TWI546192B - 卡片用核芯片 - Google Patents

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Description

卡片用核芯片
本發明係關於一種卡片用核芯片，其用以形成適合於形成會員卡片、ID卡片、信用卡片、現金卡片、IC卡片等資訊記錄卡片之積層卡片，特別是用以形成以來源於植物原料之塑膠(稱作「植物原料塑膠」)為主原料之環保型積層卡片。
一般而言，信用卡片或現金卡片等資訊記錄卡片係以如下方式而形成：例如對較厚且硬質的白色核芯片之表背面實施印刷，對該核芯片之表背兩面積層包被覆蓋片，並視需要設置磁性記錄層等。
又，一般而言，IC卡片等資訊記錄卡片係以如下方式而形成：於2片核芯片間夾持積層具備IC晶片與天線之嵌體片，於各核芯片之表背兩面積層覆蓋片。
至於可用作此種各種卡片之原料的塑膠，大部分於使用後遭廢棄，故而被指為破壞地球環境的原因之一，近年來，枯竭性資源之有效利用受到重視。於資訊記錄卡片之製造領域中，可再生資源之利用亦成為重要課題之一。
目前，作為用以有效利用枯竭性資源之解決對策而最受矚目的是利用植物原料塑膠。若增加植物原料塑膠之利用量，則不僅可降低枯竭性資源之利用量，亦可對資源之再利用作出較大貢獻。
其中，乳酸系聚合物係以由澱粉醱酵而獲得之乳酸為原 料之植物原料塑膠，化學工業上可量產。且，透明性及剛性等優異，故而作為聚對苯二甲酸乙二酯或聚氯乙烯之替代原料而備受矚目，於資訊記錄卡片之製造領域中，亦提出將此種乳酸系聚合物用作原料之要旨。
例如，於專利文獻1中揭示有以下述為特徵之卡片：將由單層或多層所構成之卡片的至少一部分藉由分解性塑膠進行成形。
於專利文獻2中揭示有生物降解性卡片，其係由多層所構成之生物降解性塑膠卡片，上述生物降解性卡片之特徵在於，以至少具有生物降解性之塑膠片為中心核心，於其兩面積層包含以聚乳酸或乳酸與羥基羧酸之共聚物為主成分之熱塑性聚合物的覆蓋片。
於專利文獻3中揭示有以下述為特徵之資訊記錄卡片：由結晶化及/或經延伸之乳酸系聚酯構成支撐體之至少一部分。
於專利文獻4中揭示有以下述為特徵之IC卡片：於支撐體上使用以生物降解性樹脂為主成分之基材。
於專利文獻5中揭示有以下述為特徵之IC卡片：由生物降解性塑膠構成卡片基材，並由鋁構成天線。
又，於專利文獻6中揭示有生物降解性卡片，其係由多層所構成並使用生物降解性樹脂之卡片，上述生物降解性卡片之特徵在於，將以聚乳酸、或乳酸與羥基羧酸之共聚物為主成分的熱塑性聚合物進行雙軸延伸之層，且位於該卡片厚度方向之中央的一對層，以於沿該層之二維方向上 相互配向之方向相同之方式進行設置。
(專利文獻1)日本專利特開平08－267968號公報(專利文獻2)日本專利特開平09－131835號公報(專利文獻3)日本專利特開平09－157424號公報(專利文獻4)日本專利特開平09－240174號公報(專利文獻5)日本專利特開2002－099885號公報(專利文獻6)日本專利特開2004－230626號公報
習知所提出之以乳酸系聚合物為主原料的卡片，多數於耐熱性或耐衝擊性、進而各層間之黏接性(熱融著性)上存在問題。
因此，本發明提供一種卡片用核芯片，其用以形成以植物原料塑膠為主原料之環保型積層卡片，且耐熱性、耐衝擊性、以及各層間之黏接性(熱融著性)優異的積層卡片，特別是如上述之積層卡片。
本發明提供一種卡片用核芯片，其係與覆蓋片(B)一併使用以形成積層卡片之卡片用核芯片(A)，該覆蓋片(B)具備至少一層係以芳香族聚酯系樹脂或聚碳酸酯系樹脂、或該等兩者之混合樹脂為主成分樹脂之層的構成，且該卡片用核芯片之特徵在於：積層一層或二層以上而成，其中至少一層係以乳酸系聚合物為主成分樹脂之乳酸系樹脂層。
上述乳酸系樹脂層可為以乳酸系聚合物、非晶性芳香族聚酯系樹脂、及熱塑性彈性體為主成分樹脂之乳酸系樹脂層。
又，上述乳酸系樹脂層係積層二層以上而成者，且作為其中之至少一層的(A1)層係，以D－乳酸之質量比例為3%以上且97%以下之乳酸系聚合物，或D－乳酸之質量比例為3%以上且97%以下之乳酸系聚合物、與D－乳酸之質量比例為2%以下或98%以上之乳酸系聚合物的混合樹脂為主成分樹脂之乳酸系樹脂層， 作為(A1)層以外之至少一層的(A2)層可為，以D－乳酸之質量比例為2%以下或98%以上之乳酸系聚合物為主成分樹脂的乳酸系樹脂層。
進而又，上述乳酸系樹脂層係積層二層以上而成者，且作為其中之至少一層的(A1)層係，以芳香族聚酯系樹脂或聚碳酸酯系樹脂、或該等兩者之混合樹脂為主成分樹脂之層， 作為(A1)層以外之至少一層的(A2)層可為，以乳酸系聚合物為主成分樹脂之乳酸系樹脂層。
藉由使用此種本發明之卡片用核芯片，可形成如下之積層卡片。
即，可形成一種積層卡片，其具備包含一層或二層以上之一片或二片以上的核芯片(A)，及包含一層或二層以上之一片或二片以上的覆蓋片(B)，且上述積層卡片之特徵在於：構成核芯片(A)之至少一層 係以乳酸系聚合物為主成分樹脂的乳酸系樹脂層，構成覆蓋片(B)之至少一層係以芳香族聚酯系樹脂或聚碳酸酯系樹脂、或該等兩者之混合樹脂為主成分樹脂之層。
此時，構成核芯片(A)之層中的至少覆蓋片(B)側之(A1)層，可製成以D－乳酸之質量比例為3%以上且97%以下之乳酸系聚合物為主成分樹脂的乳酸系樹脂層。
或，構成核芯片(A)之層中的至少覆蓋片(B)側之(A1)層，可製成以D－乳酸之質量比例為3%以上且97%以下之乳酸系聚合物、與D－乳酸之質量比例為2%以下或98%以上之乳酸系聚合物的混合樹脂為主成分樹脂之乳酸系樹脂層。
作為構成核芯片(A)之層中的(A1)層以外之至少一層的(A2)層，可製成以D－乳酸之質量比例為2%以下或98%以上之乳酸系聚合物為主成分樹脂的乳酸系樹脂層。
又，構成核芯片(A)之層中的至少覆蓋片(B)側之(A1)層，可製成以芳香族聚酯系樹脂或聚碳酸酯系樹脂、或該等兩者之混合樹脂為主成分樹脂之層，且，作為構成核芯片(A)之層中的上述(A1)層以外之至少一層的(A2)層，可製成以乳酸系聚合物為主成分樹脂之乳酸系樹脂層。
另一方面，構成覆蓋片(B)之至少一層可製成以芳香族聚酯系樹脂與聚碳酸酯系樹脂之混合樹脂為主成分樹脂之層。
或，構成覆蓋片(B)之至少一層可製成以芳香族聚酯系樹脂為主成分樹脂之(B1)層，且，構成覆蓋片(B)之其他至少一層可製成以聚碳酸酯系樹脂為主成分樹脂之(B2)層。
進而，亦可形成具備安裝有電子零件之嵌體片(C)的積層卡片。
並且，可形成植物原料塑膠占構成積層卡片之全部塑膠原料中之20~80質量%的環保對應型積層卡片。
此種積層卡片係以作為植物原料塑膠之乳酸系聚合物為主原料之環保對應型積層卡片，耐熱性、耐衝擊性、以及各層間之黏接性(熱融著性)優異。因此，可適用於例如會員卡片、ID卡片、信用卡片、現金卡片等。又，若以將具備IC晶片與天線之嵌體片(C)夾持於2片核芯片(A)間之方式構成，則可適用於例如IC卡片等中。
以下，就使用本發明之卡片用核芯片之積層卡片之實施形態加以說明，但本發明之範圍並不限於以下所說明之實施形態。
<第1實施形態>
如圖1~圖2所示，第1實施形態之積層卡片(以下，稱作「本積層卡片」。)係具備一片或二片以上之核芯片(A)，以及一片或二片以上之覆蓋片(B)之積層卡片。
作為具體之積層構成，具備核芯片(A)與覆蓋片(B)即可，例如，如圖1(1)~(4)所示，可舉出：(B)/(A)、 (B)/(A)/(B)、(B)/(A)/(A)/(B)等積層構成。此種積層構成可應用於例如會員卡片、ID卡片、信用卡片、現金卡片等。
又，可具備除核芯片(A)及覆蓋片(B)以外之其他片材，例如可具備：安裝電子零件而成之嵌體片(C)、或樹脂組成與核芯片(A)不同的其他核芯片(E)。例如，如圖2(1)~(3)所示，可舉出：(A)/(B)/(C)、(B)/(A)/(C)/(B)、(B)/(A)/(C)/(A)/(B)、(B)/(A)/(E)/(C)/(E)/(A)/(B)等積層構成。此種積層構成可應用於例如IC卡片等。
再者，上述例示之積層構成中，可於各片材間任意設置黏接層(D)或印刷層等其他層。
[核芯片(A)] 核芯片(A)可形成為包含以乳酸系聚合物為主成分樹脂(亦稱作基礎樹脂)之乳酸系樹脂組成物的乳酸系樹脂層之單層片材。
至於乳酸系樹脂組成物，除了乳酸系聚合物以外，亦可調配非晶性芳香族聚酯系樹脂、及熱塑性彈性體作為主成分樹脂。
較佳為於乳酸系樹脂組成物及乳酸系樹脂層中含有著色材料。
(乳酸系聚合物) 作為用於核芯片(A)之基礎樹脂的乳酸系聚合物，可舉出：結構單位為L－乳酸之聚(L－乳酸)、結構單位為D－乳酸之聚(D－乳酸)、結構單位為L－乳酸及D－乳酸之聚(DL－ 乳酸)、或該等之混合物。
作為該等乳酸系聚合物之聚合法，可舉出：縮合聚合法、開環聚合法等公知之任一方法。
例如，於縮合聚合法中，可將L－乳酸或D－乳酸、或該等之混合物進行直接脫水縮合聚合，而獲得具有任意之組成的乳酸系聚合物。
於開環聚合法中，可使用作為乳酸之環狀二聚物的乳酸交酯、視需要之聚合調節劑等，並使用所選擇之觸媒，而獲得聚乳酸系聚合物。此時，乳酸交酯中有作為L－乳酸之二聚物的L－乳酸交酯、作為D－乳酸之二聚物的D－乳酸交酯、進而包含L－乳酸與D－乳酸之DL－乳酸交酯，視需要將該等混合並聚合，藉此可獲得具有任意組成、結晶性之乳酸系聚合物。
又，乳酸系聚合物可為聚(L－乳酸)、聚(D－乳酸)、聚(DL－乳酸)、或該等之混合物、與羥基羧酸或二醇/二羧酸之共聚物。
此處，作為上述「羥基羧酸」，可舉出：乳酸之光學異構物(相對於L－乳酸而為D－乳酸、相對於D－乳酸而為L－乳酸)、乙醇酸、3－羥基丁酸、4－羥基丁酸、2－羥基正丁酸、2－羥基－3,3－二甲基丁酸、2－羥基－3－甲基丁酸、2－甲基乳酸、2－羥基己酸等2官能脂肪族羥基－羧酸或己內酯、丁內酯、戊內酯等內酯類。
又，作為上述「二醇」，可舉出：乙二醇、1,4－丁二醇、1,4－環己烷二甲醇等，作為上述「二羧酸」，可舉出：丁 二酸、己二酸、辛二酸、癸二酸及十二烷二酸等。
進而，視提高耐熱性等之需要，於不損及乳酸系聚合物之本質性質之範圍內、即含有90質量%以上之乳酸系聚合物成分之範圍內，上述乳酸系聚合物可含有作為少量共聚合成分的、對苯二甲酸等非脂肪族二羧酸、雙酚A之環氧乙A加成物等非脂肪族二醇之任一者、或兩者。
又，為了增大分子量，亦可含有少量鏈延長劑，例如二異氰酸酯化合物、環氧化合物、酸酐等。
乳酸系聚合物之DL構成比，較佳為L體：D體＝100：0~90：10、或L體：D體＝0：100~10：90。其中，更佳為L體：D體＝99.5：0.5~94：6、或L體：D體＝0.5：99.5~6：94。若為該範圍內，則可容易獲得耐熱性，並可用於廣大範圍之用途。
上述乳酸系聚合物中，D－乳酸之比例為3%以上且97%以下之乳酸系聚合物與D－乳酸之比例為2%以下或98%以上之乳酸系聚合物，以30：70~90：10、尤其以40：60~80：20、其中特別以50：50~70：30之質量比例混合而成的乳酸系聚合物係較佳之一例。
此時，「D－乳酸之比例為3%以上且97%以下之乳酸系聚合物」係，D－乳酸與L－乳酸之比例為L體：D體＝97：3~3：97者，更佳為L體：D體＝95：5~5：95者，尤佳為L體：D體＝90：10~10：90者，特佳為L體：D體＝85：15~15：85者。
「D－乳酸之比例為2%以下或98%以上之乳酸系聚合物」 係，D－乳酸與L－乳酸之比例為L體：D體二98：2~100：0或2：98~0：100者，更佳為L體：D體＝99：1~100：0或1：99~0：100者，特佳為L體：D體＝99.5：0.5~100：0或0.5：99.5~0：100者。
乳酸系聚合物之重量平均分子量為5萬~40萬，較佳為10萬~25萬。若為5萬~40萬之範圍內，則可獲得實用物性，且亦不會出現熔融黏度過高而致成形加工性惡化。
作為乳酸系聚合物，亦可使用市售產品。例如可舉出：三井化學公司製造之「LACEA」系列、Nature Works公司製造之「Nature Works」系列等。
(芳香族聚酯系樹脂) 作為用於核芯片(A)之基礎樹脂的芳香族聚酯系樹脂，為芳香族二羧酸成分與二醇成分進行縮合聚合而成之樹脂即可，其中，較佳為芳香族二羧酸成分及二醇成分中之一者成分或兩者成分並非由單一化合物構成，而是由數種化合物構成之所謂的共聚合聚酯。
作為共聚合聚酯之芳香族二羧酸成分，可舉出包括對苯二甲酸、間苯二甲酸、萘二甲酸者，較佳為該等羧酸之一部分被其他二羧酸取代者。作為其他二羧酸成分，可舉出：乙二酸、丙二酸、丁二酸、己二酸、壬二酸、癸二酸、新戊酸、二苯基醚二甲酸、對羥基苯甲酸等。該等既可為一種、亦可為二種以上，又，亦可適當選擇經取代之其他二羧酸之量。
作為共聚合聚酯之二醇成分，可舉出：乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、環己烷二甲醇等。可以其他二醇成分取代該等二醇之一部分。
作為其他二醇成分，可舉出：丙二醇、伸丙二醇、伸丁二醇、伸己二醇、新戊二醇、聚烷二醇、1,4－環己烷二甲醇、甘油、季戊四醇、三羥甲烷、甲氧基聚烷二醇等。該等既可為一種、亦可為二種以上，又，亦可適當選擇經取代之其他二羧酸之量。
上述所說明之芳香族聚酯系樹脂(包括共聚合聚酯)中，作為用於核芯片(A)之基礎樹脂的芳香族聚酯系樹脂，重要的是實質上非結晶性聚酯系樹脂。
即，作為芳香族聚酯系樹脂之代表例可舉出聚對苯二甲酸乙二酯(PET)，該PET係下述半結晶性樹脂，即，若使其熔融後，進行急速冷卻則不會結晶化，而為非晶狀態，但若再次於150~250℃左右之範圍內進行加熱則會結晶化。至於此種樹脂，作為實質熔融擠壓之適當溫度，必須於較該PET熔點高之270℃以上之溫度下進行加熱。因此，與乳酸系聚合物混合，實施熔融擠壓亦理應必須設定為270℃以上之溫度，但於該高溫下，乳酸系聚合物產生熱分解，而難以獲得熔融擠壓片材。假設將熔融擠壓之片材急劇冷卻而成為非晶性，即便如此，將卡片用片材重疊而實施熱壓時發生結晶化，而不會產生融著性。因而，作為芳香族聚酯系樹脂，重要的是實質上非結晶性聚酯系樹脂。
此處，所謂「實質上非結晶性聚酯系樹脂」，係指結晶性較低，即便進行壓製融著等實用上所頻繁進行之熱加工，亦不會出現由結晶化所引起之白濁或融著不良。更具體而言，可將下述樹脂看作實質上非晶性聚酯系樹脂，即，藉由分析熱特性之示差掃描熱量測定(依據JIS K7121及JIS K7122所記載之方法)所求得的熔解熱量為0或15 J/g以下之樹脂。
若參考此種觀點，則作為較佳之芳香族聚酯系樹脂，可舉出：二羧酸成分之一部分為對苯二甲酸、其餘二羧酸成分被其他二羧酸(例如，1,4－環己烷二甲醇)取代之二羧酸成分，與二醇成分之一部分為乙二醇成分、其餘二醇成分被其他二醇成分取代之二醇成分進行縮合聚合而成的芳香族共聚合聚酯。
此時，就提高非晶化度之觀點而言，較佳為含有10~50莫耳%之其他二羧酸、特別是1,4－環己烷二甲醇(CHDM)成分，其中更佳為12莫耳%以上，其中特佳為15莫耳%以上。上限值更佳為47莫耳%以下，特佳為45莫耳%以下。
此種芳香族共聚合聚酯中，特佳為下述芳香族共聚合聚酯，即，其係以對苯二甲酸為主成分之二羧酸成分，與包含90~50莫耳%、更佳為80~60莫耳%、其中特佳為75~65莫耳%之乙二醇及10~50莫耳%、更佳為20~40莫耳%、其中特佳為25~35莫耳%之1,4一環己烷二甲醇(「CHDM」)的乙二醇成分進行聚縮合而成。
芳香族共聚合聚酯之玻璃轉移溫度(Tg)並無特別限 制，較佳為40~100℃，尤佳為50~90℃，其中特佳為60~80℃。
作為此種芳香族共聚合聚酯之具體產品例，例如可舉出：聚對苯二甲酸乙二酯之改質體即三菱化學公司製造之「NOVAPEX」系列(例如，NOVAPEX PS600)、聚對苯二甲酸丁二酯之改質體即三菱工程塑膠公司製造之「NOVADURAN」系列(例如，NOVADURAN 5008)。又，可舉出：將聚對苯二甲酸乙二酯之乙二醇之約30莫耳%以1,4－環己烷二甲醇取代而成之聚酯樹脂、即以Eastman Chemical公司製造之「Eastar 6763」、包含相同成分之熔融黏度稍低的「Eastar GN119」為代表之「Eastar」系列。
芳香族聚酯系樹脂與乳酸系聚合物進行熔融混合後之黏度，作為以JIS K7367－5(2000年)所測定之固有黏度(Ⅳ值)，較佳為0.45~0.90之範圍內。若未滿0.45，則所獲得之片材較脆，而不合於使用。又，若超過0.90，則分子量過高，而必須將熔融擠壓溫度設定為250℃以上，並於該溫度以上之溫度下與乳酸系聚合物熔融混合時，擔憂乳酸系聚合物之熱解。
作為更佳之Ⅳ值，為0.5~0.8之範圍內，特佳為0.55~0.75之範圍。
調配芳香族聚酯系樹脂之目的在於：與乳酸系聚合物同樣地獲得製成卡片時之剛性；以及製成卡片時，補充與以芳香族聚酯系樹脂等為主成分之覆蓋片的融著性等，故而根據此種目的，而必須調整芳香族聚酯系樹脂之調配量。 即，芳香族聚酯系樹脂之比例根據熱塑性彈性體所含之比例而確定，相對於乳酸系聚合物、非晶性芳香族聚酯系樹脂及熱塑性彈性體之合計量(100質量份)，而為70質量份以下，較佳為60質量份以下，更佳為50質量份以下。為了有效獲得芳香族聚酯系樹脂高於乳酸系聚合物之耐熱性，相對於上述合計量(100質量份)，較佳為含有15質量份以上，特佳為含有20質量份以上。
(熱塑性彈性體) 熱塑性彈性體大致劃分有苯乙烯系、烯烴系、PVC系、聚酯系、胺基甲酸乙酯系、醯胺系等，作為用於核芯片(A)之基礎樹脂的熱塑性彈性體，較佳為：聚酯系彈性體；或含有聚酯系彈性體作為主成分，並另外混合有自苯乙烯系彈性體、丙烯酸系彈性體、聚烯烴系彈性體或聚醯胺系彈性體等中所選擇的1種或2種以上之彈性體而成的彈性體。其中，特佳為含有聚酯系彈性體與苯乙烯系彈性體之彈性體。
藉由添加熱塑性彈性體，而可提高乳酸系聚合物與芳香族聚酯系樹脂之相溶性，特別是藉由使用包含聚酯系彈性體與苯乙烯系彈性體之混合物的彈性體，可更加提高與以芳香族聚酯系樹脂等為主成分之片材的熱融著性。
所謂聚酯系彈性體係指以聚酯系嵌段共聚物為主成分之熱塑性彈性體，較佳為硬段有高熔點·高結晶性芳香族聚酯，軟段有非晶性聚酯或非晶性聚醚之嵌段共聚物。
作為苯乙烯系彈性體，包含苯乙烯成分與彈性體成分， 較佳為以10~50質量%、特佳為15~30質量%之比例含有苯乙烯成分。作為此時之彈性體成分，例如可舉出：丁二烯、異戊二烯、1,3－戊二烯等共軛二烯系烴，更具體而言，可舉出：苯乙烯與丁二烯之共聚物(SBS)彈性體、苯乙烯與異戊二烯之共聚物(SIS)彈性體等。例如可舉出KURARAY公司製造之「HYBRAR」系列等。
又，亦可使用對上述SBS彈性體或SIS彈性體進行氫化而得之樹脂(SEBS、SEPS)。作為進行氫化之彈性體的具體例，例如可舉出：旭化成化學(Asahi Kasei Chemicals)公司製造之「TUFTECH」系列等。
進而又，亦可使用較多含有彈性體成分之改質苯乙烯系彈性體。其中，更佳為使用上述SEBS及SEPS之改質體。具體可舉出：順丁烯二酸酐改質SEBS、順丁烯二酸酐改質SEPS、環氧改質SEBS、環氧改質SEPS等，可使用自該等之群組中所選擇的至少一種。
作為改質苯乙烯系彈性體之具體例，可舉出：以反應性較高之官能基對氫化苯乙烯系熱塑性彈性體進行改質而得之聚合物、即旭化成化學公司製造之「TUFTEC M1943」或JSR公司製造之「DYNARON 8630P」、或環氧化熱塑性彈性體、即大賽璐化學(Daicel Chemical)公司製造之「Epofriend」系列等。
再者，作為將聚酯系彈性體與苯乙烯系彈性體混合者，例如亦可使用日本專利第3381488號或日本專利第3702704號中所揭示之樹脂組成物。
上述聚酯系彈性體(c1)與上述苯乙烯系彈性體(c2)之混合比例，較佳為質量比率c1：c2＝100：0~20：80，更佳為c1：c2＝90：10~30：70，特佳為80：20~40：60。
熱塑性彈性體之MFR(熔融流率)較佳為3~40(5 g/10分鐘~35 g/10分鐘)，其中，更佳為5~35(10 g/10分鐘~30 g/10分鐘)，其中特佳為10~30(10 g/10分鐘~30 g/10分鐘)。
再者，MFR之值係根據JIS K－7210，於230℃、負載21.2N、10分鐘之條件下所測定之值。
再者，作為熱塑性彈性體亦可使用市售品。例如，可商業獲得三菱化學公司製造之PRIMALLOY A1500、A1600、A1700、A1800、A1900系列等，其中較佳為可使用A1500、A1800等。
調配熱塑性彈性體之主要目的在於：為了改良乳酸系聚合物之耐衝擊性，及為了提高乳酸系聚合物與芳香族聚酯系樹脂之相溶性等，故而根據此種目的，而必須調整熱塑性彈性體之調配量。
即，相對於乳酸系聚合物、非晶性芳香族聚酯系樹脂及熱塑性彈性體之合計量(100質量份)，熱塑性彈性體之比例較佳為10~35質量份，更佳為15~30質量份。若低於10質量份，則片材較脆，特別是壓印文字衝壓時卡片破損，或衝壓成卡片尺寸時，易於切壞、或出現毛邊。另一方面，若高於35質量份，則片材軟質化，可能會顯著降 低卡片之剛性。
(著色材料) 作為核芯片(A)中所含有之著色材料，例如可舉出有機顏料或無機顏料等。其中較佳為折射率為2以上之無機填充料、例如氧化鈦、鈦酸鉛、鈦酸鉀、氧化鋯、硫化鋅、氧化銻、氧化鋅等，其中特佳為折射率較高之氧化鈦。
藉由使核芯片(A)含有氧化鈦等折射率較高之顏料，可將核芯片(A)製成不透明之白色片材，例如若以於核芯片(A)間夾持嵌體片(C)之方式進行積層，則可隱藏起來以使看不到嵌體片(C)之天線基體等。
氧化鈦中有銳鈦礦型、金紅石型、板鈦礦型，較佳為使用折射率較大之金紅石型。
再者，亦可使用以氯氣法製程所製造之氧化鈦、以硫酸法製程所製造之氧化鈦之任一者。
又，氧化鈦較佳為其表面經自二氧化矽、氧化鋁、及氧化鋯中選擇之至少一種惰性無機氧化物被覆處理者。藉由以惰性無機氧化物進行被覆處理，可抑制氧化鈦之光觸媒作用，故而製造時及使用時，可防止由於氧化鈦之光觸媒作用而使乳酸系聚合物分解。
進而，為了提高對基礎樹脂之分散性，更佳為使用下述氧化鈦：氧化鈦之表面經自矽氧烷化合物、矽烷偶合劑等中所選擇的至少一種無機化合物，或自多元醇、聚乙二醇中所選擇的至少一種有機化合物進行表面處理者。
氧化鈦之平均粒徑較佳為0.1 μ m~1 μ m，更佳為0.2 μ m~0.5 μ m。若氧化鈦之平均粒徑為該範圍內，則不會使卡片之機械物性降低，可賦予優異之隱藏性。
相對於各核芯片(A)之整體質量100質量份，氧化鈦之含量較佳為1~20質量份，更佳為3~15質量份，其中特佳為5~10質量份。
藉由於該範圍內調配氧化鈦，則可製成不會使本積層卡片之機械強度降低，並防止卡片內部外露，具有優異外觀之積層卡片。
(其他成分) 構成核芯片(A)之乳酸系樹脂組成物及乳酸系樹脂層，除了乳酸系聚合物及著色材料以外，例如亦可含有混合樹脂，該混合樹脂包含自由「乳酸系聚合物以外之脂肪族聚酯」、「芳香族脂肪族聚酯系樹脂」、「乳酸系聚合物與二醇·二羧酸之共聚物」及「玻璃轉移溫度為0℃以下之含有甲基丙烯酸之彈性體」所組成之群組中所選擇的至少1種或2種以上之組合。
(乳酸系聚合物以外之脂肪族聚酯) 作為「乳酸系聚合物以外之脂肪族聚酯」，例如可舉出：除乳酸系聚合物以外之聚羥基羧酸、脂肪族二醇與脂肪族二羧酸縮合而得之脂肪族聚酯、環狀內酯類開環聚合而得之脂肪族聚酯、合成系脂肪族聚酯、菌體內經生物合成之脂肪族聚酯等。其中，較佳為玻璃轉移溫度為0℃以下者。若玻璃轉移溫度為0℃以下，則於通常使用溫度下之衝擊吸收性能良好，可賦予優異之耐衝擊性。
此處，作為上述「聚羥基羧酸」，可舉出：3－羥基丁酸、4－羥基丁酸、2－羥基正丁酸、2－羥基－3,3－二甲基丁酸、2－羥基－3－甲基丁酸、2－甲基乳酸、2－羥基己酸等羥基羧酸之均聚物或共聚物。
作為上述「脂肪族二醇與脂肪族二羧酸縮合而得之脂肪族聚酯」，可舉出自以下所‘說明之脂肪族二醇及脂肪族二羧酸中分別選擇1種或2種以上進行縮合，或視需要可利用異氰酸酯化合物等進行躍升形成所期望之聚合物(高分子)而獲得的聚合物。作為此時之「脂肪族二醇」，可代表性地舉出：乙二醇、丙二醇、1,4－丁二醇、1,4－環己烷二甲醇等；作為上述「脂肪族二羧酸」，可代表性地舉出：丁二酸、己二酸、辛二酸、癸二酸及十二烷二酸等。
作為上述「環狀內酯類開環聚合而得之脂肪族聚酯」，可代表性地舉出：作為環狀單體之ε－己內酯、δ－戊內酯、β－甲基－δ－戊內酯等，可藉由自該等選擇一種或一種以上，進行聚合而獲得。
作為上述「合成系脂肪族聚酯」，可舉出：環狀酸酐與環氧乙烷類、例如丁二酸酐與環氧乙烷、環氧丙烷等之共聚物等。
作為上述「菌體內經生物合成之脂肪族聚酯」，可舉出：於以產鹼桿菌(Alcaligenes eutrophus)為代表之菌體內，藉由乙醯輔A(乙醯COA)而生物合成之脂肪族聚酯等。該脂肪族聚酯主要為聚－β－羥就丁酸(聚3HB)，為了提高作為塑膠之實用特性，於工業上較有利的是，將戊酸 單元(HV)共聚合，而製成聚(3HB－CO－3HV)之共聚物。一般而言，HV共聚合比為0~40%。進而可將長鏈之羥基烷酸酯共聚合。
作為「乳酸系聚合物以外之脂肪族聚酯」之代表性產品，可舉出：將丁二酸、1,4－丁二醇以及己二酸聚合而獲得之、昭和高分子公司製造之「BIONOLLE」系列，或將ε－己內酯開環縮合而獲得之大賽璐化學工業公司製造之「Celgreen」系列。
(芳香族脂肪族聚酯) 作為「芳香族脂肪族聚酯系樹脂」，可使用藉由向脂肪族鏈間導入芳香環而使結晶性降低者。例如可舉出：將芳香族二羧酸成分、脂肪族二羧酸成分、及脂肪族二醇成分縮合而獲得之芳香族脂肪族聚酯系樹脂。
此處，作為上述「芳香族二羧酸成分」，例如可舉出：間苯二甲酸、對苯二甲酸、2,6－萘二甲酸等。
又，作為上述「脂肪族二羧酸成分」，例如可舉出：丁二酸、己二酸、辛二酸、癸二酸、十二烷二酸等。
又，作為上述「脂肪族二醇」，例如可舉出：乙二醇、1,4－丁二醇、1,4－環己烷二甲醇等。
其中，最適合使用之「芳香族二羧酸成分」係對苯二甲酸，「脂肪族二羧酸成分」係己二酸，「脂肪族二醇成分」係1,4－丁二醇。
再者，芳香族二羧酸成分、脂肪族二羧酸成分、或脂肪族二醇成分，亦可將上述所例示者中之2種以上進行組合 使用。
作為芳香族脂肪族聚酯之代表者，可舉出：己二酸丁二酯與對苯二甲酸酯之共聚物、聚己二酸丁二酯與對苯二甲酸酯之共聚物等。
作為包含己二酸丁二酯與對苯二甲酸酯之共聚物的產品，可舉出：Eastman Chemicals公司製造之「Eastar Bio」。又，作為包含聚己二酸丁二酯與對苯二甲酸酯之共聚物的產品，可舉出：BASF公司製造之「Ecoflex」。
(乳酸系聚合物與二醇·二羧酸之共聚物) 作為「乳酸系聚合物與二醇·二羧酸之共聚物」，可舉出：無規共聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物等，亦可為該等中之任一結構。就耐衝擊性改良效果、透明性之方面而言，特佳為嵌段共聚物、接枝共聚物。
作為無規共聚物之具體例，可舉出三菱化學公司製造之「GS Pla」系列。作為嵌段共聚物、或接枝共聚物之具體例，可舉出大日本油墨化學工業公司製造之「PLAMATE」系列。
乳酸系聚合物與二醇·二羧酸之共聚物的製造方法並無特別限定，可舉出：使具有將二醇與二羧酸脫水縮合之結構的聚酯、或聚醚多元醇與乳酸交酯，進行開環聚合或酯交換反應而獲得之方法；或使具有將二醇與二羧酸脫水縮合之結構的聚酯、或聚醚多元醇與乳酸系聚合物，進行脫水·脫二醇縮合或酯交換反應而獲得之方法。
此時，作為上述「二醇成分」並無特別限定，可舉出： 乙二醇、1,3－丙二醇、1,4－丁二醇、1,5－戊二醇、1,6－己二醇、1,7－庚二醇、1,8－辛二醇、1,9－壬二醇、1,10－癸二醇、1,11－十一烷二醇、1,12－十二烷二醇等直鏈狀二醇，丙二醇、1,2－丁二醇、1,3－丁二醇、1,2－戊二醇、1,3－戊二醇、1,4－戊二醇、2,3－戊二醇、2,4－戊二醇、1,2－己二醇、1,3－己二醇、1,4－己二醇、1,5－己二醇等支鏈狀二醇，聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇、聚伸丁二醇等多元醇。
又，作為上述「二羧酸成分」並無特別限定，可舉出：丁二酸、己二酸、辛二酸、壬二酸、癸二酸、壬烷二甲酸、癸烷二甲酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、檸康酸、十二烷二甲酸、環己烷二甲酸等直鏈狀二羧酸，甲基丁二酸、二甲基丁二酸、乙基丁二酸、2－甲基戊二酸、2－乙基戊二酸、3－甲基戊二酸、3－乙基戊二酸、2－甲基己二酸、2－乙基己二酸、3－甲基己二酸、3－乙基己二酸、甲基戊二酸等支鏈狀二羧酸，鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、六氫鄰苯二甲酸、萘二甲酸、鄰苯二甲酸酐、雙酚A、雙酚等芳香族二羧酸。
又，上述乳酸系聚合物與二醇·二羧酸之共聚物可使用異氰酸酯化合物或羧酸酐而調整為特定分子量。
但，就加工性、耐久性方面而言‘，乳酸系聚合物與二醇·二羧酸之共聚物的重量平均分子量較佳為5萬~30萬之範圍，更佳為10萬~25萬之範圍。
(玻璃轉移溫度為0℃以下之含有甲基丙烯酸之彈性體) 甲基丙烯酸與乳酸系聚合物之相溶性良好，故而將含有甲基丙烯酸之彈性體調配至乳酸系聚合物，而含有甲基丙烯酸之彈性體微分散於乳酸系聚合物，藉此，可更有效地提高乳酸系聚合物之耐衝擊性。其中，若為玻璃轉移溫度為0℃以下之「含有甲基丙烯酸之彈性體」，則通常使用溫度下之衝擊吸收性能良好，並可賦予更優異之耐衝擊′性。
作為「玻璃轉移溫度為0℃以下之含有甲基丙烯酸之彈性體」之具體例，可舉出自：甲基丙烯酸甲酯－丁二烯－苯乙烯共聚物、含有聚矽氧/丙烯酸複合橡膠之甲基丙烯酸甲酯共聚物、含有聚矽氧/丙烯酸複合橡膠之甲基丙烯酸甲酯－苯乙烯共聚物、含有共軛二烯系橡膠之甲基丙烯酸甲酯－苯乙烯共聚物、含有丙烯酸系橡膠之甲基丙烯酸甲酯共聚物、含有丙烯酸系橡膠之甲基丙烯酸甲酯－苯乙烯共聚物等中所選擇的至少一種以上彈性體。
作為含有甲基丙烯酸之彈性體的產品，可舉出：三菱麗陽(Mitsubishi Rayon)公司製造之「METABLEN」系列之S型、W型、E型、C型等。
(碳二醯亞胺化合物) 構成核芯片(A)之乳酸系樹脂組成物及乳酸系樹脂層可含有碳二醯亞胺化合物。藉由調配碳二醯亞胺化合物，可提高本積層卡片之耐久性。
作為碳二醯亞胺化合物，可舉出具有下述通式(1)之基本結構者。
(1)…－(N＝C＝N－R－)n －
(上述式中，n表示1以上之整數。R表示其他有機系鍵結單位。該等碳二醯亞胺化合物之R的部分可為脂肪族、脂環族、芳香族之任一者。)通常n於1~50之間作適當確定。
具體而言，例如可舉出：雙(二丙基苯基)碳二醯亞胺、聚(4,4’－二苯基甲烷碳二醯亞胺)、聚(對伸苯基碳二醯亞胺)、聚(間伸苯基碳二醯亞胺)、聚(甲苯基碳二醯亞胺)、聚(二異丙基伸苯基碳二醯亞胺)、聚(甲基－二異丙基伸苯基碳二醯亞胺)、聚(三異丙基伸苯基碳二醯亞胺)等、及該等之單體。該碳二醯亞胺化合物可單獨使用、或將2種以上組合使用。
相對於各核芯片(A)之整體質量100質量份，碳二醯亞胺化合物之調配量較佳為以0.5~5質量份之比例進行調配，更佳為以1~4質量份之比例進行調配，其中特佳為以1.5~3質量份之比例進行調配。
藉由於該範圍內調配碳二醯亞胺化合物，可製成不會使本積層卡片之機械強度降低，並防止卡片內部外露，具有優異外觀之積層卡片。
再者，於不損及本發明之效果的範圍內，構成核芯片(A)之乳酸系樹脂組成物及乳酸系樹脂層可含有上述以外之成分、例如熱穩定劑、抗氧化劑、阻燃劑、UV吸收劑、光穩定劑、成核劑、塑化劑、顏料、染料等添加劑。
[覆蓋片(B)] 覆蓋片(B)可形成為以芳香族聚酯系樹脂或聚碳酸酯系樹脂、或該等兩者之混合樹脂為主成分樹脂(亦稱作基礎樹脂)之層的單層片材。
(芳香族聚碳酸酯系樹脂) 作為芳香族聚碳酸酯系樹脂，可舉出：藉由界面聚合法、酯交換法、吡啶法等由雙酚A製造者，藉由雙酚A與二羧酸衍生物、例如對(間)苯二甲醯氯等共聚合而獲得之聚酯碳酸酯，藉由雙酚A之衍生物、例如伸丁基雙酚A等之聚合而獲得者。
作為芳香族聚碳酸酯系樹脂之具體例，可舉出：三菱工程塑膠公司製造之「IUPILON」系列、住友陶氏(Sumitomo－Dow)公司製造之「CALIBRE」系列等。
(芳香族聚酯系樹脂) 作為芳香族聚酯系樹脂，可舉出芳香族二羧酸成分與二醇成分縮合聚合而成之樹脂。
此處，作為上述「芳香族二羧酸成分」之代表者，可舉出：對苯二甲酸、間苯二甲酸、萘二甲酸等，對苯二甲酸之一部分可為被「其他二羧酸成分」取代者。
此時，作為「其他二羧酸成分」，可舉出：乙二酸、丙二酸、丁二酸、己二酸、壬二酸、癸二酸、新戊酸、間苯二甲酸、萘二甲酸、二苯基醚二甲酸、對羥基苯甲酸等。該等既可為一種、亦可為二種以上之混合物，又，亦可適當選擇所取代之其他二羧酸之量。
作為上述「二醇成分」之代表者，可舉出：乙二醇、二 乙二醇、三乙二醇、環己烷二甲醇等，可以「其他二醇成分」取代乙二醇之一部分。
此時，作為「其他二醇成分」，可舉出：丙二醇、伸丙二醇、伸丁二醇、伸己二醇、二乙二醇、新戊二醇、聚烷二醇、1,4－環己烷二甲醇、甘油、季戊四醇、三羥基甲烷、.甲氧基聚烷二醇等。該等既可為一種、亦可為二種以上之混合物，又，亦可適當選擇所取代之其他二醇之量。
作為「芳香族聚酯系樹脂」，具體而言，就成本觀點而言，較佳為：對苯二甲酸與乙二醇縮合聚合而成之聚對苯二甲酸乙二酯、對苯二甲酸或對苯二甲酸二甲酯與1,4－丁二醇縮合聚合而成之聚對苯二甲酸丁二酯等，可使用包含對苯二甲酸以外之其他二羧酸成分及/或乙二醇以外之其他二醇成分的「共聚合聚酯」。
作為該「共聚合聚酯」，可舉出下述共聚合聚酯：其係二羧酸成分之60莫耳%以上為對苯二甲酸、且其餘二羧酸成分被其他二羧酸成分取代之二羧酸成分，與二醇成分之60莫耳%以上為乙二醇、且其餘二醇成分被其他二醇成分取代之二醇成分，進行縮合聚合而成。
再者，用於本積層卡片之芳香族聚酯系樹脂，可為聚對苯二甲酸乙二酯與上述共聚合聚酯之混合物。
但，使用共聚合聚酯時，由於共聚合成分之選擇或含量等會導致片材之玻璃轉移溫度或拉伸彈性模數變化較大，故而需注意。
作為上述芳香族聚酯系樹脂之具體例的產品，例如可舉 出：聚對苯二甲酸乙二酯、即三菱化學公司製造之「NOVAPEX」系列，聚對苯二甲酸丁二酯、即三菱工程塑膠公司製造之「NOVADURAN」系列等。又，可舉出：將聚對苯二甲酸乙二酯之乙二醇之約30莫耳%以1,4－環己烷二甲醇取代而成之聚酯樹脂、即Eastman Chemical公司製造之「PETG」系列等。
(芳香族聚酯系樹脂與聚碳酸酯系樹脂之混合樹脂) 作為芳香族聚酯系樹脂與聚碳酸酯系樹脂之混合樹脂，較佳為包含芳香族聚酯系樹脂與聚碳酸酯系樹脂之混合比率為0：100~50：50、尤其為0：100~40：60、其中特別為0：100~30：70之質量比率者。
於無需耐化學藥品性之用途中，芳香族聚酯之比例可為極少量，但於必需耐化學藥品性之用途中，較佳為以40質量%為上限，而適當調配芳香族聚酯系樹脂。若為該範圍，則可賦予優異之耐熱性、成形加工性、耐衝擊性，並且可提高耐化學藥品性。
再者，於覆蓋片(B)中視需要可含有著色劑、潤滑劑、填充料、衝擊改良劑等添加劑，或摻合用以改良物性之不同種類聚合物。
特別是如信用卡般以壓印機進行文字壓印之卡片時，較佳為摻合如聚對苯二甲酸丁二酯般使拉伸強度降低之聚合物。
[嵌體片(C)] 嵌體片(C)係可於由樹脂所形成之支撐體、例如圖 2(1)(2)所示、形成有天線電路之支撐體上，安裝IC晶片或電容器等電子零件而構成。
作為嵌體片之支撐體，例如可使用：將聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚奈二甲酸乙二酯(PEN)、聚苯硫醚(PPS)、聚醯亞胺(PI)、非晶質聚對苯二甲酸乙二酯(APET)、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)、聚碳酸酯(PC)、丙烯腈－丁二烯－苯乙烯(ABS)、聚氯乙烯(PVC)樹脂、乳酸系聚合物等之任一樹脂，或包含該等中2種以上之樹脂的混合樹脂作為主成分之單層片材；或者將該單層片材作為中間層，於其表面設置以聚烯烴系樹脂等具備黏接性的樹脂為主成分之黏接層等之積層片材。
再者，若考慮到耐熱性方面，則支撐體之中間層較佳為由下述樹脂組成物所形成，即，該樹脂組成物係將自由聚碳酸酯系樹脂、實質上非結晶性芳香族聚酯系樹脂及該等聚合物摻合物系樹脂所組成之群組中所選擇的至少一種作為主成分。
將天線線圈、IC晶片等作為l組，考慮到所期望之卡片尺寸等而於樹脂層上等間隔地配置多數組IC晶片等即可。
又，較佳為根據卡片之使用方法，適當選擇天線電路之天線線圈的線徑及纏繞次數。
[黏接層(D)] 作為黏接層，可使用：環氧樹脂系、酚樹脂系、聚矽氧系等熱硬化型黏接劑，氰基丙烯酸酯系、聚胺基甲酸乙酯 系、丙烯酸系等乾式層壓用黏接劑，吸濕硬化型黏接劑，紫外線硬化型黏接劑等。
[植物原料塑膠比率] 本積層卡片中，較佳為植物原料塑膠占全部塑膠原料中的20~80質量%，更佳為占25~80質量%，其中特佳為占30~80質量%。
再者，作為植物原料塑膠，除了乳酸系聚合物以外，可舉出聚丁二酸丁二酯等。
[厚度] 本積層卡片之厚度根據用途而不同，通常較佳為50 μ m ~900 μ m。
核芯片(A)之厚度(包含2片以上時，為該等之合計厚度)較佳為：較厚時為250 μ m~800 μ m、較薄時為25 μ m ~250 μ m左右，並無特別限制。
覆蓋片(B)之厚度(包含2片以上時，為該等之合計厚度)較佳為：較厚時為20 μ m~140 μ m、較薄時為20 μ m~100 μ m左右，並無特別限制。
嵌體片(C)之厚度較佳為10 μ m～100 μ m左右，並無特別限制。
相對於本積層卡片之整體厚度，核芯片(A)之厚度比率(包含2片以上時，為該等之合計厚度比率)較佳為20~80%，更佳為30~80%。
相對於本積層卡片之整體厚度，覆蓋片(B)之厚度比率(包含2片以上時，為該等之合計厚度比率)較佳為5~ 50%，更佳為10~40%，特佳為15~35%。藉由於該範圍內設置層，可較佳地賦予優異之耐熱性、耐衝擊性。
[製法] 以下，就本積層卡片之製造方法加以說明，但本積層卡片之製造方法並不限定於以下所說明之方法。
(核芯片(A)) 核芯片(A)可藉由如下方式來製作：將乳酸系聚合物、與視需要之非晶性芳香族聚酯系樹脂及熱塑性彈性體等其他樹脂、以及視需要之著色材料等其他添加物一併投入至擠壓機，而直接製作片材；又，可藉由如下方式來製作：暫時擠壓切斷成繩股狀，製成顆粒物後，再次投入至擠壓機中，而製作片材。
以下，加以更詳細說明。
首先，將上述原料充分乾燥而去除水分後，考慮到擠壓機內之樹脂因分解而引起分子量降低，故較佳為於擠壓機中進行熔融。
考慮到樹脂之熔融溫度及組成，較佳為適當選擇熔融擠壓溫度。通常，為脂肪族聚酯(包括乳酸系聚合物)、芳香族脂肪族聚酯、及乳酸系聚合物與二醇·二羧酸之共聚物時，較佳為設定於160~230℃之範圍內。
熔融成形為片材狀之樹脂組成物，與旋轉之澆鑄滾筒接觸，使其冷卻固化而製成澆鑄片材即可。
此時，澆鑄滾筒之溫度較佳為根據樹脂之種類及組成而進行調整，通常較佳為設定成60℃以下。於高於此溫度 下，樹脂組成物會黏著於澆鑄滾筒，而可能無法取下。
將片材延伸時，為了促進乳酸系聚合物或芳香族聚酯系化合物之結晶化、且不發展球晶，較佳為藉由急速冷卻而‘預先形成實質上非晶性。
所獲得之澆鑄片材視需要可進行延伸或熱處理。
此時，片材之延伸倍率較佳為縱(長度)方向、橫(寬度)方向分別為1.5~5倍、特別為2~4倍。
延伸溫度較佳為於各樹脂之玻璃轉移溫度＋5℃~＋30℃(尤其為＋10℃~＋25℃、特別為＋15℃~＋20℃)之範圍內進行選擇。
延伸步驟藉由滾筒延伸及/或拉幅機延伸來進行即可，滾筒延伸係於具有輪緣速率差之2個滾筒間將片材延伸，拉幅機延伸係使用拉幅機以夾具夾持片材，並使夾具列之列間隔擴大而進行延伸。進行雙軸延伸時，同時雙軸延伸法或逐次延伸法均可。
至於拉幅機延伸法，以拉幅機將片材延伸後，可於拉幅機內進行熱處理(熱固定)，故而熱處理(熱固定)時較有利。
熱處理(熱固定)較佳為，例如於玻璃轉移溫度＋30℃至結晶熔解溫度－20℃之溫度範圍內進行3秒鐘以上熱處理。如此進行熱處理(熱固定)，而可控制(抑制)片材之熱收縮性。
(覆蓋片(B)) 覆蓋片(B)可藉由如下方式來製作：將芳香族聚碳酸酯 系樹脂、芳香族聚酯系化合物、或該等之混合物與其他添加物一併投入至擠壓機中，直接製作片材；又，可藉由如下方式來製作：暫時擠壓切斷成繩股狀，製成顆粒物後，再次投入至擠壓機中，而製作片材。
以下，加以詳細說明。
首先，將上述原料充分乾燥而去除水分後，考慮到擠壓機內之樹脂因分解而引起分子量降低，故較佳為於擠壓機中進行熔融。
考慮到樹脂之熔融溫度及組成，較佳為適當選擇熔融擠壓溫度。通常，為芳香族聚碳酸酯系樹脂或芳香族聚酯系樹脂時，較佳為設定於260~310℃之範圍內。
澆鑄片材之形成、延伸及熱處理以與核芯片(A)相同之方式進行即可。
(嵌體片(C)) 嵌體片(C)藉由如下方式形成即可，例如於支撐體形成用之樹脂片材表面上層壓(熱融著)金屬箔，進行蝕刻，藉此形成天線電路，繼而，於支撐體上搭載IC晶片，同時連接至上述天線電路，從而形成嵌體片(C)。
此時，作為所使用之金屬薄膜，可舉出：鋁箔、銅箔、金箔、銀箔、鋅箔、鎳箔、錫箔、合金箔等。
以熱或超聲波將卷線線圈埋入於支撐體，或使用導電漿料於支撐體上印刷電路圖案，亦可藉此而形成天線電路。
又，可藉由焊接法等將IC晶片等安裝於天線電路上。
(積層方法) 可將核芯片(A)、覆蓋片(B)、視需要之嵌體片(C)以特定積層順序重疊，藉由壓製機於加熱下施加壓力，使其熱融著而將片材間貼合後，冷卻至室溫後，衝壓成卡片形狀，從而製造積層卡片。
例如，可於上述核芯片(A)(A)間夾持嵌體片(C)，進而於其表背兩側將覆蓋片(B)(B)進行重疊((B)/(A)/(C)/(A)/(B))，藉由壓製機於加熱下施加壓力，使其熱融著而將片材間貼合後，冷卻至室溫後，衝壓為卡片形狀，從而製造卡片。
作為積層方法，除了如上述之加熱壓製法以外，可採用乾式層壓、濕式層壓等方法等公知之片材積層方法。
根據所製造之卡片的種類，可對核芯片(A)或覆蓋片(B)施加印刷或其以外之公知的加工。
例如，可任意對核芯片(A)或覆蓋片(B)之單面或兩面印刷圖案或文字資訊等。
又，亦可任意於核芯片(A)或覆蓋片(B)之單面或兩面設置磁性記錄層等資訊儲存部。此時，作為資訊記錄部，除了上述嵌體片(C)或磁性記錄層以外，可舉出：熱敏記錄層、熱敏寫入層、光記錄層、全像圖層、放電記錄層、條形碼、微處理器或RAM、ROM等半導體記憶體，除此以外之IC晶片等。
進而，亦任意的是藉由壓印加工而壓印文字等，並顯現凸出等。
經由黏接劑或黏接層而將各片材間貼合時，作為所使用 之樹脂，使用已知作為具有黏接劑或黏接性之樹脂的樹脂即可。例如可使用包含自：聚烯烴、聚酯、聚苯乙烯、乙酸乙烯酯樹脂、氯乙烯樹脂、丙烯酸樹脂、烯烴系樹脂、二烯系樹脂、聚酯系樹脂、環氧樹脂、乙烯丁醛樹脂、胺基甲酸乙酯樹脂、聚醯胺系樹脂、醇酸樹脂、三聚氰胺系樹脂、脲系樹脂、酚福馬林系樹脂、石油樹脂、順丁烯二酸共聚物等之群組中所選擇的1種或2種以上之組合的混合樹脂或共聚物，較佳為以植物原料塑膠為原料者。又，亦較佳為將所黏接之兩片材之主成分混合而製成黏接層。
作為用於黏接劑或黏接層之原料的植物原料塑膠，例如可舉出：澱粉糊、大豆糊，天然橡膠，白明膠、動物膠，海藻酸系樹脂、松香素系樹脂、纖維素衍生物系樹脂，乳酸系聚合物，聚丁二酸乙二酯、聚丁二酸丁二酯系等丁二酸酯系樹脂。
<第2實施形態>
第2實施形態之積層卡片相對於第1實施形態之積層卡片來說，如圖3及圖4所示，係由2層以上之積層片材形成各核心片(A)者。其他方面與第1實施形態之積層卡片相同。
即，第2實施形態之積層卡片的核芯片(A)，例如可由覆蓋片(B)側之(A1)層、以及(A1)層以外之層((A2)層、A3層…)所構成，至少其中一層由包含以乳酸系聚合物為主成分樹脂(亦稱作基礎樹脂)之乳酸系樹脂組成物的乳酸系樹脂層，或包含以乳酸系聚合物、非晶性芳香族聚酯系 樹脂及熱塑性彈性體為主成分樹脂(亦稱作基礎樹脂)之乳酸系樹脂組成物的乳酸系樹脂層而形成即可。
又，二層以上亦可形成為包含以乳酸系聚合物為主成分樹脂(亦稱作基礎樹脂)之乳酸系樹脂組成物的乳酸系樹脂層，或包含以乳酸系聚合物、非晶性芳香族聚酯系樹脂及熱塑性彈性體為主成分樹脂(亦稱作基礎樹脂)之乳酸系樹脂組成物的乳酸系樹脂層。
[(A1)層] 為了可提高與覆蓋片(B)之黏接性(包括熱融著性)，較佳為形成覆蓋片(B)側之(A1)層“就該觀點而言，(A1)層較佳為由以結晶性較低之乳酸系聚合物為主成分樹脂的乳酸系樹脂層形成，且較佳為由下述乳酸系樹脂層形成，即該乳酸系樹脂層至少以結晶性低於「D－乳酸之比例為2%以下或98%以上之乳酸系聚合物」之乳酸系聚合物、例如「D－乳酸之比例為3%以上且97%以下之乳酸系聚合物」為主成分樹脂，或者以「D－乳酸之比例為3%以上且97%以下之乳酸系聚合物、與D－乳酸之比例為2%以下或98%以上之乳酸系聚合物的混合樹脂」為主成分樹脂。若為結晶性較低之乳酸系聚合物，則不僅可提高與覆蓋片(B)之黏接性(包括熱融著性)，亦可賦予柔軟性，可提高膜之成形穩定性及延伸穩定性。
作為上述「D－乳酸之比例為3%以上且97%以下之乳酸系聚合物」，可使用在第1實施形態之核芯片(A)之基礎樹脂所用的乳酸系聚合物中、D－乳酸之比例為3%以上且97% 以下之乳酸系聚合物。
例如，作為「D－乳酸之比例為3%以上且97%以下之乳酸系聚合物」，係D－乳酸與L－乳酸之比例為L體：D體二97：3~3：97者，更佳為L體：D體＝95：5~5：95者，尤佳為L體：D體＝90：10~10：90者，特佳為L體：D體＝85：15~15：85者。
亦可將數種乳酸系聚合物之混合樹脂作為(A1)層之基礎樹脂，此時，D－乳酸比例之平均值為3%以上且97%以下即可。例如將D－乳酸之比例為3%以上且97%以下之乳酸系聚合物、與D－乳酸之比例為2%以下或98%以上之乳酸系聚合物的混合樹脂作為基礎樹脂時，兩者之乳酸系聚合物之D－乳酸比例乘以含有率所得之值的平均值為3%以上且97%以下即可。
上述「D－乳酸之比例為3%以上且97%以下之乳酸系聚合物、與D－乳酸之比例為2%以下或98%以上之乳酸系聚合物的混合樹脂」中，作為「D－乳酸之比例為2%以下或98%以上之乳酸系聚合物」，係第1實施形態之核芯片(A)之基礎樹脂所用的乳酸系聚合物中，D－乳酸與L－乳酸之比例為L體：D體＝98：2~100：0或2：98~0：100者，更佳為L體：D體＝99：1~100：0或1：99~0：100者，特佳為L體：D體二99.5：0.5~100：0或0.5：99.5~0：100者。
「D－乳酸之比例為3%以上且97%以下之乳酸系聚合物」、與「D－乳酸之比例為2%以下或98%以上之乳酸系聚 合物」的混合比率並無特別限制，較佳為30：70~90：10，更佳為40：60~80：20，其中特佳為50：50~70：30。
又，若考慮到與覆蓋片(B)之黏接性(包括熱融著性)，覆蓋片(B)側之(A1)層亦較佳為由以「芳香族聚酯系樹脂」或「聚碳酸酯系樹脂」、或「該等兩者之混合樹脂」為主成分樹脂之層而形成(A1)層。
此時，「芳香族聚酯系樹脂」及「聚碳酸酯系樹脂」可使用第1實施形態中所說明之樹脂。
又，為上述「該等兩者之混合樹脂」時，「芳香族聚酯系樹脂」與「聚碳酸酯系樹脂」之混合比率亦與第1實施形態中所說明之比率相同，若考慮到與覆蓋片(B)之黏接性(包括熱融著性)，較佳為與覆蓋片(B)類似之樹脂，故而較佳為混合比率亦接近者。
[(A1)層以外之層] 作為構成核芯片(A)之層中的上述(A1)層以外之至少一層的(A2)層，係以乳酸系聚合物為主成分樹脂之乳酸系樹脂層，較佳為以D－乳酸之比例為2%以下或98%以上之乳酸系聚合物為主成分樹脂的乳酸系樹脂層。
作為此時的「D－乳酸之比例為2%以下或98%以上之乳酸系聚合物」，係第1實施形態之核芯片(A)之基礎樹脂所用的乳酸系聚合物中，D－乳酸與L－乳酸之比例為L體：D體＝98：2~100：0或L體：D體＝2：98~0：100者，更佳為L體：D體二99：1~100：0或L體：D體＝1：99~ 0：100者，特佳為L體：D體＝99.5：0.5~100：0或L體：D體＝0.5：99.5~0：100者。
此種乳酸系聚合物表現較高結晶性、熔點較高、耐熱性及機械物性優異。因而，將膜延伸、或熱處理時，可使樹脂結晶化而提高耐熱性及機械物性。
[積層構成] 由如上述之(A1)層與(A2)層形成核芯片(A)時，例如，可自覆蓋片(B)側以(A1)/(A2)、(A1)/(A2)/(A1)等順序進行積層，從而形成一片核芯片(A)。
可於(A1)層及(A2)層之任一層中調配非晶性芳香族聚酯系樹脂與熱塑性彈性體。
即，(A1)層及(A2)層均可形成為以乳酸系聚合物、非晶性芳香族聚酯系樹脂、及熱塑性彈性體為主成分樹脂之乳酸系樹脂層。
此時，較佳為構成(A1)層之樹脂組成物中的芳香族聚酯系樹脂之比例多於構成(A2)層之樹脂組成物中的芳香族聚酯系樹脂之比例，其中更佳為構成(A1)層之樹脂組成物中的芳香族聚酯系樹脂之比例、比構成(A2)層之樹脂組成物中的芳香族聚酯系樹脂之比例多20~40質量份，特佳為多25~35質量份。
又，對於(A1)層，較佳為將芳香族聚酯系樹脂與熱塑性彈性體之合計量調整成多於乳酸系聚合物，(A2)層則相反，較佳為將芳香族聚酯系樹脂與熱塑性彈性體之合計量調整成少於乳酸系聚合物。若以此種方式形成，則可進一 步提高與包含芳香族聚酯系樹脂等之片材的融著性。
進而又，為了重視與包含芳香族聚酯系樹脂等之片材的融著性，可設如下之組成：即(A2)層之芳香族聚酯系樹脂占50質量%以上、較佳為60質量%以上、更佳為80質量%以上。
[厚度比率] 於包含2層以上之各核芯片(A)中，各(A1)層占各核芯片(A)之整體厚度之比例，較佳為3~50%，更佳為5~30%。
又，(A1)層以外之層占各核芯片(A)之整體厚度之比例，較佳為50~97%，更佳為70~95%。
[製造方法] 包含2層以上之核芯片(A)可藉由下述方法而形成，例如將各層之樹脂組成物進行共擠壓並積層之共擠壓法；或將各層形成為膜狀，並將其層壓之擠壓層壓法；或將各層形成為膜狀，並將該等進行熱壓接之熱壓接法等。
為3層以上之積層體時，亦可藉由下述方法而形成，即，以共擠壓法形成2層，於其上層壓另外形成之膜。
就生產性及成本方面而言，特佳為採用共擠壓法。
對該共擠壓法加以更具體說明(作為一例為2種3層)：可視需要，將各層之樹脂組成物成形為顆粒物狀，分別投入至共同連接T模頭之2台擠壓機的各漏斗中，於溫度為200℃~300℃之範圍內熔融，於分流器或歧管出口使各層之樹脂合流為例如2種3層，以冷卻滾筒等冷卻固化，而形成2種3層之核芯片(A)。
<第3實施形態>
第3實施形態之積層卡片係由上述第1或第2實施形態之積層卡片中，各覆蓋片(B)為2層以上之積層片材而形成者。其他方面與第1實施形態及第2實施形態之積層卡片相同。
例如，可由(B1)層、及(B1層)以外之層(B2層、B3層…)構成，(B1)層包含以芳香族聚酯系樹脂或聚碳酸酯系樹脂、或該等兩者之混合樹脂為主成分樹脂(亦稱作基礎樹脂)的樹脂組成物。
例如，可將芳香族聚酯系樹脂作為主成分樹脂而形成(B1)層，另一方面，可將聚碳酸酯系樹脂作為主成分樹脂而形成(B2)層。
此時，例如可自核芯片(A)側以(B1)/(B2)、(B2)/(B1)、(B1)/(B2)/(B1)、(B2)/(B1)/(B2)等順序進行積層而形成覆蓋片(B)。
又，可將芳香族聚酯系樹脂與聚碳酸酯系樹脂之混合樹脂作為主成分樹脂而形成(B1)層，另一方面，可將芳香族聚酯系樹脂作為主成分樹脂而形成(B2)層。
此時，例如可自核芯片(A)側以(B1)/(B2)、(B2)/(B1)、(B1)/(B2)/(B1)、(B2)/(B1)/(B2)等順序進行積層而形成覆蓋片(B)。
又，可將芳香族聚酯系樹脂與聚碳酸酯系樹脂之混合樹脂作為主成分樹脂而形成(B1)層，另一方面，可將聚碳酸酯系樹脂作為主成分樹脂而形成(B2)層。
此時，例如可自核芯片(A)側以(B1)/(B2)、(B2)/(B1)、(B1)/(B2)/(B1)、(B2)/(B1)/(B2)等順序進行積層而形成覆蓋片(B)。
此處，「芳香族聚酯系樹脂」及「聚碳酸酯系樹脂」可使用第1實施形態中所說明之樹脂。
又，芳香族聚酯系樹脂與聚碳酸酯系樹脂之混合比率亦與第1實施形態中所說明之比率相同。
[厚度比率] 包含2層以上之各覆蓋片(B)中，(B1)層占各覆蓋片(B)之整體厚度之比例，較佳為3~50%，更佳為5~30%。
相反，(B1)層以外之層占各覆蓋片(B)之整體厚度之比例，較佳為50~97%，更佳為70~95%。
[製造方法] 包含2層以上之覆蓋片(B)可藉由下述方法而形成，例如將各層之樹脂組成物進行共擠壓並積層之共擠壓法；或將各層形成為膜狀，並將其層壓之擠壓層壓法；或將各層形成為膜狀，並將該等進行熱壓接之熱壓接法等。
為3層以上之積層體時，亦可藉由下述方法而形成，以共擠壓法形成2層，於其上層壓另外形成之膜。
就生產性及成本方面而言，特佳為採用共擠壓法。
對該共擠壓法加以更具體說明(作為一例為2種3層)：可視需要，將各層之樹脂組成物成形為顆粒物狀，分別投入至共同連接T模頭之2台擠壓機的各漏斗中，於溫度為200℃~300℃之範圍內熔融，於分流器或歧管出口使各層 之樹脂合流為例如2種3層，以冷卻滾筒等冷卻固化，而可形成2種3層之覆蓋片(B)。
<術語之說明>
本發明中，所謂「主成分樹脂」，若無特別記載，則包含下述含義：於不妨礙該主成分樹脂之功能的範圍內允許.含有其他樹脂成分。此時，並未確定該主成分樹脂之含有比例，較佳為主成分樹脂(2成分以上為主成分樹脂時，為該等之合計量)占組成物中之50質量%以上、更佳為70質量%以上、其中特佳為90質量%以上(包括100%)。
又，通常所謂「片材」，係指JIS之定義上的較薄、且通常其厚度格外小於長度與寬度且平坦之產品；通常所謂「膜」，係指較之長度及寬度而厚度極小，且任意限定最大厚度之較薄、平坦的產品，並且通常以滾筒形供給者(日本工業標準JIS K6900)。但，片材與膜之界限並不明確，本發明中無須在文語上區分兩者，故而本發明中，即便稱作「膜」時，亦包括「片材」，而稱作「片材」時，亦包括「膜」。
再者，本說明書中，表示為「X~Y」(X、Y為任意之數字)時，若無特別限制，除了「X以上Y以下」之含義外，亦包含「較佳為大於X」及「較佳為小於Y」之含義。
[實施例]
以下表示實施例，更加具體說明本發明，但本發明並不限於該等，於不脫離本發明之技術思想之範圍內可進行各種應用。
再者，實施例所示之測定值及評價以如下所示之方式來進行。
(1)耐熱性 作為耐熱性之評價，係按照附磁條之信用卡片規格JIS X6310，觀察於60℃之溫水中浸漬5分鐘時的卡片表面之變化、及收縮性，並進行評價。進而，於80℃之溫水中亦同樣地進行觀察，並進行評價。
作為評價基準，係將任一溫度下，於卡片表面均未確認到變化、並亦未觀察到收縮者評價為「○」；將任一溫度下，於卡片表面均確認到變化、或觀察到收縮者評價為「×」。
(2)耐衝擊性 作為耐衝擊性之評價，係按照附磁條之信用卡片規格JIS X6310，測定衝擊強度。
將卡片放置於堅固之水平板上，將500 g之鋼球自30 cm之高度下落至卡片上，對此時之卡片觀察破損、裂痕等。
將未出現破損及裂痕者評價為「○」，將出現破損或裂痕者評價為「×」。
(3)各層之融著性 對卡片進行切塊，以手指抓住，將各片材間剝離，其後以兩手拉伸，目視觀察剝離狀況，並進行評價。
作為評價基準，將牢固融著者評價為「○」、將稍弱者評價為「△」、將可容易剝離者評價為「×」。
(4)綜合評價 於上述(1)至(3)之評價結果中，將有1項以上「×」評價者綜合評價為「×」，將無「×」但有1項以上「△」評價者綜合評價為「△」，將無「△」及「×」評價者綜合評價為「○」。
再者，綜合評價中評價為「×」者可評價為實用性較低，評價為「△」者可評價為具有實用性，綜合評價為「○」者可評價為實用性較高。
[核芯片A(1)] 使用Nature Works公司製造之NW 4060D(重量平均分子量22萬、D－乳酸之質量比例：12%、L－乳酸之質量比例：88%)，來作為D－乳酸之比例為5%以上之乳酸系聚合物，使用Nature Works公司製造之NW 4032D(重量平均分子量23萬、D－乳酸之質量比例：1.4%、L－乳酸之質量比例：98.6%)，來作為D－乳酸之質量比例為2%以下之乳酸系聚合物，以質量比為30：70之比例將NW 4060D與NW 4032D乾摻後，充分乾燥而去除水分，於料缸溫度為210℃、結點溫度為200℃下，使用T模頭擠壓機，擠壓至表面溫度為58℃之冷卻滾筒上，獲得厚度為700 μ m之片材。以金屬滾筒將該片材預熱後，以紅外線加熱器加熱，並於75℃下於具有輪緣速率差之滾筒間向縱方向延伸2.5倍，繼而以拉幅機於72℃下向橫方向延伸3.0倍，接著，於拉幅機內進行熱處理(熱處理溫度為140℃、熱處理時間為10秒鐘)，而獲得厚度為100 μ m之片材。
[核芯片A(2)] 進而於NW 4060D以及NW 4032D中調配以下芳香族聚酯以及熱塑性彈性體，將NW 4060D、NW 4032D、非晶性芳香族聚酯及熱塑性彈性體以混合質量比為20：10：60：10之比例進行摻合，於料缸溫度為210℃、結點溫度為200℃下，使用T模頭擠壓機擠壓至表面溫度為60℃之冷卻滾筒上，獲得厚度為240 μ m之未延伸的片材。
(非晶性芳香族聚酯) 使用包含羧酸單體單位：100莫耳%之對苯二甲酸，乙二醇單體單位：68莫耳%之乙二醇及32莫耳%之1,4－環己烷二甲醇，且玻璃轉移溫度(Tg)：78℃、固有黏度0.67 dl/g(測定條件JIS K7367－5)之芳香族聚酯。
(熱塑性彈性體) 使用將聚酯系彈性體與苯乙烯系彈性體以質量比74：26進行混合而得之熱塑性彈性體，上述聚酯系彈性體包含將聚對苯二甲酸丁二酯成分與聚伸丁二醇成分以莫耳比67：33之比例進行共聚合而成之嵌段共聚物，上述苯乙烯系彈性體包含苯乙烯－丁二烯嵌段共聚物。
[核芯片A(3)：A(3－1)/A(3－2)] 將作為核芯片A(3－1)用之NW 4032D以及作為核芯片A(3－2)用之NW 4060D，分別充分乾燥而去除水分，分別投入至不同擠壓機中，於料缸溫度為210℃、結點溫度為200℃下，自2種2層之多重模頭擠壓至表面溫度為55℃之冷卻滾筒上，獲得厚度為700 μ m之2種2層(A(3－1)/A(3－2))的片材。
以金屬滾筒將該片材預熱後，以紅外線加熱器加熱，並於75℃下於具有輪緣速率差之滾筒間向縱方向延伸2.5倍，繼而以拉幅機於72℃下向橫方向延伸3.0倍，接著，於拉幅機內進行熱處理(熱處理溫度為140℃、熱處理時間為10秒鐘)，而獲得厚度為100 μ m之片材。
A(3－1)：A(3－2)之厚度比率為1：9。
[核芯片A(4)：A(4－2)/A(4－1)/A(4－2)] 使用以質量比為50：50之比例摻合NW 4060D與NW 4032D者作為核芯片A(4－1)用，使用以混合質量比為60：40摻合作為核芯片A(4－2)用的芳香族聚碳酸酯系樹脂(三菱工程塑膠公司製造之NOVAREX 7022、芳香族聚碳酸酯、重量平均分子量為5萬)、與芳香族聚酯系樹脂(三菱工程塑膠公司製造之NOVADURAN 5020S、均聚對苯二甲酸丁二酯、重量平均分子量為11萬)者，分別充分乾燥而去除水分，分別投入至不同擠壓機中，於料缸溫度為210℃、結點溫度為200℃下，自2種3層之多重模頭擠壓至表面溫度為60℃之冷卻滾筒上，獲得厚度為240 μ m之2種3層(A(4－2)/A(4－1)/A(4－2))之未延伸的片材。
A(4－2)：A(4－1)：A(4－2)之厚度比率為1：8：1。
[覆蓋片B(1)] 使用三菱工程塑膠公司製造之NOVAREX 7022(芳香族聚碳酸酯、重量平均分子量為5萬)，來作為芳香族聚碳酸酯系樹脂，充分乾燥而去除水分，於料缸溫度為290℃、結點溫度為290℃下使用T模頭擠壓機，擠壓至表面溫度 為150℃之冷卻滾筒上，獲得厚度為100 μ m之片材。
[覆蓋片B(2)] 使用三菱工程塑膠公司製造之NOVAREX 7022(芳香族聚碳酸酯、重量平均分子量為5萬)，來作為芳香族聚碳酸酯系樹脂，使用三菱工程塑膠公司製造之NOVADURAN 5020S(均聚對苯二甲酸丁二酯、重量平均分子量為11萬)，來作為芳香族聚酯系樹脂，以混合質量比為60：40將NOVAREX 7022與NOVADURAN 5020S乾摻後，充分乾燥而去除水分，於料缸溫度為260℃、結點溫度為250℃下，使用T模頭擠壓機，擠壓至表面溫度為98℃之冷卻滾筒上，獲得厚度為100 μ m之片材。
[覆蓋片B(3)] 作為非晶性芳香族聚酯系樹脂，使用包含羧酸單體單位：100莫耳%之對苯二甲酸、乙二醇單體單位：68莫耳%之乙二醇及32莫耳%之1,4－環己烷二甲醇，且玻璃轉移溫度(Tg)：78℃、固有黏度0.67 dl/g(測定條件JIS K7367－5)之芳香族聚酯，並充分乾燥而去除水分，於料缸溫度為290℃、結點溫度為290℃下，使用T模頭擠壓機，擠壓至表面溫度為150℃之冷卻滾筒上，獲得厚度為100 μ m之片材。
[嵌體片(C)] 於延伸PET片材即三菱化學聚酯薄膜(股)製造之「DIAFOIL T100」(厚度為100 μ m)上層壓鋁箔後，藉由蝕刻去除一部分，而形成天線電路。繼而，於天線電路上 裝載IC晶片，從而形成搭載有IC晶片以及天線電路之嵌體片。
[黏接層(D)] 於100質量份之東洋紡績(股)公司製造之VYLON 300(共聚合聚酯系熱熔型黏接劑)中混合8質量份之拜爾(股)公司製造之Desmodur L－75(聚異氰酸酯化合物)，將所製成之甲苯/MEK溶液塗佈於上述嵌體片(C)之兩面，於室溫下使其充分乾燥，而使溶劑揮發，從而製備成黏接層約3 μ m厚度。
(實施例1)
將藉由上述方法所製作之片材以B(1)/A(3－2)/A(3－1)/(D)/(C)/(D)/A(3－1)/A(3－2)/B(2)之順序進行重疊，使用真空壓製機(北川精機製造之成型Press VH1－1747)，於130℃、10.5 MPa下進行加熱壓製，藉此使各片材間熱融著，冷卻至室溫後，衝壓成卡片形狀，而製作積層卡片。
此時，植物原料塑膠(乳酸系聚合物)占全部塑膠原料中之41質量%。
對所獲得之積層卡片評價耐熱性、耐衝擊性、各層之融著性，結果示於表1。
(實施例2)
將藉由上述方法所製作之片材以B(2)/A(3－2)/A(3－1)/(D)/(C)/(D)/A(3－1)/A(3－2)/B(2)之順序進行重疊，使用真空壓製機(北川精機製造之成型 Press VH1－1747)，於130℃、10.5 MPa下進行加熱壓製，藉此使各片材間熱融著，冷卻至室溫後，衝壓成卡片形.狀，而製作積層卡片。
此時，植物原料塑膠(乳酸系聚合物)占全部塑膠原料中之40質量%。
對所獲得之積層卡片評價耐熱性、耐衝擊性、各層之融著性，結果示於表1。
(實施例3)
將藉由上述方法所製作之片材以B(3)/A(3－2)/A(3－1)/(D)/(C)/(D)/A(3－1)/A(3－2)/B(3)之順序進行重疊，使用真空壓製機(北川精機製造之成型Press VH1－1747)，於130℃、10.5 MPa下進行加熱壓製，藉此使各片材間熱融著，冷卻至室溫後，衝壓成卡片形狀，而製作積層卡片。
對所獲得之積層卡片評價耐熱性、耐衝擊性、各層之融著性，結果示於表1。
(實施例4)
將藉由上述方法所製作之片材以B(2)/A(4－2)/A(4－1)/A(4－2)/(D)/(C)/(D)/A(4－2)/A(4－1)/A(4－2)/B(2)之順序進行重疊，使用真空壓製機(北川精機製造之成型Press VH1－1747)，於130℃、10.5 MPa下進行加熱壓製，藉此使各片材間熱融著，冷卻至室溫後，衝壓成卡片形狀，而製作積層卡片。
對所獲得之積層卡片評價耐熱性、耐衝擊性、各層之融 著性，結果示於表1。
(實施例5)
將藉由上述方法所製作之片材以B(2)/A(2)/(D)/(C)/(D)/A(2)/B(2)之)順序進行重疊，使用真空壓製機(北川精機製造之成型Press VH1－1747)，於130℃、10.5 MPa下進行加熱壓製，藉此使各片材間熱融著，冷卻至室溫後，衝壓成卡片形狀，而製作積層卡片。
對所獲得之積層卡片評價耐熱性、耐衝擊性、各層之融著性，結果示於表1。
(比較例1)
將藉由上述方法所製作之片材以A(1)/(D)/(C)/(D)/A(1)之順序進行重疊，以與實施例1相同之方法製作積層卡片。此時，植物原料塑膠(乳酸系聚合物)占全部塑膠原料中之67質量%。
對所獲得之積層卡片評價耐熱性、耐衝擊性、各層之融著性，結果示於表1。
(A)、(A1)、(A2)、(A3)、(A4)、(E)‧‧‧核芯片
(B)‧‧‧覆蓋片
(C)‧‧‧嵌體片
圖1(1)至(4)均係用以說明本發明之實施形態之積層卡片的構成例之圖，係以貼合各片材之前的分解狀態表示之剖面圖。
圖2(1)至(3)同樣均係用以說明本發明之實施形態之積層卡片的構成例之圖，係以貼合各片材之前的分解狀態表示之剖面圖。
圖3(1)至(4)均係用以說明本發明之第2實施形態之積層卡片的構成例之圖，係以貼合各片材之前的分解狀態表示之剖面圖。
圖4(1)至(4)均係用以說明本發明之第2實施形態之核芯片的構成例之剖面圖。
(A)、(E)‧‧‧核芯片
(B)‧‧‧覆蓋片
(C)‧‧‧嵌體片

Claims (7)

  1. 一種卡片用核芯片，其係用以與覆蓋片(B)一併使用而形成積層卡片之卡片用核芯片(A)，該覆蓋片(B)具備至少一層係以芳香族聚酯系樹脂或聚碳酸酯系樹脂、或該等兩者之混合樹脂作為主成分樹脂之層的構成；該卡片用核芯片之特徵在於：係積層一層或二層以上而成，其中至少一層係以乳酸系聚合物、非晶性芳香族聚酯系樹脂、及熱塑性彈性體作為主成分樹脂之乳酸系樹脂層。
  2. 一種卡片用核芯片，其係用以與覆蓋片(B)一併使用而形成積層卡片之卡片用核芯片(A)，該覆蓋片(B)具備至少一層係以芳香族聚酯系樹脂或聚碳酸酯系樹脂、或該等兩者之混合樹脂作為主成分樹脂之層的構成；該卡片用核芯片之特徵在於：係積層一層或二層以上而成，作為其中之至少一層的(A1)層，係以D-乳酸之質量比例為3%以上且97%以下之乳酸系聚合物作為主成分樹脂之乳酸系樹脂層，或以D-乳酸之質量比例為3%以上且97%以下之乳酸系聚合物與D-乳酸之質量比例為2%以下或98%以上之乳酸系聚合物依30：70~90：10之質量比例混合而成的乳酸系聚合物的混合樹脂；作為(A1)層以外之至少一層的(A2)層，係以D-乳酸之質量比例為2%以下或98%以上之乳酸系聚合物作為主成分樹脂的乳酸系樹脂層。
  3. 一種卡片用核芯片，其係用以與覆蓋片(B)一併使用 而形成積層卡片之卡片用核芯片(A)，該覆蓋片(B)具備至少一層係以芳香族聚酯系樹脂或聚碳酸酯系樹脂、或該等兩者之混合樹脂作為主成分樹脂之層的構成；該卡片用核芯片之特徵在於：係積層一層或二層以上而成，作為其中之至少一層的(A1)層，係以非晶性芳香族聚酯系樹脂、或非晶性芳香族聚酯系樹脂與聚碳酸酯系樹脂之混合樹脂作為主成分樹脂之層；作為(A1)層以外之至少一層的(A2)層，係以乳酸系聚合物作為主成分樹脂之乳酸系樹脂層。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之卡片用核芯片，其中，乳酸系樹脂層包含無機填充劑。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之卡片用核芯片，其中，乳酸系樹脂層含有混合樹脂，該混合樹脂包含自玻璃轉移溫度為0℃以下之脂肪族聚酯系樹脂、芳香族脂肪族聚酯系樹脂、及乳酸系聚合物與二醇．二羧酸之共聚物所組成之群組中所選擇的至少一種或兩種以上之組合。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之卡片用核芯片，其中，乳酸系樹脂層含有玻璃轉移溫度為0℃以下之含有甲基丙烯酸之彈性體。
  7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之卡片用核芯片，其中，乳酸系樹脂層含有碳二醯亞胺化合物。
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