TWI476496B - 液晶顯示裝置 - Google Patents

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TWI476496B TW098135065A TW98135065A TWI476496B TW I476496 B TWI476496 B TW I476496B TW 098135065 A TW098135065 A TW 098135065A TW 98135065 A TW98135065 A TW 98135065A TW I476496 B TWI476496 B TW I476496B
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Description

液晶顯示裝置
本發明是有關液晶顯示裝置，尤其有關一種在顯示區域周圍所形成的各個假性像素(dummy pixel)形成有複數個靜電保護用開關(switching)元件的液晶顯示裝置。
一般而言，液晶顯示裝置具有薄型輕巧、低消耗功率的特徵，尤是使用薄膜電晶體(TFT；Thin Film Transistor)來作為開關元件的主動式矩陣型液晶顯示裝置(active matrix LCD)，其應用領域從行動電話、行動裝置到大型電視機，應用非常廣泛。然而，在製造過程中或使用中若靜電進入至顯示區域內，則在液晶顯示裝置成品階段會產生顯示缺陷。尤其在中小型的機種中，隨著高精細化的發展，因靜電而產生不良的情形比以往更容易發生。不論是在製造過程中或者是搬送面板的時候，僅是和其他物品接觸就會產生靜電。此外，在進行配向膜的摩擦定向(rubbing)時因摩擦最容易產生靜電。是以，在液晶顯示裝置的製造技術領域中，要求避免靜電所造成的顯示缺陷。
為了防止上述因靜電而造成的像素缺陷的產生，下述專利文獻1揭露了一種液晶顯示裝置的發明：在顯示區域的周邊部形成假性像素，並在該假性像素內形成靜電保護用的複數個微小的假性像素電極及開關元件。在此，利用第12圖至第14圖來說明下述專利文獻1中所揭露的液晶顯示裝置的假性像素部分的構成。
第12圖是下述專利文獻1中所揭露的陣列基板的假性像素區域的放大平面圖。第13圖是第12圖的IX部分的放大平面圖。第14圖是第13圖的X-X線的剖面圖。
習知例的液晶顯示裝置50是屬於半穿透型液晶顯示裝置，在第1透光性基板51上隔著閘極絕緣膜設置有以矩陣狀設置的複數條掃描線及信號線。又在第12圖中，掃描線的部分只有顯示掃描線Xn-2、Xn-1、Xn、Xn+1、Xn+2，信號線的部分只有顯示Y1、Y2、…、Ym。其中，複數條掃描線X1、X2、…、Xn及信號線Y1、Y2、…、Ym所包圍的區域為顯示區域，而複數條掃描線Xn、Xn+1、Xn+2及信號線Y1、Y2、…、Ym所包圍的區域為非顯示區域。
在該顯示區域中，各掃描線及信號線所包圍的每一區域，設置有為顯示作出貢獻的像素電極52及反射板65。此外，在TFT 54中，其源極電極S連接至信號線Y1、Y2、…、Ym，閘極電極G連接至掃描線X1、X2、…、Xn，並且汲極電極D經由接觸孔(contact hole)(未圖示)而與像素電極52及反射板65電性連接。此外，在汲極電極D的下部設置有輔助電容電極53。此種構成的液晶顯示裝置50的動作原理已為周知，故不再作詳細說明。
另一方面，在液晶顯示裝置50的顯示區域的周圍是形成有由掃描線Xn、Xn+1、Xn+2及信號線Y1、Y2、…、Ym所包圍的非顯示區域，且在該非顯示區域，就每條信號線Y1、Y2、…、Ym設置有複數個具有TFT 66及未為顯示作出貢獻的假性像素電極67之假性像素。該假性像素的TFT 66的源極電極S依每條信號線Y1、Y2、…、Ym並聯連接，閘極電極G依每條掃描線Xn+1、Xn+2並聯連接，並且汲極電極D是如第14圖所示，經由接觸孔68而與設置在層間膜69上的假性像素電極67連接。此外，該假性像素的TFT 66的通道(channel)寬度及通度長度形成為比連接至為顯示作出貢獻的像素電極52之TFT 64的通道寬度及通度長度還小，因此會比連接至為顯示作出貢獻的像素電極52之TFT 54優先遭受到靜電破壞。
假性像素電極67的面積形成為比顯示區域中的1像素份的為顯示有直接作用的像素電極52及反射板65的面積和還小。另外，在第12圖及第13圖中是顯示如下的配置：假性像素電極67的各個的面積是顯示區域中的1個像素份的為顯示有直接作用的像素電極52及反射板65的面積的1/0，且分別在掃描線Xn與Xn+1之間及Xn+1與Xn+2之間各設置10個、合計20個的假性像素電極67。
在此種構成的液晶顯示裝置50中，當有靜電從信號線用輸入端子62進入時，最靠近信號線用輸入端子62的假性像素區域的TFT 661 會產生靜電破壞而將靜電放電掉。之後，當再次有靜電從信號線用輸入端子62進入時，最先產生靜電破壞的假性像素區域的TFT 661 旁的TFT 662 會產生靜電破壞而將靜電放電掉。是故，在此液晶顯示裝置50的製造過程中便能夠容許會導致顯示區域的TFT 54遭到破壞的靜電進入達20次，而能夠獲得不會產生實質性顯示缺陷的半穿透型液晶顯示裝置50。
專利文獻1：日本特開2006-276590號公報
然而，上述專利文獻1所揭露的液晶顯示裝置50中的假性像素是形成在俯看時的顯示區域的上下側的非顯示區域(以下，稱之為「源極假性像素區域source dummy pixel region」)。是故，在源極假性像素區域中，由於在1像素份的區域內形成有複數個假性像素，因此能夠對付從信號線側進入的複數次靜電。然而，在俯看時的顯示區域的左右側的非顯示區域(以下，稱之為「閘極假性像素區域gate dummy pixel region」)，由於難以在1像素份內形成複數個假性像素，因此要對付從掃描線進入的複數次靜電就必須在俯看時的顯示區域的左右兩側往外側形成複數個假性像素。是故，便變得難以縮小閘極假性像素區域的寬度。除此之外，上述專利文獻1所揭露的液晶顯示裝置50中的假性像素由於具備有TFT 66及假性像素電極67因此構成複雜。
本發明乃為了解決上述的習知技術的問題而研創者。即，本發明的目的在提供一種於整個非顯示區域皆能夠在1像素份的區域內形成複數個簡單之構成的靜電保護元件，且不會使非顯示區域的寬度增加，能夠對付多次的靜電進入的液晶顯示裝置。
為了達成前述目的，本發明的液晶顯示裝置係具有夾著液晶層而相對向配置的第1基板及第2基板，且在前述第1基板的液晶層側形成有：複數條掃描線及信號線，配置成矩陣狀；開關元件，配置在顯示區域的前述各掃描線及信號線之交叉部附近；像素電極，與前述開關元件電性連接；以及複數個假性像素，形成在位於前述顯示區域周圍的非顯示區域；該液晶顯示裝置的特徵在於，在複數個前述假性像素的各者係形成有與前述掃描線或信號線連接的複數個開關元件，而前記複數個開關元件相互並聯地連接且前述開關元件有一個電極與被供給共同(common)電位的配線連接。
本發明的液晶顯示裝置係在顯示區域周圍的非顯示區域形成複數個假性像素。即，本發明的液晶顯示裝置係在俯看時為位於顯示區域的行(column)方向的兩端側的非顯示區域之源極假性像素區域、俯看時為位於顯示區域的列(row)方向的兩端側的非顯示區域之閘極假性像素區域皆形成假性像素區域。並且，在假性像素區域形成有複數個假性像素，在各個假性像素形成有複數個開關元件，且前記複數個開關元件相互並聯地連接且前述開關元件有一個電極與被供給共同電位的配線連接。另外，亦可在假性像素區域形成假性像素電極，將該假性像素電極經由接觸孔而與開關元件的電極連接，且亦可將該假性像素電極連接至被供給共同電位的配線。
除此之外，複數個開關元件由於是連接至掃描線或信號線，因此是沿著掃描線或信號線而排列形成。且複數個開關元件的一個電極是連接至被供給共同電位的配線，因此，當靜電進入掃描線或信號線時，開關元件會依靠近靜電的進入部位之順序遭受靜電破壞，該靜電會流通至被供給共同電位的配線而被放電掉，故能夠有效地保護液晶顯示裝置的顯示區域。且由於能夠容許靜電的進入直到複數個開關元件全部遭受靜電破壞，故能夠藉由增加開關元件的個數來獲得更不會產生實質性顯示缺陷的液晶顯示裝置。
另外，本發明並非僅適用於TN(Twisted Nematic；扭轉向列)模式、VA(Vertical Aligment；垂直配向)模式、ECB(Electrically Controlled Birefringence；電控雙折射)模式等縱電場方式的液晶顯示裝置，亦可適用於IPS(In-Plane Switching；平面電場切換)模式、FFS(Fringe Field Switching；邊緣電場切換)模式等橫電場方式的液晶顯示裝置。此外，就本案發明所能夠使用的開關元件而言，可使用薄膜電晶體、薄膜二極體(Thin Film Diode)、MIM(Metal Insulator Metal；金屬-絕緣體-金屬)元件等。
此外，在本發明的液晶顯示裝置中，較佳為，形成在前述假性像素的開關元件係沿著前述掃描線形成有複數個，且從前述信號線以直線狀延伸的配線係與前述開關元件連接。
本發明的液晶顯示裝置係能夠在1假性像素內容易地形成複數個開關元件。是故，依據本發明的液晶顯示裝置，即使不增加閘極假性像素區域的寬度仍然能夠將複數個開關元件沿著掃描線形成，故即使閘極假性像素區域的寬度狹窄仍然能夠有效地保護液晶顯示裝置的顯示區域。
此外，在本發明的液晶顯示裝置中，較佳為，形成在前述假性像素的開關元件係沿著前述信號線形成有複數個，且從前述掃描線以直線狀延伸的電極係與前述開關元件連接。
依據本發明的液晶顯示裝置，即使不增加源極假性像素區域的寬度仍然能夠將複數個開關元件沿著信號線形成，故即使源極假性像素區域的寬度狹窄仍然能夠有效地保護液晶顯示裝置的顯示區域。
此外，在本發明的液晶顯示裝置中，較佳為，位於前述假性像素的前述掃描線或信號線係形成彎曲部，前述複數個開關元件係沿著前述彎曲部形成。
在該液晶顯示裝置中，由於在假性像素中，於掃描線或信號線形成有彎曲部，因此位於假性像素內的掃描線或信號線的長度會增加。是故，由於開關元件所佔的面積相對於1像素份的面積而言小，故能夠在假性像素內形成較多的開關元件。
此外，在本發明的液晶顯示裝置中，較佳為，位於前述假性像素的前述掃描線係形成彎曲部，前述信號線係形成有沿著前述掃描線的彎曲部的外圍延伸的分支信號線。
在該液晶顯示裝置中，由於能夠使假性像素的掃描線的長度增加，因此能夠無關於假性像素的列方向的寬度、在假性像素容易地形成複數個開關元件。是故，依據該液晶顯示裝置，即使不加寬具體而言在俯視時位於顯示區域的左右側的非顯示區域的寬度，仍然能夠沿著掃描線形成複數個開關元件，故即使俯視時位於顯示區域的左右側的非顯示區域的寬度狹窄，仍然能夠有效地保護液晶顯示裝置的顯示區域。就掃描線的彎曲形態而言，由於通常是將顯示區域的像素的形狀形成為以掃描線側為短邊的矩形狀，因此較佳為在俯看時位於顯示區域的左右側的非顯示區域的假性像素內，掃描線彎曲成凸狀或凹狀。而若顯示區域的像素形狀為橫長的矩形狀，則較佳為在俯看時位於顯示區域的左右側的非顯示區域的假性像素內，掃描線以「」字狀曲曲折折地彎曲。在任何一種情況使掃描線彎曲的情形中，信號線皆只要形成為沿著掃描線的彎曲部的外周圍延伸的分支信號線即可。
此外，在本發明的液晶顯示裝置中，較佳為，位於前述假性像素的前述信號線係形成彎曲部，前述掃描線係形成有以與前述信號線的彎曲部交叉的方式沿伸的分支掃描線。
在該液晶顯示裝置中，由於能夠使假性像素的信號線的長度增加，因此即使如習知例般不將俯看時位於顯示區域的上下側的非顯示區域的掃描線間距離縮短，仍然能夠沿著信號線形成複數個開關元件。是故，依據該液晶顯示裝置，即使不加寬具體而言在俯視時位於顯示區域的上下側的非顯示區域的寬度，仍然能夠形成複數個開關元件，故能夠有效地保護液晶顯示裝置的顯示區域。就信號線的彎曲形態而言，由於通常是將顯示區域的像素的形狀形成為以信號線側為長邊的矩形狀，因此較佳為在俯看時位於顯示區域的上下側的非顯示區域的假性像素內，信號線以「」字狀曲曲折折地彎曲。而若顯示區域的像素形狀為橫長的矩形狀，則較佳為在俯看時位於顯示區域的上下側的非顯示區域的假性像素內，信號線彎曲成凸狀或凹狀。在任何的情形中，掃描線皆只要以與信號線的彎曲部交叉的方式以枝狀沿伸即可。
在本發明的液晶顯示裝置中，較佳為，形成在前述假性像素的開關元件與形成在前述像素區域的開關元件為大致同一之大小。
若形成在假性像素的開關元件與形成在像素區域的開關元件為大致同一之大小，便沒必要特地用於製作假性像素區域的開關元件的遮罩(mask)，且能夠在形成液晶顯示裝置的開關元件的同時一併形成假性像素區域的開關元件。是故，本發明的液晶顯示裝置雖然在假性像素區域具備有複數個開關元件，卻能夠簡單地製造。另外，本發明的「大致同一之大小」係意指：雖然並非一定要同一之大小，但較佳為同一之大小。
此外，在本發明液晶顯示裝置中，較佳為，前述開關元件係TFT，且形成在前述假性像素的TFT係源極電極與前述信號線連接，閘極電極與前述掃描線連接，汲極電極與被供給前述共同電位的配線連接。
TFT是被廣泛地使用作為液晶顯示裝置的開關元件者。是故，依據本發明的液晶顯示裝置，由於是設計成顯示區域的開關元件及假性像素的開關元件皆由TFT來構成，因而便能夠同時且容易地製造該些開關元件。
此外，在本發明的液晶顯示裝置中，較佳為，形成在前述假性像素的TFT的通道寬度及通道長度分別比形成在前述顯示區域的TFT的通道寬度及通道長度小。
當形成在假性像素的TFT的通道寬度及通道長度各者比形成在顯示區域的TFT的通道寬度及通道長度小時，便更容易遭受靜電破壞。是故，依據本發明的液晶顯示裝置，即使有靜電從外部進入，也確實是形成在假性像素的TFT先遭受靜電破壞，從而使靜電難以進入顯示區域內，能夠有效地保護液晶顯示裝置的顯示區域。
本發明的液晶顯示裝置係含有第1基板、第2基板、液晶層、顯示區域、第1假性像素區域、第2假性像素區域、第1配線、第2配線、第3配線、及假性像素。
第2基板係與第1基板相對向。液晶層係介置在第1基板與第2基板之間。顯示區域係能夠顯示圖像。第1假性像素區域係設置在顯示區域的外側。第1假性像素區域係對於顯示區域在第1方向相鄰。第2假性像素區域係設置在顯示區域的外側。第2假性像素區域係對於顯示區域在與第1方向交叉的第2方向相鄰。
第1配線係介置在第1基板與液晶層之間。第1配線係從第1假像素區域沿著第1方向延伸至顯示區域內。第2配線係介置在第1基板與液晶層之間。第2配線係從第2假像素區域沿著第2方向延伸至顯示區域內。第3配線係被供給共同電位。假性像素係設置在第1假性像素區域及第2假性像素區域的各者。
在各假性像素係設置有複數個開關元件。在各假性像素，複數個開關元件係相互並聯地連接。在第1假性像素區域，各假性像素的複數個開關元件係分別與第1配線連接。在第2假性像素區域，各假性像素的複數個開關元件係分別與第2配線連接。各開關元件係有一個電極與第3配線連接。
在該液晶顯示裝置中，於第1假性像素區域，當靜電進入到第1配線時，靜電係容易從第1配線經由開關元件而被導至第3配線。是故，在第1假性像素區域，容易防止進入第1配線的靜電順著第1配線進入顯示區域內。
此外，於第2假性像素區域，當靜電進入到第2配線時，靜電係容易從第2配線經由開關元件而被導往第3配線。是故，在第2假性像素區域，容易防止進入第2配線的靜電順著第2配線進入顯示區域內。
上述之結果，在該液晶顯示裝置中，能夠容易地將靜電順著第1配線與第2配線進入顯示區域內的發生機會抑制得較低，從而能夠容易地保護顯示區域免於遭受靜電破壞。
以下，參照實施形態及圖式以說明用以實施本發明的較佳實施形態，但以下所示的實施形態並非是用以將本發明限定在本說明書的記載內容者，本發明是可均等適用於未超出申請專利範圍的技術思想而進行各種變更者。另外，在本說明書中的說明所使用的各圖式中，是為了將各層與各構件予以表示為在圖式上能夠辨認之程度的大小，因此各層與各構件具有相異之縮尺，圖式所顯示者並非一定是比例於實物尺寸。
第1圖是實施形態的液晶面板的陣列基板的示意性平面圖。第2圖是第1圖的II部分的放大平面圖。第3圖是第2圖的顯示區域的1個次像素份的放大平面圖。第4圖是第3圖的IV-IV線的剖面圖。第5圖是第2圖的閘極假性像素區域的1假性像素份的放大平面圖。第6圖是第5圖的VI-VI線的剖面圖。第7圖是變形例的閘極假性像素區域的1假性像素份的放大放面圖。
[實施形態]
茲利用第1圖至第6圖來說明實施形態的液晶面板10。如第4圖所示，實施形態的液晶面板10是陣列基板AR及濾色器(color filter)基板CF之間夾著液晶層LC。液晶層LC的厚度是藉由未圖示的柱狀間隔件(spacer)而均一地維持。此外，在陣列基板AR的背面及濾色器基板CF的前面，分別形成有偏光板(省略圖示)。此外，從陣列基板AR的背面側，藉由背光(backlihgt)(省略圖示)而照射光。
如第1圖所示，陣列基板AR具備有顯示各種圖像的顯示區域DA及位於顯示區域周邊的非顯示區域ND，該非顯示區域ND的一端部側形成有用來載置驅動器IC的第1端子部Dr及外部連接用的第2端子部Tp。此外，在非顯示區域ND具備有將顯示區域DA的掃描線佈線至第1端子部Dr的掃描線佈局配線GL及將信號線佈線至第1端子部的信號線佈局配線SL。此外，在非顯示區域ND還形成有用以將輔助電容線13(參照第3圖至第5圖)佈線至第1端子部Dr的共同配線COM。其中，當於顯示區域DA顯示圖像時，輔助電容線13被供給共同電位。即，當於顯示區域DA顯示圖像時，共同配線COM及輔助電容線13被保持在共同電位。
此外，如第2圖所示，在顯示區域DA與非顯示區域ND的分界部分，分別形成有由源極假性像素區域SD、閘極假性像素區域GD及共同假性像素區域CD所構成的假性像素區域DP。源極假性像素區域SD是形成在非顯示區域ND的信號線佈局配線SL側，而形成針對從信號線佈局配線SL側進入的靜電之靜電保護手段。又，閘極假性像素區域GD是形成在非顯示區域ND的掃描線佈局配線GL側，而形成針對從掃描線佈局配線GL側進入的靜電之靜電保護手段。又，共同假性像素區域CD是形成在源極假性像素區域SD與閘極假性像素區域GD之間的角落部，而形成針對從掃描線佈局配線GL及信號線佈局配線SL兩者側進入的靜電之靜電保護手段。該些假性像素區域DP的詳細構成於後說明。
先針對陣列基板AR的構成，依製造步驟的順序進行說明。如第3圖及第4圖所示，陣列基板AR是在由玻璃或石英、塑膠等所構成的第1基板11的液晶LC側具有：由鋁金屬、鋁合金、鉬等不透明金屬所構成的複數條掃描線12、平行地形成在該掃描線12間的輔助電容線13(亦含括寬度較寬、作用為輔助電容電極的部分)、及形成在非顯示區域ND的共同配線COM(參照第1圖)。其中，掃描線12及輔助電容線13不僅形成在顯示區域DA，亦形成在假性像素區域DP。此外，在形成該掃描線12等時，在非顯示區域ND的掃描線佈局配線GL部分形成朝第1端子部Dr延伸的複數條閘極配線，在信號線佈局配線SL亦同樣地形成朝第1端子部Dr延伸的複數條閘極配線(省略圖示)。
該些掃描線12、輔助電容線13、閘極配線及共同配線COM是藉由如下的方式來製作：遍佈第1基板的整個表面形成鋁金屬、鋁合金、鉬等不透明金屬層後，以旋轉塗佈法塗佈阻劑(resist)，進行曝光及顯影處理而形成預定圖案後，將不需要的部分蝕刻掉。之後，以覆蓋掃描線12、閘極配線、輔助電容線13及第1基板的露出面的方式，形成由氧化矽或氮化矽等無機絕緣膜所構成的閘極絕緣膜14。
接著，在閘極絕緣膜14上形成例如由非晶矽所構成的半導體層15。該半導層15亦是藉由如下的方式來製作：遍佈閘極絕緣膜14的整個表面形成非晶矽層後，以旋轉塗佈法塗佈阻劑(resist)，進行曝光及顯影處理而形成預定圖案後，將不需要的部分蝕刻掉。此半導體層15不僅形成在顯示區域DA，亦形成在假性像素區域DP。
接著，在與假性像素區域DP的輔助電容線13相對向的部分，形成第1接觸孔19’(參照第5圖及第6圖)。之後，以跨上半導體層15的一部分的方式形成源極電極S、汲極電極D。在本實施形態的液晶顯示裝置10中，半導體層15是隔著閘極絕緣膜14與掃描線12中寬度有局部性擴大的部位相對向配置，且俯看時與該掃描線12重疊的部分構成TFT的閘極電極G。源極電極S是由從信號線16分支出的部分所構成。信號線16及汲極電極D是分別以鋁金屬、鋁合金、鉬等不透明金屬來形成，且不僅形成在顯示區域DA，亦形成在假性像素區域DP。是故，形成在假性像素區域DP的汲極電極D部分是成為經由接觸孔19，與輔助電容線13電性連接的狀態。
此外，在形成該信號線16及汲極電極D時，在非顯示區域ND的掃描線佈局配線GL形成朝第1端子部Dr延伸的複數條源極配線，並且在信號線佈局配線SL亦形成同樣朝第1端子部Dr延伸的源極配線(省略圖示)。另外，本發明中的閘極配線及源極配線並非一定指連接至液晶面板的掃描線12或信號線16之配線，而是將與掃描線12同時形成的配線稱為閘極配線；將與信號線16同時形成的配線稱為源極配線。是以，在上述形實施形態的液晶顯示裝置10中，位於閘極絕緣膜14之下的配線部分是成為閘極配線，位於閘極配線14之上的配線是成為源極配線，俯看時兩者間則無區別。
接著，以覆蓋半導體層15、源極電極S、汲極電極D、信號線16、源極配線等及閘極絕緣膜14的露出部的方式，在顯示區域DA及非顯示區域ND皆形成由氧化矽或氮化矽等無機絕緣膜所構成的鈍化(passivation)膜17。接著，在顯示區域DA，以覆蓋鈍化膜17的方式，形成由樹脂材料所構成的層間膜18。就層間膜18而言，可適當地選擇使用透明度佳且電性絕緣性優異的感光性阻劑材料。該層間膜18是藉由如下的方式製作：以旋轉塗佈法在鈍化膜17的表面塗佈阻劑，進行曝光及顯影處理而形成預定圖案後，將不需要的部分蝕刻掉。
接著，以貫穿鈍化膜17及層間膜18而到達汲極電極D的方式形接觸孔19。接著，以覆蓋層間膜18的方式，在顯示區域DA的每一像素區域形成由ITO(Indium Tin Oxide；氧化銦錫)、IZO(Indium Zinc Oxide；氧化銦鋅)等透明導電材料所構成的像素電極20。該像素電極20經由接觸孔19與汲極電極D電性連接。接著，以覆蓋像素電極20表面的方式形成配向膜(省略圖示)，而獲得實施形態的液晶顯示裝置10的陣列基板AR。
接著，針對濾色器基板CF進行說明。濾色器基板CF具有由玻璃或石英、塑膠等所構成的第2基板21。於該第2基板21，就每一個次像素形成有讓相異顏色的光(R、G、B或者無色)穿透的濾色器層22與遮光層23。且以覆蓋濾色器層22與遮光層23的方式形成有頂塗覆(top coat)層24，並以覆蓋該頂塗覆層的方式形成有由ITO或IZO構成的共同電極25。接著，在共同電極的表面形成配向膜(未圖示)，而完成實施形態的液晶顯示裝置10的濾色器基板。
接著，將以上述方式形成的陣列基板AR與濾色器基板CF相對向配置，以密封(seal)材料將周緣部加以密封，將液晶LC封裝至形成在陣列基板AR與濾色器基板CF之間的密封區內，藉此即獲得實施形態的液晶顯示裝置10。
接著，針對形成在顯示區域DA周圍的假性像素區域DP進行說明。假性像素區域DP是由源極假性像素區域SD、閘極假性像素區域GD及共同假性像素區域CD所構成。在源極假性像素區域SD，掃描線12的間隔狹窄，而在閘極假性像素區域GD，掃描線12的間隔則與顯示區域DA中的掃描線12的間隔相同。
此外，就假性像素區域DP的各個假性像素，沿著掃描線12形成有複數個作為靜電保護元件的TFT(以下稱之為「保護TFT」)，在此則是形成有2個保護TFT 30。為了易於與形成在顯示區域DA的TFT同時形成該些保護TFT 30，雖然是採用與形成在顯示區域DA的TFT實質上相同的尺寸，但通道寬度及通道長度則是比形成在顯示區域DA的TFT的通道寬度及通道長度小。是故，保護TFT 30的靜電耐受力比形成在顯示區域DA的TFT差，因此會比形成在顯示區域DA的TFT先遭受靜電破壞。
從第2圖、第5圖及第6圖的記載可知，在各假性像素中，閘極電極G是形成在同一條掃描線12上，源極電極S是電性連接至同一條信號線16，並且汲極電極D亦電性連接至形成在同一假性像素內的輔助電容線13。即，在各假性像素，有複數個保護TFT 30彼此並聯連接。
依據此種構成的假性像素，例如，當有靜電從第1端子部Dr或第2端子部Tp經由信號線佈局配線SL(參照第1圖)沿著信號線16進入時，連接於最靠近第1端子部Dr或第2端子部Tp的位置的信號線16的保護TFT 30會首先遭受靜電破壞，靜電經由接觸孔19’而從汲極電極D流至輔助電容線13而被放電掉。
同樣地，當有靜電從第1端子部Dr或第2端子部Tp經由掃描線佈局配線GL沿著掃描線12進入時，連接於最靠近第1端子部Dr或第2端子部Tp的位置的掃描線12的保護TFT 30會首先遭受靜電破壞，靜電經由接觸孔19’而從汲極電極D流至輔助電容線13而被放電掉。
因此，依據本發明的液晶顯示裝置10，不論是靜電從信號線16側或掃描線12側進入，最靠近靜電進入側的保護TFT會遭受靜電破壞，藉此而保護其他的保護TFT 30及顯示區域DA的TFT。如此的保護動作能夠持續直到最靠近顯示區域DA的保護TFT 30遭受到靜電破壞，因此，藉由增加連接至每一掃描線或每一信號線的保護TFT 30的數目，便能夠承受更多次的靜電進入。
另外，在上述實施形態的液晶顯示裝置10中是顯示於閘極假性像素區域GD是在1假性像素份的面積內僅形成2個保護TFT 30之例，但若如此地僅形成2個保護TFT 30，則當有靜電沿著掃描線12第3次進入時，顯示區域DA的TFT便可能遭受靜電破壞。為此，只要並列形成複數個閘極假性像素區域GD而使每一掃描線連接有更多的保護TFT 30即可。
另外，在本實施形態中，掃描線12及信號線16的任一方是對應於第1配線；掃描線12及信號線16的另一方是對應於第2配線；輔助電容線13是對應於第3配線。此外，閘極假性像素區域GD及源極假性像素區域SD的任一方是對應第1假性像素區域；閘極假性像素區域GD及源極假性像素區域SD的另一方是對應於第2假性像素區域。
[變形例1]
在上述實施形態的液晶顯示裝置10中是顯示每一假性像素形成2個保護TFT 30的例。此每一假性像素能夠形成的保護TFT 30的個數是取決於每一假性像素中平行於掃描線12的部分的寬度。近年來的液晶顯示裝置，像素尺寸因高精細化而變小，且如今的趨勢是將顯示區域的1點(dot)(1pixel)形成為正方形，因此1個次像素的形狀會是長方形，故每一假性像素中平行於掃描線12的部分的寬度變得非常的狹窄。
是故，在上述的實施形態的液晶顯示裝置10的如此構成中，要增加閘極假性像素區域GD的保護TFT的個數就必須增加閘極假性像素區域GD的寬度。另外，在源極假性像素區域SD中，如第2圖所示，由於能夠縮短掃描線12間距離，因此即使不增加源極假性像素區域SD的寬度仍然可形成多數個保護TFT 30。
因此，變形例1的假性像素是如第7圖所示，在1假性像素內形成從掃描線12以枝狀分支出的分支掃描線12’以於每一假性像素形成更多的保護TFT，第7圖的例是形成有8個保護TFT。若採用此種構成，則不用特地增加閘極假性像素區域GD的面積也能夠形成多數個保護TFT 30。
另外，在本變形例1的假性像素中，由於無法為了避免增加製造步驟數而將輔助電容線13在假性像素內配置成整面狀，因此只要適當地利用閘極配線及源極配線來將各個保護TFT 30的汲極電極D電性連接至輔助電容線13即可。並且，亦可與顯示區域的像素電極20的情形同樣地，在假性像素區域形成層間膜18及假性像素電極，且將該假性像素電極在顯示區域外予以連接至共同配線COM，並經由形成在層間膜18及鈍化膜17的接觸孔將假性像素電極電性連接至保護TFT 30的汲極電極D。
此外，本變形例1的假性像素並不是僅採用在閘極假性像素區域GD，亦可採用在源極假性像素區域SD及共同假性像素區域CD。另外，在本變形例的假性像素中，為了降低阻抗以使所有的保護TFT 30能夠有效地作動，最好儘可能加寬從掃描線12分支出的分支掃描線12’的寬度。
[變形例2]
在上述的變形例1中是顯示為了於一個假性像素配置更多的保護TFT並且不增加閘極假性像素區域GD的面積而形成分支掃描線12’之例。然而，在該變形例1中，一個假性像素所能夠配置的保護TFT的個數仍然有限。因此，變形例2則是如第8圖所示，在1個假性像素份的區域內，掃描線12是沿著相鄰接的信號線16彎折而形成為細長之凸起狀。並且，從信號線16分支有分支信號線16’，其以沿著彎折的掃描線12周圍並位於與掃描線12相鄰接的信號線16之間的方式延伸。在彎折的掃描線12上，隔著閘極絕緣膜14形成有複數個半導體層15，於此則是形成有12個，並且，以與該半導體層15局部性重疊的方式，在信號線16及分支信號線16’側形成有源極電極S、在中央側形成有汲極電極D。1個假性像素份的區域內的輔助電容線13是在中央部形成為整面狀，汲極電極D是經由形成在閘極絕緣膜14的第1接觸孔19’而與輔助電容線13電性連接。另外，在非顯示區域ND的1個假性像素份的區域內的輔助電容線13是隔著另外的絕緣膜繞行於彎折形成為凸起狀的掃描線12的表面而電性連接至顯示區域DA的補助電容線13。
即，在變形例2的液晶顯示裝置10中，於1個假性像素份的區域內形成有複數個作為靜電保護元件的TFT(以下稱之為「保護TFT」)30，於此則如第9圖所示形成有6×2=12個保護TFT 30。該些保護TFT 30，雖然是為了易於與形成在顯示區域DA的TFT同時形成而採用與形成在顯示區域DA的TFT實質上相同的尺寸，但通道寬度及通道長度則是比形成在顯示區域DA的TFT的通道寬度及通道長度小。是故，保護TFT 30的靜電耐受力比形成在顯示區域DA的TFT差，因此會比形成在顯示區域DA的TFT先遭受靜電破壞。
第10圖是第9圖的VII-VII線的剖面圖。
從第8圖、第9圖及第10圖的記載可知，在1個假性像素份的區域內，保護TFT 30的閘極電極G是形成在同一條掃描線12上，源極電極S是電性連接至同一條信號線16或分支信號線16’，並且汲極電極D亦電性連接至形成在同一之非顯示區域ND的1個假性像素份的區域內的輔助電容線13。即，在1個假性像素份的區域內，有複數個保護TFT 30彼此並聯連接。
[變形例3]
在上述變形例2的液晶顯示裝置10中是顯示為了增長1個假性像素份的區域內的掃描線12的長度而彎曲掃描線12之例，惟亦能夠使信號線16彎曲以增長信號線16的長度。以使1個假性像素份的區域內的信號線16彎曲之例作為變形例3，利用第11圖進行說明。
在第11圖所示的變形例3的1個假性像素份的區域中，信號線16是以「」狀曲曲折折地彎折。此外，從掃描線12以枝狀分支出的分支掃描線12’以橫切過彎折成「」狀的信號線16的方式配置。此外，在分支掃描線12’上形成有複數個以該分支掃描線12’作為閘極電極G的保護TFT 30，於此則是形成有8個。此外，雖然省略了圖示，但1個假性像素份的區域內的輔助電容線13是配置在各個汲極電極D的下部，且其跨在分支掃描線12’的部分是隔著另外的絕緣膜而與顯示區域DA的輔助電容線13電性連接。另外，在本變形例3的1個假性像素份的區域內中，為了降低阻抗以使所有的保護TFT 30能夠有效地作動，最好儘可能加寬從掃描線12分支出的分支掃描線12’的寬度。
另外，在本變形例3的1個假性像素份的區域內，由於無法為了避免增加製造步驟數而將輔助電容線13配置成整面狀，因此只要如上述適當地利用閘極配線及源極配線來將各個保護TFT 30的汲極電極D電性連接至輔助電容線13即可。並且，亦可與顯示區域DA的像素電極20的情形同樣地，在1個假性像素份的區域內形成層間膜18及假性像素電極，且將該假性像素電極在顯示區域外予以連接至共同配線COM，並經由形成在層間膜18及鈍化膜17的接觸孔將假性像素電極電性連接至保護TFT 30的汲極電極D。若採用此種構成，則即使不特地在非顯示區域ND的1個假性像素份的區域內形成輔助電容線13亦可。
另外，在上述變形例2與變形例3中，由於顯示區域DA的各像素的形狀為縱長形，因此是針對1個假性像素份區域的形狀亦為縱長形的情形進行說明。而當顯示區域DA的像素的形狀為橫長之矩形狀時，在非顯示區域ND的1個假性像素份的區域中，當欲令掃描線彎曲時只要以「」狀曲曲折折地彎曲即可，而當欲令信號線彎曲時則只要彎曲成凸狀或凹狀即可。此外，雖然在上述變形例2與變形例3中是針對將所有的1像素份的區域內的靜電保護手段皆設計為同一構成之例進行說明，但亦可為顯示區域DA的左右的非顯示區域ND與上下的非顯示區域ND是採用相異的構成。
此外，雖然在上述實施形態與變形例1至變形例3中是以TN模式之縱電場方式的穿透型液晶顯示裝置為例來進行說明，但本發明並非限於此種情形，對於其他的模式之縱電場方式的液晶顯示裝置或是橫電場方式的液晶顯示裝置甚或是具有反射部的液晶顯示裝置皆能夠同等適用。具體而言，在層間膜上具備下電極及具開縫(slit)的上電極之FFS模式的液晶顯示裝置中，由於上電極或下電極被供給共同電位，因此即使是採用上述變例的構成也不用特地增加製造步驟數，能夠簡單地將保護TFT 30的汲極電極D連接至被供給共同電位的配線。
10、50．．．液晶顯示裝置
11．．．第1基板
12、X1至Xn．．．掃描線
12’．．．分支掃描線
13．．．輔助電容線
14．．．閘極絕緣膜
15．．．半導體層
16、Y1至Ym．．．信號線
16’．．．分支信號線
17．．．鈍化膜
18、69．．．層間膜
19、19’、68．．．接觸孔
20．．．像素電極
21．．．第2基板
22．．．濾色器層
23．．．遮光層
24．．．頂塗覆層
25．．．共同電極
30．．．保護TFT
51．．．第1透光性基板
52．．．像素電極
53．．．輔助電容電極
54、661 、662 ．．．TFT
65．．．反射板
67．．．假性像素電極
AR．．．陣列基板
CD．．．共同假性像素區域
COM．．．共同配線
CF．．．濾色器基板
DA．．．顯示區域
DP．．．假性像素區域
GD．．．閘極假性像素區域
GL．．．掃描線佈局配線
LC．．．液晶
ND．．．非顯示區域
S．．．源極
SD．．．源極假性像素區域
SL．．．信號線佈局配線
TFT．．．薄膜電晶體
Tp．．．第2端子部
第1圖是實施形態的液晶面板的陣列基板的示意性平面圖。
第2圖是第1圖的II部分的放大平面圖。
第3圖是第2圖的顯示區域的1個次像素份的放大平面圖。
第4圖是第3圖的IV-IV線的剖面圖。
第5圖是第2圖的閘極假性像素區域的1假性像素份的放大平面圖。
第6圖是第5圖的VI-VI線的剖面圖。
第7圖是變形例1的閘極假性像素區域的1假性像素份的放大平面圖。
第8圖是變形例2的相當於第1圖的II部分的放大平面圖。
第9圖是變形例2的閘極假性像素區域的1假性像素份的放大平面圖。
第10圖是第9圖的VII-VII線的剖面圖。
第11圖是變形例3的閘極假性像素區域的1假性像素份的放大平面圖。
第12圖是習知例的液晶顯示裝置的陣列基板的假性像素區域的放大平面圖。
第13圖是第12圖的IX部分的放大平面圖。
第14圖是第13圖的X-X線的剖面圖。
12．．．掃描線
16．．．信號線
19、19’．．．接觸孔
20．．．像素電極
30．．．保護TFT
CD．．．共同假性像素區域
DA．．．顯示區域
DP．．．假性像素區域
GD．．．閘極假性像素區域
ND．．．非顯示區域
SD．．．源極假性像素區域
TFT．．．薄膜電晶體

Claims (8)

  1. 一種液晶顯示裝置，係具有夾著液晶層而相對向配置的第1基板及第2基板，且在前述第1基板的液晶層側形成有：複數條掃描線及信號線，配置成矩陣狀；開關元件，配置在顯示區域的前述各掃描線及信號線之交叉部附近；像素電極，與前述開關元件電性連接；以及複數個假性像素，形成在位於前述顯示區域周圍的非顯示區域；該液晶顯示裝置的特徵在於，在複數個前述假性像素的各者係形成有與前述掃描線或信號線連接的複數個開關元件，而前記複數個開關元件相互並聯地連接，位於前述假性像素的前述掃描線或信號線係形成彎曲部，前述複數個開關元件係沿著前述彎曲部形成，前述開關元件係薄膜電晶體，且形成在前述假性像素的薄膜電晶體係源極電極與前述信號線連接、閘極電極與前述掃描線連接、汲極電極與被供給共同電位的配線連接。
  2. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中，形成在前述假性像素的開關元件係沿著前述掃描線形成有複數個，且從前述信號線以直線狀延伸的配線係與前述開關元件連接。
  3. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中，形成在前述假性像素的開關元件係沿著前述信號線形成有複數個，且從前述掃描線以直線狀延伸的電極係與前述開關元件連接。
  4. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中，位於前述假性像素的前述掃描線係形成彎曲部，前述信號線係形成有沿著前述掃描線的彎曲部的外圍延伸的分支信號線。
  5. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中，位於前述假性像素的前述信號線係形成彎曲部，前述掃描線係形成有以與前述信號線的彎曲部交叉的方式沿伸的分支掃描線。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項的液晶顯示裝置，其中，形成在前述假性像素的開關元件與形成在前述像素區域的開關元件為大致同一之大小。
  7. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中，形成在前述假性像素的薄膜電晶體的通道寬度及通道長度分別比形成在前述顯示區域的薄膜電晶體的通道寬度及通道長度小。
  8. 一種液晶顯示裝置，其特徵在於，含有：第1基板；第2基板，與前述第1基板相對向；液晶層，介置在前述第1基板與前述第2基板之間；顯示區域，能夠顯示圖像； 第1假性像素區域，設置在前述顯示區域的外側且對於前述顯示區域在第1方向相鄰；第2假性像素區域，設置在前述顯示區域的外側且對於前述顯示區域在與前述第1方向交叉的第2方向相鄰；第1配線，介置在前述第1基板與前述液晶層之間，且從前述第1假像素區域沿著前述第1方向延伸至前述顯示區域內；第2配線，介置在前述第1基板與前述液晶層之間，且從前述第2假像素區域沿著前述第2方向延伸至前述顯示區域內；第3配線，被供給共同電位；以及假性像素，設置在前述第1假性像素區域及前述第2假性像素區域的各者；在各前述假性像素係設置有相互並聯地連接的複數個開關元件；位於前述假性像素的前述第1配線或第2配線係形成彎曲部，前述複數個開關元件係沿著前述彎曲部形成，在前述第1假性像素區域，各前述假性像素的前述複數個開關元件係分別與前述第1配線連接；在前述第2假性像素區域，各前述假性像素的前述複數個開關元件係分別與前述第2配線連接；各前述開關元件中，係汲極電極與前述第3配線連接。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5560227B2 (ja) * 2011-04-11 2014-07-23 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置
US20130083279A1 (en) * 2011-09-30 2013-04-04 Sony Corporation Liquid crystal display device and method for manufacturing liquid crystal display device
JP6004560B2 (ja) 2011-10-06 2016-10-12 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2013105116A (ja) * 2011-11-16 2013-05-30 Sony Corp 液晶パネル、液晶プロジェクタ装置
TWI492389B (zh) * 2012-07-13 2015-07-11 Au Optronics Corp 畫素結構及畫素結構的製作方法
US9646559B2 (en) * 2012-08-10 2017-05-09 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device
CN103809331B (zh) * 2012-11-15 2017-02-01 北京京东方光电科技有限公司 一种基板以及包含该基板的液晶面板
KR101990115B1 (ko) * 2012-12-21 2019-10-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN103217844B (zh) * 2013-04-01 2015-06-24 合肥京东方光电科技有限公司 一种显示面板和显示装置
KR20150076880A (ko) 2013-12-27 2015-07-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그것의 제조 방법
JP6320782B2 (ja) 2014-02-06 2018-05-09 株式会社ジャパンディスプレイ アレイ基板
CN103928459B (zh) * 2014-03-10 2017-02-08 上海天马微电子有限公司 一种像素阵列基板以及包括其的平板传感器
TWI548915B (zh) * 2015-04-10 2016-09-11 群創光電股份有限公司 顯示面板
KR102332255B1 (ko) * 2015-04-29 2021-11-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP6538534B2 (ja) * 2015-12-02 2019-07-03 株式会社ジャパンディスプレイ トランジスタ基板及び表示装置
KR102538750B1 (ko) * 2016-11-29 2023-06-02 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시장치
CN106773203B (zh) * 2016-12-20 2020-05-19 武汉华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板及显示装置
CN106783845A (zh) * 2017-02-24 2017-05-31 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板以及具有该阵列基板的液晶面板
CN106950775A (zh) * 2017-05-16 2017-07-14 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板和显示装置
CN107275328B (zh) * 2017-07-25 2020-07-31 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板和一种显示设备
CN109390286B (zh) * 2017-08-09 2022-04-15 昆山国显光电有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板及其制造方法
CN107577099B (zh) * 2017-09-28 2020-11-06 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置
CN108535926B (zh) * 2018-03-29 2021-05-07 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置
CN113946074B (zh) * 2020-07-17 2023-04-07 合肥京东方显示技术有限公司 显示面板和显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060221288A1 (en) * 2005-03-30 2006-10-05 Sanyo Epson Imaging Devices Corp. Active matrix liquid crystal display device

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3246194B2 (ja) 1994-06-10 2002-01-15 ソニー株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP3256110B2 (ja) 1995-09-28 2002-02-12 シャープ株式会社 液晶表示装置
JPH1062808A (ja) 1996-08-23 1998-03-06 Toshiba Corp 液晶表示装置
JPH10213816A (ja) 1997-01-31 1998-08-11 Sharp Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP3292175B2 (ja) 1999-05-13 2002-06-17 日本電気株式会社 半導体装置
JP2000338514A (ja) 1999-05-31 2000-12-08 Hitachi Ltd 液晶表示装置
US8139174B2 (en) 2006-01-10 2012-03-20 Chimei Innolux Corporation Display device for displaying images involving display pixels and non-display pixels
KR101241759B1 (ko) * 2006-02-22 2013-03-14 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이를 구비한 표시 장치
JP2008003290A (ja) 2006-06-22 2008-01-10 Sharp Corp 液晶表示装置
TWI329774B (en) * 2007-04-13 2010-09-01 Au Optronics Corp Liquid crystal display panel

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060221288A1 (en) * 2005-03-30 2006-10-05 Sanyo Epson Imaging Devices Corp. Active matrix liquid crystal display device

Also Published As

Publication number Publication date
CN101726895A (zh) 2010-06-09
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KR101064389B1 (ko) 2011-09-14
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