TWI477907B - 藉由負調顯影形成光微影圖案之方法 - Google Patents

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Description

藉由負調顯影形成光微影圖案之方法
本發明通常係關於電子裝置之製造。更詳而言之，本發明係關於允許使用負調顯影製程形成精細圖案的光微影方法。本發明於半導體裝置之製造中有特別用途且允許形成精細圖案。
於半導體製造工業中，光阻劑材質係用於將影像轉移至一層或多層下方層(如設置於半導體基板上之金屬層、半導體層及介電層)以及轉移至該基板本身。業經並繼續研發具有高解析度能力之光阻劑及光微影加工工具，以增加半導體裝置之積體密度並允許形成具有奈米範圍內之尺寸的結構。
正調化學增幅光阻劑傳統係用於高解析度加工。此等阻劑典型係採用具有酸不穩定之離去基的樹脂以及光酸產生劑。曝光於光化輻射，造成該酸產生劑形成酸，於曝光後烘烤過程中，該酸造成該樹脂中該酸不穩定基的裂解。這在該阻劑之經曝光區域與未曝光區域之間創造其於鹼性顯影劑水溶液中溶解度之差異。該阻劑之經曝光區域係溶於該鹼性顯影劑水溶液中並自基板表面移除，而不溶於該顯影劑之未曝光區域在顯影之後保留，以形成正型影像。
於半導體裝置中達成奈米(nm)規格之特徵尺寸的一個途徑為，於化學增幅光阻劑之曝光期間使用短波長，例如，193nm或更短之光。業經研發浸潤微影工具以有效地增加成像裝置如具有KrF或ArF光源之掃描器之透鏡的數值孔徑(NA)，以進一步改良微影效能。此係藉由在該成像裝置之最終表面與半導體晶圓之上表面之間使用相對高折射率的流體(亦即，浸潤流體)而予以施行。相較於使用空氣或惰性氣體介質者，該浸潤流體允許更大量之光被聚焦至該阻劑層。當使用水作為該浸潤流體時，最大數值孔徑可增加至例如，自1.2至1.35之數值。由於數值孔徑之增加，可能於一次曝光製程中達成40nm半節距(half-pitch)解析度，因此允許改良之縮小設計。惟，此標準浸潤微影製程通常係不適用於製造需要更高解析度(例如，20nm節點(node)及更高者)之裝置的製造。
於達成更高解析度及延展現存製造工具之能力的嘗試中，業經提出先進之圖案化技術如各種雙圖案化製程(亦稱為節距分割(pitch splitting))。另一種用於獲得精細之微影圖案的先進圖案化技術係包括傳統正型化學增幅光阻劑材質之負調顯影(NTD)。於負調顯影中，可藉由使用特定之有機溶劑顯影而自傳統正型阻劑獲得負型影像。舉例而言，此製程係於古德爾(Goodall)等人之第6,790,579號美國專利中揭示之。該文獻係揭露一種光阻劑組成物，其係包含酸產生起始劑及含有沿著聚合物骨架重複出現之酸不穩定側基的多環聚合物。可使用鹼性顯影劑選擇性地移除經曝光之區域，或者，可藉由以適宜之負調顯影用非極性溶劑選擇性地移除未曝光區域。
於先進之圖案化應用中使用之光阻劑中使用的基質聚合物典型係共聚物，該共聚物係包括自含有極性轉換用之酸不穩定離去基的單體、含有對比增強用之內酯基的單體、以及含有溶解度修飾用之極性基的單體形成的單元。已知係使用含有自丙烯酸羥基金剛烷基酯(HADA)或甲基丙烯酸羥基金剛烷基酯(HAMA)單體形成之單元作為含有極性基之單元的光阻劑基質聚合物。舉例而言，Tsubaki等人之美國申請案公開第2009/0011366A1號揭露一種負調顯影方法，其係使用包含自該單體形成之重複單元的樹脂。本發明之發明人業經發現，包括含有HADA之基質聚合物及含有HAMA之基質聚合物的光阻劑可於所形成之阻劑圖案中導致橋接缺陷，此係於負調顯影製程中使用之有機顯影劑中相對低溶解速率的結果。
該技術領域中對於改良之光微影方法具有持續之需求，該方法應允許在電子裝置製造中形成精細之圖案並解決與該技術領域之現狀相關之一個或多個問題。
根據本發明之第一態樣，係提供藉由負調顯影形成光微影圖案之方法。該方法係包含：(a)提供包含一層或多層待圖案化之層的基板；(b)將光阻劑組成物之層施用至該一層或多層待圖案化之層上；(c)將該光阻劑組成物層圖案式曝光於光化輻射；(d)於曝光後烘烤製程中加熱該經曝光之光阻劑組成物層；以及(e)以有機溶劑顯影劑將該經曝光後烘烤之光阻劑組成物層顯影，藉此形成光阻劑圖案。該光阻劑組成物係包含含下述通式(I)單元之聚合物： 其中：R1 係表示氫或C1 至C3 烷基；a係表示自1至3之整數；以及，b係表示0或1。
如本文所使用者，「g」係意指公克；wt%係意指重量百分比；「L」係意指公升；「mL」係意指毫升；「nm」係意指奈米；「mm」係意指毫米；「min」係意指分鐘；「h」係意指小時；「Å」係意指埃；「mol%」係意指莫耳百分比；「Mw」係意指重量平均分子量；以及，「Mn」係意指數目平均分子量；不定冠詞「一(a)」以及「一(an)」係意指一者或多者。
100‧‧‧基板
102‧‧‧待圖案化之層
102’‧‧‧經蝕刻特徵之圖案
104‧‧‧硬遮罩層
104’‧‧‧經圖案化之硬遮罩層
106‧‧‧底部抗反射塗層(BARC)
106’‧‧‧經圖案化之BARC層
108‧‧‧光阻劑層
108a‧‧‧未曝光區域
108b‧‧‧曝光區域
110‧‧‧活化輻射
112‧‧‧第一光罩
113‧‧‧光學透明區域
114‧‧‧光學不透明區域
第1A至1E圖係例示性說明根據本發明形成光微影圖案的流程；以及第2至6圖係提供實施例中揭示之光阻劑組成物的對比曲線。
本發明係參考後附圖式予以揭示，於該等圖式中，相似之元件符號係表示相似之特徵。
光阻劑組成物
當用以在負調顯影製程中形成非常精細之圖案時，較佳之本發明之光阻劑組成物可提供解析度、臨界維度(CD)均勻性、圖案壓毀邊界(pattern collapse margin)、聚焦寬限、曝光寬限、以及感 光速度(photospeed)之一者或多者相較於傳統正調光微影技術的改良。本文所揭示之組成物可用於在乾式微影或浸潤微影製程中的負調顯影。
A.基質聚合物
該光阻劑組成物係包括基質聚合物。與在軟烘烤、曝光於活化輻射以及曝光後烘烤之後來自該作為該光酸產生劑產生之酸反應的結果，作為光阻劑組成物層之部份的基質聚合物於有機顯影劑中的溶解度改變。該基質聚合物係以足以獲得所欲厚度之均勻塗層的量存在於該阻劑組成物中。典型地，基於該阻劑組成物之總固體，該基質聚合物係以70至95 wt%之量存在於該組成物中。
該基質聚合物係包括形成自下述式(I)之單體的第一單元： 其中：R1 係表示氫或C1 至C3 烷基，較佳係氫或甲基；a係表示自1至3之整數，較佳係1；以及，b係表示0或1，較佳係1。應理解，對於說明書及申請專利範圍之目的，本文中定義之R1 可視需要經取代，意指一個或多個氫原子可藉由另一個原子如鹵素，舉例而言，氟所置換。於該基質聚合物中此單元之存在可提升該基質聚合物於有機溶劑顯影劑中的溶解度。結果，該光阻劑組成物之未曝光部份可於顯影過程中完全移除，從而最小化或防止於所形成之阻劑圖案中出現橋接缺陷。於該聚合物中該第一單元之含 量，雖取決於作成該聚合物之不同單元的數目及類型，典型係自30至60 mol%。
舉例而言，適宜之式(I)之單體單元係包括，但不限於下列者： 其中，單體單元M-15及M-18係較佳者。
可使用習知技術合成於形成式(I)之單元中使用的單體。適宜之方法係包括彼等根據標準SN2 親核取代機制者，如下述之製程(a)： 其中，R1 、a及b係如上述定義。於此合成中，(烷基)丙烯酸係可商購之化學品，而金剛烷醇衍生物可根據已知技術如下述製程(b)或(c)合成： 其中，a及b係如上述定義。於製程(b)中，當b=1時，該一級醇基係具有顯著高於黏附於該金剛烷環上之羥基的反應活性。結果，該反應具有良好之選擇性，且典型係不需要外延純化以移除副產物。惟，對於製程(c)，係對該金剛烷上之二級醇基進行額外之預保護，且該保護基係於該取代反應之後移除。製備具體之通式(I)之單體單元的例示性方法係於下文之實施例中進一步揭示。
該基質聚合物復包括形成自一種或多種額外之單體的單元，舉例而言，不同於該第一單元的一種兩種、三種、四種或更多種額外之單元。典型地，該等額外之單元係包括(甲基)丙烯酸酯可聚合基(該可聚合基係與該第一單元之單體所見相同)，但可包括其他可聚合基，舉例而言，乙烯基及非芳族環狀烯烴(環內雙鍵)如降莰烯。該聚合物可包括，舉例而言，一種或多種不同於該第一單元之自式(I)之單體形成的額外單元。
為了允許改變該光阻劑之經曝光區域的極性，該基質聚合物較佳係包括具有酸不穩定部份之單體單元。適宜之酸不穩定部份係包括，舉例而言，酸不穩定(烷基)丙烯酸酯單元，舉例而言，含有含三級非環狀烷基碳之酯基如(甲基)丙烯酸第三丁酯的單元，或含有三級脂環族碳如(甲基)丙烯酸甲基金剛烷基酯及(甲基)丙烯酸乙基葑酯以及其他非環狀烷基及脂環族(烷基)丙烯酸酯如2-甲基-丙烯酸-2-(1-乙氧基-乙氧基)-乙酯、2-甲基-丙烯酸-2-乙氧基甲氧基-乙酯、2-甲基-丙烯酸-2-甲氧基甲氧基-乙酯、2-(1-乙氧基-乙氧基)-6-乙烯基-萘、2-乙氧基甲氧基-6-乙烯基-萘及2-甲氧基甲氧基-6-乙烯基-萘的單元。此等部份(moiety)可賦予該光阻劑組成物之樹脂以下述特性：使用光化射線或輻射照射時，藉由所產 生之酸之作動而變為更易溶於標準正調顯影用顯影劑(如2.38%氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液)且更難溶於NTD顯影劑(如本文中揭示者，舉例而言，2-庚酮或乙酸正丁酯)。此等聚合物業經揭示於，舉例而言，美國專利第6,057,083號、歐洲申請案公開第EP01008913A1及EP00930542A1號以及美國專利第6,136,501號中。其他適宜之酸不穩定(烷基)丙烯酸酯單元係包括彼等自包括一個或多個環狀縮醛部份之單體形成者，舉例而言： 其中，R1 係如上述定義。該含有酸不穩定基之單元典型係以自30至60 mol%之量存在於該基質聚合物中。
該聚合物較佳係復包括自包含內酯基之單體形成的單元。若使用時，該含有內酯基之單元典型係以自20至60 mol%之量存在於該聚合物中。適宜之此等內酯部份係該技術領域中習知者，且包括，舉例而言，下述式之彼等： 其中，R1 係如上述通式(I)中定義者。如選自氫及C1 至C3 烷基，較佳係氫或甲基。適宜之第二單元用單體係可商購者及/或可使用習知技術合成。
其他適宜之用於該聚合物之額外單體單元係包括，舉例而言：含有酯之單體單元，如2-甲基-丙烯酸四氫呋喃-3-基酯、2-甲基-丙烯酸2-側氧基-四氫呋喃-3-基酯、2-甲基-丙烯酸5-側氧基-四氫呋喃-3-基酯、2-甲基-丙烯酸3-側氧基-4,10-二氧雜-三環[5.2.1.02,6 ]癸-8-基酯、2-甲基-丙烯酸3-側氧基-4-氧雜-三環[5.2.1.02,6 ]癸-8-基酯、2-甲基-丙烯酸5-側氧基-4-氧雜-三環[4.2.1.03,7 ]壬-2-基氧羰基甲基酯、丙烯酸3-側氧基-4-氧雜-三環[5.2.1.02,6 ]癸-8-基酯、2-甲基-丙烯酸5-側氧基-4-氧雜-三環[4.2.1.03,7 ]壬-2-基酯及2-甲基-丙烯酸四氫呋喃-3-基酯；以及具有極性基如醇及氟化醇之單體單元，如2-甲基-丙烯酸3-羥基-金剛烷-1-基酯、2-甲基-丙烯酸2-羥基-乙基酯、6-乙烯基-萘-2-酚、2-甲基-丙烯酸-3,5-二羥基-金剛烷-1-基酯、2-甲基-丙烯酸6-(3,3,3-三氟-2-羥基-2-三氟甲基-丙基)-雙環[2.2.1]庚-2-基以及2-雙環[2.2.1]庚-5-烯-2-基甲基-1,1,1,3,3,3-六氟-丙-2-醇；以及含有醚類如烷基醚類之單體單元。用於此等額外單元的適宜單體係可商購者及/或可使用習知方法合成。該等額外單元典型係以自40至70 mol%之量存在於該基質 聚合物中。
對於在次200 nm(sub-200 nm)波長如193 nm之波長成像，該聚合物典型係實質上不含(如，低於15 mol%)高度吸收該輻射之苯基、苄基或其他芳族基。該聚合物可含有含雜原子(特別是氧及/或硫)之重複單元，舉例而言，選自下述之一者或多者：稠合至該聚合物骨架之雜脂環單元；稠合碳脂環單元，如藉由降莰烯基之聚合而提供者；以及經一個或多個含雜原子(如，氧或硫)基取代之碳環芳基單元，如羥基萘基。
可用於本發明之負調顯影方法中之較佳的聚合物係包括，舉例而言，下述者： 該聚合物之重量平均分子量Mw 典型係低於100,000，舉例而言，自5000至50,000，更典型自6000至30,000或自8,000至20,000。
熟識該領域之人士可使用習知方法及可商購之起始材質輕易地合成適宜之聚合物。該等聚合物可藉由下述者合成，舉例而言，首先將含有可聚合基之單體溶解於適宜之有機溶劑，舉例而言、四氫呋喃、二烷、乙酸乙酯、二甲基甲醯胺、丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、二氯甲烷、氯仿、丙酮、甲乙酮等，並脫氣。自由基起始劑可溶解於與該單體溶解所使用者相同或不同之適宜溶劑中，隨後加入該單體溶液中。適宜之自由基起始劑係包括，舉例而言，2,2′-偶氮雙異丁腈(AIBN)、2,2'-偶氮雙(2-甲基丙酸甲酯)(VazoTM 601,DuPont)、2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基)戊腈(VazoTM 52,DuPont)及2,2-偶氮雙(2-甲基丁腈)(VazoTM 67,DuPont)。將與該單體溶液所使用者相同或不同之溶劑充填入反應容器中，將其加熱至自40至140℃，典型自70至80℃之溫度。該起始劑溶液可隨後加入該反應容器中，並將該單體溶液以滴加方式加入該容器中。可冷卻該反應混合物並緩慢加入快速攪拌之非溶劑中，進行沉澱。適宜之非溶劑係包括，舉例而言，水、醇類、烷類、醚類及其組合。收集聚合物，視需要以少量非溶劑沖洗並乾燥。對於進一步之純化，可將該聚合物再溶解於適宜之溶劑中，沉澱並乾 燥。
B.光酸產生劑
該光敏組成物復包含光活性成份，如光酸產生劑(PAG)，其用量係足以在曝光至活化輻射時於該組成物之塗層中產生潛像。舉例而言，該光酸產生劑應適宜地以，基於該光阻劑組成物之總固體，自約1至20 wt%之量存在。典型地，與非化學增幅材質相比，較小量的PAG將適用於化學增幅阻劑。
適宜之PAG係化學增幅光阻劑技術領域中習知者，且係包括，舉例而言：鎓鹽，如三氟甲磺酸三苯基鋶、三氟甲磺酸(對第三丁氧基苯基)二苯基鋶、三氟甲磺酸參(對第三丁氧基苯基)鋶、對甲苯磺酸三苯基鋶；硝基苄基衍生物，如2-硝基苄基-對甲苯磺酸酯、2,6-二硝基苄基-對甲苯磺酸酯以及2,4-二硝基苄基-對甲苯磺酸酯；磺酸酯類，如1,2,3-參(甲烷磺醯氧基)苯、1,2,3-參(三氟甲烷磺醯氧基)苯以及1,2,3-參(對甲苯磺醯氧基)苯；重氮甲烷衍生物，如雙(苯磺醯基)重氮甲烷、雙(對甲苯磺醯基)重氮甲烷；乙二肟(glyoxime)衍生物，如雙-O-(對甲苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟以及雙-O-(正丁磺醯基)-α-二甲基乙二肟；N-羥基醯亞胺化合物之磺酸酯衍生物，如N-羥基琥珀醯亞胺甲磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺三氟甲磺酸酯；以及含鹵素之三化合物，如2-(4-甲氧基苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三以及2-(4-甲氧基萘基)-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三。可使用一種或多種此等PAG。
C.溶劑
該光阻劑組成物用之適宜之溶劑係包括，舉例而言：二醇醚類，如2-甲氧基乙醚(diglyme)、乙二醇單甲醚及丙二醇單甲醚； 丙二醇單甲醚乙酸酯；乳酸酯類，如乳酸甲酯及乳酸乙酯；丙酸酯類，如丙酸甲酯、丙酸乙酯、乙氧基丙酸乙酯及甲基-2-羥基異丁酸酯；賽璐蘇酯類，如甲基賽璐蘇乙酸酯；芳族烴類，如甲苯及二甲苯；以及酮類，如丙酮、甲乙酮、環己酮及2-庚酮。溶劑之摻合物，如上揭溶劑之兩者、三者或更多者之摻合物亦係適宜者。該溶劑典型係以，基於該光阻劑組成物之總重，自90至99 wt%，更典型自95至98 wt%之量存在於該組成物中。
D.其他成份
該光阻劑組成物亦可包括其他視需要之材質。舉例而言，該組成物可包括一種或多種光化及對比染料、抗條紋劑、塑化劑、加速劑、敏化劑等。若使用此等視需要之添加劑，其典型係以少量如，基於該光阻劑組成物之總固體，自0.1至10 wt%的量存在於該組成物中。
本發明之阻劑組成物的較佳視需要之添加劑係添加之鹼(added base)，舉例而言，己內醯胺，其可提升經顯影之阻劑浮雕影像之解析度。其他適宜之鹼性添加劑係包括：烷基胺類，如三丙胺及十二烷基胺；芳基胺類，如二苯基胺、三苯基胺、胺基酚、2-(4-胺基酚)-2-(4-羥基酚)丙烷等。該添加之鹼係適宜地以相對小量使用，舉例而言，基於該光阻劑組成物之總固體，自0.01至5 wt%，較佳自0.1至2 wt%。
為了藉由避免對該阻劑層上方之頂塗層的需求而簡化浸潤微影製程，表面活性聚合物可視需要用作該光阻劑配方中之添加劑。頂塗層典型係用以防止阻劑成份如光酸產生劑污染該成像透鏡表面。由於加入該光阻劑配方中之表面活性聚合物添加劑具有 相對低之表面自由能，其在塗覆製程中遷移至該表面。該表面活性聚合物添加劑應具有低於該基質聚合物之表面自由能，以允許該表面活性聚合物遷移至該表面。該表面活性聚合物添加劑之典型表面自由能係自10至40毫焦耳(mJ)/平方公尺(m2 )。適宜之表面活性聚合物係該技術領域中習知者，且包括，舉例而言，由Tsibouklis與Nevell揭示者(Advanced Materials,2003,15,pp.647-650)。例示性適宜之聚合物添加劑係包括，舉例而言，聚(丙烯酸正丁酯)、聚(甲基丙烯酸正丁酯)、聚(丙烯酸異丁酯)、聚(甲基丙烯酸異丁酯)、聚(二乙基矽氧烷)、聚(丁酸乙烯酯)、聚四氫呋喃、聚(丙二醇)、聚(環氧丁烷)及氟化之聚合物。該一種或多種添加劑聚合物典型可以相對小量存在於該光阻劑組成物中且仍提供有效之結果。該添加劑聚合物之含量可取決於，舉例而言，該微影為乾燥或浸潤類型之製程。舉例而言，用於浸潤微影之該添加劑聚合物的下限通常係藉由防止該阻劑成份之析出的需求而指明。較高之添加劑聚合物含量將典型導致圖案退化。該一種或多種聚合物添加劑典型係以，基於該光阻劑組成物之總固體，自0.1至10 wt%，更典型自1至5 wt%之量存在於本發明之組成物中。該添加劑聚合物之重量平均分子量典型係低於400,000，舉例而言，自5000至50,000。
光阻劑組成物之製備
該光阻劑通常係藉由已知過程製備。舉例而言，可藉由將該光阻劑之成份溶解於該溶劑成份中而製備本發明之光阻劑組成物。該光阻劑之所欲之總固體含量將取決於諸如該組成物中之具體聚合物、最終之層厚及曝光波長的因素。典型地，該光阻劑之 固體含量係，基於該光阻劑組成物之總重，自1至10 wt%變化，更典型自2至5 wt%。
本發明之光阻劑組成物於諸如下揭之負調顯影製程中有特別之應用性，但可用於正調顯影中，其中，該光阻劑層之經曝光部份係於顯影劑溶液中移除。
負調顯影方法
現在將參照第1A至第1E圖揭示本發明之方法，其係例示性說明藉由負調顯影形成光微影圖案之例示性流程。第1A圖說明基板100之剖面，其可包括多層及多種特徵。該基板之材質可係諸如半導體如矽或複合半導體(如，III-V或II-VI)、玻璃、石英、陶瓷、銅等。典型地，該基板係半導體晶圓，如單晶矽或複合半導體晶圓，且可具有形成於其表面上之一層或多層以及圖案特徵。一層或多層待圖案化之層102可提供於該基板100上方。視需要，下方基體基板材質本身可經圖案化，舉例而言，當所欲者係於該基板材質中形成溝槽時。於將該基體基板材質本身圖案化之例中，該圖案應視為形成於該基板之層中。
該等層可包括，舉例而言，一層或多層導體層，如鋁、銅、鉬、鉭、鈦、鎢、此等金屬之合金、氮化物或矽化物、經摻雜之非晶形矽或經摻雜之多晶矽之層；一層或多層介電層，如氧化矽、氮化矽、氧氮化矽或金屬氧化物之層；半導體層，如單晶矽，及其組合。該等待蝕刻之層可藉由各種技術形成，舉例而言，化學氣相沉積(CVD)如電漿增強CVD、低壓CVD或磊晶生長，物理氣相沉積(PVD)如濺射或蒸發，或電鍍。該一層或多層之待蝕刻層102的具體厚度將依據材質及所形成之具體裝置而變化。
依據待蝕刻之具體層、膜厚度及待使用之光微影材質及製程，所欲者可係於該等層102上沉積硬遮罩層104及/或底部抗反射塗層(BARC)106，於其上待塗覆光阻劑層108。使用硬遮罩層104可係所欲者，例如具有非常薄之阻劑層時，其中，該等待蝕刻之層係需要顯著之蝕刻深度，及/或其中具體之蝕刻劑係具有差之阻劑選擇性。若使用硬遮罩層，待形成之阻劑圖案可轉移至該硬遮罩層，其可隨之用作供蝕刻該下方層102的遮罩。適宜之硬遮罩材質及形成方法係該技術領域中習知者。典型之材質係包括，舉例而言，鎢、鈦、氮化鈦、氧化鈦、氧化鋯、氧化鋁、氧氮化鋁、氧化鉿、非晶形碳、氧氮化矽及氮化矽。該硬遮罩層104可包括單層或複數層不同材質層。該硬遮罩層可藉由，舉例而言，化學或物理氣相沉積技術形成。
若該基板及/或下方層會在光阻劑曝光過程中反射大量入射之輻射並因此會對所形成之圖案的品質造成負面影響時，可能需要底部抗反射塗層106。此等塗層可改良聚焦深度(depth-of-focus)、曝光寬限、線寬均勻度及CD控制。當該阻劑係曝光於深紫外光(300 nm或更短波長)，舉例而言，KrF準分子雷射光(248nm)或ArF準分子雷射光(193 nm)時，典型係使用抗反射塗層。該抗反射塗層106可包含單層或複數層不同之層。適宜之抗反射材質及形成之方法係該技術領域中習知者。抗反射材質係可商購者，舉例而言，由羅門哈斯電子材料公司(Rohm and Haas Electronic Materials LLC(Marlborough,MAUSA))於ARTM 商標下販售之彼等，如ARTM 40A及ARTM 124抗反射劑材質。
本文所揭示之光阻劑組成物係施用於該基板上的該抗反射層 106(若存在)上，以形成光阻劑層108。該光阻劑組成物可藉由旋塗、浸塗、輥塗或其他傳統塗覆技術施用至該基板。其中，典型係旋塗。對於旋塗，可基於所使用之具體塗覆設備、該溶液之黏度、塗覆工具之速度及用於旋塗之時間來調節該塗覆溶液之固體含量，以提供所欲之膜厚度。該光阻劑層108之典型厚度係自約500至3000 Å。
之後，可軟烘烤該光阻劑層以最小化該層中的溶劑含量，從而形成不黏塗層並改良該層對該基板之黏著性。該軟烘烤可於熱板上或烘箱中施行，且典型係使用熱板。該軟烘烤之溫度及時間將取決於，舉例而言，該光阻劑之具體材質及厚度。典型之軟烘烤係於自約90至150℃之溫度施行，施行時間為自約30至90秒。
之後，該光阻劑層108係透過第一光罩112曝光於活化輻射110，以於經曝光區域與未曝光區域之間創製溶解度之差異。參見本文中將光阻劑組成物曝光於用於該組成物之活化輻射，表明該輻射能於該光阻劑組成物中形成潛像。該光罩係具有光學透明區域113及光學不透明區域114，其係分別對應於後續之使用例示性說明之正作用材質的顯影步驟中該阻劑層之待保留區域及待移除區域。曝光波長典型係次400 nm，次300 nm或次200 nm，且典型係248 nm及193 nm。該等方法於浸潤或乾燥(非浸潤)微影技術中發現用途。曝光能量典型係自約10至80 mJ/cm2 ，取決於曝光工具及該光敏組成物之成份。
如第1B圖所示，經曝光之阻劑層係由未曝光區域108a及曝光區域108b組成。於該光阻劑層108曝光之後，實施曝光後烘烤(PEB)。該PEB可於，舉例而言，熱板上或烘箱中施行。用於 該PEB之條件將取決於，舉例而言，具體之光阻劑組成物及層厚度。該PEB典型係於自約80至150℃之溫度施行，且施行時間為自約30至90秒。
之後，將將曝光之光阻劑層顯影以移除未曝光之區域108a，留下曝光區域108b形成如第1C圖中所示之阻劑圖案。該顯影劑典型係有機顯影劑，舉例而言，選自酮類、酯類、醚類、烴類及其混合物之溶劑。適宜之酮類溶劑係包括，舉例而言，丙酮、2-己酮、5-甲基-2-己酮、2-庚酮、4-庚酮、1-辛酮、2-辛酮、1-壬酮、2-壬酮、二異丁酮、環己酮、甲基環己酮、苯基丙酮、甲乙酮及甲基異丁基酮。適宜之酯類溶劑係包括，舉例而言，乙酸甲酯、乙酸丁酯、乙酸乙酯、乙酸異丙酯、乙酸戊酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單丁醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸3-甲氧基丁酯、乙酸3-甲基-3-甲氧基丁酯、甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丁酯、甲酸丙酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯及乳酸丙酯。適宜之醚類溶劑係包括，舉例而言，二烷、四氫呋喃及二醇醚類溶劑，舉例而言，乙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、丙二醇單乙醚、二乙二醇單甲醚、三乙二醇單乙醚及甲氧基甲基丁醇。適宜之醯胺類溶劑係包括，舉例而言，N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺及N,N-二甲基甲醯胺。適宜之烴類溶劑係包括，舉例而言，芳族烴類溶劑，如甲苯及二甲苯。此外，可使用此等溶劑之混合物，或一種或多種所列舉之溶劑與除上揭者外之溶劑的混合物，或一種或多種所列舉之溶劑與水的混合物。其中，特佳者係2-庚酮及5-甲基-2-己酮。其他適宜之溶劑係包括該光阻劑組成物中使用者。
該溶劑可作為實質上純材質存在於該顯影劑中，舉例而言，基於該顯影劑之總重，該溶劑之量係大於95 wt%，大於98 wt%或大於99 wt%。於在顯影劑中使用溶劑混合物之例中，該等溶劑之沸點較佳係相近。該顯影劑之溶劑典型係以，基於該顯影劑之總重，自50 wt%至100 wt%，更典型自80 wt%至100 wt%的量存在。
該顯影劑材質可包括視需要之添加劑，舉例而言，界面活性劑，如上揭之關於該光阻劑所述者。此等視需要之添加劑典型將以小濃度存在，舉例而言，其量為，基於該顯影劑之總重，自約0.01至5wt%。
可藉由習知技術，舉例而言，藉由旋塗或漿式塗佈(puddle-coating)將顯影劑施用至基板。顯影時間係足以移除該光阻劑之未曝光區域，典型係自5至30秒之時間。顯影典型係於室溫施行。該顯影製程可不使用顯影後的清潔沖洗而施行。就此而言，業經發現該顯影製程可導致晶圓表面無殘質，俾無需此額外之沖洗步驟。
若存在該BARC層106，該層係使用阻劑圖案108b作為蝕刻遮罩而予以選擇性蝕刻並暴露出下方硬遮罩層104。之後，再次使用該阻劑圖案108b作為蝕刻遮罩而選擇性蝕刻該硬遮罩層，獲得經圖案化之BARC層106'及經圖案化之硬遮罩層104'，如第1D圖所示。用於蝕刻該BARC層及硬遮罩層的適宜之蝕刻技術及化學品係該基於中習知者，且將取決於，舉例而言，此等層之具體材質。典型係使用乾蝕刻製程，如反應性離子蝕刻。之後，使用習知技術如氧電漿灰化自該基板移除阻劑圖案108b及經圖案化之BARC層106'。
使用硬遮罩圖案104'作為蝕刻遮罩，選擇性蝕刻該一層或多層之層102。用於蝕刻該等下方層102的適宜之蝕刻技術及化學品係該技術領域中習知者，且典型係乾蝕刻製程如反應性離子蝕刻。之後，使用習知技術，舉例而言，乾蝕刻製程如反應性離子蝕刻將經圖案化之硬遮罩層104'自該基板表面移除。所得結果係蝕刻特徵之圖案102'，如第1E圖所示。於另一例示性方法中，所欲者可係使用該阻劑圖案108b而不使用硬遮罩層104而直接圖案化該層102。是否採用直接圖案化將取決於諸如所包括之材質、阻劑選擇性、阻劑圖案厚度及圖案維度之因素。
本發明之負調顯影方法並不限於上揭之例示性方法。舉例而言，本文中揭示之光阻劑組成物可用於作成接觸孔的負調顯影兩次曝光方法中。一種例示性該製程係參照第1圖揭示之技術的變種，其使用與第一次曝光不同之圖案的額外之光阻劑層曝光步驟。於該製程中，該光阻劑層係於第一曝光步驟中透過光罩曝光於光化輻射。該光罩係包括形成該光罩之不透明部份的一系列平行線。於第一次曝光之後，透過第二光罩施行該光阻劑層之第二次曝光，該第二光罩係包括一系列垂直於第一光罩之平行線方向的線。所得光阻劑層係包括未曝光區域、一次曝光區域及二次曝光區域。
於第二次曝光之後，該光阻劑層係經曝光後烘烤並使用上揭之顯影劑顯影。對應於兩個光罩之線之交點的未曝光區域被移除，留下該阻劑之一次及二次曝光區域。之後，所得結構可參考第1圖進行上揭之圖案化。本方法係特別適用於在電子裝置之製造中形成接觸孔。
[實施例]
於下述實施例中使用之單體及其縮寫如下：
單體之合成 實施例1：甲基丙烯酸2-((3-羥基金剛烷-1-基)甲氧基)-2-側氧基乙酯(EHAMA)
於室溫將3-(羥基甲基)金剛烷-1-醇(120.0 g,0.66 mol)(Aldrich Chemicals)與三乙胺(303.3 g,3.0 mol)緩慢於二氯甲烷(1200 mL)中組合。於攪拌冷卻該溶液至0℃。歷時30分鐘，將2-氯乙醯氯(75.0 g,0.66 mol)滴加至該反應混合物中。於室溫劇烈攪拌該溶液過夜，並過濾所得溶液。以高純度水(3 x 200 mL)洗滌有機相，並以無水MgSO4 乾燥。於室溫將所得油於高真空(0.3 torr)下濃縮3小 時，並於-20℃冰箱中冷卻過夜。獲得135.5 g(79%產率)淺褐色固體，其係具有下述之NMR光譜特徵：1 H NMR(300 MHz)δ 1.49(br,4H),1.55(br,2H),1.61(br,2H),1.71(br,4H),2.34(br,2H),3.90(s,2H),4.11(s,2H)。
於0℃將所得固體(60.0 g,0.23 mol)溶解於三乙胺(60.0 g,0.60 mol)及二氯甲烷(750 mL)中。歷時1小時滴加甲基丙烯酸(20.0 g,0.23 mol)。於42℃攪拌該反應混合物60小時。過濾所得溶液。以高純度水(3 x 150 mL)洗滌有機相。加入1,4-氫醌(16.0 mg)作為抑制劑。於真空下移除溶劑，於該製程過程中，水浴之溫度係保持在25℃以下。所得油穿行通過矽膠塞(30 cm x 10 cm)，以乙酸乙酯作為洗提劑。加入1,4-氫醌(16.0 mg)。於真空下移除溶劑。獲得66.0 g(91%產率)淺褐色油，其係具有下述質子NMR光譜特徵：1 H NMR(300 MHz)1.43(br,4H),1.48(br,2H),1.55(br,2H),1.67(br,4H),2.21(br,2H),3.83(s,2H),4.70(s,2H),5.66(s,1H),6.22(s,1H)；13 C NMR(75.5 MHz,CDCl3 )δ 18.5,30.4,35.6,37.2,38.0,44.8,46.9,61.1,68.6,73.7,127.2,135.6,166.9,168.1。藉以合成EHAMA單體。
實施例2：丙烯酸2-((3-羥基金剛烷-1-基)甲氧基)-2-側氧基乙酯(EHADA)
於HADA單體之製備中，使用實施例1中揭示之相同之淺褐色固體。於0℃將該固體(30.0 g,0.12 mol)溶解於三乙胺(24.0 g,0.24 mol)與二氯甲烷(500 mL)中。歷時15分鐘滴加丙烯酸(8.4 g,0.12 mol)。於40℃攪拌該反應混合物3天。過濾所得溶液。以高純度水(3 x 50 mL)洗滌有機相。加入1,4-氫醌(8.0 mg)作為抑制 劑。於真空下移除溶劑，於該製程過程中，水浴之溫度係保持在25℃以下。所得油穿行通過矽膠塞(30 cm x 10 cm)，以二氯甲烷作為第一洗提劑以移除有色雜質。以乙酸乙酯作為第二洗提劑以洗出產物。加入1,4-氫醌(10.0 mg)。於真空下移除溶劑。獲得22.0 g(64%產率)淺褐色油，其係具有下述質子NMR特徵：1 H NMR(300 MHz)1.43(br,4H),1.49(br,2H),1.57(br,2H),1.67(br,4H),3.85(s,2H),4.72(s,2H),5.97(d,1H),6.23(m,1H),6.49(d,1H)；13 C NMR(75.5 MHz,CDCl3 )δ 30.4,35.6,37.2,38.0,44.8,46.8,61.0,68.7,73.8,127.6,132.7,165.7,168.1。藉以合成EHADA單體。
基質聚合物之合成 實施例3(比較)：聚(IPGMA/NLMA/HAMA)(50/30/20)之合成
將單體IPGMA(17.307 g)、NLMA(11.526 g)及HAMA(8.167 g)溶解於55 g之PGMEA中。藉由以氮氣鼓泡20分鐘將該單體溶液脫氣。將PGMEA(26.220 g)充填入配備冷凝器及機械攪拌器之500 mL三頸燒瓶中，並藉由以氮氣鼓泡20分鐘進行脫氣。其後，將該反應燒瓶內之溶劑帶至80℃之溫度。將V601(2,2-偶氮二異丁酸二甲酯)(1.194 g)溶解於7.4 g之PGMEA中，並藉由以氮氣鼓泡20分鐘將該起始劑溶液脫氣。將該起始劑溶液加入該反應燒瓶中，隨後，於劇烈攪拌及氮環境下，歷時3小時期間將單體溶液以滴加方式饋入該反應器中。完成單體之饋料之後，將該聚合反應混合物於80℃於氮環境下再攪拌1小時。於總計4小時之聚合反應時間(饋料3小時，饋料後攪拌1小時)之後，將該聚合反應混合物冷卻至室溫。於甲基第三丁基醚(MTBE)(1528 g)中進行沉澱。藉由過濾收集所沉澱之粉體，空氣乾燥過夜，再溶解於111 g 之THF中，並再次於MTBE(1528 g)中沉澱。過濾最終之聚合物，空氣乾燥過夜，並於60℃於真空下進一步乾燥48小時以給出「聚合物A」(產率：75%,Mw：13,744,PDI：1.61)。
實施例4：聚(IPGMA/NLMA/EHAMA)(50/30/20)之合成
將單體IPGMA(17.529 g)、NLMA(11.673 g)及EHAMA(10.798 g)溶解於60 g之PGMEA中。藉由以氮氣鼓泡20分鐘將該單體溶液脫氣。將PGMEA(28.626 g)充填入配備冷凝器及機械攪拌器之500 mL三頸燒瓶中，並藉由以氮氣鼓泡20分鐘進行脫氣。其後，將該反應燒瓶內之溶劑帶至80℃之溫度。將V601(2,2-偶氮二異丁酸二甲酯)(1.411 g)溶解於8 g之PGMEA中，並藉由以氮氣鼓泡20分鐘將該起始劑溶液脫氣。將該起始劑溶液加入該反應燒瓶中，隨後，於劇烈攪拌及氮環境下，歷時3小時期間將單體溶液以滴加方式饋入該反應器中。完成單體之饋料之後，將該聚合反應混合物於80℃於氮環境下再攪拌1小時。於總計4小時之聚合反應時間(饋料3小時，饋料後攪拌1小時)之後，將該聚合反應混合物冷卻至室溫。於甲基第三丁基醚(MTBE)(1656 g)中進行沉澱。藉由過濾收集所沉澱之粉體，空氣乾燥過夜，再溶解於120 g之THF中，並再次於MTBE(1656 g)中沉澱。過濾最終之聚合物，空氣乾燥過夜，並於60℃於真空下進一步乾燥48小時以給出「聚合物B」(產率：70%,Mw：13,459,PDI：1.63)。
實施例5(比較例)：聚(ECPMA/aGBLMA/MNLMA)(40/20/40)之合成
將單體ECPMA(13.313 g)、aGBLMA(6.215 g)及MNLMA(20.472 g)溶解於60 g之PGMEA中。藉由以氮氣鼓泡20分鐘將該 單體溶液脫氣。將PGMEA(32.201 g)充填入配備冷凝器及機械攪拌器之500 mL三頸燒瓶中，並藉由以氮氣鼓泡20分鐘進行脫氣。其後，將該反應燒瓶內之溶劑帶至80℃之溫度。將V601(2,2-偶氮二異丁酸二甲酯)(2.943 g)溶解於8 g之PGMEA中，並藉由以氮氣鼓泡20分鐘將該起始劑溶液脫氣。將該起始劑溶液加入該反應燒瓶中，隨後，於劇烈攪拌及氮環境下，歷時3小時期間將單體溶液以滴加方式饋入該反應器中。完成單體之饋料之後，將該聚合反應混合物於80℃於氮環境下再攪拌1小時。於總計4小時之聚合反應時間(饋料3小時，饋料後攪拌1小時)之後，將該聚合反應混合物冷卻至室溫。於甲基第三丁基醚(MTBE)(1718 g)中進行沉澱。藉由過濾收集所沉澱之粉體，空氣乾燥過夜，再溶解於120 g之THF中，並再次於MTBE(1718 g)中沉澱。過濾最終之聚合物，空氣乾燥過夜，並於60℃於真空下進一步乾燥48小時以給出「聚合物C」(產率：80%,Mw：8,464,PDI：1.47)。
實施例6：聚(ECPMA/aGBLMA/MNLMA/EHAMA)(40/20/20/20)之合成
將單體ECPMA(12.980 g)、aGBLMA(6.059 g)、MNLMA(9.980 g)及EHAMA(10.981 g)溶解於60 g之PGMEA中。藉由以氮氣鼓泡20分鐘將該單體溶液脫氣。將PGMEA(32.030 g)充填入配備冷凝器及機械攪拌器之500 mL三頸燒瓶中，並藉由以氮氣鼓泡20分鐘進行脫氣。其後，將該反應燒瓶內之溶劑帶至80℃之溫度。將V601(2,2-偶氮二異丁酸二甲酯)(2.870 g)溶解於8 g之PGMEA中，並藉由以氮氣鼓泡20分鐘將該起始劑溶液脫氣。將該起始劑溶液加入該反應燒瓶中，隨後，於劇烈攪拌及氮環境下，歷時3 小時期間將單體溶液以滴加方式饋入該反應器中。完成單體之饋料之後，將該聚合反應混合物於80℃於氮環境下再攪拌1小時。於總計4小時之聚合反應時間(饋料3小時，饋料後攪拌1小時)之後，將該聚合反應混合物冷卻至室溫。於甲基第三丁基醚(MTBE)(1715 g)中進行沉澱。藉由過濾收集所沉澱之粉體，空氣乾燥過夜，再溶解於120 g之THF中，並再次於MTBE(1715 g)中沉澱。過濾最終之聚合物，空氣乾燥過夜，並於60℃於真空下進一步乾燥48小時以給出「聚合物D」(產率：58%,Mw：9,155,PDI：1.40)。
實施例7(比較例)：聚(MCPMA/MNLMA/HADA)(50/30/20)之合成
將單體MCPMA(79.110 g)、MNLMA(79.078 g)及HADA(41.811 g)溶解於300 g之PGMEA中。藉由以氮氣鼓泡20分鐘將該單體溶液脫氣。將PGMEA(151.933 g)充填入配備冷凝器及機械攪拌器之1000 mL三頸燒瓶中，並藉由以氮氣鼓泡20分鐘進行脫氣。其後，將該反應燒瓶內之溶劑帶至80℃之溫度。將V601(2,2-偶氮二異丁酸二甲酯)(10.828 g)溶解於40 g之PGMEA中，並藉由以氮氣鼓泡20分鐘將該起始劑溶液脫氣。將該起始劑溶液加入該反應燒瓶中，隨後，於劇烈攪拌及氮環境下，歷時3小時期間將單體溶液以滴加方式饋入該反應器中。完成單體之饋料之後，將該聚合反應混合物於80℃於氮環境下再攪拌1小時。於總計4小時之聚合反應時間(饋料3小時，饋料後攪拌1小時)之後，將該聚合反應混合物冷卻至室溫。於甲基第三丁基醚(MTBE)(8433 g)中進行沉澱。藉由過濾收集所沉澱之粉體，空氣乾燥過夜，再溶解於600 g之THF中，並再次於MTBE(8433 g)中沉澱。過濾最終之聚合物，空氣乾燥過夜，並於60℃於真空下進一步乾燥48小 時以給出「聚合物E」(產率：69%,Mw：10,904,PDI：1.51)。
實施例8(比較例)：聚(MCPMA/MNLMA/HAMA)(50/30/20)之合成
將單體MCPMA(78.080 g)、MNLMA(78.049 g)及HAMA(43.871 g)溶解於300 g之PGMEA中。藉由以氮氣鼓泡20分鐘將該單體溶液脫氣。將PGMEA(151.604 g)充填入配備冷凝器及機械攪拌器之1000 mL三頸燒瓶中，並藉由以氮氣鼓泡20分鐘進行脫氣。其後，將該反應燒瓶內之溶劑帶至80℃之溫度。將V601(2,2-偶氮二異丁酸二甲酯)(10.687 g)溶解於40 g之PGMEA中，並藉由以氮氣鼓泡20分鐘將該起始劑溶液脫氣。將該起始劑溶液加入該反應燒瓶中，隨後，於劇烈攪拌及氮環境下，歷時3小時期間將單體溶液以滴加方式饋入該反應器中。完成單體之饋料之後，將該聚合反應混合物於80℃於氮環境下再攪拌1小時。於總計4小時之聚合反應時間(饋料3小時，饋料後攪拌1小時)之後，將該聚合反應混合物冷卻至室溫。於甲基第三丁基醚(MTBE)(8427 g)中進行沉澱。藉由過濾收集所沉澱之粉體，空氣乾燥過夜，再溶解於600 g之THF中，並再次於MTBE(8427 g)中沉澱。過濾最終之聚合物，空氣乾燥過夜，並於60℃於真空下進一步乾燥48小時以給出「聚合物F」(產率：73%,Mw：10,535,PDI：1.46)。
實施例9(比較例)：聚(IPGMA/IPGFMA/MNLMA/HAMA)(25/25/30/20)之合成
將單體IPGMA(7.600 g)、IPGFMA(12.460 g)、MNLMA(12.765 g)及HAMA(7.175 g)溶解於60 g之PGMEA中。藉由以氮氣鼓泡20分鐘將該單體溶液脫氣。將PGMEA(28.596 g)充填入配備冷凝器及機械攪拌器之500 mL三頸燒瓶中，並藉由以氮氣鼓泡20分 鐘進行脫氣。其後，將該反應燒瓶內之溶劑帶至80℃之溫度。將V601(2,2-偶氮二異丁酸二甲酯)(1.398g)溶解於8g之PGMEA中，並藉由以氮氣鼓泡20分鐘將該起始劑溶液脫氣。將該起始劑溶液加入該反應燒瓶中，隨後，於劇烈攪拌及氮環境下，歷時3小時期間將單體溶液以滴加方式饋入該反應器中。完成單體之饋料之後，將該聚合反應混合物於80℃於氮環境下再攪拌1小時。於總計4小時之聚合反應時間(饋料3小時，饋料後攪拌1小時)之後，將該聚合反應混合物冷卻至室溫。於甲基第三丁基醚(MTBE)(1656g)中進行沉澱。藉由過濾收集所沉澱之粉體，空氣乾燥過夜，再溶解於120g之THF中，並再次於MTBE(1656g)中沉澱。過濾最終之聚合物，空氣乾燥過夜，並於60℃於真空下進一步乾燥48小時以給出「聚合物G」(產率：69%,Mw：13,639,PDI：1.58)。
實施例10：聚(MCPMA/MNLMA/EHADA)(50/30/20)之合成
將單體MCPMA(11.113g)、MNLMA(11.109g)及EHADA(7.778g)溶解於45g之PGMEA中。藉由以氮氣鼓泡20分鐘將該單體溶液脫氣。將PGMEA(22.549g)充填入配備冷凝器及機械攪拌器之500mL三頸燒瓶中，並藉由以氮氣鼓泡20分鐘進行脫氣。其後，將該反應燒瓶內之溶劑帶至80℃之溫度。將V601(2,2-偶氮二異丁酸二甲酯)(1.521g)溶解於6g之PGMEA中，並藉由以氮氣鼓泡20分鐘將該起始劑溶液脫氣。將該起始劑溶液加入該反應燒瓶中，隨後，於劇烈攪拌及氮環境下，歷時3小時期間將單體溶液以滴加方式饋入該反應器中。完成單體之饋料之後，將該聚合反應混合物於80℃於氮環境下再攪拌1小時。於總計4小時之聚合反應時間(饋料3小時，饋料後攪拌1小時)之後，將該聚 合反應混合物冷卻至室溫。於甲基第三丁基醚(MTBE)(1261g)中進行沉澱。藉由過濾收集所沉澱之粉體，空氣乾燥過夜，再溶解於90g之THF中，並再次於MTBE(1261g)中沉澱。過濾最終之聚合物，空氣乾燥過夜，並於60℃於真空下進一步乾燥48小時以給出「聚合物H」(產率：64%,Mw：11,504,PDI：1.51)。
實施例11：聚(MCPMA/MNLMA/EHAMA)(50/30/20)之合成
將單體MCPMA(14.637g)、MNLMA(14.631g)及EHAMA(10.732g)溶解於60g之PGMEA中。藉由以氮氣鼓泡20分鐘將該單體溶液脫氣。將PGMEA(30.008g)充填入配備冷凝器及機械攪拌器之500mL三頸燒瓶中，並藉由以氮氣鼓泡20分鐘進行脫氣。其後，將該反應燒瓶內之溶劑帶至80℃之溫度。將V601(2,2-偶氮二異丁酸二甲酯)(2.0038g)溶解於8g之PGMEA中，並藉由以氮氣鼓泡20分鐘將該起始劑溶液脫氣。將該起始劑溶液加入該反應燒瓶中，隨後，於劇烈攪拌及氮環境下，歷時3小時期間將單體溶液以滴加方式饋入該反應器中。完成單體之饋料之後，將該聚合反應混合物於80℃於氮環境下再攪拌1小時。於總計4小時之聚合反應時間(饋料3小時，饋料後攪拌1小時)之後，將該聚合反應混合物冷卻至室溫。於甲基第三丁基醚(MTBE)(1680g)中進行沉澱。藉由過濾收集所沉澱之粉體，空氣乾燥過夜，再溶解於120g之THF中，並再次於MTBE(1680g)中沉澱。過濾最終之聚合物，空氣乾燥過夜，並於60℃於真空下進一步乾燥48小時以給出「聚合物I」(產率：63%,Mw：11,211,PDI：1.52)。
實施例12：聚(IPGMA/IPGFMA/MNLMA/EHAMA)(25/25/20/30)之合成
將單體IPGMA(7.205g)、IPGFMA(11.816g)、MNLMA(12.102 g)及EHAMA(8.877 g)溶解於60 g之PGMEA中。藉由以氮氣鼓泡20分鐘將該單體溶液脫氣。將PGMEA(28.427 g)充填入配備冷凝器及機械攪拌器之500 mL三頸燒瓶中，並藉由以氮氣鼓泡20分鐘進行脫氣。其後，將該反應燒瓶內之溶劑帶至80℃之溫度。將V601(2,2-偶氮二異丁酸二甲酯)(1.326 g)溶解於8 g之PGMEA中，並藉由以氮氣鼓泡20分鐘將該起始劑溶液脫氣。將該起始劑溶液加入該反應燒瓶中，隨後，於劇烈攪拌及氮環境下，歷時3小時期間將單體溶液以滴加方式饋入該反應器中。完成單體之饋料之後，將該聚合反應混合物於80℃於氮環境下再攪拌1小時。於總計4小時之聚合反應時間(體料3小時，饋料後攪拌1小時)之後，將該聚合反應混合物冷卻至室溫。於甲基第三丁基醚(MTBE)(1653 g)中進行沉澱。藉由過濾收集所沉澱之粉體，空氣乾燥過夜，再溶解於120 g之THF中，並再次於MTBE(1653 g)中沉澱。過濾最終之聚合物，空氣乾燥過夜，並於60℃於真空下進一步乾燥48小時以給出「聚合物J」(產率：70%,Mw：14,619,PDI：1.62)。
光阻劑組成物之製備 實施例13
將11.2 g之溶解於2-羥基異丁酸甲酯中之2 wt% PAG A(如下所示)溶液加入1.323 g之聚合物A中。將2.105 g之溶解於PGMEA中之1 wt%十二烷基二乙醇胺溶液加入該混合物中。之後加入0.64 g之溶解於PGMEA中之1 wt% P(nBMA25 /iBMA75 )溶液，其後加入20.782 g之PGMEA、1.452 g之γ-戊內酯及12.498 g之2-羥基異丁酸甲酯。將所得混合物於輥上輥滾6小時，隨後透過具有0.2微米孔徑之聚四氟乙烯(Teflon)過濾器過濾。
實施例14至22
使用與上述聚合物A相同之過程製備額外之配方，但成份及用量係詳述於表1中。
TBOC=4-羥基哌啶-1-甲酸第三丁酯；DDEA=2,2'-(十二基氮烷二基)二乙醇；TB-Tris=1,3-二羥基-2-(羥基甲基)丙-2-基胺基甲酸第三丁酯。
乾式微影對比評估
以ARTM77底部抗反射塗層(BARC)材質(Rohm and Haas Electronic Materials)旋塗矽晶圓，並於205℃烘烤60秒，以獲得840 Å之膜厚度。於TEL CleanTrack ACT 8塗覆/顯影儀上，將該光阻劑組成物塗覆於塗有BARC之晶圓上並於90℃軟烘烤60秒， 以提供厚度為900 Å之阻劑層。
隨後，將塗有光阻劑之晶圓透過空白遮罩以0.75 NA及具有0.89外σ(outer sigma)及0.64內σ(inner sigma)之Quadrapole 30照明條件進行曝光。該曝光係於1.0 mJ/cm2 之起始劑量、增量為0.2 mJ/cm2 、自1.0至20.8 mJ/cm2 之劑量範圍進行，從而將該晶圓上之100晶粒(die)以10 x10陣列方式曝光。於100℃對經曝光之晶圓進行曝光後烘烤60秒，隨後於TEL CleanTrack ACT 8塗覆/顯影儀上以2-庚酮顯影劑顯影25秒。使用ThermaWave Optiprobe(KLA-Tencor)量測用於不同曝光劑量之剩餘膜厚，藉由繪製作為曝光能量之函數的剩餘膜厚曲線而生成NTD對比曲線。該等對比曲線係例示性說明於第2至6圖中。自該等對比曲線可知，每種光阻劑組成物之閾值能(threshold energy,Eth )係確定為達成對比膜厚之最小能量，且係用作該NTD製程用之每種光阻劑組成物光敏性的量測。數據係匯總於表1中。
第2圖係提供實施例13及14之光阻劑組成物的對比曲線，分別比較極性基HAMA與極性基EHAMA的效應。與實施例14中之含有EHAMA的聚合物相比較，比較例13之含有HAMA的聚合物及阻劑組成物係顯現相對低之有機顯影劑中的溶解度以及相對快感光速度，具Eth 值2.5 mJ/cm2 ，而實施例14係顯現6.0 mJ/cm2 之Eth 。第3圖係提供比較例15及實施例16之光阻劑組成物的對比曲線，分別比較不具有極性基EHAMA之聚合物與及具有極性基EHAMA之聚合物的效應。即使曝光能量為1 mJ/cm2 ，不具有EHAMA基之組成物係顯現相對低之有機顯影劑中的溶解度，導致非常快之感光速度(Eth 為4.4 mJ/cm2 )。實施例16之含有EHAMA 的配方係完全溶解，且顯現7.4 mJ/cm2 之Eth 值。第4至7圖係提供其他光阻劑組成物之對比曲線，係比較極性基HADA與EHADA的效應，或比較HAMA與EHAMA的效應。
浸潤微影加工 實施例23及24
於TELCLEAN TRAC LITHIUS i+塗覆/顯影儀上，以ARTM 26N抗反射劑(Rohm and Haas Electronic Materials)旋塗300 mm矽晶圓，以形成第一底部抗反射塗層(BARC)。將該晶圓於240℃烘烤60秒，獲得厚度為760 Å之第一BARC膜。之後，將含有倍半矽氧烷(silsesquioxane)之第二BARC層塗覆於該第一BARC上，並於240℃烘烤60秒以產生390 Å之頂部BARC層。於TELCLEAN TRACK LITHIUS i+塗覆/顯影儀上，將實施例13及14之光阻劑塗覆於塗有兩層BARC的晶圓上，並於90℃軟烘烤60秒，以提供厚度為900Å之阻劑層。
於ASML TWINSCAN XT：1900i浸潤掃描儀上，使用1.35 NA四極(Quad)照明，0.8外σ，0.65內σ及XY偏光，將塗有光阻劑之晶圓透過光罩曝光。於TELCLEAN TRACKTM LITHIUSTM i+塗覆/顯影儀上，將經曝光之晶圓於100℃進行曝光後烘烤60秒並使用37.5 mL之2-庚酮顯影劑顯影，以給出負調圖案。臨界維度(Critical dimensions,CD)係於Hitachi CG4000 CD SEM上，使用60 nm之遮罩CD(該光罩上不透明圈之直徑)以及112 nm之節距CD(遮罩CD加上不透明圈間之距離)予以量測，以比較每一配方對於約55 nm接觸孔之解析能力。下述值係用於確定微影結果：用以於112 nm節距印刷53 nm孔之曝光能量(Es )；光阻劑之曝光寬限 (EL)，其係藉由每曝光能量(mJ/cm2 )之目標CD(CDt )±10%之內的CD改變(△CD)，EL係根據下式定義：EL=(1.1×CDt -0.9×CDt )/(1.1×CDt 之Eop -0.9×CDt 之Eop )
以及藉由於具有約9孔(CD)/影像之一個晶粒上量測20不同影像之最佳曝光及聚焦的CD均勻性(CDU)，計算CD值中之3 σ偏差並報導為CDU。結果係匯總於表2中。
實施例25及26
與實施例23及24中揭示者類似之過程係用於比較例15及實施例16之光阻劑配方。於Hitachi CG4000 CD SEM上，使用38nm之遮罩CD(該遮罩上之線的寬度)及100nm之節距CD，量測臨界維度CD)，以比較用於約55nm溝槽之每一配方的解析能力及圖案壓毀。測定用以在112nm節距曝光寬限印刷53nm孔之曝光能量(Es)。亦測定圖案壓毀邊界，其係於線條壓毀(較大溝槽或空間值=用於阻劑之較佳圖案壓毀邊界)之前之最大溝槽CD的比較。結果係匯總於表3中。實施例16之含有EHAMA的配方係顯現較之於比較例15之非含有EHAMA之配方改良之圖案壓毀邊界。又，與不含EHAMA之組成物的解析溝槽CD僅為47.6nm相比，含有EHAMA之配方的解析溝槽CD為54.6nm。
*用以在100 nm節距印刷53 nm溝槽之曝光能量
實施例27至32
於TELCLEAN TRAC LITHIUS i+塗覆/顯影儀上，以ARTM 40A抗反射劑(Rohm and Haas Electronic Materials)旋塗300 mm矽晶圓，以形成第一底部抗反射塗層(BARC)。將該晶圓於215℃烘烤60秒，獲得厚度為840Å之第一BARC膜。之後，使用ARTM 124抗反射劑(Rohm and Haas Electronic Materials)將第二BARC層塗覆於該第一BARC上，並於205℃烘烤60秒，以產生200Å之頂部BARC層。隨後，於TELCLEAN TRACK LITHIUS i+塗覆/顯影儀上，將實施例17至22之光阻劑配方塗覆於塗有兩層BARC之晶圓上，並於90℃軟烘烤60秒，以提供厚度為900Å之阻劑層。
於ASML TWINSCAN XT：1900i浸潤掃描儀上，使用1.35 NA之環狀照明，0.9外σ，0.7內σ及XY偏光，將塗有光阻劑之晶圓透過遮罩曝光。將經曝光之晶圓於90℃進行曝光後烘烤60秒，並於TELCLEAN TRACKTM LITHIUSTM i+塗覆/顯影儀上使用2-庚酮與丙酸正丁酯之50/50摻合物顯影，以給出負調圖案。於Hitachi CG4000 CD SEM上，使用60 nm之遮罩臨界維度(該遮罩上之不透明圈的直徑)以及90 nm之節距CD(遮罩CD加上不透明圈間之距離)量測CD，以比較每一配方對於約45 nm接觸孔之解析能力。 測定CD均勻性、用以在112nm之節距印刷53nm孔的曝光能量(Es )以及曝光寬限，結果匯總於表4中。
分別將比較例27至29與實施例30至32比較可見，藉由分別使用EHADA或EHAMA替換HADA或HAMA達成之CDU值，導致改良之CDU值。又，包括含有HAMA之阻劑聚合物的比較例29係顯現差之45nm接觸孔的解析度。於實施例32中，藉由以EHAMA替代HAMA，藉由SEM影像之目測而測定之微影解析度得以顯著改良。
為流程圖，故指定多圖
100‧‧‧基板
102‧‧‧待圖案化之層
102’‧‧‧經蝕刻特徵之圖案
104‧‧‧硬遮罩層
104’‧‧‧經圖案化之硬遮罩層
106‧‧‧底部抗反射塗層(BARC)
106’‧‧‧經圖案化之BARC層
108‧‧‧光阻劑層
108a‧‧‧未曝光區域
108b‧‧‧曝光區域
110‧‧‧活化輻射
112‧‧‧第一光罩
113‧‧‧光學透明區域
114‧‧‧光學不透明區域

Claims (10)

  1. 一種藉由負調顯影形成光微影圖案之方法，係包含：(a)提供包含一層或多層待圖案化之層的基板；(b)將光阻劑組成物之層施用至該一層或多層待圖案化之層上；(c)將該光阻劑組成物層圖案式曝光於光化輻射；(d)於曝光後烘烤製程中加熱該經曝光之光阻劑組成物層；以及(e)以有機溶劑顯影劑將該經曝光後烘烤之光阻劑組成物層顯影，藉此形成光阻劑圖案；其中，該光阻劑組成物係包含含下述通式(I)單元之聚合物： 其中，R1 係表示氫或C1 至C3 烷基；a係表示1至3之整數；以及，b係表示0或1。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該聚合物係包含具有酸不穩定基之單元。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之方法，其中，該聚合物復包含含內酯基之單元。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之方法，其中，於該通式(I)中，a係表示1。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所述之方法，其中，於該通式(I)中，b係表示1。
  6. 如申請專利範圍第1或2項所述之方法，其中，R1 係表示氫。
  7. 如申請專利範圍第1或2項所述之方法，其中，R1 係表示甲基。
  8. 如申請專利範圍第1或2項所述之方法，其中，該光阻劑組成物復包含第二聚合物，該第二聚合物係聚(甲基丙烯酸C3 至C7 烷基酯)。
  9. 如申請專利範圍第1或2項所述之方法，其中，該顯影劑係包含2-庚酮。
  10. 如申請專利範圍第1或2項所述之方法，其中，該顯影劑係包含乙酸正丁酯。
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