TWI416985B - 掩膜、成膜方法、發光裝置及電子機器 - Google Patents

掩膜、成膜方法、發光裝置及電子機器 Download PDF

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TWI416985B
TWI416985B TW095149225A TW95149225A TWI416985B TW I416985 B TWI416985 B TW I416985B TW 095149225 A TW095149225 A TW 095149225A TW 95149225 A TW95149225 A TW 95149225A TW I416985 B TWI416985 B TW I416985B
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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Description

掩膜、成膜方法、發光裝置及電子機器
本發明乃關於掩膜、成膜方法、發光裝置及電子機器者。
有機EL元件乃成為在陰極與陽極間，至少挾持包含具有螢光性有機化合物(發光材料)之發光層之有機半導體層之構成，於此發光層經由注入電子及正孔(電洞)而再結合，生成激子(EXCITON)，利用此激子失去活性時之光放出(螢光、燐光)而發光的元件。
此有機EL元件乃做為具備具有以10V以下之低電壓，可進行100~100000cd/m2 程度之高亮度之面發光，或經由選擇發光材料之種類，可從藍色至紅色發光等之特徵，可實現便宜且大面積全彩顯示之顯示裝置(發光裝置)之元件，而倍受矚目。
如此發光裝置中，例如提示有如專利文獻1所示被動矩陣型之發光裝置。於此被動矩陣型之發光裝置中，乃成為複數之直線狀之陽極與陰極相互交又呈矩陣狀地加以對向而設之，此等之電極間對應於交叉之位置地，於電極間之中間，各別各設置有機半導體層之構成。然後，經由各別控制相互交叉之電極間之ON/OFF，使各別設置之有機半導體層加以獨立而發光，以實現全彩顯示。
在此，如此中，一般而言，於基板上，陽極、有機半導體層及陰極則依此順序層積而構成，但直線狀之陰極乃為形成此陰極之前，經由設於基板上之絕緣性間隔壁部加以限制而形成。
然而，此間隔壁部乃主要以感光性樹脂材料所構成，藉由在於形成此間隔壁部時所使用之光微影法等，在含水分等之狀態下被形昶。為此，有著由於此水等，有機半導體層會歷時性地變質、劣化，使有機EL元件之發光效率等之特性下降的問題。
做為解決此問題之方法，省略如前述之間隔壁部之形成，使用具有對應於直線狀之陰極形狀之開口部的遮蔽掩膜(以下僅稱為「掩膜」。藉由真空蒸著法之氣相成膜法，形成陰極之方法。
然而，形仍具備對應於陰極之形狀之開口部的掩膜時，起因於掩膜基材之剛性下降，於開口部會產生彎曲或扭曲。為此，使用如此掩膜所形成之陰極乃該形狀與開口部相同，會具有彎曲或扭曲。結果，實際上在於具備發光裝置之各有機EL元件之發光效率等之特性，會產生參差。
如此之問題，乃例如將併設呈幾近平行之複數之細寬度之金屬配線，使用氣相成膜法加以整體形成之時，亦會同樣產生。
〔專利文獻1〕日本特開平8－315981號公報
本發明之目的乃提供例如使用於可將如陰極之線狀體，以優異之尺寸精度加以形成之氣相成膜法之掩膜、使用相關掩膜形成線狀體之成膜方法、具備經由相關成膜方法形成之線狀體之特性高之發光裝置及電子機器。
如此之目的乃經由下述本發明所達成。
本發明之掩膜，乃在基板固定一方面側，從另一方面側，將膜材料藉由氣相製程而供給，將幾近平行併設之複數線狀體，形成於前述基板之表面而使用之掩膜中，具備具有對應於前述線狀體之圖案的複數開口部的掩膜本體、和橫亙前述開口部而設置，藉由本身重量防止前述掩膜本體之變形機能的補強樑，前述補強樑乃在前述開口部之厚度方向，偏移存在於前述另一方面側而設置為特徵者。
由此，例如可成為將如陰極之線狀體，以優異之尺寸常度形成之氣相成膜法所使用之掩膜。
本發明之掩膜中，前述掩膜本體與前述補強樑乃一體形成者為佳。
由此，可整體形成掩膜本體與補強樑的同時，可形成尺寸精度優異之掩膜。即，達成形成掩膜時之製造工程之減少的同時，可確實得尺寸精度優異之掩膜。
本發明之掩膜乃主要以矽所構成為佳。
由此，可較容易形成掩膜。
本發明之掩膜中，前述一方之面中，形成有金屬層為佳。
根據相關構成之掩膜時，將掩膜裝著於光罩時，於掩膜與基板間附予磁場，可達成掩膜基板之緊密性的提升。由此，可確實防止經由掩膜本體之本身重量，於掩膜與基板間形成空間(間隙)。
本發明之掩膜中，前述金屬層乃使用無電解電鍍而形成為佳。
根據無電解電鍍時，可將均勻膜厚之金屬層，較容易地形成於掩膜本體上。
本發明之掩膜中，前述金屬層乃將鈷、鐵及鎳中之至少一種做為主材料而構成為佳。
經由相關材料構成金屬層，可於基板上將掩膜緊密性佳地加以裝著(附著)。又，經由無電解電鍍，可較容易地形成均勻膜厚之金屬層。
本發明之掩膜中，前述補強樑乃沿前述開口部之長度方向，以幾近相等之間隔而複數設置為佳。
由此，間隔壁部之強度乃沿該長度方向，以均勻之大小增加之故，於間隔壁部之各1部，可確實防止彎曲或扭曲之產生。
本發明之掩膜中，前述開口部乃於該長度方向之中途，具有寬度增大之拓寬部，於該拓寬部，設置前述補強樑為佳。
由此，於形成之線狀體中，可確實防止斷線產生的同時，可達該膜厚之均勻化。
本發明之掩膜中，前述補強樑乃該寬度為從一方面側朝向另一方面側，幾近呈一定者為佳。
由此，於形成之線狀體中，可防止斷線之產生。
本發明之掩膜中，前述補強樑乃該寬度為從一方面側朝向另一方面側，具有漸增之部分者為佳。
由此，於形成之線狀體中，可確實防止斷線產生的同時，可達該膜厚之均勻化。
本發明之成膜方法，乃具有對向於供給前述膜材料之膜材料供給源，在保持於設呈可旋轉之基板保持器的前述基板，裝設本發明之掩膜的工程， 在前述膜材料供給源與前述基板之距離為呈最大之第1之位置、和對於前述第1之位置而言，令前述基板保持器之旋轉中心為中心的點對稱第2之位置間，將前述基板進行至少一次變位，將從前述膜材料供給源所供給之前述膜材料，通過前述問口部，形成前述線狀體的工程之成膜方法中， 令前述基板保持器之旋轉中心之軸與前述膜材料供給源之中心軸之間隔距離為A[cm]，令前述掩膜與前述膜材料供給源之開口部之間隔距離為B[cm]、令沿前述補強樑之前述開口部之長度方向的最大長度為p[μm]，令沿前述基板與前述補強樑之間隔距離為r[μm]時，設定呈滿足p/r<2A/B所成之關係為特徵者。
經由滿足相關之關係，膜材料可將補強樑更確實地繞入，使無斷線之線狀體，可確實形成在基板之表面。
本發明之成膜方法中，前述基板之前述第1之位置與前述第2之位置間的變位乃經由旋轉前述基板保持器而進行為佳。
由此，令第1之位置與第2之位置間，至少變位1次，將無斷線之線狀體，可確實形成於基板之表面。
本發明之成膜方法，前述基板之旋轉乃連續性或間歇性地進行者為佳。
由此，令第1之位置與第2之位置間，至少變位1次，將無斷線之線狀體，可確實形成於基板之表面。
本發明之發光裝置，具備使用本發明之成膜方法所形成之線狀體為特徵。
由此，可成為具備無斷線之線狀體之發光裝置。
本發明之發光裝置中，前述線狀體乃陰極者為佳。
由此，可成為具備無斷線之陰極之發光裝置。
本發明之電子機器乃，具備本發明之發光裝置為特徵。
由此可獲得可靠性高的電子機器。
以下，對於本發明之掩膜、成膜方法、發光裝置及電子機器，參照附加圖面詳細加以說明。
<掩膜>
首先，對於本發明之掩膜加以說明。
<<第1實施例形態>>
首先，對於本發明之掩膜之第1實施形態加以說明。
圖1乃顯示本發明之掩膜之第1實施形態的斜視圖，圖2乃顯示開口部之其他構成之平面圖，圖3乃顯示補強樑之其他構成之縱剖面圖。然而，在以下之說明中，將圖1及圖3中之上側稱「上」，下側稱為「下」。
本發明之掩膜，乃在基板固定一方面側，從另一方面側，例如使用真空蒸著法、濺鍍法及離子塗佈法等之物理氣相成膜(PVD)法或化學性氣相成膜(CVD)法之氣相成膜(的氣相製程，供給膜材料，將幾近平行併設之複數線狀體，形成於前述基板之表面時所使用者。
如此掩膜40乃以掩膜本體41、和補強樑44加以構成。
掩膜本體41中，如圖1所示，設置對應於欲形成線狀體之圖案(形狀)之複數之開口部42。
本實施形態中，各開口部42乃在平面視之，成為細寬度之直線狀，以相互幾近平行且幾近一定間隔加以設置。由此，各開口部42間乃經由薄板狀之間隔壁部43加以分割。
在此，本發明之掩膜中，使橫亙於開口部42地，設置補強樑44。為此，在將掩膜40裝著於基板之時，可防止由於本身重量，彎曲或扭曲成形成呈薄板狀之間隔壁部43(掩膜本體41)，即可防止變形成呈間隔壁部43之形狀。結果，由於可防止開口部42之變形，藉由使用此掩膜40，可形成尺寸精度高之線狀體。
更且，於本發明之掩膜中，此補強樑44乃具有該厚度對於開口部42之高度而言為小，將此掩膜40之一方面側，固定於前述基板之時，偏在(位於)於掩膜40之另一方之面側地加以設置者為特徵。即，具冑於補強樑44與前述基板間，設置空間之特徵。
經由使補強樑44成為如此構成(設於開口部42)，於使用掩膜40之基板上，形成線狀體之時，可使形成之線狀體不會斷線地，連續加以形成。
即，經由從形成基板之線狀體之面使補強樑44遠離，以氣相成膜法形成線狀體時所使用之膜材料則從其他之面側，通過開口部42，於被覆前述面之時，從補強樑44之周圍向斜方向入射而繞入。為此，可使線狀體不會斷線地，連續地加以形成。然而，有關此線狀體之成膜方法(成膜條件等)則詳述於後。
然而，補強樑44之數及設置位置等乃對應於間隔壁部43之強度等，而防止間隔壁部43之變形地，加以任意設定即可，但如本實施形態，設置複數(2個以上)之補強樑44時，補強樑44乃沿開口部42之長度方向，以幾近相等間隔加以設置者為佳。由此，間隔壁部43之強度乃沿該長度方向，以均勻之大小增加之故，於間隔壁部43之各部，可確實防止彎曲或扭曲之產生。
又，本實施形態中，掩膜本體41與補強樑44乃一體地加以形成。經由成為如此構成，藉由後述之掩膜之形成，整體形成掩膜本體41與補強樑44的同時，可形成尺寸精度優異之掩膜40。即，達成形成掩膜40時之製造工程之減少的同時，可確實得尺寸精度優異之掩膜40。
然而，開口部42乃如本實施形態所說明，沿開口部42之長度方向，除了該寬度成為一定之外，例如如圖2所示，於開口部42之長度方向之中途，具有寬度增大之擴寬部45，於此擴寬部45，設置補強樑44之構成亦可。
經由將開口部成為如此構成，可在對應於前述基板之表面之補強樑44之範圍，確實供給(被覆)膜材料。即，雖由於補強部44與前述基板之間隔距離，會有前述範圍之線狀體之膜厚變薄之疑慮，但經由對應於補強樑44之位置設置拓寬部45，可產生從此拓寬部45之膜材料之繞入部。結果，相互抵銷設置補強樑44所成障礙，可確實地於前述範圍供給膜材料。由此，於形成之線狀體中，可確實防止斷線產生的同時，可達該膜厚之均勻化。
更且，補強樑44乃如本實施形態所說明，除了該寬度(沿開口部42之長度方向之補強樑44之長度)成為幾近一定之外，例如如圖3所示，亦可為該寬度從前述一方之面側向前述另一方之面側漸增之半圓狀。即，前述寬度可為從前述一方之面側向前述另一方之面側，具有漸增部分者。使補強樑44成為如此構成者，即，藉由具有推拔面，可使從補強樑44之周圍向斜方向入射之膜材料中，附著於補強樑44之膜材料之量減少。結果，即使補強樑44成為如此構成時，仍可確實獲得前述之效果。然而，做為如此補強樑44之形狀，沿開口部42之長度方向之縱剖面，可為圖3所示之半圓狀，亦可為梯形狀、三角形狀、六角形狀或圓狀者。
如以上之開口部42及補強樑44之構成乃可與任意之2個以上者組合。由此，可得相乘之前述效果。
又，本實施形態中，於掩膜本體41之外周部，形成掩膜40使用時之掩膜40之為定位之掩膜定位標記46。此掩膜定位標記46乃除了可以結晶向異性蝕刻等，除去掩膜本體41之一部分而獲得之外，亦可以如鉻之金屬膜加以構成。
又，做為掩膜40之構成材料乃可列舉各種之物，例如可使用如矽、或石英玻璃之玻璃材料，但此等之中，主要又以矽構成者為佳。由此，可較容易形成如前述之掩膜40。
以下，做為掩膜40之形成方法，掩膜40之構成材料主要為矽之情形為例加以說明。
圖4及圖5乃顯示圖1所示之掩膜之形成方法圖。然而，圖4乃顯示對應於A－A線剖面之剖面之縱剖面圖。又，圖5乃顯示對應於圖1中B－B線剖面之剖面之縱剖面圖。又，在以下之說明中，將圖4及圖5中之上側稱「上」，下側稱為「下」。
[1A]首先，準備以矽單結晶所構成之掩膜基材50，於此掩膜基材50之外表面整體，形成以耐乾蝕刻掩膜材料構成之耐乾蝕刻膜51。
掩膜基材50之厚度雖未特別加以限定，但為0.01~1.0mm為佳，更佳者為0.02~0.2mm程度。
做為耐乾蝕刻材料，對於後述之乾蝕刻而承受性者即可，雖未特別加以限定，但可例如適切使用二氧化矽(SiO2 )、氮化矽、碳化矽、鋁等鉻等。
又，做為耐乾蝕刻膜51之形成方法，雖可使用各種之成膜方法，但例如做為耐乾蝕刻材料，使用二氧化矽時，例如於800~1200℃程度之水蒸氣中，放置掩膜基材50之水蒸氣熱氧化法可被適切地加以使用。又，做為耐乾蝕刻材料，使用氮化矽及碳化矽之時，可適切使用化學性氣相成膜(CVD)法。更且，做為耐乾蝕刻材料，使用鋁及鉻之時，可適切使用如真空蒸著法、濺鍍法等之物理性氣相成膜(PVD)法或電鍍法。
如此耐乾蝕刻膜51之厚度雖未特別加以限定，例如為1 μm程度者為佳。
[2A]接著，如圖4(a)及圖5(a)所示，將形成之掩膜40，裝著於基板之時，在與基板接觸側之面50a，除去存在於對應在欲形成之開口部42之範圍的耐乾蝕刻膜51，露出掩膜基材50之表面。
具體而言，使用光微影法技術，形成對應於面50a側之開口部42之範圍具備開口部之光阻層後，將此開口部所露出之耐乾蝕刻膜51，經由使用緩衝氟酸溶液之酸蝕刻液之酸濕式蝕刻，加以除去，於對應在欲形成之開口部42之範圍，露出掩膜基材50之表面。
然而，在如圖2所示之開口部42，設置拓寬部45之構成時，將掩膜基材50之表面，對應於該形狀地，加以露出即可。
[3A]，接著，如圖4(b)及圖5(b)所示，使用光微影法技術等，於前述工程[2A]，露出掩膜基材50之表面之範圍中，於形成補強樑44之範圍，形成光阻層52。
由此，形成開口部42之範圍中，未形成補強樑44之範圍中，會露出掩膜基材50之表面。
做為光阻層52之構成材料，可使用各種感光性樹脂材料，例如可列舉松脂－重鉻酸鹽、聚乙烯醇(PVA)－重鉻酸鹽、蟲膠－重鉻酸鹽、酪蛋白－重鉻酸鹽、PVA－疊氮、丙烯酸系光阻劑等之水溶性光阻劑、多矽皮酸乙烯、環化橡膠－疊氮化物、聚乙烯肉桂叉乙酸鹽、多矽皮酸β－乙烯氧基乙基乙酯等之油溶性光阻劑等。
然而，在如圖3所示，將沿補強樑44之開口部42之長度方向的縱剖面，成為半圓狀之時，將此光阻層52，使該形狀對應於欲形成之補強樑44之形狀地，加以設置即可。如此半圓狀之光阻層52乃將本工程所形成之四角形狀之光阻層52，以150~200℃程度之溫度，加以後烘烤成為半固形狀之後，經由再固化而獲得者。
[4A]接著，如圖4(c)及圖5(c)所示，掩膜基材50之表面被露出之範圍，即形成開口部42之範圍中，將未形成補強樑44之範圍之掩膜基材(矽)50，均勻除去至特定之深度。
於此矽之除去中，在特定方向，即本實施形態中，對於掩膜基材50之厚度方向，呈平行之方向而言，可除去矽之向異性蝕刻可被適切加以使用。
做為向異性蝕刻，可列舉向異性濕蝕刻、或反應性離子蝕刻(RIE)、反應性離子束蝕刻(RIBE)、高速原子線蝕刻(FAB)之向異性乾蝕刻，此等之中，由方向選擇性及生產性優異之部分視之，可適切使用反應性離子蝕刻。
[5A]接著，如圖4(a)及圖5(d)所示，除去(剝離)光阻層52。由此，於形成開口部42之範圍中，則露出掩膜基材50之表面。
此光阻層52之除去乃對應於光阻層52之種類適切加以選擇即可，例如氧電漿或臭氧所成大氣壓下或減壓下之灰化、紫外線之照射、Ne－He雷射、Ar雷射、CO2 雷射、紅寶石雷射、半導體雷射、YAG雷射、玻璃雷射、YVO4 雷射、準分子雷射等之各種雷射之照射、溶解或分解光阻層52所得溶劑之接觸目例如浸漬)等而進行者。
[6A]接著，與前述工程[4A]說明相同地，如圖4(e)及圖5(e)所示，掩膜基材50之表面被露出之範圍，即將形成開口部42之範圍之掩膜基材(矽)50，更均勻除去至特定之深度。
由此，經由前述工程[4A]，除去矽(未形成補強樑44)之範圍乃對於掩膜基材50之厚度方向，更深入均勻除去矽。又，形成除去光阻層52之補強樑44之範圍，亦同樣均勻除去矽。
即，形成開口部42之範圍中，在維持設於在前述工程[4A]形成之補強樑44之範圍、和未形成補強樑44之範圍之掩膜基材50之表面的深度差的狀態下，均勻除去矽。由此，如圖4(e)及圖5(e)所示，於掩膜基材50形成2階段之凹凸。
然而，於本工程[6A]中，新除去矽之範圍乃形成補強樑44之範圍，由面50a除去特定之深度。為此，經由向異性蝕刻所除去之掩膜基材50之深度，相等於在前述基板裝著掩膜40時之從前述基板至補強樑44之距離。此深度乃以5~200 μm程度為佳，更佳為10~100 μm程度。此深度在不足前述下限值時，膜材料難以從補強樑44之周圍繞入，形成之線狀體會有切斷之疑慮。又，使此深度，超過前述上限值加深之時，前述基板與補強樑44之距離會超出必要以上，膜材料會有無法到達前述基板之虞，因此並不喜好。
[7A]接著，除去(剝離)形成於掩膜基材50之外表面之耐乾蝕刻膜51，再度，如圖4(f)及圖5(f)所示，於掩膜基材50之外表面整體，形成耐濕蝕刻膜53。
此耐乾蝕刻膜51之除去乃經由使用前述工程[2A]所說明之如緩衝氟酸溶液之酸蝕刻液之酸濕蝕刻加以進行。
又，耐濕蝕刻膜53乃可與前述工程[1A]所說明之耐乾蝕刻膜51同樣地加以形成。
[8A]，接著，如圖4(g)及圖5(g)所示，形成於與面50a相反側之面50b的耐濕蝕刻膜53中，除去排除掩膜基材50之外周部的範圍，露出掩膜基材50之表面。
於排除此掩膜基材50之外周部之範圍中，做為除去耐濕蝕刻膜53之方法，可使用光微影法技術等，形成具有對應於此範圍之開口部之光阻層後，經由前述工程[2A]所說明之耐濕蝕刻，除去此開口部露出之耐濕蝕刻膜53之方法。
[9A]，接著，如圖4(h)及圖5(h)所示，將從耐濕蝕刻膜53露出之掩膜基材50，自面50b至特定深度，對於掩膜基材50之厚度方向均勻地加以除去。
由此，形成開口部42之範圍中，未形成補強樑44之範圍中，從面50a至面50b側形成空間，而會連通。
於此矽之除去中，做為濕蝕刻液使用如NaOH、KOH之鹼金屬氫氧化物水溶液、如Mg(OH)2 之鹼土類金屬氫氧化物水溶液、四甲基銨氫氧化物之水溶液、N,N－二甲基甲醯胺(DMF)、N,N－二甲基乙醯胺(DMA)等之醯胺系有機溶媒等之用於向異性濕蝕刻者為佳。由此，可使矽以均勻之速度且面無粗糙地，以較短之時間整體加以除去。
然而，矽之除去乃不限定於經由如此向異性濕蝕刻之進行，使用如前述向異性乾蝕刻者加以進行亦可。
又，將掩膜基材50從面50b側除去矽乃是為使掩膜40之厚度抑制在最小之狀態，使掩膜基材50之外周部變厚乃為確保掩膜40之強度。
[10A]接著，如圖4(i)及圖5(i)所示，除去(剝離)形成於掩膜基材50之外周面之耐濕蝕刻膜53。
由此，形成對應於線狀體之圖案之開口部42、和橫亙此開口部42之補強樑44的掩膜40。
此耐濕蝕刻膜53之除去乃可經由使用前述工程[2A]所說明之如緩衝氟酸溶液之蝕刻液之濕蝕刻加以進行。
<<第2實施例形態>>
接著，對於本發明之掩膜之第2實施形態加以說明。
圖6乃顯示本發明之掩膜之第2實施形態的斜視圖。然而，在以下之說明中，將圖6中之上側稱「上」，下側稱為「下」。
以下，對於第2實施形態，以與前述第1實施形態不同點為中心加以說明，對於同樣之事項則省略該說明。
圖6所示掩膜40乃於上側之面，設置金屬層47之外，與前述第1實施形態之掩膜40相同。
於本實施形態中，如圖6所示，於上側之面，即在基板裝設掩膜401之時，在與掩膜本體41之基板接觸之側面，設置金屬層47。結果，於將掩膜40裝著於基板時，於掩膜40與基板間經由附予磁場，可達成掩膜40基板之緊密性的提升。由此，可確實防止經由掩膜本體41(尤其是間隔壁部43)之本身重量，於掩膜40與基板間形成空間(間隙)。
又，做為金屬層47之構成材料金屬材料)，雖未特別加以限定，例如可列舉鈷(Co)、鐵(Fe)、鎳(Ni)或含此等之合金等，組合此等中之一種或二種以上加以使用。由此，可於基板緊密性佳地裝設(附著)掩膜40的同時，經由後述無電解電鍍，可較容易地形成均勻膜厚之金屬層。
金屬層47之厚度雖未特別加以限定，但為0.01~100 μm為佳，更佳者為0.1~20 μm程度。
如此本實施形態之掩膜40乃對於前述第1實施形態之掩膜401而言，於掩膜本體41上，可經由形成金屬層47而獲得。
做為形成金屬層47之方法，可使用各種方法，例如可列舉無電解電鍍法、電解電鍍法、真空蒸鍍法及濺鍍等，於此之中，以使用無電解電鍍法者為佳。根據無電解電鍍時，可將均勻膜厚之金屬層，較容易地形成於掩膜本體上。
以下，做為形成金屬層41之方法，將無電解電鍍法為例加以說明。
[1B]首先，準備以第1實施形態所得之掩膜40，於此掩膜40之外表面整體，形成以耐無電解電鍍材料所構成之耐無電解電鍍膜。
又，此耐無電解電鍍膜乃可與前述工程[1A]所說明之耐乾蝕刻膜51之形成方法同樣地加以形成。經由形成耐無電解電鍍膜，於後工程[3B]中，將掩膜40浸漬於無電解電鍍液中時，可防止掩膜40之構成材料之矽在溶解於無電解電鍍液中。
[2B]接著，將形成之掩膜40裝著於基板之時，與基板接觸之側面，即，於圖4及圖5所說明之面50a側，形成基材層。
做為此基材層之構成材料乃對應於形成之金屬層47之構成材料之種類等適切加以選擇，例如可列Ni、Cu、Au、Pt及Ag，亦可組合此等中之一種或二種以上加以使用。
又此基材層乃可為將上述構成材料為主材料的單層體，亦可為層積體。
具體而言，金屬層47主要以Co所構成之時，做為基材層，從面50a側，Cr層與Au層以此順序層積之層積體為適切者。
[3B]接著，主要經由金屬鹽與還原劑所構成之電鍍液中，經由浸漬掩膜40，於基材層上，即面50a側，經由析出金屬元素而形成金屬層47。
做為金屬鹽，例如可適切使用硫酸鹽、硝酸鹽等。
做為還原劑，例如可列舉次亞磷酸銨、次亞磷酸鈉、聯胺等，其中又以聯胺及次亞磷酸鈉之至少一方為主成分為佳。做為還原劑，經由使用此等者，金屬層47之成膜速度會變得適合，較容易控制金屬層47之膜厚。
電鍍液之金屬鹽之含有量(溶媒之金屬鹽添加量)乃0.01~0.5 mol/L程度為佳，更佳者為0.1~0.3mol/L程度。金屬鹽之含量過少時，在形成金屬層47時，有需要長時間之疑慮。另一方面，金屬鹽之含有量超過前述上限值許多時，無法期待有更多之效果。
電鍍液之金屬鹽之含有量(溶媒之金屬鹽添加量)乃0.01~0.5 mol/L程度為佳，更佳者為0.1~0.3mol/L程度。還原劑之含有量過少時，由於還原劑之種類等，會有難以進行金屬離子之效率佳之還原的疑慮。另一方面，還原劑之含有量超過前述上限值許多時，無法期待有更多之效果。
於如此電鍍液中，更混合(添加)pH調整劑(pH緩衝劑)者為佳。由此，伴隨無電解電鍍之進行，可防止或抑制電鍍液之pH下降，結果，可有效防止成膜速度之下降。
做為此pH調整劇可到舉各種形式者，但以氨水、二甲基銨氫氧化物、氫氧化鈉、碳酸鈉及硫化銨中之至少一種為主成分者為佳。此等之物者乃在緩衝作用上優異之故，將此等者做凜pH調整劑使用，可更明顯發揮前述效果。
又，電鍍液之pH乃8.0~13.0程度為佳，更佳為9.5~10.5程度。
又，電鍍液之溫度乃以70~95℃程度為佳，更佳為80~85℃程度。
將電鍍液之pH溫度，經由成為各前述範圍時，成膜速度尤其會成為適切者，可使均勻之膜厚之金屬層47，以高精度加以形成。
<成膜方法>
接著，對於使用本發明之掩膜，於基板之表面，將線狀體以氣相成膜法形成之成膜方法加以說明。
圖7乃顯示使用本發明之掩膜，將線狀體以氣相成膜法形成之成膜方法之圖。
然而，於基板60之表面，做為在形成線狀體61時使用之氣相成膜法，可列舉真空蒸著法、濺鍍法等之物理性氣相成膜(PVD)法或CVD法等化學性氣相成膜(CVD)，但以下以使用真空蒸著法，形成線狀體61之情形為例加以說明。
圖7所示真空蒸著裝置600乃具有處理室(真空室)610、和設置於此處理室601內，保持基板60之基板保持器602、和設置於處理室601內，經由氣化構成線狀體61之膜材料62，供予基板60之坩堝(膜材料供給源)603。
又，於處理室601中，連接有排出該內部之氣體，控制壓力之排氣泵(減壓手段)604。
基板保持器602乃安裝於處理室601之屋頂部。此基板保持器602乃於該端部，固定在旋轉軸605之狀態下加以設置，將迴轉軸605為中心軸，基板保持器602可進行旋轉(轉動)。
又，於與基板保持器602對向之位置，即於處理室601之底部，設置坩堝603。
又，此坩堝603乃具備加熱手段(未圖示)，由此，保持(收納)於坩堝603內之膜材料62則被加熱、氣化(蒸發或昇華)。
然而，加熱手段之加熱方式則未特別加以限定，例如可為阻抗加熱、電子束加熱等之任一者。
做為膜材料62乃對應於形成之線狀體61之種類加以適切選擇，雖未特別加以限定，但可列舉如Al、Ni、Cu、Mg、Ag之金屬材料、如MgO、In2 O3 之金屬氧化物材料及銅酞花青(8－羥基喹啉)鋁(Alq3 )之金屬錯合物等。
使用如此構成之真空蒸著裝置600，如以下地，形成(成膜)線狀體61。
[1C]首先，將掩膜40之一方面，朝向基板60側，將掩膜40，裝設於基板60。此時，補強樑44則位於掩膜40之另一方之面側地加以裝設。即，掩膜40之面50A則與基板60接觸。
然後，將裝著掩膜40之基板60，搬入處理室610內，於基板保持器602，在基板60與坩堝603之間，介入存在掩膜40地加以設置(設定)。即，使掩膜40與坩堝603呈對向地，將裝設掩膜40之基板60，設置於基板保持器602。
[2C]接著，使排氣泵603動作，令處理室601內呈減壓狀態。
此減壓程度(真空度)雖未特別加以限定，但以1×10－5 ~1×10－2 Pa程度者為佳，更佳者為1×10－4 ~1×10－3 Pa程度。
[3C]接著，經由旋轉旋轉軸605，旋轉基板60。
由此，於裝設坩堝603與基板保持器602之基板60(掩膜40)之距離成為最大之第1之位置、和前述距離成為最小之第2之位置，可連續變位(配置)掩膜40。然而，配置於此第1之位置之掩膜40與配置於此第2之位置之掩膜40乃成為以旋轉軸605(基板60之旋轉中心)為中心之點對稱關係。
又，旋轉軸605之旋轉次數乃1~50轉/分鐘程度為佳，更佳為10~20轉/分鐘程度。由此，於下個工程[4C]，更可形成均勻膜厚之線狀體61。
[4C]接著，在旋轉基板60之狀態，加熱保持膜材料62之坩堝603、氣化(蒸發或昇華)膜材料62。
然後，如圖7所示，氣化之膜材料62則從前述另一方之面側通過掩膜40之開口部42，經由被著(到達)於基板60之表面，形成線狀體61。
在此，如前述補強樑44則於開口部42之厚度方向，位於基板60之另一方之面側，位於與基板60相反側地加以設置。為此，膜材料62乃通過開口部42之時，可繞入此補強樑44。結果，在對應於基板60之開口部42之範圍整體，可被著膜材料62，形成無斷線之線狀體61。
換言之，不受使開口部42橫亙地，設置補強樑44之影響而成膜之故，於基板60之表面，形成無斷線之線狀體61。
又，如圖7所示，令前述基板保持器602之旋轉軸(基板60之旋轉中心軸)605與坩堝603之中心軸之間隔距離為A[cm]，令掩膜40與坩堝603之開口部之間隔距離為B[cm]、令沿補強樑44之開口部42之長度方向的最大長度為p[μm]，令沿基板60與補強樑44之間隔距離為r[μm]時，設定呈滿足下式1之關係者鳶佳。
p/r<2A/B...式1
經由滿足相關之關係，膜材料62可將補強樑44更確實地繞入，使無斷線之線狀體61，經由基板60之表面，可確實形成。該結果，做為線狀體61，例如形成金屬配線之時，可確實防止起因於形成之線狀體61之變薄，該阻抗值會增大，造成斷線之情形。
在此，經由設定成滿足前述式1之關係，得不斷線之線狀體61乃可從以下之關係式導出。
如前所述，為使線狀體61無斷線地加以形成，乃是由於膜材料62繞入補強樑44之故。
此膜材料62繞入補強樑44之距離成為最大乃在於在前述第1之位置配置基板60(掩膜40)之時，該繞入距離成為最小乃在於在前述第2之位置，配置基板60(掩膜40)之時。
為此，基板60配置於第1之位置之時，令補強樑44繞入膜材料62之距離為s[μm]，基板60配置於第2之位置之時，令補強樑44繞入膜材料62之距離為t[μm]時，此等之距離合計(s＋t)乃將沿補強樑44之開口部42之長度方向之最大長度，設定較p為大地，可無斷線地形成線狀體61。
即，經由滿足下述式2之關係，可無斷線地形成線狀體61。然而，圖7所示擴大圖中，配合圖示，成為p>s＋t，例示了線狀體61斷線之情形。
p<s＋t………式2
因此，膜材料62繞入補強樑44之距離為t時之對於膜材料之坩堝603之中心軸之入射角度為α，膜材料62繞入補強樑44之距離為s時之對於膜材料之坩堝603之中心軸之入射角度為β時，由於下式3之關係之成立，將此下式3代入前述式2時，則成為式4。
t＝t．tan α、s＝r．tan β………式3 p<r．(tan α＋tan β)………式4
更且，由於下述式5關係的成立，經由將此下式5代入前述式4，可導出前述式所成關係。
tan α＝(A－X)/B、tan β＝(A＋X)/B………式5
如以上之說明，滿足式1所成關係之時，將基板60(掩膜40)，在前述第1之位置、與前述第2之位置間，經由至少一次的變位，可使線狀體61不斷線地加以形成。為此，基板60之旋轉乃在本實施形態所說明，不限定於連續性進行之情形，例如使基板60間歇性進行前述第1之位置與前述第2之位置間之變位亦可。
然而，如圖2所示，掩膜40在開口部42具備拓寬部45，於此拓寬部45，設置補強樑44之構成的情形時，如本實施形態所說明地，連續性旋轉基板60為佳。由此，膜材料62通過開口部42之時，從拓寬部45側繞入補強樑44，可確實形成無斷線之線狀體61。
又，此掩膜40乃在形成線狀體61之時，經由除去(剝離)層積於與基板60相反側之面的膜材料，可重覆使用(再利用)。如此，經由掩膜40之再利用，可達形成(成膜)線狀體61時之成本的削減。
<發光裝置>
接著，做為具備經由本發明之成膜方法形成之線狀體的本發明之發光裝置，舉被動矩陣型顯示裝置為例加以說明。
圖8及圖8乃顯示適用本發明之發光裝置之被動矩陣型顯示裝置之一例圖，圖8乃縱剖面圖、圖9乃斜視圖。然而，在說明上之方便，圖8中，將控制電路之記載加以省略，圖9中，將透明基板2、正孔輸送層4、電子輸送層6及封閉構件8之記載加以省略。又，在以下之說明中，將圖8中之上側稱「上」，下側稱為「下」。
圖8及圖9所示被動矩陣型顯示裝置(以下，僅稱「顯示裝置」。)10乃具有透明基板2、和設於此透明基板2上之複數之有機EL元件(有機發光元件)1、和對向於透明基板2，封閉各有機EL元件1而設置之封閉構件8。
又，顯示裝置10乃各具有控制具備有機EL元件1之陽極3及陰極7之ON/OFF的控制手段31及控制手段71。
透明基板2乃構成顯示裝置10之各部支持體。
又，本實施形態之顯示裝置10乃從此透明基板2側取出光線的構成(底發射型)之故，於透明基板2要求有透明性。
於如此透明基板2中，選擇各種玻璃材料基板及各種樹脂基板中之透明者，例如使用石英玻璃、鈉玻璃之玻璃材料，或聚乙烯對苯二甲酸酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚丙烯、環烯烴聚合物、聚醯胺、聚醚碸、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚芳香酯之樹脂材料等為主材料面構成之基板。
透明基板2之平均厚度雖未特別加以限定，但為0.2~30mm程度為佳，更佳者為0.5~20mm程度。
於此透明基板2上，複數設置具備一對之電極(陽極3及陰極7)、和於此等電極間從陽極3側順序設置之正孔輸送層4、和發光層4、和電子輸送層6的有機EL元件(發光元件)1。
本實施形態中，各陽極3及各陰極7乃各設呈直線狀(帶狀)，此等之電極間乃交叉呈矩陣狀地而對向加以配置。然後，各陽極3乃與控制手段31、各陰極7則與控制手段71，經由配線，電性加以連接。
又，各有機EL元件1之正孔輸送層4及電子輸送層6乃一體形成，對應於陽極3與陰極7所交叉之交叉範圍，各別地加以設置。
然而，使有機EL元件1成為如是之構成時，經由控制手段31及控制手段71，可獨立控制各陽極3及各陰極7，施加電壓於期望位置之交叉範圍。為此，可使對應於交叉範圍而設置之個別發光層5獨立地發光。即，可使各有機EL元件1，獨立加以發光。
又，具備如此有機EL元件1之顯示裝置10可為單色發光之單彩顯示者，亦可為經由選擇各別設置之發光層5之構成材料(發光材料)，成為彩色顯示者。
以下，對於構成有機EL元件1之各部加以說明。
陽極4乃於正孔輸送層4注入正孔之電極。
做為此陽極3之構成材料(陽極材料)，顯示裝置10乃從此陽極3側取出光線的底發射型構造之故，具有透光性，可適切使用工作函數為大之導電性材料。
做為如此陽極材料，可列舉銦錫氧化物(ITO)、含氟銦錫氧化物(FITO)、銻錫氧化物(AZO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋁鋅氧化物(AZO)、氧化錫(SnO2 )、氧化鋅(ZnO)、含氟氧化錫(FTO)、含氟銦氧化物(FIO)、銦氧化物(IO)等之透明導電性材料，可使用此等之中之至少一種者。
陽極3之平均厚度雖未特別加以限定，但為10~300 nm程度為佳，更佳者為50~200 nm程度。
如此陽極3乃該光如線圈可視光範圍)之透過率為60%以上為佳，更佳為80%以上。由此，可有效率將光線，從陽極3側取出。
另一方面，陰極7乃於電子輸送層6注入電子之電極。
做為陰極7之構成材料(陰極材料)，可適切選擇導電性優異、工作函數小之材料。
做為如此陰極材料，可列舉Al、Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、Cu、Cs、Rb或含此等之合金等，可使用此等之至少一種。
尤其，做為陰極材料使用合金之時，使用含Ag、Al、Cu等之安定金屬元素的合金，具體而言使用MgAg、AlLi、CuLi等之合金。經由將相關合金使用做為陰極之時，可達陰極7之電子注入率率及安定性的提升。
陰極7之厚度(平均)乃1nm~1 μm程度為佳，更佳為100~400nm程度。
於陽極3與陰極7間，如前述，正孔輸送層4、和發光層5、和電子輸送層6，則由陽極3側，以此順序層積加以設置。
正孔輸送層4乃具有將從陽極3注入之正孔，輸送至發光層5之機能者。
又，做為此正孔輸送層4之構成材料(正孔輸送材料)，例如可列舉聚芳香胺、芴－芳香胺共聚物、芴－雙噻吩共聚物、聚(N－乙烯基咔唑)、聚乙烯芘，聚乙烯蒽、聚噻吩、聚烷基噻吩、聚己烷噻吩、聚(p－對苯乙烯)、芘甲醛樹脂、乙基咔唑甲醛樹脂或此衍生物等，可組合基中之一種或二種以上加以使用。
正孔輸送層4之厚度(平均)雖未特別加以限定，但為10~150nm程度為佳，更佳者為50~100nm程度。
電子輸送層6乃具有將從陰極7注入之電子，輸送至發光層5之機能者。
做為電子輸送層6之構成材料(電子輸送材料)，例如可列舉如1,3,5－三[3－苯基－6－三－氟甲基]喹喔啉－2－基]苯(TPQ1)、1,3,5－三[{3－(4－t－丁基苯基)－6－三氟甲基}喹喔啉－2－基]苯(TPQ2)之苯系化合物、萘系化合物、菲系化合物、屈系化合物、苝系化合物、蒽系化合物、芘系化合物、吖啶系化合物、芪系化合物、BBOT之噻吩系化合物、丁二烯系化合物、香豆素系化合物、喹啉系化合物、二苯乙烯基系化合物、二苯乙烯基吡嗪之吡嗪系化合物、喹喔啉系化合物、2,5－二苯基－對－苯醌之苯醌系化合物、萘醌系化合物、蒽醌系化合物、2－(4－聯苯基)－5－(4－t－丁苯基)－1,3,4－噁二唑(PDB)之噁二唑系化合物、噁唑系化合物、蒽酮系化合物、1,3,8－三硝基芴酮(TNF)之芴酮系化合物、MBDQ之二苯酚合苯醌系化合物、MBSQ之二苯乙烯醌系化合物、蒽醌二甲烷系化合物、噻喃二氧化物系化合物、亞芴基甲烷系化合物、二苯基二氰基乙烯系化合物、芴系化合物、8－羥基噻啉鋁(Alq3 )、苯并噁二唑或苯并噻唑為配位子之錯合物之各種金屬錯合物等，可組合此等中之一種或二種以上加以使用。
電子輸送層6之平均厚度雖未特別加以限定，但為1~100nm程度為佳，更佳者為20~50nm程度。
於陽極3與陰極7間，通電時(施加電壓)，正孔輸送層4中之正孔，或電子輸送層6中之電子則移動，於發光層5，正孔與電子則再結合。然後，於發光層6，經由於此再結合時所放出的能量，產生激子，於此激子回復至基態時，放出能量(螢光或磷光)
做為此發光層5之構成材料(發光材料)，於電壓施加時，可從陽極3側注入正孔，或從陰極7側注入電子，提供正孔與電子再結合之處所者，任何形式者皆可。
具體而言，做為發光材料，例如可列舉1,3,5－三[3－苯基－6－三氟甲基]喹喔啉－2－基]苯(TPQ1)、1,3,5－三[{3－(4－T－丁基苯基)－6－三氟甲基}喹喔啉－2－基]苯(tpq2)之苯系化合物、酞花青、銅酞花青(CuPc)、鐵酞花青之金屬或無金屬之酞花青系化合物、三(8－羥基喹啉)鋁(Alq3 )、因子三(2－苯基吡啶)銥(Ir(ppy)3 )之低分子系者，或噁二唑系高分子、三唑系高分子、咔唑系高分子系高分子者，組合此等1種或2種以上，得目的之發光色。
然而，發光層乃可為以如此發光材料中之一種或2種以上所構成之單層體，亦1可為層積體。
發光層5之厚度(平均)雖未特別加以限定，但為10~150nm程度為佳，更佳者為50~100nm程度。
又，於陽極3與陰極7間，除了正孔輸送層4、發光層5、及電子輸送層6以外，可設置任意目的之層。
例如，於陽極3與正孔輸送層4間，設置提升從陽極3至正孔輸送層4之正孔之注入效率的正孔注入層亦可，於陰極7與電子輸送層4間，設置提升從陰極7至電子輸送層4之電子之注入效率的電子注入層亦可。
做為正孔注入層之構成材料(正孔注入材料)，例如可列舉銅酞花青、或4,4’,4’’－三(N,N－苯基－3－甲苯胺)三苯胺(m－MTDATA)等。
又，做為電子注入層之構成材料(電子注入材料)，例如可列舉8－羥基喹啉、噁二唑、及此等衍生物(例如含8－羥基喹啉之金屬螯合氧化化合物)或LiF、KF、LiCl、KCl、NaCl之鹼金屬之鹵化物等，可組合此等之1種或2種以上而加以使用。
又，與透明基板2對向地，設置封閉構件8。此封閉構件8乃具備凹部81，於此凹部81內，收容如上述構成之各有機EL元件1。
此封閉構件8乃具冑將具備有機EL元件1之各層3、4、5、6、7，氣密性地加以封閉，切斷氧或水分之機能。經由設置封閉構件8，可得顯示裝置10之可靠性之提升或變質、劣化之防止等之效果。
做為封閉構件8之構成材料，例如可列舉鈉玻璃、結晶性玻璃、石英玻璃、鉛玻璃等。
又，封閉構件8與透明基板2乃於透明基板2之緣部，藉由黏著層(未圖示)加以接合。
做為此黏著層之構成材料，例如可列舉環氧系樹脂、丙烯酸系樹脂、丙烯酸環氧系樹脂之硬化性樹脂等。
然而，做為具備有機EL元件1之各層3、4、5、6、7加以氣密性封閉之方法，除了設置上述封閉構件8之方法之外，可使用在透明基板2上露出之各層(本實施形態中為正孔輸送層6及陰極7)，接觸保護層而形成之方法。經由使用形成保護層之方法，可實現發光裝置10之更進一步的薄型化。
做為如此保護層之構成材料，例如可使用氮化氧化矽、二氧化矽及各種樹脂材料等。
如此之顯示裝置10乃例如可如下加以製造。
[1D]首先，準備透明基板2。
[2D]接著，於透明基板2上，直線形成複數之陽極3。
此陽極3乃於透明基板2上，例如經由真空蒸著法或濺鍍法之氣相成膜法等，將如前述之陽極3之構成材料，形成為主材料構成之導電膜後，使用光微影法等，經由圖案化而獲得。
[3D]接著，於各陽極3及各陽極間之中露出之透明基板2上，形成正孔輸送層4。
此正孔輸送層4乃例如可經由使用濺鍍法、真空蒸著法、CVD法等之氣相製程、使用旋塗法、條碼法、輥塗佈法、噴塗法、網版印刷法、平板印刷法、噴墨印刷法等之液相製程而形成，其中，經由氣相製程形成者為佳。經由使用氣相製程形成正孔輸送層4，於所得正孔輸送層4，可確實防止或減低水分等之混入。結果，可確實防止或抑制有機EL元件之特性之歷時性劣化。
[4D]接著，對應於陽極3與下個工程[6D]所形成之陰極7所交叉之範圍地，在正孔輸送層4上，呈矩陣狀地形成複數之發光層5。
此發光層5雖可經由氣相製程或液相製程加以形成，但與前述同樣之理由，經由氣相製程加以形成者為佳。
又，發光層5之圖案化乃具備對應於形成之發光層5之形狀的開口部的掩膜，即，將設置呈矩陣狀之開口部之掩膜，裝設於具備陽極3及正孔輸送層4之透明基板2之狀態下，經由施以氣相製程，可容易加以進行。
又，使用相關方法，經由進行發光層5之圖案，則如使用光微影法等之時，各層3、4、5不曝曬於水系溶媒等之故，可確實防此此等層3、4、5之變質、劣化。
[5D]接著，於各發光層5及各發光層5間之中間所露出之正孔輸送層4上，形成電子輸送層6。
此電子輸送層6雖可經由氣相製程或液相製程加以形成，但與前述同樣之理由，經由氣相製程加以形成者為佳。
[6D]接著，對應於與陽極3交叉，且與此陽極3交叉之範圍，設置發光層5之範圍地，在電子輸送層6上，呈直線狀地形成複數之陰極7。
於此陰極7之形成，適用上述本發明之成膜方法。由此，可形成確實阻止扭曲或歪曲之產生的陰極7。
又，經由使用本發明之成膜方法，形成陰極7，將複數之細寬度之陰極7，可以一次之氣相成膜法整體形成之故，可減少施以氣相成膜之次數即減少製造工程，更可達到製造成本之削減。又，使用掩膜定位標記46之掩膜40之定位，僅需進行一次之故，吾達成形成之陰極7之定位(對準)之精度之提升。
然而，如本實施形態，於如電子輸送層6之有機層上，形成如陰極7之金屬配線(線狀體)時，做為使用於本發明之成膜方法之氣相成膜法，使用真空蒸著法者為佳。根據真空蒸著法時，將金屬配線之構成材料(膜材料)，可以較慢之速度，被覆(列達)於有機層上，於被覆膜材料時，可適切抑制有機層之變質、劣化。然而，為達形成金屬層之時間之縮短時，以真空蒸著法，於與有機層接觸之範圍，形成下層，以濺鍍法等，於下層上，形成上層即可。
又，將掩膜40，裝設於具備各層3、4、5、6之透明基板2之時，具備掩膜40之補強樑44，則不對應於先形成之陽極3地，加以定位者為佳。由此，在對應於形成陰極(線狀體)7之補強樑44之位置，即使形成該膜厚為薄之薄膜部，此薄膜部可確實防止形成於與陽極3之交叉位置。由此，即使起因於薄膜部之阻抗值的增大，使陰極7發熱時，亦可適切防止或抑制由於此發熱使各層3、4、5、6變質、劣化。
然而，如本發明之成膜方法，於陰極7之形成，經由選擇使用掩膜(遮罩)之氣相成膜法，在形成陰極7之前設置，可省略限制對透明基板2上之陰極7之形狀之間隔壁部之形成。由此，可達製造工程之削減的同時，可實現發光裝置10之薄型化。
如以上所述，於透明基板2上，形成複數之有機EL元件1。
[7D]接著，準備設置凹部81之封閉構件8。
然後，於凹部81內收容各有機EL元件1地，將封閉構件8在對向於透明基板2之狀態下，使透明基板2與封閉構件8，於透明基板2之緣部，藉由黏著層加以接合。
由此，各有機EL元件1則經由封閉構件8所封閉，完成顯示裝置10。
〔電子機器〕
如此之顯示裝置10乃可組裝於各種之電子機器。
圖10中，顯示適用本發明之電子機器之可攜型(或筆記型)之個人電腦之構成的斜視圖。
於圖中，個人電腦1100乃經由具備鍵盤1102之本體部1104、和具備顯示部之顯示單元1106所構成，顯示單元1106乃對於本體部1104而言，藉由鉸鏈構造部，呈可旋動地加以支持。
於此個人電腦1100中，具備顯示單元1106之顯示部則以前述顯示裝置10加以構成。
圖11中，顯示適用本發明之電子機器之攜帶電話機(含PHS)之構成的斜視圖。
於此圖中，攜帶電話機1200乃具備複數之操作鈕1202、受話口1204及送話口的同時，具備顯示部。
於攜帶電話機1200中，此顯示部乃以前述顯示裝置10加以構成。
圖12中，顯示適用本發明之電子機器之數位相機之構成的斜視圖。然而，於此圖中，對於外部機器之連接，則簡易地加以顯示。
在此，相較於通常之相機為經由被攝體之光像，感光銀鹽照相軟片而言，數位相機1300乃將被攝體之光像，經由CCD(電耦合裝置)等之攝像元件，光電變換，生成攝像信號(畫像信號)。
於數位相機1300之外殼(機身)1302之背面，設有顯示部，根據CCD之攝像信號，成為進行顯示之構成，當做將被攝體做為電子畫像顯示之觀景器工作。
於數位相機1300中，此顯示部乃以前述顯示裝置10加以構成。
於外殼內部，設置電路基板1308。於此電路基板1308乃設置可收容攝像信號(記憶)之記憶體。
又，於外殼1302之正面側(圖示之構成為背面側)，設置光學透鏡(攝影光學系)或含CCD之受光單元1304。
確認攝影者顯示於顯示部之被攝體，接下快門鈕1306時，於該時點CCD之攝像信號則傳送、收容於電路基板1308之記憶體。
又，於數位相機1300中，於外殼1302側面，設置視訊信號輸出端子1312、資料通信用之輸出入端子1314。然後，如圖示，於視訊信號輸出端子1312中，電視監視器1430可依需要連接，於資料通信用之輸出入端子1314，可依需要連接個人電腦1440。更且，經由特定之操作，收容於電路基板1308之記憶體之攝像信號則呈輸出至電視監視器1430、或個人電腦1440的構成。
然而，本發明之電子機器乃可適用於圖10之個人電腦(可攜型個人電腦)、圖11之攜帶電話機、圖12之數位相機之外，適用於例如電視機、攝錄放影機、觀景型、監視直視型之錄放影機、膝上型個人電腦、汽車導航裝置、呼叫器、電子筆記本(亦可含通信機能)、電子字典、計算機、電子遊樂器、文字處理機、工作站、電視電話、防盜用電視監視器、電子雙筒鏡、銷售點終端機、具備觸摸面板之機器(例如金融機關之提款機、自動售票機)、醫療機器(例如電子體溫計、血壓計、血糖計、心電圖顯示裝置、超音波診斷裝置、內視鏡用顯示裝置)、魚群探測機、各種測定機器、計測器類(例如車輛、航空機、船舶之計測器類)、飛行模擬器、其他各種監視器類、投影機等之投射型顯示裝置等。
以上，將本發明之掩膜、成膜方法、發光裝置及電子機器，根據圖示之實施形態做了說明，但本發明非限定於此。
又，本發明之成膜方法乃可追加任意目的工程之一個或2個以上。
更且，本發明之成膜方法乃除了適用於上述被動矩陣型顯示裝置之陰極之外，例如可適用具備配線基板之金屬配線等。
〔實施例〕
接著，對於本發明之具體實施例加以說明。
1、掩膜之形成
首先，如以下，準備掩膜(A)及掩膜(B)。
<掩膜(A)>
<1A>首先，準備示0.400mm之矽單結晶基板，將此矽單結晶基板放置於1050℃水蒸氣中，於此基板之外表面，形成1 μm之二氧化矽膜。
<4A>接著，如圖4(a)及圖5(a)所示，使用光微影法技術，形成對應於欲形成開口部形狀之光阻層後，將存在於此光阻層之開口部之二氧化矽膜，使用緩衝氟酸溶液除去，露出矽單結晶基板之表面。
<3A>，接著，如圖4(b)及圖5(b)所示，使用光微影法技術等，形成開口部之範圍中，於形成補強樑之範圍，形成光阻層。
<4A>接著，如圖4(c)及圖5(c)所示，使用乾蝕刻裝置(Deep－Si－RIE)，形成開口部之範圍中，將未形成補強樑範圍之矽單結晶基板，均勻除去至特定之深度。
<5A>，接著，如圖4(d)及圖5(d)所示，使用氧電漿所成在大氣壓下之灰化，除去光阻層，於形成開口部之範圍中，露出矽單結晶基板之表面。
<6A>接著，與前述工程<4A>相同地，如圖4(e)及圖5(e)所示，使用乾蝕刻裝置，將形成開口部之範圍之矽單結晶基板，更均勻除去至特定之深度。
<7A>接著，將形成於矽單結晶基板之外表面之二氧化矽膜，使用緩衝氟酸溶液除去，再度，如圖4(f)及圖5(f)所示，與前述工程<1A>同樣地，於矽單結晶基板之外表面整體，形成二氧化矽膜。
<8A>接著，如圖4(g)及圖5(g)所示，與前述工程<2A>同樣，形成於與施以矽單結晶基板之前述工程<2A>~<6A>之處理之與面為相反側之面的二氧化矽膜中，除去排除矽單結晶基板之外周部的範圍，露出矽單結晶基板之表面。
<9A>接著，如圖4(h)及圖5(h)所示，將從二氧化矽膜露出之矽單結晶基板，經由將KOH做為蝕刻液使用之濕蝕刻，對於矽單結晶基板之厚度方向均勻地加以除去至特定深度。
<10A>接著，如圖4(i)及圖5(i)所示，經由緩衝氟酸溶液，除去形成於矽單結晶基板之外表面之二氧化矽膜。
經由以上之工程，形成具備開口部(長度40mm、寬度100 μm)、和補強樑之寬度p為50 μm、從裝設基板之側面至補強樑之距離r為100 μm的補強樑的掩膜(A)。
<掩膜(B)>
省略前述工程<3A>~<5a>之外，與前述掩膜(A)之形成工程相同，形成省略補強樑之形成的掩膜(B)。
2、線狀體之形成及評估 (實施例1)
<1B>首先，將掩膜(A)裝設於石英玻璃基板後，將裝設此掩膜(A)之石英玻璃基板，設定於處理室內之基板保持器。
然後，於坩堝內，做為膜材料設定A1。
此時，設定呈基板保持器之旋轉中止之軸與坩堝之中心軸之間隔距離A為10.0cm、掩膜(A)與坩堝之開口部之間隔距離B為20.0cm。
<2B>接著，使排氣泵動作，令處理室內之壓力設定呈1×10－3 Pa。
<3B)接著，經由使具備基板保持器之旋轉軸旋轉，令石英玻璃基板(掩膜(A))，以10次/分的旋轉數加以旋轉。
<4B>接著，在旋轉石英玻璃基板之狀態下，將坩堝加熱至1200℃，經由氣化Al，於石英玻璃基板上，形成令Al為主材料之平均膜厚150nm之線狀體。
(實施例2)
於前述工程<1B>中，除了設定呈基板保持器之旋轉中止之軸與坩堝之中心軸之間隔距離A為6.5cm、掩膜(A)與坩堝之開口部之間隔距離B為10.0cm之外，與前述實施例1同樣，於石英窗玻璃基板上，形成線狀體。
(比較例)
於前述工程<1B>，代替掩膜(A)，將掩膜(B)裝設於石英玻璃基板之外，將與前述實施例1同樣，於石英玻璃基板上，形成線狀體。
對於各實施例及比較例中形成之線狀體，各將該形狀使用掃瞄型電子顯微鏡(SEM)加以觀察。
結果，於各實施例中，幾近呈均勻膜厚地形成線狀體。對此，於比較例中，在線狀體之形狀產生彎曲，形成不均勻膜厚之線狀體。
31、71．．．控制手段
40．．．掩膜
41．．．掩膜本體
42．．．開口部
43．．．間隔壁部
44．．．補強樑
45．．．拓寬部
46．．．掩膜定位標記
47．．．金屬層
50．．．掩膜基材
50a、50b．．．面
51．．．耐乾蝕刻膜
52．．．光阻層
53．．．耐濕蝕刻膜
60．．．基板
61．．．線狀體
62．．．膜材料
600．．．真空蒸著裝置
601．．．處理室
602．．．基板保持器
603．．．坩堝
604．．．排氣泵
605．．．旋轉軸
1．．．有機電激發光元件
2．．．透明基板
3．．．陽極
4．．．正孔輸送層
5．．．發光層
6．．．電子輸送層
7．．．陰極
8．．．封閉構件
81．．．凹部
10．．．顯示裝置
1100．．．個人電腦裝置
1102．．．鍵盤
1104．．．本體部
1106．．．顯示單元
1200．．．攜帶電話機
1202．．．操作鈕
1204．．．受話口
1206．．．送話口
1300．．．數位相機
1302．．．外殼(機身)
1304．．．受光單元
1306．．．快門鈕
1308．．．電路基板
1312．．．視訊信號輸出端子
1314．．．資料通信用之輸出入端子
1430．．．電視監視器
1440．．．個人電腦裝置
〔圖1〕顯示本發明之掩膜之第1實施形態的斜視圖。
〔圖2〕顯示開口部之其他之構成的平面圖。
〔圖3〕顯示補強樑之其他之構成的縱剖面圖。
〔圖4〕顯示圖1所示之掩膜之形成方法之縱剖面圖。
〔圖5〕顯示圖1所示之掩膜之形成方法之縱剖面圖。
〔圖6〕顯示本發明之掩膜之第2實施形態的斜視圖。
〔圖7〕顯示使用本發明之掩膜，將線狀體以氣相成膜法形成之成膜方法之圖。
〔圖8〕顯示適用本發明之發光裝置之被動矩陣型顯示裝置之一例的縱剖面圖。
〔圖9〕顯示適用本發明之發光裝置之被動矩陣型顯示裝置之一例的斜視圖。
〔圖10〕顯示適用本發明之電子機器之可攜型(或筆記型)之個人電腦之構成的斜視圖。
〔圖11〕顯示適用本發明之電子機器之攜帶電話機(含PHS)之構成的斜視圖。
〔圖12〕顯示適用本發明之電子機器之數位相機之構成的斜視圖。
40．．．掩膜
41．．．掩膜本體
42．．．開口部
43．．．間隔壁部
44．．．補強樑
46．．．掩膜定位標記

Claims (12)

  1. 一種掩膜，屬於在基板固定一方面側，從另一方面側，將膜材料藉由氣相製程而供給，將幾近平行併設之複數線狀體，形成於前述基板之表面而使用之掩膜，其特徵乃具備具有對應於前述線狀體之圖案的複數開口部的掩膜本體、和橫亙前述開口部而設置，藉由本身重量防止前述掩膜本體之變形機能的補強樑；前述補強樑乃在前述開口部之厚度方向，偏移存在於前述另一方面側而設置，前述開口部乃，具有寬度增大之拓寬部，於該拓寬部，設置前述補強樑。
  2. 如申請專利範圍第1項之掩膜，其中，前述掩膜本體與前述補強樑乃一體形成者。
  3. 如申請專利範圍第2項之掩膜，其中，前述掩膜乃主要以矽所構成。
  4. 如申請專利範圍第3項之掩膜，其中，前述一方之面中，形成有金屬層。
  5. 如申請專利範圍第4項之掩膜，其中，前述金屬層乃使用無電解電鍍法而形成者。
  6. 如申請專利範圍第4項或第5項之掩膜，其中，前述金屬層乃將鈷、鐵及鎳中之至少一種做為主材料而構成。
  7. 如申請專利範圍第1項至第5項之任一項之掩膜， 其中，前述補強樑乃沿前述開口部之長度方向，以幾近相等之間隔而複數設置。
  8. 如申請專利範圍第1項至第5項之任一項之掩膜，其中，前述補強樑乃其寬度為從一方面側朝向另一方面側，幾近呈一定者。
  9. 如申請專利範圍第1項至第5項之任一項之掩膜，其中，前述補強樑乃其寬度為從一方面側朝向另一方面側，具有漸增之部分者。
  10. 一種成膜方法，屬於具有對向於供給前述膜材料之膜材料供給源，在保持於設呈可旋轉之基板保持器的前述基板，裝設如申請專利範圍第1項至第9項之任一項記載之掩膜的工程，在前述膜材料供給源與前述基板之距離為呈最大之第1之位置、和對於前述第1之位置而言，令前述基板保持器之旋轉中心為中心的點對稱第2之位置間，將前述基板進行至少一次變位，將從前述膜材料供給源所供給之前述膜材料，通過前述掩膜之前述開口部，形成前述線狀體的工程之成膜方法，其特徵乃令前述基板保持器之旋轉中心之軸與前述膜材料供給源之中心軸之間隔距離為A[cm]，令前述掩膜與前述膜材料供給源之開口部之間隔距離為B[cm]、令沿前述補強樑之前述掩膜之前述開口部之長度方向的最大長度為p[μm]，令前述基板與前述補強樑之間隔距離為r[μm]時，設定呈滿足p/r<2A/B所成之關係。
  11. 如申請專利範圍第10項之成膜方法，其中，前述基板之前述第1之位置與前述第2之位置間的變位乃經由旋轉前述基板保持器而進行。
  12. 如申請專利範圍第11項之成膜方法，其中，前述基板之旋轉乃連續性或間歇性地進行者。
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