JPH10237638A - バックスパッタリングシールド - Google Patents

バックスパッタリングシールド

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JPH10237638A
JPH10237638A JP10033508A JP3350898A JPH10237638A JP H10237638 A JPH10237638 A JP H10237638A JP 10033508 A JP10033508 A JP 10033508A JP 3350898 A JP3350898 A JP 3350898A JP H10237638 A JPH10237638 A JP H10237638A
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JP
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target
shield
backing plate
chamber
target device
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JP10033508A
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Bret Adams
アダムス ブレット
Gregory N Hamilton
エヌ． ハミルトン グレゴリー
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Applied Materials Inc
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Publication date
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    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
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    • H—ELECTRICITY
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 スパッタチャンバからパーティクルを除去す
る好適な装置を提供する。 【解決手段】 本発明は、金属ターゲットを装着するバ
ッキングプレートがターゲットシールドを収容する溝を
有している堆積チャンバ用ターゲット装置である。ター
ゲットシールドは、通常の清浄作業中にターゲット装置
の残りの部分を交換することなく交換することができ
る。このターゲットシールドは、テーパエッジを有する
ターゲットとともに使用することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体処理装置に
関し、特に、気相堆積におけるバックスパッタリングの
効果を改善する改良ターゲット装置（target assembl
y）に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体処理、特に物理気相堆積では、チ
ャンバ上部のバッキングプレート上にターゲットが配置
されており、被処理体とターゲットとの間にプラズマが
励起されてイオンが生成される。このイオンは、ターゲ
ットを衝撃し、その結果、ターゲット材料を被処理体上
に堆積させる。ほとんどのプロセスは、ターゲット材料
が被処理体に対して垂直な軌道で被処理体上に堆積する
ように微調整されているが、幾つかのパーティクルは、
ターゲット自身やターゲットの付近に再堆積する。これ
らのパーティクルは、チャンバの周辺領域やターゲット
に弱く付着し最終的にはがれて被処理体の上に落ちる異
物の源となる。
【０００３】スパッタチャンバ内のパーティクルの濃度
を低減しようとする努力は、多様な手法を用いて行われ
ている。一つの手法は、湿式清浄プロセスを用いてチャ
ンバを定期的に清浄することである。別の手法は、堆積
物と反応する清浄ガスを用いてチャンバを清浄すること
である。これらの反応の気体副生成物は、チャンバから
排気される。しかし、これらの手法の双方とも、清浄プ
ロセス中は堆積プロセスを中断しなければならず、また
堆積プロセスが再開できるようになる前にチャンバから
清浄材料および副生成物を排気するために余分な時間を
かけなければならない。
【０００４】チャンバ内のパーティクル濃度を管理する
別の手法は、スパッタシールドの使用を伴っている。ス
パッタシールドは、スパッタされたパーティクルがチャ
ンバ壁上に直接堆積することを防止する。潜在的に有害
な堆積物の蓄積が制御不能にならないように、このスパ
ッタシールドは、プロセスキットの一部として定期的に
交換される。この方法は、チャンバを清浄しなければな
らない頻度を低減することができるが、わずかなパーテ
ィクルが依然としてシールドのまわりを通過し、清浄し
なければならない堆積物を最終的に形成する。
【０００５】別の手法は、処理キットコンポーネントと
して知られているものと交換することである。通常、処
理キットは、円筒形スパッタシールド、および支持部材
上に被処理体を保持するクランプリング、の双方を含ん
でいる。円筒形シールドは、チャンバ内においてターゲ
ットの下に吊り下げられ、チャンバ壁上への堆積を防止
しており、クランプリングは、チャンバ内において被処
理体付近に配置され、被処理体の一方の表面がターゲッ
トに対して露出するようにしている。円筒形シールドお
よびクランプリングは、チャンバから定期的に取り出さ
れ新しい部品に交換される消耗品である。しかしなが
ら、ターゲットは高価な物品であるから、シールドやク
ランプリングほど頻繁には交換されない。従って、ター
ゲットは、製品不良を生み出す可能性のあるパーティク
ルを依然として蓄積しており、ターゲットの計画寿命よ
りも前に交換しなければならなくなることも多い。
【０００６】スパッタされた材料がターゲット側壁上に
戻って再堆積する問題は、チャンバ内の望ましくないパ
ーティクル源として認識されてもいる。チャンバ雰囲気
中に散乱するようになるスパッタパーティクルは、ター
ゲットの側面上に再堆積して蓄積し、堆積材料からなる
パーティクルを形成する可能性がある。基板上へのスパ
ッタ堆積中はＲＦまたはＤＣパワーがターゲットに加え
られ、その後ターゲットおよび基板間から取り除かれる
ので、ターゲット、さらに再堆積材料は、連続的に加熱
および冷却され、これにより熱応力を受ける。この応力
は、一定の期間にわたって、再堆積材料からなるパーテ
ィクルをばらばらにして基板上に落とす。
【０００７】米国特許第5,334,298号には、ターゲット
のエッジの周囲のスパッタリングを低減するように設計
されたスパッタリングカソードが記載されている。ター
ゲットの一表面のみを露出させ、ターゲットの周囲にお
けるプラズマの発生を止めるために、「ダークスペース
シールド」が追加されている。このようなシールドは、
パーティクル汚染物質を低減する必要性に応じて他の部
品と一緒に交換することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】物理気相堆積システム
におけるターゲットは、通常、堆積チャンバに対する蓋
として機能するベースプレートに取り付けられている。
ベースプレートのうちターゲットの外周を取り囲む部分
は、バックスパッタパーティクルが堆積しやすい領域で
あり、この後、このパーティクルは、時間の経過ととも
に落下して基板上に堆積する。
【０００９】従って、スパッタチャンバからパーティク
ルを除去する容易で費用効果のある手法を与える方法及
び装置を提供する必要がある。特に、バックスパッタパ
ーティクルが堆積しうるプロセスチャンバ中のターゲッ
トの周囲の表面を定期的に清浄する方法及び装置に対し
てニーズがある。この装置および方法は、システムの基
板スループットを維持するために通常の清浄プロセスに
従って実施できるものであることが最も望ましい。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、ターゲットを
取り付けるバッキングプレートがターゲットシールドを
収容する溝を有している堆積チャンバ用改良ターゲット
装置である。このターゲットシールドは、漂遊パーティ
クル（stray particle）を収集するものであり、ターゲ
ット装置の残り部分を交換することなく通常の清浄作業
中に交換することが可能である。このターゲットシール
ドは、テーパ形のエッジを有するターゲットとともに使
用してもよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の上記の特徴、利点および
目的を達成および詳細に理解することができるように、
上記で簡単に概要を示した本発明を添付図面に示される
本発明の実施形態を参照してより具体的に説明する。
【００１２】しかしながら、添付図面は本発明の典型的
な実施形態を示しており、本発明は他の同様に効果的な
実施形態も含んでいるので、添付図面は本発明の範囲を
限定するものと考えるべきではない。
【００１３】スパッタリングのプロセスは、固体材料、
例えばチタンやアルミニウム、がソース（「ターゲッ
ト」とも呼ばれる）として用いられ、イオンによってこ
の固体材料が衝撃される物理気相堆積（ＰＶＤ）技術で
ある。ここで、このイオンは、ターゲット材料を放出さ
せて、被処理体上に放出材料を堆積させる。ターゲット
は、通常、バッキングプレートに取り付けられ、アルゴ
ンなとの不活性ガスを含んだ真空チャンバの上部に配置
される。この後、ＤＣまたはＲＦ電圧がターゲットに印
加され、ターゲットと被処理体との間の領域にプラズマ
を発生させる。プラズマ中の高エネルギーイオン、例え
ばアルゴンイオンは、ターゲットを衝撃し、金属原子を
叩き出す。この金属原子またはパーティクルは、所望の
表面、例えば基板上、に堆積を生じさせたりチャンバ壁
や他のチャンバ部品に堆積を生じさせる種々の軌道（tr
ajectory）を有する場合がある。更に、パーティクル軌
道は、プラズマとの相互作用やガス分子との衝突などに
よって変化することがある。
【００１４】本発明に従って改修を施した通常のスパッ
タリングチャンバ１０の簡単な断面図が図１に示されて
いる。この図は、鉛直方向から約１５°でテーパがつけ
られたエッジを通常有する従来のスパッタリングターゲ
ット１４を含んでいる。チャンバ１０は、一般にチャン
バ包囲壁２４を有している。このチャンバ包囲壁は、少
なくとも一つのガス流入口（図示せず）と、排気ポンプ
（図示せず）に接続された排出口２８と、を有してい
る。基板支持ペデスタル２０は、チャンバ１０の下端部
に配置されており、ターゲット１４は、基板支持ペデス
タル２０と反対にチャンバ１０の上端部に収容されてい
る。ターゲット１４は、包囲壁２４からターゲット１４
を電気絶縁する絶縁部材１５に接続されている。絶縁部
材１５は、通常、酸化アルミニウムなどの非導電性金属
であり、一般に、ターゲット１４と包囲壁２４の一部を
形成するバッキングプレート１８との間に配置される。
【００１５】バッキングプレート１８は、通常、チャン
バの一つの壁を形成しており、チャンバ１０へのアクセ
スを可能にする着脱式の蓋であることが好ましい。バッ
キングプレート１８、絶縁部材１５、およびターゲット
１４の組合せは、一つのターゲット装置を形成してい
る。このターゲット装置は、ターゲット１４がばらつき
のない再現可能な金属原子の分布の形成を終えると、一
つのユニットとして便利に交換される。バッキングプレ
ート１８を含むこの包囲壁２４が接地されていて、接地
包囲壁２４に対して負の電圧をターゲット１４上に維持
できるようになっていることが好ましい。支持シールド
４０は、バッキングプレート１８または包囲壁２４の他
の部分から吊り下げることができる。ここでシールド４
０は、環状の上向き壁４１を含んでいて、ペデスタル２
０が図１に示されるチャンバ１０内で下向きに引き戻さ
れるときに壁４１上のクランプリング３８がペデスタル
２０の上方に静止できるようになっていることが好まし
い。ガスが低い圧力でチャンバ内に導入されると、負の
バイアス電圧がターゲットに印加されるとともにチャン
バ壁が接地され、ガスの一部をイオン化してプラズマを
形成することができる。正に帯電したガスイオンは、ス
パッタターゲットに電気的に引き寄せられて衝突し、タ
ーゲット材料の原子やより大きなパーティクルをターゲ
ットから叩き出す。
【００１６】スパッタリング中、チャンバ１０は、ター
ゲット１４からパーティクルをスパッタリングすること
により金属膜を形成するために用いられる。スパッタさ
れた金属原子または原子群の大部分は、チャンバ内に維
持される低圧力のために、一定の角度分布にわたって実
質的に直線状の軌道に沿って動く。スパッタリングチャ
ンバ１０内のガス組成およびガス圧は、通常、チャンバ
１０をアルゴンで満たして数ｍＴｏｒｒの圧力にする前
に約１０-6〜約１０-9Ｔｏｒｒにチャンバを真空排気す
ることによって達成される。これらのガス圧では、ター
ゲット１４および基板１６間の距離は、アルゴンガス分
子の平均自由行程より小さくすることができる。従っ
て、多数のスパッタパーティクルが、他のパーティクル
と衝突することなく基板１６まで直接進む。しかしなが
ら、スパッタパーティクルの大部分は、プラズマ放電中
の衝突や電界効果などに起因してガス中に散乱されるこ
とになる。これらの散乱パーティクルは、チャンバ１０
の種々の表面上に再堆積する可能性がある。このような
表面には、バッキングプレート１８や絶縁部材１５やタ
ーゲット１４自体の露出領域が含まれる。
【００１７】ターゲットのエッジのまわりに再堆積パー
ティクルが蓄積すると、最終的にターゲット１４とバッ
キングプレート１８との間に電気的短絡が形成され、チ
ャンバを停止して清浄する必要が生じる場合がある。パ
ーティクルの再堆積は、ターゲットやバッキングプレー
ト上に材料が蓄積して定期的に剥離することにつなが
り、これによって、基板１６から形成されるデバイス
（通常は集積回路デバイス）に致命的欠陥を生じさせる
可能性のある不要なパーティクルが生じることもある。
【００１８】ここで、図１〜図３を参照する。本発明
は、従来の堆積チャンバ１０内で使用するための改造タ
ーゲット装置を提供する。このターゲット装置は、バッ
キングプレート１８を有している。このバッキングプレ
ート１８は、通常、陽極酸化アルミニウム（anodized a
luminum）から製造され、バッキングプレートのうちタ
ーゲットに隣接する表面上に配置された着脱自在のター
ゲットシールド５０を含むように改修されている。この
ターゲットシールド５０は、バッキングプレート１８の
環状溝５２に設置された金属リングであることが好まし
い。ターゲットシールド５０は、従来の堆積チャンバ内
でパーティクル堆積が顕著に発生するターゲットの外周
のまわりに配置されている。何らかの利益をもたらすタ
ーゲットシールドはターゲットに対して様々な内寸法お
よび外寸法で作製することができるが、ターゲットシー
ルドは、ターゲットのエッジに接する内寸法と、少なく
ともスパッタシールドの上部エッジがバッキングプレー
ト１８の外周を保護する箇所までターゲットから離れて
延びる外寸法と、を有していることが好ましい。これら
の寸法を有するターゲットシールドは、スパッタシール
ドおよびクランプリングと協働し、迅速かつ容易に交換
されるターゲットと基板との間に、連続した複数の堆積
シールドからなるシステムを形成する。
【００１９】ターゲットシールド５０は、バッキングプ
レート１８内に埋設されていて、バッキングプレート１
８と一平面を成し、ターゲット１４との干渉を避けるよ
うになっていることが好ましい。ターゲットシールド５
０は、任意の従来の締結手段によってバッキングプレー
ト１８に締結することができる。この締結手段として
は、ターゲットシールド５０の表面と面一となり、かつ
シールドと同じ材料で製造された皿ねじ５４が好まし
い。ターゲットシールド５０は、漂遊パーティクルに対
する付着力が高まるように、粗い露出面を備えた方形の
断面を有していることが好ましい。シールドの設置およ
び取外しを補助するとともに処理中における種々のコン
ポーネントの膨張に適応できるように、環状溝５２およ
び嵌合ターゲットシールド５０は、外向きのテーパがつ
いた側壁を有している（すなわち、図４に示されるよう
に、バッキングプレートのうちチャンバ環境に対して露
出した表面に接近するにつれて溝の幅が広がる）ことが
更に望ましい。
【００２０】ターゲットシールド５０は、ターゲットと
同一または同様の膨張係数を有する材料から製造されて
いることが好ましい。望ましくは、シールド５０がター
ゲットと同じ材料、例えばＴｉ、Ｃｕ、もしくはアルミ
ニウム、あるいはステンレス鋼、から製造されていると
良い。更に、シールド５０は、バッキングプレートと同
じ材料、例えば陽極酸化アルミニウムから製造されてい
てもよいが、漂遊パーティクルに対する高い反発力や付
着力に基づいて異なる材料を選択することもできる。タ
ーゲットシールドに関する好適な材料には、Ｔｉ、Ｃ
ｕ、Ａｌ、ステンレス鋼が含まれており、最も好適な材
料は、選択されたプロセスにおけるターゲット材料であ
る。材料の選択は、プロセスチャンバの動作の改善だけ
でなく、通常の清浄作業中にバッキングプレート１８か
らターゲットシールド５０を取り外す能力にも左右され
る。
【００２１】ターゲットシールドの粗さは、その上に堆
積するパーティクルに十分な機械的支持を与えるために
重要である。材料があまりに平滑であると、再堆積パー
ティクルは、平滑面に弱く付着するだけであり、処理中
に極めて容易に離脱して基板上に落ちる可能性がある。
再堆積は回避することが望ましいが、ターゲット材料が
実際に再堆積されてしまったら、その材料は、シールド
表面からはがれたり分離したりするよりはシールド表面
に強固に付着している方が一般に望ましい。従って、本
発明のターゲットシールドに関する好適な粗さは、約
０．０５ｍｍ〜約０．５ｍｍである。
【００２２】処理のために半導体基板１６をチャンバ１
０内に収容する準備の際、基板支持ペデスタル２０は、
駆動機構によって、シールド４０上に静止したクランプ
リング３８から十分に下方の位置に下げられ、その結
果、ペデスタル２０の底部がピン位置決めプラットホー
ム３６に近接するようになる。ペデスタル２０は、通
常、３個以上の垂直穴（図示せず）を有しており、これ
らの穴の各々は、垂直方向に摺動可能なピン３４を含ん
でいる。ペデスタル２０が上述の下降位置にあるとき、
各ピン３４の底端部がプラットホーム３６の上に載り、
各ピンの上端部がペデスタル２０の上面から突出する。
この上端部は、ペデスタル２０の上面と平行な平面を形
成している。
【００２３】通常は、従来のロボットアーム（図示せ
ず）が基板１６をチャンバ１０に搬入し、基板１６をピ
ン３４の上端部の上に配置する。昇降機構４３は、ピン
プラットホーム３６を上方に動かし、ピン３４の上端部
を基板１６の裏面に押しつけて基板１６をロボットアー
ムから持ち上げる。この後、ロボットアームがチャンバ
１０から引き戻され、昇降機構４３は、ピンがペデスタ
ル２０内に滑り落ちるようにペデスタル２０を持ち上
げ、これにより基板１６をペデスタル２０の上面に降ろ
す。
【００２４】昇降機構４３は、基板１６がターゲット１
４から適切な距離になるまでペデスタル２０の上昇を続
ける。環状クランプリング３８を使用する場合、基板１
６は、上向き壁部分４１上に載置されている環状クラン
プリング３８の内側部分に接触し、クランプリングを上
向き壁部分から持ち上げる。クランプリング３８の内径
は、基板のエッジが堆積環境から保護されるとともに基
板のエッジがクランプリングの重みを支えるように、基
板１６の直径よりもわずかに小さくなっている。
【００２５】この時点で、膜堆積プロセスを開始するこ
とができる。図１に示される好適なスパッタリングチャ
ンバ１０の場合は、スパッタリングプロセスガス（通常
はアルゴン）がガス流入口（図示せず）を通じてチャン
バに供給され、ＤＣ電源１２が負の電圧をスパッタリン
グターゲット１４に印加する。この電圧によってアルゴ
ンガスがプラズマ状態に励起され、アルゴンイオンは負
のバイアスがかけられたターゲット１４を衝撃してター
ゲット１４から材料をスパッタする。この後、スパッタ
された材料は、クランプリング３８によってシールドさ
れた基板１６の外周部を除いて基板１６上に堆積す
る。、フィルム層が基板１６上に堆積された後、基板１
６は、チャンバ内で行われた一連の手順を逆に行うこと
によってチャンバ１０から取り出される。具体的に述べ
ると、昇降機構４３が上向き壁部分４１の下方にペデス
タル２０を下げ、その結果、クランプリング３８がシー
ルド上に降ろされる。このとき、クランプリング３８の
重みは、基板１６およびペデスタル２０ではなくシール
ド４０によって支えられる。
【００２６】上述した本発明のターゲットシールド５０
の性能は、ターゲットエッジの形状（profile）を変更
することにより改善することができる。例えば、図４に
示されるように、ターゲットエッジにテーパをつけてパ
ーティクルの蓄積が低減されるようにしてもよい。しか
しながら、ターゲットエッジは、本発明の範囲内で任意
の形状を有することができる。
【００２７】プロセスコンポーネントを交換する頻度
は、プロセス条件やチャンバ設計に影響される。例え
ば、本発明のある態様では、プロセスキットにスパッタ
シールド、クランプリング、コリメータおよび本発明の
ターゲットが含まれる。これらのキットコンポーネント
のどれもが、最初に交換が必要となる可能性がある。ガ
ス圧が高い場合は、ガス中のパーティクル散乱が激しく
なってターゲットシールド上の再堆積が顕著になる場合
がある。コリメータが、これらのパーティクルのみを基
板表面の法線から数度の範囲内の軌道で受け渡すように
設計されている場合、このコリメータは、より多量の堆
積物を受け取ることになる。特定のチャンバやプロセス
が他のコンポーネントよりも高い割合で堆積物を受け取
るキットコンポーネントになる場合があり、従って、よ
り頻繁な交換が必要となる場合があることは当業者であ
れば理解できるであろう。しかしながら、一般的に、処
理キット全体を同時に交換してプロセスの中断を最小限
に抑えることが好ましい。
【００２８】ターゲットシールド５０は、優れたパーテ
ィクル性能とターゲット寿命を二つの手法で提供する。
第１に、ターゲットシールド５０を取り外して交換する
ことによりターゲットが完全に消費されるまでターゲッ
トを継続使用できるようにしつつ、堆積プロセスを妨害
したり製品品質を劣化させるおそれのあるターゲットシ
ールド上に堆積したパーティクルをチャンバから取り除
くことであり、第２に、ターゲットシールドを取り外し
て交換することにより金属パーティクルが蓄積した可能
性のある短絡経路を除去することである。
【００２９】ターゲットシールドは、処理キットの交換
中に同じ一般的手順をたどって交換することが好まし
い。チャンバを停止、すなわち電源をオフにして、チャ
ンバを清浄し、大気圧に近い圧力に加圧するとき、チャ
ンバを開けて、ターゲットおよびターゲットシールドを
点検する。ターゲットが完全に消費されている場合は、
ターゲットおよびバッキングプレートを交換する。ター
ゲットの寿命が残っている場合は、堆積物を有するター
ゲットシールドを取り外し、清浄なターゲットシールド
を所定の場所に取り付ける。他の処理キットコンポーネ
ントを交換した後、更なる処理のためにチャンバを閉じ
る。この方法では、十分な量の汚染性パーティクル堆積
物が反応性ガスを用いることなくチャンバから迅速に取
り除かれ、ターゲットの有効寿命は、バックスパッタさ
れた材料によるバッキングプレートの汚染ではなく、タ
ーゲット上のターゲット材料の量によって制限される。
【００３０】上記は本発明の好適な実施形態に関するも
のであるが、本発明の他の実施形態を本発明の基本的範
囲から逸脱することなく考案することが可能であり、本
発明の範囲は特許請求の範囲によって定められる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般的な物理気相堆積チャンバの断面図であ
り、本発明の一実施形態であるターゲット装置を示して
いる。
【図２】図１で確認されるターゲット装置の一部の拡大
図である。
【図３】バッキングプレートに接続されたターゲットシ
ールドを示す底面図である。
【図４】図２の別の拡大図であり、ターゲットエッジ上
のパーティクル堆積を低減するためにエッジにテーパが
つけられた別の実施形態を示している。
【符号の説明】
１０…スパッタリングチャンバ、１２…電源、１４…ス
パッタリングターゲット、１５…絶縁部材、１６…基
板、１８…バッキングプレート、２０…基板支持ペデス
タル、２４…チャンバ包囲壁、２８…排出口、３４…ピ
ン、３６…ピンプラットホーム、３８…クランプリン
グ、４０…スパッタリングシールド、４１…上向き壁、
４３…昇降機構、５０…ターゲットシールド、５２…環
状溝。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 グレゴリー エヌ． ハミルトン アメリカ合衆国， テキサス州， フルガ ーヴィル， メイプルウッド ドライヴ 1101

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 堆積チャンバ用のターゲット装置であっ
    て、 前記チャンバ内にターゲットを取り付けるバッキングプ
    レートであって、ターゲットを包囲する露出可能な面を
    有するバッキングプレートと、 前記バッキングプレートの露出可能面に対向して着脱自
    在に配置されたターゲットシールドと、を備えるターゲ
    ット装置。
  2. 【請求項２】 前記ターゲットシールドが前記バッキン
    グプレートに締結されている請求項１記載のターゲット
    装置。
  3. 【請求項３】 前記露出可能面が溝になっている請求項
    １記載のターゲット装置。
  4. 【請求項４】 前記ターゲットシールドが方形の断面を
    有している請求項３記載のターゲット装置。
  5. 【請求項５】 前記方形ターゲットシールドがテーパの
    ついた内側壁および外側壁を有している請求項４記載の
    ターゲット装置。
  6. 【請求項６】 前記ターゲットシールドは、漂遊パーテ
    ィクルに対する付着力が高まるように粗面を有してい
    る、請求項１記載のターゲット装置。
  7. 【請求項７】 前記ターゲットシールドは、前記ターゲ
    ットシールドを貫通する複数の締結具収容穴を有してい
    る、請求項４記載のターゲット装置。
  8. 【請求項８】 前記ターゲットシールドは、前記締結具
    収容穴を通って延在し前記ターゲットシールドの外面と
    面一の頭を有する皿ねじによって前記バッキングプレー
    トに締結されている、請求項７記載のターゲット装置。
  9. 【請求項９】 前記ターゲットがテーパのついたエッジ
    を有している請求項１記載のターゲット装置。
  10. 【請求項１０】 前記バッキングプレートと前記ターゲ
    ットとの間に絶縁部材が配置されている請求項１記載の
    ターゲット装置。
  11. 【請求項１１】 ターゲットと、 前記ターゲットに接続された絶縁部材と、 前記絶縁部材に接続されたバッキングプレートであっ
    て、前記ターゲットを包囲する環状溝を有するバッキン
    グプレートと、 前記バッキングプレートの前記環状溝に設置されたター
    ゲットシールドと、を備える堆積チャンバ用ターゲット
    装置。
  12. 【請求項１２】 前記ターゲットシールドが方形の断面
    を有している請求項１１記載のターゲット装置。
  13. 【請求項１３】 前記ターゲットシールドは、漂遊パー
    ティクルに対する付着力が高まるように粗い外面を有し
    ている、請求項１２記載のターゲット装置。
  14. 【請求項１４】 前記ターゲットシールドは、前記ター
    ゲットシールドの外面と面一の外面を有する皿ねじを用
    いて前記バッキングプレートに取り付けられている、請
    求項１３記載のターゲット装置。
  15. 【請求項１５】 前記ターゲットがテーパのついたエッ
    ジを有している請求項１４記載のターゲット装置。
  16. 【請求項１６】 テーパのついたエッジを有する円形堆
    積ターゲットと、 前記ターゲットに接続された絶縁部材と、 前記絶縁部材に接続されたバッキングプレートであっ
    て、前記堆積ターゲットを包囲する環状溝を有するバッ
    キングプレートと、 前記バッキングプレートの前記環状溝に設置されたター
    ゲットシールドと、を備える堆積チャンバ用ターゲット
    装置。
  17. 【請求項１７】 前記ターゲットシールドが方形の断面
    を有している請求項１６記載のターゲット装置。
  18. 【請求項１８】 前記ターゲットシールドは、漂遊パー
    ティクルに対する付着力が高まるように粗い外面を有し
    ている、請求項１６記載のターゲット装置。
  19. 【請求項１９】 前記ターゲットシールドは、前記ター
    ゲットシールドの外面と面一の外面を有する皿ねじを用
    いて前記バッキングプレートに取り付けられている、請
    求項１６記載のターゲット装置。
JP10033508A 1997-01-08 1998-01-08 バックスパッタリングシールド Withdrawn JPH10237638A (ja)

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