちで選択された検出ポートに脱着可能になるように提供され、前記流体供給ラインから前記選択された検出ポートを通じて流れる流体から金属粒子を検出する検出器を具備し、
前記上流検出ポートと前記第1部品との間、及び前記複数の部品と前記下流検出ポートとの間に他の部品は設置されないことを特徴とする基板処理装置。 - 前記部品はバルブ、ポンプ、フィルター、またはオリフィスを含むことを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置
- 前記上流検出ポート及び前記下流検出ポートは、それぞれ前記検出器が分離された状態でその末端を塞ぐ覆いを具備することを特徴とする請求項7または請求項8に記載の基板処理装置。
- 基板を処理する方法において、
供給タンクから処理空間に流体を供給する流体供給ラインを通じて、基板が搬入された処理空間内に流体を供給して基板を処理する基板処理段階と、そして
前記流体供給ラインに設置された複数の部品のうちで金属を含む部品で金属粒子が放出されるかの如何を検出する検出段階を含み、
前記検出段階は、
前記流体供給ラインに設置された前記複数の部品のうち前記供給タンクに最も隣接するように配置された部品である第1部品から前記金属粒子が放出されるかの如何を検出する第1部品検査段階と、
前記第1部品検査段階で前記第1部品が良品と判定されれば、前記複数の部品のうち前記第1部品とは異なる第2部品から前記金属粒子が放出されるかの如何を検出する第2部品検査段階
を含み、
前記第1部品検査段階は、
前記流体供給ラインに設置された複数の検出ポートのうちで前記第1部品より上流で前記流体供給ラインに設置された第1検出ポートと連結された検査機によって前記第1部品を通過する前の検査用流体から金属粒子を検出して第1検出値を獲得する第1検出段階と、
前記流体供給ラインに設置された前記複数の検出ポートのうちで前記第1部品より下流で前記流体供給ラインに設置された第2検出ポートと連結された検査機によって前記第1部品を通過した後の検査用流体から金属粒子を検出して第2検出値を獲得する第2検出段階と、そして
前記第1検出値と前記第2検出値から前記第1部品の不良如何を判定する第1判定段階
を含み、
前記第2部品は、前記第1部品及び前記第2検出ポートより下流で前記流体供給ラインに配置され、
前記第2部品検査段階は、
前記流体供給ラインに設置された複数の検出ポートのうちで前記第2部品より下流で前記流体供給ラインに設置された第3検出ポートと連結された検査機によって前記第2部品を通過した後の検査用流体から金属粒子を検出して第3検出値を獲得する第3検出段階と、
前記流体供給ラインに設置された複数の検出ポートのうちで前記第2検出値と前記第3検出値から前記第2部品の不良如何を判定する第2判定段階を含み、
前記第1検出ポートと前記第1部品の間、前記第1部品と前記第2部品との間、前記第2部品と前記第3検出ポートとの間に他の部品は提供されない
ことを特徴とする基板処理方法。 - 前記検査機は、前記複数の検出ポートのそれぞれに対して脱着可能に提供され、
前記複数の検出ポートのうちで前記検査機が結合されない検出ポートは、覆いによってその末端が塞がれることを特徴とする請求項10に記載の基板処理方法。 - 前記流体は超臨界流体であることを特徴とする請求項10乃至請求項11のうちで何れか一つに記載の基板処理方法。
- 前記基板の処理は超臨界流体を利用して基板を乾燥する処理であることを特徴とする請求項12に記載の基板処理方法。
- 前記基板処理段階以後に、前記基板上に金属粒子が残留するかの如何を検査する検査段階を含み、
前記検査段階で前記基板上に金属粒子が設定値以上に残留する場合、前記検出段階を遂行することを特徴とする請求項10に記載の基板処理方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2021-0121482 | 2021-09-13 | ||
KR1020210121482A KR20230038866A (ko) | 2021-09-13 | 2021-09-13 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023041631A JP2023041631A (ja) | 2023-03-24 |
JP7474292B2 true JP7474292B2 (ja) | 2024-04-24 |
Family
ID=85479383
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022135308A Active JP7474292B2 (ja) | 2021-09-13 | 2022-08-26 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230081833A1 (ja) |
JP (1) | JP7474292B2 (ja) |
KR (1) | KR20230038866A (ja) |
CN (1) | CN115810532A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102103508B1 (ko) | 2018-12-28 | 2020-04-23 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
JP2021052038A (ja) | 2019-09-24 | 2021-04-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE8005872L (sv) * | 1980-08-21 | 1982-02-22 | Camfil Ab | Forfarande och anordning for testning av filter |
US7092077B2 (en) * | 2001-09-24 | 2006-08-15 | Entegris, Inc. | System and method for monitoring contamination |
CN1643376A (zh) * | 2002-01-22 | 2005-07-20 | 普莱克斯技术有限公司 | 分析二氧化碳中杂质的方法 |
US6936086B2 (en) * | 2002-09-11 | 2005-08-30 | Planar Systems, Inc. | High conductivity particle filter |
JP5599249B2 (ja) * | 2010-07-21 | 2014-10-01 | オルガノ株式会社 | 流体中の微粒子検出装置及び検出方法 |
-
2021
- 2021-09-13 KR KR1020210121482A patent/KR20230038866A/ko not_active Application Discontinuation
-
2022
- 2022-08-22 US US17/892,214 patent/US20230081833A1/en active Pending
- 2022-08-26 JP JP2022135308A patent/JP7474292B2/ja active Active
- 2022-09-13 CN CN202211110770.2A patent/CN115810532A/zh active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102103508B1 (ko) | 2018-12-28 | 2020-04-23 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
JP2021052038A (ja) | 2019-09-24 | 2021-04-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115810532A (zh) | 2023-03-17 |
US20230081833A1 (en) | 2023-03-16 |
JP2023041631A (ja) | 2023-03-24 |
KR20230038866A (ko) | 2023-03-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5030767B2 (ja) | 基板処理装置、および基板処理装置の異常処理方法 | |
JP6788542B2 (ja) | 基板液処理装置 | |
JP6700000B2 (ja) | フープロードポート装置 | |
JP6856699B2 (ja) | 容器の乾燥及び分析試験のためのシステム及び方法 | |
JP7474292B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
KR102375624B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 약액 검사 방법 | |
KR102120493B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리장치의 오링 세정방법 | |
KR102662724B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR102103508B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
JP2021015971A (ja) | 流体供給ユニット及びこれを有する基板処理装置 | |
KR102606809B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 농도 측정 장치 | |
JP6895295B2 (ja) | 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 | |
US20070181147A1 (en) | Processing-fluid flow measuring method | |
US20240178023A1 (en) | Process detecting unit, substrate processing apparatus and substrate process monitoring method | |
KR102250369B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP7487006B2 (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理方法 | |
JP7492573B2 (ja) | 薬液供給装置及び方法、そして、基板処理装置 | |
JP3629535B2 (ja) | 蛍光x線分析用試料前処理装置およびそれを備えた蛍光x線分析システム | |
US20230184574A1 (en) | Apparatus and method of supplying chemical liquid and substrate treating apparatus | |
US20240118216A1 (en) | Chemical test apparatus and substrate processing apparatus | |
KR20230172370A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR20230165513A (ko) | 기판 무게 측정 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 | |
JP2023183383A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR20230034458A (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR20220132084A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220826 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230925 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231003 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231228 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240326 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240412 |