TWI432920B - 抗蝕劑剝離劑組成物 - Google Patents

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Hyun Huh
Byung-Uk Kim
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Description

抗蝕劑剝離劑組成物
本發明涉及一種用於去除照相平版印刷(photo－lithography)所用之抗蝕劑(resist)的剝離劑組成物，尤其涉及一種在去除用於圖形化金屬佈線的抗蝕劑時，能夠降低對金屬佈線的腐蝕，且能達到優秀的剝離效果的抗蝕劑剝離劑組成物。
通常，抗蝕劑(光阻劑(photo－resist))是在照相平版印刷工藝中必不可少的物質，而照相平版印刷工藝一般應用在積體電路(integrated circuit，IC)、大型積體電路(large scale integration，LSI)、超大型積體電路(very large scale integration，VLSI)等半導體裝置和液晶顯示器、平板顯示器等圖像顯示裝置的製造上。
然而，進行照相平版印刷工藝(photo－lithography processing)之後，抗蝕劑在高溫下被剝離溶液去除，但是在此過程中卻存在有下部金屬膜可能會過快地被剝離溶液腐蝕的問題。
亦即，由於所述抗蝕劑剝離溶液，存在有金屬佈線的腐蝕程度加快的問題。為了解決上述問題，美國專利第5,417,877號、美國專利第5,556,482號以及日本專利JP1999－375267(公開第2001－188363號)中揭露了用於防止金屬佈線腐蝕的抗蝕劑剝離溶液的製備方法。
所述方法是在醯胺化合物(amide)和有機胺(organic amine)的混合物中添加防蝕劑，將所述混合物作為抗蝕劑剝離溶液來防止金屬佈線中金屬的腐蝕，此方法指出了有機胺優選使用單乙醇胺(monoethanolamine)。另外也指出了防蝕劑的適當用量，並且，如果防蝕劑超過適當用量時，所述光阻劑的剝離效果將會降低。
另外，一般抗蝕劑剝離溶液中的胺化合物主要是使用單乙醇胺(monoethanolamine)、甲基乙醇胺(methylethanolamine)等一級胺或二級胺。
然而，所述一級胺或二級胺具有沸點低而使其成分容易發生變化的缺點，而且經過一段時間後，其重量及成分皆會因揮發而發生變化，因此具有在工藝過程中需要更換全部剝離溶液的不便。另外，當所述一級胺或二級胺不包含防蝕劑時，即使只混入少量的水，也能造成金屬佈線嚴重腐蝕。
本發明鑒於上述問題而作，其目的在於提供一種在剝離用於形成電子電路或顯示元件金屬佈線圖案的抗蝕劑的過程中，不腐蝕金屬佈線，特別是不腐蝕鋁(aluminum)、鉬(molybdenum)、銅(copper)、鈦(titanium)等金屬，且具有優秀的抗蝕劑剝離性的抗蝕劑剝離劑組成物。
為達成所述目的，本發明提供包含以下組成分的雙組分抗蝕劑剝離劑組成物：a)1至20重量百分比(wt%)之選自由以下化學式1表示的化合物中的至少一種二胺化合物(diamine compound)；及b)餘量的乙二醇醚化合物(glycol ether compound)。
其中，
上述化學式中，R及R’分別表示氫或是C1 至C10 的烷基(alkyl group)；R”表示氫、C1 至C10 的烷醇基(alkanol group)或是C1 至C10 的烷基(alkyl group)。
本發明的抗蝕劑剝離劑組成物可以是進一步包含至少一種極性溶劑的三組分組成物。此時，所述組成物的組成分如下：a)1至20 wt%的二胺化合物(diamine compound)；b)10至90 wt%的乙二醇醚化合物(glycol ether compound)；及c)餘量的至少一種極性溶劑。
根據本發明的抗蝕劑剝離劑組成物，其能夠將抗蝕劑下部金屬膜的腐蝕降到最低，達到能夠完全去除、清洗抗蝕劑的效果。
下面，進一步詳細說明本發明。
本發明中所使用的環狀胺(ring－type amine)，雖然幾乎不腐蝕部分金屬佈線，但對經過乾式蝕刻(dry etching)工藝而嚴重改性的抗蝕劑的剝離性能卻不及鏈狀胺(chain－type amine)。因此，本發明提出了在使用幾乎不腐蝕所述金屬佈線，但對嚴重改性之抗蝕劑的剝離性能降低的環狀胺時，為提高其抗蝕劑剝離性能，因此其胺化合物係使用二胺，並且係將所述二胺和環狀胺或鏈狀胺一同添加使用。所述二胺類化合物具有與鏈狀胺相同的抗蝕劑剝離性能，但對金屬佈線的影響卻低於鏈狀胺，而且其沸點也高，因此在與環狀胺一同使用時，無需顧慮因兩種胺的成分發生變化而引起的性能變化。
另外，本發明的發明人發現，抗蝕劑剝離劑組成物中，只需使用幾乎不腐蝕金屬佈線的胺及溶劑，即可防止下部膜因與上部金屬膜之間的電解(galvanic)現象而發生的腐蝕，並且能夠剝離抗蝕劑。但是，一般來講，即便是不腐蝕金屬佈線的胺，如果當中混有0.1%至3%左右的水時，若是單層膜則會出現嚴重的腐蝕現象，而且在雙層膜中，上部膜和下部膜之間也會出現電解腐蝕現象。或者，即便在抗蝕劑剝離劑組成物中沒有摻入水，如果在完成剝離工序之後未經過如異丙醇(isopropyl alcohol)等醇類(alcohol series)的中間清洗工序，也會出現電解腐蝕現象。此時，為防止腐蝕則會添加少量的防蝕劑。
因此，根據本發明的抗蝕劑剝離劑組成物，在剝離用於形成金屬佈線圖案的抗蝕劑的過程中，不僅不會腐蝕金屬佈線，而且具有優秀的抗蝕劑剝離性能。
根據本發明的抗蝕劑剝離劑組成物，其可以是雙組分化合物，其胺類化合物使用選自二胺化合物(diamine compound)中的至少一種化合物；溶劑使用乙二醇醚化合物(glycol ether compound)。而本發明也可以是三組分化合物，亦即在上述組成分基礎上，進一步包含至少一種極性溶劑。另外，為了防止因少量水的存在所引起的腐蝕現象，本發明可進一步包含至少一種防蝕劑(anticorrosive agent)。另外，本發明的抗蝕劑剝離劑組成物，可進一步包含作為胺類化合物的環狀胺化合物(ring－type amine)或鏈狀胺化合物(chain－type amine)。
下面，具體說明本發明之抗蝕劑剝離劑組成物中所使用的各成分。
通常，金屬佈線的腐蝕與鹼度無關，而吸附於環狀胺或是鏈狀胺中之氮原子上的剩餘兩個氫原子未被置換的胺，則會嚴重地腐蝕金屬佈線。但是，在高溫條件下，進行抗蝕劑的剝離工序時，如本發明，若使用二胺化合物，由於其不易發生揮發現象，因此能夠使抗蝕劑剝離劑保持使用初期的成分比，而能夠將因成分改變而引起的剝離性能變化降至最低。另外，本發明可同時額外使用選自鏈狀胺或者沸點較高(200℃以上)的環狀胺中的至少一種化合物，以提高剝離效果。
所述胺化合物為強鹼性物質，其係滲透至在乾式蝕刻或是濕式蝕刻(dry etching or wet etching)、灰化或是離子植入工藝(ashing or ion implant processing)等各種工序條件下，因變質而交聯之抗蝕劑(resist)的高分子母體中，並破壞分子內或分子間的吸引力。所述胺化合物的作用是在殘留於基板上的抗蝕劑結構中脆弱的部分內形成空間，以便將抗蝕劑改變為非結晶高分子凝膠(gel)塊，從而能夠易於剝離附著在基板上的抗蝕劑。
所述二胺化合物可以是選自由下列化學式1所表示的化合物中的至少一種化合物。
上述化學式中，R及R’分別表示氫或是C1 至C10 的烷基(alkyl group)；R”表示氫、C1 至C10 的烷醇基(alkanol group)或是C1 至C10 的烷基(alkyl group)。
所述二胺化合物的較佳實施例中，所述二胺化合物可使用選自2－[(2－胺乙基)胺基]乙醇(2－[(2－aminoethyl)amino]ethanol)、2－[(2－胺甲基)胺基]甲醇(2－[(2－aminomethyl)amino]methanol)、1－[(2－胺乙基)胺基]－2－丙醇(1－[(2－aminoethyl)amino]－2－propanol)、2－{[2－(甲胺基)乙基]胺基}乙醇(2－{[2－(methylamino)ethyl]amino}ethanol)、2－[(2－胺基－2－甲丙基)胺基]乙醇(2－[(2－amino－2－methylpropyl)amino]ethanol)及2－{[2－(二甲胺基)乙基]甲胺基}乙醇(2－{[2－(dimethylamino)ethyl]methylamino}ethanol)中的至少一種化合物，優選使用選自2－[(2－胺乙基)胺基]乙醇(2－[(2－aminoethyl)amino]ethanol)及1－[(2－胺乙基)胺基]－2－丙醇(1－[(2－aminoethyl)amino]－2－propanol)中的至少一種化合物。
考慮到抗蝕劑剝離性能的下降及對金屬的腐蝕程度加重，所述二胺化合物的含量基於組成物總量，優選使用1至20重量百分比(wt%)。
另外，本發明中可額外使用的環狀胺，由於其沸點高且因揮發而引起的重量及成分的變化較小，因此在工序中使用的時間比鏈狀胺更長。所述環狀胺化合物可使用選自1－(2－羥乙基)哌嗪(1－(2－hydroxyethyl)piperazine)、N－(3－胺丙基)嗎啉(N－(3－aminopropyl)morpholine)、1－(2－胺乙基)哌嗪(1－(2－aminoethyl)piperazine)、1－(2－羥乙基)－4－乙基哌嗪(1－(2－hydroxylethyl)－4－ethylpiperazine)、4－胺基－1－甲基哌嗪(4－amino－1－methylpiperazine)、1－甲基哌嗪(1－methylpiperazine)、2－甲基哌嗪(2－methylpiperazine)、1－苄基哌嗪(1－benzylpiperazine)及2－苯基哌嗪(2－phenylpiperazine)中的至少一種化合物。
另外，所述鏈狀胺化合物可使用選自單乙醇胺(monoethanolamine)、單異丙醇胺(monoisopropanolamine)、二乙醇胺(diethanolamine)、三乙醇胺(triethanolamine)、n－甲基乙醇胺(n－methylethanolamine)、n－乙基乙醇胺(n－ethylethanolamine)、二甲基乙醇胺(dimethylethanolamine)、二乙基乙醇胺(diethylethanolamine)、胺基乙氧基乙醇(aminoethoxyethanol)及胺基甲氧基乙醇(aminomethoxyethanol)中的至少一種化合物。當進一步使用所述環狀胺或者鏈狀胺化合物時，基於所述組成物總量100重量份，可使用0.5至20重量份的所述化合物。
所述乙二醇醚化合物可使用選自乙二醇甲醚(ethyleneglycol methylether)、乙二醇乙醚(ethyleneglycol ethylether)、乙二醇丁醚(ethyleneglycol butylether)、二甘醇甲醚(diethyleneglycol methylether)、二甘醇乙醚(diethyleneglycol ethylether)、二甘醇丁醚(diethyleneglycol butylether)、二甘醇丙醚(diethyleneglycol propylether)、三甘醇丁醚(triethyleneglycol butylether)、三甘醇乙醚(triethyleneglylcol ethylether)及三甘醇甲醚(triethylenegylcol methylether)中的至少一種化合物。
然而，乙二醇醚化合物中，沸點低的物質可能有毒性，且由於因揮發而引起的成分變化嚴重，因此難以適用。
因此，本發明為了避免上述問題，優選使用所述乙二醇醚類溶劑中，沸點為180℃以上且幾乎完全可溶於水的化合物。即，在高溫條件下進行抗蝕劑剝離工序時，若使用沸點為180℃以上的乙二醇醚類溶劑，則不易發生揮發現象，從而能夠使抗蝕劑剝離劑保持使用初期的成分比。
另外，若使用沸點為180℃以上的乙二醇醚類溶劑，則在整個抗蝕劑剝離工序週期內，可持續保持抗蝕劑剝離劑的剝離性能，而且由於抗蝕劑和下部金屬膜之間的表面結合力小，因此不僅能夠提高抗蝕劑的剝離效率，而且由於其凝固點低、燃點高，因而有利於儲藏的安全性。
沸點為180℃以上的乙二醇醚化合物，若使用選自如二甘醇甲醚(diethyleneglycol methylether)、二甘醇丁醚(diethyleneglycol butylether)、二甘醇乙醚(diethyleneglycol ethylether)、三甘醇丁醚(triethyleneglycol butylether)、三甘醇乙醚(triethyleneglylcol ethylether)及三甘醇甲醚(triethylenegylcol methylether)中的至少一種化合物，則可得到最佳效果。
另外，若乙二醇醚化合物的含量過少，則由於極性溶劑及胺化合物的相對增加，而使得金屬佈線嚴重腐蝕，而且對於被胺化合物及極性溶劑凝膠(gel)化的高分子的溶解能力不足，因而剝離抗蝕劑的能力降低；若乙二醇醚化合物的含量過多，則極性溶劑的含量相對減少，而剝離抗蝕劑的能力則會降低。因此，顧慮到上述問題，當本發明為雙組分組成物時，所述乙二醇醚化合物，係可以除了二胺化合物以外的餘量存在於組成物中；當本發明為三組分組成物時，基於組成物總量，可優選使用10至90 wt%的所述乙二醇醚化合物。
特別是，本發明的抗蝕劑剝離劑組成物可進一步使用至少一種極性溶劑，進而將由胺化合物所剝離的高分子凝膠塊溶解為單分子。據此，本發明中所使用的極性溶劑具有防止發生於清洗工序中，抗蝕劑再次附著的不良現象的特點。另外，作為分子內官能基並含有胺的N－甲基－2－吡咯烷酮等極性溶劑，將幫助胺化合物滲透到抗蝕劑內部並剝離抗蝕劑。
所述極性溶劑可以是選自N－甲基－2－吡咯烷酮(N－Methyl－2－pyrrolidone,NMP)、N－甲基乙醯胺(N－methylacetamide)、N,N－二甲基乙醯胺(N,N－dimethylacetamide)、乙醯胺(acetamide)、N－乙基乙醯胺(N－ethylacetamide)、N,N－二乙基乙醯胺(N,N－diethylacetamide)、甲醯胺(formamide)、N－甲基甲醯胺(N－methylformamide)、N,N－二甲基甲醯胺(N,N－dimethylformamide)、N－乙基甲醯胺(N－ethylformamide)、N,N－二乙基甲醯胺(N,N－diethylformamide)及N,N－二甲基咪唑(N,N－dimethylimidazole)中的至少一種化合物，優選使用選自N－甲基－2－吡咯烷酮(N－Methyl－2－pyrrolidone,NMP)、N－甲基甲醯胺(N－methylformamide)、N－甲基乙醯胺(N－methylacetamide)及N,N－二甲基乙醯胺(N,N－dimethylacetamide)中的至少一種化合物。
考慮到抗蝕劑的剝離性能、對金屬佈線的腐蝕程度及清洗能力，所述極性溶劑可在三組分組成物中以餘量存在，而基於組成物總量，優選使用9至70 wt%。
另外，本發明的組成物為防止因少量的水所引起的腐蝕現象，可進一步包含至少一種防蝕劑。
所述防蝕劑中，含有具未共有電子對之原子如－N－、－S－、－O－等原子的化合物，其可產生防腐蝕效果，特別是包含羥基(－OH)、巰基(－SH)時，透過與金屬之間的物理、化學性吸附作用，其防腐蝕性能更為突出。
所述防蝕劑可使用選自巰基苯并咪唑(mercaptobenzimidazole)、巰基甲基苯并咪唑(mercaptomethylbenzimidazole)、巰基甲基咪唑(mercaptomethylimidazole)、羥基吡啶(hydroxypyridine)，二羥基吡啶(dihydroxy pyridine)、三羥基苯甲酸甲酯(methyl trihydroxybenzoate)、焦兒茶酚(pyrocatechol)，兒茶酚(catechol)、L－抗壞血酸(L－ascorbic acid)及D－異抗壞血酸(D－isoascorbic acid)中的至少一種化合物。優選地，所述防蝕劑選自巰基甲基咪唑(mercaptomethylimidazole)、三羥基苯甲酸甲酯(methyl trihydroxybenzoate)、焦兒茶酚(pyrocatechol)、L－抗壞血酸(L－ascorbic acid)及D－異抗壞血酸(D－isoascorbic acid)中的至少一種化合物。
若所述防蝕劑的含量過少，則不能控制抗蝕劑對金屬佈線的腐蝕，而使金屬佈線可能被腐蝕；若所述防蝕劑的含量過多，則影響抗蝕劑的剝離性能而使抗蝕劑的剝離性能降低；且因為抗蝕劑係緊緊地附著在基板上，所以在後續清洗工序中無法被清洗乾淨。因此，考慮到上述問題，基於組成物總量100重量份，可含有0.01至10重量份的防蝕劑，較佳為使用0.5至10重量份。
以下，將透過實施例和比較例進一步詳細說明本發明。下述之實施例只是用來說明本發明，而不是用於限定本發明。另外，在下面所述之實施例中，若無其他說明，則百分比及混合比就是以重量為基準。
[實施例]
為選擇胺及防蝕劑進行了實驗1及實驗2，實驗中使用的試片如下。
<實驗例1及實驗例2中使用的試片(試片1、試片2)>
第一，用於判定對金屬的腐蝕能力的試片，是用以下方式製備。即，在玻璃表面以2000左右厚度的鋁(aluminum)、鉬(molybdenum)、銅(copper)形成薄膜(film formation)後，塗布抗蝕劑並完成顯影(develop)而製成試片1。
第二，用於判定抗蝕劑剝離性能的試片，是用以下方式製備。即，在玻璃表面由鉻(Cr)形成薄膜後，塗布抗蝕劑，並進行濕式蝕刻(wet etching)後，提供乾式蝕刻氣體(dry etching gas)，從而製成n＋a－Si：H活化膜(active film)試片2。另外，為形成經乾式蝕刻工藝後而嚴重改性的抗蝕劑膜，再次進行乾式蝕刻(etching)工序，從而製成試片3。在鉻(chromium)層中，抗蝕劑的附著力變大，且若受到乾式蝕刻氣體(dry etching gas)，則會引發抗蝕劑的改性，因而難以用剝離劑進行剝離，因此所述試片適合用於測試抗蝕劑之剝離性能。
<實驗例1>
使用試片2、試片3對單一原材料的抗蝕劑剝離性能進行判定；而使用試片1對鋁、鉬及銅的腐蝕能力進行判定，其結果表示在表1中。
如表1所示，使用如單乙醇胺等鏈狀胺時，其腐蝕程度嚴重，但使用環狀胺時，對抗蝕劑的剝離性能優秀且腐蝕程度不嚴重。另外，當吸附在環狀胺結構中之氮原子上的氫原子，完全被烷基、苯基、醇基取代時，其防腐蝕能力雖然突出但剝離性能不佳。
如表1所示，對於各原材料而言，其抗蝕劑剝離性能隨抗蝕劑膜的改性程度而有所差異。對於嚴重改性的抗蝕劑膜，環狀胺的剝離性能略低於鏈狀胺。然而，鏈狀胺及二胺類，其剝離性能並不會隨抗蝕劑膜的改性程度而降得太低，從以上結果可知，二胺對抗蝕劑的剝離性能並不比鏈狀胺差，且其對金屬佈線的腐蝕小於鏈狀胺。
<實驗例2>
如表2所示，使用試片1測試單乙醇胺和本發明中使用的各種胺對金屬的腐蝕性。對於在獨立判定中對抗蝕劑剝離性能有問題的胺，則使用兩種胺來進行實驗。另外，由於在上述獨立判定中，對各金屬均存在些許腐蝕現象，因此使用含有45 wt%的乙二醇醚、45 wt%的極性溶劑二甘醇丁醚及10 wt%的兩種或一種胺的溶液進行實驗，並將其結果表示在表2中。
如表2所示，與單乙醇胺相比，環狀胺對鋁和鉬表現出良好的防腐蝕性。另外，可以知道，當取代環狀胺結構中之氮原子上的氫原子的其他官能取代基越多時，越有利於對銅的防腐蝕性。
另外，當把不具有其他官能基取代結構中之氮原子上的氫原子的二胺或單乙醇胺與環狀胺一同混合使用時，其腐蝕效果可得到改善。
<實施例1至實施例20、比較例1至比較例2>
使用如下表3的組成分製造實施例及比較例中的組成物。
下述實驗例3及實驗例4是為判定抗蝕劑剝離劑組成物對抗蝕劑的剝離性能及對金屬佈線的腐蝕性而進行的。且為了判定抗腐蝕性，實驗例3和實驗例4中使用試片1；而為了判定抗蝕劑的剝離性能，使用試片3。
利用上述試片，對由下表3所示的條件所製備的抗蝕劑剝離溶劑進行實驗。
註：上述表3中，HEP：1－(2－羥乙基)哌嗪(1－(2－hydroxyethyl)piperazine)APM：N－(3－胺丙基)嗎啉(N－(3－aminopropyl)morpholine)AEAE：2－[(2－胺乙基)胺基]乙醇(2－[(2－aminoethyl)amino]ethanol)AEAP：1－[(2－胺乙基)胺基]－2－丙醇(1－[(2－aminoethyl)amino]－2－propanol)MAEAE：2－[2－(甲胺基)乙基]胺基乙醇(2－[2－(methylamino)ethyl]aminoethanol)MEA：單乙醇胺(monoethanolamine)DEA：二乙醇胺(diethanolamine)MMI：巰基甲基咪唑(mercaptomethylimidazole)MTHB：甲基三羥基苯甲酸甲酯(methyltrihydroxybenzoate)Pyro：魚兒茶酚(pyrocatechol)L－AA：L－抗壞血酸(L－ascorbic acid)NMP：N－甲基－2－吡咯烷酮(N－Methyl－2－pyrrolidone)DMAc：二甲基乙醯胺(dimethylacetamide)MMAc：單甲基乙醯胺(monomethylacetamide)MMF：N－甲基甲醯胺(N－methylformamide)DEGME：二甘醇甲醚(diethyleneglycol methylether)DEGBE：二甘醇丁醚(diethyleneglycol butylether)
<實驗例3>
利用所述實施例1至實施例20及比較例1和比較例2，對所述試片3的剝離性能做判定。特別是為了觀察抗蝕劑的剝離性能隨著揮發而發生的變化，在強制排氣狀態下，將各剝離劑在70℃的溫度下維持48小時，以判定對試片3的剝離性能。另外，將剝離劑加熱至70℃後，將所述試片3浸漬其中，並用肉眼進行觀察，其結果表示在表4中。
由比較例可知，單獨使用沸點低的胺化合物時，當將其在70℃的溫度下維持48小時後，其剝離性能顯著降低。而且，各防蝕劑對剝離性能影響不大，所有實施例中環狀胺的沸點均為200℃以上，因而經揮發48小時後，其成分並沒有多大的變化，因而未改變其剝離性能，此外，亦可知主要影響剝離性能的成分為胺。另外，實施例與比較例2相比，其剝離性能更為突出，而且隨著添加的極性溶劑不同，其剝離性能也不同。另外，同時添加二胺和鏈狀胺的實施例9、實施例10及同時添加二胺和環狀胺的實施例11至實施例16的溶液，也可觀察到剝離性能提高的效果。由此可知，特別是二胺，由於其沸點高於200℃，所以經過48小時之後仍然對剝離性能的影響不大。因此，將二胺與對嚴重改性之抗蝕劑的剝離性能較弱的環狀胺一起添加時，可觀察到剝離性能上升的效果。
<實驗例4>
使用試片1，對所述實施例1至實施例20及比較例1至比較例2的各金屬膜的腐蝕性做判定。另外，為了更加清楚地觀察到各範例之間的差異，因而添加了3%的水進行判定，並將其結果表示在表5中。
由表5可知，本發明的實施例中各金屬膜的腐蝕程度，由於使用了二胺化合物，因而其防腐效果較比較例更優秀，而且，與單獨使用二胺類溶液的範例相比，使用環狀胺或鏈狀胺混合二胺的溶液具有更良好的防腐蝕性能。
另外，為輔助抗蝕劑剝離性能而添加二胺等化合物時，也不會影響剝離性能，均得到了良好的結果。即，僅以一種防蝕劑也能充分達到對所有金屬膜的防腐蝕效果。因此，添加兩種胺時，能夠各取所長而提高防腐蝕效果。
另外，以羥基苯酚類(hydroxyl phenol series)的抗氧化劑等作為防蝕劑，對鋁(aluminum)或鉬(molybdenum)具有突出的防腐蝕效果，其原因推定為，該化合物以物理或化學方式選擇性地吸附在鋁或鉬的表面而阻礙電子的流動。同樣，巰基類(mercapto series)防蝕劑，不僅化學吸附在銅的表面，還降低氧化還原電位，由此可克服與下部膜之間的電位差，進而克服電解(galvanic)腐蝕現象。
根據本發明的抗蝕劑剝離劑組成物，能夠將抗蝕劑下部金屬膜的腐蝕降到最低，達到能夠完全去除、清洗抗蝕劑的效果。

Claims (5)

  1. 一種抗蝕劑剝離劑組成物，其特徵在於，包含：a)1至20wt%之選自由以下化學式1所表示的化合物中的至少一種二胺化合物(diamine compound)；b)10至90wt%的乙二醇醚化合物(glycol ether compound)；以及c)餘量的至少一種極性溶劑；其中，基於該抗蝕劑剝離劑組成物總量100重量份，該組成物更進一步包括0.01至10重量份的防蝕劑，係選自巰基甲基咪唑(mercaptomethylimidazole)、羥基吡啶(hydroxypyridine)、二羥基吡啶(dihydroxy pyridine)、三羥基苯甲酸甲酯(methyl trihydroxy benzoate)、焦兒茶酚(pyrocatechol)、兒茶酚(catechol)、L-抗壞血酸(L-ascorbic acid)及D-異抗壞血酸(D-isoascorbic acid)中的至少一種化合物。 上述化學式中，R及R’分別表示氫或是C1 至C10 的烷基(alkyl group)；R”表示氫、C1 至C10 的烷醇基(alkanol group)或是C1 至C10 的烷基(alkyl group)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之抗蝕劑剝離劑組成物，其中，該二胺化合物是選自2-[(2-胺乙基)胺基]乙醇 (2-[(2-aminoethyl)amino]ethanol)、2-[(2-胺甲基)胺基]甲醇(2-[(2-aminomethyl)amino]methanol)、1-[(2-胺乙基)胺基]-2-丙醇(1-[(2-aminoethyl)amino]-2-propanol)、2-{[2-(甲胺基)乙基]胺基}乙醇(2-{[2-(methylamino)ethyl]amino}ethanol)、2-[(2-胺基-2-甲丙基)胺基]乙醇(2-[(2-amino-2-methylpropyl)amino]ethanol)及2-{[2-(二甲胺基)乙基]甲胺基}乙醇(2-{[2-(dimethylamino)ethyl]methylamino}ethanol)中的至少一種化合物。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之抗蝕劑剝離劑組成物，其中，該乙二醇醚化合物是選自乙二醇甲醚(ethyleneglycol methylether)、乙二醇乙醚(ethyleneglycol ethylether)、乙二醇丁醚(ethyleneglycol butylether)、二甘醇甲醚(diethyleneglycol methylether)、二甘醇乙醚(diethyleneglycol ethylether)、二甘醇丁醚(diethyleneglycol butylether)、二甘醇丙醚(diethyleneglycol propylether)、三甘醇丁醚(triethyleneglycol butylether)、三甘醇乙醚(triethyleneglylcol ethylether)及三甘醇甲醚(triethylenegylcol methylether)中的至少一種化合物。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之抗蝕劑剝離劑組成物，其中，該極性溶劑是選自N-甲基-2-吡咯烷酮(N-Methyl-2-pyrrolidone,NMP)、N-甲基乙醯胺(N-methylacetamide)、N,N-二甲基乙醯胺(N,N-dimethylacetamide)、乙醯胺(acetamide)、N-乙基乙醯 胺(N-ethylacetamide)、N,N-二乙基乙醯胺(N,N-diethylacetamide)、甲醯胺(formamide)、N-甲基甲醯胺(N-methylformamide)、N,N-二甲基甲醯胺(N,N-dimethylformamide)、N-乙基甲醯胺(N-ethylformamide)、N,N-二乙基甲醯胺(N,N-diethylformamide)及N,N-二甲基咪唑(N,N-dimethylimidazole)中的至少一種化合物。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任何一項所述之抗蝕劑剝離劑組成物，其中，基於組成物總量100重量份，更進一步包括0.5至20重量份的選自1-(2-羥乙基)哌嗪(1-(2-hydroxyethyl)piperazine)、N-(3-胺丙基)嗎啉(N-(3-aminopropyl)morpholine)、1-(2-胺乙基)哌嗪(1-(2-aminoethyl)piperazine)、1-(2-羥乙基)-4-乙基哌嗪(1-(2-hydroxylethyl)-4-ethylpiperazine)、4-胺基-1-甲基哌嗪(4-amino-1-methylpiperazine)、1-甲基哌嗪(1-methylpiperazine)、2-甲基哌嗪(2-methylpiperazine)、1-苄基哌嗪(1-benzylpiperazine)及2-苯基哌嗪(2-phenylpiperazine)中的至少一種環狀胺化合物，或是選自單乙醇胺(monoethanolamine)、單異丙醇胺(monoisopropanolamine)、二乙醇胺(diethanolamine)、三乙醇胺(triethanolamine)、n-甲基乙醇胺(n-methylethanolamine)、n-乙基乙醇胺(n-ethylethanolamine)、二甲基乙醇胺(dimethylethanolamine)、二乙基乙醇胺 (diethylethanolamine)、胺基乙氧基乙醇(aminoethoxyethanol)及胺基甲氧基乙醇(aminomethoxyethanol)中的至少一種鏈狀胺化合物。
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