JP2002221796A - ポジ型感光性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】露光光源として、遠紫外線、特にＡｒＦエキシ
マレーザー光を用いた場合、ＰＥＤ安定性及びプロファ
イルに優れ、現像欠陥の問題を著しく改善され、更にラ
インパターン端部（長手方向）のショートニングが生じ
ないポジ型感光性樹脂組成物を提供することにある。 【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸
を発生する化合物、（Ｂ）特定の繰り返し単位を有する
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加
する樹脂、及び（Ｃ）特定の部分構造を分子内に有する
含窒素化合物を含有することを特徴とするポジ型感光性
樹脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、超ＬＳＩや高容量
マイクロチップの製造などの超マイクロリソグラフィプ
ロセスやその他のフォトファブリケ−ションプロセスに
使用する遠紫外線露光用ポジ型感光性樹脂組成物に関す
るものである。更に詳しくは、エキシマレ−ザ−光を含
む遠紫外線領域、特に２５０ｎｍ以下の波長の光を使用
して高精細化したパターンを形成しうる遠紫外線露光用
ポジ型感光性樹脂組成物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＩＣやＬＳＩなどの半導体デバイ
スの製造プロセスにおいては、フォトレジスト組成物を
用いたリソグラフィによる微細加工が行なわれている。
近年、集積回路の高集積化に伴い、サブミクロン領域や
クオーターミクロン領域の超微細パターン形成が要求さ
れるようになっている。それに伴い、露光波長もｇ線か
らｉ線に、さらにＫｒＦエキシマレーザ光に、というよ
うに短波長化の傾向が見られる。現在では、エキシマレ
ーザ光を用いるリソグラフィがこの分野における重要な
加工技術となっており、かかるエキシマレーザリソグラ
フィプロセスに適したレジストとして化学増幅型レジス
トが採用されている。

【０００３】化学増幅型レジスト組成物は、遠紫外光な
どの放射線の照射により露光部に酸を生成させ、この酸
を触媒とする反応によって、活性放射線の照射部と非照
射部の現像液に対する溶解性を変化させることにより基
板上にパターンを形成させる材料である。化学増幅型レ
ジストは、高い感度と解像性を有し、少量の放射線放射
により酸を発生する化合物（以下、「光酸発生剤」とい
う）で像形成できるという利点を有している。

【０００４】化学増幅型ポジレジストの例として、光分
解により酸を発生する化合物と、アセタール又はＯ，Ｎ
−アセタール化合物との組合せ（特開昭４８−８９００
３号）、オルトエステル又はアミドアセタール化合物と
の組合せ（特開昭５１−１２０７１４号）、主鎖にアセ
タール又はケタール基を有するポリマーとの組合せ（特
開昭５３−１３３４２９号）、エノールエーテル化合物
との組合せ（特開昭５５−１２９９５号）、Ｎ−アシル
イミノ炭酸化合物との組合せ（特開昭５５−１２６２３
６号）、主鎖にオルトエステル基を有するポリマーとの
組合せ（特開昭５６−１７３４５号）、第３級アルキル
エステル化合物との組合せ（特開昭６０−３６２５
号）、シリルエステル化合物との組合せ（特開昭６０−
１０２４７号）、及びシリルエーテル化合物との組合せ
（特開昭６０−３７５４９号、特開昭６０−１２１４４
６号）等を挙げることができる。

【０００５】同様に、室温経時下では安定であるが、酸
存在下加熱することにより分解し、アルカリ可溶化する
系として、例えば、特開昭５９−４５４３９号、特開昭
６０−３６２５号、特開昭６２−２２９２４２号、特開
昭６３−２７８２９号、特開昭６３−３６２４０号、特
開昭６３−２５０６４２号、Polym. Eng. Sci., 23巻,
1012頁（1983）、ACS. Sym., 242巻, 11頁（1984）、Se
miconductor World 1987年, 11月号, 91頁、Macromolec
ules, 21巻, 1475頁（1988）、SPIE, 920巻, 42頁（198
8）等に記載されている露光により酸を発生する化合物
と、第３級又は２級炭素（例えばt-ブチル、2-シクロヘ
キセニル）のエステル又は炭酸エステル化合物との組合
せ系が挙げられる。これらの系も高感度を有し、遠紫外
光領域での吸収が小さいことから、超微細加工が可能な
光源短波長化に有効な系となり得る。

【０００６】上記ポジ型化学増幅レジストは、アルカ
リ可溶性樹脂、光酸発生剤、及び酸分解性基を有しアル
カリ可溶性樹脂に対する溶解阻止化合物から成る３成分
系と、酸との反応により分解しアルカリ可溶となる基
を有する樹脂と光酸発生剤からなる２成分系、さらに
酸との反応により分解しアルカリ可溶となる基を有する
樹脂、酸分解性基を有する低分子溶解阻止化合物、及び
光酸発生剤から成るハイブリッド系に大別できる。これ
ら２成分系、３成分系、ハイブリッド系のポジ型化学増
幅レジストにおいては、いずれも露光により光酸発生剤
からの酸を介在させて、熱処理後現像してレジストパタ
ーンを得るものである。

【０００７】化学増幅型レジストを用いたリソグラフィ
においては、一般的に、感度、解像力、プロファィル、
塗布性、耐熱性、ドライエッチング耐性、密着性、基板
依存性、耐環境安定性（例えば、引き置き時間変動によ
るレジスト寸法安定性）、及び焦点深度（例えば、放射
線照射時の焦点ずれに対するパターン形成性）等の諸特
性に優れたフォトレジストが求められ、添加剤による性
能改良のための工夫がこれまでに多く開示されている。

【０００８】化学増幅型ポジレジストは、その特有の反
応機構から、酸補足剤を添加することにより、発生した
酸の拡散性を防止してレジスト特性、特に環境安定性を
向上させる試みがなされている。例えば特開平５−１２
７３６９号、同５−２３２７０６号、同５−２４９６６
２号、同５−２８９３２２号、同６−３１７９０２号、
同７−９２６７８号、同７−１２０９２９号等に開示さ
れている様に有機アミンを添加したものが提案されてい
る。しかしながらアミンを添加すると解像力は向上する
ものの感度が低下するという問題がある。

【０００９】他方、感度向上、レジストパターン形状の
改善などを目的とし、化学増幅レジスト組成物に各種の
化合物を添加することが試みられている。例えば、特開
平５−１８１２７９号、同７−９２６７９号、同９−６
００１号、同６−６００２号、同９−６００３号、米国
特許５９５５２４０号、同５９４８５８９号、欧州特許
６７９９５１号等にはカルボン酸を添加することが開示
されており、また、特開平４−１３４３４５号、同４−
２１７２５１号、同７−１８１６８０号、同８−２１１
５９７号、米国特許５６８８６２８号、同５９７２５５
９号等には芳香族ポリヒドロキシ化合物を添加すること
が開示されており、特開平５−１８１２６３号、同７−
９２６８０号にはスルホンアミド化合物を添加すること
が開示されている。

【００１０】さらに、解像力、露光ラチチュード、密着
性、基板依存性などのレジスト特性を改良するための工
夫も開示されている。例えば特開平９−５９８７号、米
国特許５７７０３４３号、欧州特許７４９０４４号には
ホルムアミドやアセトアミド化合物の添加によりパター
ン倒れを防止する方法が開示されており、特開平１１−
４４９５０号にはコハク酸イミドやフタルイミドなどの
含窒素化合物を添加することにより基板依存性を改良す
ることが開示されている。特開平５−２３２７０６号、
同６−１１８３５号、同６−２４２６０６号、同６−２
６６１００号、同７−３３３８５１号、同７−３３３８
４４号、米国特許５６６３０３５号、欧州特許６７７７
８８号には露光により塩基性が低下する化合物（フォト
べース）を添加することにより耐環境安定性（例えば、
引き置き時間変動によるレジスト寸法安定性）、解像
力、焦点深度などを改良する方法が開示されている。さ
らに、特開平９−２９７３９６号では２成分系化学増幅
レジストに特定の低分子酸分解性溶解阻止化合物を添加
し解像度、焦点深度を改良する工夫が開示されている。

【００１１】特開平１１−３０５４４４号公報には、ア
ダマンタン構造を側鎖に有する繰り返し構造単位と、無
水マレイン酸を繰り返し構造単位として含有する樹脂が
開示されている。ＥＰ１０４８９８３Ａ１は、保存安定
性、透明性、ドライエッチング性、感度、解像度、パタ
ーン形状等の改良を目的として、特定の酸分解性基を有
するノルボルネンからなる繰り返し単位、無水物からな
る繰り返し単位、及び脂環式基を有する繰り返し単位を
有する樹脂を含有する組成物を開示している。

【００１２】しかしながら、これまでの技術では、ＰＥ
Ｄ安定性、現像時の欠陥の低減、プロファイル形状など
の諸特性を満足することはできなかった。ＰＥＤ（Post
Exposure Delay）安定性とは、露光後に加熱操作を行
なうまでの間露光装置内あるいは装置外で放置した場合
の塗膜安定性である。即ち、露光装置内の経時での安定
性が悪く、パターン寸法が変動してしまうという問題が
あった。さらには、ショートニング性能においても問題
があった。ショートニング性能とは、得られるラインア
ンドスペースパターンにおけるパターンの長手方向の長
さが短くなるという現象である。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、露光
光源として、遠紫外線、特にＡｒＦエキシマレーザー光
を用いた場合、ＰＥＤ安定性及びプロファイルに優れ、
現像欠陥、更にはラインパターン端部（長手方向）のシ
ョートニングの問題を著しく改善したポジ型感光性樹脂
組成物を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、ポジ型化
学増幅系におけるレジスト組成物の構成材料を鋭意検討
した結果、光酸発生剤、特定の樹脂、上記一般式（Ｈ
Ｉ）で表される部分構造を分子内に少なくとも一つ有す
る含窒素化合物を組み合わせることによって目的が達成
されることを見出し本発明に至った。即ち、上記目的は
下記構成によって達成される。

【００１５】(１)（Ａ）活性光線又は放射線の照射によ
り酸を発生する化合物、（Ｂ１）下記一般式（Ｉ）で示
される繰り返し構造単位、一般式（II）で示される繰り
返し構造単位、及び一般式（III）で示される繰り返し
構造を含み、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶
解速度が増加する樹脂、及び、（Ｃ）下記一般式（Ｈ
Ｉ）で表される部分構造を分子内に少なくとも一つ有す
る含窒素化合物を含有することを特徴とするポジ型感光
性樹脂組成物。

【００１６】

【化１７】

【００１７】

【化１８】

【００１８】

【化１９】

【００１９】

【化２０】

【００２０】一般式（Ｉ）中：Ｒ₁₁〜Ｒ₁₄は、各々独立
に、酸の作用により分解する基、水素原子、ハロゲン原
子、シアノ基、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ₁₅、−Ｃ（＝
Ｏ）−Ｘ−Ａ−Ｒ₁₆、又はアルキル基或いは環状炭化水
素基を表し、且つＲ₁₁〜Ｒ₁₄の内少なくとも１つは酸の
作用により分解する基を表す。また、Ｒ₁₁〜Ｒ₁₄のうち
少なくとも２つが結合して環を形成してもよい。ｎは０
又は１を表す。ここで、Ｒ₁₅は、アルキル基、環状炭化
水素基又は下記の−Ｙ基を表す。Ｘは、酸素原子、硫黄
原子、−ＮＨ−、−ＮＨＳＯ₂−、又は−ＮＨＳＯ₂ＮＨ
−を表す。Ａは、単結合、アルキレン基、シクロアルキ
レン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、
エステル基よりなる群から選択される単独或いは２つ以
上の基の組み合わせを表す。Ｒ₁₆は、−ＣＯＯＨ、−Ｃ
ＯＯＲ₁₅、−ＣＮ、水酸基、アルコキシ基、−ＣＯ−Ｎ
Ｈ−Ｒ₁₇、−ＣＯ−ＮＨ−ＳＯ₂−Ｒ₁₇又は下記の−Ｙ
基を表す。Ｒ₁₇は、アルキル基又は環状炭化水素基を表
す。−Ｙ基；

【００２１】

【化２１】

【００２２】−Ｙ基中、Ｒ₂₁〜Ｒ₃₀は、各々独立に、水
素原子又はアルキル基を表す。ａ、ｂは、１又は２を表
す。 一般式（ＩＩ）中：Ｚ₂は、−Ｏ−又は−Ｎ（Ｒ₄₁）−
を表す。ここでＲ₄₁は、水素原子、水酸基、アルキル
基、ハロアルキル基、又は−ＯＳＯ₂−Ｒ₄₂を表す。Ｒ
₄₂は、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル基
又は樟脳残基を表す。 一般式（ＩＩＩ）中：Ｒ₉₁は、水素原子、低級アルキル
基、ハロゲン原子又は−ＣＮを表す。Ｘ₅は、−Ｏ−、
−Ｓ−、−ＮＲ₉₃−、又は−ＮＲ₉₃ＳＯ₂−を表す。Ｒ
₉₃は、水素原子、鎖状又は環状アルキル基を表す。Ｂ
は、単結合または連結基を表す。Ｒ₉₂は、水素原子、鎖
状又は環状アルキル基、アルコキシ基、水酸基、カルボ
キシ基、シアノ基、−ＣＯＯＲ₉₄、又は下記一般式（Ｉ
Ｖ）〜（Ｘ）のいずれかで表される基を表す。Ｒ₉₄は、
水素原子、または鎖状又は環状アルキル基を表す。

【００２３】

【化２２】

【００２４】 −Ｎ⁺(Ｒ₉₅）(Ｒ₉₆）(Ｒ₉₇）・Ｘ^- （ＶIII） −Ｒ₉₈−Ａ₅₀−Ｒ₉₉ （ＩＸ） −ＳＯ₃Ｒ₁₀₀ （Ｘ）

【００２５】式（IＶ）において、Ｒａ₁、Ｒｂ₁、Ｒ
ｃ₁、Ｒｄ₁、及びＲｅ₁は、各々独立に、水素原子又は
炭素数１〜４のアルキル基を表す。ｍ、ｎは各々独立に
０〜３の整数を表し、ｍ＋ｎは、２以上６以下である。
式（Ｖ−１）〜（Ｖ−４）において、Ｒ_1b〜Ｒ_5bは、各
々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又
はアルケニル基を表す。Ｒ_1b〜Ｒ_5bの内の２つは、結合
して環を形成してもよい。式（ＶII）において、Ｒ_1d〜
Ｒ_8dは、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。
Ｒ_d0は、水素原子、鎖状または環状アルキル基、アリー
ル基又はアラルキル基を表す。ｍは、１〜１０の整数を
表す。式（ＶIII）中、Ｒ₉₅〜Ｒ₉₇は、各々独立に、水
素原子、鎖状または環状アルキル基、アルケニル基、ア
リール基、又はアラルキル基を表す。但し、Ｒ₉₅〜Ｒ ₉₇
は互いに結合して非芳香環、芳香環を形成しても良い。
Ｘ^-は、Ｒ−ＳＯ₃ ^-を表す。Ｒは脂肪族炭化水素基又は
芳香族炭化水素基を表す。式（ＩＸ）中、Ｒ₉₈は、単結
合、アルキレン基、アリーレン基、又はこれらを組み合
わせた２価の基を表す。Ａ₅₀は、下記に示す官能基のい
ずれかを表す。

【００２６】

【化２３】

【００２７】Ｒ₉₉は、水素原子またはアルキル基を表
す。式（Ｘ）中、Ｒ₁₀₀は、鎖状又は環状アルキル基、
アリール基又はアラルキル基を表す。

【００２８】（２）（Ａ）成分の樹脂が、更に下記式
（ＸＩ）で表される繰り返し単位を含有することを特徴
とする（１）に記載のポジ型感光性樹脂組成物。

【００２９】

【化２４】

【００３０】一般式（ＸＩ）中：Ｒ₉₁cは、水素原子、
低級アルキル基、ハロゲン原子又は−ＣＮを表す。Ｘ₅c
は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ₉₃c−、又は−ＮＲ₉₃cＳＯ
₂−を表す。Ｒ₉₃cは、水素原子、鎖状又は環状アルキル
基を表す。Ｂcは、単結合または連結基を表す。Ｒ₉₂cは
下記一般式（ＸＩ’）で表される基を表す。

【００３１】

【化２５】

【００３２】一般式（ＸＩ’）において、Ｒ₂c〜Ｒ₄c
は、各々独立に水素原子又は水酸基を表す。ただし、Ｒ
₂c〜Ｒ₄cのうち少なくとも１つは水酸基を表す。

【００３３】（３）（Ａ）活性光線又は放射線の照射に
より酸を発生する化合物、（Ｂ２）下記一般式（ＮＩ）
で示される繰り返し構造単位、一般式（ＮII）で示され
る繰り返し構造単位、及び一般式（ＮIII）で示される
繰り返し構造を含み、酸の作用によりアルカリ現像液に
対する溶解速度が増加する樹脂、及び（Ｃ）下記一般式
（ＨＩ）で表される部分構造を分子内に少なくとも一つ
有する含窒素化合物を含有することを特徴とするポジ型
感光性樹脂組成物。

【００３４】

【化２６】

【００３５】

【化２７】

【００３６】

【化２８】

【００３７】

【化２９】

【００３８】一般式（ＮＩ）中、Ｒｎ₁〜Ｒｎ₄は、各々
独立に水素原子又はアルキル基を表す。ａは０または１
である。一般式（ＮII）中、Ｒｎ₅は、水素原子又はメ
チル基を表す。Ａｎは、単結合、アルキレン基、シクロ
アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニ
ル基、エステル基よりなる群から選択される単独あるい
は２つ以上の基の組み合わせを表す。Ｗは、−Ｃ（Ｒｎ
ａ）（Ｒｎｂ）（Ｒｎｃ）で表される基あるいは−ＣＨ
（Ｒｎｄ）−Ｏ−Ｒｎｅで表される基を表す。ここで、
Ｒｎａ、Ｒｎｂ、Ｒｎｃは、各々、置換基としてハロゲ
ン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボ
ニル基、アシル基あるいはアシロキシ基を有していても
よい、炭素数１個〜２０個の直鎖状あるいは分岐状アル
キル基又は脂環式炭化水素基を表す。ただし、Ｒｎａと
Ｒｎｂは、互いに結合して共通に結合している炭素原子
とともに脂環式環を形成してもよい。この場合、Ｒｎｃ
は炭素数１〜４のアルキル基である。Ｒｎｄとしては、
水素原子又はアルキル基を表す。Ｒｎｅとしては、置換
基としてハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ア
ルコキシカルボニル基、アシル基あるいはアシロキシ基
を有していてもよい、炭素数１〜２０の直鎖状あるいは
分岐状アルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。一般式
（ＮIII）中、Ｚ₁は、−Ｏ−又は−Ｎ（Ｒｎ₆）−を表
す。ここでＲｎ₆は、水素原子、水酸基、アルキル基、
ハロアルキル基、又は−ＯＳＯ₂−Ｒｎ₇を表す。Ｒｎ₇
は、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル基又
は樟脳残基を表す。

【００３９】（４） 前記（Ｃ）の含窒素化合物が、下
記一般式（ＨＩa）で表される化合物であることを特徴
とする前記（１）〜（３）のいずれかに記載のポジ型感
光性樹脂組成物。

【００４０】

【化３０】

【００４１】一般式（ＨＩａ）において、Ｒａは、水素
原子、アルキル基、アルケニル基またはアリール基を表
す。Ｒｂは、水素原子、アリール基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ
ａ又は−Ｎ＝Ｎ−Ｒａを表す。Ｒａは先のＲａと同意で
ある。ＲａとＲｂとは互いに結合して環を形成してもよ
い。

【００４２】（５） 前記（Ｃ）の含窒素化合物が、下
記一般式（ＨII−１）で表される化合物であることを特
徴とする前記（１）〜（３）のいずれかに記載のポジ型
感光性樹脂組成物。

【００４３】

【化３１】

【００４４】一般式（ＨII−１）において、Ｒは炭素数
１〜２０の一価の有機残基を表す。

【００４５】（６） 前記（Ｃ）の含窒素化合物が、下
記一般式（ＨII−２）で表される化合物であることを特
徴とする前記（１）〜（３）に記載のポジ型感光性樹脂
組成物。

【００４６】

【化３２】

【００４７】［一般式（ＨII−２）においてＲ₁〜Ｒ₁₀
は、同一または異なり、水素原子、水酸基、ハロゲン原
子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アルコキシ基、
ヒドロキシアルキル基、シクロアルキル基、又はアリー
ル基を表す。］ （７）２２０ｎｍ以下の波長の遠紫外光による露光用組
成物であることを特徴とする前記（１）〜（６）のいず
れかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。

【００４８】また、以下の態様が好ましい。 （８）分子量が２０００以下であって、酸の作用により
分解し得る基を有し、アルカリ溶解性が酸の作用により
増大する低分子酸分解性化合物をさらに含有することを
特徴とする前記（１）〜（７）のいずれかに記載のポジ
型感光性樹脂組成物。

【００４９】（９）（Ｄ）含窒素塩基性化合物をさらに
含有することを特徴とする前記（１）〜（８）のいずれ
かに記載のポジ型感光性樹脂組成物。 （１０） （Ｅ）フッ素系及び／又はシリコン系界面活
性剤をさらに含有することを特徴とする前記（１）〜
（９）のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。

【００５０】

【発明の実施の形態】以下、本発明に使用する化合物に
ついて詳細に説明する。

【００５１】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸
を発生する化合物 本発明の組成物は、（Ａ）活性光線又は放射線の照射に
より酸を発生する化合物（光酸発生剤）を含有する。

【００５２】光酸発生剤としては、光カチオン重合の光
開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色
剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用され
ている公知の光（４００〜２００ｎｍの紫外線、遠紫外
線、特に好ましくは、ｇ線、ｈ線、ｉ線、ＫｒＦエキシ
マレーザー光）、ＡｒＦエキシマレーザー光、電子線、
Ｘ線、分子線又はイオンビームにより酸を発生する化合
物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することが
できる。

【００５３】また、その他の本発明に用いられる光酸発
生剤としては、たとえばジアゾニウム塩、アンモニウム
塩、ホスホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニウム
塩、セレノニウム塩、アルソニウム塩等のオニウム塩、
有機ハロゲン化合物、有機金属／有機ハロゲン化物、ｏ
−ニトロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、イミノ
スルフォネ−ト等に代表される光分解してスルホン酸を
発生する化合物、ジスルホン化合物、ジアゾケトスルホ
ン、ジアゾジスルホン化合物等を挙げることができる。
また、これらの光により酸を発生する基、あるいは化合
物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物を用いる
ことができる。

【００５４】さらにV.N.R.Pillai,Synthesis,(1),1(198
0)、A.Abad etal,Tetrahedron Lett.,(47)4555(1971)、
D.H.R.Barton etal,J.Chem.Soc.,(C),329(1970)、米国
特許第3,779,778号、欧州特許第126,712号等に記載の光
により酸を発生する化合物も使用することができる。

【００５５】上記併用可能な酸を発生する化合物の中
で、特に有効に用いられるものについて以下に説明す
る。 （１）トリハロメチル基が置換した下記一般式（ＰＡＧ
１）で表されるオキサゾール誘導体又は一般式（ＰＡＧ
２）で表されるＳ−トリアジン誘導体。

【００５６】

【化３３】

【００５７】式中、Ｒ²⁰¹は置換もしくは未置換のアリ
ール基、アルケニル基、Ｒ²⁰²は置換もしくは未置換の
アリール基、アルケニル基、アルキル基、−Ｃ（Ｙ）₃
をしめす。Ｙは塩素原子又は臭素原子を示す。具体的に
は以下の化合物を挙げることができるがこれらに限定さ
れるものではない。

【００５８】

【化３４】

【００５９】（２）下記の一般式（ＰＡＧ３）で表され
るヨードニウム塩、又は一般式（ＰＡＧ４）で表される
スルホニウム塩。

【００６０】

【化３５】

【００６１】ここで式Ａｒ¹、Ａｒ²は、各々独立に、置
換もしくは未置換のアリール基を示す。Ｒ²⁰³、Ｒ²⁰⁴、
Ｒ²⁰⁵は、各々独立に、置換もしくは未置換のアルキル
基、アリール基を示す。

【００６２】Ｚ^-は、対アニオンを示し、例えばＢ
Ｆ₄ ^-、ＡｓＦ₆ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＳｂＦ₆ ^-、ＳｉＦ₆ ^2-、Ｃｌ
Ｏ₄ ^-、ＣＦ₃ＳＯ₃ ^-等のパーフルオロアルカンスルホン
酸アニオン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオ
ン、ナフタレン−１−スルホン酸アニオン等の縮合多核
芳香族スルホン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸
アニオン、スルホン酸基含有染料等を挙げることがで
きるがこれらに限定されるものではない。

【００６３】またＲ²⁰³、Ｒ²⁰⁴、Ｒ²⁰⁵のうちの２つ及
びＡｒ¹、Ａｒ²はそれぞれの単結合又は置換基を介して
結合してもよい。

【００６４】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。

【００６５】

【化３６】

【００６６】

【化３７】

【００６７】

【化３８】

【００６８】

【化３９】

【００６９】

【化４０】

【００７０】

【化４１】

【００７１】

【化４２】

【００７２】

【化４３】

【００７３】

【化４４】

【００７４】上記において、Ｐｈはフェニル基を表す。
一般式（ＰＡＧ３）、（ＰＡＧ４）で示される上記オニ
ウム塩は公知であり、例えば、米国特許第2,807,648 号
及び同4,247,473号、特開昭53-101,331号等に記載の方
法により合成することができる。

【００７５】（３）下記一般式（ＰＡＧ５）で表される
ジスルホン誘導体又は一般式（ＰＡＧ６）で表されるイ
ミノスルホネート誘導体。

【００７６】

【化４５】

【００７７】式中、Ａｒ³、Ａｒ⁴は、各々独立に、置換
もしくは未置換のアリール基を示す。Ｒ²⁰⁶は置換もし
くは未置換のアルキル基、アリール基を示す。Ａは置換
もしくは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリ
ーレン基を示す。具体例としては以下に示す化合物が挙
げられるが、これらに限定されるものではない。

【００７８】

【化４６】

【００７９】

【化４７】

【００８０】

【化４８】

【００８１】

【化４９】

【００８２】

【化５０】

【００８３】（４）下記一般式（ＰＡＧ７）で表される
ジアゾジスルホン誘導体。

【００８４】

【化５１】

【００８５】ここでＲは、直鎖、分岐又は環状アルキル
基、あるいは置換していてもよいアリール基を表す。具
体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、これら
に限定されるものではない。

【００８６】

【化５２】

【００８７】

【化５３】

【００８８】光酸発生剤の添加量は、組成物中の固形分
を基準として、通常０．００１〜３０重量％の範囲で用
いられ、好ましくは０．３〜２０重量％、更に好ましく
は０．５〜１０重量％の範囲で使用される。光酸発生剤
の添加量が、０．００１重量％より少ないと感度が低く
なり、また添加量が３０重量％より多いとレジストの光
吸収が高くなりすぎ、プロファイルの悪化や、プロセス
（特にベーク）マージンが狭くなり好ましくない。

【００８９】（Ｂ１）酸分解性樹脂 上記一般式（Ｉ）で示される繰り返し構造単位、上記一
般式（II）で示される繰り返し構造単位、及び上記一般
式（III）で示される繰り返し構造を含み、酸の作用に
よりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂
(以下、樹脂（Ｂ１）)について説明する。

【００９０】上記一般式（Ｉ）に於いて、Ｒ₁₁〜Ｒ
₁₄は、各々独立に、酸の作用により分解する基、水素原
子、ハロゲン原子、シアノ基、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ
₁₅、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ−Ａ−Ｒ₁₆、又はアルキル基或い
は環状炭化水素基を表し、且つＲ ₁₁〜Ｒ₁₄の内少なくと
も１つは酸の作用により分解する基を表す。また、Ｒ₁₁
〜Ｒ₁₄のうち少なくとも２つが結合して環を形成しても
よい。ｎは０又は１を表す。ここで、Ｒ₁₅は、アルキル
基、環状炭化水素基又は上記の−Ｙ基を表す。Ｘは、酸
素原子、硫黄原子、−ＮＨ−、−ＮＨＳＯ₂−、又は−
ＮＨＳＯ₂ＮＨ−を表す。Ａは、単結合、アルキレン
基、シクロアルキレン基、エーテル基、チオエーテル
基、カルボニル基、エステル基よりなる群から選択され
る単独或いは２つ以上の基の組み合わせを表す。Ｒ
₁₆は、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ₁₅、−ＣＮ、水酸基、ア
ルコキシ基、−ＣＯ−ＮＨ−Ｒ₁₇、−ＣＯ−ＮＨ−ＳＯ
₂−Ｒ₁₇又は上記の−Ｙ基を表す。Ｒ₁₇は、アルキル基
又は環状炭化水素基を表す。上記の−Ｙ基に於いて、Ｒ
₂₁〜Ｒ₃₀は、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表
す。ａ、ｂは、１又は２を表す。

【００９１】酸の作用により分解する基の構造として
は、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ₁−Ｒ_p で表される。式中、Ｒ_p
としては、ｔ−ブチル基、ｔ−アミル基等の３級アルキ
ル基、イソボロニル基、１−エトキシエチル基、１−ブ
トキシエチル基、１−イソブトキシエチル基、１−シク
ロヘキシロキシエチル基等の１−アルコキシエチル基、
１−メトキシメチル基、１−エトキシメチル基等のアル
コキシメチル基、３−オキソアルキル基、テトラヒドロ
ピラニル基、テトラヒドロフラニル基、トリアルキルシ
リルエステル基、３−オキソシクロヘキシルエステル
基、２−メチル−２−アダマンチル基、メバロニックラ
クトン残基、２−（γ−ブチロラクトニルオキシカルボ
ニル）−２−プロピル基等を挙げることができる。Ｘ₁
は、酸素原子、硫黄原子、−ＮＨ−、−ＮＨＳＯ₂ −又
は−ＮＨＳＯ₂ ＮＨ−を表す。

【００９２】上記Ｒ₁₁〜Ｒ₁₄におけるハロゲン原子とし
ては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を
挙げることができる。上記Ｒ₁₁〜Ｒ₁₄におけるアルキル
基としては、炭素数１〜１０個の直鎖状あるいは分岐状
アルキル基が好ましく、より好ましくは炭素数１〜６個
の直鎖状あるいは分岐状アルキル基であり、更に好まし
くはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、
ｔ−ブチル基である。上記Ｒ₁₁〜Ｒ₁₄における環状炭化
水素基としては、例えば環状アルキル基、有橋式炭化水
素であり、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シク
ロヘキシル基、アダマンチル基、２−メチル−２−アダ
マンチル基、ノルボルニル基、ボロニル基、イソボロニ
ル基、トリシクロデカニル基、ジシクロペンテニル基、
ノボルナンエポキシ基、メンチル基、イソメンチル基、
ネオメンチル基、テトラシクロドデカニル基等を挙げる
ことができる。

【００９３】上記Ｒ₁₁〜Ｒ₁₄のうち少なくとも２つが結
合して形成する環としては、シクロペンテン、シクロヘ
キセン、シクロヘプタン、シクロオクタン等の炭素数５
〜１２の環が挙げられる。上記Ｒ₁₆におけるアルコキシ
基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、
ブトキシ基等の炭素数１〜４個のものを挙げることがで
きる。上記各々のアルキル基、環状炭化水素基、アルコ
キシ基は、更に置換基を有していてもよく、置換基とし
て、例えば、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、ハロ
ゲン原子（例えば塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃
素原子等）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜４、
例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基等）、アシル基（例えばホルミル基、アセチル基
等）、アシルオキシ基（例えばアセトキシ基等）等を挙
げることができる。

【００９４】上記Ａにおけるアルキレン基としては、下
記式で表される基を挙げることができる。 −〔Ｃ（Ｒ_b )(Ｒ_c ）〕_r − 式中、Ｒ_b 、Ｒ_c は、水素原子、アルキル基、置換アル
キル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表し、
両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ま
しくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基から選択される。置換アルキル基の置換基としては、
水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基（好ましくは炭素
数１〜４）を挙げることができる。アルコキシ基として
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等の炭素数１〜４個のものを挙げることができる。ハ
ロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原
子、沃素原子等を挙げることができる。ｒは１〜１０の
整数を表す。

【００９５】上記−Ｙ基に於いて、Ｒ₂₁〜Ｒ₃₀は、各々
独立に、水素原子又はアルキル基を表す。ａ、ｂは、１
又は２を表す。上記Ｒ₂₁〜Ｒ₃₀に於けるアルキル基とし
ては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基、ブチル基等を挙げることができる。Ｒ₂₁〜Ｒ
₃₀としてのアルキル基は置換基を有していてもよい。こ
の置換基としては、例えば、水酸基、カルボキシル基、
シアノ基、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原
子、フッソ素原子、沃素原子）、アルコキシ基（好まし
くは炭素数１〜４、例えばメトキシ基、エトキシ基、プ
ロポキシ基、ブトキシ基等）、アシル基（好ましくは炭
素数２〜５、例えば、ホルミル基、アセチル基等）、ア
シルオキシ基（好ましくは炭素数２〜５、例えばアセト
キシ基）、アリール基（好ましくは炭素数６〜１４、例
えばフェニル基）等を挙げることができる。

【００９６】上記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位
の具体例として次の下記のものが挙げられるが、本発明
はこれらの具体例に限定されるものではない。

【００９７】

【化５４】

【００９８】

【化５５】

【００９９】上記一般式（ＩＩ）に於いて、Ｚ₂は、−
Ｏ−又は−Ｎ（Ｒ₄₁）−を表す。ここでＲ₄₁は、水素原
子、水酸基、アルキル基、ハロアルキル基、又は−ＯＳ
Ｏ₂−Ｒ₄₂を表す。Ｒ₄₂は、アルキル基、ハロアルキル
基、シクロアルキル基又は樟脳残基を表す。

【０１００】上記Ｒ₄₁及びＲ₄₂におけるアルキル基とし
ては、炭素数１〜１０個の直鎖状あるいは分岐状アルキ
ル基が好ましく、より好ましくは炭素数１〜６個の直鎖
状あるいは分岐状アルキル基であり、更に好ましくはメ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチ
ル基である。上記Ｒ₄₁及びＲ₄₂ におけるハロアルキル
基としてはトリフルオロメチル基、ナノフルオロブチル
基、ペンタデカフルオロオクチル基、トリクロロメチル
基等を挙げることができる。上記Ｒ₄₂ におけるシクロ
アルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシ
ル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。

【０１０１】Ｒ₄₁及びＲ₄₂としてのアルキル基及びハロ
アルキル基、Ｒ₄₂としてのシクロアルキル基又は樟脳残
基は置換基を有していてもよい。このような置換基とし
ては、例えば、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、ハ
ロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、フッソ素原
子、沃素原子）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜
４、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブ
トキシ基等）、アシル基（好ましくは炭素数２〜５、例
えば、ホルミル基、アセチル基等）、アシルオキシ基
（好ましくは炭素数２〜５、例えばアセトキシ基）、ア
リール基（好ましくは炭素数６〜１４、例えばフェニル
基）等を挙げることができる。

【０１０２】上記一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単
位の具体例として次の［Ｉ'−１］〜［Ｉ'−７］が挙げ
られるが、本発明はこれらの具体例に限定されるもので
はない。

【０１０３】

【化５６】

【０１０４】

【化５７】

【０１０５】次に、一般式（III）で表される繰り返し
単位について説明する。式（III）において、Ｒ₉₁は、
水素原子、低級アルキル基、ハロゲン原子、又はシアノ
基を表す。Ｒ₉₁の低級アルキル基としては、炭素数１〜
５のものが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、ペンチル基などが挙げられる。この低級
アルキル基は、更に置換基を有していてもよい。このよ
うな置換基としては、例えば、水酸基、カルボキシル
基、シアノ基、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素
原子、フッソ素原子、沃素原子）、アルコキシ基（好ま
しくは炭素数１〜４、例えばメトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基、ブトキシ基等）、アシル基（好ましくは
炭素数２〜５、例えば、ホルミル基、アセチル基等）、
アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜５、例えばアセ
トキシ基）、アリール基（好ましくは炭素数６〜１４、
例えばフェニル基）等を挙げることができる。

【０１０６】Ｘ₅は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ₉₃−、又
は−ＮＲ₉₃ＳＯ₂−を表す。Ｒ₉₃は、水素原子、鎖状又
は環状アルキル基を表す。Ｒ₉₃としての鎖状アルキル基
としては、低級アルキル基であり、炭素数１〜５のもの
が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基などが挙げられる。環状アルキル基とし
ては、例えば炭素数３〜１２のものが挙げられる。これ
らは更に置換基を有していてもよく、置換基としては、
例えば、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、ハロゲン
原子（例えば、塩素原子、臭素原子、フッソ素原子、沃
素原子）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜４、例
えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等）、アシル基（好ましくは炭素数２〜５、例えば、
ホルミル基、アセチル基等）、アシルオキシ基（好まし
くは炭素数２〜５、例えばアセトキシ基）、アリール基
（好ましくは炭素数６〜１４、例えばフェニル基）等を
挙げることができる。

【０１０７】Ｂは、単結合または連結基を表す。Ｂの連
結基としては、例えばアルキレン基、シクロアルキレン
基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エス
テル基よりなる群から選択される単独或いは２つ以上の
基の組み合わせを挙げることができる。Ｂのシクロアル
キレン基としては、好ましくは炭素数３〜１０のものが
挙げられ、例えばシクロペンチレン基、シクロヘキシレ
ン基、シクロオクチレン基を挙げることができる。Ｂの
アルキレン基としては、下記式で表される基を挙げるこ
とができる。 −〔Ｃ（Ｒ_X )(Ｒ_Y ）〕_Z − Ｒx及びＲyは、各々独立に、水素原子、水酸基、ハロゲ
ン原子、置換基を有していても良い、鎖状又は環状アル
キル基、アルコキシ基、アルケニル基、アリール基、又
はアラルキル基を表す。但し、Ｒx及びＲyは互いに結合
して環状アルキル環を形成しても良い。Ｒx又はＲyの鎖
状アルキル基としては、直鎖状あるいは分岐状のアルキ
ル基が挙げられ、置換基を有していてもよい。直鎖状、
分岐状のアルキル基としては、炭素数１〜１２個の直鎖
状あるいは分岐状アルキル基が好ましく、より好ましく
は炭素数１〜１０個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基
であり、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ
ｅｃ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシ
ル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基で
ある。環状のアルキル基としては、炭素数３〜３０個の
ものが挙げられ、酸素原子、窒素原子等のヘテロ原子を
含んでいてもよい。具体的には、シクロプロピル基、シ
クロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、
ノルボルニル基、ボロニル基、トリシクロデカニル基、
ジシクロペンテニル基、ノボルナンエポキシ基、メンチ
ル基、イソメンチル基、ネオメンチル基、テトラシクロ
ドデカニル基、ステロイド残基、テトラヒドロピラニル
基、モルホリノ基等を挙げることができる。アルコキシ
基としては、一般的には炭素数１〜１２個、好ましくは
炭素数１〜１０個、更に好ましくは１〜４個のものが挙
げられ、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基等を挙げることができる。アルケニル基
としては、炭素数２〜６個のアルケニル基が挙げられ、
置換基を有していてもよい。具体的にはビニル基、プロ
ペニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキ
セニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、
３−オキソシクロヘキセニル基、３−オキソシクロペン
テニル基、３−オキソインデニル基等が挙げられる。こ
れらのうち環状のアルケニル基は酸素原子を含んでいて
もよい。アリール基としては、炭素数６〜１０個のもの
が挙げられ、置換基を有していてもよい。具体的にはフ
ェニル基、トリル基、ナフチル基等が挙げられる。アラ
ルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、ナフチ
ルメチル基、ナフチルエチル基、メシチルメチル基を挙
げることができる。上記鎖状又は環状アルキル基、アル
コキシ基、アルケニル基、アリール基、又はアラルキル
基が有していてもよい置換基としては、例えば、カルボ
キシル基、シアノ基、水酸基、ハロゲン原子（塩素原
子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等）、アルコキシ
基（好ましくは炭素数１〜４、例えばメトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基）、アセチルアミド
基、アルコキシカルボニル基、アシル基（好ましくは炭
素数２〜１０、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロ
ピオニル基）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜
１０、例えばアセトキシ基）、アリール基（好ましくは
炭素数６〜１４、例えばフェニル基）が挙げられる。Ｒ
x又はＲyとしてアリール基又はアラルキル基について
は、置換基として、更にアルキル基（好ましくは炭素数
１〜５、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソ
プロピル基、ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチ
ル基、シクロペンチル基等）を有していてもよい。この
置換基としてのアルキル基は、更に水酸基、ハロゲン原
子、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜４、例えばメ
トキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基）等
の置換基を有していてもよい。Ｚは１〜１０の整数であ
り、好ましくは、１〜４である。

【０１０８】Ｒ₉₂は、水素原子、鎖状又は環状アルキル
基、アルコキシ基、水酸基、カルボキシ基、シアノ基、
−ＣＯＯＲ₉₄、又は上記一般式（ＩＶ）〜（Ｘ）のいず
れかで表される基を表す。Ｒ₉₂及びＲ₉₄としての鎖状ア
ルキル基としては、一般的には炭素数１〜３０、好まし
くは６〜２０のものが挙げられる。例えば、メチル基、
エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル
基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ペンチル基、ネ
オペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、
ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリ
デシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデ
シル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル
基、エイコシル基等を挙げることができる。Ｒ₉₂及びＲ
₉₄としての環状アルキル基としては、一般的に炭素数３
〜４０、好ましくは６〜２０のものが挙げられる。例え
ば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキ
シル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボロニル
基、トリシクロデカニル基、ジシクロペンテニル基、ノ
ボルナンエポキシ基、メンチル基、イソメンチル基、ネ
オメンチル基、テトラシクロドデカニル基、ステロイド
残基、テトラヒドロピラニル基、モルホリノ基等を挙げ
ることができる。

【０１０９】Ｒ₉₂及びＲ₉₄としての鎖状アルキル基は置
換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、水
酸基、カルボキシル基、シアノ基、ハロゲン原子（例え
ば、塩素原子、臭素原子、フッソ素原子、沃素原子）、
アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜４、例えばメトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等）、ア
ルコキシカルボニル基、アシル基（好ましくは炭素数２
〜５、例えば、ホルミル基、アセチル基等）、アシルオ
キシ基（好ましくは炭素数２〜５、例えばアセトキシ
基）、アリール基（好ましくは炭素数６〜１４、例えば
フェニル基）、アセチルアミド基等を挙げることができ
る。ここでアルコキシカルボニル基におけるアルコキシ
基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基、ブトキシ基等の炭素数１〜４個のものを挙げるこ
とができる。Ｒ₉₂及びＲ₉₄としての環状アルキル基は、
置換基として、カルボキシル基、シアノ基、ハロゲン原
子（塩素原子、臭素原子、フッソ素原子、沃素原子）、
アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜４、例えばメトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等）、ア
ルコキシカルボニル基、アシル基（好ましくは炭素数２
〜５、例えば、ホルミル基、アセチル基等）、アシルオ
キシ基（好ましくは炭素数２〜５、例えばアセトキシ
基）、アリール基（好ましくは炭素数６〜１４、例えば
フェニル基）、アセチルアミド基を有していてもよい。
ここでアルコキシカルボニル基におけるアルコキシ基と
しては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基等の炭素数１〜４個のものを挙げること
ができる。

【０１１０】Ｒ₉₂が環状アルキル基である上記一般式
（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位として、下記の一般
式（ＩＩＩａ）又は上記一般式（ＩＩＩｂ）で表される
繰り返し単位が好ましい。

【０１１１】

【化５８】

【０１１２】一般式（ＩＩＩａ）及び一般式（ＩＩＩ
ｂ）中、Ｒ₀は、水素原子、低級アルキル基、ハロゲン
原子、シアノ基を表す。Ｒ₆₁及びＲ₆₂は、低級アルキル
基を表す。Ｒ₆₃〜Ｒ₆₈は、各々独立に水素原子、低級ア
ルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を表す。
Ｒ₆₃とＲ₆₄或いはＲ₆₅とＲ₆₆は、一緒になってカルボニ
ル基を形成してもよい。Ｒ₆₃とＲ₆₅は、連結してアルキ
レン鎖を形成してもよい。ｋ及びｌは、２〜５の整数で
ある。

【０１１３】上記一般式（ＩＩＩａ）及び（ＩＩＩｂ）
で表される繰り返し単位においては、Ｒ₆₁が結合してい
る３級炭素原子の存在により酸分解性を示す。Ｒ₀は好
ましくは水素原子である。Ｒ₀、Ｒ₆₁〜Ｒ₆₈としての低
級アルキル基は、炭素数１〜６であり、好ましくは炭素
数１〜４である。具体例として、例えば、メチル基、エ
チル基、直鎖又は分岐プロピル基、直鎖又は分岐ブチル
基を挙げることができる。Ｒ₆₃〜Ｒ₆₈としての低級アル
コキシ基は、炭素数１〜６であり、好ましくは炭素数１
〜４である。具体例として、例えば、メトキシ基、エト
キシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブト
キシ基を挙げることができる。Ｒ₀、Ｒ₆₁〜Ｒ₆₈として
の低級アルキル基及びＲ₆₃〜Ｒ₆₈としての低級アルコキ
シ基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、
例えば、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、メトキ
シ基、エトキシ基等のアルコキシ基（好ましくは炭素数
１〜３）等を挙げることができる。

【０１１４】Ｒ₆₃とＲ₆₄、又はＲ₆₅とＲ₆₆とは、一緒に
なってカルボニル基を形成してもよい。ｋとｌは、好ま
しくは２〜４、更に好ましくは２又は３である。Ｒ₆₃と
Ｒ₆₅とが連結して形成してもよいアルキレン鎖として
は、メチレン鎖、エチレン鎖、プロピレン鎖等好ましく
は炭素数３以下である。

【０１１５】Ｒ₉₂のアルコキシ基としては、一般的には
炭素数１〜３０、好ましくは３〜２０、更に好ましくは
４〜１５のものであり、例えば、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基等を挙げることができ
る。Ｒ₉₂のアルコキシ基は、更に置換基を有していても
よく、置換基としては、例えば、Ｒ₉₂としての鎖状又は
環状アルキル基への置換基として説明したものと同様で
ある。

【０１１６】以下、Ｒ₉₂がアルキル基、アルコキシ基、
水素原子である一般式（III)で表される繰り返し単位、
及び一般式（ＩＩＩａ）及び一般式（ＩＩＩｂ）で表さ
れる繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定さ
れるものではない。

【０１１７】

【化５９】

【０１１８】

【化６０】

【０１１９】

【化６１】

【０１２０】

【化６２】

【０１２１】

【化６３】

【０１２２】

【化６４】

【０１２３】＊）括弧内の基の数が異なる単位の混合で
あり、平均で括弧内の基を１．４個有していることを表
す。

【０１２４】さらに、式（III）におけるＲ₉₂が下記の
一般式（ＩＶ）で表される構造である繰り返し構造単位
について説明する。

【０１２５】

【化６５】

【０１２６】Ｒａ₁，Ｒｂ₁，Ｒｃ₁，Ｒｄ₁，Ｒｅ₁は各
々独立に、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表
す。ｍ，ｎは各々独立に０〜３の整数を表し、ｍ＋ｎ
は、２以上６以下である。Ｒａ₁〜Ｒｅ₁の炭素数１〜４
のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ
ｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基等を挙げることができ
る。これらのアルキル基はアルコキシ基（好ましくは炭
素数１〜４）などの置換基で置換されていてもよい。

【０１２７】以下、一般式（IV）の構造を有する繰り返
し構造単位の具体例を示すが、これらに限定されるもの
ではない。

【０１２８】

【化６６】

【０１２９】

【化６７】

【０１３０】

【化６８】

【０１３１】上記一般式（ＩＶ）の構造を有する繰り返
し単位の具体例において、露光マージンがより良好にな
るという点から（ＩＶ−１７）〜（ＩＶ−３６）が好ま
しい。更に一般式（ＩＶ）の構造としては、エッジラフ
ネスが良好になるという点からアクリレート構造を有す
るものが好ましい。

【０１３２】さらに下記の一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−
４）のいずれかで表される基を有する繰り返し単位構造
について説明する。

【０１３３】

【化６９】

【０１３４】一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−４）において、
Ｒ_1b〜Ｒ_5bは、各々独立に水素原子、アルキル基、シク
ロアルキル基又はアルケニル基を表す。Ｒ_1b〜Ｒ_5bの内
の２つは、結合して環を形成してもよい。

【０１３５】一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−４）において、
Ｒ_1b〜Ｒ_5bにおけるアルキル基としては、直鎖状、分岐
状のアルキル基が挙げられる。直鎖状、分岐状のアルキ
ル基としては、炭素数１〜１２個の直鎖状あるいは分岐
状アルキル基が好ましく、より好ましくは炭素数１〜１
０個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基であり、更に好
ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル
基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル
基、オクチル基、ノニル基、デシル基である。Ｒ_1b〜Ｒ
_5bにおけるシクロアルキル基としては、シクロプロピル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプ
チル基、シクロオクチル基等の炭素数３〜８個のものが
好ましい。Ｒ_1b〜Ｒ_5bにおけるアルケニル基としては、
例えばビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニ
ル基等の炭素数２〜６個のものが好ましい。また、Ｒ_1b
〜Ｒ_5bの内の２つが結合して形成する環としては、シク
ロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シ
クロヘキサン環、シクロオクタン環等の３〜８員環が挙
げられる。

【０１３６】また、Ｒ_1b〜Ｒ_5bとしてのアルキル基、シ
クロアルキル基、アルケニル基及びＲ_1b〜Ｒ_5bの内の２
つが結合して形成する環は、それぞれ置換基を有してい
てもよい。好ましい置換基としては、水酸基、カルボキ
シ基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子（フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、炭素数１〜４
個のアルコキシ基、炭素数２〜５個のアルコキシカルボ
ニル基、炭素数２〜５個のアシル基、炭素数２〜５個の
アシロキシ基等を挙げることができる。なお、一般式
（Ｖ−１）〜（Ｖ−４）におけるＲ_1b〜Ｒ_5bは、環状骨
格を構成している炭素原子のいずれに連結していてもよ
い。

【０１３７】一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−４）で表される
基を有する繰り返し単位として好ましいものとして、下
記一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位が挙げられ
る。

【０１３８】

【化７０】

【０１３９】一般式（ＡＩ）中、Ｒ_b0は、水素原子、ハ
ロゲン原子、又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ
_b0のアルキル基は置換基を有していてもよく、好ましい
置換基としては、前記一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−４）に
おけるＲ_1bとしてのアルキル基が有していてもよい好ま
しい置換基として先に例示したものが挙げられる。Ｒ_b0
のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素
原子、沃素原子を挙げることができる。Ｒ_b0は水素原子
が好ましい。Ｂ₂は、一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−４）の
うちのいずれかで示される基を表す。Ａ’は、式（II
I）におけるＢの定義と同様である。Ａ’において、該
組み合わせた２価の基としては、例えば下記式のものが
挙げられる。

【０１４０】

【化７１】

【０１４１】上記式において、Ｒab、Ｒbbは、水素原
子、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸
基、アルコキシ基を表し、両者は同一でも異なっていて
もよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル
基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基から選択される。置換アルキ
ル基の置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、炭素数
１〜４のアルコキシ基を挙げることができる。アルコキ
シ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基等の炭素数１〜４個のものを挙げること
ができる。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原
子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。ｒ
１は１〜１０の整数、好ましくは１〜４の整数を表す。
ｍは１〜３の整数、好ましくは１又は２を表す。

【０１４２】以下に、一般式（ＡＩ）で表される繰り返
し単位の具体例を挙げるが、本発明の内容がこれらに限
定されるものではない。

【０１４３】

【化７２】

【０１４４】

【化７３】

【０１４５】

【化７４】

【０１４６】

【化７５】

【０１４７】

【化７６】

【０１４８】

【化７７】

【０１４９】

【化７８】

【０１５０】次に、下記の一般式（ＶＩ）で表される構
造を有する繰り返し構造単位について説明する。

【０１５１】

【化７９】

【０１５２】Ｚを含む有橋式脂環式環は、置換基を有し
ていてもよい。置換基としては、例えば、カルボキシル
基、水酸基、ハロゲン原子、アルキル基（好ましくは炭
素数１〜４）、アルコキシ基(好ましくは炭素数１〜
４)、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜
５）、アシル基（例えば、ホルミル基、ベンゾイル
基）、アシロキシ基（例えば、プロピルカルボニルオキ
シ基、ベンゾイルオキシ基）、アルキルスルホニルスル
ファモイル基（-ＣＯＮＨＳＯ₂ＣＨ₃等）が挙げられ
る。尚、置換基としてのアルキル基は、更に水酸基、ハ
ロゲン原子、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜４）
等で置換されていてもよい。

【０１５３】一般式（III）におけるＢは、一般式（Ｖ
Ｉ）におけるＺを含む有橋式脂環式環構造を構成する炭
素原子のいずれの位置で結合してもよい。

【０１５４】以下に、一般式（ＶＩ）で表される構造を
有する繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定
されるものではない。

【０１５５】

【化８０】

【０１５６】

【化８１】

【０１５７】さらに、式（III）におけるＲ₉₂が下記の
一般式（ＶII）で表される構造を有する繰り返し構造単
位について説明する。

【０１５８】

【化８２】

【０１５９】一般式（ＶII）において、Ｒ_1d〜Ｒ_8dは、
各々独立に、水素原子または鎖状アルキル基を表す。Ｒ
_d0は、水素原子あるいは、鎖状又は環状アルキル基、ア
リール基又はアラルキル基を表す。ｍは、１〜１０の整
数を表す。

【０１６０】一般式（ＶII）におけるＲ_1d〜Ｒ_8d、Ｒ_d0
の鎖状アルキル基としては、直鎖状、分岐状あるいは環
状のアルキル基が挙げられ、置換基を有していてもよ
い。直鎖状、分岐状のアルキル基としては、炭素数１〜
１２個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基が好ましく、
より好ましくは炭素数１〜１０個の直鎖状あるいは分岐
状アルキル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソ
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、
デシル基である。Ｒ_d0の環状のアルキル基としては、炭
素数３〜３０個のものが挙げられ、具体的には、シクロ
プロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ア
ダマンチル基、ノルボルニル基、ボロニル基、トリシク
ロデカニル基、ジシクロペンテニル基、ノボルナンエポ
キシ基、メンチル基、イソメンチル基、ネオメンチル
基、テトラシクロドデカニル基、ステロイド残基等を挙
げることができる。

【０１６１】Ｒ_d0のアリール基としては、炭素数６〜２
０個のものが挙げられ、置換基を有していてもよい。具
体的にはフェニル基、トリル基、ナフチル基等が挙げら
れる。Ｒ_d0のアラルキル基としては、炭素数７〜２０個
のものが挙げられ、置換基を有していてもよい。ベンジ
ル基、フェネチル基、クミル基等が挙げられる。本発明
において、Ｒ_1d〜Ｒ_8dとしては、水素原子、メチル基が
好ましい。Ｒ_d0としては、水素原子、炭素数１〜４個の
アルキル基が好ましい。ｍは、１〜６が好ましい。

【０１６２】上記鎖状又は環状アルキル基、アリール
基、アラルキル基、アルキレン基、環状アルキレン基、
アリーレン基における更なる置換基としては、カルボキ
シル基、シアノ基、水酸基、ハロゲン原子（例えば塩素
原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等）、アルキル
基、置換アルキル基、アルコキシ基（好ましくは炭素数
１〜４、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基等）、アルコキシカルボニル基、アシル
基、アシルオキシ基（例えばアセトキシ基）、アセチル
アミド基が挙げられる。ここでアルキル基としては、メ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチ
ル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペン
チル基等の低級アルキル基を挙げることができる。置換
アルキル基の置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、
アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜４）を挙げること
ができる。

【０１６３】以下に、一般式（ＶII）で表される構造を
有する繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定
されるものではない。

【０１６４】

【化８３】

【０１６５】

【化８４】

【０１６６】

【化８５】

【０１６７】

【化８６】

【０１６８】

【化８７】

【０１６９】

【化８８】

【０１７０】次に、式（III）におけるＲ₉₂が下記の一
般式（ＶIII）で表される構造を有する繰り返し構造単
位について説明する。 −Ｎ⁺(Ｒ₉₅）(Ｒ₉₆）(Ｒ₉₇）・Ｘ^- （ＶIII）

【０１７１】一般式（ＶIII）中：Ｒ₉₅〜Ｒ₉₇は、各々
独立に、水素原子、鎖状または環状アルキル基、アルケ
ニル基、アリール基、又はアラルキル基を表す。但し、
Ｒ₉₅〜Ｒ₉₇は互いに結合して非芳香環、芳香環を形成し
ても良い。鎖状アルキル基としては、直鎖状あるいは分
岐状のアルキル基が挙げられ、置換基を有していてもよ
い。炭素数１〜１２個の直鎖状あるいは分岐状アルキル
基が好ましく、より好ましくは炭素数１〜１０個の直鎖
状あるいは分岐状アルキル基であり、更に好ましくはメ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ペンチル
基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチ
ル基、ノニル基、デシル基である。

【０１７２】環状のアルキル基としては、炭素数３〜３
０個のものが挙げられ、酸素原子、窒素原子等のヘテロ
原子を含んでいてもよい。具体的には、シクロプロピル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチ
ル基、ノルボルニル基、ボロニル基、トリシクロデカニ
ル基、ジシクロペンテニル基、ノボルナンエポキシ基、
メンチル基、イソメンチル基、ネオメンチル基、テトラ
シクロドデカニル基、ステロイド残基、テトラヒドロピ
ラニル基、モルホリノ基等を挙げることができる。

【０１７３】アルケニル基としては、炭素数２〜６個の
アルケニル基が挙げられ、置換基を有していてもよい。
具体的にはビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニ
ル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、シクロペンテニル
基、シクロヘキセニル基、３−オキソシクロヘキセニル
基、３−オキソシクロペンテニル基、３−オキソインデ
ニル基等が挙げられる。これらのうち環状のアルケニル
基は酸素原子を含んでいてもよい。アリール基として
は、炭素数６〜１０個のものが挙げられ、置換基を有し
ていてもよい。具体的にはフェニル基、トリル基、ナフ
チル基等が挙げられる。

【０１７４】アラルキル基としては、ベンジル基、フェ
ネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、メシ
チルメチル基を挙げることができる。

【０１７５】Ｒ₉₅〜Ｒ₉₇としての鎖状又は環状アルキル
基、アルケニル基、アリール基、又はアラルキル基、及
びＲ₉₅〜Ｒ₉₇が結合して形成してもよい非芳香環、芳香
環が有していてもよい置換基としては、例えば、カルボ
キシル基、シアノ基、水酸基、ハロゲン原子（塩素原
子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等）、アルコキシ
基（好ましくは炭素数１〜４、例えばメトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基）、アセチルアミド
基、アルコキシカルボニル基、アシル基（好ましくは炭
素数２〜１０、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロ
ピオニル基）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜
１０、例えばアセトキシ基）、アリール基（好ましくは
炭素数６〜１４、例えばフェニル基）が挙げられる。Ｒ
₉₅〜Ｒ₉₇としてのアリール基又はアラルキル基及びＲ₉₅
〜Ｒ₉₇が結合して形成してもよい非芳香環、芳香環につ
いては、置換基として、アルキル基（好ましくは炭素数
１〜５、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソ
プロピル基、ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチ
ル基、シクロペンチル基等）を有していてもよい。この
置換基としてのアルキル基は、更に水酸基、ハロゲン原
子、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜４、例えばメ
トキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基）等
の置換基を有していてもよい。

【０１７６】Ｘ^-は、上記のように特定の構造Ｒ−ＳＯ₃
^-を有する。Ｒの脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素
数１〜２０個の直鎖あるいは分岐アルキル基又は環状の
アルキル基であり、置換基を有していてもよい。また、
Ｒの芳香族炭化水素基は、好ましくは炭素数６〜１４の
芳香族基であり、置換基を有していてもよい。

【０１７７】上記のＲのアルキル基としては、置換基を
有してもよい、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−
ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オク
チル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、ドデシル基
等が挙げられ、環状アルキル基としては、置換基を有し
てもよい、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シク
ロオクチル基、シクロドデシル基、アダマンチル基、ノ
ルボルニル基、樟脳基、トリシクロデカニル基、メンチ
ル基等を挙げることができる。芳香族基としては、置換
基を有してもよい、フェニル基、ナフチル基等を挙げる
ことができる。

【０１７８】上記脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基
が有してもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原
子、水酸基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、
樟脳基等が挙げられ、具体的には、メチル基、t-ブチル
基、メトキシ基、エトキシ基、ｔ−ブトキシ基、フッ素
原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基、水酸基、メトキ
シカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシ
カルボニル基、ｔ−アミロキシカルボニル基等が挙げら
れる。更に、脂肪族炭化水素基については、アリール基
（好ましくは炭素数６〜１４）、芳香族炭化水素基につ
いてはアルキル基（炭素数１〜１５）を置換基として挙
げることができる。

【０１７９】以下、一般式（ＶIII）で表される構造を
有する繰り返し単位の具体例を示す。しかし、本発明の
内容がこれらに限定されるものではない。

【０１８０】

【化８９】

【０１８１】

【化９０】

【０１８２】

【化９１】

【０１８３】

【化９２】

【０１８４】

【化９３】

【０１８５】さらに、式（III）におけるＲ₉₂が下記の
一般式（ＩＸ）又は（Ｘ）で表される構造を有する繰り
返し構造単位について説明する。 −Ｒ₉₈−Ａ₅₀−Ｒ₉₉ （ＩＸ） −ＳＯ₃Ｒ₁₀₀ （Ｘ）

【０１８６】一般式（ＩＸ）中、Ｒ₉₈は、単結合、アル
キレン基、アリーレン基、又はこれらを組み合わせた２
価の基を表す。アリーレン基としては、炭素数６〜１０
のものが挙げられ、置換基を有していてもよい。具体的
にはフェニレン基、トリレン基、ナフチレン基等が挙げ
られる。

【０１８７】アルキレン基としては、下記で示される基
を挙げることができる。 −〔Ｃ（Ｒｆ)(Ｒｇ）〕r− 式中、Ｒｆ、Ｒｇ：水素原子、アルキル基、置換アルキ
ル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表し、両
者は同一でも異なっていてもよく、アルキル基としては
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブ
チル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくは
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基より
なる群から選択された置換基を表す。置換アルキル基の
置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基
を挙げることができる。アルコキシ基としてはメトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数
１〜４個のものを挙げることができる。ｒは１〜１０の
整数を表す。上記において、ハロゲン原子としては塩素
原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げること
ができる。

【０１８８】Ａ₅₀は、下記に示す官能基のいずれかを表
す。

【０１８９】

【化９４】

【０１９０】Ｒ₉₉は、水素原子又はアルキル基を表す。
Ｒ₉₉の鎖状アルキル基は、直鎖状、分岐状いずれでもよ
く、また置換基を有していてもよい。直鎖状あるいは分
岐状のアルキル基としては、炭素数１〜１２のものが好
ましく、より好ましくは炭素数１〜１０のものであり、
具体的にメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル
基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル
基、オクチル基、ノニル基、デシル基を好ましく挙げる
ことができる。

【０１９１】一般式（Ｘ）におけるＲ₁₀₀は、鎖状又は
環状アルキル基、アリール基又はアラルキル基を表し、
置換基を有していてもよい。Ｒ₁₀₀の鎖状アルキル基
は、直鎖状、分岐状いずれでもよく、置換基を有してい
てもよい。直鎖状あるいは分岐状のアルキル基として
は、炭素数１〜１２のものが好ましく、より好ましくは
炭素数１〜１０のものであり、具体的にメチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イ
ソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチ
ル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル
基、デシル基を好ましく挙げることができる。Ｒ₁₀₀の
環状のアルキル基としては、炭素数３〜３０のものが挙
げられ、具体的には、シクロプロピル基、シクロペンチ
ル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニ
ル基、ボロニル基、トリシクロデカニル基、ジシクロペ
ンテニル基、ノボルナンエポキシ基、メンチル基、イソ
メンチル基、ネオメンチル基、テトラシクロドデカニル
基、ステロイド残基等を挙げることができる。環構造
は、ヘテロ原子、２重結合を有していてもよい。このよ
うな例として、テトラヒドロピラン、ペンテン環を挙げ
ることができる。

【０１９２】Ｒ₁₀₀のアリール基としては、炭素数６〜
２０のものが挙げられ、置換基を有していてもよい。具
体的にはフェニル基、トリル基、ナフチル基等が挙げら
れる。Ｒ₁₀₀のアラルキル基としては、炭素数７〜２０
のものが挙げられ、置換基を有していてもよい。具体的
には、ベンジル基、フェネチル基、クミル基等が挙げら
れる。

【０１９３】Ｒ₉₉の鎖状アルキル基、Ｒ₁₀₀の鎖状又は
環状アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアラ
ルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、
カルボキシル基、シアノ基、水酸基、ハロゲン原子（塩
素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等）、アルコ
キシ基（好ましくは炭素数１〜４、例えばメトキシ基、
エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基）、アセチルア
ミド基、アルコキシカルボニル基、アシル基（好ましく
は炭素数２〜１０、例えば、ホルミル基、アセチル基、
プロピオニル基）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数
２〜１０、例えばアセトキシ基）、アリール基（好まし
くは炭素数６〜１４、例えばフェニル基）が挙げられ
る。Ｒ₁₀₀としてアリール基又はアラルキル基について
は、置換基として、更にアルキル基（好ましくは炭素数
１〜５、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソ
プロピル基、ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチ
ル基、シクロペンチル基等）を有していてもよい。この
置換基としてのアルキル基は、更に水酸基、ハロゲン原
子、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜４、例えばメ
トキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基）等
の置換基を有していてもよい。尚環構造は、縮合環を形
成してもよい。

【０１９４】以下、−ＮＨ−ＳＯ₂−を含有する一般式
(III)で表される繰り返し単位に対応するモノマーの具
体例（２）〜（５）、及び、一般式（ＩＸ）で示される
構造を有する繰り返し構造単位に相当するモノマーの具
体例（６）〜（１５）を示すが、これらに限定されるも
のではない。

【０１９５】

【化９５】

【０１９６】

【化９６】

【０１９７】

【化９７】

【０１９８】以下、一般式（Ｘ）で表される構造を有す
る繰り返し構造単位に相当するモノマーの具体例を示す
が、これらに限定されるものではない。

【０１９９】

【化９８】

【０２００】

【化９９】

【０２０１】

【化１００】

【０２０２】本発明で使用される樹脂（Ｂ１）は、更
に、下記式（ＸＩ）で表される繰り返し単位を含有する
こともできる。

【０２０３】

【化１０１】

【０２０４】一般式（ＸＩ）に関して、Ｒ₉₁c、Ｘ₅c、
Ｒ₉₃c、Ｂcは、各々、上記一般式(III)についての
Ｒ₉₁、Ｘ₅、Ｒ₉₃、Ｂと同様である。Ｒ₉₂cは下記一般式
（ＸＩ’）で表される基を表す。

【０２０５】

【化１０２】

【０２０６】一般式（ＸＩ’）において、Ｒ₂c〜Ｒ₄c
は、各々独立に水素原子又は水酸基を表す。ただし、Ｒ
₂c〜Ｒ₄cのうち少なくとも１つは水酸基を表す。

【０２０７】一般式（ＸＩ）で表される構造は、好まし
くはジヒドロキシ体、モノヒドロキシ体であり、より好
ましくはジヒドロキシ体である。

【０２０８】以下に、一般式（ＸＩ）で表される構造を
有する繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定
されるものではない。

【０２０９】

【化１０３】

【０２１０】

【化１０４】

【０２１１】本発明に係る樹脂（Ｂ１）中には、更に下
記の一般式（ＸＩ−Ａ）又は（ＸＩ−Ｂ）で表される繰
り返し単位を含有させることができる。

【０２１２】

【化１０５】

【０２１３】上記一般式（XI−Ａ）中、 Ｒ_13h〜Ｒ_16h
は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、
−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ_17h、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ_h−Ａ_h
−Ｒ_{1 8h}、又は置換基を有していてもよいアルキル基あ
るいは環状炭化水素基を表す。また、Ｒ_l3h〜Ｒ_16hのう
ち少なくとも２つが結合して環を形成してもよい。ｎは
０又は１を表す。ただし、Ｒ_13h〜Ｒ_16hはいずれも酸に
より分解する基を有しない。Ｒ_17hは、置換基を有して
いてもよい、アルキル基、環状炭化水素基又は前記−Ｙ
基を表す。Ｘ_hは、酸素原子、硫黄原子、−ＮＨ−、−
ＮＨＳＯ₂−又は−ＮＨＳＯ₂ＮＨ−を表す。Ａ_hは単結
合又は２価の連結基を表す。Ｒ_18hは、−ＣＯＯＨ、−
ＣＯＯＲ_17h、−ＣＮ、水酸基、置換基を有していても
よいアルコキシ基、−ＣＯ−ＮＨ−Ｒ_19h、−ＣＯ−Ｎ
Ｈ−ＳＯ₂−Ｒ_19h又は前記の−Ｙ基を表す。Ｒ_19hは、
置換基を有していてもよい、アルキル基又は環状炭化水
素基を表す。

【０２１４】上記Ｒ_13h〜Ｒ_16hにおけるハロゲン原子と
しては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等
を挙げることができる。

【０２１５】上記Ｒ_13h〜Ｒ_16hにおけるアルキル基とし
ては、炭素数１〜１０個の直鎖状あるいは分岐状アルキ
ル基が好ましく、より好ましくは炭素数１〜６個の直鎖
状あるいは分岐状アルキル基であり、更に好ましくはメ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチ
ル基である。

【０２１６】上記Ｒ_13h〜Ｒ_16hにおける環状炭化水素基
としては、例えば環状アルキル基、有橋式炭化水素であ
り、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキ
シル基、アダマンチル基、２−メチル−２−アダマンチ
ル基、ノルボルニル基、ボロニル基、イソボロニル基、
トリシクロデカニル基、ジシクロペンテニル基、ノボル
ナンエポキシ基、メンチル基、イソメンチル基、ネオメ
ンチル基、テトラシクロドデカニル基等を挙げることが
できる。上記Ｒ_13h〜Ｒ_16hのうち少なくとも２つが結合
して形成する環としては、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプタン、シクロオクタン等の炭素数５〜
１２の環が挙げられる。

【０２１７】上記Ｒ_18hにおけるアルコキシ基として
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等の炭素数１〜４個のものを挙げることができる。

【０２１８】上記アルキル基、環状炭化水素基、アルコ
キシ基における更なる置換基としては、水酸基、ハロゲ
ン原子、カルボキシル基、アルコキシ基、アシル基、シ
アノ基、アシルオキシ基等を挙げることができる。ハロ
ゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、
沃素原子等を挙げることができる。アルコキシ基として
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等の炭素数１〜４個のものが挙げることができ、アシ
ル基としてはホルミル基、アセチル基等を挙げることが
でき、アシルオキシ基としてはアセトキシ基等を挙げる
ことができる。

【０２１９】上記Ａ_hの２価の連結基としては、単結
合、アルキレン基、置換アルキレン基、エーテル基、チ
オエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、
スルフォンアミド基、ウレタン基、ウレア基よりなる群
から選択される単独あるいは２つ以上の基の組み合わせ
が挙げられる。

【０２２０】上記Ａ_hにおけるアルキレン基、置換アル
キレン基としては、下記式で表される基を挙げることが
できる。 −〔Ｃ（Ｒ_bh )(Ｒ_ch ）〕_r − 式中、Ｒ_bh、Ｒ_chは、水素原子、アルキル基、置換アル
キル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表し、
両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ま
しくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基から選択される。置換アルキル基の置換基としては、
水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることがで
きる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜４個のも
のを挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素
原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げること
ができる。ｒは１〜１０の整数を表す。

【０２２１】一般式（XI−Ｂ）中、 Ｒ_13i〜Ｒ_16iは、
各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、−Ｃ
ＯＯＨ、−ＣＯＯＲ_17i、酸の作用により分解する基、
−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ_i−Ａ_i−Ｒ_18i、又は置換基を有して
いてもよいアルキル基あるいは環状炭化水素基を表す。
また、Ｒ_l3i〜Ｒ_16iのうち少なくとも２つが結合して環
を形成してもよい。ｎは０又は１を表す。Ｒ_17iは、置
換基を有していてもよい、アルキル基、環状炭化水素基
又は前記の−Ｙ基を表す。Ｘ_iは、酸素原子、硫黄原
子、−ＮＨ−、−ＮＨＳＯ₂−又は−ＮＨＳＯ₂ＮＨ−を
表す。Ａ_iは単結合又は２価の連結基を表す。Ｒ_18iは、
−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ_17i、−ＣＮ、水酸基、置換基
を有していてもよいアルコキシ基、−ＣＯ−ＮＨ−Ｒ
_19i、−ＣＯ−ＮＨ−ＳＯ₂−Ｒ_19i又は前記の−Ｙ基を
表す。Ｒ_19iは、置換基を有していてもよい、アルキル
基又は環状炭化水素基を表す。上記−Ｙ基中、Ｒ₂₁〜Ｒ
₃₀は、各々独立に、水素原子又は置換基を有していても
よいアルキル基を表す。ａ，ｂは１又は２を表す。

【０２２２】酸の作用により分解する基の構造として
は、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ_1i−Ｒ_piで表される。式中、Ｒ_pi
としては、ｔ−ブチル基、ｔ−アミル基等の３級アルキ
ル基、イソボロニル基、１−エトキシエチル基、１−ブ
トキシエチル基、１−イソブトキシエチル基、１−シク
ロヘキシロキシエチル基等の１−アルコキシエチル基、
１−メトキシメチル基、１−エトキシメチル基等のアル
コキシメチル基、３−オキソアルキル基、テトラヒドロ
ピラニル基、テトラヒドロフラニル基、トリアルキルシ
リルエステル基、３−オキソシクロヘキシルエステル
基、２−メチル−２−アダマンチル基、メバロニックラ
クトン残基、２−（γ−ブチロラクトニルオキシカルボ
ニル）−２−プロピル基等を挙げることができる。Ｘ_1i
は、酸素原子、硫黄原子、−ＮＨ−、−ＮＨＳＯ₂−又
は−ＮＨＳＯ₂ＮＨ−を表す。

【０２２３】上記Ｒ_13i〜Ｒ_16iにおけるハロゲン原子と
しては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等
を挙げることができる。

【０２２４】上記Ｒ_13i〜Ｒ_16iにおけるアルキル基とし
ては、炭素数１〜１０個の直鎖状あるいは分岐状アルキ
ル基が好ましく、より好ましくは炭素数１〜６個の直鎖
状あるいは分岐状アルキル基であり、更に好ましくはメ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチ
ル基である。

【０２２５】上記Ｒ_13i〜Ｒ_16iにおける環状炭化水素基
としては、例えば環状アルキル基、有橋式炭化水素であ
り、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキ
シル基、アダマンチル基、２−メチル−２−アダマンチ
ル基、ノルボルニル基、ボロニル基、イソボロニル基、
トリシクロデカニル基、ジシクロペンテニル基、ノボル
ナンエポキシ基、メンチル基、イソメンチル基、ネオメ
ンチル基、テトラシクロドデカニル基等を挙げることが
できる。上記Ｒ_13i〜Ｒ_16iのうち少なくとも２つが結合
して形成する環としては、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプタン、シクロオクタン等の炭素数５〜
１２の環が挙げられる。

【０２２６】上記Ｒ_18iにおけるアルコキシ基として
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等の炭素数１〜４個のものを挙げることができる。

【０２２７】上記アルキル基、環状炭化水素基、アルコ
キシ基における更なる置換基としては、水酸基、ハロゲ
ン原子、カルボキシル基、アルコキシ基、アシル基、シ
アノ基、アシルオキシ基等を挙げることができる。ハロ
ゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、
沃素原子等を挙げることができる。アルコキシ基として
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等の炭素数１〜４個のものが挙げることができ、アシ
ル基としてはホルミル基、アセチル基等を挙げることが
でき、アシルオキシ基としてはアセトキシ基等を挙げる
ことができる。

【０２２８】上記Ａ_iの２価の連結基としては、単結
合、アルキレン基、置換アルキレン基、エーテル基、チ
オエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、
スルフォンアミド基、ウレタン基、ウレア基よりなる群
から選択される単独あるいは２つ以上の基の組み合わせ
が挙げられる。

【０２２９】上記Ａ_iにおけるアルキレン基、置換アル
キレン基としては、下記式で表される基を挙げることが
できる。 −〔Ｃ（Ｒ_bi )(Ｒ_ci ）〕_r − 式中、Ｒ_bi、Ｒ_ciは、水素原子、アルキル基、置換アル
キル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表し、
両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ま
しくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基から選択される。置換アルキル基の置換基としては、
水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることがで
きる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜４個のも
のを挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素
原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げること
ができる。ｒは１〜１０の整数を表す。

【０２３０】上記一般式（XI−Ａ）又は（XI−Ｂ）で表
される繰り返し単位の具体例としては、次の下記のもの
が挙げられるが、本発明はこれらの具体例に限定される
ものではない。

【０２３１】

【化１０６】

【０２３２】

【化１０７】

【０２３３】本発明に係る樹脂（Ｂ１）が更に含んでも
よい好ましい共重合成分として、下記一般式（ＸII−
Ａ）叉は（ＸII−Ｂ）で表される繰り返し単位を挙げる
ことができる。

【０２３４】

【化１０８】

【０２３５】ここで式中、Ｚ_jは酸素原子、−ＮＨ−、
−Ｎ（−Ｒ_50j）−、−Ｎ（−ＯＳＯ ₂Ｒ_50j）−を表
し、Ｒ_50jは（置換）アルキル基、（置換）環状炭化水
素基を意味を有する。

【０２３６】上記Ｒ_50jにおけるアルキル基としては、
炭素数１〜１０個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基が
好ましく、より好ましくは炭素数１〜６個の直鎖状ある
いは分岐状アルキル基であり、更に好ましくはメチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチ
ル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基
である。

【０２３７】上記Ｒ_50jにおける環状炭化水素基として
は、例えば環状アルキル基、有橋式炭化水素であり、シ
クロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル
基、アダマンチル基、２−メチル−２−アダマンチル
基、ノルボルニル基、ボロニル基、イソボロニル基、ト
リシクロデカニル基、ジシクロペンテニル基、ノボルナ
ンエポキシ基、メンチル基、イソメンチル基、ネオメン
チル基、テトラシクロドデカニル基等を挙げることがで
きる。上記一般式（ＸII−Ａ）叉は（ＸII−Ｂ）で表さ
れる繰り返し単位の具体例として次の［ＸII−Ａ−９］
〜［ＸII−Ａ−１６］、［ＸII−Ｂ−９］〜［ＸII−Ｂ
−１６］が挙げられるが、これらの具体例に限定される
ものではない。

【０２３８】

【化１０９】

【０２３９】

【化１１０】

【０２４０】本発明に係る樹脂（Ｂ１）は、本発明の効
果が有効に得られる範囲内で、更に以下のような単量体
が該樹脂を構成する繰り返し単位を与えるものとして共
重合されていてもよいが、下記単量体に限定されるもの
ではない。これにより、前記樹脂に要求される性能、特
に（１）塗布溶剤に対する溶解性、（２）製膜性（ガラ
ス転移点）、（３）アルカリ現像性、（４）膜べり（親
疎水性、アルカリ可溶性基選択）、（５）未露光部の基
板への密着性、（６）ドライエッチング耐性、の微調整
が可能となる。このような共重合単量体としては、例え
ば、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、
アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合
物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれ
る付加重合性不飽和結合を１個有する化合物などを挙げ
ることができる。

【０２４１】具体的には、例えばアクリル酸エステル
類、例えばアルキル（アルキル基の炭素原子数は１〜１
０のものが好ましい）アクリレート（例えば、アクリル
酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、ア
クリル酸アミル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル
酸エチルヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸−
ｔ−オクチル、クロルエチルアクリレート、２−ヒドロ
キシエチルアクリレート２，２−ジメチルヒドロキシプ
ロピルアクリレート、５−ヒドロキシペンチルアクリレ
ート、トリメチロールプロパンモノアクリレート、ペン
タエリスリトールモノアクリレート、ベンジルアクリレ
ート、メトキシベンジルアクリレート、フルフリルアク
リレート、テトラヒドロフルフリルアクリレートな
ど）；

【０２４２】メタクリル酸エステル類、例えばアルキル
（アルキル基の炭素原子数は１〜１０のものが好まし
い。）メタクリレート（例えばメチルメタクリレート、
エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソ
プロピルメタクリレート、アミルメタクリレート、ヘキ
シルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、
ベンジルメタクリレート、クロルベンジルメタクリレー
ト、オクチルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルメ
タクリレート、４−ヒドロキシブチルメタクリレート、
５−ヒドロキシペンチルメタクリレート、２，２−ジメ
チル−３−ヒドロキシプロピルメタクリレート、トリメ
チロールプロパンモノメタクリレート、ペンタエリスリ
トールモノメタクリレート、フルフリルメタクリレー
ト、テトラヒドロフルフリルメタクリレートなど）；

【０２４３】アクリルアミド類、例えばアクリルアミ
ド、Ｎ−アルキルアクリルアミド、（アルキル基として
は炭素原子数１〜１０のもの、例えばメチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘプチル
基、オクチル基、シクロヘキシル基、ヒドロキシエチル
基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアクリルアミド
（アルキル基としては炭素原子数１〜１０のもの、例え
ばメチル基、エチル基、ブチル基、イソブチル基、エチ
ルヘキシル基、シクロヘキシル基などがある。）、Ｎ−
ヒドロキシエチル−Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−２
−アセトアミドエチル−Ｎ−アセチルアクリルアミドな
ど；

【０２４４】メタクリルアミド類、例えばメタクリルア
ミド、Ｎ−アルキルメタクリルアミド（アルキル基とし
ては炭素原子数１〜１０のもの、例えばメチル基、エチ
ル基、ｔ−ブチル基、エチルヘキシル基、ヒドロキシエ
チル基、シクロヘキシル基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジ
アルキルメタクリルアミド（アルキル基としてはエチル
基、プロピル基、ブチル基などがある。）、Ｎ−ヒドロ
キシエチル−Ｎ−メチルメタクリルアミドなど；

【０２４５】アリル化合物、例えばアリルエステル類
（例えば酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸ア
リル、ラウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステア
リン酸アリル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳
酸アリルなど）、アリルオキシエタノールなど；

【０２４６】ビニルエーテル類、例えばアルキルビニル
エーテル（例えばヘキシルビニルエーテル、オクチルビ
ニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキシル
ビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、エト
キシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエーテ
ル、１−メチル−２，２−ジメチルプロピルビニルエー
テル、２−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキシエ
チルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニルエー
テル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエチル
アミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチルビニ
ルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒドロフ
ルフリルビニルエーテルなど）；

【０２４７】ビニルエステル類、例えばビニルブチレー
ト、ビニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテー
ト、ビニルジエチルアセテート、ビニルバレート、ビニ
ルカプロエート、ビニルクロルアセテート、ビニルジク
ロルアセテート、ビニルメトキシアセテート、ビニルブ
トキシアセテート、ビニルアセトアセテート、ビニルラ
クテート、ビニル−β−フェニルブチレート、ビニルシ
クロヘキシルカルボキシレートなど；

【０２４８】イタコン酸ジアルキル類（例えばイタコン
酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジブチル
など）；アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イタ
コン酸、アクリロニトリル、メタクリロニトリル等があ
る。

【０２４９】各繰り返し単位の割合は、所望のレジスト
のドライエッチング耐性、感度、パターンのクラッキン
グ防止、基板密着性、レジストプロファイル、さらには
一般的なレジストの必要要件である解像力、耐熱性、等
を勘案して適宜設定することができる。

【０２５０】樹脂（Ｂ１）中の一般式（Ｉ）で示される
繰り返し構造単位の含有量は、全繰り返し構造単位中、
１０〜６０モル％が好ましく、より好ましくは１５〜５
５モル％、更に好ましくは２０〜５０モル％である。樹
脂（Ｂ１）中、一般式（II）で示される繰り返し構造単
位の含有量は、全繰り返し構造単位中１０〜７０モル％
が好ましく、より好ましくは１５〜６０モル％、更に好
ましくは２０〜５０モル％である。樹脂（Ｂ１）中、一
般式（III）で示される繰り返し構造単位の含有量は、
全繰り返し構造単位中、２〜５０モル％が好ましく、よ
り好ましくは４〜４５モル％、更に好ましくは６〜４０
モル％である。

【０２５１】樹脂（Ｂ１）中、一般式（Ｉ）及び（II
I）で示される繰り返し構造単位等の酸分解性基を有す
る繰り返し単位の合計は、１５〜９０モル％が好まし
く、より好ましくは１５〜８５モル％であり、さらに好
ましくは２０〜８０モル％である。

【０２５２】また、上記(Ｉ)、(II)又は(III)で示され
る繰り返し構造単位以外の更なる共重合成分の単量体に
基づく繰り返し構造単位の樹脂中の含有量も、所望のレ
ジストの性能に応じて適宜設定することができるが、一
般的に、一般式（Ｉ）、（II）、及び（III）で示され
る繰り返し構造単位を合計した総モル数に対して、他の
更なる繰り返し構造単位を合計したモル数が、９９モル
％以下が好ましく、より好ましくは９０モル％以下、さ
らに好ましくは８０モル％以下である。

【０２５３】（Ｂ２）酸分解性樹脂 次に、（Ｂ２）上記一般式（ＮＩ）で示される繰り返し
構造単位、上記一般式（ＮII）で示される繰り返し構造
単位、及び上記一般式（ＮIII）で示される繰り返し構
造を含み、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解
速度が増加する樹脂（以下、樹脂（Ｂ２）と呼ぶ）につ
いて説明する。一般式（ＮＩ）において、Ｒｎ₁〜Ｒｎ₄
は、水素原子又はアルキル基を表す。Ｒｎ₁〜Ｒｎ₄のア
ルキル基としては、炭素数１〜１２のものが好ましく、
より好ましくは炭素数１〜１０のものであり、具体的に
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ
−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブ
チル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチ
ル基、ノニル基、デシル基を好ましく挙げることができ
る。Ｒｎ₁〜Ｒｎ₄としてのアルキル基は置換基を有して
いてもよく、置換基としては、ヒドロキシ基、アルコキ
シ基、アルコキシアルコキシ基等が挙げられる。置換基
は好ましくは炭素数８以下である。一般式（ＮＩ）中、
ａは０または１である。

【０２５４】一般式（ＮII）中、Ｒｎ₅は、水素原子又
はメチル基を表す。一般式（ＮII）において、Ａｎのア
ルキレン基としては、下記式で表される基を挙げること
ができる。 −〔Ｃ（Ｒｎｆ)(Ｒｎｇ）〕ｒ− 上記式中、Ｒｎｆ、Ｒｎｇは、水素原子、アルキル基、
置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基
を表し、両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル
基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更
に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基から選択される。置換アルキル基の置換基とし
ては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げるこ
とができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜４の
ものを挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩
素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げるこ
とができる。ｒは１〜１０の整数である。一般式（ＮI
I）において、Ａｎのシクロアルキレン基としては、炭
素数３から１０個のものが挙げられ、シクロペンチレン
基、シクロヘキシレン基、シクロオクチレン基等を挙げ
ることができる。

【０２５５】一般式（ＮII）におけるＷは、エステル構
造（−ＣＯＯ−）と一緒になって酸の作用により分解す
る基を構成する基であり、−Ｃ（Ｒｎａ）（Ｒｎｂ）
（Ｒｎｃ）で表される基あるいは−ＣＨ（Ｒｎｄ）−Ｏ
−Ｒｎｅで表される基を表す。ここで、Ｒｎａ、Ｒｎ
ｂ、Ｒｎｃは、各々、置換基としてハロゲン原子、アル
キル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシ
ル基あるいはアシロキシ基を有していてもよい、炭素数
１個〜２０個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基又は脂
環式炭化水素基を表す。ただし、ＲｎａとＲｎｂは、互
いに結合して共通に結合している炭素原子とともに脂環
式環を形成してもよい。この場合、Ｒｎｃは炭素数１〜
４のアルキル基である。Ｒｎｄとしては、水素原子又は
アルキル基を表す。Ｒｎｅとしては、置換基としてハロ
ゲン原子、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、ア
シル基あるいはアシロキシ基を有していてもよい、炭素
数１個〜２０個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基又は
脂環式炭化水素基を表す。

【０２５６】Ｒｎａ、Ｒｎｂ、Ｒｎｃ、Ｒｎｅの炭素数
１個〜２０個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基として
は、炭素数１〜１２のものが好ましく、より好ましくは
炭素数１〜１０のものであり、具体的にメチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イ
ソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチ
ル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル
基、デシル基を好ましく挙げることができる。 Ｒｎｄ
のアルキル基としては、炭素数１〜４のアルキル基が好
ましく、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、
イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ
−ブチル基、ｔ−ブチル基等を挙げることができる。Ｒ
ｎａ、Ｒｎｂ、Ｒｎｃ、Ｒｎｅとしての脂環式炭化水素
基、及び、ＲｎａとＲｎｂとが互いに結合して形成する
脂環式環は、炭素数３〜３０が好ましく、更に４〜２５
が好ましく、特に５〜２０個が好ましい。これらは置換
基を有していてもよい。

【０２５７】以下、これらの脂環式環の構造例を示す。

【０２５８】

【化１１１】

【０２５９】

【化１１２】

【０２６０】本発明においては、上記脂環式部分の好ま
しいものとしては、シクロペンチル基、シクロヘキシル
基、シクロオクチル基、アダマンチル基、ノルアダマン
チル基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラ
シクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、
シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル
基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げるこ
とができる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリ
ン残基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシ
ル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデ
カニル基、シクロドデカニル基である。

【０２６１】Ｒｎａ、Ｒｎｂ、Ｒｎｃ、Ｒｎｅとしての
炭素数１個〜２０個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基
及び脂環式炭化水素基、及びＲｎａとＲｎｂとが互いに
結合して形成する脂環式環が有しうる置換基については
以下のものが挙げられる。アルコキシ基、アルコキシカ
ルボニル基におけるアルコキシ基としては、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数
１〜４のものを挙げることができる。ハロゲン原子とし
ては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を
挙げることができる。アシル基としてはホルミル基、べ
ンゾイル基等が挙げられる。アシロキシ基としては、プ
ロピルカルボニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等が挙
げられる。Ｒｎａ、Ｒｎｂ、Ｒｎｃ、Ｒｎｅとして脂環
式炭化水素基、及びＲｎａとＲｎｂとが互いに結合して
形成する脂環式環については、上記置換基に加えて、ア
ルキル基を置換基として有してもよい。 例えば、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等の炭素数１〜
４のものがを挙げることができる。

【０２６２】一般式（ＮII）のＷとして好ましくは、ｔ
−ブチル基、ｔ−アミル基、２−シクロヘキシル−２−
プロピル基、１−メチルシクロヘキシル基等の３級アル
キル基、エトキシメチル基、エトキシエトキシメチル基
等のアルコキシメチル基、１−エトキシエチル基、１−
イソプロポキシエチル基等の１−アルコキシエチル基、
アダマンチル基、デカリン残基、ノルボルニル基、セド
ロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シク
ロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基
を挙げることができる。

【０２６３】以下、一般式（ＮＩ）で示される繰り返し
構造単位に相当するモノマーの具体例を示すが、これら
に限定されるものではない。

【０２６４】

【化１１３】

【０２６５】以下、一般式（ＮII）で示される繰り返し
構造単位に相当するモノマーの具体例を示すが、これら
に限定されるものではない。

【０２６６】

【化１１４】

【０２６７】

【化１１５】

【０２６８】

【化１１６】

【０２６９】

【化１１７】

【０２７０】樹脂（Ｂ２）は、更に上記一般式（ＮII
I）で示される繰り返し単位を含有する。

【０２７１】一般式（ＮIII）において、Ｚ₁は、−Ｏ−
又は−Ｎ（Ｒｎ₆）−を表す。ここでＲｎ₆は、水素原
子、水酸基、アルキル基、ハロアルキル基又は−Ｏ−Ｓ
Ｏ₂−Ｒｎ₇を表す。Ｒｎ₇は、アルキル基、ハロアルキ
ル基、シクロアルキル基又は樟脳残基を表す。

【０２７２】上記Ｒｎ₆及びＲｎ₇におけるアルキル基と
しては、炭素数１〜１０個の直鎖状あるいは分岐状アル
キル基が好ましく、より好ましくは炭素数１〜６個の直
鎖状あるいは分岐状アルキル基であり、更に好ましくは
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ
−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブ
チル基である。

【０２７３】上記Ｒｎ₆及びＲｎ₇ におけるハロアルキ
ル基としてはトリフルオロメチル基、ナノフルオロブチ
ル基、ペンタデカフルオロオクチル基、トリクロロメチ
ル基等を挙げることができる。上記Ｒｎ₇におけるシク
ロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキ
シル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。

【０２７４】以下、一般式（ＮIII）で示される繰り返
し構造単位に相当するモノマーの具体例を示すが、これ
らに限定されるものではない。

【０２７５】

【化１１８】

【０２７６】

【化１１９】

【０２７７】樹脂（Ｂ２）は、更に下記一般式（Ｉｂ）
で表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を含むこ
ともできる。

【０２７８】

【化１２０】

【０２７９】一般式（Ｉｂ）において、Ａは単結合、ア
ルキレン基、シクロアルキレン基、エーテル基、チオエ
ーテル基、カルボニル基、エステル基よりなる群から選
択される単独あるいは２つ以上の基の組み合わせを表
す。Ｒは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、シアノ
基、又はハロゲン原子を表す。一般式（Ｉｂ）におい
て、Ａのアルキレン基及びシクロアルキレン基として
は、式（ＮＩＩ）のＡｎとして挙げたものと同様であ
る。Ｚを含む有橋式脂環式環は、置換基を有していても
よい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルコ
キシ基(好ましくは炭素数１〜４)、アルコキシカルボニ
ル基（好ましくは炭素数１〜５）、アシル基（例えば、
ホルミル基、ベンゾイル基）、アシロキシ基（例えば、
プロピルカルボニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基）、
アルキル基（好ましくは炭素数１〜４）、カルボキシル
基、水酸基、アルキルスルホニルスルファモイル基（-
ＣＯＮＨＳＯ₂ＣＨ₃等）が挙げられる。尚、置換基とし
てのアルキル基は、更に水酸基、ハロゲン原子、アルコ
キシ基（好ましくは炭素数１〜４）等で置換されていて
もよい。一般式（Ｉｂ）において、Ａに結合しているエ
ステル基の酸素原子は、Ｚを含む有橋式脂環式環構造を
構成する炭素原子のいずれの位置で結合してもよい。以
下に、一般式（Ｉｂ）で表される繰り返し単位の具体例
としては、先に樹脂（Ｂ１）に関して、一般式（ＶＩ）
で表される構造を有する繰り返し単位の具体例として挙
げたものを挙げることができるが、それらに限定される
ものではない。

【０２８０】また、下記一般式（IIb）で示される繰り
返し構造単位を含有していてもよい。

【０２８１】

【化１２１】

【０２８２】一般式（IIb）中、Ｒ₁は、水素原子又はメ
チル基を表す。Ｗは、単結合、アルキレン基、エーテル
基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基よりな
る群から選択される単独あるいは２つ以上の基の組み合
わせを表す。Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄ，Ｒｅは各々独立
に、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
ｍ，ｎは各々独立に０〜３の整数を表し、ｍ＋ｎは、２
以上６以下である。Ｒａ〜Ｒｅの炭素数１〜４のアルキ
ル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソ
プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブ
チル基、ｔ−ブチル基等を挙げることができる。

【０２８３】一般式（IIb）において、Ｗのアルキレン
基としては、下記式で表される基を挙げることができ
る。 −〔Ｃ（Ｒｆ)(Ｒｇ）〕ｒ− 上記式中、Ｒｆ、Ｒｇは、水素原子、アルキル基、置換
アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表
し、両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好
ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基から選択される。置換アルキル基の置換基として
は、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げること
ができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキ
シ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜４のも
のを挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素
原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げること
ができる。ｒは１〜１０の整数である。

【０２８４】上記アルキル基における更なる置換基とし
ては、カルボキシル基、アシルオキシ基、シアノ基、ア
ルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、ア
ルコキシ基、置換アルコキシ基、アセチルアミド基、ア
ルコキシカルボニル基、アシル基が挙げられる。ここで
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ブチル基、シクロプロピル基、シ
クロブチル基、シクロペンチル基等の低級アルキル基を
挙げることができる。置換アルキル基の置換基として
は、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げること
ができる。置換アルコキシ基の置換基としては、アルコ
キシ基等を挙げることができる。アルコキシ基として
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等の炭素数１〜４のものを挙げることができる。アシ
ルオキシ基としては、アセトキシ基等が挙げられる。ハ
ロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原
子、沃素原子等を挙げることができる。

【０２８５】以下、一般式（IIb）で示される繰り返し
構造単位に相当するモノマーの具体例としては、先に樹
脂（Ｂ１）に関して一般式（IＶ）の構造を有する繰り
返し単位の具体例として挙げたものを挙げることができ
るが、これらに限定されるものではない。

【０２８６】樹脂（Ｂ１）におけるのと同様、露光マー
ジンがより良好になるという点から（IＶ−１７）〜（I
Ｖ−３６）が好ましい。更に一般式（IIb）の構造とし
ては、エッジラフネスが良好になるという点からアクリ
レート構造を有するものが好ましい。

【０２８７】また、下記一般式（Ｉb−１）〜（Ｉb−
４）のいずれかで表される基を有する繰り返し構造単位
を含有してもよい。

【化１２２】

【０２８８】一般式（Ｉb−１）〜（Ｉb−４）におい
て、Ｒ₁〜Ｒ₅は、各々独立に水素原子、置換基を有して
いてもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケ
ニル基を表す。Ｒ₁〜Ｒ₅の内の２つは、結合して環を形
成してもよい。

【０２８９】一般式（Ｉb−１）〜（Ｉb−４）におい
て、Ｒ₁〜Ｒ₅におけるアルキル基としては、直鎖状、分
岐状のアルキル基が挙げられ、置換基を有していてもよ
い。直鎖状、分岐状のアルキル基としては、炭素数１〜
１２個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基が好ましく、
より好ましくは炭素数１〜１０個の直鎖状あるいは分岐
状アルキル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソ
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、
デシル基である。Ｒ₁〜Ｒ₅におけるシクロアルキル基と
しては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の
炭素数３〜８個のものが好ましい。Ｒ₁〜Ｒ₅におけるア
ルケニル基としては、ビニル基、プロペニル基、ブテニ
ル基、ヘキセニル基等の炭素数２〜６個のものが好まし
い。また、Ｒ₁〜Ｒ₅の内の２つが結合して形成する環と
しては、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペ
ンタン環、シクロヘキサン環、シクロオクタン環等の３
〜８員環が挙げられる。なお、一般式（Ｉb−１）〜
（Ｉb−４）におけるＲ₁〜Ｒ₅は、環状骨格を構成して
いる炭素原子のいずれに連結していてもよい。

【０２９０】また、上記アルキル基、シクロアルキル
基、アルケニル基が有してもよい好ましい置換基として
は、炭素数１〜４個のアルコキシ基、ハロゲン原子（フ
ッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、炭素数
２〜５のアシル基、炭素数２〜５のアシロキシ基、シア
ノ基、水酸基、カルボキシ基、炭素数２〜５のアルコキ
シカルボニル基、ニトロ基等を挙げることができる。一
般式（Ｉb−１）〜（Ｉb−４）で表される基を有する繰
り返し単位として好ましいものとして、下記一般式（Ａ
Ｉb）で表される繰り返し単位が挙げられる。

【０２９１】

【化１２３】

【０２９２】一般式（ＡＩb）中、Ｒは、水素原子、ハ
ロゲン原子、又は炭素数１〜４の置換もしくは非置換の
アルキル基を表す。Ｒのアルキル基が有していてもよい
好ましい置換基としては、前記一般式（Ｉb−１）〜
（Ｉb−４）におけるＲ₁としてのアルキル基が有してい
てもよい好ましい置換基として先に例示したものが挙げ
られる。Ｒのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Ｒは
水素原子が好ましい。Ａ’は、単結合、エーテル基、エ
ステル基、カルボニル基、アルキレン基、又はこれらを
組み合わせた２価の基を表す。Ｂは、一般式（Ｉb−
１）〜（Ｉb−４）のうちのいずれかで示される基を表
す。Ａ’において、該組み合わせた２価の基としては、
例えば下記式のものが挙げられる。

【０２９３】

【化１２４】

【０２９４】上記式において、Ｒａ、Ｒｂは、水素原
子、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸
基、アルコキシ基を表し、両者は同一でも異なっていて
もよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル
基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基から選択される。置換アルキ
ル基の置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、炭素数
１〜４のアルコキシ基を挙げることができる。アルコキ
シ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基等の炭素数１〜４個のものを挙げること
ができる。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原
子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。ｒ
１は１〜１０の整数、好ましくは１〜４の整数を表す。
ｍは１〜３の整数、好ましくは１又は２を表す。以下
に、一般式（ＡＩb）で表される繰り返し単位の具体例
として、一般式（ＡＩ）の具体例として挙げたものを挙
げることができるが、本発明の内容がこれらに限定され
るものではない。

【０２９５】更に、下記一般式（IIb−２）で示される
繰り返し構造単位を含有を含有してもよい。

【０２９６】

【化１２５】 一般式（II−２）中、Ｒ₁は、水素原子又はメチル基を
表す。Ｒ₂〜Ｒ₄は、各々独立に水素原子又は水酸基を表
す。ただし、Ｒ₂〜Ｒ₄のうち少なくとも１つは水酸基を
表す。一般式（II−２）で示される繰り返し構造単位
は、好ましくはジヒドロキシ体、モノヒドロキシ体であ
り、より好ましくはジヒドロキシ体である。

【０２９７】以下に、一般式（II-２）で表される構造
を有する繰り返し単位の具体例としては、樹脂（Ｂ２）
に関して一般式（ＩＸ）で表される構造を有する繰り返
し単位として挙げた具体例を挙げることができるが、そ
れらに限定されるものではない。

【０２９８】樹脂（Ｂ２）は、先に説明した樹脂（Ｂ
１）と同様に、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライ
エッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジス
トプロファイル、さらにレジストの一般的な必要な特性
である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な
繰り返し構造単位を含有することができる。

【０２９９】樹脂（Ｂ２）中の一般式（ＮＩ）で示され
る繰り返し構造単位の含有量は、全繰り返し構造単位
中、１０〜６０モル％が好ましく、より好ましくは１５
〜５５モル％、更に好ましくは２０〜５０モル％であ
る。また、樹脂（Ｂ２）中、一般式（ＮII）で示される
繰り返し構造単位の含有量は、全繰り返し構造単位中、
２〜５０モル％が好ましく、より好ましくは４〜４５モ
ル％、更に好ましくは６〜４０モル％である。樹脂（Ｂ
２）中、一般式（ＮIII）で示される繰り返し構造単位
の含有量は、全繰り返し構造単位中２０〜８０モル％が
好ましく、より好ましくは２５〜７０モル％、更に好ま
しくは３０〜６０モル％である。樹脂（Ｂ２）中、一般
式（Ｉ）、（ＩＩ）、（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）、及び
（ＩＩ−２）で表される基を有する繰り返し構造単位の
含有量は、全繰り返し構造単位中、合計で、１〜４０モ
ル％が好ましく、より好ましくは３〜３０モル％、更に
好ましくは５〜２０モル％である。樹脂（Ｂ２）は、側
鎖に脂環構造を有する繰り返し単位を含有することが好
ましい。

【０３００】また、上記更なる他の共重合成分の単量体
に基づく繰り返し構造単位の樹脂中の含有量も、所望の
レジストの性能に応じて適宜設定することができるが、
一般的に、一般式（ＮＩ）、（ＮII）及び（ＮIII）で
示される繰り返し構造単位を合計した総モル数に対して
９９モル％以下が好ましく、より好ましくは９０モル％
以下、さらに好ましくは８０モル％以下である。

【０３０１】尚、本発明の組成物がＡｒＦ露光用である
とき、ＡｒＦ光に対する透明性の観点から、（Ｂ１）及
び（Ｂ２）樹脂は芳香族環を含まないことが好ましい。
上記の（Ｂ１）及び（Ｂ２）樹脂の分子量は、重量平均
（Ｍｗ：ＧＰＣ法によるポリスチレン換算値）で、好ま
しくは１，０００〜１，０００，０００、より好ましく
は１，５００〜５００，０００、更に好ましくは２，０
００〜２００，０００、より更に好ましくは２，５００
〜１００，０００の範囲であり、大きい程、耐熱性等が
向上する一方で、現像性等が低下し、これらのバランス
により好ましい範囲に調整される。

【０３０２】本発明に用いる（Ｂ１）及び（Ｂ２）樹脂
は、常法に従って（例えばラジカル重合）合成すること
ができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー
種を、一括であるいは反応途中で反応容器に仕込み、こ
れを必要に応じ反応溶媒、例えばテトラヒドロフラン、
１，４−ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエ
ーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶
媒、さらには後述のプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテートのような本発明の組成物を溶解する溶
媒に溶解させ均一とした後、窒素やアルゴンなど不活性
ガス雰囲気下で必要に応じ加熱、市販のラジカル開始剤
（アゾ系開始剤、パーオキサイドなど）を用いて重合を
開始させる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で
添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形
回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度
は２０重量％以上であり、好ましくは３０重量％以上、
さらに好ましくは４０重量％以上である。反応温度は１
０℃〜１５０℃であり、好ましくは３０℃〜１２０℃、
さらに好ましくは５０〜１００℃である。

【０３０３】本発明に係る樹脂の重量平均分子量は、Ｇ
ＰＣ法によりポリスチレン換算値として、好ましくは
１，０００〜２００，０００である。重量平均分子量が
１，０００未満では耐熱性やドライエッチング耐性の劣
化が見られるため余り好ましくなく、２００，０００を
越えると現像性が劣化したり、粘度が極めて高くなるた
め製膜性が劣化するなど余り好ましくない結果を生じ
る。

【０３０４】本発明のポジ型感光性樹脂組成物におい
て、本発明に係わる樹脂の組成物全体中の配合量は、全
レジスト固形分中４０〜９９．９９重量％が好ましく、
より好ましくは５０〜９９．９７重量％である。

【０３０５】上記（Ａ）光酸発生剤や（Ｂ１）及び（Ｂ
２）樹脂等の固形分を、上記溶剤に固形分濃度として、
３〜２５重量％溶解することが好ましく、より好ましく
は５〜２２重量％、更に好ましくは７〜２０重量％であ
る。

【０３０６】（Ｃ）含窒素化合物 本発明で用いられる前記（Ｃ）の含窒素化合物は、下記
一般式（ＨＩ）で表される部分構造を分子内に少なくと
も一つ有する含窒素化合物である。

【０３０７】

【化１２６】

【０３０８】一般式（ＨＩ）の部分構造を含む化合物と
して下記一般式（ＨＩａ）で表される化合物が好まし
い。

【０３０９】

【化１２７】

【０３１０】ここで、Ｒａは、水素原子、アルキル基、
アルケニル基またはアリール基を表す。Ｒｂは、水素原
子、アリール基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒａ又は−Ｎ＝Ｎ−Ｒ
ａを表す。ＲａとＲｂとは互いに結合して環を形成して
もよい。これらのアルキル基としては炭素数１〜１０個
のものが挙げられ、メチル基、エチル基、プロピル基、
ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基の様な
炭素数１〜４個のものが好ましい。

【０３１１】アリール基としては炭素数６〜２０個のも
のが挙げられ、フェニル基、キシリル基、トルイル基、
クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基の様な炭素
数６〜１４個のものが好ましい。アルケニル基として
は、炭素数１〜４個のものが挙げられ、具体的にはビニ
ル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げら
れる。

【０３１２】Ｒａとしてのアルキル基、アルケニル基ま
たはアリール基は置換基を有していてもよく、置換基と
しては、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基等
が挙げられる。ＲａとＲｂとが互いに結合して形成する
環としては、後述の（Ｃ−４）〜（Ｃ−７）の構造のも
のが挙げられる。

【０３１３】前記（Ｃ）の含窒素化合物は、下記一般式
（ＨII−１）で表される化合物であることが好ましい。

【０３１４】

【化１２８】

【０３１５】一般式（ＨII−１）において、Ｒは炭素数
１から２０の一価の有機残基を表す。炭素数１から２０
の一価の有機残基としては、例えば、置換基を有してい
てもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロ
アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置
換基を有していてもよいアラルキル基を表す。

【０３１６】アルキル基としては炭素数１〜１０個のも
のが挙げられるが、メチル基、エチル基、プロピル基、
ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基の様な
炭素数１〜４個のものが好ましい。シクロアルキル基と
しては炭素数３〜１５個のものが挙げられるが、シクロ
プロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基、アダ
マンチル基の様な炭素数３〜１０個のものが好ましい。

【０３１７】アリール基としては炭素数６〜２０個のも
のが挙げられるが、フェニル基、キシリル基、トルイル
基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基の様な
炭素数６〜１４個のものが好ましい。アラルキル基とし
ては、炭素数７〜２０個のものが挙げられるが、置換又
は未置換のベンジル基、置換又は未置換のフェネチル基
などの炭素数７〜１５個のものが挙げられる。

【０３１８】これらのアルキル基、シクロアルキル基、
アリール基、アラルキル基の置換基としては、アルキル
基、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、
アシル基等が挙げられる。

【０３１９】また、前記（Ｃ）の含窒素化合物は、下記
一般式（ＨII−２）で表される化合物であることが好ま
しい。

【０３２０】

【化１２９】

【０３２１】［一般式（ＨII−２）においてＲ₁〜Ｒ₁₀
は、同一または異なり、水素原子、水酸基、ハロゲン原
子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アルコキシ基、
ヒドロキシアルキル基、シクロアルキル基、又はアリー
ル基を表す。］

【０３２２】前記一般式（ＨII−２）におけるＲ₁〜Ｒ
₁₀のアルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基の
様な炭素数１〜４個のものが好ましく、シクロアルキル
基としてはシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロ
ヘキシル基、アダマンチル基の様な炭素数３〜１０個の
ものが好ましく、アリール基としてはフェニル基、キシ
リル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アント
ラセニル基の様な炭素数６〜１４個のものが好ましい。

【０３２３】アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキ
シ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキ
シプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓ
ｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基の様な炭素数１〜４
個のものが好ましい。ハロゲン原子としては、フッ素、
塩素、臭素、ヨウ素原子が挙げられる。ヒドロキシアル
キル基としてはヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル
基、ヒドロキシプロピル基、ヒドロキシブチル基の様な
炭素数１〜４個のものが好ましい。

【０３２４】本発明で用いられる前記（Ｃ）の含窒素化
合物としては、以下に示す化合物（Ｉ−１）〜（Ｉ−１
１）、（Ｃ−１）〜（Ｃ−９）を具体例として挙げるこ
とができるが、これらに限定されるものではない。

【０３２５】

【化１３０】

【０３２６】

【化１３１】

【０３２７】

【化１３２】

【０３２８】本発明において、上記含窒素化合物（Ｃ）
の添加量は、組成物中の固形分を基準として、通常０．
００１〜４０重量％の範囲で用いられ、好ましくは０．
０１〜２０重量％、更に好ましくは０．０５〜１５重量
％の範囲で使用される。本発明の含窒素化合物（Ｃ）の
添加量が、０．００１重量％より少ないとＰＥＤ安定性
及びショートニング性能の改良に十分効果がない場合が
ある。また添加量が４０重量％より多いとレジストのプ
ロファイルが悪化したり、プロセスマージンが狭くなる
場合がある。

【０３２９】（Ｄ）含窒素塩基性化合物 次に本発明のポジ型感光性樹脂組成物に好ましく使用す
ることができる（Ｄ）含窒素塩基性化合物について説明
する。（Ｄ）含窒素塩基性化合物としては、有機アミ
ン、塩基性のアンモニウム塩、塩基性のスルホニウム塩
などが用いられ、昇華やレジスト性能を劣化させないも
のであればよい。これらの含窒素塩基性化合物の中で
も、有機アミンが画像性能が優れる点で好ましい。例え
ば特開昭63-149640号、特開平5-249662号、特開平5-127
369号、特開平5-289322号、特開平5-249683号、特開平5
-289340号、特開平5-232706号、特開平5-257282号、特
開平6-242605号、特開平6-242606号、特開平6-266100
号、特開平6-266110 号、特開平6-317902号、特開平7-1
20929号、特開平7-146558号、特開平7-319163号、特開
平7-508840号、特開平7-333844号、特開平7-219217号、
特開平7-92678号、 特開平7-28247号、特開平8-22120
号、特開平8-110638号、特開平8-123030号、特開平9-27
4312号、特開平9-166871号、特開平9-292708号、特開平
9-325496号、特表平7-508840号、USP5525453号、USP562
9134号、USP5667938号等に記載の塩基性化合物を用いる
ことができる。

【０３３０】含窒素塩基性化合物としては、好ましく
は、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネ
ン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウン
デセン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタ
ン、４−ジメチルアミノピリジン、１−ナフチルアミ
ン、ピペリジン、ヘキサメチレンテトラミン、イミダゾ
ール類、ヒドロキシピリジン類、ピリジン類、４，４’
−ジアミノジフェニルエーテル、ピリジニウムｐ−トル
エンスルホナート、２，４，６−トリメチルピリジニウ
ムｐ−トルエンスルホナート、テトラメチルアンモニウ
ムｐ−トルエンスルホナート、及びテトラブチルアンモ
ニウムラクテート、トリエチルアミン、トリブチルアミ
ン等が挙げられる。これらの中でも、１，５−ジアザビ
シクロ［４．３．０］−５−ノネン、１，８−ジアザビ
シクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、１，４−ジア
ザビシクロ［２．２．２］オクタン、４−ジメチルアミ
ノピリジン、１−ナフチルアミン、ピペリジン、ヘキサ
メチレンテトラミン、イミダゾール類、ヒドロキシピリ
ジン類、ピリジン類、４，４’−ジアミノジフェニルエ
ーテル、トリエチルアミン、トリブチルアミン等の有機
アミンが好ましい。

【０３３１】（Ｄ）含窒素塩基性化合物の含有量は、感
光性樹脂組成物（固形分）１００重量部に対し、通常、
０．００１〜１０重量部、好ましくは０．００１〜５重
量部、より好ましくは０．００１〜０．５重量部であ
る。０．００１重量部未満では（Ｄ）成分の添加効果が
十分得られない。一方、１０重量部を越えると感度の低
下や非露光部の現像性が著しく悪化する傾向がある。
（Ｄ）塩基性化合物は、１種単独であるいは２種以上を
組み合わせて用いることができる。

【０３３２】（Ｅ）フッ素系及び／又はシリコン系界面
活性剤 次に本発明のポジ型感光性樹脂組成物に好ましく使用す
ることができる（Ｅ）フッ素系及び／又はシリコン系界
面活性剤について説明する。本発明の感光性樹脂組成物
には、フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤及び
フッ素原子とケイ素原子含有界面活性剤のいずれか、あ
るいはこれらを二種以上を含有することができる。これ
らの界面活性剤として、例えば特開昭62-36663号、特開
昭61-226746号、特開昭61-226745号、特開昭62-170950
号、特開昭63-34540号、特開平7-230165号、特開平8-62
834号、特開平9-54432号、特開平9-5988号、米国特許54
05720号、同5360692号、同5529881号、同5296330号、同
5436098号、同5576143号、同5294511号、同5824451号記
載の界面活性剤を挙げることができ、下記市販の界面活
性剤をそのまま用いることもできる。使用できる市販の
界面活性剤として、例えばエフトップEF301、EF303、
(新秋田化成(株)製)、フロラードFC430、431(住友スリ
ーエム(株)製)、メガファックF171、F173、F176、F18
9、R08（大日本インキ（株）製）、サーフロンS−382、
SC101、102、103、104、105、106（旭硝子（株）製）、
トロイゾルS-366（トロイケミカル（株）製）等のフッ
素系及び／又はシリコン系界面活性剤を挙げることがで
きる。またポリシロキサンポリマーKP−341（信越化学
工業（株）製）もシリコン系界面活性剤として用いるこ
とができる。

【０３３３】（Ｅ）界面活性剤の配合量は、本発明の組
成物中の固形分１００重量部当たり、通常０．００１重
量部〜２重量部、好ましくは０．００３重量部〜０．１
０重量部である。これらの界面活性剤は１種単独である
いは２種以上を組み合わせて用いることができる。

【０３３４】本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、必要
に応じて、分子量が２０００以下であって、酸の作用に
より分解し得る基を有し、アルカリ溶解性が酸の作用に
より増大する低分子酸分解性化合物を含むことができ
る。例えばProc.SPIE,2724, 355(1996)、特開平8-15865
号、USP5310619号、USP−5372912号、J.Photopolym.Sc
i.,Tech.,Vol.10,No.3,511(1997))に記載されている酸
分解性基を含有する、コール酸誘導体、デヒドロコール
酸誘導体、デオキシコール酸誘導体、リトコール酸誘導
体、ウルソコール酸誘導体、アビエチン酸誘導体等の脂
環族化合物、酸分解性基を含有するナフタレン誘導体な
どの芳香族化合物を上記低分子酸分解性化合物として用
いることができる。さらに、特開平6-51519号記載の低
分子の酸分解性溶解阻止化合物も２２０ｎｍの透過性を
悪化させないレベルの添加範囲で用いることもできる
し、１，２−ナフトキノンジアジト化合物も使用でき
る。

【０３３５】本発明の感光性樹脂組成物に上記低分子酸
分解性溶解阻止化合物を使用する場合、その含有量は感
光性樹脂組成物の１００重量部(固形分)を基準として、
通常０．５〜５０重量部の範囲で用いられ、好ましくは
０．５〜４０重量部、更に好ましくは０．５〜３０重量
部、特に好ましくは０．５〜２０．０重量部の範囲で使
用される。これらの低分子酸分解性溶解阻止化合物を添
加すると、前記現像欠陥がさらに改良されるばかりか耐
ドライエッチング性が改良される。

【０３３６】本発明のポジ型感光性樹脂組成物には、必
要に応じて、さらに現像液に対する溶解促進性化合物、
ハレーション防止剤、可塑剤、界面活性剤、光増感剤、
接着助剤、架橋剤、光塩基発生剤等を含有することがで
きる。

【０３３７】本発明で使用できる現像液に対する溶解促
進性化合物の例としては、例えば特開平3-206458号記載
のフェノール性水酸基を２個以上含有する化合物、１−
ナフトールなどのナフトール類又はカルボキシル基を１
個以上有する化合物、カルボン酸無水物、スルホンアミ
ド化合物やスルホニルイミド化合物などの分子量１００
０以下の低分子化合物等を挙げることができる。これら
の溶解促進性化合物の配合量としては、組成物全重量
(固形分)に対して、好ましくは３０重量％以下、より好
ましくは２０重量％以下である。

【０３３８】好適なハレーション防止剤としては、照射
する放射線を効率よく吸収する化合物が好ましく、フル
オレン、９−フルオレノン、ベンゾフェノンのような置
換ベンゼン類；アントラセン、アントラセン−９−メタ
ノール、アントラセン−９−カルボキシエチル、フェナ
ントレン、ペリレン、アジレンのような多環式芳香族化
合物などが挙げられる。なかでも、多環式芳香族化合物
が特に好ましい。これらのハレーション防止剤は基板か
らの反射光を低減し、レジスト膜内の多重反射の影響を
少なくさせることで、定在波改良の効果を発現する。

【０３３９】本発明の感光性樹脂組成物の塗布性を改良
したり、現像性を改良する目的で、ノニオン系界面活性
剤を併用することができる。併用できるノニオン系界面
活性剤として、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、
ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエ
チレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレン
ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラ
ウレート、ポリエチレングリコールジステアレート、ポ
リオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ソルビ
タンモノラウレート等が挙げられる。

【０３４０】また露光による酸発生率を向上させるため
に、光増感剤を添加することができる。好適な光増感剤
として、ベンゾフェノン、ｐ,ｐ'−テトラメチルジアミ
ノベンゾフェノン、２−クロロチオキサントン、アント
ロン、９−エトキシアントラセン、ピレン、フェノチア
ジン、ベンジル、ベンゾフラビン、アセトフェノン、フ
ェナントレン、ベンゾキノン、アントラキノン、１，２
−ナフトキノン等を挙げることができるが、これらに限
定されるものではない。これらの光増感剤は前記ハレー
ション防止剤としても使用可能である。

【０３４１】本発明の感光性樹脂組成物は、上記各成分
を溶解する溶媒に溶解した後、通常例えば孔径０．０５
μｍ〜０．２μｍ程度のフィルターで濾過することによ
って溶液として調製される。ここで使用される溶媒とし
ては、例えばエチレングリコールモノエチルエーテルア
セテート、シクロヘキサノン、２−ヘプタノン、プロピ
レングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレング
リコールモノエチルエーテルアセテート、３−メトキシ
プロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチ
ル、β−メトキシイソ酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸プ
ロピル、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、酢酸イ
ソアミル、乳酸エチル、トルエン、キシレン、酢酸シク
ロヘキシル、ジアセトンアルコール、Ｎ−メチルピロリ
ドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、γ−ブチロラク
トン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどが挙げられ
る。これらの溶媒は単独もしくは組み合わせて用いられ
る。これらの溶剤のうち、前記組成物に対する溶解性や
基板への塗布性、保存安定性などの観点より、特に乳酸
エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネ ー
ト、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピ
オン酸エチル、2-ヘプタノンから選択される少なくとも
1種の溶剤を全溶剤中７０重量％以上含有することが好
ましい。また、溶媒に含まれる水分はレジスト性能に影
響するため、少ない方が好ましい。

【０３４２】さらに本発明の感光性樹脂組成物は、メタ
ル等の金属不純物やクロルイオンなどの不純物成分を１
００ｐｐｂ以下に低減しておくことが好ましい。これら
の不純物が多く存在すると、半導体デバイスを製造する
上で動作不良、欠陥、収率低下を招いたりするので好ま
しくない。

【０３４３】本発明の感光性樹脂組成物を基板上にスピ
ナー、コーター等の適当な塗布方法により塗布後、プリ
ベーク（露光前加熱）し、所定のマスクを通して２２０
ｎｍ以下の波長の露光光で露光し、ＰＥＢ（露光後ベー
ク）を行い現像することにより良好なレジストパターン
を得ることができる。ここで用いられる基板としては半
導体装置その他の製造装置において通常用いられる基板
であればよく、例えばシリコン基板、ガラス基板、非磁
性セラミックス基板などが挙げられる。また、これらの
基板上にさらに必要に応じて追加の層、例えばシリコン
酸化物層、配線用金属層、層間絶縁膜、磁性膜、反射防
止膜層などが存在してもよく、また各種の配線、回路な
どが作り込まれていてもよい。さらにまた、これらの基
板はレジスト膜の密着性を高めるために、常法に従って
疎水化処理されていてもよい。適当な疎水化処理剤とし
ては、例えば１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジ
シラザン（ＨＭＤＳ）などが挙げられる。

【０３４４】基板上に塗布されるレジスト膜厚は、約
０．１〜１０μｍの範囲が好ましく、ＡｒＦ露光の場合
は、約０．１〜１．５μｍ厚が推奨される。基板上に塗
布されたレジスト膜は、約６０〜１６０℃の温度で約３
０〜３００秒間プリベークするのが好ましい。プリベー
クの温度が低く、時間が短かければレジスト膜中の残留
溶剤が相対的に多くなり、密着性が劣化するなどの弊害
を生じるので好ましくない。また、逆にプリベークの温
度が高く、時間が長ければ、感光性樹脂組成物のバイン
ダー、光酸発生剤などの構成成分が分解するなどの弊害
が生じるので好ましくない。

【０３４５】プリベーク後のレジスト膜を露光する装置
としては市販の紫外線露光装置、Ｘ線露光装置、電子ビ
ーム露光装置、ＫｒＦエキシマ露光装置、ＡｒＦエキシ
マ露光装置、Ｆ₂エキシマ露光装置等が用いられ、特に
本発明ではＡｒＦエキシマレーザーを露光光源とする装
置が好ましい。露光後ベークは酸を触媒とする保護基の
脱離を生じさせる目的や定在波を消失させる目的、酸発
生剤などを膜中に拡散させる目的等で行われる。この露
光後ベークは先のプリベークと同様にして行うことがで
きる。例えば、ベーキング温度は約６０〜１６０℃、好
ましくは約９０〜１５０℃である。

【０３４６】本発明の感光性樹脂組成物の現像液として
は水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、ケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ
類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第一アミン
類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第２ア
ミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の
第３アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノ
ールアミン等のアルコールアミン類、水酸化テトラメチ
ルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、水酸化テトラエチルアン
モニウム（ＴＥＡＨ）、トリメチルヒドロキシメチルア
ンモニウムヒドロキシド、トリエチルヒドロキシメチル
アンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチ
ルアンモニウムヒドロキシド等の第４級アンモニウム
塩、ピロール、ピペリジン、１，８−ジアザビシクロ−
［５．４．０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシ
クロ−［４．３．０］−５−ノナン等の環状アミン類等
のアルカリ水溶液を使用することができる。

【０３４７】更に、上記アルカリ性水溶液にアルコール
類やケトン類などの親水性の有機溶剤やノニオン系や陰
イオン性界面活性剤及び陽イオン性界面活性剤や消泡剤
等を適当量添加しても使用することができる。これらの
添加剤は、レジストの性能を向上させる目的以外にも基
板との密着性を高めたり、現像液の使用量を低減させた
り、現像時の気泡に起因する欠陥を低減させる目的等で
アルカリ性水溶液に添加される。

【０３４８】

【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明がこれにより限定されるものではない。 〔樹脂（Ｂ１−１）の合成〕ノルボルネンカルボン酸ｔ
ブチルエステル、無水マレイン酸、２−メチル−２−ア
ダマンチルアクリレート、ノルボルネンラクトンアクリ
レートをモル比で２０／２０／３５／２５で反応容器に
仕込み、メチルエチルケトン／テトラヒドロフラン＝１
／１溶媒に溶解し、固形分６０％の溶液を調製した。こ
れを窒素気流下６５℃で加熱した。反応温度が安定した
ところで和光純薬社製ラジカル開始剤Ｖ−６０１を３ｍ
ｏｌ％加え反応を開始させた。１２時間加熱した後、反
応混合物を５倍量のヘキサンに投入し白色粉体を析出さ
せた。析出した粉体を再度メチルエチルケトン／テトラ
ヒドロフラン＝１／１溶媒に溶解させ５倍量のヘキサン
／メチルｔＢｕエ−テルに投入し白色粉体を析出させ、
濾過取り出した。この作業を再度繰り返し、乾燥、目的
物である樹脂（Ｂ１−１）を得た。得られた樹脂（Ｂ１
−１）のＧＰＣによる分子量分析（ＲＩ分析）を試みた
ところ、ポリスチレン換算で１１６００（重量平均）、
残留モノマーの量は０．４％であった。また、ＮＭＲス
ペクトルより樹脂（Ｂ１−１）の組成は本発明のノルボ
ルネン／無水マレイン酸／２−メチル−２−アダマンチ
ルアクリレート／ノルボルネンラクトンアクリレートを
モル比で１８／２３／３４／２５であった。以下同様の
方法で樹脂（Ｂ１−２）〜（Ｂ１−２５）を合成した。
以下に上記酸分解性樹脂（Ｂ１−１）〜（Ｂ１−２５）
の構造を示す。

【０３４９】

【化１３３】

【０３５０】

【化１３４】

【０３５１】

【化１３５】

【０３５２】

【化１３６】

【０３５３】

【化１３７】

【０３５４】また、上記酸分解性樹脂（Ｂ１−１）〜
（Ｂ１−２５）の各繰り返し単位のモル比率と重量平均
分子量を表１に示す。

【０３５５】

【表１】

【０３５６】〔樹脂（Ｂ２−１）の合成〕ノルボルネ
ン、無水マレイン酸、ｔブチルアクリレート、２−メチ
ルシクロヘキシル−２−プロピルアクリレートをモル比
で３５／３５／２０／１０で反応容器に仕込み、テトラ
ヒドロフランに溶解し、固形分６０％の溶液を調製し
た。これを窒素気流下６５℃で加熱した。反応温度が安
定したところで和光純薬社製ラジカル開始剤Ｖ−６０１
を１ｍｏｌ％加え反応を開始させた。８時間加熱した
後、反応混合物をテトラヒドロフランで２倍に稀釈した
後、反応混合液の５倍容量のヘキサンに投入し白色粉体
を析出させた。析出した粉体を濾過取り出しし、これを
メチルエチルケトンに溶解し、５倍容量のヘキサン／ｔ
−ブチルメチルエーテル＝１／１混合溶媒に再沈し、析
出した白色粉体を濾取、乾燥、目的物である樹脂（Ｂ２
−１）を得た。得られた樹脂（Ｂ２−１）のＧＰＣによ
る分子量分析を試みたところ、ポリスチレン換算で１２
１００（重量平均）であった。また、ＮＭＲスペクトル
より樹脂（１）の組成は本発明のノルボルネン／無水マ
レイン酸／ｔブチルアクリレート／２−メチルシクロヘ
キシル−２−プロピルアクリレートをモル比で３２／３
９／１９／１０であった。同様の方法で以下、樹脂（Ｂ
２−２）〜（Ｂ２−１４）を合成した。

【０３５７】

【化１３８】

【０３５８】

【化１３９】

【０３５９】

【化１４０】

【０３６０】

【化１４１】

【０３６１】また、上記酸分解性樹脂（Ｂ２−２）〜
（Ｂ１−１４）の各繰り返し単位のモル比率と重量平均
分子量を表２に示す。

【０３６２】

【表２】

【０３６３】実施例１〜３９、比較例１〜２ （感光性樹脂組成物の調製）下記表３に示すした樹脂９
８重量部、光酸発生剤１．０重量部、（Ｃ）成分０．５
０重量、界面活性剤０．０２重量部、有機塩基性化合物
０．１０重量部及び溶剤７００．３８重量部を固形分濃
度が約１２重量％になるように混合し、０．１μｍのミ
クロフィルターで濾過し、実施例１〜３９のポジ型感光
性樹脂組成物を調製した。（Ｃ）成分を添加しない比較
例１及び２の組成物を、表３に示す成分を実施例におけ
るのと同様の添加量で添加し、同様にして調製した。表
３において各成分の複数使用により示されている比は、
重量比である。

【０３６４】（画像評価法）感光性樹脂組成物をスピン
コーターを利用して、ブリューワーサイエンス製ＤＵＶ
−３０が５５０ｎｍ塗布してある６インチシリコンウエ
ハー上に塗布し、１２０℃で９０秒間ホットプレート上
で加熱、乾燥を行い、０．４０μｍのレジスト膜を形成
した。このレジスト膜を、マスクを通してＡｒＦエキシ
マレーザー光（ＮＡ＝０．６０）でパターン露光し、露
光後直ぐに１１０℃で９０秒間ホットプレート上で加熱
し、直ちに２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド水溶液で現像し、続いて純水でリンス後、スピ
ン乾燥を行いレジストパターンを得た。

【０３６５】得られたレジストパターンについて、ＰＥ
Ｄ安定性、形状、現像欠陥数、ショートニングを下記手
法により評価し、結果を表４に示した。

【０３６６】〔ＰＥＤ安定性〕まず、０．１８μｍライ
ン（ライン：スペース＝１：１）を再現する最小照射量
を求めた。その最小露光量での露光後、露光装置内で１
２０分放置する工程を加え、そのときの０．１８μｍラ
イン（ライン：スペース＝１：１）の幅を測定した。ま
た、その最小露光量で露光後放置しない場合の０．１８
μｍライン（ライン：スペース＝１：１）の幅を測定し
た。そして、（露光後放置した場合の０．１８μｍの線
幅）／（放置しない場合の０．１８μｍの線幅）×１０
０が、１００±５％以内であるものをＰＥＤ安定性合格
○とした。他を不合格×とした。

【０３６７】〔プロファイル〕マスクにおける０．１８
μｍのラインパターンを再現する最小露光量により得ら
れた０．１８μｍラインパターンの断面形状を走査型電
子顕微鏡により観察した。矩形状のものを○とし、テー
パー形状のものを×で示した。ややテーパー状のものを
△で示した。

【０３６８】〔現像欠陥数〕感光性樹脂組成物をスピン
コーターによりヘキサメチルジシラザン処理を施したシ
リコン基板上に均一に塗布し、１２０℃で９０秒間ホッ
トプレート上で加熱、乾燥を行い、０．５０μｍのレジ
スト膜を形成した。このレジスト膜を、マスクを通して
ＡｒＦエキシマレーザー光で露光し、露光後直ぐに１１
０℃で９０秒間ホットプレート上で加熱した。更に２．
３８重量％濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド水溶液で２３℃で６０秒間現像し、３０秒間純水にて
リンスした後、乾燥した。このようにして得られたコン
タクトホールパターンの形成されたサンプルを、ＫＬＡ
２１１２機(ＫＬＡテンコール（株）製)により現像欠陥
数を測定した(Threshold12、Pixcel Size＝０．３
９）。

【０３６９】〔ショートニングの評価方法〕得られたポ
ジ型感光性樹脂組成物液をスピンコーターを利用してブ
リューワーサイエンス社製有機ＢＡＲＣ（ＤＵＶ−３
２）を７０ｎｍ塗膜形成したシリコンウエハー上に塗布
し、１２０℃で９０秒間乾燥し、約０．４０μｍのレジ
スト膜を形成し、それにＡｒＦエキシマレーザー（波長
１９３ｎｍ、ＮＡ＝０．６０）で露光した。露光後に１
１０℃で９０秒間加熱処理を行い、２．３８％のテトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像、続いて
純水でリンス後、スピン乾燥を行いレジストパターンを
得た。この際、上記プロセスにより基板上に転写したレ
ジストパターンは、０．２５μｍのライン幅とスペース
幅との比が１対１の周期性を有する５本ラインよりな
り、その各ラインの長さは１．８μｍである（図１）。
ショートニング評価では、この５本ラインのうち中央部
にある左右より３本目のラインに着目した。ここでショ
ートニングの定義をする。まず、上記５本ラインのライ
ン幅とスペース幅との比が１対１を再現する露光量を求
め、その露光量における左右から３本目にあるラインの
長手方向の長さを日立社製ＣＤ−ＳＥＭ（側長ＳＥＭ）
Ｓ−８８４０により測定し、Ｌ（μｍ）の値を得た場
合、下記計算式による長手方向の縮み率をショートニン
グと定義した。 ショートニング（％）＝（（１．８−Ｌ）／１．８）×
１００（％）

【０３７０】下記の表３における記号は、下記の通りで
ある。 ＰＡＧ−１：トリフェニルスルホニウムトリフレート ＰＡＧ−２：トリフェニルスルフォニウム パーフルオ
ロブタンスルフォネート ＰＡＧ−３：トリフェニルスルフォニウム パーフルオ
ロオクタンスルフォネート

【０３７１】Ｎ−１：１，５−ジアザビシクロ［４．
３．０］−５−ノネン Ｎ−２：１．８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−
ウンデセン Ｎ−３：４−ＤＭＡＰ（４−ジメチルアミノピリジン） Ｎ−４：ＴＰＩ（２，４，５−トリフェニルイミダゾー
ル） Ｎ−５：２，６−ジイソプロピルアニリン Ｎ−６：アンチピリン

【０３７２】Ｗ−１：メガファックＦ−１７６（大日本
インキ化学工業（株）製）（フッ素系） Ｗ−２：メガファックＲ−０８（大日本インキ化学工業
（株）製）（フッ素およびシリコン系） Ｗ−３：ポリシロキサンポリマーＫＰ−３４１（信越化
学工業（株）製）（シリコン系） Ｗ−４：ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル Ｗ−５：トロイゾルＳ−３６６（トロイケミカル（株）
製）

【０３７３】Ｓ−１：プロピレングリコールモノメチル
エーテルアセテート Ｓ−２：プロピレングリコールモノメチルエーテル Ｓ−３：乳酸エチル Ｓ−４：エトキシエチルプロピオネート Ｓ−５：γ−ブチロラクトン

【０３７４】

【表３】

【０３７５】

【表４】

【０３７６】

【表５】

【０３７７】

【表６】

【０３７８】上記表４に示すように、本発明のレジスト
組成物は、ＰＥＤ安定性、形状、現像欠陥、ショートニ
ングのいずれにおいても満足のいく結果が得られた。

【０３７９】

【発明の効果】本発明は、露光光源として、遠紫外線、
特にＡｒＦエキシマレーザー光を用いた場合、ＰＥＤ安
定性及びプロファイルに優れ、現像欠陥及びショートニ
ングの問題が改善されたポジ型感光性樹脂組成物を提供
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ショートニングを説明するための図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ Ｆターム(参考） 2H025 AA03 AA04 AA11 AB16 AC04 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CB08 CB10 CB14 CB15 CB41 CB42 CB45 CB48 CC20 FA17 4J002 AA031 BG071 BH021 BK001 EB006 EN136 EQ036 ES017 EU186 EU226 EV216 EV236 EV296 EW176 EY006 EZ006 FD206 GP03

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸
   を発生する化合物、（Ｂ１）下記一般式（Ｉ）で示され
   る繰り返し構造単位、一般式（II）で示される繰り返し
   構造単位、及び一般式（III）で示される繰り返し構造
   を含み、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速
   度が増加する樹脂、及び、（Ｃ）下記一般式（ＨＩ）で
   表される部分構造を分子内に少なくとも一つ有する含窒
   素化合物を含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂
   組成物。 【化１】 【化２】 【化３】 【化４】 一般式（Ｉ）中：Ｒ₁₁〜Ｒ₁₄は、各々独立に、酸の作用
   により分解する基、水素原子、ハロゲン原子、シアノ
   基、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ₁₅、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ−Ａ
   −Ｒ₁₆、又はアルキル基或いは環状炭化水素基を表し、
   且つＲ₁₁〜Ｒ₁₄の内少なくとも１つは酸の作用により分
   解する基を表す。また、Ｒ₁₁〜Ｒ₁₄のうち少なくとも２
   つが結合して環を形成してもよい。ｎは０又は１を表
   す。ここで、Ｒ₁₅は、アルキル基、環状炭化水素基又は
   下記の−Ｙ基を表す。Ｘは、酸素原子、硫黄原子、−Ｎ
   Ｈ−、−ＮＨＳＯ₂−、又は−ＮＨＳＯ₂ＮＨ−を表す。
   Ａは、単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、エ
   ーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基
   よりなる群から選択される単独或いは２つ以上の基の組
   み合わせを表す。Ｒ₁₆は、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ₁₅、
   −ＣＮ、水酸基、アルコキシ基、−ＣＯ−ＮＨ−Ｒ₁₇、
   −ＣＯ−ＮＨ−ＳＯ₂−Ｒ₁₇又は下記の−Ｙ基を表す。
   Ｒ₁₇は、アルキル基又は環状炭化水素基を表す。−Ｙ
   基； 【化５】 −Ｙ基中、Ｒ₂₁〜Ｒ₃₀は、各々独立に、水素原子又はア
   ルキル基を表す。ａ、ｂは、１又は２を表す。 一般式（ＩＩ）中：Ｚ₂は、−Ｏ−又は−Ｎ（Ｒ₄₁）−
   を表す。ここでＲ₄₁は、水素原子、水酸基、アルキル
   基、ハロアルキル基、又は−ＯＳＯ₂−Ｒ₄₂を表す。Ｒ
   ₄₂は、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル基
   又は樟脳残基を表す。 一般式（ＩＩＩ）中：Ｒ₉₁は、水素原子、低級アルキル
   基、ハロゲン原子又は−ＣＮを表す。Ｘ₅は、−Ｏ−、
   −Ｓ−、−ＮＲ₉₃−、又は−ＮＲ₉₃ＳＯ₂−を表す。Ｒ
   ₉₃は、水素原子、鎖状又は環状アルキル基を表す。Ｂ
   は、単結合または連結基を表す。Ｒ₉₂は、水素原子、鎖
   状又は環状アルキル基、アルコキシ基、水酸基、カルボ
   キシ基、シアノ基、−ＣＯＯＲ₉₄、又は下記一般式（Ｉ
   Ｖ）〜（Ｘ）のいずれかで表される基を表す。Ｒ₉₄は、
   水素原子、または鎖状又は環状アルキル基を表す。 【化６】 −Ｎ⁺(Ｒ₉₅）(Ｒ₉₆）(Ｒ₉₇）・Ｘ^- （ＶIII） −Ｒ₉₈−Ａ₅₀−Ｒ₉₉ （ＩＸ） −ＳＯ₃Ｒ₁₀₀ （Ｘ） 式（IＶ）において、Ｒａ₁、Ｒｂ₁、Ｒｃ₁、Ｒｄ₁、及
   びＲｅ₁は、各々独立に、水素原子又は炭素数１〜４の
   アルキル基を表す。ｍ、ｎは各々独立に０〜３の整数を
   表し、ｍ＋ｎは、２以上６以下である。式（Ｖ−１）〜
   （Ｖ−４）において、Ｒ_1b〜Ｒ_5bは、各々独立に、水素
   原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基
   を表す。Ｒ_1b〜Ｒ_5bの内の２つは、結合して環を形成し
   てもよい。式（ＶII）において、Ｒ_1d〜Ｒ_8dは、各々独
   立に、水素原子又はアルキル基を表す。Ｒ_d0は、水素原
   子、鎖状または環状アルキル基、アリール基又はアラル
   キル基を表す。ｍは、１〜１０の整数を表す。式（ＶII
   I）中、Ｒ₉₅〜Ｒ₉₇は、各々独立に、水素原子、鎖状ま
   たは環状アルキル基、アルケニル基、アリール基、又は
   アラルキル基を表す。但し、Ｒ₉₅〜Ｒ ₉₇は互いに結合し
   て非芳香環、芳香環を形成しても良い。Ｘ^-は、Ｒ−Ｓ
   Ｏ₃ ^-を表す。Ｒは脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素
   基を表す。式（ＩＸ）中、Ｒ₉₈は、単結合、アルキレン
   基、アリーレン基、又はこれらを組み合わせた２価の基
   を表す。Ａ₅₀は、下記に示す官能基のいずれかを表す。 【化７】 Ｒ₉₉は、水素原子またはアルキル基を表す。式（Ｘ）
   中、Ｒ₁₀₀は、鎖状又は環状アルキル基、アリール基又
   はアラルキル基を表す。
2. 【請求項２】（Ｂ）成分の樹脂が、更に下記式（ＸＩ）
   で表される繰り返し単位を含有することを特徴とする請
   求項１に記載のポジ型感光性樹脂組成物。 【化８】 一般式（ＸＩ）中：Ｒ₉₁cは、水素原子、低級アルキル
   基、ハロゲン原子又は−ＣＮを表す。Ｘ₅cは、−Ｏ−、
   −Ｓ−、−ＮＲ₉₃c−、又は−ＮＲ₉₃cＳＯ₂−を表す。
   Ｒ₉₃cは、水素原子、鎖状又は環状アルキル基を表す。
   Ｂcは、単結合または連結基を表す。Ｒ₉₂cは下記一般式
   （ＸＩ’）で表される基を表す。 【化９】 一般式（ＸＩ’）において、Ｒ₂c〜Ｒ₄cは、各々独立に
   水素原子又は水酸基を表す。ただし、Ｒ₂c〜Ｒ₄cのうち
   少なくとも１つは水酸基を表す。
3. 【請求項３】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸
   を発生する化合物、（Ｂ２）下記一般式（ＮＩ）で示さ
   れる繰り返し構造単位、一般式（ＮII）で示される繰り
   返し構造単位、及び一般式（ＮIII）で示される繰り返
   し構造を含み、酸の作用によりアルカリ現像液に対する
   溶解速度が増加する樹脂、及び（Ｃ）下記一般式（Ｈ
   Ｉ）で表される部分構造を分子内に少なくとも一つ有す
   る含窒素化合物を含有することを特徴とするポジ型感光
   性樹脂組成物。 【化１０】 【化１１】 【化１２】 【化１３】 一般式（ＮＩ）中、Ｒｎ₁〜Ｒｎ₄は、各々独立に水素原
   子又はアルキル基を表す。ａは０または１である。一般
   式（ＮII）中、Ｒｎ₅は、水素原子又はメチル基を表
   す。Ａｎは、単結合、アルキレン基、シクロアルキレン
   基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エス
   テル基よりなる群から選択される単独あるいは２つ以上
   の基の組み合わせを表す。Ｗは、−Ｃ（Ｒｎａ）（Ｒｎ
   ｂ）（Ｒｎｃ）で表される基あるいは−ＣＨ（Ｒｎｄ）
   −Ｏ−Ｒｎｅで表される基を表す。ここで、Ｒｎａ、Ｒ
   ｎｂ、Ｒｎｃは、各々、置換基としてハロゲン原子、ア
   ルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、ア
   シル基あるいはアシロキシ基を有していてもよい、炭素
   数１個〜２０個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基又は
   脂環式炭化水素基を表す。ただし、ＲｎａとＲｎｂは、
   互いに結合して共通に結合している炭素原子とともに脂
   環式環を形成してもよい。この場合、Ｒｎｃは炭素数１
   〜４のアルキル基である。Ｒｎｄとしては、水素原子又
   はアルキル基を表す。Ｒｎｅとしては、置換基としてハ
   ロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカ
   ルボニル基、アシル基あるいはアシロキシ基を有してい
   てもよい、炭素数１〜２０の直鎖状あるいは分岐状アル
   キル基又は脂環式炭化水素基を表す。一般式（ＮIII）
   中、Ｚ₁は、−Ｏ−又は−Ｎ（Ｒｎ₆）−を表す。ここで
   Ｒｎ₆は、水素原子、水酸基、アルキル基、ハロアルキ
   ル基、又は−ＯＳＯ₂−Ｒｎ₇を表す。Ｒｎ₇は、アルキ
   ル基、ハロアルキル基、シクロアルキル基又は樟脳残基
   を表す。
4. 【請求項４】 前記（Ｃ）の含窒素化合物が、下記一般
   式（ＨＩa）で表される化合物であることを特徴とする
   請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成
   物。 【化１４】 一般式（ＨＩa）において、Ｒａは、水素原子、アルキ
   ル基、アルケニル基またはアリール基を表す。Ｒｂは、
   水素原子、アリール基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒａ又は−Ｎ＝
   Ｎ−Ｒａを表す。ＲａとＲｂとは互いに結合して環を形
   成してもよい。
5. 【請求項５】 前記（Ｃ）の含窒素化合物が、下記一般
   式（ＨII−１）で表される化合物であることを特徴とす
   る請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組
   成物。 【化１５】 一般式（ＨII−１）において、Ｒは炭素数１から２０の
   一価の有機残基を表す。
6. 【請求項６】 前記（Ｃ）の含窒素化合物が、下記一般
   式（ＨII−２）で表される化合物であることを特徴とす
   る請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組
   成物。 【化１６】 ［一般式（ＨII−２）においてＲ₁〜Ｒ₁₀は、同一また
   は異なり、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ
   基、シアノ基、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ
   アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表
   す。］
7. 【請求項７】２２０ｎｍ以下の波長の遠紫外光による露
   光用組成物であることを特徴とする請求項１〜６のいず
   れかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。