JP7492573B2 - 薬液供給装置及び方法、そして、基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関するものである。

一般に、平板表示素子製造や半導体製造工程で硝子基板やウェハーを処理する工程には減光液塗布工程（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｃｏａｔｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）、現像工程（ｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）、蝕刻工程（ｅｔｃｈｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）、アッシング工程（ａｓｈｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）など多様な工程が遂行される。各工程には基板に付着された各種汚染物を除去するため、薬液（ｃｈｅｍｉｃａｌ）または純水（ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ ｗａｔｅｒ）を利用した洗浄工程（ｗｅｔ ｃｌｅａｎｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）と基板表面に残留する薬液または純水を乾燥させるための乾燥（ｄｒｙｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）工程が遂行される。

最近には、リン酸のような高温で使用されるケミカルを利用してシリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を選択的に除去する蝕刻工程を進行している。高温のケミカルを利用した基板処理工程はケミカル処理段階、リンス処理段階、そして、乾燥処理段階が順次に遂行される。ケミカル処理段階には基板上に形成された薄膜を蝕刻処理するか、または基板上の異物を除去するためのケミカルを基板に供給し、リンス処理段階には基板上に純水のようなリンス液が供給される。

このように、基板処理装置には多様な液状の化学薬品（以下、薬液と通称する。）を供給して循環させる薬液供給装置が設置される。薬液供給装置はポンプなどを利用して薬液を貯蔵する薬液タンクから薬液を基板処理部に供給して、使用された薬液を再び薬液タンクに回収する構造を有するようになる。薬液タンクは大部分基板処理装置の設備フレームの下部に位置するようになる。

一般に、薬液タンク内に貯蔵された薬液の水位レベル（Ｌｅｖｅｌ）を測定するために多様な種類のセンサー（Ｓｅｎｓｏｒ）を使用することができるが、センサーを利用して水位レベルを測定する方法は、測定対象との接触如何によって接触式測定方法と非接触式測定方法に区分されうる。

接触式測定方式は有毒性や腐食性が強い特定薬液の場合センサーの露出部分が腐食されて不純物が薬液に吸収されて純度を落とすようになって、薬液の有害成分が露出されて安全性に問題が発生することがある。

したがって、有毒性や腐食性が強い特定薬液の場合、薬液と接触がなしに薬液の水位レベルを測定することができる非接触式測定方法を使わなければならない。

図１０は、非接触式レベル測定装置を示す図面である。

図１０に示されたように、非接触式レベル測定装置１０００は薬液タンク１００１の上部と下部を連結するレベルチューブ１００２上の適切な位置に多数個のレベルセンサー１００３を設置して位置別に薬液の有無を検出する。しかし、このような方式ではレベルチューブ１００２内の薬液が停滞する現象が発生しうる。レベルチューブ１００２内の停滞された薬液は基板処理時パーティクルソースの原因になる。

このようなレベルチューブ１００２内の停滞された薬液を除去するために一定時間ごとにタンクドレインに薬液をすべてドレインするオールドレイン（ａｌｌ ｄｒａｉｎ）工程を遂行しなければならないために薬液廃棄で消耗量が増加する原因になっている。

韓国特許公開第１０－２０１２－００４２５１４号公報

本発明は、レベルチューブ内の停滞された薬液を除去することができる薬液供給装置及び方法、ならびに基板処理装置を提供することを一目的とする。

本発明は、薬液廃棄量を最小化することができる薬液供給装置及び方法、ならびに基板処理装置を提供することを一目的とする。

本発明の目的はこれに制限されないし、言及されなかったまた他の目的は下の記載から当業者が明確に理解することができるであろう。

本発明の一側面によれば、薬液が貯蔵される貯蔵タンクと、前記貯蔵タンクに貯蔵された薬液が排出される排出ラインと、前記貯蔵タンク内の薬液水位を確認できるように前記貯蔵タンクと連結されて前記貯蔵タンクの薬液と等しい水位の薬液が収容されるレベルチューブと、前記排出ラインに設置された第１バルブを制御する制御部とを含み、前記レベルチューブは一端が前記貯蔵タンクの上部空間と連結されて他端が前記排出ラインと連結される薬液供給装置が提供されうる。

また、前記制御部は前記第１バルブを既設定された時間の間に開放して前記レベルチューブ内の停滞された薬液が前記排出ラインを通じて排出されるように停滞薬液ドレインモードを遂行することができる。

また、前記レベルチューブでパージガスを供給するパージガス供給ラインをさらに含むことができる。

また、前記パージガス供給ラインは前記停滞薬液ドレインモードで前記レベリングライン内の薬液を加圧するようにパージガスを供給することができる。

また、前記レベルチューブは垂直で延長されたレベリングラインと、前記レベリングラインの上端と前記貯蔵タンクの上部空間を連結する第１上部ラインと、前記レベリングラインの下端と前記排出ラインを連結する第２下部ラインとを含むことができる。

また、前記第１上部ラインと前記レベリングラインの連結部分に連結されて前記レベリングラインにパージガスを供給するパージガス供給ラインをさらに含むことができる。

また、前記第１上部ライン上に設置される第２バルブをさらに含み、前記制御部は前記停滞薬液ドレインモードで前記パージガス供給ラインを通じて供給されるパージガスが前記レベリングラインだけに提供されるように前記第２バルブを制御することができる。

また、第３バルブが設置された分岐ラインをさらに含み、前記分岐ラインは、前記レベリングラインの所定高さから分岐されて前記排出ラインに連結され前記制御部は前記薬液ドレインモード時前記第３バルブをオープンして前記レベリングラインの所定高さ以上にある薬液をドレインさせることができる。

また、前記貯蔵タンクの上部カバーに設置される排気ラインをさらに含み、前記第１上部ラインは前記排気ラインに連結されうる。

本発明の他の側面によれば、貯蔵タンクと連通されて前記貯蔵タンクの一側に位置するレベルチューブと、前記レベルチューブの一側に位置するレベルセンサーらによって薬液のレベルを測定して薬液を供給する方法において、前記貯蔵タンクに貯蔵された薬液を、薬液供給ラインを通じて供給すると、一定周期ごとに前記レベルチューブ内の停滞された薬液をドレインする薬液ドレイン段階を含んで、前記薬液ドレイン段階は前記レベルチューブの下端が前記貯蔵タンクの排出ラインに連結されて前記貯蔵タンクの薬液が排出される時前記レベルチューブ内の停滞された薬液がともにドレインされる薬液供給方法が提供されうる。

また、前記薬液ドレイン段階で前記レベルチューブ内の停滞された薬液をパージガスで加圧しうる。

また、前記薬液ドレイン段階でパージガスが前記レベルチューブだけに提供されるように前記レベルチューブの上部ラインに設置されたバルブをオフさせうる。
また、前記薬液ドレイン段階で前記レベルチューブ内の停滞された薬液は、前記レベルチューブ内の設定された水位前までにドレインされうる。

本発明の他の側面によれば、薬液で基板を処理する処理部と、薬液を前記処理部に供給する薬液供給部を含み、前記薬液供給部は薬液が貯蔵される貯蔵タンクと、前記貯蔵タンクに連結されて前記貯蔵タンク内の薬液を循環させる循環ラインと、前記循環ラインに設置されるポンプと、前記循環ラインから分岐されて薬液供給ラインと、前記貯蔵タンクに貯蔵された薬液が排出される排出ラインと、前記貯蔵タンク内の薬液水位を確認できるように前記貯蔵タンクと連結されて前記貯蔵タンクの薬液と等しい水位の薬液が収容されるレベルチューブと、前記排出ラインに設置された第１バルブを制御する制御部とを含み、前記レベルチューブは一端が前記貯蔵タンクの上部空間と連結されて他端が前記排出ラインと連結される基板処理設備が提供されうる。

また、前記制御部は前記第１バルブを既設定された時間の間に開放して前記レベルチューブ内の停滞された薬液が前記排出ラインを通じて排出されるように停滞薬液ドレインモードを遂行し、前記停滞薬液ドレインモードが進行中にも前記循環ラインを通じた薬液循環がなされるように前記ポンプを制御することができる。

また、前記制御部は前記レベルチューブにパージガスを供給するパージガス供給ラインをさらに含むが、前記パージガス供給ラインは前記停滞薬液ドレインモードで前記レベリングライン内の薬液を加圧するようにパージガスを供給することができる。

また、前記レベルチューブは垂直で延長されたレベリングラインと、前記レベリングラインの上端と前記貯蔵タンクの上部空間を連結する第１上部ラインと、及び前記レベリングラインの下端と前記排出ラインを連結する第２下部ラインを含むことができる。

また、前記第１上部ラインと前記レベリングラインの連結部分に連結されて前記レベリングラインにパージガスを供給するパージガス供給ラインをさらに含むことができる。

また、前記第１上部ライン上に設置される第２バルブをさらに含み、前記制御部は前記停滞薬液ドレインモードで前記パージガス供給ラインを通じて供給されるパージガスが前記レベリングラインだけに提供されるように前記第２バルブを制御することができる。

また、第３バルブが設置された分岐ラインをさらに含む。分岐ラインは、前記レベリングラインの所定高さから分岐されて前記排出ラインに連結される。前記制御部は、前記薬液ドレインモード時前記第３バルブをオープンして前記レベリングラインの所定高さ以上にある薬液をドレインさせることができる。

本発明の一実施形態によれば、循環ラインのポンプ止め動作なしにレベルチューブ内の停滞した薬液を除去することができる。

本発明の一実施形態によれば、薬液廃棄量を最小化することができる。

本発明の一実施形態によれば、薬液を効率的に管理することができる。

本発明の効果が上述した効果に限定されるものではなくて、言及されない効果らは本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解することができるであろう。

本発明の一実施例による基板処理装置が提供された基板処理設備を概略的に示した平面図である。 図１の基板処理装置の平面図である。 図１の基板処理装置の断面図である。 図３に示された薬液供給ユニットを説明するための図である。 図４に示された薬液供給ユニットの主要構成を説明するための図である。 図５の薬液供給ユニットでレベルチューブの薬液がドレインされる過程を示す図である。 薬液供給ユニットの第１変形例を示す図である。 図７の薬液供給ユニットでレベルチューブの薬液がドレイン（排出）される過程を示す図である。 薬液供給ユニットの第２変形例を示す図である。 従来貯蔵タンクのレベル測定装置を示す図である。

以下では添付した図面を参照にして本発明の実施形態に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明はいろいろ異なる形態で具現することができるし、ここで説明する実施例で限定されない。また、本発明の望ましい実施例を詳細に説明するにおいて、関連される公知機能または構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要にわかりにくくすることがあると判断される場合にはその詳細な説明を略する。また、類似機能及び作用をする部分に対しては図面全体にかけて等しい符号を使用する。

ある構成要素を「包含」するということは、特別に反対される記載がない限り他の構成要素を除くことではなく、他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。具体的に，「含む」または「有する」などの用語は明細書上に記載した特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることであって、一つまたはその以上の他の特徴らや数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものなどの存在または付加可能性をあらかじめ排除しないものとして理解されなければならない。

単数の表現は文脈上明白に異なるように指向しない限り、複数表現を含む。また、図面で要素らの形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。

第１、第２などの用語は多様な複数の構成要素を説明するのに使用することができるが、前記複数の構成要素は前記用語によって限定されてはならない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的で使用することができる。例えば、本発明の権利範囲から離脱されないまま第１構成要素は第２構成要素で名づけることができるし、類似する第２構成要素も第１構成要素と名づけることができる。

ある構成要素が異なる構成要素に「連結されて」いるか、または「接続されて」いると言及された時には、その他の構成要素に直接的に連結されているか、または接続されていることもあるが、中間に他の構成要素が存在することもあると理解されなければならないであろう。反対に、ある構成要素が異なる構成要素に「直接連結されて」いるか、または「直接接続されて」いると言及した時には、中間に他の構成要素が存在しないことで理解されなければならないであろう。複数の構成要素との関係を説明する他の表現、すなわち「～間に」と「すぐ～間に」または「～に隣合う」と「～に直接隣合う」なども同じように解釈されなければならない。

異なるように定義されない限り、技術的であるか科学的な用語を含んでここで使用されるすべての用語は、本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者によって一般的に理解されることと等しい意味である。一般に使用される前もって定義されているもののような用語は、関連技術の文脈上有する意味と一致する意味であることで解釈されなければならないし、本出願で明白に定義しない限り、理想的や過度に形式的な意味で解釈されない。

以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を示して説明するものであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、開示内容と均等な範囲及び／または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。示された実施例は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明するものであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むことで解釈されなければならない。

図１は、本発明の基板処理設備１を概略的に示した平面図である。

図１を参照すれば、基板処理設備１はインデックスモジュール１０００と工程処理モジュール２０００を含む。インデックスモジュール１０００は、ロードポート１２００及び移送フレーム１４００を含む。ロードポート１２００、移送フレーム１４００、および、工程処理モジュール２０００は順次に一列に配列される。以下、ロードポート１２００、移送フレーム１４００、および、工程処理モジュール２０００が配列された方向を第１方向１２という。そして、上部から視た時、第１方向１２と垂直な方向を第２方向１４といって、第１方向１２と第２方向１４を含んだ平面に垂直である方向を第３方向１６という。

ロードポート１２００には基板（Ｗ）が収納されたキャリア１３００が安着される。ロードポート１２００は複数個提供され、これらは第２方向１４に沿って一列に配置される。図１では四つのロードポート１２００が提供される場合について示した。しかし、ロードポート１２００の個数は工程処理モジュール２０００の工程効率及びフットプリントなどの条件によって増加するか、または減少することもある。キャリア１３００には基板（Ｗ）の縁を支持するように提供されたスロット（図示せず）が形成される。スロットは第３方向１６に複数個が提供される。基板（Ｗ）は第３方向１６に沿ってお互いに離隔された状態で積層されるようにキャリア１３００内に位置される。キャリア１３００には前面開放一体型ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ：ＦＯＵＰ）が使用されうる。

工程処理モジュール２０００は、バッファーユニット２２００、移送チャンバ２４００、そして、工程チャンバ２６００を含む。移送チャンバ２４００はその長さ方向が第１方向１２と平行に配置される。第２方向１４に沿って移送チャンバ２４００の一側及び他側にはそれぞれ工程チャンバ２６００が配置される。移送チャンバ２４００の一側に位置した工程チャンバ２６００と移送チャンバ２４００の他側に位置した工程チャンバ２６００は移送チャンバ２４００を基準でお互いに対称になるように提供される。複数の工程チャンバ２６００のうちで一部は移送チャンバ２４００の長さ方向に沿って配置される。また、工程チャンバ２６００のうちで一部はお互いに積層されるように配置される。すなわち、移送チャンバ２４００の一側には工程チャンバ２６００がＡＸＢ（ＡとＢはそれぞれ１以上の自然数）の配列で配置されうる。ここで、Ａは第１方向１２に沿って一列に提供された工程チャンバ２６００の数であり、Ｂは第３方向１６に沿って一列に提供された工程チャンバ２６００の数である。移送チャンバ２４００の一側に工程チャンバ２６００が４個または６個提供される場合、工程チャンバ２６００は２Ｘ２または３Ｘ２の配列で配置されうる。工程チャンバ２６００の個数は増加するか、または減少することもできる。前述したところと異なり、工程チャンバ２６００は移送チャンバ２４００の一側のみに提供されうる。また、前述したところと異なり、工程チャンバ２６００は移送チャンバ２４００の一側及び両側に単層に提供されうる。

バッファーユニット２２００は、移送フレーム１４００と移送チャンバ２４００との間に配置される。バッファーユニット２２００は、移送チャンバ２４００と移送フレーム１４００との間に基板（Ｗ）が返送される前に基板（Ｗ）がとどまる空間を提供する。バッファーユニット２２００はその内部に基板（Ｗ）が置かれるスロット（図示せず）が提供され、複数のスロット（図示せず）はお互いの間に第３方向１６に沿って離隔するように複数個提供される。バッファーユニット２２００から移送フレーム１４００と対向する面と移送チャンバ２４００と対向する面それぞれが開放される。

移送フレーム１４００は、ロードポート１２００に安着されたキャリア１３００とバッファーユニット２２００との間に基板（Ｗ）を返送する。移送フレーム１４００にはインデックスレール１４２０とインデックスロボット１４４０が提供される。インデックスレール１４２０はその長さ方向が第２方向１４と並んで提供される。インデックスロボット１４４０はインデックスレール１４２０上に設置され、インデックスレール１４２０に沿って第２方向１４に直線移動される。インデックスロボット１４４０は、ベース１４４１、胴体１４４２、およびインデックスアーム１４４３を有する。ベース１４４１は、インデックスレール１４２０に沿って移動可能になるように設置される。胴体１４４２は、ベース１４４１に結合される。胴体１４４２は、ベース１４４１上で第３方向１６に沿って移動可能になるように提供される。また、胴体１４４２は、ベース１４４１上で回転可能になるように提供される。インデックスアーム１４４３は、胴体１４４２に結合され、胴体１４４２に対して前進及び後進移動可能になるように提供される。インデックスアーム１４４３は、複数個提供されてそれぞれ個別駆動されるように提供される。複数のインデックスアーム１４４３は、第３方向１６に沿ってお互いに離隔された状態で積層されるように配置される。複数のインデックスアーム１４４３のうちで一部は工程処理モジュール２０００からキャリア１３００に基板（Ｗ）を返送する時使用され、他の一部はキャリア１３００で工程処理モジュール２０００に基板（Ｗ）を返送する時使用されうる。これはインデックスロボット１４４０が基板（Ｗ）を搬入及び搬出する過程で工程処理前の基板（Ｗ）から発生されたパーティクルが工程処理後の基板（Ｗ）に付着されることを防止することができる。

移送チャンバ２４００は、バッファーユニット２２００と工程チャンバ２６００との間、および複数の工程チャンバ２６００の間に基板（Ｗ）を返送する。移送チャンバ２４００には、ガイドレール２４２０とメインロボット２４４０が提供される。ガイドレール２４２０は、その長さ方向が第１方向１２と並んでいるように配置される。メインロボット２４４０はガイドレール２４２０上に設置され、ガイドレール２４２０上で第１方向１２に沿って直線移動される。メインロボット２４４０はベース２４４１、胴体２４４２、およびメインアーム２４４３を有する。ベース２４４１は、ガイドレール２４２０に沿って移動可能になるように設置される。胴体２４４２は、ベース２４４１に結合される。胴体２４４２は、ベース２４４１上で第３方向１６に沿って移動可能になるように提供される。また、胴体２４４２は、ベース２４４１上で回転可能になるように提供される。メインアーム２４４３は、胴体２４４２に結合され、これは胴体２４４２に対して前進及び後進移動可能になるように提供される。メインアーム２４４３は、複数個提供されてそれぞれ個別駆動になるように提供される。複数のメインアーム２４４３は、第３方向１６に沿ってお互いに離隔された状態で積層されるように配置される。バッファーユニット２２００から工程チャンバ２６００に基板（Ｗ）を返送する時使用されるメインアーム２４４３と工程チャンバ２６００でバッファーユニット２２００に基板（Ｗ）を返送する時使用されるメインアーム２４４３はお互いに異なることがある。

工程チャンバ２６００内には基板（Ｗ）に対して洗浄工程を遂行する基板処理装置１０が提供される。それぞれの工程チャンバ２６００内に提供された基板処理装置１０は遂行する洗浄工程の種類によって異なる構造を有することができる。選択的にそれぞれの工程チャンバ２６００内の基板処理装置１０は等しい構造を有することができる。選択的に工程チャンバ２６００は複数個のグループに区分され、等しいグループに属する工程チャンバ２６００に提供された複数の基板処理装置１０はお互いに等しい構造を有して、異なるグループに属する工程チャンバ２６００に提供された複数の基板処理装置１０はお互いに異なる構造を有することができる。例えば、工程チャンバ２６００が２個のグループで分けられる場合、移送チャンバ２４００の一側には第１グループの工程チャンバ２６００が提供され、移送チャンバ２４００の他側には第２グループの工程チャンバ２６００が提供されうる。選択的に移送チャンバ２４００の一側及び他側それぞれで下層には第１グループの複数の工程チャンバ２６００が提供され、上層には第２グループの複数の工程チャンバ２６００が提供されうる。第１グループの工程チャンバ２６００と第２グループの工程チャンバ２６００はそれぞれ使用されるケミカルの種類や、洗浄方式の種類によって区分されうる。

以下の実施例では高温の硫酸、アルカリ性薬液、酸性薬液、リンス液、および乾燥ガスのような処理流体を使って基板（Ｗ）を洗浄する装置を、例を挙げて説明する。しかし、本発明の技術的思想はこれに限定されないし、蝕刻工程などのように基板（Ｗ）を回転させながら工程を遂行する多様な種類の装置にすべて適用されうる。

図２は、図１の基板処理装置の平面図であり、図３は図１の基板処理装置の断面図である。図２と図３を参照すれば、基板処理装置１０はチャンバ１００、ボール２００、支持ユニット３００、薬液ノズルユニット４１０、リンス液ノズルユニット４３０、排気ユニット５００、昇降ユニット６００、センサー部７００、薬液供給ユニット９００、そして、制御機８００を含む。

チャンバ１００は、密閉された内部空間を提供する。上部には、気流供給部材１１０が設置される。気流供給部材１１０は、チャンバ１００内部に下降気流を形成する。

気流供給部材１１０は、高湿度外気をフィルタリングしてチャンバ１００内部に供給する。高湿度外気は気流供給部材１１０を通過してチャンバ１００内部に供給されて下降気流を形成する。下降気流は、基板（Ｗ）の上部に均一な気流を提供し、処理流体によって基板（Ｗ）表面が処理される過程で発生される汚染物質を空気とともにボール２００の回収桶ら２１０、２２０、２３０を通じて排気ユニット５００に排出させる。

チャンバ１００は、水平隔壁１０２によって工程領域１２０と維持補修領域１３０で分けられる。工程領域１２０には、ボール２００と支持ユニット３００が位置する。維持補修領域１３０には、ボール２００と連結される回収ライン２４１、２４３、２４５、排気ライン５１０以外にも昇降ユニット６００の駆動部と、薬液ノズルユニット４１０と連結される駆動部、供給ラインなどが位置する。維持補修領域１３０は、工程領域１２０から隔離される。

ボール２００は、上部が開放された円筒形状を有して、基板（Ｗ）を処理するための処理空間を有する。ボール２００の開放された上面は、基板（Ｗ）の搬出及び搬入通路で提供される。処理空間には、支持ユニット３００が位置される。支持ユニット３００は、工程が進行時基板（Ｗ）を支持した状態で基板（Ｗ）を回転させる。

ボール２００は強制排気がなされるように下端部に排気ダクト２９０が連結された下部空間を提供する。ボール２００には回転される基板（Ｗ）上で飛散される処理液と気体を流入及び吸入する第１乃至第３回収桶２１０、２２０、２３０が多段に配置される。

環形の第１乃至第３回収桶２１０、２２０、２３０は、一つの共通した環形空間と通じる複数の排気口（Ｈ）を有する。具体的に、第１乃至第３回収桶２１０、２２０、２３０は、それぞれ環形のリング形状を有する底面及び底面から延長されて円筒形状を有する側壁を含む。第２回収桶２２０は、第１回収桶２１０を取り囲んで、第１回収桶２１０から離隔されて位置する。第３回収桶２３０は、第２回収桶２２０を取り囲んで、第２回収桶２２０から離隔されて位置する。

第１乃至第３回収桶２１０、２２０、２３０は、基板（Ｗ）から飛散された処理液及びヒュームが含まれた気流が流入される第１乃至第３回収空間（ＲＳ１）、ＲＳ２、ＲＳ３）を提供する。第１回収空間（ＲＳ１）は、第１回収桶１１０によって定義され、第２回収空間（ＲＳ２）は第１回収桶１１０と第２回収桶１２０との間の離隔空間によって定義され、第３回収空間（ＲＳ３）は、第２回収桶１２０と第３回収桶１３０との間の離隔空間によって定義される。

第１乃至第３回収桶２１０、２２０、２３０の各上面は中央部が開放される。第１乃至第３回収桶２１０、２２０、２３０は連結された側壁から開放部に行くほど対応する底面との距離が徐徐に増加する傾斜面でなされる。基板（Ｗ）から飛散された処理液は第１乃至第３回収桶２１０、２２０、２３０の上面らに沿って回収空間ら（ＲＳ１、ＲＳ２、ＲＳ３）内に流れる。

第１回収空間（ＲＳ１）に流入された第１処理液は、第１回収ライン２４１を通じて外部に排出される。第２回収空間（ＲＳ２）に流入された第２処理液は、第２回収ライン２４３を通じて外部に排出される。第３回収空間（ＲＳ３）に流入された第３処理液は、第３回収ライン２４５を通じて外部に排出される。

支持ユニット３００は、工程が進行中に基板（Ｗ）を支持し、工程が進行されるうちに基板（Ｗ）を回転させることができる。

支持ユニット３００は、支持板３１０、スピン駆動部３２０、バックノズル部３３０、および加熱部材３４０を含む。

支持板３１０は、チャックステージ３１２、および石英ウィンドウ３１４を含む。チャックステージ３１２は、円形の上部面を有する。チャックステージ３１２は、スピン駆動部３２０に結合されて回転される。チャックステージ３１２の縁には、チャッキングピン３１６らが設置される。複数のチャッキングピン３１６は、石英ウィンドウ３１４を貫通して石英ウィンドウ３１４上側に突出するように提供される。チャッキングピン３１６は、複数の支持ピン３１８によって支持された基板（Ｗ）が正位置に置かれるように基板（Ｗ）を整列する。工程進行時チャッキングピン３１６は、基板（Ｗ）の側部と接触して基板（Ｗ）が正位置から離脱することを防止する。

石英ウィンドウ３１４は、基板（Ｗ）とチャックステージ２１０上部に位置する。石英ウィンドウ３１４は、加熱部材３４０を保護するために提供される。石英ウィンドウ３１４は、透明に提供されうる。石英ウィンドウ３１４は、チャックステージ３１２とともに回転されうる。石英ウィンドウ３１４は、複数の支持ピン３１８を含む。支持ピン３１８は石英ウィンドウ３１４の上部面縁部に所定間隔で離隔されて配置される。支持ピン３１８は石英ウィンドウ３１４から上側に突き出されるように提供される。支持ピン３１８は、基板（Ｗ）の下面を支持して基板（Ｗ）が石英ウィンドウ３１４から上側方向に離隔された状態で支持されるようにする。

スピン駆動部３２０は、中空形の形状を有して、チャックステージ３１２と結合してチャックステージ３１２を回転させる。チャックステージ３１２が回転される場合、石英ウィンドウ３１４はチャックステージ３１２とともに回転されうる。また、支持板３１０内に提供される構成は、支持板３１０の回転から独立するように位置されうる。例えば、後述する加熱部材３４０は、支持板３１０の回転から独立するように位置されうる。

バックノズル部３３０は、基板（Ｗ）の背面にリンス液（ＤＩＷ）を噴射するために提供される。バックノズル部３３０は、ノズル胴体３３２及びバックノズル噴射部３３４を含む。バックノズル噴射部３３４は、チャックステージ３１２と石英ウィンドウ３１４の中央上部に位置される。ノズル胴体３３２は、中空形のスピン駆動部３２０内に貫通軸設され、ノズル胴体３３２の内部にはリンス液移動ライン、ガス供給ライン及びパージガス供給ラインが提供されうる。

加熱部材３４０は、工程が進行中に基板（Ｗ）を加熱することができる。加熱部材３４０は、支持板３１０内に配置される。加熱部材３４０は、ランプ３４２を含むことができる。

加熱部材３４０は、チャックステージ３１２の上部に設置される。加熱部材３４０は、リング形状で提供されうる。加熱部材３４０は、複数個で提供されうる。加熱部材３４０は、お互いに異なる直径で提供されうる。それぞれの加熱部材３４０の温度は、個別的に制御されうる。加熱部材３４０は、光を放射するランプ３４２であることがある。ランプ３４２は、赤外線領域の波長を有する光を放射するランプ３４２であることがある。ランプ３４２は、赤外線ランプ３４２（ＩＲ Ｌａｍｐ）であることがある。ランプ３４２は、赤外線を照射して基板（Ｗ）を加熱することができる。

加熱部材３４０は、同心の複数の区域に細分されることがある。それぞれの区域にはそれぞれの区域を個別に加熱させることができる複数のランプ３４２が提供されうる。ランプ３４２はチャックステージ３１２の中心に対して異なる半径距離で同心に配列されるリング形状で提供されうる。この時、ランプ３４２の数は所望の温度制御された程度に依存して加減されうる。加熱部材３４０は、それぞれの個別の区域の温度を制御することで、工程が進行間基板（Ｗ）の半径によって温度を連続的に増加または減少するように制御することができる。

支持ユニット３００は、冷却部材（図示せず）、断熱板（図示せず）、及び放熱板（図示せず）をさらに含むことができる。冷却部材は、支持板３１０内に配置されて支持板３１０内に冷却流体を供給することができる。例えば、冷却部材は、放熱板内に形成される流路に冷却流体を供給することができる。

断熱板は、支持板３１０内に配置されうる。また、断熱板は支持板３１０内で加熱部材３４０下に配置されうる。断熱板は、透明な材質で提供されうる。断熱板は、透明な材質で提供されて加熱部材３４０が放射する光が断熱板を透過することができる。また、断熱板は、熱伝導度が低い材質で提供されうる。例えば、断熱板は放熱板より熱伝導度が低い材質で提供されうる。例えば、断熱板はガラスを含む材質で提供されうる。断熱板はネオセラム（Ｎｅｏｃｅｒａｍ）を含む材質で提供されうる。断熱板は、ガラスセラミックス（Ｇｌａｓｓ ｃｅｒａｍｉｃ）を含む材質で提供されうる。しかし、これに限定されるものではなくて、断熱板はセラミックスを含む材質で提供されうる。

反射板は、支持板３１０内に配置されうる。また、反射板は、支持板３１０内で断熱板の下に配置されうる。反射板は、加熱部材３４０が放射する光を反射する材質で提供されうる。反射板は、赤外線領域の波長を有する光を反射する材質で提供されうる。反射板は、金属を含む材質で提供されうる。反射板は、アルミニウムを含む材質で提供されうる。反射板は、表面が銀（Ａｇ）で鍍金された銀鍍金アルミニウムを含む材質で提供されうる。

放熱板は、断熱板から伝達される熱を外部に放出することができる。また、放熱板内には、冷却部材が供給する冷却流体が流れる流路が形成されうる。放熱板は、支持板３１０内に配置されうる。また、放熱板は、支持板内で反射板の下に配置されうる。放熱板は、熱伝導度が高い材質で提供されうる。例えば、放熱板は、前述した断熱板より熱伝導度が高い材質で提供されうる。放熱板は、金属を含む材質で提供されうる。放熱板は、アルミニウム及び／または銀を含む材質で提供されうる。

薬液ノズルユニット４１０は、基板（Ｗ）に処理液を供給して基板（Ｗ）を処理することができる。薬液ノズルユニット４１０は、基板（Ｗ）に加熱された処理液を供給することができる。処理液は、基板（Ｗ）表面を蝕刻するための高温のケミカルであることができる。一実施例によれば、処理液はリン酸（Ｈ_３ＰＯ_４）を含むことができる。

薬液ノズルユニット４１０は、第１ノズル４１１、ノズルアーム４１３、支持ロード４１５、ノズル駆動機４１７を含むことができる。第１ノズル４１１は、薬液供給ユニット９００を通じて処理液の供給を受ける。第１ノズル４１１は、処理液を基板（Ｗ）表面に吐出する。ノズルアーム４１３は、一方向に長さが長く提供されるアームであり、先端に第１ノズル４１１が装着される。ノズルアーム４１３は、第１ノズル４１１を支持する。ノズルアーム４１３の後端には、支持ロード４１５が装着される。支持ロード４１５は、ノズルアーム４１３の下部に位置する。支持ロード４１５は、ノズルアーム４１３に垂直であるように配置される。ノズル駆動機４１７は、支持ロード４１５の下端に提供される。ノズル駆動機４１７は、支持ロード４１５の長さ方向軸を中心に支持ロード４１５を回転させる。支持ロード４１５の回転でノズルアーム４１３と第１ノズル４１１が支持ロード４１５を軸にスイング移動する。第１ノズル４１１は、ボール２００の外側と内側との間をスイング移動することができる。そして、第１ノズル４１１は、基板（Ｗ）の中心と縁領域の間区間をスイング移動して処理液を吐出することができる。

リンス液ノズルユニット４３０は、第２ノズル４３１、ノズルアーム４３３、支持ロード４３５、ノズル駆動機４３７を含むことができる。第２ノズル４３１は、リンス液供給部４４０を通じてリンス液の供給を受ける。第２ノズル４３１は、リンス液（ＤＩＷ）を基板（Ｗ）表面に吐出する。ノズルアーム４３３は、一方向に長さが長く提供されるアームであり、先端に第２ノズル４３１が装着される。ノズルアーム４３３は、第２ノズル４３１を支持する。ノズルアーム４３３の後端には、支持ロード４３５が装着される。支持ロード４３５は、ノズルアーム４３３の下部に位置する。支持ロード４３５は、ノズルアーム４３３に垂直であるように配置される。ノズル駆動機４３７は、支持ロード４３５の下端に提供される。ノズル駆動機４３７は、支持ロード４３５の長さ方向軸を中心に支持ロード４３５を回転させる。支持ロード４３５の回転でノズルアーム４３３と第２ノズル４３１が支持ロード４３５を軸にスイング移動する。第２ノズル４３１は、ボール２００の外側と内側との間をスイング移動することができる。

排気ユニット５００は、ボール１００の内部を排気することができる。一例で、排気ユニット５００は、工程時第１乃至第３回収桶２１０、２２０、２３０のうちで処理液を回収する回収桶に排気圧力（吸入圧力）を提供するためのものである。排気ユニット５００は、排気ダクト２９０と連結される排気ライン５１０、ダンパ５２０を含む。排気ライン５１０は、排気ポンプ（図示せず）から排気圧の提供を受けて半導体生産ラインの底空間に埋設されたメイン排気ラインと連結される。

一方、ボール２００は、ボール２００の垂直位置を変更させる昇降ユニット６００と結合される。昇降ユニット６００は、ボール２００を上下方向に直線移動させる。ボール２００が上下に移動されることによって支持ユニット３００に対するボール２００の相対高さが変更される。

昇降ユニット６００は、ブラケット６１２、移動軸６１４、および駆動機６１６を含む。ブラケット６１２は、処理容器１００の外壁に固定設置される。ブラケット６１２には、駆動機６１６によって上下方向に移動される移動軸６１４が固定結合される。基板（Ｗ）が支持ユニット３００にローディングまたはアンローディングされる時支持ユニット３００がボール２００の上部に突き出されるようにボール２００は下降する。また、工程が進行時には基板（Ｗ）に供給された処理液の種類によって処理液が既設定された複数の回収桶２１０、２２０、２３０に流入することができるようにボール２００の高さが調節される。ボール２００は、前記各回収空間（ＲＳ１、ＲＳ２、ＲＳ３）別に回収される処理液と汚染ガスの種類を異なるようにすることができる。

制御機８００は、薬液ノズルユニット４１０が処理液を基板に先ず供給した後、リンス液を基板に供給するように薬液ノズルユニット４１０とリンス液ノズルユニット４３０を制御することができる。制御機８００は、リンス液が供給される時の基板の回転速度が、処理液が供給される時の基板の回転速度より早い速度で回転されるように支持ユニット３００を制御することができる。

制御機８００は基板処理装置を制御することができる。制御機８００は、上述したところのように基板を設定工程によって処理されるように工程チャンバの構成要素らを制御することができる。また、制御機８００は、基板処理装置の制御を行うマイクロプロセッサー（コンピューター）でなされるプロセスコントローラーと、オペレーターが基板処理装置を管理するためにコマンド入力操作などを行うキーボードや、基板処理装置の稼働状況を可視化して表示するディスプレイなどでなされるユーザーインターフェースと、基板処理装置で実行される処理をプロセスコントローラーの制御で行うための制御プログラムや、各種データ及び処理条件によって各構成部に処理を実行させるためのプログラム、すなわち、処理レシピが記憶された記憶部を具備することができる。また、ユーザーインターフェース及び記憶部はプロセスコントローラーに接続されていることがある。処理レシピは記憶部のうちで記憶媒体に記憶されていることがあって、記憶媒体は、ハードディスクでも良く、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤなどの可搬性ディスクや、フラッシュメモリーなどの半導体メモリーであることもある。

図４は、図３に示された薬液供給ユニットを説明するための図であり、図５は図４に示された薬液供給ユニットの主要構成を説明するための図である。

図４及び図５を参照すれば、薬液供給ユニット９００は、貯蔵タンク９０２、循環ライン９１０、ポンプ９１２、薬液供給ライン９２０、排出ライン９３０、パージガス供給ライン９４０、レベルチューブ９５０を含むことができる。

貯蔵タンク９０２は、薬液供給源９０１から提供された薬液が貯蔵される収容空間を有する。循環ライン９１０は、収容空間に収容された薬液を循環させる。循環ライン９１０は、処理タンク９０２の上端及び下端にそれぞれ連結されうる。循環ライン９１０には、ポンプ９１２、ヒーター９１４、およびフィルター９１６が設置されうる。ポンプ９１２は、収容空間に収容された処理液が循環ライン９１０を通じて循環されるように循環ライン９１０を加圧する。ヒーター９１４は、循環ライン９１０で循環される処理液を加熱処理する。ヒーター９１４は、処理液を工程温度またはそれ以上で加熱処理する。

薬液供給ライン９２０は、薬液をノズル４１１に供給可能である。薬液供給ライン９２０は、循環ライン９１０から分岐される分岐ラインに提供される。薬液供給ライン９２０は、循環ライン９２０から分岐されてノズル４１１に連結される。したがって、収容空間に収容された薬液は、循環ライン９１０及び薬液供給ライン９２０を順次に通じてノズル４１１に供給されうる。

貯蔵タンク９０２には、排出ライン９３０が連結される。貯蔵タンク９０２内の薬液は、排出ライン９３０を通じてドレインされうる。排出ライン９３０には、第１バルブ９３２が設置される。第１バルブ９３２のオン／オフによって貯蔵タンク内の薬液が排出されるか、または遮られる。

貯蔵タンク９０２の一側には、貯蔵タンク９０２と連通されたレベルチューブ９５０が設置される。レベルチューブ９５０は、貯蔵タンク９０２０内の薬液水位を確認できるように貯蔵タンク９０２の薬液と等しい水位の薬液が収容される。

レベルチューブ９５０は、薬液（Ｃ）を貯蔵する貯蔵タンク９０２と並列で連結され、貯蔵タンク９０２内部に貯蔵された薬液の水位によって薬液の一部が流入されうる。すなわち、レベルチューブ９５０は、貯蔵タンク９０２の外部に貯蔵タンク９０２内部の薬液のレベルを易しく測定できるように貯蔵タンク９０２の上下部にバイパス（Ｂｙｐａｓｓ）方式で連結される。

この時、レベルチューブ９５０内部の薬液（Ｃ１）のレベルは、薬液タンク２０内部の薬液（Ｃ）のレベルに連動して変化することがあるが、レベルチューブ９５０内部の薬液（Ｃ１）のレベルと薬液タンク２０内部の薬液（Ｃ）のレベルの関係は貯蔵タンク９０２の形状及び大きさ、レベルチューブ９５０の形状などの条件によって決定されうる。このようなレベルチューブ９５０内部の薬液（Ｃ１）のレベルと薬液タンク９０２内部の薬液（Ｃ）のレベルの関係はあらかじめ設定されうる。レベルチューブ９５０は、おおよそ円筒状の長い管形状を有することができるが、これに限定されない。

一方、レベルチューブ９５０の材質は、透明な硝子材または合成樹脂材を使用することができるが、望ましくは、腐食に強いテプロンフッ素樹脂の一種であるＰＦＡ（Ｐｅｒ Ｆｌｕｏｒｏ Ａｌｋｏｘｙ）を使用することができる。この時、透明なＰＦＡチューブを使えば、外部でも薬液のレベルを易しく目で確認することができる。

一方、レベルチューブ９５０には、薬液のレベルを測定するレベルセンサー９５３らが提供されて貯蔵タンク９０２に貯蔵された薬液のレベルを測定する。レベルセンサー９５３は、薬液と直接的に接触しないで測定することができる非接触式センサーであることができる。望ましくは、レベルセンサー９５３は、レベルチューブ９５０に流入された薬液の水位レベルによって変化して出力される電流値を利用してレベルチューブ９５０に流入された薬液のレベルを測定することができる。このような方式は、静電容量センサーを利用して物体を感知する静電容量方式と等しい原理を利用することができる。また、レベルセンサーは、レーダー方式、レーザー方式、ロードセル（ｌｏａｄ ｃｅｌｌ）方式、ニュークリア（ｎｕｃｌｅａｒ）方式、超音波（ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ）方式のような多様な非接触式センサーが適用されうる。

本実施例ではレベルセンサー９５３が６個レベルであるＨＨ、Ｈ、ＭＲ、Ｍ、Ｌ、ＬＬを測定できるように６ヶ所に配置される。もちろん、レベルセンサー９５３の個数及び位置は必要によって多様な組合せが可能である。

レベルチューブ９５０は、垂直で延長されたレベリングライン９５２と、レベリングライン９５２の上端と貯蔵タンク９０２の上部空間を連結する第１上部ライン９５４及びレベリングライン９５２の下端と排出ライン９３０を連結する第２下部ライン９５６を含むことができる。第１上部ライン９５４は貯蔵タンクの排気ライン９９０と連結されうる。そして、第２下部ライン９５６と排出ライン９３０の連結支点は第１バルブ９３２と貯蔵タンク９０２との間に位置されうる。

パージガス供給ライン９４０は、レベリングライン９５２と第１上部ライン９５４の連結地点に連結されうる。パージガス供給ライン９４０は、レベルチューブ９５０にパージガスを供給することができる。パージガス供給ライン９４０を通じて供給されるパージガスは、停滞薬液ドレインモードでレベリングライン９５２内の薬液を加圧する。よって、第１バルブ９３２が開放されて薬液がドレインされる時レベルチューブ９５０内の薬液が貯蔵タンク９０２内の薬液より早くドレインされうる。よって、レベルチューブ９５０内の薬液（Ｃ１）を除去する過程での薬液廃棄量を減らすことができる。

パージガス供給ライン９４０を通じて供給されるパージガスは、貯蔵タンク９０２の上部空間にも提供されうる。パージガスは、貯蔵タンク９０２の上部空間をパージし、貯蔵タンク９０２内部が一定圧力になれば、排気ライン９９０を通じて外部に排気されうる。パージガスは、不活性ガスであることができる。

制御機８００は、排出ライン９３０に設置された第１バルブ９３２を制御することができる。図６は、停滞薬液ドレインモードでレベルチューブの薬液がドレインされる過程を示す図である。

図６に示すように、制御機８００は、第１バルブ９３２を既設定された時間の間に開放してレベルチューブ９５０内の停滞された薬液（Ｃ１）が排出ライン９３０を通じて排出されるように停滞薬液ドレインモードを遂行する。停滞薬液ドレインモードでレベルチューブ９５０内の停滞された薬液（Ｃ１）水位がＬレベル以下に落ちれば、ポンプ稼働が中断されることがあるため、薬液（Ｃ１）水位がＬレベルに到逹する前までに薬液ドレインがなされることが望ましい。レベルチューブ９５０内の停滞された薬液（Ｃ１）が排出ライン９３０を通じて排出される間に貯蔵タンク９０２の薬液は循環ライン９１０を通じて循環される。

前述した構成を有する薬液供給ユニットは貯蔵タンクに貯蔵された薬液を、循環ラインを通じて循環させるが、一定周期ごとにレベルチューブ内の停滞された薬液をドレインする薬液ドレイン段階を実施する。薬液ドレイン段階は、レベルチューブの下端が貯蔵タンクの排出ラインに連結されていて第１バルブをオープンすれば、レベルチューブ内の停滞された薬液がドレインされうる。

図７は、薬液供給ユニットの第１変形例を示す図であり、図８は図７の薬液供給ユニットでレベルチューブの薬液がドレインされる過程を示す図である。

図７及び図８を参照すれば、第１変形例による薬液供給ユニット９００ａは、第１上部ライン９５４上に第２バルブ９５８が設置されるということにその特徴がある。制御機８００は停滞薬液ドレインモードでパージガス供給ライン９４０を通じて供給されるパージガスがレベリングライン９５２だけで提供されるように第２バルブ９５８をオフさせることができる。

前記のように、パージガスがレベリングライン９５２だけで提供されることで、レベリングライン９５２上の薬液をより早くドレインさせることができる。

図９は、薬液供給ユニットの第２変形例を示す図である。

図９を参照すれば、第２変形例による薬液供給装置９００ｂは、分岐ライン９７０をさらに含むということにその特徴がある。分岐ライン９７０はレベリングライン９５２の所定高さから分岐されて排出ライン９３０に連結される。分岐ライン９７０には第３バルブ９７２が設置されうる。分岐ライン９７０の分岐支点はレベリングライン９５２のＭレベルとＬレベルとの間であることができる。そして、分岐ライン９７０の合流支点は第１バルブ９３２を通った支点であることがある。

前記のような薬液供給装置でレベルチューブの薬液ドレインは、第１バルブを閉めて第３バルブを開けば、Ｃ２区間の薬液が分岐ラインを通じて排出ラインにドレインされる。

以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を示して説明するものであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、著わした開示内容と均等な範囲及び／または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。著わした実施例は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明するものであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むことで解釈されなければならない。

１００ チャンバ
２００ ボール
３００ 支持ユニット
４１０ 薬液ノズルユニット
４３０ リンス液ノズルユニット
５００ 排気ユニット
８００ 制御機

Claims (19)

1. 薬液供給装置において、
   薬液が貯蔵される貯蔵タンクと、
   前記貯蔵タンクに貯蔵された薬液が排出される排出ラインと、
   前記貯蔵タンク内の薬液水位を確認できるように前記貯蔵タンクと連結されて前記貯蔵タンクの薬液と等しい水位の薬液が収容されるレベルチューブと、
   前記排出ラインに設置された第１バルブを制御する制御部と、を含み、
   前記レベルチューブは、
   一端が前記貯蔵タンクの上部空間と連結されて他端が前記排出ラインと連結され、
   前記制御部は、
   前記第１バルブを既設定された時間の間に開放して前記レベルチューブ内の停滞された薬液が前記排出ラインを通じて排出されるように停滞薬液ドレインモードを遂行する、薬液供給装置。
2. 前記レベルチューブにパージガスを供給するパージガス供給ラインをさらに含む、請求項１に記載の薬液供給装置。
3. 前記パージガス供給ラインは、
   前記停滞薬液ドレインモードで前記レベルチューブ内の薬液を加圧するようにパージガスを供給する、請求項２に記載の薬液供給装置。
4. 前記レベルチューブは、
   垂直で延長されたレベリングラインと、
   前記レベリングラインの上端と前記貯蔵タンクの上部空間を連結する第１上部ラインと、
   前記レベリングラインの下端と前記排出ラインを連結する第２下部ラインと、を含む、請求項１に記載の薬液供給装置。
5. 前記第１上部ラインと前記レベリングラインの連結部分に連結されて前記レベリングラインにパージガスを供給するパージガス供給ラインをさらに含む請求項４に記載の薬液供給装置。
6. 前記第１上部ライン上に設置される第２バルブをさらに含み、
   前記制御部は、
   前記停滞薬液ドレインモードで前記パージガス供給ラインを通じて供給されるパージガスが前記レベリングラインだけに提供されるように前記第２バルブを制御する、請求項５に記載の薬液供給装置。
7. 第３バルブが設置された分岐ラインをさらに含み、
   前記分岐ラインは、前記レベリングラインの所定高さから分岐されて前記排出ラインに連結され、
   前記制御部は、
   前記停滞薬液ドレインモード時、前記第３バルブをオープンして前記レベリングラインの所定高さ以上にある薬液をドレインさせる請求項４に記載の薬液供給装置。
8. 前記貯蔵タンクの上部カバーに設置される排気ラインをさらに含み、
   前記第１上部ラインは、
   前記排気ラインに連結される、請求項４に記載の薬液供給装置。
9. 貯蔵タンクと連通されて前記貯蔵タンクの一側に位置するレベルチューブと、前記レベルチューブの一側に位置するレベルセンサーによって薬液のレベルを測定して薬液を供給する方法において、
   前記貯蔵タンクに貯蔵された薬液を、薬液供給ラインを通じて供給し、一定周期ごとに前記レベルチューブ内の停滞された薬液をドレインする薬液ドレイン段階を含み、
   前記薬液ドレイン段階は、
   前記レベルチューブの下端が前記貯蔵タンクの排出ラインに連結されて前記貯蔵タンクの薬液が排出される時前記レベルチューブ内の停滞された薬液がともにドレインされる、薬液供給方法。
10. 前記薬液ドレイン段階において、
    前記レベルチューブ内の停滞された薬液をパージガスで加圧する、請求項９に記載の薬液供給方法。
11. 前記薬液ドレイン段階において、
    パージガスが前記レベルチューブだけに提供されるように前記レベルチューブの上部ラインに設置されたバルブを閉める、請求項１０に記載の薬液供給方法。
12. 前記薬液ドレイン段階において、
    前記レベルチューブ内の停滞された薬液は、前記レベルチューブ内の設定された水位前までだけドレインされる、請求項１０に記載の薬液供給方法。
13. 基板処理設備において、
    薬液に基板を処理する処理部と、
    薬液を前記処理部に供給する薬液供給部と、を含み、
    前記薬液供給部は、
    薬液が貯蔵される貯蔵タンクと、
    前記貯蔵タンクに連結されて前記貯蔵タンク内の薬液を循環させる循環ラインと、
    前記循環ラインに設置されるポンプと、
    前記循環ラインから分岐されて薬液供給ラインと、
    前記貯蔵タンクに貯蔵された薬液が排出される排出ラインと、
    前記貯蔵タンク内の薬液水位を確認できるように前記貯蔵タンクと連結されて前記貯蔵タンクの薬液と等しい水位の薬液が収容されるレベルチューブと、
    前記排出ラインに設置された第１バルブを制御する制御部と、を含み、
    前記レベルチューブは、
    一端が前記貯蔵タンクの上部空間と連結されて他端が前記排出ラインと連結され、
    前記制御部は、
    前記第１バルブを既設定された時間の間に開放して前記レベルチューブ内の停滞された薬液が前記排出ラインを通じて排出されるように停滞薬液ドレインモードを遂行する、基板処理設備。
14. 前記制御部は、
    前記停滞薬液ドレインモードが進行中にも前記循環ラインを通じた薬液循環がなされるように前記ポンプを制御する、請求項１３に記載の基板処理設備。
15. 前記レベルチューブにパージガスを供給するパージガス供給ラインをさらに含み、
    前記制御部は、
    前記パージガス供給ラインは前記停滞薬液ドレインモードで前記レベルチューブ内の薬液を加圧するようにパージガスを供給する、請求項１４に記載の基板処理設備。
16. 前記レベルチューブは、
    垂直で延長されたレベリングラインと、
    前記レベリングラインの上端と前記貯蔵タンクの上部空間を連結する第１上部ラインと、
    前記レベリングラインの下端と前記排出ラインを連結する第２下部ラインを含む、請求項１４に記載の基板処理設備。
17. 前記第１上部ラインと前記レベリングラインの連結部分に連結されて前記レベリングラインにパージガスを供給するパージガス供給ラインをさらに含む、請求項１６に記載の基板処理設備。
18. 前記第１上部ライン上に設置される第２バルブをさらに含み、
    前記制御部は、
    前記停滞薬液ドレインモードで前記パージガス供給ラインを通じて供給されるパージガスが前記レベリングラインだけに提供されるように前記第２バルブを制御する、請求項１７に記載の基板処理設備。
19. 第３バルブが設置された分岐ラインをさらに含み、
    前記分岐ラインは、前記レベリングラインの所定高さから分岐されて前記排出ラインに連結され、
    前記制御部は、
    前記停滞薬液ドレインモード時、前記第３バルブをオープンして前記レベリングラインの所定高さ以上にある薬液をドレインさせる、請求項１６に記載の基板処理設備。