CN102931329B - 发光二极管封装结构 - Google Patents
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Abstract
一种发光二极管封装结构，包括若干电极、一发光二极管芯片和一封装层。相邻两个电极之间相互间隔形成一间隙。所述发光二极管芯片与所述电极电性连接，该封装层包覆所述发光二极管芯片于其内部。每一电极于靠近对应间隙处形成为斜面，每一斜面从对应电极靠近所述封装层处的一端向下并向该间隙内倾斜延伸，使得照射于所述斜面上的光线经斜面反射后向所述封装层方向出射。
Description
技术领域
本发明涉及半导体结构，尤其涉及一种发光二极管封装结构。
背景技术
目前发光二极管(Light Emitting Diode, LED)封装结构通常包括若干电极，相邻两电极之间间隔一定的距离，形成间隙并且相互绝缘。然而，这种发光二极管封装结构中，由于该间隙的存在，使得发光二极管发出的光线中一部分通过该间隙射向该发光二极管封装结构的背面，不能全部正向射出，从而造成发光二极管封装结构出光效率的下降，影响该发光二极管封装结构的出光性能。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种具有更高出光效率的发光二极管封装结构。
一种发光二极管封装结构，包括若干电极、一发光二极管芯片和一封装层。相邻两个电极之间相互间隔形成一间隙。所述发光二极管芯片与所述电极电性连接，该封装层包覆所述发光二极管芯片于其内部。每一电极于靠近对应间隙处形成为斜面，每一斜面从对应电极靠近所述封装层处的一端向下并向该间隙内倾斜延伸，使得照射于所述斜面上的光线经斜面反射后向所述封装层方向出射。
上述发光二极管封装结构，其相邻电极之间形成靠近间隙的斜面，从而当发光二极管芯片发出的部分光线通过相邻电极之间的间隙向发光二极管封装结构的背面射出时，该部分光线可大部分被斜面阻挡并反射后向发光二极管封装结构的正面正向射出，从而能够减少光线在间隙处的损失，增加正向出光，从而提升发光二极管封装结构的出光效率，改善发光二极管封装结构的出光性能。
附图说明
图1是本发明第一实施方式提供的一种发光二极管封装结构示意图。
图2是本发明第二实施方式提供的一种发光二极管封装结构示意图。
主要元件符号说明
| 发光二极管封装结构 | 10，20 |
| 电极 | 11，21 |
| 上表面 | 111，211 |
| 下表面 | 112，212 |
| 斜面 | 113，213 |
| 发光二极管芯片 | 12 |
| 金属导线 | 121 |
| 反射杯 | 13 |
| 绝缘层 | 14 |
| 封装层 | 15 |
| 间隙 | 16，26 |
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参阅图1，本发明的一实施方式提供一种发光二极管封装结构10，其包括电极11、发光二极管芯片12、反射杯13、绝缘层14和封装层15。
电极11至少为两个，相邻两电极11之间相互间隔而形成一间隙16，且所述电极11之间相互电性绝缘。每一电极11分别呈平板状，包括上表面111、与上表面111相对的且相互平行的下表面112及连接于上表面111和下表面112相对两端之间的斜面113。所述斜面113位于靠近相邻两电极11之间的间隙16处。本实施例中，该斜面113为平面，呈倒八字形分布于所述间隙16的两侧，每一斜面113从对应电极11的上表面111靠近所述间隙16的一端向下并向该间隙16内倾斜延伸以对应连接下表面112靠近所述间隙16的一端，使得该间隙16的宽度顺沿斜面113的延伸方向从电极的上表面111向下表面112逐渐减小。所述斜面113的形成能够沿远离发光二极管芯片12出光的方向逐渐减小所述间隙16的宽度，使得照射于所述斜面113上的光线经两斜面113反射后向所述封装层15方向出射，从而减少光线通过该间隙16向下射出而造成光线损失，增加正向出光。所述电极11所用的材料为导电性能较好且反射性能较好的金属材料，如金、银、铜、铂、铝、镍、锡或镁中的一种或几种的合金。
发光二极管芯片12贴设于所述电极11上。所述发光二极管芯片12通过金属导线121与所述电极11电性连接。可以理解的，该发光二极管芯片12也可以采用覆晶的方式固定于电极11上并与所述电极11电连接。
反射杯13环绕所述发光二极管芯片12，并设于所述电极11上表面111的外围部分，用于反射所述发光二极管芯片12所发出的光线。所述反射杯13可采用PPA等材料制成。
绝缘层14设置于所述两电极11之间，在两电极11之间形成阻挡，避免两电极11之间电连接。可以理解的，也可以不设置所述绝缘层14，由封装层15填充所述间隙16。
封装层15填充于所述反射杯13内，覆盖所述发光二极管芯片12和金属导线121于该反射杯13内部。所述封装层15的材质可以为硅胶(silicone)、环氧树脂(epoxy resin)或二者的组合物。所述封装层15内还可以包含荧光转换材料，该荧光转换材料可以为石榴石基荧光粉、硅酸盐基荧光粉、原硅酸盐基荧光粉、硫化物基荧光粉、硫代镓酸盐基荧光粉和氮化物基荧光粉。
请参阅图2，为本发明第二实施方式提供的一种发光二极管封装结构20，其与本发明第一实施方式提供的发光二极管封装结构10的主要区别在于电极21和靠近间隙26处的斜面213的形状不同。每一电极21包括一平面状的下表面212及与该下表面212相对的向上凸起的一弧形的上表面211，该电极21的上表面211与下表面212之间的距离从电极21的中央向周缘部分逐渐减小，即该电极21的厚度从电极21的中央向周缘部分逐渐减小。两斜面213为所述上表面211靠近位于该相邻两电极21之间的间隙26处的部分，所述相邻电极21的弧形的上表面211沿电极21的厚度方向逐渐靠拢延伸，从而能够沿远离发光二极管芯片12的出光方向逐渐减小所述间隙26的宽度，以减少光线通过该间隙26向下射出而造成损失，增加正向出光。
本发明实施方式提供的发光二极管封装结构10和20，其相邻电极11之间形成靠近间隙16的倾斜的平面，相邻电极21之间形成靠近间隙26的倾斜的弧面，从而当发光二极管芯片12发出的部分光线通过相邻电极11和21之间的间隙16和26向发光二极管封装结构10和20的背面射出时，该部分光线可大部分被倾斜的平面或者倾斜的弧面阻挡并反射后向发光二极管封装结构10和20的正面正向射出，从而能够减少光线在间隙16和26处的损失，增加正向出光，从而提升发光二极管封装结构10和20的出光效率，改善发光二极管封装结构10和20的出光性能。
可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (8)
1.一种发光二极管封装结构，包括若干电极、一发光二极管芯片和一封装层，相邻两个电极之间相互间隔形成一间隙，所述发光二极管芯片与所述电极电性连接，该封装层包覆所述发光二极管芯片于其内部，其特征在于，每一电极包括一上表面及与上表面相对的一下表面,每一电极于靠近对应间隙处形成为斜面，每一斜面为一平面，从对应电极靠近所述封装层处的上表面向远离封装层的下表面延伸，该间隙的宽度顺沿斜面的延伸方向从电极的上表面向下表面逐渐减小,使得照射于所述斜面上的光线经斜面反射后向所述封装层方向出射。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述斜面为弧面。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于：每一电极包括一平面状的下表面及与该下表面相对的一弧形的上表面，该斜面为所述电极的上表面靠近间隙的部分。
4.如权利要求1至3任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述发光二极管封装结构还包括反射杯，该反射杯环绕所述发光二极管芯片设于所述电极上。
5.如权利要求1至3任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于：还包括一绝缘层，该绝缘层设置于相邻电极之间的间隙内，在电极之间形成阻挡，避免电极之间电连接。
6.如权利要求1至3任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述电极所用的材料为金、银、铜、铂、铝、镍、锡或镁中的一种或几种的合金。
7.如权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述反射杯采用PPA制成。
8.如权利要求1至3任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述封装层内还包含荧光转换材料，该荧光转换材料为石榴石基荧光粉、硅酸盐基荧光粉、原硅酸盐基荧光粉、硫化物基荧光粉、硫代镓酸盐基荧光粉或氮化物基荧光粉。
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