TWI510659B - Sputtering targets and / or coils, and the like - Google Patents

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Description

濺鍍靶及/或線圈以及該等之製造方法
本發明係關於一種濺鍍靶及/或線圈以及該等之製造方法，其可提高濺鍍時之真空度，具備均一微細之組織，電漿穩定，且膜之均一性(uniformity)優異。
近年來，於電子設備領域、耐蝕性材料或裝飾之領域、觸媒領域及切割、研磨材或耐磨性材料之製作等眾多領域中，會用到形成金屬或陶瓷材料等被膜之濺鍍。
濺鍍法本身於上述領域為廣為人知之方法，但最近尤其是於電子設備之領域，要求適合複雜形狀之被膜之形成或電路之形成、或者阻隔膜之形成等之濺鍍靶。
一般而言，靶係對將成為其原料之金屬、合金等加以熔解、鑄造而成之錠或小坯進行熱鍛、退火(熱處理)、進一步軋延及精(機械、研磨等)加工，從而加工成靶。
另一方面，於使用如此製得之靶實施濺鍍之情形時，藉由利用磨削或研磨之機械加工使靶表面平滑，從而可進行均一之成膜，且製造發弧或微粒之產生較少且具有穩定特性之膜。
然而，於使用靶進行濺鍍時，存在真空室內之真空度不上升之問題。研究其原因可知真空室內之氫分壓較高。
進一步調查其原因，結果發現使用之靶之表面吸藏有頗多之氫，該氫於濺鍍時發生氣化，因此室內之氫分壓上升。
又，關於最近之濺鍍技術，有「於濺鍍靶與基板之間配置線圈，提高電漿之密度且使飛翔之濺鍍粒子極力朝向基板方向」之技術。其結果，濺鍍速度變快，膜之均一性變得良好，可整體地提高向基板堆積之膜之品質。
一般而言，線圈之材料較多使用與靶材料相同之材料、或構成堆積於基板上之濺鍍膜的材料之一部分之構成材料。然而，尤其是只要線圈材料為不污染基板上之薄膜之材料，便不特別限制。又，線圈之形狀從圓形到螺旋式皆有，亦有將該等多級地配置之例。
因此，本發明人等致力於靶及/或線圈表面之氫含量之減少之研究，認為其氫吸藏之原因在於靶及/或線圈之製造步驟，尤其是切割及研磨加工。
然而，先前之機械加工(切割、研磨加工)中，重視加工效率，以高速進行加工，因此一般應用冷卻性優異之水溶性油劑(乳液、可溶油、溶液)，僅於該主軸上謀求對策，而未能解決真空度不上升之問題。即，先前之靶及線圈表面之機械加工方法未必可使氫減少。
因此，對靶及/或線圈之表面或存在於靶及/或線圈內部之氫的相關文獻進行了調查。其結果發現如下之文獻。
專利文獻1中，藉由將表面之氫含量設為50 ppm以下可防止瘤塊(nodule)生成，從而可減少微粒。又，藉由將Si、Al、Co、Ni、B之總量設為500 ppm以下而可抑制侵蝕面上之微發弧，防止瘤塊之產生，從而減少微粒。有素材設為Ti、Ta、Cu、Al之實施例之記載。
然而，其僅把握了靶之組成之問題，存在「真空室內之真空度不上升之問題並未得到根本性的解決且並無關於靶之加工時如何使氫減少之技術性之揭示及暗示」之問題。
專利文獻2中，由於氧化鋁、氫而在靶面產生突起，從而成為濺鍍時之異常放電之原因。其中，有將氧化物之量設為3 ppm以下且將氫氣之量設為0.1 ppm以下之記載。然而，於此情形時亦僅把握了靶之組成之問題，存在「真空室內之真空度不上升之問題並未得到根本性的解決且並無關於靶之加工時如何使氫減少之技術性之揭示及暗示」之問題。
專利文獻3中記載有以下內容：由於在Ta濺鍍靶、TaN膜上成膜之Ta膜中含有氫而容易發生剝離，從而成為微粒數增加之原因，因此將Ta之氫濃度設為20 ppm以下。然而，於此情形時亦僅把握了靶之組成之問題，存在「真空室內之真空度不上升之問題並未得到根本性的解決且並無關於靶之加工時如何使氫減少之技術性之揭示及暗示」之問題。
專利文獻4中，氧含量為150 ppm以下。於濺鍍時產生氧，從而對所形成之膜之電阻值等膜特性有害。其中記載有：微粒之產生數減少與氧含量之減少相反。其並非與氫直接相關，此情形亦僅把握了靶之組成之問題，存在「真空室內之真空度不上升之問題並未得到根本性的解決且並無關於靶之加工時如何使氫減少之技術性之揭示及暗示」之問題。
專利文獻5記載有Cr為主成分且Al、Si、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Mo、B為10～50原子%之濺鍍靶，且記載有藉由氧、碳、硫及氫之合計含量設為3000 ppm以下而可以高密接力形成硬質氮化膜。然而，其並非僅把握了氫之問題，而是把握了靶之組成之問題，存在「真空室內之真空度不上升之問題並未得到根本性的解決且並無關於靶之加工時如何使氫減少之技術性之揭示及暗示」之問題。
專利文獻6中記載有高熔點金屬合金用濺鍍靶，作為其材料僅記載有W、Mo、Ti或Ta，存在「真空室內之真空度不上升之問題並未得到根本性的解決且並無關於靶之加工時如何使氫減少之技術性之揭示及暗示」之問題。
專利文獻7中記載有於金屬組織之合成時進行利用氫之掃氣使濺鍍靶之氧水準減少者。此情形亦存在「真空室內之真空度不上升之問題並未得到根本性的解決且並無關於靶之加工時如何使氫減少之技術性之揭示及暗示」之問題。
專利文獻8中記載有含Ti高純度Ta燒結品靶，且記載有以下內容：藉由使Ta、Ti為氫化物之形態，粉碎變得容易，於後來之燒結時成為燒結性佳之粒尺寸之粉末，藉由脫氫獲得表面為活性之粉末，從而促進燒結，進一步防止氧之污染。此情形亦存在「真空室內之真空度不上升之問題並未得到根本性的解決且並無關於靶之加工時如何使氫減少之技術性之揭示及暗示」之問題。
專利文獻9中記載有於不含氫原子之液狀介質存在下對真空容器內之內表面進行機械研磨之表面處理方法。且有以下說明：需要該表面處理方法之主要之理由在於：因其自真空用構件表面及內表面擴散、脫離並逐漸釋放至真空系，故使極限真空降低；又，如加速空腔般之裝置中，若於構件中吸藏、固溶化有氫，則得不到充分之加速，因此必須降低真空容器內及機器中吸附、吸藏、固溶化之氫或水分。
設置於該等真空裝置之內壁或其內部之機器通常經過長期亦無損耗，因此一旦進行機械研磨除去吸附、吸藏、固溶化之氫或水分之後，只要不放置於特別之環境下，便不會重新吸附、吸藏、固溶化氫或水分。
然而，濺鍍靶為消耗品，受到侵蝕後靶本身會經時性地損耗，即會出現新侵蝕面，因此不會聯想到靶本身直接影響濺鍍時之真空度。其原因在於，就常識而言認為靶之侵蝕開始後，隨著其進行會一直釋放出氫。
根據該意義，於氫或水分之含有成為問題之情形時，必須針對靶整體(受到侵蝕之整個區域)減少氫或水分，不能認為僅藉由表面之機械研磨即可解決。
於該意義上，專利文獻9係用以「防止將真空容器內及機器之初期階段之研磨時的氫或水分吸附、吸藏、固溶化」之解決方法，其後之裝置或機器相對長時間地被使用，因此難以認為其係適用於更換頻率較高之濺鍍靶之技術，且不可謂其已揭示及暗示本發明。
專利文獻10中記載有以下方法：對氫吸藏金屬表面使用磨削油進行研磨之方法中，以不超過磨削油之水分含量之特定值的方式研磨氫吸藏金屬之表面。且記載有以下內容：根據該氫吸藏金屬之磨削方法，表面經磨削之氫吸藏金屬中之氫量為極少量，於氫吸藏金屬之本來之使用時可充分地發揮效果。
一般而言，氫吸藏金屬為利用生成氫化物之反應來進行氫之儲存或熱之儲存之金屬，且為「藉由將氫封入至金屬原子之間隙而吸藏氫，又，釋放封入之氫」之功能優異之金屬。
就專利文獻10而言，藉由將水分量較少之磨削油用於磨削劑，氫吸藏金屬表面研磨時產生之活性新生面不會重複直接地暴露於磨削油及大氣中之水分，因此可防止源自水分之氫朝向氫吸藏金屬之吸收，但其終究不過是暫時地抑制氫吸藏金屬之功能而已。
然而，濺鍍靶為消耗品，受到侵蝕後靶本身會經時性地損耗，即會出現新侵蝕面，因此不會聯想到靶本身直接影響濺鍍時之真空度。其原因在於，就常識而言認為靶之侵蝕開始後，隨著其進行會一直釋放氫。
根據該意義，於氫或水分之含有成為問題之情形時，必須針對靶整體(受到侵蝕之整個區域)減少氫或水分，不能認為僅藉由表面之機械研磨即可解決。
就該意義而言，專利文獻10係用以「防止將研磨時之氫或水分吸附、吸藏、固溶化」之解決方法，其後重複進行氫之吸藏、釋放，長時間地被使用，因此難以認為其係適用於更換頻率較高之濺鍍靶之技術，不可謂其已揭示及暗示本發明。
又，專利文獻11中揭示有使用高純度銅作為濺鍍堆積用線圈之技術。於此情形時，其目的在於除去基板上析出之膜之缺陷。
專利文獻1：日本特開平11-1766號公報
專利文獻2：日本特開平8-13141號公報
專利文獻3：日本特開平11-080942號公報
專利文獻4：日本特開平6-322529號公報
專利文獻5：日本特開2003-226963號公報
專利文獻6：日本特開平3-257158號公報
專利文獻7：日本特開2001-73128號公報
專利文獻8：日本特開平1-290766號公報
專利文獻9：日本專利第4184344號公報
專利文獻10：日本特開平11-19853號公報
專利文獻11：日本特開2001-214264號公報
可知濺鍍時真空度降低之原因，在於靶及/或為了封閉電漿而配置於電漿產生區域周圍之線圈(以下簡稱「線圈」)表面之氫含量；又，可知該氫增加之原因為靶及/或線圈之製造步驟中之氫之吸附或吸藏。
因此，得到以下見解：必須減少該吸附或吸藏之氫，為此，對設置於濺鍍裝置(真空室)之前之靶及/或線圈之表面進行加熱較為有效。藉此，提供一種濺鍍靶及/或 線圈以及該等之製造方法，其可使靶表面之氫之吸附或吸藏減少，使濺鍍時之真空度提高，且具備均一微細之組織，電漿穩定，膜之均一性(uniformity)優異。
可知濺鍍結束後，於更換靶時，對靶及/或線圈之表面進行加熱亦有效且必要，但靶及/或線圈之表面之氫量與濺鍍結束後使其再次運作時的濺鍍室內之真空恢復時間有關，因此，為了改善濺鍍裝置之停工時間，亦必須規定靶及/或線圈之表面之氫量。
本發明得到以下見解：為解決上述之問題，於真空環境下或惰性氣體環境下，對濺鍍靶及/或為了封閉電漿而配置於電漿產生區域周圍之線圈進行加熱，為解決上述課題之有效方法。
本發明根據該見解提供：1)一種濺鍍靶及/或線圈，其特徵在於：濺鍍靶及/或為了封閉電漿而配置於電漿產生區域周圍之線圈的受侵蝕表面之氫含量為500μL/cm2 以下；2)如上述1)之濺鍍靶及/或線圈，其特徵在於：濺鍍靶及/或線圈之受侵蝕表面的氫含量為300μL/cm2 以下；3)如上述2)之濺鍍靶及/或線圈，其特徵在於：濺鍍靶及/或線圈之受侵蝕表面的氫含量為100μL/cm2 以下；4)如上述1)至3)中任一項之濺鍍靶及/或線圈，其特徵在於：濺鍍靶及/或線圈係由選自由Cu、Ti、Ta、 Al、Ni、Co、W、Si、Pt、Mn所組成之群中之至少1種以上之元素及不可避免之雜質所構成。
又，本發明提供：5)一種濺鍍靶及/或線圈之製造方法，其特徵在於：於真空環境下或惰性氣體環境下，對濺鍍靶及/或為了封閉電漿而配置於電漿產生區域周圍之線圈進行加熱，藉此使該靶及/或線圈之受侵蝕表面的氫含量為500μL/cm2 以下；6)如上述5)之濺鍍靶及/或線圈之製造方法，其特徵在於：使濺鍍靶及/或線圈之受侵蝕表面的氫含量為300μL/cm2 以下；7)如上述6)之濺鍍靶及/或線圈之製造方法，其特徵在於：使濺鍍靶及/或線圈之受侵蝕表面的氫含量為100μL/cm2 以下；8)如上述5)至7)中任一項之濺鍍靶及/或線圈之製造方法，其特徵在於：濺鍍靶及/或線圈係由選自由Cu、Ti、Ta、Al、Ni、Co、W、Si、Pt、Mn所組成之群中之至少1種以上之元素及不可避免之雜質所構成。
本發明具有以下效果：對靶及/或線圈之製造步驟、尤其是設置於濺鍍裝置(真空室)之前之靶及/或線圈之表面進行加熱較為有效，藉此可使靶表面之氫之吸附或吸藏減少，從而可提高濺鍍時之真空度，且可獲得具備均一微細之組織、電漿穩定、膜之均一性(uniformity)優異之濺鍍靶及線圈。
本案發明中，對設置於濺鍍裝置(真空室)之前之濺鍍靶及/或線圈之表面，於真空環境下或者惰性氣體環境下進行加熱。加熱方法可任意地選擇。必須徹底避免使用成為氫吸藏原因之氫氣。通常受到侵蝕的主要是濺鍍靶，但線圈亦會受到侵蝕，因此於使用用以封閉電漿之線圈之情形時，線圈亦同樣地必須進行脫氫。
可以說較為理想的是：將進行了利用該加熱之脫氫之濺鍍靶及/或線圈迅速地(可以的話立刻)設置於濺鍍裝置(真空室)。其原因在於此期間氫之吸附或吸藏之可能性變高。這段設置前之時間宜為5小時以內，較佳為3小時以內，進一步較佳為1時間以內。
於將進行了脫氫之濺鍍靶及/或線圈設置於濺鍍裝置(室)內並進行真空抽吸時，於時間不寬裕之情形時(花費長時間之情形時)，可將進行了脫氫之濺鍍靶及/或線圈預先密封(真空密閉)而放置。
於此情形時，雖亦根據密封(真空密閉)之程度，但通常可保管100小時左右，若進一步提高密閉度則大可保管12個月左右。開封(解除真空密封)後只要迅速地設置於濺鍍裝置(室)內即可。
可以說先前技術中，於設置於濺鍍裝置(真空室)之前，未進行此種用以進行濺鍍靶及/或線圈之脫氫之加熱。
加熱方法只要為可加熱濺鍍靶及/或線圈之方法均可。較佳為只要為與加熱該靶及/或線圈之整體相比可僅加熱表面之方法即可。作為僅加熱表面之方法，可列舉利用雷射、紅外線、燈者。該等可防止濺鍍靶或線圈之變形。又，於使用鋁材料之情形時，可防止該構件之熔解。
藉此，可製造使「導入至濺鍍裝置(真空室)之靶及/或線圈之受侵蝕表面的氫含量」為500μL/cm2 以下之濺鍍靶及/或線圈。藉此，可防止濺鍍後之真空室內之氫分壓之上升，從而可改善真空度。
濺鍍靶及/或線圈為消耗品，其原因在於：受到侵蝕後，靶及/或線圈本身會經時性地損耗，即新侵蝕面會持續出現，因此，就常識而言認為靶及/或線圈之侵蝕開始後，隨著其進行會一直釋放氫。不會聯想到靶及/或線圈本身直接影響濺鍍時之真空度。
即，於氫或水分之含有成為問題之情形時，必須針對靶及/或線圈整體(受侵蝕之整個區域)減少氫或水分，不能認為僅藉由表面之機械研磨即可解決。
然而，若研究濺鍍靶及/或線圈之氫或水分之吸附、吸藏之原因，可判明並非靶及/或線圈內部之問題，而是靶及/或線圈表面之機械加工時之問題。
因此，可除去於靶及/或線圈製作之初期階段、即濺鍍靶及/或線圈製作之機械加工時吸附、吸藏之氫或水分，藉此，可有效抑制真空室內氫分壓上升。
進一步，藉由使該氫含量為300μL/cm2 以下，可進一步提高氫分壓上升之防止效果。
進一步，藉由使該氫含量為100μL/cm2 以下，可進一步提高氫分壓上升之防止效果。
又，若濺鍍過程中釋放氫氣，則會影響電漿，從而成為濺鍍率下降及偏差變大之原因(大約偏差會自5%左右變大至15%左右)。
又，藉由使濺鍍靶及/或線圈之氫含量為500μL/cm2 以下，進一步為300μL/cm2 以下，進一步為100μL/cm2 以下，除氫分壓上升之防止效果以外，亦可藉由成膜過程中之氫之減少來提高膜之均一性。又，藉由減少膜中含有之氫，可提高耐電遷移性。
作為本發明之濺鍍靶及/或線圈，可有效地應用於易於吸藏氫之選自由Cu、Ti、Ta、Al、Ni、Co、W、Sl、Pt、Mn所組成之群中之至少1種以上之元素。尤其具有代表性者為鉭(Ta)及鈦(Ti)濺鍍靶及/或線圈。其原因在於，該等大多伴隨精緻之表面加工，吸藏氫之機會較多，又，其原因在於濺鍍膜之氫之含有會成為問題。因此，可以說特別適合應用於該等金屬素材。然而，當然並不限定於該鉭(Ta)及鈦(Ti)濺鍍靶及/或線圈。
本發明之濺鍍靶及/或線圈通常藉由以下步驟製造。若表示其一例，則於使用上述鉭之例中，例如使用4N(99.99%以上)之高純度鉭，使其作為靶及/或線圈之原料。將其藉由電子束熔解等進行熔解、純化以提高純度，並將其鑄造，從而製作錠或小坯。雖不必限定於電子束熔解法，其他熔解法亦可，但若謀求高純度化，則電子束熔解法為較佳之熔解法，可獲得6N等級純度之材料。
其次，對該錠或小坯進行退火-鍛造、軋延、退火(熱處理)、精加工等一系列加工。藉由鍛造或軋延，可破壞鑄造組織，從而可使氣孔或偏析擴散或者消失，進一步藉由將其退火使其再結晶化，藉由重複進行該冷鍛或冷軋及再結晶退火，可提高組織之緻密化、微細化及強度。
於此情形時，可由鑄造品(錠或小坯)直接製造靶及/或線圈。其後，藉由機械加工、研磨加工等精加工，加工成最終之靶及/或線圈形狀。
關於成為線圈之原料之棒狀材料(含線狀材料)，將上述錠或小坯藉由鍛延或擠出而製成棒狀，根據需要將其進行拉線後，使該棒狀材料(線狀材料)作為線圈之原料。
又，於製作線圈之情形時，可使棒狀之線圈材螺旋狀地連續地彎曲而製作，但亦可製作若干類似形狀之線圈片段，最後將該等熔接而製作。
通常會藉由上述製造步驟製造鉭靶及/或線圈，但該製造步驟僅表示一例，本發明於濺鍍靶及/或線圈之加熱之條件之選擇上具有特徵，而非將熔解鑄造、鍛造、熱處理等製造步驟作為發明，因此當然可藉由其他步驟製造，本發明包含該等全部。
又，本發明係關於使靶及/或線圈受到侵蝕時產生之氫減少之發明，當然同樣地可應用於存在「具備如此受到侵蝕之靶及/或受到侵蝕之線圈之濺鍍裝置以及此種機器」之真空機器。
實施例
其次，對實施例進行說明。再者，本實施例係表示發明之一例者，本發明並非限制於該等實施例者。即係包含本發明之技術思想所包含之其他態樣及變形者。
以下所示之實施例代表性地使用有Ta，但選自由上述Cu、Ti、Ta、Al、Ni、Co、W、Si、Pt、Mn所組成之群中之至少1種以上之元素可經由相同之步驟進行製造，可有效地抑制氫吸藏。
以下對實施例及比較例之機械加工之詳細內容及評價結果進行說明。
再者，實施例及比較例中，需要測定氫氣量，根據以下進行測定。關於各種氫含量之試樣，使用以乾式切成20 mm×10 mm×8 mmt之樣品。將該樣品加熱至800℃，且將自表面釋放出之氫氣導入至質譜儀進行測定。
質譜儀之測定條件係使用熱脫附氣相層析質譜儀(Anelva公司製造，AGS-7000)。將試樣設置於真空加熱用之石英管內，以旋轉泵進行5分鐘預排氣後，於高真空下進行10分鐘排氣，從而除去吸附水。並且，確認出背景之離子強度下降，以20℃/min自室溫升溫至800℃。其後，於800℃保持5分鐘，繼而對進行5分鐘冷卻時之產生氣體進行測定。注入一定量之氫進行測定。
(實施例1)
將純度99.997%之鉭原料進行電子束熔解，將其鑄造成厚度為200 mm且直徑為200 mmΦ 之錠或小坯。其次，將該錠或小坯於室溫進行鍛延後，進行1500 K之溫度中之再結晶退火，從而獲得厚度為100 mm且直徑為100 mmΦ 之材料。
其次，將其於冷間進行鍛延及頂鍛以及1173 K之再結晶退火，其次進行再次冷軋，於1173 K(900℃)重複進行2次退火之步驟，進行精加工製成厚度為10 mm且直徑為320 mmΦ 之靶材。
其次，對如上述般製作之靶進行精加工，藉此調整表面粗糙度，於下述之條件下進行靶之脫氫。
靶之表面粗糙度：0.2μm
靶之加熱條件：真空環境、溫度900℃、2小時
將進行了利用加熱之脫氫之濺鍍靶於2小時以內設置於濺鍍裝置(真空室)內。其結果，實施例1之氫氣量成為6μL/cm2 。又，濺鍍前之真空度成為1×10-7 Pa，為良好之結果。
(實施例2)
對於與上述實施例1相同之條件下製作之靶材進行精加工，藉此調整表面粗糙度，於下述之條件下進行靶之脫氫。
靶之表面粗糙度：0.2μm
靶之加熱條件：真空環境、溫度700℃、2小時
將進行了利用加熱之脫氫之濺鍍靶於1小時以內設置於濺鍍裝置(真空室)內。其結果，實施例2之氫氣量成為100μL/cm2 。又，濺鍍前之真空度成為1×10-7 Pa，為良好之結果。
(實施例3)
對於與上述實施例1相同之條件下製作之靶材進行精加工，藉此調整表面粗糙度，於下述之條件下進行靶之脫氫。
靶之表面粗糙度：0.2μm
靶之加熱條件：氬氣環境、溫度700℃、2小時
將進行了利用加熱之脫氫之濺鍍靶於2小時以內設置於濺鍍裝置(真空室)內。其結果，實施例3之氫氣量成為300μL/cm2 。又，濺鍍前之真空度成為2×10-7 Pa，為良好之結果。
(實施例4)
對於與上述實施例1相同之條件下製作之靶材進行精加工，藉此調整表面粗糙度，於下述之條件下進行靶之脫氫。
靶之表面粗糙度：0.2μm
靶之加熱條件：真空環境、溫度500℃、2小時
將進行了利用加熱之脫氫之濺鍍靶於1小時以內設置於濺鍍裝置(真空室)內。其結果，實施例4之氫氣量成為350μL/cm2 。又，濺鍍前之真空度成為5×10-7 Pa，為良好之結果。
(比較例1)
對於與上述實施例1相同之條件下製作之靶材進行精加工，藉此調整表面粗糙度，於下述之條件下進行靶之脫氫。
靶之表面粗糙度：0.2μm
靶之加熱條件：真空環境、溫度500℃、2小時
將濺鍍靶於1小時以內設置於濺鍍裝置(真空室)內。其結果，比較例1之氫氣量成為550μL/cm2 。又，濺鍍前之真空度成為1×10-6 Pa，不良。認為其原因在於加熱溫度較低且脫氫不充分。
(比較例2)
對於與上述實施例1相同之條件下製作之靶材進行精加工，藉此調整表面粗糙度，於下述之條件下進行靶之脫氫。
靶之表面粗糙度：0.2μm
靶之加熱條件：大氣、溫度700℃、2小時
將濺鍍靶於1小時以內設置於濺鍍裝置(真空室)內。其結果，比較例2之氫氣量成為800μL/cm2 。又，濺鍍前之真空度成為5×10-6 Pa，不良。認為其原因在於大氣加熱，且其原因在於脫氫不充分。
(比較例3)
對於與上述實施例1相同之條件下製作之靶材進行精加工，藉此調整表面粗糙度。將濺鍍靶於1小時以內設置於濺鍍裝置(真空室)內。其結果，比較例3之氫氣量成為1000μL/cm2 。又，濺鍍前之真空度成為1×10-5 Pa，不良。認為其原因在於因未進行利用加熱之脫氫而殘存有加工過程中進入之氫。
(實施例5)
對高純度鈦之錠於700℃進行熱加工，其後，於275度將加工比設為2.0進行溫加工，於600℃對靶整體實施1小時均一之熱處理，從而製成厚度為10 mm且直徑為320 mmΦ 之靶材。
以下對實施例及比較例之機械加工之詳細內容及評價結果進行說明。
其次，對如上述般製作之靶進行精加工，藉此調整表面粗糙度，於下述之條件下進行靶之脫氫。
靶之表面粗糙度：0.2μm
靶之加熱條件：真空環境、溫度900℃、2小時
將進行了脫氫之濺鍍靶預先密封(真空密閉)保管，其後，經過1個月之後解除上述密封(真空密閉)，並於1小時以內設置於濺鍍裝置(真空室)內。其結果，實施例5之氫氣量成為10μL/cm2 。又，濺鍍前之真空度成為1×10-7 Pa，為良好之結果。
(實施例6)
對於與上述實施例5相同之條件製作之靶材進行精加工，藉此調整表面粗糙度，於下述之條件下進行靶之脫氫。
靶之表面粗糙度：0.2μm
靶之加熱條件：真空環境、溫度700℃、2小時
將進行了脫氫之濺鍍靶預先密封(真空密閉)保管，其後，經過1個月之後解除上述密封(真空密閉)，並於1小時以內設置於濺鍍裝置(真空室)內。其結果，實施例6之氫氣量成為130μL/cm2 。又，濺鍍前之真空度成為1×10-7 Pa，為良好之結果。
(實施例7)
對於與上述實施例5相同之條件下製作之靶材進行精加工，藉此調整表面粗糙度，於下述之條件下進行靶之脫氫。
靶之表面粗糙度：0.2μm
靶之加熱條件：氬氣環境、溫度700℃、2小時
將進行了脫氫之濺鍍靶預先密封(真空密閉)保管，其後，經過1個月之後解除上述密封(真空密閉)內，並於1小時以內設置於濺鍍裝置(真空室)。其結果，實施例7之氫氣量成為300μL/cm2 。又，濺鍍前之真空度成為2×10-7 Pa，為良好之結果。
(實施例8)
對於與上述實施例5相同之條件下製作之靶材進行精加工，藉此調整表面粗糙度，於下述之條件下進行靶之脫氫。
靶之表面粗糙度：0.2μm
靶之加熱條件：真空環境、溫度500℃、2小時
將進行了脫氫之濺鍍靶預先密封(真空密閉)保管，其後，經過1個月之後解除上述密封(真空密閉)，並於1小時以內設置於濺鍍裝置(真空室)內。其結果，實施例8之氫氣量成為400μL/cm2 。又，濺鍍前之真空度成為6×10-7 Pa，為良好之結果。
又，對上述實施例1～4中製作之鉭靶進行脫氫後，與上述相同地進行真空密閉而保管，其後，經過1個月之後解除上述密封(真空密閉)，並於1小時以內設置於濺鍍裝置(真空室)內。其結果，未見氫氣量之上升，又，亦未見濺鍍前之真空度之降低，於鉭靶中與鈦靶相同地亦得到了良好之結果。
(比較例4)
對於與上述實施例5相同之條件下製作之靶材進行精加工，藉此調整表面粗糙度，於下述之條件下進行靶之脫氫。
靶之表面粗糙度：0.2μm
靶之加熱條件：真空環境、溫度500℃、2小時
將濺鍍靶於1小時以內設置於濺鍍裝置(真空室)內。其結果，比較例4之氫氣量成為550μL/cm2 。又，濺鍍前之真空度成為1×10-6 Pa，不良。認為其原因在於加熱溫度較低且脫氫不充分。
(比較例5)
對於與上述實施例5相同之條件下製作之靶材進行精加工，藉此調整表面粗糙度，於下述之條件下進行靶之脫氫。
靶之表面粗糙度：0.2μm
靶之加熱條件：大氣、溫度700℃、2小時
將濺鍍靶於1小時以內設置於濺鍍裝置(真空室)內。其結果，比較例5之氫氣量成為950μL/cm2 。又，濺鍍前之真空度成為5×10-6 Pa，不良。認為其原因在於大氣加熱，且其原因在於脫氫不充分。
(比較例6)
對於與上述實施例5相同之條件下製作之靶材進行精加工，藉此調整表面粗糙度。將濺鍍靶於1小時以內設置於濺鍍裝置(真空室)內。其結果，比較例6之氫氣量成為1200μL/cm2 。又，濺鍍前之真空度成為1×10-5 Pa，不良。認為其原因在於因未進行利用加熱之脫氫而導致殘存有加工過程中進入之氫。
(實施例與比較例之綜合評價)
關於上述實施例及比較例，對鉭(Ta)與鈦(Ti)進行了說明，但對於由Cu、Al、Ni、Co、W、Si、Pt、Mn所構成之元素亦確認出相同之結果。對於該等元素，靶之製造步驟中之加工種類及熱處理條件僅根據各元素而不同，關於對製作之靶進行精加工且調整表面粗糙度進一步進行靶之脫氫而成之材料處於本發明之條件中者，可充分將氫氣量減少至300μL/cm2 以下，又，濺鍍前之真空度成為1×10-7 Pa以下，獲得了良好之結果。反之，關於偏離本發明之條件者，氫氣量增大，又，濺鍍前之真空度無法達到1×10-7 Pa，不良。
又，關於上述實施例及比較例，對靶進行了說明，但關於為了封閉電漿而配置於電漿產生區域周圍之線圈，藉由進行相同之處理，亦確認出獲得相同之結果。
[產業上之可利用性]
本發明具有以下優異之效果：藉由使靶及/或線圈之製造步驟尤其是使靶及/或線圈之表面之加熱之條件適當，可使靶表面之氫吸藏減少，因此，藉由於對靶及/或線圈進行濺鍍而使用時減少自靶及/或線圈釋放之氫氣量，從而可抑制晶圓更換時之真空室內之真空度之劣化，且可提高濺鍍時之處理量(throughput)(即每小時或每次濺鍍之基板之處理數)。
又，因其具有「靶及/或線圈具備均一微細之組織、濺鍍時之電漿穩定、可獲得膜之均一性(uniformity)優異之濺鍍靶及/或線圈」之效果，故作為適合電子設備之領域尤其是複雜形狀之被膜之形成或電路之形成或者阻隔膜之形成等的靶及/或線圈甚為有用。
圖1係表示配置於濺鍍裝置(真空室)內之靶、基板(晶圓)、線圈之位置關係之圖。

Claims (16)

  1. 一種線圈，為了封閉電漿而配置於電漿產生區域周圍，該線圈之受侵蝕表面的氫含量為500μL/cm2 以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之線圈，其中，線圈之受侵蝕表面的氫含量為300μL/cm2 以下。
  3. 如申請專利範圍第2項之線圈，其中，線圈之受侵蝕表面的氫含量為100μL/cm2 以下。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之線圈，其中，線圈係由選自由Cu、Ti、Ta、Al、Ni、Co、W、Si、Pt、Mn所組成之群中之至少1種以上之元素及不可避免之雜質所構成。
  5. 一種濺鍍靶，其受侵蝕表面的氫含量為500μL/cm2 以下。
  6. 如申請專利範圍第5項之濺鍍靶，其中，濺鍍靶之受侵蝕表面的氫含量為300μL/cm2 以下。
  7. 如申請專利範圍第6項之濺鍍靶，其中，濺鍍靶之受侵蝕表面的氫含量為100μL/cm2 以下。
  8. 如申請專利範圍第5至7項中任一項之濺鍍靶，其中，濺鍍靶係由選自由Cu、Ti、Ta、Al、Ni、Co、W、Si、Pt、Mn所組成之群中之至少1種以上之元素及不可避免之雜質所構成。
  9. 一種線圈之製造方法，將為了封閉電漿而配置於電漿產生區域周圍之線圈進行精加工後，於真空環境下或惰性氣體環境下加熱至500℃以上，藉此使該線圈之受侵蝕表面 的氫含量為500μL/cm2 以下，繼而於5小時以內將該線圈設置於真空室內，或將該線圈真空密封而保管12個月以內之後於5小時以內設置於真空室內，抑制氫之吸附或吸藏。
  10. 如申請專利範圍第9項之線圈之製造方法，其中，使線圈之受侵蝕表面的氫含量為300μL/cm2 以下。
  11. 如申請專利範圍第10項之線圈之製造方法，其中，使線圈之受侵蝕表面的氫含量為100μL/cm2 以下。
  12. 如申請專利範圍第9至11項中任一項之線圈之製造方法，其中，線圈係由選自由Cu、Ti、Ta、Al、Ni、Co、W、Si、Pt、Mn所組成之群中之至少1種以上之元素及不可避免之雜質所構成。
  13. 一種濺鍍靶之製造方法，將濺鍍靶進行精加工後，於真空環境下或惰性氣體環境下加熱至500℃以上，藉此使該濺鍍靶之受侵蝕表面的氫含量為500μL/cm2 以下，繼而於5小時以內將該濺鍍靶設置於真空室內，或將該濺鍍靶真空密封而保管12個月以內之後於5小時以內設置於真空室內，抑制氫之吸附或吸藏。
  14. 如申請專利範圍第13項之濺鍍靶之製造方法，其中，使濺鍍靶之受侵蝕表面的氫含量為300μL/cm2 以下。
  15. 如申請專利範圍第14項之濺鍍靶之製造方法，其中，使濺鍍靶之受侵蝕表面的氫含量為100μL/cm2 以下。
  16. 如申請專利範圍第13至15項中任一項之濺鍍靶之製造方法，其中，濺鍍靶係由選自由Cu、Ti、Ta、Al、Ni、 Co、W、Si、Pt、Mn所組成之群中之至少1種以上之元素及不可避免之雜質所構成。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102791903B (zh) 2010-03-29 2015-04-01 吉坤日矿日石金属株式会社 溅射用钽制线圈及该线圈的加工方法
KR20160067188A (ko) 2011-09-30 2016-06-13 제이엑스금속주식회사 스퍼터링용 탄탈제 코일의 재생 방법 및 그 재생 방법에 의해서 얻어진 탄탈제 코일
CN104658845B (zh) * 2013-11-22 2017-07-28 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置及其隔离装置
JP6573771B2 (ja) * 2015-03-31 2019-09-11 Ｊｘ金属株式会社 スパッタリングターゲットの製造方法
SG11201807093PA (en) * 2016-03-09 2018-09-27 Jx Nippon Mining & Metals Corp Copper or copper alloy target containing argon or hydrogen
SG11201802505WA (en) * 2016-03-25 2018-04-27 Jx Nippon Mining & Metals Corp Ti-Ta ALLOY SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
CN109957762B (zh) * 2017-12-14 2020-11-27 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀方法以及蒸镀装置
JP6586540B1 (ja) * 2019-03-28 2019-10-02 Ｊｘ金属株式会社 ターゲット材とバッキングプレートとの接合体、および、ターゲット材とバッキングプレートとの接合体の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW531563B (en) * 1997-04-15 2003-05-11 Japan Energy Corp Sputtering target
TW200540285A (en) * 2004-03-01 2005-12-16 Nikko Materials Co Ltd Sputtering target with few surface defects and method for processing surface thereof
TW201002645A (en) * 2008-07-07 2010-01-16 Nippon Mining Co Lanthanum oxide-based sintered object, sputtering target comprising the sintered object, process for producing lanthanum oxide-based sintered object, and process for sputtering target production using the process

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1009739B (zh) 1985-12-20 1990-09-26 北京有色金属研究总院 铌合金的制造方法
JPH01149959A (ja) * 1987-12-08 1989-06-13 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 合金ターゲットの製造方法
JPH01290766A (ja) 1988-05-18 1989-11-22 Nippon Mining Co Ltd Ｔｉ含有高純度Ｔａターゲット及びその製造方法
US4838935A (en) * 1988-05-31 1989-06-13 Cominco Ltd. Method for making tungsten-titanium sputtering targets and product
JPH03257158A (ja) 1990-03-07 1991-11-15 Toshiba Corp スパッタリングターゲット
US5298338A (en) * 1990-06-15 1994-03-29 Hitachi Metals, Ltd. Titanium-tungsten target material and manufacturing method thereof
JP2794382B2 (ja) 1993-05-07 1998-09-03 株式会社ジャパンエナジー スパッタリング用シリサイドターゲット及びその製造方法
JPH0770744A (ja) * 1993-09-02 1995-03-14 Hitachi Metals Ltd Ｔｉ−Ｗターゲット材およびその製造方法
JPH0813141A (ja) * 1994-06-28 1996-01-16 Riyouka Massey Kk スパッタリングターゲット及びその製造方法
JPH1119853A (ja) 1997-06-30 1999-01-26 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 水素吸蔵金属の表面研磨方法
JPH1180942A (ja) * 1997-09-10 1999-03-26 Japan Energy Corp Ｔａスパッタターゲットとその製造方法及び組立体
US6315872B1 (en) 1997-11-26 2001-11-13 Applied Materials, Inc. Coil for sputter deposition
US6001227A (en) * 1997-11-26 1999-12-14 Applied Materials, Inc. Target for use in magnetron sputtering of aluminum for forming metallization films having low defect densities and methods for manufacturing and using such target
US6042777A (en) 1999-08-03 2000-03-28 Sony Corporation Manufacturing of high density intermetallic sputter targets
KR20020068535A (ko) * 1999-11-22 2002-08-27 가부시키 가이샤 닛코 마테리알즈 스퍼터링용 티타늄 타겟트
JP4127474B2 (ja) 2002-02-04 2008-07-30 株式会社東芝 スパッタリングターゲット
CN101521249B (zh) * 2002-09-30 2012-05-23 米亚索尔公司 薄膜太阳能电池大规模生产的制造装置与方法
AU2003275239A1 (en) 2002-09-30 2004-04-23 Miasole Manufacturing apparatus and method for large-scale production of thin-film solar cells
JP4184344B2 (ja) 2002-11-06 2008-11-19 株式会社野村鍍金 真空用部材の表面処理方法
US8187416B2 (en) * 2005-05-20 2012-05-29 Applied Materials, Inc. Interior antenna for substrate processing chamber
US8969195B2 (en) * 2008-02-22 2015-03-03 International Business Machines Corporation Methods of manufacturing semiconductor devices and a semiconductor structure
KR20170076818A (ko) * 2009-11-13 2017-07-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링 타겟 및 그 제작 방법 및 트랜지스터

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW531563B (en) * 1997-04-15 2003-05-11 Japan Energy Corp Sputtering target
TW200540285A (en) * 2004-03-01 2005-12-16 Nikko Materials Co Ltd Sputtering target with few surface defects and method for processing surface thereof
TW201002645A (en) * 2008-07-07 2010-01-16 Nippon Mining Co Lanthanum oxide-based sintered object, sputtering target comprising the sintered object, process for producing lanthanum oxide-based sintered object, and process for sputtering target production using the process

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