TWI496202B - 用以維持控制之彎月面內之液體分離的系統、方法與設備 - Google Patents

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Description

用以維持控制之彎月面內之液體分離的系統、方法與設備 【交叉參考之相關申請案】
本發明係大致上關於半導體製造處理，更具體而言，係關於利用近接頭的半導體處理方法與系統。
本發明係關於2003年6月30日申請之名為「METHOD AND APPARATUS FOR CLEANING A SUBSTRATE USING MEGASONIC POWER」之同在審理中且共有之代理人備忘錄編號LAM2P429的美國專利申請案10/611,141，特將其所有內容包含於此作為參考。此申請案係關於2002年12月24日申請之名為「MENISCUS,VACUUM,IPA VAPOR,DRYING MANIFOLD」之同在審理中且共有之代理人備忘錄編號LAM2P381A的美國專利申請案10/330,843，特將其所有內容包含於此作為參考。此申請案係關於2002年12月24日申請之名為「SYSTEM FOR SUBSTRATE PROCESSING WITH MENISCUS,VACUUM,IPA VAPOR,DRYING MANIFOLD」之同在審理中且共有之代理人備忘錄編號LAM2P381B的美國專利申請案10/330,897，特將其所有內容包含於此作為參考。此申請案亦關於2002年9月30日申請之名為「METHOD AND APPARATUS FOR DRYING SEMICONDUCTOR WAFER SURFACES USING A PLURALITY OF INLETS AND OUTLES HELD IN CLOSE PROXIMITY TO THE WAFER SURFACES」之同在審理中且共有之代理人備忘錄編號LAM2P191.CIP的美國專利申請案10/261,839，特將其所有內容包含於此作為參考。
一般皆知，在半導體晶片的製造處理過程中，當進行過製造操作會在晶圓表面上殘留非所欲之殘留物時，便存在著清理及乾 燥晶圓的需要。此類製造操作的實例包含了電漿蝕刻及化學機械研磨(CMP)。在CMP中，晶圓被放置在會將晶圓表面推向研磨表面的支座中。研漿可包含產生研磨用的化學品及研磨材料。不幸的是，此處理很容易會在晶圓表面處累積研漿粒子與殘留物。若非所欲的殘留材料與粒子被留在晶圓上，則其尤其會在晶圓表面上產生刮傷並在金屬特徵部間產生不當的交互作用。在某些情況下，此類缺陷可能會導致晶圓上的裝置變得無法操作。因此，為了避免丟棄具有不可操作之裝置的晶圓所導致的過度成本，必須在留下非所欲之殘留物的製造操作後適切且有效地清理晶圓。
在晶圓已經過濕式清理後，必須有效地乾燥晶圓以避免殘餘的水或清理流體在晶圓上留下殘留物。若像通常的情況一樣能夠將晶圓表面上的清理流體蒸發，則先前溶解於清理流體中的小液滴、殘留物或污染物將會在蒸發後滯留在晶圓表面上(例如，並形成斑塊)。為了避免發生蒸發，清理流體必須儘快地被移除而不在晶圓表面上形成液滴。
在嘗試著完成此目的時，施行了數種不同乾燥技術中的一種，例如旋乾等。此些乾燥技術在晶圓上使用了特定形式的移動液體/氣體界面，若適當地維持該些移動液體/氣體界面則會乾燥晶圓表面但卻不會形成液滴。不幸的是，若如前述所有乾燥方法所經常發生地，移動液體/氣體界面破裂了，則蒸發會發生而導致污染物及/或斑塊留在晶圓表面上。
有鑑於前述觀點，需要一種乾燥技術，其能將基板表面上的液滴效應最小化或實質上消除基板表面上的液滴形成。
大體而言，本發明係藉由提供較佳的近接頭及利用此較佳近接頭的系統與方法來滿足上述需要。應注意，本發明可以各種方法來加以施行，包含處理、設備、系統、電腦可讀媒體或裝置。以下將敘述本發明的數個發明實施例。
一實施例提供了一種近接頭。此近接頭包含一頭表面，而此 頭表面包含一第一區域、一第二區域及一內返回區域。第一區域包含第一平表面區域及複數第一離散孔洞。該複數第一離散孔洞中的每一者皆連接至複數第一管道中的對應一者。該複數第一離散孔洞位於該頭表面中並延伸通過該第一平表面區域。該複數第一離散孔洞中的至少一部分係設置在第一列中。第二區域包含了第二平區域及複數的第二離散孔洞。該複數第二離散孔洞中的每一者皆連接至複數第二管道中的對應一者。該複數第二離散孔洞位於該頭表面中並延伸通過該第二平表面區域。該內返回區域包含了複數的內返回離散孔洞。該內返回區域係設置於該第一區域與該第二區域之間並與其相鄰。該複數內返回離散孔洞中的每一者係連接至複數內返回管道中的對應一者。該複數內返回離散孔洞係位於該頭表面中並延伸通過該頭表面。該複數內返回離散孔洞中的至少一部分係設置於內返回列中。該第一列與該內返回列係實質上平行。該複數內返回離散孔洞中的每一者的邊緣的第一部分係陷入該頭表面中。
該第一區域亦可包含複數之第三離散孔洞，該複數第三離散孔洞中的每一者皆連接至複數第三管道中的對應一者。該複數之第三離散孔洞係位於該頭表面中且延伸通過該第一平表面區域。該複數第三離散孔洞中的至少一部分係設置在第三列中。該第三列係實質上平行於該第一列且設置在該第一列與界面列對向的一側上。
該複數第一管道可連接至第一液體源並用以提供第一液體至該頭表面。該第二管道可連接至第二液體源並用以提供第二液體至該頭表面。該複數之內返回管道與該複數之第三管道可連接至一真空源並用以自該頭表面移除至少一部分的該第一液體。
該複數內返回離散孔洞之每一者之邊緣的陷入第一部分係以第一角度陷入至該頭表面中，該第一角度形成了自該複數內返回離散孔洞之每一者之邊緣的該陷入第一部分以第一距離向該第一列延伸的一凹面。
該複數內返回離散孔洞之每一者之邊緣的該陷入第一部分可被包含在一陷入的第一角度部分中，此陷入的第一角度部分在該複數內返回離散孔洞的每一者處具有第一陷入邊緣，而該陷入的第一角度部分包含了與該頭表面交叉的第二陷入邊緣，其中該陷入的第一角度部分自該內返回列朝向該第一列延伸第一距離。
該陷入的第一角度部分可包含大於一的角度部分。該陷入的第一角度部分可包含一或多個曲部。該第一陷入邊緣可包含自該陷入第一角度部分至該複數內返回離散孔洞中的每一者的一曲部。
該複數第二離散孔洞中的至少一部分可設置於第二列中。該第二列與該內反返回列係實質上平行。該第二列係與該第一列對向，其中該第二區域更包含複數的第五離散孔洞與複數的第六離散孔洞。該複數第五離散孔洞中的每一者係連接至複數第五管道中的對應一者，而該複數第六離散孔洞中的每一者係連接至複數第六管道中的對應一者。該複數第五離散孔洞與該複數第六離散孔洞係位於該頭表面中並延伸通過該第二平表面區域。該複數第五離散孔中的至少一部分係設置在第三列中，而該複數第六離散孔洞中的至少一部分係設置在第四列中。該第四列的至少一部分與該第三列係實質上平行於該第二列。該第三列係設置在該第二列與該內返回列對向的一側上，該第四列係設置在該第五列與該第二列對向的一側上。
該複數第一管道可連接至第一液體源並用以提供第一液體至該頭表面，該複數第二管道係連接至第二液體源且用以提供第二液體至該頭表面，該複數內返回管道及該複數第五管道係用以自該頭表面移除至少一部分的該第二液體，該複數第六管道係用以提供第一流體至該頭表面，該第一流體係不同於該第一液體與該第二液體。
該第二區域可包含具有斜面的突出部。該斜面具有第一邊緣，此第一邊緣係與介於該第二列與該內返回列的該頭表面交 叉。該斜面具有鄰近於該內返回列的第二邊緣。該第二邊緣自該頭表面突出一突出距離，此突出距離較該頭表面與欲處理表面間的距離更短。該斜面可以介於約1度至約89度的角度而與該頭表面交叉。該斜表可包含大於一個以上的斜面。該大於一個以上的斜面中的至少一者係實質上與該頭表面平行。
該複數第二管道的至少一部分可以介於約10度至約90度的角度而與該頭表面交叉並指向該內返回列。該第一平表面區域與該第二平表面區域之至少一者的至少一部分可彎曲。
另一實施例提供了一近接頭。此近接頭包含了一頭表面，此頭表面包含了第一區域、第二區域及內返回區域。第一區域包含第一平表面區域及複數第一離散孔洞。該複數第一離散孔洞中的每一者皆連接至複數第一管道中的對應一者。該複數第一離散孔洞位於該頭表面中並延伸通過該第一平表面區域。該複數第一離散孔洞中的至少一部分係設置在第一列中。第二區域包含了第二平區域及複數的第二離散孔洞。該複數第二離散孔洞中的每一者皆連接至複數第二管道中的對應一者。該複數第二離散孔洞位於該頭表面中並延伸通過該第二平表面區域。該內返回區域包含了複數的內返回離散孔洞。該內返回區域係設置於該第一區域與該第二區域之間並與其相鄰。該複數內返回離散孔洞中的每一者係連接至複數內返回管道中的對應一者。該複數內返回離散孔洞係位於該頭表面中並延伸通過該頭表面。該複數內返回離散孔洞中的至少一部分係設置於內返回列中。該第一列與該內返回列係實質上平行。該第二區域包含具有一斜面的突出部，該斜表面具有第一邊緣，該第一邊緣係與介於該第一列與該內返回列間的該頭表面交叉，該斜面具有鄰近於該內返回列的第二邊緣，該第二邊緣自該頭表面突出一突出距離，此突出距離較該頭表面與欲處理表面間的距離更短。
另一實施例提供一近接頭。此近接頭包含了一頭表面，此頭表面包含了第一區域、第二區域及內返回區域。第一區域包含第 一平表面區域及複數第一離散孔洞。該複數第一離散孔洞中的每一者皆連接至複數第一管道中的對應一者。該複數第一離散孔洞位於該頭表面中並延伸通過該第一平表面區域。該複數第一離散孔洞中的至少一部分係設置在第一列中。第二區域包含了第二平區域及複數的第二離散孔洞。該複數第二離散孔洞中的每一者皆連接至複數第二管道中的對應一者。該複數第二離散孔洞位於該頭表面中並延伸通過該第二平表面區域。該內返回區域包含了複數的內返回離散孔洞。該內返回區域係設置於該第一區域與該第二區域之間並與其相鄰。該複數內返回離散孔洞中的每一者係連接至複數內返回管道中的對應一者。該複數內返回離散孔洞係位於該頭表面中並延伸通過該頭表面。該複數內返回離散孔洞中的至少一部分係設置於內返回列中。該第一列與該內返回列係實質上平行。該複數第二管道中的至少一部分係以介於約10度至約90度的角度而與該頭表面交叉並指向該內返回列。
更另一實施例提供了一近接頭。此近接頭包含了一頭表面，此頭表面包含了第一區域、第二區域及內返回區域。第一區域包含第一平表面區域及複數第一離散孔洞。該複數第一離散孔洞中的每一者皆連接至複數第一管道中的對應一者。該複數第一離散孔洞位於該頭表面中並延伸通過該第一平表面區域。該複數第一離散孔洞中的至少一部分係設置在第一列中。第二區域包含了第二平區域及複數的第二離散孔洞。該複數第二離散孔洞中的每一者皆連接至複數第二管道中的對應一者。該複數第二離散孔洞位於該頭表面中並延伸通過該第二平表面區域。該內返回區域包含了複數的內返回離散孔洞。該內返回區域係設置於該第一區域與該第二區域之間並與其相鄰。該複數內返回離散孔洞中的每一者係連接至複數內返回管道中的對應一者。該複數內返回離散孔洞係位於該頭表面中並延伸通過該頭表面。該複數內返回離散孔洞中的至少一部分係設置於內返回列中。該第一列與該內返回列係實質上平行。該複數內返回離散孔洞中之每一者之邊緣的第一部 分係陷入該頭表面中，且該第二區域包含具有斜面的一突出部。該斜面具有第一邊緣，此第一邊緣係與介於該第二列與該內返回列間的該頭表面交叉。該斜面具有鄰近於該內返回列的第二邊緣，該第二邊緣自該頭表面突出一突出距離，此突出距離較該頭表面與欲處理表面間的距離更短。該複數第二管道中的至少一部分以介於約10度至約90度的角度而與該頭表面交叉並指向該內返回列。
仍另一實施例提供了彎月面的形成方法，其包含在欲處理的表面附近移動近接頭。此近接頭包含一頭表面，而此頭表面包含一第一區域、一第二區域及一內返回區域。第一區域包含第一平表面區域及複數第一離散孔洞。該複數第一離散孔洞中的每一者皆連接至複數第一管道中的對應一者。該複數第一離散孔洞位於該頭表面中並延伸通過該第一平表面區域。該複數第一離散孔洞中的至少一部分係設置在第一列中。第二區域包含了第二平區域及複數的第二離散孔洞。該複數第二離散孔洞中的每一者皆連接至複數第二管道中的對應一者。該複數第二離散孔洞位於該頭表面中並延伸通過該第二平表面區域。該內返回區域包含了複數的內返回離散孔洞。該內返回區域係設置於該第一區域與該第二區域之間並與其相鄰。該複數內返回離散孔洞中的每一者係連接至複數內返回管道中的對應一者。該複數內返回離散孔洞係位於該頭表面中並延伸通過該頭表面。該複數內返回離散孔洞中的至少一部分係設置於內返回列中，該第一列與該內返回列係實質上平行。此方法更包含：在該頭表面與該欲處理之表面間形成雙液體彎月面；經由該內返回離散孔洞移除該第一液體與該第二液體的一部分，此移除步驟包含將鄰近該內返回離散孔洞之第一液體的速度降低至第一速度，其中該第一速度係低於鄰近於該內返回離散孔洞之第二液體的第二速度。鄰近該內返回離散孔洞的該第二速度亦可增加。
更另一實施例提供了一種彎月面的形成方法，其包含移動欲 處理表面附近的近接頭。此近接頭包含一頭表面，而此頭表面包含一第一區域、一第二區域及一內返回區域。第一區域包含第一平表面區域及複數第一離散孔洞。該複數第一離散孔洞中的每一者皆連接至複數第一管道中的對應一者。該複數第一離散孔洞位於該頭表面中並延伸通過該第一平表面區域。該複數第一離散孔洞中的至少一部分係設置在第一列中。第二區域包含了第二平區域及複數的第二離散孔洞。該複數第二離散孔洞中的每一者皆連接至複數第二管道中的對應一者。該複數第二離散孔洞位於該頭表面中並延伸通過該第二平表面區域。該內返回區域包含了複數的內返回離散孔洞。該內返回區域係設置於該第一區域與該第二區域之間並與其相鄰。該複數內返回離散孔洞中的每一者係連接至複數內返回管道中的對應一者。該複數內返回離散孔洞係位於該頭表面中並延伸通過該頭表面。該複數內返回離散孔洞中的至少一部分係設置於內返回列中，該第一列與該內返回列係實質上平行。此方法更包含：在該頭表面與該欲處理之表面間形成雙液體彎月面；經由該內返回離散孔洞移除該第一液體與該第二液體的一部分，此移除步驟包含將鄰近該內返回離散孔洞之第二液體的速度增加至第二速度，其中該第二速度係高於鄰近於該內返回離散孔洞之第一液體的第一速度。
自下列伴隨附圖之詳細敘述藉由實施例之方式說明本發明之原理，本發明之其他態樣與優點將更清晰。
現將敘述近接頭的數個例示性實施例。熟知此項技藝者將瞭解，在毋需本文中所述之部分或全部特定細節的情況下亦可施行本發明。
近接頭100的各種實施例係更詳細地敘述於：2002年12月24日申請之名為「Meniscus,Vacuum,IPA Vapor,Drying Manifold」之共有的美國專利申請案10/330,843；及2002年9月30日申請之 名為「Method and Apparatus for Drying Semiconductor Wafer Surfaces Using a Plurality of Inlets and Outlets Held in Close Proximity to the Wafer Surfaces」之共有的美國專利申請案10/261,839。近接頭的各種實施例亦詳細地敘述於：2002年12月24日申請之名為「System for Substrate Processing with Meniscus,Vacuum,IPA vapor,Drying Manifo1d」之共有的美國專利申請案10/330,897；及2003年3月31日申請之名為「Vertical Proximity Processor」之共有的美國專利申請案10/404,270；及2003年3月31日申請之名為「Methods and Systems for Processing a Substrate Using a Dynamic Liquid Meniscus」之共有的美國專利申請案10/404,692。特將前述專利申請案的所有內容包含於此作為參考。
圖1A顯示了根據本發明之一實施例之於基板108的表面108A上施行操作的近接頭100。近接頭100可於正在被處理的物件108的上表面108A附近作相對移動。正在被處理的物件108可為任何類型的物件(例如，金屬物件、陶瓷、塑膠、半導體基板、或任何其他所欲的物件)。應瞭解，近接頭100亦可被用來處理(例如，清理、乾燥、蝕刻、電鍍等)物件108的底表面108B。
近接頭100包含一或多個將第一液體112輸送至近接頭之頭表面110A的第一管道112A。近接頭100亦包含一或多個將第二流體114輸送至頭表面110A的第二管道114A。如下所將更詳細討論的，第二流體114可不同於第一液體112。近接頭100亦包含用以自頭表面110A移除第一液體112與第二流體114的複數第三管道116A。
圖1B為根據本發明之一實施例之近接頭100的頭表面110A的圖。頭表面110A包含實質上平的區域110B、110C、110D。實質上平的區域110B包含一或多個離散孔洞112B，離散孔洞112B形成了對應至第一管道112A中之一者的開口。類似地，實質上平的區域110C包含一或多個離散孔洞116B，離散孔洞116B形成了對應至第三管道116A中之一者的開口，且實質上平的區域110D 包含一或多個離散孔洞114B，離散孔洞114B形成了對應至第二管道114A中之一者的開口。離散孔洞112B、114B及116B可為任何所欲形狀(例如，實質上的圓形、橢圓形等)、相同或不同的尺寸。例如，離散孔洞112B可較離散孔洞114B及116B更小或更大。
應瞭解，圖1A與1B中所述的近接頭100為簡化的例示性近接頭。近接頭100可為許多不同的形狀與尺寸。例如，近接頭可為圓形、橢圓形、環形及任何其他的所欲形狀。類似地，彎月面102可為離散孔洞112B、114B及116B之結構所能夠定義的任何所欲形狀，包含但不限制為圓形、橢圓形、矩形、環形、凹面等。更進一步，平的區域110B、110C及110D可為任何形狀。例如，平的區域110B可為圓形、矩形、橢圓形或任何其他所欲形狀。包含了第三離散孔洞116B的第二平區域110C可完全包圍平的區域110B或只包圍平的區域110B的一部分。類似地，包含了第二離散孔洞114B的第三平區域110D可完全包圍平的區域110B與110C或只包圍平的區域110B與110C的一部分。例如，可將第三離散孔洞116B限制至僅延伸邊緣104B及/或前導邊緣104A及/或側邊104C與104D的一或多個部分，如前面參考之同在審查中的一或多個申請案中所述，特將其所有內容包含於此作為參考。孔洞112B、114B及116B及對應的管道112A、114A及116A可具有介於約0.004至約0.2吋(即，0.1 mm至約5.0 mm)的直徑。孔洞112B、114B及116B及對應的管道112A、114A及116A通常具有約0.03吋(即，約0.75 mm)的直徑。
圖1C為根據本發明之一實施例之處理表面108A的方法操作150的流程圖。在操作152中，近接頭100係設於基板表面108A的附近以進行處理。圖1A中所示之靠近距離H可自約5 mm至小於約0.5 mm。
在操作154中，液體112自一或多個第一管道112A與對應的離散孔洞112B被輸出以於頭表面110A與基板表面108A間形成 受到控制、限制的彎月面102。液體112的表面張力使得液體「黏附」或被吸引至頭表面110A與基板表面108A兩者間。因此，當頭表面110A與基板表面108A間吸引了液體112的表面時，形成了彎月面102的外壁104A、104B。液體112可為任何適合用於所欲處理的液體溶液。例如，液體112可為水、去離子水(DIW)、清理流體、蝕刻溶液、電鍍溶液等。
在操作156中，真空被施加至一或多個第三管道116A。真空自彎月面102將液體112汲取至離散孔洞116B並汲取至對應的管道116A中。自彎月面102被汲取的液體112可多於或少於自第一管道112A流入彎月面的液體量。例如，在近接頭100中可能有遠多於第一管道112A數目的第三管道116A。又，當彎月面102被移動通過表面108A時，彎月面可自表面收集額外的液體及其他污染物。
第三管道116A及對應離散孔洞116B的每一者可至少部分地圍繞第一離散孔洞116B，俾使近接頭100可將彎月面限制在頭表面110A與基板表面108A之間。第一液體112的量可流過彎月面以提供基板表面108A極受控制的處理。例如，第一液體112可為用以蝕刻基板表面108A的蝕刻化學品。當蝕刻化學品與基板表面108A反應時，反應殘留物被蝕刻化學品所載帶且產生之污染可降低蝕刻化學品的濃度與蝕刻能力。當經由第二管道116A自彎月面102將蝕刻化學品移除時，亦自彎月面移除了反應殘留物及其他污染物。類似地，可經由第一管道112A將額外非經污染的蝕刻化學品供應予彎月面102。
在操作160中，近接頭100可相對於基板108移動(例如以方向122)，以沿著基板表面108A移動彎月面102。當彎月面沿著方向122在基板表面108A上移動時，側邊104A形成了彎月面102的前導邊緣。彎月面102可移除基板表面108A上的污染物120。污染物120可為液滴、固體殘留物或任何其他污染物或其組合(例如，液體溶液中的固體污染物)。
當彎月面沿著方向122在基板表面108A上移動時，側邊104B形成了彎月面102的後置邊緣。彎月面102中之液體的表面張力使基板表面108A中的實質上所有液體皆被彎月面所移除。在此方式下，彎月面102可藉著自基板表面108A移除所有液體污染物而施行乾燥操作。類似地，彎月面102可藉著在彎月面中施加例如濕式蝕刻或電鍍化學品至基板表面108A而施行乾入乾出(dry in dry out)處理操作，而後置邊緣104B將自蝕刻或電鍍處理移除所有液體。
使彎月面102移動越過基板表面108A亦可包含：如上列參考之同在審查中的一或多個專利申請案中所述，使彎月面越過基板表面並離開基板表面邊緣而至第二表面124。
在選擇性的操作158中，可施加第二流體114至基板表面108A。第二流體114可為表面張力控制流體。表面張力控制流體可為異丙醇(IPA)蒸氣、氮氣、有機化合物、己醇、乙二醇、CO2 氣體及其他可與水混溶的化合物或其上述者之組合中的一或多者。例如，可藉由惰性載氣如氮氣載帶IPA蒸氣並將其載帶至基板表面108A。
近接頭100並不會實際上與基板108接觸。僅有第一液體112與第二流體114會與基板108接觸。
近接頭100亦可包含額外的裝置或加熱器或其他監測器118。額外的裝置或加熱器或其他監測器118可被用來監測彎月面102所施加至基板表面108A上的液體112或處理。例如，額外的裝置或加熱器或其他監測器118可加熱或冷卻液體112，並量測表面(例如，108上的膜層厚度或基板108的厚度或表面特徵部的深度)或液體112的濃度或其他化學特徵(例如，PH水準、導電度等)或其他所欲的特徵。此些實施例係更詳細地敘述於上列參考之同在審查中的一或多個申請案中。
圖1D為根據本發明之一實施例之近接頭系統170的簡化圖。近接頭系統170包含：處理室180、控制器172、真空源116’、第 一液體源112’及第二流體源114’。第一液體源112’、第二流體源114’及真空源116’係經由控制器172所控制之控制閥或其他流量控制機構而連接至對應的管道112、114、116。
處理室180可支援多個處理。例如，處理室180可支援電漿蝕刻處理與近接頭100，俾使電漿蝕刻處理可蝕刻物件108，且接著近接頭可在單一處理室內以原位方式沖洗、清理及乾燥該物件。處理室180亦可連接至例如通常被稱為叢集設備的複數其他處理室182、184、186。
近接頭系統170亦可包含能夠處理物件之第二表面108B的第二近接頭100’。近接頭系統170亦可包含用以監測施加至物件108上之處理的裝置174。近接頭系統170亦可包含連接至近接頭100且能夠支撐及/或移動近接頭的制動器176。
控制器172亦可包含配方178。配方178定義了處理室中之處理的參數。控制器172係連接至處理室180、近接頭100與控制處理室中之處理所需的處理室其他部分。控制器172亦包含用以施行處理室180中之處理中的配方的邏輯172A。邏輯172A亦可包含監測處理結果及根據監測結果而調整或修正配方之一或多個特性的能力。
物件108可相對於近接頭100而移動。例如，物件可為半導體晶圓並可相對於近接頭100而旋轉。類似地，物件108可實質上固定在單一位置，而近接頭100可移動越過物件的表面108A。亦應瞭解，物件108及近接頭100兩者皆為可移動。近接頭100的相對移動可為實質上線性地越過表面108A或以環形或螺旋形式移動。如施加至表面之特殊處理所期望的，近接頭100的移動亦可明確地自表面108A的一位置移動至另一位置。
圖2A為根據本發明之一實施例之雙輸入近接頭200的側面圖。圖2B為根據本發明之一實施例之雙輸入近接頭200的彎月面102與頭表面210A的底面圖。雙輸入近接頭200可支撐實質上被分割為第一區域202A中之第一區彎月面102A與第二區域202B 中之第二彎月面102B的彎月面102。第一區彎月面102A與第二彎月面102B係由連接至內返回管道217A的內返回孔洞217B所產生。
第一管道112A與對應的孔洞112B以寬度W1的距離而與內返回管道217A與對應的內返回管道217B分離。第二管道213A與應的孔洞213B係以寬度W2的距離而與內返回管道217A與對應的內返回管道217B分離。寬度W1、W2可相等或不相等。寬度W1、W2可介於小於約10 mm至大於約50 mm。寬度W1、W2可介於約12 mm至約19 mm。在一實施例中，寬度W1、W2中的至少一者約為38 mm。
在一操作中，第一液體係藉由第一孔洞112B而供給至彎月面102。如流動箭頭212A與212B所示，第一液體112自第一孔洞112B流入彎月面102中。當真空源116’被施加至第一返回管道216A與內返回管道217B時，第一液體112會分別經由第一返回孔洞216B與內返回孔洞217B被移除。
類似地，當第二液體源係連接至第二管道213A時，第二液體213係經由第二孔洞213B而供給至彎月面102。如流動箭頭215A與215B所示，第二液體213自第二孔洞213B流入彎月面102中，且當真空源被施加至第二返回管道218A與內返回管道217B時，第二液體213會分別經由第二返回孔洞218B與內返回孔洞217B被移除。
第一液體流速為第一液體112流經第一孔洞112B而流出第一返回孔洞216B與內返回孔洞217B的流速。第二液體流速為第二液體213流經第二孔洞213B而流出第二返回孔洞218B與內返回孔洞217B的流速。通常第一液體液速近乎等於第二液體流速。
雙輸入近接頭200可被用來施行兩種操作如清理或蝕刻及沖洗。例如，第一液體112可為蝕刻化學品而第二液體213可為沖洗液體。因此，當近接頭200在方向122上移動時，表面108A可在第一區域202A中受到蝕刻並在第二區域202B中受到沖洗，且 被彎月面102的延伸邊緣104A的動作所完全乾燥。因此，藉由近接頭200可以單次通過表面的方式對表面108A施加乾入乾出的蝕刻與沖洗處理。
第一區彎月面102A與第二區彎月面102B的分離可能並非總是明確的。因此第一液體112與第二液體213可在彎月面102的內部區域102C中稍微混合。彎月面102的內部區域102C係位於內返回孔洞217B附近。內部區域102C的確切形狀、寬度與濃度可隨著許多的操作變數而改變。例如，第一液體112與第二液體213的相對流速及/或彎月面102的相對速度(例如，在方向122上)可導致更多或更少的第一液體112流入第二區域202B。
內部區域102C中之混合液的形狀、寬度與濃度變化可導致第一液體112之所欲濃度與表面108A接觸的滯留時間的變化。例如，若第一液體112為蝕刻化學品且第一液體流入第二區域202B並接著延伸第一區域202A的有效寬度D1，則會導致蝕刻化學品在表面108A上的滯留時間增加。較長的滯留時間允許蝕刻化學品蝕刻表面108A更長的時間(例如，第一區域102A沿著方向122移動越過寬度D1所需的時間)，因此增加了所得的蝕刻操作。類似地，若第二液體213流入第一區域202A並接著減少第一液體112的滯留時間，則因此可減少蝕刻操作。在理想的情況下，即使在處理變異下第一區彎月面102A與第二區彎月面102B間仍為實質上的確切分離，藉此最小化彎月面之內部區域102C的寬度D2。
圖3A為根據本發明一實施例之改善第一液體112與第二液體213間之分離所施行的方法操作350。圖3B為根據本發明一實施例之雙輸入近接頭300的側面圖。圖3C與3D為根據本發明一實施例之雙輸入近接頭300的頭表面310A的底面圖。
在操作352中，近接頭300被放置在欲處理之表面108A的附近。在操作354中，以如上所述的方式在頭表面310A與表面108A之間形成雙液體彎月面102。
在操作356中，以如上所述之方式將真空施加至內返回管道 217A。施加真空至內返回管道217A使得部分第一液體212B與部分第二液體215B流向內返回孔洞217B。
在操作358中，當部分第一液體212B靠近內返回孔洞時流向內返回孔洞217B的該部分第一液體212B變緩慢，使得靠近內返回孔洞的該部分第一液體212B的速度係慢於靠近內返回孔洞之該部分第二液體215B的速度。
雙輸入近接頭300改善了第一液體112與第二液體213的分離。第一液體112與第二液體213的分離係下列方式所改善：使得靠近內返回孔洞217B之第一液體212B的速度比靠近內返回孔洞之第二液體215B的速度更慢。靠近內返回孔洞217B之第一液體212B的較慢速度實質上避免了第一液體112流入第二區域202B。
例如藉由改變靠近內返回孔洞217B之頭表面310A與表面108A間的間隙體積，可降低靠近內返回孔洞之第一液體的流動限制而減少靠近內返回孔洞217B之第一液體112的速度。如圖3B中所示，相較於上述的近接頭200，第一彎月面的第一返回區域306的體積變大了。
如圖3C中所示，可藉由增加凹面302A而增加第一返回區域306的體積。凹面302A自內返回孔洞217B向第一孔洞112B延伸距離D4。D4可介於約如圖2A中所示之W2與約1.5 mm的範圍內。凹面302A可具有距離D5的深度。D5可介於約0.1 mm至約一半H的範圍內。凹面302A可具有實質上直的上表面302B。或者，上表面302B可包含曲部以更進一步地平滑第一液體212B的流動。上表面302B與近接頭的表面310A形成介於約1至約89度的第一角度α。例如，第一角度α可為約3.2度，而D4可等於W2減去約2.0 mm，且D5可等於0.5 mm。
如圖3D中所示，可藉由彎曲近接頭表面302C位於第一返回區域304中的部分而增加第一返回區域的體積306。類似於凹面302A，表面部分302C係自近接頭310A的表面向內返回孔洞217B 傾斜。
圖3E為根據本發明一實施例之內返回管道217A處之凹面302的細部圖。凹面302可包含複數傾斜表面362、366與複數實質上平的表面364、370及/或曲表面368及其組合。所示之凹面302包含了第一傾斜表面362，此第一傾斜表面362係以第一角度α形成至頭表面310A。
亦可包含第二傾斜表面366，而實質上平的表面364係形成於第一傾斜表面362與第二傾斜表面366之間。第二傾斜表面366可與頭表面310A形成對應的角度α’。選擇性的實質上平的表面370可分離第二傾斜表面366與內返回管道217A。
或者，第一傾斜表面362與第二傾斜表面366中的一或兩者可被適合的曲表面368所取代。曲表面368係沿著一曲線所形成，俾以最佳化流向內返回管道217A之第一液體112的流動特性。
例如，曲表面368在越過第二傾斜表面366的長度上可為實質上常數的半徑曲線。類似地，可形成單一曲表面來代替實質上平的表面364、370與傾斜表面362、366兩者。或者曲表面368可為非常數半徑曲線如橢圓曲線或具有複數半徑的複雜曲線。
第一傾斜表面362具有長度D4’。D4’可介於0與D4之間。例如，若如上圖3B中所示形成單一傾斜表面362，則D4’會等於D4。
第一實質上平的表面364的長度為D4”。期望的D4”可等於0至約5.0 mm以分離第一傾斜表面362與第二傾斜表面366。
第二傾斜表面366具有長度D4'''。若未包含第二傾斜表面366，則D4'''具有最小值0。D4'''的最大值係由所欲的效能特性所決定。
第二實質上平的表面370具有長度D4''''。若未包含第二實質上平的表面370，則D4''''具有最小值0。D4''''的最大值係由所欲的效能特性所決定。如藉由組合實質上平的、傾斜與曲表面所期望的，D5’可介於約0至D5。應瞭解，圖3A－6B之實施例並未 依縮尺繪製，而特徵部的相對尺寸係未依比例顯示以更容易地敘述其特徵。
圖4A為根據本發明一實施例改善第一液體112與第二液體213之分離所施行之方法操作450的流程圖。圖4B為根據本發明一實施例之雙輸入近接頭400的側面圖。圖4C與4D為根據本發明一實施例之雙輸入近接頭400的頭表面410A的底面圖。
在操作452中，近接頭400被置於欲處理之表面108A的附近。在操作454中，雙液體彎月面102係以上述方式形成於頭表面410A與欲處理之表面108A之間。
在操作456中，以如上所述之方式將真空施加至內返回管道217A。施加真空至內返回管道217A使得部分第一液體212B與部分第二液體215B流向內返回孔洞217B。
在操作458中，當該部分第一液體靠近內返回孔洞時流向內返回孔洞217B之該部分第二液體215B的速度會增加，俾使靠近內返回孔洞之該部分第一液體212B的速度會比靠近內返回孔洞之該部分第二液體215B的速度更慢。
雙輸入近接頭400改善了第一液體112與第二液體213間的分離。藉由增加靠近內返回孔洞217B之第二液體215B相對於靠近內返回孔洞之第一液體212B的速度，可改善第一液體112與第二液體213的分離。靠近內返回孔洞217B之第一液體212B的較慢速度實質上避免了第一液體112流入第二區域202B。
例如藉由改變靠近內返回孔洞217B之頭表面410A與表面108A間的間隙體積，可增加靠近內返回孔洞之第二液體的流動限制而增加第二液體212B的速度。如圖4B中所示，相較於上述的近接頭200，彎月面的第二返回區域406的體積變小了。
如圖4B與4C所示，藉由傾斜頭表面410A的部分402A可減少第二返回區域406的體積。傾斜部分402A自靠近第一孔洞112B向內返回孔洞217B延伸距離D6。傾斜部分402A亦可包含實質上平的部分402A’。實質上平的部分可自內返回孔洞217B向第二 孔洞213B延伸距離D6’。
D6可介於最大值約W2至約2 mm的範圍內。D6’與D6”可為D6的任何期望部分。例如，D6’可約為2.5 mm，D6”可約為4 mm，而D6可等於小於D6”與D6’的W2。
傾斜部分402A可自頭表面410A延伸距離D7。D7可介於約0.1 mm至約H/2的範圍內。例如，D7可約為0.5 mm。
傾斜部分402A與頭表面410A形成介於約1度至約89度的第二角度θ。例如，第二角度θ可約為5度。
雖然所顯示的傾斜部分402A僅具有單一傾斜部分與單一平坦部分，但應瞭解，可形成類似圖3E中所詳細敘述的更複雜圖案來取代傾斜部分，其包含複數平坦、傾斜與曲表面。例如，傾斜部分402A可包含一或多個曲部及/或一或多個平部及一或多個傾斜部。藉由將第二液體212B的流動導向內返回孔洞217B可增加第二液體212B的速度。藉著如圖4D中所示傾斜第二管道213A及/或提供一或多個傾斜第三管道413A可將第二液體212B的流動導向內返回孔洞217B。可形成傾斜第三管道413A與頭表面相交角度ε。角度ε可介於約10度至約90度。
圖5A為根據本發明一實施例之改善第一液體112與第二液體213間之分離所施行的方法操作的流程圖。圖5B為根據本發明一實施例之雙輸入近接頭500的側面圖。圖5C為根據本發明一實施例之雙輸入近接頭500之彎月面102與頭表面510A的底面圖。
在操作552中，近接頭500係放置於欲處理之表面108A的附近。在操作554中，雙液體彎月面102係以如上所述之方式形成於頭表面510A與欲處理的表面108A之間。
在操作556中，以如上述之方式將真空施加至內返回管道217A。施加真空至內返回管道217A使得部分第一液體212B與部分第二液體215B流向內返回孔洞217B。
在操作558中，當部分第一液體212B靠近內返回孔洞時流向內返回孔洞217B的部分第一液體212B變慢了，使得靠近內返回 孔洞之部分第一液體212B的速度慢於靠近內返回孔洞之部分第二液體215B的速度。
在操作560中，當部分第二液體212B靠近內返回孔洞時流向內返回孔洞217B的部分第二液體215B的速度增加，因此靠近內返回孔洞之部分第一液體212B的速度會慢於靠近內返回孔洞之部分第二液體215B的速度。
雙輸入近接頭500改善了第一液體112與第二液體213的分離。第一液體112與第二液體213的分離係藉著下列方式所改善：增加靠近內返回孔洞217B之第二液體215B相對於靠近內返回孔洞之第一液體212B的速度。靠近內返回孔洞217B之第一液體212B的較慢速度避免了第一液體112流入第二區域202B中。
藉著增加頭表面310A與靠近內返回孔洞217B之表面108A間的間隙體積可降低靠近內返回孔洞217B之第一液體112的速度。與上述之近接頭200相較，彎月面的第一返回區域306的體積增加了。
藉著減少第二返回區域406中的體積可增加第二液體212B的速度。藉著經由傾斜第二管道將部分第二液體213導向內返回孔洞217B亦增加了第二液體212B的速度。藉著經由傾斜第二管道413A將第二液體212B的液流導向內返回孔洞217B亦增加了第二液體212B的速度。圖5D與5E為根據本發明一實施例之雙輸入近接頭570與580的側面圖。一或多個曲表面572、590可被包含於上述的一或多個實施例中。
圖6A為根據本發明一實施例之雙輸入近接頭600。圖6B為根據本發明之實施例之雙輸入近接頭600的部分圖。雙輸入近接頭600係類似於上述的雙輸入近接頭300、400及500。孔洞112B、213B、216B、217B、218B中的至少一列可形成於對應的槽口612、613、616、617、618中。
第二液體213的液源623係連接至近接頭600。液源623將第二液體213供給至第二管道213A。第二管道213A終止於槽口613 中的第二孔洞213B中。在第二液體到達彎月面602與欲處理的表面108A前，槽口613自孔洞213B提供第二液體213之更均勻分佈的液流613A。
槽口613具有約2.5 mm至約10 mm的深度S1。槽口613具有約0.1 mm至約1.5 mm的寬度。
應瞭解，雖然僅詳細地敘述了槽口613，但剩餘的槽口612、616、617、618可以類似的方式形成。
此文中所述之形成部分本發明的任何操作為有用的設備操作。本發明亦關於施行此些操作的裝置或設備。設備可針對所需的目的特別建構，或其可為藉著儲存在電腦中之電腦程式所選擇性活化或建構的通用電腦。尤其，各種通用設備可與根據本文中之教示所撰寫之電腦程式一起使用，或更方便地建構用以施行所需操作的更專門設備。
本發明或其部分亦可以電腦可讀媒體上之電腦可讀碼及/或邏輯來實施。電腦可讀媒體為可儲存資訊的任何資訊儲存裝置，之後此些資訊可由電腦系統所讀取。電腦可讀媒體的實例包含硬碟、network attached storage(NAS)、邏輯電路、唯讀記憶體、隨機存取記憶體、CD－ROMs、CD－Rs、CD－RWs、磁帶及其他光學與非光學資訊儲存裝置。電腦可讀媒亦可分散於連接至電腦系統的網路上，俾使電腦可讀碼以離散的方式儲存及執行。更應注意的是，以上圖中之操作所表現的指令並不需以所示的順序施行，且操作所代表的所有處理並非施行本發明所必須。
雖然為了明確瞭解本發明前面段落已就特定細節敘述了本發明，但應注意，在隨附申請專利範圍之範疇內可進行某些變化與修改。因此，本發明實施例應被視為說明性而非限制性，且本發明並不限於本文中所述之細節，在隨附申請專利範圍的範疇與等效物內可修改本發明。
100‧‧‧近接頭
100’‧‧‧第二近接頭
102‧‧‧彎月面
102A‧‧‧第一區彎月面
102B‧‧‧第二彎月面
102C‧‧‧內部區域
104A‧‧‧前導邊緣
104B‧‧‧延伸邊緣
104C與104D‧‧‧側邊
108‧‧‧基板
108A‧‧‧上表面
108B‧‧‧底表面
110A‧‧‧頭表面
110B、110C、110D‧‧‧平的區域
112‧‧‧第一液體
112’‧‧‧第一液體源
112A‧‧‧第一管道
112B‧‧‧離散孔洞
114‧‧‧第二液體
114’‧‧‧第二流體源
114A‧‧‧第二管道
114B‧‧‧離散孔洞
116‧‧‧第二流體
116’‧‧‧真空源
116A‧‧‧第三管道
116B‧‧‧離散孔洞
118‧‧‧額外的裝置或加熱器或其他監測器
120‧‧‧污染物
122‧‧‧方向
124‧‧‧第二表面
150‧‧‧方法操作
152‧‧‧將近接頭放置於欲處理表面的附近
154‧‧‧在近接頭與欲處理表面間形成液體彎月面
156‧‧‧施加真空至動態液體彎月面的至少一邊緣
158‧‧‧施加表面張力控制劑至動態液體彎月面的至少一邊緣
160‧‧‧使動態液體彎月面移動越過欲處理表面
170‧‧‧近接頭系統
172‧‧‧控制器
172A‧‧‧邏輯
176‧‧‧制動器
178‧‧‧配方
180‧‧‧處理室
182、184、186‧‧‧其他處理室
200‧‧‧雙輸入近接頭
202A‧‧‧第一區域
202B‧‧‧第二區域
210A‧‧‧頭表面
212A與212B‧‧‧流動箭頭
213‧‧‧第二液體
213A‧‧‧第二管道
213B‧‧‧第二孔洞
215A與215B‧‧‧流動箭頭
216A‧‧‧第一管道
216B‧‧‧第一孔洞
217A‧‧‧內返回管道
217B‧‧‧內返回孔洞
218A‧‧‧第二返回管道
218B‧‧‧第二返回孔洞
300‧‧‧雙輸入近接頭
302‧‧‧凹面
302A‧‧‧凹面
302B‧‧‧上表面
302C‧‧‧表面部分
304‧‧‧第一返回區域
306‧‧‧第一返回區域的體積
310A‧‧‧頭表面
350‧‧‧方法操作
352‧‧‧將近接頭放置於欲處理表面的附近
354‧‧‧在近接頭與欲處理表面間形成雙液體彎月面
356‧‧‧施加真空至內返回管道
358‧‧‧減少靠近內返回孔洞之第一液體的速度
362、366‧‧‧傾斜表面
364、370‧‧‧實質上平的表面
368‧‧‧曲表面
400‧‧‧雙輸入近接頭
402A‧‧‧傾斜部分
402A’‧‧‧實質上平的部分
406‧‧‧第二返回區域
410A‧‧‧頭表面
413A‧‧‧第二管道
450‧‧‧方法操作
500‧‧‧雙輸入近接頭
510A‧‧‧頭表面
550‧‧‧方法操作
552‧‧‧將近接頭置於欲處理表面的附近
554‧‧‧在近接頭與欲處理表面間形成雙液體彎月面
556‧‧‧施加真空至內返回管道
558‧‧‧降低靠近內返回孔洞之第一液體的速度
560‧‧‧增加靠近內返回孔洞之第二液體的速度
570、580‧‧‧雙輸入近接頭
572、590‧‧‧曲表面
600‧‧‧雙輸入近接頭
602‧‧‧彎月面
612、613、616、617、618‧‧‧槽口
613A‧‧‧更均勻分佈的液流
623‧‧‧液源
利用上列伴隨了附圖的詳細敘述，本發明將更容易瞭解。
圖1A顯示了根據本發明之一實施例之在基板表面上施行操作的近接頭。
圖1B為根據本發明之一實施例之近接頭的頭表面圖。
圖1C為根據本發明之一實施例之處理表面之操作方法的流程圖。
圖1D為根據本發明之一實施例之近接頭系統的簡化圖。
圖2A為根據本發明之一實施例之雙輸入近接頭的側面圖。
圖2B為根據本發明之一實施例之雙輸入近接頭的彎月面與頭表面的底面圖。
圖3A為根據本發明之一實施例之流程圖，其顯示了改善第一液體與第二液體間之分離所施行的方法操作。
圖3B為根據本發明之一實施例之雙輸入近接頭的側面圖。
圖3C與3D為根據本發明之一實施例之雙輸入近接頭之頭表面的底面圖。
圖3E為根據本發明之一實施例之內返回管道處的凹面的細部圖。
圖4A為根據本發明之一實施例之流程圖，其顯示了改善第一液體與第二液體之分離所施行的方法操作。
圖4B為根據本發明之一實施例之雙輸入近接頭的側面圖。
圖4C與4D為根據本發明之一實施例之雙輸入近接頭之頭表面的底部圖。
圖5A為根據本發明之一實施例之流程圖，其顯示了改善第一液體與第二液體213之分離所施行的方法操作。
圖5B為根據本發明之一實施例之雙輸入近接頭的側面圖。
圖5C為根據本發明之一實施例之雙輸入近接頭之彎月面與頭表面的底面面。
圖5D與5E為根據本發明之一實施例之雙輸入近接頭570與580的側面圖。
圖6A為根據本發明之一實施例之雙輸入近接頭。
圖6B為根據本發明之一實施例之雙輸入近接頭的部分圖。
102‧‧‧彎月面
104A‧‧‧前導邊緣
108‧‧‧基板
108A‧‧‧上表面
112‧‧‧第一液體
112A‧‧‧第一管道
114A‧‧‧第二管道
116A‧‧‧第三管道
122‧‧‧方向
202A‧‧‧第一區域
202B‧‧‧第二區域
212A與212B‧‧‧流動箭頭
213‧‧‧第二液體
213A‧‧‧第二管道
215A與215B‧‧‧流動箭頭
217A‧‧‧內返回管道
302B‧‧‧上表面
304‧‧‧第一返回區域
402A‧‧‧傾斜部分
406‧‧‧第二返回區域
413A‧‧‧第二管道
500‧‧‧雙輸入近接頭
510A‧‧‧頭表面

Claims (20)

  1. 一種近接頭，包含：頭表面，該頭表面包括：第一區域，具有第一平表面區域及複數第一離散孔洞，該複數第一離散孔洞中的每一者皆連接至複數第一管道中的對應一者，該複數第一離散孔洞位於該頭表面中並延伸通過該第一平表面區域，該複數第一離散孔洞中的至少一部分係設置在第一列中；第二區域，具有第二平區域及複數的第二離散孔洞，該複數第二離散孔洞中的每一者皆連接至複數第二管道中的對應一者，該複數第二離散孔洞位於該頭表面中並延伸通過該第二平表面區域；及內返回區域，包含複數的內返回離散孔洞，該內返回區域係設置於該第一區域與該第二區域之間並與其相鄰，該複數內返回離散孔洞中的每一者係連接至複數內返回管道中的對應一者，該複數內返回離散孔洞係位於該頭表面中並延伸通過該頭表面，該複數內返回離散孔洞中的至少一部分係設置於內返回列中，該第一列與該內返回列係實質上平行，其中該複數內返回離散孔洞中的每一者的邊緣的第一部分係陷入該頭表面中，其中該複數內返回離散孔洞之每一者的該邊緣的該陷入第一部分係以第一角度陷入至該頭表面中，該第一角度形成了自該複數內返回離散孔洞之每一者之該邊緣的該陷入第一部分以第一距離向該第一列延伸的一凹面，其中該凹面係自該複數內返回離散孔洞之每一者之該邊緣的該陷入第一部分到該內返回區域之表面而加以定義；其中該複數第一管道係連接至第一液體源，其中該複數第一管道能夠輸送受控制之第一液體的量至在該頭表面及受處理表面之間的體積中所形成的液體彎月面，該受處理表面係實質上平行於該頭表面，該複數之內返回管道係連接至真空源並用以自該頭表面移除至少一部分的該第一液體，該複數第二管道係連接至表面張力控制流體源，該液體彎月面具有由該複數內返回離散孔洞 之每一者的該邊緣的該陷入第一部分所定義之第一邊緣。
  2. 如申請專利範圍第1項之近接頭，其中該第一區域更包含：複數之第三離散孔洞，該複數第三離散孔洞中的每一者皆連接至複數第三管道中的對應一者，該複數之第三離散孔洞係位於該頭表面中且延伸通過該第一平表面區域，該複數第三離散孔洞中的至少一部分係設置在第三列中，該第三列係實質上平行於該第一列，該第三列係設置在該第一列與該內返回區域對向的一側上。
  3. 如申請專利範圍第1項之近接頭，其中該複數內返回離散孔洞之每一者之該邊緣的該陷入第一部分係被包含在一陷入的第一角度部分中，此陷入的第一角度部分在該複數內返回離散孔洞的每一者處具有第一陷入邊緣，而該陷入的第一角度部分包含了與該頭表面交叉的第二陷入邊緣，其中該陷入的第一角度部分自該內返回列朝向該第一列延伸第一距離。
  4. 如申請專利範圍第3項之近接頭，其中該陷入的第一角度部分包含一個以上的傾斜部分。
  5. 如申請專利範圍第3項之近接頭，其中該陷入的第一角度部分包含一或多個曲部。
  6. 如申請專利範圍第3項之近接頭，其中該第一陷入邊緣包含自該陷入第一角度部分至該複數內返回離散孔洞中之每一者的一曲部。
  7. 如申請專利範圍第1項之近接頭，其中該複數第二離散孔洞中的至少一部分係設置於第二列中，該第二列與該內返回列係實質 上平行，該第二列係與該第一列對向，其中該第二區域更包含：複數的第五離散孔洞與複數的第四離散孔洞，該複數第五離散孔洞中的每一者係連接至複數第五管道中的對應一者，而該複數第四離散孔洞中的每一者係連接至複數第四管道中的對應一者，該複數第五離散孔洞與該複數第四離散孔洞係位於該頭表面中並延伸通過該第二平表面區域，該複數第五離散孔中的至少一部分係設置在第五列中，而該複數第四離散孔洞中的至少一部分係設置在第四列中，其中該第四列的至少一部分與該第五列係實質上平行於該第二列，該第五列係設置在該第二列與該內返回列對向的一側上，該第四列係設置在該第五列與該第二列對向的一側上。
  8. 如申請專利範圍第7項之近接頭，其中該複數內返回管道及該複數第五管道係用以自該頭表面移除至少一部分的該第二液體，該複數第四管道係用以提供第一流體至該頭表面，該第一流體係不同於該第一液體與該表面張力控制流體。
  9. 如申請專利範圍第1項之近接頭，其中該第二區域包含具有傾斜表面的突出部，該傾斜表面具有第一邊緣，此第一邊緣係與介於該第二列與該內返回列間的該頭表面交叉，該傾斜表面具有鄰近於該內返回列的第二邊緣，該第二邊緣自該頭表面突出一突出距離，此突出距離較該頭表面與欲處理表面間的距離更短。
  10. 如申請專利範圍第9項之近接頭，其中該傾斜表面係以約1度至約89度間的角度而與該頭表面交叉。
  11. 如申請專利範圍第9項之近接頭，其中該傾斜表面包含大於一個以上的斜面。
  12. 如申請專利範圍第11項之近接頭，其中該大於一個以上的斜面中的至少一者係實質上與該頭表面平行。
  13. 如申請專利範圍第1項之近接頭，其中該複數第二管道的至少一部分係以約10度至約90度間的角度而與該頭表面交叉並指向該內返回列。
  14. 如申請專利範圍第1項之近接頭，其中該第一平表面區域與該第二平表面區域中之至少一者的至少一部分為彎曲。
  15. 一種近接頭，包含：頭表面，該頭表面包含：第一區域，包含第一平表面區域及複數第一離散孔洞，該複數第一離散孔洞中的每一者皆連接至複數第一管道中的對應一者，該複數第一離散孔洞位於該頭表面中並延伸通過該第一平表面區域，該複數第一離散孔洞中的至少一部分係設置在第一列中；第二區域，包含第二平區域及複數的第二離散孔洞，該複數第二離散孔洞中的每一者皆連接至複數第二管道中的對應一者，該複數第二離散孔洞位於該頭表面中並延伸通過該第二平表面區域；及內返回區域，包含複數的內返回離散孔洞，該內返回區域係設置於該第一區域與該第二區域之間並與其相鄰，該複數內返回離散孔洞中的每一者係連接至複數內返回管道中的對應一者，該複數內返回離散孔洞係位於該頭表面中並延伸通過該頭表面，該複數內返回離散孔洞中的至少一部分係設置於內返回列中，該第一列與該內返回列係實質上平行，其中該第二區域包含具有一傾斜表面的突出部，該傾斜表面具有第一邊緣，該第一邊緣係與介於第二列與該內返回列間的該頭表面交叉，該傾斜表面具有鄰近於該內返回列的第二邊緣，該第二邊緣自該頭表面突出一突出距 離，此突出距離較該頭表面與欲處理表面間的距離更短，其中該複數內返回離散孔洞之每一者的邊緣的陷入第一部分係以第一角度陷入至該頭表面中，該第一角度形成了自該複數內返回離散孔洞之每一者之該邊緣的該陷入第一部分以第一距離向該第一列延伸的一凹面，其中該凹面係自該複數內返回離散孔洞之每一者之該邊緣的該陷入第一部分到該內返回區域之表面而加以定義；其中該複數第一管道係連接至第一液體源，其中該複數第一管道能夠輸送受控制之第一液體的量至在該頭表面及受處理表面之間的體積中所形成的液體彎月面，該受處理表面係實質上平行於該頭表面，該複數之內返回管道係連接至真空源並用以自該頭表面移除至少一部分的該第一液體，該複數第二管道係連接至表面張力控制流體源，該液體彎月面具有由該複數內返回離散孔洞之每一者的該邊緣的該陷入第一部分所定義之第一邊緣。
  16. 一種近接頭，包含：頭表面，該頭表面包含：第一區域，包含第一平表面區域及複數第一離散孔洞，該複數第一離散孔洞中的每一者皆連接至複數第一管道中的對應一者，該複數第一離散孔洞位於該頭表面中並延伸通過該第一平表面區域，該複數第一離散孔洞中的至少一部分係設置在第一列中；第二區域，包含第二平區域及複數第二離散孔洞，該複數第二離散孔洞中的每一者皆連接至複數第二管道中的對應一者，該複數第二離散孔洞位於該頭表面中並延伸通過該第二平表面區域；及內返回區域，包含複數的內返回離散孔洞，該內返回區域係設置於該第一區域與該第二區域之間並與其相鄰，該複數內返回離散孔洞中的每一者係連接至複數內返回管道中的對應一者，該複數內返回離散孔洞係位於該頭表面中並延伸通過該頭表面，該複數內返回離散孔洞中的至少一部分係設置於內返回列中，該第 一列與該內返回列係實質上平行，其中該複數第二管道中的至少一部分係以介於約10度至約90度的角度而與該頭表面交叉並指向該內返回列，其中該複數內返回離散孔洞之每一者的邊緣的陷入第一部分係以第一角度陷入至該頭表面中，該第一角度形成了自該複數內返回離散孔洞之每一者之該邊緣的該陷入第一部分以第一距離向該第一列延伸的一凹面，其中該凹面係自該複數內返回離散孔洞之每一者之該邊緣的該陷入第一部分到該內返回區域之表面而加以定義；其中該複數第一管道係連接至第一液體源，其中該複數第一管道能夠輸送受控制之第一液體的量至在該頭表面及受處理表面之間的體積中所形成的液體彎月面，該受處理表面係實質上平行於該頭表面，該複數之內返回管道係連接至真空源並用以自該頭表面移除至少一部分的該第一液體，該複數第二管道係連接至表面張力控制流體源，該液體彎月面具有由該複數內返回離散孔洞之每一者的該邊緣的該陷入第一部分所定義之第一邊緣。
  17. 一種近接頭，包含：頭表面，此頭表面包含：第一區域，包含第一平表面區域及複數第一離散孔洞，該複數第一離散孔洞中的每一者皆連接至複數第一管道中的對應一者，該複數第一離散孔洞位於該頭表面中並延伸通過該第一平表面區域，該複數第一離散孔洞中的至少一部分係設置在第一列中；第二區域，包含第二平區域及複數的第二離散孔洞，該複數第二離散孔洞中的每一者皆連接至複數第二管道中的對應一者，該複數第二離散孔洞位於該頭表面中並延伸通過該第二平表面區域；內返回區域，包含複數的內返回離散孔洞，該內返回區域係設置於該第一區域與該第二區域之間並與其相鄰，該複數內返回離散孔洞中的每一者係連接至複數內返回管道中的對應一者，該 複數內返回離散孔洞係位於該頭表面中並延伸通過該頭表面，該複數內返回離散孔洞中的至少一部分係設置於內返回列中，該第一列與該內返回列係實質上平行，其中該複數內返回離散孔洞中之每一者之邊緣的第一部分係陷入該頭表面中，其中該第二區域包含具有傾斜表面的一突出部，該傾斜表面具有第一邊緣，此第一邊緣係與介於該第二列與該內返回列間的該頭表面交叉，該傾斜表面具有鄰近於該內返回列的第二邊緣，該第二邊緣自該頭表面突出一突出距離，此突出距離較該頭表面與欲處理表面間的距離更短，其中該複數第二管道中的至少一部分以介於約10度至約90度的角度而與該頭表面交叉並指向該內返回列，其中該複數內返回離散孔洞之每一者的該邊緣的該陷入第一部分係以第一角度陷入至該頭表面中，該第一角度形成了自該複數內返回離散孔洞之每一者之該邊緣的該陷入第一部分以第一距離向該第一列延伸的一凹面，其中該凹面係自該複數內返回離散孔洞之每一者之該邊緣的該陷入第一部分到該內返回區域之表面而加以定義；其中該複數第一管道係連接至第一液體源，其中該複數第一管道能夠輸送受控制之第一液體的量至在該頭表面及受處理表面之間的體積中所形成的液體彎月面，該受處理表面係實質上平行於該頭表面，該複數之內返回管道係連接至真空源並用以自該頭表面移除至少一部分的該第一液體，該複數第二管道係連接至表面張力控制流體源，該液體彎月面具有由該複數內返回離散孔洞之每一者的該邊緣的該陷入第一部分所定義之第一邊緣。
  18. 一種彎月面的形成方法，包含：在欲處理的表面附近移動近接頭，其中此近接頭包含一頭表面，該頭表面包含：第一區域，包含第一平表面區域及複數第一離散孔洞，該複數第一離散孔洞中的每一者皆連接至複數第一管道中的對應一者，該複數第一離散孔洞位於該頭表面中並延伸通過該第一平表 面區域，該複數第一離散孔洞中的至少一部分係設置在第一列中；第二區域，包含第二平區域及複數的第二離散孔洞，該複數第二離散孔洞中的每一者皆連接至複數第二管道中的對應一者，該複數第二離散孔洞位於該頭表面中並延伸通過該第二平表面區域；及內返回區域，包含複數的內返回離散孔洞，該內返回區域係設置於該第一區域與該第二區域之間並與其相鄰，該複數內返回離散孔洞中的每一者係連接至複數內返回管道中的對應一者，該複數內返回離散孔洞係位於該頭表面中並延伸通過該頭表面，該複數內返回離散孔洞中的至少一部分係設置於內返回列中，該第一列與該內返回列係實質上平行，其中該複數內返回離散孔洞之每一者的邊緣的陷入第一部分係以第一角度陷入至該頭表面中，該第一角度形成了自該複數內返回離散孔洞之每一者之該邊緣的該陷入第一部分以第一距離向該第一列延伸的一凹面，其中該凹面係自該複數內返回離散孔洞之每一者之該邊緣的該陷入第一部分到該內返回區域之表面而加以定義；其中該複數第一管道係連接至第一液體源，其中該複數第一管道能夠輸送受控制之第一液體的量至在該頭表面及受處理表面之間的體積中所形成的液體彎月面，該受處理表面係實質上平行於該頭表面，該複數之內返回管道係連接至真空源並用以自該頭表面移除至少一部分的該第一液體，該複數第二管道係連接至表面張力控制流體源，該液體彎月面具有由該複數內返回離散孔洞之每一者的該邊緣的該陷入第一部分所定義之第一邊緣；在該頭表面與該欲處理之表面間形成雙液體彎月面；及經由該內返回離散孔洞移除該第一液體與一第二液體的一部分，此移除步驟包含：將鄰近該內返回離散孔洞之該第一液體的速度降低至第一速度，其中該第一速度係低於鄰近於該內返回離散孔洞之該第二液體的第二速度。
  19. 如申請專利範圍第18項之彎月面的形成方法，其中鄰近該內返回離散孔洞的該第二速度係受到增加。
  20. 一種彎月面的形成方法，包含：在欲處理的表面附近移動近接頭，其中該近接頭包含一頭表面，而該頭表面包含：第一區域，包含第一平表面區域及複數第一離散孔洞，該複數第一離散孔洞中的每一者皆連接至複數第一管道中的對應一者，該複數第一離散孔洞位於該頭表面中並延伸通過該第一平表面區域，該複數第一離散孔洞中的至少一部分係設置在第一列中；第二區域，包含第二平區域及複數的第二離散孔洞，該複數第二離散孔洞中的每一者皆連接至複數第二管道中的對應一者，該複數第二離散孔洞位於該頭表面中並延伸通過該第二平表面區域；及內返回區域，包含複數的內返回離散孔洞，該內返回區域係設置於該第一區域與該第二區域之間並與其相鄰，該複數內返回離散孔洞中的每一者係連接至複數內返回管道中的對應一者，該複數內返回離散孔洞係位於該頭表面中並延伸通過該頭表面，該複數內返回離散孔洞中的至少一部分係設置於內返回列中，該第一列與該內返回列係實質上平行，其中該複數內返回離散孔洞之每一者的邊緣的陷入第一部分係以第一角度陷入至該頭表面中，該第一角度形成了自該複數內返回離散孔洞之每一者之該邊緣的該陷入第一部分以第一距離向該第一列延伸的一凹面，其中該凹面係自該複數內返回離散孔洞之每一者之該邊緣的該陷入第一部分到該內返回區域之表面而加以定義；其中該複數第一管道係連接至第一液體源，其中該複數第一管道能夠輸送受控制之第一液體的量至在該頭表面及受處理表面之間的體積中所形成的液體彎月面，該受處理表面係實質上平行 於該頭表面，該複數之內返回管道係連接至真空源並用以自該頭表面移除至少一部分的該第一液體，該複數第二管道係連接至表面張力控制流體源，該液體彎月面具有由該複數內返回離散孔洞之每一者的該邊緣的該陷入第一部分所定義之第一邊緣；在該頭表面與該欲處理之表面間形成雙液體彎月面；及經由該內返回離散孔洞移除該第一液體與第二液體的一部分，此移除步驟包含：將鄰近該內返回離散孔洞之該第二液體的速度增加至第二速度，其中該第二速度係高於鄰近於該內返回離散孔洞之該第一液體的第一速度。
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