JP2023041631A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板に流体を供給して基板を処理する装置及び方法を提供する。【解決手段】基板処理装置において、流体供給ユニット１０００は、処理空間で供給タンク１２００に貯槽された超臨界流体を供給する流体供給ライン１４００、流体供給ラインに設置された複数の部品１６２０及び部品で金属粒子が放出されるかの如何を検出する検出部材を含む。検出部材は、複数の部品の一つである第１部品より上流で流体供給ラインに連結された上流検出ポート１６８２ａ、第１部品より下流で流体供給ラインに連結された下流検出ポート１６８２ｂ及び上流検出ポートと下流検出ポートのうちで選択された検出ポートに結合可能になるように提供されて流体供給ラインから検出ポートを流れる流体から金属粒子を検出する検出器１６８４を具備する。【選択図】図７

Description

本発明は、基板処理方法及び基板処理装置に関するものであり、より詳細には、基板に流体を供給して基板を処理する装置及び方法に関するものである。
半導体工程は基板上に薄膜、異物、パーティクルなどを洗浄する工程を含む。これら工程はパターン面が上または下に向けるように基板をスピンヘッド上において、スピンヘッドを回転させた状態で基板上に処理液を供給し、以後ウエハーを乾燥することでなされる。
一例によれば、基板に処理液を供給して基板を液処理する液処理チャンバと液処理後に超臨界状態の流体を利用して基板から処理液を除去する乾燥チャンバがそれぞれ提供され、液処理チャンバで処理の完了された基板は返送ロボットによって乾燥チャンバに搬入される。
液処理チャンバは水に比べて表面張力が相対的に低いイソプロピルアルコール液を基板に供給して基板上の液体をイソプロピルアルコール液で切り替えて、基板はその表面にイソプロピルアルコール液が残留した状態で乾燥チャンバに返送される。乾燥チャンバには超臨界流体が供給されて基板上のイソプロピルアルコールを除去する。超臨界流体としては比較的低い温度で超臨界状態で維持され、また基板上に残留するイソプロピルアルコールをよく溶解する二酸化炭素が主に使用される。
図１は、乾燥チャンバ９００で超臨界流体を供給する一般な構造の供給ユニット８００を概略的に見せてくれる。
供給ユニット８００は超臨界流体が貯蔵された供給タンク８２０、供給タンク８２０と乾燥チャンバ９００を連結する流体供給ライン(fluid supply line)８４０、そして、流体供給ライン８４０上に設置された複数の部品ら８６０を含む。部品８６０はバルブ８６２、オリフィス８６４、ヒーター８６６、またはフィルター８６８などであることができる。
一般にケミカルのような薬液を供給する流体供給ラインに設置される部品らは耐化学性が強い材質で製造される。これに反して、超臨界流体を供給する流体供給ライン８４０に設置される部品ら８６０は高圧によく耐えるように金属を含む材質でなされる。工程進行時これら部品ら８６０から発生した金属粒子らが超臨界流体と共に基板に供給されれば、超臨界処理された基板に金属粒子らが残留し、これにより基板に欠陷(defect)が発生される。この場合、流体供給ライン８４０に設置された部品ら８６０のうちで金属粒子を放出した部品８６０を交替しなければならないが、複数の部品らのうちである部品で金属粒子が放出されたか発見が難しい。
日本特許公開第 １９９３-２６４４３０号公報
本発明は、流体供給ラインを通じて基板に供給された超臨界流体に金属粒子が含有される場合、流体供給ラインに設置された多様な部品らのうちで金属粒子を放出した部品を容易に捜すことができる基板処理装置及び方法を提供することを一目的とする。
本発明の目的はこれに制限されないし、言及されなかったまた他の目的らは下の記載から当業者に明確に理解されることができるであろう。
本発明は、基板を処理する装置を提供する。
一実施例によれば、前記基板処理装置は基板を処理する処理空間を有するチャンバと前記処理空間に処理流体を供給する流体供給ユニットを含む。前記流体供給ユニットは前記処理流体が貯蔵された供給タンク、前記供給タンクと前記チャンバを連結して前記供給タンクから前記チャンバに前記処理流体を供給する流体供給ライン、前記流体供給ラインに設置された複数の部品、そして、前記部品で金属粒子が放出されるかの如何を検出する検出部材を含む。前記検出部材は前記複数の部品らのうちで一つである第１部品より上流で前記流体供給ラインに連結された上流検出ポート、前記第１部品より下流で前記流体供給ラインに連結された下流検出ポート、そして、前記上流検出ポートと前記下流検出ポートのうちで選択された検出ポートに結合可能になるように提供され、前記流体供給ラインから前記検出ポートを流れる流体から金属粒子を検出する検出器を具備する。
一例によれば、前記複数の部品は前記第１部品より下流に配置された一つまたは複数の部品らのうちで前記第１部品に隣接した第２部品をさらに含み、前記下流検出ポートは前記第１部品と前記第２部品との間で前記流体供給ラインに連結されることができる。
一例によれば、前記複数の部品は前記第１部品より上流に配置された一つまたは複数の部品らのうちで前記第１部品に隣接した第２部品をさらに含み、前記上流検出ポートは前記第１部品と前記第２部品との間で前記流体供給ラインに連結されることができる。
一例によれば、前記第１部品と前記上流検出ポートの間に、そして、前記第１部品と前記下流検出ポートとの間に他の部品は提供されないこともある。
一例によれば、前記部品はバルブ、ポンプ、フィルター、またはオリフィスを含むことができる。
一例によれば、前記部品で前記流体供給ラインを流れる通路に露出された面は金属を含むか、または前記部品で金属を含む面が金属以外の材質でコーティングされることができる。
一例によれば、前記チャンバは高圧容器を含み、前記流体は超臨界流体であることができる。
一例によれば、前記検出器は前記上流検出ポート及び前記下流検出ポートに脱着可能に提供され、前記上流検出ポート及び前記下流検出ポートはそれぞれ前記検出器が分離された状態でその末端を塞ぐ覆いを具備することができる。
一例によれば、前記流体供給ラインに設置されたそれぞれの部品に対して、前記上流検出ポートと前記下流検出ポートがそれぞれ提供されることができる。
他の実施例によれば、前記基板処理装置は基板を処理する処理空間を有するチャンバと前記処理空間に超臨界流体を供給する流体供給ユニットを含むが、前記流体供給ユニットは前記処理流体が貯蔵された供給タンク、前記供給タンクと前記チャンバを連結して前記供給タンクから前記チャンバに前記処理流体を供給する流体供給ライン、前記流体供給ラインに設置されて金属を含む材質で提供される複数の部品、そして、前記部品で金属粒子が放出されるかの如何を検出する検出部材を含む。前記検出部材は前記複数の部品らのうちで一つである第１部品より上流で前記流体供給ラインに連結された上流検出ポート、前記第１部品より下流で前記流体供給ラインに連結された下流検出ポート、前記上流検出ポートと前記下流検出ポートのうちで選択された検出ポートに結合可能になるように提供されて前記流体供給ラインから前記検出ポートを流れる流体から金属粒子を検出する検出器を具備し、前記上流検出ポートと前記第１部品との間に、そして、前記第１部品と前記下流検出ポートとの間に他の部品は設置されない。
また、本発明は、基板を処理する方法を提供する。一実施例によれば、基板を処理する方法は流体供給ラインを通じて基板が搬入された処理空間内に流体を供給して基板を処理する基板処理段階と前記流体供給ラインに設置された部品らのうちで金属を含む部品で金属粒子が放出されるかの如何を検出する検出段階を含む。前記検出段階は前記流体供給ラインに設置された部品らのうちで一つである第１部品から前記金属粒子が放出されるかの如何を検出する第１部品検査段階を含む。前記第１部品検査段階は前記第１部品より上流で前記流体供給ラインに設置された第１検出ポートと連結された検査機によって前記第１部品を通過する前の検査用流体から金属粒子を検出して第１検出値を獲得する第１検出段階、前記第１部品より下流で前記流体供給ラインに設置された第２検出ポートと連結された検査機によって前記第１部品を通過した後の検査用流体から金属粒子を検出して第２検出値を獲得する第２検出段階、そして、前記第１検出値と前記第２検出値から前記第１部品の不良如何を判定する第１判定段階を含む。
一例によれば、前記第１部品検査段階で前記第１部品が良品で判定されれば、前記複数の部品らのうちで前記第１部品とは異なる前記第２部品から前記金属粒子が放出されるかの如何を検出する第２部品検査段階を含む。前記第２部品検査段階は前記流体供給ラインに設置された検出ポートらのうちで前記第２部品より上流で前記流体供給ラインに設置された第３検出ポートと連結された検査機によって前記第２部品を通過する前の検査用流体から金属粒子を検出して第３検出値を獲得する第３検出段階、前記流体供給ラインに設置された検出ポートらのうちで前記第２部品より下流で前記流体供給ラインに設置された第４検出ポートと連結された検査機によって前記第２部品を通過した後の検査用流体から金属粒子を検出して第４検出値を獲得する第４検出段階、そして、前記第３検出値と前記第４検出値から前記第２部品の不良如何を判定する第２判定段階を含む。
他の例によれば、前記第１部品検査段階で前記第１部品が良品で判定されれば、前記複数の部品らのうちで前記第１部品とは異なる前記第２部品から前記金属粒子が放出されるかの如何を検出する第２部品検査段階を含み、前記第２部品は前記第１部品より前記流体供給ラインで下流に配置され、前記第１部品と前記第２部品との間に他の部品は提供されない。前記第２部品検査段階は前記流体供給ラインに設置された検出ポートらのうちで前記第２部品より下流で前記流体供給ラインに設置された第３検出ポートと連結された検査機によって前記第２部品を通過した後の検査用流体から金属粒子を検出して第３検出値を獲得する第３検出段階と前記第２検出値と前記第３検出値から前記第２部品の不良如何を判定する第２判定段階を含む。
一例によれば、前記検査機は前記検出ポートらそれぞれに対して結合可能に提供され、前記検出ポートらのうちで前記検査機が結合されない検出ポートらは覆いによってその末端が詰まることがある。
一例によれば、前記流体供給ラインは供給タンクから流体を前記処理空間に供給し、前記第１部品は前記金属を含む部品らのうちで前記供給タンクに最も隣接するように配置された部品であることがある。
一例によれば、前記流体は超臨界流体であることができる。
一例によれば、前記基板の処理は超臨界流体を利用して基板を乾燥する処理であることができる。
一例によれば、前記基板処理段階以後に前記基板上に金属粒子が残留するかの如何を検査する検査段階を含み、前記検査段階で前記基板上に金属粒子が設定値以上で残留する場合前記検出段階を遂行することができる。
本発明の一実施例によれば、金属粒子を含む部品らが設置された流体供給ラインから流体を供給する時、部品らのうちで金属粒子を放出する部品を容易に捜すことができる。
また、本発明によれば、金属粒子を含む部品らが設置された流体供給ラインから基板に流体を供給して基板を処理する時、部品から放出された金属粒子が流体と共に基板に供給されて基板上に金属粒子が残留することを防止することができる。
本発明の効果が上述した効果らに限定されるものではなくて、言及されない効果らは本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。
一般な基板処理装置に提供された流体供給ユニットを概略的に見せてくれる図面である。 本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる平面図である。 図２の液処理チャンバの一実施例を概略的に見せてくれる図面である。 図２の乾燥チャンバの一実施例を概略的に見せてくれる図面である。 図４の流体供給ユニットの一例を概略的に見せてくれる図面である。 図５の流体供給ユニットに提供された検出部材の一例を概略的に見せてくれる図面である。 流体供給ラインに設置された部品らのうちで検査部品に対して金属異物が放出されたかの如何を検出する過程を見せてくれる図面である。 同じく、流体供給ラインに設置された部品らのうちで検査部品に対して金属異物が放出されたかの如何を検出する過程を見せてくれる図面である。 本発明の一実施例による不良検出方法の一実施例を順次に見せてくれる図面である。 同じく、本発明の一実施例による不良検出方法の一実施例を順次に見せてくれる図面である。 同じく、本発明の一実施例による不良検出方法の一実施例を順次に見せてくれる図面である。 同じく、本発明の一実施例による不良検出方法の一実施例を順次に見せてくれる図面である。 図５の流体供給ユニットの他の実施例を概略的に見せてくれる図面である。 隣接する部品らを連結する連結ラインで金属異物が放出されたかの如何を検出する過程を見せてくれる図面である。 同じく、隣接する部品らを連結する連結ラインで金属異物が放出されたかの如何を検出する過程を見せてくれる図面である。
以下、本発明の実施例を添付された図面らを参照してより詳細に説明する。本発明の実施例はさまざまな形態で変形することができるし、本発明の範囲が下以下の実施例らに限定されることで解釈されてはいけない。本実施例は当業界で平均的な知識を有した者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されたものである。
以下の実施例では基板を洗浄及び乾燥する工程を遂行する装置を例を挙げて本発明の技術的思想(technical idea)を説明する。しかし、本発明の技術的思想は以下の実施例に限定されないで、超臨界流体以外に他の種類の流体を供給する装置に適用されるか、または基板を洗浄または乾燥する工程以外に他の種類の工程を遂行する装置に適用されることができる。
図２は、本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる平面図である。
図２を参照すれば、基板処理装置はインデックスモジュール１０、処理モジュール２０、そして、制御機３０を含む。一実施例によって、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０は一方向に沿って配置される。以下、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０が配置された方向を第１方向９２といって、上部から眺める時第１方向９２と垂直な方向を第２方向９４といって、第１方向９２及び第２方向９４にすべて垂直な方向を第３方向９６という。
制御機３０は基板処理装置を制御することができる。制御機３０はインデックスモジュール１０、そして、処理モジュール２０を制御することができる。制御機３０は基板処理装置の制御を実行するマイクロプロセッサー(コンピューター)でなされるプロセスコントローラー、オペレーターが基板処理装置を管理するためにコマンド入力操作などを行うキーボード、基板処理装置の稼働状況を可視化して表示するディスプレイなどでなされるユーザーインターフェース、基板処理装置で実行される処理をプロセスコントローラーの制御で行うための制御プログラム、そして、各種データ及び処理条件によって各構成部に処理を実行させるためのプログラムを具備することができる。また、ユーザーインターフェース及び記憶部はプロセスコントローラーに接続されてあり得る。処理レシピは記憶部のうちで記憶媒体に記憶されていることがあって、記憶媒体は、ハードディスクでも良く、CD-ROM、DVDなどの可搬性ディスクや、フラッシュメモリーなどの半導体メモリーであることもある。
インデックスモジュール１０は基板(W)が収納された容器８０から基板(W)を処理モジュール２０に返送し、処理モジュール２０で処理が完了された基板(W)を容器８０に収納する。インデックスモジュール１０の長さ方向は第２方向９４に提供される。インデックスモジュール１０はロードポート(load port)１２とインデックスフレーム１４を有する。インデックスフレーム１４を基準でロードポート１２は処理モジュール２０の反対側に位置される。基板(W)らが収納された容器８０はロードポート１２に置かれる。ロードポート１２は複数個が提供されることができるし、複数ロードポート１２は第２方向９４に沿って配置されることができる。
容器８０としては前面開放一体式ポッド(Front Open Unified Pod:FOUP)のような密閉用容器が使用されることができる。容器８０はオーバーヘッドトランスファー(Overhead Transfer)、オーバーヘッドコンベヤー(Overhead Conveyor)、または、自動案内車両(Automatic Guided Vehicle)のような移送手段(図示せず)や作業者によってロードポート１２に置かれることができる。
インデックスフレーム１４にはインデックスロボット１２０が提供される。インデックスフレーム１４内には長さ方向が第２方向９４に提供されたガイドレール１４０が提供され、インデックスロボット１２０はガイドレール１４０上で移動可能に提供されることができる。インデックスロボット１２０は基板(W)が置かれるハンド１２２を含んで、ハンド１２２は前進及び後進移動、第３方向９６を軸にした回転、そして、第３方向９６に沿って移動可能に提供されることができる。ハンド１２２は複数個が上下方向に離隔されるように提供され、ハンド１２２らはお互いに独立的に前進及び後進移動することができる。
処理モジュール２０はバッファーユニット２００、返送チャンバ３００、液処理チャンバ４００、そして、乾燥チャンバ５００を含む。バッファーユニット２００は処理モジュール２０に搬入される基板(W)と処理モジュール２０から搬出される基板(W)が一時的にとどまる空間を提供する。液処理チャンバ４００は基板(W)上に液を供給して基板(W)を液処理する液処理工程を遂行する。乾燥チャンバ５００は基板(W)上に残留する液を除去する乾燥工程を遂行する。返送チャンバ３００はバッファーユニット２００、液処理チャンバ４００、そして、乾燥チャンバ５００の間に基板(W)を返送する。
返送チャンバ３００はその長さ方向が第１方向９２に提供されることができる。バッファーユニット２００はインデックスモジュール１０と返送チャンバ３００との間に配置されることができる。液処理チャンバ４００と乾燥チャンバ５００は返送チャンバ３００の側部に配置されることができる。液処理チャンバ４００と返送チャンバ３００は第２方向９４に沿って配置されることができる。乾燥チャンバ５００と返送チャンバ３００は第２方向９４に沿って配置されることができる。バッファーユニット２００は返送チャンバ３００の一端に位置されることができる。
一例によれば、液処理チャンバ４００らは返送チャンバ３００の両側に配置され、乾燥チャンバ５００らは返送チャンバ３００の両側に配置され、液処理チャンバ４００らは乾燥チャンバ５００らよりバッファーユニット２００にさらに近い位置に配置されることができる。返送チャンバ３００の一側で液処理チャンバ４００らは第１方向９２及び第３方向９６に沿ってそれぞれAXB(A、Bはそれぞれ１または１より大きい自然数)配列で提供されることができる。また、返送チャンバ３００の一側で乾燥チャンバ５００らは第１方向９２及び第３方向９６に沿ってそれぞれCXD(C、Dはそれぞれ１または１より大きい自然数)個が提供されることができる。前述したところと異なり、返送チャンバ３００の一側には液処理チャンバ４００らだけ提供され、その他側には乾燥チャンバ５００らだけ提供されることができる。
返送チャンバ３００は返送ロボット３２０を有する。返送チャンバ３００内には長さ方向が第１方向９２に提供されたガイドレール３４０が提供され、返送ロボット３２０はガイドレール３４０上で移動可能に提供されることができる。返送ロボット３２０は基板(W)が置かれるハンド３２２を含んで、ハンド３２２は前進及び後進移動、第３方向９６を軸にした回転、そして、第３方向９６に沿って移動可能に提供されることができる。ハンド３２２は複数個が上下方向に離隔されるように提供され、ハンド３２２らはお互いに独立的に前進及び後進移動することができる。
バッファーユニット２００は基板(W)が置かれるバッファー２２０を複数個具備する。バッファー２２０らは第３方向９６に沿ってお互いの間に離隔されるように配置されることができる。バッファーユニット２００は前面(front face)と後面(rear face)が開放される。前面はインデックスモジュール１０と見合わせる面であり、後面は返送チャンバ３００と見合わせる面である。インデックスロボット１２０は前面を通じてバッファーユニット２００に近付いて、返送ロボット３２０は後面を通じてバッファーユニット２００に近付くことがある。
図３は、図２の液処理チャンバ４００の一実施例を概略的に見せてくれる図面である。図３を参照すれば、液処理チャンバ４００はハウジング４１０、コップ４２０、支持ユニット４４０、液供給ユニット４６０、そして、昇降ユニット４８０を有する。ハウジング４１０は概して直方体形状で提供される。ハウジングはコップ４２０、支持ユニット４４０、そして、液供給ユニット４６０はハウジング４１０内に配置される。
コップ４２０は上部が開放された処理空間を有して、基板(W)は処理空間内で液処理される。支持ユニット４４０は処理空間内で基板(W)を支持する。液供給ユニット４６０は支持ユニット４４０に支持された基板(W)上に液を供給する。液は複数種類で提供され、基板(W)上に順次に供給されることができる。昇降ユニット４８０はコップ４２０と支持ユニット４４０との間の相対高さを調節する。
一例によれば、コップ４２０は複数の回収筒４２２、４２４、４２６を有する。回収筒４２２、４２４、４２６はそれぞれ基板処理に使用された液を回収する回収空間を有する。それぞれの回収筒４２２、４２４、４２６は支持ユニット４４０を囲むリング形状で提供される。液処理工程が進行時基板(W)の回転によって飛散される処理液は各回収筒４２２、４２４、４２６の流入口４２２a、４２４a、４２６aを通じて回収空間に流入される。一例によれば、コップ４２０は第１回収筒４２２、第２回収筒４２４、そして、第３回収筒４２６を有する。第１回収筒４２２は支持ユニット４４０を囲むように配置され、第２回収筒４２４は第１回収筒４２２を囲むように配置され、第３回収筒４２６は第２回収筒４２４を囲むように配置される。第２回収筒４２４に液を流入する第２流入口４２４aは第１回収筒４２２に液を流入する第１流入口４２２aより上部に位置され、第３回収筒４２６に液を流入する第３流入口４２６aは第２流入口４２４aより上部に位置されることができる。
支持ユニット４４０は支持板４４２と駆動軸４４４を有する。支持板４４２の上面は概して円形で提供されて基板(W)より大きい直径を有することができる。支持板４４２の中央部には基板(W)の後面を支持する支持ピン４４２aが提供され、支持ピン４４２aは基板(W)が支持板４４２から一定距離で離隔されるようにその上端が支持板４４２から突き出されるように提供される。支持板４４２の縁部にはチャックピン４４２bが提供される。チャックピン４４２bは支持板４４２から上部に突き出されるように提供され、基板(W)が回転される時基板(W)が支持ユニット４４０から離脱されないように基板(W)の側部を支持する。駆動軸４４４は駆動機４４６によって駆動され、基板(W)の底面中央と連結され、支持板４４２をその中心軸を基準で回転させる。
一例によれば、液供給ユニット４６０は第１ノズル４６２、第２ノズル４６４、そして、第３ノズル４６６を有する。第１ノズル４６２は第１液を基板(W)上に供給する。第１液を基板(W)上に残存する膜や異物を除去する液であることができる。第２ノズル４６４は第２液を基板(W)上に供給する。第２液は第３液によく溶解される液であることができる。例えば、第２液は第１液に比べて第３液にさらによく溶解される液であることができる。第２液を基板(W)上に供給された第１液を中和させる液であることがある。また、第２液は第１液を中和させて同時に第１液に比べて第３液によく溶解される液であることができる。一例によれば、第２液は水であることができる。第３ノズル４６６は第３液を基板(W)上に供給する。第３液は乾燥チャンバ５００で使用される超臨界流体によく溶解される液であることができる。例えば、第３液は第２液に比べて乾燥チャンバ５００で使用される超臨界流体によく溶解される液であることができる。一例によれば、第３液は有機溶剤であることがある。有機溶剤はイソプロピルアルコールであることができる。第１ノズル４６２、第２ノズル４６４、そして、第３ノズル４６６はお互いに相異なアーム４６１に支持され、これらアーム４６１らは独立的に移動されることができる。選択的に第１ノズル４６２、第２ノズル４６４、そして、第３ノズル４６６は同一なアームに装着されて同時に移動されることができる。
昇降ユニット４８０はコップ４２０を上下方向に移動させる。コップ４２０の上下移動によってコップ４２０と基板(W)との間の相対高さが変更される。これによって基板(W)に供給される液の種類によって処理液を回収する回収筒４２２、４２４、４２６が変更されるので、液らを分離回収することができる。前述したところと異なり、コップ４２０は固定設置され、昇降ユニット４８０は支持ユニット４４０を上下方向に移動させることができる。
図４は、図２の乾燥チャンバの一実施例を概略的に見せてくれる図面である。一実施例によれば、乾燥チャンバ５００は超臨界流体を利用して基板(W)上の液を除去する。乾燥チャンバ５００はボディー５２０、支持体５４０、流体供給ユニット５６０、遮断プレート５８０、そして、検出部材５９０を有する。
ボディー５２０は乾燥工程が遂行される内部空間５０２を提供する。ボディーは高圧に耐える高圧容器で提供されることができる。ボディー５２０は上体（upper body)５２２と下体（lower body)５２４を有する。上体５２２と下体５２４はお互いに組合されて上述した内部空間５０２を提供する。上体５２２は下体５２４の上部に提供される。上体５２２はその位置が固定され、下体５２４はシリンダーまたはモータのような駆動部材５９０によって昇下降されることができる。下体５２４が上体５２２から離隔されれば内部空間５０２が開放され、この時基板(W)が搬入または搬出される。工程進行時には下体５２４が上体５２２に密着されて内部空間５０２が外部から密閉される。乾燥チャンバ５００はヒーター５７０を有する。一例によれば、ヒーター５７０はボディー５２０の壁内部に位置される。ヒーター５７０はボディー５２０の内部空間内に供給された流体が超臨界状態を維持するようにボディー５２０の内部空間５０２を加熱する。
支持体５４０はボディー５２０の内部空間５０２内で基板(W)を支持する。支持体５４０は固定ロード５４２と据置台５４４を有する。固定ロード５４２は上体５２２の底面から下に突き出されるように上体５２２に固定設置される。固定ロード５４２はその長さ方向が上下方向に提供される。固定ロード５４２は複数個提供されてお互いに離隔されるように位置される。固定ロード５４２らはこれらによって取り囲まれた空間で基板(W)が搬入または搬出される時、基板(W)が固定ロード５４２らと干渉しないように配置される。それぞれの固定ロード５４２には据置台５４４が結合される。据置台５４４は固定ロード５４２の下端から固定ロード５４２らによって取り囲まれた空間を向ける方向に延長される。前述した構造によって、ボディー５２０の内部空間５０２に搬入された基板(W)はその縁領域が据置台５４４上に置かれて、基板(W)の上面全体領域、基板(W)の底面のうちで中央領域、そして、基板(W)の底面のうちで縁領域の一部は内部空間５０２に供給された超臨界流体に露出される。
ボディー５２０の内部空間５０２内には遮断プレート(blocking plate)５８０が配置されることができる。遮断プレート５８０は円板形状で提供されることができる。遮断プレート５８０はボディー５２０の底面から上部に離隔されるように支持台５８２によって支持される。支持台５８２はロード形状で提供され、お互いの間に一定距離で離隔されるように複数個が配置される。上部から眺める時遮断プレート５８０は後述する下部分期ライン１４９０の吐出口及び排気ライン５５０の流入口と重畳されるように提供されることができる。遮断プレート５８０は下部分期ライン１４９０を通じて供給された超臨界流体が基板(W)を向けて直接吐出されて基板(W)が損傷されることを防止することができる。
図５は、流体供給ユニットの一例を概略的に見せてくれる図面である。図５を参照すれば、流体供給ユニット５６０はボディー５２０の内部空間５０２に処理流体を供給する。処理流体は超臨界流体であることができる。一例によれば、超臨界流体は超臨界状態で内部空間５０２に供給されることができる。これと他に超臨界流体はガス状態で内部空間５０２に供給され、内部空間５０２内で超臨界状態で相変化されることができる。
流体供給ユニット５６０は供給タンク１２００、流体供給ライン１４００、そして、複数の部品ら１６２０を含む。供給タンク１２００は超臨界流体を貯蔵する。超臨界流体は供給タンク１２００内で超臨界状態で維持されることができる。流体供給ライン１４００は供給タンク１２００とボディー５２０を連結し、供給タンク１２００内の超臨界流体は流体供給ライン１４００を通じてボディー５２０の内部空間に供給される。
一例によれば、流体供給ライン１４００は前方ライン１４２０、流量選択ライン１４４０ら、後方ライン１４６０、上部分期ライン１４８０、そして、下部分期ライン１４９０を有する。前方ライン１４２０は供給タンク１２００と連結される。流量選択ライン１４４０らは前方ライン１４２０の下流側末端に連結される。流量選択ライン１４４０らはお互いの間に並列で配置されることができる。それぞれの流量選択ライン１４４０を流れる流量がお互いに相異であるようにそれぞれの流量選択ライン１４４０にはオリフィス１６２４または流量調節バルブ(図示せず)が設置されることができる。後方ライン１４６０は流量選択ライン１４４０らの下流側末端に連結され、上部分期ライン１４８０及び下部分期ライン１４９０は後方ライン１４６０の下流側末端に連結される。
上部分期ライン１４８０は上体５２２に結合されて支持体５４０に置かれた基板(W)の上部で超臨界流体を供給する。下部分期ライン１４９０は下体５２４に結合されて支持体５４０に置かれた基板(W)の下部で超臨界流体を供給する。一例によれば、上部分期ライン１４８０は上体５２２の中央に結合される。下体５２４には排気ライン５５０が結合される。ボディー５２０の内部空間５０２内の超臨界流体は排気ライン５５０を通じてボディー５２０の外部に排気される。下部分期ライン１４９０と排気ライン５５０のうちで何れか一つは下体５２４の中心に結合され、他の一つは下体５２４の中心から離隔された位置で下体５２４に結合されることができる。
流体供給ライン１４００には複数の部品１６２０が設置される。部品１６２０は流体供給ライン１４００で流体の流れ如何を開閉するか、または流量を調節するバルブ１６２１、１６２３、１６２７a、１６２８cであることがある。また、部品１６２０は流体供給ライン１４００を流れる流体を加熱するヒーター１６２２、１６２６、１６２８aであることがある。また、部品１６２０は流体供給ライン１４００で流路の面積が減少するようにするオリフィス１６２４であることがある。選択的に部品１６２０は流体供給ライン１４００を流れる流体で異物を除去するフィルター１６２５、１６２７a、１６２８bであることがある。
一例によれば、前方ライン１４２０には上流側から下流側を向ける方向に順次にバルブ１６２１及びヒーター１６２２が設置されることができる。バルブ１６２１は開閉バルブであることができる。選択的にバルブ１６２１は流量調節バルブであることができる。ヒーター１６２２は供給タンク１２００で供給される超臨界流体の温度が工程に好適な設定温度になるように超臨界流体を加熱する。
それぞれの流量選択ライン１４４０には上流側から下流側を向ける方向に順次にバルブ１６２３及びオリフィス１６２４が設置されることができる。バルブ１６２３は開閉バルブであることができる。それぞれの流量選択ライン１４４０に設置されるオリフィス１６２４は流体が流れる内部通路面積がお互いに相異に提供される。例えば、３個の流量選択ライン１４４０が提供される場合、第２流量選択ラインに設置されるオリフィスの通路面積は第１流量選択ラインに設置されるオリフィスの通路面積より小さく、第３流量選択ラインに設置されるオリフィスの通路面積は第２流量選択ラインに設置されるオリフィスの通路面積より小さく提供されることができる。ボディー５２０内に供給される超臨界流体の流量を変更しようとする場合、変更しようとする流量に対応される通路面積のオリフィスが設置された流量選択ライン１４４０を通じて超臨界流体を供給することができる。
後方ライン１４６０には上流側から下流側を向ける方向に順次にフィルター１６２５及びヒーター１６２６が設置されることができる。フィルター１６２５は超臨界流体から異物を濾過する。フィルター１６２５は１個が設置されるか、または複数個が順次に提供されることができる。フィルター１６２５が複数個提供される場合、フィルターらはそれぞれのフィルターによって濾過される異物の種類または異物の大きさが相異であるように提供される。ヒーター１６２６は前方ライン１４２０に設置されたヒーター１６２１によって一次的に温度調節された超臨界流体の温度が設定温度になるように超臨界流体の温度を精密制御することができる。
上部分期ライン１４８０には上流側から下流側を向ける方向に順次にフィルター１６２７a及びバルブ１６２７bが設置される。フィルター１６２７aは後方ライン１４６０に設置されたヒーター１６２６によって加熱された超臨界流体をハウジング内に供給する前に、超臨界流体から異物をもう一度濾過する。バルブ１６２７bは開閉バルブであることができる。
下部分期ライン１４９０には上流側から下流側を向ける方向に順次にヒーター１６２８a、フィルター１８２８b、そしてバルブ１６２８cが設置される。初期に超臨界流体は下部分期ライン１４９０を通じてボディー５２０内に流入され、ボディー５２０内部が設定圧力になれば、超臨界流体は上部分期ライン１４８０を通じてボディー５２０内に流入される。下部分期ライン１４９０に設置されたヒーター１６２８aによって下部分期ライン１４９０を通じてボディー５２０内に供給される超臨界流体の温度と上部分期ライン１４８０を通じてボディー５２０内に供給される超臨界流体の温度が相異であるように制御されることができる。フィルター１６２８bは下部分期ライン１４９０に設置されたヒーター１６２８aによって加熱された超臨界流体をボディー５２０内に供給する前に、超臨界流体から異物をもう一度濾過する。
乾燥チャンバ５００でボディー５２０、流体供給ライン１４００、そして、部品ら１６２０は高圧によく耐える剛性材質で提供される。剛性材質は金属であることができる。金属はステンレススチールであることができる。それぞれの部品１６２０は超臨界流体が流れる通路の内側面を金属材質で具備することができる。選択的にそれぞれの部品１６２０で超臨界流体が流れる通路の内側面を金属材質で提供し、その表面は金属以外の材質でコーティングされたコーティング面として提供されることができる。部品１６２０が損傷されるか、または部品１６２０を長期間使用する場合、超臨界流体を利用して基板を処理する間に上の部品１６２０から金属粒子が放出されることができる。放出された金属粒子は超臨界流体と共にボディー５２０内に供給されることができる。金属粒子が基板上に残留する場合、金属粒子によって処理完了された基板は後続される検査工程で不良基板に判定されることができる。
検出部材１６８０は流体供給ライン１４００で設置された部品ら１６２０のうちで金属粒子を放出する部品１６２０を検出する。不良検出は本発明の基板処理装置によって基板処理が完了した後基板を検査する工程で基板が金属粒子によって不良に判定される場合遂行することができる。選択的に不良検出は設定時間または設定日付けを基準に遂行されることができる。選択的に不良検出は基板処理装置で基板の処理枚数が設定枚数に到逹した時に遂行することができる。
図６は、図５の流体供給ユニットに提供された検出部材の一例を概略的に見せてくれる図面である。図６を参照すれば、検出部材１６８０は検出ポート１６８２及び検査機１６８４を有する。検出ポート１６８２は流体供給ライン１４００に設置される。検出ポート１６８２は流体供給ライン１４００から分期されるように提供されることができる。基板を処理する間に検出ポート１６８２の端部は覆い１６８３によって詰まった状態で維持される。一例によれば、覆い１６８３は検出ポート１６８２の端部に螺合されることができる。
一例によれば、検出ポート１６８２は部品ら１６２０のうちで隣接した部品ら１６２０の間、流体供給ライン１４００で一番上流側に提供された部品１６２１の上流、そして、流体供給ライン１４００で一番下流側に提供された部品１６２７b、１６２８cの下流でそれぞれ流体供給ライン１４００に設置されることができる。選択的に検出ポート１６８２は部品ら１６２０のうちで選択された部品ら１６２０の両側だけにそれぞれ提供されるように流体供給ライン１４００に設置されることができる。
検査機１６８４は測定部１６８４a、流入ライン１６８４b、そして、結合ポート１６８４cを有する。測定部１６８４aはその内部に流入された流体で金属粒子を検出する。結合ポート１６８４cは検出ポート１６８２の端部に結合可能に提供される。一例によれば、結合ポート１６８４cは検出ポート１６８２と螺合されるように提供されることができる。流入ライン１６８４bは測定部１６８４a及び結合ポート１６８４cを連結する。流体供給ライン１４００を通じて流れる流体のうちで一部は流入ライン１６８４bを通じて測定部１６８４aに流入される。検査機１６８４は測定部１６８４aに流入された流体に金属粒子が含まれているかの如何、金属粒子の数、または金属の種類などを検出することができる。検査中に流体供給ライン１４００を通じて流れる流体は基板を処理する時と同一な超臨界流体であることができる。選択的に検査中に流体供給ライン１４００を通じて流れる流体は超臨界流体の代りに他の流体を使用することができる。以下、検査に使用される流体は検査用流体と称する。
図７及び図８は、流体供給ラインに設置された部品らのうちで検査部品に対して金属異物が放出されたかの如何を検出する過程を見せてくれる図面らである。図７及び図８で内部が満たされたバルブは閉まった状態であり、内部が空いたバルブは開かれた状態である。また、内部が満たされた検出ポートは端部が詰まった状態であり、内部が空いた検出ポートは端部が開かれた状態である。以下、不良検出を遂行する部品１６２０を検査部品と称する。検査部品に対する検査は下記のように遂行する。
図７に示されたように、検査部品１６２０aより上流側に位置した検出ポート１６８２らのうちで検査部品１６２０に最も隣接した上流検出ポート１６８２aに検査機１６８４の結合ポート１６８４cを連結し、残りの検出ポート１６８２bらはすべて覆い１６８３で塞ぐ。そして、検査部品１６２０より下流側に配置されたバルブらのうちで検査部品１６２０aに最も隣接した位置に設置されたバルブ１６２０dを閉めて、検査部品１６２０より上流側に配置されたバルブら１６２０cはすべて開放する。以後、供給タンク１２００から検査用流体を流体供給ライン１４００を通じて供給する。検査流体らのうちで一部は測定部１６８４aに流入され、測定部１６８４aは金属粒子の有無、または金属粒子の数を測定する。
以後、図８に示されたように、上流検出ポート１６８２aから結合ポート１６８４cを分離し、覆い１６８３で上流検出ポート１６８２aを塞ぐ。以後、検査部品１６２０aより下流側に位置した検出ポート１６８２らのうちで検査部品１６２０aに最も隣接した下流検出ポート１６８２bに検査機１６８４の結合ポート１６８４cを連結し、残り検出ポート１６８２aらはすべて覆い１６８３で塞ぐ。そして、検査部品１６２０aより下流側に配置されたバルブらのうちで検査部品１６２０aに最も隣接した位置に設置されたバルブ１６２０dを閉めて、検査部品１６２０より上流側に配置されたバルブら１６２０cはすべて開放する。供給タンク１２００から検査用流体を流体供給ライン１４００に供給する。検査流体らのうちで一部は測定部１６８４aに流入され、測定部１６８４aは金属粒子の有無、または金属粒子の数を測定する。上流検出ポート１６８２aで測定した第１検出値と下流検出ポート１６８２bで測定した第２検出値に根拠して検査部品１６２０aの不良如何を判定する。例えば、第１検出値と第２検出値の差が設定値以上なら検査部品１６２０aが不良であることで判定することができる。選択的に第１検出値では金属が検出されないで第２検出値で金属が検出された場合、検査部品１６２０aが不良であることで判定することができる。
一例によれば、検査部品１６２０aは下のような方法で検査手順を決定することができる。下では流体供給ライン１４００に設置された部品ら１６２０がすべて金属を含むことを例を挙げて説明する。これと他に流体供給ライン１４００に設置された部品ら１６２０のうちで金属を含まない部品１６２０が設置される場合には、下の検査部品１６２０は金属を含む部品１６２０に特定されることができる。
部品ら１６２０のうちで供給タンク１２００に最も隣接した部品１６２０を第１検査部品１６２０aにして不良如何を検査する。第１検査部品１６２０aが不良であることで判定されれば、検査を中断して第１検査部品１６２０aを新しい部品で交替する。第１検査部品１６２０が良好なことで判定されたら、流体供給ライン１４００の下流方向に第１検査部品１６２０aに最も隣接した部品１６２２を第２検査部品１６２０bにして不良如何を検査する。第２検査部品１６２０bが不良であることで判定されれば、検査を中止して第２検査部品１６２０bを新しい部品で交替する。第２検査部品１６２０bが良好なことで判定されれば、流体供給ライン１４００の下流方向に第２検査部品１６２０bに最も隣接した部品１６２３aを第３検査部品１６２０cにして不良如何を検査する。検査部品らのうちで不良と判断された部品１６２０が発見されるまで流体供給ライン１４００に設置された部品ら１６２０に対して上のような過程を繰り返す。流量選択ライン１４４０らの場合、複数の流量選択ライン１４４０らに対して順次に各流量選択ライン１４４０に設置された部品ら１６２０に対して検査を遂行する。第１検査部品１６２０aに対して検査を遂行する時その下流側の検出ポート１６８２dを利用して測定部１６８４aで測定した第２検出値は第２検査部品１６２０bに対して検査を遂行する時第１検出値で使用することができる。
図９乃至図１２は、本発明の一実施例による不良検出方法の一実施例を順次に見せてくれる図面らである。
図９に示されたように、供給タンク１２００に最も隣接するように位置している第１バルブ１６２１を検査部品で選択する。第１バルブ１６２１の上流側で第１バルブ１６２１と最も隣接した第１検出ポート１６８２cに検査機１６８４を連結して金属粒子を検出する。
以後、図１０に示されたように第１バルブ１６２１の下流側で第１バルブ１６２１と最も隣接した第２検出ポート１６８２dに検査機１６８４を連結して金属粒子を検出する。第１検出ポート１６８２cから検出した第１検出値と第２検出ポート１６８２dから検出した第２検出値に根拠して第１バルブ１６２１の不良如何を判定する。第１バルブ１６２１が不良であることで判定されれば、検査終了して第１バルブ１６２１を交替する。第１バルブ１６２１が良好なことで判定されれば、第１バルブ１６２１の下流側で第１バルブ１６２１と最も隣接した部品である第１ヒーター１６２２を検査部品で選択する。
図１１に示されたように第１ヒーター１６２２の下流側で第１ヒーター１６２２と最も隣接した第３検出ポート１６８２eを検査機１６８４に連結して金属粒子を検出する。第１バルブ１６２１の不良如何を判定するために第２検出ポート１６８２dから検出した第２検出値と第３検出ポート１６８２eから検出した第３検出値に根拠して第１ヒーター１６２２の不良如何を判断する。第１ヒーター１６２２が不良であることで判定されれば、検査を中断して第１ヒーター１６２２を交替する。第１ヒーター１６２２が良好なことで判定されれば、第１流量選択ライン１４４０aに設置された第２バルブ１６２３aを検査部品で選択する。
以後、図１２に示されたように第２バルブ１６２３aの下流側で第２バルブ１６２３aと最も隣接した第４検出ポート１６８２fを検査機１６８４に連結して金属粒子を検出する。第１ヒーター１６２２の不良如何を判定するために第３検出ポート１６８２eから検出した第３検出値と第４検出ポート１６８２fから検出した第４検出値に根拠して第２バルブ１６２３aの不良如何を判断する。上のような過程を流体供給ライン１４００に設置されたすべての部品ら１６２０に対して順次に遂行する。
基板を検査する工程で基板が金属粒子によって不良に判定されて上の不良検収を遂行する場合、流体供給ライン１４００に設置されたすべての部品ら１６２０が良好なことで判定されれば、配管または基板を処理するハウジングで金属粒子が発生したものとして判断し、部品ら１６２０を連結する連結ライン２４２０またはハウジングを交替する。
図１３は、図５の流体供給ユニットの他の実施例を概略的に見せてくれる図面である。
図１３を参照すれば、流体供給ライン２４００で隣接する部品ら２６２０は連結ライン２４２０によって連結される。それぞれの連結ライン２４２０には検出ポート２６８２が２個提供される。検出ポート２６８２らのうちで一つである第１検出ポート２６８２aは上流側に提供される部品２６２０と隣接するように位置し、他のひとつの第２検出ポート２６８２bは下流側に提供される部品２６２０が隣接するように位置する。図１３の液供給ユニット２０００は連結ライン２４２０で金属異物が放出される場合、複数の連結ライン２４２０のうちでどの連結ライン２４２０で金属異物が放出されたかを検出することができる。
図１４及び図１５は、隣接する部品らを連結する連結ラインで金属異物が放出されたかの如何を検出する過程を見せてくれる図面らである。図１４及び図１５で内部が満たされたバルブは閉まった状態であり、内部が空いたバルブは開かれた状態である。また、内部が満たされた検出ポートは端部が詰まった状態であり、内部が空いた検出ポートは端部が開かれた状態である。以下、検査を遂行する連結ライン２４２０を検査ライン２４２０aと称する。
先ず、第１検出ポート２６８２aに検査機２６８４の結合ポートを連結し、第２検出ポート２６８２bは覆い２６８３で塞ぐ。第２検出ポート２６８２bより下流に位置したバルブらのうちで第２検出ポート２６８２bに最も隣接したバルブ２６２０dは閉める。以後、供給タンク２２００から検査用流体を流体供給ライン２４００に供給する。検査流体らのうちで一部は第１検出ポート２６８２aを通じて検出器２６８４の測定部２６８４aに流入され、測定部２６８４aは金属粒子を検出する。以後、第１検出ポート２６８２aを覆い２６８３で塞いで、第２検出ポート２６８２bに検査機２６８４の結合ポート２６８４cを連結する。第２検出ポート２６８２bを通じて検査用流体の一部が測定部２６８４aに流入され、測定部２６８４aは検査用流体から金属粒子を検出する。第１検出ポート２６８２aを通じて検出した第１検出値と第２検出ポート２６８２bを通じて検出した第２検出値に根拠して検査ライン２４２０aの不良如何を判断する。
一例によれば、検査ライン２４２０aは下のような方法で検査手順を決定することができる。
連結ライン２４２０らのうちで供給タンク２２００に最も隣接した連結ライン２４２０を第１検査ラインで選択して不良如何を検査する。第１検査ラインが不良であることで判定されれば、検査を中断して第１検査ラインを新しい連結ライン２４２０で交替する。第１検査ラインが良好なことで判定されれば、流体供給ライン２４００の下流方向に第１検査ラインに最も隣接した連結ライン２４２０を第２検査ラインで選択して不良如何を検査する。連結ライン２４２０らのうちで不良と判断された連結ライン２４２０が発見されるまで流体供給ライン２４００に提供されたすべての連結ライン２４２０らに対して上のような過程を繰り返す。
選択的に連結ライン２４２０と部品２６２０を組み合わせて、供給タンク２２００に隣接した順に連結ライン２４２０と部品２６２０のうちで何れか一つを選択して順次に検査を遂行することができる。例えば、図１３の場合、供給タンク２２００と第１バルブ２６２１を連結する第１連結ライン２４２０、第１バルブ２６２１、第１バルブ２６２１と第１ヒーター２６２２を連結する第２連結ライン２４２０、そして、第１ヒーター２６２２のような順に検査対象を決定することができる。
以下、前述した基板処理装置を利用して基板を処理する方法に対して説明する。基板処理方法は基板処理段階と検出段階を含む。乾燥チャンバのボディー内に基板が搬入されれば、基板処理段階が遂行される。基板処理段階では流体供給ラインを通じて超臨界流体を処理空間に供給して基板を処理する。以後、流体供給ラインに設置された部品らのうちで金属異物が放出する不良部品があるかの如何に対する検出条件が満足されれば、検出段階を遂行する。基板処理段階以後に基板上に金属粒子が残留するかの如何を検査する検査段階が遂行され、検査段階で基板上に金属粒子が設定値以上に残留する場合検出条件が満足されることで設定することができる。選択的に検出条件は基板らを処理することに基板処理装置が使用される時間または基板処理装置によって処理がなされた基板の枚数であることができる。
検出段階は流体供給ライン１４００に設置された部品ら１６２０のうちで金属を含む部品１６２０で金属粒子が放出されるかの如何を検出する。検出段階は第１部品検査段階及び第２部品検査段階を含む。
第１部品検査段階は第１部品から金属粒子が放出されるかの如何を検出する。第１部品検査段階は第１検出段階、第２検出段階、そして、第１判定段階を含む。第１検出段階は第１部品より上流で流体供給ラインに設置された第１検出ポートに検査機を連結し、第１部品を通過する前の検査用流体から金属粒子を検出して第１検出値を獲得する。第２検出段階は第１部品より下流で流体供給ラインに設置された第２検出ポートに検査機を連結し、第１部品を通過した後の検査用流体から金属粒子を検出して第２検出値を獲得する。第１判定段階は第１検出値と第２検出値から第１部品の不良如何を判定する。
第１部品検査段階で第１部品が良品で判定されれば、第２部品検査段階を遂行する。
第２部品検査段階は第２部品から金属粒子が放出されるかの如何を検出する。第２部品検査段階は第３検出段階、第４検出段階、そして、第２判定段階を含む。第３検出段階は流体供給ラインに設置された検出ポートらのうちで第２部品より上流で流体供給ラインに設置された第３検出ポートに検査機を連結し、第２部品を通過する前の検査用流体から金属粒子を検出して第３検出値を獲得する。第４検出段階は流体供給ラインに設置された検出ポートらのうちで第２部品より下流で流体供給ラインに設置された第４検出ポートに検査機を連結し、第２部品を通過した後の検査用流体から金属粒子を検出して第４検出値を獲得する。第２判定段階は第３検出値と第４検出値から第２部品の不良如何を判定する。
第２部品が第１部品より流体供給ラインで下流に配置され、第１部品と第２部品との間に他の部品が提供されない場合、第２部品検査段階は次のように遂行されることができる。第２部品検査段階は第３検出段階と第２判定段階を含む。第３検出段階は流体供給ラインに設置された検出ポートらのうちで第２部品より下流で流体供給ラインに設置された第３検出ポートに検査機を連結し、第２部品を通過した後の検査用流体から金属粒子を検出して第３検出値を獲得する。第２判定段階は第２検出値と第３検出値から第２部品の不良如何を判定する。
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を示して説明するものであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、著わした開示内容と均等な範囲及び/または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。前述した実施例は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明するものであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むことで解釈されなければならない。
５００ 乾燥チャンバ
５２０ ボディー
１０００ 流体供給ユニット
１２００ 供給タンク
１４００ 流体供給ライン
１６２０ 部品
１６８０ 検出部材
１６８２ 検出ポート
１６８４ 検出器

Claims (20)

  1. 基板を処理する装置において、
    基板を処理する処理空間を有するチャンバと、そして
    前記処理空間で処理流体を供給する流体供給ユニットを含むが、
    前記流体供給ユニットは、
    前記処理流体が貯蔵された供給タンクと、
    前記供給タンクと前記チャンバを連結し、前記供給タンクから前記チャンバに前記処理流体を供給する流体供給ラインと、
    前記流体供給ラインに設置された複数の部品と、そして
    前記部品で金属粒子が放出されるかの如何を検出する検出部材を含み、
    前記検出部材は、
    前記複数の部品らのうちで一つである第１部品より上流で前記流体供給ラインに連結された上流検出ポートと、
    前記第１部品より下流で前記流体供給ラインに連結された下流検出ポートと、
    前記上流検出ポートと前記下流検出ポートのうちで選択された検出ポートに結合可能になるように提供され、前記流体供給ラインから前記検出ポートを流れる流体から金属粒子を検出する検出器を具備する基板処理装置。
  2. 前記複数の部品は前記第１部品より下流に配置された一つまたは複数の部品らのうちで前記第１部品に隣接した第２部品をさらに含み、
    前記下流検出ポートは前記第１部品と前記第２部品との間で前記流体供給ラインに連結されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記複数の部品は前記第１部品より上流に配置された一つまたは複数の部品らのうちで前記第１部品に隣接した第２部品をさらに含み、
    前記上流検出ポートは前記第１部品と前記第２部品との間で前記流体供給ラインに連結されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 前記第１部品と前記上流検出ポートとの間に、そして前記第１部品と前記下流検出ポートとの間に他の部品は提供されないことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  5. 前記部品はバルブ、ポンプ、フィルター、またはオリフィスを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項４のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。
  6. 前記部品で前記流体供給ラインを流れる通路に露出された面は金属を含むか、または前記部品で金属面が金属以外の材質でコーティングされる請求項１乃至請求項４のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。
  7. 前記チャンバは高圧容器を含み、
    前記流体は超臨界流体であることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記検出器は前記上流検出ポート及び前記下流検出ポートに脱着可能に提供され、
    前記上流検出ポート及び前記下流検出ポートはそれぞれ前記検出器が分離された状態でその末端を塞ぐ覆いを具備することを特徴とする請求項１乃至請求項４のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。
  9. 前記流体供給ラインに設置されたそれぞれの部品に対して、前記上流検出ポートと前記下流検出ポートがそれぞれ提供されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  10. 基板を処理する装置において、
    基板を処理する処理空間を有するチャンバと、そして
    前記処理空間に超臨界流体を供給する流体供給ユニットを含むが、
    前記流体供給ユニットは、
    前記処理流体が貯蔵された供給タンクと、
    前記供給タンクと前記チャンバを連結し、前記供給タンクから前記チャンバに前記処理流体を供給する流体供給ラインと、
    前記流体供給ラインに設置され、金属を含む材質で提供される複数の部品と、そして
    前記部品で金属粒子が放出されるかの如何を検出する検出部材を含み、
    前記検出部材は、
    前記複数の部品らのうちで一つである第１部品より上流で前記流体供給ラインに連結された上流検出ポートと、
    前記第１部品より下流で前記流体供給ラインに連結された下流検出ポートと、
    前記上流検出ポートと前記下流検出ポートのうちで選択された検出ポートに結合可能になるように提供され、前記流体供給ラインから前記検出ポートを流れる流体から金属粒子を検出する検出器を具備し、
    前記上流検出ポートと前記第１部品との間に、そして前記第１部品と前記下流検出ポートとの間に他の部品は設置されないことを特徴とする基板処理装置。
  11. 前記部品はバルブ、ポンプ、フィルター、またはオリフィスを含むことを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置
  12. 前記検出器は前記上流検出ポート及び前記下流検出ポートに脱着可能に提供され、
    前記上流検出ポート及び前記下流検出ポートはそれぞれ前記検出器が分離された状態でその末端を塞ぐ覆いを具備することを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の基板処理装置。
  13. 基板を処理する方法において、
    流体供給ラインを通じて基板が搬入された処理空間内に流体を供給して基板を処理する基板処理段階と、そして
    前記流体供給ラインに設置された部品らのうちで金属を含む部品で金属粒子が放出されるかの如何を検出する検出段階を含むが、
    前記検出段階は、
    前記流体供給ラインに設置された部品らのうちで一つである第１部品から前記金属粒子が放出されるかの如何を検出する第１部品検査段階を含み、
    前記第１部品検査段階は、
    前記第１部品より上流で前記流体供給ラインに設置された第１検出ポートと連結された検査機によって前記第１部品を通過する前の検査用流体から金属粒子を検出して第１検出値を獲得する第１検出段階と、
    前記第１部品より下流で前記流体供給ラインに設置された第２検出ポートと連結された検査機によって前記第１部品を通過した後の検査用流体から金属粒子を検出して第２検出値を獲得する第２検出段階と、そして
    前記第１検出値と前記第２検出値から前記第１部品の不良如何を判定する第１判定段階を含むことを特徴とする基板処理方法。
  14. 前記第１部品検査段階で前記第１部品が良品で判定されれば、前記複数の部品らのうちで前記第１部品とは異なる前記第２部品から前記金属粒子が放出されるかの如何を検出する第２部品検査段階を含み、
    前記第２部品検査段階は、
    前記流体供給ラインに設置された検出ポートらのうちで前記第２部品より上流で前記流体供給ラインに設置された第３検出ポートと連結された検査機によって前記第２部品を通過する前の検査用流体から金属粒子を検出して第３検出値を獲得する第３検出段階と、
    前記流体供給ラインに設置された検出ポートらのうちで前記第２部品より下流で前記流体供給ラインに設置された第４検出ポートと連結された検査機によって前記第２部品を通過した後の検査用流体から金属粒子を検出して第４検出値を獲得する第４検出段階と、そして
    前記第３検出値と前記第４検出値から前記第２部品の不良如何を判定する第２判定段階を含むことを特徴とする請求項１３に記載の基板処理方法。
  15. 前記第１部品検査段階で前記第１部品が良品で判定されれば、前記複数の部品らのうちで前記第１部品とは異なる前記第２部品から前記金属粒子が放出されるかの如何を検出する第２部品検査段階を含み、
    前記第２部品は前記第１部品より前記流体供給ラインで下流に配置され、
    前記第１部品と前記第２部品との間に他の部品は提供されないし、
    前記第２部品検査段階は、
    前記流体供給ラインに設置された検出ポートらのうちで前記第２部品より下流で前記流体供給ラインに設置された第３検出ポートと連結された検査機によって前記第２部品を通過した後の検査用流体から金属粒子を検出して第３検出値を獲得する第３検出段階と、そして
    前記第２検出値と前記第３検出値から前記第２部品の不良如何を判定する第２判定段階を含むことを特徴とする請求項１３に記載の基板処理方法。
  16. 前記検査機は前記検出ポートらそれぞれに対して結合可能に提供され、
    前記検出ポートらのうちで前記検査機が結合されない検出ポートらは覆いによってその末端が詰まったことを特徴とする請求項１３に記載の基板処理方法。
  17. 前記流体供給ラインは供給タンクから流体を前記処理空間に供給し、
    前記第１部品は前記金属を含む部品らのうちで前記供給タンクに最も隣接するように配置された部品であることを特徴とする請求項１３乃至請求項１６のうちで何れか一つに記載の基板処理方法。
  18. 前記流体は超臨界流体であることを特徴とする請求項１３乃至請求項１６のうちで何れか一つに記載の基板処理方法。
  19. 前記基板の処理は超臨界流体を利用して基板を乾燥する処理であることを特徴とする請求項１８に記載の基板処理方法。
  20. 前記基板処理段階以後に、前記基板上に金属粒子が残留するかの如何を検査する検査段階を含み、
    前記検査段階で前記基板上に金属粒子が設定値以上に残留する場合、前記検出段階を遂行することを特徴とする請求項１３に記載の基板処理方法。

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