TWI525650B - 多層陶瓷電子組件 - Google Patents
多層陶瓷電子組件 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI525650B TWI525650B TW101147769A TW101147769A TWI525650B TW I525650 B TWI525650 B TW I525650B TW 101147769 A TW101147769 A TW 101147769A TW 101147769 A TW101147769 A TW 101147769A TW I525650 B TWI525650 B TW I525650B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- electrode
- oxide film
- ceramic body
- electronic component
- lead portion
- Prior art date
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 131
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 claims description 33
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 20
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 12
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 6
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 6
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GEYXPJBPASPPLI-UHFFFAOYSA-N manganese(iii) oxide Chemical compound O=[Mn]O[Mn]=O GEYXPJBPASPPLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HCMXUMGRSGICHK-UHFFFAOYSA-N [Mg].[Ni]=O Chemical compound [Mg].[Ni]=O HCMXUMGRSGICHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 3
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- -1 nickel-magnesium-manganese-oxygen Chemical compound 0.000 claims description 3
- JEMDLNFQNCQAKN-UHFFFAOYSA-N nickel;oxomanganese Chemical compound [Ni].[Mn]=O JEMDLNFQNCQAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- KVGMATYUUPJFQL-UHFFFAOYSA-N manganese(2+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Mn++].[Mn++].[Mn++] KVGMATYUUPJFQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007581 slurry coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/10—Housing; Encapsulation
- H01G2/103—Sealings, e.g. for lead-in wires; Covers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/872—Interconnections, e.g. connection electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
- H10N30/883—Additional insulation means preventing electrical, physical or chemical damage, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
Description
本申請案主張於2012年11月7日向韓國知識產權局提交之韓國第10-2012-0125174號專利申請案的優先權，其揭露的內容併入本文作為參照。
本發明相關於一種具有極佳電容量和低等效串聯電感(ESL)以及易於安裝在電路板上的多層陶瓷電子組件。
一般來說，電子組件使用一種陶瓷材料，如電容器、電感、壓電元件、壓敏電阻、或熱敏電阻、和其類似者，包括由陶瓷材料形成的陶瓷體，形成於陶瓷體內的內部電極，並且外部電極被安裝在陶瓷體的表面以被連接到內部電極。
其中的陶瓷電子組件，包括：複數層疊之介電層、彼此面對配置、且其具有插入其間之介電層的內部電極，以及和內部電極電性連接的外部電極。
多層陶瓷電容器由於相對小的尺寸、高電容、易於安裝、或其類似的優點，已被廣泛應用於作為移
動通信設備，例如計算機、個人數位助理(PDA)、移動電話、和其類似者。
最近，隨著電子產品已被小型化和多功能化，晶片組件也趨於小型化和多功能化。其結果是有需要於多層陶瓷電容器的小型化，並增加它們的電容量。
另外，多層陶瓷電容器已經有效地作為配置於在大型積體電路(LSI)方案中之電源供應電路的旁路電容器。多層陶瓷電容器須要具有能夠有效移除高頻噪訊的能力以作為旁路電容器。這種需求符合對於具有高頻率之電子設備的趨勢而已進一步增加。作為旁路電容器之多層陶瓷電容器通過焊接可被電性連接至電路板上的安裝墊，並且通過在電路板上的布線圖案或導電通孔可被連接到其它外部電路。
多層陶瓷電容器具有除電容量成份外的等效串聯電阻(ESR)和等效串聯電感(ESL)。這些等效串聯電阻和等效串聯電感成份妨礙旁路電容器的功能，特別是，等效串聯電感增加在高頻率電容器的電感，從而妨礙高頻噪訊移除特性。
(專利文件1)日本專利揭示公開號JP2011-023707
一種本發明的態樣提供了具有極佳電容量和低等效串聯電感的多層陶瓷電子組件，以及易於安裝在電
路板上。
根據本發明的一個態樣，提供多層陶瓷電子組件，包括：一陶瓷體，係包括介電層；一氧化物膜，係形成於該陶瓷體之一個表面上；一第一外部電極和一第二外部電極，係形成於該陶瓷體之該一個表面上的該氧化物膜的二側；一第一內部電極，係形成於該介電層上且包括暴露於該第一外部電極的一第一電極引出部和暴露於該氧化物膜的一第一絕緣引出部，該第一絕緣引出部具有形成於其暴露邊緣部分的一合成金屬氧化物區域，以及一第二內部電極，係配置面對於該第一內部電極，具有配置於其間的該介電層，並且包括暴露於該第二外部電極的一第二電極引出部和暴露於該氧化物膜的一第二絕緣引出部，該一第二絕緣引出部具有形成於其暴露邊緣部分的一合成金屬氧化區域並與該第一絕緣引出部重疊以形成額外電容量。
該氧化物膜完整覆蓋在該第一絕緣引出部和該第二絕緣引出部彼此重疊的區域。
該多層陶瓷電子組件可復包括配置在該氧化物膜上的絕緣層。
該氧化物膜可形成於該第一外部電極和該第二外部電極間。
該第一內部電極和該第二內部電極可暴露於該陶瓷體在寬度方向上的一個表面。
該第一內部電極和該第二內部電極可相對於
該陶瓷體的安裝表面而被垂直地配置。
該第一外部電極和該第二外部電極可形成於該陶瓷體在寬度方向上的一個表面，並且延伸到該陶瓷體在厚度方向上的一個表面或其它表面。
該多層陶瓷電子組件可復包括絕緣層，其可覆蓋該氧化物膜和該第一外部電極和該第二外部電極形成於該陶瓷體在寬度方向之一個表面上的部分。
該第一內部電極和該第二內部電極可相對於該陶瓷體的安裝表面而被平行地配置。
該氧化物膜可選自由鎂(Mg)、錳(Mn)、矽(Si)、和鈷(Co)所組成之群組中的至少一者。
該氧化物膜可選自由氧化錳(MnO)、二氧化錳(MnO2)、三氧化二錳(Mn2O3)、四氧化三錳(Mn3O4)、和氧化鎂(MgO)所組成之群組中的至少一者。
該合成金屬氧化物區域可含有鎳-鎂-氧、鎳-錳-氧、或鎳-鎂-錳-氧。
該絕緣層可包括有機樹脂、陶瓷、無機填料、玻璃、或其混合物。
根據本發明的另一個態樣，復提供多層陶瓷電子組件，包括：一陶瓷體，係包括介電層；一第一內部電極和一第二內部電極，分別具有一第一引出部和一第二引出部，該第一引出部和該第二引出部具有一重疊區域並且暴露於該陶瓷體之一個表面；一氧化物膜，係覆蓋該第一引出部和該第二引出部之該重疊區域；以及一第一外部
電極和一第二外部電極，係被分別連接於該第一引出部和該第二引出部且被形成於該氧化物膜的兩側上；其中，該第一引出部和該第二引出部具有形成於其邊緣部分的合成金屬氧化物區域，由該氧化物膜所覆蓋。
該多層陶瓷電子組件可復包括配置於該氧化物膜上的絕緣層。
根據本發明的另一個態樣，提供多層陶瓷電子組件，包括：一陶瓷體，係包括介電層；一第一內部電極，係形成於該介電層上且暴露於該陶瓷體在長度方向上之一個表面以及該陶瓷體在寬度方向上彼此相對之一個表面和另一表面；一第二內部電極，係配置面對該第一內部電極，具有在其間配置之該介電層，且暴露於該陶瓷體在長度方向上的另一表面以及該陶瓷體在寬度方向上的一個表面和另一表面；一氧化物膜，係配置於該陶瓷體在寬度方向上的一個表面和另一表面；一第一外部電極，係電性連接於該第一內部電極；以及一第二外部電極，係電性連接於該第二內部電極，其中，該第一內部電極和該第二內部電極係具有在其邊緣部分形成的一合成金屬氧化物區域，該邊緣部分暴露於寬度方向上的一個表面和另一表面。
該多層陶瓷電子組件可復包括配置於該氧化物膜上的絕緣層。
1‧‧‧第一表面
2‧‧‧第二表面
3‧‧‧第一表面
4‧‧‧第二表面
5‧‧‧第一表面
6‧‧‧第二表面
110,110'‧‧‧陶瓷體
111,111'‧‧‧介電層
121,121'‧‧‧第一內部電極
121a,121a'‧‧‧第一電極引出部
121b,121b'‧‧‧第一絕緣引出部
121c,121c'‧‧‧第一合成金屬氧化物區
122,122'‧‧‧第二內部電極
122a,122a'‧‧‧第二電極引出部
122b,122b'‧‧‧第二絕緣引出部
122c,122c'‧‧‧第二合成金屬氧化物區
131,131'‧‧‧第一外部電極
132,132'‧‧‧第二外部電極
140,140'‧‧‧氧化物膜
150,150'‧‧‧絕緣層
上述和其它態樣，本發明的特徵和其它優點將由下面的詳細描述並結合附圖而被更清楚地理解，其中：
第1圖為一示意性示出根據本發明的一個實施例之多層陶瓷電子組件的透視圖；第2圖為第1圖中陶瓷體的分解透視圖；第3A圖和第3B圖為示出如第1圖之多層陶瓷電子組件內部電極結構的截面圖；第4A圖和第4B圖為沿第1圖中A-A'線的截面圖；第5圖為沿第1圖中A-A'線的投射截面圖；第6圖為如第1圖之沿第1圖中B-B'線的截面圖；第7圖為如第1圖之沿第1圖中C1-C1'線的截面圖；第8圖為如第1圖之沿第1圖中C2-C2'線的截面圖；第9圖為根據本發明另一實施例之多層陶瓷電子組的透視圖；第10A圖和第10B圖是沿第9圖中A-A'線的截面圖；第11圖為沿第9圖中B-B'線的截面圖；第12圖為沿第9圖中C1-C1'線的截面圖；第13圖為沿第9圖中C2-C2'線的截面圖；第14圖為表示根據本發明另一實施例之多層陶瓷電子組件的透視圖；第15圖為第14圖中A-A'線的截面圖；第16圖為第14圖中B-B'線的截面圖；
在下文中，本發明的實施例將伴隨參照之附圖被詳細描述。然而，本發明可以以許多不同的形式來實施，並且不應被解釋為限於本文所闡述的實施例。更確切
地說，這些被提供之實施例將使得本揭露將是徹底和完整的，並且對本領域中的技術人員充分地傳達本發明的範圍。
在圖中，為清楚起見，組件的形狀和尺寸可能被誇大了，並且相同的參照數字將從頭到尾被用於指定相同或類似組件。
第1圖為一示意性示出根據本發明的一個實施例之多層陶瓷電子組件的透視圖，而第2圖為第1圖中陶瓷體的分解透視圖。
第3A圖和第3B圖為示出如第1圖之多層陶瓷電子組件內部電極結構的截面圖。
第4A圖和第4B圖為沿第1圖中A-A'線的截面圖；第5圖為沿第1圖中A-A'線的投射截面圖；而第6圖至第8圖為如第1圖之沿第1圖中B-B'、C1-C1'及C2-C2'線的截面圖。
參照第1至8圖，根據本發明實施例的多層陶瓷電子組件可包括含有介電層111之陶瓷體110；形成於介電層111上之內部電極121和122；以及形成於陶瓷體110之一個表面上的氧化物膜140；和外部電極131和132。
陶瓷體110可具有六面體形狀。在燒製晶片時，源於陶瓷粉末的燒製收縮，陶瓷體110可具有本質上六面體的形狀，即使它可不具有具備完美直線的六面體形狀。
為清楚解釋本發明實施例，六面體的方向將
被定義。X、Y和Z方向，如第1圖所示，分別表現了長度方向、厚度方向和寬度方向。此處，厚度方向可用作具有與介電層層疊方向相同的含義。
在本實施例的實施例中，陶瓷體110可具有寬度方向上彼此相對的第一表面1和第二表面2、長度方向上彼此相對的第三表面3和第四表面4、以及厚度方向上彼此相對的第五表面5和第六表面6。
根據本發明實施例，陶瓷體110可藉由層疊複數介電層111而形成。複數介電層111可以燒結狀態構成陶瓷體110，並可相互合併，如此其間邊界可非明顯的。
介電層111可藉由燒製含陶瓷粉末、有機溶劑、和有機黏合劑之生胚薄片形成。作為該陶瓷粉末，高K值材料，鈦酸鋇(BaTiO3)基材料，鈦酸鋸(SrTiO3)基材料，或類似的也可使用。然而，陶瓷粉末是不限於此。
根據本發明實施例，內部電極121及122可形成於陶瓷體110內的介電層111上。第3A圖和第3B圖為示出構成陶瓷體110之介電層111和形成於介電層111上之內部電極121及122的截面圖，而第4A圖和第4B圖為沿第1圖中A-A'線的截面圖。
根據本發明實施例，具有第一極性的第一內部電極121和具有第二極性的第二內部電極122可被成對形成，並且可被配置為彼此面對，具有插入其間的一個介電層111，並在厚度方向上層疊。
根據本發明實施例，第一內部電極121和第
二內部電極122可由包括導電性金屬之導電性膠漿形成。導電性金屬可為鎳(Ni)、銅(Cu)、鈀(Pd)、或它們的合金，但不限於此。
內部電極層可使用導電性膠漿而被印刷於陶瓷生胚薄片上以構成藉由如網版印刷法或凹版印刷法之印刷法的介電層111，但不限於此。具有印刷在其上之內部電極層的陶瓷生胚薄片可被交替層疊並被燒製以形成陶瓷體110。
參照第3A、3B、4A、4B圖所示，第一內部電極121和第二內部電極122可分別包括暴露於陶瓷體110的第一表面1之第一引出部121a和121b及第二引出部122a和122b。第一引出部121a和121b可包括連接到外部電極之第一電極引出部121a及未連接到外部電極之第一絕緣引出部121b。第二引出部122a和122b可包括連接到外部電極之第二電極引出部122a和與第一絕緣引出部121b重疊且未連接到外部電極的第二絕緣引出部122b。
通常，第一內部電極121和第二內部電極122形成電容量於其重疊區域，以及與具有相反極性之外部電極連接的引出部並未具有重疊區域。然而，根據本發明實施例，額外電容量可藉由包括第一絕緣引出部121b和第二絕緣引出部122b的重疊區域被形成，更具體地，第一絕緣引出部121b和第二絕緣引出部122b彼此重疊。
參見第4A和4B圖所示，具有相反極性的第一外部電極131和第二外部電極132可以在氧化物膜140
的兩側上被形成。
第一外部電極131可被形成以連接至第一內部電極121的第一電極引出部121a，其暴露於陶瓷體110之第一表面1，而第二外部電極132可被形成以連接至第二內部電極122的第二電極引出部122a，其暴露於陶瓷體110之第一表面1。
第一外部電極131可被連接到第一引出部未與第二引出部重疊的區域，而第二外部電極132可被連接到第二引出部未與第一引出部重疊的區域。
第一外部電極131可被連接到部分第一引出部以便不觸碰第二引出部，而第二外部電極132可被連接到部分第二引出部以便不觸碰第一引出部。
氧化物膜140可形成於陶瓷體110之第一表面1上，以便覆蓋整個第一引出部和第二引出部彼此重疊之重疊區域。如第5圖所示，氧化物膜140之長度可略微大於重疊區域，以防止第一內部電極121和第二內部電極122間的電氣短路。也就是說，當第一引出部和第二引出部的重疊區域長度為W1，而氧化物膜140的長度為W2時，W2可大於W1。
此外，雖然未示出，根據本發明實施例，氧化物膜140可形成為覆蓋第一引出部和第二引出部間的重疊區域，並且由第一外部電極131和第二外部電極132間可具有預定間距。
形成氧化物膜140之方法的例子可包括漿料
塗覆法、乾燥薄膜黏附法、轉印法、和其類似方法。然而，形成氧化物膜140的方法沒有特別限定，只要氧化物膜140可附著在暴露於內部電極之陶瓷體110的一個表面。
氧化物膜140可包括所有被固化為包括於內部電極之金屬成份以形成較包括於內部電極之具有更高阻抗等級之合成氧化物。例如，該氧化物膜可選自由鎂(Mg)、錳(Mn)、矽(Si)、和鈷(Co)所組成之群組中的至少一者，但不限於此。
此外，氧化物膜140可選自由氧化錳(MnO)、二氧化錳(MnO2)、三氧化二錳(Mn2O3)、四氧化三錳(Mn3O4)、和氧化鎂(MgO)所組成之群組中的至少一者，但不限於此。
氧化物膜140覆蓋第一絕緣引出部121b和第二絕緣引出部122b所暴露的邊緣部分，從而在第一絕緣引出部121b和第二絕緣引出部122b觸碰氧化物膜140之暴露的邊緣部分中形成合成金屬氧化物區域121c和122c。合成金屬氧化物區域121c和122c可藉由固化氧化物膜140成份而成為形成內部電極的金屬。更具體地，形成於第一絕緣引出部121b中之合成金屬氧化物區域可為第一合成金屬氧化物區域121c，而形成於第二絕緣引出部122b中之合成金屬氧化物區域可為第二合成金屬氧化物區域122c。
第一合成金屬氧化物區域121c和第二合成金屬氧化物區域122c可被形成為鎳-鎂-氧、鎳-錳-氧、或鎳-
鎂-錳-氧系；然而，它們不限於此，但可為各種形成內部電極之金屬和包括於氧化物膜140中成份的組合形式。
第一合成金屬氧化物區域121c和第二合成金屬氧化物區域122c可形成於氧化物膜140上，並且第一合成金屬氧化物區域121c和第二合成金屬氧化物區域122c可與氧化物膜140合併，如此其間的邊界可能不清晰可辨。氧化物膜140不需要厚，並且其厚度是足夠藉由與內部電極反應使其充份形成第一合成金屬氧化物區域121c和第二合成金屬氧化物區域122c。
在氧化物膜140過薄塗覆的情況下，氧化物膜140與第一合成金屬氧化物區域121c和第二合成金屬氧化物區域122c的成份可相同。
另外，以圖式中無曲線的完整平面來顯示氧化物膜140，然而，由於與內部電極之反應，其可具有不連續部份或曲線表面。
此外，根據本發明實施例之多層陶瓷電子組件可復包括形成於第一外部電極131和第二外部電極132之間及覆蓋氧化物膜140的絕緣層150。絕緣層150並未限定，但是可包括有機樹脂、陶瓷、無機填料、玻璃、或其混合物。
如本實施例，在第一外部電極131和第二外部電極132形成於陶瓷體110之第一表面1，以及絕緣層150配置於第一外部電極131和第二外部電極132間的情況下，陶瓷體110之第一表面1可成為安裝表面，並且第
一內部電極121和第二內部電極122相對於安裝表面(亦即多層陶瓷電子組件的第一表面1)被垂直地配置。
根據本發明實施例，重疊區域甚至被部分形成於第一內部電極121和第二內部電極122的引出部間，從而多層陶瓷電子組件之電容量可能增加。此外，由於對外部施加之極性來說第一內部電極121和第二內部電極122是彼此接近，電流迴路可能縮短，等效串聯電感(ESL)可能會降低。
氧化物膜可藉由覆蓋暴露於陶瓷體110之一個表面的內部電極引出部和彼此重疊以避免電氣短路。此外，藉由施加氧化物膜而被形成的合成金屬氧化物區域可有效避免如防潮性能惡化(或其類似)的內部缺陷，以及避免在內部電極之暴露邊緣部分的可靠性劣化。
另外，多層陶瓷電子組件可靠性可藉由額外施加絕緣層和絕緣層厚度可在按所需特性適當地被控制下被顯著提升。
此外，在本實施例中，在外部電極被形成於多層陶瓷電子組件之一個表面上的情況下，多層陶瓷電子組件可被容易地安裝於電路板上，並且安裝密度就此可得到改善。
第9至13圖示出根據本發明另一實施例的多層陶瓷電子組件。第9圖是根據本實施例之多層陶瓷電子組件的透視圖；第10A圖和第10B圖是沿第9圖中A-A'線的截面圖；而第11圖至13分別是沿第9圖中B-B'線、
第9圖中C1-C1'線和第9圖中C2-C2'線的截面圖。在下文中，組件不同於上述實施例中者可主要地被描述，以及相同組件和效應的詳細描述將被省略。
根據示於第9至13圖中之本實施例，被形成於第一表面1上之第一外部電極131和第二外部電極132可延伸至陶瓷體110在厚度方向上的一個表面或另一表面。
在這種情況下，絕緣層150可覆蓋第一外部電極131和第二外部電極132間之氧化物膜140；然而，絕緣層150可覆蓋氧化物膜140及第一外部電極131和第二外部電極132形成於陶瓷體110之第一表面1的部分。
在第一外部電極131和第二外部電極132如上所述被延伸到陶瓷體110在厚度方向上之一個表面或另一表面的情況下，陶瓷體110在厚度方向上的一個表面(第五表面5)或其他表面(第六表面6)可以是一個安裝表面，並且第一內部電極121和第二內部電極122可相對於多層陶瓷電子組件的安裝表面而被平行地配置。也就是說，第一內部電極121和第二內部電極122可平行安裝在多層陶瓷電子組件上。
儘管未示出，在本發明實施例中，第一內部電極121和第二內部電極122可暴露於陶瓷體110之第一表面1、第二表面2、第三表面3，和第四表面4之其中至少一者，並且內部電極與其暴露之表面可被提供以氧化物膜。此外，合成金屬氧化物區域可形成於內部電極引出部
之暴露邊緣部分，以及合成金屬氧化物區域可形成於氧化物膜上。另外，絕緣層可復提供於氧化物膜上。
由於合成金屬氧化物區域的描述中，氧化物膜和絕緣層之重疊係如上所描述，重疊的描述將被省略，並且與內部電極所暴露之表面數目、其位置、延伸結構和外部電極位置，及其類似者，可由在本技術領域之技術人員進行各種改變。
第14至16圖示出根據本發明另一實施例的多層陶瓷電子組件。第14圖是表示根據本發明另一實施例之多層陶瓷電子組件的透視圖，而第15和16圖則分別是沿第14圖之A-A'線和第14圖之B-B'線的截面圖。在下文中，如上所述之組件的組件相異處可主要地被描述，以及相同組件和效果之詳細描述將被省略。
參照第14至16圖，根據本發明另一個實施例，多層陶瓷電子組件可包括：包括介電層111'的陶瓷體110'；第一內部電極，形成於介電層111'上且暴露於陶瓷體110'在長度方向上之一個表面和陶瓷體110'在寬度方向上彼此相對的一個表面和另一表面；配置於面對第一內部電極的第二內部電極，具有設置於其間的介電層111'，並且暴露於陶瓷體110在長度方向上之'另一表面(其相對於在長度方向上的一個表面)以及陶瓷體110在寬度方向上的一個表面和另一表面；配置於陶瓷體110'之一個表面和另一表面上的氧化物膜140'；電性連接於第一內部電極的第一外部電極131'；以及電性連接於第二內部電極的第二
外部電極132'。
第一外部電極131'和第二外部電極132'可在本實施例中形成於不同表面上，不類似於上述實施例，在該實施例中，第一外部電極和第二外部電極形成於同一表面上。也就是說，在本實施例中的多層陶瓷電子組件可具有形成於在長度方向上彼此相對之一個表面和另一表面上的第一外部電極和第二外部電極。
在本實施例中，第一內部電極121'可包括第一電極引出部121a'和第一絕緣引出部121b'而第二內部電極122'可包括第二電極引出部122a'和第二絕緣引出部122b'。
連接於第一外部電極131'之第一電極引出部121a'可暴露於陶瓷體110'在長度方向上的一個表面，而與氧化物膜140'觸碰的第一絕緣引出部121b'係可暴露於陶瓷體110'在寬度方向上彼此相對的一個表面和另一表面。連接於第二外部電極132'之第二電極引出部122a'可暴露於陶瓷體110'在長度方向上的另一表面，而與氧化物膜140'觸碰的第二絕緣引出部122b'係可暴露於陶瓷體110'在寬度方向上彼此相對的一個表面和另一表面，類似於第一絕緣引出部121b'。
合成金屬氧化物區域121c'和122c'可形成於第一絕緣引出部121b'和第二絕緣引出部122b'觸碰於氧化物膜140'的邊緣部分。
此外，絕緣層150'可被復設置於氧化物膜140'
上。
如上文所述，根據本發明實施例，具有極佳電容量和低等效串聯電感(ESL)，以及易於安裝在電路板上的多層陶瓷電容器可被提供。
雖然與實施例連結之本發明己示出及描述，對本技術領域之技術人員顯而易見的修改和變化可以在不脫離如所附權利範圍定義之本發明的精神和範圍被製出。
1‧‧‧第一表面
2‧‧‧第二表面
3‧‧‧第一表面
4‧‧‧第二表面
5‧‧‧第一表面
6‧‧‧第二表面
110‧‧‧陶瓷體
131‧‧‧第一外部電極
132‧‧‧第二外部電極
140‧‧‧氧化物膜
150‧‧‧絕緣層
Claims (14)
- 一種多層陶瓷電子組件，係包括：一陶瓷體，係包括介電層；一氧化物膜，係形成於該陶瓷體之一個表面上；一絕緣層，係配置在該氧化物膜上；一第一外部電極和一第二外部電極，係形成於該氧化物膜的二側及該陶瓷體上該氧化物膜所形成之一個表面上的該絕緣層；一第一內部電極，係形成於該介電層上且包括暴露於該第一外部電極的一第一電極引出部和暴露於該氧化物膜的一第一絕緣引出部，該第一絕緣引出部具有形成於其暴露邊緣部分的一合成金屬氧化物區域，以及一第二內部電極，係配置面對於該第一內部電極，具有配置於其間的該介電層，並且包括暴露於該第二外部電極的一第二電極引出部和暴露於該氧化物膜的一第二絕緣引出部，該第二絕緣引出部具有形成於其暴露邊緣部分的一合成金屬氧化區域並與該第一絕緣引出部重疊以形成額外電容量。
- 如申請專利範圍第1項所述之多層陶瓷電子組件，其中，該氧化物膜係完整覆蓋該第一絕緣引出部和該第二絕緣引出部彼此重疊的一區域。
- 如申請專利範圍第1項所述之多層陶瓷電子組件，其中，該絕緣層係形成於該第一外部電極和該第二外部 電極間。
- 如申請專利範圍第1項所述之多層陶瓷電子組件，其中，該第一內部電極和該第二內部電極係在寬度方向上暴露於該陶瓷體的一個表面。
- 如申請專利範圍第1項所述之多層陶瓷電子組件，其中，該第一內部電極和該第二內部電極係相對於該陶瓷體的一安裝表面而被垂直地配置。
- 如申請專利範圍第1項所述之多層陶瓷電子組件，其中，該第一外部電極和該第二外部電極係在寬度方向上形成於該陶瓷體的一個表面上並且在厚度方向上被延長到該陶瓷體的一個表面或其它的表面。
- 如申請專利範圍第6項所述之多層陶瓷電子組件，復包括一絕緣層，係覆蓋該氧化物膜和該第一外部電極和該第二外部電極形成於該陶瓷體在寬度方向上之一個表面上的部分。
- 如申請專利範圍第6項所述之多層陶瓷電子組件，其中，該第一內部電極和該第二內部電極係相對於該陶瓷體的一安裝表面而被平行地配置。
- 如申請專利範圍第1項所述之多層陶瓷電子組件，其中，該氧化物膜係選自由鎂(Mg)、錳(Mn)、矽(Si)、和鈷(Co)所組成之群組中的至少一者。
- 如申請專利範圍第1項所述之多層陶瓷電子組件，其中，該氧化物膜係選自由氧化錳(MnO)、二氧化錳(MnO2)、三氧化二錳(Mn2O3)、四氧化三錳(Mn3O4)、 和氧化鎂(MgO)所組成之群組中的至少一者。
- 如申請專利範圍第1項所述之多層陶瓷電子組件，其中，該合成金屬氧化物區域係含有鎳-鎂-氧、鎳-錳-氧、或鎳-鎂-錳-氧。
- 如申請專利範圍第1項所述之多層陶瓷電子組件，其中，該絕緣層係包括有機樹脂、陶瓷、無機填料、玻璃、或其混合物。
- 一種多層陶瓷電子組件，係包括：一陶瓷體，係包括介電層；一第一內部電極和一第二內部電極，分別具有一第一引出部和一第二引出部，該第一引出部和該第二引出部具有一重疊區域並且暴露於該陶瓷體之一個表面；一氧化物膜，係覆蓋該第一引出部和該第二引出部之該重疊區域；一絕緣層，係配置於該氧化物膜上；以及一第一外部電極和一第二外部電極，係被分別連接於該第一引出部和該第二引出部且被形成於該氧化物膜的兩側上及該陶瓷體上該第一和第二外部電極所暴露之一個表面上的該絕緣層；其中，該第一引出部和該第二引出部具有形成於其邊緣部分的合成金屬氧化物區域，由該氧化物膜所覆蓋。
- 一種多層陶瓷電子組件，係包括： 一陶瓷體，係包括介電層；一第一內部電極，係形成於該介電層上且暴露於該陶瓷體在長度方向上之一個表面以及該陶瓷體在寬度方向上彼此相對之一個表面和另一表面；一第二內部電極，係配置面對該第一內部電極，具有在其間配置之該介電層，且暴露於該陶瓷體在長度方向上的另一表面以及該陶瓷體在寬度方向上的一個表面和另一表面；一氧化物膜，係配置於該陶瓷體在寬度方向上的一個表面和另一表面；一絕緣層，係配置於該氧化物膜上；一第一外部電極，係電性連接於該第一內部電極；以及一第二外部電極，係電性連接於該第二內部電極，其中，該第一內部電極和該第二內部電極係具有形成在其邊緣部分形成的一合成金屬氧化物區域，該邊緣部分暴露於寬度方向上的一個表面和另一表面，以及該第一和第二外部電極係形成於該氧化物膜的二側及該陶瓷體上該氧化物膜所形成之一個表面上的該絕緣層。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120125174A KR101412950B1 (ko) | 2012-11-07 | 2012-11-07 | 적층 세라믹 커패시터 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201419331A TW201419331A (zh) | 2014-05-16 |
| TWI525650B true TWI525650B (zh) | 2016-03-11 |
Family
ID=50621709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW101147769A TWI525650B (zh) | 2012-11-07 | 2012-12-17 | 多層陶瓷電子組件 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9349536B2 (zh) |
| JP (1) | JP5540452B2 (zh) |
| KR (1) | KR101412950B1 (zh) |
| CN (1) | CN103811181B (zh) |
| TW (1) | TWI525650B (zh) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9359686B1 (en) | 2015-01-09 | 2016-06-07 | Apple Inc. | Processes to reduce interfacial enrichment of alloying elements under anodic oxide films and improve anodized appearance of heat treatable alloys |
| CN104837309B (zh) * | 2015-04-16 | 2018-01-23 | 北京赛乐米克材料科技有限公司 | 一种用于电子设备的黑色陶瓷部件及其制备方法 |
| US9970080B2 (en) | 2015-09-24 | 2018-05-15 | Apple Inc. | Micro-alloying to mitigate the slight discoloration resulting from entrained metal in anodized aluminum surface finishes |
| KR102198538B1 (ko) * | 2015-12-29 | 2021-01-06 | 삼성전기주식회사 | 적층 전자 부품 |
| US10174436B2 (en) | 2016-04-06 | 2019-01-08 | Apple Inc. | Process for enhanced corrosion protection of anodized aluminum |
| US11352708B2 (en) | 2016-08-10 | 2022-06-07 | Apple Inc. | Colored multilayer oxide coatings |
| JP6851174B2 (ja) * | 2016-10-26 | 2021-03-31 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| US11242614B2 (en) | 2017-02-17 | 2022-02-08 | Apple Inc. | Oxide coatings for providing corrosion resistance on parts with edges and convex features |
| US10650974B2 (en) | 2017-03-14 | 2020-05-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
| JP6984368B2 (ja) * | 2017-03-14 | 2021-12-17 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP7019374B2 (ja) * | 2017-10-26 | 2022-02-15 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| KR102543977B1 (ko) * | 2018-08-09 | 2023-06-15 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법 |
| KR102495669B1 (ko) * | 2018-08-10 | 2023-02-03 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법 |
| US11549191B2 (en) | 2018-09-10 | 2023-01-10 | Apple Inc. | Corrosion resistance for anodized parts having convex surface features |
| JP7183051B2 (ja) * | 2019-01-22 | 2022-12-05 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| KR102248520B1 (ko) * | 2019-08-20 | 2021-05-06 | 삼성전기주식회사 | 코일 부품 |
| KR20220057735A (ko) * | 2020-10-30 | 2022-05-09 | 삼성전기주식회사 | 적층형 커패시터 |
| KR20220060286A (ko) * | 2020-11-04 | 2022-05-11 | 삼성전기주식회사 | 적층형 커패시터 |
| KR20220074109A (ko) * | 2020-11-27 | 2022-06-03 | 삼성전기주식회사 | 코일 부품 |
| JP7171796B2 (ja) * | 2021-03-09 | 2022-11-15 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4771520A (en) * | 1985-04-25 | 1988-09-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing laminated ceramic capacitors |
| SG44991A1 (en) * | 1995-11-29 | 1997-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | A ceramic electronic part and a method for manufacturing the same |
| KR100274210B1 (ko) * | 1998-11-02 | 2000-12-15 | 오세종 | 어레이형 다중 칩 부품 |
| JP2000306765A (ja) | 1999-04-20 | 2000-11-02 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
| DE10147898A1 (de) * | 2001-09-28 | 2003-04-30 | Epcos Ag | Elektrochemisches Bauelement mit mehreren Kontaktflächen |
| US6627509B2 (en) * | 2001-11-26 | 2003-09-30 | Delaware Capital Formation, Inc. | Surface flashover resistant capacitors and method for producing same |
| JP4093188B2 (ja) * | 2003-05-27 | 2008-06-04 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品とその実装構造および実装方法 |
| JP4108650B2 (ja) * | 2004-06-29 | 2008-06-25 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層コンデンサ |
| DE102004037588A1 (de) * | 2004-08-03 | 2006-02-23 | Epcos Ag | Elektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements |
| US7054137B1 (en) * | 2004-11-29 | 2006-05-30 | Kemet Electronic Corporation | Refractory metal nickel electrodes for capacitors |
| KR100587006B1 (ko) | 2004-12-23 | 2006-06-08 | 삼성전기주식회사 | 적층형 칩 커패시터 및 그 제조 방법 |
| JP2006196811A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コンデンサおよびそれを用いた複合部品 |
| MY145770A (en) | 2006-10-02 | 2012-04-13 | Shoei Chemical Ind Co | Nickel-rhenium alloy powder and conductor paste containing the same |
| US7859823B2 (en) * | 2007-06-08 | 2010-12-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multi-layered ceramic electronic component |
| JP2009026872A (ja) * | 2007-07-18 | 2009-02-05 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層コンデンサ |
| JP4953988B2 (ja) * | 2007-08-29 | 2012-06-13 | 京セラ株式会社 | 積層コンデンサおよびコンデンサ実装基板 |
| DE102007044604A1 (de) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Epcos Ag | Elektrisches Vielschichtbauelement |
| JP2011023707A (ja) | 2009-06-19 | 2011-02-03 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品 |
| KR101079478B1 (ko) * | 2009-12-30 | 2011-11-03 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 |
| US8584348B2 (en) * | 2011-03-05 | 2013-11-19 | Weis Innovations | Method of making a surface coated electronic ceramic component |
-
2012
- 2012-11-07 KR KR1020120125174A patent/KR101412950B1/ko active IP Right Grant
- 2012-12-13 JP JP2012272815A patent/JP5540452B2/ja active Active
- 2012-12-14 US US13/715,974 patent/US9349536B2/en active Active
- 2012-12-17 TW TW101147769A patent/TWI525650B/zh active
-
2013
- 2013-01-11 CN CN201310011832.9A patent/CN103811181B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20140058841A (ko) | 2014-05-15 |
| KR101412950B1 (ko) | 2014-06-26 |
| US9349536B2 (en) | 2016-05-24 |
| CN103811181B (zh) | 2017-04-26 |
| US20140125194A1 (en) | 2014-05-08 |
| JP5540452B2 (ja) | 2014-07-02 |
| CN103811181A (zh) | 2014-05-21 |
| JP2014096551A (ja) | 2014-05-22 |
| TW201419331A (zh) | 2014-05-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI525650B (zh) | 多層陶瓷電子組件 | |
| US8614877B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor | |
| US8988853B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor | |
| US8922975B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor | |
| US10163568B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor, method of fabrication thereof and circuit board having electronic component mounted thereon | |
| US8879238B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor and method of manufacturing the same | |
| US9424990B2 (en) | Multilayered ceramic capacitor and board for mounting the same | |
| US20130050899A1 (en) | Multilayer ceramic capacitor | |
| TWI512771B (zh) | 多層陶瓷電子組件及用來安裝該組件的板件 | |
| US9001491B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor and circuit board with multilayer ceramic capacitor mounted thereon | |
| US20130241361A1 (en) | Multilayer ceramic electronic component and fabrication method thereof | |
| JP2015023268A (ja) | 外部電極用導電性ペースト組成物及びこれを含む積層セラミック電子部品 | |
| JP2015038914A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JP5628351B2 (ja) | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 | |
| CN112420386A (zh) | 多层陶瓷电容器及制造多层陶瓷电容器的方法 | |
| KR102550172B1 (ko) | 전자부품 | |
| JP2014123697A (ja) | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 | |
| US20140098454A1 (en) | Multilayered ceramic electronic component and method of manufacturing the same | |
| CN112397309B (zh) | 多层电容器和其上安装有该多层电容器的板 | |
| JP2022024185A (ja) | 積層型キャパシタ及びその実装基板 |