TWI523083B - Semiconductor device manufacturing method - Google Patents

Semiconductor device manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
TWI523083B
TWI523083B TW102126454A TW102126454A TWI523083B TW I523083 B TWI523083 B TW I523083B TW 102126454 A TW102126454 A TW 102126454A TW 102126454 A TW102126454 A TW 102126454A TW I523083 B TWI523083 B TW I523083B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
laser pulse
laser
pulse
semiconductor substrate
region
Prior art date
Application number
TW102126454A
Other languages
English (en)
Chinese (zh)
Other versions
TW201407672A (zh
Inventor
若林直木
Original Assignee
住友重機械工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 住友重機械工業股份有限公司 filed Critical 住友重機械工業股份有限公司
Publication of TW201407672A publication Critical patent/TW201407672A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI523083B publication Critical patent/TWI523083B/zh

Links

Classifications

    • H10P34/42—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D12/00—Bipolar devices controlled by the field effect, e.g. insulated-gate bipolar transistors [IGBT]
    • H10D12/01—Manufacture or treatment
    • H10D12/031—Manufacture or treatment of IGBTs
    • H10D12/032—Manufacture or treatment of IGBTs of vertical IGBTs
    • H10D12/038—Manufacture or treatment of IGBTs of vertical IGBTs having a recessed gate, e.g. trench-gate IGBTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D12/00—Bipolar devices controlled by the field effect, e.g. insulated-gate bipolar transistors [IGBT]
    • H10D12/411—Insulated-gate bipolar transistors [IGBT]
    • H10D12/441—Vertical IGBTs
    • H10D12/461—Vertical IGBTs having non-planar surfaces, e.g. having trenches, recesses or pillars in the surfaces of the emitter, base or collector regions
    • H10D12/481—Vertical IGBTs having non-planar surfaces, e.g. having trenches, recesses or pillars in the surfaces of the emitter, base or collector regions having gate structures on slanted surfaces, on vertical surfaces, or in grooves, e.g. trench gate IGBTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/60—Impurity distributions or concentrations
    • H10P14/3816—
    • H10P30/20—
    • H10P95/90—
    • H10P30/204—
    • H10P30/21—

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
TW102126454A 2012-08-08 2013-07-24 Semiconductor device manufacturing method TWI523083B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012176435A JP6245678B2 (ja) 2012-08-08 2012-08-08 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201407672A TW201407672A (zh) 2014-02-16
TWI523083B true TWI523083B (zh) 2016-02-21

Family

ID=50067830

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102126454A TWI523083B (zh) 2012-08-08 2013-07-24 Semiconductor device manufacturing method

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9653299B2 (enExample)
EP (1) EP2884522B1 (enExample)
JP (1) JP6245678B2 (enExample)
KR (1) KR20140143836A (enExample)
CN (1) CN104508796B (enExample)
TW (1) TWI523083B (enExample)
WO (1) WO2014024589A1 (enExample)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI545627B (zh) * 2012-06-13 2016-08-11 住友重機械工業股份有限公司 半導體裝置的製造方法及雷射退火裝置
DE102014103749A1 (de) * 2013-12-18 2015-06-18 Rofin-Baasel Lasertech Gmbh & Co. Kg Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung eines Werkstücks
TW201528379A (zh) * 2013-12-20 2015-07-16 應用材料股份有限公司 雙波長退火方法與設備
JP6320799B2 (ja) * 2014-03-07 2018-05-09 住友重機械工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP6338512B2 (ja) * 2014-11-17 2018-06-06 住友重機械工業株式会社 半導体装置の製造方法及びレーザアニール装置
JP6497903B2 (ja) * 2014-11-25 2019-04-10 住友重機械工業株式会社 レーザアニール装置
JP6771810B2 (ja) * 2015-04-20 2020-10-21 住友重機械工業株式会社 レーザ加工装置
JP6732371B2 (ja) * 2016-03-28 2020-07-29 住友重機械工業株式会社 レーザアニール装置
DE102016008509A1 (de) * 2016-07-13 2018-01-18 Siltectra Gmbh Laserkonditionierung von Festkörpern mit Vorwissen aus vorherigen Bearbeitungsschritten
JP2018107190A (ja) 2016-12-22 2018-07-05 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法
CN109643646B (zh) * 2017-03-29 2023-05-05 富士电机株式会社 半导体装置的制造方法
JP7091714B2 (ja) * 2018-03-01 2022-06-28 株式会社デンソー 半導体装置
EP3667704A1 (en) * 2018-12-13 2020-06-17 Laser Systems & Solutions of Europe Method for thermally processing a substrate and associated system
JP7428481B2 (ja) * 2019-06-07 2024-02-06 住友重機械工業株式会社 レーザアニール方法及びレーザ制御装置
KR20230028284A (ko) 2020-06-18 2023-02-28 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 레이저어닐링장치의 제어장치 및 레이저어닐링방법
CN112435921B (zh) * 2020-11-05 2024-05-17 北京华卓精科科技股份有限公司 一种功率器件的激光退火方法和激光退火系统

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004207691A (ja) * 2002-12-11 2004-07-22 Sharp Corp 半導体薄膜の製造方法、その製造方法により得られる半導体薄膜、その半導体薄膜を用いる半導体素子および半導体薄膜の製造装置
JP4373115B2 (ja) * 2003-04-04 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
DE102004030268B4 (de) 2003-06-24 2013-02-21 Fuji Electric Co., Ltd Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelements
JP4590880B2 (ja) * 2003-06-24 2010-12-01 富士電機システムズ株式会社 半導体素子の製造方法
JP4171399B2 (ja) * 2003-10-30 2008-10-22 住友重機械工業株式会社 レーザ照射装置
US7491909B2 (en) 2004-03-31 2009-02-17 Imra America, Inc. Pulsed laser processing with controlled thermal and physical alterations
JP2006351659A (ja) * 2005-06-14 2006-12-28 Toyota Motor Corp 半導体装置の製造方法
US7943534B2 (en) * 2005-08-03 2011-05-17 Phoeton Corp. Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system
JP2007123300A (ja) * 2005-10-25 2007-05-17 Toyota Motor Corp 不純物活性化方法、レーザアニール装置、半導体装置とその製造方法
DE102008003953A1 (de) 2007-02-28 2008-09-04 Fuji Electric Device Technology Co. Ltd. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements
JP5105984B2 (ja) 2007-07-26 2012-12-26 住友重機械工業株式会社 ビーム照射装置、及び、レーザアニール方法
JP2010171057A (ja) 2009-01-20 2010-08-05 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
JP4678700B1 (ja) 2009-11-30 2011-04-27 株式会社日本製鋼所 レーザアニール装置およびレーザアニール方法
JP5307093B2 (ja) 2010-08-23 2013-10-02 株式会社日本製鋼所 半導体デバイスの製造方法
JP5641965B2 (ja) * 2011-02-09 2014-12-17 住友重機械工業株式会社 レーザアニール方法及びレーザアニール装置
TWI545627B (zh) * 2012-06-13 2016-08-11 住友重機械工業股份有限公司 半導體裝置的製造方法及雷射退火裝置
JP5963701B2 (ja) * 2013-03-27 2016-08-03 住友重機械工業株式会社 半導体アニール装置及び温度測定方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104508796A (zh) 2015-04-08
JP6245678B2 (ja) 2017-12-13
US20150170918A1 (en) 2015-06-18
KR20140143836A (ko) 2014-12-17
US9653299B2 (en) 2017-05-16
EP2884522B1 (en) 2019-04-10
JP2014036110A (ja) 2014-02-24
CN104508796B (zh) 2017-07-11
WO2014024589A1 (ja) 2014-02-13
TW201407672A (zh) 2014-02-16
EP2884522A4 (en) 2016-05-11
EP2884522A1 (en) 2015-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI523083B (zh) Semiconductor device manufacturing method
JP5641965B2 (ja) レーザアニール方法及びレーザアニール装置
KR101228488B1 (ko) 레이저 어닐링 장치 및 레이저 어닐링 방법
TWI497600B (zh) 用於積體電路製造之具有減少圖案密度效應的超快速雷射退火
KR101572717B1 (ko) 반도체장치의 제조방법 및 레이저어닐링장치
JP5105984B2 (ja) ビーム照射装置、及び、レーザアニール方法
JP6004765B2 (ja) 半導体装置の製造方法及びレーザアニール装置
JP6000015B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP5246716B2 (ja) 半導体基板の製造方法及びレーザアニール装置
JP2010272587A (ja) 半導体不純物の活性化方法
JP6338512B2 (ja) 半導体装置の製造方法及びレーザアニール装置
JP2014195004A (ja) 半導体素子の製造方法及び半導体素子の製造装置
JP6143591B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び製造装置
JP6497903B2 (ja) レーザアニール装置