KR20150006263A - 전자소자 및 그 제조방법 - Google Patents

전자소자 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20150006263A
KR20150006263A KR20130079840A KR20130079840A KR20150006263A KR 20150006263 A KR20150006263 A KR 20150006263A KR 20130079840 A KR20130079840 A KR 20130079840A KR 20130079840 A KR20130079840 A KR 20130079840A KR 20150006263 A KR20150006263 A KR 20150006263A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
substrate
electrode
auxiliary
light extracting
Prior art date
Application number
KR20130079840A
Other languages
English (en)
Inventor
이정익
이종희
조두희
한준한
이건웅
한중탁
김도근
정성훈
Original Assignee
한국전자통신연구원
한국기계연구원
한국전기연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자통신연구원, 한국기계연구원, 한국전기연구원 filed Critical 한국전자통신연구원
Priority to KR20130079840A priority Critical patent/KR20150006263A/ko
Priority to US14/269,609 priority patent/US9123914B2/en
Publication of KR20150006263A publication Critical patent/KR20150006263A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light

Abstract

전자소자 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명의 개념에 따른 전자소자는 기판 상에 배치되는 보조배선들, 상기 기판 상에 제공되며, 상기 보조배선들 사이에 채워진 광추출층, 상기 보조배선들 및 상기 광추출층 상에 제공된 제1 전극을 포함하되, 상기 광추출층은 상기 기판을 향하는 제1 면 및 상기 제1 면과 대향되는 제2 면을 가지며, 상기 제1 면은 돌출부들을 가지고, 상기 보조배선은 상기 제1 전극보다 낮은 저항을 가지는 물질을 포함할 수 있다. 전자소자는 전기적 특성이 향상되어, 균일한 발광특성을 구현할 수 있다.

Description

전자소자 및 그 제조방법{Electric Device And Method Of Fabricating The Same}
본 발명은 전자소자에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 전자소자용 기판의 제조방법에 관한 것이다.
최근 환경 문제가 크게 대두됨에 따라 수은, 납 등의 중금속을 사용하지 않는 유기발광소자(OLEDs)를 광원으로 이용한 기술이 친환경 차세대 조명으로 관심을 받고 있다. 유기발광소자는 유기발광물질을 전기적으로 여기(exciting)시켜 발광시키는 자체 발광형 소자이다. 유기발광소자는 기판, 애노드, 캐소드 및 유기발광층을 포함한다. 유기발광 소자는 넓은 시야각, 빠른 응답속도, 얇은 두께, 낮은 제조 비용 및 높은 콘트라스트(contrast) 등과 같은 우수한 디스플레이 특성을 갖는다. 유기발광소자의 기술이 발전함에 따라, 광원의 내부 양자 효율(Internal quantum efficiency)이 향상되고 있다. 그러나, 유기발광소자는 전체 발광량 중 약 25% 만이 소자의 외부로 방출되고, 나머지 75%는 유기발광소자 내부에 고립되는 문제점을 가지고 있다.
본 발명의 해결하고자 하는 일 기술적 과제는 전기적 특성이 개선된 전자소자에 관한 것이다.
본 발명의 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 균일한 발광특성을 구현하는 전자소자에 관한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 전자소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 개념에 따른 전자소자의 제조방법은 보조 배선들이 형성된 지지기판을 제공하는 것; 상기 지지기판 상에 상기 보조 배선들 사이를 채우며, 제1 면 및 상기 제1 면과 대향되며 상기 지지기판을 향하는 제2 면을 가지는 광추출층을 형성하는 것; 상기 광추출층의 제1 면 상에 기판을 형성하는 것; 상기 지지기판을 제거하며, 상기 광추출층의 제2 면을 노출시키는 것; 및 상기 광추출층의 제2 면 상에 제1 전극, 중간층, 및 제2 전극을 차례로 형성하는 것을 포함할 수 있다. 는 전자소자 제조방법.
일 실시예에 따르면, 상기 지지기판을 제거하는 것은 상기 보조배선들을 노출시키는 것을 포함하며, 상기 제1 전극은 상기 보조배선들 및 상기 광추출층의 제2 면과 접촉할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 광추출층을 형성하는 것은 상기 제1 면에 불규칙한 크기 또는 형상을 가지는 돌출부들을 형성하는 것을 포함하되, 상기 돌출부들은 상기 보조배선들보다 좁은 평균너비를 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 보조배선은 상기 기판을 향하는 일면; 및 상기 일면과 대향되고, 상기 광추출층의 제2 면과 평행한 타면;을 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 보조배선의 일면은 상기 광추출층의 제1 면보다 낮은 레벨 가져, 상기 기판과 이격될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 광추출층의 굴절률은 1.7 내지 2.1일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 광추출층은 상기 보조배선보다 더 낮은 높이를 가지며, 상기 보조배선은 상기 기판으로 연장되어, 상기 기판과 접촉할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 기판을 형성하는 것은 상기 광추출층의 제1 면을 덮는 평탄층을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 평탄층의 굴절률은 1.3 내지 1.7일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 광추출층을 형성하는 것은 상기 지지기판 상에 복합물질층을 형성하는 것; 상기 복합물질층을 덮는 금속막을 형성하는 것; 상기 금속막을 열처리하여, 상기 복합물질층을 노출시키는 마스크를 형성하는 것; 그리고 상기 복합물질층을 식각하여, 상기 돌출부들을 형성하는 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 개념에 따른 전자소자는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 보조배선들; 상기 기판 상에 제공되며, 상기 보조배선들 사이에 채워진 광추출층; 상기 보조배선들 및 상기 광추출층 상에 제공된 제1 전극; 그리고 상기 제1 전극 상에 차례로 적층된 중간층 및 제2 전극을 포함하되, 상기 광추출층은 상기 기판을 향하는 제1 면 및 상기 제1 면과 대향되는 제2 면을 가지며, 상기 제1 면은 돌출부들을 가지고, 상기 보조배선은 상기 제1 전극보다 낮은 저항을 가지는 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극은 상기 보조배선 및 상기 광추출층과 접촉하며, 상기 광추출층은 상기 보조배선들의 최상면을 노출시킬 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 돌출부들은 불규칙한 형상, 크기, 또는 간격을 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 상기 보조배선들 사이의 너비는 상기 돌출부들의 평균 너비보다 넓을 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 보조배선들의 최하면은 상기 기판과 이격될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제2 면은 상기 보조배선의 최하면보다 높은 레벨을 가지고, 상기 보조배선은 상기 기판 내로 연장되어, 상기 기판과 접할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 전극 및 상기 중간층 사이에 개재된 기능층을 더 포함하며, 상기 제1 전극은 상기 보조배선들 사이로 연장될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 광추출층의 굴절률은 1.7 내지 2.1일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 기판 및 상기 광추출층 사이에 개재되어, 상기 돌출부들을 덮는 평탄층을 더 포함하되, 상기 평탄층의 굴절률은 1.3 내지 1.7일 수 있다.
본 발명의 전자소자는 광추출층에 내에 제공된 보조배선들을 포함할 수 있다. 광추출층은 불규칙한 돌출부들을 가져, 전자소자의 광추출효율을 향상시킬 수 있다. 보조배선들은 제1 전극보다 낮은 저항을 가지는 물질을 포함할 수 있다. 보조배선들을 포함하는 전자소자는 보조배선이 생략된 경우에 비하여, 전기적 특성이 개선되어, 균일한 휘도를 구현할 수 있다.
본 발명의 전자소자 제조방법에 따르면, 플렉서블한 기판이 광추출층 상에 용이하게 형성될 수 있다.
본 발명의 보다 완전한 이해와 도움을 위해, 참조가 아래의 설명에 첨부도면과 함께 주어져 있고 참조번호가 이래에 나타나 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전자소자를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1을 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 자른 단면도들이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ영역을 확대하여 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자소자를 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전자소자를 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자소자를 도시한 단면도이다.
도 7는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자소자를 도시한 단면도이다.
도 8 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자소자의 제조방법을 도시한 단면도들이다.
도 13 내지 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자소자의 제조방법을 도시한 단면도들이다.
도 16 및 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전자소자의 제조방법을 도시한 단면도들이다.
도 18은 본 발명의 비교예 및 실험예의 휘도를 평가한 결과를 나타낸 그래프이다.
본 발명의 구성 및 효과를 충분히 이해하기 위하여, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다. 그러나 본 발명은, 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라, 여러가지 형태로 구현될 수 있고 다양한 변경을 가할 수 있다. 단지, 본 실시예들의 설명을 통해 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다. 당해 기술분야에서 통상의 기술을 가진 자는 본 발명의 개념이 어떤 적합한 환경에서 수행될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 ‘포함한다(comprises)’ 및/또는 ‘포함하는(comprising)’은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
본 명세서에서 어떤 막(또는 층)이 다른 막(또는 층) 또는 기판상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 막(또는 층) 또는 기판상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 막(또는 층)이 개재될 수도 있다.
본 명세서의 다양한 실시 예들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 영역, 막들(또는 층들) 등을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 영역, 막들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 소정 영역 또는 막(또는 층)을 다른 영역 또는 막(또는 층)과 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에의 제1막질로 언급된 막질이 다른 실시 예에서는 제2막질로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다
본 발명의 실시예들에서 사용되는 용어들은 다르게 정의되지 않는 한, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 통상적으로 알려진 의미로 해석될 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 전자소자를 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자소자를 도시한 단면도이다. 도 2는 도 1을 Ⅰ-Ⅰ'을 따라 자른 단면도들이다. 도 3는 도 2의 Ⅲ영역을 확대하여 도시한 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 전자소자(1)는 기판(100), 보조배선들(200), 광추출층(300), 제1 전극(400), 중간층(500), 및 제2 전극(600)을 포함할 수 있다. 전자소자(1)는 유기발광소자, 유기정보소자, 유기 태양전지, 또는 유기 전자식별(RFID)과 같은 장치일 수 있다.
기판(100)은 플랙서블하며, 빛을 투과시킬 수 있다. 기판(100)은 플라스틱 기판일 수 있다. 기판(100)은 경화성 고분자, 예를 들어, 폴리이미드, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene phthalate, PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC), 또는 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthalate, PEN)를 포함할 수 있다.
광추출층(300)이 기판(100) 상에 제공될 있다. 광추출층(300)은 서로 대향하는 제1 면(300a) 및 제2 면(300b)을 가질 수 있다. 돌출부들(310)이 제1 면(300a)에 형성될 있다. 돌출부들(310)는 불규칙한 모양, 크기, 및/또는 간격을 가질 수 있다. 일 예로, 돌출부들(310)은 불규칙한 모양의 기둥형상을 가지며, 각질 수 있다. 다른 예로, 돌출부들(310)은 불규칙하게 라운드질 수 있다. 광추출층(300)이 돌출부들(310)을 가짐에 따라, 전자소자(1)의 발광효율이 향상될 수 있다. 다른 예로, 광추출층(300)은 나노파티클을 포함하여, 전자소자(1)의 광추출효율을 향상시킬 수 있다. 광추출층(300)은 유기물(예를 들어, 폴리이미드) 및 무기물(예를 들어, 티타늄 또는 지르코늄) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 광추출층(300)은 1.7 내지 2.1의 굴절률을 가질 수 있다. 이에 따라, 전자소자(1)는 광추출층(300)이 생략된 경우보다, 광추출효율이 개선될 수 있다.
보조배선들(200)은 광추출층(300) 내에 제공될 수 있다. 광추출층(300)은 보조배선들(200)의 상면을 노출시킬 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 보조배선들(200)의 평면은 그리드 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 평면적 관점에서, 보조배선들(200)은 일 방향으로 연장된 제1 배선들(201) 및 상기 일 방향과는 다른 타 방향으로 연장된 제2 배선들(203)을 포함할 수 있다. 보조배선들(200)은 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 보조배선들(200)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 크롬(Cr), 또는 구리(Cu)와 같은 금속물질, 은(Ag) 나노 와이어와 같은 메탈섬유물질, 탄소섬유 또는 그래핀 복합체와 같은 탄소물질을 포함할 수 있다. 보조배선들(200)은 제1 전극(400)보다 낮은 저항, 예를 들어, 10 ohm/sq보다 낮은 저항을 가질 수 있다. 이에 따라, 전자소자(1)에서 전압강하(IR drop) 현상이 방지되어, 전자소자(1)가 균일한 발광휘도를 구현할 수 있다.
도 3을 도 2와 함께 참조하면, 보조배선들(200)의 평균 너비(W1)는 돌출부들(310)들의 너비(W2)의 평균값보다 넓을 수 있다. 예를 들어, 보조배선들(200)의 평균너비(W1)는 0.1 내지 500μm, 돌출부들(310)의 평균너비(W2)는 100nm 내지 1000nm일 수 있다. 보조배선들(200) 사이의 간격(D1)은 돌출부들(311) 사이의 간격(D2)의 평균값보다 넓을 수 있다. 예를 들어, 보조배선들(200) 사이의 간격(D1)은 10nm 내지 100μm, 돌출부들(300) 사이의 간격(D2)은 50nm 내지 5μm일 수 있다. 보조배선들(200)의 높이(H1)는 돌출부들(310)의 높이(H2)의 평균값보다 클 수 있다. 보조배선들(200)의 높이(H1)는 1μm 내지 200μm일 수 있다. 돌출부들(310)은 100nm 내지 1000nm의 평균 높이를 가질 수 있다. 보조배선들(200)은 일면(200a) 및 타면(200b)을 가질 수 있다. 보조배선들(200)의 타면(200b)은 광추출층(300)의 제2 면(300b)과 동일 또는 유사한 레벨을 가져, 제2 면(300b)과 평행할 수 있다. 예를 들어, 제2 면(300b) 및 타면(200b)은 대략 0.01nm 내지 5nm의 rms 거칠기(rms roughness)를 가질 수 있다. 제2 면(300b) 및 타면(200b)은 0.01 내지 20nm의 피크 투 벨리값(peak to valley)을 가질 수 있다. 보조배선들의 제1 면(200a)은 광추출층의 제1 면(300a)보다 높은 레벨을 가질 수 있다. 이에 따라, 제1 면(200a)은 광추출층(300)과 접하며, 기판(100)과 이격될 수 있다. 보조배선들(200)의 높이(H1)는 광추출층(300)의 높이(H3)보다 낮을 수 있다.
도 2를 다시 참조하면, 제1 전극(400)이 광추출층(300) 상에 제공될 수 있다. 제1 전극(400)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(400)은 인듐 틴 옥사이드(ITO)와 같은 투명 전도 산화물, 은 나노와이어와 같은 메탈 섬유류, 탄소 섬유류, 그래핀 복합체, 또는 전도성 고분자 물질 등을 포함할 수 있다.
중간층(500)이 제1 전극(400) 상에 제공되어, 제1 전극(400)을 덮을 수 있다. 일 예로, 중간층(500)은 유기발광물질을 포함하여, 유기발광층의 역할을 수행할 수 있다. 이 경우, 전자소자(1)는 유기발광소자 또는 유기 전자식별(RFID)과 같은 장치일 수 있다. 중간층(500)은 유기발광물질 내에 도펀트를 더 포함할 수 있다. 다른 예로, 중간층(500)은 반도체 물질을 포함하여, 광흡수층의 역할을 할 수 있다. 이 경우, 전자소자(1)는 입사된 태양광으로부터 전기 에너지를 발생시켜, 태양전지의 기능을 할 수 있다. 중간층(500)은 앞서 말한 물질들에 제한되지 않는다.
제2 전극(600)이 중간층(500) 상에 제공되어, 중간층(500)을 덮을 수 있다. 제2 전극(600)을 도전성 물질, 예를 들어, 금속을 포함할 수 있다. 제1 전극(400) 및 제2 전극(600) 중에서 어느 하나는 캐소드이고, 다른 하나는 애노드일 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자소자를 도시한 단면도이다. 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다.
도 4를 도 1과 함께 참조하면, 전자소자(2)는 기판(100), 보조배선들(200), 광추출층(300), 제1 전극(400), 중간층(500), 및 제2 전극(600)을 포함할 수 있다. 평탄층(350)이 기판(100) 및 광추출층(300) 사이에 개재될 수 있다. 평탄층(350)의 굴절률은 광추출층(300)의 굴절률보다 작을 수 있다. 평탄층(350)의 굴절률은 기판(100)의 굴절률보다 작을 수 있다. 예를 들어, 평탄층(350)은 대략 1.3 내지 1.7, 바람직하게는 1.4 내지 1.6의 굴절률을 가질 수 있다. 평탄층(350)을 포함하는 전자소자(2)는 평탄층(350)이 생략된 경우에 비하여, 광추출층(300)과의 굴절률 차이가 증가될 수 있다. 이에 따라, 전자소자(2)는 광산란능이 증가되고, 광추출효율이 향상될 수 있다. 평탄층(350)은 광추출층(300)을 평탄하게 하는 역할을 하여, 광추출층(300)을 보호할 수 있다. 따라서, 평탄층(350)을 포함하는 전자소자(2)는, 광평탄층(350)이 생략된 경우에 비하여 전기적 특성의 저하가 방지될 수 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전자소자를 도시한 단면도이다. 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다.
도 5를 도 1과 함께 참조하면, 전자소자(3)는 기판(100), 평탄층(350), 광추출층(300), 보조배선들(200), 제1 전극(400), 중간층(500), 및 제2 전극(600)을 포함할 수 있다. 다른 예로, 평탄층(350)은 생략될 수 있다.
보조배선들(200)은 도 1에서 도시한 바와 같이 그리드 형상의 평면을 가질 수 있다. 보조배선들(200)은 광추출층(300)에 내에 제공될 수 있다. 보조배선들(200)은 기판(100)으로 연장되어, 기판(100)과 접촉할 수 있다. 일면(200a)은 제1 면(300a)과 동일하거나 더 낮은 레벨을 가질 수 있다. 보조배선들(200)의 일면(200a)은 기판(100)과 접할 수 있다. 보조배선들(200)의 높이(H1)는 광추출층(300)의 높이(H3)보다 높을 수 있다. 보조배선들(200)의 너비, 높이, 및, 간격은 각각 돌출부들(310)들의 너비, 높이, 및 간격의 평균값보다 클 수 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전자소자를 도시한 단면도이다. 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다.
도 6을 참조하면, 전자소자(4)는 기판(100), 평탄층(350), 광추출층(300), 보조배선들(200), 제1 전극(400), 기능층(410), 중간층(500), 및 제2 전극(600)을 포함할 수 있다. 기판(100), 평탄층(350), 광추출층(300), 보조배선들(200), 중간층(500), 및 제2 전극(600)은 도 3 및/또는 도 4의 예로써 설명한 바와 동일 또는 유사할 수 있다. 다른 예로, 평탄층(350)은 생략될 수 있다.
기능층(410)이 제1 전극(400) 및 중간층(500) 사이에 개재될 수 있다. 기능층(410)은 전도성 나노소재를 포함하여, 제1 전극(400)의 전도도를 향상시킬 수 있다. 기능층(410)은 제1 전극(400)의 일함수 및 표면 조도를 제어하는 역할을 수행할 수 있다. 전자소자(4)는 기능층(410)이 생략된 경우에 비하여, 제1 전극(400) 및 중간층(500) 사이의 홀의 이동 및/또는 주입이 향상될 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전자소자를 도시한 단면도이다. 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다.
도 7을 참조하면, 전자소자(5)는 기판(100), 평탄층(350), 광추출층(300), 보조배선들(200), 제1 전극(400), 기능층(410), 중간층(500), 및 제2 전극(600)을 포함할 수 있다. 보조배선들(200) 및 광추출층(300)은 도 3 및/또는 도 4의 예로써 설명한 바와 동일 또는 유사할 수 있다. 다른 예로, 평탄층(350)은 생략될 수 있다.
제1 전극(400)은 보조배선들(200) 및 광추출층(300) 상에 제공될 수 있다. 제1 전극(400)은 보조배선들(200)의 사이로 연장되어, 보조 배선들(200)의 측면의 상부와 접촉할 수 있다. 제1 전극(400)의 최하면(400a)은 보조배선들(200)의 타면(200b)보다 낮은 레벨을 가질 수 있다. 보조배선들(200)의 타면(200b)은 광추출층(300)의 제2 면(300b)보다 높은 레벨을 가질 수 있다. 이에 따라, 제1 전극(400) 및 보조 배선들(200) 사이의 접촉 면적이 증가하여, 제1 전극(400)이 보조배선들(200)에 양호하게 부착될 수 있다. 제1 전극(400)은 도 2의 예로서 설명한 도전성 물질을 포함할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 전자소자의 제조방법을 설명한다. 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다.
도 8 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자소자의 제조방법을 도시한 단면도들이다.
도 8을 참조하면, 보조배선들(200)을 포함하는 지지기판(110)이 준비될 수 있다. 지지기판(110)이 세척 및 플라즈마 처리(예를 들어, 산소 플라즈마 처리)될 수 있다. 플라즈마 처리된 지지기판(110)은, 플라즈마 처리되기 전의 지지기판(110)보다 친수성을 띌 수 있다. 폴리머 용액이 지지기판(110) 상에 도포되어, 지지기판(110)을 덮는 희생막(111)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 희생막(111)은 폴리비닐알콜 용액을 지지기판(110) 상에 스핀코팅하여 형성될 수 있다. 희생막(111)은 대략 700nm의 두께를 가지도록 형성할 수 있다. 보조배선들(200)은 열증착, 진공 증착(예를 들어, 스퍼터링), 또는 프린팅(예를 들어, 그라이버 프린팅(Gravure printing), 잉크젯 전기수력학(electrohydrodynamic, EHD) 프린팅, 또는 잉크젯 프린팅)하여 형성될 수 있다. 보조배선은 전도성물질을 포함할 수 있다. 보조배선들(200)의 평면은 도 1의 예로써 설명한 바와 같은 그리드 형상을 가질 수 있다. 보조배선들(200)이 열처리되어, 그 높이가 조절될 수 있다. 예를 들어, 보조배선들(200)은 대략 1μm 내지 200μm의 높이를 가질 수 있다.
도 9를 참조하면, 복합물질층(320) 및 금속 마스크(330)가 지지기판(110)상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 유기물이 무기물과 혼합되어, 유무기 복합재료가 제조될 수 있다. 이 때, 폴리머가 유기물로, 산화티타늄(TiO2)과 같은 산화물이 무기물로 사용될 수 있다. 유무기 복합재료는 1.7 내지 2.1 굴절률을 가질 수 있다. 유무기 복합재료가 보조배선들(200) 상에 코팅되어, 복합물질층(320)이 형성될 수 있다. 복합물질층(320)은 보조배선들(200) 사이에 형성되며, 보조배선들(200)을 덮을 수 있다. 복합물질층(320)은 대략 100nm 내지 1000nm의 높이를 가질 수 있다. 금속층(331)이 복합물질층(320) 상에 형성될 수 있다. 금속층(331)이 열처리되어, 유무기 복합물질층(320) 상에 금속 마스크(330)가 형성될 수 있다. 금속 마스크(330)는 금속층(331)과 복합물질층(320)의 비젖음 현상에 의하여 형성될 수 있다. 비젖음 현상은 비젖음 성질을 가지는 물질이 표면상에 도포된 필름 상태에서 부분적으로 움푹 들어가거나 불쑥 튀어 나온 모양으로 불균일한 패턴이 형성되는 것을 말한다. 금속 마스크(330) 는 불규칙한 모양, 크기, 및/또는 배열을 가지며, 유무기 복합층의 일부를 노출시킬 수 있다. 금속 마스크(330)의 두께, 물질, 열처리 조건(예를 들어, 시간, 온도, 및/또는 분위기), 복합물질층(320)의 물질 등을 조절하여, 금속 마스크(330)의 형상 및/또는 간격이 제어될 수 있다.
도 10을 참조하면, 돌출부들(310)을 가지는 광추출층(300)이 보조배선들(200) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 복합물질층(도 7에서 320)이 금속 마스크(도 7에서 330)를 사용하여 식각되어, 광추출층(300)이 형성될 수 있다. 돌출부들(310)은 제1 면(300a) 상에 제공되며, 불규칙한 형상, 크기, 및/또는 간격을 가질 수 있다. 일 예로, 광추출층(300)의 높이(H3)는 보조배선들(200)의 높이(H1)보다 높아, 보조배선들(200)을 덮을 수 있다. 보조배선들(200) 및 광추출층(300)은 도 2의 예로써 설명한 바와 동일 또는 유사할 수 있다. 금속 마스크(도 7에서 330)는 플라즈마 처리 또는 산처리에 의해 제거되어, 돌출부들(310)이 노출될 수 있다.
도 11을 참조하면, 평탄층(350) 및 기판(100)이 광추출층(300) 상에 차례로 형성될 수 있다. 예를 들어, 폴리머가 광추출층(300) 상에 도포되어, 평탄층(350)이 형성될 수 있다. 평탄층(350)은 광추출층(300)의 제1 면(300a) 상에 형성되어, 돌출부들(310)을 덮을 수 있다. 평탄층(350)은 대략 1.3 내지 1.7, 바람직하게는 1.4 내지 1.6의 굴절률을 가질 수 있다. 다른 예로, 평탄층(350)의 형성은 생략될 수 있다. 기판(100)이 평탄층(350) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판(100)은 평탄층(350) 상에 경화성 고분자를 도포 및 경화시켜 형성될 수 있다. 일 예로, 경화성 고분자의 도포는 그라이버 프린팅, 전기수력학(EHD) 프린팅, 또는 잉크젯 프린팅과 같은 프린팅 방법에 의하여 진행될 수 있다. 경화공정은 빛을 조사하거나, 열을 가하여 수행될 수 있다. 기판(100)은 2 내지 400μm의 두께를 가지도록 형성될 수 있다. 지지기판(110)이 제거되어, 보조배선들의 타면(200b) 및 광추출층의 제2 면(300b)이 노출될 수 있다. 예를 들어, 희생막(111)이 물에 녹아, 지지기판(110)이 보조배선들(200) 및 광추출층(300)으로부터 분리될 수 있다. 이 때, 광추출층(300)의 제2 면(300b) 및 보조배선들(200)의 타면(200b)은 대략 0.01nm 내지 5nm의 거칠기(rms roughness) 및/또는 0.01 내지 20nm의 피크 투 벨리값(peak to valley)을 가질 수 있다.
도 12를 참조하면, 제1 전극(400), 중간층(500), 및 제2 전극(600)이 광추출층(300) 및 보조배선들(200) 상에 차례로 형성될 수 있다. 광추출층의 제2 면(300b)이 보조배선의 타면(200b)과 평행하게 형성됨에 따라, 제1 전극(400)은 광추출층(300) 및 보조배선들(200)에 양호하게 부착될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(400)은 탄소나노튜브용액과 같은 투명 전도 물질을 광추출층 및 보조 배선들 상에 도포하여 형성될 수 있다. 일 예로, 탄소나노튜브용액의 제조는 단일벽 탄소나노튜브를 계면활성제용액에 첨가하여 혼합액을 제조하는 것, 및 혼합액을 초음파분산기(sonicator)를 사용하여 분산시키는 것, 및 혼합액의 상층액을 분리하는 것을 포함할 수 있다. 제1 전극(400), 중간층(500), 및 제2 전극(600)은 도 1 및 도 2의 예로써 설명한 바와 동일 또는 유사할 수 있다.
도 13 내지 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자소자의 제조방법을 도시한 단면도들이다. 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다.
도 13을 참조하면, 희생막(111) 및 보조배선들(200)이 차례로 형성된 지지기판(110)이 준비될 수 있다. 지지기판(110) 상에 광추출층(300)이 형성되어, 보조배선들(200) 사이를 채울 수 있다. 광추출층(300)의 제1 면(300a)은 보조배선들(200)의 일면(200a)보다 낮은 레벨을 가지도록 형성될 수 있다. 광추출층(300)의 높이(H3)는 보조배선들(300)의 높이(H1)보다 낮을 수 있다. 이에 따라, 광추출층(300)은 보조배선들의 일면(200a)을 노출시킬 수 있다. 광추출층(300)은 도 9 및 10의 예로써 설명한 바와 동일 또는 유사한 방법에 의해 형성될 수 있다.
도 14를 참조하면, 평탄층(350) 및 기판(100)이 보조배선들(200) 및 광추출층(300) 상에 차례로 형성될 수 있다. 평탄층(350) 및 기판(100)은 앞서 설명한 바와 동일 또는 유사한 방법에 의해 형성될 수 있다. 기판(100)은 광추출층(300) 뿐만 아니라 보조배선들(200)을 덮을 수 있다. 기판(100)은 보조배선들(200) 사이로 연장되어, 보조배선들(200)과 접촉할 수 있다. 희생막(111) 및 지지기판(110)이 제거되어, 보조배선들(200) 및 광추출층(300)이 노출될 수 있다.
도 15를 참조하면, 제1 전극(400), 중간층(500), 및 제2 전극(600)이 광추출층(300) 및 보조배선들(200) 상에 차례로 형성될 수 있다. 제1 전극(400), 중간층(500), 및 제2 전극(600)은 앞서 설명한 바와 동일 또는 유사할 수 있다. 지금까지 설명한 제조예에 의하여, 도 5에서 설명한 전자소자(3)의 제조가 완성될 수 있다.
도 16 및 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자소자의 제조방법을 도시한 단면도들이다. 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다.
도 16을 참조하면, 제1 전극(400)이 기판(100) 상에 형성될 수 있다. 일 예로, 평탄층(350), 광추출층(300), 및 보조배선들(200)이 형성된 기판(100)이 제공될 수 있다. 평탄층(350), 광추출층(300), 및 보조배선들(200)은 앞서 설명한 바와 동일 또는 유사한 방법에 의하여 형성될 수 있다. 일 예로, 제1 전극(400)은 탄소나노튜브용액과 같은 투명 전도 물질을 광추출층 및 보조 배선들 상에 도포하여 형성할 수 있다. 이 때, 용매가 보조 배선들(200) 상에 도포되어, 보조배선들(200)의 체적이 조절될 수 있다. 앞서 설명한 바와 달리, N-메틸-피롤리딘(N-Methyl-pyrrolidone, NMP)과 같은 유기용매에 용해된 전도성물질(예를 들어, 탄소나노튜브)을 사용하여, 제1 전극(400)이 제조될 수 있다. 이에 따라, 제1 전극(400)은 보조배선들(200) 사이로 연장되어, 각각의 보조배선들(200)의 측면들의 적어도 일부와 접할 수 있다.
도 17을 참조하면, 기능층(410), 중간층(500), 및 제2 전극(600)이 제1 전극(400) 상에 차례로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(400) 상에 티타늄 이소프로폭사이드 및 아세틸아세톤을 포함하는 코팅액을 도포하여, 기능층(410)이 형성될 수 있다. 중간층(500) 및 제2 전극(600)의 형성은 앞서 도 12의 예로써 설명한 바와 동일 또는 유사할 수 있다. 지금까지 설명한 제조예에 의하여, 도 7에서 설명한 전자소자(5)의 제조가 완성될 수 있다.
이하, 본 발명의 실험예들을 참조하여, 본 발명의 개념에 따른 전자소자의 제조방법을 보다 상세하게 설명한다.
<실험예: 전자소자의 제조>
기판의 준비
유리기판이 지지기판으로 사용되었다. 유리기판이 세척되고, 산소 플라즈마 처리될 수 있다. 폴리비닐알콜(90,000 내지 120,000의 분자량, 99% 순도, Sigma-Aldrich사)이 증류수에 첨가되어, 10 중량%의 폴리비닐알콜 용액이 제조될 수 있다. 폴리비닐알콜 용액이 1000 rpm 조건에서 60초 동안 유리 기판 상에 스핀 코팅될 수 있다. 유리기판이 90 ℃의 핫플레이트에서 5분간 열처리되어, 희생막이 유리 기판 상에 형성된다. 희생막은 약 700nm의 두께를 가질 수 있다.
보조배선의 형성
은 나노 페이스트가 희생막 상에 코팅되어, 은 배선이 형성된다. 은 페이스트의 코팅은 그라비어 오프셋(Gravure Offset) 장비를 사용하여 진행된다. 은 배선이 핫플레이트에서 1시간동안 열처리하여, 은 배선의 두께가 1μm 내지 4 μm로 조절된다.
광추출층의 형성
산화티타늄(TiO2)과 폴리머를 혼합하여, 유무기복합재료가 제조된다. 유무기복합재료가 은 배선 및 희생막 상에 코팅되어, 복합물질층이 형성된다. 금속막이 복합물질층 상에 증착된다. 금속막을 가열기에 넣고 열처리하여, 금속 마스크가 형성된다. 복합물질층이 금속 마스크를 사용하여 반응성 이온 식각되어, 광추출층이 형성된다. 금속 마스크는 질산 등의 산용액 또는 염소화합물을 사용한 플라즈마에 의하여 제거된다. 광추출층 상에 고분자가 도포되어, 평탄층이 제조될 수 있다.
기판의 형성
경화성 폴리머(noa74: norland Optical Adhensives 74)가 닥터 블레이딩 방법에 의하여, 평탄층 상에 액체 상태로 도포된다. 365nm 파장의 자외선이 평탄층 상에 조사되어, 도포된 경화성 폴리머가 경화된다. 이에 따라, 폴리머 기판이 형성된다. 폴리머 기판이 물에 담그어져, 희생막이 제거된다. 이에 따라, 유리 기판이 분리되고, 은 배선 및 광추출층이 노출된다.
제1 전극, 중간층, 및 제2 전극의 형성
단일벽 탄소나노튜브 1㎎이 1%농도의 계면활성제용액 100㎖에 첨가되어 혼합액이 제조된다. 혼합액이 초음파분산기(sonicator)를 사용하여 1시간 동안 처리된 후, 원심분리기를 이용하여 1000rpm조건에서 30분 동안 처리된다. 혼합액의 상층액이 분리되어, 탄소나노튜브 용액이 제조된다. 탄소나노튜브 용액이 스프레이 코터에 의해 보조배선 상에 도포되어, 투명전도막이 형성된다. 이 후, 투명전도막은 증류수에 의해 세척되어, 표면에 남아있는 계면활성제용액이 제거된다. 티타늄 이소프로폭사이드 50mg가 아세틸아세톤 30mg에 첨가되고, 1시간동안 교반되어, 코팅액이 제조된다. 코팅액이 투명전도막 상에 졸겔법에 의해 코팅되어, 제1 전극이 형성될 수 있다. 중간층 및 제2 전극이 제1 전극 상에 차례로 형성될 수 있다. 실험예의 전자소자는 360cm의 너비를 가진다.
제1 전극, 중간층, 및 제2 전극의 형성
단일벽 탄소나노튜브 1㎎이 1%농도의 계면활성제용액 100㎖에 첨가되어 혼합액이 제조된다. 혼합액이 초음파분산기(sonicator)를 사용하여 1시간 동안 처리된 후, 원심분리기를 이용하여 1000rpm조건에서 30분 동안 처리된다. 혼합액의 상층액이 분리되어, 탄소나노튜브 용액이 제조된다. 탄소나노튜브 용액이 스프레이 코터에 의해 보조배선 상에 도포되어, 투명전도막이 형성된다. 이 후, 투명전도막은 증류수에 의해 세척되어, 표면에 남아있는 계면활성제용액이 제거되어, 제1 전극의 제조가 완성된다. 티타늄 이소프로폭사이드 50mg가 아세틸아세톤 30mg에 첨가되고, 1시간동안 교반되어, 코팅액이 제조된다. 코팅액이 제1 전극 상에 졸겔법에 의해 코팅되어, 기능층이 형성될 수 있다. 중간층 및 제2 전극이 기능층 상에 차례로 형성될 수 있다. 실험예의 전자소자는 360cm의 너비를 가진다.
<비교예>
실험예와 동일하게 전자소자를 제조하였다. 다만, 비교예에서 금속 배선 및 광흡수층의 형성이 생략된다.
도 18을 본 발명의 비교예 및 실험예의 휘도를 평가한 결과를 나타낸 그래프이다. 휘도 평가는 전자소자의 가장자리에 전원을 공급하면서, 단면적에 따른 비교예 및 실시예의 휘도를 측정하여 수행되었다.
도 18을 도 3과 함께 참조하면, 실험예(A)는 비교예(B)보다 균일한 휘도를 나타내는 것을 알 수 있다. 비교예(B)는 전압강하(IR drop)현상에 의하여, 가장자리(c)보다 중심부(b)에서 휘도가 감소하는 것을 확인할 수 있다. 전압강하(IR drop)란 전자소자(1)에서 전압이 입력되는 부위에서 가까운 영역(c)과 먼 영역(a, b)에서 전압 차이가 발생하는 것을 말한다. 실험예(A)는 제1 전극(400)보다 낮은 저항을 가지는 보조배선(200)에 의해 전압강하(IR drop) 현상이 방지될 수 있다. 이에 따라, 실험예(A)에서 중심부(a)의 휘도가 가장자리(c)의 휘도와 동일 또는 유사함을 확인할 수 있다. 본 발명의 전자소자(1)는 전기적 특성이 향상되며, 균일한 발광을 구현할 수 있다.

Claims (19)

  1. 보조 배선들이 형성된 지지기판을 제공하는 것;
    상기 지지기판 상에 상기 보조 배선들 사이를 채우며, 제1 면 및 상기 제1 면과 대향되며 상기 지지기판을 향하는 제2 면을 가지는 광추출층을 형성하는 것;
    상기 광추출층의 제1 면 상에 기판을 형성하는 것;
    상기 지지기판을 제거하며, 상기 광추출층의 제2 면을 노출시키는 것; 및
    상기 광추출층의 제2 면 상에 제1 전극, 중간층, 및 제2 전극을 차례로 형성하는 것을 포함하는 전자소자 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 지지기판을 제거하는 것은 상기 보조배선들을 노출시키는 것을 포함하며,
    상기 제1 전극은 상기 보조배선들 및 상기 광추출층의 제2 면과 접촉하는 전자소자 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 광추출층을 형성하는 것은 상기 제1 면에 불규칙한 크기 또는 형상을 가지는 돌출부들을 형성하는 것을 포함하되, 상기 돌출부들은 상기 보조배선들보다 좁은 평균너비를 가지는 전자소자 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 보조배선은:
    상기 기판을 향하는 일면; 및
    상기 일면과 대향되고, 상기 광추출층의 제2 면과 평행한 타면;
    을 가지는 전자소자 제조방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 보조배선의 일면은 상기 광추출층의 제1 면보다 낮은 레벨 가져, 상기 기판과 이격되는 전자소자 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 광추출층의 굴절률은 1.7 내지 2.1인 전자소자 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 광추출층은 상기 보조배선보다 더 낮은 높이를 가지며,
    상기 보조배선은 상기 기판으로 연장되어, 상기 기판과 접촉하는 전자소자 제조방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 기판을 형성하는 것은:
    상기 광추출층의 제1 면을 덮는 평탄층을 형성하는 것을 더 포함하는 전자소자 제조방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 평탄층의 굴절률은 1.3 내지 1.7인 전자소자 제조방법.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 광추출층을 형성하는 것은:
    상기 지지기판 상에 복합물질층을 형성하는 것;
    상기 복합물질층을 덮는 금속막을 형성하는 것;
    상기 금속막을 열처리하여, 상기 복합물질층을 노출시키는 마스크를 형성하는 것; 그리고
    상기 복합물질층을 식각하여, 상기 돌출부들을 형성하는 것을 포함하는 전자소자 제조방법.
  11. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 보조배선들;
    상기 기판 상에 제공되며, 상기 보조배선들 사이에 채워진 광추출층;
    상기 보조배선들 및 상기 광추출층 상에 제공된 제1 전극; 그리고
    상기 제1 전극 상에 차례로 적층된 중간층 및 제2 전극을 포함하되,
    상기 광추출층은 상기 기판을 향하는 제1 면 및 상기 제1 면과 대향되는 제2 면을 가지며, 상기 제1 면은 돌출부들을 가지고,
    상기 보조배선은 상기 제1 전극보다 낮은 저항을 가지는 물질을 포함하는 전자소자.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 제1 전극은 상기 보조배선 및 상기 광추출층과 접촉하며,
    상기 광추출층은 상기 보조배선들의 최상면을 노출시키는 전자소자.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 돌출부들은 불규칙한 형상, 크기, 또는 간격을 가지는 전자소자.
  14. 제 11항에 있어서,
    상기 상기 보조배선들 사이의 너비는 상기 돌출부들의 평균 너비보다 넓은 전자소자.
  15. 제 11항에 있어서,
    상기 보조배선들의 최하면은 상기 기판과 이격되는 전자소자.
  16. 제 11항에 있어서,
    상기 제2 면은 상기 보조배선의 최하면보다 높은 레벨을 가지고,
    상기 보조배선은 상기 기판 내로 연장되어, 상기 기판과 접하는 전자소자.
  17. 제 11항에 있어서,
    상기 제1 전극 및 상기 중간층 사이에 개재된 기능층을 더 포함하며,
    상기 제1 전극은 상기 보조배선들 사이로 연장된 전자소자.
  18. 제 11항에 있어서,
    상기 광추출층의 굴절률은 1.7 내지 2.1인 전자소자.
  19. 제 11항에 있어서,
    상기 기판 및 상기 광추출층 사이에 개재되어, 상기 돌출부들을 덮는 평탄층을 더 포함하되, 상기 평탄층의 굴절률은 1.3 내지 1.7인 전자소자.
KR20130079840A 2013-07-08 2013-07-08 전자소자 및 그 제조방법 KR20150006263A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130079840A KR20150006263A (ko) 2013-07-08 2013-07-08 전자소자 및 그 제조방법
US14/269,609 US9123914B2 (en) 2013-07-08 2014-05-05 Electronic device and method of fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130079840A KR20150006263A (ko) 2013-07-08 2013-07-08 전자소자 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150006263A true KR20150006263A (ko) 2015-01-16

Family

ID=52132165

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20130079840A KR20150006263A (ko) 2013-07-08 2013-07-08 전자소자 및 그 제조방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9123914B2 (ko)
KR (1) KR20150006263A (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150144928A1 (en) * 2013-11-26 2015-05-28 The Regents Of The University Of Michigan BURIED GRID FOR OUTCOUPLING WAVEGUIDED LIGHT IN OLEDs
TWI545823B (zh) * 2014-03-05 2016-08-11 群創光電股份有限公司 有機發光二極體及使用其之顯示面板
CN106575662B (zh) * 2014-05-15 2020-04-07 乐金显示有限公司 有机发光元件
EP3210250B1 (en) 2014-10-24 2020-10-07 Corning Incorporated Oleds with improved light extraction using enhanced guided mode coupling
US10236398B2 (en) * 2015-07-06 2019-03-19 Electronics And Telecommunications Research Institute Method for manufacturing transparent electrode
KR102144865B1 (ko) 2015-08-13 2020-08-18 한국전자통신연구원 유기발광소자 및 그 제조 방법
KR102456121B1 (ko) * 2015-12-15 2022-10-17 엘지디스플레이 주식회사 광 제어 장치, 그를 포함한 투명표시장치, 및 그의 제조방법
DE102016105198A1 (de) * 2016-03-21 2017-09-21 Osram Oled Gmbh Organisches optoelektronisches Bauelement
CN109075265A (zh) 2016-04-05 2018-12-21 康宁公司 具有增强光提取的图案化有机发光二极管(oled)
US11251406B2 (en) 2019-03-07 2022-02-15 Vitro Flat Glass Llc Borosilicate light extraction region
KR20210079898A (ko) * 2019-12-20 2021-06-30 엘지디스플레이 주식회사 표시장치

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4073510B2 (ja) 1996-12-13 2008-04-09 出光興産株式会社 有機ｅｌ発光装置
WO2004086821A1 (ja) 2003-03-25 2004-10-07 Kyoto University 発光素子及び有機エレクトロルミネセンス発光素子
JP2005063926A (ja) 2003-06-27 2005-03-10 Toyota Industries Corp 発光デバイス
JP2005136318A (ja) 2003-10-31 2005-05-26 Shin Etsu Polymer Co Ltd フレキシブル配線基板およびその製造方法
KR100563059B1 (ko) * 2003-11-28 2006-03-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조에 사용되는레이저 열전사용 도너 필름
JP2006066264A (ja) * 2004-08-27 2006-03-09 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子、プリズム構造体付き基板の作成方法、及びプリズム構造体付き基板を用いた有機電界発光素子の製造方法
JP2007287486A (ja) 2006-04-17 2007-11-01 Aitesu:Kk 透明基板と電極の間に微細構造体を有する有機ｅｌ素子
JP2008059791A (ja) 2006-08-29 2008-03-13 Canon Inc 有機ｅｌ素子アレイ
KR101213487B1 (ko) 2006-12-04 2012-12-20 삼성디스플레이 주식회사 광추출효율이 향상된 유기전계 발광소자
KR101024376B1 (ko) 2008-06-09 2011-03-23 한국기계연구원 미세 패턴 형성 방법
KR101000120B1 (ko) 2008-07-15 2010-12-10 한국기계연구원 불규칙 나노 패턴을 가지는 디스플레이소자 및 그 제조방법
KR101081499B1 (ko) 2009-08-19 2011-11-08 광주과학기술원 무반사 나노구조의 제조방법
KR20110054841A (ko) * 2009-11-18 2011-05-25 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5894379B2 (ja) * 2010-06-18 2016-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置
KR101176885B1 (ko) * 2010-06-25 2012-08-27 서울대학교산학협력단 평탄화된 나노 구조체를 포함하는 유기발광소자 및 그 제조방법
KR101191865B1 (ko) 2011-04-20 2012-10-16 한국기계연구원 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 유연 기판
KR101871803B1 (ko) * 2011-09-06 2018-06-29 한국전자통신연구원 유기발광다이오드 및 그의 제조방법
KR20130084848A (ko) * 2012-01-18 2013-07-26 한국전자통신연구원 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자 제조 방법
KR101161301B1 (ko) 2012-05-21 2012-07-04 한국기계연구원 플라즈마를 이용한 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 유연 기판
KR101942092B1 (ko) * 2012-07-30 2019-01-25 한국전자통신연구원 유기발광소자 제조방법
KR20140017109A (ko) * 2012-07-30 2014-02-11 한국전자통신연구원 유기발광소자 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US9123914B2 (en) 2015-09-01
US20150008401A1 (en) 2015-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20150006263A (ko) 전자소자 및 그 제조방법
Zhou et al. Copper mesh templated by breath-figure polymer films as flexible transparent electrodes for organic photovoltaic devices
KR101404098B1 (ko) 금속 나노와이어-유기화합물 복합체, 이를 포함하는 필름, 및 이의 제조 방법
KR102066075B1 (ko) 플렉서블 디스플레이용 기판 및 그 제조방법
Han et al. Highly conductive transparent and flexible electrodes including double-stacked thin metal films for transparent flexible electronics
US20150179973A1 (en) Electro-optic component and method of manufacturing the same
US20120103660A1 (en) Grid and nanostructure transparent conductor for low sheet resistance applications
US9333531B2 (en) Opto-electric device and method for manufacturing the same
KR20130026910A (ko) 유기발광다이오드 및 그의 제조방법
WO2012120949A1 (ja) 透明導電膜、透明導電膜付き基材、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2011016725A1 (en) Method of manufacturing an opto-electric device
CN107405880A (zh) 透明导电层叠层用膜、其制造方法及透明导电膜
Kang et al. Flexible and mechanically robust organic light-emitting diodes based on photopatternable silver nanowire electrodes
WO2011161998A1 (ja) 有機ｅｌ素子
KR101726731B1 (ko) 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법 및 유기 광전자 컴포넌트를 패터닝하기 위한 방법
JP2015181097A (ja) 透明導電膜付き基材、透明導電パターン付き基材とその製造方法、タッチパネル、及び太陽電池
KR101682501B1 (ko) 은 나노와이어 패턴층 및 그래핀층을 포함하는 투명전극 및 그 제조방법
US9799852B2 (en) Organic light emitting diode and method of fabricating the same
Zhu et al. Highly flexible transparent micromesh electrodes via blade-coated polymer networks for organic light-emitting diodes
Wang et al. Customizable stretchable transparent electrodes based on AgNW/CNT hybrids via tailoring sizes of building blocks
KR20140133317A (ko) 은 나노와이어 및 은 격자 복합 패턴을 포함하는 투명전극 및 이의 제조방법
KR102188235B1 (ko) 유기 발광 소자의 제조 방법
KR101561321B1 (ko) 워터젯을 이용하여 패턴화된 광추출층을 포함하는 유기전자소자의 제조방법
US20130149803A1 (en) Method of fabricating organic light emitting diode
JP2012146661A (ja) インクジェット印刷を用いてラッカー層を形成する方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment