KR101572788B1 - 전주 부품 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

콘택트 소자(25)(전주 성형품)는, 전주법에 의해 제조되어 있다. 콘택트 소자(25)의 표면에는, 드라이 필름 레지스트 등을 이용하여 형성된 절연 피막(28)이 마련되어 있다. 절연 피막(28)은, 콘택트 소자(25)의 제조 공정에서, 콘택트 소자(25)의 제조 후의 공정에서 마련되어 있다. 이에 의해, 전주 성형품(콘택트 단자)끼리의 절연성을 유지하면서, 전주 성형품끼리를 좁은 피치로 나열할 수 있는 전주 부품을 제공한다.

Description

전주 부품 및 그 제조 방법{ELECTROFORMED COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}
본 발명은, 전주(電鑄) 부품 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
도 1은, 종래례에 의한 전주 부품, 즉 콘택트의 제조 방법을 도시하는 사시도다. 우선 전처리로서, 도 1의 (A)에 도시하는 바와 같이, 도전성 기재(基材)(11)의 표면을 전해(電解) 탈지한다. 계속해서, 도 1의 (B)에 도시하는 바와 같이, 도전성 기재(11)의 표면에 포토 레지스트(12)를 도포하여 성막한다. 도전성 기재(11)의 표면의 포토 레지스트(12)에는, 도 1의 (C)에 도시하는 바와 같이, 직묘(直描) 노광 장치에 의해 콘택트 형상의 영역을 제외한 영역에 따라 레이저광(13)을 주사시킨다. 포토 레지스트(12)가 네가형인 경우에는, 포토 레지스트(12)의 노광 부분은 불용성이 된다. 따라서 현상 공정에 의해 노광되지 않은 부분을 제거하면, 도 1의 (D)에 도시하는 바와 같이, 포토 레지스트(12)에는 콘택트 형상을 한 개구(14)(캐비티)가 생긴다. 이 후, 전주법에 의해 도전성 기재(11)의 노출면에 금속재료를 석출시키면, 도 1의 (E)에 도시하는 바와 같이, 개구(14) 내에 전주 부품, 즉 콘택트(15)가 얻어진다. 계속해서, 도 1의 (F)와 같이 포토 레지스트(12)를 도전성 기재(11)로부터 박리시켜, 도 1의 (G)와 같이 콘택트(15)를 도전성 기재(11)로부터 이형시키면, 목적으로 하는 콘택트(15)가 제작된다.
상기한 바와 같은 콘택트는, 좁은 피치로, 또한 절연성을 유지하면서 복수 나열하여 사용되는 일이 있다. 예를 들면, 특허 문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이, 고밀도의 피측정 미세 회로 기판의 전기 검사를 행하기 위한 프로브 카드에 사용하는 경우가 있다. 특허 문헌 1에 기재되어 있는 프로브 카드에서는, 한 쌍의 기판 사이에 절연체를 끼워 넣고, 절연체에 마련한 복수의 관통구멍에 상기 콘택트를 1개씩 담고 있다. 각 기판에는 절연체의 관통구멍에 대향시켜서 각각 지지구멍을 개구하여 있고, 각 콘택트의 양단이 각 기판의 지지구멍에 삽통되어 있다.
상기한 바와 같은 프로브 카드에서는, 각 콘택트의 선단을, 피측정 미세 회로 기판의 전극(전극 사이 피치 : 30㎛∼200㎛)에 접촉시킨다. 따라서 피측정 미세 회로 기판의 전극 피치가 짧아지면, 그에 따라 콘택트도 점점 좁은 피치로 배치하지 않으면 안되게 된다.
그러나, 특허 문헌 1에 기재되어 있는 바와 같은 구조라면, 콘택트 사이의 피치를 좁게 하기 위해서는 관통구멍 사이나 지지구멍 사이의 벽두께를 얇게 하지 않으면 안되게 되어, 프로브 카드의 강도상의 문제가 생긴다. 또한, 관통구멍 사이나 지지구멍 사이의 피치를 좁게 할 수가 있었다고 하여도, 두께가 얇고 미소한 콘택트를 관통구멍이나 지지구멍에 삽입하여 나열하는 작업은 곤란하다.
특허 문헌 1 : 일본 공개특허공보 「특개2012-132685호 공보」
본 발명의 목적으로 하는 바는, 콘택트 소자 등의 전주 성형품끼리의 절연성을 유지하면서, 전주 성형품끼리를 좁은 피치로 나열할 수 있는 전주 부품을 제공한다. 또한, 당해 전주 부품을 제조하기 위한 전주 부품의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명에 관한 전주 부품의 제조 방법은,
도전성 기재의 적어도 일부가 노출한 개구를 갖는 절연성의 주형틀의 상기 개구 내에서 상기 도전성 기재의 노출면에 금속을 전착(電着)시켜서 전주 성형품을 제작하는 전착 공정과,
상기 도전성 기재의 표면에서 상기 주형틀을 제거하는 주형틀 제거 공정과,
상기 전주 성형품의 표면을 절연 피막으로 덮는 절연 피막 형성 공정과,
상기 전주 성형품의 표면의 적어도 일부에 상기 절연 피막을 남기고서 상기 절연 피막을 제거하는 절연 피막 제거 공정을 갖는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명의 전주 부품의 제조 방법에 의하면, 전주 성형품의 제조 공정에서 전주 성형품의 표면에 절연 피막을 형성할 수 있기 때문에, 전주 성형품의 표면의 적어도 일부에 얇은 절연 피막을 형성할 수 있다. 따라서 복수의 전주 성형품을 절연 피막을 끼운 상태로 맞겹침에 의해, 복수의 전주 성형품을, 전주 성형품끼리의 절연성을 확보하면서, 또한, 좁은 피치로 나열할 수 있다. 또한, 전주 성형품의 제조 공정에서 전주 성형품의 표면에 절연 피막이 형성되어 있기 때문에, 복수의 전주 성형품을 그 제조 공정에서 맞겹칠 수가 있어서, 전주 성형품을 정밀도 좋게, 또한, 수율 좋게 맞겹칠 수 있다.
도 1의 (A)∼(G)는, 종래의 콘택트의 제조 공정을 설명하는 사시도.
도 2의 (A)∼(C)는, 본 발명의 실시 형태 1에서의 도전성 기재의 전해 탈지 공정을 도시하는 사시도, 평면도 및 단면도.
도 3의 (A)∼(C)는, 본 발명의 실시 형태 1에서의 드라이 필름 레지스트의 라미네이트 공정을 도시하는 사시도, 평면도 및 단면도.
도 4의 (A), (B)는, 본 발명의 실시 형태 1에서의 드라이 필름 레지스트의 노광 공정을 도시하는 사시도 및 평면도. 도 4의 (C)는, 도 4의 (B)의 X-X선 단면도.
도 5의 (A)∼(C)는, 본 발명의 실시 형태 1에서의 드라이 필름 레지스트를 현상하여 주형틀을 제작하는 공정을 도시하는 사시도, 평면도 및 단면도.
도 6의 (A)∼(C)는, 본 발명의 실시 형태 1에서의 전주 공정을 도시하는 사시도, 평면도 및 단면도.
도 7의 (A)∼(C)는, 본 발명의 실시 형태 1에서의 주형틀의 제거 공정을 도시하는 사시도, 평면도 및 단면도.
도 8의 (A)∼(C)는, 본 발명의 실시 형태 1에서의 절연 피막(드라이 필름 레지스트)의 라미네이트 공정을 도시하는 사시도, 평면도 및 단면도.
도 9의 (A)∼(C)는, 본 발명의 실시 형태 1에서의 절연 피막의 노광 공정을 도시하는 사시도, 평면도 및 단면도이다.
도 10의 (A)∼(C)는, 본 발명의 실시 형태 1에서의 노광된 절연 피막의 현상 공정을 도시하는 사시도, 평면도 및 단면도.
도 11의 (A)∼(C)는, 본 발명의 실시 형태 1에서의 전주 부품의 이형의 공정을 도시하는 사시도, 평면도 및 단면도.
도 12의 (A), (B)는, 본 발명의 실시 형태 2에서의 도전성 기재에 위치 결정 구멍을 개구하는 공정을 도시하는 사시도 및 평면도. 도 12의 (C)는, 도 12의 (B)의 Y-Y선 단면도.
도 13의 (A)∼(C)는, 본 발명의 실시 형태 2에서의 드라이 필름 레지스트의 라미네이트 공정을 도시하는 사시도, 평면도 및 단면도.
도 14의 (A)∼(C)는, 본 발명의 실시 형태 2에서의 드라이 필름 레지스트의 노광 공정을 도시하는 사시도, 평면도 및 단면도.
도 15의 (A)∼(C)는, 본 발명의 실시 형태 2에서의 드라이 필름 레지스트를 현상하여 주형틀을 제작하는 공정을 도시하는 사시도, 평면도 및 단면도.
도 16의 (A)∼(C)는, 본 발명의 실시 형태 2에서의 전주 공정을 도시하는 사시도, 평면도 및 단면도.
도 17의 (A)∼(C)는, 본 발명의 실시 형태 2에서의 주형틀의 제거 공정을 도시하는 사시도, 평면도 및 단면도.
도 18의 (A)∼(C)는, 본 발명의 실시 형태 2에서의 절연 피막(드라이 필름 레지스트)의 라미네이트 공정을 도시하는 사시도, 평면도 및 단면도.
도 19의 (A)∼(C)는, 본 발명의 실시 형태 2에서의 절연 피막의 노광 공정을 도시하는 사시도, 평면도 및 단면도.
도 20의 (A)∼(C)는, 본 발명의 실시 형태 2에서의 절연 피막의 현상 공정을 도시하는 사시도, 평면도 및 단면도.
도 21의 (A)∼(C)는, 본 발명의 실시 형태 2에서의 전주 부품의 이형의 공정을 도시하는 사시도, 평면도 및 단면도.
도 22의 (A), (B)는, 콘택트 소자(전주 성형품)의 전면에 절연 피막을 형성한 콘택트의 정면도 및 사시도.
도 23의 (A), (B)는, 콘택트 소자(전주 성형품)의 일부에 절연 피막을 형성한 콘택트의 정면도 및 사시도.
도 24의 (A), (B)는, 콘택트 소자(전주 성형품)의 일부에 절연 피막을 형성한 다른 콘택트의 정면도 및 사시도.
도 25는, 콘택트 소자(전주 성형품)의 일부에 절연 피막을 형성한 또 다른 콘택트의 정면도.
도 26의 (A), (B)는, 절연 피막이 형성된 복수의 콘택트 소자(전주 성형품)를 좁은 피치로 나열한 콘택트의 측면도 및 사시도.
이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 알맞은 실시 형태를 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시 형태로 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러가지 설계 변경할 수 있다.
(실시 형태 1)
이하, 도 2 ∼ 도 11을 참조하여 본 발명의 실시 형태 1에 의한 전주 부품의 제조 방법을 설명한다. 이하에 기술하는 각 실시 형태에서는, 전주 부품으로서 콘택트를 예로 들어 설명하지만, 본 발명은 콘택트 이외의 전주 부품에도 적용할 수 있는 것이다.
실시 형태 1의 전주 부품의 제조 방법에서는, 우선 도전성 기재(21)가 전해 탈지된다. 도 2의 (A), 도 2의 (B) 및 도 2의 (C)는, 전해 탈지의 공정을 도시하는 사시도, 평면도 및 단면도이다(또한, 도 3 ∼ 도 11의 각각의 (A), (B) 및 (C)도 사시도, 평면도 및 단면도를 도시한다). 도전성 기재(21)는, 표면이 평탄한 스테인리스판이고, 적어도 상면에는 전착한 금속 성형품을 용이하게 박리시키기 위한 처리가 시행되어 있다. 도전성 기재(21)는, 전해 탈지(전해 세정)의 공정에서 탈지 및 세정된다. 전해 탈지란, 알칼리 용액 중에서 도전성 기재(21)를 음극 또는 양극으로 하고, 또는 극성을 교대로 변화시켜서 탈지하는 방법이다.
계속해서, 도 3의 (A), 도 3의 (B) 및 도 3의 (C)에 도시하는 바와 같이, 도전성 기재(21)의 상면에 네가형의 드라이 필름 레지스트(22)를 밀착시켜서 라미네이트한다. 드라이 필름 레지스트(22)의 두께는 전주 성형품(콘택트 소자(25))의 두께보다도 두껍게 되어 있고, 예를 들면 수십㎛ 이상의 두께의 것이 바람직하다. 공정을 간단하게 하려면, 드라이 필름 레지스트(22)를 이용하는 것이 바람직하지만, 액체 레지스트를 이용하여도 좋다. 예를 들면, 액체 레지스트를 도전성 기재(21)의 상면에 도포하고, 프리베이크 등을 행하여도 좋다.
도전성 기재(21)의 상면에 드라이 필름 레지스트(22)가 라미네이트되면, 직묘 노광 장치에 의해 드라이 필름 레지스트(22)에 자외선 레이저를 조사하여, 소정 영역 내를 주사시킨다. 도 4의 (A), 도 4의 (B) 및 도 4의 (C)는, 이 노광 영역을 도시하고 있다. 네가형의 드라이 필름 레지스트(22)를 이용하고 있는 경우에는, 도 4의 (A)에서 드라이 필름 레지스트(22)에 도트 무늬를 시행한 영역(22a)에 따라 자외선 레이저를 주사시켜서 노광시킨다. 즉, 네가형의 드라이 필름 레지스트(22)를 이용하는 경우에는, 콘택트 소자(25)나 프레임부(26)를 제작하고자 하는 영역 이외의 영역에 따라 자외선 레이저를 주사시킨다. 또한, 프레임부에 위치 결정 마크를 제작하고자 하는 영역에도 자외선 레이저를 조사시킨다. 이와 같이 직묘 노광법에 의하면, 마스크를 이용할 필요가 없기 때문에, 노광 공정이 간략하게 되고, 비용이 염가로 된다. 다만, 본 발명에서, 마스크를 이용하여 노광하는 것을 배제하는 것은 아니다.
또한, 도 4에서는 네가형의 드라이 필름 레지스트를 이용하는 경우에 관해 설명하였지만, 포지형이나 네가 영구 레지스트의 드라이 필름 레지스트를 이용하여도 좋고, 네가형이나 포지형, 네가 영구(永久) 레지스트의 액체 레지스트를 이용하여도 무방하다. 포지형을 이용하는 경우에는, 도 4(A)의 도트 무늬를 행한 영역(22a) 이외의 영역에 노광한다.
계속해서, 노광 후의 드라이 필름 레지스트(22)를 현상 및 린스하면, 네가형의 드라이 필름 레지스트(22)의 노광 영역(22a) 이외의 영역이 현상액에 의해 제거되고, 남은 드라이 필름 레지스트(22)에 의해 주형틀(22b)이 형성된다. 따라서, 도 5의 (A), 도 5의 (B) 및 도 5의 (C)에 도시하는 바와 같이, 주형틀(22b)에 전주 성형품을 성형하기 위한 캐비티(23)가 제작되고, 캐비티(23)의 저면에는 도전성 기재(21)가 노출한다. 또한, 프레임부가 성형되는 영역에서도 드라이 필름 레지스트(22)가 박리됨과 함께, 프레임부가 성형되는 영역 내에 위치 결정용 마크를 성형하기 위한 볼록부(24)가 성형된다.
이 후, 도전성 기재(21) 및 주형틀(22b)을 모형(母型)으로 하여 전주법(전기주조 방법)에 의해 콘택트 소자(25)를 성형한다. 도시하지 않지만, 전착 공정에서는, 모형을 전해조 내에 배치하고, 직류 전원에 의해 도전성 기재(21)와 대향 전극과의 사이에 전압을 인가하여 전해액에 전류를 흘린다. 통전을 시작하면, 전해액중의 금속 이온이 도전성 기재(21)의 표면에 전착하고, 금속이 석출한다. 한편, 주형틀은, 전류를 차단하기 때문에, 모형과 대향 전극과의 사이에 전압을 인가하여도, 주형틀에는 직접 금속이 전착하지 않는다. 이 때문에, 도 6의 (A), 도 6의 (B) 및 도 6의 (C)에 도시하는 바와 같이, 캐비티(23)의 내부에는 그 저면부터 전압 인가 방향(d)으로 금속이 성장하여 가고, 캐비티(23) 내에서 콘택트 소자(25)가 성형된다. 이렇게 하여 성형된 콘택트 소자(25)는, 전압 인가 방향과 수직한 방향(f)으로 탄성 변형 가능한 스프링부(44)와, 그 스프링부(44)의 탄성력에 의해 외부 도체(예를 들면, 집적 회로의 단자 등)에 압접(壓接) 가능한 위치에 배치된 단자부(45)를 구비하고 있다. 또한, 주형틀(22b)의 외측에는, 금속의 석출에 의해 프레임부(26)가 성형된다.
이 때, 전착한 금속(콘택트 소자(25))의 두께는, 전류의 적산 통전량(즉, 통전 전류의 시간 적산량이다.)에 의해 관리된다. 단위시간당에 석출하는 금속량은 전류치에 비례하기 때문에, 캐비티(23) 내의 금속의 체적은 전류의 적산 통전량으로 정하여지고, 금속의 두께는 전류의 적산 통전량으로부터 알 수 있기 때문이다.
콘택트 소자(25)가 성형되면, 에칭 등에 의해 주형틀(22b)을 박리시킨다. 주형틀(22b)을 박리시키면, 도 7의 (A), 도 7의 (B) 및 도 7의 (C)에 도시하는 바와 같이, 도전성 기재(21)의 상면에는, 콘택트 소자(25)가 부착한 채로 남는다. 또한, 도전성 기재(21)의 상면에 부착하고 있는 프레임부(26)에는, 볼록부(24)가 박리한 후에 관통구멍 형상의 위치 결정 마크(27)가 형성된다.
또한, 위치 결정 마크로서는, 도전성 기재의 표면에, 전주에 의해 형성된 포스트형상의 볼록부라도 좋다.
이렇게하여 콘택트 소자(25)나 프레임부(26)가 성형된 후, 도 8의 (A), 도 8의 (B) 및 도 8의 (C)와 같이 도전성 기재(21)의 상방을 감광성의 절연 피막(28)으로 덮고, 콘택트 소자(25) 및 프레임부(26)의 상면(주면(主面))에 감광성의 절연 피막(28)을 밀착시킨다. 절연 피막(28)으로서는, 네가형의 드라이 필름 레지스트를 이용하고 있다.
또한, 이 절연 피막(28)도 액체 레지스트에 의해 형성하여도 좋고, 또한 포지형이나 네가 영구 레지스트라도 지장이 없다.
계속해서, 직묘 노광 장치에 의해 절연 피막(28)에 자외선 레이저를 조사하고, 소정 영역 내를 주사시킨다. 도 9의 (A), 도 9의 (B) 및 도 9의 (C)는, 이 노광 영역을 도시하고 있다. 네가형의 절연 피막(28)을 이용하고 있는 경우에는, 예를 들면 도 9의 (A)에서 절연 피막(28)에 도트 무늬를 행한 영역(28a)에 따라 자외선 레이저를 주사하여 노광시킨다. 즉, 네가형의 절연 피막(28)을 이용하는 경우에는, 콘택트 소자(25)의 바로 위의 소정 영역에 따라 자외선 레이저를 주사시킨다. 이 때, 직묘 노광 장치는, 절연 피막(28)을 통하여 보인 위치 결정 마크(27)의 위치를 화상 인식하고, 위치 결정 마크(27)의 위치를 기준으로 하여 자외선 레이저를 주사시킨다. 따라서 콘택트 소자(25)의 바로 위의 소정 영역에 맞추어서 정밀하게 자외선 레이저를 주사시켜서 노광하는 것이 가능해진다. 또한, 이 경우도, 마스크를 이용하여 노광하는 것도 가능하다.
계속해서, 노광 후의 절연 피막(28)을 현상 및 린스하면, 네가형의 절연 피막(28)의 노광 영역(28a) 이외의 영역이 현상액에 의해 제거된다. 따라서, 도 10의 (A), 도 10의 (B) 및 도 10의 (C)에 도시하는 바와 같이, 콘택트 소자(25)의 주면(즉, 전주시에 있어서의 전압 인가 방향에 대해 수직한 면)의 전면, 또는 소정의 일부 영역에만 절연 피막(28)이 형성된다.
이 후, 도 11의 (A), 도 11의 (B) 및 도 11의 (C)에 도시하는 바와 같이, 상면에 절연 피막(28)이 형성된 콘택트 소자(25), 즉 콘택트(29)(전주 부품)를 도전성 기재(21)로부터 박리시킨다.
상기한 바와 같은 제조 방법에 의하면, 미소한 콘택트 소자(25)의 상면(주면)에 균일한 두께의 절연 피막(28)을 간이한 공정으로 형성할 수 있고, 게다가, 복잡한 형상을 한 콘택트 소자(25)의 전면 또는 일부 영역에도 정밀도 좋게 절연 피막(28)을 형성할 수 있다.
(실시 형태 2)
다음에, 본 발명의 실시 형태 2에 의한 전주 부품의 제조 방법을 도 12 ∼ 도 21에 의해 설명한다. 실시 형태 2에 의한 전주 부품의 제조 방법은, 실시 형태 1에 의한 전주 부품의 제조 방법과는, 노광 공정에서의 노광 영역의 위치 결정의 방법이 다른 것이다. 따라서 실시 형태 1과 같은 부분은 간단히 설명한다.
실시 형태 2의 전주 부품의 제조 방법에서는, 우선 도 12의 (A), 도 12의 (B) 및 도 12의 (C)에 도시하는 바와 같이, 도전성 기재(21)의 소정 위치에 복수의 위치 결정 마크, 즉 위치 결정 구멍(31)을 낸다. 도 12의 (A), 도 12의 (B) 및 도 12의 (C)는, 위치 결정 구멍(31)을 개구하는 공정을 도시하는 사시도, 평면도 및 단면도이다(또한, 도 13 ∼ 도 21의 각각의 (A), (B) 및 (C)도 사시도, 평면도 및 단면도를 도시한다). 위치 결정 구멍(31)은, 레이저 천공 가공에 의해 개구하여도 좋고, 드릴 가공에 의해 개구하여도 좋다. 이 후, 위치 결정 구멍(31)이 마련된 도전성 기재(21)의 표면은, 세정되고, 전해 탈지된다.
또한, 도시례에서는, 위치 결정 마크로서는, 도전성 기재(21)에 관통시킨 위치 결정 구멍(31)을 나타내고 있지만, 위치 결정 마크로서는, 원형이나 열십자형상 등의 각인(刻印), 오목부 등이라도 좋다.
계속해서, 도 13의 (A), 도 13의 (B) 및 도 13의 (C)에 도시하는 바와 같이, 도전성 기재(21)의 상면에 네가형의 드라이 필름 레지스트(22)를 밀착시켜서 라미네이트한다. 드라이 필름 레지스트(22)는, 직묘 노광 장치에 의해 드라이 필름 레지스트(22)에 자외선 레이저를 조사하고, 소정 영역 내를 주사된다. 도 14의 (A), 도 14 및 도 14의 (C)는, 이 노광 영역을 나타내고 있다. 네가형의 드라이 필름 레지스트(22)를 이용하고 있는 경우에는, 도 4의 (A)에서 드라이 필름 레지스트(22)에 도트 무늬를 시행한 영역(22a)에 따라 자외선 레이저를 주사시켜서 노광시킨다. 즉, 네가형의 드라이 필름 레지스트(22)를 이용하는 경우에는, 콘택트 소자(25)를 제작하고자 하는 영역 이외의 영역에 따라 자외선 레이저를 주사시킨다. 이 때, 직묘 노광 장치는, 드라이 필름 레지스트(22)를 통하여 보이는 도전성 기재(21)의 위치 결정 구멍(31)의 위치를 화상 인식하고, 위치 결정 구멍(31)의 위치를 기준으로 하여 자외선 레이저를 주사시킨다.
계속해서, 노광 후의 드라이 필름 레지스트(22)를 현상 및 린스한다. 네가형의 드라이 필름 레지스트(22)의 노광 영역(22a) 이외의 영역은, 현상액에 의해 제거되기 때문에, 도 15의 (A), 도 15의 (B) 및 도 15의 (C)에 도시하는 바와 같이, 드라이 필름 레지스트(22)에는, 전주 성형품을 성형하기 위한 캐비티(23)가 제작된다.
이 후, 도 16의 (A), 도 16의 (B) 및 도 16의 (C)에 도시하는 바와 같이, 도전성 기재(21) 및 주형틀(22b)을 모형으로 하여 전주법(전기주조 방법)에 의해 금속을 석출시키면, 캐비티(23) 내에 콘택트 소자(25)가 성형된다.
콘택트 소자(25)가 성형되면, 에칭 등에 의해 주형틀(22b)을 박리시키면, 도 17의 (A), 도 17의 (B) 및 도 17의 (C)에 도시하는 바와 같이, 도전성 기재(21)의 상면에, 콘택트 소자(25)가 형성된다.
콘택트 소자(25)가 성형된 후, 도 18의 (A), 도 18의 (B) 및 도 18의 (C)에 도시하는 바와 같이, 도전성 기재(21)의 상방을 감광성의 절연 피막(28)(드라이 필름 레지스트)으로 덮고, 콘택트 소자(25)의 상면에 감광성의 절연 피막(28)을 밀착시킨다. 계속해서, 직묘 노광 장치에 의해 절연 피막(28)에 자외선 레이저를 조사하고, 소정 영역 내를 주사시킨다. 도 19의 (A), 도 19 및 도 19의 (C)는, 이 노광 영역을 도시하고 있다. 네가형의 절연 피막(28)을 이용하고 있는 경우에는, 예를 들면 도 19의 (A)에서 절연 피막(28)에 도트 무늬를 시행한 영역(28a)에 따라 자외선 레이저를 주사하여 노광시킨다. 즉, 네가형의 절연 피막(28)을 이용하는 경우에는, 콘택트 소자(25)의 바로 위의 소정 영역에 따라 자외선 레이저를 주사시킨다. 이 때, 직묘 노광 장치는, 절연 피막(28)을 통하여 보이는 위치 결정 구멍(31)의 위치를 화상 인식하고, 위치 결정 구멍(31)의 위치를 기준으로 하여 자외선 레이저를 주사시킨다.
상기한 바와 같이, 드라이 필름 레지스트(22)에 직묘 노광할 때와 절연 피막(28)에 직묘 노광할 때에는, 같은 위치 결정 구멍(31)을 기준으로 하여 노광 영역을 제어하고 있기 때문에, 콘택트 소자(25)의 바로 위의 소정 영역에 맞추어서 정밀하게 자외선 레이저를 주사시켜서 노광하는 것이 가능해지고, 콘택트 소자(25)와 절연 피막(28)의 성형 위치의 위치 어긋남을 작게 할 수 있다.
계속해서, 노광 후의 절연 피막(28)을 현상 및 린스하면, 도 20의 (A), 도 20의 (B) 및 도 20의 (C)에 도시하는 바와 같이, 네가형의 절연 피막(28)의 노광 영역(28a) 이외의 영역이 현상액에 의해 제거되고, 콘택트 소자(25)의 상면의 전면, 또는 소정의 일부 영역에만 절연 피막(28)이 형성된다.
이 후, 도 21의 (A), 도 21의 (B) 및 도 21의 (C)에 도시하는 바와 같이, 상면에 절연 피막(28)이 형성된 콘택트 소자(25), 즉 콘택트(29)를 도전성 기재(21)로부터 박리시킨다.
상기한 바와 같은 제조 방법에 의해서도, 미소한 콘택트 소자(25)의 상면에 균일한 두께의 절연 피막(28)을 간이한 공정으로 형성할 수 있고, 게다가, 복잡한 형상을 한 콘택트 소자(25)의 전면 또는 일부 영역에도 정밀도 좋게 절연 피막(28)을 형성할 수 있다.
(실시 형태 3)
도 22의 (A) 및 도 22의 (B)는, 상기한 바와 같은 제조 방법에 의해 제조된 콘택트(41)(전주 부품), 즉 절연 피막(28)을 갖는 콘택트 소자(25)의 정면도 및 사시도이다. 이 콘택트 소자(25)는, 집적 회로 검사용 프로브로서 사용되는 것이다. 고정부(42)와 가동부(43)의 사이에는 지그재그로 굴곡한 스프링부(44)가 마련되어 있고, 고정부(42)의 끝(先)에는 단자부(45)가 마련되어 있다. 또한, 고정부(42)와 가동부(43)의 사이는 가는 스프링부(44)로 연결되어서 전기 저항이 크게 되어 있기 때문에, 가동부(43)에 마련한 가동 접촉편(46a)과 고정부(42)에 마련한 가동 접촉편(46b)을 활주 자유롭게 접촉시킴으로서 고정부(42)와 가동부(43) 사이의 저항치를 작게 하고 있다. 또한, 콘택트 소자(25)의 일방의 주면(主面)(전주시에 있어서의 전압 인가 방향에 대해 수직한 면)의 전체에 절연 피막(28)이 형성되어 있다.
이 콘택트(41)는, 후술하는 바와 같이 콘택트 소자(25)끼리의 절연성을 확보하면서 복수장을 좁은 피치로 나열하여 이용하는 것이다. 복수의 콘택트(41)는, 케이싱(도시 생략) 내에 넣어지고, 고정부(42)가 케이싱에 고정되고 단자부(45)가 케이싱으로부터 돌출시켜진다. 그 상태에서, 단자부(45)를 집적 회로의 단자에 접촉시켜서, 가동부(43)를 밀어내리면, 스프링부(44)의 탄성력에 의해 단자부(45)가 집적 회로의 단자에 압접된다. 그리고, 예를 들면 집적 회로의 각 단자의 도통 불량 등이 검사된다.
(실시 형태 4)
도 23의 (A) 및 도 23의 (B)는, 상기한 바와 같은 제조 방법에 의해 제조된 콘택트의 다른 예이다. 이 콘택트(51)에서는, 콘택트 소자(25)의 일방의 주면에서, 스프링부(44)를 제외한 영역의 전체에 절연 피막(28)을 형성하고 있다. 스프링부(44)는 탄성 변형한 부분이기 때문에, 여기에 절연 피막(28)을 마련하고 있으면 절연 피막(28)이 콘택트 소자(25)로부터 박리하거나, 균열이 들어가거나 할 우려가 있다. 따라서 이 부분에는 절연 피막(28)을 마련하지 않도록 하여도 좋다.
또한, 도 24의 (A) 및 도 24의 (B)는, 도 23의 콘택트(51)의 변형례이다. 이 변형례에 의한 콘택트(52)에서는, 스프링부(44)에도 절연 피막(28)을 마련하고 있지만, 스프링부(44) 중 변형량이 크고 응력이 집중하기 쉬운 부분에서는 절연 피막(28)을 제외하고 있다. 스프링부(44)에서는, 비교적 변형의 작은 직선부분에만 절연 피막(28)을 마련하고 있다.
(실시 형태 5)
도 25의 (A) 및 도 25의 (B)는, 상기한 바와 같은 제조 방법에 의해 제조된 콘택트의 다른 예이다. 이 콘택트(53)에서는, 콘택트 소자(25)의 일방의 주면에서, 단자부(45)를 제외한 영역에 절연 피막(28)을 형성하고 있다. 이 콘택트(53)에서는, 단자부(45) 이외의 영역에 절연 피막(28)을 형성한 후, 단자부(45)에 Au 도금이나 솔더 도금 등을 시행하고 있다.
(실시 형태 6)
도 22로부터 도 25에 도시한 바와 같은 콘택트는, 도 26의 (A) 및 도 26의 (B)에 도시하는 바와 같이, 콘택트 소자(25)끼리의 사이에 절연 피막(28)을 끼워 넣도록 하여 맞겹쳐서 사용된다. 이 맞겹치는 작업은, 콘택트의 제조 공정에서 동시에 행한 것에 의해 정밀도 좋게, 또한, 간단하게 맞겹치는 것이 가능해진다. 따라서, 두께가 얇고 미소한 콘택트 소자를, 콘택트 소자 사이의 절연성을 유지하면서, 좁은 피치로, 정밀도 좋게 나열하는 것이 가능해진다.
또한, 어느 실시 형태에서도, 절연 피막은 콘택트 소자의 일방의 주면에만 마련하고 있지만, 콘택트 소자의 양 주면에 절연 피막을 마련하고 있어도 좋다(도시 생략).
(정리)
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 관한 전주 부품의 제조 방법은,
도전성 기재의 적어도 일부가 노출한 개구를 갖는 절연성의 주형틀의 상기 개구 내에서 상기 도전성 기재의 노출면에 금속을 전착시켜서 전주 성형품을 제작하는 전착 공정과,
상기 도전성 기재의 표면에서 상기 주형틀을 제거하는 주형틀 제거 공정과,
상기 전주 성형품의 표면을 절연 피막으로 덮는 절연 피막 형성 공정과,
상기 전주 성형품의 표면의 적어도 일부에 상기 절연 피막을 남기고서 상기 절연 피막을 제거하는 절연 피막 제거 공정을 갖는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명의 전주 부품의 제조 방법에 의하면, 전주 성형품의 제조 공정에서 전주 성형품의 표면에 절연 피막을 형성할 수 있기 때문에, 전주 성형품의 표면의 적어도 일부에 얇은 절연 피막을 형성할 수 있다. 따라서 복수의 전주 성형품을 절연 피막을 끼운 상태로 맞겹침에 의해, 복수의 전주 성형품을, 전주 성형품끼리의 절연성을 확보하면서, 또한, 좁은 피치로 나열할 수 있다. 또한, 전주 성형품의 제조 공정에서 전주 성형품의 표면에 절연 피막이 형성되어 있기 때문에, 복수의 전주 성형품을 그 제조 공정에서 맞겹칠 수가 있어서, 전주 성형품을 정밀도 좋게, 또한, 수율 좋게 맞겹칠 수 있다.
상기 절연 피막 형성 공정에서 상기 전주 성형품의 표면을 덮는 절연 피막은, 드라이 필름 레지스트라도 좋고, 전주 성형품의 표면에 적용된 액체 레지스트라도 좋다. 전자에 의하면, 절연 피막 형성 공정을 간략하게 할 수 있다.
상기 주형틀을 제작하려면, 상기 도전성 기재의 표면에 부여된 절연성의 주형틀 재료의 일부에 상기 개구를 마련하여 상기 개구 내에 상기 도전성 기재의 일부가 노출시켜지면 좋다(주형틀 제작 공정). 또한, 상기 절연 피막 제거 공정의 후에는, 표면에 상기 절연 피막이 형성된 상기 전주 성형품을 상기 도전성 기재로부터 박리하면 좋다.
본 발명에 관한 전주 부품의 제조 방법의 어느 실시 양태는, 상기 절연 피막이, 감광성 피막이고,
상기 절연 피막 제거 공정이,
상기 절연 피막 형성 공정의 후에, 상기 전주 성형품의 위치를 기준으로 하여 상기 절연 피막에 광을 조사하고, 상기 전주 성형품의 표면의 적어도 일부에 해당하는 영역을 현상액에 대해 불용화하는 노광 공정과,
상기 절연 피막에 현상 처리를 행하여 불용화되지 않은 영역의 상기 절연 피막을 제거하는 현상 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하고 있다. 이러한 실시 양태에 의하면, 예를 들면 네가형 레지스트와 포토 리소그래피 기술을 이용하여 절연 피막을 정밀도 좋게 패터닝 할 수 있다.
본 발명에 관한 전주 부품의 제조 방법의 다른 실시 양태는, 상기 절연 피막이, 감광성 피막이고,
상기 절연 피막 제거 공정이,
상기 절연 피막 형성 공정의 후에, 상기 전주 성형품의 위치를 기준으로 하여 상기 절연 피막에 광을 조사하고, 상기 전주 성형품의 표면의 적어도 일부에 해당하는 영역 이외의 영역을 가용화하는 노광 공정과,
상기 절연 피막에 현상 처리를 행하여 가용화된 영역의 상기 절연 피막을 제거하는 현상 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하고 있다. 이러한 실시 앙태에 의하면, 예를 들면 포지형 레지스트와 포토 리소그래피 기술을 이용하여 절연 피막을 정밀도 좋게 패터닝 할 수 있다.
본 발명에 관한 전주 부품의 제조 방법의 또 다른 실시 형태는,
상기 도전성 기재의 표면에 부여된 절연성의 주형틀 재료의 일부에 상기 개구를 마련하여 상기 개구 내에 상기 도전성 기재의 일부가 노출한 상기 주형틀을 제작함과 함께, 상기 주형틀 재료에 의해 위치 결정 마크 제작용의 오목부 또는 볼록부를 형성하는 주형틀 제작 공정을 구비하고,
상기 전착 공정에서, 상기 개구 내에 상기 전주 성형품을 제작함과 함께 상기 위치 결정 마크 제작용의 오목부 또는 볼록부에 의해 볼록형상 또는 오목형상의 위치 결정 마크를 제작하고,
상기 노광 공정에서는 상기 위치 결정 마크의 위치를 기준으로 하여 광을 조사하는,
것을 특징으로 하고 있다. 이러한 실시 앙태에 의하면, 전주 성형품을 제작한 때에 동시에 제작된 위치 결정 마크를 기준으로 하여 절연 피막을 패터닝 할 수 있기 때문에, 전주 성형품에 대해 절연 피막의 위치 맞춤을 정밀도 좋게 행할 수 있다.
본 발명에 관한 전주 부품의 제조 방법의 또 다른 실시 양태는,
위치 결정 마크를 갖는 상기 도전성 기재의 표면에 절연성의 주형틀 재료를 부여한 주형틀 재료 부여 공정과,
상기 위치 결정 마크의 위치를 기준으로 하여 상기 주형틀 재료의 일부에 상기 개구를 마련하여 상기 개구 내에 상기 도전성 기재의 일부가 노출한 상기 주형틀을 제작하는 주형틀 제작 공정을 구비하고,
상기 노광 공정에서는 상기 위치 결정 마크의 위치를 기준으로 하여 광을 조사하는, 것을 특징으로 하고 있다. 이러한 실시 앙태에 의하면, 도전성 기재에 마련한 위치 결정 구멍을 기준으로 하여 전주 성형품을 제작할 수 있고, 또한 도전성 기재에 마련한 위치 결정 구멍을 기준으로 하여 절연 피막을 패터닝 할 수 있기 때문에, 전주 성형품에 대해 절연 피막의 위치 맞춤을 정밀도 좋게 행할 수 있다.
본 발명에 관한 전주 부품의 제조 방법은, 예를 들면 전주 성형품인 콘택트의 제조 방법에 이용할 수 있다.
본 발명에 관한 콘택트는,
전주법으로 형성할 때의 전압 인가 방향에 대해 수직한 방향으로 탄성 변형 가능한 스프링부, 및 상기 스프링부에 의해 외부 도체와 압접 가능한 위치에 배치된 단자부를 구비한 전주 성형품과,
상기 전주 성형품의, 상기 전압 인가 방향에 대해 수직한 주면의 적어도 일부에 형성된 절연 피막을 갖는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명의 콘택트에서는, 전주 성형품의 주면의 적어도 일부에 절연 피막이 형성되어 있기 때문에, 복수장의 상기 전주 성형품과 상기 절연 피막을 교대로 맞겹침에 의해, 복수의 전주 성형품의 상호의 절연성을 유지하면서, 전주 성형품끼리를 좁은 피치로 나열할 수 있다. 또한, 여기서 말하는 주면이란, 전주 성형품의, 전주시에 있어서의 전압 인가 방향에 대해 수직한 면을 가리킨다. 또한, 절연 피막이란, 전주 성형품의 산화막 등을 포함하지 않는 것이다.
본 발명에 관한 콘택트의 어느 실시 양태에서는, 전주 성형품의 편면에서 적어도 일부에 절연 피막이 형성되어 있어도 좋고, 전주 성형품의 양면에서 적어도 일부에 절연 피막이 형성되어 있어도 좋다.
본 발명에 관한 콘택트의 다른 실시 양태에서는, 전주 성형품의 일부에만 절연 피막을 형성하도록 하여도 좋다. 예를 들면, 전주 성형품 중 절연 피막으로부터 노출한 영역에는 Au 도금 등의 도금을 시행하여도 좋다.
또한, 절연 피막은, 상기 전주 성형품의 스프링부를 제외한 영역에 형성하고 있어도 좋다. 또는, 절연 피막은, 상기 전주 성형품의 탄성 변형시에 있어서의 응력 집중 부분을 제외한 영역에 형성하고 있어도 좋다. 스프링부나 응력 집중 부분을 제외한 영역에만 절연 피막을 형성하도록 하면, 절연 피막이 전주 성형품의 탄성 변형에 의해 박리하거나, 파손되거나 하는 것을 막을 수 있다.
본 발명에 관한 전주 부품은, 전주법으로 형성할 때의 전압 인가 방향에 대해 수직한 주면의 적어도 일부에 절연 피막이 형성된 것을 특징으로 하고 있다. 본 발명의 전주 부품에서는, 주면의 적어도 일부에 절연 피막이 형성되어 있기 때문에, 복수장의 상기 전주 성형품과 상기 절연 피막을 교대로 맞겹침에 의해, 복수의 전주 성형품의 상호의 절연성을 유지하면서, 전주 성형품끼리를 좁은 피치로 나열할 수 있다. 또한, 여기서 말하는 주면이란, 전주시에 있어서의 전압 인가 방향에 대해 수직한 면을 가리킨다. 또한, 절연 피막이란, 전주 성형품의 산화막 등을 포함하지 않는 것이다.
또한, 본 발명에서의 상기 과제를 해결하기 위한 수단은, 이상 설명한 구성 요소를 적절히 조합한 특징을 갖는 것이고, 본 발명은 이러한 구성 요소의 조합에 의한 많은 배리에이션을 가능하게 하는 것이다.
21 : 도전성 기재
22 : 드라이 필름 레지스트
22a : 노광 영역
22b : 주형틀
23 : 캐비티
24 : 볼록부
25 : 콘택트 소자(전주 성형품)
26 : 프레임부
27 : 위치 결정 마크
28 : 절연 피막
28a : 노광 영역
29, 41, 51, 52, 53 : 콘택트(전주 부품)
31 : 위치 결정 구멍
44 : 스프링부
46a, 46b : 가동 접촉편

Claims (17)

  1. 도전성 기재의 표면에 부여된 절연성의 주형틀 재료의 일부에 개구를 마련하여 상기 개구 내에 상기 도전성 기재의 일부가 노출한 주형틀을 제작함과 함께, 상기 주형틀 재료에 의해 위치 결정 마크 제작용의 오목부 또는 볼록부를 형성하는 주형틀 제작 공정과,
    상기 주형틀의 상기 개구 내에서 상기 도전성 기재의 노출면에 금속을 전착시켜서 전주 성형품을 제작함과 함께 상기 위치 결정 마크 제작용의 오목부 또는 볼록부에 의해 볼록형상 또는 오목형상의 위치 결정 마크를 제작하는 전착 공정과,
    상기 도전성 기재의 표면부터 상기 주형틀을 제거하는 주형틀 제거 공정과,
    상기 전주 성형품의 표면을 감광성 피막으로 이루어지는 절연 피막으로 덮는 절연 피막 형성 공정과,
    상기 절연 피막 형성 공정의 후에, 상기 위치 결정 마크의 위치를 기준으로 하여 상기 절연 피막의 일부에 광을 조사하는 노광 공정과,
    상기 절연 피막에 현상 처리를 행하여, 상기 전주 성형품의 표면의 적어도 일부에 상기 절연 피막을 남기고 상기 절연 피막을 제거하는 절연 피막 제거 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 전주 부품의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 노광 공정에서는, 상기 광조사에 의해 상기 전주 성형품의 표면의 적어도 일부에 해당하는 영역을 현상액에 대해 불용화하고,
    상기 절연 피막 제거 공정에서는, 상기 현상 처리에 의해 불용화되지 않은 영역의 상기 절연 피막을 제거하는 것을 특징으로 하는 전주 부품의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 노광 공정에서는, 상기 광조사에 의해 상기 전주 성형품의 표면의 적어도 일부에 해당하는 영역 이외의 영역을 가용화하고,
    상기 절연 피막 제거 공정에서는, 상기 현상 처리에 의해 가용화된 영역의 상기 절연 피막을 제거하는 것을 특징으로 하는 전주 부품의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 절연 피막 제거 공정의 후, 표면에 상기 절연 피막이 형성된 상기 전주 성형품을 상기 도전성 기재로부터 박리하는 박리 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 전주 부품의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 절연 피막 형성 공정에서 상기 전주 성형품의 표면을 덮는 절연 피막은, 드라이 필름 레지스트인 것을 특징으로 하는 전주 부품의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 절연 피막 형성 공정에서 상기 전주 성형품의 표면을 덮는 절연 피막은, 상기 전주 성형품의 표면에 적용된 액체 레지스트인 것을 특징으로 하는 전주 부품의 제조 방법.
  7. 위치 결정 마크를 갖는 도전성 기재의 표면에 절연성의 주형틀 재료를 부여하는 주형틀 재료 부여 공정과,
    상기 위치 결정 마크의 위치를 기준으로 하여 상기 주형틀 재료의 일부에 개구를 마련하여 상기 개구 내에 상기 도전성 기재의 일부가 노출한 주형틀을 제작하는 주형틀 제작 공정과,
    상기 주형틀의 상기 개구 내에서 상기 도전성 기재의 노출면에 금속을 전착시켜서 전주 성형품을 제작하는 전착 공정과,
    상기 도전성 기재의 표면부터 상기 주형틀을 제거하는 주형틀 제거 공정과,
    상기 전주 성형품의 표면을 감광성 수지로 이루어지는 절연 피막으로 덮는 절연 피막 형성 공정과,
    상기 절연 피막 형성 공정의 후에, 직묘 노광 장치가, 상기 절연 피막을 통하여 보이는 상기 위치 결정 마크의 위치를 화상 인식하고, 상기 위치 결정 마크의 위치를 기준으로 하여 상기 절연 피막의 일부에 광을 조사하는 노광 공정과,
    상기 절연 피막에 현상 처리를 행하여, 상기 전주 성형품의 표면의 적어도 일부에 상기 절연 피막을 남기고 상기 절연 피막을 제거하는 절연 피막 제거 공정 을 갖는 것을 특징으로 하는 전주 부품의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 주형틀 제작 공정에서는, 직묘 노광 장치가, 상기 주형틀 재료를 통하여 보이는 상기 위치 결정 마크의 위치를 화상 인식하는 것을 특징으로 하는 전주 부품의 제조 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 노광 공정에서는, 상기 광조사에 의해 상기 전주 성형품의 표면의 적어도 일부에 해당하는 영역을 현상액에 대해 불용화하고,
    상기 절연 피막 제거 공정에서는, 상기 현상 처리에 의해 불용화되지 않은 영역의 상기 절연 피막을 제거하는 것을 특징으로 하는 전주 부품의 제조 방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 노광 공정에서는, 상기 광조사에 의해 상기 전주 성형품의 표면의 적어도 일부에 해당하는 영역 이외의 영역을 가용화하고,
    상기 절연 피막 제거 공정에서는, 상기 현상 처리에 의해 가용화된 영역의 상기 절연 피막을 제거하는 것을 특징으로 하는 전주 부품의 제조 방법.
  11. 제1항 또는 제7항에 있어서,
    상기 전주 성형품이, 콘택트인 것을 특징으로 하는 전주 부품의 제조 방법.
  12. 삭제
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150294789A1 (en) * 2012-10-30 2015-10-15 Leap Co., Ltd. Method for producing coil element using resin substrate and using electroforming
WO2014068613A1 (ja) * 2012-10-30 2014-05-08 株式会社Leap コイル素子の製造方法
JP2018197714A (ja) * 2017-05-24 2018-12-13 山一電機株式会社 Mems型プローブ、及び、これを使用した電気検査用装置
TWI695985B (zh) * 2019-03-22 2020-06-11 中華精測科技股份有限公司 垂直式探針卡及其矩形探針
TWI709750B (zh) * 2019-03-22 2020-11-11 中華精測科技股份有限公司 垂直式探針卡及其矩形探針
CN111721980B (zh) * 2019-03-22 2022-11-04 台湾中华精测科技股份有限公司 垂直式探针卡及其矩形探针
KR20220022668A (ko) * 2020-08-19 2022-02-28 (주)포인트엔지니어링 양극산화막 몰드 및 이를 포함하는 몰드구조체, 이를 이용한 성형물의 제조방법 및 그 성형물
KR102689455B1 (ko) * 2021-10-06 2024-07-29 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 및 이를 구비하는 검사장치
KR102685910B1 (ko) * 2021-10-06 2024-07-17 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 및 이를 구비하는 검사장치
KR102690490B1 (ko) * 2021-10-07 2024-07-31 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 어레이
KR20230140921A (ko) * 2022-03-30 2023-10-10 (주)포인트엔지니어링 전기 전도성 접촉핀 및 이를 구비하는 검사장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013124404A (ja) 2011-12-15 2013-06-24 Omron Corp コンタクトおよびこれを用いた電子部品

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4356223A (en) * 1980-02-28 1982-10-26 Nippon Electric Co., Ltd. Semiconductor device having a registration mark for use in an exposure technique for micro-fine working
JP3762444B2 (ja) * 1993-08-24 2006-04-05 信昭 鈴木 回路基板の検査用プローブとその取付構造
JP3381375B2 (ja) * 1994-04-18 2003-02-24 ソニー株式会社 電極集合体及びその製造方法ならびに電極集合体を用いたリードフレーム
JP3398803B2 (ja) * 1994-05-25 2003-04-21 九州日立マクセル株式会社 電鋳製品の製造方法
DE19732250A1 (de) 1997-07-26 1999-01-28 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung metallischer Mikrostrukturen
JPH11100698A (ja) * 1997-09-26 1999-04-13 Nec Ibaraki Ltd メッキ装置
US6383720B1 (en) 1998-08-18 2002-05-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing fine pattern and printed circuit board manufactured with this method
JP3740869B2 (ja) * 1998-11-13 2006-02-01 松下電器産業株式会社 微細パターンの製造方法およびそれを用いたプリント配線板
US5989994A (en) * 1998-12-29 1999-11-23 Advantest Corp. Method for producing contact structures
JP2002161388A (ja) * 2000-11-24 2002-06-04 Canon Inc マイクロ構造体の作製方法、該作製方法によるレンズ支持具の作製方法とフレア絞りの作製方法、及びレンズ支持具とフレア絞り
JPWO2002084306A1 (ja) * 2001-04-13 2004-08-05 住友電気工業株式会社 コンタクトプローブ
JP3714262B2 (ja) * 2002-02-20 2005-11-09 住友電気工業株式会社 微細電鋳用金型とその製造方法
KR20040064191A (ko) * 2003-01-09 2004-07-16 김정식 적층박막전주가공물과 그 제작방법.
WO2004068649A1 (ja) 2003-01-27 2004-08-12 Taiko Denki Co., Limited マイクロコネクタとそのソケットの製造方法
JP2005127952A (ja) * 2003-10-27 2005-05-19 Sumitomo Electric Ind Ltd コンタクトプローブおよびその製造方法
JP4696533B2 (ja) 2003-12-16 2011-06-08 セイコーエプソン株式会社 装飾部品、装飾部品の製造方法、シート状シール、時計、および被装飾部品
JP2006004788A (ja) * 2004-06-18 2006-01-05 Alps Electric Co Ltd 接続部材の製造方法、及び接続装置の製造方法
JP4074297B2 (ja) * 2005-04-04 2008-04-09 山一電機株式会社 プローブユニットの製造方法
DK1948852T3 (da) 2005-11-18 2019-01-02 Luxembourg Inst Science & Tech List Hovedelektrode og fremgangsmåde til dannelse af hovedelektroden
JP4978024B2 (ja) * 2006-02-22 2012-07-18 三菱電機株式会社 SiC半導体装置の製造方法
EP1835339B1 (fr) * 2006-03-15 2012-05-16 Rolex S.A. Procédé de fabrication par technologie de type liga d'une structure métallique monocouche ou multicouche, et structure obtenue
JP2009146919A (ja) * 2007-12-11 2009-07-02 Oki Semiconductor Co Ltd 露光位置決定方法
WO2010016465A1 (ja) 2008-08-07 2010-02-11 株式会社クラレ 成形金型および成形金型の製造方法
EP2182096A1 (fr) * 2008-10-28 2010-05-05 Nivarox-FAR S.A. Procédé LIGA hétérogène
JP2010132959A (ja) * 2008-12-03 2010-06-17 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd キャリア付銅箔の製造方法及びその製造方法を用いて得られるキャリア付銅箔
JP2011040687A (ja) * 2009-08-18 2011-02-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体レーザの製造方法
TWI429789B (zh) * 2010-03-11 2014-03-11 Omron Tateisi Electronics Co 接觸件製造用組成物及使用其之接觸件以及連接器及製造接觸件製造用組成物之方法
JP2011226786A (ja) 2010-04-15 2011-11-10 Tokyo Electron Ltd 接触構造体および接触構造体の製造方法
CN102316677B (zh) * 2010-06-30 2013-05-08 比亚迪股份有限公司 一种用于双面及多层柔性印刷线路板的电镀方法
JP5839798B2 (ja) 2010-12-17 2016-01-06 株式会社オプトニクス精密 プローブカード
JP5073880B1 (ja) * 2011-11-17 2012-11-14 株式会社Leap 転写金型の製造方法及びその転写金型
CN103171248B (zh) * 2011-12-23 2015-06-10 昆山允升吉光电科技有限公司 双层太阳能网板印刷定位点的设计方法
CN103205683A (zh) * 2012-01-16 2013-07-17 昆山允升吉光电科技有限公司 一种易于焊接的蒸镀用掩模板及其制备工艺

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013124404A (ja) 2011-12-15 2013-06-24 Omron Corp コンタクトおよびこれを用いた電子部品

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