TWI518211B - Method of manufacturing electroformed parts - Google Patents

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TWI518211B
TWI518211B TW103123256A TW103123256A TWI518211B TW I518211 B TWI518211 B TW I518211B TW 103123256 A TW103123256 A TW 103123256A TW 103123256 A TW103123256 A TW 103123256A TW I518211 B TWI518211 B TW I518211B
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Yoshinobu Hemmi
Takahiro Sakai
Hideaki Ozaki
Hirotada Teranishi
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Omron Tateisi Electronics Co
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Description

電鑄零件的製造方法
本發明係關於電鑄零件及其製造方法。
圖1為顯示利用習知技術例進行電鑄零件，亦即，接觸件的製造方法的斜視圖。首先，如圖1(A)所示，將導電性基材11的表面進行電解脫脂作為前處理。接著，如圖1(B)所示，在導電性基材11的表面塗布光阻劑12而成膜。在導電性基材11表面的光阻劑12上，如圖1(C)所示，利用直寫曝光(direct writing exposure)裝置沿著接觸件形狀區域以外的區域掃描雷射光13。光阻劑12為負型的情況中，光阻劑12的曝光部分為不溶性。因此，將不因顯影步驟而曝光的部分除去時，如圖1(D)所示，在光阻劑12會產生呈接觸件形狀的開口14(凹孔(cavity))。之後，利用電鑄法使金屬材料析出於導電性基材11的露出面時，就可如圖1(E)所示，在開口14內獲致電鑄零件，亦即，接觸件15。接著，如圖1(F)所示，將光阻劑12從導電性基材11剝離，並如圖1(G)所示使接觸件15自導電性基材11脫模時，就可製得標的的接觸件15。
如上述的接觸件，會有以狹窄間距一面保持絕緣性一面並排複數個的方式來使用的情形。例如專利文獻1所記載者，有使用在用以進行高密度的被測定微細 電路基板的電性檢查的探針卡的情形。專利文獻1所記載的探針卡中，係在一對基板間夾入絕緣體，並將上述接觸件逐一納入於設在絕緣體的複數個貫通孔。各基板以和絕緣體的貫通孔相對向的方式分別開設有支持孔，各接觸件的兩端則穿通於各基板的支持孔。
如上述的探針卡中，係使各接觸件的前端接觸被測定微細電路基板的電極(電極間之間距：30μ至200μm)。因此，被測定微細電路基板的電極間距縮短時，接觸件也必須隨之以更加狹窄的間距來配置才行。
但，若是如專利文獻1所記載的構造，為了使接觸件間的間距窄縮，貫通孔間或支持孔間的壁厚就必須薄化，使探針卡在強度上發生問題。而且，縱使能使貫通孔間或支持孔間的間距窄化，要將厚度薄而微小的接觸件插入於貫通孔或支持孔且使之並排的作業也很困難。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2012-132685號公報
本發明之目的在於提供接觸元件等的電鑄成形品得以保持彼此間的絕緣性，同時電鑄成形品彼此間可以狹窄間距並排的電鑄零件。再者，本發明亦提供一種用以製造該電鑄零件的電鑄零件製造方法。
本發明電鑄零件的製造方法的特徵在具有：電沉積步驟，絕緣性模框具有露出至少一部分導電性基材的開口，在前述開口內，使金屬電沉積在前述導電性基材的露出面，以製作電鑄成形品；模框除去步驟，從前述導電性基材的表面除去前述模框；絕緣被覆膜形成步驟，以絕緣被覆膜覆蓋前述電鑄成形品的表面；及絕緣被覆膜除去步驟，以前述絕緣被覆膜保留在前述電鑄成形品表面的至少一部分的方式，除去前述絕緣被覆膜。
若依本發明電鑄零件的製造方法，由於在電鑄成形品的製造步驟中，可在電鑄成形品的表面形成絕緣被覆膜，故可在電鑄成形品表面的至少一部分形成薄層的絕緣被覆膜。因此，藉由將複數個電鑄成形品以夾著絕緣被覆膜的狀態重疊，可一面確保電鑄成形品彼此間的絕緣性一面以狹窄間距將複數個電鑄成形品並排。而且，在電鑄成形品的製造步驟中，由於電鑄成形品的表面形成有絕緣被覆膜，故可在其製造步驟中使複數個電鑄成形品重疊，得以良好精度及良好產率將電鑄成形品重疊。
前述絕緣被覆膜形成步驟中，覆蓋前述電鑄成形品表面的絕緣被覆膜可為乾膜阻劑，也可為適用在電鑄成形品表面的液體阻劑。若依前者，則可將絕緣被 覆膜形成步驟簡化。
為了要製作前述模框，只要在賦予於前述導電性基材表面的絕緣性模框材料的一部分設置前述開口，使前述導電性基材的一部分露出於前述開口內即可(模框製作步驟)。此外，在前述絕緣被覆膜除去步驟後，只要將表面形成有前述絕緣被覆膜的前述電鑄成形品從前述導電性基材剝離即可。
本發明電鑄零件製造方法的某實施態樣中，前述絕緣被覆膜為感光性被覆膜，而前述絕緣被覆膜除去步驟具備：曝光步驟，在前述絕緣被覆膜形成步驟之後，以前述電鑄成形品的位置為基準，對前述絕緣被覆膜照射光，且使相當於前述電鑄成形品表面的至少一部分的區域對顯影液不溶化；及顯影步驟，將前述絕緣被覆膜中對施行顯影處理而沒有不溶化的區域的前述絕緣被覆膜除去。若依此實施態樣，可使用例如負型阻劑與光微影(photolithography)技術以良好精度使絕緣被覆膜圖案化。
本發明電鑄零件製造方法的另一實施態樣中，前述絕緣被覆膜為感光性被覆膜，而前述絕緣被覆膜除去步驟具備：曝光步驟，在前述絕緣被覆膜形成步驟之後，以前述電鑄成形品的位置為基準，對前述絕緣被覆膜照射光，使相當於前述電鑄成形品表面的至少一部分的區域以外的區域可溶化；及 顯影步驟，對前述絕緣被覆膜施行顯影處理而將可溶化的區域的前述絕緣被覆膜除去。若依此實施態樣，可使用例如正型阻劑與光微影技術以良好精度使絕緣被覆膜圖案化。
本發明的電鑄零件製造方法的另一實施態樣係具備模框製作步驟，該步驟係在賦予於前述導電性基材表面的絕緣性模框材料的一部分設置前述開口，且在前述開口內製作露出有前述導電性基材的一部分的前述模框，同時藉前述模框材料形成定位記號製作用凹部或凸部，在前述電沉積步驟中，在前述開口內製作前述電鑄成形品，同時藉由前述定位記號製作用凹部或凸部製作凸狀或凹狀的定位記號，在前述曝光步驟中，以前述定位記號的位置為基準照射光。若依此實施態樣，由於可在製作電鑄成形品時以同時製作的定位記號為基準使絕緣被覆膜圖案化，故可對電鑄成形品以良好精度執行絕緣被覆膜的定位。
本發明的電鑄零件製造方法的又另一實施態樣係具備：模框材料賦予步驟，在具有定位記號的前述導電性基材表面賦予絕緣性模框材料；及模框製作步驟，以前述定位記號的位置為基準，在前述模框材料的一部分設置前述開口，且在前述開口內製作露出前述導電性基材之一部分的前述模框，在前述曝光步驟中，以前述定位記號的位置為基準 照射光。若依此實施態樣，由於可以設在導電性基材的定位孔為基準來製作電鑄成形品，且以設在導電性基材的定位孔為基準使絕緣被覆膜圖案化，故可對電鑄成形品以良好精度進行絕緣被覆膜的定位。
本發明的電鑄零件製造方法可使用於例如屬於電鑄成形品之接觸件的製造方法。
本發明的接觸件的特徵在包含：電鑄成形品，具有：可朝對於以電鑄法形成時的電壓施加方向成垂直的方向彈性變形的彈簧部、及配置在可藉前述彈簧部和外部導體壓接的位置的端子部；及絕緣被覆膜，形成在前述電鑄成形品的對於前述電壓施加方向成垂直的主面的至少一部分。
本發明的接觸件中，由於電鑄成形品主面的至少一部分形成有絕緣被覆膜，故藉由使複數片前述電鑄成形品與前述絕緣被覆膜交替重疊，可一邊保持複數片電鑄成形品彼此間的絕緣性，一邊以狹窄間距將電鑄成形品彼此並排。此外，此處所稱主面，係指電鑄成形品的對於電鑄時的電壓施加方向成垂直的面。此外，所謂絕緣被覆膜，係指不包含電鑄成形品的氧化膜等者。
本發明接觸件的某實施態樣中，可在電鑄成形品單面的至少一部分形成絕緣被覆膜，也可在電鑄成形品兩面的至少一部分形成絕緣被覆膜。
本發明接觸件的另一實施態樣中，可僅在電鑄成形品的一部分形成絕緣被覆膜。例如在電鑄成形品中從絕緣被覆膜露出的區域施以鍍金等的鍍敷。
再者，絕緣被覆膜也可形成在前述電鑄成形品的彈簧部以外的區域。或者，絕緣被覆膜也可形成在前述電鑄成形品的彈性變形時應力集中部位以外的區域。若絕緣被覆膜僅形成在彈簧部或應力集中部位以外的區域，就可防止絕緣被覆膜因電鑄成形品的彈性變形而產生剝離或破損的情形。
本發明的電鑄零件的特徵係在以電鑄法形成時對於電壓施加方向成垂直的主面的至少一部分形成有絕緣被覆膜。本發明的電鑄零件中，由於在主面的至少一部分形成有絕緣被覆膜，故藉由複數片前述電鑄成形品與前述絕緣被覆膜交替重疊，可一邊保持複數片電鑄成形品彼此間的絕緣性，一邊以狹窄間距將電鑄成形品彼此並排。另外，此處所稱主面，係指電鑄時對於電壓施加方向成垂直的面。而且，所謂絕緣被覆膜並不包含電鑄成形品的氧化膜等。
此外，本發明中，用以解決前述課題的手段具有由以上說明的構成要素經適當組合的特徵，本發明根據此等構成要素之組合而可作成多種變化形態。
21‧‧‧導電性基材
22‧‧‧乾膜阻劑
22a‧‧‧曝光區域
22b‧‧‧模框
23‧‧‧凹孔
24‧‧‧凸部
25‧‧‧接觸元件(電鑄成形品)
26‧‧‧框架部
27‧‧‧定位記號
28‧‧‧絕緣被覆膜
28a‧‧‧曝光區域
29、41、51、52、53‧‧‧接觸件(電鑄零件)
31‧‧‧定位孔
44‧‧‧彈簧部
46a、46b‧‧‧可動接觸片
圖1中，圖1(A)至圖1(G)為說明習知接觸件製造步驟的斜視圖。
圖2中，圖2(A)、圖2(B)及圖2(C)分別顯示本發明實施形態1的導電性基材電解脫脂步驟的斜視圖、俯視圖及剖視圖。
圖3中，圖3(A)、圖3(B)及圖3(C)分別為顯示本發明實施形態1的乾膜阻劑的積層步驟的斜視圖、俯視圖及剖視圖。
圖4中，圖4(A)及圖4(B)為顯示本發明實施形態1的乾膜阻劑的曝光步驟的斜視圖及俯視圖。圖4(C)為圖4(B)的X-X線剖視圖。
圖5中，圖5(A)、圖5(B)及圖5(C)分別為顯示將本發明實施形態1的乾膜阻劑施行顯影以製作模框的步驟的斜視圖、俯視圖及剖視圖。
圖6中，圖6(A)、圖6(B)及圖6(C)分別為顯示本發明實施形態1的電鑄步驟的斜視圖、俯視圖及剖視圖。
圖7中，圖7(A)、圖7(B)及圖7(C)分別為顯示本發明實施形態1的模框除去步驟的斜視圖、俯視圖及剖視圖。
圖8中，圖8(A)、圖8(B)及圖8(C)分別為顯示本發明實施形態1的絕緣被覆膜(乾膜阻劑)積層步驟的斜視圖、俯視圖及剖視圖。
圖9中，圖9(A)、圖9(B)及圖9(C)分別為顯示本發明實施形態1的絕緣被覆膜曝光步驟的斜視圖、俯視圖及剖視圖。
圖10中，圖10(A)、圖10(B)及圖10(C)分別為顯示發明實施形態1的已曝光絕緣被覆膜的顯影步驟的斜視圖、俯視圖及剖視圖。
圖11中，圖11(A)、圖11(B)及圖11(C)分別為顯示本發明實施形態1的電鑄零件脫模步驟的斜視圖、俯視圖及剖視圖。
圖12中，圖12(A)及圖12(B)分別為顯示發明實施形態2中在導電性基材中開設定位孔的步驟的斜視圖及俯視圖。圖12(C)為圖12(B)的Y-Y線剖視圖。
圖13中，圖13(A)、圖13(B)及圖13(C)分別為顯示本發明實施形態2中的乾膜阻劑積層步驟的斜視圖、俯視圖及剖視圖。
圖14中，圖14(A)、圖14(B)及圖14(C)分別為顯示本發明實施形態2中的乾膜阻劑曝光步驟的斜視圖、俯視圖及剖視圖。
圖15中，圖15(A)、圖15(B)及圖15(C)分別為顯示將本發明實施形態2中的乾膜阻劑顯影以製作模框的步驟的斜視圖、俯視圖及剖視圖。
圖16中，圖16(A)、圖16(B)及圖16(C)分別為顯示本發明實施形態2中的電鑄步驟的斜視圖、俯視圖及剖視圖。
圖17中，圖17(A)、圖17(B)及圖17(C)分別為顯示本發明實施形態2中的模框除去步驟的斜視圖、俯視圖及剖視圖。
圖18中，圖18(A)、圖18(B)及圖18(C)分別為本發明實施形態2中的絕緣被覆膜(乾膜阻劑)積層步驟的斜視圖、俯視圖及剖視圖。
圖19中，圖19(A)、圖19(B)及圖19(C)分別為本發明實施形態2的絕緣被覆膜的曝光步驟的斜視圖、俯視圖及剖視圖。
圖20中，圖20(A)、圖20(B)及圖20(C)分別為本發明 實施形態2中的絕緣被覆膜顯影步驟的斜視圖、俯視圖及剖視圖。
圖21中，圖21(A)、圖21(B)及圖21(C)分別為本發明實施形態2中的電鑄零件脫模步驟的斜視圖、俯視圖及剖視圖。
圖22中，圖22(A)及圖22(B)分別為接觸元件(電鑄成形品)的整面形成有絕緣被覆膜的接觸件的正視圖及斜視圖。
圖23中，圖23(A)及圖23(B)分別為接觸元件(電鑄成形品)的一部分形成有絕緣被覆膜的接觸件的正視圖及斜視圖。
圖24中，圖24(A)及圖24(B)分別為接觸元件(電鑄成形品)的一部分形成有絕緣被覆膜的其他接觸件的正視圖及斜視圖。
圖25為接觸元件(電鑄成形品)的一部分形成有絕緣被覆膜的其他接觸件的正視圖。
圖26中，圖26(A)及圖26(B)分別為將形成有絕緣被覆膜的複數個接觸元件(電鑄成形品)以狹窄間距並排的接觸件的側視圖及斜視圖。
[實施發明之形態]
以下，一邊參照附圖一邊說明本發明的較佳實施形態。但本發明並非限定於以下的實施形態。在未逸離本發明要旨的範圍內，可作各種的設計變更。
(實施形態1)
以下，參照圖2至圖11就本發明實施形態1的電鑄零件製造方法加以說明。以下所述的各實施形態中，係以接觸件(contact)作為電鑄零件的例子來說明，但本發明也可適用於接觸件以外的其他電鑄零件。
實施形態1的電鑄零件製造方法中，首先係對導電性基材21進行電解脫脂。圖2(A)、圖2(B)及圖2(C)係為顯示電解脫脂步驟的斜視圖、俯視圖及剖視圖(此外，圖3至圖11的各個(A)、(B)及(C)亦為斜視圖、俯視圖及剖視圖)。導電性基材21為表面平坦的不鏽鋼板，至少在其上面施加有使電沉積的金屬成型品容易剝離的處理。導電性基材21在電解脫脂(電解清洗)的步驟中係施行脫脂及清洗。所稱電解脫脂，係為在鹼性溶液中以導電性基材21為陰極或陽極，或者使極性交替變化以進行脫脂的方法。
其次，如圖3(A)、圖3(B)及圖3(C)所示，在導電性基材21的上面密接積層負型的乾膜阻劑22。乾膜阻劑22的厚度較佳為大於電鑄成形品(接觸元件25)的厚度，例如，數十μm以上的厚度。在使步驟簡單的目的上，以使用乾膜阻劑22為佳，但也可使用液體阻劑。例如，也可將液體阻劑塗布在導電性基材21上面，並進行預焙(prebake)等。
乾膜阻劑22積層在導電性基材21上面後，就藉由直寫曝光裝置對乾膜阻劑22照射紫外線雷射，且在預定區域內進行掃描。圖4(A)、圖4(B)及圖4(C)係顯示該曝光區域。使用負型的乾膜阻劑22時，在圖4(A)中係 對乾膜阻劑22沿著施有點(dot)紋樣的區域22a掃描紫外線雷射，使其曝光。亦即，使用負型的乾膜阻劑22時，係沿著要製作接觸元件(25)與框架部(26)的區域以外的區域掃描紫外線雷射。此外，對於欲在框架部上製作定位記號的區域也照射紫外線雷射。若依此方式利用直寫曝光法，就不必使用遮罩，所以曝光步驟可簡化，成本較低廉。但是，本發明中，並非排除使用遮罩曝光的技法。
此外，圖4中，係就使用負型的乾膜阻劑的情況來說明，但也可使用正型或負永久阻劑的乾膜阻劑，使用負型或正型、負永久阻劑的液體阻劑也無妨。使用正型阻劑時，係對圖4(A)的施有點紋樣區域22a以外的區域進行曝光。
接著，將曝光後的乾膜阻劑22進行顯影及沖洗(rinse)時，負型乾膜阻劑22的曝光區域22a以外區域會被顯影液除去，並由剩下的乾膜阻劑22形成模框22b。從而，如圖5(A)、圖5(B)及圖5(C)所示，在模框22b上即可製作用以形成電鑄成形品的凹孔23，使導電性基材21露出於凹孔23的底面。此外，要形成框架部的區域，也使乾膜阻劑22剝離，並使定位用記號成形用的凸部24也成形在要形成框架部的區域內。
之後，以導電性基材21及模框22b作為母模，利用電鑄法(電鑄造方法)使接觸元件25成形。雖未圖示，電沉積步驟中，係將母模配置於電解槽內，藉由直流電源在導電性基材21與相對電極之間施加電壓而在電解 液流通電流。開始通電時，電解液中的金屬離子會電沉積於導電性基材21的表面，而析出金屬。另一方面，由於模框會遮斷電流，所以即使在母模與相對電極間施加電壓，金屬也不會直接電沉積於模框。因此，如圖6(A)、圖6(B)及圖6(C)所示，在凹孔23的內部，金屬會朝著電壓施加方向d持續成長於其底面，使接觸元件25得以在凹孔23內成形。以此方式成形的接觸元件25具有：可朝和電壓施加方向垂直的方向f彈性變形的彈簧部44；及配置在可藉該彈簧部44的彈力而壓接於外部導體(例如積體電路的端子等)的位置的端子部45。而且，在模框22b的外側，藉金屬的析出而形成有框架部26。
此時，電沉積所得金屬(接觸元件25)的厚度可藉電流的累計通電量(亦即，通電電流的時間累計量。)來管理。由於每單位時間析出的金屬量係和電流值成正比，故凹孔23內金屬的體積係由電流的累計通電量來決定，金屬的厚度可由電流的累計通電量得知。
接觸元件25成形後，即藉蝕刻等方法使模框22b剝離。模框22b剝離後，如圖7(A)、圖7(B)及圖7(C)所示，接觸元件25就以附著的狀態保留於導電性基材21上面。而且，附著於導電性基材21上面的框架部26上，在凸部24剝離後，可形成貫通孔形狀的定位記號27。
此外，以作為定位記號而言，也可為藉電鑄形成在導電性基材表面的柱(post)狀凸部。
以此方式使接觸元件25與框架部26成形後，如圖8(A)、圖8(B)及圖8(C)所示，以感光性絕緣被覆膜 28覆蓋導電性基材21的上方，使感光性絕緣被覆膜28密接於接觸元件25及框架部26的上面(主面)。以作為絕緣被覆膜28而言，係使用負型的乾膜阻劑。
此外，該絕緣被覆膜28也可藉液體阻劑形成，而且使用正型或負永久阻劑也無妨。
接著，藉直寫曝光裝置對絕緣被覆膜28照射紫外線雷射，且在預定區域內進行掃描。圖9(A)、圖9(B)及圖9(C)係顯示該曝光區域。使用負型的絕緣被覆膜28時，例如圖9(A)中，係沿著施加有點紋樣的區域28a對絕緣被覆膜28掃描紫外線雷射，使其曝光。亦即，使用負型的絕緣被覆膜28時，係沿著接觸元件25正上面的預定區域掃描紫外線雷射。此時，直寫曝光裝置係對可透過絕緣被覆膜28看見的定位記號27位置進行影像辨識，並以定位記號27的位置為基準進行紫外線雷射掃描。因而，可對準接觸元件25正上面的預定區域使紫外線雷射精密地掃描使之曝光。此外，在此情況中，也可使用遮罩進行曝光。
然後，對曝光後的絕緣被覆膜28施以顯影及沖洗時，係以顯影液使負型絕緣被覆膜28的曝光區域28a以外的區域除去。因而，如圖10(A)、圖10(B)及圖10(C)所示，接觸元件25的主面(亦即，電鑄時，對電壓施加方向成垂直的面)整面，或者僅預定的部分區域就可形成絕緣被覆膜28。
之後，如圖11(A)、圖11(B)及圖11(C)所示，使上面形成有絕緣被覆膜28的接觸元件25(亦即，接觸件 29(電鑄零件))從導電性基材21剝離。
若依上述的製造方法，可以簡易步驟在微小的接觸元件25的上面(主面)形成厚度一律的絕緣被覆膜28，而且，也可以良好精度在形成複雜形狀的接觸元件25的整面或一部分區域形成絕緣被覆膜28。
(實施形態2)
接著，依據圖12至圖21說明本發明實施形態2的電鑄零件製造方法。實施形態2的電鑄零件製造方法和實施形態1的電鑄零件製造方法係在曝光步驟的曝光區域定位方法有所不同。因此，先就和實施形態1同樣的部分簡單加以說明。
實施形態2的電鑄零件製造方法中，首先，如圖12(A)、圖12(B)及圖12(C)所示，係在導電性基材21的預定位置開設複數個定位記號，亦即，定位孔31。圖12(A)、圖12(B)及圖12(C)係顯示開設定位孔31之步驟的斜視圖、俯視圖及剖視圖(另外，圖13至圖21的各(A)、(B)及(C)亦為斜視圖、俯視圖及剖視圖)。定位孔31可用雷射開孔加工來開設，也可用鑽孔加工來開設。之後，將設有定位孔31的導電性基材21的表面施以清洗、電解脫脂。
又，圖示例中，係顯示以貫穿導電性基材21的定位孔31作為定位記號，但也可以圓形或十字狀的刻記、凹部等作為定位記號。
其次，如圖13(A)、圖13(B)及圖13(C)所示，在導電性基材21的上面密接積層負型的乾膜阻劑22。乾膜阻劑22係藉直寫曝光裝置對乾膜阻劑22照射紫外線雷 射，且將預定區域內進行掃描。圖14(A)、圖14及圖14(C)中揭示有該曝光區域。使用負型乾膜阻劑22時，在圖4(A)中對乾膜阻劑22沿著施加有點紋樣的區域22a進行紫外線雷射掃描，使之曝光。亦即，使用負型的乾膜阻劑22時，係沿著欲製作接觸元件25的區域以外的區域掃描紫外線雷射。此時，直寫曝光裝置係對可透過乾膜阻劑22看見的導電性基材21的定位孔31的位置進行影像辨識，並以定位孔31的位置為基準施行紫外線雷射掃描。
然後，對曝光後的乾膜阻劑22進行顯影及沖洗。由於負型乾膜阻劑22的曝光區域22a以外的區域可藉顯影液除去，故如圖15(A)、圖15(B)及圖15(C)所示，乾膜阻劑22上即製作有電鑄成形品成形用的凹孔23。
之後，如圖16(A)、圖16(B)及圖16(C)所示，以導電性基材21及模框22b為母模藉電鑄法(電鑄造方法)析出金屬時，就可使接觸元件25成形在凹孔23內。
接觸元件25成形後，藉蝕刻等使模框22b剝離時，即如圖17(A)、圖17(B)及圖17(C)所示，接觸元件25就形成在導電性基材21的上面。
接觸元件25成形後，如圖18(A)、圖18(B)及圖18(C)所示，以感光性絕緣被覆膜28(乾膜阻劑)覆蓋導電性基材21的上方，使感光性絕緣被覆膜28密接於接觸元件25的上面。接著，藉直寫曝光裝置對絕緣被覆膜28照射紫外線雷射，且在預定區域內掃描。圖19(A)、圖19及圖19(C)揭示有該曝光區域。使用負型的絕緣被覆膜28時，例如圖19(A)中，係沿著絕緣被覆膜28施加有點紋樣 的區域28a掃描紫外線雷射使之曝光。亦即，使用負型的絕緣被覆膜28時，係沿著接觸元件25正上面的預定區域掃描紫外線雷射。此時，直寫曝光裝置係對可透過絕緣被覆膜28看見的定位孔31的位置進行影像辨識，並以定位孔31的位置為基準，掃描紫外線雷射。
如上所述，對乾膜阻劑22進行直寫曝光之際和對絕緣被覆膜28進行直寫曝光之際，由於是以相同的定位孔31為基準來控制曝光區域，故可對準接觸元件25正上面的預定區域精密地掃描紫外線雷射使之曝光，以縮小接觸元件25與絕緣被覆膜28的成形位置的偏移。
接著，將曝光後的絕緣被覆膜28進行顯影及沖洗時，如圖20(A)、圖20(B)及圖20(C)所示，負型絕緣被覆膜28的曝光區域28a以外的區域即可藉顯像液除去，而在接觸元件25的整個上面或僅在預定的一部分區域形成絕緣被覆膜28。
之後，如圖21(A)、圖21(B)及圖21(C)所示，將上面形成有絕緣被覆膜28的接觸元件25，亦即，接觸件29從導電性基材21剝離。
依上述的製造方法，也可以簡易的步驟在微小的接觸元件25的上面形成厚度均一的絕緣被覆膜28，而且，也可以良好精度在呈複雜形狀的接觸元件25的整面或一部分區域形成絕緣被覆膜28。
(實施形態3)
圖22(A)及圖22(B)為藉上述的製造方法製造的接觸件41(電鑄零件)，亦即，具有絕緣被覆膜28的接觸元件 25的正視圖及斜視圖。該接觸元件25係用作積體電路檢査用探針。固定部42與可動部43之間設有折曲成鋸齒狀的彈簧部44。固定部42的前端設有端子部45。此外，由於固定部42與可動部43之間以細小彈簧部44相連，使電阻變大，故透過使設於可動部43的可動接觸片46a與設於固定部42的可動接觸片46b以自由滑動方式接觸，使固定部42與可動部43之間的電阻值減小。而且，接觸元件25的一側主面(電鑄時對電壓施加方向成垂直面)的整體形成有絕緣被覆膜28。
如後所述，該接觸件41係一邊確保接觸元件25彼此間的絕緣性一邊以狹窄間距並排複數片來使用。在此狀態下，複數個接觸件41係收納於殼體(未圖示)內，且使固定部42固定於殼體，而端子部45則自殼體突出。而在該狀態下，使端子部45接觸於積體電路的端子，並按下可動部43時，即可藉由彈簧部44的彈力使端子部45壓接於積體電路的端子。因此，例如積體電路的各端子的導通不良狀況就可加以檢査。
(實施形態4)
圖23(A)及圖23(B)係為藉由上述的製造方法所製造的接觸件之其他範例。該接觸件51中，接觸元件25的一側主面中，彈簧部44以外區域的整體上形成有絕緣被覆膜28。彈簧部44係為施行彈性變形的部分，若在此設置絕緣被覆膜28，會有絕緣被覆膜28從接觸元件25剝離，或發生龜裂之虞。因而，該部分也可不設置絕緣被覆膜28。
再者，圖24(A)及圖24(B)係為圖23的接觸件51的變化例。該變化例的接觸件52中，彈簧部44也設有絕緣被覆膜28，但彈簧部44中，變形量較大而應力容易集中的部分，則將絕緣被覆膜28除去。彈簧部44中，係僅在變形較小的直線部分設置絕緣被覆膜28。
(實施形態5)
圖25(A)及圖25(B)係為藉由上述的製造方法所製造的接觸件的其他範例。該接觸件53中，接觸元件25的一側主面中，係在端子部45以外的區域形成有絕緣被覆膜28。該接觸件53中，係在端子部45以外的區域形成絕緣被覆膜28後，對端子部45施以鍍金(Au)或銲料鍍敷等。
(實施形態6)
圖22至圖25所示的接觸件，係如圖26(A)及圖26(B)所示，在接觸元件25彼此間夾入絕緣被覆膜28的方式重疊使用。藉由在接觸件製造步驟中同時進行該重疊作業，即可以良好精度簡單的使之重疊。所以，可將厚度薄且微小的接觸元件一邊保持接觸元件間的絕緣性一邊以狹窄間距以良好精度並排。
此外，在前述的任一實施形態中，絕緣被覆膜僅設在接觸元件的一側主面上，但也可在接觸元件的兩個主面設置絕緣被覆膜(未圖示)。
25‧‧‧接觸元件
28‧‧‧絕緣被覆膜
41‧‧‧接觸件
42‧‧‧固定部
43‧‧‧可動部
44‧‧‧彈簧部
45‧‧‧端子部
46a、46b‧‧‧可動接觸片

Claims (11)

  1. 一種電鑄零件的製造方法，其特徵為具備：模框製作步驟，係以對賦予在導電性基材表面的絕緣性模框材料的一部分設置開口，且在前述開口內露出前述導電性基材的一部分的方式製作模框，並藉前述模框材料形成定位記號製作用凹部或凸部，電沉積步驟，在前述模框的前述開口內使金屬電沉積在前述導電性基材的露出面以製作電鑄成形品，並藉前述定位記號製作用凹部或凸部製作凸狀或凹狀的定位記號，模框除去步驟，從前述導電性基材的表面除去前述模框；絕緣被覆膜形成步驟，以由感光性被覆膜所構成的絕緣被覆膜覆蓋前述電鑄成形品的表面；曝光步驟，在前述絕緣被覆膜形成步驟後，以前述定位記號的位置為基準，對前述絕緣被覆膜的一部分照射光；及絕緣被覆膜除去步驟，對前述絕緣被覆膜施行顯影處理，在前述電鑄成形品表面的至少一部分殘留前述絕緣被覆膜，而除去前述絕緣被覆膜。
  2. 如請求項1之電鑄零件的製造方法，其中，在前述曝光步驟中，藉由光照射使相當於前述電鑄成形品表面的至少一部分的區域對顯影液不溶化；在前述絕緣被覆膜除去步驟中，將藉由前述顯影處理而沒有不溶化的區域的前述絕緣被覆膜除去。
  3. 如請求項1之電鑄零件的製造方法，其中，在前述曝光步驟中，藉由前述光照射使相當於前述電鑄成形品表面的至少一部分的區域以外的區域可溶化；及在前述絕緣被覆膜除去步驟中，將藉由前述顯影處理已可溶化的區域的前述絕緣被覆膜除去。
  4. 如請求項1之電鑄零件的製造方法，其中，具備：剝離步驟，在前述絕緣被覆膜除去步驟之後，將表面形成有前述絕緣被覆膜的前述電鑄成形品從前述導電性基材剝離。
  5. 如請求項1之電鑄零件的製造方法，其中，前述絕緣被覆膜形成步驟中，覆蓋前述電鑄成形品表面的絕緣被覆膜係為乾膜阻劑。
  6. 如請求項1之電鑄零件的製造方法，其中，前述絕緣被覆膜形成步驟中，覆蓋前述電鑄成形品表面的絕緣被覆膜係為應用於前述電鑄成形品表面的液體阻劑。
  7. 一種電鑄零件的製造方法，其中，具備：模框材料賦予步驟，對具有定位記號的導電性基材表面賦予絕緣性模框材料：模框製作步驟，以前述定位記號的位置為基準，在前述模框材料的一部分設置開口，且在前述開口內露出前述導電性基材的一部分的方式製作模框；電沉積步驟，在前述模框的前述開口內，使金屬電沉積在前述導電性基材的露出面，以製作電鑄成形品； 模框除去步驟，從前述導電性基材的表面除去前述模框；絕緣被覆膜形成步驟，以由感光性被覆膜所構成的絕緣被覆膜覆蓋前述電鑄成形品的表面；曝光步驟，在前述絕緣被覆膜形成步驟後，直寫曝光裝置係對可透過前述絕緣被覆膜看見的定位記號的位置進行影像辨識，以前述定位記號的位置為基準，對前述絕緣被覆膜的一部分照射光；及絕緣被覆膜除去步驟，對前述絕緣被覆膜施行顯影處理，以前述絕緣被覆膜殘留在前述電鑄成形品表面的至少一部分的方式，除去前述絕緣被覆膜。
  8. 如請求項7之電鑄零件的製造方法，其中，前述模框除去步驟中，直寫曝光裝置係對可透過前述模框材料看見的前述定位記號的位置進行影像辨識。
  9. 如請求項7之電鑄零件的製造方法，其中，在前述曝光步驟中，藉由光照射使相當於前述電鑄成形品表面的至少一部分的區域對顯影液不溶化；在前述絕緣被覆膜除去步驟中，將藉由前述顯影處理而沒有不溶化的區域的前述絕緣被覆膜除去。
  10. 如請求項7之電鑄零件的製造方法，其中，在前述曝光步驟中，藉由前述光照射使相當於前述電鑄成形品表面的至少一部分的區域以外的區域可溶化；在前述絕緣被覆膜除去步驟中，將藉由前述顯影處理已可溶化的區域的前述絕緣被覆膜除去。
  11. 如請求項1或7之電鑄零件的製造方法，其中，前述電鑄成形品為接觸件。
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