JPH10158477A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents

半導体封止用エポキシ樹脂組成物

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JPH10158477A
JPH10158477A JP31785896A JP31785896A JPH10158477A JP H10158477 A JPH10158477 A JP H10158477A JP 31785896 A JP31785896 A JP 31785896A JP 31785896 A JP31785896 A JP 31785896A JP H10158477 A JPH10158477 A JP H10158477A
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JP
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epoxy resin
component
semiconductor
resin composition
alkyl group
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JP31785896A
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Minoru Nakao
稔 中尾
Masahiro Hata
昌宏 畑
Hideaki Taki
秀彰 多喜
Hirobumi Ono
博文 大野
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Nitto Denko Corp
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Nitto Denko Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体パッケージ成形の際に優れた離型性を備
えるとともに、パッケージ内部の密着性にも優れ、かつ
連続成形時において金型汚染の生じない良好な成形性を
備えた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。 【解決手段】エポキシ樹脂〔(A)成分〕およびフェノ
ール樹脂〔(B)成分〕とともに、下記の(C)成分を
含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
(C)下記の(c1)成分および(c2)成分を主成分
とする離型剤。(c1)下記の一般式(1)で表される
化合物。 【化1】R1 −COO−R2 …(1) [上記式(1)において、R1 は炭素数10〜50のア
ルキル基であり、R2 は炭素数10〜50のアルキル基
である。しかも、R1 の炭素数(α)とR2 の炭素数
(β)の和〔(α)+(β)〕が、40<(α)+
(β)<70を満たす。] (c2)下記の一般式(2)で表される化合物。 【化2】C6 4 (COOR3 2 …(2) 〔上記式(2)において、R3 は炭素数30〜70のア
ルキル基である。〕

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、パッケージ成形時
の離型性と、半導体パッケージ内における密着性に優
れ、かつ連続成形時において金型汚染の生じない、優れ
た成形性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】トランジスター、IC、LSI等の半導
体素子は、外部環境からの保護および半導体素子のハン
ドリングを簡易にするという観点より、従来から、プラ
スチックパッケージ等によって封止され半導体装置化さ
れている。この種のパッケージの代表例としては、デュ
アルインラインパッケージ(DIP)があげられる。こ
のDIPはピン挿入型と呼ばれるものであり、実装基板
に対してピンを挿入することにより半導体装置を取り付
けるようになっている。
【0003】最近は、LSI素子の高集積化と高速化が
進んでおり、パッケージ内部の半導体素子の大形化が進
んでいる。このような半導体素子を連続的に樹脂封止す
る方法として、エポキシ樹脂を主成分とした半導体封止
用エポキシ樹脂組成物を用いて、トランスファーモール
ド装置により成形することが広く用いられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記半導体
パッケージの成形において、金型からのパッケージの離
型性と、パッケージ内における接着性とは常に相反する
課題であった。近年、パッケージ内のダイパッドおよび
半導体素子の大形化により、成形後のパッケージ内で生
じる剥離現象が重要視されてきており、かつ、量産性を
高めるために、連続成形性の良好なことが要望されてい
る。特に、近年のパッケージの半田実装時のクラック発
生防止を目的として、パッケージ内の剥離発生防止が重
要な課題となっている。しかしながら、パッケージ内の
剥離発生を防止する一方で、パッケージの離型性の向上
をも望まれているのが実状であり、先に述べたように、
成形時のパッケージの離型性と、パッケージ内部の密着
性の双方を同時に満足させることは困難であった。
【0005】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、半導体パッケージ成形の際に優れた離型性を備
えるとともに、パッケージ内部の密着性にも優れ、かつ
連続成形時において金型汚染の生じない良好な成形性を
備えた半導体封止用エポキシ樹脂組成物の提供をその目
的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、下記
の(A)〜(C)成分を含有するという構成をとる。 (A)エポキシ樹脂。 (B)フェノール樹脂。 (C)下記の(c1)成分および(c2)成分を主成分
とする離型剤。
【0007】(c1)下記の一般式(1)で表される化
合物。
【化3】R1 −COO−R2 …(1) [上記式(1)において、R1 は炭素数10〜50のア
ルキル基であり、R2 は炭素数10〜50のアルキル基
である。しかも、R1 の炭素数(α)とR2 の炭素数
(β)の和〔(α)+(β)〕が、40<(α)+
(β)<70を満たす。]
【0008】(c2)下記の一般式(2)で表される化
合物。
【化4】C6 4 (COOR3 2 …(2) 〔上記式(2)において、R3 は炭素数30〜70のア
ルキル基である。〕
【0009】パッケージの連続成形時における金型汚
染、金型からの離型性、および、パッケージ内部の密着
性は、封止用のエポキシ樹脂組成物に含有される離型剤
の種類等に大きく影響される。すなわち、離型剤の熱劣
化が激しいとき、金型への付着が発生し易く、連続成形
時の金型汚れの発生につながる。このようなことから、
離型剤として、それを含む樹脂の熱劣化が発生し難いよ
うな構造を有することが望ましく、不飽和官能基等を持
たないことが望ましい。
【0010】また、金型内での離型性については、離型
剤の融点と樹脂組成物からの分離性に影響される。すな
わち、樹脂の離型性については、離型剤の融点が樹脂の
流動開始時の融点に近いことと、離型剤が適度に樹脂成
分から分離されて、金型と樹脂との間に広がることが望
ましい。
【0011】さらに、半導体パッケージを構成するフレ
ームおよび半導体素子への密着性は、離型剤とこれらの
濡れ性に影響される。すなわち、離型剤がフレームや素
子との良好な濡れ性を有しており、しかも熱による影響
が少ないことが望ましい。
【0012】そして、本発明者らは、封止材料として用
いる樹脂組成物に添加する離型剤について、上記の観点
より鋭意検討を重ね、種々の化合物について研究を行っ
た結果、前記特定の構造を有する2種類の化合物を併用
することにより、所期の目的が達成されることを見出し
本発明に到達した。
【0013】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態を説
明する。
【0014】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、エポキシ樹脂(A成分)と、フェノール樹脂(B成
分)と、2種類の異なる構造を有する化合物を主成分と
する特殊な離型剤(C成分)とを用いて得られるもので
あり、通常、粉末状あるいはこれを打錠したタブレット
状になっている。
【0015】上記エポキシ樹脂(A成分)は、特に限定
するものではなく通常用いられるエポキシ樹脂、例え
ば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹
脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂等各種のエポキシ樹
脂があげられる。上記エポキシ樹脂は、単独でもしくは
2種以上併せて用いることができる。そして、これらエ
ポキシ樹脂のなかでも、融点が室温を超えており、室温
下で固形状もしくは高粘度の液体状を呈するものを用い
ることが良好な結果をもたらす。具体的には、ビフェニ
ル型エポキシ樹脂を用いることが好ましく、これに他の
エポキシ樹脂を併用しても、もしくは反応させた樹脂を
用いてもよい。
【0016】上記A成分とともに用いられるフェノール
樹脂(B成分)は、硬化剤として作用するものであって
特に限定するものではなく、例えば、ノボラック系フェ
ノール樹脂、アラルキル系フェノール樹脂等が適宜に用
いられる。なかでも、低吸湿性という点からアラルキル
系フェノール樹脂を用いることが好ましい。
【0017】上記エポキシ樹脂(A成分)とフェノール
樹脂(B成分)との配合割合は、エポキシ樹脂中のエポ
キシ基1当量に対してフェノール樹脂中の水酸基が0.
8〜1.2当量となるように設定することが好ましい。
【0018】上記A成分およびB成分とともに用いられ
る特殊な離型剤(C成分)は、2種類の異なる構造を有
する化合物を主成分とするものである。上記2種類の異
なる構造を有する化合物は、下記の一般式(1)および
一般式(2)で表される化合物である。すなわち、離型
剤として、下記の一般式(1)および一般式(2)で表
される化合物を併用することにより、成形時の離型性と
半導体パッケージ内での密着性の双方を同時に満足する
ことができ、しかも金型汚染の生じない優れた成形性を
備えるようになるものであって、上記2種類の化合物そ
れぞれ単独の使用ではこのような効果の発現はみられな
い。なお、このC成分において、上記主成分とすると
は、基本的には、離型剤であるC成分が上記2種類の異
なる構造を有する化合物からなることを意味するが、場
合によっては上記2種類の異なる構造を有する化合物を
用いることにより得られる効果を阻害しない範囲内であ
れば離型剤作用を有する他の化合物を用いてもよいとい
う趣旨を含む。
【0019】
【化5】R1 −COO−R2 …(1) [上記式(1)において、R1 は炭素数10〜50のア
ルキル基であり、R2 は炭素数10〜50のアルキル基
である。しかも、R1 の炭素数(α)とR2 の炭素数
(β)の和〔(α)+(β)〕が、40<(α)+
(β)<70を満たす。]
【0020】
【化6】C6 4 (COOR3 2 …(2) 〔上記式(2)において、R3 は炭素数30〜70のア
ルキル基である。〕
【0021】上記一般式(1)において、より好ましく
はR1 は炭素数10〜20のアルキル基であり、R2
炭素数30〜50のアルキル基である。さらに、R1
炭素数(α)とRの炭素数(β)の和〔(α)+
(β)〕は、より好ましくは40<(α)+(β)<6
0の範囲である。すなわち、上記式(1)において、R
1 のアルキル基の炭素数、R2 のアルキル基の炭素数が
それぞれ上記炭素数未満では、離型剤が成形パッケージ
表面に滲みとして残り、かつ熱劣化をうけて金型汚れを
発生する。また、R1 のアルキル基の炭素数、R2 のア
ルキル基の炭素数がそれぞれ上記炭素数を超えると、離
型不足により連続成形が充分に行えなくなるからであ
る。さらに、R1 の炭素数(α)とR2 の炭素数(β)
の和〔(α)+(β)〕が上記範囲外では、例えば、合
計の炭素数が少な過ぎる場合、熱劣化をうけて金型汚れ
となる。また、合計の炭素数が多過ぎるときは、離型剤
が融解しないため成形時に金型表面に離型剤が滲出せず
離型不良となるからである。
【0022】また、上記一般式(2)において、より好
ましくはR3 は炭素数40〜60のアルキル基である。
すなわち、上記式(2)において、R3 でのアルキル基
の炭素数が30未満では、離型剤が成形パッケージ表面
に滲みとして残り、かつ熱劣化をうけて金型汚れを発生
する。また、R3 でのアルキル基の炭素数が70を超え
ると、離型不足により連続成形が充分に行えなくなるか
らである。
【0023】つぎに、上記一般式(1)で表される化合
物(c1)と、一般式(2)で表される化合物(c2)
との混合割合〔(c1)/(c2)〕は、重量比で、
(c1)/(c2)=0.2〜5の範囲に設定すること
が好ましく、より好ましくは(c1)/(c2)=0.
5〜3である。すなわち、両者の混合割合において、
(c1)/(c2)が5を超えると、成形金型の部分劣
化あるいは接着不良が発生し易く連続成形時に問題が生
じる恐れがある。また、(c1)/(c2)が0.2未
満では、成形時の離型不良となる傾向がみられるからで
ある。
【0024】そして、前記一般式(1)および一般式
(2)で表される化合物を主成分とする特殊な離型剤
(C成分)の配合量は、半導体封止用エポキシ樹脂組成
物全体の0.01〜2重量%の範囲に設定することが好
ましい。特に好ましくは0.1〜0.5重量%である。
すなわち、上記C成分の配合量が0.01重量%未満で
は、離型不良となる傾向がみられ、逆に2重量%を超え
ると、成形パッケージ内の接着不良や剥離が発生する傾
向がみられるからである。
【0025】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
には、上記A〜C成分とともに、通常、無機質充填剤が
配合される。上記無機質充填剤としては、結晶性シリカ
粉末および溶融性シリカ粉末があげられる。さらに、上
記シリカ粉末以外にアルミナ粉末、酸化ベリリウム粉末
等を使用することができる。これらは単独でもしくは2
種以上併せて用いられる。なかでも、溶融シリカ粉末を
用いることが好ましい。このような無機質充填剤の配合
量は、エポキシ樹脂組成物全体の60〜90重量%の範
囲に設定することが好適である。
【0026】さらに、本発明のエポキシ樹脂組成物に
は、上記A〜C成分および無機質充填剤以外に、必要に
応じて難燃剤、カップリング剤等を適宜に配合すること
ができる。
【0027】上記難燃剤としては、ノボラック型ブロム
化エポキシ樹脂、ブロム化ビスフェノールA型エポキシ
樹脂等が適宜に用いられる。さらに、難燃助剤として
は、三酸化アンチモンもしくは五酸化アンチモンを併せ
て用いることができる。
【0028】上記カップリング剤としては、グリシジル
エーテルタイプ、アミンタイプ、チオシアンタイプ等の
メトキシシランやエトキシシランが適宜単独でもしくは
2種以上併せて用いられる。そして、その使用方法とし
ては、上記無機質充填剤とドライブレンドしたり、もし
くは無機質充填剤と予備加熱反応させたりして用いる方
法、さらには有機成分原料に対して予備混合する方法等
適宜に選択される。
【0029】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、例えばつぎのようにして製造することができる。す
なわち、上記A〜C成分および無機質充填剤、さらに必
要に応じて上記他の添加剤を適宜配合し予備混合した
後、ミキシングロール機等の混練機にかけ加熱状態で溶
融混練しこれを室温に冷却した後、公知の手段により粉
砕し必要に応じて打錠するという一連の工程を経由する
ことにより製造することができる。
【0030】このような半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を用いての半導体素子の封止は、特に限定されるもの
ではなく、通常のトランスファーモールド等の公知のモ
ールド方法により行うことができる。
【0031】このようにして得られる半導体装置は、そ
の封止樹脂層の形成材料である半導体封止用エポキシ樹
脂組成物中に含まれる、前記一般式(1)および(2)
で表される各化合物を主成分とする特殊な離型剤(C成
分)の作用により、連続成形時の金型汚れが発生し難
く、かつ、安定した離型性とパッケージ内の密着性に優
れ、良好な量産性を有するものである。
【0032】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。
【0033】まず、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の
作製に先立って、下記に示す化合物を準備した。
【0034】〔化合物a〕下記の式(a)で表される化
合物である。
【化7】C1531−COO−C4081 …(a)
【0035】〔化合物b〕下記の式(b)で表される化
合物である。
【化8】C6 4 (COOC50101 2 …(b)
【0036】〔化合物c〕下記の式(c)で表される化
合物である。
【化9】C4081−COO−C2041 …(c)
【0037】〔化合物d〕下記の式(d)で表される化
合物である。
【化10】 C6 4 (COOC40812 …(d)
【0038】
【実施例1〜8、比較例1〜6】下記の表1〜表2に示
す各成分を用いて同表に示す割合で配合し、90〜11
0℃に加熱したロール混練機にかけて3分間溶融混練し
た。つぎに、この溶融物を冷却した後、粉砕し、さらに
打錠することによりタブレット化して半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物を得た。
【0039】
【表1】
【0040】
【表2】
【0041】つぎに、上記各実施例および比較例で得ら
れたタブレット状のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導
体パッケージ自動成形機(TOWA社製、マルチプラン
ジャーモールドUPS−40L)を用いて、28ピンス
モールアウトラインパッケージ(SOP−28)成形金
型にて、1000ショットの連続成形を試みた。この連
続成形において、パッケージの離型性を評価し、離型性
に問題が発生しはじめた成形ショット数を確認した。さ
らに、連続成形が終了した金型を目視により観察して金
型表面の汚れ具合を評価した。このときの金型表面の汚
れ具合において、初期の金型表面と比べて樹脂の付着、
汚れ、変色がみられないものを○、初期の金型表面と比
べて樹脂の付着、汚れ、変色が確認されたものを×とし
て表示した。
【0042】また、連続成形にて成形した半導体パッケ
ージを、超音波探傷装置(日立建機社製、AT−500
0)にて解析し、パッケージ内の剥離の有無を確認し
た。その結果、パッケージ内に全く剥離が生じなかった
ものを○、剥離が確認されたものを×として表示した。
【0043】つぎに、各エポキシ樹脂組成物とリードフ
レームおよび半導体素子との接着力をつぎのような方法
により測定した。すなわち、図1に示すように、各エポ
キシ樹脂組成物からなる円錐台状のタブレット(上面径
9mm×下面径11mm×高さ10mm)12を作製
し、これをリードフレーム材料と同じ材質(42アロ
イ、銅の2種類)の金属板13上に接着搭載した。つい
で、図2に示すように、上記金属板13上のタブレット
12に矢印F方向から力を加え、そのときの剪断力を測
定し接着力とした。これらの結果を下記の表3〜表6に
併せて示す。
【0044】
【表3】
【0045】
【表4】
【0046】
【表5】
【0047】
【表6】
【0048】上記表3〜表6の結果から、全ての実施例
品では、連続成形時の離型性が良好であり、しかも成形
後の金型の汚れも非常に少ないことがわかる。しかも、
実施例品の樹脂組成物の接着性は良好であり、成形パッ
ケージ内の剥離の発生もみられなかったことから、パッ
ケージ内の密着性にも優れていることがわかる。これに
対して、比較例1〜4、6〜7品では金型汚れが発生
し、かつ、パッケージ内部の剥離も確認され、比較例5
品では、パッケージ内の剥離の発生はみられなかった
が、金型汚れが発生した。また、全比較例品では連続成
形での不良発生ショット数も小さく300〜600ショ
ット程度で不良が発生した。
【0049】
【発明の効果】以上のように、本発明は、エポキシ樹脂
(A成分)およびフェノール樹脂(B成分)とともに、
前記一般式(1)および(2)で表される各化合物を主
成分とする特殊な離型剤(C成分)を配合した半導体封
止用エポキシ樹脂組成物である。このため、半導体パッ
ケージ成形における連続成形時の離型性に優れ、かつ熱
劣化による金型汚れの発生も少なく、パッケージ内部の
フレームおよび半導体素子との密着性にも優れている。
したがって、半導体パッケージの量産性という点に関し
て著しい改善が図られ、結果、信頼性の高い半導体パッ
ケージの量産が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】リードフレーム材料と各エポキシ樹脂組成物と
の接着力の測定方法を示す斜視図である。
【図2】リードフレーム材料と各エポキシ樹脂組成物と
の接着力の測定方法を示す斜視図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31 (72)発明者 大野 博文 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号 日東 電工株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記の(A)〜(C)成分を含有するこ
    とを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 (A)エポキシ樹脂。 (B)フェノール樹脂。 (C)下記の(c1)成分および(c2)成分を主成分
    とする離型剤。 (c1)下記の一般式(1)で表される化合物。 【化1】R1 −COO−R2 …(1) [上記式(1)において、R1 は炭素数10〜50のア
    ルキル基であり、R2 は炭素数10〜50のアルキル基
    である。しかも、R1 の炭素数(α)とR2 の炭素数
    (β)の和〔(α)+(β)〕が、40<(α)+
    (β)<70を満たす。] (c2)下記の一般式(2)で表される化合物。 【化2】C6 4 (COOR3 2 …(2) 〔上記式(2)において、R3 は炭素数30〜70のア
    ルキル基である。〕
  2. 【請求項2】 上記(c1)成分と(c2)成分との混
    合割合〔(c1)/(c2)〕が、重量比で、(c1)
    /(c2)=0.2〜5の範囲に設定されている請求項
    1記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
JP31785896A 1996-11-28 1996-11-28 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 Pending JPH10158477A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008007561A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Nitto Denko Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られた半導体装置
JP2010138347A (ja) * 2008-12-15 2010-06-24 Nichia Corp 熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
US7989648B1 (en) * 2010-09-16 2011-08-02 Surfatech Corporation Esters

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008007561A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Nitto Denko Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られた半導体装置
JP2010138347A (ja) * 2008-12-15 2010-06-24 Nichia Corp 熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
US7989648B1 (en) * 2010-09-16 2011-08-02 Surfatech Corporation Esters

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