TWI555960B

TWI555960B - Burned a rule

Info

Publication number: TWI555960B
Application number: TW103123892A
Authority: TW
Inventors: Kiyoshi Urakawa; Tatsuhiko Uchida
Original assignee: Mitsui Mining & Smelting Co
Priority date: 2013-07-16
Filing date: 2014-07-11
Publication date: 2016-11-01
Also published as: KR20160015282A; JPWO2015008503A1; KR101766276B1; CN105339750A; WO2015008503A1; CN110081708A; TW201518668A; JP6274454B2

Description

燒成治具

開示之實施形態係關於一種燒成治具。

先前，在製造陶瓷製品等之過程中，係包含使用窯爐燒製被燒成物之燒成工序。在該燒成工序中，係例如載置被燒成物到燒成治具，在窯爐內燒製。

上述燒成治具，係提案有具有在側面穿設有孔之四支支柱及複數支連結棒，插入連結棒到支柱的孔以成機架，載置設置器到連結棒之上以製作之物件。(例如參照專利文獻1)。

【先行技術文獻】【專利文獻】

【專利文獻1】日本新型登錄第3160629號公報

但是，上述燒成治具因為係分別組裝構成構件以製作，所以，被要求較高的組裝精度，同時組裝作業也較繁雜，在燒成治具本身之生產性上，留有改善之餘地。

實施形態的一態樣，係鑑於上述課題所研發出者，其目的在於提供一種可提高生產性之燒成治具。

實施形態的一態樣之燒成治具，具有框體及複數個架橋部。框體係在中央側具有中空部。複數個架橋部係橋接在前述框體的前述中空部，在前述中空部彼此交叉。又，前述框體與前述架橋部係被一體成形。

當依據實施形態的一態樣時，可提高燒成治具本身之生產性。

1‧‧‧燒成治具

10‧‧‧基座

11‧‧‧框體

12a，12b，12c，12d‧‧‧架橋部

13‧‧‧支撐部

14‧‧‧中空部

15‧‧‧交叉部位

16‧‧‧承受部

17‧‧‧透氣凹槽

20‧‧‧設置器

21，22‧‧‧氣孔

30a，30b，30c‧‧‧突起部

31a，31b，31c‧‧‧缺口部

40，42‧‧‧凹部

41，43‧‧‧凸部

50a，50b，50c‧‧‧限制部

A‧‧‧被燒成物

第1圖係表示第1實施形態燒成治具之立體圖。

第2圖係表示取出第1圖所示複數燒成治具中之一者之立體分解圖。

第3A圖係表示第2圖所示基座之俯視圖。

第3B圖係表示第3A圖所示基座之仰視圖。

第3C圖係表示第3A圖所示基座之左側視圖。

第3D圖係表示第3A圖所示基座之正視圖。

第4A圖係用於說明具有多孔質陶瓷之設置器之示意剖面圖。

第4B圖係用於說明具有多孔質陶瓷之設置器之示意剖面圖。

第5圖係用於說明平均氣孔直徑及氣孔直徑之參差之測量方法之圖面。

第6圖係表示第1實施形態燒成治具的基座的變形例之俯視圖。

第7圖係表示第1實施形態燒成治具的基座的變形例之俯視圖。

第8圖係表示第2實施形態燒成治具之俯視圖。

第9圖係表示第3實施形態燒成治具之正視圖。

第10圖係表示第4實施形態燒成治具之俯視圖。

以下，參照附圖詳細說明本申請案開示之燒成治具之實施形態。而且，本發明並不侷限於以下所示之實施形態。

(第1實施形態)

第1圖係表示第1實施形態燒成治具之立體圖。而且，在以下敘述中，為使說明容易瞭解，規定彼此直交之X軸方向、Y軸方向及Z軸方向，將Z軸正向當作鉛直向上方向。

如第1圖所示，燒成治具1係具有基座10及設置器20之陶瓷質燒成治具，在設置器20的上表面20a載置有被燒成物A。而且，上述燒成治具1係例如在被複數段堆積時，被配置於未圖示之窯爐內，燒製被燒成物。

而且在第1圖中，雖然使得複數段堆積燒成治具1，但是，本發明並不侷限於此，也可以係一段。又，在第1圖中，雖然使燒成治具1堆積成三段，但是，此係例示，也可以係兩段或四段以上。

而且，例如假設燒成治具藉複數個構成構件組裝以被製成時，有燒成治具本身的生產性低落之虞。

當詳細說明時，例如安裝複數連結棒到四支支柱以成機架形狀，載置設置器到連結棒上，藉此，當製作燒成治具時，自防止支柱等的晃動或設置器的穩定性之觀點看來，變得被要求較高之組裝精度。又，上述支柱與連結棒之組裝作業也較繁雜，結果，有燒成治具本身的生產性低落之虞。

在此，於本實施形態的燒成治具1中，係使其成為可提高生產性之構成。以下，詳細說明該燒成治具1。

第2圖係表示取出第1圖所示複數燒成治具1中之一者之立體分解圖。第3A圖係表示第2圖所示基座10之俯視圖。第3B圖係表示第3A圖所示基座10之仰視圖。第3C圖係表示第3A圖所示基座10之左側視圖。第3D圖係表示第3A圖所示基座10之正視圖。

如第2圖所示，燒成治具1的基座10係具有框體11、複數(例如兩個)架橋部12a，12b、及複數(例如四個)支撐部13。而且，上述框體11、架橋部12a，12b、及支撐部13係被一體成形，其詳述於後。

如第3A圖所示，框體11之構成係在俯視中，略呈矩形，在中央側具有中空部14。具體說來，在框體11中，上表面11a側的空間與下表面11b側的空間，係透過中空部14連通。

又，如第3C圖及第3D圖所示，框體11係Z軸方向的厚度較薄，成為薄板狀。如此一來，框體11具有中空部14，同時成為薄板狀，藉此，進而可使燒成治具1本身輕量化。

框體11的俯視中之各邊，係相對於X軸方向或Y軸方向而言成平行。具體說來，在第3A圖的紙面中，左側的邊11L及右側的邊11R，係相對於Y軸方向而言成平行，上側的邊11U及下側的邊11D，係相對於X軸方向而言成平行。而且，在此專利說明書中，「平行」等之語句，未必要數學性的嚴密精度，實質上之公差或誤差等可被容許。

又，本實施形態中之框體11，係形成如上述之概略矩形，但是，本發明並不侷限於此。也可以係例如正方形或三角形等之多角形，或者，圓形或橢圓形等其他形狀。

架橋部12a，12b係分別自框體11連續形成，同時被配置使得橋接在框體11的中空部14。具體說來，架橋部12a係被配置使得連結框體11的邊11L的中點附近與邊11R的中點附近，縱向係相對於X軸方向而言成平行。又，架橋部12b被配置使得連結框體11的邊11U的中點附近與邊11D的中點附近，縱向係相對於Y軸方向而言成平行。

架橋部12a，12b係如上被配置，藉此成十字狀，在框體11的中空部14彼此交叉，換言之，在俯視中之框體11的中心部分交叉。而且，使上述架橋部12a與架橋部12b交叉之部位，在圖中以編號15表示，同時以下稱做「交叉部位15」。

又，在燒成治具1中，如下所述，在使用時之燒成工序中，為防止設置器20產生變形或被燒成物A產生變形，其配置有架橋部12a，12b。當設置器20變形時，以架橋部12a，12b支撐中央部，可更加抑制變形，所以，架橋部12a，12b最好被配置於中央部，因此，架橋部12a，12b最好被配置使得成為十字狀。

又，架橋部12a及架橋部12b，係成Z軸方向中之厚度與框體11略同之薄板狀。又，架橋部12a的上表面12a1、架橋部12b的上表面12b1及框體11的上表面11a，係連續之平坦面，相對於XY平面而言成平行。藉此，當架橋部12a， 12b的上表面12a1，12b1及框體11的上表面11a上載置有設置器20時，設置器20不晃動，可穩定保持設置器20。

而且，架橋部12a及架橋部12b係被配置如上所述，所以，框體11的中空部14被隔間成複數個(具體說來，例如四個)。在圖面中，使藉架橋部12a，12b被隔間之中空部14，以編號14a，14b，14c，14d表示。

如第3A圖等所示，在框體11及架橋部12a，12b中，在與中空部14a，14b，14c，14d的角部分相接之部位，被賦予圓角。換言之，複數個中空部14a，14b，14c，14d，係分別被形成為在俯視中，角部朝外邊突出地彎曲之概略矩形。藉此，例如在製作燒成治具1之過程(成形時等)，在使用之過程中，可緩和應力(機械性應力或熱應力)局部性集中，藉此，可抑制產生龜裂等。

中空部14a，14b，14c，14d係自燒成治具1的輕量化、下述之熱風的移動及脫除黏著劑之效率化之考慮下，最好加大XY平面中之面積。但是，當加大中空部14a，14b，14c，14d的面積時，伴隨於此地，包含左側的邊11L之端緣的寬度W11L、包含右側的邊11R之端緣的寬度W11R、包含上側的邊11U之端緣的寬度W11U、包含下側的邊11D之端緣的寬度W11D、架橋部12a的寬度W12a及架橋部12b的寬度W12b變得狹窄。

設置器20及被燒成物A的負載，被框體11及架橋部12a，12b支撐，所以，當這些變得太窄時，使用時會產生撓曲，產生晃動，而無法繼續使用。因此，中空部14a，14b， 14c，14d的大小及框體、架橋部12a，12b的寬度，可因為被載置於其上之設置器20及被燒成物A的負載，適宜被調整。

如第3A圖所示，在框體11中，包含左側的邊11L之端緣的寬度W11L、包含右側的邊11R之端緣的寬度W11R、包含上側的邊11U之端緣的寬度W11U、及包含下側的邊11D之端緣的寬度W11D，係被設定成相同或概略相同之數值。又，架橋部12a的寬度W12a及架橋部12b的寬度W12b，係被設定成相同或概略相同之數值。而且，框體11的各端緣的寬度W11L，W11R，W11U，W11D，及架橋部12a，12b的寬度W12a，W12b，也被設定成相同或概略相同之數值。

如此一來，框體11的各端緣及架橋部12a，12b的寬度係均一或概略均一，其係在中途無變寬或變窄之形狀。藉此，例如在製作燒成治具1之過程(成形時等)中，更能緩和應力局部性集中，藉此，可更有效地抑制龜裂等之產生。

而且，當架橋部12a，12b的一部份寬度變窄時，在使用時，設置器20及被燒成物A的負載施加在架橋部12a，12b上，所以，僅較窄之部分無法承受負載，此部分往中心變形，變得無法繼續使用。因此，架橋部12a，12b的寬度最好均一或概略均一。

如第3B圖~第3D圖所示，支撐部13分別被設於框體11的下表面11b的四角落附近，被形成使得自下表面11b往Z軸的負向突出。藉此，支撐部13係自下表面11b支撐框體11，同時被當作基座10的腳部。

因此，藉適宜設定支撐部13的Z軸方向的高度，例如當層積燒成治具1時，在鉛直方向上鄰接之框體11間，可設置用於配置設置器20或被燒成物A之空間。

又，支撐部13係沿著框體11的邊11U或邊11D被形成。而且，支撐部13被形成之位置，並不侷限於上述物件。亦即，也可以例如使支撐部13沿著框體11的邊11L，11R形成，也可以形成沿著四角落的邊，仰視略成L字形。

而且，也可以使支撐部13，加在框體11的四角落，或者可以取代四角落，設在各邊11U，11D，11L，11R的適宜位置，例如設在邊11U，11D，11L，11R中之至少任何邊的中點附近。又，支撐部13的數量，上述雖然係四個，但是，本發明並不侷限於此，也可以係三個以下或五個以上。

如第3D圖所示，支撐部13係從側面觀之，略呈梯形，具體說來，X方向的寬度係愈離開框體11的下表面11b而愈小，形成所謂推拔狀。如此一來，藉使支撐部13成為推拔狀，在使用於支撐部13的成形之模具(未圖示)設有脫模傾斜，藉此，可提高基座10自衝壓成形(下述)後之模具脫膜的容易度。

上述脫模傾斜只要係大於5度即可，最好大於10度，而且，大於15度尤佳。當脫模傾斜小於5度時，在衝壓成形後，當取出成形體時，很容易產生支撐部13無法自模具脫膜等之成形不良。

又，在框體11的上表面11a形成有承受部16，承受部16係例如燒成治具1如第1圖所示地被複數段堆積，當複數框體11被層積時，在鉛直方向(Z軸方向)中，承受位於上方之框體11的支撐部13。

如第3A圖所示，承受部16係分別被設於對應支撐部13之位置，具體說來，其係分別被設於框體11的上表面11a的四角落附近。承受部16係自框體11的上表面11a，往Z軸的負向僅凹陷既定深度之孔，成為可載置支撐部13之形狀。又，做為承受部16之孔的側壁中，未形成框體11的外周側的側壁。

如此一來，在框體11的上表面11a，設有承受其他框體11的支撐部13之承受部16，所以，可很容易定位堆積燒成治具1，又，可防止被層積之燒成治具1的位置偏移。

又，支撐部13與承受部16接觸之面積，亦即，支撐部13的XY平面中之剖面積，最好係大於40mm²，大於60mm²尤佳。雖然支撐部13因為與承受部16之磨耗而減少，但是，當剖面積小於40mm²時，磨耗量顯著增大，會產生晃動，而無法繼續使用。當剖面積變大時，磨耗量會減少，所以，可穩定使用。雖然無特別上限，但是，當支撐部13的剖面積太大時，載置設置器20及被燒成物A之空間減少，所以不太經濟，因此，上限係例如400mm²。

又，支撐部13的厚度(Y軸方向的長度)最好係2mm~10mm，3mm~7mm尤佳。當支撐部13的厚度係小於2mm時，在以衝壓成形加工後，使支撐部13脫膜較困難，支撐部13的強度變小，所以不太好。另外，當支撐部13的厚度係大於10mm時，載置設置器20及被燒成物A之空間減少，所以不太經濟。

如上構成之框體11、架橋部12a，12b及支撐部13係被一體成形，當詳細說明時，其係以耐火物一體成形。具體說來，其係使粉狀或黏土狀之耐火物流入未圖示之模具以加壓，藉所謂衝壓成形，完成框體11、架橋部12a，12b及支撐部13被一體成形之基座10。耐火物係例如氧化鋁、莫來石、氧化鋯、堇青石、尖晶石、碳化矽、氮化矽及上述物件之混合物等，可承受較高溫(例如超過1500℃)之材料。

如此一來，構成燒成治具1之框體11、架橋部12a，12b及支撐部13係被一體成形，所以，可很容易製造燒成治具1，因此，與組裝複數構成構件以製造相比較下，可提高燒成治具1本身之生產性。又，框體11、架橋部12a，12b及支撐部13係以耐火物成形，所以，可輕量化基座10，也可以提高耐熱衝擊性。而且，耐火物在一般製造時，尺寸收縮較小，所以，很容易製出尺寸精度，即使無燒製後之加工，也可使晃動很小。

接著，說明設置器20。設置器20係被載置於框體11的上表面11a及架橋部12a，12b的上表面12a1，12b1。設置器20係在俯視略呈矩形，同時在Z軸方向中之厚度，係比框體11或架橋部12a，12b的Z軸方向中之厚度還要薄，而成薄板狀。藉此，可謀求設置器20之輕量化。

在此，例如假設使設置器形成薄板狀，同時僅使設置器的外周以框體保持時，藉進行燒成工序之環境，設置器有時係中央附近往鉛直方向下方突出而彎曲變形。當設置器變形時，被載置於設置器上之被燒成物也有產生變形之虞。

在此，本實施形態之燒成治具1，如上所述，係在框體11的中空部14，橋接彼此交叉之架橋部12a，12b。藉此，設置器20係例如中央附近藉架橋部12a，12b的交叉部位15被保持，所以，在燒成工序中，可防止設置器20產生變形，或者，被燒成物A產生變形。

又，如第1圖所示，在設置器20的大小被設定成被載置於框體11的上表面11a及架橋部12a，12b的上表面12a1，12b1(在第1圖中，無法看到架橋部12a，12b)上之狀態下，框體11的承受部16露出。藉此，即使燒成治具1被層積時，以露出之承受部16，可承受支撐部13，同時，可防止設置器20與支撐部13相干涉。

設置器20係例如由耐火物製成。又，做為設置器20用，如果使用例如粒子直徑均勻之耐火物時，可使設置器20具有透氣性。藉此，在燒成工序中，窯爐內的熱風，通過設置器20以到達被燒成物A的下表面側，可效率良好地進行被燒成物A之燒製。又，藉設置器20具有透氣性，在脫除黏著劑時，可效率良好地自被燒成物A去除黏著劑。

又，設置器20之構成，也可以係具有在宛如耐火物之陶瓷，形成很多氣孔之多孔質陶瓷。第4A圖係用於說明具有多孔質陶瓷之設置器20之示意剖面圖。而且，在第4A圖中，為方便理解，誇張表示設置器20的Z軸方向的厚度或氣孔21的大小等。

如第4A圖所示，構成設置器20之多孔質陶瓷，係氣孔21被形成柱狀。具體說明時，其係例如被形成使得氣孔21的平均長寬比超過2.0，最好係超過3.5。

具有這種平均長寬比之氣孔21，最好係被形成使得例如在設置器20中，自彼此相向一邊的表面(下表面20b)，往另一邊之表面(上表面20a)單方向定向。當詳細說明時，設置器20中之氣孔21，最好被形成使得自與基座10相接之下表面20b，往載置有被燒成物A之上表面20a之方向，具體說來，係在與Z軸方向平行，或者，概略平行之方向上定向。

藉此，例如在燒成工序中，窯爐內的熱風，如第4A圖的箭頭B所示，係通過設置器20內，很容易到達被燒成物A的下表面側，所以，可效率更好地燒製被燒成物A。

又，如箭頭B所示，設置器20具有透氣性，藉此，在脫除黏著劑時，也可以效率良好地自被燒成物A去除黏著劑，而且，可謀求設置器20之長壽化。

亦即，設置器20係在脫除黏著劑工序中，為了防止與被燒成物A反應，上表面20a等有時以未圖示之難反應性薄膜被覆。當設置器20之構成係如上所述地具有透氣性時，被燒成物A的黏著劑很容易通過設置器20，所以，薄膜與黏著劑變得很難接觸，可抑制薄膜之劣化，結果，可謀求設置器20之長壽化。

而且，上述多孔質陶瓷，係氣孔直徑的參差小於130%，最好小於85%。當氣孔直徑的參差超過130%時，例如因為包含粗大的氣泡，局部性產生機械強度較低之處所，而在處理上產生不良現象。在此，藉使氣孔直徑的參差小於130%，可抑制上述不良現象之產生。

又，上述多孔質陶瓷，係平均氣孔直徑為1μm~500μm對進行被燒成物A之燒製等較好，12μm~102μm尤佳。

又，上述多孔質陶瓷的氣孔率，最好在50%~99%之範圍，70%~99%之範圍尤佳。當多孔質陶瓷的氣孔率小於50%時，有設置器20的透氣性降低之虞。另外，當多孔質陶瓷的氣孔率超過99%時，有無法確保期望強度之虞。

在此，詳細說明本專利說明書中之「平均長寬比」等語句。多孔質陶瓷的「氣孔21的長寬比」，可依據例如影像解析算出。亦即，攝影氣孔21的剖面部，使攝影之剖面部近似橢圓體，將測量面積、長直徑及短直徑時之長直徑除以短直徑，稱做「氣孔21的長寬比」。而且，使任意選定之五十個氣孔21的長寬比的平均值，定義成「氣孔21的平均長寬比」。

又，多孔質陶瓷的「平均氣孔直徑」及「氣孔直徑的參差」，係如下算出。第5圖係用於說明平均氣孔直徑及氣孔直徑之參差之測量方法之圖面。

如第5圖所示，首先，將構成設置器20之多孔質陶瓷，當作寬度a₁×b₁=15mm×15mm，厚度c=9mm之實驗片T，自中央(α)與端部(β，γ，δ，ε)之合計五處分別切出。接著，針對此五個實驗片分別算出平均氣孔直徑。在此，所謂各實驗片的「平均氣孔直徑」，係在接觸角140度，使用水銀壓入法，針對各實驗片分別測量，依據使氣孔21近似圓柱時之氣孔分佈所得之中位數直徑(d50)。

而且，在各平均氣孔直徑之中，求出最大值與最小值之差，使此數值((最大值)-(最小值))，除以各平均氣孔率的平均值之數值的百分率當作「氣孔直徑的參差」(%)。又，將各實驗片分別獲得之平均氣孔直徑的平均值，定義成多孔質陶瓷的「平均氣孔直徑」。

又，所謂「氣孔率」，係依據在JISR1634：2008中規定之手法，藉阿基米德法所得到之數值。在該測量中，閉氣孔不被考慮，所以，也被稱做「外觀氣孔率」。而且，在此專利說明書中，將「外觀氣孔率」稱做「氣孔率」。

而且在上述中，雖然設置器20具有多孔質陶瓷，但是，框體11及架橋部12a，12b也可以具有多孔質陶瓷。而且，雖然省略圖示，但是，當框體11及架橋部12a，12b具有上述多孔質陶瓷時，希望形成使得氣孔係自彼此相向之一者的表面(例如下表面11b等)，往另一者的表面(例如上表面11a等)，單方向定向。

如上所述，只要框體11及架橋部12a，12b與設置器20中之至少任一者，具有多孔質陶瓷即可，藉此構成，可得到上述之效果。

又，多孔質陶瓷之特性，並不侷限於上述。第4B圖係用於說明具有多孔質陶瓷之設置器20之示意剖面圖。而且，在第4B圖中，係與第4A圖相同地，誇張表示設置器20的Z軸方向的厚度或氣孔22的大小等。

構成第4B圖所示例之設置器20之多孔質陶瓷，係陶瓷骨骼23形成為三維之網目狀，使得氣孔22被形成在隨機方向。在此，所謂氣孔22係「被形成在隨機方向」，係氣孔22的平均長寬比為1~2，最好係1~1.4。

藉此，例如在燒成工序中，窯爐內的熱風，如第4B圖的箭頭C所示，係通過設置器20內，而很容易到達被燒成物A的下表面側，所以，可更有效地進行被燒成物A之燒製。又，如箭頭C所示，設置器20具有透氣性，藉此，可效率良好地自被燒成物A去除黏著劑，而且，也可以謀求設置器20之長壽化。

又，第4B圖的設置器20的多孔質陶瓷的氣孔率，最好係在50%~99%之範圍內，70%~99%則更佳。當多孔質陶瓷的氣孔率小於50%時，有設置器20的透氣性降低之虞。另外，當多孔質陶瓷的氣孔率大於99%時，有無法確保期望強度之虞。

又，第4B圖之例之多孔質陶瓷，係平均氣孔率為10μm~300μm在進行被燒成物A之燒製等較好，10μm~100μm則更佳。

又，第4B圖之例之多孔質陶瓷，係氣孔直徑的參差小於10%。氣孔22被形成在隨機方向上之多孔質陶瓷，當氣孔直徑的參差超過10%時，因為包含粗大的氣孔，局部性產生機械強度較低之處所，在處理上有時產生不良現象。在此，藉使氣孔直徑的參差小於10%，可抑制上述不良現象之產生。

又，第4B圖之例的多孔質陶瓷，最好平均彎曲強度超過10MPa。又，第4B圖之例的多孔質陶瓷，最好耐熱衝擊性超過450℃，超過600℃尤佳。藉使平均彎曲強度及耐熱衝擊性設定如上，可提高燒製被燒成物A時之設置器20的耐久性。

在此，「平均彎曲強度」係依據JISR1601：2008規定之三點彎曲測試所得之數值。又，「耐熱衝擊性」係如下測量。首先，製作100mm□×厚度3mm之實驗片與相同尺寸之瓦片材質之薄板。接著，在上下相對配置之實驗片與薄板之間配置複數支柱，使實驗片與薄板自上下方向夾持地加壓。使此狀態之實驗片等藉電爐高溫加熱，在保持一小時以上之期望溫度後，自電爐取出以暴露在室溫，以肉眼評估實驗片是否有龜裂。使設定溫度自350℃~700℃，每次升溫50℃，將不產生龜裂之溫度上限當作「耐熱衝擊性」。

如上所述，在第1實施形態中，燒成治具1係具有框體11及複數架橋部12a，12b。框體11在中央側具有中空部14。複數架橋部12a，12b橋接在框體11的中空部14，於中空部14彼此交叉。又，框體11與架橋部12a，12b被一體成形。藉此，可提高燒成治具1本身之生產性。

而且，在上述中，架橋部12a，12b的上表面12a1，12b1係呈平坦面，但是，本發明並不侷限於此，如在第3A圖中之假想線所示，也可以在架橋部12a，12b的上表面12a1，12b1形成透氣凹槽17。

透氣凹槽17係連通例如被架橋部12a，12b分隔之中空部14a，14b，14c，14d，正確說來，係被構成使得連通中空部14a與14b、中空部14a與14c、中空部14b與14d、及中空部14c與14d。

藉此，窯爐內的熱風，如第3A圖的箭頭B所示，係通過透氣凹槽17，循環在設置器20的下表面附近，所以，可使設置器20的下表面側的溫度為高溫，藉此，可效率良好地燒製設置器20的被燒成物A。

而且，在上述中，雖然在架橋部12a，12b的上表面12a1，12b1設置透氣凹槽17，但是，也可以以突起取代此，或者，在此之外另加突起，也可以獲得相同效果。

又，在上述中，於燒成治具1中，雖然使架橋部12a及架橋部12b各為一支，但是，本發明並不侷限於此，也可以分別為複數支。亦即，也可以使架橋部12a為m個(m係2以上之整數)，使架橋部12b為n個(n係2以上之整數)。

第6圖係表示第1實施形態燒成治具1的基座10的變形例之俯視圖。在第6圖中，係表示架橋部12a為兩支之情形。如此一來，也可以藉使架橋部12a，12b係複數支，而設置器20被架橋部12a，12b更穩定地保持。

又，在上述中，於燒成治具1中，架橋部12a，12b係連結縱向相向之框體11的邊，但是，本發明並不侷限於此。第7圖係表示第1實施形態燒成治具1的基座10的變形例之俯視圖。

如第7圖所示，也可以使架橋部12c，12d之構成係縱向在框體11的對角線上。如此一來，在配置架橋部12c，12d時，可獲得與上述相同之效果。

(第2實施形態)

第8圖係表示第2實施形態燒成治具1之俯視圖。而且在以下，針對與第1實施形態共通之構成，係賦予相同編號，其說明予以省略。

當將焦點置於與第1實施形態不同之點以說明時，在第2實施形態的燒成治具1中，在框體11的上表面11a的適宜位置，例如在上表面11a中之邊11L側，被形成複數個(兩個)突起部30a。

而且，雖然突起部30a係例如成圓柱狀，但是，本發明並不侷限於此，也可以係方柱狀或半球狀等之其他形狀。又，雖然使突起部30a為兩個，但是其僅係例示，其也可以係一個或三個以上。又，針對下述之突起部30b，30c，其形狀及個數也不侷限於圖示者。

另外，設置器20中，於邊11L側的外周，形成有與突起部30a對應之缺口部31a。因此，於第2實施形態中，當載置設置器20到基座10的框體11上時，使缺口部31a配合突起部30a載置，藉此，可很容易進行設置器20之定位。

又，設置器20在突起部30a與缺口部31a配合之狀態下，被載置於基座10上，藉此，也可防止設置器20之對於基座10之位置偏移。

而且，在上述中，雖然設置突起部30a在上表面11a的邊11L側，但是，本發明並不侷限於此。亦即，如第8圖假想線所述，可以取代突起部30a或在突起部30a上外加地，在上表面11a的邊11R側形成突起部30b，又，也可以在上表面11a的邊11U或邊11D側形成突起部30c。

當形成上述突起部30b或突起部30c時，在設置器20的外周，形成有與突起部30b對應之缺口部31b，或者，與突起部30c對應之缺口部31c。藉此，與上述相同地，可很容易定位設置器20地載置在基座10上，同時可防止設置器20對於基座10之位置偏移。

又，在上述中，雖然使突起部30a形成在框體11的上表面11a，但是，本發明並不侷限於此。亦即，雖然未圖示，也可以使突起部30a形成在架橋部12a，12b的上表面12a1，12b1上。而且，也可以使突起部30a形成在框體11的上表面11a與架橋部12a，12b的上表面12a1，12b1上。而且，殘餘之構成及效果係與第1實施形態相同，所以，省略其說明。

(第3實施形態)

第9圖係表示第3實施形態燒成治具1之正視圖。而且，在第9圖中，為簡略化圖面，省略承受部16的圖面。

當將焦點置於與第1實施形態不同之點以說明時，在第3實施形態的燒成治具1中，在框體11的上表面11a的適宜位置，例如在上表面11a中之邊11L側與邊11R側，分別被形成一個凹部40。

另外，在設置器20的下表面20b且對應凹部40之位置，形成有與凹部40嵌合之凸部41。因此，在第3實施形態中，當載置設置器20到基座10的框體11時，藉嵌合凸部41到凹部40以載置，可很容易進行設置器20之定位。

又，設置器20在凹部40與凸部41相嵌合之狀態下，載置設置器20到基座10上，藉此，可防止設置器20對於基座10之位置偏移。

而且，在上述中，雖然設置凹部40到上表面11a的邊11L，11R側，但是其僅係例示，並未侷限其個數或位置。亦即，也可以例如使凹部40僅形成在上表面11a的邊11L，11R之任一者上，而且，也可以形成在邊11U或邊11D側。

又，雖然省略圖示，但是，也可以使凹部40形成在架橋部12a，12b的上表面12a1，12b1。

又，在上述中，雖然使凹部40形成在框體11側，使凸部41形成在設置器20側，但是，此凹凸關係也可以倒轉。亦即，如第9圖想假想線所示，也可以形成凹部42在設置器20的下表面20b，在框體11的上表面11a且與凹部42對應之位置，形成與凹部42嵌合之凸部43。

又，雖然省略圖示，但是，也可以形成凸部43在架橋部12a，12b的上表面12a1，12b1。如此一來，當形成凹部42在設置器20側，形成凸部43在框體11或架橋部12a，12b側時，也與上述相同地，可很容易進行設置器20之定位，同時可防止對於框體11之位置偏移。

如上所述，在第3實施形態之燒成治具1中，係在框體11及架橋部12a，12b之至少任一者的上表面11a，12a1，12b1、及設置器20的下表面20b之一者上，形成凹部40，42，在另一者上，形成與凹部40，42嵌合之凸部41，43。而且，殘餘之構成及效果係與第1實施形態相同，所以，省略其說明。

(第4實施形態)

第10圖係表示第4實施形態燒成治具1之俯視圖。當將焦點置於與第1實施形態不同之點以說明時，在第4實施形態的燒成治具1中，在框體11的上表面11a的適宜位置，例如在上表面11a中之邊11L側，被形成複數個(兩個)限制部50a。

限制部50a係被形成使得自上表面11a往Z軸的正向突出。因此，當設置器20自X軸的正側往負側移動而被被載置於基座10時，當設置器20的外周抵接在限制部50a時，限制部50a發揮擋止器之功能，限制設置器20進一步移動(在此，係往X軸負向之移動)。藉此，可很容易進行設置器20之定位，而且，也可防止設置器20之對於框體11之位置偏移。

而且，如第10圖所示，雖然使限制部50a在俯視略呈矩形，但是，本發明並不侷限於此，也可以係例如圓柱狀或半球狀等其他形狀。又，雖然使限制部50a的個數為兩個，但是，本發明並不侷限於此，也可以係一個或三個以上。

又，在上述中，雖然設置限制部50a在上表面11a的邊11L側，但是，本發明並不侷限於此。亦即，可取代限制部50a，或者，如第10圖想像線所示，在限制部50a之外另加上在上表面11a的邊11R側形成限制部50b，而且，也可以在上表面11a的邊11U或邊11D側形成限制部50c。

又，在上述中，雖然形成限制部50a在框體11的上表面11a，但是，本發明並不侷限於此。亦即，雖然未圖示，也可以形成限制部50a在架橋部12a，12b的上表面12a1，12b1。而且，也可以形成限制部50a在框體11的上表面11a、與架橋部12a，12b的上表面12a1，12b1上。而且，殘餘之構成及效果係與第1實施形態相同，所以，省略其說明。

更好的效果或變形例，係該業者可很容易導出。因此，本發明的更廣泛的態樣，並不侷限於上述表示且記述之特定詳細及代表性之實施形態。因此，不脫逸藉附加之專利申請範圍及其均等物定義之全貌性的發明之概念性之精神或範圍，可做種種變更。

10‧‧‧基座

11‧‧‧框體

11a‧‧‧上表面

11D‧‧‧下側的邊

11L‧‧‧左側的邊

11R‧‧‧右側的邊

11U‧‧‧上側的邊

12a，12b‧‧‧架橋部

12a1‧‧‧上表面

12b1‧‧‧上表面

14‧‧‧中空部

14a，14b，14c，14d‧‧‧編號

15‧‧‧交叉部位

16‧‧‧承受部

17‧‧‧透氣凹槽

Claims

一種燒成治具，具有：框體，在中央側具有中空部；複數架橋部，橋接在前述框體的前述中空部，在前述中空部彼此交叉；支撐部，在前述框體的下表面一體成形，支撐前述框體；以及承受部，被形成在前述框體的上表面，當層積複數個前述框體時，其承受在鉛直方向中位於上方之前述框體的前述支撐部；前述框體與前述架橋部係一體成形；前述支撐部，被形成為在側視觀之中的寬度為隨著自前述框體的下面遠離而逐漸變小的梯型形狀；前述承受部，係自前述框體的上表面凹陷既定深度之孔。
如申請專利範圍第1項所述之燒成治具，其中，前述框體與前述架橋部，係以耐火物成形。
如申請專利範圍第1項所述之燒成治具，其中，其具有被載置於前述框體及前述架橋部的上表面上之設置器，在前述框體與前述架橋部之至少任一者的上表面，形成有突起部，另外，在前述設置器的外周面，形成有與前述突起部對應之缺口部。
如申請專利範圍第1項所述之燒成治具，其中，其具有被載置於前述框體及前述架橋部的上表面上之設置器，在前述框體與前述架橋部之至少任一者的上表面，及前述設置器的下表面之一者上形成有凹部，在另一者形成有與前述凹部相嵌合之凸部。
如申請專利範圍第1項所述之燒成治具，其中，在前述架橋部的上表面形成有透氣凹槽，前述透氣凹槽係連通被前述架橋部隔間之前述中空部們。
如申請專利範圍第1項所述之燒成治具，其中，其具有被載置於前述框體及前述架橋部的上表面上之設置器，在前述框體與前述架橋部之至少任一者的上表面，形成有限制前述設置器的移動之限制部。
如申請專利範圍第1項所述之燒成治具，其中，其具有被載置於前述框體及前述架橋部的上表面上之設置器，前述框體及前述架橋部與前述設置器中之至少任一者，係氣孔的平均長寬比超過2.0，前述氣孔係具有自彼此相向的一面往另一面，單方向定向之多孔質陶瓷。
如申請專利範圍第7項所述之燒成治具，其中，前述多孔質陶瓷係平均氣孔直徑為1~500μm，氣孔率為50~99%，氣孔直徑的參差小於130%。
如申請專利範圍第1項所述之燒成治具，其中，其具有被載置於前述框體及前述架橋部的上表面上之設置器，前述框體及前述架橋部與前述設置器中之至少任一者，係具有氣孔率為50~99%，氣孔的平均長寬比為1~2之多孔質陶瓷。