JPH1032227A - フレキシブル回路基板及びその製造方法、及び電子機器 - Google Patents
フレキシブル回路基板及びその製造方法、及び電子機器Info
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- JPH1032227A JPH1032227A JP18519896A JP18519896A JPH1032227A JP H1032227 A JPH1032227 A JP H1032227A JP 18519896 A JP18519896 A JP 18519896A JP 18519896 A JP18519896 A JP 18519896A JP H1032227 A JPH1032227 A JP H1032227A
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- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/118—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits specially for flexible printed circuits, e.g. using folded portions
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
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- H—ELECTRICITY
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4092—Integral conductive tabs, i.e. conductive parts partly detached from the substrate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＴＡＢ用フレキシブルテ−プ基板の構造に関
し、ＴＡＢ用テ−プの細密ピッチ化と、折り曲げスリッ
ト部のリ−ド切れを防止する。 【解決手段】ＴＡＢ用テ−プに銅箔の厚い物を使用しな
がら、ＯＬＢパタ−ン部等の細密ピッチが必要な部分の
銅箔には、ハ−フエッチングし、厚さを薄くする。銅箔
リ−ドパタ−ン４は、ポリイミドベ−ス材１にスリット
等のプレス穴２、３を加工した後、銅箔をラミネ−ト
し、フォトエッチング加工をしたものである。使用銅箔
４の厚みは、３／４オンス品（銅箔約２６μｍ）を使用
する。この部分は、９０゜ないしは１８０゜に折り曲げ
て使用する場合が多く、クラックが入りやすい為であ
る。細密が必要とされるＯＬＢ部のリ−ド５には、テ−
プ銅箔のラミネ−ト後に、フォトプロセスにより均一に
ハ−フエッチングして銅箔を１８μｍ位に薄くする。こ
れによりリ−ド折れ、クラックを防止する事が出来た。
し、ＴＡＢ用テ−プの細密ピッチ化と、折り曲げスリッ
ト部のリ−ド切れを防止する。 【解決手段】ＴＡＢ用テ−プに銅箔の厚い物を使用しな
がら、ＯＬＢパタ−ン部等の細密ピッチが必要な部分の
銅箔には、ハ−フエッチングし、厚さを薄くする。銅箔
リ−ドパタ−ン４は、ポリイミドベ−ス材１にスリット
等のプレス穴２、３を加工した後、銅箔をラミネ−ト
し、フォトエッチング加工をしたものである。使用銅箔
４の厚みは、３／４オンス品（銅箔約２６μｍ）を使用
する。この部分は、９０゜ないしは１８０゜に折り曲げ
て使用する場合が多く、クラックが入りやすい為であ
る。細密が必要とされるＯＬＢ部のリ−ド５には、テ−
プ銅箔のラミネ−ト後に、フォトプロセスにより均一に
ハ−フエッチングして銅箔を１８μｍ位に薄くする。こ
れによりリ−ド折れ、クラックを防止する事が出来た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフレキシブル回路基
板及びその製造方法、及び電子機器に関し、例えばＴＡ
Ｂ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）
実装に用いるフレキシブル回路基板及びその製造方法及
びそれを用いた電子機器に好適のものである。
板及びその製造方法、及び電子機器に関し、例えばＴＡ
Ｂ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）
実装に用いるフレキシブル回路基板及びその製造方法及
びそれを用いた電子機器に好適のものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ等の電子部品が実装される様々な回
路基板において、配線パタ−ンは年々細密化、高密度化
してきており、その流れは回路基板の一種であるＴＡＢ
実装用に用いるフレキシブル回路基板においても同様に
いえることである。以下、フレキシブル回路基板の中で
もＴＡＢ実装用に用いるフレキシブル回路基板について
説明する。配線パターンの細密化、高密度化といった場
合には、特に以下の点それぞれについて小さくなるとい
ったことを示すことになる。具体的には、電気的導通を
はかるためのリ−ドとして利用される銅箔パターンの、
各パタ−ン間の間隔距離（パターン間ピッチ）について
であり、この距離は従前に比べより細かくなってきてい
る。さらに、それと同様に銅箔パタ−ン幅自体について
も考慮する必要があり、パターン幅自体も小さくなって
きている。また前述の小型化に伴い、銅箔パターン厚も
一段と薄くする方向になってきている。そして銅箔パタ
ーン厚を薄くするためにはケミカルエッチングを行う必
要があるが、このケミカルエッチングによる銅箔パタ−
ン形成時に最大のネックとなるエッチングファクタ−を
より改善する方向にシフトしてきている。その結果、リ
−ドの形状確保と共にリ−ドのトップ寸法の確保と、ギ
ャップ寸法の確保が可能となってきた。しかしながら、
前述の銅箔パターンの厚みをより薄く形成したフレキシ
ブル回路基板はその後の後製造工程、すなわち銅化学研
磨工程，Ｓｎメッキ工程を経て、完成品になる工程を通
すと、フレキシブル回路基板のスリット銅リ−ド部は、
ＩＣとのボンディング時等に生じる折り曲げ加熱ストレ
スに対し非常にもろくなり、リードにクラックが容易に
入ってしまい、更に状態が悪化した場合はリ−ド切れに
つながるケ−スが発生する。従来のフレキシブル回路基
板を図５に示すが、図５に示すように、ＴＡＢ用のフレ
キシブル回路基板は、基材となるポリイミドベ−ス材１
と、ＩＣが配置されるＩＣスリット２と、折り曲げ時に
は曲げ易くするために設けた曲げ用スリット穴３と、Ｉ
Ｃスリット２を一部のぞみ曲げ用スリット穴３を跨ぐよ
うに曲げ用スリット穴上をオ−バ−ハングした銅箔パタ
−ン４、そのうち特に５はＯＬＢ（Ｏｕｔｅｒ Ｌｅａ
ｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）用銅箔パタ−ンとで形成されてい
る。ＩＣスリット２内に位置する銅箔パターンすなわち
インナ−リ−ド部及び曲げ用スリット穴上に位置する曲
げリ−ド部（以下、総称して「スリット部リード」とい
う）は、各面ともスズメッキのみなされており、その他
の位置のリ−ドには各面全面に更に銅とスズの合金部が
ある。従って、インナ−リ−ド部及び曲げリード部は純
銅の厚みの薄い分だけ機械的強度が弱くなり、実装工程
内での屈折及びＩＣとのボンディング時の加熱ストレス
等によりリ−ドクラック及びリ−ド折れが発生し易かっ
た。
路基板において、配線パタ−ンは年々細密化、高密度化
してきており、その流れは回路基板の一種であるＴＡＢ
実装用に用いるフレキシブル回路基板においても同様に
いえることである。以下、フレキシブル回路基板の中で
もＴＡＢ実装用に用いるフレキシブル回路基板について
説明する。配線パターンの細密化、高密度化といった場
合には、特に以下の点それぞれについて小さくなるとい
ったことを示すことになる。具体的には、電気的導通を
はかるためのリ−ドとして利用される銅箔パターンの、
各パタ−ン間の間隔距離（パターン間ピッチ）について
であり、この距離は従前に比べより細かくなってきてい
る。さらに、それと同様に銅箔パタ−ン幅自体について
も考慮する必要があり、パターン幅自体も小さくなって
きている。また前述の小型化に伴い、銅箔パターン厚も
一段と薄くする方向になってきている。そして銅箔パタ
ーン厚を薄くするためにはケミカルエッチングを行う必
要があるが、このケミカルエッチングによる銅箔パタ−
ン形成時に最大のネックとなるエッチングファクタ−を
より改善する方向にシフトしてきている。その結果、リ
−ドの形状確保と共にリ−ドのトップ寸法の確保と、ギ
ャップ寸法の確保が可能となってきた。しかしながら、
前述の銅箔パターンの厚みをより薄く形成したフレキシ
ブル回路基板はその後の後製造工程、すなわち銅化学研
磨工程，Ｓｎメッキ工程を経て、完成品になる工程を通
すと、フレキシブル回路基板のスリット銅リ−ド部は、
ＩＣとのボンディング時等に生じる折り曲げ加熱ストレ
スに対し非常にもろくなり、リードにクラックが容易に
入ってしまい、更に状態が悪化した場合はリ−ド切れに
つながるケ−スが発生する。従来のフレキシブル回路基
板を図５に示すが、図５に示すように、ＴＡＢ用のフレ
キシブル回路基板は、基材となるポリイミドベ−ス材１
と、ＩＣが配置されるＩＣスリット２と、折り曲げ時に
は曲げ易くするために設けた曲げ用スリット穴３と、Ｉ
Ｃスリット２を一部のぞみ曲げ用スリット穴３を跨ぐよ
うに曲げ用スリット穴上をオ−バ−ハングした銅箔パタ
−ン４、そのうち特に５はＯＬＢ（Ｏｕｔｅｒ Ｌｅａ
ｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）用銅箔パタ−ンとで形成されてい
る。ＩＣスリット２内に位置する銅箔パターンすなわち
インナ−リ−ド部及び曲げ用スリット穴上に位置する曲
げリ−ド部（以下、総称して「スリット部リード」とい
う）は、各面ともスズメッキのみなされており、その他
の位置のリ−ドには各面全面に更に銅とスズの合金部が
ある。従って、インナ−リ−ド部及び曲げリード部は純
銅の厚みの薄い分だけ機械的強度が弱くなり、実装工程
内での屈折及びＩＣとのボンディング時の加熱ストレス
等によりリ−ドクラック及びリ−ド折れが発生し易かっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし前述の従来技術
では、図６に示される様にＴＡＢテ−プのパタ−ニング
プロセスの銅化学研磨工程において、銅厚が薄くなり更
にスズメッキ工程を経て実装加熱ストレスされたテ−プ
１のスリット部リ−ド４は、メッキと銅の合金化された
部分と、純銅部分との伸び率の差のストレス等によりク
ラックが発生し、リ−ド切れになってしまう。
では、図６に示される様にＴＡＢテ−プのパタ−ニング
プロセスの銅化学研磨工程において、銅厚が薄くなり更
にスズメッキ工程を経て実装加熱ストレスされたテ−プ
１のスリット部リ−ド４は、メッキと銅の合金化された
部分と、純銅部分との伸び率の差のストレス等によりク
ラックが発生し、リ−ド切れになってしまう。
【０００４】そこで本発明はこのような問題点を解決す
るもので、その目的とするところは細密リ−ドパタ−ン
のスリット部の外的衝撃等の外的負荷においても、リ−
ドクラックの発生を防止し、フレキシブル回路基板の信
頼性の向上を提供するところにある。
るもので、その目的とするところは細密リ−ドパタ−ン
のスリット部の外的衝撃等の外的負荷においても、リ−
ドクラックの発生を防止し、フレキシブル回路基板の信
頼性の向上を提供するところにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のフレキシブル回
路基板は、ベース基材と、前記ベース基材に設けられ、
ボンディング部の厚みを他の部分の厚みよりも薄く設け
た導電パターンと、を有することを特徴とする。このよ
うに形成することにより、ボンディング部は薄型が維持
できる一方で、導電パターンの他の部分は強度を高める
ことができ、薄型且つ強度の得られるフレキシブル回路
基板が提供できる。
路基板は、ベース基材と、前記ベース基材に設けられ、
ボンディング部の厚みを他の部分の厚みよりも薄く設け
た導電パターンと、を有することを特徴とする。このよ
うに形成することにより、ボンディング部は薄型が維持
できる一方で、導電パターンの他の部分は強度を高める
ことができ、薄型且つ強度の得られるフレキシブル回路
基板が提供できる。
【０００６】本発明のフレキシブル回路基板は、ベース
基材と、前記ベース基材に設けられた第１及び第２のス
リットと、前記ベース基材に設けられ前記第１のスリッ
ト内に突出するとともに前記第２のスリットを跨ぎ更に
延在した部分にボンディング部を有し前記スリットを跨
いだ部分及び前記ボンディング部の厚みを他の部分の厚
みよりも薄く設けた導電パターンと、を有することを特
徴とする。このような構成をとることにより、結果的に
スリット内に位置する導電パターンを厚くすることがで
き、その一方で薄く設けたい箇所は薄くすることがで
き、単に薄い導電パターンを使用したものに比べて、熱
ストレス等の外圧に対してクラック等が入り難く耐折に
は良い方向に作用する。
基材と、前記ベース基材に設けられた第１及び第２のス
リットと、前記ベース基材に設けられ前記第１のスリッ
ト内に突出するとともに前記第２のスリットを跨ぎ更に
延在した部分にボンディング部を有し前記スリットを跨
いだ部分及び前記ボンディング部の厚みを他の部分の厚
みよりも薄く設けた導電パターンと、を有することを特
徴とする。このような構成をとることにより、結果的に
スリット内に位置する導電パターンを厚くすることがで
き、その一方で薄く設けたい箇所は薄くすることがで
き、単に薄い導電パターンを使用したものに比べて、熱
ストレス等の外圧に対してクラック等が入り難く耐折に
は良い方向に作用する。
【０００７】また、上記構造のいずれかにおいて、前記
ボンディング部の厚みを１８μｍ程度に設け、前記ボン
ディング部を除く前記導電パターン部の厚みを２６μｍ
程度に設けることが好ましい。
ボンディング部の厚みを１８μｍ程度に設け、前記ボン
ディング部を除く前記導電パターン部の厚みを２６μｍ
程度に設けることが好ましい。
【０００８】本発明のフレキシブル回路基板は、ベース
基材と、前記ベース基材に設けられ、細密パターン部の
厚みを他の部分の厚みよりも薄く設けた導電パターン
と、を有することを特徴とする。このような構成をとる
ことにより、狭ピッチで且つ強度の得られるフレキシブ
ル回路基板を提供できることになる。
基材と、前記ベース基材に設けられ、細密パターン部の
厚みを他の部分の厚みよりも薄く設けた導電パターン
と、を有することを特徴とする。このような構成をとる
ことにより、狭ピッチで且つ強度の得られるフレキシブ
ル回路基板を提供できることになる。
【０００９】また上記構造を提供するべく、フレキシブ
ル回路基板の製造方法は、ベース基材に銅箔をラミネー
トする工程と、フォトエッチングによりボンディング部
に相当する部分の銅箔をハ−フエッチングして薄くする
工程と、有することを特徴とする。
ル回路基板の製造方法は、ベース基材に銅箔をラミネー
トする工程と、フォトエッチングによりボンディング部
に相当する部分の銅箔をハ−フエッチングして薄くする
工程と、有することを特徴とする。
【００１０】更に前記ベース基材に銅箔をラミネートす
る工程の前に前記ベース基材の所望の位置にスリットを
設ける工程を設けることを特徴とする。
る工程の前に前記ベース基材の所望の位置にスリットを
設ける工程を設けることを特徴とする。
【００１１】本発明の電子機器としては、ベース基材、
前記ベース基材に設けられた第１及び第２のスリット、
前記ベース基材に設けられ前記第１のスリット内に突出
するとともに前記第２のスリットを跨ぎ更に延在した部
分にボンディング部を有し前記スリットを跨いだ部分及
び前記ボンディング部の厚みを他の部分の厚みよりも薄
く設けた導電パターンを有するフレキシブル回路基板
と、前記第１のスリット内に突出した導電パターンと接
続されたＩＣと、を内装に用いたことを特徴とする。
前記ベース基材に設けられた第１及び第２のスリット、
前記ベース基材に設けられ前記第１のスリット内に突出
するとともに前記第２のスリットを跨ぎ更に延在した部
分にボンディング部を有し前記スリットを跨いだ部分及
び前記ボンディング部の厚みを他の部分の厚みよりも薄
く設けた導電パターンを有するフレキシブル回路基板
と、前記第１のスリット内に突出した導電パターンと接
続されたＩＣと、を内装に用いたことを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１及び図２は、本発明の実施例
におけるフレキシブル回路基板の構造図であって、図１
はその平面図、図２はその基板を側面からみた断面図で
ある。特に本例ではフレキシブル回路基板の例としてＴ
ＡＢ実装用のフレキシブル回路基板をあげ説明する。図
１において従来と同様、ボリイミドベース基材１にはス
リット２及び３がある。これらの穴はプレス加工により
設けられている。スリット２はＩＣが配置されるＩＣス
リットであり、スリット３は折り曲げ時に曲げ易くする
ために設けた曲げ用スリット穴である。４は導電パター
ンの一例としての銅箔パタ−ン（以下、「リード」とい
う）であり、このリードはＩＣスリット２内に突出し、
しかも曲げ用スリット穴３を跨ぐように曲げ用スリット
穴上をオ−バ−ハングしている。そのうち特に５はＯＬ
Ｂ（Ｏｕｔｅｒ Ｌｅａｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）用銅箔パ
タ−ン（以下、「ＯＬＢ用リ−ド部」という）である。
ここでＯＬＢ用リード部の厚みは、リードのＯＬＢ用リ
ード部を除くリードの厚みに比べ若干（約８μｍ厚程
度）、薄くなっている。この薄く設けている理由は後述
する。また、スリット穴３を跨いでいる部分のリード厚
も若干他の箇所よりも薄くなるように設けている。リー
ド４は、前述のプレス穴抜き等によりスリットが設けら
れたポリイミドベ−ス材１上に、ラミネ−トされた銅箔
を、フォトエッチング加工してできたものである。本例
では銅箔４の厚みは約２６μｍを使用している。
におけるフレキシブル回路基板の構造図であって、図１
はその平面図、図２はその基板を側面からみた断面図で
ある。特に本例ではフレキシブル回路基板の例としてＴ
ＡＢ実装用のフレキシブル回路基板をあげ説明する。図
１において従来と同様、ボリイミドベース基材１にはス
リット２及び３がある。これらの穴はプレス加工により
設けられている。スリット２はＩＣが配置されるＩＣス
リットであり、スリット３は折り曲げ時に曲げ易くする
ために設けた曲げ用スリット穴である。４は導電パター
ンの一例としての銅箔パタ−ン（以下、「リード」とい
う）であり、このリードはＩＣスリット２内に突出し、
しかも曲げ用スリット穴３を跨ぐように曲げ用スリット
穴上をオ−バ−ハングしている。そのうち特に５はＯＬ
Ｂ（Ｏｕｔｅｒ Ｌｅａｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）用銅箔パ
タ−ン（以下、「ＯＬＢ用リ−ド部」という）である。
ここでＯＬＢ用リード部の厚みは、リードのＯＬＢ用リ
ード部を除くリードの厚みに比べ若干（約８μｍ厚程
度）、薄くなっている。この薄く設けている理由は後述
する。また、スリット穴３を跨いでいる部分のリード厚
も若干他の箇所よりも薄くなるように設けている。リー
ド４は、前述のプレス穴抜き等によりスリットが設けら
れたポリイミドベ−ス材１上に、ラミネ−トされた銅箔
を、フォトエッチング加工してできたものである。本例
では銅箔４の厚みは約２６μｍを使用している。
【００１３】図２において本発明により、約２６μｍ厚
銅箔を使用しエッチングしたＯＬＢ用リ−ド部５を含む
各リ−ド４は、リ−ド断面から見たとき厚さが異なって
いる。リ−ド４は、スリット穴をオ−バ−ハングした形
でリ−ドが走っており、特にこの部分は、図３に示すよ
うに、９０度程度（垂直方向）ないしは１８０度程度
（平行方向）に折り曲げて使用する場合が多く、このよ
うに折り曲げて用いられるフレキシブル回路基板は、リ
−ド４の厚みが薄い、例えば１８μｍ程度（１／２オン
ス相当）の場合、リ−ドにクラックが入るか、又は、折
れやすくなる。よってそれよりも厚い、２６μｍ程度
（３／４オンス相当）という比較的厚めの銅箔を使用す
る事が望ましい。しかしながら、厚めの銅箔を使用する
と、特に細密ピッチを要求される場合には、ＯＬＢ部の
リ−ド５の形状が問題となる。 図４に示す様に、リ−
ド５はパタ−ン間ピッチ１０（パターンの中心とその隣
のパターンの中心との距離）と、パターン間ギャップ１
１（両隣のパターン間の最短距離）との関係が問題とな
る。その時厚みの比較的厚い銅箔７を設ける場合は、リ
−ドのトップ寸法６（リード表面の幅）は小さくするこ
とができ、一方厚みが薄い銅箔９を設ける場合は、リ−
ドのトップ寸法８（リード表面の幅）は大きくすること
ができる。トップ寸法が大きいとＯＬＢ時の接続面積が
大きくなり、外部との接続において信頼性を高めること
ができる。そこで、図１及び図２に示すように、リード
４のうち、リ−ドＯＬＢ部５になるリ−ド部分の銅箔を
薄くする構造を考えた。この製造方法としては、まず、
テ−プ銅箔のラミネ−ト後に、フォトエッチングにより
ＯＬＢ部５に相当する部分の銅箔を、フォトプロセスに
より均一にハ−フエッチングして銅箔を薄くする。当改
善の場合は、１８μｍ程度（１／２オンス相当）とし
た。この量は、テ−プの細密度により銅厚みのコントロ
−ルにより調整する事もできる利点も有している。厚い
銅箔を使った従前の方法だと、図５に示すようにリ−ド
４及び５は、同一の厚み銅リ−ドの為、ＯＬＢ細密パタ
−ン５のエッチングファクタ−の改善ができず、リ−ド
トップ寸法が確保できない。
銅箔を使用しエッチングしたＯＬＢ用リ−ド部５を含む
各リ−ド４は、リ−ド断面から見たとき厚さが異なって
いる。リ−ド４は、スリット穴をオ−バ−ハングした形
でリ−ドが走っており、特にこの部分は、図３に示すよ
うに、９０度程度（垂直方向）ないしは１８０度程度
（平行方向）に折り曲げて使用する場合が多く、このよ
うに折り曲げて用いられるフレキシブル回路基板は、リ
−ド４の厚みが薄い、例えば１８μｍ程度（１／２オン
ス相当）の場合、リ−ドにクラックが入るか、又は、折
れやすくなる。よってそれよりも厚い、２６μｍ程度
（３／４オンス相当）という比較的厚めの銅箔を使用す
る事が望ましい。しかしながら、厚めの銅箔を使用する
と、特に細密ピッチを要求される場合には、ＯＬＢ部の
リ−ド５の形状が問題となる。 図４に示す様に、リ−
ド５はパタ−ン間ピッチ１０（パターンの中心とその隣
のパターンの中心との距離）と、パターン間ギャップ１
１（両隣のパターン間の最短距離）との関係が問題とな
る。その時厚みの比較的厚い銅箔７を設ける場合は、リ
−ドのトップ寸法６（リード表面の幅）は小さくするこ
とができ、一方厚みが薄い銅箔９を設ける場合は、リ−
ドのトップ寸法８（リード表面の幅）は大きくすること
ができる。トップ寸法が大きいとＯＬＢ時の接続面積が
大きくなり、外部との接続において信頼性を高めること
ができる。そこで、図１及び図２に示すように、リード
４のうち、リ−ドＯＬＢ部５になるリ−ド部分の銅箔を
薄くする構造を考えた。この製造方法としては、まず、
テ−プ銅箔のラミネ−ト後に、フォトエッチングにより
ＯＬＢ部５に相当する部分の銅箔を、フォトプロセスに
より均一にハ−フエッチングして銅箔を薄くする。当改
善の場合は、１８μｍ程度（１／２オンス相当）とし
た。この量は、テ−プの細密度により銅厚みのコントロ
−ルにより調整する事もできる利点も有している。厚い
銅箔を使った従前の方法だと、図５に示すようにリ−ド
４及び５は、同一の厚み銅リ−ドの為、ＯＬＢ細密パタ
−ン５のエッチングファクタ−の改善ができず、リ−ド
トップ寸法が確保できない。
【００１４】逆に、薄い銅箔を使った従前の方式だと、
ＯＬＢ細密部のトップ寸法５は良好であるが、スリット
リ−ド折り曲げ部４のクラック等の改善ができないとい
う相反する要因をもっていた。
ＯＬＢ細密部のトップ寸法５は良好であるが、スリット
リ−ド折り曲げ部４のクラック等の改善ができないとい
う相反する要因をもっていた。
【００１５】また本例に示したフレキシブル回路基板に
ＩＣを実装したものを組み込む電子機器としては、基板
を曲げて実装されることの多いものに対して有効であ
り、例えば液晶装置やパーソナルコンピュータ等があ
る。いずれにしても、スペース等何らかの制約上、折り
曲げをはじめとした基板に外力をかけ変形させる必要が
ある場合、ある程度の強度を維持する必要のある装置に
用いると良い。
ＩＣを実装したものを組み込む電子機器としては、基板
を曲げて実装されることの多いものに対して有効であ
り、例えば液晶装置やパーソナルコンピュータ等があ
る。いずれにしても、スペース等何らかの制約上、折り
曲げをはじめとした基板に外力をかけ変形させる必要が
ある場合、ある程度の強度を維持する必要のある装置に
用いると良い。
【００１６】
【発明の効果】以上述べたように発明によれば、あらか
じめＯＬＢ部の銅箔をハ−フエッチングする事により、
リ−ドのエッチングをすれば厚い銅箔を使用しても、薄
い銅箔を使用した時と同じ性能の細密ピッチＴＡＢテ−
プが提供でき、ＴＡＢテ−プの細密ピッチ化と信頼性の
向上の両方に寄与できるという効果を有する。
じめＯＬＢ部の銅箔をハ−フエッチングする事により、
リ−ドのエッチングをすれば厚い銅箔を使用しても、薄
い銅箔を使用した時と同じ性能の細密ピッチＴＡＢテ−
プが提供でき、ＴＡＢテ−プの細密ピッチ化と信頼性の
向上の両方に寄与できるという効果を有する。
【図１】本発明のＴＡＢ用フレキシブルテ−プ基板の構
造図。
造図。
【図２】本発明のＴＡＢ用フレキシブルテ−プ基板の構
造断面図。
造断面図。
【図３】本発明の基板折り曲げ図。
【図４】本発明のエッチングリ−ド断面図。
【図５】従来のＴＡＢフレキシブルテ−プ基板の構造
図。
図。
【図６】従来のＴＡＢフレキシブルテ−プ基板の構造断
面図。
面図。
１ ポリイミドベ−ス材 ２ ＩＣスリット穴 ３ 曲げ用スリット穴 ４ 銅箔パタ−ン ５ ＯＬＢ用銅箔パタ−ン ６ トップ寸法 ７ 厚みの厚い銅箔 ８ トップ寸法 ９ 厚みの薄い銅箔 １０ パターン間ピッチ １１ パターン間ギャップ
Claims (8)
- 【請求項１】 ベース基材と、前記ベース基材に設けら
れ、ボンディング部の厚みを他の部分の厚みよりも薄く
設けた導電パターンと、を有することを特徴とするフレ
キシブル回路基板。 - 【請求項２】 前記ボンディング部の厚みを１８μｍ程
度に設け、前記ボンディング部を除く前記導電パターン
部の厚みを２６μｍ程度に設けたことを特徴とする請求
項１記載のフレキシブル回路基板。 - 【請求項３】 ベース基材と、前記ベース基材に設けら
れた第１及び第２のスリットと、前記ベース基材に設け
られ前記第１のスリット内に突出するとともに前記第２
のスリットを跨ぎ更に延在した部分にボンディング部を
有し前記スリットを跨いだ部分及び前記ボンディング部
の厚みを他の部分の厚みよりも薄く設けた導電パターン
と、を有することを特徴とするフレキシブル回路基板。 - 【請求項４】 前記ボンディング部の厚みを１８μｍ程
度に設け、前記ボンディング部を除く前記導電パターン
部の厚みを２７μｍ程度に設けたことを特徴とする請求
項３記載のフレキシブル回路基板。 - 【請求項５】 ベース基材と、前記ベース基材に設けら
れ、細密パターン部の厚みを他の部分の厚みよりも薄く
設けた導電パターンと、を有することを特徴とするフレ
キシブル回路基板。 - 【請求項６】 ベース基材に銅箔をラミネートする工程
と、フォトエッチングによりボンディング部に相当する
部分の銅箔をハ−フエッチングして薄くする工程と、有
することを特徴とするフレキシブル回路基板の製造方
法。 - 【請求項７】 前記ベース基材に銅箔をラミネートする
工程の前に前記ベース基材の所望の位置にスリットを設
ける工程を設けることを特徴とする請求項６記載のフレ
キシブル基板の製造方法。 - 【請求項８】 ベース基材、前記ベース基材に設けられ
た第１及び第２のスリット、前記ベース基材に設けられ
前記第１のスリット内に突出するとともに前記第２のス
リットを跨ぎ更に延在した部分にボンディング部を有し
前記スリットを跨いだ部分及び前記ボンディング部の厚
みを他の部分の厚みよりも薄く設けた導電パターンを有
するフレキシブル回路基板と、前記第１のスリット内に
突出した導電パターンと接続されたＩＣと、を内装に用
いたことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18519896A JPH1032227A (ja) | 1996-07-15 | 1996-07-15 | フレキシブル回路基板及びその製造方法、及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18519896A JPH1032227A (ja) | 1996-07-15 | 1996-07-15 | フレキシブル回路基板及びその製造方法、及び電子機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1032227A true JPH1032227A (ja) | 1998-02-03 |
Family
ID=16166586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18519896A Withdrawn JPH1032227A (ja) | 1996-07-15 | 1996-07-15 | フレキシブル回路基板及びその製造方法、及び電子機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1032227A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7977805B2 (en) | 2004-11-11 | 2011-07-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Flexible wiring substrate, semiconductor device and electronic device using flexible wiring substrate, and fabricating method of flexible wiring substrate |
-
1996
- 1996-07-15 JP JP18519896A patent/JPH1032227A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7977805B2 (en) | 2004-11-11 | 2011-07-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Flexible wiring substrate, semiconductor device and electronic device using flexible wiring substrate, and fabricating method of flexible wiring substrate |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20040202 |