CN102203314B - 包含稀土金属或它们的氧化物的靶的保存方法 - Google Patents

包含稀土金属或它们的氧化物的靶的保存方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102203314B
CN102203314B CN2009801435671A CN200980143567A CN102203314B CN 102203314 B CN102203314 B CN 102203314B CN 2009801435671 A CN2009801435671 A CN 2009801435671A CN 200980143567 A CN200980143567 A CN 200980143567A CN 102203314 B CN102203314 B CN 102203314B
Authority
CN
China
Prior art keywords
target
rare earth
earth metal
oxide compound
oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2009801435671A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102203314A (zh
Inventor
佐藤和幸
小井土由将
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JX Nippon Mining and Metals Corp
Original Assignee
JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JX Nippon Mining and Metals Corp filed Critical JX Nippon Mining and Metals Corp
Publication of CN102203314A publication Critical patent/CN102203314A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102203314B publication Critical patent/CN102203314B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65D—CONTAINERS FOR STORAGE OR TRANSPORT OF ARTICLES OR MATERIALS, e.g. BAGS, BARRELS, BOTTLES, BOXES, CANS, CARTONS, CRATES, DRUMS, JARS, TANKS, HOPPERS, FORWARDING CONTAINERS; ACCESSORIES, CLOSURES, OR FITTINGS THEREFOR; PACKAGING ELEMENTS; PACKAGES
    • B65D81/00—Containers, packaging elements, or packages, for contents presenting particular transport or storage problems, or adapted to be used for non-packaging purposes after removal of contents
    • B65D81/24—Adaptations for preventing deterioration or decay of contents; Applications to the container or packaging material of food preservatives, fungicides, pesticides or animal repellants
    • B65D81/26—Adaptations for preventing deterioration or decay of contents; Applications to the container or packaging material of food preservatives, fungicides, pesticides or animal repellants with provision for draining away, or absorbing, or removing by ventilation, fluids, e.g. exuded by contents; Applications of corrosion inhibitors or desiccators
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F15/00—Other methods of preventing corrosion or incrustation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Food Science & Technology (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Packages (AREA)
  • Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)

Abstract

本发明涉及一种包含稀土金属或其氧化物的靶的保存方法，用于保存包含稀土金属或其氧化物的靶，其特征在于，在该靶的保存用容器或薄膜状的密封件中，引入与保存的包含稀土金属或它们的氧化物的靶相同的稀土金属的氧化物作为干燥剂，并将所述保存用的容器或薄膜状的密封件密封进行保存。本发明的课题在于对包含稀土金属或其氧化物的靶的保存方法进行设计，提供抑制空气的侵入引起的靶的氧化和氢氧化而导致的粉化，从而可以长时间保存的技术。

Description

包含稀土金属或它们的氧化物的靶的保存方法
技术领域
本发明涉及包含通过氧化或氢氧化容易粉化的稀土金属或它们的氧化物的靶的保存方法。
背景技术
稀土金属以混合复合氧化物形式包含在地壳中。稀土元素是从比较稀有(稀少)地存在的矿物中分离出来的，因此起了这样的名称，但是从地壳整体来看绝不稀少。最近，稀土金属作为电子材料受到关注，是正在进行研究开发的材料。
该稀土金属中，特别是镧(La)受到关注。对该镧进行简单说明，镧是原子序数为57、原子量138.9的白色金属，常温下具有双六方最密堆积结构。熔点为921℃、沸点为3500℃、密度为6.15g/cm3，在空气中表面被氧化，逐渐溶解于水。
镧可溶于热水、酸。没有延性，但是稍有展性。电阻率为5.70×10-6Ωcm。在445℃以上燃烧生成氧化物(La2O3)(参考物理化学辞典(《理化学辞典》))。稀土元素一般情况下是氧化数为3的化合物稳定，镧也是三价。
该镧是作为金属栅材料、高介电常数材料(High-k)等电子材料而受到关注的金属。镧以外的稀土金属也具有与该镧类似的属性。
镧等稀土金属在纯化时存在容易氧化的问题，因此，属于难以高纯度化的材料。另外，镧等稀土金属在空气中放置的情况下短时间内氧化变色，因此存在不易操作的问题。
最近，作为下一代的MOSFET中的栅绝缘膜要求薄膜化，但是迄今作为栅绝缘膜使用的SiO2，由于隧道效应引起漏电流增大，因此，难以正常操作。
因此，作为其替代物，提出了具有高介电常数、高热稳定性以及对硅中的空穴和电子具有高能势垒的HfO2、ZrO2、Al2O3和La2O3。特别是这些材料中La2O3的评价高，因此，对电特性进行了考查，并且发表了作为下一代MOSFET中的栅绝缘膜的研究报告(参考非专利文献1)。但是，该专利文献的情况下，研究对象是La2O3膜，对于La金属的特性和行为没有特别触及。
可见，关于镧等稀土金属及其氧化物，可以说仍处于研究阶段，在对该稀土金属及其氧化物的特性进行考查时，具有以下显著优点：稀土金属及其氧化物本身如果以溅射靶材的形式存在，则可以在衬底上形成稀土金属及其氧化物的薄膜，另外容易考查与硅衬底的界面的行为、以及通过形成稀土金属化合物容易考查高介电常数栅绝缘膜等的特性，并且作为制品的自由度增大。
但是，即使制作镧溅射靶，如上所述，也在空气中短时间内发生氧化。一般而言，在金属靶表面上形成有稳定的氧化物膜，但是通常非常薄，因此在溅射初期剥落，对溅射特性不会产生大的影响。但是，镧溅射靶上的氧化膜厚，从而会引起电导率下降，导致溅射不良。
另外，如果在空气中长时间放置，则与空气中的水分反应从而产生由氢氧化物的白色粉状物覆盖并最终粉化的状态，引起不能进行正常的溅射的问题。因此，在靶制作后需要立即进行真空包装或者用油脂涂覆的防止氧化和氢氧化的措施。
作为稀土金属的保存方法，一般为了避免与空气接触在矿物油中保存，但是，作为溅射靶使用的情况下，在使用前为了除去矿物油必须进行清洗。不过，由于所述的与氧、水分、二氧化碳的反应性，因此存在清洗本身比较困难的问题。
因此，通常需要通过真空包装进行保存和包装。不过，即使在进行真空包装的状态下，由于透过所使用的薄膜的微量水分，也通过氧化、氢氧化进行粉化，因此在作为溅射靶可以使用的状态下难以长时间保存。
考查现有公知技术，有如下方法：用树脂袋包覆空心阴极的方法(参考专利文献1)；将塑料薄膜保护膜粘贴到靶上的方法(参考专利文献2)；使用不存在可脱离粉粒的表面薄膜包装靶的方法(参考专利文献3)；使用透明的丙烯酸类树脂上盖制作靶的保存容器并用螺丝紧固的方法(参考专利文献4)；将溅射靶密封到袋状物中的方法(参考专利文献5)。但是，这些方法由于使用树脂盖或树脂性薄膜密封靶，因此作为包含稀土金属或其氧化物的靶的保存方法不充分。
非专利文献1：德光永辅等三人著、“High-k栅绝缘膜用氧化物材料的研究”(「High-kゲ一ト絶縁膜用酸化物材料の研究」)，日本电气学会电子材料研究会资料，卷6-13、第37-41页，2001年9月21日发行
专利文献1：国际公开WO2005/037649公报
专利文献2：日本特开2002-212718号公报
专利文献3：日本特开2001-240959号公报
专利文献4：日本特开平8-246135号公报
专利文献5：日本特开平4-231461号公报
发明内容
本发明的课题在于对包含稀土金属或其氧化物的靶的保存方法进行设计，提供可以抑制由于空气的残留及侵入造成的靶的氧化和氢氧化，从而在作为溅射靶可以使用的状态下可以长时间保存的技术。
本发明提供：
1)一种包含稀土金属或其氧化物的靶的保存方法，用于保存包含稀土金属或它们的氧化物的溅射靶，其特征在于，在该靶的保存用容器或薄膜状的密封件(シ一ル)中，引入与保存的包含稀土金属或它们的氧化物的靶相同的稀土金属的氧化物作为干燥剂，并将所述保存用的容器或薄膜状的密封件密封进行保存。
2)一种包含稀土金属或它们的氧化物的靶的保存方法，用于保存包含稀土金属或它们的氧化物的靶，其特征在于，在该靶的保存用容器或薄膜状的密封件中，引入吸湿性比保存的稀土金属或它们的氧化物靶材高的稀土金属氧化物作为干燥剂，并将所述保存用的容器或薄膜状的密封件密封进行保存。
另外，本发明提供：
3)上述2)所述的包含稀土金属或它们的氧化物的靶的保存方法，其特征在于，在包含两种以上的稀土金属或它们的氧化物的靶的情况下，使用吸湿性最大的稀土金属氧化物作为干燥剂。
4)上述1)至3)中任一项所述的包含稀土金属或它们的氧化物的靶的保存方法，其特征在于，密封保存的方法为真空密封。
5)上述1)至4)中任一项所述的包含稀土金属或它们的氧化物的靶的保存方法，其特征在于，密封保存的手段为使用可挠性薄膜的真空密封件。
另外，本发明提供：
6)上述1)至5)中任一项所述的包含稀土金属或它们的氧化物的靶的保存方法，其特征在于，密封保存的方法是装入露点-80℃以下的惰性气体后进行密封。
7)上述1)至6)中任一项所述的包含稀土金属或它们的氧化物的靶的保存方法，其特征在于，将作为干燥剂使用的所述稀土金属氧化物载置或填充到在密封时产生的空间中。
8)上述1)至7)中任一项所述的包含稀土金属或它们的氧化物的靶的保存方法，其特征在于，构成所述靶的稀土金属为La或者含有La。
9)上述1)至8)中任一项所述的包含稀土金属或它们的氧化物的靶的保存方法，其特征在于，作为干燥剂使用的所述稀土金属氧化物为La氧化物。
10)上述1)至9)中任一项所述的包含稀土金属或它们的氧化物的靶的保存方法，其特征在于，密封保存中使用的可挠性薄膜的水分透过量或从容器外部侵入的水分量为0.1g/m2·24小时以下。
发明效果
现有的将包含稀土金属或它们的氧化物的靶密封到密闭容器或塑料性薄膜中保存的情况下，当长时间放置时，与氧气和水分反应而成为由氢氧化物的白色粉末覆盖的状态，产生不能进行正常溅射的问题。但是，本发明的在保存用容器或薄膜状的密封件中保存的靶，不产生这样的问题，这是显著的效果。
附图说明
图1是表示将La氧化物粉末薄薄地填充到La靶的表面和侧面，并将其进行真空包装的情况的例子的图。
图2是表示将La氧化物粉末置于La靶与BP的高差的空间内并进行真空包装的例子的图。
图3是表示将La靶设置在金属制的容器内，在该La靶的周围填充La氧化物粉末，先将环境空气用露点-80℃以下的氩气置换然后进行真空密封的例子的图。
图4是表示将包含La和Er的金属合金靶设置在金属制的容器内，然后在该靶与BP的高差中放置烧结后的La氧化物块，用氩气置换容器内的空气然后抽真空的例子的图。
图5是表示用薄膜将La靶真空密封的情况的例子的图。
图6是表示用薄膜将La靶真空密封，并放置硅胶作为干燥剂的情况的例子的图。
图7是表示用薄膜将La2O3靶真空密封的情况的例子的图。
具体实施方式
已知稀土族特别是镧及镧的氧化物的吸湿性(与水分的反应性)极强。因此，迄今使镧或镧氧化物不吸湿或者将其在水分少的环境中保存是课题。
不过，相反地，利用镧氧化物的吸湿性比镧的吸湿性更高这一点，通过在保存镧靶时将镧氧化物(粉末、板/块等烧结体)敷满、载置或放置在靶表面，由此可以防止镧靶主体的氧化和氢氧化。
另外，保存镧氧化物靶的情况下，通过装入表面积更大的粉末、颗粒状的镧氧化物，可以更有效地吸收和除去水分，因此可以防止靶的氢氧化引起的劣化。
即，本发明的包含稀土金属或它们的氧化物的靶的保存方法，是在保存用的容器或薄膜状的密封件中，引入与保存的包含稀土金属或它们的氧化物靶相同的稀土金属的氧化物作为干燥剂而进行保存的方法。
此时，即使镧氧化物与水分反应而氢氧化、粉末化而附着到靶的表面，也是相同金属的化合物，并且为粉末，因此容易除去，因此不会成为污染的原因。这一点与使用由其它金属构成的干燥剂的情况相比是显著的优点。
另外，其它稀土金属引起的污染不特别成问题的情况下，可以向靶的保存用容器或薄膜状的密封件中引入与保存的稀土金属或其氧化物靶材相比吸湿性更大的稀土金属的氧化物作为干燥剂，并将所述保存用容器或薄膜状的密封件密封后进行保存。
包含两种以上的稀土金属或它们的氧化物的靶的情况下，可以使用吸湿性最大的稀土金属氧化物作为干燥剂。
关于密封/保存的方法，更优选尽可能地不使外部空气进入，作为其方法之一，可以进行真空密封。另外，进行真空密封/保存时，期望先将容器或薄膜状的密封件中用露点-80℃以下的惰性气体置换，然后进行真空密封。作为密封保存的手段，可以使用可挠性薄膜，将其制成密闭状的袋进行真空密封。
上述对真空密封进行了说明，但是，作为保存的方法，也可以装入露点-80℃以下的惰性气体后进行密封。任一种方法均可以防止外部空气的侵入。
这样，将外部空气隔绝并尽可能地抑制外部湿气的侵入，但是，即使侵入微量，通过在密封时产生的空间中载置或填充作为干燥剂使用的上述稀土氧化物，也可以抑制靶主体的氢氧化。
一般而言，靶与背衬板接合，以此为例进行说明：使用可挠性薄膜，将其制成密闭状的袋进行真空密封的情况下，无论如何靶都会在与背衬底之间产生高差，从而容易产生空隙。在这样的空隙中容易存留外部空气。而且，以此为起点容易进行靶的粉状化。期望在这样的高差或空隙中填充作为干燥剂的稀土氧化物。
该作为干燥剂的稀土氧化物，在该意义上可以理解为表面积大的粉末或颗粒是较好的。但是，在容易存留外部空气的部位，即使只是放置稀土氧化物的小块也有效。
另外，稀土氧化物与靶以直接接触的方式放置最有效，但是，粉末附着到靶表面有可能成为溅射靶中产生粉粒的原因。这样的情况下，如一般的干燥剂，以填充到透湿性的薄膜中的状态装入也具有充分的效果。
本申请发明的靶保存方法中，构成靶的稀土金属对于镧靶或含有镧的靶特别有效。另外，作为干燥剂使用的上述稀土氧化物为镧氧化物。这有点讽刺，但是，作为包含稀土金属或其氧化物的靶的保存方法，最容易氢氧化的镧氧化物却具有最高的抑制包含稀土金属或其氧化物的靶的氢氧化的效果。
密封保存中使用的可挠性薄膜的水分透过量或从容器的外部侵入的水分量设定为0.1g/m2·24小时以下，尽力防止水分侵入，这对于包含稀土金属或其氧化物的靶的保存方法也是重要的。
作为密封保存中使用的可挠性薄膜的适合例以及除此以外的例子如表1所示。从表1可以看出，具有GXバリア(商品名)以上的特性的薄膜是有效的。如表1所示，GXバリア(商品名)和铝箔衬袋(Alフオイル入リ袋)是适合的。表1为代表性的例子，不用说，只要满足上述条件，则也可以使用其它的可挠性薄膜。
表1
Figure BPA00001357771100091
以下，对实施本申请发明时的例子进行说明。另外，该例用于容易理解本发明，不限制本发明。即，本发明的技术构思范围内的其它例子以及变形也包含在本发明中。
(实施例1)
将La靶真空包装，并在表面和侧面薄薄地填充La氧化物粉末的情况的例子。该具体例如图1所示。
如图1所示，通过在真空包装袋的薄膜与La靶之间存在氧化镧层，残留在真空包装袋内侧的水分以及透过薄膜进来的水分被氧化镧粉末吸收，并以氢氧化镧的形式固定下来，因此，可以有效地防止La靶表面与水分反应产生氢氧化物而粉化的现象。
(实施例2)
将La靶真空包装，并把La氧化物粉末放置在(象硅胶袋一样)与BP的高差的空间内的例子。该具体例如图2所示。
如图2所示，在真空包装袋中，微量残余的空间中残留的水分被La氧化物吸收并以氢氧化镧的形式固定下来，因此，可以有效地防止La靶与水分反应产生氢氧化物而粉化的现象。
(实施例3)
在金属制的容器内设置La氧化物靶，在该靶的周围填充La氧化物粉末，然后先将环境空气用露点-80℃以下的氩气置换，再将其真空密封的例子。该具体例如图3所示。
如图3所示，抽真空后残留的水分由氧化镧吸收，并以氢氧化镧的形式固定下来，因此，可以有效地防止La与水分反应产生氢氧化物而粉化的现象。
(实施例4)
在金属制的容器内配置包含La和Er的金属合金靶，然后在该靶与BP的高差中放置烧结后的La氧化物块，将容器内的空气用露点-80℃以下的氩气置换后，进行抽真空的例子。
如图4所示，抽真空后残留的水分由氧化镧吸收，并以氢氧化镧的形式固定下来，因此，可以有效地防止La与水分反应产生氢氧化物而粉化的现象。
(比较例1)
用薄膜将La靶真空密封的情况。该具体例如图5所示。如图5所示，真空包装袋薄膜与靶之间形成的空间中微量残留的水分与La靶反应，形成镧氢氧化物，产生粉化。
(比较例2)
用薄膜将La靶真空密封，并放置作为干燥剂的硅胶的情况。该具体例如图6所示。
如图6所示，放置硅胶的情况，比没有硅胶的情况更快速地粉化。这可能是因为：硅胶上吸附的水分脱离并释放到真空包装袋薄膜中，因此促进水分与La的反应而形成镧氢氧化物。由此可以看出，一般作为干燥剂使用的硅胶，对于防止稀土金属或稀土金属氧化物的粉化现象没有作用，还不如不使用硅胶。
(比较例3)
该例是用薄膜将La2O3靶真空密封的情况。该具体例如图7所示。如图7所示，真空包装袋内微量残余的空间中残留的水分被La氧化物(La2O3)吸收，以氢氧化镧的形式固定下来，因此，La2O3靶与水分反应形成氢氧化物而粉化。
从以上的实施例和比较例可以看出，在对包含稀土金属或它们的氧化物的靶进行保存时，在密封容器或密封件内引入与保存的包含稀土金属或它们的氧化物的靶相同的稀土金属的氧化物作为干燥剂是极为有效的。由此，可以有效地抑制空气的残留及侵入引起的靶的氧化和氢氧化导致的粉化。
产业实用性
以往，将稀土金属及稀土金属氧化物的溅射靶在空气中长时间放置时，与空气中的水分反应而成为由氢氧化物的白色粉末覆盖的状态，产生不能进行正常溅射的问题。但是，本发明的包含稀土金属或其氧化物的靶的保存方法不产生这样的问题。
本发明的包含稀土金属或其氧化物的靶的保存方法，是在保存用的容器或薄膜状的密封件内引入与保存的包含稀土金属或其氧化物的靶相同的稀土金属的氧化物作为干燥剂的方法。由此，可以有效地抑制与空气中的水分反应而成为由氢氧化物的白色粉末覆盖的状态。
由此，作为金属栅材料、高介电常数材料(High-k)等电子材料，可以稳定地供给靶，在产业上极为有用。

Claims (10)

1.一种包含稀土金属或它们的氧化物的靶的保存方法，用于保存包含稀土金属或它们的氧化物的靶，其特征在于，在该靶的保存用容器或薄膜状的密封件中，引入与保存的包含稀土金属或它们的氧化物的靶相同的稀土金属的氧化物作为干燥剂，并将所述保存用的容器或薄膜状的密封件密封进行保存。
2.一种包含稀土金属或它们的氧化物的靶的保存方法，用于保存包含稀土金属或它们的氧化物的靶，其特征在于，在该靶的保存用容器或薄膜状的密封件中，引入吸湿性比保存的稀土金属或它们的氧化物靶材高的稀土金属氧化物作为干燥剂，并将所述保存用的容器或薄膜状的密封件密封进行保存。
3.如权利要求2所述的包含稀土金属或它们的氧化物的靶的保存方法，其特征在于，在包含两种以上的稀土金属或它们的氧化物的靶的情况下，使用吸湿性最大的稀土金属氧化物作为干燥剂。
4.如权利要求1至3中任一项所述的包含稀土金属或它们的氧化物的靶的保存方法，其特征在于，密封保存的方法为真空密封。
5.如权利要求1至3中任一项所述的包含稀土金属或它们的氧化物的靶的保存方法，其特征在于，密封保存的手段为使用可挠性薄膜的真空密封件。
6.如权利要求1至3中任一项所述的包含稀土金属或它们的氧化物的靶的保存方法，其特征在于，密封保存的方法是装入露点-80℃以下的惰性气体后进行密封。
7.如权利要求1至3中任一项所述的包含稀土金属或它们的氧化物的靶的保存方法，其特征在于，将作为干燥剂使用的所述稀土金属氧化物载置或填充到在密封时产生的空间中。
8.如权利要求1至3中任一项所述的包含稀土金属或它们的氧化物的靶的保存方法，其特征在于，构成所述靶的稀土金属为La或者含有La。
9.如权利要求1至3中任一项所述的包含稀土金属或它们的氧化物的靶的保存方法，其特征在于，作为干燥剂使用的所述稀土金属氧化物为La氧化物。
10.如权利要求1至3中任一项所述的包含稀土金属或它们的氧化物的靶的保存方法，其特征在于，密封保存中使用的可挠性薄膜的水分透过量或从容器外部侵入的水分量为0.1g/m2·24小时以下。
CN2009801435671A 2008-10-29 2009-10-23 包含稀土金属或它们的氧化物的靶的保存方法 Active CN102203314B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008277725 2008-10-29
JP2008-277725 2008-10-29
PCT/JP2009/068248 WO2010050409A1 (ja) 2008-10-29 2009-10-23 希土類金属又はこれらの酸化物からなるターゲットの保管方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102203314A CN102203314A (zh) 2011-09-28
CN102203314B true CN102203314B (zh) 2013-07-17

Family

ID=42128772

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009801435671A Active CN102203314B (zh) 2008-10-29 2009-10-23 包含稀土金属或它们的氧化物的靶的保存方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20110162322A1 (zh)
JP (1) JP5032662B2 (zh)
KR (1) KR101290941B1 (zh)
CN (1) CN102203314B (zh)
TW (1) TWI472458B (zh)
WO (1) WO2010050409A1 (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2224024A4 (en) * 2007-12-28 2011-03-09 Nippon Mining Co HIGH PURITY LANTHANE, CATHODIC SPUTTER TARGET COMPRISING HIGH PURITY LANTHANE AND METAL GRID FILM COMPRISING HIGHLY PURETHYLANTANT LANTHANE
US20110114481A1 (en) * 2008-07-07 2011-05-19 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Lanthanum Oxide-based Sintered Compact, Sputtering Target Composed of said Sintered Compact, Method of Producing Lanthanum Oxide-based Sintered Compact, and Method of Producing Sputtering Target based on said Production Method
JP5301542B2 (ja) * 2008-07-07 2013-09-25 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 酸化物焼結体、同焼結体からなるスパッタリングターゲット、同焼結体の製造方法及び同焼結体スパッタリングターゲットゲートの製造方法
WO2010110134A1 (ja) 2009-03-27 2010-09-30 日鉱金属株式会社 スパッタリング用ランタンターゲット
US9382612B2 (en) 2009-03-31 2016-07-05 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Lanthanum target for sputtering
KR101975741B1 (ko) 2009-11-13 2019-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 타깃 재료의 포장 방법 및 타깃의 장착 방법
US8911600B2 (en) 2009-11-17 2014-12-16 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Method of storing lanthanum oxide target, and vacuum-sealed lanthanum oxide target
CA2825301C (en) 2011-01-21 2015-05-12 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Method for producing high-purity lanthanum, high-purity lanthanum, sputtering target formed from high-purity lanthanum, and metal gate film having high-purity lanthanum as main component
EP2682497A4 (en) * 2011-03-01 2014-08-13 Jx Nippon Mining & Metals Corp METHOD FOR STORING A METAL LANTHANE TARGET, TARGET VACUUM SEALED METAL LANTHANE AND THIN FILM FORMED BY CATHODIC SPUTATION USING A METAL LANTHANE TARGET
CN102417042A (zh) * 2011-07-25 2012-04-18 武汉科技大学 易水化粉末标准样品/物质的包装与贮存方法
CN104309865A (zh) * 2014-05-30 2015-01-28 微密科技(无锡)有限公司 一种防颗粒污染的包装方法
JP6178455B1 (ja) * 2016-03-30 2017-08-09 Ｊｘ金属株式会社 円筒型スパッタリングターゲット及びその梱包方法
JP6348940B2 (ja) * 2016-09-21 2018-06-27 Ｊｘ金属株式会社 円筒型焼結体及びその梱包方法
JP6885981B2 (ja) * 2019-03-29 2021-06-16 Ｊｘ金属株式会社 スパッタリングターゲットの梱包物の作製方法及び輸送方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1300873A (zh) * 1999-12-22 2001-06-27 三井金属矿业株式会社 捆包高纯度对阴极
CN1867489A (zh) * 2003-10-15 2006-11-22 日矿金属株式会社 空心阴极型溅射靶的包装装置及包装方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4427992A (en) * 1975-12-17 1984-01-24 Motorola, Inc. Method for incorporating a desiccant in a semiconductor package
DE2927428C3 (de) * 1979-07-06 1982-05-19 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Leuchtstoff
JPH02159372A (ja) * 1988-12-12 1990-06-19 Nec Corp スパッタリングターゲット用保護容器
JPH04231461A (ja) * 1990-12-27 1992-08-20 Tosoh Corp スパッタリングターゲットの保護具及び包装方法
JPH08246145A (ja) * 1995-03-13 1996-09-24 Vacuum Metallurgical Co Ltd 誘電体ターゲットの保管容器および保管方法
US5866263A (en) * 1996-04-26 1999-02-02 Semi-Alloys Company Adsorbent lid construction
US6030514A (en) * 1997-05-02 2000-02-29 Sony Corporation Method of reducing sputtering burn-in time, minimizing sputtered particulate, and target assembly therefor
JP2000073054A (ja) * 1998-08-31 2000-03-07 Toyota Motor Corp 酸化防止剤およびその使用方法
JP2001240959A (ja) * 1999-12-22 2001-09-04 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 梱包された高純度ターゲット
US6733882B2 (en) * 2000-08-10 2004-05-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Rare earth hydroxide and method for the preparation thereof
US6390179B1 (en) * 2000-11-08 2002-05-21 Pcc Structurals, Inc. Method for processing materials to increase slurry lifetime
JP2002212718A (ja) * 2001-01-17 2002-07-31 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 保護膜付きターゲットおよび表面処理方法
JP3887253B2 (ja) * 2002-03-19 2007-02-28 日鉱金属株式会社 スパッタリングターゲット用運搬箱
US7498015B1 (en) * 2004-02-27 2009-03-03 Kovio, Inc. Method of making silane compositions
JP2008545758A (ja) * 2005-06-03 2008-12-18 プレザーコール， インコーポレイテッド 元素金属を含む組成物およびその使用
KR20160027244A (ko) * 2006-03-10 2016-03-09 인티그리스, 인코포레이티드 티타네이트, 란타네이트 및 탄탈레이트 유전막의 원자층 증착 및 화학 증기 증착용 전구체 조성물
WO2008001745A1 (fr) * 2006-06-29 2008-01-03 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Agent déshumidifiant/désoxydant
KR100778518B1 (ko) * 2006-12-06 2007-11-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치
EP2091096A1 (en) * 2008-02-15 2009-08-19 Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Encapsulated electronic device and method of manufacturing
US8911600B2 (en) * 2009-11-17 2014-12-16 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Method of storing lanthanum oxide target, and vacuum-sealed lanthanum oxide target
EP2682497A4 (en) * 2011-03-01 2014-08-13 Jx Nippon Mining & Metals Corp METHOD FOR STORING A METAL LANTHANE TARGET, TARGET VACUUM SEALED METAL LANTHANE AND THIN FILM FORMED BY CATHODIC SPUTATION USING A METAL LANTHANE TARGET
CN102312115B (zh) * 2011-09-23 2012-12-26 太原理工大学 一种氧化镧变质剂的制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1300873A (zh) * 1999-12-22 2001-06-27 三井金属矿业株式会社 捆包高纯度对阴极
CN1867489A (zh) * 2003-10-15 2006-11-22 日矿金属株式会社 空心阴极型溅射靶的包装装置及包装方法

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP平2-159372A 1990.06.19
JP特开2001-240959A 2001.09.04
JP特开2002-212718A 2002.07.31
JP特开平4-231461A 1992.08.20
JP特开平8-246145A 1996.09.24
JP特表2002-511115A 2002.04.09

Also Published As

Publication number Publication date
JP5032662B2 (ja) 2012-09-26
US20110162322A1 (en) 2011-07-07
JPWO2010050409A1 (ja) 2012-03-29
TWI472458B (zh) 2015-02-11
WO2010050409A1 (ja) 2010-05-06
CN102203314A (zh) 2011-09-28
KR20110047235A (ko) 2011-05-06
TW201016551A (en) 2010-05-01
KR101290941B1 (ko) 2013-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102203314B (zh) 包含稀土金属或它们的氧化物的靶的保存方法
US8911600B2 (en) Method of storing lanthanum oxide target, and vacuum-sealed lanthanum oxide target
Till et al. The beginnings of hydrous mantle wedge melting
Knittle et al. The high‐pressure phase diagram of Fe0. 94O: A possible constituent of the Earth's core
JP2008529792A (ja) 弾力性多層ゲッター
CN101437972B (zh) 用于氢气吸收的基于钇的非蒸发性吸气合金
CN102424134A (zh) 靶材的真空包装方法
Matsukage et al. Chromian spinel during melting experiments of dry peridotite KLB-1) at 1.0–2.5 GPa
CN112020571B (zh) 溅射靶的包装物的制作方法及运输方法
JP6178455B1 (ja) 円筒型スパッタリングターゲット及びその梱包方法
EP2682497A1 (en) Method for storing metallic lanthanum target, vacuum-sealed metallic lanthanum target, and thin film formed by sputtering using metallic lanthanum target
JP4503457B2 (ja) 硬化性シリコーン組成物の梱包方法および梱包容器
Wendlandt et al. The redox potential of boron nitride and implications for its use as a crucible material in experimental petrology
CN108106984B (zh) 一种抗金属试样高温氧化方法
EP3622941A1 (en) Packaged medicine
JP3749949B2 (ja) 水の検知装置
Moraja et al. Getters films at wafer level for wafer to wafer bonded MEMS
JP6348940B2 (ja) 円筒型焼結体及びその梱包方法
JP2003026251A (ja) 吸湿性セラミックスの包装方法及び保管方法
Searcy et al. The kinetics of decomposition in powder beds: theory and experiment
CN104508757A (zh) 一种用于镀敷通孔的金属喷镀的方法
JP2017179585A (ja) 円筒型スパッタリングターゲット及びその梱包方法
Róg et al. Determination of the activities of cobalt and nickel orthosilicates in {xCo 2SiO4+(1− x) Ni2SiO 4} using a solid-state galvanic cell method
JPH02160640A (ja) 気密容器用のアルミナ―ガラス複合材とその焼結方法
JP2006185957A (ja) 電子部品収納用容器および電子装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: JX Nippon Mining & Metals Co., Ltd.