TWI538187B - 有機發光二極體顯示器及製造其之方法 - Google Patents

有機發光二極體顯示器及製造其之方法 Download PDF

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Description

有機發光二極體顯示器及製造其之方法
本揭示係有關於一種有機發光二極體(organic light emitting diode；OLED)裝置以及製造該裝置的方法。
有機發光二極體(OLED)裝置在自一電極注入之電子與自另一電極注入之電洞於該等電極間之一發光層(emission layer)中結合時發出光並產生一激子(exciton)，其釋出能量。由於OLED裝置係自發光性(self-emissive)的，故其具有極低之功耗。
本發明之一特色係一種能夠增進發光效率的有機發光二極體(OLED)裝置。另一特色係一種製造OLED裝置的方法，其增進發光效率且同時適用於大尺寸OLED裝置。
另一特色係一OLED裝置，其包含一基板；一第一薄膜形成於該基板之上且在表面處具有凸起及凹陷；一第二薄膜形成於該第一薄膜之上且平 坦化該等凸起及凹陷；一第一電極形成於該第二薄膜之上；一發光構件形成於該第一電極之上；以及一第二電極形成於該第一電極之上。
該第一薄膜和該第二薄膜可以包含彼此具有不同折射率(refractive index)之材料。該第一薄膜和該第二薄膜可以分別具有大約1.1至3的折射率。該第一薄膜和該第二薄膜之間的折射率差異可以是至少0.2。
該第一薄膜的折射率範圍可以從大約1.6到2.2；而該第二薄膜的折射率範圍可以從大約1.3到1.6。依據一實施例，該第一薄膜的折射率範圍可以從大約1.3到1.6；而該第二薄膜的折射率範圍可以從大約1.6到2.2。
該第一薄膜可以包含氧化矽、氮化矽、聚壓克力(polyacryl)、聚醯亞胺(polyimide)或其組合；該第二薄膜可以包含氮化矽、氧化鋁或其組合。上述之凸起及凹陷可以是呈不規則分佈。
另一特色係一種製造OLED裝置的方法，其包含提供具有凸起及凹陷之一第一薄膜於一基板之上；提供一第二薄膜平坦化該第一薄膜上的凸起及凹陷；提供一第一電極於該第二薄膜之上；提供一發光構件於該第一電極之上；以及提供一第二電極於該發光構件之上。
上述提供具有凸起及凹陷之一第一薄膜可以包含形成一第一薄膜；塗佈一分散溶液(dispersing solution)於該第一薄膜之上，該分散溶液包含一具有一第一尺寸之有機微粒；乾燥該分散溶液；蝕刻該有機微粒以提供一具有一第二尺寸之有機微粒，該第二尺寸小於該第一尺寸；以及利用具有該第二尺寸之該有機微粒做為一遮罩以蝕刻該第一薄膜。
該有機微粒可以具有一球體形狀。該有機微粒可以包含聚苯乙烯(polystyrene)。有機微粒之蝕刻可以利用電漿。其可以藉由反應性離子蝕刻(reactive ion etching)執行第一薄膜之蝕刻。
上述提供具有凸起及凹陷之一第一薄膜可以包含形成一包含一有機材料之第一薄膜並以電漿處理該第一薄膜之表面。上述之製造方法可以進一步包含在形成該第一薄膜之後施加一金屬團簇(metal cluster)於該第一薄膜之上；且以電漿處理該第一薄膜之表面可以藉由使用該金屬團簇做為一遮罩執行。
另一特色係一有機發光二極體(OLED)裝置，其包含：一基板；一第一薄膜形成於該基板之上，其中該第一薄膜包含彼此相對之第一及第二表面，其中該第一表面接觸該基板，且其中複數凸起及凹陷交替形成於該第一薄膜的第二表面之上；一第二薄膜形成於該第一薄膜的該等凸起及凹陷之上；一第一電極形成於該第二薄膜之上；一發光構件形成於該第一電極之上；以及一第二電極形成於該有機發光構件之上。
在上述的OLED裝置之中，該第一薄膜和該第二薄膜具有不同的折射率。在上述的OLED裝置之中，該第一薄膜和該第二薄膜各自具有大約1.1至大約3的折射率。在上述的OLED裝置之中，該第一薄膜和該第二薄膜的折射率相差至少大約0.2。在上述的OLED裝置之中，該第一薄膜具有一大約1.6至大約2.2的折射率，且其中該第二薄膜具有一大約1.3至大約1.6的折射率。在上述的OLED裝置之中，該第一薄膜具有一大約1.3至大約1.6的折射率，且其中該第二薄膜具有一大約1.6至大約2.2的折射率。在上述的OLED裝置之中，該第一薄膜係由氧化矽、氮化矽、聚壓克力、聚醯亞胺、或其組合所構成；而其中該第二 薄膜係由氮化矽、氧化鋁、或其組合所構成。在上述的OLED裝置之中，該等凸起及凹陷係呈不規則分佈。
另一特色係一種製造有機發光二極體(OLED)裝置的方法，包含：提供一第一薄膜於一基板之上，其中該第一薄膜包含彼此相對之第一及第二表面，其中該第一表面接觸該基板，且其中該第一薄膜的第二表面上具有彼此交替形成之複數凸起及凹陷；提供一第二薄膜於該第一薄膜的第二表面上以平坦化該等凸起及凹陷；提供一第一電極於該第二薄膜之上；提供一發光構件於該第一電極之上；以及提供一第二電極於該發光構件之上。
在上述的方法之中，提供該第一薄膜包含：形成該第一薄膜；塗佈一分散溶液於該第一薄膜之上，其中該分散溶液包含複數第一有機微粒，該複數第一有機微粒的至少其一具有一第一尺寸；乾燥該分散溶液；將該第一有機微粒蝕刻成複數第二有機微粒，該複數第二有機微粒的至少其一具有一小於該第一尺寸之第二尺寸；以及利用具有該第二有機微粒做為一遮罩以蝕刻該第一薄膜。
在上述的方法之中，該第一及第二有機微粒具有一球體形狀。在上述的方法之中，該第一及第二有機微粒包含聚苯乙烯。在上述的方法之中，該第一有機微粒之蝕刻係藉由電漿執行。在上述的方法之中，其可以藉由反應性離子蝕刻執行該第一薄膜之蝕刻。在上述的方法之中，提供該第一薄膜包含：形成一包含一有機材料之第一薄膜；以及利用電漿處理該第一薄膜之表面。上述方法可以進一步包含在層壓該第一薄膜之後施加一金屬團簇於該第一薄膜之上；且其中該第一薄膜之表面電漿處理之執行係利用該金屬團簇做為一遮罩。
另一特色係一有機發光二極體(OLED)裝置，包含：一基板；一第一層形成於該基板之上，其中該第一層包含彼此相對之第一及第二表面，其中該第一表面接觸該基板，且其中該第一層的第二表面具有複數凸狀及凹狀部分彼此交替形成；一第二層形成於該第一層的該等凸狀及凹狀部分之上；以及一有機發光二極體形成於該第二層之上。
在上述的OLED裝置之中，該第一和第二層具有不同的折射率。在上述的OLED裝置之中，至少二個凸狀及凹狀部分相對於其餘的凸狀及凹狀部分並非均勻地形成。在上述的OLED裝置之中，該第一層係由氧化矽、氮化矽、聚壓克力、聚醯亞胺、或其組合所構成；而其中該第二層係由氮化矽、氧化鋁、或其組合所構成。
50‧‧‧有機微粒
50a‧‧‧經過蝕刻之有機微粒
110‧‧‧絕緣基板
111‧‧‧下層
112‧‧‧第一薄膜(或第一層)
112a‧‧‧凸起及凹陷(或凸狀及凹狀部分)
114‧‧‧第二薄膜(或第二層)
191‧‧‧第一電極
270‧‧‧第二電極
370‧‧‧有機發光構件
圖1係依據一實施例之一有機發光二極體(OLED)裝置之示意性剖面視圖。
圖2A至圖2D係剖面視圖，其依序顯示一依據一實施例之製造OLED裝置之方法。
圖3係一原子顯微鏡照片，其顯示依據另一實施例之一OLED裝置之凸起及凹陷。
圖4係一掃描式電子顯微鏡(SEM)照片，其顯示移除實例1中之聚苯乙烯微粒之後的凸起及凹陷。
圖5係一SEM照片，其顯示在實例1之中沉積氮化矽之後之一平坦化表面。
為了使電力消耗進一步縮減，增加一有機發光二極體(OLED)裝置的發光效率係極其重要的。發光效率可以決定於內部量子效率(quantum efficiency)以及外部量子效率，內部量子效率係從電極注入的電荷數相對於產生自發光層的量子數的比例，而外部量子效率則是產生自發光層的量子數相對於發射至外界的量子數的比例。
以下將參照所附顯示本揭示示範性實施例之圖式更詳盡地描述本揭示。習於斯藝者應能理解，所述之實施例均可以在未脫離本揭示的精神和範疇下以各種不同的方式加以修改。
在圖式之中，層、薄膜、面板、區域等之厚度均因清楚說明之需要而予以誇大。相同的參考編號在說明書各處均代表相同之構件。其應理解，當一諸如層、薄膜、區域、或基板之構件被稱為"位於另一構件之上"時，其可以是直接位於該另一構件之上或者是亦可以存在居間之構件。相對地，當一構件被稱為"直接位於另一構件之上"時，則不存在居間之構件。
圖1係依據一實施例之一OLED裝置之示意性剖面視圖。一第一薄膜(或一第一層)112形成於一絕緣基板110之上，該絕緣基板110係由，舉例而言，透明玻璃或塑膠製成。在一實施例中，上述之第一薄膜112具有交替形成之凸起及凹陷(或凸狀及凹狀部分)112a。該等凸起及凹陷可以是在表面處呈不規則分佈。在一實施例中，凸起及凹陷112a係一具有奈米尺寸圖案之光晶構件(photocrystal member)，其具有一大約10奈米(nm)至大約2微米(μm)之高度。在此 實施例之中，凸起及凹陷112a藉由控制光線通行而降低內部的光的總反射以及降低通往基板垂直方向的發光總量。
第一薄膜112可以是由折射率大約1.1至大約3.0的無機材料或有機材料製成。上述之無機材料可以包含，舉例而言，氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiNx)、或其組合；而有機材料則可以包含，舉例而言，聚壓克力、聚醯亞胺、或其組合。當第一薄膜112之折射率與絕緣基板110之折射率相近之時，其可能減少產生於介於絕緣基板110和第一薄膜112之間的交界面處的內部總反射。
一第二薄膜(或一第二層)114可以形成於第一薄膜112之上以平坦化第一薄膜112之凸起及凹陷112a。該第二薄膜114平坦化第一薄膜112之凸起及凹陷112a以提供一平面發光層。因此，其可能防止發光層形成於凸起及凹陷112a的傾斜表面之上而造成較小之厚度。在發光層沿著凸起及凹陷112a之形狀形成的情況，其亦可能防止電流集中於傾斜的部分。因此，裝置的品質變差得以避免且可靠度得以增進。
在一實施例中，第二薄膜114具有一大約1.1至大約3.0的折射率。此外，當第二薄膜114之折射率與第一電極191之折射率相近之時，其可能減少產生於介於第二薄膜114和第一電極191之間的交界面處的內部總反射。
第二薄膜114可以是由折射率不同於第一薄膜112的無機材料或有機材料製成。上述之無機材料可以包含，舉例而言，氮化矽(SiNx)、氧化矽(Al2O3)、或其組合；而有機材料則可以包含，舉例而言，聚壓克力、聚醯亞胺、或其組合。
第一薄膜112和第二薄膜114間的折射率差異可以是至少大約0.2。例如，第一薄膜112可以具有一大約1.6至大約2.2的折射率，而第二薄膜114 可以具有一大約1.3至大約1.6的折射率。此外，第一薄膜112可以具有一大約1.3至大約1.6的折射率，而第二薄膜114可以具有一大約1.6至大約2.2的折射率。
如上所述，藉由在具有不同折射率的第一薄膜112和第二薄膜114之間的交界面處提供凸起及凹陷，其內部總反射得以降低且通往上表面的總提取量得以增加。因此，光萃取效率(light extracting efficiency)得以增加。
一第一電極191形成於第二薄膜114之上。第一電極191可以是陽極或陰極且可以是由一諸如ITO或IZO之透明導電材料所製成。
一有機發光構件370形成於第一電極191之上。有機發光構件370可以具有一包含一發光層(未顯示於圖中)之多層結構以及一用以增進發光層之發光效率的輔助層(未顯示於圖中)。
發光層可以是由本質上即發出紅、綠、藍三原色中之一色光之有機材料或有機材料及無機材料之混合物所製成。其可以包含參(8-羥基-喹啉酸基)鋁(Alq3)、蔥(anthracene)、distryl化合物或其組合。有機發光二極體(OLED)裝置藉由混合產生自發光層的原色光顯示出預定的影像。
輔助層可以包含選自於由以下項目組成的族群中之一或至少二疊層：用以平衡電子及電洞的電子傳輸層(electron transport layer；ETL)(未顯示於圖中)及電洞傳輸層(hole transport layer；HTL)(未顯示於圖中)；用以強化電子及電洞之注入的電子注入層(electron injection layer；EIL)(未顯示於圖中)及電洞注入層(hole injection layer；HIL)(未顯示於圖中)。
一第二電極270形成於有機發光構件370之上。當第一電極191係由一透明導電材料製成之時，第二電極270可以是由諸如鋁(Al)、鈣(Ca)、鋇(Ba)或其組合之不透明導電材料製成。
第一電極191可以是一陽極，而第二電極270可以是一陰極；或者另一方面，第一電極191可以是一陰極，而第二電極270可以是一陽極。
如前所述，依據一實施例之OLED裝置限制光的通行以增加通往基板垂直方向的光提取效應且在產生自發光層的光亮中增加發射至外界的光的總量。其從而可能增加裝置的發光效率以及壽命，同時降低OLED裝置的驅動電壓。
以下參照圖2A至圖2D配合圖1說明製造圖1所示的OLED裝置的方法。
圖2A至圖2D係剖面視圖，其依序顯示依據一實施例之製造OLED裝置之方法。在一實施例中，該OLED以如下方式製造。
首先，如圖2A所示，一下層111形成於基板110之上。舉例而言，下層111可以使用基板110而無需進一步處理，或者其可以是由例如氧化矽、氮化矽以電漿增強化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition；PECVD)法製成。
接著一包含複數有機微粒50之分散溶液(未顯示於圖中)被塗佈於該下層111之上。該分散溶液可以是，舉例而言，有機微粒50混入一諸如水之分散溶劑之一懸浮液。該塗佈可以是藉由例如旋轉塗佈執行。
在一實施例中，該有機微粒50具有一由例如聚苯乙烯之有機材料製成之球體形狀。每一或至少一上述之有機微粒(或第一有機微粒)50可以具有一大約0.03微米至大約3.2微米之尺寸。在一實施例中，該分散溶液被進行乾燥以移除溶劑並從而提供一有機微粒50。
如圖2B所示，其利用例如氧電漿(oxygen plasma)蝕刻有機微粒50以提供相較於有機微粒50具有一較小尺寸之經過蝕刻之有機微粒(或第二有機微粒)50a。每一或至少一上述之經過蝕刻之有機微粒50a可以具有一大約0.01微米至大約2.0微米之尺寸。
參見圖2C，其利用經過蝕刻之有機微粒50a做為一遮罩以蝕刻下層111。該蝕刻可以是藉由反應性離子蝕刻(RIE)進行，且其可以使用，舉例而言，CHF3、CF4電漿。蝕刻製程之結果，提供如圖2C所示之具有複數凸起及凹陷112a之一第一薄膜112。
其後該經過蝕刻之有機微粒50a被移除，且一第二薄膜114形成於第一薄膜112之上。第二薄膜114可以是由，舉例而言，氮化矽、氧化鋁以電漿增強化學氣相沉積(PECVD)法製成。
回頭參照圖1，第一電極191、有機發光構件370、以及第二電極270依序形成於第二薄膜114之上。
依據一實施例，其可以很容易地藉由塗佈和蝕刻製程提供凸起及凹陷112a。因此，其可以很容易地套用於一大尺寸OLED裝置，故可能克服當使用雷射時無法應用於大型區域之限制。
以下說明依據另一實施例之製造OLED裝置之方法。如同前述的實施例之中，下層111形成於基板110之上。下層111可以是由一有機材料製成。由有機材料製成的下層111可以在旋轉塗佈之後藉由在一烤箱中或一加熱平板上加熱而固化。
在一實施例中，由有機材料製成的下層111之表面被以電漿處理以提供一粗糙表面。該電漿可以使用，例如，氬(Ar)電漿。藉由以電漿處理由有 機材料製成的下層111之表面，可以極其容易地提供凸起及凹陷112a。因此，發光效率因為凸起及凹陷112a而得以增加。
以下說明依據又另一實施例之製造OLED裝置之方法。如同前述的實施例之中，下層111形成並利用電漿處理以提供凸起及凹陷112a。然而，與前述實施例不同，一金屬團簇被施加於下層111之上。之後下層111以該金屬團簇做為一遮罩利用電漿處理以在表面處提供具有凸起及凹陷112a之第一薄膜112。
以下實例進一步詳細例示本揭示。但此等實例在任何意義上均不應解讀為限制本揭示之範疇。
實例1
具有一0.6微米平均直徑之10g球體聚苯乙烯微粒被分散於100ml的水中以提供一懸浮液。
氧化矽(SiO2)以一化學氣相沉積(CVD)方法於一玻璃基板上沉積0.5微米。接著該懸浮液以800rpm之速度被旋轉塗佈於該氧化矽疊層之上。該懸浮液於25℃溫度下被乾燥以移除溶劑。該基板被引入於一電漿室之中並供以氧氣(O2)及氬氣(Ar)以電漿方式蝕刻該聚苯乙烯微粒。氧氣(O2)及氬氣(Ar)係分別以2sccm及5sccm的流量供入，且RF(射頻)功率係200W。藉由電漿蝕刻，聚苯乙烯微粒之尺寸被減少成大約0.3微米。氧化矽疊層以經過蝕刻之聚苯乙烯微粒做為一遮罩進行乾式蝕刻。該乾式蝕刻係利用CHF3在一感應式耦合電漿(inductive coupled plasma；ICP)蝕刻裝置中進行。其以一20sccm的流量供應該CHF3；處理室壓力係50mT；ICP輸出係500W；且每2分鐘重複進行三次。其後藉由在一室壓電漿室中供以氧氣(O2)及氬氣(Ar)以移除剩餘之聚苯乙烯微粒。
圖4係一掃描式電子顯微鏡(SEM)照片，其顯示移除聚苯乙烯微粒之後的SiO2凸起及凹陷。該氮化矽以化學氣相沉積(CVD)於經過蝕刻之氧化矽疊層上沉積5000Å並被平坦化。
圖5係一掃描式電子顯微鏡(SEM)照片，其顯示在沉積氮化矽之後之一平坦化表面。接著ITO被濺鍍於氮化矽疊層之上並進行圖案化。N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-二氨基聯苯(N,N-dinaphthalene-yl-N,N-diphenyl-benzidine,NPB)被沉積為一電洞注入層(HIL)及一電洞傳輸層，且一摻雜1wt%香豆素(coumarin)6之參(8-羥基-喹啉酸基)鋁(Alq3)發光層共同沉積其上。接著一Alq3之電子傳輸層沉積於其上，且一用以輔助電子及Al陽極植入之LiF電子注入層(EIL)被依序沉積以提供一有機發光構件。
實例2
將聚壓克力旋轉塗佈於一玻璃基板上2.0微米並加以乾燥。接著一基板被引入於一電漿室之中並供以氬氣(Ar)及氮氣(N2)以執行一電漿蝕刻。該電漿蝕刻執行之條件係流量40sccm之氬氣(Ar)及3sccm之氮氣(N2)；處理室壓力200mT；ICP輸出400W；以及一5分鐘之蝕刻時間。其利用一原子力顯微鏡(atomic force microscopy；AFM)量測蝕刻之後有機層表面之粗糙度。
圖3係一原子顯微鏡照片，其顯示由另一實施例得到之一OLED裝置之凸起及凹陷。參見圖3，其確認凸起及凹陷112a具有一大約200至大約500Å之高度，且呈不規則分佈於基板的整個表面之上。接著類似實例1，一氮化矽疊層、ITO、一發光層、以及銀被依序層壓以提供一有機發光構件。
實例3
氧化矽(SiO2)以一化學氣相沉積(CVD)方法被層壓於一玻璃基板上0.5微米。接著一鎳(Ni)層利用一電子射束沉積器(electron beam depositor)在該氧化矽疊層上沉積5奈米之厚度。一基板被引入一快速熱退火(rapid thermal arnnealing；RTA)裝置並於850℃處理一分鐘以提供一奈米尺寸之鎳團簇。其使用該鎳團簇做為一遮罩藉由反應性離子蝕刻(RIE)對氧化矽疊層進行蝕刻。接著利用硝酸溶液移除鎳團簇。而後類似實例1，一氮化矽疊層、ITO、一發光層、以及銀被依序層壓以提供一有機發光構件。
依據至少一實施例，由於凸起及凹陷形成於產生自發光層之光亮通過處，故基板垂直維度上的光提取效率得以增加。此外，發射至外界環境的總光亮增加。發光效率從而增進，且裝置壽命得以延長。同時，有機發光二極體(OLED)裝置之驅動電壓可以降低。此外，由於該等凸起及凹陷之形成可以是藉由一諸如旋轉塗佈之濕式製程或是一諸如電漿蝕刻之乾式製程，故其可能套用於一大尺寸顯示裝置。
雖然本揭示之說明係透過目前認定有實效之示範性實施例進行，但其應理解本揭示並未受限於所揭示之實施例。本發明應涵蓋包含於申請專利範圍之精神和範疇內的各種不同之修改及等效配置。
110‧‧‧絕緣基板
112‧‧‧第一薄膜(或第一層)
112a‧‧‧凸起及凹陷(或凸狀及凹狀部分)
114‧‧‧第二薄膜(或第二層)
191‧‧‧第一電極
270‧‧‧第二電極
370‧‧‧有機發光構件

Claims (20)

  1. 一種有機發光二極體(OLED)裝置，包含：一基板；一第一薄膜，設置於該基板之上，其中該第一薄膜包含彼此相對之第一及第二表面，其中該第一表面接觸該基板，且其中複數凸起及凹陷交替設置於該第一薄膜之該第二表面之上，其中該複數凸起之每一者具有一實質梯形之形狀設置於該第一薄膜之該第二表面上；一第二薄膜，設置於該第一薄膜之該凸起及凹陷之上；一第一電極，設置於該第二薄膜之上；一有機發光構件，設置於該第一電極之上；以及一第二電極，設置於該有機發光構件之上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之OLED裝置，其中該第一薄膜及該第二薄膜具有不同的折射率。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之OLED裝置，其中該第一薄膜及該第二薄膜各自具有一大約1.1至大約3之折射率。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之OLED裝置，其中該第一薄膜及該第二薄膜之折射率相差至少大約0.2。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之OLED裝置，其中該第一薄膜具有一大約1.6至大約2.2之折射率，且其中該第二薄膜具有一大約1.3至大約1.6之折射率。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之OLED裝置，其中該第一薄膜具 有一大約1.3至大約1.6之折射率，且其中該第二薄膜具有一大約1.6至大約2.2之折射率。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之OLED裝置，其中該第一薄膜係由氧化矽、氮化矽、聚壓克力(polyacryl)、聚醯亞胺(polyimide)或其組合所構成，且其中該第二薄膜係由氮化矽、氧化鋁或其組合所構成。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之OLED裝置，其中該凸起及凹陷係呈不規則分佈。
  9. 一種製造有機發光二極體(OLED)裝置的方法，包含：提供一第一薄膜於一基板之上，其中該第一薄膜包含彼此相對之第一及第二表面，其中該第一表面接觸該基板，且其中該第一薄膜之該第二表面具有複數凸起及凹陷彼此交替設置，其中該複數凸起之每一者具有一實質梯形之形狀設置於該第一薄膜之該第二表面上；提供一第二薄膜於該第一薄膜之該第二表面之上以平坦化該凸起及凹陷；提供一第一電極於該第二薄膜之上；提供一有機發光構件於該第一電極之上；以及提供一第二電極於該有機發光構件之上。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該第一薄膜之提供包含：形成該第一薄膜； 塗佈一分散溶液於該第一薄膜之上，其中該分散溶液包含複數第一有機微粒，該複數第一有機微粒的至少一者具有一第一尺寸；乾燥該分散溶液；將該第一有機微粒蝕刻成複數第二有機微粒，該複數第二有機微粒的至少一者具有一小於該第一尺寸的第二尺寸；以及使用該第二有機微粒做為一遮罩以蝕刻該第一薄膜。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該第一及第二有機微粒均具有一球體形狀。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該第一及第二有機微粒包含聚苯乙烯(polystyrene)。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該第一有機微粒之蝕刻步驟係利用電漿執行。
  14. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該第一薄膜之蝕刻步驟係利用反應性離子蝕刻執行。
  15. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該第一薄膜之提供包含：形成一包含一有機材料之第一薄膜；以及以電漿處理該第一薄膜之表面。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，更包含在層壓該第一薄膜之後施加一金屬團簇於該第一薄膜之上；以及其中該第一薄膜之該表面之電漿處理係使用該金屬團簇做為一遮罩執行。
  17. 一種有機發光二極體(OLED)裝置，包含：一基板；一第一層，設置於該基板之上，其中該第一層包含彼此相對之第一及第二表面，其中該第一表面接觸該基板，且其中該第一層的該第二表面具有複數凸狀及凹狀部分彼此交替設置，其中該複數凸狀部分之每一者具有一實質梯形之形狀設置於該第一薄膜之該第二表面上；一第二層，設置於該第一層的該凸狀及凹狀部分之上；以及一有機發光二極體，設置於該第二層之上。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之OLED裝置，其中該第一及第二層具有不同的折射率。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之OLED裝置，其中至少二個該凸狀及凹狀部分相對於其餘的凸狀及凹狀部分並非均勻地設置。
  20. 如申請專利範圍第17項所述之OLED裝置，其中該第一層係由氧化矽、氮化矽、聚壓克力(polyacryl)、聚醯亞胺(polyimide)或其組合所構成；且其中該第二層係由氮化矽、氧化鋁或其組合所構成。
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