TWI493627B - Heat treatment device - Google Patents

Heat treatment device Download PDF

Info

Publication number
TWI493627B
TWI493627B TW102100078A TW102100078A TWI493627B TW I493627 B TWI493627 B TW I493627B TW 102100078 A TW102100078 A TW 102100078A TW 102100078 A TW102100078 A TW 102100078A TW I493627 B TWI493627 B TW I493627B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
tube
receiving
flange
members
sealing member
Prior art date
Application number
TW102100078A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201411726A (zh
Inventor
Katsuhisa Kasanami
Keisuke Nishimura
Yoshihiko Urasaki
Shinichi Ikeda
Yuya Nakanishi
Original Assignee
Koyo Thermo Sys Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koyo Thermo Sys Co Ltd filed Critical Koyo Thermo Sys Co Ltd
Publication of TW201411726A publication Critical patent/TW201411726A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI493627B publication Critical patent/TWI493627B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Furnace Details (AREA)
  • Muffle Furnaces And Rotary Kilns (AREA)

Description

熱處理裝置
本發明係關於一種於經加熱之環境氣體下處理被處理物之熱處理裝置。
已知用以對基板等材料進行熱處理之熱處理裝置(例如參照專利文獻1)。作為熱處理裝置之一例,專利文獻1所記載之減壓化學氣相沈積(CVD,Chemical Vapor Deposition)裝置包括石英製之反應管。反應管為圓筒狀之構件。反應管之開口部係藉由擋板而關閉。於擋板與反應管之間配置有O形環。具體而言,O形環嵌於反應管之外周部。又,擋板包括包圍O形環之外周部之支架。該支架與O形環接觸。藉此,遍及反應管之圓周方向之整個區域而將反應管之開口部與擋板之間密封。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開昭61-294826號公報([發明之背景技術及其問題點]欄)
於利用石英形成反應管之情形時,加熱至約2000度左右之高溫,而將石英材料形成為圓筒狀。由於必需於此種特殊之條件下形成反應 管,故而必定難以提高反應管之真圓度。其結果,反應管存在真圓度較低之情形。於該情形時,反應管之開口部之外周部並非真圓。因此,自反應管之中心軸線至反應管之開口部之外周部之距離不均一。反應管伴隨處理之材料之大型化而大型化。因此,上述不均一之程度會變得更大。於在此種反應管之外周部嵌有O形環之情形時,有O形環之一部分成為自反應管之外周部浮起之狀態之虞。若存在此種浮升現象,則無法確實地維持反應管與O形環之密接狀態。然而,關於用以防止O形環之浮升之對策,於專利文獻1中並未特別地進行考慮。
另一方面,為防止上述浮升現象,可考慮根據各反應管之開口部之真圓度,隨時變更將O形環推壓至反應管之支架之形狀。然而,於此種構成中,必需每1個地變更支架之形狀,於支架之製造中花費工時。
鑒於上述情況,本發明之目的在於:於熱處理裝置中,即便於收容被處理物之收納容器之尺寸公差較大之情形時,亦可確實地且以較少之工時令用以密封收納容器之密封構件吻合收納容器。
(1)為解決上述課題,本發明之某態樣之熱處理裝置包括收納容器、環狀之密封構件、及密封保持裝置。上述收納容器具有筒狀部,且構成為可收容被處理物。上述密封構件係使用具有彈性之材料形成,且嵌合於上述筒狀部之周面。上述密封保持裝置係為保持上述密封構件而設置。上述密封保持裝置包括沿上述筒狀部之圓周方向排列之複數個承受構件、及保持複數個上述承受構件之承受構件保持機構。各上述承受構件承受上述圓周方向上之上述密封構件之一部分。上述承受構件保持機構構成為可於向上述周面靠近之方向及遠離上述周面之方向調整各上述承受構件之位置。
根據該構成,各承受構件相互獨立,且構成為可調整相對於筒狀部之周面之位置。因此,各承受構件可將密封構件確實地推壓至筒狀部之周面。因此,即便於筒狀部之周面之真圓度較低之情形時,亦可遍及筒狀部之圓周方向之整個區域而使密封構件確實地密接於該筒狀部之周面。而且,無需進行準備與筒狀部之真圓度相應之形狀之承受構件的花費工時之作業。
因此,根據本發明,於熱處理裝置中,即便於收容被處理物之收納容器之尺寸公差較大之情形時,亦可確實地且以較少之工時令用以密封收納容器之密封構件吻合收納容器。
(2)較佳為上述承受構件保持機構包括鄰接構件、及複數個緊固構件。上述鄰接構件於與上述筒狀部之軸方向平行之方向與各上述承受構件鄰接。複數個上述緊固構件係針對各上述承受構件而設置,且將對應之上述承受構件與上述鄰接構件相互緊固。各上述承受構件可於解除利用上述緊固構件之緊固之狀態下,相對於上述鄰接構件沿向上述周面靠近之方向及遠離上述周面之方向相對移動。
根據該構成,各承受構件係使用緊固構件而緊固於鄰接構件。可以此種簡易構成固定各承受構件。又,可於解除利用緊固構件之緊固之狀態下,使承受構件相對於鄰接構件位移。藉此,可容易地調整各承受構件之位置。
(3)更佳為上述鄰接構件遍及上述圓周方向之整個區域而與上述密封構件接觸。
根據該構成,密封構件與鄰接構件相配合,而可遍及圓周方向之整個區域密封收納容器之筒狀部之開口部之周圍。
(4)進而較佳為各上述承受構件包括用以使上述密封構件向上述鄰接構件加壓之加壓部。
根據該構成,可使上述密封構件更確實地接觸於鄰接構件。藉此,密封構件及鄰接構件可更確實地密封收納容器之筒狀部之周面。
(5)較佳為上述承受構件保持機構包括用以於向上述周面靠近之方向及遠離上述周面之方向規定各上述承受構件之位置的定位構件。
根據該構成,定位構件可將各承受構件配置於適合使密封構件密接於筒狀部之周面之位置。藉此,可使密封構件更確實地密接於收納容器之筒狀部之周面。
(6)更佳為上述定位構件包括針對各承受構件設置之複數個外螺紋構件。各上述螺釘構件與形成於上述鄰接構件中且沿向上述周面靠近之方向及遠離上述周面之方向延伸之螺孔結合,且使對應之承受構件向上述密封構件加壓。
根據該構成,藉由調整將外螺紋構件旋入至螺孔中之深度,可容易地對承受構件之位置進行微調整。其結果,可使密封構件以適當之強度加壓於筒狀部之周面。
根據本發明,於熱處理裝置中,即便於收容被處理物之收納容器之尺寸公差較大之情形時,亦可確實地且以較少之工時令用以密封收納容器之密封構件吻合收納容器。
1‧‧‧熱處理裝置
2‧‧‧管(收納容器)
2a‧‧‧管之上端部
2b‧‧‧管之下端部
3‧‧‧加熱器
4‧‧‧閉塞裝置
5‧‧‧阻熱部
6‧‧‧風扇裝置
7‧‧‧保護筒(保護構件)
7a‧‧‧保護筒之一端部
7b‧‧‧保護筒之中間部
7c‧‧‧保護筒之另一端部
8‧‧‧管本體(筒狀部)
8a‧‧‧管本體之一端面
9‧‧‧閉塞部
11‧‧‧開口部
11a‧‧‧外周面(周面)
12‧‧‧支持台
13‧‧‧上部加熱器
14‧‧‧下部加熱器
15‧‧‧端部加熱器
16‧‧‧側部加熱器
19‧‧‧冷卻構件
20‧‧‧門裝置
21‧‧‧第1密封構件
22‧‧‧第2密封構件(環狀之密封構件)
23‧‧‧密封裝置
24‧‧‧內筒
24a‧‧‧內筒之一端部
24b‧‧‧內筒之另一端部
25‧‧‧外筒
25a‧‧‧外筒之一端部
25b‧‧‧外筒之另一端部
26‧‧‧第1法蘭
26a、27c‧‧‧槽
27、27A‧‧‧第2法蘭(鄰接構件)
27a‧‧‧第2法蘭之一端面
27b‧‧‧第2法蘭之另一端面
28‧‧‧冷卻水路
29‧‧‧支持構件
30‧‧‧板
31、33、58、63、64、84‧‧‧螺釘構件
32‧‧‧承受構件
35‧‧‧密封保持構件
36‧‧‧門
36a‧‧‧門之外周部
36b、43a、77a‧‧‧貫穿孔
36c‧‧‧門之一端面
37‧‧‧門支持裝置
38‧‧‧支柱
39‧‧‧驅動裝置
41、42、90‧‧‧撐條
43‧‧‧阻熱構件
44‧‧‧凹部
45‧‧‧副加熱器
45a‧‧‧第1部分
45b‧‧‧第2部分
46‧‧‧電動馬達(動力源)
47‧‧‧傳動裝置
48‧‧‧軸單元
48a‧‧‧軸單元之一端部
48b‧‧‧軸單元之另一端部
49‧‧‧風扇
50‧‧‧軸承單元
51‧‧‧第1滑輪
52‧‧‧第2滑輪
53‧‧‧皮帶
54‧‧‧轂部
55‧‧‧葉片
56‧‧‧套管
57‧‧‧法蘭部
59‧‧‧座部
61‧‧‧氣體供給口
62‧‧‧排氣口
71‧‧‧密封保持裝置
72‧‧‧鼓風裝置
73‧‧‧承受構件保持機構
74、74A、741、742‧‧‧承受構件
74a‧‧‧承受構件之內周面
75‧‧‧承受構件本體
75a‧‧‧承受構件本體之一端面
76‧‧‧槽部
77‧‧‧凸緣部
78、78A、87‧‧‧螺孔
81‧‧‧第1加壓部
82‧‧‧第2加壓部(加壓部)
83‧‧‧固定用螺釘構件(緊固構件)
84‧‧‧定位用螺釘構件(定位構件、外螺紋構件)
86、86A‧‧‧長孔
87‧‧‧螺孔
89‧‧‧空氣用管
89a‧‧‧噴出口
91‧‧‧撐條用螺釘構件
92‧‧‧螺帽構件
100‧‧‧被處理物
A1、A2‧‧‧氣流
C1‧‧‧圓周方向
CL1、CL2‧‧‧間隙
D1、D2、D3、D4‧‧‧距離
L1‧‧‧長度方向(軸方向)
R1‧‧‧直徑方向(向周面靠近之方向及遠離周面之方向)
S1‧‧‧旋轉軸線
S2‧‧‧中心軸線
T1‧‧‧厚度
Z1‧‧‧上下方向
圖1係表示將本發明之實施形態之熱處理裝置之一部分切斷後之 狀態之剖面圖,且表示自側方觀察熱處理裝置之狀態。
圖2係表示將熱處理裝置之一部分切斷後之狀態之剖面圖,且表示斜著觀察熱處理裝置之狀態。
圖3係圖1之閉塞裝置之周邊之放大圖。
圖4係冷卻裝置之周邊之放大圖。
圖5係沿圖4之V-V線之剖面圖。
圖6係表示密封裝置之主要部之立體圖,且省略密封裝置之一部分之構件之圖示。
圖7係放大表示圖6之一部分之立體圖。
圖8係沿圖4之VIII-VIII線之剖面圖。
圖9係用以對承受構件之位置調整進行說明之主要部之剖面圖。
圖10係本發明之變形例中之主要部之剖面圖。
圖11係本發明之另一變形例中之主要部之剖面圖。
以下,一面參照圖式一面對本實施形態進行說明。再者,本發明可廣泛用作用以對被處理物進行熱處理之熱處理裝置。
[熱處理裝置之概略構成]
圖1係表示將本發明之實施形態之熱處理裝置1之一部分切斷後之狀態之剖面圖,且表示自側方觀察熱處理裝置1之狀態。圖2係表示將熱處理裝置1之一部分切斷後之狀態之剖面圖,且表示斜著觀察熱處理裝置之狀態。於圖2中,省略熱處理裝置1之一部分進行表示。
參照圖1及圖2,熱處理裝置1構成為可對被處理物100之表面實施熱處理。作為該熱處理,可例示化學氣相沈積(CVD,Chemical Vapor Deposition)處理、擴散處理、退火處理、太陽電池之製造處理、半導體器件之製造處理等。於本實施形態中,被處理物100為玻璃基板。被處理物100例如形成為矩形狀。熱處理裝置1係藉由於反應性氣體之 環境氣體下對被處理物100進行熱處理,而將薄膜形成於被處理物100之表面。又,熱處理裝置1為橫型熱處理裝置。被處理物100於出入熱處理裝置1時沿水平方向位移。
熱處理裝置1包括管(收納容器)2、加熱器3、閉塞裝置4、阻熱部5、風扇裝置6及保護筒(保護構件)7。
管2係為收納被處理物100而設置。又,管2係為對收納於管2內之被處理物100於經加熱之環境氣體下進行熱處理而設置。於本實施形態中,管2係使用石英形成。管2形成為中空。管2之厚度係設定為數十mm左右。
管2包括管本體8及閉塞部9。
管本體8形成為圓筒狀,且細長地延伸。以下,有將管本體8之長度方向L1稱為「長度方向L1」之情形。管本體8之下部由支持台(未圖示)支持。管本體8之一端部包括開口部11。開口部11形成為可使被處理物100通過之大小。被處理物100經由開口部11而出入管2。於管本體8之下部上配置被處理物100。被處理物100例如於載置於支持台12上之狀態下,自管本體8之外側經由開口部11而插入至管本體8內。於支持台12上,於沿垂直方向延伸之狀態下配置有複數個被處理物100。管本體8之另一端與閉塞部9連續。閉塞部9形成為沿長度方向L1向遠離管本體8之方向凸出之形狀。閉塞部9堵塞管本體8之另一端。藉由加熱器3對具有上述構成之管2進行加熱。
加熱器3係為對管2內之環境氣體加熱而設置。加熱器3例如為電熱加熱器。加熱器3整體上形成為中空之箱形形狀,且收納有管2之大部分。加熱器3由支持台(未圖示)支持。加熱器3可將管2內之環境氣體加熱至數百度左右。
加熱器3包括上部加熱器13、下部加熱器14、端部加熱器15及側部加熱器16。
上部加熱器13係配置於管本體8之上方,且水平地延伸。於俯視時,上部加熱器13係形成為矩形。於俯視時,上部加熱器13覆蓋管2之除開口部11之周邊部分以外之部分。於上部加熱器13之下方配置有下部加熱器14。
下部加熱器14係配置於管本體8之下方,且水平地延伸。於仰視時,下部加熱器14係形成為矩形。於仰視時,下部加熱器14覆蓋管2之除開口部11之周邊部分以外之部分。以鄰接於下部加熱器14之方式配置有端部加熱器15。
端部加熱器15與管2之閉塞部9沿長度方向L1並列配置,且垂直地延伸。端部加熱器15係形成為大致矩形。端部加熱器15自管2之後方覆蓋管2之閉塞部9。以鄰接於端部加熱器15之方式配置有側部加熱器16。
側部加熱器16係鄰接於管2之管本體8及閉塞部9而配置,且垂直地延伸。側部加熱器16係形成為大致矩形,且沿與長度方向L1平行之方向延伸。雖未圖示,但鄰接於管2而配置有與側部加熱器16相同之側部加熱器。於該等一對側部加熱器之間配置有管2。如上所述,藉由具有上述構成之加熱器3,而加熱管2內之環境氣體。於加熱管2內之環境氣體之期間,藉由閉塞裝置4,使管2之開口部11閉塞。
圖3係圖1之閉塞裝置4之周邊之放大圖。參照圖3,閉塞裝置4包括冷卻構件19、門裝置20、第1密封構件21、及包括第2密封構件22之密封裝置23。
圖4係冷卻構件19之周邊之放大圖。參照圖4,冷卻構件19係為對第1密封構件21及第2密封構件22進行冷卻而設置。藉由設置有冷卻構件19,而抑制第1密封構件21及第2密封構件22因來自加熱器3之熱而變得過熱。其結果,可抑制第1密封構件21及第2密封構件22之劣化。冷卻構件19係鄰接於管2之開口部11而配置。冷卻構件19沿長度方向L1配置於管2與門裝置20之間。冷卻構件19具有組合有2個圓筒構件之形狀,且與管2大致同軸地配置。冷卻構件19係使用金屬材料形成。該金屬材料例如為不鏽鋼材料。
冷卻構件19包括內筒24、外筒25、第1法蘭26、第2法蘭27及冷卻水路28。
內筒24形成為圓筒狀。於本實施形態中,內筒24之內徑、即、內筒24之內周面之直徑設定得較管本體8之內徑小。以包圍內筒24之方式配置有外筒25。
外筒25形成為圓筒狀,且與內筒24同軸配置。於長度方向L1,使外筒25之位置與內筒24之位置對齊。外筒25係固定於支持構件29(參照圖1)上。藉此,冷卻構件19由支持構件29支持。外筒25之一端部25a、及內筒24之一端部24a係固定於第1法蘭26。
第1法蘭26係作為與門裝置20之下述門36接觸之部分而設置。第1法蘭26形成為環狀,且與內筒24及外筒25同軸配置。第1法蘭26藉由焊接等而固定於內筒24及外筒25。藉此,第1法蘭26自長度方向L1之一方側堵塞內筒24之一端部24a與外筒25之一端部25a之間之空間。於第1法蘭26之與門裝置20對向之部分形成有環狀之槽26a。該槽26a於第1法蘭26之外周面開放。於該槽26a中收容有環狀之板(plate)30。板30係利用作為固定構件之螺釘構件31而固定於第 1法蘭26。鄰接於板30而配置有第1密封構件21。
第1密封構件21係為將門裝置20之門36與冷卻構件19之間氣密地密封而設置。於本實施形態中,第1密封構件21係利用合成橡膠等形成之O形環,具有彈性及可撓性。第1密封構件21形成為環狀。第1密封構件21嵌於第1法蘭26之槽26a中,且位於該第1法蘭26與板30之間。藉此,將第1密封構件21保持於第1法蘭26。於與第1法蘭26在長度方向L1相隔之位置配置有第2法蘭27。
第2法蘭27係作為鄰接於管2之部分而設置。第2法蘭27形成為環狀,且與內筒24及外筒25同軸配置。第2法蘭27包括一端面27a、另一端面27b及槽部27c。
一端面27a藉由焊接等而固定於內筒24及外筒25。藉此,第2法蘭27自長度方向L1之另一側堵塞內筒24之另一端部24b與外筒25之另一端部25b之間之空間。第2法蘭27之一部分以相對於管2向冷卻構件19之直徑方向之外側突出之方式配置。即,第2法蘭27之外徑大於管本體8之外徑。於第2法蘭27之與管2對向之另一端面27b形成有環狀之槽27c。該槽27c形成於第2法蘭27之內周部。於該槽27c中配置有承受構件32。
圖5係沿圖4之V-V線之剖面圖。參照圖4及圖5,承受構件32係作為介於第2法蘭27與管2之間之構件而設置。藉此,防止第2法蘭27與管2直接接觸。設置有複數個承受構件32。複數個承受構件32係沿第2法蘭27之圓周方向等間隔地配置。於鄰接之承受構件32、32間形成有間隙CL1。各承受構件32之表面係由用以降低摩擦阻力之材料形成。作為此種材料,可例示聚四氟乙烯(PTFE,PolyTetraFluoroEthylene)等氟樹脂材料。
各承受構件32係使用厚度為數mm左右之板構件形成的圓弧狀之構件。再者,於圖5中,圖示有複數個承受構件32中之一部分承受構件32。各承受構件32係使用作為固定構件之螺釘構件33而固定於槽27c中。各承受構件32自第2法蘭27向管2突出,而接觸於管本體8之一端面8a。參照圖4,藉由第2法蘭27、第1法蘭26、內筒24及外筒25,而形成冷卻水路28。
冷卻水路28係作為圓筒狀之水路而設置。冷卻水路28與未圖示之熱交換器連接。冷卻水路28係以經該熱交換機冷卻之冷卻水通過之方式構成。藉此,對鄰接於冷卻水路28而配置之第1密封構件21及第2密封構件22進行冷卻。
包括第2密封構件22之密封裝置23係為將管2與冷卻構件19之間密封而設置。密封裝置23係以包圍管2之開口部11之方式配置。密封裝置23包括第2密封構件22及密封保持構件35。
第2密封構件22係為將冷卻構件19與管2之間氣密地密封而設置。於本實施形態中,第2密封構件22具有與第1密封構件21相同之構成。即,第2密封構件22係使用合成橡膠等形成之O形環,具有彈性及可撓性。第2密封構件22形成為環狀。第2密封構件22嵌於管本體8之開口部11之外周面。第2密封構件22鄰接於管本體8之一端面8a而配置。又,第2密封構件22接觸於第2法蘭27之另一端面27b。藉此,第2密封構件22自管本體8之外側堵塞管本體8之開口部11與第2法蘭27之間之空間。第2密封構件22係由密封保持構件35保持。
密封保持構件35形成為圓環狀,且固定於第2法蘭27。密封保持構件35之內周部對第2密封構件22向管本體8側加壓。於與具有上述構成之密封裝置23在長度方向L1相隔之位置配置有門裝置20。
參照圖1及圖3,門裝置20包括門36及門支持裝置37。
門36係為自長度方向L1之一方側堵塞冷卻構件19之第1法蘭26之內側空間而設置。換言之,門36係為自長度方向L1之一方側堵塞管2之開口部11而設置。門36例如係使用金屬板形成。於本實施形態中,門36形成為圓板狀。門36之外周部36a構成為可接觸於冷卻構件19之第1法蘭26。於門36之外周部36a接觸於第1法蘭26之情形時,門36與第1法蘭26之間由第1密封構件21氣密地密封。該門36由門支持裝置37支持。門支持裝置37係為將門36可位移地支持而設置。
門支持裝置37包括支柱38及驅動裝置39。
支柱38係作為沿上下方向Z1(鉛垂方向)延伸之構件而設置。支柱38係固定於門36上。支柱38連接於驅動裝置39。
驅動裝置39係為使支柱38及門36位移而設置。驅動裝置39構成為可使支柱38沿長度方向L1位移。又,驅動裝置39構成為可使支柱38沿與長度方向L1正交之方向位移。藉此,驅動裝置39可以使由第1法蘭26圍成之空間開放之方式使門36位移。即,驅動裝置39可使門36開閉。於門36打開之狀態下,可使被處理物100出入管2。門36保持有阻熱部5。
阻熱部5係為抑制來自加熱器3之熱傳遞至第2密封構件22、冷卻構件19、第1密封構件21、及門36等而設置。阻熱部5係配置於管2之開口部11之周邊。
參照圖3,阻熱部5包括撐條41、42及阻熱構件43。
撐條41、42係為支持阻熱構件43而設置。各撐條41、42係固定於門36上,自門36沿長度方向L1向管2側延伸。各撐條41、42包括沿長度方向L1並列之複數個凹部44。凹部44向上方開放,且可使阻熱構件43嵌入。
阻熱構件43係為形成熱障壁而設置。設置有1或複數個阻熱構件43。於本實施形態中,設置有7個阻熱構件43。各阻熱構件43形成為圓板狀。複數個阻熱構件43沿長度方向L1相隔配置。於各阻熱構件43中形成有複數個貫穿孔。於該等貫穿孔中插入有對應之撐條41、42。又,該等貫穿孔之周緣部嵌於凹部44。藉此,各阻熱構件43於長度方向L1得到定位。各阻熱構件43係可拆卸地嵌合於凹部44。藉此,可使長度方向L1上之各阻熱構件43之位置容易地變更。又,可使安裝於撐條41、42上之阻熱構件43之數量容易地變更。其結果,可容易地調整阻熱部5阻阻熱之程度。於阻熱部5配置有副加熱器45。副加熱器45包括發熱體,且構成為可加熱管2內之環境氣體。
副加熱器45包括一對第1部分45a、45a、及第2部分45b。
各第1部分45a、45a係作為沿長度方向L1延伸之部分而設置。各第1部分45a、45a貫穿形成於門36中之貫穿孔,且貫穿形成於各阻熱構件43中之貫穿孔。於各第1部分45a、45a之前端部連接有第2部分45b。第2部分45b沿上下方向Z1延伸。第2部分45b相對於各阻熱構件43配置於管2之裏側(長度方向L1之一方側)。第2部分45b包括發熱體。第2部分45b之發熱體構成為例如於風扇裝置6之周邊之溫度未達既定值之情形時發熱。於鄰接於具有上述構成之副加熱器45、及阻熱部5之位置配置有風扇裝置6。
風扇裝置6係支持於門36上,且可與門36一併位移。風扇裝置6 係為使氣流A1產生於管2內而設置。
風扇裝置6包括電動馬達(動力源)46、傳動裝置47、軸單元48、風扇49及軸承單元50。
電動馬達46例如支持於支柱38上。電動馬達46之輸出經由傳動裝置47而傳遞至軸單元48。
傳動裝置47例如為滑輪機構。傳動裝置47包括第1滑輪51、第2滑輪52及皮帶53。第1滑輪51可一體地旋轉地連結於電動馬達46之輸出軸。第2滑輪52可一體地旋轉地連結於軸單元48。皮帶53係捲繞於第1滑輪51及第2滑輪52上。
軸單元48係作為風扇49之旋轉軸而設置,且具有旋轉軸線S1。旋轉軸線S1亦為軸單元48之中心軸線。軸單元48連結於風扇49,且將來自電動馬達46之輸出傳遞至風扇49。軸單元48貫穿形成於門36中之貫穿孔36b,且自門36之外側向管2內延伸。於軸單元48之一端部48a固定有第2滑輪52。軸單元48貫穿形成於各阻熱構件43中之貫穿孔43a。於軸單元48之另一端部48b,同軸地連結有風扇49。
風扇49構成為藉由使氣流A1產生而攪拌管2內之氣體。藉此,管2內之各種氣體之濃度分佈變得更均勻,且管2內之溫度變得更均勻。風扇49配置於管2內,且可以旋轉軸線S1為中心旋轉。以於風扇49與門36之間配置各阻熱構件43之方式配置風扇49。
風扇49包括轂部(boss)54及複數個葉片55。
轂部54形成為筒狀,且嵌合於軸單元48之另一端部48b。複數個葉片55係固定於轂部54之外周部,且自轂部54放射狀地延伸。根據 上述構成,若風扇49旋轉,則產生自該風扇49朝向該風扇49之直徑方向外側之氣流A1。用以使風扇49旋轉之軸單元48由軸承單元50可旋轉地支持。軸承單元50配置於門36之外側。即,軸承單元50配置於門36之一端面36c側。
軸承單元50包括套管56及法蘭部57。
套管56係形成為圓筒狀。套管56被軸單元48貫穿。於套管56內配置有軸承(未圖示)。該軸承將軸單元48可旋轉地支持。於套管56之一端部固定有法蘭部57。
法蘭部57係藉由作為固定構件之螺釘構件58而固定於座部59。座部59係固定於門36之一端面36c的筒狀之構件。座部59被軸單元48貫穿。
參照圖3及圖4,於具有上述構成之風扇裝置6中,風扇49產生朝向風扇49之直徑方向外側之氣流A1。該氣流A1中之氣體經加熱器3加熱,而為高溫。因此,較佳為來自氣流A1之熱儘量不傳遞至第2密封構件22。又,於氣流A1中之氣體中,存在有於管2內之化學反應等中產生之微粉末。較佳為抑制該微粉末隨著氣流A1以較強之氣勢碰撞管2。因此,於熱處理裝置1中設置有保護筒7。
保護筒7係為抑制來自利用風扇49產生之氣流A1之熱傳遞至第2密封構件22而設置。又,保護筒7係為抑制氣流A1強烈地碰撞管2而設置。
保護筒7整體上形成為圓筒狀。保護筒7係具有數mm之厚度之薄板構件。保護筒7配置於管2之開口部11之周邊,且與管2之長度方向L1平行地延伸。保護筒7之一端部7a係利用作為固定構件之螺 釘構件63而固定於冷卻構件19之第1法蘭26之內周部。保護筒7之中間部7b係利用作為固定構件之螺釘構件64而固定於冷卻構件19之第2法蘭27之內周部。保護筒7之另一端部7c配置於管2內,且與管本體8相隔配置。
保護筒7包括氣體供給口61及排氣口62。氣體供給口61連接於氣體供給管(未圖示),且可將用於被處理物100之熱處理之氣體向管2內供給。氣體供給管以貫穿冷卻構件19之方式延伸。排氣口62連接於排氣管(未圖示),且構成為抽吸管2內之氣體。再者,排氣管以貫穿冷卻構件19之方式延伸,且連接於真空泵等抽吸裝置。
保護筒7包圍阻熱部5及副加熱器45。又,保護筒7包圍軸單元48之一部分及風扇49。又,保護筒7與第2密封構件22沿保護筒7之直徑方向並列配置。根據上述構成,於來自風扇49之氣流A1碰到保護筒7後,向與管2之長度方向L1平行之方向改變朝向,而向管2之裏側(閉塞部9側)前進。
[熱處理裝置之主要動作]
參照圖1,根據以上構成,於熱處理裝置1對被處理物100進行熱處理時,首先,藉由驅動裝置39之動作,而將門36打開。於該狀態下,被處理物100收納於管2內。其次,藉由驅動裝置39之動作,而將門36關閉。即,門36藉由使冷卻構件19之開口關閉,而將管2內之空間與熱處理裝置1之外部之空間阻隔。
其次,藉由經由排氣口62抽吸管2內之空氣,而管2內之壓力成為負壓。又,經由氣體供給口61而將反應性氣體供給至管2內。於該狀態下,藉由來自加熱器3之熱,而加熱管2內之環境氣體。而且,藉由電動馬達46之輸出,而使風扇49旋轉。藉此,於管2內產生氣流A1,而攪拌管2內之環境氣體。於該狀態下,元素附著於被處理物 100之表面,並擴散。此時,冷卻水通過冷卻水路28。藉此,抑制第1密封構件21及第2密封構件22(參照圖4)之過熱。又,藉由阻熱部5而抑制來自加熱器3之熱傳遞至各密封構件21、22、及門36等。
於在被處理物100上形成薄膜後,停止利用加熱器3之加熱。其後,藉由驅動裝置39之動作,而將門36打開。於該狀態下,自管2內取出管2內之被處理物100。
[密封裝置之詳細之構成]
其次,對密封裝置23中之更詳細之構成進行說明。圖6係表示密封裝置23之主要部之立體圖,且省略密封裝置23之一部分之圖示。如圖4及圖6所示,密封裝置23包括第2密封構件22、密封保持裝置71及鼓風裝置72。
第2密封構件22之構成如上所述。該第2密封構件22由密封保持裝置71保持。藉此,第2密封構件22遍及管2之圓周方向C1之整個區域而與管2之開口部11之外周面11a密接。又,第2密封構件22遍及管2之圓周方向C1之整個區域而與第2法蘭27之另一端面27b密接。
密封保持裝置71係為利用第2密封構件22將開口部11之外周面11a與第2法蘭27之另一端面27b之間之區域確實地氣密地密封而設置。藉此,抑制管2內之氣體經由間隙CL1(參照圖5)而漏至管2之外部之空間。構成為即便於開口部11之外周面11a之真圓度較低之情形時,密封保持裝置71亦使第2密封構件22遍及管2之圓周方向C1之整個區域而接觸於開口部11之外周面11a。
再者,以下,有將管2之圓周方向C1簡稱為「圓周方向C1」之情形。又,有將管2之直徑方向R1簡稱為「直徑方向R1」之情形。 又,長度方向L1包括管2之軸方向、及與該軸方向平行之方向。
密封保持裝置71包括上述密封保持構件35、及承受構件保持機構73。
密封保持構件35係為藉由承受第2密封構件22來保持該第2密封構件22而設置。密封保持構件35整體上形成為圓環狀,且於包圍第2密封構件22之狀態下固定於第2法蘭27。
密封保持構件35包括複數個承受構件74,藉由該等複數個承受構件74,而形成圓環形狀之密封保持構件35。
各承受構件74形成為圓弧狀。各承受構件74之曲率中心例如配置於管2之中心軸線S2上。於本實施形態中,中心軸線S2亦為開口部11之內周面之中心軸線。各承受構件74之圓周方向C1上之角度範圍設定為數十度左右。該等承受構件74沿圓周方向C1排列,且長度方向L1上之位置得以對齊。再者,圖6表示將1個承受構件74自開口部11卸除後之狀態。於圓周方向C1,鄰接之承受構件74彼此以相互不接觸之程度鄰接配置。各承受構件74之構成相同。
圖7係放大表示圖6之一部分之立體圖。圖8係沿圖4之VIII-VIII線之剖面圖。參照圖4、圖7及圖8,承受構件74係使用不鏽鋼等金屬材料形成。承受構件74係為承受圓周方向C1上之第2密封構件22之一部分而設置。
承受構件74包括承受構件本體75、槽部76及凸緣部77。
承受構件本體75與第2法蘭27於長度方向L1鄰接配置。承受構件74係藉由圓弧狀之薄板而形成。承受構件本體75之外周部之位置 相較第2法蘭27之外周部之位置為直徑方向R1之外側。於承受構件本體75中形成有螺孔78。
螺孔78係為與承受構件保持機構73之下述固定用螺釘構件83結合而設置。螺孔78形成於承受構件本體75之一端面75a,且沿長度方向L1延伸。螺孔78於圓周方向C1相隔地形成有複數個(於本實施形態中,於與1個承受構件74對向之部位為3個)。複數個螺孔78沿圓周方向C1等間隔地形成。承受構件本體75之一端面75a與上下方向Z1平行地延伸。該一端面75a與第2法蘭27之另一端面27b於長度方向L1對向,且與該另一端面27b面接觸。於具有上述構成之承受構件本體75之內周部形成有槽部76。
槽部76係作為配置第2密封構件22之部分而設置。槽部76係遍及圓周方向C1上之承受構件74之整個區域而形成之圓弧狀之部分。槽部76於直徑方向R1之內方開放,且與管2之開口部11之外周面11a相對。又,槽部76於長度方向L1之一方開放,且與第2法蘭27之另一端面27b相對。
槽部76包括第1加壓部81及第2加壓部82。
第1加壓部81係作為槽部76之底面而形成。第1加壓部81係藉由圓筒面之一部分而形成。第1加壓部81朝向直徑方向R1之內方,且與管2之開口部11之外周面11a相對。第1加壓部81與第2密封構件22接觸,承受第2密封構件22,且對該第2密封構件22向開口部11之外周面11a加壓。即,第1加壓部81對長度方向L1上之第2密封構件22之一部分向直徑方向R1之內方加壓。於長度方向L1,第1加壓部81位於承受構件本體75之一端面75a與第2加壓部82之間。第1加壓部81與承受構件本體75之一端面75a連續,且與第2加壓部82連續。
第2加壓部82係作為槽部76之內側面而形成。第2加壓部82係朝向長度方向L1之一方的圓弧狀之面。第2加壓部82與第2法蘭27之另一端面27b於長度方向L1相對。第2加壓部82與第2密封構件22接觸,且對該第2密封構件22向第2法蘭27之另一端面27b加壓。即,第2加壓部82對第2密封構件22向長度方向L1之一方加壓。長度方向L1上之槽部76之長度設定得較自由狀態下之第2密封構件22之厚度T1小。藉此,第2加壓部82可使第2密封構件22向另一端面27b加壓。再者,所謂自由狀態係指外力未作用之狀態。
直徑方向R1上之槽部76之長度(槽部76之深度)設定得較自由狀態下之第2密封構件22之厚度T1小。藉此,承受構件74之第1加壓部81對第2密封構件22向直徑方向R1之內方加壓,且其與開口部11之外周面11a直接接觸之情況得到抑制。於相對於槽部76為長度方向L1之一方側之位置配置有凸緣部77。
凸緣部77係作為與承受構件保持機構73之下述定位用螺釘構件84結合之部分而設置。凸緣部77係自承受構件本體75之外周部向長度方向L1之一方延伸的圓弧狀之部分。凸緣部77相對於第2法蘭27而配置於直徑方向R1之外側。凸緣部77以不與第2法蘭27直接接觸之方式,遠離第2法蘭27而配置。於凸緣部77形成有貫穿孔77a。
貫穿孔77a係作為插入定位用螺釘構件84之孔部而形成。貫穿孔77a沿直徑方向R1貫穿凸緣部77。貫穿孔77a係針對每個承受構件74而形成有複數個(本實施形態中為2個)。複數個貫穿孔77a沿圓周方向C1相隔配置。具有上述構成之承受構件74係由承受構件保持機構73以可調整直徑方向R1之位置之樣態保持。即,承受構件74沿相對於外周面11a之與該承受構件74對向之部分靠近之方向及遠離之方向得到位置調整。如上述般,直徑方向R1對承受構件74而言為向外周面 11a靠近方向及遠離外周面11a之方向。
承受構件保持機構73包括第2法蘭(鄰接構件)27、固定用螺釘構件(緊固構件)83、及定位用螺釘構件(定位構件)84。
第2法蘭27構成上述冷卻構件19之一部分,並且構成承受構件保持機構73之一部分。第2法蘭27於長度方向L1與各承受構件74鄰接。又,第2法蘭27於長度方向L1與開口部11鄰接。於第2法蘭27形成有長孔86及螺孔87。
長孔86係以供固定用螺釘構件83插入之方式構成。長孔86形成為沿直徑方向R1細長地延伸之形狀,且沿長度方向L1貫穿第2法蘭27。長孔86對應於各承受構件74而形成有複數個(於本實施形態中為3個)。即,於1個凸緣部77,3個長孔86與該凸緣部77於長度方向L1對向。複數個長孔86沿圓周方向C1等間隔地形成。於各長孔86中插入有固定用螺釘構件83之螺桿軸。直徑方向R1上之各長孔86之長度大於固定用螺釘構件83之螺桿軸之直徑。以圓周方向C1之位置與長孔86不同之方式形成有第2法蘭27之螺孔87。
該螺孔87係為與定位用螺釘構件84螺合而設置。螺孔87形成於第2法蘭27之外周面,且沿直徑方向R1延伸。螺孔87對應於各承受構件74而形成有複數個(本實施形態中為2個)。即,螺孔87係針對每1個承受構件74而設置有複數個。複數個螺孔87沿圓周方向C1等間隔地形成。於各螺孔87中插入有定位用螺釘構件84之螺桿軸。
定位用螺釘構件84為外螺紋構件,且係為規定直徑方向R1上之承受構件74之位置而設置。藉由設置有定位用螺釘構件84,可調整直徑方向R1上之承受構件74之位置。包括複數個定位用螺釘構件84。各定位用螺釘構件84之螺桿軸貫穿承受構件74之對應之貫穿孔77a, 且與第2法蘭27之對應之螺孔87螺合。各定位用螺釘構件84之頭部自直徑方向R1之外側承受對應之承受構件74之外周面,且使該承受構件74向第2密封構件22加壓。
承受構件74受到來自第2密封構件22之彈性斥力,且未接觸於管2之外周面11a。各定位用螺釘構件84藉由相對於對應之螺孔87旋轉而調整旋入至該螺孔87中之量(深度)。藉此,調整直徑方向R1上之承受構件74之位置。藉由上述定位用螺釘構件84規定直徑方向R1之位置之承受構件74係藉由固定用螺釘構件83而固定於第2法蘭27。
固定用螺釘構件83係為將承受構件74緊固於第2法蘭27而設置。固定用螺釘構件83配有複數個,且安裝於各承受構件74。各固定用螺釘構件83之螺桿軸貫穿第2法蘭27之對應之長孔86,且與承受構件74之對應之螺孔78螺合。於解除利用各固定用螺釘構件83的第2法蘭27與對應之承受構件74之緊固之狀態下,各固定用螺釘構件83可於長孔86內沿直徑方向R1移動。即,承受構件74可相對於第2法蘭27沿直徑方向R1相對位移,各承受構件74可變更相對於第2法蘭27及第2密封構件22的直徑方向R1之位置。
根據上述構成,第2密封構件22係藉由複數個承受構件74而加壓至管2之外周面11a,且加壓至第2法蘭27之另一端面27b。藉此,第2密封構件22遍及圓周方向C1之整個區域而接觸於管2之開口部11之外周面11a,且接觸於第2法蘭27之另一端面27b。於具有上述構成之密封保持裝置71中安裝有鼓風裝置72。
參照圖4,鼓風裝置72係為自管2之外部向第2密封構件22之周圍之區域噴出空氣而設置。鼓風裝置72包括空氣用管89及撐條90。
空氣用管89例如形成為圓環狀,且以包圍管2之開口部11之外 周面11a之方式配置。空氣用管89係鄰接於承受構件74而配置。於空氣用管89中形成有噴出口89a。噴出口89a係為將空氣用管89內之空氣向管2之開口部11之外周面11a噴出而設置。
噴出口89a朝向直徑方向R1之內方,且與外周面11a於直徑方向R1相對。噴出口89a沿圓周方向C1等間隔地形成有複數個。再者,於圖4中圖示有複數個噴出口89a中之1個噴出口89a。噴出口89a形成於與承受構件74於長度方向L1上鄰接之位置。空氣用管89與泵等氣流產生源(未圖示)連接,且以空氣等氣流通過空氣用管89內之方式構成。空氣用管89內之氣體作為氣流A2而自各噴出口89a向管2之開口部11之外周面11a噴出。藉此,將來自各噴出口89a之氣流A2噴附至管2之開口部11之外周面11a。又,氣流A2到達外周面11a與各承受構件74之內周面74a之間之間隙CL2,而對第2密封構件22進行冷卻。空氣用管89經由撐條90而支持於承受構件74。
撐條90設置有複數個,且例如安裝於各承受構件74。撐條90形成為L字狀,且沿直徑方向R1細長地延伸。於直徑方向R1上之撐條90之一端部固定有空氣用管89。直徑方向R1上之撐條90之另一端部係利用撐條用螺釘構件91而固定於對應之承受構件74之外周部。空氣用管89例如係藉由具有可撓性之軟管形成。藉此,空氣用管89隨著直徑方向R1上之承受構件74之位置之變更而可彎曲。
[承受構件之位置調整動作]
圖9係用以對承受構件74之位置調整進行說明之主要部之剖面圖。如圖9所示,於本實施形態中,管2之開口部11之外周面11a之真圓度相對較低。因此,自中心軸線S2至外周面11a之距離視外周面11a之部位而不同。於本實施形態中,管2之上端部2a的管2之厚度相對較小。即,開口部11之外周面11a之上端部與中心軸線S2之間之距離D1為相對較小之值。另一方面,管2之下端部2b的管2之厚 度相對較大。即,開口部11之外周面11a之下端部與中心軸線S2之間之距離D2為相對較大之值。即,距離D1<距離D2。
鄰接於管2之上端部2a之承受構件74(741)係以該承受構件741之凸緣部77與第2法蘭27之直徑方向R1上之距離成為既定之值D3之方式,藉由對應之定位用螺釘構件84而設定位置。藉此,承受構件741對第2密封構件22中之與該承受構件741相對之部分向直徑方向R1之內方及長度方向L1之一方加壓。
另一方面,鄰接於管2之下端部2b之承受構件74(742)係以該承受構件742之凸緣部77與第2法蘭27之直徑方向R1上之距離成為既定之值D4之方式,藉由對應之定位用螺釘構件84而設定位置。於該情形時,距離D3<距離D4。承受構件742對第2密封構件22中之與該承受構件742相對之部分向直徑方向R1之內方及長度方向L1之一方加壓。
如以上所說明般,根據熱處理裝置1,各承受構件74相互獨立,且構成為可調整直徑方向R1之位置。因此,各承受構件74可將第2密封構件22中之於直徑方向R1對向之部分確實地推壓至開口部11之外周面11a。因此,即便於管2之管本體8之真圓度、尤其係外周面11a之真圓度較低之情形時,亦可使第2密封構件22遍及圓周方向C1之整個區域確實地密接於該開口部11之外周面11a。而且,無需進行準備與開口部11之真圓度相應之形狀之承受構件的花費工時之作業。
因此,於熱處理裝置1中,即便於收容被處理物100之管2之尺寸公差較大之情形時,亦可確實地且以較少之工時令用以密封管2之第2密封構件22吻合管2。
又,根據熱處理裝置1,各承受構件74係利用固定用螺釘構件83 而緊固於第2法蘭27。可以此種簡易之構成固定各承受構件74。又,於解除利用固定用螺釘構件83之緊固之狀態下,可使各承受構件74相對於第2法蘭27沿直徑方向R1位移。藉此,可容易地調整直徑方向R1上之各承受構件74之位置。
又,根據熱處理裝置1,第2法蘭27係遍及圓周方向C1之整個區域而與第2密封構件22接觸。藉此,第2密封構件22與第2法蘭27協動,而可遍及圓周方向C1之整個區域密封管2之開口部11之周圍。
又,根據熱處理裝置1,各承受構件74包括用以將第2密封構件22加壓至第2法蘭27之第2加壓部82。藉此,可使第2密封構件22更確實地接觸於第2法蘭27。因此,第2密封構件22及第2法蘭27可更確實地密封管2之開口部11之周圍。
又,根據熱處理裝置1,承受構件保持機構73之定位用螺釘構件84構成為於直徑方向R1規定各承受構件74之位置。藉此,定位用螺釘構件84可將各承受構件74配置於適合使第2密封構件22密接於開口部11之外周面11a之位置。藉此,可使第2密封構件22更確實地密接於管2之開口部11之外周面11a。
又,各定位用螺釘構件84與第2法蘭27之對應之螺孔87結合,且使對應之承受構件74向第2密封構件22加壓。若為此種構成,則藉由調整將定位用螺釘構件84旋入至螺孔87中之深度,可容易地對承受構件74之位置進行微調整。其結果,可使第2密封構件22以適當之強度加壓於開口部11之外周面11a。
以上,對本發明之實施形態進行了說明,但本發明並不限定於上述實施形態。本發明可於申請專利範圍所記載之範圍內進行各種變更。
(1)於上述實施形態中,以管2係圓筒狀之形態為例進行了說明。然而,亦可並非如此。例如管亦可為多角形之筒狀。於該情形時,第2密封構件(相當於第2密封構件22)及密封保持構件(相當於密封保持構件35)形成為沿管之外周面之形狀的形狀。
(2)於上述實施形態中,以第2密封構件22嵌合於管2之外周面11a之形態為例進行了說明。然而,亦可並非如此。例如第2密封構件22亦可嵌合於管2之內周面。於該情形時,各承受構件74之外周面配置於直徑方向R1上之管2之開口部11之內方。各承受構件74使第2密封構件22向開口部11之內周面加壓。
(3)於上述實施形態中,以承受構件保持機構73利用固定用螺釘構件83及定位用螺釘構件84,將承受構件74向第2密封構件22固定之形態為例進行了說明。然而,亦可並非如此。例如承受構件保持機構73亦可使用沿直徑方向R1延伸之軌道等除螺釘構件以外之構件構成。
(4)於上述實施形態,以固定用螺釘構件83可與承受構件74沿直徑方向R1一體地移動之形態為例進行了說明。然而,亦可並非如此。例如,如圖10所示,亦可構成為可使固定用螺釘構件83相對於承受構件74A沿直徑方向R1相對移動。再者,以下,對與圖1~圖9所示之實施形態不同之方面進行說明,對於與上述實施形態相同之構成,於圖中標註相同之符號,並省略其說明。於承受構件74A中形成有長孔86A。另一方面,於第2法蘭27A形成有螺孔78A。固定用螺釘構件83插入至長孔86A中,且與螺孔78A螺合。於該情形時,撐條90以不與固定用螺釘構件83接觸之方式配置。
(5)再者,如圖11所示,固定用螺釘構件83亦可構成為可相對於承受構件74A及第2法蘭27之兩者沿直徑方向R1相對移動。於該情 形時,固定用螺釘構件83插入至第2法蘭27之長孔86、及承受構件74A之長孔86A中。藉此,固定用螺釘構件83貫穿第2法蘭27及承受構件74A。固定用螺釘構件83藉由與螺帽構件92螺合,而將第2法蘭27與承受構件74A緊固。於該情形時,可於直徑方向R1,使可進行承受構件74A之位置調整之範圍更大。
(6)又,於上述實施形態,以使用固定用螺釘構件83作為將承受構件74緊固於第2法蘭27之緊固構件之形態為例進行了說明。然而,亦可並非如此。例如亦可使用夾持承受構件74及第2法蘭27之夾子狀之緊固構件等其他緊固構件。
(7)又,於上述實施形態,以使用冷卻構件19作為鄰接於管2之鄰接構件之形態為例進行了說明。然而,亦可並非如此。例如亦可使用堵塞管2之開口部11之門作為鄰接於管2之構件。
(8)於上述實施形態中,以承受構件74包括第1加壓部81及第2加壓部82之形態為例進行了說明。然而,亦可並非如此。例如亦可省略第1加壓部81及第2加壓部82中之至少一者。
(9)於上述實施形態中,以利用定位用螺釘構件84調整直徑方向R1上之承受構件74之位置之形態為例進行了說明。然而,亦可並非如此。例如亦可省略定位用螺釘構件84。
(10)於上述實施形態中,以藉由O形環形成第2密封構件22之形態為例進行了說明。然而,亦可並非如此。例如亦可利用具有彈性及可撓性之除O形環以外之密封構件形成第2密封構件。
(11)於上述實施形態,以第1密封構件21為O形環之形態為例進行了說明。然而,亦可並非如此。第1密封構件21亦可為除O形環以 外之固體狀之密封構件等。
(產業上之可利用性)
本發明可廣泛地用作用以於經加熱之環境氣體下處理被處理物之熱處理裝置。
2‧‧‧管(收納容器)
2a‧‧‧管之上端部
4‧‧‧閉塞裝置
5‧‧‧阻熱部
7‧‧‧保護筒(保護構件)
7a‧‧‧保護筒之一端部
7b‧‧‧保護筒之中間部
8‧‧‧管本體
8a‧‧‧管本體之一端面
11‧‧‧開口部
11a‧‧‧外周面
19‧‧‧冷卻構件
20‧‧‧門裝置
21‧‧‧第1密封構件
22‧‧‧第2密封構件
23‧‧‧密封裝置
24‧‧‧內筒
24a‧‧‧內筒之一端部
24b‧‧‧內筒之另一端部
25‧‧‧外筒
25a‧‧‧外筒之一端部
25b‧‧‧外筒之另一端部
26‧‧‧第1法蘭
26a、27c‧‧‧槽
27‧‧‧第2法蘭
27a‧‧‧第2法蘭之一端面
27b‧‧‧第2法蘭之另一端面
28‧‧‧冷卻水路
30‧‧‧板
31、33、63、64、84‧‧‧螺釘構件
32‧‧‧承受構件
35‧‧‧密封保持構件
36‧‧‧門
36b、77a‧‧‧貫穿孔
36c‧‧‧門之一端面
71‧‧‧密封保持裝置
72‧‧‧鼓風裝置
73‧‧‧承受構件保持機構
74‧‧‧承受構件
74a‧‧‧承受構件之內周面
75‧‧‧承受構件本體
75a‧‧‧承受構件本體之一端面
76‧‧‧槽部
77‧‧‧凸緣部
78、87‧‧‧螺孔
81‧‧‧第1加壓部
82‧‧‧第2加壓部
83‧‧‧固定用螺釘構件(緊固構件)
86‧‧‧長孔
89‧‧‧空氣用管
89a‧‧‧噴出口
90‧‧‧撐條
91‧‧‧撐條用螺釘構件
A2‧‧‧氣流
CL2‧‧‧間隙
L1‧‧‧長度方向
R1‧‧‧直徑方向
S1‧‧‧旋轉軸線
S2‧‧‧中心軸線
T1‧‧‧厚度
Z1‧‧‧上下方向

Claims (6)

  1. 一種熱處理裝置,其特徵在於包括:收納容器,其具有筒狀部,且構成為可收容被處理物;環狀之密封構件,其係使用具有彈性之材料形成,且嵌合於上述筒狀部之周面;及密封保持裝置,其用以保持上述密封構件;而上述密封保持裝置包括沿上述筒狀部之圓周方向排列之複數個承受構件、及保持複數個上述承受構件之承受構件保持機構,各上述承受構件承受上述圓周方向上之上述密封構件之一部分,且上述承受構件保持機構構成為可於向上述周面靠近之方向及遠離上述周面之方向調整各上述承受構件之位置。
  2. 如申請專利範圍第1項之熱處理裝置,其中,上述承受構件保持機構包括:鄰接構件,其於與上述筒狀部之軸方向平行之方向與各上述承受構件鄰接;及複數個緊固構件,其係針對各上述承受構件而設置,且將對應之上述承受構件與上述鄰接構件相互緊固;而各上述承受構件於解除利用上述緊固構件之緊固之狀態下,可相對於上述鄰接構件,沿向上述周面靠近之方向及遠離上述周面之方向相對移動。
  3. 如申請專利範圍第2項之熱處理裝置,其中,上述鄰接構件遍及上述圓周方向之整個區域而與上述密封構件接觸。
  4. 如申請專利範圍第3項之熱處理裝置,其中,各上述承受構件包括用以使上述密封構件向上述鄰接構件加壓之加壓部。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之熱處理裝置,其中,上述承受構件保持機構包括用以於向上述周面靠近之方向及遠離上述周面之方向規定各上述承受構件之位置的定位構件。
  6. 如申請專利範圍第5項之熱處理裝置,其中,上述定位構件包括針對各承受構件所設置之複數個外螺紋構件,而各上述螺釘構件與形成於上述鄰接構件中且沿向上述周面靠近之方向及遠離上述周面之方向延伸之螺孔結合,且使對應之承受構件向上述密封構件加壓。
TW102100078A 2012-09-10 2013-01-03 Heat treatment device TWI493627B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012198540A JP5944281B2 (ja) 2012-09-10 2012-09-10 熱処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201411726A TW201411726A (zh) 2014-03-16
TWI493627B true TWI493627B (zh) 2015-07-21

Family

ID=50610788

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104119244A TWI555092B (zh) 2012-09-10 2013-01-03 Heat treatment device
TW102100078A TWI493627B (zh) 2012-09-10 2013-01-03 Heat treatment device

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104119244A TWI555092B (zh) 2012-09-10 2013-01-03 Heat treatment device

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5944281B2 (zh)
KR (1) KR101474101B1 (zh)
TW (2) TWI555092B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6333128B2 (ja) * 2014-09-03 2018-05-30 東京エレクトロン株式会社 磁気アニール装置
DE102015120156B4 (de) * 2015-11-20 2019-07-04 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur materialschlüssigen Verbindung von Verbindungspartnern eines Leistungselekronik-Bauteils und Verwendung einer solchen Vorrichtung
JP7339853B2 (ja) * 2019-10-31 2023-09-06 株式会社ジェイテクトサーモシステム 熱処理装置
JP7001726B2 (ja) * 2020-03-13 2022-01-20 光洋サーモシステム株式会社 熱処理装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5507639A (en) * 1993-06-30 1996-04-16 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Heat treatment apparatus and method thereof
TW337597B (en) * 1994-03-29 1998-08-01 Tokyo Electron Co Ltd A heat treatment and the processing device
JP2007002298A (ja) * 2005-06-23 2007-01-11 Tokyo Electron Ltd 載置台装置の取付構造、処理装置及び載置台装置における給電線間の放電防止方法
TW200738960A (en) * 2006-04-06 2007-10-16 Ishikawajima Harima Heavy Ind Seal structure, cooling processor, multi room type heat-treatment device, pressure adjusting method, operating method

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6028396U (ja) * 1983-07-30 1985-02-26 京葉アスベスト株式会社 外熱式回転炉のシ−ル装置
JPS60159585A (ja) * 1984-01-31 1985-08-21 旭フアイバ−グラス株式会社 シ−ル方法
JP3106172B2 (ja) * 1991-02-26 2000-11-06 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置の封止構造
US5994675A (en) * 1997-03-07 1999-11-30 Semitool, Inc. Semiconductor processing furnace heating control system
JP3483733B2 (ja) * 1997-06-04 2004-01-06 株式会社日立国際電気 半導体製造装置及び基板処理方法
JP4599778B2 (ja) * 2001-09-05 2010-12-15 株式会社Ihi 加熱用ドラムのシール
JP3942440B2 (ja) * 2002-01-22 2007-07-11 株式会社チサキ 加熱炉装置
JP4384518B2 (ja) * 2004-02-18 2009-12-16 光洋サーモシステム株式会社 熱処理装置の炉口構造
KR100810596B1 (ko) * 2007-01-12 2008-03-06 주식회사 비아트론 씰링 모듈 및 이를 포함하는 반도체 소자의 열처리 장치
JP5093078B2 (ja) * 2008-12-03 2012-12-05 東京エレクトロン株式会社 成膜装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5507639A (en) * 1993-06-30 1996-04-16 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Heat treatment apparatus and method thereof
TW337597B (en) * 1994-03-29 1998-08-01 Tokyo Electron Co Ltd A heat treatment and the processing device
JP2007002298A (ja) * 2005-06-23 2007-01-11 Tokyo Electron Ltd 載置台装置の取付構造、処理装置及び載置台装置における給電線間の放電防止方法
TW200738960A (en) * 2006-04-06 2007-10-16 Ishikawajima Harima Heavy Ind Seal structure, cooling processor, multi room type heat-treatment device, pressure adjusting method, operating method

Also Published As

Publication number Publication date
TW201411726A (zh) 2014-03-16
TWI555092B (zh) 2016-10-21
JP2014052165A (ja) 2014-03-20
TW201539580A (zh) 2015-10-16
KR20140034027A (ko) 2014-03-19
KR101474101B1 (ko) 2014-12-17
JP5944281B2 (ja) 2016-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI493627B (zh) Heat treatment device
US9845991B2 (en) Heat treatment apparatus
KR102272832B1 (ko) 열처리 장치
US10465986B2 (en) Heat treatment apparatus
JP6119060B2 (ja) ガス流分布が改善された熱反応器
US11091835B2 (en) Side inject nozzle design for processing chamber
TW201304041A (zh) 晶圓狀物件之處理裝置
TWI487030B (zh) Heat treatment device
JP6148765B2 (ja) 熱処理装置
JP6426816B2 (ja) 熱処理装置
CN105009260A (zh) 热耦合的石英圆顶热沉
JP2002521816A (ja) ウエハ処理方法及び装置
TWI515406B (zh) Heat treatment device
JP2015169396A (ja) 熱処理用の支持部材、熱処理用の支持装置、熱処理装置、および、被処理物の配置方法
US20060110143A1 (en) Substrate processing device
JP2016120544A (ja) ワーク加工機
JP2017126594A (ja) 気相成長装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees