JP2003089870A - スパツタリング方法及び該方法に使用するスパツタリングターゲット用カバー - Google Patents
スパツタリング方法及び該方法に使用するスパツタリングターゲット用カバーInfo
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- JP2003089870A JP2003089870A JP2001281815A JP2001281815A JP2003089870A JP 2003089870 A JP2003089870 A JP 2003089870A JP 2001281815 A JP2001281815 A JP 2001281815A JP 2001281815 A JP2001281815 A JP 2001281815A JP 2003089870 A JP2003089870 A JP 2003089870A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパツタリング装置に装着する際、スパツタ
リングターゲットが傷つけられたり、汚染されたり、ダ
ートマーク(dirt marks)が付いたり等しないようにす
る、スパツタリング方法及び該方法に使用するカバーを
提供すること。 【解決手段】 ターゲット材２２の上面及び周面を覆
う、一端が開口して、他端が閉じた、円筒形状のカバー
部分１１と、該カバー部分１１の開口端に取り付けられ
た複数個の留めピン部分１２とを具備したカバー１０を
予めスパッタリングターゲット２０に装着して、ターゲ
ット材２２の上面、周面を保護してから、スパッタリン
グターゲット２０をスパッタリング装置３０に固定す
る。固定作業終了後にカバー１０を取り外す。
リングターゲットが傷つけられたり、汚染されたり、ダ
ートマーク(dirt marks)が付いたり等しないようにす
る、スパツタリング方法及び該方法に使用するカバーを
提供すること。 【解決手段】 ターゲット材２２の上面及び周面を覆
う、一端が開口して、他端が閉じた、円筒形状のカバー
部分１１と、該カバー部分１１の開口端に取り付けられ
た複数個の留めピン部分１２とを具備したカバー１０を
予めスパッタリングターゲット２０に装着して、ターゲ
ット材２２の上面、周面を保護してから、スパッタリン
グターゲット２０をスパッタリング装置３０に固定す
る。固定作業終了後にカバー１０を取り外す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリングタ
ーゲットをスパッタリング装置に装着する際、該スパッ
タリングターゲットの汚染や破損等を防止する、スパツ
タリング方法、及び該方法に使用するスパツタリングタ
ーゲット用カバーに関する。
ーゲットをスパッタリング装置に装着する際、該スパッ
タリングターゲットの汚染や破損等を防止する、スパツ
タリング方法、及び該方法に使用するスパツタリングタ
ーゲット用カバーに関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】スパツタリングターゲ
ットは、通常、搬送時や保管時にターゲット材表面への
塵の付着や、ターゲット材表面の破損等を防止するため
に、包装材内に収容されている。しかし、包装材を開封
し、スパッタリングターゲットを、スパツタリング装置
のカソードにボルトにより固定する際、不注意によって
工具でターゲット材表面に引っ掻き傷を付けてしまうそ
れがあった。また、この固定に際し、気密性保持のため
のスパッタリングターゲットの基台にＯリングを装着す
るが、該Ｏリングのグリースがターゲット材を汚染し、
これがスパッタリングの際のパーティクルを引き起こす
原因となっていた。
ットは、通常、搬送時や保管時にターゲット材表面への
塵の付着や、ターゲット材表面の破損等を防止するため
に、包装材内に収容されている。しかし、包装材を開封
し、スパッタリングターゲットを、スパツタリング装置
のカソードにボルトにより固定する際、不注意によって
工具でターゲット材表面に引っ掻き傷を付けてしまうそ
れがあった。また、この固定に際し、気密性保持のため
のスパッタリングターゲットの基台にＯリングを装着す
るが、該Ｏリングのグリースがターゲット材を汚染し、
これがスパッタリングの際のパーティクルを引き起こす
原因となっていた。
【０００３】スパッタリングターゲットをスパッタリン
グ装置に固定する際に生ずる汚染等は作業者の不注意と
見なされて、特に対策が取られていたわけではない。タ
ーゲット材表面の汚染に対する対策は、もっぱら搬送
時、保管時に対して行われていたのが現状である。
グ装置に固定する際に生ずる汚染等は作業者の不注意と
見なされて、特に対策が取られていたわけではない。タ
ーゲット材表面の汚染に対する対策は、もっぱら搬送
時、保管時に対して行われていたのが現状である。
【０００４】しかし、気付かずにターゲット材表面がＯ
リングのグリース等によって汚染されて、これが原因と
なりスパッタリング中にパーティクルが発生し、最終製
品であるマイクロデバイスの歩留まりを下げることもあ
り、根本的な対策が要望されていた。
リングのグリース等によって汚染されて、これが原因と
なりスパッタリング中にパーティクルが発生し、最終製
品であるマイクロデバイスの歩留まりを下げることもあ
り、根本的な対策が要望されていた。
【０００５】また、スパッタリングターゲットをスパッ
タリング装置に固定する際、ターゲット材の表面を傷つ
けたり、汚染したりしないように注意しなければなら
ず、これがスパツタリング作業能率を低下させる一因と
なり、作業能率の観点からも根本的な対策が要望されて
いた。
タリング装置に固定する際、ターゲット材の表面を傷つ
けたり、汚染したりしないように注意しなければなら
ず、これがスパツタリング作業能率を低下させる一因と
なり、作業能率の観点からも根本的な対策が要望されて
いた。
【０００６】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、スパツタリングターゲットをスパツタリング装置に
装着する際、スパツタリングターゲットが傷つけられた
り、汚染されたり、ダートマーク(dirt marks)が付いた
り等しないようにする、スパツタリング方法及び該方法
に使用するカバーを提供することを目的とする。
で、スパツタリングターゲットをスパツタリング装置に
装着する際、スパツタリングターゲットが傷つけられた
り、汚染されたり、ダートマーク(dirt marks)が付いた
り等しないようにする、スパツタリング方法及び該方法
に使用するカバーを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明のスパツタリング方法は、スパッタリングターゲット
をスパッタリング装置内に装着してスパッタリングを行
うスパッタリング方法にして、次の乃至の工程を具
備することを特徴とする。
明のスパツタリング方法は、スパッタリングターゲット
をスパッタリング装置内に装着してスパッタリングを行
うスパッタリング方法にして、次の乃至の工程を具
備することを特徴とする。
【０００８】スパツタリングターゲットにカバーを被
せ、該スパッタリングターゲットを保護する工程； 保護工程でカバーが被せられたスパッタリングターゲ
ットを、スパッタリング装置内に固定し、またＯリング
を、スパッタリングターゲットの基台に設けた溝に装着
する工程； 装着工程完了後、カバーを取り外す工程。
せ、該スパッタリングターゲットを保護する工程； 保護工程でカバーが被せられたスパッタリングターゲ
ットを、スパッタリング装置内に固定し、またＯリング
を、スパッタリングターゲットの基台に設けた溝に装着
する工程； 装着工程完了後、カバーを取り外す工程。
【０００９】前記カバーは、前記スパッタリングターゲ
ットを覆うカバー部分と、該カバー部分を前記スパッタ
リングターゲットの基台に着脱可能に取り付ける留めピ
ン部分からなる。この留めピン部分は、前記スパッタリ
ングターゲットの基台に設けられた、Ｏリングを外すた
めのＯリング外し溝に係脱可能に係合する係合ピンであ
ることが好ましい。
ットを覆うカバー部分と、該カバー部分を前記スパッタ
リングターゲットの基台に着脱可能に取り付ける留めピ
ン部分からなる。この留めピン部分は、前記スパッタリ
ングターゲットの基台に設けられた、Ｏリングを外すた
めのＯリング外し溝に係脱可能に係合する係合ピンであ
ることが好ましい。
【００１０】また、前記スパッタリング装置が、直流グ
ロー放電によりスパッタリングを行う直流スパッタリン
グ装置である場合、前記カバーを非磁性材料から構成す
ることが好ましい。この場合、前記カバー部分と前記留
めピン部分を別体に構成し、前記カバー部分をアクリル
樹脂製で、前記留めピン部分をＰＥＥＫ（ポリエーテル
エーテルケトン）樹脂製とすることが好ましい。
ロー放電によりスパッタリングを行う直流スパッタリン
グ装置である場合、前記カバーを非磁性材料から構成す
ることが好ましい。この場合、前記カバー部分と前記留
めピン部分を別体に構成し、前記カバー部分をアクリル
樹脂製で、前記留めピン部分をＰＥＥＫ（ポリエーテル
エーテルケトン）樹脂製とすることが好ましい。
【００１１】また、上記目的を達成する本発明のスパツ
タリングターゲット用カバーは、スパッタリングターゲ
ットを保護するスパツタリングターゲット用カバーにし
て、スパッタリングターゲットをスパッタリング装置に
装着する際、該スパッタリングターゲットを覆い、ター
ゲット表面（上面、周面）を保護するための、一端が開
口し、他端が閉じたカバー部分と、該カバー部分の一端
縁部に設けられて、カバー部分を前記スパッタリングタ
ーゲットの基台に着脱可能に取り付ける留めピン部分か
らなることを特徴とする。
タリングターゲット用カバーは、スパッタリングターゲ
ットを保護するスパツタリングターゲット用カバーにし
て、スパッタリングターゲットをスパッタリング装置に
装着する際、該スパッタリングターゲットを覆い、ター
ゲット表面（上面、周面）を保護するための、一端が開
口し、他端が閉じたカバー部分と、該カバー部分の一端
縁部に設けられて、カバー部分を前記スパッタリングタ
ーゲットの基台に着脱可能に取り付ける留めピン部分か
らなることを特徴とする。
【００１２】前記留めピン部分は、前記スパッタリング
ターゲットの基台に設けられた、Ｏリングを外すための
Ｏリング外し溝に係脱可能に係合する係合ピンであるこ
とが好ましい。
ターゲットの基台に設けられた、Ｏリングを外すための
Ｏリング外し溝に係脱可能に係合する係合ピンであるこ
とが好ましい。
【００１３】また、前記カバー部分と前記留めピン部分
を別体に構成し、前記カバー部分をアクリル樹脂製で、
前記留めピン部分をＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケ
トン）樹脂製とすることが好ましい。
を別体に構成し、前記カバー部分をアクリル樹脂製で、
前記留めピン部分をＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケ
トン）樹脂製とすることが好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下本発明の一実施例について添
付図面を参照して説明する。図１は本発明のカバーを装
着した、スパツタリングターゲットの断面図、図２は同
スパッタリングターゲットの平面図、図３はカバーの底
面図、図４は同カバーの部分断面図、図５は留めピン部
分のための取付孔を示す、図３のＡ部分の部分拡大図、
図６は取付孔内に留めピン部分が差し込まれた状態を示
す、図４のＢ部分の部分拡大図、図７は本発明のスパッ
タリング方法に使用するスパッタリング装置の概略断面
図、図８は本発明の方法を説明するフローチャートであ
る。
付図面を参照して説明する。図１は本発明のカバーを装
着した、スパツタリングターゲットの断面図、図２は同
スパッタリングターゲットの平面図、図３はカバーの底
面図、図４は同カバーの部分断面図、図５は留めピン部
分のための取付孔を示す、図３のＡ部分の部分拡大図、
図６は取付孔内に留めピン部分が差し込まれた状態を示
す、図４のＢ部分の部分拡大図、図７は本発明のスパッ
タリング方法に使用するスパッタリング装置の概略断面
図、図８は本発明の方法を説明するフローチャートであ
る。
【００１５】まず、本発明のスパツタリングターゲット
用カバーの一実施例を図１乃至図６を参照して説明す
る。スパッタリングターゲット２０は、例えば、円盤状
の基台２１上にアルミニウム(Al)やチタン(Ti)等のター
ゲット材２２を肉盛りして構成される。基台２１の表面
周縁部には、ターゲット材２２を囲むようにＯリング２
３を装着するためのＯリング用溝２４が設けられ、また
該Ｏリング用溝２４の内側に位置して、Ｏリング用溝２
４に連通し、Ｏリング用溝２４からＯリング２３を取り
外す際に工具が差し込まれる、Ｏリング外し溝２５がほ
ぼ等間隔に４個設けられている。また、Ｏリング用溝２
４の外側に位置する、基台２１の周縁部には、図２に示
すように、スパッタリングターゲット２０をスパッタリ
ング装置３０（図７参照）に固定する際に使用する有頭
ボルト（図示せず）の挿通孔２６が等間隔に２０個設け
られる。
用カバーの一実施例を図１乃至図６を参照して説明す
る。スパッタリングターゲット２０は、例えば、円盤状
の基台２１上にアルミニウム(Al)やチタン(Ti)等のター
ゲット材２２を肉盛りして構成される。基台２１の表面
周縁部には、ターゲット材２２を囲むようにＯリング２
３を装着するためのＯリング用溝２４が設けられ、また
該Ｏリング用溝２４の内側に位置して、Ｏリング用溝２
４に連通し、Ｏリング用溝２４からＯリング２３を取り
外す際に工具が差し込まれる、Ｏリング外し溝２５がほ
ぼ等間隔に４個設けられている。また、Ｏリング用溝２
４の外側に位置する、基台２１の周縁部には、図２に示
すように、スパッタリングターゲット２０をスパッタリ
ング装置３０（図７参照）に固定する際に使用する有頭
ボルト（図示せず）の挿通孔２６が等間隔に２０個設け
られる。
【００１６】このようなスパッタリングターゲット２０
をスパッタリング装置３０（図７参照）に装着する際に
ターゲット材２２を傷、汚れ、ダートマーク(dirt mark
s)等から保護する、本発明のカバーの一実施例を説明す
る。
をスパッタリング装置３０（図７参照）に装着する際に
ターゲット材２２を傷、汚れ、ダートマーク(dirt mark
s)等から保護する、本発明のカバーの一実施例を説明す
る。
【００１７】本実施例によれば、カバー１０は、ターゲ
ット材２２の上面及び周面を覆う、一端が開口して、他
端が閉じた、円筒形状のカバー部分１１と、該カバー部
分１１の開口端に取り付けられた複数個の留めピン部分
１２とを具備する。
ット材２２の上面及び周面を覆う、一端が開口して、他
端が閉じた、円筒形状のカバー部分１１と、該カバー部
分１１の開口端に取り付けられた複数個の留めピン部分
１２とを具備する。
【００１８】カバー部分１１は、例えば、アクリル樹脂
から形成されていて、６インチのスパッタリングターゲ
ット２０上のターゲット材２２を囲繞する大きさに設定
されている。また、カバー部分１１の一端に設けられた
開口端面には、留めピン部分１２を差し込んで取り付け
るための取付孔１３がカバー部分１１の円周方向に沿っ
てほぼ等間隔に複数個、例えば１２個設けられている
（図３及び図５参照）。
から形成されていて、６インチのスパッタリングターゲ
ット２０上のターゲット材２２を囲繞する大きさに設定
されている。また、カバー部分１１の一端に設けられた
開口端面には、留めピン部分１２を差し込んで取り付け
るための取付孔１３がカバー部分１１の円周方向に沿っ
てほぼ等間隔に複数個、例えば１２個設けられている
（図３及び図５参照）。
【００１９】留めピン部分１２は、Ｏリング外し溝２５
内に係脱自在に係合するように構成されていて（留めピ
ン部分１２の外径がＯリング外し溝２５に合わせて設定
されていて）、繰り返して使用している間に折損した
り、破損したりするおそれがある。このため、留めピン
部分１２は、アクリル樹脂よりも硬く、折れにくい、例
えばＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）樹脂によ
りカバー部分１１と別体に形成されていて、折損した
り、破損した場合、新たな留めピン部分１２をカバー部
分１１の別の取付孔１３に差し込んで取り付けることが
できるようにしてある。
内に係脱自在に係合するように構成されていて（留めピ
ン部分１２の外径がＯリング外し溝２５に合わせて設定
されていて）、繰り返して使用している間に折損した
り、破損したりするおそれがある。このため、留めピン
部分１２は、アクリル樹脂よりも硬く、折れにくい、例
えばＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）樹脂によ
りカバー部分１１と別体に形成されていて、折損した
り、破損した場合、新たな留めピン部分１２をカバー部
分１１の別の取付孔１３に差し込んで取り付けることが
できるようにしてある。
【００２０】本実施例では、留めピン部分１２は、例え
ば４個あり、互いに等しい間隔をあけて（留めピン部分
１２間の開き角度が９０゜となるようにして）、カバー
部分１１に設けられた１２個の取付孔１３のうち、所定
の４個の取付孔１３内に差し込むことにより、カバー部
分１１に簡単に取り付けられるようにしてある。
ば４個あり、互いに等しい間隔をあけて（留めピン部分
１２間の開き角度が９０゜となるようにして）、カバー
部分１１に設けられた１２個の取付孔１３のうち、所定
の４個の取付孔１３内に差し込むことにより、カバー部
分１１に簡単に取り付けられるようにしてある。
【００２１】留めピン部分１２をカバー部分１１と一体
にした場合、留めピン部分１２が折損、破損した場合、
カバー部分１１に破損部分がなくてもカバー１０全体を
廃棄しなければならず、不経済となるが、このような事
態を回避することが出来る。
にした場合、留めピン部分１２が折損、破損した場合、
カバー部分１１に破損部分がなくてもカバー１０全体を
廃棄しなければならず、不経済となるが、このような事
態を回避することが出来る。
【００２２】上記実施例のカバー１０によれば、カバー
１０をスパッタリングターゲット２０に装着する際、ス
パッタリングターゲット２０の基台２１に設けられたＯ
リング外し溝２５を利用できるように、留めピン部分１
２を形成して、この留めピン部分１２を介してスパッタ
リングターゲット２０に着脱自在に装着できるように構
成してあるので、スパッタリングターゲット２０にカバ
ー１０を取り付けるための特別の加工を施さずに済み、
またターゲット材２２を消費して新たなスパッタリング
ターゲット２０と交換する場合にも、引き続き使用が可
能で、経済的である。
１０をスパッタリングターゲット２０に装着する際、ス
パッタリングターゲット２０の基台２１に設けられたＯ
リング外し溝２５を利用できるように、留めピン部分１
２を形成して、この留めピン部分１２を介してスパッタ
リングターゲット２０に着脱自在に装着できるように構
成してあるので、スパッタリングターゲット２０にカバ
ー１０を取り付けるための特別の加工を施さずに済み、
またターゲット材２２を消費して新たなスパッタリング
ターゲット２０と交換する場合にも、引き続き使用が可
能で、経済的である。
【００２３】また、カバー１０は、カバー部分１１がア
クリル樹脂製で、また留めピン部分１２がＰＥＥＫ樹脂
製であり、共に非磁性体から構成されているので、スパ
ッタリング装置３０が、直流グロー放電によりスパッタ
リングを行うタイプの直流スパッタリング装置である場
合に都合がよい。すなわち、直流スパッタリング装置内
に装備したマグネット３１（図７参照）の磁力の影響に
よって工具類（スパッタリングターゲット２０をスパッ
タリング装置３０に固定するための工具類）がカバー１
０に衝突して、カバー１０を破損するようなおそれがな
い。
クリル樹脂製で、また留めピン部分１２がＰＥＥＫ樹脂
製であり、共に非磁性体から構成されているので、スパ
ッタリング装置３０が、直流グロー放電によりスパッタ
リングを行うタイプの直流スパッタリング装置である場
合に都合がよい。すなわち、直流スパッタリング装置内
に装備したマグネット３１（図７参照）の磁力の影響に
よって工具類（スパッタリングターゲット２０をスパッ
タリング装置３０に固定するための工具類）がカバー１
０に衝突して、カバー１０を破損するようなおそれがな
い。
【００２４】次ぎに、図７及び図８を参照して、本発明
のスパッタリング方法の一実施例について説明する。本
実施例のスパッタリング方法では、図１乃至図６のカバ
ー１０を使用して行う。また、スパッタリング装置３０
は、例えば、図７に示す直流スパッタリング装置を使用
する。この直流スパッタリング装置は、チャンバ３２内
で直流グロー放電を行い、生成されたイオンを負電位の
カソード３３上に固定したスパッタリングターゲット２
０のターゲット材２２に衝突させ、放出された原子をス
パッタリングターゲット２０と対向する位置に配置され
たウェハ３４上に付着させるように構成される。なお、
カソード３３付近に配置されたマグネット３１は、グロ
ー放電を促進させる。図７中、３５は直流電源、３６は
チャンバ３２に設けられたアルゴンガス導入口、３７は
真空ポンプ（図示せず）に接続される、チャンバ３２に
設けられた吸引口である。
のスパッタリング方法の一実施例について説明する。本
実施例のスパッタリング方法では、図１乃至図６のカバ
ー１０を使用して行う。また、スパッタリング装置３０
は、例えば、図７に示す直流スパッタリング装置を使用
する。この直流スパッタリング装置は、チャンバ３２内
で直流グロー放電を行い、生成されたイオンを負電位の
カソード３３上に固定したスパッタリングターゲット２
０のターゲット材２２に衝突させ、放出された原子をス
パッタリングターゲット２０と対向する位置に配置され
たウェハ３４上に付着させるように構成される。なお、
カソード３３付近に配置されたマグネット３１は、グロ
ー放電を促進させる。図７中、３５は直流電源、３６は
チャンバ３２に設けられたアルゴンガス導入口、３７は
真空ポンプ（図示せず）に接続される、チャンバ３２に
設けられた吸引口である。
【００２５】まず、スパッタリングターゲット２０の包
装材（図示せず）を開封する（ステップ４０）。この
際、包装材によりターゲット材２２の表面を傷つけた
り、汚染したりしないように注意する。次いで、カバー
１０を、カバー部分１１でターゲット材２２の上面及び
周面が空間をあけて覆われるように、スパッタリングタ
ーゲット２０上に載置し、留めピン部分１２の先端部を
スパッタリングターゲット２０の基台２１に設けたＯリ
ング外し溝２５に係合させる（ステップ４１）。このよ
うにしてカバー１０を装着し、ターゲット材２２を保護
したら、スパッタリングターゲット２０をチャンバ３２
のカソード３３に有頭ボルト（図示せず）を介して固定
し、またカバー１０の外側からＯリング２３を被せてＯ
リング用溝２４内に装着する（ステップ４２）。図７は
この状態を示している。スパッタリングターゲット２０
の装着完了後、留めピン部分１２の先端部とＯリング外
し溝２５との係合を解除し、カバー１０をスパッタリン
グターゲット２０から外し、ターゲット材２２を露呈さ
せる（ステップ４３）。次いで、チャンバ３２内を所定
の圧力まで減圧し、直流電源３５により所定の電圧を印
加し、チャンバ３２内で直流グロー放電させ、スパッタ
リングを行う（ステップ４４）。ウェハ３４上にターゲ
ット材２２が付着して膜形成が行われたら、チャンバ３
２から取り出し、新たなウェハ３４を装着して、ターゲ
ット材２２が無くなるまで、スパッタリングを繰り返
す。ターゲット材２２が無くなり、さらにスパッタリン
グを繰り返す場合には、ターゲット材２２が無くなった
スパッタリングターゲット２０をカソード３３から外
し、新たなスパッタリングターゲット２０を準備し、同
様のステップを繰り返す。
装材（図示せず）を開封する（ステップ４０）。この
際、包装材によりターゲット材２２の表面を傷つけた
り、汚染したりしないように注意する。次いで、カバー
１０を、カバー部分１１でターゲット材２２の上面及び
周面が空間をあけて覆われるように、スパッタリングタ
ーゲット２０上に載置し、留めピン部分１２の先端部を
スパッタリングターゲット２０の基台２１に設けたＯリ
ング外し溝２５に係合させる（ステップ４１）。このよ
うにしてカバー１０を装着し、ターゲット材２２を保護
したら、スパッタリングターゲット２０をチャンバ３２
のカソード３３に有頭ボルト（図示せず）を介して固定
し、またカバー１０の外側からＯリング２３を被せてＯ
リング用溝２４内に装着する（ステップ４２）。図７は
この状態を示している。スパッタリングターゲット２０
の装着完了後、留めピン部分１２の先端部とＯリング外
し溝２５との係合を解除し、カバー１０をスパッタリン
グターゲット２０から外し、ターゲット材２２を露呈さ
せる（ステップ４３）。次いで、チャンバ３２内を所定
の圧力まで減圧し、直流電源３５により所定の電圧を印
加し、チャンバ３２内で直流グロー放電させ、スパッタ
リングを行う（ステップ４４）。ウェハ３４上にターゲ
ット材２２が付着して膜形成が行われたら、チャンバ３
２から取り出し、新たなウェハ３４を装着して、ターゲ
ット材２２が無くなるまで、スパッタリングを繰り返
す。ターゲット材２２が無くなり、さらにスパッタリン
グを繰り返す場合には、ターゲット材２２が無くなった
スパッタリングターゲット２０をカソード３３から外
し、新たなスパッタリングターゲット２０を準備し、同
様のステップを繰り返す。
【００２６】上記実施例のスパッタリング方法によれ
ば、予めスパッタリングターゲット２０にカバー１０を
装着して、ターゲット材２２を保護した状態で、スパッ
タリングターゲット２０をカソード３３に固定し、スパ
ッタリングターゲット２０の基台にＯリング２３を装着
するので、ターゲット材２２の表面が工具類によって引
っ掻き傷が付けられたり、Ｏリング２３のグリースによ
って汚染されたりするおそれがなく（付着したグリース
がスパッタリング中にパーティクルとなることがな
く）、このようなスパッタリング方法を繰り返して製造
されるマイクロデバイス等の歩留まりを向上させること
が可能となる。また、スパッタリングターゲット２０を
カソード３３に固定する固定作業において、ターゲット
材２２の表面が傷付けられたり、汚染されたりしないよ
うに留意する必要がなくなり、スパッタリング作業の能
率を向上させることが可能となる。
ば、予めスパッタリングターゲット２０にカバー１０を
装着して、ターゲット材２２を保護した状態で、スパッ
タリングターゲット２０をカソード３３に固定し、スパ
ッタリングターゲット２０の基台にＯリング２３を装着
するので、ターゲット材２２の表面が工具類によって引
っ掻き傷が付けられたり、Ｏリング２３のグリースによ
って汚染されたりするおそれがなく（付着したグリース
がスパッタリング中にパーティクルとなることがな
く）、このようなスパッタリング方法を繰り返して製造
されるマイクロデバイス等の歩留まりを向上させること
が可能となる。また、スパッタリングターゲット２０を
カソード３３に固定する固定作業において、ターゲット
材２２の表面が傷付けられたり、汚染されたりしないよ
うに留意する必要がなくなり、スパッタリング作業の能
率を向上させることが可能となる。
【００２７】また、図１乃至図６に示すカバー１０を使
用することにより、経済的にターゲット材２２の表面を
保護することが出来る。また、カバー１０は上述した如
く繰り返し使用可能である。
用することにより、経済的にターゲット材２２の表面を
保護することが出来る。また、カバー１０は上述した如
く繰り返し使用可能である。
【００２８】なお、スパッタリング装置３０にマグネッ
ト３１が装備されていない場合、カバー１０を、基台２
１に接触する部分を除いて、金属で構成することも可能
である。カバー１０の基台２１と接触する部分は、カバ
ー１０と基台２１との擦過によってパーティクルが発生
するのを防止するために、アクリル樹脂等の合成樹脂に
より構成する。また、マグネット３１を装備したスパッ
タリング装置３０であっても、カバー１０を、基台２１
に接触する部分を除いて、アルミニウムや銅等の非磁性
金属により構成することも可能である。
ト３１が装備されていない場合、カバー１０を、基台２
１に接触する部分を除いて、金属で構成することも可能
である。カバー１０の基台２１と接触する部分は、カバ
ー１０と基台２１との擦過によってパーティクルが発生
するのを防止するために、アクリル樹脂等の合成樹脂に
より構成する。また、マグネット３１を装備したスパッ
タリング装置３０であっても、カバー１０を、基台２１
に接触する部分を除いて、アルミニウムや銅等の非磁性
金属により構成することも可能である。
【００２９】また、留めピン部分１２をカバー部分１１
の取付孔１３に差し込むようにした場合を示したが、取
付孔１３に雌ネジを形成し、留めピン部分１２に雄ネジ
を形成して、留めピン部分１２を取付孔１３に螺合する
ようにしてもよい。また、差し込んだり、螺合したりす
る代わりに、接着剤を使用して留めピン部分１２をカバ
ー部分１１に固定するようにしてもよい。
の取付孔１３に差し込むようにした場合を示したが、取
付孔１３に雌ネジを形成し、留めピン部分１２に雄ネジ
を形成して、留めピン部分１２を取付孔１３に螺合する
ようにしてもよい。また、差し込んだり、螺合したりす
る代わりに、接着剤を使用して留めピン部分１２をカバ
ー部分１１に固定するようにしてもよい。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように本発明のスパッタリ
ング方法によれば、カバーによって予めターゲット材を
保護してからスパッタリングターゲットをスパッタリン
グ装置に固定し、固定作業完了後にカバーを取り外すよ
うにしているので、スパッタリングターゲットをスパッ
タリング装置に固定する際に生じるターゲット材の傷、
汚れ等を確実に防止することが出来る。また、スパツタ
リングターゲットの固定作業に際し、ターゲット材の
傷、汚れ等に留意しなくても済み、固定作業の能率が向
上する。
ング方法によれば、カバーによって予めターゲット材を
保護してからスパッタリングターゲットをスパッタリン
グ装置に固定し、固定作業完了後にカバーを取り外すよ
うにしているので、スパッタリングターゲットをスパッ
タリング装置に固定する際に生じるターゲット材の傷、
汚れ等を確実に防止することが出来る。また、スパツタ
リングターゲットの固定作業に際し、ターゲット材の
傷、汚れ等に留意しなくても済み、固定作業の能率が向
上する。
【００３１】また、本発明のスパッタリングターゲット
用カバーによれば、スパッタリングターゲットを覆い、
ターゲット材表面（上面、周面）を保護するための、一
端が開口し、他端が閉じたカバー部分と、該カバー部分
の一端縁部に設けられて、カバー部分を前記スパッタリ
ングターゲットの基台に着脱可能に取り付ける留めピン
部分からなるので、スパッタリングターゲットへの装着
が容易であり、ターゲット材表面の傷、汚れを確実に防
止することが出来る。
用カバーによれば、スパッタリングターゲットを覆い、
ターゲット材表面（上面、周面）を保護するための、一
端が開口し、他端が閉じたカバー部分と、該カバー部分
の一端縁部に設けられて、カバー部分を前記スパッタリ
ングターゲットの基台に着脱可能に取り付ける留めピン
部分からなるので、スパッタリングターゲットへの装着
が容易であり、ターゲット材表面の傷、汚れを確実に防
止することが出来る。
【００３２】また、留めピン部分を、スパッタリングタ
ーゲットの基台に設けられているＯリング外し溝に係脱
自在に係合できるように構成した場合には、スパッタリ
ングターゲットにカバーを取り付けるための加工を何ら
施さなくても済み、既存のスパッタリングターゲットに
そのままカバーを取り付けることが出来る。
ーゲットの基台に設けられているＯリング外し溝に係脱
自在に係合できるように構成した場合には、スパッタリ
ングターゲットにカバーを取り付けるための加工を何ら
施さなくても済み、既存のスパッタリングターゲットに
そのままカバーを取り付けることが出来る。
【図１】本発明のカバーを装着した、スパツタリングタ
ーゲットの断面図である。
ーゲットの断面図である。
【図２】同スパッタリングターゲットの平面図である。
【図３】カバーの底面図である。
【図４】同カバーの部分断面図である。
【図５】留めピン部分のための取付孔を示す、図３のＡ
部分の部分拡大図である。
部分の部分拡大図である。
【図６】取付孔内に留めピン部分が差し込まれた状態を
示す、図４のＢ部分の部分拡大図である。
示す、図４のＢ部分の部分拡大図である。
【図７】本発明のスパッタリング方法に使用するスパッ
タリング装置の概略断面図である。
タリング装置の概略断面図である。
【図８】本発明のスパッタリング方法を説明するフロー
チャートである。同底面図である。
チャートである。同底面図である。
１０ カバー １１ カバ
ー部分 １２ 留めピン部分 １３ 取付
孔 ２０ スパッタリングターゲット ２１ 基台 ２２ ターゲット材 ２３ Ｏリ
ング ２４ Ｏリング用溝２４ ２５ Ｏリ
ング外し溝２５ ３０ スパッタリング装置 ３２ チャ
ンバ ３３ カソード
ー部分 １２ 留めピン部分 １３ 取付
孔 ２０ スパッタリングターゲット ２１ 基台 ２２ ターゲット材 ２３ Ｏリ
ング ２４ Ｏリング用溝２４ ２５ Ｏリ
ング外し溝２５ ３０ スパッタリング装置 ３２ チャ
ンバ ３３ カソード
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 宮崎 康之
茨城県つくば市北原10番地 株式会社 エ
ルエスアイ ロジック ジャパン セミコ
ンダクター内
(72)発明者 高橋 和行
茨城県つくば市北原10番地 株式会社 エ
ルエスアイ ロジック ジャパン セミコ
ンダクター内
(72)発明者 平 政春
茨城県つくば市北原10番地 株式会社 エ
ルエスアイ ロジック ジャパン セミコ
ンダクター内
Ｆターム(参考） 4K029 DA10 DC22 DC34
Claims (8)
- 【請求項１】 スパッタリングターゲットをスパッタリ
ング装置のチャンバ内に装着してスパッタリングを行う
スパッタリング方法にして、 前記スパツタリングターゲットにカバーを被せて、該ス
パッタリングターゲットを保護する工程と、 前記保護工程でカバーが被せられた前記スパッタリング
ターゲットを、前記チャンバ内に固定し、またＯリング
を、前記スパッタリングターゲットの基台に設けた溝に
装着する工程と、 前記装着工程完了後、前記カバーを取り外す工程とを具
備してなることを特徴とするスパッタリング方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のスパッタリング方法に
して、 前記カバーは、前記スパッタリングターゲットを覆うカ
バー部分と、該カバー部分を前記スパッタリングターゲ
ットの基台に着脱可能に取り付ける留めピン部分からな
ることを特徴とするスパッタリング方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載のスパッタリング方法に
して、 前記留めピン部分は、前記スパッタリングターゲットの
基台に設けられた、前記Ｏリングを外すためのＯリング
外し溝に係脱可能に係合する係合ピンであることを特徴
とするスパッタリング方法。 - 【請求項４】 請求項１乃至３の何れか一項に記載のス
パッタリング方法にして、 前記スパッタリング装置は、直流グロー放電によりスパ
ッタリングを行う直流スパッタリング装置で、前記カバ
ーは、非磁性材料から構成されることを特徴とするスパ
ッタリング方法。 - 【請求項５】 請求項４に記載のスパッタリング方法に
して、 前記カバー部分と前記留めピン部分は別体に構成され、
前記カバー部分はアクリル樹脂製で、前記留めピン部分
はＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）樹脂製であ
ることを特徴とするスパッタリング方法。 - 【請求項６】 スパッタリングターゲットを保護するス
パツタリングターゲット用カバーにして、 前記スパッタリングターゲットをスパッタリング装置に
装着する際、該スパッタリングターゲットを覆い、ター
ゲット材の表面を保護するための、一端が開口し、他端
が閉じたカバー部分と、該カバー部分の一端縁部に設け
られて、カバー部分を前記スパッタリングターゲットの
基台に着脱可能に取り付ける留めピン部分からなること
を特徴とするスパツタリングターゲット用カバー。 - 【請求項７】 請求項６に記載のスパツタリングターゲ
ット用カバーにして、 前記留めピン部分は、前記スパッタリングターゲットの
基台に設けられた、Ｏリングを外すためのＯリング外し
溝に係脱可能に係合する係合ピンであることを特徴とす
るスパツタリングターゲット用カバー。 - 【請求項８】 請求項６又は７に記載のスパツタリング
ターゲット用カバーにして、 前記カバー部分と前記留めピン部分は別体に構成され、
前記カバー部分はアクリル樹脂製で、前記留めピン部分
はＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）樹脂製であ
ることを特徴とするスパツタリングターゲット用カバ
ー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001281815A JP5051954B2 (ja) | 2001-09-17 | 2001-09-17 | スパツタリング方法及び該方法に使用するスパツタリングターゲット用カバー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001281815A JP5051954B2 (ja) | 2001-09-17 | 2001-09-17 | スパツタリング方法及び該方法に使用するスパツタリングターゲット用カバー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003089870A true JP2003089870A (ja) | 2003-03-28 |
| JP5051954B2 JP5051954B2 (ja) | 2012-10-17 |
Family
ID=19105566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001281815A Expired - Fee Related JP5051954B2 (ja) | 2001-09-17 | 2001-09-17 | スパツタリング方法及び該方法に使用するスパツタリングターゲット用カバー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5051954B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110114480A1 (en) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for packaging target material and method for mounting target |
| JP2011102432A (ja) * | 2009-10-14 | 2011-05-26 | Canon Anelva Corp | 磁性ターゲット交換装置及び磁性ターゲット交換方法 |
| US20120152727A1 (en) * | 2010-11-24 | 2012-06-21 | Applied Materials, Inc. | Alkali Metal Deposition System |
| JP2012172217A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Taiheiyo Cement Corp | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| WO2016180452A1 (en) * | 2015-05-08 | 2016-11-17 | Applied Materials, Inc. | Protection tube for reactive targets |
| CN110176524A (zh) * | 2019-06-11 | 2019-08-27 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种薄膜生长组件、方法和led制备方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02159372A (ja) * | 1988-12-12 | 1990-06-19 | Nec Corp | スパッタリングターゲット用保護容器 |
| JPH0499272A (ja) * | 1990-08-09 | 1992-03-31 | Nec Corp | マグネトロンスパッタ装置用強磁性ターゲット交換治具 |
| JPH04231461A (ja) * | 1990-12-27 | 1992-08-20 | Tosoh Corp | スパッタリングターゲットの保護具及び包装方法 |
| JPH0853757A (ja) * | 1994-08-10 | 1996-02-27 | Fujitsu Ltd | スパッタ用ターゲットの製造方法、スパッタ方法、及び、スパッタ装置 |
| JPH10237638A (ja) * | 1997-01-08 | 1998-09-08 | Applied Materials Inc | バックスパッタリングシールド |
| WO1998050598A1 (en) * | 1997-05-02 | 1998-11-12 | Intel Corporation | Method of reducing sputtering burn-in time, minimizing sputtered particulate, and target assembly therefor |
| JP2001152327A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-06-05 | Fujikura Ltd | 薄膜の形成方法及びその装置 |
-
2001
- 2001-09-17 JP JP2001281815A patent/JP5051954B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02159372A (ja) * | 1988-12-12 | 1990-06-19 | Nec Corp | スパッタリングターゲット用保護容器 |
| JPH0499272A (ja) * | 1990-08-09 | 1992-03-31 | Nec Corp | マグネトロンスパッタ装置用強磁性ターゲット交換治具 |
| JPH04231461A (ja) * | 1990-12-27 | 1992-08-20 | Tosoh Corp | スパッタリングターゲットの保護具及び包装方法 |
| JPH0853757A (ja) * | 1994-08-10 | 1996-02-27 | Fujitsu Ltd | スパッタ用ターゲットの製造方法、スパッタ方法、及び、スパッタ装置 |
| JPH10237638A (ja) * | 1997-01-08 | 1998-09-08 | Applied Materials Inc | バックスパッタリングシールド |
| WO1998050598A1 (en) * | 1997-05-02 | 1998-11-12 | Intel Corporation | Method of reducing sputtering burn-in time, minimizing sputtered particulate, and target assembly therefor |
| JP2001152327A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-06-05 | Fujikura Ltd | 薄膜の形成方法及びその装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011102432A (ja) * | 2009-10-14 | 2011-05-26 | Canon Anelva Corp | 磁性ターゲット交換装置及び磁性ターゲット交換方法 |
| US20110114480A1 (en) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for packaging target material and method for mounting target |
| US8753491B2 (en) * | 2009-11-13 | 2014-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for packaging target material and method for mounting target |
| US20120152727A1 (en) * | 2010-11-24 | 2012-06-21 | Applied Materials, Inc. | Alkali Metal Deposition System |
| JP2012172217A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Taiheiyo Cement Corp | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| WO2016180452A1 (en) * | 2015-05-08 | 2016-11-17 | Applied Materials, Inc. | Protection tube for reactive targets |
| CN110176524A (zh) * | 2019-06-11 | 2019-08-27 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种薄膜生长组件、方法和led制备方法 |
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|---|---|
| JP5051954B2 (ja) | 2012-10-17 |
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