TWI577992B - A guide plate for a probe card, and a guide plate for a probe card - Google Patents

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TWI577992B
TWI577992B TW102127092A TW102127092A TWI577992B TW I577992 B TWI577992 B TW I577992B TW 102127092 A TW102127092 A TW 102127092A TW 102127092 A TW102127092 A TW 102127092A TW I577992 B TWI577992 B TW I577992B
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Description

探針卡用引導板之製造方法及探針卡用引導板 技術領域
本發明有關於一種用於引導探針之探針卡用引導板及具有其之探針卡。
背景技術
本種探針卡用引導板設有可供探針插入並引導前述探針之導孔(參照專利文獻1)。上述探針卡用引導板並採用具備絕緣性之樹脂板。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]：日本專利特開平10-026635號公報
發明概要
近年，探針已伴隨半導體裝置之高積體化而微細化。因此，探針卡用引導板之導孔亦對應探針之外形而微細化。欲以較窄之間距間隔形成上述已微細化之導孔，則須減小探針卡用引導板之厚度尺寸。然而，一旦減小探針卡用引導板之厚度尺寸，將使探針卡用引導板之強度降低。
本發明即有鑑於上述情形而研發，其目的在提供一種可以較窄之間距間隔設置微細之貫通孔，且可抑制強度之降低之探針卡用引導板及包含該探針卡用引導板之探針卡。
為解決上述問題，本發明之探針卡用引導板包含金屬基材及第1絕緣層。前述金屬基材設有可供探針貫穿之複數貫通孔，以及前述貫通孔之內壁面。前述第1絕緣層則設於前述金屬基材之前述貫通孔之前述內壁面上而呈筒狀。
上述態樣之探針卡用引導板包含金屬基材，故可保持前述引導板之強度，同時減小前述引導板之厚度尺寸。故而，可於前述引導板之金屬基材上以較窄之間距間隔輕易開設微細之貫通孔。且，金屬基材之貫通孔之內壁面上設有筒狀之第1絕緣層，故貫穿於前述貫通孔之探針將接觸貫通孔之內壁面，而可避免經金屬基材而相互導通。
前述探針卡用引導板可構成進而包含設於前述第1絕緣層上之金屬層。依據上述態樣之探針卡用引導板，貫穿於前述貫通孔之探針將可接觸金屬層，但金屬層與金屬基材之間夾設有第1絕緣層，故可避免探針經金屬基材而相互導通。
前述探針卡用引導板可構成進而包含設於前述金屬基材之主面及背面上之第2絕緣層。
本發明之第1探針卡包含上述任一態樣之探針卡 用引導板、配線基板及複數探針。前述配線基板與前述探針卡用引導板對向而配置。前述配線基板並包含設在對應前述貫通孔之位置上之複數電極。前述探針貫穿於前述探針卡用引導板之前述貫通孔中。前述探針並包含與前述電極接觸之第1端部、前述第1端部之相反側之第2端部、設於前述第1、第2端部之間之彈性變形部。本發明並構成對前述第2端部施加荷重，即可使前述彈性變形部發生彈性變形，並使前述探針接觸前述探針卡用引導板。
依據本態樣之探針卡，可獲致與上述探針卡用引導板相同之效果。且，使探針卡之探針之第2端部與半導體晶圓或半導體裝置之電極接觸，並對前述第2端部施加荷重時，高頻電流將流向探針，並產生焦耳熱。已微細化之探針可能因前述焦耳熱而發生熔體破壞或脆性破壞。然而，前述探針卡中，引導板包含金屬基材，故探針接觸引導板後，探針之焦耳熱可經金屬基材而散熱。故而，即便探針已微細化，亦可避免探針之熔體破壞或脆性破壞。
本發明之第2探針卡包含上述任一態樣之探針卡用引導板、配線基板及複數探針。前述配線基板與前述探針卡用引導板對向而配置。前述配線基板並包含設在對應前述貫通孔之位置上之複數電極。前述探針則貫穿於前述探針卡用引導板之前述貫通孔中，並接觸前述引導板且接觸前述電極。
依據本態樣之探針卡，可獲致與上述探針卡用引導板相同之效果。且，探針卡之探針接觸半導體晶圓或半 導體裝置之電極時，高頻電流將流向探針，並產生焦耳熱。已微細化之探針可能因前述焦耳熱而發生熔體破壞或脆性破壞。然而，前述探針卡之探針已接觸包含金屬基材之引導板，故探針之焦耳熱可經金屬基材而散熱。故而，即便探針已微細化，亦可抑制探針之熔體破壞或脆性破壞。
1‧‧‧測定對象
1a‧‧‧電極
10‧‧‧基板
10’‧‧‧基板
20‧‧‧犧牲層
20’‧‧‧犧牲層
30‧‧‧抗蝕層
30’‧‧‧抗蝕層
31‧‧‧開口
31’‧‧‧抗蝕支柱
40‧‧‧支柱
40’‧‧‧Ni-Fe鍍覆層
41’‧‧‧貫通孔
50‧‧‧抗蝕層
60‧‧‧鍍覆層
70‧‧‧絕緣膜
80‧‧‧Ni-Fe鍍覆層
100‧‧‧探針卡用引導板
100a、100b‧‧‧探針卡用引導板
100’‧‧‧探針卡用引導板
110‧‧‧金屬基材
110a、110b‧‧‧金屬基材
110’‧‧‧金屬基材
111‧‧‧貫通孔
111a、111b‧‧‧貫通孔
111’‧‧‧貫通孔
112‧‧‧內壁面
112a、112b‧‧‧內壁面
112’‧‧‧內壁面
120‧‧‧第1絕緣層
120b、120a‧‧‧第1絕緣層
120’‧‧‧第1絕緣層
130‧‧‧金屬層
130b、130a‧‧‧金屬層
130’‧‧‧第2絕緣層
200‧‧‧探針
210、220‧‧‧第1、第2端部
230‧‧‧彈性變形部
300‧‧‧間隔件
400‧‧‧線基板
410‧‧‧電極
420‧‧‧電極
500‧‧‧中間基板
510‧‧‧貫通孔
600‧‧‧彈簧探針
700‧‧‧主基板
710‧‧‧電極
720‧‧‧外部電極
800‧‧‧補強板
圖1A為本發明第1實施例之探針卡用引導板之概略平面圖。
圖1B為前述引導板在圖1A中之1B-1B截面圖。
圖2為顯示前述引導板之製程之截面圖。
圖3A為本發明第1實施例之探針卡之概略截面圖。
圖3B為前述探針卡在圖3A中之3B部分之放大圖。
圖3C為前述探針卡之測試時之前述3B部分之放大圖。
圖4A為本發明第2實施例之探針卡用引導板之概略平面圖。
圖4B為前述引導板在圖4A中之4B-4B截面圖。
圖5為顯示前述引導板之製程之截面圖。
用以實施發明之形態
以下，說明本發明之第1及第2實施例。
[第1實施例]
首先，參照圖1A及圖1B說明本發明第1實施例之探針卡用引導板。圖1A及圖1B所示之探針卡用引導板100包含金屬基材110、複數第1絕緣層120及複數金屬層130。 以下，則詳細說明引導板100之各構成要素。
金屬基材110乃由熱膨脹係數(熱膨脹係數2~10ppm/℃)與半導體晶圓或半導體裝置之熱膨脹係數相同或接近之金屬所構成。舉例言之，金屬基材110乃由鋁(Al)、銅(Cu)、鎳(Ni)或合金所構成。前述合金則為鋁與銅之合金、鋁與鎳之合金、銅與鎳之合金、鋁、銅及鎳之合金或Ni-Fe合金等。金屬基材110設有複數貫通孔111及前述貫通孔111之內壁面112。貫通孔111朝厚度方向貫通金屬基材110。貫通孔111為圓柱狀或多角柱狀(諸如四角柱狀等)之孔洞，具有可供後述之探針卡之探針200(參照上述圖3B及圖3C)貫穿之內部形狀。貫通孔111並配置於對應半導體晶圓或半導體裝置之複數電極之位置上。
各第1絕緣層120乃設於金屬基材110上之對應之貫通孔111之內壁面112上之電絕緣膜(諸如聚醯亞胺、環氧樹脂等有機系之電沉積膜或SiO2、SiN等之濺鍍膜)。第1絕緣層120並呈對應貫通孔111之內部形狀之筒狀(圓筒狀或多角形之筒狀)。
各金屬層130則設於金屬基材110上之對應之貫通孔111內之第1絕緣層120上。金屬層130並呈對應第1絕緣層120之內部形狀之筒狀(圓筒狀或多角形之筒狀)，且由諸如硬質金屬(諸如Rh、Ni系合金)所構成。金屬層130可保護第1絕緣層120。
以下，參照圖2說明上述構造之探針卡用引導板100之製造方法。首先，準備陶瓷或矽(Si)所構成之基板10。 於上述基板10上進行電鍍，而形成銅之犧牲層20。然後，於犧牲層20上塗布抗蝕層30。而後，於抗蝕層30上使用遮罩而進行曝光、顯影，而於抗蝕層30上形成複數之開口31。
隨後，對抗蝕層30之開口31進行電鍍，並朝開口31充填銅。而後，去除抗蝕層30。開口31中充填之銅即構成圓柱狀之支柱40。接著，藉噴塗或電沉積抗蝕層而於犧牲層20上形成抗蝕層50。其次，對抗蝕層50進行曝光、顯影，而形成可露出支柱40之圖案。而後，對支柱40之外面上進行電鍍，而形成硬質金屬之Rh、Ni系合金之鍍覆層60。接著，對鍍覆層60施加負電壓，而於前述鍍覆層60上電沉積絕緣膜70。最後，去除抗蝕層50。
接著，對犧牲層20上進行電鍍，而於犧牲層20上形成Ni-Fe鍍覆層80。此時，即於Ni-Fe鍍覆層80中埋入支柱40、鍍覆層60及絕緣膜70。然後，研磨Ni-Fe鍍覆層80在圖2之圖示上面，並研磨絕緣膜70及鍍覆層60在圖2之圖示上端部。藉此，而自絕緣膜70及鍍覆層60露出支柱40之圖示上端，並使絕緣膜70及鍍覆層60構成筒狀。
然後，將基板10、犧牲層20、支柱40、鍍覆層60、絕緣膜70及Ni-Fe鍍覆層80浸泡於可選擇性地溶解銅(Cu)之蝕刻液中。藉此，而可蝕刻犧牲層20及支柱40，並自Ni-Fe鍍覆層80去除基板10。處理如上即可製得探針卡用引導板100。業經研磨之Ni-Fe鍍覆層80則構成金屬基材110，去除支柱40而形成之孔洞則構成貫通孔111。且，筒狀之絕緣膜70構成第1絕緣層120，筒狀之鍍覆層60則構成金屬層130。 另，Ni-Fe鍍覆層80若為熱膨脹係數與半導體晶圓或半導體裝置之熱膨脹係數相同或接近之金屬鍍覆層，即可任意進行設計變更。
以下，參照圖3A~圖3C而說明本發明第1實施例之探針卡。圖3A所示之探針卡包含2片之上述探針卡用引導板、複數探針200、間隔件300、配線基板400、中間基板500、複數彈簧探針600、主基板700及補強板800。以下，詳細說明前述探針卡之各構成要素。另，為求說明上之方便，而就探針200之針尖側所配置之探針卡用引導板及其子元件之標號追加a，並就探針200之針底側所配置之探針卡用引導板及其子元件之標號追加b，以區別兩者。
主基板700即印刷基板。主基板700包含第1面及前述第1面之背側之第2面。主基板700之第1面上設有複數電極710。主基板700之第2面之外緣部則設有複數之外部電極720。電極710與外部電極720則藉設於主基板700之第1、2面上及/或內部之未圖示之複數導電線而連接。
補強板800乃較主基板700更硬之板狀構件(諸如不銹鋼等板體)。上述補強板800已螺合於主基板700之第2面上。上述補強板800可抑制主基板700之撓曲。
中間基板500固設於主基板700之第1面上，且配置於主基板700與配線基板400之間。中間基板500上設有朝厚度方向貫通前述中間基板500之複數貫通孔510。上述貫通孔510則配置於對應主基板700之電極710之位置上。
配線基板400乃ST(空間轉換器)基板。配線基板 400並藉未圖示之固定用之螺桿而固設於主基板700及補強板800上，並對主基板700平行而配置於中間基板500在圖3之圖示下側。配線基板400包含第1面及第1面之背側之第2面。配線基板400之第1面上於對應探針卡用引導板100a、100b之貫通孔111a、111b之位置上配設有複數之電極410。且，配線基板400之第2面上則隔有間隔而配設有複數之電極420。電極420配置於主基板700之電極710之垂直線上。電極410與電極420並藉設於配線基板400之第1、第2面上及/或內部之未圖示之複數導電線而連接。
各彈簧探針600插入中間基板500之貫通孔510中，並夾設在主基板700之電極710及配線基板400之電極420之間。藉此，彈簧探針600即可電性連接電極710與電極420之間。
探針卡用引導板100a、100b中，探針卡用引導板100b之外形小於探針卡用引導板100a之外形，而有所不同。此外則探針卡用引導板100a、100b與探針卡用引導板100相同。如圖3A所示，探針卡用引導板100a使用螺栓及螺帽而固設於配線基板400上，並對配線基板400隔有間隔而平行配置。探針卡用引導板100a之兩端部與配線基板400之間夾設有間隔件300。探針卡用引導板100b使用螺栓及螺帽而對配線基板400隔有間隔而平行固定，並配置於配線基板400與探針卡用引導板100a之間。探針卡用引導板100a、100b之各貫通孔111a、111b配置成在垂直線方向(圖3A~圖3C之圖示上下方向)上隔有間隔。
各探針200則如圖3B所示，包含第1、第2端部210、220、彈性變形部230。第1端部210乃探針200之長度方向之一端部，可貫穿於探針卡用引導板100b上對應之貫通孔111b中，並與前述貫通孔111b上之金屬層130b接觸。第1端部210並與配線基板400上對應之電極410接觸，而焊接於前述電極410上。即，探針200之第1端部210焊接固定於電極410上。第2端部220則為探針200之長度方向之他端部(即第1端部210之相反側之端部)，可貫穿於探針卡用引導板100a上對應之貫通孔111a中，並與前述貫通孔111a上之金屬層130a接觸。第2端部220乃可接觸半導體晶圓或半導體裝置之電極之部位。彈性變形部230則設於第1、第2端部210、220之間且呈大致C字狀而彎曲。
以下，則將上述探針卡安裝於未圖示之測試器之探針上，並加以使用於半導體晶圓或半導體裝置之測定對象1(參照圖3C)之各種電特性之測定。具體而言，乃將探針配置成使探針卡與測定對象1對向，並在該狀態下使上述探針卡與測定對象1相互接近。如此，而使上述探針卡之探針200之第2端部220分別接觸測定對象1之電極1a，並朝測定對象1之電極1a分別推壓上述探針200之第2端部220(即，對第2端部220施加荷重)。如此，而使探針200之彈性變形部230分別彎曲而發生彈性變形，並導致前述探針200個別之彎曲。藉此，而使探針200之第1端部210傾斜，並接觸探針卡用引導板100b之金屬層130b在圖3C之圖示上端，且使探針200之第2端部220傾斜，並接觸探針卡用引導板100a之金 屬層130a在圖3C之圖示下端。在上述狀態下，藉前述測試器而測定測定對象1之各種電特性。
依據以上之探針卡，由於探針卡用引導板100a、100b以金屬基材110a、110b作為母材，故可保持前述引導板100a、100b之強度，並減小前述引導板100a、100b之厚度尺寸。故而，可以較窄之間距間隔於金屬基材110a、110b上輕易開設微細之貫通孔111a、111b。
甚且，金屬基材110b、110a之貫通孔111b、111a之內壁面112a、112b上依序積層有第1絕緣層120b、120a及金屬層130b、130a。即，貫通孔111b之內壁面112b與金屬層130b之間存在第1絕緣層120b，貫通孔111a之內壁面112a、與金屬層130a之間存在第1絕緣層120a，，故探針200之第1、第2端部210、220即便接觸金屬層130b、130a，亦可避免探針200彼此經金屬基材110b、110a而導通。且，探針200之第2端部220分別接觸測定對象1之電極1a，即可使高頻電流分別流向前述探針200，並分別產生焦耳熱。上述焦耳熱產生時，探針200之第1、第2端部210、220將接觸金屬基材110b、110a之貫通孔111b、111a內之金屬層130b、130a，故探針200之焦耳熱可經前述金屬基材110b、110a而散熱。故而，可避免已微細化之探針200因焦耳熱而發生熔體破壞或脆性破壞。且，焦耳熱之散熱則可使流向探針200之電流值提高。
進而，金屬基材110a、110b乃由熱膨脹係數與半導體晶圓或半導體裝置之熱膨脹係數相同或接近之金屬所 構成。故而，即便在高溫環境下將探針卡使用於半導體晶圓或半導體裝置之各種電特性之測定，探針卡用引導板100a、100b亦將與半導體晶圓或半導體裝置相同或同樣發生熱膨脹。因此，可避免因探針卡用引導板100a、100b發生與半導體晶圓或半導體裝置相差甚多之熱膨脹，而使被引導至探針卡用引導板100a之貫通孔111a之探針200之第2端部220與半導體晶圓或半導體裝置之電極之位置不同，導致探針200與半導體晶圓或半導體裝置之電極接觸不良之可能性。且，就金屬基材110'加以接地，則可消除雜訊。
[第2實施例]
以下，參照圖4A及圖4B而說明本發明第2實施例之探針卡用引導板。圖4A及圖4B所示之探針卡用引導板100'包含金屬基材110'、複數第1絕緣層120'及第2絕緣層130'。以下，則詳細說明引導板100'之各構成要素。
金屬基材110'乃由熱膨脹係數(熱膨脹係數4~10ppm/℃)與半導體晶圓(未圖示)或半導體裝置(未圖示)相同或接近之金屬所構成。舉例言之，金屬基材110'乃由Ni-Fe合金所構成。金屬基材110'設有複數貫通孔111'及前述貫通孔111'之內壁面112'。貫通孔111'朝厚度方向貫通金屬基材110'。貫通孔111'乃圓柱狀或多角柱狀(諸如四角柱狀等)之孔洞，並具有可供上述探針卡之探針200(參照上述圖3B及圖3C)貫穿之內部形狀。貫通孔111'並配置於對應半導體晶圓或半導體裝置之複數電極之位置上。
於金屬基材110'之外面(上面(申請專利範圍之主 面)、下面(申請專利範圍之背面)及外周面)與貫通孔111'之內壁面112'上進行熱氧化，可形成氧化膜絕緣層。形成於金屬基材110'外面之氧化膜絕緣層(厚0.5~2μm)即第2絕緣層130'，形成於貫通孔111'之內壁面112'上之氧化膜絕緣層則為第1絕緣層120'。第1、第2絕緣層120’、130’並呈相連狀態。各第1絕緣層120'為對應貫通孔111'之內部形狀之筒狀(圓筒狀或多角形之筒狀)。第1、第2絕緣層120’、130’並具備電絕緣性。
以下，則參照圖5而說明上述構造之探針卡用引導板100'之製造方法。首先，準備陶瓷或矽(Si)所構成之基板10'。對上述基板10'上進行電鍍，而形成銅之犧牲層20'。然後，於犧牲層20'上塗布抗蝕層30'。接著，對抗蝕層30'使用遮罩而進行曝光、顯影，以於犧牲層20'上形成複數之抗蝕支柱31'(即，去除抗蝕層30'之抗蝕支柱31'以外之部分)。
然後，對犧牲層20'上進行電鍍，而形成Ni-Fe鍍覆層40'。此時，即於Ni-Fe鍍覆層40'中埋入抗蝕支柱31'。然後，研磨Ni-Fe鍍覆層40'之圖示上面，而自Ni-Fe鍍覆層40'露出抗蝕支柱31'在圖5之圖示上端。接著，去除抗蝕支柱31'。藉此，而於Ni-Fe鍍覆層40'上開設貫通孔41'。
將基板10'、犧牲層20'及Ni-Fe鍍覆層40'浸泡於可選擇性地溶解銅(Cu)之蝕刻液中。藉此，而蝕刻犧牲層20'，並自Ni-Fe鍍覆層40'去除基板10'。另，除蝕刻犧牲層20'以外，亦可以物理方法自犧牲層20'去除基板10'，並以物理方 法自Ni-Fe鍍覆層40'去除犧牲層20'。然後，在含有氧氣之鈍氣環境中於400~800℃下加熱Ni-Fe鍍覆層40'，而使Ni-Fe鍍覆層40'之外面(上面(主面)、下面(背面)及外周面)及貫通孔41'之內壁面發生熱氧化。處理如上即可製得探針卡用引導板100'。Ni-Fe鍍覆層40'即構成金屬基材110'，貫通孔41'則構成貫通孔111'。熱氧化則使形成於Ni-Fe鍍覆層40'之外面之氧化膜絕緣層構成第2絕緣層130'，並使形成於貫通孔41'之內壁面上之氧化膜絕緣層構成第1絕緣層120'。另，Ni-Fe鍍覆層40'若為熱膨脹係數與半導體晶圓或半導體裝置相同或接近之金屬鍍覆層，則可任意進行設計變更。
以下，假借圖3A~圖3C而加以參照說明本發明第2實施例之探針卡。上述探針卡使用2片探針卡用引導板100'取代探針卡用引導板100a、100b，而與第1實施例之探針卡不同。此外之構造則本第2實施例之探針卡均與第1實施例之探針卡相同。以下，僅就前述之不同點加以詳細說明，而省略與第1實施例重複之說明。
2片探針卡用引導板100'中，一方之外形小於他方之外形，而有所不同。一方之探針卡用引導板100'用於替代探針卡用引導板100b，他方之探針卡用引導板100'則用於替代探針卡用引導板100a。具體而言，他方之探針卡用引導板100'使用螺栓及螺帽而固設於配線基板400上，並對配線基板400隔有間隔而平行配置。他方之探針卡用引導板100'之兩端部與配線基板400之間夾設有間隔件300。一方之探針卡用引導板100'使用螺栓及螺帽而對配線基板400隔有 間隔而平行固定，並配置於配線基板400與他方之探針卡用引導板100'之間。兩探針卡用引導板100'之各貫通孔111'並配置成在垂直線方向(圖3A~圖3C之圖示上下方向)上隔有間隔。
各探針200之第1端部210貫穿於一方之探針卡用引導板100'上對應之貫通孔111'中，而可接觸前述貫通孔111'之第1絕緣層120'。各探針200之第2端部220則貫穿於他方之探針卡用引導板100'上對應之貫通孔111'中，並可接觸前述貫通孔111'之第1絕緣層120'。
以下，則將上述探針卡安裝於未圖示之測試器之探針上，並加以使用於半導體晶圓或半導體裝置之測定對象1(假借圖3C而參照之)之各種電特性之測定。具體而言，乃將探針配置成使探針卡與測定對象1對向，並於該狀態下使上述探針卡與測定對象1相互接近。如此，而使上述探針卡之探針200之第2端部220分別接觸測定對象1之電極1a，並朝測定對象1之電極1a分別推壓上述探針200之第2端部220(即，對第2端部220施加荷重)。如此，而使探針200之彈性變形部230分別彎曲而發生彈性變形，並導致上述探針200個別之彎曲。藉此，而使探針200之第1、第2端部210、220接觸一方、他方之探針卡用引導板100'之第1絕緣層120'之圖示上端、下端(假借圖3C而參照之)。於該狀態下，藉前述測試器而測定測定對象1之各種電特性。
依據上述之探針卡，由於探針卡用引導板100'以金屬基材110'為母材，故可保持上述引導板100'之強度，並 減小前述引導板100'之厚度尺寸。故而，可依較窄之間距間隔而於金屬基材110'上輕易開設微細之貫通孔111'。
甚且，金屬基材110'之貫通孔111'之內壁面112'上形有第1絕緣層120'，故即便探針200之第1、第2端部210、220接觸第1絕緣層120'，亦可避免探針200彼此因金屬基材110'而相互導通。且，探針200之第2端部220分別接觸測定對象1之電極1a，即可使高頻電流分別流向前述探針200，而分別產生焦耳熱。上述焦耳熱產生時，探針200之第1、第2端部210、220將接觸金屬基材110'之貫通孔111'內之第1絕緣層120'，故探針200之焦耳熱可經前述金屬基材110'而散熱。故而，可抑制已微細化之探針200因焦耳熱而發生熔體破壞或脆性破壞。且，焦耳熱之散熱並可使流向探針200之電流值昇高。
進而，金屬基材110'乃由熱膨脹係數與半導體晶圓或半導體裝置相同或接近之金屬所構成。故而，即便在高溫環境下將探針卡使用於半導體晶圓或半導體裝置之各種電特性之測定，探針卡用引導板100'亦將與半導體晶圓或半導體裝置相同或同樣地發生熱膨脹。故而，可避免因探針卡用引導板100'進行與半導體晶圓或半導體裝置相差甚多之熱膨脹，而使被引導至探針卡用引導板100'之貫通孔111'之探針200之第2端部220與半導體晶圓或半導體裝置之電極之位置不同，導致探針200與半導體晶圓或半導體裝置之電極之接觸不良。且，就金屬基材110'加以接地，則可消除雜訊。
另，上述探針卡用引導板及探針卡不受限於上述實施例，而可在申請專利範圍之揭露範圍內任意進行設計變更。以下，則詳細加以說明。
上述第1及第2實施例中，探針卡用引導板之金屬基材乃由熱膨脹係數與半導體晶圓或半導體裝置相同或接近之金屬所構成。然而，構成金屬基材之金屬不受限於上述第1及第2實施例，亦可使用其它金屬。且，金屬基材之貫通孔之內壁面上若至少設有筒狀之第1絕緣層，則可任意進行設計變更。舉例言之，可於第1絕緣層上積層一層或複數之其它層(金屬層或絕緣層等)。且，第1實施例之第1絕緣層120可設計變更為金屬基材110之貫通孔111之內壁面經熱氧化而成之氧化膜絕緣層。第2實施例之第1絕緣層120'則可設計變更為積層於金屬基材110'之貫通孔111'之內壁面上之聚醯亞胺、環氧樹脂等之有機電沉積膜或SiO2、SiN等之濺鍍膜。
上述第2實施例中，金屬基材110'之上面、下面及外周面上形成有氧化膜絕緣層之第2絕緣層130'。然而，金屬基材110'之上面(主面)、下面(背面)及外周面之至少其中之一面上若設有第2絕緣層，則可任意進行設計變更。舉例言之，就金屬基材之外周面加以遮蔽而使其發生熱氧化，即可構成僅於上面及下面設有氧化膜絕緣層之第2絕緣層。且，可構成於金屬基材110'之上面、下面及外周面之至少其中之一面上積層有第2絕緣層。進而，可構成就金屬基材110'之上面、下面及外周面加以遮蔽而僅於金屬基材之貫 通孔之內壁面上設有氧化膜絕緣層之第2絕緣層。
上述第1實施例中，金屬層130為對應第1絕緣層120之內部形狀之筒狀。然而，亦可省略不設金屬層。且，金屬層若設在第1絕緣層上，即可任意進行設計變更。舉例言之，可僅設在第1絕緣層之局部(探針可接觸之部分)。另，金屬層可由硬質金屬(諸如Rh、Ni系合金)以外之金屬所構成。
上述第1及第2實施例中，探針200包含第1、第2端部210、220及彈性變形部230。然而，探針若可貫穿於上述第1實施例、第2實施例或上述設計變形例之探針卡用引導板之貫通孔中，則可任意進行設計變更。舉例言之，探針可為直線狀或單側固定柱狀之針體。此時，探針之長度方向之第1、第2端部之至少一方亦可貫穿於上述第1實施例、第2實施例或上述設計變形例之探針卡用引導板之貫通孔中。
上述第1實施例中，探針200可接觸設於探針卡用引導板之貫通孔之內壁面上之第1絕緣層，上述第2實施例中，探針200則可接觸設於探針卡用引導板之第1絕緣層上之金屬層。然而，探針亦可構成不接觸探針卡用引導板之貫通孔之內壁面上所設之第1絕緣層或第1絕緣層上所設之金屬層。且，探針亦可構成經常接觸探針卡用引導板之貫通孔之內壁面上所設之第1絕緣層或前述第1絕緣層上所設之金屬層(即，經常接觸引導板)。
可省略不設彈性變形部。且，上述第1及第2實施 例中，探針200之彈性變形部230均呈大致C字狀。然而，彈性變形部之形狀將因對探針之第2端部施加荷重而導致前述彈性變形部發生彈性變形，若前述探針可接觸上述第1實施例、第2實施例或上述之設計變形例之探針卡用引導板之貫通孔之第1絕緣層或金屬層，則可任意進行設計變更。舉例言之，彈性變形部可設計變更為大致L字狀或對第1、第2端部之長度方向傾斜之形狀等。
探針卡之中間基板500、彈簧探針600、主基板700及補強板800均可省略不設。且，是否對其它基板(包含主基板)連接配線基板亦可適當進行設計變更。可使用配線基板本身作為主基板。配線基板與其它基板之電性連接不限於彈簧探針600，而可使用一般探針或纜線等周知之連接構件。另，探針卡之探針經常接觸引導板時，亦可與本段落之揭露內容同樣地進行設計變更。
另，上述實施例中，構成探針卡用引導板及探針卡之各部份之材質、形狀、尺寸、數量及配置等純屬例示之說明，若可實現相同之功能，則可任意進行設計變更。
110‧‧‧金屬基材
111‧‧‧貫通孔
112‧‧‧內壁面
120‧‧‧第1絕緣層
130‧‧‧金屬層

Claims (3)

  1. 一種探針卡用引導板的製造方法，包含下述步驟：在複數的銅之支柱的外面上各自形成第1鍍覆層；在前述第1鍍覆層上各自形成絕緣膜；形成第2鍍覆層以埋入前述支柱、前述第1鍍覆層及前述絕緣膜；及去除前述支柱，並在前述第2鍍覆層之去除前述支柱的部分各自形成貫通孔。
  2. 如請求項1之探針卡用引導板的製造方法，其中前述支柱設在銅之犧牲層上，前述第1鍍覆層之成形包含對前述支柱各自進行電鍍，使前述支柱之外面上各自形成前述第1鍍覆層，前述絕緣膜之形成包含對前述第1鍍覆層各自施加負電壓，使該第1鍍覆層上各自電沉積絕緣膜，前述第2鍍覆層之形成包含對前述犧牲層進行電鍍，在該犧牲層上形成第2鍍覆層，將前述支柱、前述第1鍍覆層及前述絕緣膜埋入該第2鍍覆層內，且前述探針卡用引導板的製造方法去除前述支柱並去除前述犧牲層。
  3. 一種探針卡用引導板，是藉由如請求項1或請求項2之探針卡用引導板的製造方法所製造，具備有：金屬基板，由前述第2鍍覆層構成，其中前述第2鍍覆層具有可供探針插通的前述貫通孔； 前述絕緣膜，設在前述金屬基板的前述貫通孔的內壁面上；及前述第1鍍覆層，設在前述絕緣膜上。
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