TWI487030B - Heat treatment device - Google Patents
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Description
本發明係關於一種於經加熱之氣氛下處理被處理物之熱處理裝置。
已知用以對基板等材料進行熱處理之熱處理裝置(例如參照專利文獻1)。作為熱處理裝置之一例,專利文獻1所記載之化學氣相沈積(CVD,Chemical Vapor Deposition)裝置包括石英製之反應管。反應管以收容作為材料之晶圓之方式構成。又,向反應管內供給源材料。於反應管內,藉由熱反應而將源材料氣體活化。藉此,於晶圓之表面形成所需之被膜。
於對晶圓之表面之被膜形成步驟中,於反應管之內表面亦會產生被膜。因此,需要除去反應管之內表面之被膜之清掃作業。關於該清掃作業,於專利文獻1所記載之構成中,使石英管為雙重構造。即,於專利文獻1所記載之構成中,設置有外管及內管。而且,內管可相對於外管進行插入及抽出。清掃自外管抽出後之內管之內表面。藉由該清掃,而除去該內表面之被膜。於內管之清掃作業之期間,將另一內管插入至外管中。藉此,可進行對晶圓之被膜之形成作業。根據此種構成,可縮短因內管之清掃而無法使用CVD裝置之時間。
[專利文獻1]日本專利特公平5-56647號公報
如上所述,若被膜附著至反應管之內部之除材料以外之部分,則需要該被膜之清掃作業,故而不佳。即,將附著於材料以外之被膜看作異物進行處理。然而,於專利文獻1所記載之構成中,並未特別地考慮於反應管之內部,抑制被膜朝材料以外之形成之構成。
鑒於上述情況,本發明之目的在於:於熱處理裝置中,可抑制收容被處理物之收納容器之內部之異物之附著。
(1)為解決上述課題,本發明之某態樣之熱處理裝置包括收納容器及保護構件。上述收納容器係為收容被處理物而設置。上述保護構件包括對向部。上述對向部配置成可暴露於用以對上述被處理物進行熱處理之氣體中,且與上述收納容器之內表面對向。上述對向部之熱導率設定得較上述收納容器之熱導率大。
根據該構成,保護構件之對向部係以暴露於氣體中之方式配置,且以與收納容器之內表面對向之方式配置。藉此,收納容器中之與保護構件之對向部對向之部分不易受到氣體之氣流。因此,於收納容器中之與保護構件之對向部對向之部分,不易附著因氣體之反應而產生之生成物(副生成物)。又,保護構件之熱導率設定得較收納容器之熱導率大。因此,例如藉由保護構件受到來自氣體及加熱器等之熱,而該保護構件迅速地升溫。因此,可抑制接觸到保護構件之氣體之溫度之降低,其結果,可抑制副生成物朝保護構件之附著。
因此,根據本發明,於熱處理裝置中,可抑制收容被處理物之收
納容器之內部之異物之附著。
(2)較佳為上述熱處理裝置更包括用以使上述氣體之氣流於上述收納容器內產生之氣流產生源。上述保護構件以與來自上述氣流產生源之上述氣流碰撞之方式配置。
根據該構成,藉由來自氣流產生源之氣流,可使收納容器內之氣體之濃度分佈更均勻。由此,可對被處理物之各部更均勻地進行熱處理。又,來自氣流產生源之氣流可由保護構件承受。藉此,於收納容器中之與保護構件對向之部分,由於氣流之碰撞得到抑制,故而可更確實地抑制副生成物附著。又,即便於存在於收納容器內之異物隨著氣流而於收納容器內飛散之情形時,亦可藉由保護構件抑制該異物碰撞收納容器之內表面。藉此,可抑制收納容器之破損。
(3)較佳為上述保護構件係由包含碳材料之材料形成。
根據該構成,使用化學穩定性較高之碳材料形成保護構件。因此,可更確實地抑制保護構件因與氣體化學反應而劣化。
(4)較佳為上述收納容器包括曲面部。上述保護構件係使用具有可撓性之板構件形成。上述板構件沿上述曲面部配置。
根據該構成,無需將板構件之形狀預先形成為與曲面部之形狀相應之形狀。即,藉由將板構件形成為作為簡易之形狀的平板狀等,其後,使板構件變形,可沿曲面部配置板構件。因此,可使製造保護構件之工時減少。
(5)較佳為上述收納容器包括開口部。於上述收納容器中嵌合有用以密封上述開口部之周圍之密封構件。上述對向部與上述收納容器中
之與上述密封構件嵌合之部分之內表面對向。
根據該構成,收納容器中之與密封構件嵌合之部分與保護構件對向。藉此,來自高溫氣體之熱由保護構件承受,而抑制其向密封構件傳遞。因此,可抑制密封構件之過熱,其結果,可抑制密封構件之劣化。
(6)較佳為上述熱處理裝置更包括冷卻構件,該冷卻構件係沿上述開口部延伸之方向與上述開口部鄰接配置,以冷卻上述密封構件。上述保護構件包括與上述冷卻構件之內表面對向之冷卻構件對向部。上述冷卻構件對向部包括固定於上述冷卻構件上之固定部。於上述開口部延伸之方向,上述對向部之長度設定得較上述冷卻構件對向部之長度大。
根據該構成,藉由冷卻構件,可更確實地抑制密封構件之過熱。又,可藉由冷卻構件保持保護構件。又,由於藉由保護構件抑制氣體與冷卻構件接觸,故而可抑制副生成物朝冷卻構件之附著。又,對向部之長度設定得較冷卻構件對向部之長度大。藉此,可抑制保護構件被冷卻構件冷卻。由此,可抑制副生成物附著於保護構件。
根據本發明,於熱處理裝置中,可抑制收容被處理物之收納容器之內部之異物之附著。
1‧‧‧熱處理裝置
2‧‧‧管(收納容器)
2c‧‧‧內周面(收納容器之內表面)
3‧‧‧加熱器
4‧‧‧閉塞裝置
5‧‧‧阻熱部
6‧‧‧風扇裝置
7‧‧‧保護筒(保護構件)
7a‧‧‧保護筒之一端部
7b‧‧‧保護筒之中間部
7c‧‧‧保護筒之另一端部
8‧‧‧管本體
8a‧‧‧管本體之一端面
9‧‧‧閉塞部
11‧‧‧開口部(曲面部)
11a‧‧‧外周面
11b‧‧‧內周面
12‧‧‧支持台
13‧‧‧上部加熱器
14‧‧‧下部加熱器
15‧‧‧端部加熱器
16‧‧‧側部加熱器
19‧‧‧冷卻構件
19a‧‧‧冷卻構件之內周面
20‧‧‧門裝置
21‧‧‧第1密封構件
19a‧‧‧冷卻構件之內周面(冷卻構件之內表面)
22‧‧‧第2密封構件(用以密封開口部之周圍之密封構件)
23‧‧‧密封裝置
24‧‧‧內筒
24a‧‧‧內筒之一端部
24b‧‧‧內筒之另一端部
25‧‧‧外筒
25a‧‧‧外筒之一端部
25b‧‧‧外筒之另一端部
26‧‧‧第1法蘭
26a‧‧‧槽
26b、27d‧‧‧螺孔
27‧‧‧第2法蘭
27a‧‧‧第2法蘭之一端面
27b‧‧‧第2法蘭之另一端面
27c‧‧‧槽部
28‧‧‧冷卻水路
29‧‧‧支持構件
30‧‧‧板
31、33、58、63、64‧‧‧螺釘構件
32‧‧‧承受構件
35‧‧‧密封保持構件
36‧‧‧門
36a‧‧‧門之外周部
36b、43a‧‧‧貫穿孔
36c‧‧‧門之一端面
37‧‧‧門支持裝置
38‧‧‧支柱
39‧‧‧驅動裝置
41、42‧‧‧撐條
43‧‧‧阻熱構件
44‧‧‧凹部
45‧‧‧副加熱器
45a‧‧‧第1部分
45b‧‧‧第2部分
46‧‧‧電動馬達(動力源)
47‧‧‧傳動裝置
48‧‧‧軸單元
48a‧‧‧軸單元之一端部
48b‧‧‧軸單元之另一端部
49‧‧‧風扇(氣流產生源)
50‧‧‧軸承單元
51‧‧‧第1滑輪
52‧‧‧第2滑輪
53‧‧‧皮帶
54‧‧‧轂部
55‧‧‧葉片
56‧‧‧套管
57‧‧‧法蘭部
59‧‧‧座部
61‧‧‧氣體供給口
62‧‧‧排氣口
71‧‧‧密封保持裝置
72‧‧‧鼓風裝置
73‧‧‧承受構件保持機構
74‧‧‧承受構件
75‧‧‧本體
76‧‧‧槽部
77‧‧‧凸緣部
81‧‧‧第1加壓部
82‧‧‧第2加壓部
83‧‧‧固定用螺釘構件
86‧‧‧長孔
89‧‧‧空氣用管
89a‧‧‧噴出口
90‧‧‧撐條
91‧‧‧撐條用螺釘構件
93、93a、93b、93c‧‧‧板構件
94‧‧‧第1固定部(固定於冷卻構件上之固定部)
95‧‧‧第2固定部(固定於冷卻構件上之固定部)
96‧‧‧第1對向部(冷卻構件對向部)
97‧‧‧第2對向部(與收納容器之內表面對向之對
向部)
100‧‧‧被處理物
A1、A2‧‧‧氣流
C1‧‧‧圓周方向
CL1、CL2‧‧‧間隙
D96‧‧‧第1對向部之長度(冷卻構件對向部之長度)
D97‧‧‧第2對向部之長度(對向部之長度)
HC2‧‧‧管之熱導率(收納容器之熱導率)
HC7‧‧‧保護筒之熱導率(對向部之熱導率)
L1‧‧‧長度方向(開口部延伸之方向)
R1‧‧‧直徑方向
S1‧‧‧旋轉軸線
S2‧‧‧中心軸線
SP1‧‧‧空間
SP1a‧‧‧一端部區域
SP1b‧‧‧另一端部區域
T2、T7‧‧‧厚度
Z1‧‧‧上下方向
圖1係表示將本發明之實施形態之熱處理裝置之一部分切斷後之狀態之剖面圖,且表示自側方觀察熱處理裝置之狀態。
圖2係表示將熱處理裝置之一部分切斷後之狀態之剖面圖,且表示斜著觀察熱處理裝置之狀態。
圖3係圖1之閉塞裝置之周邊之放大圖。
圖4係冷卻構件之周邊之放大圖。
圖5係沿圖4之V-V線之剖面圖。
以下,一面參照圖式一面對本實施形態進行說明。再者,本發明可廣泛用作用以對被處理物進行熱處理之熱處理裝置。
圖1係表示將本發明之實施形態之熱處理裝置1之一部分切斷後之狀態之剖面圖,且表示自側方觀察熱處理裝置1之狀態。圖2係表示將熱處理裝置1之一部分切斷後之狀態之剖面圖,且表示斜著觀察熱處理裝置之狀態。於圖2中,省略熱處理裝置1之一部分進行表示。
參照圖1及圖2,熱處理裝置1構成為可對被處理物100之表面實施熱處理。作為該熱處理,可例示化學氣相沈積(CVD,Chemical Vapor Deposition)處理、擴散處理、退火處理、太陽電池之製造處理、半導體器件之製造處理等。於本實施形態中,被處理物100為玻璃基板。被處理物100例如形成為矩形狀。熱處理裝置1係藉由於反應性氣體之氣氛下對被處理物100進行熱處理,而將薄膜形成於被處理物100之表面。又,熱處理裝置1為橫型熱處理裝置。被處理物100於出入熱處理裝置1時沿水平方向位移。
熱處理裝置1包括管(收納容器)2、加熱器3、閉塞裝置4、阻熱部5、風扇裝置6及保護筒(保護構件)7。
管2係為收納被處理物100而設置。又,管2係為對收納於管2內之被處理物100於經加熱之氣氛下進行熱處理而設置。於本實施形態中,管2係使用石英形成。管2形成為中空。管2之厚度係設定為
數十mm左右。
管2包括管本體8及閉塞部9。
管本體8形成為圓筒狀,且細長地延伸。以下,有將管本體8之長度方向L1稱為「長度方向L1」之情形。管本體8之下部由支持台(未圖示)支持。管本體8之一端部包括開口部11。開口部11形成為可使被處理物100通過之大小。被處理物100經由開口部11而出入管2。於管本體8之下部上配置被處理物100。被處理物100例如於載置於支持台12上之狀態下,自管本體8之外側經由開口部11而插入至管本體8內。於支持台12上,於沿垂直方向延伸之狀態下配置有複數個被處理物100。管本體8之另一端與閉塞部9連續。閉塞部9形成為沿長度方向L1向遠離管本體8之方向凸出之形狀。閉塞部9堵塞管本體8之另一端。藉由加熱器3對具有上述構成之管2進行加熱。
加熱器3係為對管2內之氣氛加熱而設置。加熱器3例如為電熱加熱器。加熱器3整體上形成為中空之箱形形狀,且收納有管2之大部分。加熱器3由支持台(未圖示)支持。加熱器3可將管2內之氣氛加熱至數百度左右。
加熱器3包括上部加熱器13、下部加熱器14、端部加熱器15及側部加熱器16。
上部加熱器13係配置於管本體8之上方,且水平地延伸。於俯視時,上部加熱器13係形成為矩形。於俯視時,上部加熱器13覆蓋管2之除開口部11之周邊部分以外之部分。於上部加熱器13之下方配置有下部加熱器14。
下部加熱器14係配置於管本體8之下方,且水平地延伸。於仰視
時,下部加熱器14係形成為矩形。於仰視時,下部加熱器14覆蓋管2之除開口部11之周邊部分以外之部分。以鄰接於下部加熱器14之方式配置有端部加熱器15。
端部加熱器15與管2之閉塞部9沿長度方向L1並列配置,且垂直地延伸。端部加熱器15係形成為大致矩形。端部加熱器15自管2之後方覆蓋管2之閉塞部9。以鄰接於端部加熱器15之方式配置有側部加熱器16。
側部加熱器16係鄰接於管2之管本體8及閉塞部9而配置,且垂直地延伸。側部加熱器16係形成為大致矩形,且沿與長度方向L1平行之方向延伸。雖未圖示,但鄰接於管2而配置有與側部加熱器16相同之側部加熱器。於該等一對側部加熱器之間配置有管2。如上所述,藉由具有上述構成之加熱器3,而加熱管2內之氣氛。於加熱管2內之氣氛之期間,藉由閉塞裝置4,使管2之開口部11閉塞。
圖3係圖1之閉塞裝置4之周邊之放大圖。參照圖3,閉塞裝置4包括冷卻構件19、門裝置20、第1密封構件21、及包括第2密封構件22之密封裝置23。
圖4係冷卻構件19之周邊之放大圖。參照圖4,冷卻構件19係為對第1密封構件21及第2密封構件22進行冷卻而設置。藉由設置有冷卻構件19,而抑制第1密封構件21及第2密封構件22因來自加熱器3之熱而變得過熱。其結果,可抑制第1密封構件21及第2密封構件22之劣化。冷卻構件19係鄰接於管2之開口部11而配置。冷卻構件19沿長度方向L1配置於管2與門裝置20之間。冷卻構件19具有組合有2個圓筒構件之形狀,且與管2大致同軸地配置。冷卻構件19係使用金屬材料形成。該金屬材料例如為不鏽鋼材料。
冷卻構件19包括內筒24、外筒25、第1法蘭26、第2法蘭27及冷卻水路28。
內筒24形成為圓筒狀。於本實施形態中,內筒24之內徑、即、內筒24之內周面之直徑設定得較管本體8之內徑小。以包圍內筒24之方式配置有外筒25。
外筒25形成為圓筒狀,且與內筒24同軸配置。於長度方向L1,使外筒25之位置與內筒24之位置對齊。外筒25係固定於支持構件29(參照圖1)上。藉此,冷卻構件19由支持構件29支持。外筒25之一端部25a、及內筒24之一端部24a係固定於第1法蘭26。
第1法蘭26係作為與門裝置20之下述門36接觸之部分而設置。第1法蘭26形成為環狀,且與內筒24及外筒25同軸配置。第1法蘭26藉由焊接等而固定於內筒24及外筒25。藉此,第1法蘭26自長度方向L1之一方側堵塞內筒24之一端部24a與外筒25之一端部25a之間之空間。於第1法蘭26之與門裝置20對向之部分形成有環狀之槽26a。該槽26a於第1法蘭26之外周面開放。於該槽26a中收容有環狀之板(plate)30。板30係利用作為固定構件之螺釘構件31而固定於第1法蘭26。鄰接於板30而配置有第1密封構件21。
第1密封構件21係為將門裝置20之門36與冷卻構件19之間氣密地密封而設置。於本實施形態中,第1密封構件21係利用合成橡膠等形成之O形環,具有彈性及可撓性。第1密封構件21形成為環狀。第1密封構件21嵌於第1法蘭26之槽26a中,且位於該第1法蘭26與板30之間。藉此,將第1密封構件21保持於第1法蘭26。於與第1法蘭26在長度方向L1相隔之位置配置有第2法蘭27。
第2法蘭27係作為鄰接於管2之部分而設置。第2法蘭27形成
為環狀,且與內筒24及外筒25同軸配置。第2法蘭27包括一端面27a、另一端面27b及槽部27c。
一端面27a藉由焊接等而固定於內筒24及外筒25。藉此,第2法蘭27自長度方向L1之另一側堵塞內筒24之另一端部24b與外筒25之另一端部25b之間之空間。第2法蘭27之一部分以相對於管2向冷卻構件19之直徑方向之外側突出之方式配置。即,第2法蘭27之外徑大於管本體8之外徑。於第2法蘭27之與管2對向之另一端面27b形成有環狀之槽27c。該槽27c形成於第2法蘭27之內周部。於該槽27c中配置有承受構件32。
圖5係沿圖4之V-V線之剖面圖。參照圖4及圖5,承受構件32係作為介於第2法蘭27與管2之間之構件而設置。藉此,防止第2法蘭27與管2直接接觸。設置有複數個承受構件32。複數個承受構件32係沿第2法蘭27之圓周方向等間隔地配置。於鄰接之承受構件32、32間形成有間隙CL1。各承受構件32之表面係由用以降低摩擦阻力之材料形成。作為此種材料,可例示聚四氟乙烯(PTFE,PolyTetraFluoroEthylene)等氟樹脂材料。
各承受構件32係使用厚度為數mm左右之板構件形成的圓弧狀之構件。再者,於圖5中,圖示有複數個承受構件32中之一部分承受構件32。各承受構件32係使用作為固定構件之螺釘構件33而固定於槽27c中。各承受構件32自第2法蘭27向管2突出,而接觸於管本體8之一端面8a。參照圖4,藉由第2法蘭27、第1法蘭26、內筒24及外筒25,而形成冷卻水路28。
冷卻水路28係作為圓筒狀之水路而設置。冷卻水路28與未圖示之熱交換器連接。冷卻水路28係以經該熱交換機冷卻之冷卻水通過之方式構成。藉此,對鄰接於冷卻水路28而配置之第1密封構件21及
第2密封構件22進行冷卻。
包括第2密封構件22之密封裝置23係為將管2與冷卻構件19之間密封而設置。密封裝置23係以包圍管2之開口部11之方式配置。密封裝置23包括第2密封構件22及密封保持構件35。
第2密封構件22係為將冷卻構件19與管2之間氣密地密封而設置。於本實施形態中,第2密封構件22具有與第1密封構件21相同之構成。即,第2密封構件22係使用合成橡膠等形成之O形環,具有彈性及可撓性。第2密封構件22形成為環狀。第2密封構件22嵌於管本體8之開口部11之外周面。第2密封構件22鄰接於管本體8之一端面8a而配置。又,第2密封構件22接觸於第2法蘭27之另一端面27b。藉此,第2密封構件22自管本體8之外側堵塞管本體8之開口部11與第2法蘭27之間之空間。第2密封構件22係由密封保持構件35保持。
密封保持構件35形成為圓環狀,且固定於第2法蘭27。密封保持構件35之內周部對第2密封構件22向管本體8側加壓。於與具有上述構成之密封裝置23在長度方向L1相隔之位置配置有門裝置20。
參照圖1及圖3,門裝置20包括門36及門支持裝置37。
門36係為自長度方向L1之一方側堵塞冷卻構件19之第1法蘭26之內側空間而設置。換言之,門36係為自長度方向L1之一方側堵塞管2之開口部11而設置。門36例如係使用金屬板形成。於本實施形態中,門36形成為圓板狀。門36之外周部36a構成為可接觸於冷卻構件19之第1法蘭26。於門36之外周部36a接觸於第1法蘭26之情形時,門36與第1法蘭26之間由第1密封構件21氣密地密封。該門36由門支持裝置37支持。門支持裝置37係為將門36可位移地
支持而設置。
門支持裝置37包括支柱38及驅動裝置39。
支柱38係作為沿上下方向Z1(鉛垂方向)延伸之構件而設置。支柱38係固定於門36上。支柱38連接於驅動裝置39。
驅動裝置39係為使支柱38及門36位移而設置。驅動裝置39構成為可使支柱38沿長度方向L1位移。又,驅動裝置39構成為可使支柱38沿與長度方向L1正交之方向位移。藉此,驅動裝置39可以使由第1法蘭26圍成之空間開放之方式使門36位移。即,驅動裝置39可使門36開閉。於門36打開之狀態下,可使被處理物100出入管2。門36保持有阻熱部5。
阻熱部5係為抑制來自加熱器3之熱傳遞至第2密封構件22、冷卻構件19、第1密封構件21、及門36等而設置。阻熱部5係配置於管2之開口部11之周邊。
參照圖3,阻熱部5包括撐條41、42及阻熱構件43。
撐條41、42係為支持阻熱構件43而設置。各撐條41、42係固定於門36上,自門36沿長度方向L1向管2側延伸。各撐條41、42包括沿長度方向L1並列之複數個凹部44。凹部44向上方開放,且可使阻熱構件43嵌入。
阻熱構件43係為形成熱障壁而設置。設置有1或複數個阻熱構件43。於本實施形態中,設置有7個阻熱構件43。各阻熱構件43形成為圓板狀。複數個阻熱構件43沿長度方向L1相隔配置。於各阻熱構件43中形成有複數個貫穿孔。於該等貫穿孔中插入有對應之撐條41、42。
又,該等貫穿孔之周緣部嵌於凹部44。藉此,各阻熱構件43於長度方向L1得到定位。各阻熱構件43係可拆卸地嵌合於凹部44。藉此,可使長度方向L1上之各阻熱構件43之位置容易地變更。又,可使安裝於撐條41、42上之阻熱構件43之數量容易地變更。其結果,可容易地調整阻熱部5阻熱之程度。於阻熱部5配置有副加熱器45。副加熱器45包括發熱體,且構成為可加熱管2內之氣氛。
副加熱器45包括一對第1部分45a、45a、及第2部分45b。
各第1部分45a、45a係作為沿長度方向L1延伸之部分而設置。各第1部分45a、45a貫穿形成於門36中之貫穿孔,且貫穿形成於各阻熱構件43中之貫穿孔。於各第1部分45a、45a之前端部連接有第2部分45b。第2部分45b沿上下方向Z1延伸。第2部分45b相對於各阻熱構件43配置於管2之裏側(長度方向L1之一方側)。第2部分45b包括發熱體。第2部分45b之發熱體構成為例如於風扇裝置6之周邊之溫度未達既定值之情形時發熱。於鄰接於具有上述構成之副加熱器45、及阻熱部5之位置配置有風扇裝置6。
風扇裝置6係支持於門36上,且可與門36一併位移。風扇裝置6係為使氣流A1產生於管2內而設置。
風扇裝置6包括電動馬達(動力源)46、傳動裝置47、軸單元48、風扇49及軸承單元50。
電動馬達46例如支持於支柱38上。電動馬達46之輸出經由傳動裝置47而傳遞至軸單元48。
傳動裝置47例如為滑輪機構。傳動裝置47包括第1滑輪51、第2滑輪52及皮帶53。第1滑輪51可一體地旋轉地連結於電動馬達46
之輸出軸。第2滑輪52可一體地旋轉地連結於軸單元48。皮帶53係捲繞於第1滑輪51及第2滑輪52上。
軸單元48係作為風扇49之旋轉軸而設置,且具有旋轉軸線S1。旋轉軸線S1亦為軸單元48之中心軸線。軸單元48連結於風扇49,且將來自電動馬達46之輸出傳遞至風扇49。軸單元48貫穿形成於門36中之貫穿孔36b,且自門36之外側向管2內延伸。於軸單元48之一端部48a固定有第2滑輪52。軸單元48貫穿形成於各阻熱構件43中之貫穿孔43a。於軸單元48之另一端部48b,同軸地連結有風扇49。
風扇49構成為藉由使氣流A1產生而攪拌管2內之氣體。藉此,管2內之各種氣體之濃度分佈變得更均勻,且管2內之溫度變得更均勻。風扇49配置於管2內,且可以旋轉軸線S1為中心旋轉。以於風扇49與門36之間配置各阻熱構件43之方式配置風扇49。
風扇49包括轂部(boss)54及複數個葉片55。
轂部54形成為筒狀,且嵌合於軸單元48之另一端部48b。複數個葉片55係N固定於轂部54之外周部,且自轂部54放射狀地延伸。根據上述構成,若風扇49旋轉,則產生自該風扇49朝向該風扇49之直徑方向外側之氣流A1。用以使風扇49旋轉之軸單元48由軸承單元50可旋轉地支持。軸承單元50配置於門36之外側。即,軸承單元50配置於門36之一端面36c側。
軸承單元50包括套管56及法蘭部57。
套管56係形成為圓筒狀。套管56被軸單元48貫穿。於套管56內配置有軸承(未圖示)。該軸承將軸單元48可旋轉地支持。於套管56之一端部固定有法蘭部57。
法蘭部57係藉由作為固定構件之螺釘構件58而固定於座部59。座部59係固定於門36之一端面36c的筒狀之構件。座部59被軸單元48貫穿。
參照圖3及圖4,於具有上述構成之風扇裝置6中,風扇49產生朝向風扇49之直徑方向外側之氣流A1。該氣流A1中之氣體經加熱器3加熱,而為高溫。因此,較佳為來自氣流A1之熱儘量不傳遞至第2密封構件22。又,於氣流A1中之氣體中,存在有於管2內之化學反應等中產生之微粉末。較佳為抑制該微粉末隨著氣流A1以較強之氣勢碰撞管2。因此,於熱處理裝置1中設置有保護筒7。
保護筒7係為抑制來自利用風扇49產生之氣流A1之熱傳遞至第2密封構件22而設置。又,保護筒7係為抑制氣流A1強烈地碰撞管2而設置。
保護筒7整體上形成為圓筒狀。保護筒7係具有數mm之厚度之薄板構件。保護筒7配置於管2之開口部11之周邊,且與管2之長度方向L1平行地延伸。保護筒7之一端部7a係利用作為固定構件之螺釘構件63而固定於冷卻構件19之第1法蘭26之內周部。保護筒7之中間部7b係利用作為固定構件之螺釘構件64而固定於冷卻構件19之第2法蘭27之內周部。保護筒7之另一端部7c配置於管2內,且與管本體8相隔配置。
保護筒7包括氣體供給口61及排氣口62。氣體供給口61連接於氣體供給管(未圖示),且可將用於被處理物100之熱處理之氣體向管2內供給。氣體供給管以貫穿冷卻構件19之方式延伸。排氣口62連接於排氣管(未圖示),且構成為抽吸管2內之氣體。再者,排氣管以貫穿冷卻構件19之方式延伸,且連接於真空泵等抽吸裝置。
保護筒7包圍阻熱部5及副加熱器45。又,保護筒7包圍軸單元48之一部分及風扇49。又,保護筒7與第2密封構件22沿保護筒7之直徑方向並列配置。根據上述構成,於來自風扇49之氣流A1碰到保護筒7後,向與管2之長度方向L1平行之方向改變朝向,而向管2之裏側(閉塞部9側)前進。
參照圖1,根據以上構成,於熱處理裝置1對被處理物100進行熱處理時,首先,藉由驅動裝置39之動作,而將門36打開。於該狀態下,被處理物100收納於管2內。其次,藉由驅動裝置39之動作,而將門36關閉。即,門36藉由使冷卻構件19之開口關閉,而將管2內之空間與熱處理裝置1之外部之空間阻隔。
其次,藉由經由排氣口62抽吸管2內之空氣,而管2內之壓力成為負壓。又,經由氣體供給口61而將反應性氣體供給至管2內。於該狀態下,藉由來自加熱器3之熱,而加熱管2內之氣氛。而且,藉由電動馬達46之輸出,而使風扇49旋轉。藉此,於管2內產生氣流A1,而攪拌管2內之氣氛。於該狀態下,元素附著於被處理物100之表面,並擴散。此時,冷卻水通過冷卻水路28。藉此,抑制第1密封構件21及第2密封構件22(參照圖4)之過熱。又,藉由阻熱部5而抑制來自加熱器3之熱傳遞至各密封構件21、22、及門36等。
於在被處理物100上形成薄膜後,停止利用加熱器3之加熱。其後,藉由驅動裝置39之動作,而將門36打開。於該狀態下,自管2內取出管2內之被處理物100。
其次,對密封裝置23中之更詳細之構成進行說明。如圖3及圖4
所示,密封裝置23包括第2密封構件22、具有密封保持構件35之密封保持裝置71、及鼓風裝置72。
第2密封構件22之構成如上所述,以密封開口部11之周圍之方式構成。該第2密封構件22由密封保持裝置71保持。藉此,第2密封構件22遍及管2之圓周方向C1之整個區域而與管2之開口部11之外周面11a密接。再者,外周面11a為管2之內周面2c之一部分。又,第2密封構件22遍及管2之圓周方向C1之整個區域而與第2法蘭27之另一端面27b密接。
密封保持裝置71係為利用第2密封構件22將開口部11之外周面11a與第2法蘭27之另一端面27b之間之區域確實地氣密地密封而設置。藉此,抑制管2內之氣體經由間隙CL1(參照圖5)而漏至管2之外部之空間。
再者,以下,有將管2之圓周方向C1簡稱為「圓周方向C1」之情形。又,有將管2之直徑方向R1簡稱為「直徑方向R1」之情形。又,長度方向L1包括管2之軸方向、及與該軸方向平行之方向。又,長度方向L1亦為開口部11延伸之方向。
密封保持裝置71包括密封保持構件35及承受構件保持機構73。
密封保持構件35形成為圓環狀,且於包圍第2密封構件22之狀態下固定於第2法蘭27。密封保持構件35之曲率中心配置於管2之中心軸線S2上。密封保持構件35係使用不鏽鋼等金屬材料形成。
密封保持構件35包括本體75、槽部76及凸緣部77。
本體75與第2法蘭27於長度方向L1鄰接配置。本體75係藉由
環狀之薄板而形成。於本體75與開口部11之外周面11a之間形成有間隙CL2。於本體75之內周部形成有槽部76。
槽部76係作為配置第2密封構件22之部分而設置。槽部76係遍及圓周方向C1上之本體75之整個區域而形成的圓環狀之部分。槽部76於直徑方向R1之內方開放,且與管2之開口部11之外周面11a相對。又,槽部76於長度方向L1之一方開放,且與第2法蘭27之另一端面27b相對。
槽部76包括第1加壓部81及第2加壓部82。
第1加壓部81係作為槽部76之底面而形成。第1加壓部81係藉由圓筒面而形成。第1加壓部81對第2密封構件22向直徑方向R1之內方加壓。藉此,第2密封構件22遍及圓周方向C1之整個區域而與開口部11之外周面11a密接。
第2加壓部82係作為槽部76之內側面而形成。第2加壓部82係朝向長度方向L1之一方的圓環狀之面。第2加壓部82對第2密封構件22向長度方向L1之一方加壓。藉此,第2密封構件22遍及圓周方向C1之整個區域而與第2法蘭27之另一端面27b密接。根據上述構成,第2密封構件22將第2法蘭27之另一端面27b與管本體8之一端面8a之間氣密地密封。於相對於具有上述構成之槽部76為長度方向L1之一方側之位置配置有凸緣部77。
凸緣部77係自本體75之外周部向長度方向L1之一方延伸之圓環狀之部分。凸緣部77相對於第2法蘭27配置於直徑方向R1之外側。具有上述構成之密封保持構件35由承受構件保持機構73保持。
承受構件保持機構73包括第2法蘭27及固定用螺釘構件83。
第2法蘭27構成上述冷卻構件19之一部分,並且構成承受構件保持機構73之一部分。第2法蘭27於長度方向L1與本體75鄰接。又,第2法蘭27於長度方向L1與開口部11鄰接。於第2法蘭27安裝有固定用螺釘構件83。
固定用螺釘構件83係為將密封保持構件35緊固於第2法蘭27而設置。固定用螺釘構件83配有複數個,且沿圓周方向C1等間隔地配置。再者,於圖3及圖4中,圖示有複數個固定用螺釘構件83中之一部分固定用螺釘構件83。各固定用螺釘構件83之螺桿軸貫穿形成於第2法蘭27之長孔86。又,各固定用螺釘構件83之螺桿軸與形成於密封保持構件35中之螺孔78螺合。藉此,密封保持構件35係固定於第2法蘭27。於具有上述構成之密封保持裝置71中安裝有鼓風裝置72。
鼓風裝置72係為自管2之外部向第2密封構件22之周圍之區域噴出空氣而設置。鼓風裝置72包括空氣用管89及撐條90。
空氣用管89例如形成為圓環狀,且以包圍管2之開口部11之外周面11a之方式配置。空氣用管89係鄰接於密封保持構件35而配置。於空氣用管89中形成有噴出口89a。噴出口89a係為將空氣用管89內之空氣向管2之開口部11之外周面11a噴出而設置。
噴出口89a朝向直徑方向R1之內方,且與外周面11a於直徑方向R1相對。噴出口89a沿圓周方向C1等間隔地形成有複數個。再者,於圖4中圖示有複數個噴出口89a中之1個噴出口89a。噴出口89a形成於與密封保持構件35於長度方向L1鄰接之位置。空氣用管89與泵等氣流產生源(未圖示)連接,且以空氣等氣流通過空氣用管89內之方式構成。空氣用管89內之氣體作為氣流A2而自各噴出口89a向管2之開口部11之外周面11a噴出。藉此,將來自各噴出口89a之氣流A2
噴附至管2之開口部11之外周面11a。又,氣流A2到達外周面11a與密封保持構件35之間之間隙CL2,而對第2密封構件22進行冷卻。空氣用管89經由撐條90而支持於密封保持構件35。
設置有複數個撐條90。各撐條90形成為L字狀,且沿直徑方向R1細長地延伸。於直徑方向R1上之撐條90之一端部固定有空氣用管89。直徑方向R1上之撐條90之另一端部係利用撐條用螺釘構件91而固定於密封保持構件35之外周部。於相對於具有上述構成之撐條90為直徑方向R1之內方配置有保護筒7。
如上所述,保護筒7係為抑制來自作為氣流產生源的風扇49之氣流A1強烈地直接碰撞管2而設置。又,保護筒7係為抑制來自氣流A1之熱傳遞至管2、第2密封構件22、冷卻構件19及第1密封構件21等而設置。保護筒7係沿開口部(曲面部)11配置。
於本實施形態中,保護筒7包括複數個(3個)板構件93(93a、93b、93c)。再者,以下,於總稱複數個板構件93a、93b、93c之情形時,簡稱為「板構件93」。保護筒7藉由組合複數個板構件93a、93b、93c而整體上形成為圓筒狀。
板構件93a、93b、93c沿圓周方向C1排列。於本實施形態中,各板構件93係以中心軸線S2為中心而配置於大致120度之角度範圍內。圓周方向C1上之板構件93間之間隔設定為未達數mm(包括零mm)左右,複數個板構件93以於圓周方向C1連續之方式配置。於本實施形態中,各板構件93除氣體供給口61及排氣口62之有無以外,具有相同之構成。
各板構件93係由包含碳材料之材料形成,且具有可撓性。各板構
件93於自由狀態下形成為大致水平地延伸之平板狀。再者,所謂自由狀態係指外力未作用之狀態。各板構件93於以成為曲面狀之方式變形之狀態下配置於管2內。具體而言,各板構件93具有向由碳形成之內材(基材)組入碳纖維作為強化纖維之構成。即,各板構件93之表面及內部由碳形成。藉此,各板構件93、即、保護筒7用作不與反應性氣體產生化學反應之構件。又,藉由將各板構件93之表面設為光滑之面,而抑制異物之附著。
各板構件93之熱導率、即、保護筒7之熱導率HC7設定得較管2之熱導率HC2大(HC7>HC2)。於本實施形態中,保護筒7由碳材料形成,且管2由石英材料形成。藉此,上述熱導率之關係成立。
進而,板構件93之厚度、即、保護筒7之厚度T7設定得較管2之厚度T2小(T7<T2)。又,於長度方向L1,保護筒7之全長設定得較管2之全長小。其結果,保護筒7之質量小於管2之質量。根據此種構成,保護筒7之熱容量設定得較管2之熱容量小。
於本實施形態中,板構件93藉由彎曲而構成圓弧狀之曲面,且於以該方式彎曲之狀態下,與冷卻構件19之內周面19a、及管2之開口部11之內周面11b對向。各板構件93以沿開口部11之方式配置為圓弧狀。
如上所述,保護筒7之一端部7a係利用作為固定構件之螺釘構件63而固定於冷卻構件19之第1法蘭26之內周部。更具體而言,長度方向L1上之各板構件93之一端部包括第1固定部94。螺釘構件63貫穿第1固定部94。螺釘構件63為外螺紋構件。於各板構件93中,螺釘構件63設置有複數個,且沿圓周方向C1等間隔地配置。即,各板構件93包括複數個第1固定部94。各螺釘構件63與第1法蘭26之螺孔26b螺合。螺孔26b以與螺釘構件63之數量相同之數量形成,
且與對應之螺釘構件63之螺桿軸螺合。再者,於圖3及圖4中,圖示有複數個螺孔26b中之一部分。根據上述構成,各第1固定部94係固定於冷卻構件19。
又,如上所述,保護筒7之中間部7b係利用作為固定構件之螺釘構件64而固定於冷卻構件19之第2法蘭27之內周部。更具體而言,長度方向L1上之板構件93之中間部包括第2固定部95。螺釘構件64貫穿第2固定部95。螺釘構件64為外螺紋構件。於各板構件93中,螺釘構件64設置有複數個,且沿圓周方向C1等間隔地配置。即,各板構件93包括複數個第2固定部95。各螺釘構件64與第2法蘭27之螺孔27d螺合。螺孔27d以與螺釘構件64之數量相同之數量形成,且與對應之螺釘構件64之螺桿軸螺合。再者,於圖3及圖4中,圖示有複數個螺孔27d中之一部分。根據上述構成,各第2固定部95係固定於冷卻構件19。
又,保護筒7之氣體供給口61及排氣口62形成於複數個板構件93a、93b、93c中之1個板構件93b上。
保護筒7包括第1對向部(冷卻構件對向部)96及第2對向部(對向部)97。
第1對向部96係作為與冷卻構件19之內周面19a於直徑方向R1對向之部分而設置。第1對向部96與冷卻構件19之內周面19a接觸,且藉由該內周面19a而以穩定之姿勢得到保持。冷卻構件19之內周面19a係藉由第1法蘭26之內周面、內筒24之內周面、及第2法蘭27之內周面形成之圓筒面。第1對向部96包括上述第1固定部94及第2固定部95。第1對向部96包圍複數個阻熱構件43之一部分、及軸單元48之一部分。以與第1對向部96於長度方向L1並列之方式配置有第2對向部97。
第2對向部97係作為與自風扇49朝向直徑方向R1之外側之氣流A1直接碰撞之部分而設置。即,第2對向部97以暴露於藉由作為氣流產生源之風扇49而產生的對被處理物100進行熱處理之氣流A1中之方式配置。於氣流A1中包括反應性氣體之氣流。又,第2對向部97係作為與管2之內周面2c於直徑方向R1對向之部分而設置。又,第2對向部97係作為將來自風扇49之氣流A1向被處理物100側引導之導風構件而設置。
第2對向部97與管2之開口部11、及第2密封構件22於直徑方向R1並列。即,管2中之與第2密封構件22嵌合之開口部11之內周面11b、與第2對向部97於直徑方向R1對向。第2對向部97與開口部11之內周面11b沿直徑方向R1相隔配置。於本實施形態中,第2對向部97與管本體8(開口部11)之間之距離係設定為數mm左右之較小之值。
於第2對向部97與管本體8之間形成有空間SP1。該空間SP1係藉由第2對向部97、管本體8、第2法蘭27、及第2密封構件22形成。空間SP1中之長度方向L1之一端部區域SP1a由第2密封構件22堵塞。因此,於空間SP1內不易產生氣流,而抑制氣體自長度方向L1之另一端部區域SP1b侵入至空間SP1內。藉此,抑制藉由風扇49之驅動而於管2內循環之高溫氣體侵入至空間SP1內。
第2對向部97包圍複數個阻熱構件43中之一部分、軸單元48之一部分、副加熱器45之一部分、及風扇49。於長度方向L1,第2對向部97之長度D97設定得較第1對向部96之長度D96大(D97>D96)。
第2對向部97之一部分與加熱器3於直徑方向R1相對。藉此,保護筒7受到來自加熱器3之熱而迅速地升溫。另一方面,保護筒7
以不包圍熱處理中之被處理物100之周圍之方式配置。又,於相對於保護筒7之第2對向部97為直徑方向R1之外側之位置配置有空氣用管89。自空氣用管89之噴出口89a噴出之空氣碰撞利用保護筒7抑制升溫之開口部11,其後,與第2密封構件22接觸。藉此,自空氣用管89噴出之空氣因與開口部11之接觸而產生之升溫得到抑制,而可以更低之溫度與第2密封構件22接觸。
其次,對保護筒7之作用之一例進行說明。如上所述,於對被處理物100進行熱處理時,於將被處理物100收容於管2內後,關閉門36。其次,使管2內之壓力為負壓,進而,向管2內供給用以對被處理物100進行熱處理之反應性氣體。於該狀態下,藉由來自加熱器3之熱,而加熱管2內之氣體。
來自加熱器3之熱亦傳遞至保護筒7。由於保護筒7之熱容量設定得較小,故而保護筒7對熱之響應性較高。因此,每單位時間之保護筒7之溫度上升量大於每單位時間之管2之溫度上升量。即,保護筒7迅速升溫。藉此,因反應性氣體而產生之副生成物不易附著於保護筒7。
又,藉由電動馬達46之輸出,而使風扇49旋轉。藉此,於管2內產生氣流A1。該氣流A1自風扇49朝向直徑方向R1之外側,而與保護筒7之第2對向部97碰撞。藉此,氣流A1改變流向,而向被處理物100前進。如上述般,氣流A1不直接碰撞管2之開口部11,而藉由保護筒7變更流向。氣流A1於與管2直接接觸時流向與長度方向L1大概平行之方向,而抑制其與管2之內周面2c以碰撞之方式接觸。因此,上述副生成物朝管2之內周面2c之附著得到抑制。
又,空間SP1之端部區域SP1a由第2密封構件22堵塞。由此,於空間SP1內,不易產生氣體之流動,而抑制反應性氣體朝空間SP1
之侵入。
再者,於被處理物100之熱處理結束後,停止加熱器3之加熱。其後,藉由打開門36,而自管2中取出該被處理物100。其次,將仍未進行熱處理之被處理物100再次插入至管2中。其後,以與上述相同之方式對被處理物100實施熱處理。此時,保護筒7亦藉由加熱器3而迅速升溫。由此,副生成物朝保護筒7之附著得到抑制。
如以上所說明般,根據熱處理裝置1,保護筒7之第2對向部97以暴露於管2內之氣體中之方式配置,且以與管2之開口部11之內周面11b對向之方式配置。藉此,管2之與保護筒7之第2對向部97對向之內周面11b不易遭受氣體之氣流。因此,於該內周面11b,不易附著因氣體之反應而產生之生成物(副生成物)。又,保護筒7之熱導率HC7設定得較管2之熱導率HC2大(HC7>HC2)。因此,藉由保護筒7受到來自氣體及加熱器3等之熱,而該保護筒7迅速升溫。因此,可抑制接觸到保護筒7之氣體之溫度之降低,其結果,可抑制副生成物朝保護筒7之附著。尤其係於使用金屬原料含有氣體(例如硒化氫等)作為反應性氣體之情形時,雖容易產生異物之析出,但可藉由保護筒7保護管2。又,於利用包含碳材料之材料形成保護筒7之情形時,可更確實地防止其與金屬原料含有氣體進行化學反應而劣化。
因此,於熱處理裝置1中,可抑制管2之內部之異物之附著。
又,根據熱處理裝置1,藉由來自風扇49之氣流A1,可使管2內之氣體之濃度分佈更均勻。由此,可對被處理物100之各部更均勻地進行熱處理。又,來自風扇49之氣流A1由保護筒7之第2對向部97承受。藉此,對管2之開口部11之內周面11b之氣流A1之碰撞被抑制,因此,更確實地抑制副生成物附著。又,即便於存在於管2內之異物隨著氣流A1而於管2內飛散之情形時,亦可藉由保護筒7抑制
該異物碰撞管2之內周面2c。藉此,可抑制管2之破損。
又,根據熱處理裝置1,利用包含化學穩定性較高之碳材料之材料形成保護筒7。因此,可更確實地抑制保護筒7與管2內之反應性氣體進行化學反應而劣化。
又,根據熱處理裝置1,保護筒7之各板構件93藉由變形而以沿管2之開口部11之方式配置。若為該構成,則無需將各板構件93之形狀預先形成為與開口部11之形狀相應之形狀。即,藉由將各板構件93形成為作為簡易之形狀的平板狀,其後,使各板構件93變形,可沿開口部11配置各板構件93。因此,可減少製造保護筒7之工時。
又,根據熱處理裝置1,管2之與第2密封構件22嵌合之開口部11與保護筒7對向。藉此,來自高溫氣體之熱由保護筒7承受,而抑制其傳遞至第2密封構件22。因此,可抑制第2密封構件22之過熱,其結果,可抑制第2密封構件22之劣化。
又,根據熱處理裝置1,保護筒7之第1對向部96係固定於冷卻構件19上。又,於長度方向L1,第2對向部97之長度設定得較第1對向部96之長度大。若為該構成,則可藉由冷卻構件19更確實地抑制第2密封構件22之過熱。又,可藉由冷卻構件19保持保護筒7。又,由於可藉由保護筒7抑制氣體與冷卻構件19接觸,故而可抑制副生成物對冷卻構件19之附著。又,於長度方向L1,第2對向部97之長度D97設定得較第1對向部96之長度D96大(D97>D96)。藉此,可抑制保護筒7被冷卻構件19冷卻。由此,可抑制副生成物附著於保護筒7。
根據以上內容,可使管2內之清掃之工時更少。又,可使每既定期間地定期對管2內進行清掃時之該既定期間(維護之間隔)更長。
以上,對本發明之實施形態進行了說明,但本發明並不限定於上述實施形態。本發明可於申請專利範圍所記載之範圍內進行各種變更。
(1)於上述實施形態中,以作為保護構件之保護筒7整體上係圓筒狀之形態為例進行了說明,但亦可並非如此。例如保護構件亦可為多角形之筒狀。又,保護構件亦可僅配置於圓周方向C1中之一部分。保護構件只要配置成可暴露於用以對被處理物100進行熱處理之氣體中,且與管2之內周面2c對向即可,形狀並無特別限定。
(2)於上述實施形態中,以利用碳材料形成保護筒7之整體之形態為例進行了說明,但亦可並非如此。例如於保護筒7中,亦可使第1對向部96之材料與第2對向部97之材料不同。
(3)於上述實施形態中,以設置風扇49之形態為例進行了說明,但亦可並非如此。例如亦可省略風扇49。
(4)於上述實施形態中,以保護筒7係利用包括碳基材及碳纖維的碳纖維強化材料形成之形態為例進行了說明,但亦可並非如此。例如保護筒7亦可使用碳纖維強化樹脂形成。較佳為保護筒7之至少外表面由碳材料形成,保護筒7之內部之材料亦可不為碳材料。又,保護筒7亦可由除碳材料以外之材料形成。
(5)於上述實施形態中,以保護筒7係藉由使平板狀之板構件93彎曲而形成之形態為例進行了說明。然而,亦可並非如此。例如保護筒7亦可藉由圓筒狀之單一材料形成。
(6)於上述實施形態中,以藉由O形環形成第2密封構件22之形態為例進行了說明。然而,亦可並非如此。例如亦可利用具有彈性及可撓性之除O形環以外之密封構件形成第2密封構件。
(7)於上述實施形態中,以保護筒7之第2對向部97之長度D97大於第1對向部96之長度D96(D97>D96)之形態為例進行了說明。然而,亦可並非如此。例如亦可為D97≦D96。又,保護筒7亦可固定於除冷卻構件19以外之構件上。
(8)於上述實施形態,以第1密封構件21係O形環之形態為例進行了說明。然而,亦可並非如此。第1密封構件21亦可為除O形環以外之固體狀之密封構件等。
本發明可廣泛地用作用以於經加熱之氣氛下處理被處理物之熱處理裝置。
2‧‧‧管(收納容器)
2c‧‧‧內周面(收納容器之內表面)
3‧‧‧加熱器
4‧‧‧閉塞裝置
5‧‧‧阻熱部
6‧‧‧風扇裝置
7‧‧‧保護筒(保護構件)
7a‧‧‧保護筒之一端部
7b‧‧‧保護筒之中間部
7c‧‧‧保護筒之另一端部
8‧‧‧管本體
11‧‧‧開口部(曲面部)
11a‧‧‧外周面
11b‧‧‧內周面
19‧‧‧冷卻構件
20‧‧‧門裝置
21‧‧‧第1密封構件
22‧‧‧第2密封構件(用以密封開口部之周圍之密封構件)
23‧‧‧密封裝置
24‧‧‧內筒
25‧‧‧外筒
26‧‧‧第1法蘭
27‧‧‧第2法蘭
28‧‧‧冷卻水路
29‧‧‧支持構件
35‧‧‧密封保持構件
36‧‧‧門
36a‧‧‧門之外周部
36b、43a‧‧‧貫穿孔
36c‧‧‧門之一端面
37‧‧‧門支持裝置
38‧‧‧支柱
41、42‧‧‧撐條
43‧‧‧阻熱構件
44‧‧‧凹部
45‧‧‧副加熱器
45a‧‧‧第1部分
45b‧‧‧第2部分
46‧‧‧電動馬達(動力源)
47‧‧‧傳動裝置
48‧‧‧軸單元
48a‧‧‧軸單元之一端部
48b‧‧‧軸單元之另一端部
49‧‧‧風扇(氣流產生源)
50‧‧‧軸承單元
51‧‧‧第1滑輪
52‧‧‧第2滑輪
53‧‧‧皮帶
54‧‧‧轂部
55‧‧‧葉片
56‧‧‧套管
57‧‧‧法蘭部
58、63、64‧‧‧螺釘構件
59‧‧‧座部
61‧‧‧氣體供給口
62‧‧‧排氣口
71‧‧‧密封保持裝置
72‧‧‧鼓風裝置
83‧‧‧固定用螺釘構件
93、93a、93b、93c‧‧‧板構件
94‧‧‧第1固定部(固定於冷卻構件上之固定部)
95‧‧‧第2固定部(固定於冷卻構件上之固定部)
96‧‧‧第1對向部(冷卻構件對向部)
97‧‧‧第2對向部(與收納容器之內表面對向之對向部)
100‧‧‧被處理物
A1‧‧‧氣流
C1‧‧‧圓周方向
D96‧‧‧第1對向部之長度(冷卻構件對向部之長度)
D97‧‧‧第2對向部之長度(對向部之長度)
L1‧‧‧長度方向(開口部延伸之方向)
R1‧‧‧直徑方向
S1‧‧‧旋轉軸線
S2‧‧‧中心軸線
SP1‧‧‧空間
SP1a‧‧‧一端部區域
SP1b‧‧‧另一端部區域
Z1‧‧‧上下方向
Claims (5)
- 一種熱處理裝置,其特徵在於具備:收納容器,其用以收容被處理物;保護構件,其具有對向部,上述對向部被配置成可暴露於用以對上述被處理物進行熱處理之氣體中,且與上述收納容器之內表面相對向;及氣流產生源,其用以使上述氣體之氣流於上述收納容器內產生;且上述對向部之熱導率設定成較上述收納容器之熱導率為大,上述收納容器具有開口部,於上述收納容器中嵌合有用以密封上述開口部周圍之密封構件,上述熱處理裝置更具備冷卻構件,上述冷卻構件係沿上述開口部延伸之方向與上述開口部鄰接而配置,以冷卻上述密封構件,上述保護構件具有與上述冷卻構件之內表面相對向之冷卻構件對向部,上述氣流產生源係以使上述氣流與上述冷卻構件對向部及上述對向部中之上述對向部碰撞之方式配置。
- 如申請專利範圍第1項之熱處理裝置,其中,上述保護構件係由包含碳材料之材料所形成。
- 如申請專利範圍第1項之熱處理裝置,其中,上述收納容器具有曲面部,上述保護構件係使用具有可撓性之板構件所形成,且 上述板構件沿上述曲面部而配置。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項之熱處理裝置,其中,上述對向部與上述收納容器中之與上述密封構件嵌合之部分之內表面相對向。
- 如申請專利範圍第4項之熱處理裝置,其中,上述冷卻構件對向部具有固定於上述冷卻構件之固定部,且於上述開口部延伸之方向,上述對向部之長度設定成較上述冷卻構件對向部之長度為大。
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JP7339853B2 (ja) * | 2019-10-31 | 2023-09-06 | 株式会社ジェイテクトサーモシステム | 熱処理装置 |
JP7386045B2 (ja) | 2019-10-31 | 2023-11-24 | 株式会社ジェイテクトサーモシステム | 熱処理装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61294826A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-25 | Toshiba Corp | 減圧cvd装置 |
JPH0684299U (ja) * | 1993-04-28 | 1994-12-02 | 大同特殊鋼株式会社 | 真空炉 |
JP2008251927A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Koyo Thermo System Kk | 熱処理容器 |
TW201104748A (en) * | 2008-12-24 | 2011-02-01 | Hitachi Int Electric Inc | Substrate processing apparatus |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2889649B2 (ja) * | 1990-04-09 | 1999-05-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
JP3056240B2 (ja) * | 1990-11-20 | 2000-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
JPH06310455A (ja) * | 1993-04-23 | 1994-11-04 | Nec Yamagata Ltd | 半導体熱処理装置 |
JPH09283446A (ja) * | 1996-04-18 | 1997-10-31 | Sony Corp | 成膜装置 |
JP4037956B2 (ja) * | 1998-04-28 | 2008-01-23 | 東海カーボン株式会社 | チャンバー内壁保護部材 |
JP2002353145A (ja) * | 2001-05-23 | 2002-12-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置 |
JP3369165B1 (ja) * | 2002-04-09 | 2003-01-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
JP2004247655A (ja) * | 2003-02-17 | 2004-09-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
JP4915981B2 (ja) * | 2005-07-14 | 2012-04-11 | エスペック株式会社 | 熱処理装置 |
KR100810596B1 (ko) * | 2007-01-12 | 2008-03-06 | 주식회사 비아트론 | 씰링 모듈 및 이를 포함하는 반도체 소자의 열처리 장치 |
JP5593472B2 (ja) * | 2008-08-27 | 2014-09-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
JP4954176B2 (ja) * | 2008-10-08 | 2012-06-13 | 光洋サーモシステム株式会社 | 基板の熱処理装置 |
-
2012
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61294826A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-25 | Toshiba Corp | 減圧cvd装置 |
JPH0684299U (ja) * | 1993-04-28 | 1994-12-02 | 大同特殊鋼株式会社 | 真空炉 |
JP2008251927A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Koyo Thermo System Kk | 熱処理容器 |
TW201104748A (en) * | 2008-12-24 | 2011-02-01 | Hitachi Int Electric Inc | Substrate processing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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