JPH02159372A - スパッタリングターゲット用保護容器 - Google Patents
スパッタリングターゲット用保護容器Info
- Publication number
- JPH02159372A JPH02159372A JP31410588A JP31410588A JPH02159372A JP H02159372 A JPH02159372 A JP H02159372A JP 31410588 A JP31410588 A JP 31410588A JP 31410588 A JP31410588 A JP 31410588A JP H02159372 A JPH02159372 A JP H02159372A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- container
- vessel
- sputtering
- fixed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims description 4
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はスパッタリング装置のターゲットに関し、特に
ターゲットが製造されてから使用者に納入される迄の間
で、ターゲットに塵が付着するのを防ぐための保護用密
閉容器に関する。
ターゲットが製造されてから使用者に納入される迄の間
で、ターゲットに塵が付着するのを防ぐための保護用密
閉容器に関する。
従来、この種のスパッタリングターゲットのバッキング
方法は、第2図(A)に示すように、ターゲット1を袋
状のバッキング6に入れ、バッキング6内の気体を排気
して真空にし、バッキング6を閉じる方法と、第2図(
B)に示すように、ターゲラ)1を袋状のバッキング6
に入れ、バッキング6内の気体を不活性ガス(例えばA
rガス)で置換し、バッキング6を閉じる方法になって
いた。
方法は、第2図(A)に示すように、ターゲット1を袋
状のバッキング6に入れ、バッキング6内の気体を排気
して真空にし、バッキング6を閉じる方法と、第2図(
B)に示すように、ターゲラ)1を袋状のバッキング6
に入れ、バッキング6内の気体を不活性ガス(例えばA
rガス)で置換し、バッキング6を閉じる方法になって
いた。
上述した従来のスパッタリングターゲットのバッキング
方法は、第2図(A)ではバッキング6が真空排気によ
りターゲット10表面に密着するので、バッキング60
表面に塵が付着している場合接触しているターゲット1
の表面に転写するという欠点があり、又第2図(B)で
はバッキング6とターゲットlの間に空間が生じるので
、バッキング6内でターゲット1が移動した場合パッキ
ング6とターゲット1が擦れ塵が発生しターゲット1の
表面に付着するという欠点がある。
方法は、第2図(A)ではバッキング6が真空排気によ
りターゲット10表面に密着するので、バッキング60
表面に塵が付着している場合接触しているターゲット1
の表面に転写するという欠点があり、又第2図(B)で
はバッキング6とターゲットlの間に空間が生じるので
、バッキング6内でターゲット1が移動した場合パッキ
ング6とターゲット1が擦れ塵が発生しターゲット1の
表面に付着するという欠点がある。
上述した従来のスパッタリングターゲットのバッキング
方法に対し、本発明は、ターゲットのスパッタリング面
に何も触れない様に容器内に固定でき、容器は真空排気
及びガス置換することができかつ真空排気及びガス置換
を行ってもターゲットのスパッタリング面に容器が触れ
るほどの変形がない密閉容器でターゲットを保護すると
いう相違点を有する。
方法に対し、本発明は、ターゲットのスパッタリング面
に何も触れない様に容器内に固定でき、容器は真空排気
及びガス置換することができかつ真空排気及びガス置換
を行ってもターゲットのスパッタリング面に容器が触れ
るほどの変形がない密閉容器でターゲットを保護すると
いう相違点を有する。
本発明のスパッタリングターゲット用保護容器は、ター
ゲットのスパッタリング面が何も触れない様に容器内に
固定でき、容器は真空排気及びガス置換することができ
かつ真空排気及びガス置換を行ってもターゲットのスパ
ッタリング面に容器が触れるほどの変形がない密閉容器
を有している。
ゲットのスパッタリング面が何も触れない様に容器内に
固定でき、容器は真空排気及びガス置換することができ
かつ真空排気及びガス置換を行ってもターゲットのスパ
ッタリング面に容器が触れるほどの変形がない密閉容器
を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の縦断面図である。
スパッタリングターゲラ)1は容器2aに止めネジ4a
によって固定され、Oリング8が取付けられている容器
2bはスパッタリングターゲラ)1と触れないように容
器2aとOリング8が接触して外部と密閉され止めネジ
4bにより容器2aに固定され、容器2bにはアルブ9
が取付けられている。真空保管する場合、バルブ9に真
空ポンプを接続して容器内を真空に排気後、バルブ9を
閉じ接続を切り離す。不活性ガスで置換する場合、前記
同様に真空排気した後、不活性ガスを供給する配管をバ
ルブ9に接続して不活性ガスで満たした後、バルブ9を
閉じ接続を切り離す。
によって固定され、Oリング8が取付けられている容器
2bはスパッタリングターゲラ)1と触れないように容
器2aとOリング8が接触して外部と密閉され止めネジ
4bにより容器2aに固定され、容器2bにはアルブ9
が取付けられている。真空保管する場合、バルブ9に真
空ポンプを接続して容器内を真空に排気後、バルブ9を
閉じ接続を切り離す。不活性ガスで置換する場合、前記
同様に真空排気した後、不活性ガスを供給する配管をバ
ルブ9に接続して不活性ガスで満たした後、バルブ9を
閉じ接続を切り離す。
以上説明したように本発明は、ターゲットのスパッタリ
ング面に何も触れない様に容器内に固定でき、容器は真
空排気及びガス置換することができかつ真空排気及びガ
ス置換を行ってもターゲットノスハッタリング面に容器
が触れるほどの変形がない密閉容器を有することにより
、容器が真空排気によりターゲットの表面に密着して、
容器の表面に付着している塵がターゲットの表面に転写
するという欠点を無くすことができ、又ターゲットは容
器に固定されているので容器とターゲットが擦れ塵が発
生しターゲットの表面に付着するという欠点を無くすこ
とができる効果がある。
ング面に何も触れない様に容器内に固定でき、容器は真
空排気及びガス置換することができかつ真空排気及びガ
ス置換を行ってもターゲットノスハッタリング面に容器
が触れるほどの変形がない密閉容器を有することにより
、容器が真空排気によりターゲットの表面に密着して、
容器の表面に付着している塵がターゲットの表面に転写
するという欠点を無くすことができ、又ターゲットは容
器に固定されているので容器とターゲットが擦れ塵が発
生しターゲットの表面に付着するという欠点を無くすこ
とができる効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第2図は従
来技術を示す縦断面図である。 1・・・・・・スパッタリングターゲット、2a、b・
・・・・・容器、4a、b・・・・・・止めネジ、6・
・・・・・バッキング、7・・・・・・不活性ガス、8
・・・・・・0リング、9・・・・・・バルブ。 lp : I’;−yキ57− 茅 /III (Aン (β) 代理人 弁理士 内 原 晋 茅 2 図
来技術を示す縦断面図である。 1・・・・・・スパッタリングターゲット、2a、b・
・・・・・容器、4a、b・・・・・・止めネジ、6・
・・・・・バッキング、7・・・・・・不活性ガス、8
・・・・・・0リング、9・・・・・・バルブ。 lp : I’;−yキ57− 茅 /III (Aン (β) 代理人 弁理士 内 原 晋 茅 2 図
Claims (1)
- スパッタリング装置で使用しているターゲットに対して
、該ターゲットのスパッタリング面に何も触れない様に
容器内に固定でき、容器は真空排気及びガス置換するこ
とができる密閉容器でありかつ真空排気及びガス置換を
行ってもターゲツトのスパッタリング面に容器が触れる
ほどの変形がないことを特徴とするスパッタリングター
ゲット用保護容器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31410588A JPH02159372A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | スパッタリングターゲット用保護容器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31410588A JPH02159372A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | スパッタリングターゲット用保護容器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02159372A true JPH02159372A (ja) | 1990-06-19 |
Family
ID=18049298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31410588A Pending JPH02159372A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | スパッタリングターゲット用保護容器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02159372A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5846389A (en) * | 1997-05-14 | 1998-12-08 | Sony Corporation | Sputtering target protection device |
JP2002511115A (ja) * | 1997-05-02 | 2002-04-09 | マテリアル リサーチ コーポレーション | スパッタリングのバーンインに要する時間を短縮してスパッタリングの際に発生するパーティクルを最小限に抑える方法、及びこのときに用いられるターゲットアセンブリ |
JP2003089870A (ja) * | 2001-09-17 | 2003-03-28 | Lsi Logic Corp | スパツタリング方法及び該方法に使用するスパツタリングターゲット用カバー |
WO2010050409A1 (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-06 | 日鉱金属株式会社 | 希土類金属又はこれらの酸化物からなるターゲットの保管方法 |
JP2011122241A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | ターゲット材料の包装方法、及びターゲットの取り付け方法 |
JP2013028824A (ja) * | 2011-07-26 | 2013-02-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 真空成膜装置用ケース付きリール、真空成膜装置及び薄膜積層体の製造方法 |
US8911600B2 (en) | 2009-11-17 | 2014-12-16 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Method of storing lanthanum oxide target, and vacuum-sealed lanthanum oxide target |
-
1988
- 1988-12-12 JP JP31410588A patent/JPH02159372A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002511115A (ja) * | 1997-05-02 | 2002-04-09 | マテリアル リサーチ コーポレーション | スパッタリングのバーンインに要する時間を短縮してスパッタリングの際に発生するパーティクルを最小限に抑える方法、及びこのときに用いられるターゲットアセンブリ |
JP2010189768A (ja) * | 1997-05-02 | 2010-09-02 | Materials Research Corp | スパッタリングのバーンインに要する時間を短縮してスパッタリングの際に発生するパーティクルを最小限に抑える方法、及びこのときに用いられるターゲットアセンブリ |
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CN102203314A (zh) * | 2008-10-29 | 2011-09-28 | Jx日矿日石金属株式会社 | 包含稀土金属或它们的氧化物的靶的保存方法 |
JP2011122241A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | ターゲット材料の包装方法、及びターゲットの取り付け方法 |
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JP2013028824A (ja) * | 2011-07-26 | 2013-02-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 真空成膜装置用ケース付きリール、真空成膜装置及び薄膜積層体の製造方法 |
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