TWI590010B - Imaging liquid processing device and processing method - Google Patents

Imaging liquid processing device and processing method Download PDF

Info

Publication number
TWI590010B
TWI590010B TW102127704A TW102127704A TWI590010B TW I590010 B TWI590010 B TW I590010B TW 102127704 A TW102127704 A TW 102127704A TW 102127704 A TW102127704 A TW 102127704A TW I590010 B TWI590010 B TW I590010B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid
tank
defoaming
developing
developing solution
Prior art date
Application number
TW102127704A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201411300A (zh
Inventor
Ken Horiuchi
Atsushi Kondo
Original Assignee
Toray Industries
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries filed Critical Toray Industries
Publication of TW201411300A publication Critical patent/TW201411300A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI590010B publication Critical patent/TWI590010B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D19/00—Degasification of liquids
    • B01D19/0042—Degasification of liquids modifying the liquid flow
    • B01D19/0052—Degasification of liquids modifying the liquid flow in rotating vessels, vessels containing movable parts or in which centrifugal movement is caused
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D19/00—Degasification of liquids
    • B01D19/02—Foam dispersion or prevention
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D21/00—Separation of suspended solid particles from liquids by sedimentation
    • B01D21/26—Separation of sediment aided by centrifugal force or centripetal force
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D21/00—Separation of suspended solid particles from liquids by sedimentation
    • B01D21/26—Separation of sediment aided by centrifugal force or centripetal force
    • B01D21/262—Separation of sediment aided by centrifugal force or centripetal force by using a centrifuge
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D21/00—Separation of suspended solid particles from liquids by sedimentation
    • B01D21/26—Separation of sediment aided by centrifugal force or centripetal force
    • B01D21/267—Separation of sediment aided by centrifugal force or centripetal force by using a cyclone
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3092—Recovery of material; Waste processing

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Details Or Accessories Of Spraying Plant Or Apparatus (AREA)

Description

顯像液之處理裝置及處理方法
本發明係有關於顯像液之處理裝置及處理方法。
所謂圖案，係指基板上之特定材料的形狀，舉例來說，就電漿顯示器面板而言，縱使僅著眼於其背面板，電極、間壁及螢光體亦各自具有複雜之圖案。此種圖案內，所謂導電圖案，係指基板上之導電材料的形狀，而作為供形成該導電性圖案之材料，含有導電性填料之非燒成型之感光性導電糊已廣為人知。非燒成型之感光性導電糊係藉由較低溫之硬化步驟中的硬化收縮使導電性填料彼此間相互接觸而展現導電性，由於其在耐熱性差之薄膜基板等上仍可形成導電圖案，智慧型手機或電子黑板之觸控面板的細節距配線導向之開發持續進行中(專利文獻1~5)。
使用感光性導電糊之導電圖案形成程序係為對由感光性導電糊形成之塗布膜等，隔著具有所欲之圖案的光罩照光來進行曝光，藉此使顯像液中之溶解度差產生，使得溶解成分在顯像液中溶出而形成圖案之程序。如此一來，使用感光性導電糊之導電圖案形成程序則必須具備使用顯像液之顯像處理步驟。
於顯像處理後之顯像液中，不溶性之無機成分或有機成分之凝塊係以不溶成分形態殘留。此等不溶成分，亦即殘渣，係在例如電漿顯示器面板之背面板的間壁圖案形成程序等中會大量產生。為了再利用顯像處理後之顯像液並再次供予顯像處理，則應防止被顯像物之污染或顯像處理步驟裝置之堵塞等，需由顯像處理後之顯像液中去除殘渣。另一方面，由於例如供形成電極圖案之感光性導電性糊料含有銀等昂貴金屬，從顯像處理後之顯像液中分離殘渣亦具有資源回收上之意義。
作為用以由顯像處理後之顯像液分離殘渣之方法，利用濾紙或沉澱槽之方法已廣為人知，惟其中有濾紙的更換頻率高、濾紙更換時之裝置停止的必要性、或者用以降低流速之大容量沉澱槽的必要性等各種問題。因此，作為替代此等方法之方法，已有人開發出離心分離法(專利文獻5及6)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1 日本特開昭59-143149號公報
專利文獻2 日本特開平5-75273號公報
專利文獻3 日本專利第4034555號公報
專利文獻4 日本專利第4319625號公報
專利文獻5 日本專利第3191772號公報
專利文獻6 日本特開2005-292189號公報
然而，在採用離心分離法來進行殘渣的分離時，雖可有效回收銀等之高比重(約10)的無機成分，但低比重之有機物等之不溶成分的去除效率低，而且大量的空氣會捲入顯像液中，因此，此等便混入離心分離後之顯像液並凝聚，而產生屬浮遊物之浮渣。此種浮渣在使用非燒成型之感光性導電糊之導電圖案形成程序中特別容易生成，現況在於伴有浮渣所致之配管堵塞、各種感測器之誤動作或顯像處理後之導電圖案之瑕疵等諸多問題。
從而，本發明係以提供一種可解決浮渣產生所衍生的問題，且極有助於製品不良率之改善、製造裝置之操作率提升或貴金屬的高效率回收所達之製造成本削減等的顯像液之處理裝置及處理方法為目的
因此，本發明人等著眼於抑制浮渣的產生而非去除產生之浮渣，並致力進行研究的結果發現，顯像處理後之顯像液的消泡與在一定條件下的流動之組合，對於抑制浮渣的產生極為有效，從而完成本發明。
亦即，本發明係提供以下(1)~(10)所記載之顯像液之處理裝置及處理方法：
(1)一種顯像液之處理裝置，其具備：藉由離心分離將顯像處理後之顯像液分離成澄清液與殘渣之離心分離機、及 將該澄清液消泡並排出之消泡裝置。
(2)如上述(1)之處理裝置，其具備：離心分離顯像處理後之顯像液而得到澄清液與殘渣之離心分離機、儲存該澄清液之第1槽、將該第1槽內之澄清液消泡並排出之消泡裝置、將從該消泡裝置排出之澄清液與未使用之顯像液混合並儲存之第2槽、將從該第2槽溢出之澄清液從該第1槽之上方供給至該第1槽之手段。
(3)如上述(1)之處理裝置，其具備：離心分離顯像處理後之顯像液而得到澄清液與殘渣之離心分離機、儲存該澄清液之第1槽、將該第1槽內之澄清液消泡並排出之消泡裝置、將從該消泡裝置排出之澄清液與未使用之顯像液混合並儲存之第2槽、將從該第1槽溢出之澄清液從該第2槽上方供給至該第2槽之手段。
(4)如上述(2)或(3)之處理裝置，其中該第1槽與該第2槽係夾著隔板而鄰接。
(5)如上述(2)至(4)中任一項之處理裝置，其中從該第1槽或該第2槽溢出之澄清液，沿著該隔板流動，供給至其他槽。
(6)如上述(2)至(5)中任一項之處理裝置，其中該第1槽所儲存之澄清液之液面與該第2槽所儲存之澄清液之液面的高低差為5cm以上。
(7)如上述(2)至(6)中任一項之處理裝置，其中從該第1槽或該第2槽之上方供給之澄清液的垂直方向流速為15cm/s以上。
(8)如上述(2)至(7)中任一項之處理裝置，其中從該消泡裝置排出之澄清液的氣泡率為10%以下。
(9)一種顯像液之處理方法，其具備：對顯像處理後之顯像液予以離心分離而得到澄清液與殘渣之離心分離步驟；及將該澄清液消泡而得到消泡顯像液之消泡步驟。
(10)如上述(9)之處理方法，其具備：將該消泡顯像液與未使用之顯像液混合而得到混合顯像液之混合步驟；及將該混合顯像液的一部分供給至該顯像處理，將該混合顯像液的一部分從該消泡前之該澄清液之上方供給至該消泡步驟之回流步驟。
根據本發明之顯像液之處理裝置，得以大幅抑制浮渣的產生，能夠達成製品不良率之改善、製造裝置之操作率提升或藉由貴金屬的高效率回收使製造成本削減等。
1‧‧‧顯像裝置
2‧‧‧溢流
3‧‧‧供給泵X
4‧‧‧送液手段X
5‧‧‧使用後顯像液槽
5a、5b‧‧‧槽(使用後顯像液槽之一室)
6‧‧‧離心分離機
7‧‧‧供給泵Y
8‧‧‧送液手段Y
9‧‧‧固體成分儲存槽
10‧‧‧第1槽
11‧‧‧供給泵Z
12‧‧‧消泡泵
13‧‧‧第2槽
14‧‧‧送液手段Z
15‧‧‧未使用之顯像液
第1圖為表示具備習知顯像液之處理裝置之顯像處理步驟的示意圖。
第2圖為表示具備本發明第一實施形態之顯像液之處理裝置之顯像處理步驟的示意圖。
第3圖為表示具備本發明第二實施形態之顯像液之處理裝置之顯像處理步驟的示意圖。
第4圖為表示具備本發明第三實施形態之顯像液之處理裝置之顯像處理步驟的示意圖。
本發明之顯像液之處理裝置，其特徵為具備：藉由離心分離將顯像處理後之顯像液分離成澄清液與殘渣之離心分離機、及將該澄清液消泡並排出之消泡裝置。
又，本發明之顯像液之處理方法，其特徵為具備：藉由離心分離將顯像處理後之顯像液分離成澄清液與殘渣之離心分離步驟；及將該澄清液消泡而得到消泡顯像液之消泡步驟。
當再利用顯像處理後之顯像液時，基於防止浮渣產生、殘渣有效分離及澄清液之澄清度提升之觀點，係以將其總量供給至離心分離機，並將所得澄清液作為顯像液再利用為佳。
第2圖所示之本發明第一實施形態之顯像液之處理裝置，其特徵為具備：離心分離顯像處理後之 顯像液而得到澄清液與殘渣之離心分離機、儲存該澄清液之第1槽、將該第1槽內之澄清液消泡並排出之消泡裝置、將從該消泡裝置排出之澄清液與未使用之顯像液混合並儲存之第2槽、將從該第2槽溢出之澄清液從該第1槽之上方供給至該第1槽之手段。
又，第3圖所示之本發明第二實施形態之顯像液之處理裝置，其特徵為具備：離心分離顯像處理後之顯像液而得到澄清液與殘渣之離心分離機、儲存該澄清液之第1槽、將該第1槽內之澄清液消泡並排出之該消泡裝置、將從該消泡裝置排出之澄清液與未使用之顯像液混合並儲存之第2槽、將從該第1槽溢出之澄清液從該第2槽上方供給至該第2槽之手段。
第4圖所示之本發明第三實施形態之顯像液之處理裝置，其特徵為具備：藉由離心分離將顯像處理後之顯像液分離成澄清液與殘渣之離心分離機、及將該澄清液消泡並排出之消泡裝置。
「離心分離」係指利用顯像液中之固體成分即不溶成分的殘渣與顯像液的比重差，藉由離心力分離殘渣與顯像液，由顯像液去除殘渣而得到澄清液之手法。所謂澄清液，換言之，係指經去除殘渣之顯像液。澄清液可含有未能藉由離心力完全分離之有機粒子所代表之有機物等的不溶成分。另一方面，一般而言殘渣係以無機粒子為主成分。
以機械式達成此種離心分離之裝置係離心分離機，惟以可連續處理而言，較佳為傾析式之離心分離機。
若經分離之殘渣中含有銀等的貴金屬作為無機粒子時，藉由將其熔融並回收，可達成製造成本削減。本發明之顯像液之處理裝置係適用於含有作為無機粒子之金屬粒子之殘渣的回收，該金屬粒子只要為選自包含Ag、Au、Cu、Pt、Pb、Sn、Ni、Al、W、Mo、氧化釕、Cr、Ti及銦之群組中的貴金屬之粒子，基於製造成本削減觀點係更為理想。
此外，當應以殘渣形態分離之無機粒子未能藉由離心力完全分離而混入澄清液時，彼等便易於形成核而產生浮渣。
藉由離心分離所得之澄清液係供給至第1槽並儲存。供給至第1槽之澄清液係因離心分離而捲入有大量空氣，氣泡率極高。若氣泡從液中上升至液面，則低比重之有機物等的不溶成分便與氣泡共同上升至液面，凝聚、浮遊而產生浮渣。因此，第1槽所儲存之澄清液之氣泡率係愈低愈佳。
氣泡率可取被測定液體至量筒中，分別測定含氣泡部分之體積(L1)與不含氣泡部分之體積(L2)，依下式(1)算出：[式1]氣泡率=L1/(L1+L2) (1)
本發明第三實施形態之顯像液之處理裝置係具備將澄清液消泡並排出之消泡裝置。
本發明第一實施形態或第二實施形態之顯像液之處理裝置，為了降低第1槽所儲存之澄清液之氣泡率，係具備將第1槽內之澄清液消泡並排出之消泡裝置。作為消泡裝置，可列舉例如藉由加熱沸騰除氣、超音波除氣、真空減壓除氣或離心除氣之消泡泵或中空絲膜除氣模組或者此等之組合。
藉由離心分離所得之澄清液之氣泡率大多超過50%，而利用上述消泡裝置實施消泡處理後之澄清液之氣泡率較佳達10%以下，更佳達5%以下。
藉由離心分離所得之澄清液在本發明第一實施形態或第二實施形態之顯像液之處理裝置中係供給至第1槽。又，在本發明第一實施形態或第二實施形態之顯像液之處理裝置中，消泡處理後之澄清液係供給至第2槽並儲存。第2槽中另外供給有未使用之顯像液。亦即，於第2槽中，消泡處理後之澄清液與未使用之顯像液經混合並儲存。第2槽所供給之未使用之顯像液的供給量(流量等)只要考量本發明處理裝置整體之液流的平衡來適當決定即可。此外，「未使用之顯像液」係指供區分來源與上述消泡處理後之澄清液相異之顯像液的所謂方便上的用語，不限於嚴謹意義上之所有未使用於顯像處理的顯像液。亦即，未使用之顯像液可為採用與本發明處理裝置不同之手段精製而成之使用過的(再利用的)顯像液等。
本發明第一實施形態之顯像液之處理裝置係具備將從第2槽溢出之澄清液從第1槽上方供給至第 1槽之手段。另外，本發明第二實施形態之顯像液之處理裝置則具備將從第1槽溢出之澄清液從第2槽上方供給至第2槽之手段。
作為將從第1槽或第2槽溢出之澄清液供給至其他槽之手段，可舉出例如在第1槽與第2槽之間設置配管，而基於省空間化或處理裝置構造之簡化等之觀點，較佳如第2圖及第3圖所示，使第1槽與第2槽夾著隔板而鄰接，並使從第1槽或第2槽溢出之澄清液沿著隔板流動。
本發明之處理裝置中，較佳與利用上述消泡裝置之消泡處理後組合，並對第1槽內之澄清液賦予供抑制第1槽所儲存之澄清液中的不溶成分上升至液面的流動。
更具體而言，藉由從第1槽所儲存之澄清液上方供給液體，可使供抑制澄清液中的不溶成分上升至液面的流動產生。從第1槽上方供給之液體在本發明第一實施形態之顯像液之處理裝置中，係如第2圖所示，為從第2槽溢出之澄清液。又，在本發明第二實施形態之顯像液之處理裝置中，係如第3圖所示，為離心分離後之澄清液。
上述第1槽所儲存之澄清液之液面與上述第2槽所儲存之澄清液之液面的高低差較佳為5cm以上。此時，上述第1槽及第2槽各者的容量較佳為100~300L左右。兩槽之澄清液之液面間的高低差愈大，從任一槽溢出之澄清液所具有的位能愈大。因此，其流 入其他槽時的動能愈大，可較上升之不溶成分更加微細化。
第1槽所儲存之澄清液中捲入的空氣，亦即氣泡，其直徑多為0.5mm左右。由於此程度大小之氣泡朝向液面上升的速度約為15cm/s，因此，從第1槽或第2槽之上方供給之溢流的垂直方向流速較佳為15cm/s以上，更佳為20cm/s以上。此外，「從上方」指的是，非僅為垂直方向上側，亦包含斜上方。於此，當溢流從斜上方供給時，溢流的垂直方向流速可藉由將斜向之流速以速度向量分解成垂直方向與水平方向來求得。此外，為了更有效地抑制浮渣產生，使經由消泡裝置消泡處理後之澄清液溢出的本發明第一實施形態之顯像液之處理裝置為較佳。
經本發明處理裝置處理之顯像液的濃度係以定期經校正為佳。作為顯像液的濃度測定裝置，可列舉例如pH計、導電度計或自動滴定裝置。作為顯像液的濃度調整方法，可舉出在處理裝置之系統內追加既定量之未使用之高濃度顯像液之方法。
本發明之顯像液之處理裝置係在將包含含有感光性成分之有機成分的感光性糊料塗布於基板上，並進行曝光、顯像而形成所欲圖案之圖案形成程序，更具體而言為使用感光性導電糊之導電圖案形成程序中的顯像處理步驟可適合使用。其中，在使用浮渣特別容易產生之非燒成型之感光性導電糊的導電圖案形成程序的顯像處理步驟中使用，得以顯著發揮其效果而較佳。
作為顯像處理之方法，可列舉例如鹼性顯像或有機顯像。
作為鹼性顯像所使用之顯像液，可列舉例如氫氧化四甲銨、二乙醇胺、二乙胺乙醇、氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、碳酸鉀、三乙胺、二乙胺、甲胺、二甲胺、乙酸二甲胺基乙酯、二甲胺乙醇、甲基丙烯酸二甲胺基乙酯、環己胺、乙二胺或己二胺之水溶液，亦可添加N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、二甲基亞碸或者γ-丁內酯等的極性溶劑，甲醇、乙醇或者異丙醇等的醇類，乳酸乙酯或者丙二醇單甲醚乙酸酯等的酯類，環戊酮、環己酮、異丁基酮或者甲基異丁基酮等的酮類等或界面活性劑。此外，作為有機顯像所使用之顯像液，可列舉例如N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙醯基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基亞碸或者六甲基磷酸三醯胺等的極性溶劑或此等極性溶劑與甲醇、乙醇、異丙醇、二甲苯、水、甲基卡必醇或者乙基卡必醇等組合而成之混合溶液。
作為非燒成型之感光性導電糊，可舉出例如使導電性填料(D)分散於將具有烷氧基之化合物(A)、感光性成分(B)、光聚合起始劑(C)混合而成之感光性樹脂中的物質。
作為具有烷氧基之化合物(A)，可列舉例如N-甲氧基甲基丙烯醯胺、N-乙氧基甲基丙烯醯胺或N-正丁氧基甲基丙烯醯胺。
感光性成分(B)係指分子內具有一個以上不飽和雙鍵之單體、低聚物或聚合物，若顯像處理為鹼性顯像時，較佳為包含鹼可溶性之聚合物。
作為鹼可溶性之聚合物，可舉出例如丙烯酸系共聚物。丙烯酸系共聚物係指共聚合成分中包含丙烯酸甲酯、丙烯酸、丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸乙酯或丙烯酸正丁酯等之丙烯酸系單體之共聚物。
光聚合起始劑(C)係指可吸收紫外線等的短波長光而分解生成自由基之化合物，可列舉例如1,2-辛二酮、1-[4-(苯硫基)-2-(O-苯甲醯基肟)]或2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基-氧化膦。此外，亦可與光聚合起始劑(C)一起添加增感劑來提升感度、或擴大對反應有效之波長範圍。作為此類增感劑，可列舉例如2,4-二乙基-9-氧硫(2,4-diethylthioxanthone)、異丙基-9-氧硫或2,3-雙(4-二乙胺基亞苄基)環戊酮。
導電性填料(D)較佳為含有Ag、Au、Cu、Pt、Pb、Sn、Ni、Al、W、Mo、氧化釕、Cr、Ti或銦，基於成本及穩定性之觀點，更佳為含有Ag。
非燒成型之感光性導電糊係可含有環氧樹脂，惟基於提升塗布膜之保存穩定性及導電圖案之密接性，環氧樹脂的環氧當量較佳為200~500g/當量。環氧當量係指含有1當量之環氧基之樹脂的質量，可依據JIS-K7236記載之電位差滴定法來求得。
相對於100重量份之感光性成分(B)，環氧樹脂的添加量較佳為1~100重量份，更佳為30~80重量份。
作為環氧當量為200~500g/當量之感光性成分(B)，可列舉例如乙二醇改質環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂或溴化環氧樹脂。
[實施例]
以下對本發明舉出其實施例及比較例詳細加以說明，惟本發明之形態不限定於此等。
(非燒成型之感光性導電糊的製作)
於100mL之潔淨瓶中分別裝入20g之感光性成分(B-1)、12g之N-正丁氧基甲基丙烯醯胺、4g之光聚合起始劑(OXE-01；Ciba Japan股份有限公司製)、0.6g之酸產生劑(SI-110；三新化學工業股份有限公司製)、10g之γ-丁內酯(MITSUBISHI GAS CHEMICAL股份有限公司製)，利用THINKY MIXER(註冊商標)(ARE-310；THINKY股份有限公司製)加以混合，得到46.6g之感光性樹脂溶液A(固體含量78.5重量%)。對8.0g之感光性樹脂溶液A與42.0g之銀粒子(平均粒徑2μm)，利用三輥磨機(EXAKT M-50；EXAKT公司製)進行混練，而得到50g之非燒成型之感光性導電糊A。
此外，感光性成分(B-1)係使5重量份之甲基丙烯酸環氧丙酯(GMA)與丙烯酸乙酯(EA)/甲基丙烯酸2-乙基己酯(2-EHMA)/苯乙烯(St)/丙烯酸(AA)之共聚物(共聚合比：20重量份/40重量份/20重量份/15重量份)進行加成反應而成者，係依以下方式合成。
於氮氣環境反應容器中裝入150g之二乙二醇單乙醚乙酸酯，使用油浴予以升溫至80℃。以1小時 對其滴下包含20g之丙烯酸乙酯、40g之甲基丙烯酸2-乙基己酯、苯乙烯20g、丙烯酸15g、0.8g之2,2’-偶氮二異丁腈及10g之二乙二醇單乙醚乙酸酯的混合物。滴下結束後，進一步進行聚合反應6小時。其後，添加1g之對苯二酚單甲醚以中止聚合反應。接著以0.5小時滴下包含5g之甲基丙烯酸環氧丙酯、1g之三乙基苯甲基氯化銨及10g之二乙二醇單乙醚乙酸酯的混合物。滴下結束後，進一步進行加成反應2小時。將所得之反應溶液用甲醇精製以去除未反應雜質，繼而進行真空乾燥24小時，即得到感光性成分(B-1)。所得之感光性成分(B-1)的酸價為103mgKOH/g，依下式(2)所求得之玻璃轉移溫度為21.7℃。
於此，Tg為聚合物的玻璃轉移溫度(單位：K)、T1、T2、T3...為單體1、單體2、單體3…之均聚物的玻璃轉移溫度(單位：K)、W1、W2、W3...為單體1、單體2、單體3...之重量基準的共聚合比。
(塗布膜形成~曝光~顯像處理)
將40g之非燒成型之感光性導電糊A以網版印刷塗布於附有ITO之玻璃基板上，於100℃之乾燥烘箱中進行預烘烤10分鐘。其次，利用曝光裝置(PEM-6M；UNION OPTICAL(股)製)以曝光量70mJ/cm2(以波長365nm換算)實施全線曝光。該全線曝 光後之塗布膜共計製作1000片。爾後，一邊使用本發明之顯像液處理裝置，一邊對1片全線曝光後之塗布膜進行顯像處理1分鐘。此外，顯像處理與下一次之顯像處理之間各設置80秒之間隔。
(顯像處理後之導電圖案等的評定)
以超純水清洗顯像處理後之塗布膜後，於200℃之乾燥烘箱中實施硬化1小時，得到膜厚10μm之導電圖案。利用光學顯微鏡確認導電圖案的線及間隔(line and space)(以下為「L/S」)圖案。又，確認導電圖案的比電阻及可撓性(試驗後有無龜裂或斷線等)。
(實施例1)
建構第2圖所示之本發明第一實施形態之顯像液之處理裝置，對顯像液即0.5%碳酸鈉水溶液實施處理。
具體而言，作為顯像裝置(1)，係按每根噴淋管(shower tube)，以150mm間隔朝下設置噴嘴。對在顯像裝置(1)下方以一定速度移動的被顯像對象物(上述之全線曝光後之塗布膜)從噴嘴噴射顯像液。顯像處理所使用之使用後顯像液係予以集中後儲存於槽(5b)。槽(5b)係為藉由隔板分隔成兩室之使用後顯像液槽(5)之一室。作為使用後顯像液槽(5)，係使用總容量為300L者，其經分隔成容量各為150L之槽(5a)與槽(5b)此兩室。此外，對使用後顯像液槽(5)內之顯像液一面進行攪拌一面用加熱器予以控溫。
槽(5b)所儲存之使用後顯像液係經由供給泵Y(7)及送液手段Y(8)以流量(q1)65L/min供給至傾析式之離心分離機(6)。離心分離機(6)係以SUS304為主要構成材質，於磨耗劇烈的螺旋輸送機前端黏貼有WC晶片並實施過耐磨耗處理。
藉由使用離心分離機(6)之處理可得到澄清液與殘渣，對於澄清液、殘渣，係分別供給至第1槽(10)、固體成分儲存槽(9)。
第1槽(10)所儲存之澄清液係以流量(q2)68L/min供給至消泡裝置即消泡泵(12)(UPSA-1010S型；橫田製作所製+真空泵(最大排氣速度300m3/Hr、極限壓力17Torr)，消泡後排出之消泡顯像液則經由送液手段Z(14)供給至第2槽(13)。
呈穩定狀態之消泡後排出之消泡顯像液的氣泡率為5%。又測定SS濃度(JIS K0102)的結果為0.03g/L。
第2槽(13)所儲存之澄清液係藉由供給泵Z(11)，與上述流量(q1)同樣地以65L/min供給至槽(5a)。此外，從槽(5a)溢出之澄清液係從槽(5b)之上方以溢流形態流入。
將槽(5a)所儲存之澄清液，經由供給泵X(3)及送液手段X(4)，以流量(Q)60L/min作為再利用之顯像液供給至顯像裝置(1)。
依上述構成，從第2槽(13)溢出澄清液，並從第1槽(10)之上方以溢流形態流入。第1槽(10)所儲 存之澄清液之液面與第2槽(13)所儲存之澄清液之液面的高低差為5cm。又測定溢流之垂直方向流速的結果為15cm/s。
此外，處理裝置內之顯像液係利用自動滴定裝置(電氣化學系統1036D)隨時實施濃度管理，於第1槽(10)中以3L/min之流量與未使用之顯像液進行更換，以維持設定濃度(0.5%)。
最終所得之導電圖案其L/S至20/20μm為止無圖案間殘渣及圖案剝離，導電圖案的比電阻為7.3×10-5Ωcm，既經實施良好之圖案加工。又，就可撓性而言亦未發生試驗後龜裂或斷線等，極為良好。製品的不良率為0%。
固體成分儲存槽(9)所儲存之殘渣幾乎不含水分，可回收3.9kg之銀粉末(回收率99%)。
連日重複實施一連串作業的結果，30日未發生配管堵塞(超過供給泵X(3)的排出壓力上限)，於此期間不需任何之配管等的維修。
(實施例2)
與實施例1同樣地建構第2圖所示之本發明第一實施形態之顯像液之處理裝置，對顯像液實施處理。惟，茲將流量(q2)變更為70L/min。
其結果，從第2槽(13)溢出澄清液，並從第1槽(10)之上方以溢流形態流入。第1槽(10)所儲存之澄清液之液面與第2槽(13)所儲存之澄清液之液面的高低差為7cm。又測定溢流之垂直方向流速的結果為20cm/s。
呈穩定狀態之消泡後排出之消泡顯像液的氣泡率為3%。又，SS濃度為0.01g/L。
最終所得之導電圖案其L/S至20/20μm為止無圖案間殘渣及圖案剝離，導電圖案的比電阻為7.3×10-5Ωcm，既經實施良好之圖案加工。又，就可撓性而言亦未發生試驗後龜裂或斷線等，極為良好。製品的不良率為0%。
固體成分儲存槽(9)所儲存之殘渣幾乎不含水分，可回收3.9kg之銀粉末(回收率99%)。
連日重複實施一連串作業的結果，180日未發生配管堵塞，於此期間不需任何之配管等的維修。
(實施例3)
建構第3圖所示之本發明第二實施形態之顯像液之處理裝置，與實施例1及2同樣地對顯像液實施處理。惟，基板係採用玻璃基板上黏貼有膜厚50μm之聚醯亞胺薄膜者，且流量(q2)變更為55L/min。
如上述進行變更的結果，從第1槽(10)溢出澄清液，並從第2槽(13)之上方以溢流形態流入。第1槽(10)所儲存之澄清液之液面與第2槽(13)所儲存之澄清液之液面的高低差為7cm。又測定溢流之垂直方向流速的結果為20cm/s。
呈穩定狀態之消泡後排出之消泡顯像液的氣泡率為10%。又，SS濃度為0.05g/L。
最終所得之導電圖案其L/S至20/20μm為止無圖案間殘渣及圖案剝離，導電圖案的比電阻為 7.3×10-5Ωcm，既經實施良好之圖案加工。又，就可撓性而言亦未發生試驗後龜裂或斷線等，極為良好。製品的不良率為0%。
固體成分儲存槽(9)所儲存之殘渣幾乎不含水分，可回收3.9kg之銀粉末(回收率99%)。
連日重複實施一連串作業的結果，14日未發生配管堵塞，於此期間不需任何之配管等的維修。
(實施例4)
建構第4圖所示之顯像液之處理裝置。茲作成將第1槽(10)統合為一並進一步設置消泡泵(12)及送液手段Z(14)之構造。流量(q1)係變更為30L/min、流量(q2)變更為55L/min。呈穩定狀態之消泡後排出之消泡顯像液的氣泡率為10%。又，SS濃度為0.1g/L。
最終所得之導電圖案其L/S至20/20μm為止無圖案間殘渣及圖案剝離，導電圖案的比電阻為7.3×10-5Ωcm，既經實施良好之圖案加工。又，就可撓性而言亦未發生試驗後龜裂或斷線等，極為良好。製品的不良率為0%。
固體成分儲存槽(9)所儲存之殘渣幾乎不含水分，可回收3kg之銀粉末(回收率76%)。
連日重複實施一連串作業的結果，7日未發生配管堵塞，於此期間不需任何之配管等的維修。
(比較例)
建構第1圖所示之顯像液之處理裝置。亦即，茲作成消除第2圖及第3圖中的第1槽與第2槽之 區隔、將第1槽(10)統合為一，且未進一步設有消泡泵(12)及送液手段Z(14)之構造。流量(q1)係設為30L/min。
在不具消泡裝置且未產生離心分離之澄清液的溢流之形態的處理裝置中，對共計1000片之全線曝光後之塗布膜當中的大約半數實施顯像處理的結果，發生配管堵塞，而不得不實施配管等的維修。
顯像處理後之塗布膜
[產業上可利用性]
本發明之顯像液之處理裝置及處理方法在使用非燒成型之感光性導電糊之導電圖案形成程序的顯像處理步驟中可適合使用。
1‧‧‧顯像裝置
2‧‧‧溢流
3‧‧‧供給泵X
4‧‧‧送液手段X
5‧‧‧使用後顯像液槽
5a、5b‧‧‧槽(使用後顯像液槽之一室)
6‧‧‧離心分離機
7‧‧‧供給泵Y
8‧‧‧送液手段Y
9‧‧‧固體成分儲存槽
10‧‧‧第1槽
11‧‧‧供給泵Z
12‧‧‧消泡泵
13‧‧‧第2槽
14‧‧‧送液手段Z
15‧‧‧未使用之顯像液

Claims (9)

  1. 一種顯像液之處理裝置，其具備：藉由離心分離將顯像處理後之顯像液分離成澄清液與殘渣之離心分離機、儲存該澄清液之第1槽、將該第1槽內之澄清液消泡並排出之消泡裝置、將從該消泡裝置排出之澄清液與未使用之顯像液混合並儲存之第2槽、及將從該第2槽溢出之澄清液從該第1槽之上方供給至該第1槽之手段，該第1槽與該第2槽係夾著隔板而鄰接。
  2. 一種顯像液之處理裝置，其具備：藉由離心分離將顯像處理後之顯像液分離成澄清液與殘渣之離心分離機、儲存該澄清液之第1槽、將該第1槽內之澄清液消泡並排出之消泡裝置、將從該消泡裝置排出之澄清液與未使用之顯像液混合並儲存之第2槽、及將從該第1槽溢出之澄清液從該第2槽上方供給至該第2槽之手段。
  3. 如請求項2之處理裝置，其中該第1槽與該第2槽係夾著隔板而鄰接。
  4. 如請求項1或3之處理裝置，其中從該第1槽或該第2槽溢出之澄清液，沿著該隔板流動，供給至其他槽。
  5. 如請求項1或2之處理裝置，其中該第1槽所儲存之澄清液之液面與該第2槽所儲存之澄清液之液面的高 低差為5cm以上。
  6. 如請求項1或2之處理裝置，其中從該第1槽或該第2槽之上方供給之澄清液的垂直方向流速為15cm/s以上。
  7. 如請求項1或2之處理裝置，其中從該消泡裝置排出之澄清液的氣泡率為10%以下。
  8. 一種顯像液之處理方法，其係使用如請求項1至7中任一項之顯像液之處理裝置的顯像液之處理方法，其具備：對顯像處理後之顯像液予以離心分離而得到澄清液與殘渣之離心分離步驟；及將該澄清液消泡而得到消泡顯像液之消泡步驟。
  9. 如請求項8之處理方法，其具備：將該消泡顯像液與未使用之顯像液混合而得到混合顯像液之混合步驟；及將該混合顯像液的一部分供給至該顯像處理，將該混合顯像液的一部分從該消泡前之該澄清液之上方供給至該消泡步驟之回流步驟。
TW102127704A 2012-08-03 2013-08-02 Imaging liquid processing device and processing method TWI590010B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012172559 2012-08-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201411300A TW201411300A (zh) 2014-03-16
TWI590010B true TWI590010B (zh) 2017-07-01

Family

ID=50027732

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102127704A TWI590010B (zh) 2012-08-03 2013-08-02 Imaging liquid processing device and processing method

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9880471B2 (zh)
JP (1) JP6206183B2 (zh)
KR (1) KR101919331B1 (zh)
CN (1) CN104508562B (zh)
TW (1) TWI590010B (zh)
WO (1) WO2014021043A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6225708B2 (ja) * 2012-11-13 2017-11-08 東レ株式会社 静電容量型タッチパネル
CN106925492B (zh) * 2017-03-20 2019-04-05 京东方科技集团股份有限公司 涂布液回收装置及涂布系统
EP3605232B1 (en) * 2017-03-31 2021-05-05 FUJIFILM Corporation Treatment method and treatment device
JP7113671B2 (ja) * 2018-06-12 2022-08-05 東京エレクトロン株式会社 脱泡装置および脱泡方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5346339Y2 (zh) 1975-12-24 1978-11-07
CN2188986Y (zh) 1993-11-29 1995-02-08 刘先华 膨胀式消泡器
JP3758011B2 (ja) * 1998-11-24 2006-03-22 オルガノ株式会社 フォトレジスト現像廃液からの再生現像液の回収再利用装置
US7326353B2 (en) * 2001-11-27 2008-02-05 Nupro Technologies Methods for reclaiming developing solvents
JP2003215810A (ja) * 2002-01-22 2003-07-30 Japan Organo Co Ltd フォトレジスト現像廃液からの現像液の回収方法
JP4461779B2 (ja) * 2003-11-19 2010-05-12 東レ株式会社 無機粉末の再利用方法
JP2005292189A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Dap Technology Kk 固形物回収装置
CN102114360A (zh) 2010-01-05 2011-07-06 东京化工机株式会社 泡沫处理装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN104508562B (zh) 2018-10-12
JP6206183B2 (ja) 2017-10-04
TW201411300A (zh) 2014-03-16
CN104508562A (zh) 2015-04-08
JPWO2014021043A1 (ja) 2016-07-21
US9880471B2 (en) 2018-01-30
KR101919331B1 (ko) 2018-11-19
US20150177622A1 (en) 2015-06-25
WO2014021043A1 (ja) 2014-02-06
KR20150037860A (ko) 2015-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI590010B (zh) Imaging liquid processing device and processing method
KR101497150B1 (ko) 박리액 폐액으로부터의 박리액 재생 방법 및 재생 장치
CN1402087A (zh) 碱性加工液、加工液的配制方法及其装置以及加工液的供给方法及其装置
KR200487199Y1 (ko) 레지스트층의 박막화 장치
JP4790589B2 (ja) 廃液の処理装置及び処理方法
KR20180116660A (ko) 현상액 재생 장치 및 방법
JP3207408U (ja) レジスト層の薄膜化装置
TW527320B (en) Method for supplying hydrofluoric acid
CN1292099C (zh) 电镀处理装置
JP3202621U (ja) レジスト層の薄膜化装置
KR100357292B1 (ko) 프린트배선판제조용현상액및프린트배선판의제조방법
JP2006318997A (ja) パターン形成方法、その装置、現像液処理装置、および、現像廃液の処理方法
JP2011054731A (ja) 半導体装置の製造方法
JP5627404B2 (ja) ドライフィルムレジストの薄膜化処理方法
CN203587965U (zh) 抗蚀剂层的薄膜化装置
JP4578281B2 (ja) 現像液清澄装置
JP3191772B2 (ja) 現像方法、プラズマディスプレイ用部材の製造方法および現像装置
JP4461779B2 (ja) 無機粉末の再利用方法
JP3201110U (ja) レジスト層の薄膜化装置
WO2019208837A1 (ko) 현상액 재생 장치 및 방법
CN203825368U (zh) 抗蚀剂层的薄膜化装置
KR20200111846A (ko) 현상액 재생 시스템 및 이를 사용한 현상액 재생 방법
JP2006318998A (ja) パターン形成方法、その装置、現像液処理装置、および、現像廃液の処理方法
KR20180001617U (ko) 레지스트층의 박막화 장치
JP2018128482A (ja) レジスト層の薄膜化装置