JP2011108632A - 有機発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 100
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 12
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 10
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 5
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 4
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- -1 naphthalene-1-yl Chemical group 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
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Abstract
【課題】本発明は、発光効率を改善することができると共に、大面積の有機発光表示装置に適用することができる、有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による有機発光表示装置及びその製造方法は、基板、前記基板上に形成されて、表面に凹凸部を有する第1薄膜、前記第1薄膜上に形成されて、前記凹凸部を平坦化する第2薄膜、前記第2薄膜上に形成されている第1電極、前記第1電極上に形成されている発光部材、及び前記第1電極上に形成されている第2電極を含む。
【選択図】図1
【解決手段】本発明による有機発光表示装置及びその製造方法は、基板、前記基板上に形成されて、表面に凹凸部を有する第1薄膜、前記第1薄膜上に形成されて、前記凹凸部を平坦化する第2薄膜、前記第2薄膜上に形成されている第1電極、前記第1電極上に形成されている発光部材、及び前記第1電極上に形成されている第2電極を含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、有機発光表示装置及びその製造方法に関するものである。
有機発光表示装置は、一つの電極から注入された電子(electron)及び他の電極から注入された正孔(hole)が二つの電極の間に位置する発光層で結合して励起子(exciton)を生成し、励起子がエネルギーを放出することによって発光する。
有機発光表示装置は、自発光型で、別途の光源が不要であるため、消費電力が低い。
このような消費電力をさらに低くするためには、有機発光表示装置の発光効率を向上させることが重要である。発光効率は、発光材料の効率、電極から注入された電荷の数と発光層から発生した光子の数との比率(ratio)である内部量子効率(internal quantum efficiency)、及び発光層から発生した光子の数と外部に放出される光子の数との比率である外部量子効率(external quantum efficiency)により決定される。
一方、表示装置の大型化に伴って、大面積の有機発光表示装置に適用する工程も必要となる。
本発明の第1側面は、発光効率を改善することができる有機発光表示装置を提供する。
本発明の第2側面は、発光効率を向上させると共に、大面積の有機発光表示装置に適用することができる有機発光表示装置の製造方法を提供する。
本発明の第1実施形態による有機発光表示装置は、基板、前記基板上に形成されて、表面に凹凸部を有する第1薄膜、前記第1薄膜上に形成されて、前記凹凸部を平坦化する第2薄膜、前記第2薄膜上に形成されている第1電極、前記第1電極上に形成されている発光部材、及び前記第1電極上に形成されている第2電極を含む。
前記第1薄膜及び前記第2薄膜は、屈折率が互いに異なる物質で形成される。
前記第1薄膜及び前記第2薄膜の屈折率は各々約1.1乃至3である。
前記第1薄膜と前記第2薄膜の屈折率の差は少なくとも0.2である。
前記第1薄膜の屈折率は約1.6乃至2.2であり、前記第2薄膜の屈折率は約1.3乃至1.6である。
前記第1薄膜の屈折率は約1.3乃至1.6であり、前記第2薄膜の屈折率は約1.6乃至2.2である。
前記第1薄膜は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリアクリル、ポリイミド、またはこれらの組み合わせを含み、前記第2薄膜は、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、またはこれらの組み合わせを含む。
前記凹凸部は、不規則に分布する。
本発明の第2実施形態による有機発光表示装置の製造方法は、基板上に凹凸部を有する第1薄膜を形成する段階、前記第1薄膜上に前記凹凸部を平坦化する第2薄膜を形成する段階、前記第2薄膜上に第1電極を形成する段階、前記第1電極上に発光部材を形成する段階、及び前記発光部材上に第2電極を形成する段階を含む。
前記凹凸部を有する第1薄膜を形成する段階は、第1薄膜を積層する段階、前記第1薄膜上に第1サイズの有機微粒子を含む分散液を塗布する段階、前記分散液を乾燥する段階、前記有機微粒子をエッチングして、前記第1サイズより小さい第2サイズの有機微粒子を形成する段階、及び前記第2サイズの有機微粒子をマスクとして前記第1薄膜をエッチングする段階を含むことができる。
前記有機微粒子は球(sphere)形状からなる。
前記有機微粒子はポリスチレン(polystyrene)を含むことができる。
前記有機微粒子をエッチングする段階は、プラズマを使用することができる。
前記第1薄膜をエッチングする段階は、反応性イオンエッチングで行うことができる。
前記凹凸部を有する第1薄膜を形成する段階は、有機物質を含む第1薄膜を積層する段階、及び前記第1薄膜の表面をプラズマ処理する段階を含むことができる。
前記製造方法は、前記第1薄膜を積層する段階後に、前記第1薄膜上に金属クラスタを適用する段階をさらに含むことができ、前記第1薄膜の表面をプラズマ処理する段階は、前記金属クラスタをマスクとして行うことができる。
発光層から発生した光が通過する位置に凹凸部を形成することによって、光の経路を制限して、基板の垂直方向に光抽出効果を高めることができ、発光層から発生した光のうちの外部に放出される光の量を増加させることができる。
本発明により、発光効率を向上させて、素子の寿命を増加させると共に、有機発光表示装置の駆動電圧を下げることができる。また、スピンコーティングなどの溶液工程またはプラズマエッチングなどの乾式エッチング方法によって凹凸部を形成することができて、大面積の表示装置に適用することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明は多様な形態に具現され、ここで説明する具現例に限られない。
図面では、複数の層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似する部分については、同一な図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分がある部分の「上」にあるとする時、これは他の部分の「直上」にある場合だけでなく、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。一方、ある部分が他の部分の「直上」にあるとする時、これは中間に他の部分がないことを意味する。
まず、図1を参照して、本発明の第1実施形態による有機発光表示装置を説明する。
図1は本発明の第1実施形態による有機発光表示装置を概略的に示した断面図である。
図1を参照すると、透明なガラスまたはプラスチックなどで形成された絶縁基板110上に第1薄膜112が形成されている。第1薄膜112は、表面に不規則に分布している凹凸部112aを有する。凹凸部112aは、高さが約10nm乃至2μmの微小パターンを有する光結晶部材であって、内部において光が全反射されるのを減少させて、光の経路を制御して、基板に垂直方向に放出される光の量を増加させる。
第1薄膜112は、屈折率が約1.1乃至3.0である無機物質または有機物質で形成され、無機物質は、例えば酸化ケイ素(SiO2)、窒化ケイ素(SiNx)、またはこれらの組み合わせであり、有機物質は、例えばポリアクリル、ポリイミド、またはこれらの組み合わせである。第1薄膜112の屈折率が前記絶縁基板110の屈折率と類似する場合に、絶縁基板110と第1薄膜112との間の境界において発生する内部の全反射を減少させることができる。
第1薄膜112上には第1薄膜112の凹凸部112aを平坦化する第2薄膜114が形成されている。
第2薄膜114は、第1薄膜112の凹凸部112aを平坦化させることによって、後述する発光層が平坦に形成される。それによって、発光層が凹凸部112aの形状に沿って形成される場合に、凹凸部112aの傾斜面に発光層が薄く形成されて、電流が傾斜部位に集中するのを防止することができ、素子の劣化を防止して、信頼性を高めることができる。
第2薄膜114は、屈折率が約1.1乃至3.0であり、第1薄膜112よりも屈折率が大きいかまたは小さい。また、第2薄膜114の屈折率が後述する第1電極191の屈折率と同程度である場合に、第2薄膜114と第1電極191との間の境界において発生する内部の全反射を減少させることができる。
第2薄膜114は、第1薄膜112と屈折率が異なる無機物質または有機物質で形成され、無機物質は、例えば窒化ケイ素(SiNx)、酸化アルミニウム(Al2O3)、またはこれらの組み合わせであり、有機物質は、例えばポリアクリル、ポリイミド、またはこれらの組み合わせである。
第1薄膜112と第2薄膜114との屈折率の差は少なくとも0.2である。例えば、第1薄膜112の屈折率は約1.6乃至2.2であり、第2薄膜114の屈折率は約1.3乃至1.6であり、これとは逆に、前記第1薄膜112の屈折率が約1.3乃至1.6であり、前記第2薄膜114の屈折率が約1.6乃至2.2であってもよい。
このように屈折率が互いに異なる第1薄膜112と第2薄膜114との間の境界面に凹凸を形成して、内部の全反射を減少させることで、前面に抽出される光の量を増加させることができる。従って、光抽出効果を高めることができる。
第2薄膜114上には第1電極191が形成されている。第1電極191は、アノード(anode)またはカソード(cathode)であって、ITO(Indium Tin Oxide)またはIZO(Indium Zinc Oxide)などの透明導電物質で形成される。
第1電極191上には有機発光部材370が形成されている。有機発光部材370は、発光層(emitting layer)(図示せず)及び発光層の発光効率を改善するための付帯層(auxiliary layer)(図示せず)を含む多層構造であってもよい。
発光層は、赤色、緑色、青色の三原色など基本色(primary color)のうちのいずれか一つの光を固有に発光する有機物質、または有機物質と無機物質との混合物で形成され、アルミニウムトリス(8-ヒドロキシキノリン)[aluminium tris(8-hydroxyquinoline)](Alq3)、アントラセン(anthracene)、ディストリル(distryl)化合物である。有機発光表示装置は、発光層から発光する基本色の色光の空間的な合計で所望の映像を表示する。
付帯層には電子及び正孔の均衡を取らせるための電子輸送層(electron transport layer)(図示せず)及び正孔輸送層(hole transportlayer)(図示せず)、電子及び正孔の注入を強化するための電子注入層(electron injection layer)(図示せず)及び正孔注入層(hole injection layer)(図示せず)などがあって、この中から選択された一つまたは二つ以上の層を含むことができる。
有機発光部材370上には第2電極270が形成されている。第1電極191が透明導電物質で形成された場合、第2電極270はアルミニウム(Al)、カルシウム(Ca)、バリウム(Ba)、またはこれらの組み合わせなどの不透明導電物質で形成される。
この時、第1電極191がアノード、第2電極270がカソードになり、逆に、第1電極191がカソード、第2電極270がアノードになってもよい。
前述のように、本発明の第1実施形態による有機発光表示装置は、光の経路を制限して、基板の垂直方向における光抽出効果を高めることによって、発光層から発生した光のうちの外部に放出される光の量を増加させることができる。それにより、発光効率を向上させて、素子の寿命を増加させると共に、有機発光表示装置の駆動電圧を下げることができる。
それでは、図1に示した有機発光表示装置を製造する方法について、図2A乃至図2Dを図1と共に参照して説明する。
図2A乃至図2Dは本発明の第1実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順に示した断面図である。
本発明の第1実施形態による有機発光表示装置の製造方法は、基板110上に凹凸部112aを有する第1薄膜112を形成する段階、前記第1薄膜112上に前記凹凸部112aを平坦化する第2薄膜114を形成する段階、前記第2薄膜114上に第1電極191を形成する段階、前記第1電極191上に発光部材370を形成する段階、及び前記発光部材370上に第2電極270を形成する段階を含む。
まず、図2Aを参照すると、基板110上に下部膜111を積層する。下部膜111は、例えば基板110をそのまま使用したり、酸化ケイ素、窒化ケイ素などを化学気相蒸着(plasma enhanced chemical vapor deposition、PECVD)して形成することができる。
続いて、下部膜111上に複数の有機微粒子(organic particle)50を含む分散液(図示せず)を塗布する。分散液は、例えば有機微粒子50を水などの分散媒に混合した懸濁液(suspension)である。塗布は、例えばスピンコーティングで行うことができる。
有機微粒子50は、有機物質で形成された球(sphere)状の粒子であり、例えばポリスチレン(polystyrene)で形成される。有機微粒子50のサイズは、約0.03μm乃至3.2μmである。
続いて、前記分散液を乾燥して溶媒を除去して、有機微粒子50だけを残す。
次に、図2Bを参照すると、有機微粒子50を例えば酸素プラズマを使用してエッチングして、有機微粒子50よりサイズが小さいエッチングされた有機微粒子50aを形成する。エッチングされた有機微粒子50aのサイズは、約0.01μm乃至2.0μmである。
次に、図2Cを参照すると、エッチングされた有機微粒子50aをマスクとして下部膜111をエッチングする。この時、エッチングは、反応性イオンエッチング(reactive ion etching、RIE)で行うことができ、例えばCHF3、CF4プラズマを使用することができる。このようなエッチングによって図2Cのように複数の凹凸部112aを有する第1薄膜112が形成される。
続いて、前記エッチングされた有機微粒子50aを除去した後、第1薄膜112上に第2薄膜114を積層する。第2薄膜114は、例えば窒化ケイ素、酸化アルミニウムなどを化学気相蒸着して形成することができる。
次に、図1を参照すると、第2薄膜114上に第1電極191、有機発光部材370、及び第2電極270を順に積層する。
前記のように、本発明の実施形態によると、塗布及びエッチング方法で比較的容易に凹凸部112aを形成することができる。そのために、大面積の有機発光表示装置にも容易に適用することができ、レーザーを使用する場合の大面積に適用することができない限界を克服することができる。
以下、本発明の第2実施形態による有機発光表示装置の製造方法について説明する。
前述した実施形態と同様に、基板110上に下部膜111を積層する。この時、下部膜111は、有機物質で形成される。有機物質で形成された下部膜111は、例えばスピンコーティングした後、オーブンまたはホットプレートで加熱して硬化させることができる。
続いて、有機物質で形成された下部膜111の表面をプラズマ処理して、表面を粗くする。この時、プラズマは、例えばアルゴン(Ar)プラズマを使用することができる。
このように、有機物質で形成された下部膜の表面をプラズマ処理することによって、比較的容易に凹凸部を形成することができ、このような凹凸部によって発光効率を向上させることができる。
以下、本発明の第3実施形態による有機発光表示装置の製造方法について説明する。
本実施形態は、前述した実施形態と同様に、下部膜111を積層し、プラズマ処理して、凹凸部112aを形成する。しかし、前述した実施形態とは異なって、本実施形態は、下部膜111上に金属クラスタ(metal cluster)を適用し、前記金属クラスタをマスクとして下部膜111をプラズマ処理することによって、表面に凹凸部112aを有する第1薄膜112を形成することができる。
以下、実施例を通して本発明をより詳細に説明する。但し、下記の実施例は単に説明目的のものであり、本発明の範囲を限定するのではない。
(実施例1)
平均直径が0.6μmである球(sphere)状のポリスチレン微粒子10gを水100mlに分散させて懸濁液を製造した。
平均直径が0.6μmである球(sphere)状のポリスチレン微粒子10gを水100mlに分散させて懸濁液を製造した。
ガラス基板上に酸化ケイ素(SiO2)0.5μmを化学気相蒸着方法で蒸着した。続いて、前記懸濁液を前記酸化ケイ素膜上に800rpmでスピンコーティングした。続いて、25℃の温度で懸濁液を乾燥して溶媒を除去した。次に、前記基板をプラズマチャンバーに置いて酸素気体(O2)及びアルゴン気体(Ar)を供給して、ポリスチレン微粒子をプラズマエッチングした。この時、酸素気体(O2)及びアルゴン気体(Ar)は、各々2sccm及び5sccmの流量で供給し、RF(radio frequency)200Wであった。プラズマエッチングによってポリスチレン微粒子のサイズは約0.3μmに小さくなった。続いて、前記エッチングされたポリスチレン微粒子をマスクとして酸化シリコン膜を乾式エッチングした。乾式エッチングは、ICP(inductive coupled plasma)エッチング装置でCHF3を使用して行った。この時、CHF3は20sccmの流量で供給し、チャンバー圧力は50mT、ICP出力は500Wであり、2分ずつ3回行った。続いて、常圧プラズマチャンバーで酸素気体(O2)及びアルゴン気体(Ar)を供給して、残っているポリスチレン微粒子を除去した。
図4はポリスチレン微粒子を除去した後の凹凸部を示した電子走査顕微鏡(SEM)写真である。
図4を参照すると、ポリスチレン微粒子を除去した後のSiO2の凹凸部を確認することができる。
次に、エッチングされた酸化シリコン膜上に窒化ケイ素を化学気相蒸着方法で5000Åに蒸着して平坦化した。
図5は窒化ケイ素を蒸着した後に平坦化された表面を示した電子走査顕微鏡(SEM)写真である。
図5を参照すると、平坦化された表面を確認することができる。
続いて、窒化ケイ素膜上にITOをスパッタリングで形成した後、パターニングして、正孔注入層及び正孔伝達層としてNPB(N、N-di(naphthalene-1-yl)-N、N-diphenyl-benzidine)を蒸着し、その上に発光層としてAlq3(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)にクマリン6(coumarin 6)を1重量%ドーピングして共蒸着し、その上に電子伝達層としてAlq3を蒸着し、その上に電子注入をスムーズにするためにLiF電子注入層及びAl負極を順に蒸着して、有機発光素子を製造した。
(実施例2)
ガラス基板上にポリアクリル2.0μmをスピンコーティングで形成した後、乾燥した。続いて、基板をプラズマチャンバーに置いてアルゴン気体(Ar)及び窒素気体(N2)を供給して、プラズマエッチングを行った。この時、プラズマエッチングは、アルゴン気体(Ar)40sccm、窒素気体(N2)3sccmの流量で供給し、チャンバー圧力は200mT、ICP出力は400W、エッチング時間は5分であった。
ガラス基板上にポリアクリル2.0μmをスピンコーティングで形成した後、乾燥した。続いて、基板をプラズマチャンバーに置いてアルゴン気体(Ar)及び窒素気体(N2)を供給して、プラズマエッチングを行った。この時、プラズマエッチングは、アルゴン気体(Ar)40sccm、窒素気体(N2)3sccmの流量で供給し、チャンバー圧力は200mT、ICP出力は400W、エッチング時間は5分であった。
このようなエッチングによる有機膜表面の粗度を原子顕微鏡(atomic force microscopy、AFM)を使用して確認した。
図3は本発明の第2実施形態により製造された有機発光表示装置における凹凸部を原子顕微鏡で観察した写真である。
図3を参照すると、凹凸部112aの高さは約200乃至500Åであり、基板全面に不規則に分布していることを確認することができた。
続いて、実施例1と同様に窒化ケイ素膜、ITO、発光層、及び銀を順に積層して、有機発光素子を製造した。
(実施例3)
ガラス基板上に酸化ケイ素(SiO2)0.5μmを化学気相蒸着方法で積層した。続いて、酸化ケイ素膜上に電子ビーム蒸着器を使用して5nmの厚さのNi層を蒸着した。その後、基板を急速熱処理(rapid thermal annealing、RTA)装置に置いて850℃で1分間処理して、ナノサイズのNiクラスタを形成した。続いて、Niクラスタをマスクとして反応性イオンエッチング(reactive ion etching、RIE)で酸化ケイ素膜をエッチングした。続いて、硝酸溶液を使用してNiクラスタを除去した。
ガラス基板上に酸化ケイ素(SiO2)0.5μmを化学気相蒸着方法で積層した。続いて、酸化ケイ素膜上に電子ビーム蒸着器を使用して5nmの厚さのNi層を蒸着した。その後、基板を急速熱処理(rapid thermal annealing、RTA)装置に置いて850℃で1分間処理して、ナノサイズのNiクラスタを形成した。続いて、Niクラスタをマスクとして反応性イオンエッチング(reactive ion etching、RIE)で酸化ケイ素膜をエッチングした。続いて、硝酸溶液を使用してNiクラスタを除去した。
続いて、実施例1と同様に窒化ケイ素膜、ITO、発光層、及び銀を順次に積層して、有機発光素子を製造した。
以上で、本発明の望ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属する。
110 絶縁基板
111 下部膜
112,114 薄膜
112a 凹凸部
191,270 電極
370 有機発光部材
50a 有機微粒子
111 下部膜
112,114 薄膜
112a 凹凸部
191,270 電極
370 有機発光部材
50a 有機微粒子
Claims (16)
- 基板、
前記基板上に形成されて、表面に凹凸部を有する第1薄膜、
前記第1薄膜上に形成されて、前記凹凸部を平坦化する第2薄膜、
前記第2薄膜上に形成されている第1電極、
前記第1電極上に形成されている発光部材、及び
前記第1電極上に形成されている第2電極を含むことを特徴とする、有機発光表示装置。 - 前記第1薄膜及び前記第2薄膜は屈折率が互いに異なることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記第1薄膜及び前記第2薄膜の屈折率は各々1.1乃至3であることを特徴とする、請求項2に記載の有機発光表示装置。
- 前記第1薄膜及び前記第2薄膜の屈折率の差は少なくとも0.2であることを特徴とする、請求項3に記載の有機発光表示装置。
- 前記第1薄膜の屈折率は1.6乃至2.2であり、
前記第2薄膜の屈折率は1.3乃至1.6であることを特徴とする、請求項2に記載の有機発光表示装置。 - 前記第1薄膜の屈折率は1.3乃至1.6であり、
前記第2薄膜の屈折率は1.6乃至2.2であることを特徴とする、請求項2に記載の有機発光表示装置。 - 前記第1薄膜は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリアクリル、ポリイミド、またはこれらの組み合わせを含み、
前記第2薄膜は、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、またはこれらの組み合わせを含むことを特徴とする、請求項2に記載の有機発光表示装置。 - 前記凹凸部は、不規則に分布していることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 基板上に凹凸部を有する第1薄膜を形成する段階、
前記第1薄膜上に前記凹凸部を平坦化する第2薄膜を形成する段階、
前記第2薄膜上に第1電極を形成する段階、
前記第1電極上に発光部材を形成する段階、及び
前記発光部材上に第2電極を形成する段階を含むことを特徴とする、有機発光表示装置の製造方法。 - 前記凹凸部を有する前記第1薄膜を形成する段階は、
前記第1薄膜を積層する段階、
前記第1薄膜上に第1サイズの有機微粒子を含む分散液を塗布する段階、
前記分散液を乾燥させる段階、
前記有機微粒子をエッチングして、前記第1サイズより小さい第2サイズの有機微粒子を形成する段階、及び
前記第2サイズの有機微粒子をマスクとして前記第1薄膜をエッチングする段階を含むことを特徴とする、請求項9に記載の有機発光表示装置の製造方法。 - 前記有機微粒子は球形状からなることを特徴とする、請求項10に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記有機微粒子はポリスチレンを含むことを特徴とする、請求項10に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記有機微粒子をエッチングする段階は、プラズマを使用することを特徴とする、請求項10に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第1薄膜をエッチングする段階は、反応性イオンエッチングで行うことを特徴とする、請求項10に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記凹凸部を有する前記第1薄膜を形成する段階は、
有機物質を含む前記第1薄膜を積層する段階、及び
前記第1薄膜の表面をプラズマ処理する段階を含むことを特徴とする、請求項9に記載の有機発光表示装置の製造方法。 - 前記第1薄膜を積層する段階後に、前記第1薄膜上に金属クラスタを適用する段階をさらに含み、
前記第1薄膜の表面をプラズマ処理する段階は、前記金属クラスタをマスクとして行うことを特徴とする、請求項15に記載の有機発光表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2009-0111630 | 2009-11-18 | ||
KR1020090111630A KR20110054841A (ko) | 2009-11-18 | 2009-11-18 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011108632A true JP2011108632A (ja) | 2011-06-02 |
Family
ID=43416993
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010186210A Pending JP2011108632A (ja) | 2009-11-18 | 2010-08-23 | 有機発光表示装置及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9203052B2 (ja) |
EP (1) | EP2325916A1 (ja) |
JP (1) | JP2011108632A (ja) |
KR (1) | KR20110054841A (ja) |
CN (1) | CN102097597A (ja) |
TW (1) | TWI538187B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101302350B1 (ko) * | 2012-02-10 | 2013-08-30 | 노바테크인더스트리 주식회사 | 광 추출용 투명기판의 제조방법 |
WO2014175578A1 (ko) * | 2013-04-22 | 2014-10-30 | 엔라이팅 주식회사 | 광 추출 기판의 제조방법 |
KR101498418B1 (ko) * | 2013-04-22 | 2015-03-05 | 엔라이팅 주식회사 | 고 효율 광 추출용 나노구조 기판의 제조방법 |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101842586B1 (ko) * | 2011-04-05 | 2018-03-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101873476B1 (ko) | 2011-04-11 | 2018-07-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN102255055B (zh) * | 2011-06-29 | 2013-02-20 | 彩虹(佛山)平板显示有限公司 | 一种oled生产工艺中减少氮气用量的方法 |
TWI477824B (zh) * | 2011-12-27 | 2015-03-21 | Asahi Kasei E Materials Corp | Optical substrate and light emitting device |
DE102012200084B4 (de) * | 2012-01-04 | 2021-05-12 | Pictiva Displays International Limited | Strahlungsemittierendes organisches bauteil |
KR101289844B1 (ko) * | 2012-01-18 | 2013-07-26 | 한국전자통신연구원 | 유기 발광 소자 |
KR20130108027A (ko) * | 2012-03-23 | 2013-10-02 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자소자용 기판의 제조방법 |
CN102629669B (zh) * | 2012-03-29 | 2015-01-07 | 西安交通大学 | 一种以多孔氧化铝为模板制备亚微米级结构的oled制造工艺 |
KR101602418B1 (ko) * | 2012-04-06 | 2016-03-10 | 코닝정밀소재 주식회사 | 광추출 효율이 향상된 유기 발광소자용 기판, 그 제조방법 및 이를 구비하는 유기 발광소자 |
US8921841B2 (en) * | 2012-05-09 | 2014-12-30 | Samsung Corning Precision Materials Co., Ltd. | Porous glass substrate for displays and method of manufacturing the same |
US9991463B2 (en) * | 2012-06-14 | 2018-06-05 | Universal Display Corporation | Electronic devices with improved shelf lives |
EP2871688B1 (en) * | 2012-07-31 | 2022-09-21 | LG Chem, Ltd. | Substrate for organic electronic device |
US9246036B2 (en) * | 2012-08-20 | 2016-01-26 | Universal Display Corporation | Thin film deposition |
FR2995141B1 (fr) * | 2012-08-31 | 2014-08-15 | Saint Gobain | Procede de fabrication d’une electrode transparente par gravure a travers un masque de microbilles |
WO2014077422A1 (ko) * | 2012-11-14 | 2014-05-22 | 주식회사 엘지화학 | 투명 도전성막 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
KR101428790B1 (ko) * | 2012-11-16 | 2014-08-08 | 부산대학교 산학협력단 | 투명 전극층을 습식 식각하여 광추출 효율을 향상시킨 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 |
US9711744B2 (en) * | 2012-12-21 | 2017-07-18 | 3M Innovative Properties Company | Patterned structured transfer tape |
JP5988216B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2016-09-07 | 王子ホールディングス株式会社 | 有機発光ダイオード、有機発光ダイオード用基板およびその製造方法 |
KR20150006263A (ko) * | 2013-07-08 | 2015-01-16 | 한국전자통신연구원 | 전자소자 및 그 제조방법 |
DE102013111785A1 (de) * | 2013-10-25 | 2015-04-30 | Osram Oled Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes |
US20170170434A1 (en) * | 2013-11-27 | 2017-06-15 | Neoview Kolon Co., Ltd. | Method for manufacturing substrate, substrate, method for manufacturing organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device |
KR101537187B1 (ko) * | 2014-02-27 | 2015-07-15 | 엔라이팅 주식회사 | 광 추출 효율을 향상시킨 나노구조 기판의 제조방법 |
TWI545823B (zh) | 2014-03-05 | 2016-08-11 | 群創光電股份有限公司 | 有機發光二極體及使用其之顯示面板 |
CN104167240B (zh) * | 2014-06-13 | 2017-02-01 | 南方科技大学 | 一种透明导电基板及其制备方法和有机电致发光器件 |
KR20160025681A (ko) * | 2014-08-27 | 2016-03-09 | 한국전자통신연구원 | 광산란층의 제조 방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
KR101616637B1 (ko) * | 2014-10-20 | 2016-04-29 | 엔라이팅 주식회사 | 플라즈몬 손실을 방지한 광 추출 기판의 제조방법 |
CN105118848B (zh) * | 2015-09-22 | 2018-03-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种有机发光显示器件 |
CN105576148B (zh) * | 2016-01-04 | 2018-03-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板的封装方法 |
CN106654046B (zh) * | 2016-12-20 | 2018-08-14 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
JP2018157054A (ja) * | 2017-03-17 | 2018-10-04 | 株式会社東芝 | 光検出素子、および光検出器 |
US20180331324A1 (en) * | 2017-05-10 | 2018-11-15 | a.u. Vista Inc. | Light out-coupling in organic light-emitting diodes (oled) |
CN110767817A (zh) * | 2018-07-25 | 2020-02-07 | Tcl集团股份有限公司 | 集成发光器件及其制备方法 |
KR102640404B1 (ko) | 2018-10-18 | 2024-02-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 표시장치의 제조방법 |
US20220375844A1 (en) * | 2021-05-24 | 2022-11-24 | Intel Corporation | Inorganic redistribution layer on organic substrate in integrated circuit packages |
Family Cites Families (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0795602B2 (ja) * | 1989-12-01 | 1995-10-11 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
US6091195A (en) * | 1997-02-03 | 2000-07-18 | The Trustees Of Princeton University | Displays having mesa pixel configuration |
US6638601B1 (en) * | 2000-10-13 | 2003-10-28 | Robert A. Follensbee | Coated abrasive having laminate backing material and method of making the same |
TW527848B (en) * | 2000-10-25 | 2003-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Light-emitting element and display device and lighting device utilizing thereof |
WO2002037568A1 (en) | 2000-11-02 | 2002-05-10 | 3M Innovative Properties Company | Brightness and contrast enhancement of direct view emissive displays |
US20020197875A1 (en) * | 2001-06-21 | 2002-12-26 | Prime View International Co., Ltd. | Method for controlling profile formation of low taper angle in metal thin film electorde |
JP2003115377A (ja) * | 2001-10-03 | 2003-04-18 | Nec Corp | 発光素子、その製造方法およびこれを用いた表示装置 |
EP1443527A4 (en) * | 2001-10-19 | 2007-09-12 | Asahi Glass Co Ltd | SUBSTRATE WITH TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND PHOTOELECTRIC IMPLEMENTATION ELEMENT |
US20030117067A1 (en) * | 2001-12-21 | 2003-06-26 | Daniel B. Roitman | OLED having improved light extraction efficiency |
JP3782357B2 (ja) | 2002-01-18 | 2006-06-07 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の製造方法 |
US6833667B2 (en) * | 2002-02-27 | 2004-12-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and image forming apparatus or portable terminal unit using thereof |
JP2003340289A (ja) | 2002-05-30 | 2003-12-02 | Tosoh Corp | 光触媒組成物 |
AUPS327002A0 (en) * | 2002-06-28 | 2002-07-18 | Kabay & Company Pty Ltd | An electroluminescent light emitting device |
KR100907422B1 (ko) | 2002-12-31 | 2009-07-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치에 사용되는 반사판 및 그 제조방법 |
WO2004089042A1 (ja) | 2003-03-12 | 2004-10-14 | Mitsubishi Chemical Corporation | エレクトロルミネッセンス素子 |
TWI221340B (en) * | 2003-05-30 | 2004-09-21 | Ind Tech Res Inst | Thin film transistor and method for fabricating thereof |
US20050082562A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-21 | Epistar Corporation | High efficiency nitride based light emitting device |
US7916254B2 (en) * | 2003-10-27 | 2011-03-29 | Hitachi Displays, Ltd. | Liquid crystal display apparatus for performing alignment process by irradiating light |
KR100576854B1 (ko) | 2003-12-20 | 2006-05-10 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 제조 방법과 이를 이용한 질화물 반도체 |
TWM265766U (en) * | 2004-09-16 | 2005-05-21 | Super Nova Optoelectronics Cor | Structure of GaN light emitting device |
KR20070049211A (ko) * | 2004-09-30 | 2007-05-10 | 가부시끼가이샤 도시바 | 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치 |
JP4511440B2 (ja) * | 2004-10-05 | 2010-07-28 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機発光素子及び有機発光素子の製造方法 |
US7504770B2 (en) * | 2005-02-09 | 2009-03-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Enhancement of light extraction with cavity and surface modification |
KR20060131534A (ko) * | 2005-06-16 | 2006-12-20 | 삼성전기주식회사 | 요철 구조를 포함하는 발광 소자 및 그 제조 방법 |
JP5032017B2 (ja) * | 2005-10-28 | 2012-09-26 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置 |
KR20070076738A (ko) | 2006-01-19 | 2007-07-25 | 삼성전자주식회사 | 나노임프린트 리소그라피 공정 및 이를 이용한 반투과형표시 장치의 형성 방법 |
JP4937605B2 (ja) * | 2006-03-07 | 2012-05-23 | 太陽誘電株式会社 | 弾性境界波デバイス |
JP2007287486A (ja) | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Aitesu:Kk | 透明基板と電極の間に微細構造体を有する有機el素子 |
US7851995B2 (en) * | 2006-05-05 | 2010-12-14 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent device having improved light output |
US20070264424A1 (en) * | 2006-05-12 | 2007-11-15 | Nanoopto Corporation | Lens arrays and methods of making the same |
US7638356B2 (en) * | 2006-07-11 | 2009-12-29 | The Trustees Of Princeton University | Controlled growth of larger heterojunction interface area for organic photosensitive devices |
US7955889B1 (en) * | 2006-07-11 | 2011-06-07 | The Trustees Of Princeton University | Organic photosensitive cells grown on rough electrode with nano-scale morphology control |
US20080067929A1 (en) * | 2006-09-19 | 2008-03-20 | Wintek Corporation | Organic electroluminescent device and fabrication method thereof |
JP2008153159A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-03 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
FR2913972B1 (fr) | 2007-03-21 | 2011-11-18 | Saint Gobain | Procede de fabrication d'un masque pour la realisation d'une grille |
US20090015142A1 (en) * | 2007-07-13 | 2009-01-15 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film for organic light emitting diode display devices |
JP4852008B2 (ja) | 2007-07-31 | 2012-01-11 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
US20100310828A1 (en) | 2007-11-16 | 2010-12-09 | Ulvac, Inc. | Substrate processing method and substrate processed by this method |
JP5283926B2 (ja) * | 2008-02-25 | 2013-09-04 | 株式会社東芝 | 光透過型金属電極およびその製造方法 |
JP5543692B2 (ja) * | 2008-03-21 | 2014-07-09 | 株式会社東芝 | 有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置および照明装置 |
WO2009125472A1 (ja) * | 2008-04-07 | 2009-10-15 | パイオニア株式会社 | 発光素子及び表示パネル |
JP2012009619A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Toshiba Corp | 発光素子および半導体ウェーハ |
-
2009
- 2009-11-18 KR KR1020090111630A patent/KR20110054841A/ko not_active Application Discontinuation
-
2010
- 2010-08-23 JP JP2010186210A patent/JP2011108632A/ja active Pending
- 2010-11-15 US US12/946,771 patent/US9203052B2/en active Active
- 2010-11-16 EP EP10191279A patent/EP2325916A1/en not_active Ceased
- 2010-11-17 CN CN2010105516738A patent/CN102097597A/zh active Pending
- 2010-11-18 TW TW099139639A patent/TWI538187B/zh active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101302350B1 (ko) * | 2012-02-10 | 2013-08-30 | 노바테크인더스트리 주식회사 | 광 추출용 투명기판의 제조방법 |
WO2014175578A1 (ko) * | 2013-04-22 | 2014-10-30 | 엔라이팅 주식회사 | 광 추출 기판의 제조방법 |
KR101498418B1 (ko) * | 2013-04-22 | 2015-03-05 | 엔라이팅 주식회사 | 고 효율 광 추출용 나노구조 기판의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102097597A (zh) | 2011-06-15 |
TWI538187B (zh) | 2016-06-11 |
EP2325916A1 (en) | 2011-05-25 |
US9203052B2 (en) | 2015-12-01 |
TW201130128A (en) | 2011-09-01 |
KR20110054841A (ko) | 2011-05-25 |
US20110114931A1 (en) | 2011-05-19 |
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---|---|---|---|
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