JPH1119853A - 水素吸蔵金属の表面研磨方法 - Google Patents
水素吸蔵金属の表面研磨方法Info
- Publication number
- JPH1119853A JPH1119853A JP17340097A JP17340097A JPH1119853A JP H1119853 A JPH1119853 A JP H1119853A JP 17340097 A JP17340097 A JP 17340097A JP 17340097 A JP17340097 A JP 17340097A JP H1119853 A JPH1119853 A JP H1119853A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrogen
- hydrogen storage
- storage metal
- grinding
- grinding oil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 水素吸蔵金属の表面を研磨する方法に関す
る。 【解決手段】 水素吸蔵金属表面を研削油を用いて研磨
する方法において、研削油の水分含有量を所定値を越え
ないようにして水素吸蔵金属の表面を研磨する方法。
る。 【解決手段】 水素吸蔵金属表面を研削油を用いて研磨
する方法において、研削油の水分含有量を所定値を越え
ないようにして水素吸蔵金属の表面を研磨する方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は水素吸蔵金属の表面
を研磨する方法に関する。
を研磨する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】水素吸蔵金属、例えば、Ｔａ，Ｎｂ，Ｍ
ｇ，Ｖ等はその表面を研磨して酸化皮膜を除去すると大
気中の水分から水素を吸収し水素脆化を生じる。そのた
め、表面研磨後に真空熱処理を行い水素吸蔵金属中の水
素を除去している。
ｇ，Ｖ等はその表面を研磨して酸化皮膜を除去すると大
気中の水分から水素を吸収し水素脆化を生じる。そのた
め、表面研磨後に真空熱処理を行い水素吸蔵金属中の水
素を除去している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】水素吸蔵金属は表面に
強固な薄い酸化皮膜があるため、大気中においては該金
属内部は健全な状態が守られている。しかし、表面研磨
を行うと表面の酸化皮膜が破壊され活性な面が露出し、
水素を吸収するようになる。板などの単純な形状の品物
であれば真空炉を用いて、真空熱処理をすれば吸収した
水素を排出することができるが、構造体の状態であると
真空熱処理を適用することが困難な場合が多い。したが
って、水素を吸収しない水素吸蔵金属表面研磨方法が望
まれている。
強固な薄い酸化皮膜があるため、大気中においては該金
属内部は健全な状態が守られている。しかし、表面研磨
を行うと表面の酸化皮膜が破壊され活性な面が露出し、
水素を吸収するようになる。板などの単純な形状の品物
であれば真空炉を用いて、真空熱処理をすれば吸収した
水素を排出することができるが、構造体の状態であると
真空熱処理を適用することが困難な場合が多い。したが
って、水素を吸収しない水素吸蔵金属表面研磨方法が望
まれている。
【０００４】本発明は上記技術水準に鑑み、上記技術的
要望に答えうる水素吸蔵金属の表面研磨方法を提供しよ
うとするものである。
要望に答えうる水素吸蔵金属の表面研磨方法を提供しよ
うとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は下記（１），
（２）の技術的構成を有する。 （１）水素吸蔵金属表面を研削油を用いて研磨する方法
において、研削油の水分含有量を所定値を越えないよう
に制限したことを特徴とする水素吸蔵金属の表面研磨方
法。 （２）研削油中の水分含有量を２００ｐｐｍを越えない
ように制限したことを特徴とする請求項１の水素吸蔵金
属の表面研磨方法。
（２）の技術的構成を有する。 （１）水素吸蔵金属表面を研削油を用いて研磨する方法
において、研削油の水分含有量を所定値を越えないよう
に制限したことを特徴とする水素吸蔵金属の表面研磨方
法。 （２）研削油中の水分含有量を２００ｐｐｍを越えない
ように制限したことを特徴とする請求項１の水素吸蔵金
属の表面研磨方法。
【０００６】（作用）前述したように、表面研磨を行う
と、水素吸蔵金属表面の酸化皮膜が破壊され、活性な金
属表面が露出する。露出した活性な面に研削剤中に含ま
れる水分あるいは大気中の水分が接触すると、水を構成
している酸素が水素吸蔵金属と反応して新たな酸化皮膜
を生じるが、同時に水素も発生して活性な面から水素が
水素吸蔵金属に吸収される。表面研磨は水素吸蔵金属の
研磨量が少ないため、ほぼ同一箇所にておいて何度も表
面皮膜破壊を生じており、水素は水素吸蔵金属中に蓄積
されていく。
と、水素吸蔵金属表面の酸化皮膜が破壊され、活性な金
属表面が露出する。露出した活性な面に研削剤中に含ま
れる水分あるいは大気中の水分が接触すると、水を構成
している酸素が水素吸蔵金属と反応して新たな酸化皮膜
を生じるが、同時に水素も発生して活性な面から水素が
水素吸蔵金属に吸収される。表面研磨は水素吸蔵金属の
研磨量が少ないため、ほぼ同一箇所にておいて何度も表
面皮膜破壊を生じており、水素は水素吸蔵金属中に蓄積
されていく。
【０００７】したがって、本発明におけるように、研削
剤に水分量の少ない研削油を用いることにより、水素吸
蔵金属表面研磨時に生じる活性な新生面が直接研削油及
び大気中の水分にくり返しさらされることがなくなるた
め、水分から由来する水素の水素吸蔵金属への吸収を防
止することができる。なお、水分量の少ない研削油を用
いて水素吸蔵金属の表面研磨をした場合、研磨完了後研
削油を除去すると、研磨面は大気にふれて強固な酸化皮
膜が生成し、同時に水素吸蔵金属へ若干の水素吸収が生
じるが、一度だけであり、水素吸蔵金属に吸収される水
素量は無視できる。
剤に水分量の少ない研削油を用いることにより、水素吸
蔵金属表面研磨時に生じる活性な新生面が直接研削油及
び大気中の水分にくり返しさらされることがなくなるた
め、水分から由来する水素の水素吸蔵金属への吸収を防
止することができる。なお、水分量の少ない研削油を用
いて水素吸蔵金属の表面研磨をした場合、研磨完了後研
削油を除去すると、研磨面は大気にふれて強固な酸化皮
膜が生成し、同時に水素吸蔵金属へ若干の水素吸収が生
じるが、一度だけであり、水素吸蔵金属に吸収される水
素量は無視できる。
【０００８】本発明の対象とする水素吸蔵金属としては
Ｔａ，Ｎｂ，Ｍｇ，Ｖ等があげられ、研削油としては灯
油のほかケロシン、無水アルコール等があげられる。
Ｔａ，Ｎｂ，Ｍｇ，Ｖ等があげられ、研削油としては灯
油のほかケロシン、無水アルコール等があげられる。
【０００９】
【実施例】本発明による表面研磨方法を水素吸蔵金属で
あるタンタル材に適用した例を図１及び図２によって説
明し、本発明の効果を明らかにする。図１はタンタル材
１の上に水分量を制限した研削油（灯油）２、４ｃｃ／
１００ｃｍ2 の量を塗布した状態で、円板状砥石及び研
磨布を用いて表面研磨している状態を示す。研磨条件を
表１に示す。
あるタンタル材に適用した例を図１及び図２によって説
明し、本発明の効果を明らかにする。図１はタンタル材
１の上に水分量を制限した研削油（灯油）２、４ｃｃ／
１００ｃｍ2 の量を塗布した状態で、円板状砥石及び研
磨布を用いて表面研磨している状態を示す。研磨条件を
表１に示す。
【００１０】
【表１】
【００１１】表１の条件でタンタル材を研磨した後、同
材の水素量を測定した結果を図２に示す。図２には比較
のため、表１の条件で研削剤に水を用いた場合と、何も
用いていなかった場合の水素量測定結果を示すが水分量
を２００ｐｐｍ以下に規制した研削油を用いた場合はほ
とんど受入れ材と同等であり水素の吸収は認められなか
った。
材の水素量を測定した結果を図２に示す。図２には比較
のため、表１の条件で研削剤に水を用いた場合と、何も
用いていなかった場合の水素量測定結果を示すが水分量
を２００ｐｐｍ以下に規制した研削油を用いた場合はほ
とんど受入れ材と同等であり水素の吸収は認められなか
った。
【００１２】本発明による表面研磨方法をタンタル材に
適用した結果を従来方法と比較して表２に示す。
適用した結果を従来方法と比較して表２に示す。
【００１３】
【表２】 注：表面研磨前のタンタル材の水素量：２ｐｐｍ
【００１４】表２のように、従来の方法では１５〜３５
ｐｐｍの水素量がタンタル材に吸収されていたが、本発
明の方法によるとタンタル材の水素量は数ｐｐｍに低下
しておりその効果が確認された。なお、上記実施例は水
素吸蔵金属としてタンタル（Ｔａ）を用いた場合につい
て説明したが、その他の水素吸蔵金属Ｎｂ，Ｍｇ，Ｖ等
の場合も、ほぼ同様の結果が得られた。
ｐｐｍの水素量がタンタル材に吸収されていたが、本発
明の方法によるとタンタル材の水素量は数ｐｐｍに低下
しておりその効果が確認された。なお、上記実施例は水
素吸蔵金属としてタンタル（Ｔａ）を用いた場合につい
て説明したが、その他の水素吸蔵金属Ｎｂ，Ｍｇ，Ｖ等
の場合も、ほぼ同様の結果が得られた。
【００１５】
【発明の効果】本発明の水素吸蔵金属の研削方法によれ
ば、表面を研削された水素吸蔵金属中の水素量は極めて
少量であり、水素吸蔵金属の本来の使用に際して十分効
果を発揮することができる。
ば、表面を研削された水素吸蔵金属中の水素量は極めて
少量であり、水素吸蔵金属の本来の使用に際して十分効
果を発揮することができる。
【図１】本発明の実施例に係る表面研磨方法の概略図。
【図２】本発明の実施例に係る表面研磨後のタンタル材
中の水素量の変化を示す図表。
中の水素量の変化を示す図表。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 暁男 兵庫県神戸市兵庫区和田崎町一丁目１番１ 号 三菱重工業株式会社神戸造船所内
Claims (2)
- 【請求項１】水素吸蔵金属表面を研削油を用いて研磨す
る方法において、研削油の水分含有量を所定値を越えな
いように制限したことを特徴とする水素吸蔵金属の表面
研磨方法。 - 【請求項２】研削油中の水分含有量を２００ｐｐｍを越
えないように制限したことを特徴とする請求項１の水素
吸蔵金属の表面研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17340097A JPH1119853A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 水素吸蔵金属の表面研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17340097A JPH1119853A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 水素吸蔵金属の表面研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1119853A true JPH1119853A (ja) | 1999-01-26 |
Family
ID=15959722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17340097A Pending JPH1119853A (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 水素吸蔵金属の表面研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1119853A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012014921A1 (ja) | 2010-07-30 | 2012-02-02 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット及び／又はコイル並びにこれらの製造方法 |
-
1997
- 1997-06-30 JP JP17340097A patent/JPH1119853A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012014921A1 (ja) | 2010-07-30 | 2012-02-02 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット及び／又はコイル並びにこれらの製造方法 |
| US9951412B2 (en) | 2010-07-30 | 2018-04-24 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target and/or coil, and process for producing same |
| US10557195B2 (en) | 2010-07-30 | 2020-02-11 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target and/or coil, and process for producing same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2007103515A (ja) | 研磨方法 | |
| JP2004526302A5 (ja) | ||
| JP3118195B2 (ja) | アルミニウムまたはアルミニウム合金の化学機械研磨法 | |
| JPH1119853A (ja) | 水素吸蔵金属の表面研磨方法 | |
| TWI231850B (en) | Processing method for high purity gas container and high purity gas filled in said container | |
| Fremlin et al. | The preparation of thin sections of dental enamel | |
| JPS61291674A (ja) | 研磨剤 | |
| TW486405B (en) | Method for grinding metallic workpieces containing, in particular, nickel | |
| JPH01193170A (ja) | 鏡面研磨方法 | |
| Heppler | Crystal preparation at LBL 1976 to 1986 | |
| CN103214972A (zh) | 用于使表面平坦化的组合物及方法 | |
| JP3615134B2 (ja) | 研磨材 | |
| KR900014080A (ko) | 금속도장면의 연마방법 | |
| JP2929313B2 (ja) | ＣｄＴｅ結晶研磨用の鏡面加工剤およびＣｄＴｅ結晶の鏡面加工方法 | |
| Buchheit et al. | Procedures for the Metallographic Preparation of Beryllium, Titanium, and Refractory Metals | |
| Desai et al. | Chemical mechanical polishing for planarization in manufacturing environment | |
| Chopra et al. | Automatic metallographic preparation of low-concentration, directionally solidified lead-tin alloys | |
| JPH08112741A (ja) | 強誘電性材料表面用研磨剤及び研磨方法 | |
| JPS5741171A (en) | Grindstone for grinding and cutting | |
| JPH0426215Y2 (ja) | ||
| JPS63274782A (ja) | ステンレス鋼のラッピング液 | |
| Roth et al. | Techniques of Specimen Preparation for Metallography Using a New and Unique Automated Polishing Process | |
| JP2002222782A5 (ja) | ||
| JPS6080560A (ja) | マスクの裏面研磨方法 | |
| JP2003056755A (ja) | 耐候性に優れたステンレス鋼管 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031202 |