TWI485175B - 熱硬化性環氧樹脂組成物及半導體裝置 - Google Patents

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Yusuke Taguchi
Kazutoshi Tomiyoshi
Tomoyoshi Tada
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Description

熱硬化性環氧樹脂組成物及半導體裝置
本發明係有關一種脫模性、流動性、高溫保管時之信賴性優異、且具有良好的耐光性、可抑制因熱導致的變色(特別是變黃)情形、可提供信賴性優異的硬化物之熱硬化性環氧樹脂組成物及以該組成物之硬化物使發光元件、受光元件、其他的半導體元件封止的半導體裝置。
對半導體．電子機器裝置之封止材的信賴性要求，視薄型化、小型化、且高出力化而定，變得日益嚴格。例如LED或LD(lazer diode)等之半導體元件，以小型有效地進行鮮明顏色的發光，且由於具有半導體元件，不會有被球切的情形，驅動特性優異、振動或ON/OFF點燈之重複性強。因此，被利用作為各種指示器或各種光源。
使用該半導體元件之光耦合器等之半導體．電子機器裝置的材料之一，目前廣泛使用聚鄰苯二甲醯胺樹脂(PPA)。
然而，藉由今日半導體技術之飛躍進步，使光半導體裝置之高出力化及短波長化顯著，且使高能量光發光或可受光之光耦合器等之光半導體裝置，特別是使用作為無著色．白色材料之習知的PPA樹脂之半導體元件封止及盒，因長時間使用而有顯著的惡化情形，容易產生色斑或引起剝離、機械強度降低等之問題，因此企求有效地解決該問 題。
更詳言之，於專利2656336號公報(專利文獻1)中記載一種光半導體裝置，其係封止樹脂為以環氧樹脂、硬化劑及硬化促進劑為構成成分之B階段狀的光半導體封止用環氧樹脂組成物，其特徵為該構成成分係以分子水準均勻地被混合的樹脂組成物的硬化物所構成。此時，亦記載環氧樹脂主要是使用雙酚A型環氧樹脂或雙酚F型環氧樹脂，使用二異氰酸三環氧丙酯等，惟於實施例中在雙酚型環氧樹脂中少量添加使用二異氰酸三環氧丙酯，藉由本發明人等之檢討，該B階段狀半導體封止用環氧樹脂組成物，特別是在高溫．長時間放置時會有變黃的問題。
另外，有關使用發光元件封止用環氧樹脂組成物之三嗪衍生物環氧樹脂，於日本特開2000-196151號公報(專利文獻2)、特開2003-224305號公報(專利文獻3)、特開2005-306952號公報(專利文獻4)中記載，惟此等皆不為使用三嗪衍生物環氧樹脂與酸酐，予以B階段狀化者。
而且，本發明相關的習知文獻，除上述公報外，例如有下述專利文獻5~7及非專利文獻1。
〔專利文獻1〕專利第2656336號公報
〔專利文獻2〕日本特開2000-196151號公報
〔專利文獻3〕日本特開2003-224305號公報
〔專利文獻4〕日本特開2005-306952號公報
〔專利文獻5〕專利第3512732號公報
〔專利文獻6〕日本特開2001-234032號公報
〔專利文獻7〕日本特開2002-302533號公報
〔非專利文獻1〕電子實裝技術2004.4之特集
本發明係有鑑於前述情形者，以提供一種經過長時間仍可保持白色性、耐熱性、耐光性、可提供均勻且變黃情形少的硬化物之熱硬化性環氧樹脂組成物以及以該組成物之硬化物封閉半導體元件的半導體裝置為目的。
本發明人等為達成前述目的、再三深入研究檢討的結果，遂而完成本發明者，本發明第一係提供一種熱硬化性環氧樹脂組成物，其係以(A)三嗪衍生物環氧樹脂與酸酐以環氧基當量/酸酐基當量為0.6~2.0之比例進行反應所得的反應物、(B)內部脫模劑、(C)反射構件、(D)無機填充劑、(E)硬化觸媒為必須成分之環氧樹脂組成物，其特徵為(B)成分之內部脫模劑係併用以下述一般式(1)所示之羧酸酯與以下述一般式(2)所示之化合物者，【化1】R11 -COO-R12 (1)(式中，R11 與R12 係以Cn H2n+1 所示之相同或不相同的烷基；n係1~30之數)
(式中，R1 、R2 、R3 係H、-OH、-OR、-OCOCa Hb 中任何一個，至少一個含有-OCOCa Hb ；R係Cn H2n+1 之烷基(n係1~30之整數)；a係10~30之整數；b係17~61之整數)。
藉由該第一之熱硬化性環氧樹脂組成物，為可長時間保持白色性、耐熱性、耐光性、及可提供均勻且變黃情形少的硬化物、以及成形性(特別是脫模性)優異者。
此時，以(B)成分之式(1)的羧酸酯與式(2)之化合物的合計添加量，為組成物全體之0.2~5.0質量%，式(1)之羧酸酯與式(2)之化合物的質量比為1：5~10：1較佳。
另外，本發明第二係提供一種熱硬化性環氧樹脂組成物，其係以(A)三嗪衍生物環氧樹脂與酸酐以環氧基當量/酸酐基當量為0.6~2.0之比例進行反應所得的反應物、(F)補強材料、(B)內部脫模劑、(C)反射構件、(D)無機填充劑、(E)硬化觸媒為必須成分之熱硬化性環氧樹脂組成物，其特徵為(F) 成分為以化學式CaSiO3 所示之三斜晶系矽酸鹽礦物。
藉由該第二之熱硬化性環氧樹脂組成物，為可長時間保持白色性、耐熱性、耐光性、及可提供均勻且變黃情形少的硬化物，特別是可提供機械強度優異、耐熱性、耐光性佳的硬化物者。
此時，(F)成分之補強材料的添加量，以相對於組成物全體而言為1~80質量%較佳，而且，前述(B)成分之內部脫模劑，以含有熔點為50~70℃之甘油單硬脂酸酯者，相對於組成物全體而言含有0.2~5.0質量%較佳。
本發明之環氧樹脂組成物，可有效地作為半導體元件盒形成用。
另外，本發明提供一種半導體裝置，其特徵係以前述熱硬化性環氧樹脂組成物之硬化物封閉半導體元件。
本發明第一之熱硬化性環氧樹脂組成物係提供流動性、耐回流性、於高溫保管時之信賴性、脫模性優異，及經過長時間仍可保持耐光性，均勻且變黃情形少的硬化物者。此外，本發明第二之熱硬化性環氧樹脂組成物，係可提供流動性、耐回流性、於高溫保管時之信賴性、脫模性優異、特別是機械強度優異的硬化物者。
因此，具有以本發明之組成物的硬化物封閉的發光元件或光耦合器等之受光元件的半導體．電子機器裝置，在產業上特別有用。
〔為實施發明時之最佳形態〕 (A)反應物
本發明之第一及第二熱硬化性環氧樹脂組成物，係使用三嗪衍生物環氧樹脂與酸酐以環氧基當量/酸酐基當量為0.6~2.0%之比例反應所得的反應物作為樹脂成分。
(A-1)三嗪衍生物環氧樹脂
本發明所使用的(A-1)成分之三嗪衍生物環氧樹脂，係含有藉由使該物與酸酐以特定的比例反應所得的反應物作為樹脂成分，實現可抑制熱硬化性環氧樹脂組成物之硬化物的變黃、且經時惡化情形少的半導體發光裝置。該三嗪衍生物環氧樹脂，以1,3,5-三嗪核衍生物環氧樹脂較佳。特別是具有三聚異氰酸酯(isocyanurate)環之環氧樹脂，耐光性或電絕緣性優異，企求對一個三聚異氰酸酯環而言具有2價(較佳者為3價)環氧基為宜。具體而言，可使用參(2,3-環氧基丙基)三聚異氰酸酯、參(α-甲基環氧丙基)三聚異氰酸酯、參(α-甲基環氧丙基)三聚異氰酸酯等。
本發明所使用的三嗪衍生物環氧樹脂之軟化點，以90~125℃較佳。而且，於本發明中該三嗪衍生物環氧樹脂不包含三嗪環被加氫者。
(A-2)酸酐
本發明所使用的(A-2)成分之酸酐，係作為硬化劑者，為賦予耐光性時，為非芳香族、且以不具碳-碳雙鍵 者較佳，例如六氫苯二甲酸酐、甲基六氫苯二甲酸酐、三烷基四氫苯二甲酸酐、加氫甲基納吉酸酐等，於此等中以甲基六氫苯二甲酸酐較佳。此等之酸酐系硬化劑，可單獨一種使用，亦可2種以上併用。
酸酐系硬化劑之配合量，相對於1當量前述的酸酐基而言三嗪衍生物環氧樹脂之環氧基為0.6~2.0當量、較佳者為1.0~2.0當量、更佳者為1.2~1.6當量之量。環氧基當量/酸酐基當量未達0.6當量時，會產生硬化不佳、信賴性降低的情形。而且，大於2.0當量之量時，會在硬化物中殘留有未反應硬化劑、所得的硬化物之耐濕性惡化的情形。
於本發明中，使前述的(A-1)、(A-2)成分、或(A-1)、(A-2)與下述之抗氧化劑，預先在70~120℃(較佳者80~110℃)、進行反應4~20小時(較佳者6~15小時)，或使(A-1)、(A-2)與下述之硬化觸媒，或使(A-1)、(A-2)與下述各抗氧化劑、硬化觸媒，預先在30~80℃(較佳者40~60℃)、進行反應10~72小時(較佳者36~60小時)，形成軟化點為50~100℃(較佳者60~90℃)之固體物，使該物粉碎、配合較佳。進行反應所得的物質之軟化點，未達50℃時，無法形成固體物；超過100℃之溫度時，恐會有流動性降低的問題。此時，反應時間過短時，高分子成分少，無法形成固體物；過長時，會產生流動性降低的問題。而且，於本發明中，軟化點係以藉由JIS環球法值之測定法為基準的測定值。
此處所得的反應物(反應固體物)，於(A-1)成分之三嗪衍生物環氧樹脂與(A-2)成分之酸酐的反應物中，於藉由凝膠滲透色層分析法(GPC)之分析中(分析條件係使試料濃度0.2%、注入量50μl在移動相THF 100%、流量1.0ml/min、溫度40℃之條件下、以檢測器RI進行測定)，含有分子量超過1,500之高分子量成分、分子量300~1,500之中分子量成分、與單體成分，且高分子量成分為20~70質量%、中分子量成分為10~60質量%、單體成分為10~40質量%較佳。
前述反應物於使用異氰酸酯三環氧丙酯作為(A-1)成分時，含有以下述式(3)所示之反應生成物、特別是(A-2)成分之酸酐為甲基六氫苯二甲酸酐時，含有以下述式(4)所示之反應生成物。
於前述式中，R4 為酸酐殘基；m為0~200，較佳者包含0~100之範圍中任意者，為平均分子量500~10萬 之成分，為本發明之反應物時，如前所述以含有10~60質量%(特別是10~40質量%)之分子量為300~1,500的中分子量成分、10~40質量%(特別是15~30質量%)之單體成分(未反應環氧樹脂及酸酐)較佳。
(B)內部脫模劑
於本發明之環氧樹脂組成物中，配合內部脫模劑。(B)成分之內部脫模劑，為提高成形時之脫模性時所配合者。
此時，內部脫模劑係含有以下述一般式(2)所示，且熔點為50~70℃之範圍的成分。
(式中，R1 、R2 、R3 係H、-OH、-OR、-OCOCa Hb 中任何一個，至少一個含有-OCOCa Hb 。R係Cn H2n+1 之烷基(n係1~30之整數)；a係10~30之整數；b係17~61之整數)。
內部脫模劑係以巴西蠟為始的天然蠟、酸蠟、聚乙烯蠟、以脂肪酸酯為始的合成蠟，一般而言大多數在高溫條件下或光照射下容易變黃、經時惡化、且不具脫模性。
其中，本發明前述式(2)之內部脫模劑，即使在高溫放置下或光照射下，可抑制變黃性、且經過長時間仍可繼續保持良好的脫模性。
此時，一般式(1)中之R1 、R2 、R3 中，至少一個必須為-OCOCa Hb 。全部為-OH時，無法得到充分的脫模性、耐熱性，藉由在構造內含有-OCOCa Hb ，可具有良好的相溶性與耐熱性、脫模性。
-OCOCa Hb 中所含的a及b，以a=10~30(較佳者a=11~20)者為宜。a=未達10時，無法得到充分的耐熱變黃性；a=大於30時，無法充分地相溶、得到良好的脫模效果。
而且，b係Ca Hb 為飽和或不飽和的脂肪族烴基；不飽和時，以具有1或2個不飽和基者較佳，因此，以b=2a+1、2a-1或2a-3者，特別是以b=2a+1、2a-1者較佳。就該點而言，b=17~61(較佳者為19~41之整數，更佳者為b=21~61、最佳者為23~41之整數)。
具體而言，例如甘油單棕櫚酸酯、甘油單硬脂酸酯、甘油單12-羥基硬脂酸酯、甘油三12-羥基硬脂酸酯、甘油單山萮酸酯、甘油單棕櫚酸酯、單硬脂酸丙二醇酯、單山萮酸丙二醇酯等。
其中，於熔點、高溫之揮發成分，耐熱性特性為重要的特性，熔點以50~90℃較佳，更佳者為65~85℃。此外，於250℃之揮發成分為10質量%以下者較佳。熔點未達50℃時，無法得到充分的耐熱變黃性；大於90℃時，相溶性變得不佳、無法得到良好的脫模效果。特別是就分散性、相溶性而言，以熔點50~70℃之甘油單硬脂酸酯較佳。另外，以脂肪酸丙二醇酯亦較佳。
而且，前述式(2)之內部脫模劑，以在全部內部脫模劑(B)中含有20~100質量%(特別是50~100質量%)較佳。此時，殘餘的脫模劑為前述的天然蠟、酸蠟、其他的合成蠟等。
此處，於本發明第一之環氧樹脂組成物中，其特徵為內部脫模劑係併用前述一般式(2)所示之化合物與下述一般式(1)所示之羧酸酯。而且，於第二之環氧樹脂組成物中，推測使用該併用系。
【化5】R11 -COO-R12 (1)(式中，R11 與R12 係以Cn H2n+1 所示相同或不同的烷基；n係1~30、較佳者為2~28、更佳者為5~25)。
前述一般式(1)之羧酸酯，即使於高溫放置下或光照射下，仍可抑制變黃性、且經過長時間仍可繼續保持良好的脫模性者。此時，式(1)之羧酸酯與式(2)之化合物的併用比例，以質量比(1)：(2)=1：5~10：1，較佳者為1：4~8：1。式(1)之羧酸酯過少時，不具充分的連續成形性；過多時，會有黏合性降低的情形。
該內部脫模劑(B)之添加量，以組成物全體之0.2~5.0質量%(特別是0.5~3.0質量%)較佳。添加量未達0.2質量%時，無法得到充分的脫模性；超過5.0質量%時，會有引起滲出的不良情形或黏合性不佳等情形。
(C)反射構件
於本發明之環氧樹脂組成物中，配合有反射構件。( C)成分之反射構件，為提高白色度時配合作為白色著色劑者，作為反射構件以使用二氧化鈦較佳，就耐候性而言，二氧化鈦之單位格子以使用金紅石型較佳。而且，平均粒徑或形狀亦沒有特別的限制，惟平均粒徑通常為0.05~5.0μm。為提高與樹脂或無機填充劑之相溶性、分散性時，前述二氧化鈦可預先以無機物、有機物進行表面處理，特別是以Al、Si、多元醇處理較佳。此外，反射構件(白色著色劑)可單獨使用除二氧化鈦外之鈦酸鉀、氧化鋯、硫化鋅、氧化鋅、氧化鎂等或併用二氧化鈦者。
此外，本發明之(C)成分以使用鉛之含量少的氧化鈦較佳。就環境對策而言，鉛之含量多時使用上受到限制。鉛之含量為10ppm以下、以2ppm以下較佳、以0ppm更佳。具體而言，該材料選自石原產業製之CR-95等，沒有特別的限制。
而且，平均粒徑可藉由雷射光繞射法測定粒度分布之質量平均值D50 (或介質粒徑)求取。
反射構件之填充量，以組成物全體之2~80質量%、特別是5~50質量%較佳。未達2質量%時，無法得到充分的白色度；超過80質量%時，會有未填充或孔隙等之成形性降低的情形。
(D)無機填充劑
於本發明之環氧樹脂組成物中，另外配合有無機填充劑。所配合的(D)成分之無機填充劑，通常可使用環氧 樹脂組成物中所配合者。例如，熔融二氧化矽、結晶性二氧化矽等之二氧化矽類、氧化鋁、氮化矽、氮化鋁、氮化硼、玻璃纖維、三氧化銻等，惟除前述之反射構件(白色著色劑)外。
此等無機填充劑之平均粒徑或形狀，沒有特別的限制，通常平均粒徑為5~40μm。
而且，平均粒徑可藉由雷射光繞射法測定粒度分布之質量平均值D50 (或介質粒徑)求取。
前述無機填充劑，為增強樹脂與無機填充劑之結合強度時，亦可配合預先以矽烷偶合劑、鈦酸酯偶合劑等之偶合劑予以表面處理者。
該偶合劑例如以使用γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、β-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷等之環氧基官能性烷氧基矽烷、N-β-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-苯基-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷等之胺基官能性烷氧基矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷等之巰基官能性烷氧基矽烷等較佳。而且，有關表面處理所使用的偶合劑之配合量及表面處理方法，沒有特別的限制。
無機填充劑之填充量，相對於總量100質量份(A-1)環氧樹脂與(A-2)酸酐而言，為20~700質量份，特別是以50~400質量份較佳。未達20質量份時，恐會有無法得到充分的強度；未達700質量份時，會有失去因增黏而導致未填充不佳或失去柔軟性，產生元件內之剝離等 之不良情形。而且，該無機填充劑以組成物全體之10~90質量%、特別是含有20~80質量%之範圍較佳。
(E)硬化觸媒
該(E)成分之硬化觸媒，可使用作為環氧樹脂組成物之硬化觸媒的習知物，沒有特別的限制，可使用1種或2種以上之三級胺類、咪唑類、此等之有機羧酸鹽、有機羧酸金屬鹽、金屬-有機螯合化合物、芳香族鎏鹽、有機膦化合物類、鏻化合物等之磷系硬化觸媒、此等之鹽類等。於此等之中，以咪唑類、磷系硬化觸媒、例如2-乙基-4-甲基咪唑或甲基三丁基鏻-二甲基磷酸鹽、三級胺之辛酸鹽更佳。另外，以併用溴化四級銨與胺之有機酸鹽較佳。
硬化觸媒之使用量，以組成物全體之0.05~5質量%、特別是0.1~2質量%之範圍內配合較佳。在前述範圍外時，恐會有環氧樹脂組成物之硬化物的耐熱性及耐濕性之平衡性惡化的情形。
(F)補強材料
於本發明之環氧樹脂組成物、特別是第二之環氧樹脂組成物中，配合補強材料。(F)成分之補強材料，係為提高成形物之強度時予以配合者。該補強材料以使用以化學式CaSiO3 所示之三斜晶系矽酸鹽礦物的矽灰石較佳。該矽灰石有α型與β型等2種，α型大多數為粒狀、長短徑比低、熔點為1,125℃。β型為纖維狀、長短徑比高、熔 點為1,545℃，補強性能優異。
以矽灰石為典型的補強材料之填充量，以組成物全體之1~80質量%、特別是5~50質量%較佳。未達1質量%時，無法得到充分的強度；超過80質量%時，會有未填充或孔隙等之成形性降低的情形。
其他添加劑
於本發明之環氧樹脂組成物中，視其所需可配合抗氧化劑。
(G)成分之抗氧化劑，可使用苯酚系、磷系、硫系抗氧化劑，抗氧化劑之具體例如下述之抗氧化劑。
苯酚系抗氧化劑例如2,6-二-第3-丁基-p-甲酚、丁基化羥基苯甲醚、2,6-二-t-丁基-p-乙基苯酚、硬脂基-β-(3,5-二-t-丁基-4-羥基苯基)丙酸酯、2,2’-亞甲基雙(4-甲基-6-t-丁基苯酚)、4,4’-次丁基雙(3-甲基-6-t-丁基苯酚)、3,9-雙[1,1-二甲基-2-{β-(3-t-丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙烯氧基}乙基]2,4,8,10-四氧雜旋[5,5]十一烷、1,1,3-參(2-甲基-4-羥基-5-t-丁基苯基)丁烷、1,3,5-三甲基-2,4,6-參(3,5-二-t-丁基-4-羥基苯甲基)苯等，其中以2,6-二-t-丁基-p-甲酚較佳。
磷系抗氧化劑例如亞磷酸三苯酯、亞磷酸二苯基烷酯、亞磷酸苯基二烷酯、亞磷酸三(壬基苯酯)、亞磷酸三月桂酯、亞磷酸三-十八烷酯、磷酸三苯酯、二硬脂基季戊四醇二磷酸酯、參(2,4-二-t-丁基苯基)磷酸酯、二異 癸基季戊四醇二磷酸酯、二(2,4-二-t-丁基苯基)季戊四醇二磷酸酯、參硬脂基山梨糖醇三磷酸酯及肆(2,4-二-t-丁基苯基)-4,4’-聯苯二磷酸酯等，其中以亞磷酸三苯酯較佳。
而且，硫系抗氧化劑例如二月桂基-3,3’-硫化二丙酸酯、二肉荳蔻基-3,3’-硫化二丙酸酯、二硬脂基-3,3’-硫化二丙酸酯等。
此等之抗氧化劑、可各為單獨使用或2種以上組合使用，惟以使用磷系抗氧化劑單獨使用或組合苯酚系抗氧化劑與磷系抗氧化劑使用更佳。此時，苯酚系抗氧化劑與磷系抗氧化劑之使用比例，以質量比、苯酚系抗氧化劑：磷系抗氧化劑=0：100~70：30，特別是以0：100~50：50較佳。
抗氧化劑之配合量，於環氧樹脂組成物中為0.01~10質量%，特別是以0.03~5質量%較佳。配合量過少時，無法得到充分的耐熱性，會有變色情形；過多時，會引起硬化阻害情形、且無法得到充分的硬化性、強度。
於本發明之環氧樹脂組成物中，視其所需可另外配合各種添加劑。例如，以改善樹脂之性質為目的時，在不會損害本發明之效果範圍內，可添加配合各種熱塑性樹脂、熱塑性彈性體、有機合成橡膠、環氧系等之低應力劑、鹵素阱劑等之添加劑。
其他環氧樹脂
另外，於本發明之組成物中，在不會損害本發明效果之範圍內，視其所需、可以一定量以下(特別是相對於100質量份(A-1)成分而言為0~40質量份、特別是5~20質量份之比例)配合除(A-1)成分外之環氧樹脂。該環氧樹脂之例如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-雙酚型環氧樹脂或4,4’-雙酚型環氧樹脂之雙酚型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、萘二醇型環氧樹脂、聯三苯醇甲烷型環氧樹脂、聯四苯醇乙烷型環氧樹脂、及苯酚二環戊二烯酚醛清漆型環氧樹脂之使芳香環加氫的環氧樹脂等。
而且，其他的環氧樹脂之軟化點，以70~100℃較佳。
環氧樹脂組成物之調製方法
調製本發明之環氧樹脂組成物作為成形材料時之方法，係使用預先混合(A-1)、(A-2)成分作為反應物，在70~120℃(較佳者80~110℃)之溫度範圍，或預先混合(A-1)、(A-2)、(E)成分之各成分作為反應物，在30~80℃(較佳者40~60℃)之溫度範圍，藉由可予以無溶劑加溫的反應鍋等之裝置中均勻地進行熔融混合，且使混合物在常溫下處理時，直至充分的軟化點(具體而言為50~100℃、較佳者為60~90℃)為止被增黏者冷卻、予以固體化者。
此時，混合此等成分之溫度範圍，於混合(A-1)、(A-2)成分時，以70~120℃為宜，較佳者為80~110℃之範圍。混合溫度未達70℃時，為在室溫下形成固體之混合物時，溫度過低；大於120℃之溫度時，由於反應速度過快，不易以企求的反應度停止反應。而且，混合(A-1)、(A-2)、(E)成分時之溫度如上所述，惟混合溫度過低時、相反地過高時之缺點與上述相同。
其次，可使該固體物(反應物)粉碎後，於調製前述固體物(反應物)時沒有使用(B)、(C)、(D)成分、及(E)成分時，以所定的組成比例配合(E)成分或必要的其他添加物，且使該物藉由混合器等進行充分均勻混合後，藉由熱輥、混練機、擠壓機等進行熔融混合處理，然後，予以冷卻固化，粉碎成適當的尺寸，形成環氧樹脂組成物之成形材料。
如此所得的本發明之環氧樹脂組成物，可有效地使用作為半導體元件盒形成用，而且，適合作為封閉發光元件、受光元件其他的半導體元件之半導體裝置之封止材料，例如可有效地利用作為光耦合器用封止材料。此外，此處使用本發明組成物之半導體元件例之光耦合器之截面圖如第1圖所示。第1圖所示之光耦合器係使由化合物半導體所形成的半導體元件1被接合於導線架2上，再藉由接合線3線接合於另外的導線架(圖中沒有表示)上。而且，在與此半導體元件1對向的方式，受光用半導體元件4接合於導線架5上，再藉由接合線6線接合於另外的導 線架(圖中沒有表示)上。此等半導體元件之間，藉由透明封止樹脂7填充。另外，藉由該封止材料7被覆的半導體元件，藉由本發明之熱硬化性環氧樹脂組成物的硬化物8予以樹脂封止。
此時，本發明之熱硬化性環氧樹脂組成物的封止之最為一般的方法，例如低壓轉換成形法。而且，以本發明之環氧樹脂組成物的成形溫度為150~185℃下進行30~180秒較佳。後硬化可在150~185℃下進行2~20小時。
第1之表面實裝型發光裝置
說明使用本發明之組成物的表面實裝型發光裝置。使用本發明之組成物的表面實裝型發光裝置之截面圖如第2圖所示。以第2圖所示之表面實裝型發光裝置100，具有發光元件110、具有承載發光元件110之凹部183的封裝體(package)180、被覆發光元件110之封閉構件170。封裝體180係由本發明之熱硬化性環氧樹脂組成物的硬化物所形成於封裝體180中，與發光元件110以電連接的第1導線電極121及第2導線電極122被固定。
發光元件110係在相同面側具有正負一對的第1電極111與第2電極112。說明有關於該表面實裝型發光裝置中，在相同面側上具有正負一對電極者，惟亦可使用在發光元件之上面與下面具有正負一對的電極。此時，發光元件下面之電極不使用線，使用具有電傳導性之接合構件、與第1導線電極121或第2導線電極122以電連接。
封裝體180之主面側的平面形狀為矩形，亦可為橢圓形、圓形、五角形、六角形等。凹部183之主面側的平面形狀為橢圓形，惟亦可為約略圓形、矩形、五角形、六角形等。在封裝體180之表面上，為顯示發光元件110之正極方向時，可附加陰極標記。
第1導線電極121係具有第1內部導線部121a與第1外部導線部121b。第1內部導線部121a，係經由具有發光元件110的第1電極111與線圈130予以電氣連接。第1外部導線部121b自封裝體180露出。
第2導線電極122係具有第2內部導線部122a與第2外部導線部122b。第2內部導線部122a，係經由具有發光元件110的第2電極112與線圈130予以電氣連接。第2外部導線部122b自封裝體180露出。
第1內部導線部121a及第2內部導線部122a，自表面為凹部183之底面181露出。導線電極121、122b，除露出於封裝體180之側面外側的部分稱為外部導線部121b、122b外，且露出於封裝體180之裏面側之部分稱為外部導線部121b、122b，外部導線部121b、122b，只要是與外部電極電氣連接的部分即可。為使第1導線電極121及第2導線電極122與外部電極連接時，使用金屬構件。於第1導線電極121與第2導線電極122之間，夾有封裝體180之一部分184，可防止電極間之短路情形。
凹部183之開口部，形成較底面181更廣的開口，在側面182上被傾斜設置，形成錐形面較佳。具有封裝體 180之凹部183，以圍成四方形的形狀較佳，亦可形成僅對向的二方之壁部。
封止構件170係在被覆發光元件110下、配置於凹部183內。封止構件170係使用熱硬化性樹脂。封止構件170含有螢光物質190。螢光物質190被均勻地分散於封止構件170中。惟螢光物質190亦可使用較封止構件170之比重更大者，沉澱於凹部183之底面181側。
封裝體180與封止構件170係使用熱硬化性樹脂，由於膨脹係數等之物質性質相似，故密接性極佳。而且，藉由前述構成，可提供耐熱性、耐光性等優異的表面實裝型發光裝置。
第1之表面實裝型發光裝置的製造方法
說明有關本發明之發光裝置的製造方法。
(1.導線電極121、122之形成)
首先，在第1導線電極121及第2導線電極122的表面上被覆Ag膜。Ag膜之被覆方法係可使用電鍍Ag法、無電鍍Ag法、PVD法、CVD法等。特別是就成本、品質之平衡性而言，以電鍍Ag法較佳。於本說明書中，「電鍍Ag法」係指在含有金屬離子之電解溶液中、以導線電極為陰極進行通電，在導線電極之表面上使Ag(視其所需底層用金屬)予以電析。於下述中詳細說明電鍍Ag法。
首先，使導線電極121、122浸漬於鹼浸漬脫脂溶液、鹼電解脫脂溶液中，除去油份。而且，使用鐵、磷化青銅、銅合金等之良電導體作為第1及第2導線電極材料。其次，使導線電極121、122浸漬於酸溶液中，除去氧化膜。視其所需，浸漬於鹼中和溶液中予以中和。然後，電鍍Ag前之底層處理係進行電鍍Cu打底電鍍(strike platig)、電鍍Cu、及電鍍Ag打底電鍍等。在適合於各底層處理之電解溶液中，順序浸漬導線電極121、122，在表面上使底層金屬予以電析。然後，使經底層處理完成的導線電極121、122浸漬於鍍Ag用之電解溶液中，使Ag予以電析。而且，於以各電解溶液進行電析後，以純水洗淨導線電極121、122。進行最後之鍍銀處理後之純水洗淨後，使導線電極121、122予以乾燥。
藉由該一連串的步驟，在導線電極121、122之表面上被覆Ag膜151、152。
(2.藉由模具141、142進行挾住導線電極121、122)
如第3圖及第4圖所示，以被覆有Ag膜之面為上側，使第1導線電極121與第2導線電極122以上模具141與下模具142自上下挾住。上模具141係具備對應於封裝體180之形狀的內部空隙143、與為形成封裝之凹部的凸部144。此處，封裝體180所使用的熱硬化性樹脂，可於模具中流動，侵入第1導線電極121及第2導線電極122與凸部144之空隙間。熱硬化性樹脂附著於第1導線 電極121及第2導線電極122之上面時，由於在此等導線電極121、122之表面上形成絕緣膜，故該熱硬化性樹脂侵入不為企求。因此，使導線電極121、122之裏面以下模具142上押，在凸部144上押附前述第1導線電極121及前述第2導線電極122。
而且，該例中下模具雖為平坦，惟視封裝體180之種類而定，亦可具有內部空隙。此時，由於不易藉由下模具142押附導線電極121、122，故可在下模具之一部分上設置押附用之突條構件，或設置貫通下模具之另一構件，將導線電極121、122上押。
(3.封裝之成形)
如第5圖所示，於上模具141之空隙143中注入熱硬化性樹脂，進行加熱硬化以使封裝成形。熱硬化性樹脂之注入方法，可利用傳送．模塑。
傳送．模塑係使具有所定大小之粒料狀熱硬化性樹脂加入所定容器中。對所定容器施加壓力。以連接於該所定容器的上模具141與下模具142所挾住的凹部中流入熔融狀態之熱硬化性樹脂。使上模具141與下模具142在所定溫度下溫熱，使該流入的熱硬化性樹脂予以硬化。以該一連串的步驟稱為傳送．模塑。
第1導線電極121及第2導線電極122，由於以模具挾住，於流入熱硬化性樹脂時，導線電極121、122不會有發黏情形，可抑制溢料產生。
(4.除去溢料步驟)
成形後之封裝體180，會在封裝體180之外周部或凹部183之內部產生溢料。此等之溢料於實裝發光元件10之前被除去。溢料之除去，可組合使用電解處理、化學浸漬、亁式噴出、水噴射、液體研磨處理等除去溢料之相關裝置使用。
(5.共晶層160之成膜)
經加熱硬化完成的封裝體180，自上模具141及下模具142取出，實裝發光元件110等。預先實裝發光元件110，在發光元件110裏面使由金屬之焊接材料所形成的共晶層160予以成膜。共晶層160之成膜方法，有使用漿料材料之印刷、擴散、轉印、預成型、箔成形、金屬化、球形成等之方法。
(6發光元件110之實裝)
如第6圖所示，在封裝體180之凹部183的內部配置發光元件110。此時，發光元件110之共晶層160，在接觸第1導線電極121的上面下必須配置發光元件110。使封裝體180進行加熱處理，使共晶層160予以熔融(回流)，然後，放冷時發光元件110被固定於第1導線電極121的表面上。
其次，發光元件110之電極111、112、與第1導線電 極121及第2導線電極122藉由導電線圈130予以電氣連接。
(7.封止構件170之填充)
如第7圖所示，於固定發光元件110後，在凹部183內填充封止構件170用之熱硬化性樹脂。熱硬化性樹脂之填充，藉由滴下方法或射出方法、押出方法等進行，特別是使用滴下方法較佳。滴下方法係在與熱硬化性樹脂填充的同時，可有效地排除殘留於凹部183內之空氣。於熱硬化性樹脂中以混合螢光物質190較佳。藉此可容易地進行調整發光裝置之色調。
於注入完成後，使熱硬化性樹脂加熱硬化，形成封止構件170。
第2之表面實裝型發光裝置
說明使用本發明組成物之第2表面實裝型發光裝置。第8圖係表示第2表面實裝型發光裝置的斜視圖。第9圖係表示第2表面實裝型發光裝置的截面圖。第9圖係第8圖所示之IX-IX的截面圖。第10圖係表示第2表面實裝型發光裝置所使用的導束之平面圖。
第2表面實裝型發光裝置200，係於外側面280b具有約同一面上形成樹脂部285與導線225之封裝體280。導線225在至少底面(封裝體280之外底面280a)及上面(凹部283之底面281)之任一面上實施電鍍處理。另 外，於導線225之側面(封裝體280之外側面280b)沒有實施電鍍處理。封裝體280之外側面280b係樹脂部285佔有大面積，導線225自角部露出。
封裝體280係由樹脂部285與導線225所構成。樹脂部285係使用本發明之熱硬化性環氧樹脂組成物的硬化物。封裝體280係具有配置導線225之外底面280a、部分導線225露出的外側面280b、與形成開口之凹部283的外上面280c。封裝體280上形成有具有底面281與側面282之凹部283。封裝體280之底面281上有導線225露出，導線225上承載有發光元件210。封裝體280之凹部283內配置有被覆發光元件210之封止構件270。封止構件270含有螢光物質290。發光元件210係經由線圈230，與導線225電氣連接。封裝體280之外上面280c上沒有配置導線225。
於封裝體280之外側面280b的全部包圍的長度中，導線225露出的部分為較1/2更短的長度。於下述之發光裝置之製造方法中，在導束220上設置切口部220a，為沿著該切口部(notch)220a切斷時，導線架220之切斷部分為自封裝體280露出的部分。
封裝體280係自四角露出導線225。導線225於外側面280b中露出，沒有實施電鍍處理。而且，導線225可採用露出於外底面280a之構造，亦可實施電鍍處理。而且，經個片化後，在導線225之外側面280b可實施電鍍處理。
該封裝體280即使因投入電流，而導致發光元件210發熱時，也不易劣化，為耐熱性優異者。
表面實裝型發光裝置200之形狀，沒有特別的限制，可以為約正方體、約立方體、約六角柱等之多角形形狀。凹部283係朝開口方向擴大者較佳，亦可為筒狀。凹部283之平面形狀，可採用約圓形、約橢圓形、約多角形形狀等。
第2之表面實裝型發光裝置的製造方法
說明有關第2之表面實裝型發光裝置的製造方法。第11圖係表示第2表面實裝型發光裝置的製造方法之簡略截面圖。第12圖係表示樹脂成形體之平面圖。
第2表面實裝型發光裝置的製造方法，具有使設置有切口部220a之導線架220以上模具241與下模具242挾住的步驟[第11(A)、(B)圖]、在以上模具241與下模具242挾住的模具240內轉送模製熱硬化性樹脂286，在導線架220上形成樹脂成形體287的步驟[第11(C)圖]、與沿著缺口部220a切斷樹脂成形體287與導線架220之步驟[第11(D)圖]。
首先，說明有關轉送模製(transfer molding)所使用的由上模具241及下模具242所構成的模具240。
上模具241，係具有構成上模具上部之平板的本體部、由本體部之端部形成框狀之外壁部、自本體部突出的數個突出部、與以水平方向貫通外壁部之一部分的注入口。
外壁部自本體部之端部垂直被突出，係具備各成形有樹脂成形體之第一外側面、第二外側面、第三外側面及第四外側面之第一外壁部、第二外壁部、第三外壁部及第四外壁部。換言之，外壁部係使樹脂成形體之外框成形的部分，形成平面長方形。外壁部之形狀，視企求的樹脂成形體之形狀而定予以適當形成。
突出部係於轉送模製時，與導線架220接觸的部分，藉由在該接觸部分中沒有流入熱硬化性樹脂286下，可形成一部分導線架220自樹脂成形體287露出的露出部分。突出部係自本體部之下方突出，於包圍外壁下予以形成。突出部係平坦地形成與導線架220接觸的部分。為在樹脂成形體287上面之面積上有效地形成凹部時，以一方向且等間隔地形成突出部，於各突出部、自其一方向之90°方向且等間隔地形成突出部較佳。
注入口係為注入熱硬化性樹脂286者，在外壁部之約中央下端、貫通水平方向予以形成。注入口係具有半圓形之截面，自注入口之入口部朝出口部分的寬度變得狹窄來形成。
另外，圖中沒有特別標示，惟在上模具241之上部形成有貫通本體部之針插入孔。針插入孔係自上模具241使樹脂成形體287脫模時，為插入針用的孔。
下模具242係具有所定厚度之板材，形成平坦的表面。下模具242係藉由與上模具241接觸，成形空間部者。
其次，說明有關各製造步驟。
(1.藉由模具241、242挾住導束220)
導線架220係於設置切口部220a後，進行金屬電鍍處理。
首先，使設置有缺口部220a之導束220以上模具241與下模具242挾住。藉由以上模具241與下模具242挾住，於模具240內設置空間。
此時，在形成有凹部283之位置的切口部220a，在以上模具241所具有的突出部與下模具242挾住下予以配置。藉此可抑制切口部220a之導線架220產生發黏的情形，可減低溢料產生情形。
(2.樹脂成形體287之形成)
其次，在以上模具241與下模具242挾住的模具內，轉送模製熱硬化性樹脂286，在導線架220中形成樹脂成形體287。
在模具240內所設置的空間中，自注入口注入熱硬化性樹脂286，施加所定的溫度與壓力，進行轉送模製。為以上模具241與下模具242挾住切口部220a附近的導線架220時，使熱硬化性樹脂286進行傳送．模塑時，導線架220不會產生發黏情形，可抑制凹部283之底面281中產生溢料。
在針插入部插入針，使樹脂成形體287自上模具241取出。以對模具240施予所定溫度，進行假硬化處理，然 後，自模具240取出，施加較假硬化處理時更高的溫度，進行本硬化較佳。
(3.發光元件210之實裝)
其次，在樹脂成形體287上所形成的凹部283之底面281的導線架220上承載發光元件210，藉由線圈230、與導線架220電氣連接。承載發光元件210之步驟，係除可使樹脂成形體287自模具240取出後予以承載外，亦可在使樹脂成形體287切斷且予以個片化的封裝體280上承載發光元件210。而且，亦可在沒有使用線圈下，使發光元件面朝向下方予以實裝。使發光元件210實裝於導線架220後，使含有螢光物質290之封止構件270填充於凹部283內，予以硬化。
(4.切斷樹脂成形體287與導束220的步驟)
其次，沿著切口部220a切斷樹脂成形體287與導束220。
形成有數個凹部283之樹脂成形體287，係使鄰接的凹部283間之側壁在約中央部分被分離下，朝長度方向及寬度方向切斷。切斷方法係使用切粒機135自樹脂成形體287側進行切粒處理。藉此使切斷面與樹脂成形體287與導線架220為約同一面，導線架220自樹脂成形體287露出。藉由設置該切口部220a，可使被切斷的導線架220變少，且可抑制導線架220與樹脂成形體287之剝離情形。 而且，由於不僅在導線架220之上面、及切口部220a之側面亦與樹脂成形體287密接，故可提高導線架220與樹脂成形體287之密接強度。
於下述中，以實施例及比較例具體地說明本發明，惟本發明不受下述實施例所限制。
〔實施例〕
下述例中所使用的原料如下述所示。
(A-1)環氧樹脂
三嗪衍生物環氧樹脂；參(2,3-環氧基丙基)異氰酸酯(TEPIC-S：日產化學工業(股)製商品名、環氧當量100)
(A-2)酸酐
非碳-碳雙鍵酸酐；甲基六氫苯二甲酸酐(RIKACID MH：新日本理化(股)製商品名)
(B)內部脫模劑
(B-1)甘油單硬脂酸酯(H-100；RIKEN VITAMIN Co.製商品名)
(B-2)單山萮酸丙二醇酯(PB-100；RIKEN VITAMIN Co.製商品名)
(B-3)硬脂酸硬脂酯(SL-900A；RIKEN VITAMIN Co.製商品名)
(B-4)聚乙烯蠟(PE-190；CLARIANT JAPAN CO.製商品名)
(B-5)氧化聚乙烯蠟(H-22；CLARIANT JAPAN CO.製商品名)
(B-6)酸蠟；硬脂酸(和光純藥工業(股)製商品名)
(C)反射構件
(C-1)二氧化鈦；金紅石型(CR-95：石原產業(股)製商品名)
(C-2)二氧化鈦；金紅石型(R-45M：堺化學工業(股)製商品名)
(C-3)二氧化鈦：金紅石型(R-820：石原產業(股)製商品名)
(D)無機填充劑；破碎熔融二氧化矽((股)龍森製商品名)
(E)硬化觸媒
(E-1)磷系硬化觸媒；溴化四級鏻鹽(U-CAT5003；SAN-APRO Limited製商品名)
(E-2)胺系硬化觸媒；特殊胺(U-CAT18X：SAN-APRO Limited製商品名)
(E-3)磷系硬化觸媒；硼酸四級鏻鹽(PX-4PB：日本化學工業(股)製商品名)
(F)補強材料
(F-1)矽灰石(KGP-H65：KANSAI MATEC Co.製 商品名)
<表面實裝型發光裝置之製造方法>
本發明之發光裝置的製造方法，係如使用前述第3~7圖所說明者。
如表1所示，各內部脫模劑係測定下述之特性。結果如表1所示。
<<耐熱變黃性>>
在鋁鍋中各加入10g之各內部脫模劑，在180℃下放置24小時，比較變黃性。
[實施例1~3、比較例1~6]
由表1所示之結果可知，選擇耐熱變黃性良好的(B-1)~(B-3)。預先使環氧樹脂、酸酐、抗氧化劑藉由反應鍋、在100℃下進行熔融混練3小時，予以冷卻、硬化後(軟化點為60℃)，進行粉碎，以所定的組成比配合其他成分，以熱2條輥均勻地熔融混合，予以冷卻、粉碎， 製得表2所示之白色環氧樹脂組成物。
有關此等之組成物，測定下述各特性。結果如表2所示。
<<點燈試驗>>
觀察使實施例及比較例之發光裝置於長時間點燈的初期特性、出力安定性。點燈試驗係使試驗溫度、對發光裝置之投入電流在25℃時為500mA、在100℃時為350mA、在60℃、90%RH時為600mA，各以1000小時之條件進行。於1000小時點燈後，發光裝置之光出力係使用積分球予以測定。
<<螺旋流動值>>
使用以EMMI規格為基準之模具，以175℃、6.9N/mm2 、成形時間120秒之條件進行測定。
<<熔融黏度>>
使用高化式流動試驗機，在10kgf加壓下、使用直徑1mm之噴嘴，以溫度175℃進行黏度測定。
<<彎曲強度>>
使用以EMMI規格為基準之模具，以175℃、6.9N/mm2 、成形時間120秒之條件使硬化物成形，在室溫下進行測定。
<<連續成形性>>
於使在1架構內具有6凹模之100P-QFP(14mm×20mm×2.7mm)的封裝設計之模具固定的連續成形機中，使模具以蜜胺樹脂、脫模回復劑洗淨後，在180℃、60秒下連續成形時，藉由閘門、流道彎曲等之脫模不良、無填充產生之任一情形，比較直至連續成形終點之注入數。(以300注入次數為上限值)。
<<光反射率>>
以175℃、6.9N/mm2 、成形時間180秒之條件，使直徑50mm×厚度3mm之圓盤(硬化物)成形，於成形後，在180℃下保管24小時後，進行UV照射24小時後(365nm波峰波長之高壓水銀燈60mW/cm)、在波長450nm之光反射率使用SDG Co.製X-rite 8200進行測定。
<<耐回流性>>
以175℃、6.9N/mm2 、成形時間2分鐘之條件，使直徑50mm×厚度3mm之圓盤成形，且在300℃下放置1小時，比較外觀。
而且，測定實施例1與比較例4之鉛含量時，各為0ppm、25ppm。
[實施例4~6、比較例7~10]
預先使環氧樹脂、酸酐、抗氧化劑藉由反應鍋、在100℃下進行熔融混練3小時，予以冷卻、固化後(軟化點為60℃)，進行粉碎，以所定的組成比配合其他成分，以熱2條輥進行均勻地熔融混合，予以冷卻、粉碎，製得 表3所示之白色環氧樹脂組成物。
有關此等之組成物，測定下述之各特性。結果如表3所示。
<<螺旋流動值>>
使用以EMMI規格為基準之模具，以175℃、6.9N/mm2 、成形時間120秒之條件進行測定。
<<彎曲強度>>
使用以EMMI規格為基準之模具，以175℃、6.9N/mm2 、成形時間120秒之條件，使硬化物成形，在室溫及260℃下進行測定。
<<光反射率>>
以175℃、6.9N/mm2 、成形時間180秒之條件，使直徑50mm×厚度3mm之圓盤(硬化物)成形，於成形後，在180℃下保管24小時後，進行UV照射24小時後(365nm波峰波長之高壓水銀燈60mW/cm)、在波長450nm之光反射率使用SDG Co.製X-rite 8200進行測定。
<<有無孔隙>>
以175℃、6.9N/mm2 、成形時間180秒之條件，使28mm×28mm×1.4mm之QFP封裝予以12成形，使所得的成形物以軟X光觀察內部孔隙。觀察有500μm以上之孔 隙時判斷為有，沒有時判斷為無。
<<點燈試驗>>
觀察使前述實施例1~6及比較例1~6之發光裝置1長時間點燈的初期特性、出力安定性。點燈試驗係對發光裝置之投入電流在25℃時為500mA、在100℃時為350mA、在60℃、90%RH時為600mA，各以1000小時之條件進行。於1000小時點燈後，發光裝置之光出力使用積分球予以測定。
<<發光裝置生產性>>
前述實施例1~6及比較例1~6之連續成形shot數以下述基準評估。
○(優良)：100 shot以上
△(良好)：25 shot以上、未達100 shot
×(不可)：0 shot以上、未達25 shot
結果如表4所示。
實施例1相對比較例1而言，在100℃、350mA之1,000小時點燈後之光出力的降低情形小。而且，實施例1在60℃、90%RH下600mA之1,000小時點燈後的光出力幾乎完全沒有降低的情形，惟比較例1中光出力有降低情形。
實施例2~6各相對比較例2~6而言，各條件之光出力小。
此外，實施例中連續生產性良好，惟比較例中連續生產性惡化。
1‧‧‧半導體元件
2‧‧‧導線架
3‧‧‧接合線
4‧‧‧半導體元件
5‧‧‧導線架
6‧‧‧接合線
7‧‧‧透明封止樹脂
8‧‧‧熱硬化性環氧樹脂組成物之硬化物
100，200‧‧‧發光裝置
110，210‧‧‧發光元件
111‧‧‧第1電極
112‧‧‧第2電極
120，220‧‧‧導線架
120a，220a‧‧‧切口部
121‧‧‧第1導線電極
121a‧‧‧第1內部導線部
121b‧‧‧第1外部導線部
122‧‧‧第2導線電極
122a‧‧‧第2內部導線部
122b‧‧‧第2外部導線部
125，225‧‧‧導線
130，230‧‧‧線
140，240‧‧‧模具
141，241‧‧‧上模具
142，242‧‧‧下模具
143‧‧‧內部空隙
144‧‧‧凸部
151，152‧‧‧Ag膜
160‧‧‧共晶膜
170，270‧‧‧封止構件
180，280‧‧‧封裝體
181，281‧‧‧底面
182，282‧‧‧側面
183，283‧‧‧凹部
185，285‧‧‧樹脂部
186，286‧‧‧熱硬化性樹脂
187，287‧‧‧樹脂成形體
190，290‧‧‧螢光物質
〔第1圖〕係使用本發明之熱硬化性樹脂組成物的光耦合器之例。
〔第2圖〕係表示第1表面實裝型發光裝置例的截面圖。
〔第3圖〕係於製造同第1表面實裝型發光裝置的方法時，使導線電極配置於上下模具內的狀態之截面圖。
〔第4圖〕於相同方法中，使導線電極挾於上下模具內之狀態的截面圖。
〔第5圖〕於相同方法中，在上模具之空隙中轉送模製熱硬化性樹脂的狀態之截面圖。
〔第6圖〕於相同方法中，實裝發光元件之狀態的截面圖。
〔第7圖〕於相同方法中，封閉發光元件的狀態之截面圖。
〔第8圖〕係表示第2表面實裝型發光裝置例的斜視圖。
〔第9圖〕係同裝置之截面圖。
〔第10圖〕係同裝置所使用的導線架之平面圖。
〔第11圖〕係說明同表面實裝型發光裝置之製造方法，(A)係於上下模具內配置導束的狀態之截面圖，(B)係以上下模具內夾住導線架之狀態的截面圖，(C)係轉送模製的狀態之截面圖，(D)係實裝發光裝置、予以封閉後，切斷樹脂成形體與導線架的狀態之截面圖。
〔第12圖〕係樹脂成形體之平面圖。
1‧‧‧半導體元件
2‧‧‧導束
3‧‧‧連結線圈
4‧‧‧半導體元件
5‧‧‧導束
6‧‧‧連結線圈
7‧‧‧透明封止樹脂
8‧‧‧熱硬化性環氧樹脂組成物之硬化物

Claims (9)

  1. 一種熱硬化性環氧樹脂組成物，其係以(A)三嗪衍生物環氧樹脂與酸酐以環氧基當量/酸酐基當量為0.6~2.0之比例進行反應所得的反應物、(B)內部脫模劑、(C)反射構件、(D)無機填充劑、(E)硬化觸媒為必須成分之環氧樹脂組成物，其特徵為(B)成分之內部脫模劑係併用以下述一般式(1)所示之羧酸酯與以下述一般式(2)所示之化合物者，其中(B)成分之式(1)的羧酸酯與式(2)之化合物的合計添加量為組成物全體之0.2~5.0質量%，式(1)之羧酸酯與式(2)之化合物的質量比為1：5~10：1，【化1】R11 -COO-R12 (1)(式中，R11 與R12 係以Cn H2n+1 所示之相同或不相同的烷基；n係1~30之數) (式中，R1 、R2 、R3 係H、-OH、-OR、-OCOCa Hb 中任何一個，至少一個含有-OCOCa Hb ；R係Cn H2n+1 之烷基(n 係1~30之整數)；a係10~30之整數；b係17~61之整數)。
  2. 一種熱硬化性環氧樹脂組成物，其係以(A)三嗪衍生物環氧樹脂與酸酐以環氧基當量/酸酐基當量為0.6~2.0之比例進行反應所得的反應物、(F)補強材料、(B)內部脫模劑、(C)反射構件、(D)無機填充劑、(E)硬化觸媒為必須成分之熱硬化性環氧樹脂組成物，其特徵為(F)成分為以化學式CaSiO3 所示之三斜晶系矽酸鹽礦物。
  3. 如申請專利範圍第2項之熱硬化性環氧樹脂組成物，其中(F)成分之補強材料的添加量，相對於組成物全體而言為1~80質量%。
  4. 如申請專利範圍第2項之熱硬化性環氧樹脂組成物，其中前述(B)成分之內部脫模劑係含有熔點為50~70℃之甘油單硬脂酸酯者，相對於組成物全體而言含有0.2~5.0質量%。
  5. 如申請專利範圍第1項之熱硬化性環氧樹脂組成物，其中前述(C)成分之反射構件為二氧化鈦，實施有以無機物或有機物之表面處理者，且(C)成分中所含的鉛之含量為10ppm以下，相對組成物全體而言含有2~80質量%之(C)成分，且前述(E)成分之硬化觸媒為三級 胺之辛酸鹽，相對於組成物全體而言含有0.05~5質量%之(E)成分。
  6. 如申請專利範圍第1項之熱硬化性環氧樹脂組成物，其中(A)成分之三嗪衍生物環氧樹脂為1,3,5-三嗪核衍生物環氧樹脂。
  7. 如申請專利範圍第6項之熱硬化性環氧樹脂組成物，其中前述(A)成分之反應物，係含有以下述一般式(3)所示之化合物者， (式中，R4 係表示酸酐殘基；m係0~200之數)。
  8. 如申請專利範圍第1項之熱硬化性環氧樹脂組成物，其係半導體元件盒形成用。
  9. 一種半導體裝置，其特徵為以申請專利範圍第1項之熱硬化性環氧樹脂組成物的硬化物封閉半導體元件。
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