JPH08246145A - 誘電体ターゲットの保管容器および保管方法 - Google Patents
誘電体ターゲットの保管容器および保管方法Info
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- JPH08246145A JPH08246145A JP8173695A JP8173695A JPH08246145A JP H08246145 A JPH08246145 A JP H08246145A JP 8173695 A JP8173695 A JP 8173695A JP 8173695 A JP8173695 A JP 8173695A JP H08246145 A JPH08246145 A JP H08246145A
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- dielectric target
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Abstract
(57)【要約】
［目的］ 酸素欠陥を与えて比抵抗を１０Ω・ｍ以下と
し直流スパッタリングを可能としたチタン酸塩系および
ジルコン酸塩系の誘電体のターゲットを劣化させること
なく長期間保管し得る保管容器及び保管方法を提供する
こと。 ［構成］ アルミニウムの底板２とアイフランジ３との
間にＯ−リング１８を挟持して形成される容器本体１
と、これにＯ−リング１９を介して締め付けられる透明
アクリル樹脂の上蓋４からなり、１０Ｔｏｒｒ以下の真
空に維持し得る誘電体ターゲットの保管容器１０内に誘
電体ターゲット５をバッキングプレート６と共に収容
し、１０Ｔｏｒｒ以下の真空下に保持するか、またはア
ルゴンガスの雰囲気下に保持する。
し直流スパッタリングを可能としたチタン酸塩系および
ジルコン酸塩系の誘電体のターゲットを劣化させること
なく長期間保管し得る保管容器及び保管方法を提供する
こと。 ［構成］ アルミニウムの底板２とアイフランジ３との
間にＯ−リング１８を挟持して形成される容器本体１
と、これにＯ−リング１９を介して締め付けられる透明
アクリル樹脂の上蓋４からなり、１０Ｔｏｒｒ以下の真
空に維持し得る誘電体ターゲットの保管容器１０内に誘
電体ターゲット５をバッキングプレート６と共に収容
し、１０Ｔｏｒｒ以下の真空下に保持するか、またはア
ルゴンガスの雰囲気下に保持する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は誘電体ターゲットの保管
容器および保管方法に関するものである。
容器および保管方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及びその問題点】半導体デバイスにおいて
は主としてＳｉＯ2 （二酸化ケイ素）が誘電体として使
用されているが、集積度を向上させた６４Ｍビット以上
の集積回路、例えばＶＬＳＩ、ＵＬＳＩにおいてはＳｉ
Ｏ2 の誘電率では不十分であり、ＳｒＴｉＯ3（チタン
酸ストロンチウム）、ＢａＴｉＯ3 （チタン酸バリウ
ム）、（Ｂａn Ｓｒ1-n ）ＴｉＯ3 （チタン酸バリウム
ストロンチウム）のような高い誘電率を持つ誘電体が使
用されている。しかし、上記のチタン酸塩系の酸化物の
誘電体は通常では全て絶縁体であるため、これらの誘電
体をターゲットとしてスパッタして成膜させるには一般
的な直流スパッタリングを採用することができず、ＲＦ
（高周波）スパッタリングが採用されている。しかし周
知のように、ＲＦスパッタリングは高価な装置を必要と
するほか成膜速度が低く、生産コスト、生産効率の見地
からは好ましい成膜方法ではない。
は主としてＳｉＯ2 （二酸化ケイ素）が誘電体として使
用されているが、集積度を向上させた６４Ｍビット以上
の集積回路、例えばＶＬＳＩ、ＵＬＳＩにおいてはＳｉ
Ｏ2 の誘電率では不十分であり、ＳｒＴｉＯ3（チタン
酸ストロンチウム）、ＢａＴｉＯ3 （チタン酸バリウ
ム）、（Ｂａn Ｓｒ1-n ）ＴｉＯ3 （チタン酸バリウム
ストロンチウム）のような高い誘電率を持つ誘電体が使
用されている。しかし、上記のチタン酸塩系の酸化物の
誘電体は通常では全て絶縁体であるため、これらの誘電
体をターゲットとしてスパッタして成膜させるには一般
的な直流スパッタリングを採用することができず、ＲＦ
（高周波）スパッタリングが採用されている。しかし周
知のように、ＲＦスパッタリングは高価な装置を必要と
するほか成膜速度が低く、生産コスト、生産効率の見地
からは好ましい成膜方法ではない。
【０００３】これらチタン酸塩系ないしは同類のジルコ
ン酸塩系の酸化物の誘電体を直流スパッタリングによっ
て成膜させることを目的として、本願出願人は特開平６
−３３０２９７号公報に係る「誘電体薄膜形成用スパッ
タリングターゲット」において、酸素欠陥を与え比抵抗
を１０Ω・ｍ以下とした酸化物誘電体のターゲットを開
示した。
ン酸塩系の酸化物の誘電体を直流スパッタリングによっ
て成膜させることを目的として、本願出願人は特開平６
−３３０２９７号公報に係る「誘電体薄膜形成用スパッ
タリングターゲット」において、酸素欠陥を与え比抵抗
を１０Ω・ｍ以下とした酸化物誘電体のターゲットを開
示した。
【０００４】従来、スパッタリングに使用されるターゲ
ットは清浄な環境下において簡単な容器内に保管される
か、または汚染防止のための真空パック用のプラスチッ
ク袋で包装して保管されている。然るに上記の酸素欠陥
を与えて比抵抗を１０Ω・ｍ以下としたチタン酸塩系な
いしはジルコン酸塩系の酸化物の誘電体ターゲットは従
来のような保管では、長期間（１か月以上）経過すると
表面から劣化して比抵抗が増大し直流スパッタリングが
困難になる現象が発生する。
ットは清浄な環境下において簡単な容器内に保管される
か、または汚染防止のための真空パック用のプラスチッ
ク袋で包装して保管されている。然るに上記の酸素欠陥
を与えて比抵抗を１０Ω・ｍ以下としたチタン酸塩系な
いしはジルコン酸塩系の酸化物の誘電体ターゲットは従
来のような保管では、長期間（１か月以上）経過すると
表面から劣化して比抵抗が増大し直流スパッタリングが
困難になる現象が発生する。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題点】本発明は上述の問題
に鑑みてなされ、酸素欠陥を与えて比抵抗を１０Ω・ｍ
以下としたチタン酸塩系ないしはジルコン酸塩系の酸化
物からなるスパッタリング用の誘電体ターゲットが長期
の保管によっても劣化しない保管容器および保管方法を
提供することを目的とする。
に鑑みてなされ、酸素欠陥を与えて比抵抗を１０Ω・ｍ
以下としたチタン酸塩系ないしはジルコン酸塩系の酸化
物からなるスパッタリング用の誘電体ターゲットが長期
の保管によっても劣化しない保管容器および保管方法を
提供することを目的とする。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】以上の目的は、酸素欠
陥を与えて比抵抗を１０Ω・ｍ以下としたＡＢＯ3 -X型
の誘電体ターゲット（ここにおいて、Ａはバリウム（Ｂ
ａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、鉛（Ｐｂ）、ランタン
（Ｌａ）の何れか一種、または２種以上の組成を有する
もの、Ｂはチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）の何
れか一種、または２種以上の組成を有するものであり、
Ｏ＜ｘ≦２）を単独で、または前記誘電体ターゲットを
固定したバッキングプレートと共に保管するための、１
０Ｔｏｒｒ以下の真空に維持し得ることを特徴とする誘
電体ターゲットの保管容器、によって達成される。
陥を与えて比抵抗を１０Ω・ｍ以下としたＡＢＯ3 -X型
の誘電体ターゲット（ここにおいて、Ａはバリウム（Ｂ
ａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、鉛（Ｐｂ）、ランタン
（Ｌａ）の何れか一種、または２種以上の組成を有する
もの、Ｂはチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）の何
れか一種、または２種以上の組成を有するものであり、
Ｏ＜ｘ≦２）を単独で、または前記誘電体ターゲットを
固定したバッキングプレートと共に保管するための、１
０Ｔｏｒｒ以下の真空に維持し得ることを特徴とする誘
電体ターゲットの保管容器、によって達成される。
【０００７】また、以上の目的は、酸素欠陥を与えて比
抵抗を１０Ω・ｍ以下としたＡＢＯ3-X 型の誘電体ター
ゲット（ここにおいて、Ａはバリウム（Ｂａ）、ストロ
ンチウム（Ｓｒ）、鉛（Ｐｂ）、ランタン（Ｌａ）の何
れか一種、または２種以上の組成を有するもの、Ｂはチ
タン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）の何れか一種、ま
たは２種以上の組成を有するものであり、０＜ｘ≦２）
を１０Ｔｏｒｒ以下の真空に維持し得る保管容器内に収
容し、次いで１０Ｔｏｒｒ以下の真空下に保持するか、
または不活性ガスの雰囲気下に保持することを特徴とす
る誘電体ターゲットの保管方法、によって達成される。
抵抗を１０Ω・ｍ以下としたＡＢＯ3-X 型の誘電体ター
ゲット（ここにおいて、Ａはバリウム（Ｂａ）、ストロ
ンチウム（Ｓｒ）、鉛（Ｐｂ）、ランタン（Ｌａ）の何
れか一種、または２種以上の組成を有するもの、Ｂはチ
タン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）の何れか一種、ま
たは２種以上の組成を有するものであり、０＜ｘ≦２）
を１０Ｔｏｒｒ以下の真空に維持し得る保管容器内に収
容し、次いで１０Ｔｏｒｒ以下の真空下に保持するか、
または不活性ガスの雰囲気下に保持することを特徴とす
る誘電体ターゲットの保管方法、によって達成される。
【０００８】
【作用】酸素欠陥を与えて比抵抗を１０Ω・ｍ以下とし
たチタン酸塩系ないしはジルコン酸塩系の酸化物からな
るスパッタリング用の誘電体ターゲットは１０Ｔｏｒｒ
以下の真空に維持し得る保管容器内において、１０Ｔｏ
ｒｒ以下の真空下に保持されるか、又は不活性ガスの雰
囲気下に保持されるので、長期間経過しても劣化せず比
抵抗は増大しない。
たチタン酸塩系ないしはジルコン酸塩系の酸化物からな
るスパッタリング用の誘電体ターゲットは１０Ｔｏｒｒ
以下の真空に維持し得る保管容器内において、１０Ｔｏ
ｒｒ以下の真空下に保持されるか、又は不活性ガスの雰
囲気下に保持されるので、長期間経過しても劣化せず比
抵抗は増大しない。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例による誘電体ターゲッ
トの保管容器及び保管方法について、図面を参照し、比
較例と共に説明する。
トの保管容器及び保管方法について、図面を参照し、比
較例と共に説明する。
【００１０】（実施例１）図１は本実施例による誘電体
ターゲットの保管容器１０の断面図であり、図２は容器
本体１の底板２の平面図、図３はストップバルブ２７を
除いた上蓋４の平面図である。なお、図１は図３におけ
る［１］−［１］線方向の断面に相当する。
ターゲットの保管容器１０の断面図であり、図２は容器
本体１の底板２の平面図、図３はストップバルブ２７を
除いた上蓋４の平面図である。なお、図１は図３におけ
る［１］−［１］線方向の断面に相当する。
【００１１】図１を参照して、誘電体ターゲットの保管
容器１０は厚さ２０ｍｍ、最大外径３９０ｍｍφのアル
ミニウムの底板２に設けたリング溝１６内のＯ−リング
１８を介して厚さ３０ｍｍ、外径３９０ｍｍφ、内径３
１０ｍｍφの環状のアルミニウムのアイフランジ３を載
置して容器本体１とし、アイフランジ３の表面に設けた
リング溝１７内のＯ−リング１９を介して厚さ２０ｍ
ｍ、外径３９０ｍｍφの透明アクリル樹脂の上蓋４で蓋
をして、誘電体ターゲット５をろう付けしたバッキング
プレート６を収容するための密閉空間７が形成される。
なお、バッキングプレート６はスパッタ装置内におい
て、誘電体ターゲット５と共にカソードとして取り付け
られ、材質は一般的には銅とすることが多い。透明アク
リル樹脂による上蓋４は容器本体１内における誘電体タ
ーゲット５の有無の視認を可能にする。容器本体１を底
板２とアイフランジ３とに分割しているのは、誘電体タ
ーゲット５が大型化すると、バッキングプレート６を含
めて重量が大となり、その収容、取り出しに慎重さを要
するようになるが、底板２とアイフランジ３とを分割す
ることによって誘電体ターゲット５を固定したバッキン
グプレート６を底板２に取り付けた後に、アイフランジ
３をセットし得るし、取り出しの場合もアイフランジ３
を先に取り外すことができ、作業が簡便化される。
容器１０は厚さ２０ｍｍ、最大外径３９０ｍｍφのアル
ミニウムの底板２に設けたリング溝１６内のＯ−リング
１８を介して厚さ３０ｍｍ、外径３９０ｍｍφ、内径３
１０ｍｍφの環状のアルミニウムのアイフランジ３を載
置して容器本体１とし、アイフランジ３の表面に設けた
リング溝１７内のＯ−リング１９を介して厚さ２０ｍ
ｍ、外径３９０ｍｍφの透明アクリル樹脂の上蓋４で蓋
をして、誘電体ターゲット５をろう付けしたバッキング
プレート６を収容するための密閉空間７が形成される。
なお、バッキングプレート６はスパッタ装置内におい
て、誘電体ターゲット５と共にカソードとして取り付け
られ、材質は一般的には銅とすることが多い。透明アク
リル樹脂による上蓋４は容器本体１内における誘電体タ
ーゲット５の有無の視認を可能にする。容器本体１を底
板２とアイフランジ３とに分割しているのは、誘電体タ
ーゲット５が大型化すると、バッキングプレート６を含
めて重量が大となり、その収容、取り出しに慎重さを要
するようになるが、底板２とアイフランジ３とを分割す
ることによって誘電体ターゲット５を固定したバッキン
グプレート６を底板２に取り付けた後に、アイフランジ
３をセットし得るし、取り出しの場合もアイフランジ３
を先に取り外すことができ、作業が簡便化される。
【００１２】底板２と上蓋４とのシール固定は、底板２
の対称位置の４か所にピン１１が設けられており、この
ピン１１に回動自在に取り付けた締付けボルト１２が位
置合わせされたアイフランジ３の切欠き１３と上蓋４の
切欠き１４とに嵌め込まれ、蝶ナット１５を締め付ける
ことによって行われる。
の対称位置の４か所にピン１１が設けられており、この
ピン１１に回動自在に取り付けた締付けボルト１２が位
置合わせされたアイフランジ３の切欠き１３と上蓋４の
切欠き１４とに嵌め込まれ、蝶ナット１５を締め付ける
ことによって行われる。
【００１３】上蓋４の対称位置に設けた２個のテーパ孔
８のそれぞれに開閉ハンドル２９のついた黄銅製のスト
ップバルブ２７が堅く嵌入され先端部においてテーパね
じで気密に螺着されている。一方のストップバルブ２７
の開口部２８は図示しない真空ポンプに接続されて空間
７の真空排気時に使用される。他方のストップバルブ２
７の開口部２８には空間７を不活性ガスとしてのアルゴ
ンで置換する場合にアルゴンボンベを取り付けることが
できる。
８のそれぞれに開閉ハンドル２９のついた黄銅製のスト
ップバルブ２７が堅く嵌入され先端部においてテーパね
じで気密に螺着されている。一方のストップバルブ２７
の開口部２８は図示しない真空ポンプに接続されて空間
７の真空排気時に使用される。他方のストップバルブ２
７の開口部２８には空間７を不活性ガスとしてのアルゴ
ンで置換する場合にアルゴンボンベを取り付けることが
できる。
【００１４】又、底板２には誘電体ターゲット５を固定
したバッキングプレート６を位置決めするための段差２
３と段差２４とが形成されている。更には、バッキング
プレート６は底板２上の段差２３と段差２４との中間の
円周上において等角度間隔に配置された１２個のタップ
孔２５にねじ２６で固定され、運搬時における誘電体タ
ーゲット５、バッキングプレート６のガタつきが防止さ
れる。このように構成される誘電体ターゲットの保管容
器１０は真空ポンプで１０Ｔｏｒｒ以下の圧力まで真空
排気した後、１か月以上の長期間を経過した後も１０Ｔ
ｏｒｒ以下の真空状態を維持し得る。
したバッキングプレート６を位置決めするための段差２
３と段差２４とが形成されている。更には、バッキング
プレート６は底板２上の段差２３と段差２４との中間の
円周上において等角度間隔に配置された１２個のタップ
孔２５にねじ２６で固定され、運搬時における誘電体タ
ーゲット５、バッキングプレート６のガタつきが防止さ
れる。このように構成される誘電体ターゲットの保管容
器１０は真空ポンプで１０Ｔｏｒｒ以下の圧力まで真空
排気した後、１か月以上の長期間を経過した後も１０Ｔ
ｏｒｒ以下の真空状態を維持し得る。
【００１５】上述の誘電体ターゲットの保管容器１０内
に厚さ６ｍｍ、外径２９０ｍｍφの銅製バッキングプレ
ート６に固定した厚さ６ｍｍ、外径２５０ｍｍφで、比
抵抗５．３×１０-4Ω・ｃｍのチタン酸バリウムストロ
ンチウム（Ｂａ0.5 Ｓｒ0.5）ＴｉＯ3-x （ｘ≒０．
５）のターゲットを収容し、空間７を１Ｔｏｒｒの圧力
まで真空排気した後、常温で保管した。３か月後におい
て、空間７の圧力は１Ｔｏｒｒが維持されており、上記
ターゲットの比抵抗は５．３×１０-4Ω・ｃｍと変化し
ておらず表面の劣化は認められなかった。
に厚さ６ｍｍ、外径２９０ｍｍφの銅製バッキングプレ
ート６に固定した厚さ６ｍｍ、外径２５０ｍｍφで、比
抵抗５．３×１０-4Ω・ｃｍのチタン酸バリウムストロ
ンチウム（Ｂａ0.5 Ｓｒ0.5）ＴｉＯ3-x （ｘ≒０．
５）のターゲットを収容し、空間７を１Ｔｏｒｒの圧力
まで真空排気した後、常温で保管した。３か月後におい
て、空間７の圧力は１Ｔｏｒｒが維持されており、上記
ターゲットの比抵抗は５．３×１０-4Ω・ｃｍと変化し
ておらず表面の劣化は認められなかった。
【００１６】（比較例１）実施例１で使用した（Ｂａ
0.5 Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3-x （ｘ≒０．５）のターゲット
をバッキングプレート６と共に大気中で３か月放置した
ところ、比抵抗は表面から０．８ｍｍの深さまで初期値
の約１００倍の４〜６×１０-2Ω・ｃｍに増大してお
り、著しく劣化していた。酸素欠陥を与えた（Ｂａ0.5
Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3-x （ｘ≒０．５）ターゲットは酸素
や水分の攻撃を受け易く、大気中の酸素ガスや湿気によ
って劣化を生じたものと思われる。
0.5 Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3-x （ｘ≒０．５）のターゲット
をバッキングプレート６と共に大気中で３か月放置した
ところ、比抵抗は表面から０．８ｍｍの深さまで初期値
の約１００倍の４〜６×１０-2Ω・ｃｍに増大してお
り、著しく劣化していた。酸素欠陥を与えた（Ｂａ0.5
Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3-x （ｘ≒０．５）ターゲットは酸素
や水分の攻撃を受け易く、大気中の酸素ガスや湿気によ
って劣化を生じたものと思われる。
【００１７】（比較例２）実施例１で使用した（Ｂａ
0.5 Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3-x （ｘ≒０．５）ターゲットを
バッキングプレート６と共に真空パック用のプラスチッ
ク袋内に入れて真空包装し、３か月経過後に劣化状況を
調べた。表面から０．５ｍｍの深さまでは比抵抗が６〜
８×１０-3Ω・ｃｍと増大しており、初期値の約１４倍
となっていた。
0.5 Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3-x （ｘ≒０．５）ターゲットを
バッキングプレート６と共に真空パック用のプラスチッ
ク袋内に入れて真空包装し、３か月経過後に劣化状況を
調べた。表面から０．５ｍｍの深さまでは比抵抗が６〜
８×１０-3Ω・ｃｍと増大しており、初期値の約１４倍
となっていた。
【００１８】真空パック用のプラスチック袋にバッキン
グプレート６と共にターゲットを入れて真空排気しても
プラスチック袋とターゲットとの間に密着しない箇所が
残り、圧力が１００Ｔｏｒｒ以下にはならないため、上
記の３か月の保管での劣化はプラスチック袋内に残留し
ている、又は透過してきた酸素ガスや水蒸気によって生
じたものと考えられる。
グプレート６と共にターゲットを入れて真空排気しても
プラスチック袋とターゲットとの間に密着しない箇所が
残り、圧力が１００Ｔｏｒｒ以下にはならないため、上
記の３か月の保管での劣化はプラスチック袋内に残留し
ている、又は透過してきた酸素ガスや水蒸気によって生
じたものと考えられる。
【００１９】（実施例２）実施例１で使用した（Ｂａ
0.5 Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3-x （ｘ≒０．５）ターゲットを
バッキングプレート６と共に同じく実施例１で使用した
誘電体ターゲットの保管容器１０に収容し、空間７の真
空排気後の圧力を１０Ｔｏｒｒとして常温で保管した。
３か月経過後において空間７の圧力は１０Ｔｏｒｒであ
り、又、上記ターゲットの比抵抗は５〜６×１０-4Ω・
ｃｍを示し、劣化は生じていなかった。
0.5 Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3-x （ｘ≒０．５）ターゲットを
バッキングプレート６と共に同じく実施例１で使用した
誘電体ターゲットの保管容器１０に収容し、空間７の真
空排気後の圧力を１０Ｔｏｒｒとして常温で保管した。
３か月経過後において空間７の圧力は１０Ｔｏｒｒであ
り、又、上記ターゲットの比抵抗は５〜６×１０-4Ω・
ｃｍを示し、劣化は生じていなかった。
【００２０】（実施例３）実施例１で使用した（Ｂａ
0.5 Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3-x （ｘ≒０．５）ターゲットを
バッキングプレート６と共に同じく実施例１で使用した
誘電体ターゲットの保管容器１０内に収容し、空間７を
１Ｔｏｒｒの圧力まで真空排気してからアルゴンガスを
１気圧に充填して保管した。３か月後においてアルゴン
ガスは１気圧を維持しており、測定した上記ターゲット
の比抵抗は５〜６×１０-4Ω・ｃｍを示し、劣化は認め
られなかった。
0.5 Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3-x （ｘ≒０．５）ターゲットを
バッキングプレート６と共に同じく実施例１で使用した
誘電体ターゲットの保管容器１０内に収容し、空間７を
１Ｔｏｒｒの圧力まで真空排気してからアルゴンガスを
１気圧に充填して保管した。３か月後においてアルゴン
ガスは１気圧を維持しており、測定した上記ターゲット
の比抵抗は５〜６×１０-4Ω・ｃｍを示し、劣化は認め
られなかった。
【００２１】以上、本発明の各実施例について説明した
が、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基いて種々の変形が可能である。
が、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基いて種々の変形が可能である。
【００２２】例えば各実施例においては、保管する誘電
体ターゲット５として（Ｂａ0.5 Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3-x
（ｘ≒０．５）のターゲットを取り上げたが、これ以外
の酸素欠陥を与えて比抵抗を１０Ω・ｃｍ以下としたＡ
ＢＴｉＯ3-x 型の誘電体（ここにおいて、ＡはＢａ、Ｓ
ｒ、Ｐｂ、Ｌａの何れか一種、又はこれらの混合、Ｂは
Ｔｉ、Ｚｒの何れか一種、又はこれらの混合であり、０
＜ｘ≦２）のターゲット、例えばチタン酸ストロンチウ
ム、チタン酸バリウム、チタン酸バリウムストロンチウ
ム、ジルコン酸ストロンチウム、ジルコン酸バリウム、
ジルコン酸バリウムストロンチウム、チタン酸ジルコン
酸ストロンチウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、チタ
ン酸ジルコン酸バリウムストロンチウム、チタン酸ジル
コン酸鉛、チタン酸ジルコン酸鉛ランタンなどのターゲ
ットについても、本発明の保管容器、保管方法は有効で
ある。
体ターゲット５として（Ｂａ0.5 Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3-x
（ｘ≒０．５）のターゲットを取り上げたが、これ以外
の酸素欠陥を与えて比抵抗を１０Ω・ｃｍ以下としたＡ
ＢＴｉＯ3-x 型の誘電体（ここにおいて、ＡはＢａ、Ｓ
ｒ、Ｐｂ、Ｌａの何れか一種、又はこれらの混合、Ｂは
Ｔｉ、Ｚｒの何れか一種、又はこれらの混合であり、０
＜ｘ≦２）のターゲット、例えばチタン酸ストロンチウ
ム、チタン酸バリウム、チタン酸バリウムストロンチウ
ム、ジルコン酸ストロンチウム、ジルコン酸バリウム、
ジルコン酸バリウムストロンチウム、チタン酸ジルコン
酸ストロンチウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、チタ
ン酸ジルコン酸バリウムストロンチウム、チタン酸ジル
コン酸鉛、チタン酸ジルコン酸鉛ランタンなどのターゲ
ットについても、本発明の保管容器、保管方法は有効で
ある。
【００２３】又、各実施例においては、底板２とアイフ
ランジ３とを組み合わせて容器本体１とした誘電体ター
ゲットの保管容器１０を使用したが、底板２とアイフラ
ンジ３とを一体化した容器本体としても本質的な支障は
ない。
ランジ３とを組み合わせて容器本体１とした誘電体ター
ゲットの保管容器１０を使用したが、底板２とアイフラ
ンジ３とを一体化した容器本体としても本質的な支障は
ない。
【００２４】又、各実施例においては、誘電体ターゲッ
トの保管容器１０内に（Ｂａ0.5 Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3-x
（ｘ≒０．５）を誘電体ターゲット５としてバッキング
プレート６と共に収容したが、バッキングプレート６は
必ずしも必要とせず、ターゲット５のみを保管してもよ
い。
トの保管容器１０内に（Ｂａ0.5 Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3-x
（ｘ≒０．５）を誘電体ターゲット５としてバッキング
プレート６と共に収容したが、バッキングプレート６は
必ずしも必要とせず、ターゲット５のみを保管してもよ
い。
【００２５】又、各実施例においては、透明アクリル樹
脂からなる上蓋４を採用したが、ガラス製の上蓋として
もよく、又、内部を確認し得ない金属ないしは合成樹脂
製の上蓋としても保管上の機能は同様である。金属また
は合成樹脂製の上蓋に透明材料からなる覗き窓を付ける
ことも可能である。
脂からなる上蓋４を採用したが、ガラス製の上蓋として
もよく、又、内部を確認し得ない金属ないしは合成樹脂
製の上蓋としても保管上の機能は同様である。金属また
は合成樹脂製の上蓋に透明材料からなる覗き窓を付ける
ことも可能である。
【００２６】又、各実施例において、誘電体ターゲット
の保管容器１０は１枚の誘電体ターゲット５を水平に収
容する構造としたが、２枚以上を水平に上下多段に収容
するような構造としてもよく、又、誘電体ターゲット５
を垂直に立てて並べるような構造としてもよい。
の保管容器１０は１枚の誘電体ターゲット５を水平に収
容する構造としたが、２枚以上を水平に上下多段に収容
するような構造としてもよく、又、誘電体ターゲット５
を垂直に立てて並べるような構造としてもよい。
【００２７】又、実施例３においては（Ｂａ0.5 Ｓｒ
0.5 ）ＴｉＯ3-x （ｘ≒０．５）ターゲットをアルゴン
ガスの雰囲気下に保持したが、アルゴン以外の不活性ガ
ス、例えばヘリウム、ネオンの雰囲気下に保持してもよ
く、又、窒素ガスも同様に使用し得る。
0.5 ）ＴｉＯ3-x （ｘ≒０．５）ターゲットをアルゴン
ガスの雰囲気下に保持したが、アルゴン以外の不活性ガ
ス、例えばヘリウム、ネオンの雰囲気下に保持してもよ
く、又、窒素ガスも同様に使用し得る。
【００２８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の誘電体ター
ゲットの保管容器および保管方法によれば、酸素欠陥を
与えて比抵抗を１０Ω・ｍ以下とすることにより直流ス
パッタリングを可能としたＡＢＯ3-x 型の誘電体（ここ
においてＡはＢａ、Ｓｒ、Ｐｂ、Ｌａの何れか一種、又
は２種以上の組成を有するもの、ＢはＴｉ、Ｚｒの何れ
か一種、又は２種以上の組成を有するものであり、０＜
ｘ≦２）のターゲットは１０Ｔｏｒｒ以下の真空に維持
し得る保管容器に収容し、１０Ｔｏｒｒ以下の真空下に
保持するか、又は不活性ガスの雰囲気下に保持して保管
することにより、比抵抗は増大せず劣化が防止される。
ゲットの保管容器および保管方法によれば、酸素欠陥を
与えて比抵抗を１０Ω・ｍ以下とすることにより直流ス
パッタリングを可能としたＡＢＯ3-x 型の誘電体（ここ
においてＡはＢａ、Ｓｒ、Ｐｂ、Ｌａの何れか一種、又
は２種以上の組成を有するもの、ＢはＴｉ、Ｚｒの何れ
か一種、又は２種以上の組成を有するものであり、０＜
ｘ≦２）のターゲットは１０Ｔｏｒｒ以下の真空に維持
し得る保管容器に収容し、１０Ｔｏｒｒ以下の真空下に
保持するか、又は不活性ガスの雰囲気下に保持して保管
することにより、比抵抗は増大せず劣化が防止される。
【００２９】従って、上述のような劣化防止の保管を行
なうことにより、製造後に日数を経たＡＢＯ3-x （０＜
ｘ≦２）型の誘電体ターゲットであっても劣化の心配な
く直流スパッタリングが可能であり、又一度使用して使
い切らずに残った同ターゲットも一定期間後に劣化の恐
れなく再使用し得る。
なうことにより、製造後に日数を経たＡＢＯ3-x （０＜
ｘ≦２）型の誘電体ターゲットであっても劣化の心配な
く直流スパッタリングが可能であり、又一度使用して使
い切らずに残った同ターゲットも一定期間後に劣化の恐
れなく再使用し得る。
【図１】実施例による誘電体ターゲットの保管容器の断
面図であり、図３における［１］−［１］線方向の断面
に相当する。
面図であり、図３における［１］−［１］線方向の断面
に相当する。
【図２】同保管容器の底板の平面図である。
【図３】同保管容器の上蓋の平面図である。
１ 本体容器 ２ 底板 ３ アイフランジ ４ 上蓋 ５ 誘電体ターゲット ６ バッキングプレート １０ 誘電体ターゲットの保管容器 １５ 蝶ねじ １８ Ｏ−リング １９ Ｏ−リング ２７ ストップバルブ
フロントページの続き (72)発明者 野沢 義晴 千葉県山武郡山武町横田516番地 真空冶 金株式会社内 (72)発明者 高橋 皓一郎 千葉県山武郡山武町横田516番地 真空冶 金株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 酸素欠陥を与えて比抵抗を１０Ω・ｍ以
下としたＡＢＯ3 -X型の誘電体ターゲット（ここにおい
て、Ａはバリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、
鉛（Ｐｂ）、ランタン（Ｌａ）の何れか一種、または２
種以上の組成を有するもの、Ｂはチタン（Ｔｉ）、ジル
コニウム（Ｚｒ）の何れか一種、または２種以上の組成
を有するものであり、Ｏ＜ｘ≦２）を単独で、または前
記誘電体ターゲットを固定したバッキングプレートと共
に保管するための、１０Ｔｏｒｒ以下の真空に維持し得
ることを特徴とする誘電体ターゲットの保管容器。 - 【請求項２】 前記ＡＢＯ3-X 型の誘電体ターゲットの
誘電体がチタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、
チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコン酸ストロン
チウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウムスト
ロンチウム、ジルコン酸チタン酸ストロンチウム、ジル
コン酸チタン酸バリウム、ジルコン酸チタン酸バリウム
ストロンチウム、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸ジル
コン酸鉛ランタンの中の何れかである請求項１に記載の
誘電体ターゲットの保管容器。 - 【請求項３】 前記保管容器が金属または合成樹脂製の
容器本体、および該容器本体と第１のシール用ゴムリン
グを介して密封される金属または合成樹脂製の上蓋とか
らなり、真空排気および不活性ガス置換用の手動バルブ
の少なくとも１個が設けられている請求項１または請求
項２に記載の誘電体ターゲットの保管容器。 - 【請求項４】 前記合成樹脂が透明であり、収容物の有
無を確認し得る請求項３に記載の誘電体ターゲットの保
管容器。 - 【請求項５】 前記容器本体が底板と、該底板に第２の
シール用ゴムリングを介して載置し組み合わされるアイ
フランジとからなる請求項３に記載の誘電体ターゲット
の保管容器。 - 【請求項６】 前記底板の表面に、前記誘電体ターゲッ
トを固定したバッキングプレートの位置合わせのための
段差が設けられており、かつ前記バッキングプレートが
前記底板の表面にねじで固定される請求項５に記載の誘
電体ターゲットの保管容器。 - 【請求項７】 酸素欠陥を与えて比抵抗を１０Ω・ｍ以
下としたＡＢＯ3-X型の誘電体ターゲット（ここにおい
て、Ａはバリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、
鉛（Ｐｂ）、ランタン（Ｌａ）の何れか一種、または２
種以上の組成を有するもの、Ｂはチタン（Ｔｉ）、ジル
コニウム（Ｚｒ）の何れか一種、または２種以上の組成
を有するものであり、０＜ｘ≦２）を１０Ｔｏｒｒ以下
の真空に維持し得る保管容器内に収容し、次いで１０Ｔ
ｏｒｒ以下の真空下に保持するか、または不活性ガスの
雰囲気下に保持することを特徴とする誘電体ターゲット
の保管方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8173695A JPH08246145A (ja) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 誘電体ターゲットの保管容器および保管方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8173695A JPH08246145A (ja) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 誘電体ターゲットの保管容器および保管方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08246145A true JPH08246145A (ja) | 1996-09-24 |
Family
ID=13754723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8173695A Pending JPH08246145A (ja) | 1995-03-13 | 1995-03-13 | 誘電体ターゲットの保管容器および保管方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08246145A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002511115A (ja) * | 1997-05-02 | 2002-04-09 | マテリアル リサーチ コーポレーション | スパッタリングのバーンインに要する時間を短縮してスパッタリングの際に発生するパーティクルを最小限に抑える方法、及びこのときに用いられるターゲットアセンブリ |
| WO2010050409A1 (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-06 | 日鉱金属株式会社 | 希土類金属又はこれらの酸化物からなるターゲットの保管方法 |
| WO2012117834A1 (ja) | 2011-03-01 | 2012-09-07 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 金属ランタンターゲットの保管方法、真空密封した金属ランタンターゲット及び金属ランタンターゲットを用いてスパッタリングにより形成した薄膜 |
| JP2013028824A (ja) * | 2011-07-26 | 2013-02-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 真空成膜装置用ケース付きリール、真空成膜装置及び薄膜積層体の製造方法 |
| US8911600B2 (en) | 2009-11-17 | 2014-12-16 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Method of storing lanthanum oxide target, and vacuum-sealed lanthanum oxide target |
| CN111605864A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-09-01 | 散裂中子源科学中心 | 一种可隔绝外界气氛的存储装置及其隔绝保护方法 |
-
1995
- 1995-03-13 JP JP8173695A patent/JPH08246145A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002511115A (ja) * | 1997-05-02 | 2002-04-09 | マテリアル リサーチ コーポレーション | スパッタリングのバーンインに要する時間を短縮してスパッタリングの際に発生するパーティクルを最小限に抑える方法、及びこのときに用いられるターゲットアセンブリ |
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| CN111605864B (zh) * | 2020-05-19 | 2023-06-09 | 国科中子医疗科技有限公司 | 一种可隔绝外界气氛的存储装置及其隔绝保护方法 |
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