TWI472458B - A rare earth metal or a rare earth metal oxide - Google Patents

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Description

稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶的保存方法
本發明係關於一種因氧化或氫氧化而容易粉末化之由稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶的保存方法。
稀土金屬，係以混合複合氧化物之形態而含有於地殼中。稀土金屬由於係分離自較稀有存在的礦物，故被冠以此種名稱，但就地殼總體而言絕不稀少。最近，稀土金屬係作為電子材料而受到矚目，為受到研究開發中的材料。
此稀土金屬之中，鑭(La)特別受到矚目。在此對鑭進行簡單地介紹，鑭係原子序為57、原子量為138.9之白色的金屬，於常溫下具有六方最密堆積結構。其熔點為921℃，沸點為3500℃，密度為6.15g/cm3 ，於空氣中表面會被氧化，於水中則會緩慢溶解。
可溶解於熱水、酸中。無延性，但略有展性。其電阻率為5.70×10-6 Ωcm。於445℃以上會燃燒而形成氧化物(La2 O3 )(參照理化學辭典)。對於稀土金屬而言，通常氧化數為3之化合物較為穩定，鑭亦為3價。
鑭係作為金屬閘材料、高介電常數材料(High-k)等電子材料而受到矚目之金屬。鑭以外之稀土金屬亦具有與鑭類似的屬性。
鑭等之稀土金屬，由於在純化時有容易發生氧化的問題，因此屬於難以高純度化之材料。又，將鑭等之稀土金屬放置於空氣中時，由於會在短時間內發生氧化，因此亦有處理不易的問題。
最近，對新一代MOSFET中之閘絕緣膜係要求薄膜化，但迄今為止被使用作為閘絕緣膜之SiO2 ，會由於隧道效應而導致漏電流增加，難以正常動作。
因此，作為其代替品，係提出有具有高介電常數、高熱穩定性、對矽中之電洞及電子具有高能量障壁(energy barrier)的HfO2 、ZrO2 、Al2 O3 、La2 O3 。特別是此等材料之中，La2 O3 之評價較高，研究其電特性後，而完成有將其作為新一代MOSFET中之閘絕緣膜的研究報告(參照非專利文獻1)。但是，於該專利文獻之情形，為研究對象者係La2 O3 膜，並未特別提及La金屬之特性及行為。
如此，關於鑭等之稀土金屬及其氧化物，可謂尚處於研究階段，在對此種稀土金屬及其氧化物之特性進行研究時，若稀土金屬及其氧化物本身係以濺鍍靶材的形態存在，則具有如下的大優點：可於基板上形成稀土金屬及其氧化物的薄膜，又，容易研究與矽基板之界面處的行為，並且容易形成稀土金屬化合物而研究高介電常數閘絕緣膜等之特性，又，作為製品之自由度增加。
然而，即使製作成鑭濺鍍靶，亦會如上述般於空氣中在短時間內發生氧化。一般在金屬靶表面會形成穩定的氧化被膜，但通常非常地薄，因此在濺鍍初期會剝落，而不會對濺鍍特性造成重大影響。然而，鑭濺鍍靶之氧化被膜厚，導致導電度下降，而造成濺鍍不良。
又，若於空氣中長時間放置時，則甚至會引起與空氣中的水分發生反應而變成為被氫氧化物之白色粉末覆蓋最後粉末化的狀態而無法進行正常濺鍍的問題。因此，在製作靶之後，必須立即進行真空包裝或用油脂覆蓋，採取抗氧化及抗氫氧化的對策。
稀土金屬的保存方法，一般係為了避免與大氣接觸而保存在礦物性油中，但是當要作為濺鍍靶使用時，在使用前為了要將礦物油去除而必須進行洗淨。又，由於前述之與氧、水分、二氧化碳之反應性問題，因此亦有洗淨本身難以進行的問題。
因此，通常必須要藉由真空包裝來加以保存、包裝。又，儘管為真空包裝之狀態，由於透過所使用之膜的水分即使很少，氧化、氫氧化所導致之粉末化亦會進行，因此要在可使用作為濺鍍靶之狀態下作長時間保存並不容易。
若參見以往的公知技術，則有以樹脂製的袋子來覆蓋空心陰極型濺鍍靶的方法(參照專利文獻1)、將塑膠膜之保護膜貼附在靶的方法(參照專利文獻2)、使用不存在脫離性粒子(releasable particle)之表面之膜來包裝靶的方法(參照專利文獻3)、使用透明之丙烯酸樹脂的上蓋來製作靶的保存容器，並加以擰緊的方法(參照專利文獻4)、將濺鍍靶封閉於袋狀物的方法(參照專利文獻5)。然而，此等方法，由於係使用樹脂之蓋或樹脂性膜來將靶加以封閉者，因此作為稀土金屬或其氧化物所構成之靶的保存方法，並不够充分。
非專利文獻1：德光永輔及另外2人著，「High-k閘絕緣膜用氧化物材料之研究」電氣學會電子材料研究會資料，第6～13卷，第37～41頁，2001年9月21日發行。
專利文獻1：國際公開WO2005/037649公報。
專利文獻2：日本特開2002-212718號公報。
專利文獻3：日本特開2001-240959號公報。
專利文獻4：日本特開平8-246135號公報。
專利文獻5：日本特開平4-231461號公報。
本發明，係對稀土金屬或其氧化物所構成之靶的保存方法進行改進，其課題在於提供一種抑制因空氣之殘留及侵入所造成之靶的氧化及氫氧化而導致的粉末化，而可於可使用作為濺鍍靶之狀態下作長時間保存的技術。
本發明提供：
1)一種稀土金屬或其氧化物所構成之靶的保存方法，係用以保存稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成的濺鍍靶，其特徵在於：於該靶之保存用容器或膜狀密封件中，導入與所保存之稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶相同的稀土金屬之氧化物作為乾燥劑，然後將該保存用容器或膜狀密封件加以封閉進行保存。
2)一種稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶的保存方法，係用以保存稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶，其特徵在於：於該靶之保存用容器或膜狀密封件中，導入吸濕性大於所保存之稀土金屬或稀土金屬之氧化物靶材料的稀土金屬氧化物作為乾燥劑，然後將該保存用容器或膜狀密封件加以封閉進行保存。
又，本發明提供：
3)如上述2)所記載之稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶的保存方法，其中，當為2種以上之稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶的情形，係使用吸濕性最大的稀土金屬氧化物作為乾燥劑。
4)如上述1)～3)中任一項所記載之稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶的保存方法，其中，加以封閉保存之方法係真空封閉。
5)如上述1)～4)中任一項所記載之稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶的保存方法，其中，加以封閉保存之手段，係使用可撓性膜之真空密封件。
並且，本發明提供：
6)如上述1)～5)中任一項所記載之稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶的保存方法，其中，加以封閉保存之方法，係封入露點-80℃以下之惰性氣體加以封閉。
7)如上述1)～6)中任一項所記載之稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶的保存方法，其中，係將使用作為乾燥劑之該稀土金屬氧化物裝載或填充於封閉時所產生之空間。
8)如上述1)～7)中任一項所記載之稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶的保存方法，其中，構成該靶之稀土金屬為La或含有La。
9)如上述1)～8)中任一項所記載之稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶的保存方法，其中，使用作為乾燥劑之該稀土金屬氧化物為La氧化物。
10)如上述1)～9)中任一項所記載之稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶的保存方法，其中，封閉保存所使用之可撓性膜的水分透過量或來自容器外部的水分侵入量在0.1g/m2 ‧24h以下。
本發明具有下述之大效果：在將以往之稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶封閉在密閉容器或塑料性之膜加以保存時，若經長時間放置，則會與氧及水分發生反應而變成為被氫氧化物之白色粉末覆蓋的狀態，而發生無法進行正常之濺鍍的問題，但是保存在本發明之保存用容器或膜狀密封件中之靶，卻不會發生此種問題。
已知稀土類，尤其是鑭及鑭之氧化物的吸濕性(與水分的反應性)極強。因此，迄今為止要如何地不使鑭及鑭氧化物吸濕，或是要如何地在水分少的環境來加以保存，一直是個課題。
然而，反而利用鑭氧化物的吸濕性大於鑭的特性，當保存鑭靶時，藉由將鑭氧化物(粉末、板或塊等燒結體)塗覆、載置或者是放置在靶表面，來防止鑭靶本身之氧化、氫氧化。
又，在保存鑭氧化物靶時，藉由封入表面積較多之粉末、顆粒狀的鑭氧化物，由於可更有效地將水分加以吸收、去除，因此可防止靶之氫氧化所導致的劣化。
亦即，本發明之稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶的保存方法，係於保存用容器或膜狀密封件之中，導入所欲保存之稀土金屬或稀土金屬之氧化物靶、與作為乾燥劑之同一稀土金屬的氧化物。
此時，即使鑭氧化物與水分反應而氫氧化，然後粉末化而附著於靶表面，由於為同一金屬之化合物且為粉末，故亦可容易將其去除，因此並不會成為污染的原因。此點相較於使用由其他金屬所構成之乾燥劑的情形，明顯具有優勢。
又，當由其他之稀土金屬所造成的污染並不會特別成為問題時，可以吸濕性大於所欲保存之稀土金屬或其氧化物靶材料的稀土金屬的氧化物作為乾燥劑，導入於靶的保存用容器或膜狀密封件之中，然後將該保存用容器或膜狀密封件加以封閉來保存。
在由2種以上之稀土金屬或其等之氧化物所構成之靶的情形，亦可使用吸濕性最大之稀土金屬氧化物作為乾燥劑。
封閉、保存之方法，更佳為極力不使外界氣體進入，其方法之一，可為真空封閉。又，較佳在真空封閉、保存時，先以露點-80℃以下之惰性氣體對容器或膜狀密封件之中進行置換後，再進行真空封閉。封閉保存之手段，可使用可撓性膜，將其作成密閉狀之袋來進行真空密封。
於上述中，雖對真空封閉加以說明，但是亦可封入露點-80℃以下之惰性氣體來進行封閉。任一者均是為防止外界氣體侵入者。
如此，與外界氣體隔絕，盡量抑制外界氣體之濕氣的侵入，而即使僅有些許之侵入，亦可藉由將使用作為乾燥劑之上述稀土氧化物裝載或填充於封閉時所產生之空間，來抑制靶本身的氫氧化。
一般，靶係接合於支持板，然而例如當使用可撓性膜將其作成密閉狀之袋來對接合於支持板之靶進行真空密封時，由於靶一定會在支持板之間產生段差，而容易發生空隙。於此種空隙，容易殘留有外界氣體。因此靶之粉狀化容易由此處進行。較佳為將作為乾燥劑之稀土氧化物填充於此種段差或空隙。
作為此乾燥劑之稀土氧化物，其意義應可理解為表面積大之粉末或宜為顆粒狀。然而，在容易殘留外界氣體的地方，即使僅放置小塊的稀土氧化物，亦具有效果。
又，最有效果係放置成使稀土氧化物與靶直接接觸，但粉末會附著於靶表面，而成為濺鍍中發生粒子的原因。於該種情形，即使如一般的乾燥劑般以包裝在透濕性膜的狀態封入，亦具有充分的效果。
本發明靶之保存方法，對構成靶之稀土金屬為鑭靶或含有鑭之靶特別有效。又，使用作為乾燥劑之上述稀土氧化物，係鑭氧化物。此雖為理所當然，但是作為稀土金屬或其氧化物所構成之靶的保存方法，最容易被氫氧化之鑭氧化物，其抑制稀土金屬或其氧化物所構成之靶之氫氧化的效果最高。
使封閉保存所使用之可撓性膜的水分透過量或來自容器外部的水分侵入量在0.1g/m2 ‧24h以下，來極力防止水分的侵入，對稀土金屬或其氧化物所構成之靶的保存方法而言，亦為重要。
封閉保存所使用之可撓性膜的較佳例、與其他之例示於表1。由此表1，具有GX巴利亞(商品名)以上之特性者為有效。如表1所示，較佳為GX巴利亞(商品名)與裝有鋁箔之袋。表1係顯示具代表性之例，若為滿足上述之條件者，當然可使用其他的可撓性膜。
接著，說明實施本發明時之例。另，此例僅是為了容易理解者，並非用以限制本發明。亦即，在本發明之技術思想範圍內的其他之例及變形，皆包含於本發明。
(實施例1)
係對La靶進行真空包裝，將一層薄La氧化物粉末層填充於表面與側面之情形之例。此具體例顯示於圖1。
如圖1所示，係藉由在真空包裝之膜與La靶之間存在氧化鑭層，使真空包裝內側所殘留之水分、及透過膜進來的水分被氧化鑭粉末吸收，而以氫氧化鑭的形態固定下來，因此可有效地防止La靶表面與水分反應變成氫氧化物而粉末化的現象。
(實施例2)
係對La靶進行真空包裝，將La氧化物粉末置於與(如矽膠袋)BP之段差的空間之例。此具體例顯示於圖2。如圖2所示，於真空包裝中，La氧化物將會吸收殘留在些許殘存之空間的水分，而以氫氧化鑭的形態固定下來，因此可有效地防止La靶與水分反應變成氫氧化物而粉末化的現象。
(實施例3)
係將La氧化物靶設置在金屬製的容器內，於該靶的周圍填充La氧化物粉末後，暫時以露點-80℃以下之氬對周圍的空氣進行置換，然後再進一步對其進行真空封閉之例。其具體例顯示於圖3。
如圖3所示，於抽成真空後，氧化鑭將會吸收所殘留之水分，而以氫氧化鑭的形態固定下來，因此可有效地防止La與水分反應變成氫氧化物而粉末化的現象。
(實施例4)
係於金屬製的容器內配置La與Er所構成之金屬合金靶，接著在該靶與BP之段差放置經燒結之La氧化物塊，以露點-80℃以下之氬氣將容器內的空氣加以置換後，再進行抽真空之例。
如圖4所示，於抽成真空後，氧化鑭將會吸收所殘留之水分，而以氫氧化鑭的形態固定下來，因此可有效地防止La與水分反應變成氫氧化物而粉末化的現象。
(比較例1)
係以膜對La靶進行真空封閉的情形。此具體例顯示於圖5。如圖5所示，些許殘留於真空包裝膜與靶間所形成之空間的水分與La靶反應，形成鑭氫氧化物而粉末化。
(比較例2)
係以膜對La靶進行真空封閉，放置矽膠作為乾燥劑的情形。此具體例示於圖6。
如圖6所示，放置矽膠時，較無矽膠時更快粉末化。此被認為是由於矽膠所吸附之水分脫離釋放於真空包裝膜中，而促進水分與La之反應，變成鑭氫氧化物。因此可知一般作為乾燥劑使用的矽膠，在防止稀土金屬或稀土金屬氧化物之粉末化現象上，並不起作用，倒不如說是不佳。
(比較例3)
此例係以膜對La2 O3 靶進行真空封閉的情形。此具體例示於圖7。如圖7所示，La氧化物(La2 O3 )將會吸收殘留在真空包裝內些許殘存之空間的水分，而以氫氧化鑭的形態固定下來，故La2 O3 靶將會與水分發生反應變成氫氧化物，而粉末化。
從以上之實施例與比較例清楚得知，在保存稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶時，於密封容器或密封件內，導入與所保存之稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶相同的稀土金屬之氧化物作為乾燥劑，極為有效。藉此，可有效抑制因空氣之殘留及侵入所造成之靶的氧化及氫氧化而導致的粉末化。
 產業上之可利用性
以往，若將稀土金屬或稀土金屬之氧化物靶長時間放置於空氣中時，則將會與空氣中的水分發生反應而變成為被氫氧化物之白色粉末覆蓋的狀態，而發生無法進行正常之濺鍍的問題，但是本發明之稀土金屬或其氧化物所構成之靶的保存方法，並不會發生此類的問題。
本發明之稀土金屬或其氧化物所構成之靶的保存方法，係於保存用容器或膜狀密封件之中，導入與所保存之稀土金屬或其氧化物所構成之靶相同的稀土金屬之氧化物作為乾燥劑者。藉此，可有效抑制因與空氣中之水分反應而被氫氧化物之白色粉末覆蓋的狀態。
藉此，可穩定地供給靶作為金屬閘極材料、高介電常數材料(High-k)等之電子材料，在產業上極為有用。
圖1，係顯示將一層薄La氧化物粉末層填充於La靶之表面與側面，對其進行真空包裝之情形之例。
圖2，係顯示將La氧化物粉末放置於La靶與BP之段差的空間，進行真空包裝之例。
圖3，係顯示將La靶配置在金屬製的容器內，於該La靶的周圍填充La氧化物粉末後，暫時以露點-80℃以下之氬對周圍的空氣進行置換，然後進行真空封閉之例。
圖4，係顯示於金屬製的容器內配置La與Er所構成之金屬合金靶，接著在該靶與BP之段差放置經燒結之La氧化物塊，以氬氣將容器內的空氣加以置換後，再進行抽真空之例。
圖5，係顯示以膜對La靶進行真空封閉之情形之例。
圖6，係顯示以膜對La靶進行真空封閉，放置矽膠作為乾燥劑之情形之例。
圖7，係顯示以膜對La2 O3 靶進行真空封閉之情形之例。

Claims (10)

  1. 一種稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶的保存方法，係用以保存稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶，其特徵在於：於該靶之保存用容器或膜狀密封件中，導入與所保存之該稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶相同的稀土金屬之氧化物作為乾燥劑，然後將該保存用容器或膜狀密封件加以封閉進行保存。
  2. 一種稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶的保存方法，係用以保存稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶，其特徵在於：於該靶之保存用容器或膜狀密封件中，導入吸濕性大於所保存之該稀土金屬或稀土金屬之氧化物靶材料的稀土金屬氧化物作為乾燥劑，然後將該保存用容器或膜狀密封件加以封閉進行保存。
  3. 如申請專利範圍第2項之稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶的保存方法，其中，當為2種以上之稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶的情形，係使用吸濕性最大的稀土金屬之氧化物作為乾燥劑。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶的保存方法，其中，加以封閉保存之方法係真空封閉。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶的保存方法，其中，加以封閉 保存之手段，係使用可撓性膜之真空密封件。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶的保存方法，其中，加以封閉保存之方法，係封入露點-80℃以下之惰性氣體加以封閉。
  7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶的保存方法，其中，係將使用作為乾燥劑之該稀土金屬氧化物裝載或填充於封閉時所產生之空間。
  8. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶的保存方法，其中，構成該靶之稀土金屬為La或含有La。
  9. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶的保存方法，其中，使用作為乾燥劑之該稀土金屬氧化物為La氧化物。
  10. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶的保存方法，其中，封閉保存所使用之可撓性膜的水分透過量或來自容器外部的水分侵入量在0.1g/m2 ．24h以下。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009084318A1 (ja) * 2007-12-28 2009-07-09 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. 高純度ランタン、高純度ランタンからなるスパッタリングターゲット及び高純度ランタンを主成分とするメタルゲート膜
CN102089256A (zh) * 2008-07-07 2011-06-08 Jx日矿日石金属株式会社 氧化物烧结体、包含该烧结体的溅射靶、该烧结体的制造方法及该烧结体溅射靶的制造方法
WO2010004861A1 (ja) * 2008-07-07 2010-01-14 日鉱金属株式会社 酸化ランタン基焼結体、同焼結体からなるスパッタリングターゲット、酸化ランタン基焼結体の製造方法及び同製造方法によるスパッタリングターゲットの製造方法
CN102356180B (zh) 2009-03-27 2013-11-06 吉坤日矿日石金属株式会社 溅射用镧靶
CN102378825B (zh) 2009-03-31 2013-10-23 吉坤日矿日石金属株式会社 溅射用镧靶
KR101975741B1 (ko) 2009-11-13 2019-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 타깃 재료의 포장 방법 및 타깃의 장착 방법
WO2011062003A1 (ja) 2009-11-17 2011-05-26 Jx日鉱日石金属株式会社 ランタン酸化物ターゲットの保管方法及び真空密封したランタン酸化物ターゲット
AU2012208015B2 (en) 2011-01-21 2016-03-31 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Method for producing high-purity lanthanum, high-purity lanthanum, sputtering target formed from high-purity lanthanum, and metal gate film having high-purity lanthanum as main component
KR20130109170A (ko) * 2011-03-01 2013-10-07 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 금속 란탄 타깃의 보관 방법, 진공 밀봉한 금속 란탄 타깃 및 금속 란탄 타깃을 이용하여 스퍼터링에 의해 형성한 박막
CN102417042A (zh) * 2011-07-25 2012-04-18 武汉科技大学 易水化粉末标准样品/物质的包装与贮存方法
CN104309865A (zh) * 2014-05-30 2015-01-28 微密科技(无锡)有限公司 一种防颗粒污染的包装方法
JP6178455B1 (ja) * 2016-03-30 2017-08-09 Ｊｘ金属株式会社 円筒型スパッタリングターゲット及びその梱包方法
JP6348940B2 (ja) * 2016-09-21 2018-06-27 Ｊｘ金属株式会社 円筒型焼結体及びその梱包方法
JP6885981B2 (ja) * 2019-03-29 2021-06-16 Ｊｘ金属株式会社 スパッタリングターゲットの梱包物の作製方法及び輸送方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6030514A (en) * 1997-05-02 2000-02-29 Sony Corporation Method of reducing sputtering burn-in time, minimizing sputtered particulate, and target assembly therefor
TW546396B (en) * 1999-12-22 2003-08-11 Mitsui Mining & Smelting Co Packed high purity target

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4427992A (en) * 1975-12-17 1984-01-24 Motorola, Inc. Method for incorporating a desiccant in a semiconductor package
DE2927428C3 (de) * 1979-07-06 1982-05-19 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Leuchtstoff
JPH02159372A (ja) * 1988-12-12 1990-06-19 Nec Corp スパッタリングターゲット用保護容器
JPH04231461A (ja) * 1990-12-27 1992-08-20 Tosoh Corp スパッタリングターゲットの保護具及び包装方法
JPH08246145A (ja) * 1995-03-13 1996-09-24 Vacuum Metallurgical Co Ltd 誘電体ターゲットの保管容器および保管方法
US5866263A (en) * 1996-04-26 1999-02-02 Semi-Alloys Company Adsorbent lid construction
JP2000073054A (ja) * 1998-08-31 2000-03-07 Toyota Motor Corp 酸化防止剤およびその使用方法
JP2001240959A (ja) * 1999-12-22 2001-09-04 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 梱包された高純度ターゲット
US6733882B2 (en) * 2000-08-10 2004-05-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Rare earth hydroxide and method for the preparation thereof
US6390179B1 (en) * 2000-11-08 2002-05-21 Pcc Structurals, Inc. Method for processing materials to increase slurry lifetime
JP2002212718A (ja) * 2001-01-17 2002-07-31 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 保護膜付きターゲットおよび表面処理方法
JP3887253B2 (ja) * 2002-03-19 2007-02-28 日鉱金属株式会社 スパッタリングターゲット用運搬箱
JP4391478B2 (ja) * 2003-10-15 2009-12-24 日鉱金属株式会社 ホローカソード型スパッタリングターゲットの包装装置及び包装方法
US7498015B1 (en) * 2004-02-27 2009-03-03 Kovio, Inc. Method of making silane compositions
AU2006255166B2 (en) * 2005-06-03 2012-06-14 Prezacor, Inc. Compositions comprising elemental metals and uses therefor
US7638074B2 (en) * 2006-03-10 2009-12-29 Advanced Technology Materials, Inc. Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films
JP5405744B2 (ja) * 2006-06-29 2014-02-05 三井金属鉱業株式会社 除湿・脱酸素剤
KR100778518B1 (ko) * 2006-12-06 2007-11-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치
EP2091096A1 (en) * 2008-02-15 2009-08-19 Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Encapsulated electronic device and method of manufacturing
WO2011062003A1 (ja) * 2009-11-17 2011-05-26 Jx日鉱日石金属株式会社 ランタン酸化物ターゲットの保管方法及び真空密封したランタン酸化物ターゲット
KR20130109170A (ko) * 2011-03-01 2013-10-07 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 금속 란탄 타깃의 보관 방법, 진공 밀봉한 금속 란탄 타깃 및 금속 란탄 타깃을 이용하여 스퍼터링에 의해 형성한 박막
CN102312115B (zh) * 2011-09-23 2012-12-26 太原理工大学 一种氧化镧变质剂的制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6030514A (en) * 1997-05-02 2000-02-29 Sony Corporation Method of reducing sputtering burn-in time, minimizing sputtered particulate, and target assembly therefor
JP2002511115A (ja) * 1997-05-02 2002-04-09 マテリアル リサーチ コーポレーション スパッタリングのバーンインに要する時間を短縮してスパッタリングの際に発生するパーティクルを最小限に抑える方法、及びこのときに用いられるターゲットアセンブリ
TW546396B (en) * 1999-12-22 2003-08-11 Mitsui Mining & Smelting Co Packed high purity target

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