KR19990001510A - 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 - Google Patents

반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR19990001510A
KR19990001510A KR1019970024870A KR19970024870A KR19990001510A KR 19990001510 A KR19990001510 A KR 19990001510A KR 1019970024870 A KR1019970024870 A KR 1019970024870A KR 19970024870 A KR19970024870 A KR 19970024870A KR 19990001510 A KR19990001510 A KR 19990001510A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
epoxy resin
parts
weight
resin composition
present
Prior art date
Application number
KR1019970024870A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100201708B1 (ko
Inventor
윤호규
유제홍
김진모
김조균
Original Assignee
박홍기
제일모직 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 박홍기, 제일모직 주식회사 filed Critical 박홍기
Priority to KR1019970024870A priority Critical patent/KR100201708B1/ko
Publication of KR19990001510A publication Critical patent/KR19990001510A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100201708B1 publication Critical patent/KR100201708B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C08G59/621—Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/34—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring
    • C08K5/3442—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring having two nitrogen atoms in the ring
    • C08K5/3445—Five-membered rings
    • C08K5/3447—Five-membered rings condensed with carbocyclic rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체용 리드프레임, 특히 구리 리드프레임과의 접착강도가 우수하고 수분 흡습률이 낮아 반도체 패케이지의 크랙 발생을 억제할 수 있는 우수한 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로써, 에폭시 수지, 경화제, 경화 촉진제, 무기 충전제 및 2-멜캅토벤지미다졸(2-mercaptobenzimidazole:MBI)을 필수 성분으로 하며, MBI의 함량이 에폭시 100 중량부에 대해 0.5~3.0 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다. 본 발명을 이용하여 48 리드의 QFP 반도체 패케이지를 성형한 후 접착강도, 흡습률 및 크랙 발생률을 측정한 결과, MBI를 적용하게 되면 크랙 발생률이 감소하였으며, 구리 리드프레임의 경우에 그 효과가 더욱 크다는 것도 밝힐 수 있었다.

Description

[발명의 명칭]
반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
[발명의 상세한 설명]
[발명의 분야]
본 발명은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.
보다 구체적으로 본 발명은 실리콘 웨이퍼 및 리드프레임과의 접착강도가 뛰어나고, 내습특성이 향상된 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다. 보다 더 구체적으로 에폭시 수지, 경화제, 경화촉진제, 무기충전제 및 첨가제로써 2-멜캅토벤지미다졸(2-mercaptobenzimidazole)(이하 MBI이라 함)을 필수성분으로 하며, MBI가 에폭시 수지 100 중량부에 대해 0.5~3.0 중량부 함유된 것을 특징으로 하는 내크랙성, 접착강도 및 수분 흡습률이 뛰어난 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.
[발명의 배경]
최근 반도체 소자의 집적도는 나날이 향상되고 있으며 이에 따른 배선의 미세화, 소자크기의 대형화 및 다층배선화가 급속히 진전되고 있다. 한편 반도체 소자를 외부환경으로부터 보호하는 패케이지(package)는 프린트 기판으로의 고밀도 실장, 즉 표면 실장이라는 관점으로부터 소형, 박형화가 가속화 되고 있다.
대형 반도체 소자를 소형, 박형 패케이지에 밀봉한 수지 밀봉용 반도체 장치에서는 외부환경의 온도 및 습도변화에 따른 열응력에 기인하여 패케이지 크랙 발생에 따른 고장 발생의 빈도가 매우 높아지게 된다. 따라서 현재 해결책으로써는 밀봉용 에폭시 수지 성형재료의 고신뢰성화가 강하게 대두되고 있으며, 세부 방법으로 저응력화를 위한 탄성률을 낮추는 방법, 열팽창 계수를 낮추는 방법 등이 소개되고 있고, 접착력을 향상시켜 리드프레임과 에폭시 수지 조성물과의 계면을 통한 수분 침투 및 열사이클에 따른 계면박리를 억제시키며, 또한 무기 충전제를 고충전하여 수분 흡습량을 저하시키는 방법이 있다.
탄성률을 낮추는 방법으로는, 일본특허 특개소 제63-1894호 및 특개평 제5-291436호에 개시된 각종 고무성분에 의한 개질이 검토되어 열적 안정성이 우수한 실리콘 중합체를 배합, 개질시킨 에폭시 수지 성형재료가 폭 넓게 채택되고 있다. 이 방법에서 실리콘 오일은 성형재료의 기저 수지인 에폭시 수지 및 경화제와 상용성이 없기 때문에 기저 수지 중에 미립자가 분산되므로 내열성을 유지한 채 저탄성률을 이룰 수 있다. 또한 저열팽창화에 대해서는 열팽창계수가 낮은 무기 충전제의 충전량을 늘리는 방법이 최선으로, 다만 무기 충전제의 충전량 증가에 따른 에폭시 수지 성형재료의 저유동성과 고탄성이 문제가 되나, 일본특허 특개소 제64-11355호에는 구형 충전제를 그 입도분포와 입자 크기의 조절을 통하여 다량의 충전제를 배합할 수 있는 기술이 개시되어 있다.
에폭시 수지 조성물과 리드프레임과의 접착강도를 강화시키는 방법으로 현재까지 제시된 것은 그리 많지 않으나, 고접착성의 에폭시 또는 경화제를 적용함으로써 접착성을 향상시키는 방법이 가장 널리 사용되고 있는 듯하며, 일본특허 특개소 제52-71543호에는 열경화성 수지 조성물에 벤조트리아졸 등의 안식산 유도체(benzoic acid derivatives)를 방청효과를 위한 첨가제로써 적용하여 금속과의 접착력을 향상시키는, 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물에서는 이와 같은 경우를 찾아볼 수 없다.
[발명의 목적]
본 발명의 목적은 솔더 내크랙성이 우수한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 리드 프레임과의 접착강도가 우수한 반도체 소자밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 내습특성이 우수한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다.
[발명의 요약]
본 발명의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 (1) 에폭시 수지 3.5~10.0 중량부; (2) 경화제 2.0~10 중량부; (3) 경화촉진제 0.10~0.35 중량부; (4) 무기 충전제 72~88 중량부; 및 (5) 에폭시 수지의 100 중량부에 대해 하기 구조식의 2-멜캅토벤지미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.5~3.0 중량부로 이루어진다.
본 발명에서 에폭시 수지는 고순도의 에폭시 수지로써 1분자 중 2개 이상의 에폭시기를 갖는 것으로 내열 크랙성 및 성형성의 관점에서 에폭시 당량이 180~220인 ortho-크레졸 노볼락형 에폭시 수지를 전체 에폭시 수지의 50 중량부 이상 사용하는 것이 바람직하며; 경화제는 2개 이상의 수산기를 갖고 수산기 당량이 100~200인 페놀 노블락형 수지를 경화제 전체의 50 중량부 이상 사용하는 것이 바람직하며; 경화촉진제는 에폭시 수지와 경화제 성분의 경화반응을 촉진하기 위한 필요한 성분으로, 아민류, 이미다졸류, 유기포스핀류, 테트라페닐보론염류 등을 사용하며; 무기 충전제는 용융실리카 또는 합성실리카를 사용하며; 2-멜캅토벤지미다졸(2-mercaptobenzimidazole)은 고순도의 것으로써, 분말상태 또는 용융 마스터 배치(melt master batch)로 적용하여야 한다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물을 이용하여 48 리드의 QFP 반도체 패케이지를 성형한 후 접착강도, 흡습률 및 크랙 발생률을 측정한 결과. MBI를 적용하게 되면 솔더 내크랙성과 리드 프레임, 특히 구리와의 접착강도 및 수분 흡습률이 우수하다.
이하 본 발명의 상세한 내용을 하기에 설명한다.
[발명의 구체예에 대한 상세한 설명]
본 발명에 따른 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 에폭시 수지, 경화제, 경화촉진제, 무기 충전제 및 2-멜캅토벤지미다졸(2-mercaptobenzimidazole)로 구성된다.
본 발명에서 에폭시 수지는 당량 100~200이며 불순물 함량이 10ppm이하인 고순도의 에폭시 수지로써 1분자 중 2개 이상의 에폭시기를 갖는 것이면 어느 것이라도 적용 가능하다. 예를 들면 일반적으로 사용되는 크레졸 노볼락 수지, 페놀 노볼락 수지, 바이페닐, 비스페놀 A, 디사이클로펜타디엔 등을 단독 또는 2종류 이상 병행해서 사용할 수 있지만, 내열 크랙성, 성형성의 관점에서 에폭시 당량이 180~220인 ortho-크레졸 노볼락형 에폭시 수지를 50 중량부 이상 사용하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지는 전체 조성물에 3.5~10.0 중량부 사용한다.
본 발명에서 경화제는 2개 이상의 수산기를 갖고 수산기 당량이 100~200인 통상의 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 자일록(xylok)수지, 디사이클로펜타디엔 수지 등이 사용될 수 있으며, 이를 단독 또는 2종류 이상 병행하여 사용할 수 있다. 그러나 가격 및 성형성의 관점에서 페놀 노볼락형 수지를 경화제 전체의 50 중량부 이상 사용하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지와 경화제의 조성비는 수산기 당량에 대한 에폭시 당량이 0.8~1.2인 것이 좋으며, 또한 경화제의 사용량은 전체 조성물에 대하여 2.0~10 중량부 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 경화촉진제는 상기 에폭시 수지와 경화제 성분의 경화반응을 촉진하기 위해 필요한 성분으로, 예를 들어 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 트리에틸렌디아민, 디메틸아미노에탄올, 트리(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3급 아민류, 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸 등의 이미다졸류, 트리페닐포스핀, 디페닐포스핀, 페닐포스핀 등의 유기 포스핀류, 테트라페닐포스포니움 테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀 테트라페닐보레이트 등의 테트라페닐보론염 등이 있으며 이 중 1종 또는 2종 이상을 병용해도 좋으며, 사용량은 전체 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.10~0.35 중량부가 좋다.
본 발명에서 무기 충전제는 그 평균입자가 0.1~35.0㎛인 용융 또는 합성실리카를 사용하는 것이 바람직하며, 충전량은 조성물 전체에 대해 72 중량부 이상 사용하는 것이 좋다. 72 중량부 이하로 무기충전제를 사용할 경우에는 충분한 강도와 저열팽창화를 실현할 수 없으며 또는 수분의 침투가 용이해저 MBI 적용에 따른 저흡습의 효과가 적어지게 된다. 다만, 무기 충전제의 충전량 상한선은 성형성을 고려하여 선정하여야 하며, 바람직하게는 88 중량부 이하를 사용한다. 또한, 분쇄형과 구형의 실리카를 분쇄형과 구형의 구성 조성비 7/3~0/10인 혼합형태가 좋으며 특히 고순도의 제품이라야 한다.
본 발명에서 2-멜캅토벤지미다졸(2-mercaptobenzimidazole)은 하기의 화학 구조식을 갖는 고순도의 것으로써 에폭시 수지 100 중량부에 대해 0.5~3.0 중량부를 분말상태 또는 용융 마스터 배치(melt master batch)로 적용하여야 하며, 가장 좋게는 에폭시 수지, 또는 경화제에 용융 혼련한 뒤, 에폭시 수지 조성물에 적용하는 것이 바람직하다. MBI의 적용량이 에폭시 수지 100 중량부에 대해 0.5 중량부 이하를 사용할 경우 충분한 고접착 강도를 발현할 수 없으며 반면에 3.0 중량부 이상을 사용할 경우에는 오히려 접착강도의 저하를 초래할 수 있다.
본 발명의 성형재료에는 브로모 에폭시의 난연제, 삼산화안티몬, 수산화 알루미나, 오산화안티몬 등의 난연조제, 고급 지방산, 고급 지방산 금속염, 에스테르계 왁스 등의 이형제, 카본블랙, 유·무기염료 등의 착색제, 에폭시실란, 아미노 실란, 알킬 실란 등의 커플링제 등을 필요에 따라 사용할 수 있다.
상기와 같은 원재료를 이용하여 에폭시 수지 조성물을 제조하는 일반적인 방법으로는 소정의 배합량을 헨셀믹서나 뢰디게 믹서를 이용하여 균일하게 충분히 혼합한 뒤, 롤밀 또는 니이더로 용융 혼련하여, 냉각 및 분쇄과정을 거쳐 최종 분말 제품을 얻는 방법이 사용되고 있다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물을 사용하여 반도체 소자를 밀봉하는 방법으로는 저압 트랜스퍼 성형법이 가장 일반적으로 사용되는 방법이나, 인젝션(injection)성형법이나 캐스팅(casting) 등의 방법으로도 성형 가능하다.
본 발명은 하기의 실시예에 의하여 보다 구체화될 것이며, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로, 본 발명의 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.
실시예
실시예 1-2
본 발명의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제조하기 위해 표 1에 나타낸 바와 같이 각 성분들을 평량한 뒤 헨셀 믹서를 이용하여, 균일하게 혼합하여 분말 상태의 1차 조성물을 제조하였으며, 믹싱 2-롤밀을 이용하여 100℃에서 7분간 용융혼련한 뒤, 냉각 및 분쇄과정을 거쳐 최종의 에폭시 수지 조성물을 제조하였다.
에폭시 수지 조성물에 대하여 시험편을 제작하여, 175℃에서 6시간 동안 후경화시킨 얼로이 42와 구리 리드프레임과의 접착강도를 측정하였다. 또한 얼로이 및 구리의 리드프레임을 사용하여 48 QFP를 성형하였으며 후경화시킨 후 끓는 물에서 각각 168시간 동안 흡습시킨 뒤, 245℃에서 10초동안 IR리플로우를 3회 통과시켜 전처리를 실시하여 패케이지 크랙을 관찰하였다.
비교실시예 1-2
표 1에 나타난 바와 같이 각 성분을 주어진 조성대로 평량하였으며, 특히 MBI를 비교실시예 1에서는 에폭시 수지 100 중량부의 0중량부 및 비교실시예 2에서는 에폭시 수지 100 중량부의 5.0 중량부를 적용하여 상기 실시예와 같은 방법으로 에폭시 수지 조성물을 제조하였으며, 접착강도의 측정 및 패케이지 크랙을 실시예 1-2와 비교 관찰하였다.
[표 1]
실시예 1-2 및 비교실시예 1-2를 통해 본 발명의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 솔더 내크랙성과 리드프레임, 특히 구리와의 접착강도 및 수분 흡습률 등 그 신뢰성이 우수하다는 것을 알 수 있다. 이상과 같이 본 발명의 에폭시 수지 조성물을 사용하여 반도체 소자를 밀봉할 경우 리드 프레임과의 접착강도가 우수하고, 저흡습률을 달성할 수 있기 때문에, 크랙의 발생을 억제할 수 있는 양호한 반도체 소자를 얻을 수 있다는 것을 알 수 있다.

Claims (5)

  1. 에폭시 수지 3.5~10.0 중량부; 경화제 2.0~10 중량부; 경화촉진제 0.10~0.35 중량부; 무기 충전제 72~88 중량부; 및 에폭시 수지의 100 중량부에 대해 하기 구조식의 2-멜캅토벤지미다졸(2-mercaptobenzimidazole) 0.5~3.0 중량부로 이루어지는 에폭시 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 에폭시 수지는 크레졸 노볼락 수지, 페놀 노볼락 수지, 바이페닐, 비스페놀 A 및 디사이클로펜타디엔으로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 경화제는 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 자일록(Xylok) 수지 및 디사이클로펜타디엔 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 경화촉진제는 벤질디에틸아민, 트리에탄올아민, 트리에틸렌아민, 디메틸아미노에탄올 및 트리(디메틸아미노메틸)의 페놀아민류; 2-메틸이미다졸 및 2-페닐이미다졸의 이미다졸류; 트리페닐포스핀, 디페닐포스핀 및 페닐포스핀의 유기 포스핀류; 테트라페닐포스포니움, 테트라페닐보레이트 및 트리페닐포스핀 테트라페닐보레이트의 테트라페닐보론염류로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 무기 충전제가 용융 실리카 또는 합성 실리카인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
KR1019970024870A 1997-06-16 1997-06-16 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 KR100201708B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970024870A KR100201708B1 (ko) 1997-06-16 1997-06-16 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970024870A KR100201708B1 (ko) 1997-06-16 1997-06-16 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990001510A true KR19990001510A (ko) 1999-01-15
KR100201708B1 KR100201708B1 (ko) 1999-06-15

Family

ID=19509690

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970024870A KR100201708B1 (ko) 1997-06-16 1997-06-16 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100201708B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100519656B1 (ko) * 2001-12-11 2005-10-07 제일모직주식회사 이형성이 우수한 반도체 봉지재용 에폭시 수지 조성물
KR100538527B1 (ko) * 1999-07-08 2005-12-22 제일모직주식회사 반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물
KR100887923B1 (ko) * 2002-12-23 2009-03-12 에스케이케미칼주식회사 비할로겐계 난연성 에폭시 수지 조성물, 이를 이용하여제조한 수지코팅동박 및 동박적층판

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103254573B (zh) * 2013-05-30 2016-08-10 东华大学 一种耐高温云母板基体树脂及其制备方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100538527B1 (ko) * 1999-07-08 2005-12-22 제일모직주식회사 반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물
KR100519656B1 (ko) * 2001-12-11 2005-10-07 제일모직주식회사 이형성이 우수한 반도체 봉지재용 에폭시 수지 조성물
KR100887923B1 (ko) * 2002-12-23 2009-03-12 에스케이케미칼주식회사 비할로겐계 난연성 에폭시 수지 조성물, 이를 이용하여제조한 수지코팅동박 및 동박적층판

Also Published As

Publication number Publication date
KR100201708B1 (ko) 1999-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100997606B1 (ko) 에폭시 수지 조성물 및 반도체장치
US6297306B1 (en) Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device
JP2000281750A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
KR100201708B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
JP2002220434A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
KR100189095B1 (ko) 고신뢰성 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
KR100250770B1 (ko) 내습성과 접착성이 개선된 반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물
JPH05299537A (ja) エポキシ樹脂組成物
JP2963260B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
JP2002220511A (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
KR100474961B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
KR100529258B1 (ko) 반도체 봉지재용 에폭시 수지 조성물
KR100430195B1 (ko) 내크랙성이 우수한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
KR100479852B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
KR100413357B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
JP2000186183A (ja) 封止用のエポキシ樹脂組成物および半導体装置
KR19990001511A (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
KR20040061558A (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
KR100447547B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
JP3093051B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
JP2954413B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
KR100364244B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
KR100565421B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
KR100582662B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
JP2994127B2 (ja) エポキシ樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130104

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131217

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141223

Year of fee payment: 17

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160218

Year of fee payment: 18

EXPY Expiration of term